KR20160034191A - 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 - Google Patents

멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 Download PDF

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가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
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Abstract

본 발명의 일태양의 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법은, 멀티 하전 입자빔에 있어서의 전류량의 측정 재현성이 허용값 내가 되는데 필요한 빔 개수를 취득하고, 멀티 하전 입자빔 전체가 조사되는 조사 영역에 있어서의, 원하는 치수 정밀도값 에 따른 복수의 측정점을 설정하고, 복수의 측정점에 있어서의 측정점마다, 멀티 하전 입자빔 중 이러한 빔 개수의 복수의 빔에 의한, 측정점을 포함하는 빔 영역을 설정하고, 측정점마다, 대응하는 빔 영역의 복수의 빔을 이용하여, 당해 측정점의 위치를 측정하는 것을 특징으로 한다.

Description

멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 {BEAM POSITION MEASURING METHOD FOR MULTI-CHARGED PARTICLE BEAM AND MULTI-CHARGED PARTICLE BEAM WRITING APPARATUS}
본 발명은, 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치에 관한 것으로, 예를 들면 멀티빔 묘화의 빔 위치를 측정하는 방법에 관한 것이다.
최근, LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스의 회로 선폭은 더 미세화되고 있다. 이들의 반도체 디바이스에 회로 패턴을 형성하기 위한 노광용 마스크(레티클이라고도 함.)를 형성하는 방법으로서, 뛰어난 해상성을 가지는 전자빔(EB : Electron beam) 묘화 기술이 이용된다.
예를 들면, 멀티빔을 사용한 묘화 장치가 있다. 1 개의 전자빔으로 묘화할 경우에 비해, 멀티빔을 이용함으로써 한 번(1 회의 샷)에 많은 빔을 조사할 수 있으므로 스루풋을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. 이러한 멀티빔 방식의 묘화 장치에서는, 예를 들면 전자총으로부터 방출된 전자빔을 복수의 홀을 가진 마스크에 통과시켜 멀티빔을 형성하고, 각각 블랭킹 제어되고, 차폐되지 않았던 각 빔이 광학계로 축소되고, 편향기로 편향되어 시료 상의 원하는 위치에 조사된다.
여기서, 멀티빔의 빔 위치는 묘화 치수에 직접 영향을 주기 때문에, 멀티빔의 빔 위치를 정확하게 파악하는 것은 멀티빔 묘화의 치수 정밀도를 유지하기 위하여 중요하다. 그러나 멀티빔 묘화에 이용하는 빔 1 개당 전류량은 작고, 신호 강도가 작기 때문에, 빔마다의 측정으로는 측정 정밀도가 낮아져, 멀티빔의 빔 위치를 고정밀도로 측정하는 것이 곤란하다는 것과 같은 문제가 있었다. 따라서 이러한 방법으로는 멀티빔의 빔 위치를 정확하게 파악하는 것이 곤란했다. 또한 멀티빔을 구성하는 빔의 개수는 매우 많기 때문에, 멀티빔 전체의 위치를 파악하려면, 측정에 시간이 소요되는 것과 같은 문제가 있었다.
또한 멀티빔 기술에 관련하여, 주/부 2 단의 편향 감도를 측정할 때에, 복수의 빔에 의한 빔렛으로 빔 피치의 주기 구조의 마크를 스캔함으로써 위치를 측정하는 기술이 개시되어 있다(예를 들면, 일본공개특허공보 2006-245096호 참조).
본 발명의 실시 형태는, 단시간에 원하는 정밀도로 측정 가능한 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 이를 이용한 멀티 하전 입자빔 묘화 장치를 제공한다.
본 발명의 일태양의 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법은,
멀티 하전 입자빔에 있어서의 전류량의 측정 재현성이 허용값 내(內)가 되는데 필요한 빔 개수를 취득하고,
멀티 하전 입자빔 전체가 조사되는 조사 영역에 있어서의, 원하는 치수 정밀도값 에 따른 복수의 측정점을 설정하고,
복수의 측정점에 있어서의 측정점마다, 멀티 하전 입자빔 중 이러한 빔 개수의 복수의 빔에 의한, 측정점을 포함하는 빔 영역을 설정하고,
측정점마다, 대응하는 빔 영역의 복수의 빔을 이용하여, 당해 측정점의 위치를 측정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일태양의 멀티 하전 입자빔 묘화 장치는,
시료를 재치(載置)하는, 연속 이동 가능한 스테이지와,
하전 입자빔을 방출하는 방출부와,
복수의 개구부가 형성되고, 복수의 개구부 전체가 포함되는 영역에 하전 입자빔의 조사를 받고, 복수의 개구부를 하전 입자빔의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티빔을 형성하는 애퍼처 부재와,
애퍼처 부재의 복수의 개구부를 통과한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와,
복수의 블랭커에 의해 빔 OFF의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐하는 제한 애퍼처 부재와,
멀티빔에 있어서의 전류량의 측정 재현성이 허용값 내가 되는데 필요한 빔 개수를 취득하는 취득부와,
멀티 하전 입자빔 전체가 조사되는 조사 영역에 있어서의, 원하는 치수 정밀도값 에 따른 복수의 측정점을 설정하는 측정점 설정부와,
복수의 측정점에 있어서의 측정점마다, 멀티 하전 입자빔 중, 이러한 빔 개수의 복수의 빔에 의한, 측정점을 포함하는 빔 영역을 설정하는 빔 영역 설정부와,
측정점마다, 대응하는 빔 영역의 복수의 빔을 이용하여, 당해 측정점의 위치를 측정하는 측정부
를 구비한 것을 특징으로 한다.
도 1은, 실시 형태 1에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다.
도 2는, 실시 형태 1에 있어서의 애퍼처 부재의 구성을 나타내는 개념도이다.
도 3은, 실시 형태 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 일부를 나타내는 상면 개념도이다.
도 4는, 실시 형태 1에 있어서의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다.
도 5는, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 빔 위치 측정 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다.
도 6은, 실시 형태 1에 있어서의 3σ 분포의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은, 실시 형태 1에 있어서의 최대 왜곡을 측정하는 빔군의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8은, 실시 형태 1에 있어서의 측정점의 일례를 나타내는 도면이다.
도 9는, 실시 형태 1에 있어서의 빔 영역의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10a와 도 10b는, 실시 형태 1에 있어서의 빔 주사를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 빔 위치 측정 방법을 이용한 비점 조정 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다.
도 12(a) 내지 도 12(c)는, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 비점 조정의 방법을 설명하기 위한 도면이다.
실시 형태 1.
이하, 실시 형태 1에서는, 필요한 측정 정밀도와 필요한 치수 정밀도를 충족시키면서, 멀티빔의 빔 위치를 보다 단시간에 측정하는 것이 가능한 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 장치에 대하여 설명한다.
또한 이하, 실시 형태 1에서는, 하전 입자빔의 일례로서, 전자빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자빔은 전자빔에 한정되는 것이 아니고, 이온빔 등의 하전 입자를 이용한 빔이어도 상관없다.
