JP2007302771A - 封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)1分子中に2個以上の水酸基を有するフェノール樹脂、(C)無機質充填材(D)硬化触媒からなるエポキシ樹脂組成物において、(E)一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンを(A)、(B)の合計量100重量部に対して1〜20重量部添加することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂に特定のシリコーン化合物を添加しているため、シリコンチップ、リードフレームとの接着性に優れ、保存性、成形性、耐リフロークラック性に優れる硬化物を与えるものである。
【選択図】 なし
【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂に特定のシリコーン化合物を添加しているため、シリコンチップ、リードフレームとの接着性に優れ、保存性、成形性、耐リフロークラック性に優れる硬化物を与えるものである。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体装置の部品であるシリコンチップ、リードフレーム、有機基板との接着性に著しく優れ、硬化性、成形性、高温での信頼性及び耐半田クラック性、保存性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物によって封止された半導体装置に関する。
現在、半導体装置の高密度実装化に伴って表面実装型パッケージが主流になっている。これら表面実装型パッケージを実装する際には、ペーパーフェーズリフロー、赤外線リフロー、半田浸漬等の工程が採用されている。近年では、薄型のTSSOP、TQFP、MQFP,P-BGA、F-BGAのようなパッケージが主流となりつつあり、また環境対策の面からフィラー高充填のハロゲン・アンチモンフリーの材料が増えてきている。しかしながら、従来の封止樹脂はリードフレームとの接着性が弱く、パッケージが高温(215〜260℃)にさらされるため、半田リフロー工程において、リードと樹脂の界面で剥離が発生し、信頼性が保証できないという大きな問題が生じている。また、半導体部品の生産性を上げるために成形時の硬化時間は短縮されており、そうした場合に樹脂の硬化が不十分であると樹脂が成型時に金型などから剥がれにくいといった問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、有機基板、リードフレームなどに対する接着性に優れ、鉛フリー半田実装時の耐半田リフロー性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)1分子中に2個以上の水酸基を有するフェノール樹脂、(C)無機質充填材(D)硬化触媒からなるエポキシ樹脂組成物において、(E)一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンを(A)、(B)の合計量100重量部に対して1〜20重量部添加することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物が半導体封止用として信頼性に優れる硬化物を与えることを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、下記の封止用樹脂組成物を提供する。
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)1分子中に2個以上の水酸基を有するフェノール樹脂、(C)無機質充填材(D)硬化触媒からなるエポキシ樹脂組成物において、(E))一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンを(A)、(B)の合計量100重量部に対して1〜20重量部添加することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)1分子中に2個以上の水酸基を有するフェノール樹脂、(C)無機質充填材(D)硬化触媒からなるエポキシ樹脂組成物において、(E))一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンを(A)、(B)の合計量100重量部に対して1〜20重量部添加することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
特には(A)成分であるエポキシ樹脂が下記一般式(1)又は(2)で表されるエポキシ樹脂、又はその併用物である。
また、(B)成分であるフェノール樹脂が下記一般式(3)又は(4)で表されるフェノール樹脂、又はその併用物、
さらに、(C)成分の無機質充填剤が球状シリカであり、(A)、(B)合計量100重量部に対し、500〜900重量部であり、D)硬化触媒からなるエポキシ樹脂組成物において、(E)一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンを(A)、(B)の合計量100重量部に対して1〜20重量部添加することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特定構造のエポキシ樹脂、フェノール樹脂に特定のシリコーン化合物を添加しているため、シリコンチップ、リードフレームとの接着性に優れ、保存性、成形性、耐リフロークラック性に優れる硬化物を与えるものである。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物 について、説明する。
上記封止用エポキシ樹脂組成物 は、薄型のTSSOP、TQFP、MQFP,P-BGA、F-BGAの半導体装置・電子部品の作製に用いられるものである。
