KR20160037610A - 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법 - Google Patents

패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160037610A
KR20160037610A KR1020140130416A KR20140130416A KR20160037610A KR 20160037610 A KR20160037610 A KR 20160037610A KR 1020140130416 A KR1020140130416 A KR 1020140130416A KR 20140130416 A KR20140130416 A KR 20140130416A KR 20160037610 A KR20160037610 A KR 20160037610A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
passivation layer
lithium metal
film
metal plate
moisture
Prior art date
Application number
KR1020140130416A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101771292B1 (ko
Inventor
이종화
우동현
황의용
김장배
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020140130416A priority Critical patent/KR101771292B1/ko
Publication of KR20160037610A publication Critical patent/KR20160037610A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101771292B1 publication Critical patent/KR101771292B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
    • H01M10/4235—Safety or regulating additives or arrangements in electrodes, separators or electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0402—Methods of deposition of the material
    • H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/043—Processes of manufacture in general involving compressing or compaction
    • H01M4/0435—Rolling or calendering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H01M4/1395—Processes of manufacture of electrodes based on metals, Si or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)

Abstract

본 발명은 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체는 리튬 금속판, 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 포함한다. 수분 보호 필름은 수분 보호 필름 상에 패시베이션층이 도포된 후 리튬 금속판의 양면에 부착된다. 패시베이션층은 리튬 금속판에 전사되며, 수분 보호 필름 제거 후 패시베이션층이 리튬 금속판 상에 덴드라이트가 형성되는 것을 억제한다.
본 발명에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법은 수분 보호 필름 상에 패시베이션층이 도포하여 리튬 금속판에 부착 및 전사시킴으로써, 간단하게 리튬 금속판 상에 패시베이션층을 형성하며 리튬 금속판에 덴드라이트가 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 리튬 금속을 전극으로 사용함으로써, 고용량, 고에너지 밀도의 전지를 제조할 수 있다.

Description

패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법 {Cathode unit covered with passivation layer and forming method of passivation layer for Li metal}
본 발명은 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 리튬 금속판과, 일면에 패시베이션층이 도포되어 있어 리튬 금속판의 양면에 부착되어 패시베이션층을 전사시키는 보호 필름을 포함하는 전극 구조체와 리튬 금속판에 패시베이션을 도포한 보호 필름을 부착 및 제거하여 리튬 금속판에 패시베이션층을 형성하는 패시베이션층 형성 방법에 관한 것이다.
이동 전화기부터 시작하여, 무선 가전 기기, 전기 자동차에 이르기까지 전지를 필요로 하는 다양한 기기들이 개발되고 있다. 이러한 기기들의 개발에 따라 이차 전지에 대한 수요 역시 증가하고 있다. 특히, 전자 제품의 소형화 경향과 더불어 이차 전지도 경량화 및 소형화되고 있는 추세이다.
이러한 추세에 부합하여 최근 리튬 금속 이차 전지(Lithium Metal Battery, LMB)가 각광을 받고 있다. 리튬 금속 이차 전지는 음극으로서 리튬을 사용하고 있다. 리튬은 밀도가 낮고 표준 환원 전위가 -3.04 V로 낮기 때문에 가벼우면서도 이차 전지 제조시 고에너지를 낼 수 있다는 장점이 있다.
공개특허 제2013-0043117호에는 LiNiCoMnO2, LiNiO2, LiCoO2, LiMn2O4, LiFePO4 등의 리튬 금속 산화물을 이용한 리튬 이차 전지에 대하여 개시되어 있다. 일반적으로 이차 전지에서 음극으로서 리튬 산화물을 이용하는데, 이는 리튬 금속의 반응성이 매우 크기 때문이다. 리튬 금속은 공기 중의 수분과 반응하여 LiOH, Li2O, Li2CO3, Li3N 등의 부산물을 만든다. 또한, 전극으로 사용된 리튬 금속이 전해액에 노출되는 경우 저항 물질이 생성되며, 이는 제조된 전지의 성능을 현저하게 떨어뜨리게 되며, 내부 단락까지 초래할 수 있다. 또한, 리튬은 강도가 매우 약한 금속이기 때문에 금속으로서 바로 활용하기가 어려운 문제가 있다.
이에, 리튬 금속을 사용하여 에너지 효율을 높이면서도 리튬의 반응성 문제를 해결할 수 있는 리튬 금속 전극의 개발이 요구된다. 또한, 리튬 금속에 패시베이션층을 형성하여 리튬을 보호하면서도, 보다 공정을 간단하게 할 수 있는 기술의 개발이 요구된다.