도 1은, 실시 형태 1에 있어서의 묘화 장치의 구성을 나타내는 개념도이다. 도 1에 있어서, 묘화 장치(100)는 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치의 일례이다. 묘화부(150)는 전자 경통(102)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 전자 경통(102) 내에는, 전자총(201), 조명 렌즈(202), 애퍼처 부재(203), 블랭킹 플레이트(204), 축소 렌즈(205), 제한 애퍼처 부재(206), 대물 렌즈(207), 편향기(209), 비점 코일(211), 및 검출기(212)가 배치되어 있다. 묘화실(103) 내에는 스테이지(105)가 배치된다. 스테이지(105) 상에는, 묘화 시에는 묘화 대상 기판이 되는 마스크 등의 시료(101)가 배치된다. 시료(101)에는, 반도체 장치를 제조할 때의 노광용 마스크, 혹은 반도체 장치가 제조되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이 포함된다. 또한 시료(101)에는 레지스트가 도포된, 아직 아무것도 묘화되지 않은 마스크 블랭크스가 포함된다. 스테이지(105) 상에는, 또한 스테이지(105)의 위치 측정용의 미러(210)가 배치된다. 스테이지(105)는, x, y 방향과 같은 수평 방향으로 이동 가능한 XY 스테이지(107)와 z 방향과 같은 수직 방향으로 이동 가능한 Z 스테이지(106)를 가지고 있다. 도 1의 예에서는, XY 스테이지(107) 상에 Z 스테이지(106)가 배치된다.
제어부(160)는, 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(120), 디지털ㆍ아날로그 변환(DAC) 앰프 유닛(132), 코일 제어 회로(134), 렌즈 제어 회로(136), 앰프(138), 스테이지 위치 검출기(139), 및 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(140, 142)를 가지고 있다. 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(120), 코일 제어 회로(134), 렌즈 제어 회로(136), 앰프(138), 스테이지 위치 검출기(139), 및 기억 장치(140, 142)는, 도시하지 않은 버스를 개재하여 서로 접속되어 있다. 기억 장치(140)(기억부)에는, 묘화 데이터가 외부로부터 입력되어 저장되어 있다. 편향 제어 회로(120)에는 DAC 앰프 유닛(132)이 접속된다. DAC 앰프 유닛(132)은 편향기(209)에 접속된다. 코일 제어 회로(134)는 비점 코일(211)에 접속된다. 렌즈 제어 회로(136)는 대물 렌즈(207)에 접속된다. 앰프(138)는 검출기(212)에 접속된다.
제어 계산기(110) 내에는, 묘화 데이터 처리부(50), 묘화 제어부(52), 측정부(60), 3σ 분포 작성부(62), 최소(min) 빔 개수 연산부(64), 최대(max) 왜곡 측정부(66), 분할수 연산부(68), 설정부(70), 설정부(72), 측정부(74), 차분 연산부(76), 판정부(78), 분할수 변경부(80), 설정부(82), 설정부(84), 및 판정부(86)가 배치되어 있다. 묘화 제어부(52), 측정부(60), 3σ 분포 작성부(62), 최소(min) 빔 개수 연산부(64), 최대(max) 왜곡 측정부(66), 분할수 연산부(68), 설정부(70), 설정부(72), 측정부(74), 차분 연산부(76), 판정부(78), 분할수 변경부(80), 설정부(82), 설정부(84), 및 판정부(86)와 같은 각 기능은, 전기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 되고, 이들의 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 된다. 혹은, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 된다. 묘화 제어부(52), 측정부(60), 3σ 분포 작성부(62), 최소(min) 빔 개수 연산부(64), 최대(max) 왜곡 측정부(66), 분할수 연산부(68), 설정부(70), 설정부(72), 측정부(74), 차분 연산부(76), 판정부(78), 분할수 변경부(80), 설정부(82), 설정부(84), 및 판정부(86)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(112)에 그때마다 저장된다. 묘화 제어부(52), 측정부(60), 3σ 분포 작성부(62), 최소(min) 빔 개수 연산부(64), 최대(max) 왜곡 측정부(66), 분할수 연산부(68), 설정부(70), 설정부(72), 측정부(74), 차분 연산부(76), 판정부(78), 분할수 변경부(80), 설정부(82), 설정부(84), 및 판정부(86)의 적어도 1 개가 소프트웨어로 구성되는 경우에는, CPU 혹은 GPU와 같은 계산기가 배치된다.
여기서, 도 1에서는, 실시 형태 1을 설명함에 있어서 필요한 구성을 기재하고 있다. 묘화 장치(100)에 있어, 통상, 필요한 그 외의 구성을 구비하고 있어도 상관없다.
도 2는, 실시 형태 1에 있어서의 애퍼처 부재의 구성을 나타내는 개념도이다. 도 2에 있어서, 애퍼처 부재(203)에는, 종(y 방향) m 열 × 횡(x 방향) n 열(m, n ≥ 2)의 홀(개구부)(22)이 소정의 배열 피치로 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 도 2에서는, 예를 들면 종횡(x, y 방향)으로 512 × 512 열의 홀(22)이 형성된다. 각 홀(22)은 모두 동일한 치수 형상의 직사각형으로 형성된다. 혹은 동일한 외경의 원형이어도 상관없다. 이들의 복수의 홀(22)을 전자빔(200)의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티빔(20)이 형성되게 된다. 여기서는, 종횡(x, y 방향)이 모두 2 열 이상의 홀(22)이 배치된 예를 나타냈지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 종횡(x, y 방향) 어느 일방이 복수 열이고 타방은 1 열뿐이어도 상관없다. 또한 홀(22)의 배열 방식은, 도 2와 같이, 종횡이 격자 형상으로 배치되는 경우에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 종 방향(y 방향) k 단째의 열과, k + 1 단째의 열의 홀끼리가, 횡 방향(x 방향)으로 치수(a)만큼 어긋나 배치되어도 된다. 마찬가지로, 종 방향(y 방향) k + 1 단째의 열과, k + 2 단째의 열의 홀끼리가, 횡 방향(x 방향)으로 치수(b)만큼 어긋나 배치되어도 된다.
도 3은, 실시 형태 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 일부를 나타내는 상면 개념도이다. 또한 도 3에 있어서, 전극(24, 26)과 제어 회로(41)의 위치 관계는 일치시켜 기재하고 있지 않다. 블랭킹 플레이트(204)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 도 2에 나타낸 애퍼처 부재(203)의 각 홀(22)에 대응하는 위치에 멀티빔의 각각의 빔의 통과용의 통과 홀(25)(개구부)이 개구된다. 그리고 각 통과 홀(25)의 근방 위치에 해당하는 통과 홀(25)을 사이에 두고 블랭킹 편향용의 전극(24, 26)의 조(블랭커 : 블랭킹 편향기)가 각각 배치된다. 또한 각 통과 홀(25)의 근방에는, 각 통과 홀(25)용의 예를 들면 전극(24)에 편향 전압을 인가하는 제어 회로(41)(논리 회로)가 배치된다. 각 빔용의 2 개의 전극(24, 26)의 타방(예를 들면, 전극(26))은 그라운드 접속된다. 또한 각 제어 회로(41)는, 제어 신호용의 예를 들면 10 비트의 패럴렐 배선이 접속된다. 각 제어 회로(41)는, 예를 들면 10 비트의 패럴렐 배선 외에, 클록 신호선 및 전원용의 배선이 접속된다. 클록 신호선 및 전원용의 배선은 패럴렐 배선의 일부의 배선을 유용해도 상관없다. 멀티빔을 구성하는 각각의 빔마다, 전극(24, 26)과 제어 회로(41)에 의한 개별 블랭킹 기구(47)가 구성된다. 편향 제어 회로(120)로부터 각 제어 회로(41)용의 제어 신호가 출력된다. 각 제어 회로(41) 내에는, 도시하지 않은 시프트 레지스트가 배치되고, 예를 들면, n × m 개의 멀티빔의 1 열분의 제어 회로 내의 시프트 레지스터가 직렬로 접속된다. 그리고 예를 들면, n × m 개의 멀티빔의 1 열분의 제어 신호가 시리즈로 송신되고, 예를 들면 n 회의 클록 신호에 의해 각 빔의 제어 신호가 대응하는 제어 회로(41)에 저장된다.
