JPS59181018A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS59181018A JPS59181018A JP5547883A JP5547883A JPS59181018A JP S59181018 A JPS59181018 A JP S59181018A JP 5547883 A JP5547883 A JP 5547883A JP 5547883 A JP5547883 A JP 5547883A JP S59181018 A JPS59181018 A JP S59181018A
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- JP
- Japan
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- correction
- exposure
- drawing step
- scanning
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ビームスポットを移動しながらパターン描画
を行う電子ビーム露光装置に関する。
を行う電子ビーム露光装置に関する。
この種の電子ビーム露光装置においては、例えば長さＬ
なる１本線を描画する場合、ビームスポットを所定の移
動ピッチで第１図の（ａ）に示す如く移動させて描いて
いる（図は走査スポット数が２３の場合を示している。
なる１本線を描画する場合、ビームスポットを所定の移
動ピッチで第１図の（ａ）に示す如く移動させて描いて
いる（図は走査スポット数が２３の場合を示している。
以下の説明では、これを例にとって説明する）。ところ
で、この種の露光装置では、描画スピードを上げるＩＣ
めにビーム電流を増やして飛越走査を行うことが多くな
ってきている。この場合、第１図（ｂ ）に示すように
パターンの長さしが各飛越描画ピッチＳの整数倍には必
ずしもならず、余りＴが生じる。第１図（１））は各飛
越描画ステップにおｔプるビッヂＳに相当するポイント
数ＰがＰ＝５の場合を例にとって示しているが、この場
合の余り１゛に相当するポイント数ＲはＲ＝３となる。
で、この種の露光装置では、描画スピードを上げるＩＣ
めにビーム電流を増やして飛越走査を行うことが多くな
ってきている。この場合、第１図（ｂ ）に示すように
パターンの長さしが各飛越描画ピッチＳの整数倍には必
ずしもならず、余りＴが生じる。第１図（１））は各飛
越描画ステップにおｔプるビッヂＳに相当するポイント
数ＰがＰ＝５の場合を例にとって示しているが、この場
合の余り１゛に相当するポイント数ＲはＲ＝３となる。
このような場合、従来は、余りの部分のポイント数Ｒは
切り捨て単に短めに引くか、或いは、できるだけ正確に
描画するため余りの部分のポイント数Ｒの四捨五入（Ｓ
を１０とした場合の四捨五入）を行い、誤差範囲を最大
Ｐ／２なるポイント数に押える操作をしていた。即ちＬ
ｌ又はＬｌの線を引いていた。この後者の方法によれば
、ある程度の精度は得られるが、複雑な描画を高精痘に
行うことを要求されるようになった現在では不都合が指
摘されている。例えば、従来装置では、第２図（ａ ）
に示すようにダブり露光部（Ａ部）や線切れ部（Ｂ部）
が目立ち、面積のあるパターンを露光する場合について
は、第２図（ｂ）（ｃ）に示すように、隙間部（０部）
やダブり部（Ｄ部）が生じている。
切り捨て単に短めに引くか、或いは、できるだけ正確に
描画するため余りの部分のポイント数Ｒの四捨五入（Ｓ
を１０とした場合の四捨五入）を行い、誤差範囲を最大
Ｐ／２なるポイント数に押える操作をしていた。即ちＬ
ｌ又はＬｌの線を引いていた。この後者の方法によれば
、ある程度の精度は得られるが、複雑な描画を高精痘に
行うことを要求されるようになった現在では不都合が指
摘されている。例えば、従来装置では、第２図（ａ ）
に示すようにダブり露光部（Ａ部）や線切れ部（Ｂ部）
が目立ち、面積のあるパターンを露光する場合について
は、第２図（ｂ）（ｃ）に示すように、隙間部（０部）
やダブり部（Ｄ部）が生じている。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その
目的は、正確な寸法で描画することができる電子ビーム
露光装置を提供することにある。