특허문헌1: 한국 공개특허 제2013-0043117호 (공개일: 2013.04.29)
본 발명의 목적은 전지셀 내에서 리튬 금속 전극 상에 덴드라이트(dendrite)가 생성되는 것을 방지할 수 있는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 리튬 금속에 패시베이션층을 보다 간편하게 형성하면서도 동시에 리튬 금속을 수분으로부터 차단하여 안정성을 확보할 수 있는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 패시베이션층 형성 방법을 제공하는 것이다.
위와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체는 리튬 금속판과 수분 보호 필름을 포함한다. 수분 보호 필름은 일면에 패시베이션층이 도포되어 있고, 리튬 금속판의 양면에 부착된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체에서 수분 보호 필름은 고분자 필름, 이형 필름, 증착 필름, 메탈 포일, 유리 섬유 직물, 기능성 다층 필름 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체에서 패시베이션층은 금속 산화물, 탄소 나노 튜브, 고분자 전해질, 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체에서 패시베이션층은 리튬 금속판에 전사될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체에서 수분 보호 필름의 일면에는 접착 물질이 전면 또는 일부분 도포될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체에서 리튬 금속판의 두께는 1~500㎛일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법은 수분 보호 필름 일면에 패시베이션층을 도포하는 단계, 패시베이션층이 도포된 보호 필름을 리튬 금속판에 부착시키는 단계, 리튬 금속판으로부터 보호 필름을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법은 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 리튬 금속판에 부착시킨 후 수분 보호 필름이 부착된 리튬 금속판을 프레스하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법은 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 리튬 금속판에 부착시킨 후 수분 보호 필름이 부착된 리튬 금속판에 열을 가하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름은 고분자 필름, 이형 필름, 증착 필름, 메탈 포일, 유리 섬유 직물, 기능성 다층 필름 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법에서 패시베이션층은 금속 산화물, 탄소 나노 튜브, 고분자 전해질, 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법에서 패시베이션층은 상기 리튬 금속판에 전사될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름의 일면에는 접착 물질이 전면 또는 일부분 도포될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법은 수분 보호 필름에 흡습 소재가 포함될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층 형성 방법은 리튬 금속판으로부터 보호 필름을 제거하는 단계 이후에 리튬 금속판을 압연하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 패시베이션층 형성 방법은 전지 제조시 리튬 금속의 표면에 부산물이 생성되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 패시베이션층 형성 방법은 리튬 금속이 전지셀 내에서 덴드라이트를 형성하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름에 패시베이션층이 적층된 상태를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름이 적층된 상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름이 제거되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이 때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체를 나타내는 도면이다.
도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체(1000)는 리튬 금속판(1100), 패시베이션층(1210, 1220)을 포함한다. 리튬 금속은 판형의 금속을 이용한다. 리튬 금속판은 전극 제조에 용이하도록 전극 형태에 따라 폭이 조절될 수 있다. 리튬 금속판의 두께는 1~500㎛일 수 있다.
패시베이션층(1210, 1220)은 리튬 금속판(1100)의 상면과 하면에 형성된다. 리튬 금속은 음극으로 사용하는 경우 충전 및 방전이 진행됨에 따라 리튬 금속 상에 덴드라이트(dendrite)가 생성된다. 덴드라이트는 다양한 형상으로 형성되나, 만약 바늘 형상으로 성장할 시 전지 내부의 분리막을 찢을 수도 있다. 이 경우 전지의 음극과 양극이 접촉하여 쇼트가 일어나거나 심한 경우 전지가 폭발하는 일이 일어날 수 있다. 따라서 리튬 금속판 상에 덴드라이트가 형성되지 않도록 리튬 금속판의 표면을 보호할 필요가 있다. 본 발명에 따른 패시베이션층(1210, 1220)은 리튬 금속판(1100)의 표면에 형성되어, 전지의 충전 및 방전시 덴드라이트의 형성을 억제한다.