각 통과 홀을 통과하는 전자빔(20)은, 각각 독립적으로 이러한 쌍이 되는 2 개의 전극(24, 26)에 인가되는 전압에 의해 편향된다. 이러한 편향에 의해 블랭킹 제어된다. 멀티빔 중의 대응빔을 각각 블랭킹 편향한다. 이와 같이 복수의 블랭커가, 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)(개구부)을 통과한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
도 4는, 실시 형태 1에 있어서의 묘화 동작의 일례를 설명하기 위한 개념도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 시료(101)의 묘화 영역(30)은, 예를 들면 y 방향을 향해 소정의 폭으로 직사각형 형상의 복수의 스트라이프 영역(32)으로 가상 분할된다. 이러한 각 스트라이프 영역(32)은 묘화 단위 영역이 된다. 우선, XY 스테이지(105)를 이동시켜, 첫번째의 스트라이프 영역(32)의 좌단, 혹은 더 좌측의 위치에 1 회의 멀티빔(20)의 조사로 조사 가능한 조사 영역(34)이 위치하도록 조정하여, 묘화가 개시된다. 첫번째의 스트라이프 영역(32)을 묘화할 시에는, XY 스테이지(105)를 예를 들면 -x 방향으로 이동시킴으로써, 상대적으로 x 방향으로 묘화를 진행시킨다. XY 스테이지(105)는 소정의 속도로 예를 들면 연속 이동시킨다. 첫번째의 스트라이프 영역(32)의 묘화 종료 후, 스테이지 위치를 -y 방향으로 이동시켜, 두번째의 스트라이프 영역(32)의 우단, 혹은 더 우측의 위치에 조사 영역(34)이 상대적으로 y 방향으로 위치하도록 조정 하고, 이번에는 XY 스테이지(105)를 예를 들면 x 방향으로 이동시킴으로써, -x 방향을 향해 동일하게 묘화를 행한다. 세번째의 스트라이프 영역(32)에서는 x 방향을 향해 묘화하고, 네번째의 스트라이프 영역(32)에서는 -x 방향을 향해 묘화하는 것과 같이, 교호로 방향을 바꾸면서 묘화함으로써 묘화 시간을 단축할 수 있다. 단, 이러한 교호로 방향을 바꾸면서 묘화하는 경우에 한정되지 않고, 각 스트라이프 영역(32)을 묘화할 시, 동일 방향을 향해 묘화를 진행시키도록 해도 상관없다. 1 회의 샷으로는, 애퍼처 부재(203)의 각 홀(22)을 통과함으로써 형성된 멀티빔에 의해, 최대 각 홀(22)과 동수의 복수의 샷 패턴이 한 번에 형성된다.
묘화 처리는 이하와 같이 실시된다. 우선, 묘화 데이터 처리부(50)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 읽어내, 복수 단의 데이터 변환 처리를 실시하여, 샷 데이터를 생성한다. 샷 데이터는 화소마다 생성되고, 묘화 시간(조사 시간)이 연산된다. 예를 들면 대상 화소에 패턴을 형성하지 않을 경우, 빔 조사가 없음(無)이 되므로, 묘화 시간 제로 혹은 빔 조사 없음의 식별 코드가 정의된다. 여기서는, 1 회의 멀티빔의 샷에 있어서의 최대 묘화 시간(T)(최대 노광 시간)이 미리 설정된다. 실제로 조사되는 각 빔의 조사 시간은, 산출된 패턴의 면적 밀도에 비례하여 구하면 적합하다. 또한 최종적으로 산출되는 각 빔의 조사 시간은, 도시하지 않은 근접 효과, 포깅 효과, 로딩 효과 등의 치수 변동을 일으키는 현상에 대한 치수 변동분을 조사량에 의해 보정한 보정 후의 조사량에 상당하는 시간으로 하면 적합하다. 따라서, 실제로 조사되는 각 빔의 조사 시간은 빔마다 다를 수 있다. 각 빔의 묘화 시간(조사 시간)은 최대 묘화 시간(T) 내의 값으로 연산된다. 또한 묘화 데이터 처리부(50)는, 연산된 각 화소의 조사 시간 데이터를 이러한 화소를 묘화하게 되는 빔용의 데이터로서, 멀티빔의 샷마다, 멀티빔의 각 빔의 배열순으로 배열한 조사 시간 배열 데이터를 생성하고, 기억 장치(142)에 저장한다.
편향 제어 회로(130)는, 기억 장치(142)로부터 조사 시간 배열 데이터(샷 데이터)를 읽어내, 멀티빔을 편향하는 편향량 데이터를 생성한다. 묘화 제어부(52)는, 편향 제어 회로(130) 및 묘화부(150)를 구동하는 도시하지 않은 제어 회로에 묘화 처리를 실시하기 위한 제어 신호를 출력한다. 이러한 신호를 받아, 묘화 처리가 개시된다. 그리고 묘화부(150)는 멀티빔을 이용하여, 시료(101)에 원하는 패턴을 묘화한다. 구체적으로는 이하와 같이 동작한다.
전자총(201)(방출부)으로부터 방출된 전자빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의해 거의 수직으로 애퍼처 부재(203) 전체를 조명한다. 애퍼처 부재(203)에는 직사각형의 복수의 홀(개구부)이 형성되고, 전자빔(200)은, 모든 복수의 홀(22)이 포함되는 영역을 조명한다. 복수의 홀(22)의 위치에 조사된 전자빔(200)의 각 일부가, 이러한 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀(22)을 각각 통과함으로써, 예를 들면 직사각형 형상의 복수의 전자빔(멀티빔)(20a ~ 20e)이 형성된다. 이러한 멀티빔(20a ~ 20e)은, 블랭킹 플레이트(204)의 각각 대응하는 블랭커(제1 편향기 : 개별 블랭킹 기구) 내를 통과한다. 이러한 블랭커는, 각각 개별로 통과하는 전자빔(20)이 연산된 묘화 시간(조사 시간)의 동안만 빔 ON, 그 이외는 빔 OFF가 되도록 편향한다(블랭킹 편향을 행한다).