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
上記の封止用樹脂組成物のエポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであれば使用できるが、特には下記式(1)及び/又は(2)で示されるものが使用される。
上記封止用エポキシ樹脂組成物 は、薄型のTSSOP、TQFP、MQFP,P-BGA、F-BGAの半導体装置・電子部品の作製に用いられるものである。
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
上記の封止用樹脂組成物のエポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであれば使用できるが、特には下記式(1)及び/又は(2)で示されるものが使用される。
式中、R1は炭素数1〜4のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基等が挙げられ、中でもメチル基が好ましい。aは0〜4、bは0〜3の整数、Qは0〜10の数である。
上記式(1)で表されるエポキシ樹脂の具体例としては、以下のものが例示される。
上記式(1)で示されるエポキシ樹脂は、可とう性に優れ、弾性率が低いために耐衝撃性に強いという特徴を有する。
また、上記式(2)で示される樹脂としては、
その他のエポキシ樹脂
本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に応じて他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用するエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ化合物等が挙げられ、これらのうち1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。またこれらの中では溶融時に低粘度であるビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ化合物等が好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、必要に応じて他のエポキシ樹脂を併用することができる。併用するエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ化合物等が挙げられ、これらのうち1種を単独で又は2種以上を混合して使用することができる。またこれらの中では溶融時に低粘度であるビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ化合物等が好ましい。
なお、他のエポキシ樹脂を併用する場合、上記式(1)及び/又は(2)のエポキシ樹脂量は、エポキシ樹脂全量(式(1)及び/又は(2)のエポキシ樹脂と上記他のエポキシ樹脂との総和)の50〜100質量%であることが好ましく、より好ましくは70〜100質量%である。
(B)1分子中に2個以上の水酸基を有するフェノール樹脂
次に、本発明のエポキシ樹脂組成物中の(B)成分は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂硬化剤であり、特には下記一般式(3)及び/又は(4)で表されるフェノール樹脂を用いる。
次に、本発明のエポキシ樹脂組成物中の(B)成分は、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール樹脂硬化剤であり、特には下記一般式(3)及び/又は(4)で表されるフェノール樹脂を用いる。
式中、R2は炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、又はフェニル基であり、中でもメチル基、フェニル基が好ましい。aは0〜4、bは0〜3の整数、Qは0〜10の数である。
上記式(3)で表されるフェノール樹脂も、本発明のエポキシ樹脂(1)同様、ビフェニルアラルキル骨格を有する樹脂であり、耐熱性・耐クラック性に優れる。上記式(3)で表されるフェノール樹脂の具体例としては、以下のものが例示される。
上記式(4)で示されるトリフェノール型アルカン樹脂は耐熱性に優れ、低粘度であるために、ガラス転移温度を上げたり、フィラーの高充填化を可能にする。例えば
下記のものが使用される。
下記のものが使用される。
その他のフェノール樹脂
なお、上記式(3)及び/又は(4)で表されるフェノール樹脂は、他のフェノール樹脂硬化剤、例えば、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂等と併用して用いることもでき、上記式(3)及び/又は(4)で表されるフェノール樹脂硬化剤量は、フェノール樹脂硬化剤全量(式(3)及び/又は(4)のフェノール樹脂と上記他のフェノール樹脂硬化剤との総和)の50〜100質量%とすることが好ましく、更に好ましくは70〜100質量%である。
なお、上記式(3)及び/又は(4)で表されるフェノール樹脂は、他のフェノール樹脂硬化剤、例えば、フェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF型フェノール樹脂等と併用して用いることもでき、上記式(3)及び/又は(4)で表されるフェノール樹脂硬化剤量は、フェノール樹脂硬化剤全量(式(3)及び/又は(4)のフェノール樹脂と上記他のフェノール樹脂硬化剤との総和)の50〜100質量%とすることが好ましく、更に好ましくは70〜100質量%である。
上記(A)エポキシ樹脂と(B)フェノール樹脂硬化剤の配合割合は特に制限されないが、(A)エポキシ樹脂の合計1モルに対し、(B)フェノール樹脂硬化剤に含まれるフェノール性水酸基の合計のモル比が0.5〜1.5、特に0.8〜1.2であることが好ましい。フェノール性水酸基のモル比が0.5未満であると成型時の硬化性が悪くなる場合があり、1.5を超えると硬化物の吸水量が増大する場合がある。