패시베이션층(1210, 1220)은 금속 산화물 또는 탄소 나노 튜브, 고분자 전해질, 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 소재는 이에 한정하지 않는다. 패시베이션층은 강도가 강하면서도 리튬 금속을 보호할 수 있는 소재를 사용한다. 금속 산화물로서 와이어(wire), 튜브(tube) 또는 파티클(particle) 타입의 금속 산화물(예를 들어, Al2O3 혹은 실리콘 산화물)이 이용될 수 있다. 실버나노와이어, 구리 메시, 실버 메시, 은염 등의 소재가 사용될 수도 있다. 이러한 물질들은 단독으로 사용되거나 2 이상의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 고분자전해질은 전하를 갖고 있는 고분자 물질로서 단독으로 사용될 수도 있고, 전술한 물질들과 고분자 전해질, PE, PVDF, PVDF-HFP, 폴리도파민(polydopamine) 등의 고분자들과의 복합체로 사용될 수도 있다. 고분자 전해질로서 PEO, 폴리실록산(polysiloxane), PDMS, PMMA, PAN 계열 고분자, acrylate 계열 고분자 등이 이용될 수 있다.
도 1의 (b)에는 수분 보호 필름을 제거하지 않은 전극 구조체(1000)가 도시되어 있다. 패시베이션층(1210, 1220)이 도포된 수분 보호 필름(1212, 1222)이 리튬 금속판(1100)의 양면에 부착되어 있다. 수분 보호 필름(1212, 1222)은 패시베이션층(1210, 1220)을 포함한 채로 리튬 금속판(1100)에 부착됨으로써, 리튬 금속을 수분으로부터 보호하면서도 패시베이션층(1210, 1220)을 리튬 금속판(1100) 상에 전사시킨다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름에 패시베이션층이 적층된 상태를 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름이 적층된 상태를 나타내는 도면이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법에서 수분 보호 필름이 제거되는 상태를 나타내는 도면이다.
본 발명에 따라 전극 구조체에 패시베이션을 형성하기 위해서 우선 수분 보호 필름에 패시베이션층을 도포한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 수분 보호 필름(1212) 상에는 패시베이션층(1210)이 도포되어 있다. 수분 보호 필름(1212)은 수분 보호 필름(1212) 상에 패시베이션층(1210)을 도포한 후 리튬 금속판(1100)에 부착됨으로써, 패시베이션층(1210)을 리튬 금속판(1100)에 전사시킴과 동시에 리튬 금속판을 전지셀로 제작하기 전 수분으로부터 차단하는 역할을 한다.
수분 보호 필름(1212)은 고분자 필름, 이형 필름, 증착 필름, 메탈 포일, 유리 섬유 직물, 기능성 다층 필름 등으로 형성될 수 있다.
고분자 필름은 PVDF, PVDF-HFP, 폴리에스테르, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리올레핀, 폴리아미드 소재의 필름 등에 코팅이나 증착으로 표면을 처리하여 가공한 것으로, 필요에 따라 다양한 기능을 부여할 수 있다. 본 실시예에서는 플라스틱 필름 표면에 투습 성능을 부여할 수 있으며, 수분 보호 필름의 투습도를 0~10g/m2/day로 할 수 있다.
이형 필름은 밀착성이 우수한 기능성 필름이다. 증착 필름은 필름에 금속을 증착하여 수분을 차단할 수 있도록 한다. 주로 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 나일론 등의 필름이 사용된다. 수분 보호 필름으로서 알루미늄 포일, 구리 포일 등의 메탈 포일이 이용될 수도 있다.
유리 섬유는 강도가 높아 수분 보호 필름에 사용되어 필름의 강도를 높일 수 있다. 유리 섬유 직물 상에 PVDF, PVDF-HFP, PE, PP 등의 고분자를 코팅하여 사용할 수도 있다.
기능성 다층 필름은 기재 필름 상에 다양한 수지를 적층 또는 피막하여 가공한 것으로, 선택된 수지에 따라 다양한 기능을 갖는다. 본 발명에서는 수분을 차단하거나 수분을 흡수하는 성질의 수지를 이용한 기능성 다층 필름을 사용할 수 있다.
수분 보호 필름으로서 이러한 기능성 필름 외에도 일반적인 플라스틱 필름인 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, PET, 나일론, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리아미드 소재의 필름이 이용될 수도 있다.
수분 보호 필름(1212)은 흡습 소재를 포함하여 가공될 수 있다. 기재 필름에 건조제 등의 흡습제나 흡수 물질을 첨가하여 필름을 제조할 수도 있고, 기재 필름을 흡습 소재를 포함하는 수지로 피막하여 필름을 제조할 수도 있다. 흡습 소재는 수분과 화학적으로 반응할 수 있는 소재라면 한정하지 않으며, 알루미나 등의 금속 분말, 알칼리토금속 산화물, 유기 금속 산화물 등의 금속 산화물, 금속염 또는 오산화인(P2O5) 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합물이 사용될 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물로는, 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등이, 금속염으로는, 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등과 같은 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2)과 같은 금속 할로겐화물, 또는 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등과 같은 금속 염소산염 등이 사용될 수 있다. 흡습 소재가 입자 형태로 첨가되는 경우, 그 평균 입경이 10㎛ 이하인 것이 조성물 내에서의 분산성이나 흡습성 또는 가공성 등의 측면에서 바람직하다. 수분 보호 필름에 흡습 소재를 첨가함에 따라 리튬 금속을 대기 중의 수분으로부터 효과적으로 차단할 수 있다. 수분 보호 필름의 투습도는 0~10g/m2/day가 바람직하다.