블랭킹 플레이트(204)를 통과한 멀티빔(20a ~ 20e)은, 축소 렌즈(205)에 의해 축소되고, 제한 애퍼처 부재(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 나아간다. 여기서, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 빔 OFF가 되도록 편향된 전자빔(20)은, 제한 애퍼처 부재(206)(블랭킹 애퍼처 부재)의 중심의 홀로부터 위치가 벗어나, 제한 애퍼처 부재(206)에 의해 차폐된다. 한편, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 편향되지 않았던 혹은 빔 ON이 되도록 편향된 전자빔(20)은, 도 1에 나타내는 바와 같이 제한 애퍼처 부재(206)의 중심의 홀을 통과한다. 이러한 개별 블랭킹 기구의 ON / OFF에 의해 블랭킹 제어가 행해지고, 빔의 ON / OFF가 제어된다. 이와 같이, 제한 애퍼처 부재(206)는, 개별 블랭킹 기구에 의해 빔 OFF의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 될 때까지 형성된, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 빔에 의해, 1 회분의 샷의 빔이 형성된다. 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 멀티빔(20)은 대물 렌즈(207)에 의해 초점이 합쳐져, 원하는 축소율의 패턴상(像)이 되고, 편향기(209)에 의해, 제한 애퍼처 부재(206)를 통과한 각 빔(멀티빔(20) 전체)이 동일 방향으로 한꺼번에 편향되어, 각 빔의 시료(101) 상의 각각의 묘화 위치(조사 위치)에 조사된다. 또한 XY 스테이지(105)가 예를 들면 연속 이동하고 있을 때, 빔의 묘화 위치(조사 위치)가 XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록 편향기(208)에 의해 트래킹 제어된다. 한 번에 조사되는 멀티빔(20)은, 이상적으로는 애퍼처 부재(203)의 복수의 홀의 배열 피치에 상술한 원하는 축소율을 곱한 피치로 배열되게 된다. 묘화 장치(100)는, 샷 빔을, 묘화 위치를 시프트하면서 순서대로 조사하는 방식으로 묘화 동작을 행하고, 원하는 패턴을 묘화할 시, 패턴에 따라 필요한 빔이 블랭킹 제어에 의해 빔 ON으로 제어된다.
여기서, 상술한 바와 같이, 멀티빔을 구성하는 각 빔 위치는 묘화 치수에 직접 영향을 주기 때문에, 멀티빔의 빔 위치를 정확하게 파악하는 것은 멀티빔 묘화의 치수 정밀도를 유지하기 위해서 중요하다. 그러나 멀티빔 묘화에 이용하는 빔 1 개당의 전류량은 작고, 신호 강도가 작기 때문에, 빔마다의 측정으로는 측정 정밀도가 낮아져, 각 빔의 위치를 고정밀도로 측정하는 것이 곤란하다. 만일, 각 빔에 대하여 각각 측정 횟수(N)를 증가시켜, 예를 들면 2승 평균값을 구함으로써, 측정값이 불규칙하게 상하로 진동하는 화이트 노이즈를 저감시켰다고 해도,
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배에서의 개선에 머물러 개선 효과에 한계가 있었다. 또한 멀티빔을 구성하는 빔의 개수는 매우 많기 때문에, 멀티빔 전체의 위치를 파악하려면, 측정에 시간이 소요되는 것과 같은 문제가 있었다. 또한 멀티빔의 빔 개수가 증가하면 증가분 측정 시간이 증가된다. 따라서 실시 형태 1에서는, 필요한 측정 정밀도를 충족시키는 빔수의 빔군을 1 개의 빔으로 간주하여, 필요한 치수 정밀도를 충족시키는 수의 측정점으로 빔 위치를 측정한다. 그리고 얻어진 각 측정점으로 빔 위치로부터 멀티빔의 위치를 파악한다. 이하, 구체적으로 설명한다.
도 5는, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 빔 위치 측정 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다. 도 5에 있어서, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 빔 위치 측정 방법은, 3σ 측정 공정(S102)과, 최소 빔 개수 취득 공정(S104)과, 최대 왜곡량 측정 공정(S106)과, 분할수 연산 공정(S108)과, 측정점 설정 공정(S110)과, 빔 영역 설정 공정(S130)과, 상세 왜곡 측정 공정(S132)과, 차분(Δ 왜곡량 차) 연산 공정(S133)과, 판정 공정(S134)과, 분할수 변경 공정(S136)과 같은 일련의 공정을 실시한다.
3σ 측정 공정(S102)으로서, 측정부(60)는, 빔 개수를 가변으로 하면서, 각 빔 개수에 있어서, 이러한 빔 개수를 1 개의 빔군으로서 마크(108) 상을 주사하고, 반사 전자 혹은 2 차 전자를 검출기(212)로 검출한다. 이에 의해, 각 빔군의 전류량을 측정한다. 편향기(209)를 이용하여 빔군을 일괄하여 편향함으로써 빔군의 주사를 행하면 된다. 빔군은 멀티빔 중 인접하는 복수의 빔을 이용한다. 빔군의 조사 영역 형상이 직사각형이 되도록 빔군을 구성하는 복수의 빔을 선택하면 된다. 예를 들면, 멀티빔 중, 중심 빔과 그 주위의 복수의 빔을 이용한다. 검출기(212)의 출력은, 앰프(138)에서 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환한 후, 증폭되어 측정부(60)에 출력된다. 빔 개수를 가변으로 할 때, 각 빔 개수에 있어서, k 회(예를 들면, 100 회) 같은 주사를 행하여 전류량의 측정을 행한다. 그리고 3σ 분포 작성부(62)는, 각 빔 개수에 있어서, k 회의 측정 결과(전류량의 측정 결과)의 불균일의 분포(정규 분포)에 있어서의 3σ(σ : 표준 편차, 평균값 ±3σ는 약 99.7%의 측정 결과가 포함되는 불균일)의 값을 연산한다. 이어서, 3σ 분포 작성부(62)는 빔 개수마다의 3σ 분포를 작성한다.
도 6은, 실시 형태 1에 있어서의 3σ 분포의 일례를 나타내는 도면이다. 도 6에 있어서, 종축은 3σ의 값, 횡축은 빔 개수를 나타낸다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 빔 개수를 증가시킴에 따라 3σ(불균일)가 작아져, 최종적으로는 수렴한다. 이와 같이 1 개의 빔으로는 측정 오차가 크고 측정 정밀도가 낮지만, 빔 개수가 많아지면 측정 정밀도는 개선되는 것을 알 수 있다.
최소 빔 개수 취득 공정(S104)으로서, min 빔 개수 연산부(64)는, 3σ 분포를 이용하여, 멀티빔에 있어서의 전류량의 측정 재현성을 나타내는 3σ가 허용값 내가 되는데 필요한 빔 개수를 취득한다. 여기서는, min 빔 개수를 취득하면 된다. min 빔 개수가 보다 바람직하지만, min 빔 개수에 한정되는 것은 아니다. 적어도 min 빔 개수 이상이면 된다. 이와 같이, 전류량의 측정 재현성은, 복수 회의 전류량이 측정된 전류량 분포의 3σ의 값을 이용하여 판정된다. 이에 의해, 측정 정밀도를 충족시킨, 빔의 위치 이탈량(왜곡량)을 측정하기 위하여 필요한 빔 개수를 취득할 수 있다.
최대 왜곡량 측정 공정(S106)으로서, max 왜곡 측정부(66)는, 멀티빔 전체가 조사되는 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량을 측정한다. 멀티빔 전체의 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량은, 조사 영역의 네 귀퉁이 위치와 중앙 위치를 조사하는, 각각 min 빔 개수의 각 빔군을 이용하여 측정된다.