目的は、正確な寸法で描画することができる電子ビーム
露光装置を提供することにある。
この目的を達成する本発明は、ビームスポットを移動し
ながらパターン描画を行う電子ビーム露光装置において
、飛越描画時に生じる余りを各飛越描画ステップに補正
ポイント数として振り分ける端数処理回路と、該端数処
理回路でつくられた各飛越描画ステップの補正ポイント
数を予め記憶しておく補正メモリとを備え、露光ビーム
走査時には前記補正メモリ内の補正ポイント数を各飛越
描画ステップ毎に読み出し、露光位置補正を行うことを
特徴とするものである。
ながらパターン描画を行う電子ビーム露光装置において
、飛越描画時に生じる余りを各飛越描画ステップに補正
ポイント数として振り分ける端数処理回路と、該端数処
理回路でつくられた各飛越描画ステップの補正ポイント
数を予め記憶しておく補正メモリとを備え、露光ビーム
走査時には前記補正メモリ内の補正ポイント数を各飛越
描画ステップ毎に読み出し、露光位置補正を行うことを
特徴とするものである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の一実施例を示ず電気的構成図である。
図では、Ｘ、Ｙの２軸方向に露光する回路を示しである
が、ここでは主にＸ軸方向に１本線を描画する場合につ
いて説明覆る。まずｃＰＵｌから、Ｘ軸方向の露光部「
を示すポイント数データＬＰ、飛越描画ポイント数デー
タＰ１走査開始位置座標データ（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）及
びＹ軸方向の露光部を示すポイント数データＭＰが出力
されて、それぞれレジスタ２１乃至２５にセットされる
。
が、ここでは主にＸ軸方向に１本線を描画する場合につ
いて説明覆る。まずｃＰＵｌから、Ｘ軸方向の露光部「
を示すポイント数データＬＰ、飛越描画ポイント数デー
タＰ１走査開始位置座標データ（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）及
びＹ軸方向の露光部を示すポイント数データＭＰが出力
されて、それぞれレジスタ２１乃至２５にセットされる
。
これらのデータのセットは、ＣＰＵ １がら出力される
データセットクロックにより行われる。レジスタ２１か
ら出力されるデータＬＰとレジスタ２２から出力される
データＰはそれぞれ除算器３に入力する。該除算器では
レジスタコントロール回路４から出力される除算スター
ト信号によりＬＰ／Ｐが計算され、商（飛越描画ステッ
プ数）Ｑと余りＲが出力される。商Ｑはレジスタ５１に
、余りＲはレジスタ５２に、それぞれレジスタコントロ
ール回路４から出力されるセット信号によりセットされ
る。一方、レジスタ２２の出力Ｐ及びレジスタ２３の出
力Ｘｏもそれぞれレジスタ５３．５４に入り前記セット
信号によりセットされる。
データセットクロックにより行われる。レジスタ２１か
ら出力されるデータＬＰとレジスタ２２から出力される
データＰはそれぞれ除算器３に入力する。該除算器では
レジスタコントロール回路４から出力される除算スター
ト信号によりＬＰ／Ｐが計算され、商（飛越描画ステッ
プ数）Ｑと余りＲが出力される。商Ｑはレジスタ５１に
、余りＲはレジスタ５２に、それぞれレジスタコントロ
ール回路４から出力されるセット信号によりセットされ
る。一方、レジスタ２２の出力Ｐ及びレジスタ２３の出
力Ｘｏもそれぞれレジスタ５３．５４に入り前記セット
信号によりセットされる。
次に、Ｑ、Ｒが端数処理回路６に入って各飛越描画ステ
ップ毎の補正ポイント数が決められる。
ップ毎の補正ポイント数が決められる。
その結果が走査ステップ毎に補正メモリ７に書き込まれ
る（端数処理回路６の動作の詳細については後述する）
。上記動作が終了すると、レジスタコントロール回路４
からのセット信号によりレジスタ８にはＰが、レジスタ
９にはＱがそれぞれセットされ、レジスタ１０には走査
開始位置データＸｏがスイッチＳＷを介してセットされ
る。又、カウンタ１１は１にセラ１へされる（１ｙ、（
ＵスイッチＳＷは後述の加算器１４′側に接続される）
。尚、カウンタ１１にセットされた数字１は補正ポイン
ト数が格納される第１番目の補正メモリ７のアドレスを
示す。その後、レジスタコントロール回路４からスター
ト信号が出力され、これを受けたビームコントロール回
