JP6027798B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法 - Google Patents

荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6027798B2
JP6027798B2 JP2012154457A JP2012154457A JP6027798B2 JP 6027798 B2 JP6027798 B2 JP 6027798B2 JP 2012154457 A JP2012154457 A JP 2012154457A JP 2012154457 A JP2012154457 A JP 2012154457A JP 6027798 B2 JP6027798 B2 JP 6027798B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
irradiation time
shot
multiple drawing
drawing unit
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012154457A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014017391A (ja
Inventor
純 八島
純 八島
彰人 安保
彰人 安保
加藤 靖雄
靖雄 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2012154457A priority Critical patent/JP6027798B2/ja
Priority to TW102120714A priority patent/TWI498668B/zh
Priority to US13/932,392 priority patent/US9141750B2/en
Priority to KR1020130079669A priority patent/KR101477557B1/ko
Priority to DE102013213307.3A priority patent/DE102013213307B4/de
Publication of JP2014017391A publication Critical patent/JP2014017391A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6027798B2 publication Critical patent/JP6027798B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level
    • G06F30/398Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31764Dividing into sub-patterns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31766Continuous moving of wafer

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法に係り、例えば、多重描画する際の各ビームの照射時間の算定を行う装置および方法に関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、LSIの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン(レチクル或いはマスクともいう。)が必要となる。ここで、電子線(EB:Electron beam)描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
図16は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
電子ビーム描画装置では、多重描画を行う際、同じ位置にショットする複数回のビームの総照射時間(総描画時間)を多重度で割ることで、1回あたりのショット時間(照射時間)を計算していた。従来、総照射時間(総描画時間)を多重度で割った際の余り(端数)を1つのショットにすべて加算する手法が採用されていた。一方、描画装置の世代が上がるにつれて、多重度は増える傾向にあり、余りが加算されたショットの照射時間と他のショットの照射時間との間の乖離(アンバランス性)が問題となっている。
その他、各ショットのショット時間に関連する技術として、パターンに与える規準照射量をDsとした際、1回目及び2回目の描画では、照射量を補正しないで、それぞれDs/4の照射量にて描画し、補正照射量Dcにより3回目と4回目を(Dc−Ds)/2+Ds/4のように補正して描画するといった技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−261557号公報
上述したように、余りが加算されたショットの照射時間と他のショットの照射時間との間の乖離(アンバランス性)が問題となっている。例えば、照射時間を階調値で定義した場合に、上述した余りが加算されたショットの照射時間は、他のショットの照射時間に対して、最大、多重度−1階調だけ照射時間が長くなってしまう。例えば、多重度が1024まで設定可能である場合、最大1023階調の余りが発生し得る。例えば、総照射時間が2047階調であるパターンを多重度1024で描画する場合、特定描画回数目についての照射時間を1024階調で描画し、残りの1023回の描画の際の照射時間を1階調で描画する場合も発生し得ることになってしまう。これでは、例えば熱による描画精度の劣化が問題になってしまう。同じ照射量でも、一度に照射した方が出来上がり寸法は太くなる。よって、多重描画の各回の照射量に大きく差が生じると出来上がり寸法に許容できないほどの影響を与えてしまうといった問題があった。また、例えば、同時に複数のビームが照射されている場合(例えばマルチビーム描画の場合)、最長照射時間のショットが終わるまで、次のショットが実施できないので、描画処理速度が低下してしまうといった問題があった。また、多重描画は、例えばストライプ領域やサブフィールド領域といった描画単位領域の位置をずらしながら多重描画を実施していくことが行われる。また、各描画単位領域内では、さらに、位置をずらさずに繰り返し多重描画を実施することが行われる。よって、ショット間の照射時間のアンバランス性を抑制するには、描画単位領域間の合計照射時間同士もできるだけ乖離させないことが望ましい。
そこで、本発明は、かかる問題を克服し、ショット間の照射時間のアンバランス性を抑制することが可能な装置および方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの総照射時間nを位置をずらしながら多重描画を行う複数の多重描画単位領域の多重描画単位領域数mと多重描画単位領域毎の位置をずらさずに繰り返し多重描画を行う繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値に、複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った場合の第1の余りをさらに繰り返し数rで割った値以下である多重描画単位領域の場合には繰り返し数rを加算した値を、複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が第1の余りを繰り返し数rで割った値以下でない多重描画単位領域の場合には何も加算しない値を、複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域の場合には総照射時間nを繰り返し数rで割った場合の第2の余りを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する合計照射時間算出部と、
多重描画単位領域毎に、該当する合計照射時間になるように荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
また、複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する第1のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に合計照射時間aを繰り返し数rで割った場合の余りを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する第2のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域以外の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの各回のショット用の照射時間tとして算出する第3のショット用照射時間算出部と、
をさらに備えると好適である。
或いは、複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2以下である場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する第1のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に合計照射時間aを繰り返し数rで割った場合の余りを加算した値を、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2以下である場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する第2のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に1を加算した値から、繰り返し数rから合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りを引いた値を引いた値を、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2より大きい場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する第3のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に1を加算した値を、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2より大きい場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する第4のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域以外の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの各回のショット用の照射時間tとして算出する第5のショット用照射時間算出部と、
をさらに備えと好適である。
或いは、複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの多重描画の描画回数目の数以上でないショット用の照射時間tとして算出する第1のショット用照射時間算出部と、
複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に1を加算した値を、当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの多重描画の描画回数目の数以上のショット用の照射時間tとして算出する第2のショット用照射時間算出部と、
当該多重描画単位領域における合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域以外の多重描画単位領域における各回のショット用の照射時間tとして、算出する第3のショット用照射時間算出部と、
をさらに備えると好適である。
本発明の一態様の多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法は、
位置をずらしながら多重描画を行う複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの総照射時間nを複数の多重描画単位領域の多重描画単位領域数mと多重描画単位領域毎の位置をずらさずに繰り返し多重描画を行う繰り返し数rとを乗じた値で割った場合の第1の余りをさらに繰り返し数rで割った値以下である多重描画単位領域の場合に、総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値に、繰り返し数rを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する工程と、
複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が前記第1の余りを繰り返し数rで割った値以下でない多重描画単位領域の場合に、総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する工程と、