도 7은, 실시 형태 1에 있어서의 최대 왜곡을 측정하는 빔군의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7에 있어서, 멀티빔 전체가 조사되는 조사 영역(34)의 설계상의 형상(이상적인 형상 : 실선)은 직사각형이 된다. 그러나 빔 조사 위치에 이탈이 발생함으로써 조사 영역(34)의 형상(점선)에 왜곡이 발생한다. 최대 왜곡은 조사 영역(34)의 네 귀퉁이 위치에서 발생한다. 따라서, 이러한 네 귀퉁이에서의 빔의 위치 이탈량(왜곡량)을 측정한다. 또한 중앙 위치에서는 빔의 위치 이탈이 발생하기 어려워, 혹은 작기 때문에, 중앙 위치에서의 빔 위치를 측정하고, 설계상의 위치에 위치 조정함으로써, 네 귀퉁이의 측정 결과와 설계 위치의 상대 위치 관계를 고정밀도로 조정할 수 있다. 따라서, 네 귀퉁이의 위치 이탈량을 고정밀도로 측정할 수 있다. 네 귀퉁이의 빔군은, 네 귀퉁이의 빔을 포함하는 min 빔 개수의 빔군에 의해 구성되고, 도 7에서는 빔군의 영역이 빔 영역(36)으로 나타내져 있다. 측정 방법은, 각 위치에서의 빔군으로 마크(108) 상을 주사하고, 반사 전자 혹은 2 차 전자를 검출기(212)로 검출한다. 이에 의해, 각 빔군의 위치를 측정한다. 각 빔군의 위치는, 각각 빔군이 검출된 빔 영역(36)의 중심 위치를 이용한다. 따라서, 설계상의 네 귀퉁이의 위치에 대해서도 대응하는 중심 위치를 이용하여, 설계상의 네 귀퉁이의 위치로부터의 위치 이탈량을 연산하면 된다. 도 7의 예에서는, 좌하(左下)의 위치에서의 위치 이탈량을 x1, y1, 우하(右下)의 위치에서의 위치 이탈량을 x2, y2, 좌상(左上)의 위치에서의 위치 이탈량을 x3, y3, 그리고 우상(右上)의 위치에서의 위치 이탈량을 x4, y4로 나타내고 있다. 이에 의해, x 방향과 y 방향에 대하여, 각각 최대 왜곡량을 측정할 수 있다.
실시 형태 1에서는, 고속으로 멀티빔의 위치를 측정하고자 한다. 따라서 필요 최소한의 위치에서 측정을 행한다. 이를 위하여 필요한 측정점을 취득한다.
분할수 연산 공정(S108)으로서, 분할수 연산부(68)는, 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량을 원하는 치수 정밀도값으로 나눈 값(A)을 분할수로서 연산한다. 최대 왜곡량이 예를 들면 5 nm이고, 묘화 정밀도로 요구되는 치수 정밀도가 예를 들면 0.2 nm이면, A = 5 / 0.2 = 25가 되고, 분할수를 25로 하면 된다. 이에 의해, 멀티빔 전체가 조사되는 조사 영역(34)을 25 × 25로 분할하면 된다. 실시 형태 1에서는, 이와 같이 최대 왜곡량에 따라 영역 분할수를 설정한다. 분할된 복수의 분할 영역에서 각각 빔 위치를 측정할 수 있으면, 이론상, 묘화 정밀도를 충족시키는 멀티빔의 위치 측정 결과를 얻을 수 있다.
측정점 설정 공정(S110)으로서, 설정부(70)는, 멀티빔 전체가 조사되는 조사 영역(34)에 있어서의, 원하는 치수 정밀도값에 따른 복수의 측정점을 설정한다. 설정부(70)는, 도시하지 않은 분할 처리부를 가지고, 이러한 분할 처리부를 이용하여, 조사 영역(34)을 얻어진 분할수로 복수의 분할 영역으로 분할한다.
도 8은, 실시 형태 1에 있어서의 측정점의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8에서는, 조사 영역(34)이, 연산된 분할수로 분할된 직사각형의 복수의 분할 영역(38)이 나타내져 있다. 이어서, 설정부(70)는, 도시하지 않은 중심 연산부를 가지고, 이러한 중심 연산부를 이용하여, 복수의 분할 영역(38)의 각각의 중심 위치를 연산한다. 그리고 설정부(70)는, 복수의 분할 영역(38)의 각각의 중심 위치에 위치하는, 혹은 가장 가까운 빔(21)의 위치를 측정점으로서 설정한다. 이에 의해, 이론상, 묘화 정밀도를 충족시키는 멀티빔의 복수의 측정점을 얻을 수 있다.
빔 영역 설정 공정(S130)으로서, 설정부(72)는, 복수의 측정점에 있어서의 측정점마다, 멀티빔 중, min 빔 개수의 복수의 빔(빔군)에 의한, 측정점을 포함하는 빔 영역을 설정한다.
도 9는, 실시 형태 1에 있어서의 빔 영역의 일례를 나타내는 도면이다. 상술한 바와 같이 측정 재현성을 얻기 위해서는, 상술한 min 빔 개수의 빔군이 필요하다. 따라서 설정부(72)는, 측정점마다, 측정점의 빔(21)을 중심 위치로 하는 주위의 빔에 의해 구성되는 빔 영역(40)을 설정한다. 이 때, 도 9에 나타내는 바와 같이, 빔 영역(40)끼리(빔 영역(40a)과 빔 영역(40b))가 일부 중첩되는 경우가 있어도 상관없다. 환언하면, 빔 영역(40)의 위치를 측정할 시에 다른 빔 영역(40)의 위치 측정에 이용한 빔을 중복하여 이용해도 된다. 또한 멀티빔의 위치를 측정하는 경우에는, 빔 영역(40)이 x, y 방향이 되기 위하여 동수의 빔이 배열되는 직사각형이 되도록 각 빔을 선택하면 된다.
상세 왜곡 측정 공정(S132)으로서, 측정부(74)는, 측정점마다, 대응하는 빔 영역(40)의 복수의 빔(빔군)을 이용하여 마크(108) 상을 주사함으로써, 당해 측정점의 위치를 측정한다.
도 10a와 도 10b는, 실시 형태 1에 있어서의 빔 주사를 설명하기 위한 도면이다. 도 10a에 나타내는 바와 같이, 측정 방법은, 각 빔 영역(40)의 빔군으로 마크(108) 상을 주사하고, 반사 전자 혹은 2 차 전자를 검출기(212)로 검출한다. 검출기(212)의 출력은, 앰프(138)에서 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환한 후, 증폭되어 측정부(74)에 출력된다. 검출 결과는, 도 10b에 나타내는 바와 같이, 빔군의 각 열이 마크(108) 상에 도달할 때마다 단계적으로 검출값이 상승하고, 마크(108) 상으로부터 이탈할 때마다 단계적으로 검출값이 감소한다. 또한, 마크(108)는, 빔 영역(40)보다 사이즈가 커지도록 형성되면 된다. 이에 의해, 주사해도 마크(108)에 접촉하지 않는 빔을 없앨 수 있다. 이러한 주사에 의한 검출에 의해, 각 빔군의 위치를 측정한다. 각 빔군의 위치는, 각각 빔군이 검출된 영역의 중심 위치를 이용한다. 측정점의 빔(21)은, 빔 영역(40)의 중심 위치에 맞추고 있으므로, 이러한 측정에 의해, 복수의 측정점의 빔(21)의 위치를 측정할 수 있다. 그리고 측정부(74)는, 도시하지 않은 왜곡량 연산부를 가지고, 이러한 왜곡량 연산부에 의해, 복수의 측정점에 대응하는 설계상의 위치로부터의 위치 이탈량(왜곡량)을 연산한다.