(C)無機充填剤
本発明に用いる(C)無機質充填剤としては、通常、樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。具体的には、例えば、球状の溶融シリカ、破砕状の溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、ムライト、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、シリカ、特には球状の溶融シリカが望ましく、その平均粒径が5〜30μmで、湿式篩い法で測定した75μmを超える粒径が0.2質量%以下であるものが、成形性、流動性の面からより望ましい。
本発明に用いる(C)無機質充填剤としては、通常、樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。具体的には、例えば、球状の溶融シリカ、破砕状の溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、ムライト、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化硼素、酸化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。これらの中でも、シリカ、特には球状の溶融シリカが望ましく、その平均粒径が5〜30μmで、湿式篩い法で測定した75μmを超える粒径が0.2質量%以下であるものが、成形性、流動性の面からより望ましい。
なお、本発明において、平均粒径は、例えばレーザー光回折法等による粒度分布測定により得ることができ、重量平均値(又はメディアン径)等として求めることができる。
この無機質充填剤の配合量としては、エポキシ樹脂と全フェノール樹脂(A)成分と(B)成分中の合計量100質量部に対し、500〜900重量部とすることが好ましい。500質量部未満では樹脂の割合が高く、十分な耐リフロークラック性が得られない場合がある。また900質量部を超える量では粘度が高くなるために成形できなくなるおそれがある。
なお、無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤表面との結合強度を強くするため、予めシランカップリング剤などで表面処理したものを配合することが好ましい。ここで、表面処理に用いるカップリング剤量及び表面処理方法については特に制限されない。
(D)硬化触媒
本発明の組成物における(D)成分である硬化触媒としては特に制限はなく、例えば、リン系触媒、アミン系触媒等が例示される。ここで、リン系触媒としては、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスホニウムトリフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、びこれらの化合物がアクリル樹脂等でマイクロカプセル化された化合物等が用いられる。
本発明の組成物における(D)成分である硬化触媒としては特に制限はなく、例えば、リン系触媒、アミン系触媒等が例示される。ここで、リン系触媒としては、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスホニウムトリフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、びこれらの化合物がアクリル樹脂等でマイクロカプセル化された化合物等が用いられる。
またアミン系触媒としては、ジシアンジアミド、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、及びこれらの化合物がアクリル樹脂等でマイクロカプセル化された化合物等が用いられる。
(E)シルセスキオキサン
本発明の組成物における(E)成分であるシルセスキオキサンとは、一分子中に少なくとも2個のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンであって、これらのシルセスキオキサン化合物のうち、いずれの構造のものであってもよく、またそれらの混合物であってもよい。
本発明の組成物における(E)成分であるシルセスキオキサンとは、一分子中に少なくとも2個のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンであって、これらのシルセスキオキサン化合物のうち、いずれの構造のものであってもよく、またそれらの混合物であってもよい。
シルセスキオキサンは、通常R′SiX3(ここで、R′は、水素原子、炭素数1〜20の一価炭化水素基、エポキシ基含有有機基、オキセタニル基含有有機基、Xはハロゲン、炭素数1〜6のアルコキシ基等の加水分解性基)で表される3官能性有機ケイ素化合物の加水分解、縮合により合成さるポリシロキサンであってR′SiO1.5単位を有する。但し、R′は一分子中に少なくとも2個のエポキシ基またはオキセタニル基を有する。
かかるシルセスキオキサンは、下記一般式(5)で示されるものである。
(R3SiO3/2)c(R4SiO3/2)d (5)
ここで、R3はエポキシ基又はオキセタニル基を有する炭素数1〜20の有機基であり、R4は水素原子、炭素数1〜20のエポキシ基又はオキセタニル基を有さない一価炭化水素基であり、具体的にはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等があげられる。c/(c+d)は0.01〜1.00であり、m及びnは正の整数である。
(R3SiO3/2)c(R4SiO3/2)d (5)
ここで、R3はエポキシ基又はオキセタニル基を有する炭素数1〜20の有機基であり、R4は水素原子、炭素数1〜20のエポキシ基又はオキセタニル基を有さない一価炭化水素基であり、具体的にはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等があげられる。c/(c+d)は0.01〜1.00であり、m及びnは正の整数である。