複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域の場合に、総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値に、総照射時間nを繰り返し数rで割った場合の第2の余りを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する工程と、
を備えたことを特徴とする。
本発明の一態様によれば、描画単位領域間の合計照射時間の乖離を抑制できる。その結果、ショット間の照射時間のアンバランス性を抑制できる。その結果、描画処理速度の劣化を低減できる。
実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態1における描画手順を説明するための概念図である。 実施の形態1におけるSFレイヤを説明するための概念図である。 実施の形態1における描画順序の一例を示す図である。 実施の形態1における照射時間の設定方法およびショットデータの生成方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態1における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。 実施の形態1の比較例における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。 実施の形態1の他の比較例における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。 実施の形態1の他の比較例での照射時間の振り分け方法の各工程を示すフローチャート図である。 実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態2における照射時間の設定方法およびショットデータの生成方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態2における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。 実施の形態3における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態3における照射時間の設定方法およびショットデータの生成方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態3における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、ブランキング偏向器212、ブランキングアパーチャ214、照明レンズ202、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208、及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101(基板)が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
制御部160は、制御計算機ユニット110、制御回路120、及び磁気ディスク装置等の記憶装置140,142を有している。制御計算機ユニット110、制御回路120、及び記憶装置140,142は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
また、制御計算機ユニット110内には、総照射時間n演算部11、ショットデータ生成部12、合計照射時間算出部21、ショット照射時間算出部111、及び描画制御部56が配置される。総照射時間n演算部11、ショットデータ生成部12、合計照射時間算出部21、ショット照射時間算出部111、及び描画制御部56といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
また、合計照射時間算出部21内には、算出部23,24,26,29、及び判定部27,28が配置される。算出部23,24,26,29、及び判定部27,28といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
また、ショット照射時間算出部111内には、特定レイヤ照射時間算出部31、非特定レイヤ照射時間算出部41、及び判定部50,52,54が配置される。特定レイヤ照射時間算出部31、非特定レイヤ照射時間算出部41、及び判定部50,52,54といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
また、特定レイヤ照射時間算出部31内には、算出部37,34、コピー処理部32、判定部33,36、及び設定部35が配置される。算出部37,34、コピー処理部32、判定部33,36、及び設定部35といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
また、非特定レイヤ照射時間算出部41内には、算出部42、設定部44、及びコピー処理部46,48が配置される。算出部42、設定部44、及びコピー処理部46,48といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
制御計算機ユニット110内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ112に記憶される。
また、パターンデータ(描画データ)が外部から入力され、記憶装置140に格納されている。
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
図2は、実施の形態1における描画手順を説明するための概念図である。描画装置100では、試料101の描画領域10が短冊状の複数のストライプ領域20に仮想分割される。図2では、例えば、1つのチップが試料101の描画領域10上に描画される場合を示している。もちろん、複数のチップが試料101の描画領域10上に描画される場合であっても構わない。かかるストライプ領域20の幅は、主偏向器208で偏向可能な幅よりも若干小さい幅で分割される。さらに、かかるストライプ領域単位(多重描画単位領域の一例)で多重描画を行う場合には、位置をずらして描画領域10を短冊状の複数のストライプ領域22に仮想分割する。ストライプ領域22は、例えば、ストライプ領域20の幅の1/2だけx,y方向にずらして設定されると好適である。かかる場合、多重描画では、複数のストライプ領域20を1層目(STL1)のストライプレイヤ、複数のストライプ領域22を2層目(STL2)のストライプレイヤとして設定する。図2の例では、2層のストライプレイヤ、すなわち、ストライプ領域での多重度を2とした場合について示しているが、これに限るものではなく、ストライプ領域での多重度を3以上に設定しても構わない。例えば、ストライプ領域での多重度をαに設定した場合、ストライプ領域22は、例えば、ストライプ領域20の幅の1/αだけx,y方向(或いは少なくともy方向)にずらして設定されると好適である。
試料101に描画する場合には、XYステージ105を例えばx方向に連続移動させる。このように連続移動させながら、1つのストライプ領域20上を電子ビーム200が照射する。XYステージ105のX方向の移動は、例えば連続移動とし、同時に主偏向器208で電子ビーム200のショット位置もステージ移動に追従させる。また、連続移動させることで描画時間を短縮させることができる。また、パターンの密な領域では描画可能な相対的にゆっくりな速度で、粗な領域では相対的に速い速度で、といった可変速でXYステージ105を移動させることで、さらに、描画時間を短縮させるようにしても好適である。そして、1層目(STL1)の1つのストライプ領域20を描画し終わったら、XYステージ105をy方向にステップ送りして、x方向(例えば今度は逆向き)に今度は、2層目(STL2)の対応するストライプ領域22の描画動作を行なう。そして、ストライプ領域22を描画し終わったら、XYステージ105をy方向にステップ送りして、x方向(例えば今度は逆向き)に今度は、1層目(STL2)の次のストライプ領域20の描画動作を行なう。そして、かかるストライプ領域20を描画し終わったら、XYステージ105をy方向にステップ送りして、x方向(例えば今度は逆向き)に今度は、2層目(STL2)の対応するストライプ領域22の描画動作を行なう。これらの動作を順次行っていく。各ストライプ領域20,22の描画動作を蛇行させるように進めることでXYステージ105の移動時間を短縮することができる。或いは、各ストライプ領域20,22の描画動作を同じ方向(例えば、x方向の正方向)に描画を進めてもよい。
図3は、実施の形態1におけるSFレイヤを説明するための概念図である。各ストライプ領域20を描画する際には、各ストライプ領域20をメッシュ状の複数のサブフィールド(SF)領域30に仮想分割して、SF毎に描画していくことになる。SF領域30の幅は、副偏向器209で偏向可能な幅よりも若干小さい幅で分割される。SF領域は、2段偏向の描画装置100で描画する領域の中では最小偏向領域となる。さらに、かかるSF領域単位(多重描画単位領域の一例)で多重描画を行う場合には、ストライプ領域20を、位置をずらしたメッシュ状の複数のSF領域40に仮想分割する。SF領域40は、例えば、SF領域30の幅の1/2だけx,y方向にずらして設定されると好適である。かかる場合、多重描画では、複数のSF領域30を1層目(SFL1)のSFレイヤ、複数のSF領域40を2層目(SFL2)のSFレイヤとして設定する。各ストライプ領域22についても同様にメッシュ状の複数のSF領域30,40に仮想分割して、SF毎に描画していくことになる。図3の例では、2層のSFレイヤ、すなわち、SF領域での多重度を2とした場合について示しているが、これに限るものではなく、SF領域での多重度を3以上に設定しても構わない。例えば、SF領域での多重度をβに設定した場合、SF領域40は、例えば、SF領域30の幅の1/βだけx,y方向(或いは少なくともy方向)にずらして設定されると好適である。
図4は、実施の形態1における描画順序の一例を示す図である。図4の例において、各ストライプについて、XYステージ105の移動方向(x方向)と直交する方向(y方向)に並ぶ複数のSF領域で構成されるSF領域群単位で1層目のSFレイヤの描画と2層目のSFレイヤの描画とを交互に繰り返すように描画動作を制御する。ここでの制御内容は、図4(a)に示すように、まず、1層目のSFレイヤの1列目について、左下のSF領域30からy方向に向かって順に描画する。そして、対象ストライプ領域20におけるSFレイヤ1層目の1列目がすべて描画された後、今度は、図4(b)に示すように、2層目のSFレイヤの1列目について、左下のSF領域40からy方向に向かって順に描画する。そして、対象ストライプ領域20におけるSFレイヤ2層目の1列目がすべて描画された後、今度は、図4(c)に示すように、1層目のSFレイヤの2列目について、左下のSF領域30からy方向に向かって順に描画する。そして、対象ストライプ領域20におけるSFレイヤ1層目の2列目がすべて描画された後、今度は、図4(d)に示すように、2層目のSFレイヤの2列目について、左下のSF領域40からy方向に向かって順に描画する。同様に、SF列単位で1層目のSFレイヤの描画と2層目のSFレイヤの描画とを交互に繰り返し、図4(e)に示すように、1つのストライプ領域20を描画する。ストライプ領域22についても同様である。
そして、描画部150は、XYステージ105がx方向(所定の方向)に連続移動している状態で、電子ビーム200を用いて、図4に示したようにSF列単位で1層目のSFレイヤの描画と2層目のSFレイヤの描画とを交互に繰り返す。ここでは、SF列単位で繰り返しているが、これに限るものではなく、SF領域単位で1層目のSFレイヤの描画と2層目のSFレイヤの描画とを交互に繰り返しても構わない。
以上のように、図2,3の例では、2層のストライプレイヤと2層のSFレイヤで構成されるため、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数は2×2で4層となる。言い換えれば、α層のストライプレイヤとβ層のSFレイヤで構成される場合、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数はα×β=m層となる。
また、多重描画を行う際には、さらに、位置をずらさずに同じ多重描画単位領域内で繰り返し多重描画を行う場合もある。例えば、1層目のSFレイヤの1つのSF内の描画(ショット)が終了した後、再度、同じSF内の描画(ショット)を繰り返す。繰り返し数がSFレイヤあたり、例えば、r回の場合、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数がmの場合、同じ位置に照射されるビームのショットの多重度Nは、m×rとなる。
よって、試料101にパターンを描画する場合、同じ位置に複数回のショットで照射される電子ビームの総照射量が、設定された照射量になるように各ショットの照射量を割り振る必要がある。照射量Dは設定された電流密度Jの電子ビームを照射する照射時間tで制御できる。