차분(Δ 왜곡량 차) 연산 공정(S133)으로서, 차분 연산부(76)는, 얻어진 모든 측정점에 있어서의 왜곡량을 이용하여, 인접하는 측정점 간의 왜곡량의 차(Δ 왜곡량 차)를 각각 연산한다.
판정 공정(S134)으로서, 판정부(78)는, 모든 인접하는 측정점 간의 왜곡량의 차(Δ 왜곡량 차)가 임계치 내인지 여부를 판정한다. 임계치로서, 상술한 원하는 치수 정밀도값을 이용하면 적합하다. 모든 인접하는 측정점 간의 Δ 왜곡량 차가 임계치 내인 경우에는, 각 측정점으로 측정된 왜곡량의 데이터를 기억 장치(142)에 출력한다. 모든 인접하는 측정점 간의 Δ 왜곡량 차가 임계치 내가 아닌 경우에는, 분할수 변경 공정(S136)으로 진행된다. 상술한 바와 같이, 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량을 원하는 치수 정밀도값으로 나눈 값을 분할수로 한 복수의 분할 영역(38)에서의 복수의 측정점을 이용하면, 이론상, 묘화 정밀도를 충족시키는 멀티빔의 위치를 측정할 수 있다. 그러나 일부의 Δ 왜곡량 차에 있어서 이론에서 벗어나는 경우도 발생할 수 있다. 이러한 결과가 생긴 경우에는, 묘화 정밀도를 충족시키는 치수 정밀도를 얻지 못하므로, 분할수를 재검토할 필요가 있다.
분할수 변경 공정(S136)으로서, 분할수 변경부(80)는, 모든 인접하는 측정점 간의 왜곡량의 차가 임계치 내가 아닌 경우에, 임계치 내가 아닌 왜곡량의 차를 원하는 치수 정밀도값으로 나눈 값(B)을 이용하여 분할수를 변경한다. 값(B)이 소수점을 포함하는 값이면 절상하여 정수로 하면 된다. 구체적으로는, 분할수에 값(B)을 곱한 값을 새로운 분할수로 하면 된다. 값(B)은 1보다 큰 정수값이 되므로 분할수의 값이 커진다. 환언하면, 분할 영역을 미세하게 할 수 있다. 그리고 측정점 설정 공정(S110)으로 돌아와, 판정 공정(S134)에 있어서 모든 인접하는 측정점 간의 Δ 왜곡량 차가 임계치 내가 될 때까지, 측정점 설정 공정(S110)에서 판정 공정(S134)까지의 각 공정을 반복한다. 통상, 1 회 반복하면 판정 공정(S134)을 충족시킨다. 이상에 의해, 필요 최저한의 수의 측정점으로 묘화 정밀도를 충족시키는 멀티빔의 위치를 측정할 수 있다. 따라서, 측정 시간을 단축할 수 있다. 복수의 측정점에서의 빔 위치 데이터(x, y)를 이용하여, 다항식으로 근사함으로써, 조사 영역(34) 내의 각 빔 위치를 구할 수 있다. 그리고 각 측정점에서의 빔 위치로부터 멀티빔의 조사 위치 형상(조사 감도) 혹은 / 및 애퍼처 부재(203)로 형성되는 멀티빔 형상을 얻을 수 있다.
이상과 같이 실시 형태 1에 의하면, 필요한 측정 정밀도와 필요한 치수 정밀도를 충족시키면서, 멀티빔의 빔 위치를 고속으로 측정할 수 있다.
그리고 얻어진 멀티빔의 위치(왜곡 데이터)를 이용하여, 각 빔에 대하여 예를 들면 조사량을 조정하면, 멀티빔의 묘화 위치의 위치 이탈을 보정할 수 있다. 위치 이탈 보정의 방법은 종래와 같은 방법을 이용하면 된다.
또한, 상세 왜곡 측정 공정(S132)에 있어서, 스테이지(105)를 이동시켜 마크(108)가 측정점의 위치에 이동시켜 측정하면, 각 측정점에서의 위치 이탈량을 측정할 수 있다. 또한 마크(108)를 멀티빔의 중심 위치가 되도록 스테이지(105)를 이동시켜 측정하면, 편향기(108)에 의한 편향 감도에 의존한 위치 이탈량을 측정할 수 있다.
또한 상술한 예에서는, 빔 영역 설정 공정(S130)에 있어서, 빔 영역(40)이 x, y 방향이 되기 위하여 동수의 빔이 배열되는 직사각형이 되도록 각 빔을 선택하는 경우를 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 마크(108) 상을 빔군으로 x 방향으로 주사할 경우에는 x 방향의 빔 열의 수를 감소시키고, 그 만큼 y 방향의 빔 열의 수를 증가시킴으로써 동일 시기에 마크(108) 상에 위치하는 빔수를 증가시킬 수 있다. 따라서, 동시에 검출되는 전류량을 크게 할 수 있다. 마찬가지로, y 방향으로 주사할 경우에는, y 방향의 빔 열의 수를 감소시키고, 그 만큼 x 방향의 빔 열의 수를 증가시킴으로써 동일 시기에 마크(108) 상에 위치하는 빔수를 증가시킬 수 있다. 따라서, 동시에 검출되는 전류량을 크게 할 수 있다. 이와 같이, 중심 위치에 측정점의 빔(21)을 배치하면, 주사 방향 등에 의해 빔군을 구성하는 빔을 변경해도 된다.
또한 상술한 바와 같이, 예를 들면 필요 최저한의 빔수의 빔군을 이용하여 필요 최저한의 수의 측정점에서의 위치 측정에 의해 묘화 정밀도를 충족시키는 멀티빔의 위치를 측정할 수 있는 점에서, 이러한 기술을 이용하여, 비점 조정도 고정밀도로 행할 수 있다. 이하, 묘화 장치(100)의 비점 조정을 행하는 방법에 대하여 설명한다.
도 11은, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 빔 위치 측정 방법을 이용한 비점 조정 방법의 주요부 공정을 나타내는 순서도이다. 도 11에 있어서, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 빔 위치 측정 방법을 이용한 비점 조정 방법은, 3σ 측정 공정(S102)과, 최소 빔 개수 취득 공정(S104)과, 최대 왜곡량 측정 공정(S106)과, 분할수 연산 공정(S108)과, 측정점 설정 공정(S110)과, 비점 코일값 설정 공정(S120)과, 포커스 렌즈값 설정 공정(S122)과, 빔 영역 설정 공정(S130)과, 상세 왜곡 측정 공정(S132)과, 차분(Δ 왜곡량 차) 연산 공정(S133)과, 판정 공정(S134)과, 분할수 변경 공정(S136)과, 판정 공정(S140)과 같은 일련의 공정을 실시한다. 예를 들면, 측정점 설정 공정(S110)과 빔 영역 설정 공정(S130)의 사이에, 비점 코일값 설정 공정(S120)과, 포커스 렌즈값 설정 공정(S122)을 추가한 점과, 판정 공정(S134)의 후에 판정 공정(S140)을 추가한 점 이외는, 도 5와 같다. 비점 코일값 설정 공정(S120)과, 포커스 렌즈값 설정 공정(S122)을 추가하는 위치는, 빔 영역 설정 공정(S130)과, 상세 왜곡 측정 공정(S132)의 사이여도 된다. 혹은, 측정점 설정 공정(S110)보다 전이어도 된다.