路１２からビームブランキング信号が出力されて描画動
作が開始する。この時ビームスポットは走査開始位１行
に結ばれている。
る（端数処理回路６の動作の詳細については後述する）
。上記動作が終了すると、レジスタコントロール回路４
からのセット信号によりレジスタ８にはＰが、レジスタ
９にはＱがそれぞれセットされ、レジスタ１０には走査
開始位置データＸｏがスイッチＳＷを介してセットされ
る。又、カウンタ１１は１にセラ１へされる（１ｙ、（
ＵスイッチＳＷは後述の加算器１４′側に接続される）
。尚、カウンタ１１にセットされた数字１は補正ポイン
ト数が格納される第１番目の補正メモリ７のアドレスを
示す。その後、レジスタコントロール回路４からスター
ト信号が出力され、これを受けたビームコントロール回
路１２からビームブランキング信号が出力されて描画動
作が開始する。この時ビームスポットは走査開始位１行
に結ばれている。
カウンタ１１の出力は前述したように補正メモリ７のア
ドレスとなり、既に予め格納されている第１番目の飛越
描画ステップに対する補正ポイント数を読み出す。読み
出された補正ポイン１〜数はレジスタ８の出力Ｐと共に
加算器１４に入り加算される。この加算器１４の出力は
第２の加算器１４′に入る。又、該加算器１４′の他方
の入力にはレジスタ１０の出力Ｘが入るのでその出力は
（Ｐ十補正ポイン１へ数十Ｘ）となる。この出力はスイ
ッチＳＷを介して再びレジスタ１０に入りビームコント
ロール回路１２からのスキャンクロックによりセットさ
れる。又、ビームコントロール回路１２のスキャンクロ
ックは、カウンタ１１を１だ【プインクレメントし、次
の飛越描画スデップの補正ポイント数を読み出す。この
ような動作を繰り返している間にレジスタ９の出力Ｑと
カウンタ１１の値が一致すれば、コンパレータ１５は一
致信号をビームコントロール回路１２に出力する。
ドレスとなり、既に予め格納されている第１番目の飛越
描画ステップに対する補正ポイント数を読み出す。読み
出された補正ポイン１〜数はレジスタ８の出力Ｐと共に
加算器１４に入り加算される。この加算器１４の出力は
第２の加算器１４′に入る。又、該加算器１４′の他方
の入力にはレジスタ１０の出力Ｘが入るのでその出力は
（Ｐ十補正ポイン１へ数十Ｘ）となる。この出力はスイ
ッチＳＷを介して再びレジスタ１０に入りビームコント
ロール回路１２からのスキャンクロックによりセットさ
れる。又、ビームコントロール回路１２のスキャンクロ
ックは、カウンタ１１を１だ【プインクレメントし、次
の飛越描画スデップの補正ポイント数を読み出す。この
ような動作を繰り返している間にレジスタ９の出力Ｑと
カウンタ１１の値が一致すれば、コンパレータ１５は一
致信号をビームコントロール回路１２に出力する。
これによりビーム走査は停止する。尚、ビーム露光中レ
ジスタ１０の出力（Ｐ十補正ポイント数十Ｘ）がＤ／Ａ
変換器１６によりアナログ信号に変換されＸ軸方向偏向
電極１７に印加されビーム偏向走査が行われる。尚、上
述の説明は、Ｘ軸方向にのみビーム露光する場合のもの
であるが、Ｙ軸方向についても同様に行うことができる
。即ち、ＣＰＵ１からＹ軸方向の露光長に相当するポイ
ント数ＭＰが出力されレジスタ２５にセットされている
ので、前述と同様の構成をもつ回路３０内で処理するこ
とにより、Ｙ軸方向へのビーム露光が行われる。この場
合、Ｙ軸方向ビーム偏向信号はＹ軸方向偏向電極１８に
印加される。尚、上記Ｘ軸方向及びＹ軸方向のビーム露
光走査を同時に行うことにより２次元（面積）パターン
をビーム露光することができる。
ジスタ１０の出力（Ｐ十補正ポイント数十Ｘ）がＤ／Ａ
変換器１６によりアナログ信号に変換されＸ軸方向偏向
電極１７に印加されビーム偏向走査が行われる。尚、上
述の説明は、Ｘ軸方向にのみビーム露光する場合のもの
であるが、Ｙ軸方向についても同様に行うことができる
。即ち、ＣＰＵ１からＹ軸方向の露光長に相当するポイ
ント数ＭＰが出力されレジスタ２５にセットされている
ので、前述と同様の構成をもつ回路３０内で処理するこ
とにより、Ｙ軸方向へのビーム露光が行われる。この場
合、Ｙ軸方向ビーム偏向信号はＹ軸方向偏向電極１８に
印加される。尚、上記Ｘ軸方向及びＹ軸方向のビーム露
光走査を同時に行うことにより２次元（面積）パターン
をビーム露光することができる。
次に、前述した端数処理回路６の動作について詳細に説