そこで、まず、総照射時間n演算部11は、記憶装置140からパターンデータを読み出し、描画領域10を仮想分割した所定のメッシュ領域毎に必要な照射時間を演算する。照射時間は必要な照射量Dを電流密度Jで割った値として求めることができる。また、かかる照射量Dは、例えば、近接効果、かぶり効果、及びローディング効果といった寸法変動要因を補正した値を用いると好適である。そして、対応するメッシュ領域内の位置を多重描画する場合には、該当するメッシュ領域に対して得られた照射時間が、かかる同じ位置に複数回のショットで照射される電子ビームの総照射時間nとなる。
ここで、かかる総照射時間nを同じ位置を多重描画する際の複数回(m×r回)のショットの照射時間tにいかに振り分けるかが問題となる。上述したように、総照射時間(総描画時間)を多重度Nで割った際の余り(端数)を1つのショットにすべて加算する手法では、余りが加算されたショットの照射時間と他のショットの照射時間との間の乖離(アンバランス性)が問題となる。例えば、照射時間を階調値で定義した場合に、上述した余りが加算されたショットの照射時間は、他のショットの照射時間に対して、最大、多重度−1階調だけ照射時間が長くなってしまう。例えば、多重度が1024まで設定可能である場合、最大1023階調の余りが発生し得る。例えば、総照射時間が2047階調であるパターンを多重度1024で描画する場合、特定描画回数目についての照射時間を1024階調で描画し、残りの1023回の描画の際の照射時間を1階調で描画する場合も発生し得ることになってしまう。そこで、以下、実施の形態1では、同じ位置を多重描画する際のショット間の照射時間の差を小さくする手法について説明する。
図5は、実施の形態1における照射時間の設定方法およびショットデータの生成方法の要部工程を示すフローチャート図である。
S102において、ショットデータ生成工程として、ショットデータ生成部12は、記憶装置140からパターンデータを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。パターンデータに定義される図形パターンは1回のビームのショットで成形可能なサイズの複数のショット図形にショット分割され、ショットデータとして生成される。ショットデータには、ショット図形毎に、図形種、照射位置を示す座標(X,Y)、及び図形サイズ(L,M)等が定義される。各層のストライプレイヤ及びSFレイヤは、位置をずらして定義されるため、1層目のストライプレイヤの各ストライプ領域20における1層目の各SF領域30の相対位置と2層目の各SF領域40の相対位置は異なる。同様に、2層目のストライプレイヤの各ストライプ領域22における1層目の各SF領域30の相対位置と2層目の各SF領域40の相対位置は異なる。すなわち、それぞれ領域内のショット図形の相対位置が異なるため、位置をずらすレイヤ(多重描画単位領域)毎に、それぞれショット分割処理が行われることになる。すなわち、それぞれ異なるショットデータが必要となる。ここでは、まず、1層目のストライプレイヤのストライプ領域20における1層目のSFレイヤの各SF領域30(レイヤID=1)について、ショットデータを生成する。1つの図形パターンのショット分割が終了したら、領域内の他の図形パターンについても同様にショット分割して、領域内のすべての図形パターンについてショットデータを生成する。そして、ショットデータには、後述するように、さらに、ショット図形毎に、照射時間tが設定(定義)されることになる。
まず、合計照射時間算出部21は、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち、レイヤ毎の電子ビームの合計照射時間aを算出する。実施の形態1では、複数のレイヤ(多重描画単位領域)のうち予め設定された特定のレイヤの場合、特定のレイヤでないレイヤであって特定レイヤを除いて番号を割り振ったレイヤID値が以下に述べる閾値以下であるレイヤの場合、及び、特定のレイヤでないレイヤであって特定レイヤを除いて番号を割り振ったレイヤID値が以下に述べる閾値以下でないレイヤの場合に区別して、それぞれのレイヤの電子ビームの合計照射時間aを算出する。以下、具体的に説明する。
S104において、レイヤ毎の基準合計照射時間算出工程として、算出部23は、基準となる合計照射時間aを算出する。基準となる合計照射時間aは、具体的には、以下のように算出される。基準となる合計照射時間aは、同じ位置にショットする複数回の電子ビームの総照射時間nを位置をずらしながら多重描画を行う複数のレイヤ(多重描画単位領域)のレイヤ数m(多重描画単位領域数)とレイヤ毎の位置をずらさずに繰り返し多重描画を行う繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値(int(n/(mr)))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)に繰り返し数rを乗じた値(int(n/(mr))r)として算出される。
図6は、実施の形態1における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。図6の例では、2層のストライプレイヤ×2層のSFレイヤで構成される場合を示し、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数mは4層となる。各レイヤには、特定レイヤにはレイヤ番号(ID)がXと定義され、特定レイヤを除いた残りのレイヤについて描画順の早い方から順にレイヤ番号(ID)が1,2,3と定義している。そして、レイヤ毎に位置をずらさずに4回(r=4)の繰り返し多重描画を行う場合を示している。すなわち、16回の多重描画を行う場合を示している。実施の形態1では、照射時間を階調値で定義している。図6において、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形における、基準となる合計照射時間aは、int(3999/(4×4))×4=249×4=996階調となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形における、基準となる合計照射時間aは、int(4000/(4×4))×4=250×4=1000階調となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形における、基準となる合計照射時間aは、int(4001/(4×4))×4=250×4=1000階調となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形における、基準となる合計照射時間aは、int(4007/(4×4))×4=250×4=1000階調となる。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形における、基準となる合計照射時間aは、int(4008/(4×4))×4=250×4=1000階調となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形における、基準となる合計照射時間aは、int(4009/(4×4))×4=250×4=1000階調となる。
S106において、判定工程として、判定部27は、複数のレイヤのうち予め設定された特定レイヤであるかどうかを判定する。図6では、例えば、最初のレイヤを特定レイヤとする。当該レイヤが、例えば、レイヤID=Xであれば、特定レイヤであると判定される。当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3のいずれかであれば、特定レイヤではないと判定される。
S108において、特定レイヤの合計照射時間算出工程として、算出部24は、特定レイヤ(例えばレイヤID=)の合計照射時間を算出する。具体的には、算出部24は、基準となる合計照射時間aに、総照射時間nを繰り返し数rで割った場合の余り(n%r)(第2の余り)を加算した値を、改めて合計照射時間aとして算出する。図6において、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)では、余り(n%r)=3となる。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)の合計照射時間aは、996+3=999となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)では、余り(n%r)=0となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)の合計照射時間aは、1000+0=1000となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)では、余り(n%r)=1となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)の合計照射時間aは、1000+1=1001となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)では、余り(n%r)=3となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)の合計照射時間aは、1000+3=1003となる。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)では、余り(n%r)=0となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)の合計照射時間aは、1000+0=1000となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)では、余り(n%r)=1となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の特定レイヤ(例えばレイヤID=X)の合計照射時間aは、1000+1=1001となる。
S110において、非特定レイヤ閾値算出工程として、上述した判定工程(S106)で当該レイヤが特定レイヤでないと判定された場合に、算出部26は、複数の非特定レイヤをさらに区別するための閾値を算出する。具体的には、算出部26は、特定レイヤを除いて定義されたレイヤ番号が総照射時間nをレイヤ数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った場合の余り(n%(mr))(第1の余り)をさらに繰り返し数rで割った整数値(int(n%(mr)/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)を閾値として算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、閾値(int(n%(mr)/r))=3となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、閾値(int(n%(mr)/r))=0となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、閾値(int(n%(mr)/r))=0となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、閾値(int(n%(mr)/r))=1となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、閾値(int(n%(mr)/r))=2となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、閾値(int(n%(mr)/r))=2となる。
S112において、判定工程として、判定部28は、特定レイヤを除いて定義されたレイヤID値が非特定レイヤ閾値算出工程(S110)で算出した閾値(int(n%(mr)/r))以下かどうかを判定する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、閾値が3なので、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3であれば、閾値以下であると判定される。よって、総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、閾値が0なので、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3であれば、閾値以下ではないと判定される。よって、総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、閾値が0なので、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3であれば、閾値以下ではないと判定される。よって、総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、閾値が1なので、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1であれば、閾値以下であり、レイヤID=2,3であれば、閾値以下ではないと判定される。よって、総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、閾値が2なので、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2であれば、閾値以下であり、レイヤID=3であれば、閾値以下ではないと判定される。よって、総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、閾値が2なので、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2であれば、閾値以下であり、レイヤID=3であれば、閾値以下ではないと判定される。