수분 보호 필름(1212)은 흡습층을 포함하는 다층 필름으로 형성될 수도 있다. 제1 층은 기재 필름으로서 고분자 필름, 이형 필름, 증착 필름, 메탈 포일, 유리 섬유 직물, 기능성 다층 필름 중 하나로 형성된다. 제2 층은 흡습성 수지로 형성된 필름으로서, 제1 층 상에 부착하거나 증착하여 적층시킨다. 흡습층은 수분 보호 필름(1212)의 외부층을 형성할 수도 있고, 2 이상의 층으로 구성된 수분 보호 필름에 있어 어느 층에 적층되어도 무방하다.
한편, 패시베이션층(1210)은 금속 산화물, 탄소 나노 튜브, 고분자 전해질 및 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 소재는 이에 한정하지 않는다.
패시베이션층(1210)은 수분 보호 필름(1212) 상에 패시베이션 조성물을 균일하게 도포시킴으로써 형성된다. 패시베이션 조성물은 리튬 금속을 보호하고 덴드라이트의 형성을 억제할 수 있는 소재를 사용한다. 금속 산화물은 와이어(wire), 튜브(tube) 또는 파티클(particle) 타입의 금속 산화물(예를 들어, Al2O3 혹은 실리콘 산화물)이 이용될 수 있다. 실버나노와이어, 구리 메시, 실버 메시, 은염 등의 소재가 사용될 수도 있다. 패시베이션 조성물은 리튬 금속 상에 스핀 코팅(spin coating), 닥터 블레이드(doctor blade) 코팅, 딥(dip) 코팅, 그라비어(gravure) 코팅, 슬릿다이(slit die) 코팅, 스크린(screen) 코팅 등의 방법으로 도포할 수 있다. 패시베이션층(1210)은 1~100㎛의 두께로 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 기재 필름 상에 한 종류의 패시베이션 조성물을 도포하여 단일층을 형성하였지만, 이에 한정하는 것은 아니며, 다양한 성분의 패시베이션 조성물을 순차적으로 도포하여 다층막을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 기재 필름 상에 유리 섬유 조성물을 도포 및 경화시킨 후, 유리 섬유층 상에 금속 산화물층을 도포하여 두 개의 층을 형성할 수도 있고, 기재 필름 상에 유리 섬유층, 고분자 수지층, 산화 금속층 등을 순차적으로 도포하여 패시베이션 필름을 세 개의 층으로 형성할 수도 있다. 이 경우에도 패시베이션층(1210)은 1~100㎛의 두께로 형성될 수 있다.
패시베이션층(1210)은 리튬 금속판(1100) 표면에 증착되어 리튬 금속판(1100)이 전해액에 직접 노출되는 것을 방지하여 리튬과 전해질의 반응을 막을 수 있다. 패시베이션층(1210)은 도전성을 가지므로, 전극에 이온을 원활하게 전달할 수 있다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 수분 보호 필름(1212) 상에 패시베이션층 조성물을 도포한 후 리튬 금속판(1100)에 부착한다. 패시베이션층(1210, 1220)이 도포된 수분 보호 필름(1212, 1222)을 각각 리튬 금속판(1100)의 양면에 부착한다.
패시베이션층(1210)이 형성된 수분 보호 필름(1212)의 하면에는 접착 물질이 도포될 수 있다. 접착 물질은 리튬 금속판(1100)에 부착되는 수분 보호 필름(1212) 하면의 전면에 도포될 수도 있고, 가장자리를 따라 부분적으로 도포될 수도 있다. 접착 물질로서 폴리도파민, 올레핀계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 아크릴계 엘라스토머 등이 이용될 수 있다. 구체적으로, 폴리도파민은 접착 단백질로서 접착력이 강하고 유연한 접착 특성을 가진다. 폴리도파민을 패시베이션 필름에 코팅 처리하여 리튬 금속판과 접착되도록 한다. 엘라스토머 성분은 특정 가교 구조를 형성할 수 있는 활성 에너지선 중합성 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 가교 구조는 열을 인가하거나, 자외선, 적외선 등을 조사하여 가교 구조가 형성될 수 있다. 패시베이션 필름에 엘라스토머를 포함하는 접착 성분을 도포한 후 열을 가하거나 자외선 등을 조사하여 접착시킬 수 있다.