シルセスキオキサンの分子配列の形状は、代表的には無定形構造、ラダー型構造、かご型(完全縮合ケージ型)構造又はその部分開裂構造体(かご型構造からケイ素原子のうちの一部が欠けた構造やかご型構造の一部のケイ素−酸素結合が切断された構造のもの)等が知られている。
本発明において、シルセスキオキサンは、(R′SiO1.5)8構造に換算した場合、8個の有機官能基のすくなくとも2個がエポキシ基もしくはオキセタニル基を含む官能基であることを特徴とする。残りの有機官能基の種類も化学反応性が無いか低いものであれば特に限定されず、同一であっても異なっていてもよい。例えば炭素数1〜20のアルキル基、炭素数5〜12のシクロアルキル基等が挙げられる。
炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。炭素数5〜12のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基等が挙げられる。
このシルセスキオキサンのエポキシ当量又はオキセタニル当量は150〜300、好ましくは 160〜250であることが好ましい。エポキシ当量又はオキセタニル当量が150以下では反応性が速くなり保存安定性が悪くなり、300以上ではエポキシ樹脂組成物の硬化性が落ちる可能性があり好ましくない。
その他の成分
また、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機質充填剤及び硬化触媒以外に、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。 例えば、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲン化樹脂、アンチモン酸化物、モリブデン酸塩等の難燃剤、ハロゲントラップ剤等の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で添加配合することができる。
また、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機質充填剤及び硬化触媒以外に、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。 例えば、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等のワックス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲン化樹脂、アンチモン酸化物、モリブデン酸塩等の難燃剤、ハロゲントラップ剤等の添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で添加配合することができる。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機質充填剤、硬化触媒、及び必要に応じてその他の添加物を所定の組成比で配合し、これをヘンシェルミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。
本発明のシール剤組成物は、撹拌、混合及び分散させる際に、組成物のなじみを良くするために、従来公知の各種シランカップリング剤を添加することができる。
上記シランカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシプロピル)テトラスルフィド、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上組み合わせても使用することができる。これらの中でもγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを使用することが好ましく、耐湿信頼性に優れ、吸湿劣化後の接着強度の低下が少ない液晶表示素子用シール剤組成物を得ることができる。
上記カップリング剤を用いる場合、その使用量は、上記(A)〜(D)成分100質量部に対して、通常0.1〜5.0質量部であり、好ましくは0.3〜3.0質量部である。
このようにして得られる本発明の封止用樹脂組成物は、ICカードなどの各種のカードの封止用として有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファー成形法が挙げられる。
なお、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物の成形温度は160〜185℃で30〜180秒、好ましくは40〜90秒、後硬化は150〜185℃で2〜20時間行うことが望ましい。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記の例において部は質量部を示す。
[実施例1〜6、比較例1〜2]
表1に示す組成からなり、表1に示す硬化物特性を有する半導体封止用樹脂組成物で、電子部品を封止し、半導体部品を得た。半導体部品の評価結果を表3に示した。組成物の特性及び半導体部品の評価は下記方法で実施した。
なお、表1に示した組成物の成分は、これを連続混練機で100℃の条件で溶融混合し、半導体封止用組成物を得た。
表1に示す組成からなり、表1に示す硬化物特性を有する半導体封止用樹脂組成物で、電子部品を封止し、半導体部品を得た。半導体部品の評価結果を表3に示した。組成物の特性及び半導体部品の評価は下記方法で実施した。
なお、表1に示した組成物の成分は、これを連続混練機で100℃の条件で溶融混合し、半導体封止用組成物を得た。
《スパイラルフロー》
EMMI規格に準じた金型を使用して、温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間90秒の条件で測定した。