レイヤID値が閾値以下でないレイヤの場合、すなわち、複数のレイヤのうち予め設定された特定レイヤでないレイヤであって特定レイヤを除いて定義されたレイヤID値が閾値以下でないレイヤの場合には、基準となる合計照射時間aに何も加算しない値が、そのまま、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち当該レイヤにおける電子ビームの合計照射時間aとなる。
S114において、非特定レイヤの合計照射時間算出工程として、算出部29は、レイヤID値が閾値以下であるレイヤの場合、すなわち、複数のレイヤのうち予め設定された特定レイヤでないレイヤであって特定レイヤを除いて定義されたレイヤID値が閾値以下であるレイヤの合計照射時間を算出する。具体的には、算出部29は、基準となる合計照射時間aに繰り返し数rを加算した値を当該レイヤにおける電子ビームの合計照射時間aとして算出する。
よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3であれば、合計照射時間a=996+4=1000となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3であれば、合計照射時間a=1000+0=1000となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2,3であれば、合計照射時間a=1000+0=1000となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1であれば、合計照射時間a=1000+4=1004となる。レイヤID=2,3であれば、合計照射時間a=1000+0=1000となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2であれば合計照射時間a=1000+4=1004となる。レイヤID=3であれば、合計照射時間a=1000+0=1000となる。よって、総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、当該レイヤが、例えば、レイヤID=1,2であれば、合計照射時間a=1000+4=1004となる。レイヤID=3であれば、合計照射時間a=1000+0=1000となる。
以上のように、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち各レイヤにおける合計照射時間aが算出される。かかる振り分け手法により、ショット図形毎に、レイヤ間の合計照射時間の差が最大でも繰り返し数rにできる。よって、実施の形態1によれば、レイヤ(描画単位領域)間の合計照射時間aの乖離を抑制できる。
次に、ショット照射時間算出部111は、レイヤ毎にレイヤ内の各ショットの照射時間tを算出する。まずは、特定レイヤ照射時間算出部31は、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の各ショットの照射時間tを算出する。具体的には以下のように算出する。
S116において、特定レイヤ内の照射時間算出工程として、算出部37は、特定レイヤ内の各ショット用の基準となる照射時間tとして、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)を算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=)内の各ショット用の基準となる照射時間t=int(999/4)=249となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=)内の各ショット用の基準となる照射時間t=int(1000/4)=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=)内の各ショット用の基準となる照射時間t=int(1001/4)=250となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=)内の各ショット用の基準となる照射時間t=int(1003/4)=250となる。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=)内の各ショット用の基準となる照射時間t=int(1000/4)=250となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=)内の各ショット用の基準となる照射時間t=int(1001/4)=250となる。

かかる基準となる照射時間tは、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返しID値以上でないショット用の照射時間tになる。よって、算出部37(第1のショット用照射時間算出部の一例)は、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返しID値以上でないショット用の照射時間tを算出することになる。総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=4のショットの照射時間tは、t=249となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1,2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。
S118において、コピー処理工程として、コピー処理部32は、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の各ショット用に繰り返し数r分だけ、ショットデータをコピー(複写)する。ここでのショットデータにはまだ各ショットの照射時間が定義されていない。また、実施の形態1では、特定レイヤ内のどのショットに端数(余り)の時間が付加されるのかこの段階では判断できないので、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の各ショット用に繰り返し数r分だけ複写すると好適である。
S120において、判定工程として、判定部33は、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの多重描画の繰り返しID(描画回数目)の数以上のショットであるかどうかを判定する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、余り(a%r)が3なので、繰り返しID=1,2,3では、余り(a%r)が繰り返しID値以上と判定される。繰り返しID=4では、余り(a%r)が繰り返しID値以上ではないと判定される。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、余り(a%r)が0なので、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1,2,3,4では、余り(a%r)が繰り返しID値以上ではないと判定される。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、余り(a%r)が1なので、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1では、余り(a%r)が繰り返しID値以上と判定される。繰り返しID=2,3,4では、余り(a%r)が繰り返しID値以上ではないと判定される。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、余り(a%r)が3なので、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の繰り返しID=1,2,3では、余り(a%r)が繰り返しID値以上と判定される。繰り返しID=4では、余り(a%r)が繰り返しID値以上ではないと判定される。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、余り(a%r)が0なので、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1,2,3,4では、余り(a%r)が繰り返しID値以上ではないと判定される。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、余り(a%r)が1なので、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1では、余り(a%r)が繰り返しID値以上と判定される。繰り返しID=2,3,4では、余り(a%r)が繰り返しID値以上ではないと判定される。
S122において、特定レイヤ内の照射時間算出工程として、算出部34(第2のショット用照射時間算出部の一例)は、合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(基準となる照射時間t)に1を加算した値を、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの多重描画の繰り返しID(描画回数目)の数以上のショット用の照射時間tとして算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1,2,3のショットの照射時間tは、t=249+1=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の繰り返しID=1,2,3のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。
S124において、照射時間設定工程として、設定部35は、コピーされた各ショットデータに、求めた照射時間tをそれぞれ設定する。
S126において、判定工程として、判定部36は、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内のすべての繰り返し分の照射時間tの算出および設定が終了したかどうかを判定する。終了していない場合には、判定工程(S120)に戻り、終了するまで判定工程(S120)から判定工程(S126)までを繰り返す。
一方、非特定レイヤ照射時間算出部41は、非特定レイヤ内の各ショットの照射時間tを算出する。具体的には、以下のように算出される。
S208において、非特定レイヤ内の照射時間算出工程として、算出部42(第3のショット用照射時間算出部の一例)は、非特定レイヤ内の各回のショット用の照射時間tとして、非特定レイヤにおけるそれぞれの合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)を算出する。総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、非特定レイヤ(例えばレイヤID=1,2,3)の合計照射時間a=1000なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、非特定レイヤ(例えばレイヤID=1,2,3)の合計照射時間a=1000なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、非特定レイヤ(例えばレイヤID=1,2,3)の合計照射時間a=1000なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、非特定レイヤのうち例えばレイヤID=1の合計照射時間a=1004なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=251となる。例えばレイヤID=2,3の合計照射時間a=1000なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、非特定レイヤのうち例えばレイヤID=1,2の合計照射時間a=1004なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=251となる。例えばレイヤID=3の合計照射時間a=1000なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、非特定レイヤのうち例えばレイヤID=1,2の合計照射時間a=1004なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=251となる。例えばレイヤID=3の合計照射時間a=1000なので、内部の各ショットの照射時間tは、t=250となる。