3σ 측정 공정(S102)에서 측정점 설정 공정(S110)까지의 각 공정의 내용은 상술한 바와 같다.
비점 코일값 설정 공정(S120)으로서, 설정부(82)는, 코일 제어 회로(134)에 비점 코일(211)에 여자하는 여자값(비점 코일값)을 설정한다. 여자값은, 후술하는 바와 같이 미리 설정된 범위 내의 복수의 값이 가변으로 설정되게 된다. 여기서는, 복수의 값의 1 개(예를 들면, 제일 작은 값)를 설정한다.
포커스 렌즈값 설정 공정(S122)으로서, 설정부(84)는, 렌즈 제어 회로(136)에 대물 렌즈(207)에 여자하는 여자값(렌즈값)을 설정한다. 여자값은, 후술하는 바와 같이 미리 설정된 범위 내의 복수의 값이 가변으로 설정되게 된다. 예를 들면, 초점 위치가 -Z 측이 되는 여자값(1)과 +Z측이 되는 여자값(2)을 준비하고, 여기서는 여자값(1)을 설정한다.
빔 영역 설정 공정(S130)에서 분할수 변경 공정(S136)까지의 각 공정의 내용은, 상술한 바와 같다. 따라서, 판정 공정(S134)에 있어서, 모든 인접하는 측정점 간의 Δ 왜곡량 차가 임계치 내가 될 때까지, 비점 코일값 설정 공정(S120)과 포커스 렌즈값 설정 공정(S122)을 포함하는, 측정점 설정 공정(S110)에서 판정 공정(S134)까지의 각 공정을 반복한다. 이 후, 포커스 렌즈값 설정 공정(S122)으로 돌아와, 설정부(84)는, 렌즈 제어 회로(136)에 대물 렌즈(207)에 여자하는 복수의 여자값에 있어서의 다음의 여자값(렌즈값)을 설정한다. 여기서는 여자값(2)을 설정한다. 그리고 빔 영역 설정 공정(S130)과 상세 왜곡 측정 공정(S132)을 실시한다.
이상에 의해, 비점 코일값이 어느 값으로 설정되었을 시의, 초점 위치가 -Z 측이 되는 여자값(1)으로 설정된 상태에서의 멀티빔의 조사 위치 형상과, 초점 위치가 +Z 측이 되는 여자값(1)으로 설정된 상태에서의 멀티빔의 조사 위치 형상을 얻을 수 있다.
판정 공정(S140)으로서, 판정부(86)는 비점량을 연산하여, 비점량이 임계치보다 작은지 여부를 판정한다.
비점량이 임계치보다 작지 않은 경우에는, 비점 코일값 설정 공정(S120)으로 돌아와, 판정 공정(S140)에 있어서 비점량이 임계치보다 작아질 때까지, 비점 코일값 설정 공정(S120)에서 판정 공정(S140)까지의 각 공정을 반복한다.
도 12(a) 내지 도 12(c)는, 실시 형태 1에 있어서의 멀티빔의 비점 조정의 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 1 회의 비점 코일값의 설정에 있어서, 초점 위치가 -Z 측이 되는 여자값(1)으로 설정된 상태에서의 멀티빔의 조사 위치(34a)의 형상과, 초점 위치가 +Z 측이 되는 여자값(1)으로 설정된 상태에서의 멀티빔의 조사 위치(34b)의 형상을 얻을 수 있다. 조사 위치(34a)는 예를 들면 x 방향에 비해 y 방향으로 긴 직사각형이 되고, 조사 위치(34b)는 예를 들면 y 방향에 비해 x 방향으로 긴 직사각형이 된다. 비점 코일값이 적절하지 않은 상태에서는, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 조사 위치(34a)의 형상과 조사 위치(34b)의 형상은 불일치가 된다. 한편, 비점 코일값이 적절한 값이 되는 상태에서는, 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 조사 위치(34a)의 형상과 조사 위치(34b)의 형상이 일치하는, 혹은 보다 일치에 가까워진다. 비점은, 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, x 방향의 이탈량과 y 방향의 이탈량의 차가 가장 작아지는 경우의 비점 코일값으로 조정되면 적합하다.
여기서, 판정 공정(S134)에 있어서 일단 모든 인접하는 측정점 간의 Δ 왜곡량 차가 임계치 내가 되도록 분할수 및 측정점이 설정된 후는, 비점 코일값 설정 공정(S120)과, 포커스 렌즈값 설정 공정(S122)에서, 설정값을 변경했다고 해도 Δ 왜곡량 차는 임계치 내에 포함된다고 추정된다. 따라서, 판정 공정(S134)에 있어서 일단 모든 인접하는 측정점 간의 Δ 왜곡량 차가 임계치 내가 되도록 분할수 및 측정점이 설정된 후의 반복 공정에서는, Δ 왜곡량 차 연산 공정(S133)과, 판정 공정(S134)과, 분할수 변경 공정(S136)을 생략해도 된다.
이상에 의해, 묘화 정밀도를 충족시키는 멀티빔의 위치를 측정 가능한 필요 최저한의 수의 측정점으로 비점 조정을 행할 수 있다. 따라서, 조정 시간을 단축할 수 있다.
이상, 구체적인 예를 참조하여 실시 형태에 대하여 설명했다. 그러나 본 발명은, 이들의 구체적인 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 측정점의 수, 나아가서는 분할수에 대해서는, 최소값에 한정되는 것은 아니다. 최소값보다 크게 해도 된다. 예를 들면, 조사 영역(34) 내의 각 빔 위치를, 3 차 이상의 다항식으로 근사할 경우, 미지의 계수가 10 개 이상이 되므로 10 개소 이상의 측정값이 필요하다. 이러한 경우에는, 분할수의 최소값이 10 미만이 된 경우에도 10 이상의 분할수로 측정점을 설정하면 된다.
또한, 장치 구성 또는 제어 방법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요로 하지 않는 부분 등에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 장치 구성 또는 제어 방법을 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 제어부 구성을 적절히 선택하여 이용하는 것은 말할 필요도 없다.