明する。第４図は端数処理回路６の具体的構成を示す電
気的接続図である。商Ｑと余りＲが入力されると、ビッ
ト長比較器４１はビット長の長い方（ここではＱ）を選
択してカウンタコントロール回路４２に知らせる。該カ
ウンタコントロール回路は、ピッ１−長比岐器４１の出
力を受けて、長い方のビット部分のカウント動作をＪる
ようにカウンタ４３をセラｌ−する。次に、コントロー
ル回路４９がスタート信号を受りると、このコントロー
ル回路４９はカウンタ４７をクリアした後、カウンタ４
３に計数動作を開始させ、各ビットから、第５図に示す
ように、各ビットの重みに相応したパルス間隔のパルス
列Ｐ○、Ｐ＋ 、Ｐ２・・・を出力させる。ここで、パ
ルス列ＰａはＬＳＢ出力であり、Ｐ＋ 、Ｐ２ 、・・
・は上位ビットの出力である。
明する。第４図は端数処理回路６の具体的構成を示す電
気的接続図である。商Ｑと余りＲが入力されると、ビッ
ト長比較器４１はビット長の長い方（ここではＱ）を選
択してカウンタコントロール回路４２に知らせる。該カ
ウンタコントロール回路は、ピッ１−長比岐器４１の出
力を受けて、長い方のビット部分のカウント動作をＪる
ようにカウンタ４３をセラｌ−する。次に、コントロー
ル回路４９がスタート信号を受りると、このコントロー
ル回路４９はカウンタ４７をクリアした後、カウンタ４
３に計数動作を開始させ、各ビットから、第５図に示す
ように、各ビットの重みに相応したパルス間隔のパルス
列Ｐ○、Ｐ＋ 、Ｐ２・・・を出力させる。ここで、パ
ルス列ＰａはＬＳＢ出力であり、Ｐ＋ 、Ｐ２ 、・・
・は上位ビットの出力である。
第１のパルス列選別回路４４を構成する入力ゲートの一
方の端子には余りＲがビット毎に入力され、他方の端子
にはカウンタ４３の各パルス列出力が入力されている（
ＲのＬＳＢ出力とパルス列Ｐ○とが同一人力ゲートに入
力覆るような対応関係となっている）。又、第２のパル
ス列選別回路４５を構成する入力ゲートの一方の入力に
は商Ｑがビット毎に入力され、他方の端子には第１のパ
ルス列選別回路４４と同じくカウンタ４３の各パルス列
出力が入力されている。従って、パルス列選別回路４４
．４５は、Ｒ，Ｑの有効なビット（例えば１″を有効な
ビットとする）に対応したゲートを通過してきたパルス
を、ＯＲゲートを介して、カウンタ４６，４７に送る。
方の端子には余りＲがビット毎に入力され、他方の端子
にはカウンタ４３の各パルス列出力が入力されている（
ＲのＬＳＢ出力とパルス列Ｐ○とが同一人力ゲートに入
力覆るような対応関係となっている）。又、第２のパル
ス列選別回路４５を構成する入力ゲートの一方の入力に
は商Ｑがビット毎に入力され、他方の端子には第１のパ
ルス列選別回路４４と同じくカウンタ４３の各パルス列
出力が入力されている。従って、パルス列選別回路４４
．４５は、Ｒ，Ｑの有効なビット（例えば１″を有効な
ビットとする）に対応したゲートを通過してきたパルス
を、ＯＲゲートを介して、カウンタ４６，４７に送る。
本実施例の例ではＲ＝３．Ｑ＝４であるから、これらを
２進数で示せば、Ｒ＝１１．０＝１００となり、パルス
列選別回路４４では第５図のパルス列の内のＰＯとＰｌ
のパルス列が通過し、パルス列選別回路４５ではＰ２の
パルス列が通過することになる。
２進数で示せば、Ｒ＝１１．０＝１００となり、パルス
列選別回路４４では第５図のパルス列の内のＰＯとＰｌ
のパルス列が通過し、パルス列選別回路４５ではＰ２の
パルス列が通過することになる。
第６図の（ａ＞、（ｂ）は、このようにして抜き出され
たパルス列選別回路４４．４５の出力をそれぞれ示して
いる。
たパルス列選別回路４４．４５の出力をそれぞれ示して
いる。
カウンタ４７は、パルス列選別回路４５からパルスが入
る毎に１ずつインクレメントされ、その出力は、補正メ
モリ７のアドレスとして該メモリに入る。一方、カウン
タ４６からはそのステップ数に対応した補正ポイント数
が出力され、補正メモリ７に入る。パルス列選別回路４
５からパルスが出力される毎に、コン［〜ロール回路４
８から補正メモリ７に書込み信号が送出され、アドレス
データで指定された番地に、補正ポイント数が書き込ま
れる。又、この時、コントロール回路４９によって、カ
ウンタ４３の計数動作が一時停止される。補正メモリ７
に補正ポイント数を書き込ｌνだ後、コントロール回路
４８はカウンタ４６をクリアする。一方、コントロール
回路７Ｉ９はカウンタ４３の動作を再び開始する。この
動作は、カウンタ４３が一周するまで繰り返される。カ
ウンタ４３が一周した時点で、全ての飛越描画ステップ
に対する補正ポイント数が求まり、補正メモリ７に格納
される。これにより端数処理操作が終了づる。
る毎に１ずつインクレメントされ、その出力は、補正メ
モリ７のアドレスとして該メモリに入る。一方、カウン
タ４６からはそのステップ数に対応した補正ポイント数
が出力され、補正メモリ７に入る。パルス列選別回路４
５からパルスが出力される毎に、コン［〜ロール回路４
８から補正メモリ７に書込み信号が送出され、アドレス
データで指定された番地に、補正ポイント数が書き込ま
れる。又、この時、コントロール回路４９によって、カ
ウンタ４３の計数動作が一時停止される。補正メモリ７
に補正ポイント数を書き込ｌνだ後、コントロール回路
４８はカウンタ４６をクリアする。一方、コントロール
回路７Ｉ９はカウンタ４３の動作を再び開始する。この
動作は、カウンタ４３が一周するまで繰り返される。カ
ウンタ４３が一周した時点で、全ての飛越描画ステップ
に対する補正ポイント数が求まり、補正メモリ７に格納
される。これにより端数処理操作が終了づる。
第７図は、このようにして格納された補正メモリ７の内
容を示す図である。即ちアドレス１から４は飛越描画ス
テップに対応しており、メモリ内のデータは各ステップ
に対する補正ポイント数を示している。この端数処理操
作は、実際の描画走査とは別個にビーム露光の前段階で
行い、予め補正メモリ７に格納しておく。このようにし
ておけば、実際の露光ビーム走査時においては、各飛越
描画ステップ毎の補正ポイント数をメモリから読み出し
て加算するだけで済むため、計算処理時間が短縮され高
速動作が可能となる。
容を示す図である。即ちアドレス１から４は飛越描画ス
テップに対応しており、メモリ内のデータは各ステップ
に対する補正ポイント数を示している。この端数処理操
作は、実際の描画走査とは別個にビーム露光の前段階で
行い、予め補正メモリ７に格納しておく。このようにし
ておけば、実際の露光ビーム走査時においては、各飛越
描画ステップ毎の補正ポイント数をメモリから読み出し
て加算するだけで済むため、計算処理時間が短縮され高
速動作が可能となる。
以上の如き構成の装置、によれば余りポイント数Ｒが各
描画ステップに平均的に振り分けられる結果、第８図に
示されるような正確な寸法のビーム露光を行うことがで
きる（各スポッ１〜間に示した数字は走査ポイント数を
示している）。
描画ステップに平均的に振り分けられる結果、第８図に
示されるような正確な寸法のビーム露光を行うことがで
きる（各スポッ１〜間に示した数字は走査ポイント数を
示している）。
尚、端数処理の方法としては上述のもののみならず、傾
きＲ／Ｑを計算して行う微分方式によることもできる。
きＲ／Ｑを計算して行う微分方式によることもできる。
微分方式等を用いれば飛越描画と同時に誤差の平均化演
算をリアルタイムで行うことができる。第４図の端数処
理回路については、Ｘ・軸方向の場合のみについて説明
しＩＣが、同様の処理操作はＹ＠力方向ついても行われ
る。
算をリアルタイムで行うことができる。第４図の端数処
理回路については、Ｘ・軸方向の場合のみについて説明
しＩＣが、同様の処理操作はＹ＠力方向ついても行われ
る。
以上説明したように、本発明によれば端数処理回路と補
正メモリを設けることにより、余り誤差を各描画ステッ
プに振り分けることができ、正確な寸法のビーム露光を
行うことができる。
正メモリを設けることにより、余り誤差を各描画ステッ
プに振り分けることができ、正確な寸法のビーム露光を
行うことができる。
第１図及び第２図は露光状態を示す説明図、第３図は本
発明の一実施例を示す電気的構成図、第４図は端数処理
回路の具体的構成を示す電気的構成図、第５図はカウン
タの出力波形を示す説明図、第６図はパルス列選別回路
の出力を示す説明図、第７図は補正メモリの格納状態を
示す説明図、第８図は本発明による露光状態を示す説明
図である。 １・・・ＣＰＵ ８〜１１．２１〜２５．５１〜５４ ・・・レジスタ ３・・・除算器 ４・・・レジスタコントロール回路 ６・・・端数処理回路 ７・・・補正メモリ１２・・
・ビームコントロール回路 １４．１４’・・・加算器 １５・・・コンパレータ １６・・・Ｄ 、／ Ａ変換
器１７．１８・・・偏向電極 ４１・・・ビット長比較器 ４２・・・カウンタコントロール回路 ４３．４６．４７・・・カウンタ ４４．４５・・・パルス列選別回路 ４８．４９・・・コントロール回路 特許出願人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 井 島 藤 治 第５図 帛６図 （ｂ） 尾７図 第８図 ｔ５−♀−６−♀−６≦Ｌ６４
発明の一実施例を示す電気的構成図、第４図は端数処理
回路の具体的構成を示す電気的構成図、第５図はカウン
タの出力波形を示す説明図、第６図はパルス列選別回路
の出力を示す説明図、第７図は補正メモリの格納状態を
示す説明図、第８図は本発明による露光状態を示す説明
図である。 １・・・ＣＰＵ ８〜１１．２１〜２５．５１〜５４ ・・・レジスタ ３・・・除算器 ４・・・レジスタコントロール回路 ６・・・端数処理回路 ７・・・補正メモリ１２・・
・ビームコントロール回路 １４．１４’・・・加算器 １５・・・コンパレータ １６・・・Ｄ 、／ Ａ変換
器１７．１８・・・偏向電極 ４１・・・ビット長比較器 ４２・・・カウンタコントロール回路 ４３．４６．４７・・・カウンタ ４４．４５・・・パルス列選別回路 ４８．４９・・・コントロール回路 特許出願人 日本電子株式会社 代理人 弁理士 井 島 藤 治 第５図 帛６図 （ｂ） 尾７図 第８図 ｔ５−♀−６−♀−６≦Ｌ６４
Claims (1)
- ビームスポットを移動しながらパターン描画を行う電子
ビーム露光装置において、飛越描画時に生じる余りを各
飛越描画ステップに補正ポイント数として振り分ける端
数処理回路と、該端数処理回路でつくられた各飛越描画
ステップの補正ポイント数を予め記憶しておく補正メモ
リとを備え、露光ビーム走査時には前記補正メモリ内の
補正ポイント数を各飛越描画ステップ毎に読み出し、露
光位置補正を行うことを特徴とする電子ビーム露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5547883A JPS59181018A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5547883A JPS59181018A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181018A true JPS59181018A (ja) | 1984-10-15 |
| JPH0220134B2 JPH0220134B2 (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=12999717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5547883A Granted JPS59181018A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181018A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005055889A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
| JP2014017391A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法 |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP5547883A patent/JPS59181018A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005055889A (ja) * | 2003-07-24 | 2005-03-03 | Konica Minolta Holdings Inc | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
| JP2014017391A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0220134B2 (ja) | 1990-05-08 |
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