以上のように、非特定レイヤでは、合計照射時間aが必ず繰り返し数rの倍数になっているので、各非特定レイヤ内では、同じ照射時間tが求まることになる。
S209において、コピー処理工程として、コピー処理部46は、非特定レイヤ数分(或いは、非特定レイヤ数分−1)だけ、ショットデータをコピー(複写)する。ここでのショットデータにはまだ各ショットの照射時間が定義されていない。
S210において、照射時間設定工程として、設定部44は、非特定レイヤのレイヤ毎に、それぞれショットデータに、求めた照射時間tを設定する。
S212において、コピー処理工程として、コピー処理部48は、非特定レイヤのレイヤ毎に、繰り返し数分だけショットデータをコピー(複写)する。非特定レイヤでは、レイヤ毎に内部の各ショットの照射時間tが同じなので照射時間tが設定されたショットデータをそのままコピーして使用できる。よって、非特定レイヤでは、1つ生成すれば残りのショットデータの生成を不要にできる。よって、その分処理時間を短縮できる。
S250において、判定工程として、判定部50は、パターン内の全ショット図形の処理が終了したかどうかを判定する。まだ終了していない場合には、レイヤ毎の基準合計照射時間算出工程(S104)に戻り、終了するまで、レイヤ毎の基準合計照射時間算出工程(S104)からコピー処理工程(S212)までの工程を繰り返す。パターン内の全ショット図形の処理が終了した場合には、S252に進む。
S252において、判定工程として、判定部52は、パターンデータ内の全パターンについての照射時間の設定処理が終了したかどうかを判定する。まだ終了していない場合には、レイヤ毎の基準合計照射時間算出工程(S104)に戻り、終了するまで、レイヤ毎の基準合計照射時間算出工程(S104)から判定工程(S250)までの工程を繰り返す。パターン内の全ショット図形の処理が終了した場合には、S254に進む。
S254において、判定工程として、判定部54は、位置を移動させながら多重描画を行う全レイヤについての照射時間の設定処理が終了したかどうかを判定する。まだ終了していない場合には、ショットデータ生成工程(S102)に戻り、終了するまで、ショットデータ生成工程(S102)から判定工程(S252)までの工程を繰り返す。全レイヤについての処理が終了した場合には、照射時間の設定処理は終了となる。
そして、照射時間が設定されたショットデータは、記憶装置142に格納される。そして、描画工程として、描画制御部56は、制御回路120を制御して、描画部150に描画処理を実行させる。描画部150は、レイヤ毎に、該当する合計照射時間になるように、電子ビーム200を照射して、試料100にパターンを描画する。また、描画部150は、レイヤ毎に、レイヤ内の各ショットの照射時間tが該当する照射時間になるように、電子ビーム200を照射して、試料100にパターンを描画する。
電子銃201(放出部)から放出された電子ビーム200は、ブランキング偏向器212内を通過する際にブランキング偏向器212によって、ビームONの状態では、ブランキングアパーチャ214を通過するように制御され、ビームOFFの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ214で遮へいされるように偏向される。ビームOFFの状態からビームONとなり、その後ビームOFFになるまでにブランキングアパーチャ214を通過した電子ビーム200が1回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器212は、通過する電子ビーム200の向きを制御して、ビームONの状態とビームOFFの状態とを交互に生成する。例えば、ビームONの状態では電圧を印加せず、ビームOFFの際にブランキング偏向器212に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間で試料101に照射される電子ビーム200のショットあたりの照射量が調整されることになる。
以上のようにブランキング偏向器212とブランキングアパーチャ214を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム200は、照明レンズ202により矩形例えば長方形の穴を持つ第1のアパーチャ203全体を照明する。ここで、電子ビーム200をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第1のアパーチャ203を通過した第1のアパーチャ像の電子ビーム200は、投影レンズ204により第2のアパーチャ206上に投影される。偏向器205によって、かかる第2のアパーチャ206上での第1のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる(可変成形させる)ことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第2のアパーチャ206を通過した第2のアパーチャ像の電子ビーム200は、対物レンズ207により焦点を合わせ、主偏向器208及び副偏向器209によって偏向され、連続的に移動するXYステージ105に配置された試料101の所望する位置に照射される。図1では、位置偏向に、主副2段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器208でストライプ領域を仮想分割したSFの基準位置にステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム200を偏向し、副偏向器209でSF内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。多重描画を行う際には、上述した描画手順で描画処理を進めればよい。
図7は、実施の形態1の比較例における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。図7に示す比較例(tshotという。以下、同じ)では、2層のストライプレイヤ×2層のSFレイヤで構成される場合を示し、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数mは4層となる。各レイヤには、描画順の早い方から順にレイヤ番号(ID)が1,2,3,4と定義している。そして、レイヤ毎に位置をずらさずに4回(r=4)の繰り返し多重描画を行う場合を示している。すなわち、16回の多重描画を行う場合を示している。図7では、照射時間を階調値で定義している。図7に示す比較例(tshot)では、総照射時間nを描画回数(多重度N=16)で割った余りを最初のショットにすべて付加する手法で各ショットの照射時間を設定する場合を示している。図7の比較例では、ショット間の照射時間に、n=3999の場合、15階調の差(多重度−1の階調差)が生じてしまう。よって、ショット間の照射時間の乖離が生じてしまう。これに対して、実施の形態1では、図6に示したように、ショット間の照射時間には、1階調の差に抑えることができる。
図8は、実施の形態1の他の比較例における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。図8に示す比較例(ishotという。以下同じ)では、2層のストライプレイヤ×2層のSFレイヤで構成される場合を示し、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数mは4層となる。各レイヤには、描画順の早い方から順にレイヤ番号(ID)が1,2,3,4と定義している。そして、レイヤ毎に位置をずらさずに4回(r=4)の繰り返し多重描画を行う場合を示している。すなわち、16回の多重描画を行う場合を示している。そして、多重描画の各回数の描画処理には、処理順に描画番号(ID)を定義する。図8では、照射時間を階調値で定義している。
図9は、実施の形態1の他の比較例での照射時間の振り分け方法の各工程を示すフローチャート図である。図9では、図8に示す比較例(ishot)における振り分け方法をしめしている。
まず、ショットデータ生成工程(S302)として、パターンデータを読み出し、ショットデータを生成する。続いて、ショットデータコピー工程(S304)として、当該レイヤ用の繰り返し数r分だけショットデータが用意されるように、ショットデータをコピーする。次に、照射時間算出工程(S306)として、各ショットの照射時間の基準となる照射時間tを算出する。ここでは、基準となる照射時間tは、同じ位置にショットする複数回の電子ビームの総照射時間nを多重描画の描画回数(最大描画ID値)で割った整数値(int(n/描画回数))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)として算出される。総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、基準となる照射時間tは、t=249となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、基準となる照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、基準となる照射時間tは、t=250となる。
次に、判定工程(S308)として、描画ID毎に、当該描画IDが総照射時間nを多重描画の描画回数(最大描画ID値)で割った余り(n%描画回数)以下かどうかを判定する。そして、照射時間算出工程(S306)として、描画IDが余り(n%描画回数)以下の場合、当該描画ID用の照射時間tとして、基準となる照射時間tに1を加算した値を算出する。次に、設定工程(S310)として、描画ID毎に、それぞれ得られた照射時間tを設定する。そして、判定工程(S312)として、当該レイヤにおける全繰り返し数分の照射時間tの算出・設定が終了したかどうかを判定する。まだ、処理が終了していない繰り返しIDが存在する場合には、判定工程(S308)に戻り、全繰り返し数分の照射時間tの算出・設定が終了するまで、判定工程(S308)から判定工程(S312)までの処理を繰り返す。次に、全繰り返し数分の照射時間tの算出・設定が終了した場合には、判定工程(S314)として、パターン内の全ショット図形分の照射時間tの算出・設定が終了したかどうかを判定する。まだ、処理が終了していないショット図形が存在する場合には、ショットデータコピー工程(S304)に戻り、パターン内の全ショット図形分の照射時間tの算出・設定が終了するまで、ショットデータコピー工程(S304)から判定工程(S314)までの処理を繰り返す。次に、パターン内の全ショット図形分の照射時間tの算出・設定が終了した場合には、判定工程(S316)として、当該レイヤ内の全パターン分の照射時間tの算出・設定が終了したかどうかを判定する。まだ、処理が終了していないパターンが存在する場合には、ショットデータコピー工程(S304)に戻り、全パターン分の照射時間tの算出・設定が終了するまで、ショットデータコピー工程(S304)から判定工程(S316)までの処理を繰り返す。次に、判定工程(S318)として、全レイヤ分の照射時間tの算出・設定が終了したかどうかを判定する。まだ、処理が終了していないレイヤが存在する場合には、ショットデータ生成工程(S302)に戻り、全レイヤ分の照射時間tの算出・設定が終了するまで、ショットデータ生成工程(S302)から判定工程(S318)までの処理を繰り返す。
以上のように処理することで、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、余り(n%描画回数)が15なので、描画ID=1〜15までは、照射時間t=249+1=250となり、描画ID=16では、照射時間t=249となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、余り(n%描画回数)が0なので、描画ID=1〜16まで、照射時間t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、余り(n%描画回数)が1なので、描画ID=1は、照射時間t=250+1=251となり、描画ID=2〜16では、照射時間t=250となる。
以上のように、比較例(ishot)では、同じ位置を多重描画する際の各回のショット間の照射時間の差を1階調までに抑えることができる。しかし、比較例(ishot)では、基準となる照射時間に1が加算される描画IDが、余り(n%描画回数)を計算するまで判断できないため、同じレイヤ内でも照射時間まで定義されたショットデータのコピ―を作成することが困難である。よって、描画IDごとに、照射時間が定義されていないショットデータに照射時間を設定する(定義する)ことが必要となり、その分、データ処理に時間を要することになる。これに対して、実施の形態1では、特定レイヤにのみ照射時間の端数が組み込まれるため、その他の非特定レイヤでは、照射時間まで定義されたショットデータを繰り返し数分コピーすれば足りる。よって、実施の形態1の手法では、比較例(ishot)よりもデータ処理時間を短縮できる。
実施の形態2.