본 실시예에서는 패시베이션 필름의 형성 후 별도의 접착 물질을 도포하지만, 다른 실시예에서는 패시베이션 조성물에 접착 성분을 첨가하여 수분 보호 필름에 도포할 수도 있다. 이 때 접착 성분은 패시베이션 조성물과 함께 특정 가교 구조를 형성할 수 있는 활성 에너지선 중합성 화합물(예를 들어, 다관능성 아크릴레이트)을 포함할 수도 있다. 이러한 가교 구조는 열을 인가하거나, 자외선, 적외선 등을 조사하여 가교 구조가 형성될 수 있다.
수분 보호 필름(1212)의 폭은 리튬 금속판(1100)의 폭과 같거나 소정 길이만큼 더 넓게 형성될 수 있다. 수분 보호 필름(1212)의 폭이 리튬 금속판(1100)의 폭보다 넓은 경우, 수분 보호 필름(1212)이 리튬 금속판(1100)의 상면에 부착될 때 수분 보호 필름(1212)의 압착에 의해 리튬 금속판(1100)의 측면까지 덮어 리튬 금속판(1100)을 효과적으로 보호할 수 있다. 수분 보호 필름의 두께는 10 nm 내지 10㎛ 일 수 있다. 보호 필름의 두께가 10nm보다 작으면 대기 중의 수분으로부터 리튬 금속판을 충분히 보호하지 못할 수 있다.
패시베이션층(1210)이 형성된 수분 보호 필름(1212)을 리튬 금속판(1100)에 부착시킨 후 패시베이션층의 전사 및 접착 효율을 더욱 높이기 위하여 수분 보호 필름(1212)의 상면을 프레스할 수도 있다. 이 때 가해지는 압력은 리튬 금속판(1100)이 손상되지 않도록 적당한 압력이 가해질 수 있다. 다른 실시예에서는 패시베이션층(1210)이 형성된 수분 보호 필름(1212)을 리튬 금속판(1100)에 부착시킨 후 리튬 금속판(1100)을 소정 온도에서 가열하여 패시베이션층의 전사 효율 및 수분 보호 필름(1212)의 부착 효율을 높일 수도 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 리튬 금속판(1100)으로부터 수분 보호 필름(1212, 1222)을 제거한다. 패시베이션층(1210, 1220)은 리튬 금속판(1100)에 전사되어, 수분 보호 필름(1212, 1222)만이 제거된다. 수분 보호 필름(1212, 1222)이 제거된 후, 전극 구조체(1000)를 압연하여 패시베이션층(1210, 1220)의 표면을 균일하게 하고, 패시베이션층(1210, 1220)과 리튬 금속판(1100)이 더욱 강하게 결합되도록 할 수 있다.
패시베이션층이 형성된 전극 구조체를 권취한다. 본 발명에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체(1000)는 전지로 가공되는 형태에 따라 다양한 폭과 길이를 가질 수 있다. 필요에 따라 다양한 폭으로 제조된 전극 구조체(1000)를 권취하여 필요시 절단하여 사용하도록 할 수도 있다. 본 발명에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체(1000)는 수분 보호 필름을 부착함과 동시에 패시베이션층을 형성하였기 때문에, 전지 셀을 제작하기 전 수분 보호 필름을 제거한 후 별도의 패시베이션층 형성 공정 없이 바로 사용할 수 있다.
본 실시예에서는 수분 보호 필름을 제거한 전극 구조체를 권취하여 사용하지만, 수분 보호 필름을 제거하지 않은 채로 권취한 후 전극 구조체를 사용하기 직전 수분 보호 필름을 제거할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체를 나타내는 도면이다.
본 발명에 따른 패시베이션층이 형성된 전극 구조체는 양면에 패시베이션층이 형성될 수도 있지만, 도 5에 도시된 바와 같이 한 면이 구리 집전체로 형성될 수도 있다.