그 외, 본 발명의 요소를 구비하고, 당업자가 적절히 설계 변경할 수 있는 모든 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치는, 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 몇 가지 실시 형태를 설명했지만, 이들의 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규 실시 형태는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 각종 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태 또는 그 변형은, 발명의 범위 또는 요지에 포함되고 또한, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

Claims (10)

  1. 멀티 하전 입자빔에 있어서의 전류량의 측정 재현성이 허용값 내가 되는데 필요한 빔 개수를 취득하는 단계와,
    멀티 하전 입자빔 전체가 조사되는 조사 영역에 있어서의, 원하는 치수 정밀도값 에 따른 복수의 측정점을 설정하는 단계와,
    상기 복수의 측정점에 있어서의 측정점마다, 상기 멀티 하전 입자빔 중 상기 빔 개수의 복수의 빔에 의한, 상기 측정점을 포함하는 빔 영역을 설정하는 단계와,
    측정점마다, 대응하는 빔 영역의 복수의 빔을 이용하여, 당해 측정점의 위치를 측정하는 단계
    를 가지는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔의 빔 위치 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량을 상기 원하는 치수 정밀도값으로 나눈 값을 분할수로서 연산하는 단계를 더 가지고,
    상기 복수의 측정점을 설정하는 단계는,
    상기 조사 영역을 상기 분할수로 복수의 분할 영역으로 분할하고,
    상기 복수의 측정점으로서, 분할된 상기 복수의 분할 영역의 각 중심 위치를 연산하는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전류량의 측정 재현성은, 복수 회의 전류량이 측정된 전류량 분포의 3σ의 값을 이용하여 판정되는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량은, 상기 조사 영역의 네 귀퉁이 위치와 중앙 위치를 이용하여 측정되는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    모든 인접하는 측정점 간의 왜곡량의 차가 임계치 내인지 여부를 판정하는 단계와,
    모든 인접하는 측정점 간의 왜곡량의 차가 상기 임계치 내가 아닌 경우에, 상기 임계치 내가 아닌 왜곡량의 차를 상기 원하는 치수 정밀도값으로 나눈 값을 이용하여 상기 분할수를 변경하는 단계
    를 더 가지는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    빔 개수를 가변으로 하면서, 각 빔 개수에 있어서, 당해 빔 개수를 1 개의 빔군으로서, 각 빔군의 전류량을 측정하는 단계를 더 가지는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 각 빔군의 전류량을 측정할 때, 빔군마다, 복수 회의 전류량이 측정되는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 빔군마다, 측정된 전류량 분포의 3σ의 값을 연산하는 단계를 더 가지는 것을 특징으로 하는 빔 위치 측정 방법.
  9. 시료를 재치하는, 연속 이동 가능한 스테이지와,
    하전 입자빔을 방출하는 방출부와,
    복수의 개구부가 형성되고, 상기 복수의 개구부 전체가 포함되는 영역에 상기 하전 입자빔의 조사를 받고, 상기 복수의 개구부를 상기 하전 입자빔의 일부가 각각 통과함으로써, 멀티빔을 형성하는 애퍼처 부재와,
    상기 애퍼처 부재의 복수의 개구부를 통과한 멀티빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와,
    상기 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF의 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐하는 블랭킹 애퍼처 부재와,
    멀티빔에 있어서의 전류량의 측정 재현성이 허용값 내가 되는데 필요한 빔 개수를 취득하는 취득부와,
    멀티 하전 입자빔 전체가 조사되는 조사 영역에 있어서의, 원하는 치수 정밀도값 에 따른 복수의 측정점을 설정하는 측정점 설정부와,
    상기 복수의 측정점에 있어서의 측정점마다, 상기 멀티 하전 입자빔 중 상기 빔 개수의 복수의 빔에 의한, 상기 측정점을 포함하는 빔 영역을 설정하는 빔 영역 설정부와,
    측정점마다, 대응하는 빔 영역의 복수의 빔을 이용하여, 당해 측정점의 위치를 측정하는 측정부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 조사 영역의 형상의 최대 왜곡량을 상기 원하는 치수 정밀도값으로 나눈 값을 분할수로서 연산하는 분할수 연산부를 더 구비하고,
    상기 측정점 설정부는,
    상기 조사 영역을 상기 분할수로 복수의 분할 영역으로 분할하고,
    상기 복수의 측정점으로서, 분할된 상기 복수의 분할 영역의 각 중심 위치를 연산하는 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자빔 묘화 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016942A (ko) * 2016-08-08 2018-02-20 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티빔 검사용 애퍼처, 멀티빔용 빔 검사 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6383228B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6851181B2 (ja) * 2016-11-09 2021-03-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム光学系の調整方法
JP2018078251A (ja) 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2018082120A (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6791051B2 (ja) * 2017-07-28 2020-11-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6863208B2 (ja) 2017-09-29 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2019220559A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法
JP7180515B2 (ja) 2019-04-11 2022-11-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US11869746B2 (en) 2019-07-25 2024-01-09 Nuflare Technology, Inc. Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus
JP7388237B2 (ja) * 2020-02-20 2023-11-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2022146501A (ja) 2021-03-22 2022-10-05 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
JP2023042356A (ja) * 2021-09-14 2023-03-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009009882A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線応用装置、及び試料検査方法
JP2012508462A (ja) * 2008-11-07 2012-04-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． リソグラフィシステムのビームの同時測定
KR20130135772A (ko) * 2012-06-01 2013-12-11 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431923A (en) * 1980-05-13 1984-02-14 Hughes Aircraft Company Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks
US5384463A (en) * 1991-06-10 1995-01-24 Fujisu Limited Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus
JP3335845B2 (ja) * 1996-08-26 2002-10-21 株式会社東芝 荷電ビーム描画装置及び描画方法
JP3976835B2 (ja) * 1997-05-08 2007-09-19 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
US6943351B2 (en) * 2000-02-19 2005-09-13 Multibeam Systems, Inc. Multi-column charged particle optics assembly
JP4365579B2 (ja) * 2002-12-20 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
JP4477434B2 (ja) * 2004-06-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4907092B2 (ja) 2005-03-01 2012-03-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
JP4058059B2 (ja) * 2005-05-20 2008-03-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム電流計測方法及びそれを用いた電子ビーム応用装置
JP2008041890A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Canon Inc マルチ荷電粒子ビームの計測方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20100187433A1 (en) * 2007-01-25 2010-07-29 Nfab Limited Improved particle beam generator
US8080790B2 (en) * 2008-03-05 2011-12-20 Hitachi High-Technologies Corporation Scanning electron microscope
JP2011171510A (ja) * 2010-02-18 2011-09-01 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置
JP5977550B2 (ja) * 2012-03-22 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6014342B2 (ja) * 2012-03-22 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6027798B2 (ja) * 2012-07-10 2016-11-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法
JP6013089B2 (ja) * 2012-08-30 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6057700B2 (ja) * 2012-12-26 2017-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6087154B2 (ja) * 2013-01-18 2017-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、試料面へのビーム入射角調整方法、および荷電粒子ビーム描画方法
JP6209369B2 (ja) * 2013-06-13 2017-10-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2015153763A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP6262007B2 (ja) * 2014-02-13 2018-01-17 株式会社ニューフレアテクノロジー セトリング時間の取得方法
JP6262024B2 (ja) * 2014-03-04 2018-01-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6353278B2 (ja) * 2014-06-03 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6383228B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2016072497A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 加速電圧ドリフトの補正方法、荷電粒子ビームのドリフト補正方法、及び荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009009882A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線応用装置、及び試料検査方法
JP2012508462A (ja) * 2008-11-07 2012-04-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． リソグラフィシステムのビームの同時測定
KR20130135772A (ko) * 2012-06-01 2013-12-11 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016942A (ko) * 2016-08-08 2018-02-20 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 멀티빔 검사용 애퍼처, 멀티빔용 빔 검사 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치

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