実施の形態1では、同じ位置を多重描画する際の各回のショット間の照射時間の差を1階調までに抑えることができ、かつ非特定レイヤでは、照射時間まで定義されたショットデータを繰り返し数分コピーすれば足りるが、特定レイヤについては、照射時間まで定義されたショットデータをコピーすることが困難であった。そこで、実施の形態2では、特定レイヤについても照射時間まで定義されたショットデータをコピーすることが可能な手法について説明する。
図10は、実施の形態2における描画装置の構成を示す概念図である。図10において、特定レイヤ照射時間算出部31の代わりに、特定レイヤ照射時間算出部130を備えた点以外は、図1と同様である。すなわち、ショット照射時間算出部111内には、特定レイヤ照射時間算出部130、非特定レイヤ照射時間算出部41、及び判定部50,52,54が配置される。特定レイヤ照射時間算出部130、非特定レイヤ照射時間算出部41、及び判定部50,52,54といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
また、特定レイヤ照射時間算出部130内には、算出部37,134、コピー処理部133,137、判定部132,138及び設定部135,136が配置される。算出部37,134、コピー処理部133,137、判定部132,138及び設定部135,138といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
図11は、実施の形態2における照射時間の設定方法およびショットデータの生成方法の要部工程を示すフローチャート図である。図11において、ショットデータ生成工程(S102)から特定レイヤ内の照射時間算出工程(S116)までの各工程は、図5と同様である。また、非特定レイヤ内の照射時間算出工程(S208)から判定工程(S254)までの各工程は、図5と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1と同様で構わない。
図12は、実施の形態2における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。図12の例では、図6と同様、2層のストライプレイヤ×2層のSFレイヤで構成される場合を示し、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数mは4層となる。各レイヤには、特定レイヤにはレイヤ番号(ID)がXと定義され、特定レイヤを除いた残りのレイヤについて描画順の早い方から順にレイヤ番号(ID)が1,2,3と定義している。そして、レイヤ毎に位置をずらさずに4回(r=4)の繰り返し多重描画を行う場合を示している。すなわち、16回の多重描画を行う場合を示している。実施の形態2では、照射時間を階調値で定義している。
実施の形態2では、図12に示すように、特定レイヤIDのさらに最初のショット(繰り返しID=1)に特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)を付加する。
まず、特定レイヤ内の照射時間算出工程(S116)について、実施の形態2では、かかる基準となる照射時間tは、当該特定レイヤにおける最初のショット(繰り返しID=1)ではない、当該特定レイヤにおける2回目以降のショット用の照射時間tになる。よって、算出部37(第1のショット用照射時間算出部の一例)は、複数のレイヤのうち特定レイヤについて、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出することになる。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2〜4のショットの照射時間tは、t=249となる。総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2〜4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。
S130において、判定工程として、判定部132は、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)であるかどうかを判定する。
S132において、コピー処理工程として、コピー処理部133は、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の最初のショット用にショットデータをコピー(複写)する。
S134において、特定レイヤ内の照射時間算出工程として、算出部134(第2のショット用照射時間算出部の一例)は、複数のレイヤのうち特定レイヤについて、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)に合計照射時間aを繰り返し数rで割った場合の余り(a%r)を加算した値を、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=249+3=252となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+3=253となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。
S136において、照射時間設定工程として、設定部135は、特定レイヤの最初のショット用にコピーされたショットデータに、求めた照射時間tを設定(定義)する。
S138において、照射時間設定工程として、設定部136は、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4のいずれか)用として、当初の生成したショットデータに、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)を照射時間tとして設定(定義)する。
なお、図11の例では、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4のいずれか)用のショットデータに当初の生成したショットデータを用い、特定レイヤの最初のショット用にコピーされたショットデータを用いているが、逆であっても構わない。
S140において、コピー処理工程として、コピー処理部137は、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4)数になるように、照射時間設定工程(S136)で照射時間tが定義されたショットデータをコピー(複写)する。特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4)では、各ショットの照射時間tが同じなので照射時間tが設定されたショットデータをそのままコピーして使用できる。よって、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4)では、1つ生成すれば残りのショットデータの生成を不要にできる。よって、その分処理時間を短縮できる。
S142において、判定工程として、判定部138は、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内のすべての繰り返し分の照射時間tの算出および設定が終了したかどうかを判定する。終了していない場合には、判定工程(S130)に戻り、終了するまで判定工程(S130)から判定工程(S142)までを繰り返す。
以上のように構成することで、実施の形態2では、合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が端数分として付加されるので、図12に示したように、ショット間の照射時間には、最大、(繰り返し数r−1)階調の差に抑えることができる。かかる階調差は、実施の形態1の最大1階調よりは広がるが、比較例(tshot)の最大、多重度(mr)−1階調に比べれば大幅に小さくできる。また、最大差の(繰り返し数r−1)階調は、十分に許容範囲内となる。
また、実施の形態2では、特定レイヤの最初のショットにのみ照射時間の端数が組み込まれるため、その他の非特定レイヤでは、照射時間まで定義されたショットデータをそれぞれ繰り返し数分コピーすれば足りる。さらに、特定レイヤの2回目以降のショットでは、照射時間まで定義されたショットデータをそれぞれ2回目以降の繰り返し数分コピーすれば足りる。よって、実施の形態2の手法では、比較例(ishot)はもちろん実施の形態1よりもデータ処理時間を短縮できる。また、特定レイヤの最初のショットにのみ照射時間の端数が組み込まれる点では、比較例(tshot)と同様であるため、比較例(tshot)と同様にデータ処理時間を短縮できる。
実施の形態3.