리튬 금속판(2100)의 상면에는 패시베이션층(2300)이 도포된 수분 보호 필름(2312)을 부착하고, 리튬 금속판(2100)의 하면에는 구리 집전체(2200)를 부착한 후 수분 보호 필름(2312)을 제거하여 전극 구조체를 제조할 수 있다. 리튬은 연성이 강하여 금속판으로 이용시 잘 끊어지기 쉽다. 따라서 구리나 은, 니켈 등의 박막을 이용하여 강도를 보강할 수 있다. 본 실시예에서는 구리 집접체(2200)를 이용하였으며, 구리 집전체(2200) 상에 리튬 금속판(2100)을 부착하거나, 리튬 금속판(2100) 위를 판상 프레스로 압착하여 구리 집전체(2200) 상에 부착시킬 수도 있다. 구리 집전체(2200) 상에 리튬 금속판(2100)을 부착할 수도 있지만, 리튬 금속을 집전체 표면에 증착시킬 수도 있다. 이 경우 증착되는 리튬 금속의 두께는 1~500㎛가 되도록 한다.
본 발명은 리튬 이온이 아닌 리튬 금속을 이용하여 음극을 제조하기 때문에, 기존의 이차 전지보다 보다 고용량, 고에너지 밀도의 전지를 제조할 수 있다. 또한, 음극으로 제조되기 전 리튬 금속판에 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 부착함으로써 리튬이 수분과 반응하는 것을 방지할 수 있으면서도 동시에 리튬 금속판에 패시베이션층을 형성할 수 있다. 수분 보호 필름을 제거한 전극 구조체는 별도의 공정 없이 바로 사용할 수 있어 공정이 더욱 간소해지며, 리튬 금속판에 덴드라이트가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 본 발명이 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
1000 : 전극 구조체 1100 : 리튬 금속판
1210, 1220 : 패시베이션층 1212, 1222 : 수분 보호 필름

Claims (15)

  1. 리튬 금속판; 및
    일면에 패시베이션층이 도포되어 있고, 상기 리튬 금속판의 양면에 부착되는 수분 보호 필름;을 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수분 보호 필름은 고분자 필름, 이형 필름, 증착 필름, 메탈 포일, 유리 섬유 직물, 기능성 다층 필름 중 하나인 것을 특징으로 하는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 금속 산화물, 탄소 나노 튜브, 고분자 전해질, 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 상기 리튬 금속판에 전사 가능한 것을 특징으로 하는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수분 보호 필름의 일면에는 접착 물질이 전면 또는 일부분 도포되는 것을 특징으로 하는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 리튬 금속판의 두께는 1~500㎛인 것을 특징으로 하는 패시베이션층이 형성된 전극 구조체.
  7. 수분 보호 필름 일면에 패시베이션층을 도포하는 단계;
    상기 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 리튬 금속판에 부착시키는 단계; 및
    상기 리튬 금속판으로부터 수분 보호 필름을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 리튬 금속판에 부착시킨 후 수분 보호 필름이 부착된 리튬 금속판을 프레스하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 패시베이션층이 도포된 수분 보호 필름을 리튬 금속판에 부착시킨 후 수분 보호 필름이 부착된 리튬 금속판에 열을 가하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 수분 보호 필름은 고분자 필름, 이형 필름, 증착 필름, 메탈 포일, 유리 섬유 직물, 기능성 다층 필름 중 하나인 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 금속 산화물, 탄소 나노 튜브, 고분자 전해질, 유리 섬유 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 상기 리튬 금속판에 전사 가능한 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 수분 보호 필름의 일면에는 접착 물질이 전면 또는 일부분 도포되는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 수분 보호 필름에 흡습 소재가 포함되는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 리튬 금속판으로부터 수분 보호 필름을 제거하는 단계 이후에 리튬 금속판을 압연하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법.