EMMI規格に準じた金型を使用して、温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間90秒の条件で測定した。
《線膨張係数》
温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で5×5×15mmの硬化物を成形し、180℃で4時間ポストキュアした。その後、理学(株)製TMA8140Cで−55℃〜50℃、及び150〜200℃の線膨張係数を測定した。昇温スピード5℃/min。
温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で5×5×15mmの硬化物を成形し、180℃で4時間ポストキュアした。その後、理学(株)製TMA8140Cで−55℃〜50℃、及び150〜200℃の線膨張係数を測定した。昇温スピード5℃/min。
《ゲル化時間》
175℃に加熱された熱板上に組成物を薄く広げ、スパチュラで樹脂を掻き取り、熱板面から樹脂が剥がれる点をゲル化時間とした。
175℃に加熱された熱板上に組成物を薄く広げ、スパチュラで樹脂を掻き取り、熱板面から樹脂が剥がれる点をゲル化時間とした。
《溶融粘度》
(株)島津製作所製の高化式フローテスターを用い、1mmφ×10mmのダイスを用いて、175℃で10kgfの荷重をかけて測定した時の最低溶融粘度を求めた。
(株)島津製作所製の高化式フローテスターを用い、1mmφ×10mmのダイスを用いて、175℃で10kgfの荷重をかけて測定した時の最低溶融粘度を求めた。
《曲げ強度》
JIS−K6911に準じ、温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間90秒の条件で成形し、180℃で4時間後硬化した硬化物を用い測定した。
JIS−K6911に準じ、温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間90秒の条件で成形し、180℃で4時間後硬化した硬化物を用い測定した。
《接着性 A》
10×10mmの大きさで、SiNパッシベーションで保護されたSiチップを、上記樹脂組成物で温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間60秒の条件で成形し、接着用テストピースを作製した。これを180℃、4時間で後硬化した後、260℃での接着力を測定した。なお、テストピースのチップと樹脂の接着面積は10mm2である。
10×10mmの大きさで、SiNパッシベーションで保護されたSiチップを、上記樹脂組成物で温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間60秒の条件で成形し、接着用テストピースを作製した。これを180℃、4時間で後硬化した後、260℃での接着力を測定した。なお、テストピースのチップと樹脂の接着面積は10mm2である。
《接着性 B》
15×15mmのAgメッキされた194アロイフレームを、上記樹脂組成物で温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間60秒の条件で成形し、接着用テストピースを作製した。これを180℃、4時間で後硬化した後、室温での接着力を測定した。なお、テストピースのフレームと樹脂の接着面積は10mm2である。
15×15mmのAgメッキされた194アロイフレームを、上記樹脂組成物で温度175℃、圧力6.9N/mm2、成形時間60秒の条件で成形し、接着用テストピースを作製した。これを180℃、4時間で後硬化した後、室温での接着力を測定した。なお、テストピースのフレームと樹脂の接着面積は10mm2である。
《耐リフロークラック試験》
14×20×1.4mmのPdメッキされたフラットパッケージを温度175℃、圧力70kgf/cm2、成形時間45秒の条件で成形し、180℃で4時間ポストキュアした。これを85℃/85%RHの恒温恒湿器に168時間放置して吸湿させた後、温度260℃の半田浴に30秒浸漬し、リードフレーム面の剥離度を超音波探傷機を用いて観察し、またパッケージ外部のクラックを観察した。
14×20×1.4mmのPdメッキされたフラットパッケージを温度175℃、圧力70kgf/cm2、成形時間45秒の条件で成形し、180℃で4時間ポストキュアした。これを85℃/85%RHの恒温恒湿器に168時間放置して吸湿させた後、温度260℃の半田浴に30秒浸漬し、リードフレーム面の剥離度を超音波探傷機を用いて観察し、またパッケージ外部のクラックを観察した。
使用した原材料を下記に示す。
(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂(イ):下記式で表されるエポキシ樹脂(NC3000P:日本化薬(株)製、エポキシ当量272)
(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂(イ):下記式で表されるエポキシ樹脂(NC3000P:日本化薬(株)製、エポキシ当量272)
エポキシ樹脂(ロ):下記式で表されるエポキシ樹脂(YX4000HK:油化シェル(株)製、エポキシ当量190)
エポキシ樹脂(ハ):下記式で表される多官能型エポキシ樹脂(EPPN501:日本化薬(株)製、エポキシ当量165)
エポキシ樹脂(二):下記式で表されるオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(EOCN−1020−80:日本化薬(株)製、エポキシ当量200)
(B)フェノール樹脂
フェノール樹脂(ホ):下記式で表されるフェノール樹脂(MEH7851L、明和化成(株)製、フェノール性水酸基当量199)
フェノール樹脂(ホ):下記式で表されるフェノール樹脂(MEH7851L、明和化成(株)製、フェノール性水酸基当量199)
フェノール樹脂(へ):下記式で表されるトリフェノールアルカン型フェノール樹脂(MEH7500:明和化成(株)製、フェノール当量 97 )
フェノール樹脂(ト):下記式で表されるフェノールアラルキル樹脂(MEH7800SS:明和化成(株)製、フェノール性水酸基当量175、150℃におけるICI溶融粘度100mPa・s)
フェノール樹脂(チ):下記式で表されるノボラック型フェノール樹脂(TD−2131:大日本イン(株)製、フェノール当量 110)
(C−2)その他無機質充填剤
無機質充填剤(a):平均粒径10μm、粒径75μmを超える粗粒が0.1質量%である球状溶融シリカ((株)龍森製)
無機質充填剤(b):平均粒径0.5μm、粒径10μmを超える粗粒が0.1質量%である球状溶融シリカ((株)龍森製)
無機質充填剤(a):平均粒径10μm、粒径75μmを超える粗粒が0.1質量%である球状溶融シリカ((株)龍森製)
無機質充填剤(b):平均粒径0.5μm、粒径10μmを超える粗粒が0.1質量%である球状溶融シリカ((株)龍森製)
(D)硬化触媒
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(北興化学(株)製)
(E)シルセスキオキサン(チ)
エポキシ基を有するシルセスキオキサンを下記の方法にて製造した。
《合成例》
イソプロピルアルコール900g、水酸化テトラメチルアンモニウムの25%水溶液13g、水91gを仕込んだ後、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製KBM403)255gを添加し、室温で20時間攪拌した。
反応終了後、系内にトルエン1200gいれ、減圧下でイソプロピルアルコール等を除去した。分液漏斗を用いて、残渣を熱水にて洗浄した。水層が中性になるまで、洗浄を行った後、トルエン層を無水硫酸ナトリウムで脱水した。無水硫酸ナトリウムろ別、減圧下トルエンを除去して目的の樹脂(樹脂1)を得た。エポキシ当量は190g/molであった。
その他の成分
低応力化剤:アミノ変性シリコーンオイル(信越化学工業(株)製、アミン当量500〜5000の範囲内のもの)
着色剤:カーボンブラック、電化ブラック(電気化学工業(株)製)
イオントラップ剤:DHT−4A2(協和化学工業(株)製)
離型剤:カルナバワックス(日興ファインプロダクツ(株)製)
シランカップリング剤:エポキシ基含有トリメトキシシラン、KBM403(信越化学工業(株)製)
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(北興化学(株)製)
(E)シルセスキオキサン(チ)
エポキシ基を有するシルセスキオキサンを下記の方法にて製造した。
《合成例》
イソプロピルアルコール900g、水酸化テトラメチルアンモニウムの25%水溶液13g、水91gを仕込んだ後、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製KBM403)255gを添加し、室温で20時間攪拌した。
反応終了後、系内にトルエン1200gいれ、減圧下でイソプロピルアルコール等を除去した。分液漏斗を用いて、残渣を熱水にて洗浄した。水層が中性になるまで、洗浄を行った後、トルエン層を無水硫酸ナトリウムで脱水した。無水硫酸ナトリウムろ別、減圧下トルエンを除去して目的の樹脂(樹脂1)を得た。エポキシ当量は190g/molであった。
その他の成分
低応力化剤:アミノ変性シリコーンオイル(信越化学工業(株)製、アミン当量500〜5000の範囲内のもの)
着色剤:カーボンブラック、電化ブラック(電気化学工業(株)製)
イオントラップ剤:DHT−4A2(協和化学工業(株)製)
離型剤:カルナバワックス(日興ファインプロダクツ(株)製)
シランカップリング剤:エポキシ基含有トリメトキシシラン、KBM403(信越化学工業(株)製)
上表の結果より、本発明の樹脂組成物は優れた流動特性、接着性を有し、本発明の組成物で封止された半導体部品・電子部品は、優れた接着性、耐半田リフロー性を示すことが分かる。
Claims (5)
- (A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)1分子中に2個以上の水酸基を有するフェノール樹脂、(C)無機質充填材(D)硬化触媒からなるエポキシ樹脂組成物において、(E)一分子中に少なくとも2個以上のエポキシ基またはオキセタニル基を有するシルセスキオキサンを(A)、(B)の合計量100重量部に対して1〜20重量部添加することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- (E)成分のシルセスキオキサンが、下記一般式(5)で示されるものであることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(R3SiO3/2)c(R4SiO3/2)d (5)
(ここで、R3はエポキシ基又はオキセタニル基を有する炭素数1〜20の有機基であり、R4は水素原子、炭素数1〜20のエポキシ基又はオキセタニル基を有さない一価炭化水素基であり、具体的にはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等があげられる。c/(c+d)は0.01〜1.00であり、c及びdは正の整数である。) - (C)成分の無機質充填剤が球状シリカであり、(A)、(B)合計量100重量部に対し、500〜900重量部であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体封止用樹脂組成物。
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- 2006-05-10 JP JP2006131726A patent/JP2007302771A/ja active Pending
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