実施の形態2では、ショット間の照射時間に最大(繰り返し数r−1)階調の差が生じる場合があったが、実施の形態3では、かかる差をさらに小さくする手法について説明する。
図13は、実施の形態3における描画装置の構成を示す概念図である。図13において、特定レイヤ照射時間算出部31の代わりに、特定レイヤ照射時間算出部230を備えた点以外は、図1と同様である。すなわち、ショット照射時間算出部111内には、特定レイヤ照射時間算出部230、非特定レイヤ照射時間算出部41、及び判定部50,52,54が配置される。特定レイヤ照射時間算出部230、非特定レイヤ照射時間算出部41、及び判定部50,52,54といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
また、特定レイヤ照射時間算出部230内には、算出部37,235,243,244、コピー処理部234,242,256、判定部232,233,241,254、及び設定部250,252が配置される。算出部37,235,243,244、コピー処理部234,242,256、判定部232,233,241,254、及び設定部250,252といった各機能は、コンピュータで実行されるプログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。
図14は、実施の形態3における照射時間の設定方法およびショットデータの生成方法の要部工程を示すフローチャート図である。図14において、ショットデータ生成工程(S102)から特定レイヤ内の照射時間算出工程(S116)までの各工程は、図5と同様である。また、非特定レイヤ内の照射時間算出工程(S208)から判定工程(S254)までの各工程は、図5と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態1或いは実施の形態2と同様で構わない。
図15は、実施の形態3における描画時間(照射時間)の振り分け手法で振り分けられた照射時間の一例を示す図である。図15の例では、図6と同様、2層のストライプレイヤ×2層のSFレイヤで構成される場合を示し、位置をずらしながら多重描画を行うレイヤ数mは4層となる。各レイヤには、特定レイヤにはレイヤ番号(ID)がXと定義され、特定レイヤを除いた残りのレイヤについて描画順の早い方から順にレイヤ番号(ID)が1,2,3と定義している。そして、レイヤ毎に位置をずらさずに4回(r=4)の繰り返し多重描画を行う場合を示している。すなわち、16回の多重描画を行う場合を示している。実施の形態3では、照射時間を階調値で定義している。
実施の形態3では、図15に示すように、特定レイヤIDのさらに最初のショット(繰り返しID=1)で2回目以降のショット(繰り返しID=2〜4)に比べて照射時間を増減する。
まず、特定レイヤ内の照射時間算出工程(S116)について、実施の形態3では、かかる基準となる照射時間tは、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下である場合における、当該特定レイヤにおける2回目以降のショット用の照射時間tになる。よって、算出部37(第1のショット用照射時間算出部の一例)は、複数のレイヤのうち特定レイヤについて、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)を、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下である場合における、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する。
よって、総照射時間nが例えば階調値3999,4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が、それぞれ3,3となるので、繰り返し数rの1/2以下(図15の例では、r=4なので2以下)でないので該当しない。ここでは、照射時間nが例えば階調値4000,4001,4008,4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が、それぞれ、0,1,0,1となるので、繰り返し数rの1/2以下(図15の例では、r=4なので2以下)となり該当する。よって、総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2,3,4のショットの照射時間tは、t=250となる。
S150において、判定工程として、判定部232は、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下であるかどうかを判定する。上述したように、図15に示す、総照射時間nが例えば階調値3999,4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が、それぞれ3,3となるので、繰り返し数rの1/2以下(図15の例では、r=4なので2以下)でないので該当しない。図15の例では、照射時間nが例えば階調値4000,4001,4008,4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が、それぞれ、0,1,0,1となるので、繰り返し数rの1/2以下(図15の例では、r=4なので2以下)となり該当する。
S152において、判定工程として、判定部233は、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下である場合、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)であるかどうかを判定する。
S153において、コピー処理工程として、コピー処理部234は、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下である場合であって、かつ、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)である場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の最初のショット用にショットデータをコピー(複写)する。
S154において、特定レイヤ内の照射時間算出工程として、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下である場合であって、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)である場合、算出部235(第2のショット用照射時間算出部の一例)は、複数のレイヤのうち特定レイヤについて、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)に合計照射時間aを繰り返し数rで割った場合の余り(a%r)を加算した値(t=t+(a%r))を、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下である場合における、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値4000で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+0=250となる。総照射時間nが例えば階調値4001で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。総照射時間nが例えば階調値4008で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+0=250となる。総照射時間nが例えば階調値4009で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。
S156において、判定工程として、判定部241は、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下でない場合、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)であるかどうかを判定する。
S157において、コピー処理工程として、コピー処理部242は、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下でない場合であって、かつ、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)である場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の最初のショット用にショットデータをコピー(複写)する。
S158において、特定レイヤ内の照射時間算出工程として、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下でない場合であって、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)である場合、算出部243(第3のショット用照射時間算出部の一例)は、複数のレイヤのうち特定レイヤについて、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)に1を加算した値から、繰り返し数rから合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)を引いた値(r−(a%r))を引いた値(t=t+1−(r−(a%r))を、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余り(a%r)が繰り返し数rの1/2より大きい場合における、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=249+1−(4−3)=249となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=1)内の繰り返しID=1のショットの照射時間tは、t=250+1−(4−3)=250となる。
S159において、特定レイヤ内の照射時間算出工程として、余り(a%r)が繰り返し数rの1/2以下でない場合であって、特定レイヤにおける繰り返しIDが1(最初のショット)でない場合、算出部244(第4のショット用照射時間算出部の一例)は、複数のレイヤのうち特定レイヤについて、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値(int(a/r))(割り切れない場合には小数点以下切捨て)に1を加算した値(t=t+1)を、当該特定レイヤにおける合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2より大きい場合における、同じ位置にショットする複数回の電子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する。よって、総照射時間nが例えば階調値3999で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2〜4のショットの照射時間tは、t=249+1=250となる。総照射時間nが例えば階調値4007で示されるショット図形の場合、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内の繰り返しID=2〜4のショットの照射時間tは、t=250+1=251となる。
S160において、照射時間設定工程として、設定部250は、特定レイヤの最初のショット用にコピーされたショットデータに、求めた照射時間tを設定(定義)する。
S162において、照射時間設定工程として、設定部252は、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4のいずれか)用として、当初の生成したショットデータに、求めた照射時間tを設定(定義)する。
なお、図14の例では、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4のいずれか)用のショットデータに当初の生成したショットデータを用い、特定レイヤの最初のショット用にコピーされたショットデータを用いているが、逆であっても構わない。
S164において、コピー処理工程として、コピー処理部256は、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4)数になるように、照射時間設定工程(S162)で照射時間tが定義されたショットデータをコピー(複写)する。特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4)では、各ショットの照射時間tが同じなので照射時間tが設定されたショットデータをそのままコピーして使用できる。よって、特定レイヤの2回目以降のショット(繰り返しID=2,3,4)では、1つ生成すれば残りのショットデータの生成を不要にできる。よって、その分処理時間を短縮できる。
S166において、判定工程として、判定部254は、特定レイヤ(例えばレイヤID=X)内のすべての繰り返し分の照射時間tの算出および設定が終了したかどうかを判定する。終了していない場合には、判定工程(S150)に戻り、終了するまで判定工程(S150)から判定工程(S166)までを繰り返す。
また、非特定レイヤ内の照射時間算出工程(S208)において、算出部42は、第5のショット用照射時間算出部の一例となる。
以上のように構成することで、実施の形態3では、図15に示したように、ショット間の照射時間には、最大、±(繰り返し数r/2)階調の差に抑えることができる。かかる階調差は、実施の形態1の最大1階調よりは広がるが、比較例(tshot)の最大、多重度(mr)−1階調に比べれば大幅に小さくできる。さらに、実施の形態2における最大(繰り返し数r−1)階調よりも小さくできる。また、最大差の±(繰り返し数r/2)階調は、十分に許容範囲内となる。
また、実施の形態3では、特定レイヤの最初のショットにのみ照射時間の端数が組み込まれるため、その他の非特定レイヤでは、照射時間まで定義されたショットデータをそれぞれ繰り返し数分コピーすれば足りる。さらに、特定レイヤの2回目以降のショットでは、照射時間まで定義されたショットデータをそれぞれ2回目以降の繰り返し数分コピーすれば足りる。よって、実施の形態3の手法では、比較例(ishot)はもちろん実施の形態1よりもデータ処理時間を短縮できる。また、特定レイヤの最初のショットにのみ照射時間の端数が組み込まれる点では、比較例(tshot)と同様であるため、比較例(tshot)と同様にデータ処理時間を短縮できる。
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置、描画方法、及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法は、本発明の範囲に包含される。
10 描画領域
11 総照射時間演算部
12 ショットデータ生成部
20,22 ストライプ領域
21 合計照射時間算出部
23,24,26,29,37,34,42 算出部
134,235,243,244 算出部
27,28,33,36,50,52,54 判定部
132,138,232,233,241,254 判定部
30,40 SF領域
31,130,230 特定レイヤ照射時間算出部
32,46,48,133,137,234,242,256 コピー処理部
35,44,135,136,250,252 設定部
41 非特定レイヤ照射時間算出部
56 描画制御部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
111 ショット照射時間算出部
112 メモリ
120 制御回路
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース

Claims (5)

  1. 同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの総照射時間nを位置をずらしながら多重描画を行う複数の多重描画単位領域の多重描画単位領域数mと多重描画単位領域毎の位置をずらさずに繰り返し多重描画を行う繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値に、前記複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った場合の第1の余りをさらに繰り返し数rで割った値以下である多重描画単位領域の場合には繰り返し数rを加算した値を、前記複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が前記第1の余りを繰り返し数rで割った値以下でない多重描画単位領域の場合には何も加算しない値を、前記複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域の場合には前記総照射時間nを繰り返し数rで割った場合の第2の余りを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する合計照射時間算出部と、
    多重描画単位領域毎に、該当する合計照射時間になるように荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する描画部と、