KR1020140130416A 2014-09-29 2014-09-29 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법 KR101771292B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140130416A KR101771292B1 (ko) 2014-09-29 2014-09-29 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140130416A KR101771292B1 (ko) 2014-09-29 2014-09-29 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160037610A true KR20160037610A (ko) 2016-04-06
KR101771292B1 KR101771292B1 (ko) 2017-08-24

Family

ID=55790559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140130416A KR101771292B1 (ko) 2014-09-29 2014-09-29 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101771292B1 (ko)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180109520A (ko) 2017-03-28 2018-10-08 서울대학교산학협력단 리튬 이차전지용 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
WO2018199505A1 (ko) * 2017-04-25 2018-11-01 주식회사 엘지화학 리튬 이차전지용 음극, 이의 제조방법 및 이것을 포함하는 리튬 이차전지
KR20190011881A (ko) * 2017-07-26 2019-02-08 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이의 제조방법
KR20190011886A (ko) * 2017-07-26 2019-02-08 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이의 제조방법
KR20190025526A (ko) * 2017-09-01 2019-03-11 주식회사 엘지화학 케이블형 이차전지용 애노드의 제조방법, 이로부터 제조된 애노드, 및 상기 애노드를 포함하는 케이블형 이차전지
KR20190042471A (ko) * 2017-10-16 2019-04-24 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
WO2019078571A3 (ko) * 2017-10-16 2019-06-06 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20190065577A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 주식회사 엘지화학 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20190106151A (ko) * 2018-03-08 2019-09-18 주식회사 엘지화학 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20200000112A (ko) * 2018-06-22 2020-01-02 주식회사 엘지화학 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20200000118A (ko) 2018-06-22 2020-01-02 주식회사 엘지화학 리튬 전극의 제조방법
KR20200018902A (ko) * 2018-08-13 2020-02-21 주식회사 엘지화학 강유전성 고분자 보호층이 형성된 리튬 이차전지용 음극, 이의 제조 방법 및 상기 음극을 포함하는 리튬 이차전지
US11942629B2 (en) 2019-01-11 2024-03-26 Lg Energy Solution, Ltd. Lithium electrode and lithium secondary battery comprising same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4873281B2 (ja) * 2001-04-20 2012-02-08 住友電気工業株式会社 リチウム電池負極の製造方法
KR100542213B1 (ko) * 2003-10-31 2006-01-10 삼성에스디아이 주식회사 리튬 금속 전지용 음극 및 이를 포함하는 리튬 금속 전지
CA2552282A1 (fr) * 2006-07-18 2008-01-18 Hydro Quebec Materiau multi-couches a base de lithium vif, procedes de preparation et applications dans les generateurs electrochimiques

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180109520A (ko) 2017-03-28 2018-10-08 서울대학교산학협력단 리튬 이차전지용 전해질 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
WO2018199505A1 (ko) * 2017-04-25 2018-11-01 주식회사 엘지화학 리튬 이차전지용 음극, 이의 제조방법 및 이것을 포함하는 리튬 이차전지
KR20180119254A (ko) * 2017-04-25 2018-11-02 주식회사 엘지화학 리튬 이차전지용 음극, 이의 제조방법 및 이것을 포함하는 리튬 이차전지
EP3547411A4 (en) * 2017-04-25 2020-02-19 LG Chem, Ltd. NEGATIVE ELECTRODE FOR A LITHIUM SECONDARY BATTERY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND LITHIUM SECONDARY BATTERY THEREFOR
JP2021141081A (ja) * 2017-04-25 2021-09-16 エルジー・ケム・リミテッド リチウム二次電池用負極、この製造方法及びこれを含むリチウム二次電池
JP2019537224A (ja) * 2017-04-25 2019-12-19 エルジー・ケム・リミテッド リチウム二次電池用負極、この製造方法及びこれを含むリチウム二次電池
CN110168782A (zh) * 2017-04-25 2019-08-23 株式会社Lg化学 锂二次电池用负极、其制造方法、以及包含所述负极的锂二次电池
KR20190011881A (ko) * 2017-07-26 2019-02-08 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이의 제조방법
US11444273B2 (en) 2017-07-26 2022-09-13 Lg Energy Solution, Ltd. Method for manufacturing lithium electrode
US11152601B2 (en) 2017-07-26 2021-10-19 Lg Chem, Ltd. Method for manufacturing lithium electrode