    を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する第1のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った場合の余りを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する第2のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域以外の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの各回のショット用の照射時間tとして算出する第3のショット用照射時間算出部と、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2以下である場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する第1のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った場合の余りを加算した値を、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2以下である場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する第2のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に1を加算した値から、繰り返し数rから前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りを引いた値を引いた値を、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2より大きい場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち最初のショット用の照射時間tとして算出する第3のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に1を加算した値を、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの1/2より大きい場合における、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち2回目以降のショット用の照射時間tとして算出する第4のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域以外の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの各回のショット用の照射時間tとして算出する第5のショット用照射時間算出部と、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの多重描画の描画回数目の数以上でないショット用の照射時間tとして算出する第1のショット用照射時間算出部と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち前記特定の多重描画単位領域について、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値に1を加算した値を、当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った余りが繰り返し数rの多重描画の描画回数目の数以上のショット用の照射時間tとして算出する第2のショット用照射時間算出部と、
    当該多重描画単位領域における前記合計照射時間aを繰り返し数rで割った整数値を、前記複数の多重描画単位領域のうち特定の多重描画単位領域以外の多重描画単位領域における各回のショット用の照射時間tとして、算出する第3のショット用照射時間算出部と、
    をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
  5. 位置をずらしながら多重描画を行う複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームの総照射時間nを複数の多重描画単位領域の多重描画単位領域数mと多重描画単位領域毎の位置をずらさずに繰り返し多重描画を行う繰り返し数rとを乗じた値で割った場合の第1の余りをさらに繰り返し数rで割った値以下である多重描画単位領域の場合に、総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値に、繰り返し数rを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する工程と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域でない多重描画単位領域であって特定の多重描画単位領域を除いた多重描画単位領域番号が前記第1の余りを繰り返し数rで割った値以下でない多重描画単位領域の場合に、総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する工程と、
    前記複数の多重描画単位領域のうち予め設定された特定の多重描画単位領域の場合に、総照射時間nを多重描画単位領域数mと繰り返し数rとを乗じた値で割った整数値に繰り返し数rを乗じた値に、前記総照射時間nを繰り返し数rで割った場合の第2の余りを加算した値を、同じ位置にショットする複数回の荷電粒子ビームのうち当該多重描画単位領域における荷電粒子ビームの合計照射時間として算出する工程と、
    を備えたことを特徴とする多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法。
JP2012154457A 2012-07-10 2012-07-10 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法 Active JP6027798B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012154457A JP6027798B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法
TW102120714A TWI498668B (zh) 2012-07-10 2013-06-11 Charge particle beam drawing device and irradiation time distribution method of charged particle beam for multiple rendering
US13/932,392 US9141750B2 (en) 2012-07-10 2013-07-01 Charged particle beam writing apparatus and irradiation time apportionment method of charged particle beams for multiple writing
KR1020130079669A KR101477557B1 (ko) 2012-07-10 2013-07-08 하전 입자빔 묘화 장치 및 다중 묘화용의 하전 입자빔의 조사 시간 배분 방법
DE102013213307.3A DE102013213307B4 (de) 2012-07-10 2013-07-08 Ladungsträgerteilchenstrahl-Schreibvorrichtung und Bestrahlungszeit-Einteilungsverfahren von Ladungsträgerteilchenstrahlen zum mehrfachen Schreiben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012154457A JP6027798B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014017391A JP2014017391A (ja) 2014-01-30
JP6027798B2 true JP6027798B2 (ja) 2016-11-16

Family

ID=49781671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012154457A Active JP6027798B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9141750B2 (ja)
JP (1) JP6027798B2 (ja)
KR (1) KR101477557B1 (ja)
DE (1) DE102013213307B4 (ja)
TW (1) TWI498668B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6097640B2 (ja) * 2013-06-10 2017-03-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2015201576A (ja) * 2014-04-09 2015-11-12 株式会社ニューフレアテクノロジー ショットデータ生成方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6428518B2 (ja) * 2014-09-05 2018-11-28 株式会社ニューフレアテクノロジー データ生成装置、エネルギービーム描画装置、及びエネルギービーム描画方法
JP6383228B2 (ja) * 2014-09-19 2018-08-29 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6577787B2 (ja) 2015-08-11 2019-09-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
CN109358313B (zh) * 2018-11-06 2023-02-10 哈尔滨工程大学 一种基于量子带电系统搜索演化机制的宽带测向方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59181018A (ja) * 1983-03-30 1984-10-15 Jeol Ltd 電子ビ−ム露光装置
JP3341547B2 (ja) * 1995-11-10 2002-11-05 株式会社日立製作所 電子線描画装置
US5703376A (en) * 1996-06-05 1997-12-30 Lsi Logic Corporation Multi-level resolution lithography
JP3431444B2 (ja) * 1997-03-18 2003-07-28 株式会社東芝 パターン描画方法及び描画装置
JP2001313253A (ja) * 2000-02-25 2001-11-09 Hitachi Ltd 電子線描画装置及び電子線描画方法
JP3728217B2 (ja) * 2000-04-27 2005-12-21 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP2003021910A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Konica Corp 電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置
JP4091470B2 (ja) * 2003-05-06 2008-05-28 株式会社東芝 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法
TWI298430B (en) * 2004-03-31 2008-07-01 Hoya Corp Electron-beam plotting method, method of manufacturing lithographic mask, and electron-beam plotting device
JP4476975B2 (ja) * 2005-10-25 2010-06-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム照射量演算方法、荷電粒子ビーム描画方法、プログラム及び荷電粒子ビーム描画装置
JP4773224B2 (ja) * 2006-02-14 2011-09-14 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
JP2008071928A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Nuflare Technology Inc 描画パターンのリサイズ方法及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5484808B2 (ja) * 2008-09-19 2014-05-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画方法
JP5199896B2 (ja) * 2009-01-06 2013-05-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画方法及び描画装置
JP5468796B2 (ja) * 2009-03-10 2014-04-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、及びデータ処理方式選択装置
TWI395178B (zh) * 2010-03-10 2013-05-01 Au Optronics Corp 可複寫式顯示媒介之寫入裝置
JP2012014416A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Toshiba Corp 記録装置、書き込み装置、読み出し装置、及び記録装置の制御方法
JP5662756B2 (ja) * 2010-10-08 2015-02-04 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012154457A (ja) 2011-01-27 2012-08-16 Canon Inc 偏心式複段減速機

Also Published As

Publication number Publication date
TWI498668B (zh) 2015-09-01
KR20140007757A (ko) 2014-01-20
US9141750B2 (en) 2015-09-22
US20140017349A1 (en) 2014-01-16
DE102013213307B4 (de) 2024-02-01
TW201413369A (zh) 2014-04-01
KR101477557B1 (ko) 2014-12-30
DE102013213307A1 (de) 2014-01-16
JP2014017391A (ja) 2014-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9218942B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JP5809419B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6027798B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法
JP4945380B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6259694B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量変調係数の取得方法
US8878149B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
JP5616674B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6057635B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6285660B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法、および荷電粒子ビーム描画装置
JP2015050329A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5985852B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5841819B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9006691B2 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method using a generated frame that surrounds a first data processing block
JP2012015244A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5566219B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
CN108717720B (zh) 描绘数据制作方法
JP6171062B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5469531B2 (ja) 描画データの作成方法、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
CN111913362A (zh) 带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置
JP6546437B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012243939A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2013115373A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
JP2019068000A (ja) シミュレーション装置、荷電粒子ビーム描画システム、及び荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150601

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161017

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6027798

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250