KR20190011886A (ko) * 2017-07-26 2019-02-08 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이의 제조방법
CN110603669B (zh) * 2017-09-01 2022-07-22 株式会社Lg新能源 制造线缆型二次电池用负极的方法、由此制造的负极以及包含所述负极的线缆型二次电池
KR20190025526A (ko) * 2017-09-01 2019-03-11 주식회사 엘지화학 케이블형 이차전지용 애노드의 제조방법, 이로부터 제조된 애노드, 및 상기 애노드를 포함하는 케이블형 이차전지
CN110603669A (zh) * 2017-09-01 2019-12-20 株式会社Lg化学 制造线缆型二次电池用负极的方法、由此制造的负极以及包含所述负极的线缆型二次电池
JP2020523758A (ja) * 2017-09-01 2020-08-06 エルジー・ケム・リミテッド ケーブル型二次電池用アノードの製造方法、それによって製造されたアノード、及び前記アノードを含むケーブル型二次電池
WO2019078571A3 (ko) * 2017-10-16 2019-06-06 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20190042471A (ko) * 2017-10-16 2019-04-24 주식회사 엘지화학 리튬 전극 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
CN111201645A (zh) * 2017-10-16 2020-05-26 株式会社Lg化学 锂电极和包含所述锂电极的锂二次电池
EP3667774A4 (en) * 2017-10-16 2021-03-17 LG Chem, Ltd. LITHIUM ELECTRODE AND LITHIUM SECONDARY BATTERY WITH IT
CN111201645B (zh) * 2017-10-16 2023-07-25 株式会社Lg新能源 锂电极和包含所述锂电极的锂二次电池
US11430977B2 (en) 2017-10-16 2022-08-30 Lg Energy Solution, Ltd. Lithium electrode and lithium secondary battery comprising same
CN111386618A (zh) * 2017-12-04 2020-07-07 株式会社Lg化学 锂电极、其制备方法以及包含其的锂二次电池
US11735717B2 (en) 2017-12-04 2023-08-22 Lg Energy Solution, Ltd. Lithium electrode, method for manufacturing same, and lithium secondary battery comprising same
US11532810B2 (en) 2017-12-04 2022-12-20 Lg Energy Solution, Ltd. Lithium electrode, method for manufacturing same, and lithium secondary battery comprising same
KR20190065577A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 주식회사 엘지화학 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20190106151A (ko) * 2018-03-08 2019-09-18 주식회사 엘지화학 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20200000112A (ko) * 2018-06-22 2020-01-02 주식회사 엘지화학 리튬 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
KR20200000118A (ko) 2018-06-22 2020-01-02 주식회사 엘지화학 리튬 전극의 제조방법
KR20200018902A (ko) * 2018-08-13 2020-02-21 주식회사 엘지화학 강유전성 고분자 보호층이 형성된 리튬 이차전지용 음극, 이의 제조 방법 및 상기 음극을 포함하는 리튬 이차전지
US11942629B2 (en) 2019-01-11 2024-03-26 Lg Energy Solution, Ltd. Lithium electrode and lithium secondary battery comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101771292B1 (ko) 2017-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101771292B1 (ko) 패시베이션층이 형성된 전극 구조체 및 리튬 금속의 패시베이션층 형성 방법
KR20160037488A (ko) 전극 구조체, 전극 구조체의 제조 방법 및 보호 필름의 제거 방법
KR101766871B1 (ko) 이차전지용 전극, 그의 제조방법, 그를 포함하는 이차전지 및 케이블형 이차전지
KR101758319B1 (ko) 이차전지용 전극, 그의 제조방법, 그를 포함하는 이차전지 및 케이블형 이차전지
KR101470554B1 (ko) 케이블형 이차전지용 패키징 및 그를 포함하는 케이블형 이차전지
US10490783B2 (en) Pouch-type secondary battery and method for manufacturing the same
KR101829172B1 (ko) 전극 구조체, 전극 구조체의 제조 방법 및 보호 필름의 제거 방법
KR101733846B1 (ko) 패시베이션층이 형성된 리튬 전극 구조체 및 그 제조 방법
US20090169986A1 (en) Non-aqueous secondary battery and method for producing the same
KR101976171B1 (ko) 리튬 금속박과 그 제조방법 및 필름 제거방법
KR101621991B1 (ko) 전지 봉지용 접착제 조성물 및 접착필름
JP6608049B2 (ja) ケーブル型二次電池及びその製造方法
JP6495443B2 (ja) 多層のケーブル型二次電池
JP2019153535A (ja) 全固体電池
JP6049892B2 (ja) テーピング処理された電極組立体及びそれを含む電気化学素子
JP2021036484A (ja) 二次電池および二次電池の製造方法
KR101686598B1 (ko) 금속 이온을 흡착할 수 있는 분리막 및 이를 포함하는 이차전지, 및 상기 분리막의 제조방법
JP6580684B2 (ja) 二次電池用パウチ外装材及びこれを含むパウチ型二次電池
US10811661B2 (en) Battery separator comprising hydrofluoric acid reduction material
JPH1186808A (ja) 非水電解質電池用封入袋
JPH117921A (ja) 非水電解質電池
KR20160031638A (ko) 플렉서블 배터리용 파우치, 이를 이용한 플렉서블 배터리 및 그의 제조 방법
KR20120086038A (ko) 이차전지용 전극조립체
JPH1140114A (ja) 非水電解質電池
JP6957952B2 (ja) 二次電池およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant