KR101601128B1 - 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 - Google Patents

멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 태양의 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치는, 묘화용의 복수의 제1 개구부와 복수의 제1 개구부의 주위에 비묘화용의 복수의 제2 개구부가 형성되고, 복수의 제1 및 제2 개구부 전체가 포함되는 영역에 하전 입자 빔의 조사를 받고, 복수의 제1 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 묘화용 멀티 빔을 형성하고, 또한, 복수의 제2 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 측정용 멀티 빔을 형성하는 빔 성형 부재와, 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치된 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에, 또는, 블랭킹 애퍼쳐 부재와 블랭킹 플레이트와의 사이에, 배치된 복수의 마크 부재와, 복수의 마크 부재를 이용하여, 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 측정부와, 측정된 측정용 멀티 빔의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정하는 보정부를 구비한 것을 특징으로 한다.

Description

멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법{MULTI CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING DEVICE AND MULTI CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING METHOD}
본 발명은, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법에 관한 것이며, 예를 들면, 멀티 빔의 드리프트 보정에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 미세화의 진전을 담당하는 리소그래피 기술은 반도체 제조 프로세스 중에서도 유일 패턴을 생성하는 매우 중요한 프로세스이다. 최근, LSI의 고집적화에 수반하여, 반도체 디바이스에 요구되는 회로 선폭은 해마다 미세화되고 있다. 여기서, 전자선(전자 빔) 묘화 기술은 본질적으로 우수한 해상성을 가지고 있고, 웨이퍼 등에 전자선을 사용하여 묘화하는 것이 행해지고 있다.
1 개의 전자 빔으로 묘화하는 가변 성형(VSB)형 전자 빔 묘화에서는, 패턴이 복잡한 형상일수록, 패턴을 미세한 쇼트 도형으로 분할할 필요가 있다. 그리고, 그 만큼 묘화 시간이 길어진다. 쇼트 수의 증가를 보충할 수 있도록, 빔의 전류 밀도를 올려서 묘화 시간을 단축하는 것도 생각할 수 있으나, 레지스트 히팅 등의 영향이 커지므로, 이러한 수법에도 한계가 있다.
여기서, 멀티 빔을 사용한 묘화 장치가 있다. 1 개의 전자 빔으로 묘화하는 경우에 비해, 멀티 빔을 이용함으로써 한 번에 많은 빔을 조사할 수 있으므로 스루풋을 큰 폭으로 향상시킬 수 있다. 이러한 멀티 빔 방식의 묘화 장치에서는, 예를 들면, 전자총으로부터 방출된 전자 빔을 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 홀을 가진 마스크를 통해 멀티 빔을 형성하고, 각각, 블랭킹 제어되고, 차폐되지 않은 각 빔이 시료 상의 원하는 위치로 조사된다.
종래의 싱글 빔 묘화 장치의 경우, 시료가 되는 기판 상에 쇼트 형상(패턴)으로서 결상(結像)하기 위한 성형 애퍼쳐 개구부는 1 개이다. 이에 대하여, 멀티 빔 묘화 장치의 경우, 성형 애퍼쳐 개구부는 복수 필요하다. 그 때문에, 성형 애퍼쳐 플레이트의 사이즈가 커진다. 또한, 멀티 빔의 각 빔을 블랭킹 제어하는 블랭커 어레이는, 성형 애퍼쳐 플레이트에 일체화되는 경우가 있다. 그 때문에, 구조가 복잡해진다. 이와 같이, 멀티 빔 묘화 장치에서는, 성형 애퍼쳐부가 크고, 구조가 복잡하기 때문에, 싱글 빔 묘화 장치보다 오염(contamination)의 부착에 의한 영향을 받기 쉽고, 빔 드리프트가 생기기 쉽다. 예를 들면, 가변 성형 방식(VSB 방식)의 싱글 빔 묘화 장치의 경우, 제1 성형 애퍼쳐를 통과한 제1 성형 애퍼쳐 형상은, 제2 성형 애퍼쳐 상으로 편향기로 위치가 조정 가능하다. 그 때문에, 제1 성형 애퍼쳐의 위치 정밀도는 보정이 가능해진다. 그러나, 멀티 빔 묘화 장치의 경우, 빔 성형은 1 회이므로, 성형 애퍼쳐 개구부의 위치가 시료면 상에 묘화된 때의 위치 정밀도에 주는 영향도 크다. 따라서, 이러한 멀티 빔의 성형 섹션에서 빔 드리프트가 생기면, 각 빔의 위치 정밀도가 열화되어 버린다. 그리고, 빔 드리프트가 생기면, 각 빔의 위치가 이탈될 뿐만 아니라, 블랭킹 애퍼쳐에 ON 빔의 일부가 차폐되어, 시료면에 도달하는 빔의 도스량도 변화되어버리는 문제도 일어날 수 있다. 그 때문에, 이러한 멀티 빔의 성형 섹션에서의 드리프트 측정 및 그 보정이 중요해진다.
종래에, 멀티 빔의 시료면의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있도록, 측정용 빔을 성형하여, 시료면 부근에서 측정용 빔의 중간 형상을 검출하여 빔 위치를 보정한다고 하는 기술이 제안되어 있었다(예를 들면, 일본 특허 공개 공보 제2008－521221호 참조). 그러나, 이러한 기술에서는, 상술한 멀티 빔의 성형 섹션에서의 드리프트량을 측정하는 것이 곤란하므로, 그 보정이 충분하다고는 할 수 없었다.
본 발명은, 멀티 빔 묘화에 있어서의 멀티 빔의 형성 섹션에서의 드리프트 보정이 가능한 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법을 제공한다.
본 발명의 일 태양의 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치는, 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와, 묘화용의 복수의 제1 개구부와 복수의 제1 개구부의 주위에 비묘화용의 복수의 제2 개구부가 형성되고, 복수의 제1 및 제2 개구부 전체가 포함되는 영역에 하전 입자 빔의 조사를 받고, 복수의 제1 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 묘화용 멀티 빔을 형성하고, 또한, 복수의 제2 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 측정용 멀티 빔을 형성하는 빔 성형 부재와, 빔 성형 부재의 복수의 제1 및 제2 개구부를 통과한 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와, 블랭킹 플레이트를 통과한, 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔을 수속(收束)하는 수속 렌즈와, 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔이 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치되고, 제한 개구부가 형성되고, 묘화용 멀티 빔 중 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 제한 개구부로부터 이탈된 위치에서 차폐하고, 빔 ON 상태가 되는 각 빔을 제한 개구부로부터 통과시키는 블랭킹 애퍼쳐 부재와, 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치된 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에, 또는, 블랭킹 애퍼쳐 부재와 블랭킹 플레이트와의 사이에, 배치된 복수의 마크 부재와, 복수의 마크 부재를 이용하여, 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 측정부와, 측정된 측정용 멀티 빔의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정하는 보정부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 태양의 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법은, 하전 입자 빔을 방출하고, 묘화용의 복수의 제1 개구부와 복수의 제1 개구부의 주위에 비묘화용의 복수의 제2 개구부가 형성된 빔 성형 부재를 이용하여, 복수의 제1 및 제2 개구부 전체가 포함되는 영역에 하전 입자 빔의 조사를 받고, 복수의 제1 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 묘화용 멀티 빔을 형성하고, 또한, 복수의 제2 개구부를 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 측정용 멀티 빔을 형성하고, 블랭킹 플레이트에 배치된 복수의 블랭커를 이용하여, 빔 성형 부재의 복수의 제1 및 제2 개구부를 통과한 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하고, 개별 블랭킹 플레이트를 통과한, 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔을 수속하고, 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔이 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치되고, 제한 개구부가 형성된 블랭킹 애퍼쳐 부재를 이용하여, 묘화용 멀티 빔 중 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 제한 개구부로부터 이탈된 위치에서 차폐하고, 빔 ON 상태가 되는 각 빔을 제한 개구부로부터 통과시키고, 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치된 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에, 또는, 블랭킹 애퍼쳐 부재와 블랭킹 플레이트와의 사이에, 배치된 복수의 마크 부재를 이용하여, 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하고, 측정된 측정용 멀티 빔의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정하는 것을 특징으로 한다.
도 1은, 실시예 1에 있어서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 2는, 실시예 1에 있어서의 애퍼쳐 부재의 구성을 도시한 개념도이다.
도 3은, 실시예 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 구성을 도시한 단면도이다.
도 4는, 실시예 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 한 조의 블랭커의 구성의 일례를 도시한 상면도이다.
도 5는, 실시예 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 한 조의 블랭커의 구성의 다른 일례를 도시한 상면도이다.
도 6은, 실시예 1에 있어서의 제한 애퍼쳐 부재의 일례를 도시한 상면도이다.
도 7은, 실시예 1에 있어서의 측정용 멀티 빔의 빔 조사 위치의 일례를 도시한 도면이다.
도 8은, 실시예 1에 있어서의 측정용 멀티 빔의 빔 조사 위치의 다른 일례를 도시한 도면이다.
도 9는, 실시예 1에 있어서의 묘화 방법의 요부 공정을 나타내는 플로우차트도이다.
도 10a~10c는, 실시예 1에 있어서의 묘화 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
도 11은, 실시예 1에 있어서의 검출기의 다른 일례를 도시한 도면이다.
도 12는, 실시예 2에 있어서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
이하, 실시예에서는, 하전 입자 빔의 일례로서 전자 빔을 이용한 구성에 대하여 설명한다. 단, 하전 입자 빔은, 전자 빔으로 한정하는 것이 아니고, 이온 빔 등의 하전 입자를 이용한 빔이어도 상관없다.
또한, 실시예에서는, 멀티 빔 묘화에 있어서의 멀티 빔의 성형 섹션에서의 드리프트 보정을 행하는 것이 가능한 묘화 장치 및 방법에 대하여 설명한다.
실시예 1
도 1은, 실시예 1에 있어서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다. 도 1에서, 묘화 장치(100)는, 묘화부(150)와 제어부(160)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는, 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치의 일례이다. 묘화부(150)는, 전자 경통(102)과 묘화실(103)을 구비하고 있다. 전자 경통(102) 내에는, 전자총(201), 조명 렌즈(202), 블랭킹 애퍼쳐 어레이(BAA) 부재(211), 수속 렌즈(205), 제한 애퍼쳐 부재(206), 대물 렌즈(207), 및 편향기(208)가 배치되어 있다. BAA 부재(211)는, 성형 애퍼쳐 부재(203)와 블랭킹 플레이트(204)가, 성형 애퍼쳐 부재(203)를 상층측으로 하여 적층되어 있다. 제한 애퍼쳐 부재(206) 상에는, 복수의 마크 부재(212)와, 마크 부재(212)마다 배치된 복수의 검출기(214)가 배치된다. 묘화실(103) 내에는, XY 스테이지(105)가 배치된다. XY 스테이지(105) 상에는, 묘화 시에는 묘화 대상 기판이 되는 마스크 등의 시료(101)가 배치된다. 시료(101)에는, 반도체 장치를 제조할 때의 노광용 마스크, 또는, 반도체 장치가 제조되는 반도체 기판(실리콘 웨이퍼) 등이 포함된다. 또한, 시료(101)에는, 레지스터가 도포된, 아직 아무것도 묘화되어 있지 않은 마스크 블랭크가 포함된다. XY 스테이지(105) 상에는 또한 XY 스테이지(105)의 위치 측정용의 미러(210)가 배치된다.
제어부(160)는, 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(120), 앰프(130), 스테이지 위치 검출부(132) 및 자기 디스크 장치 등의 기억 장치(140)를 가지고 있다. 제어 계산기(110), 메모리(112), 편향 제어 회로(120), 앰프(130), 스테이지 위치 검출부(132) 및 기억 장치(140)는, 도시하지 않은 버스를 개입시켜 서로 접속되어 있다. 기억 장치(140)(기억부)에는, 묘화 데이터가 외부로부터 입력되어 저장되어 있다. DAC 앰프(130)는 검출기(214)에 접속된다. 편향 제어 회로(120)는 블랭킹 플레이트(204)에 접속된다.
제어 계산기(110) 내에는, 측정부(60), 위치 이탈량 연산부(62), 묘화 데이터 처리부(64), 묘화 제어부(66), 및 보정부(68)가 배치된다. 측정부(60), 위치 이탈량 연산부(62), 묘화 데이터 처리부(64), 묘화 제어부(66), 및 보정부(68)라고 하는 각 기능은, 상기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 좋고, 이러한 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 좋다. 또는, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 좋다. 측정부(60), 위치 이탈량 연산부(62), 묘화 데이터 처리부(64), 묘화 제어부(66), 및 보정부(68)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 메모리(112)에 그때마다 저장된다.
편향 제어 회로(120) 내에는, 편향량 연산부(70)가 배치된다. 편향량 연산부(70)라고 하는 기능은, 상기 회로 등의 하드웨어로 구성되어도 좋고, 이러한 기능을 실행하는 프로그램 등의 소프트웨어로 구성되어도 좋다. 또는, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 구성되어도 좋다. 편향량 연산부(70)에 입출력되는 정보 및 연산 중의 정보는 도시하지 않은 메모리에 그때마다 저장된다.
여기서, 도 1에서는, 실시예 1을 설명하는데 있어서 필요한 구성을 기재하고 있다. 묘화 장치(100)에 있어, 통상, 필요한 그 밖의 구성을 구비하고 있어도 상관없다.
도 2는, 실시예 1에 있어서의 애퍼쳐 부재의 구성을 도시한 개념도이다. 도 2에서, 성형 애퍼쳐 부재(203)(빔 성형 부재의 일례)에는, 중앙부의 묘화용 멀티 빔 형성 영역(21) 내에 세로(y 방향) m열 × 가로(x 방향) n열(m, n≥2)의 홀(22)(복수의 제1 개구부)가 소정의 배열 피치로 매트릭스 형상으로 형성되어 있다. 도 2에서는, 예를 들면, 6 × 6열의 홀(22)이 형성된다. 각 홀(22)은, 모두 같은 치수 형상의 직사각형, 예를 들면 정방형으로 형성된다. 또는, 같은 외경의 원형이어도 상관없다. 여기에서는, y 방향의 각 열에 대해, x 방향으로 A부터 F까지의 6 개의 홀(22)이 각각 형성되는 예가 도시되어 있다. 이러한 복수의 홀(22)을 전자 빔(200)의 일부가 각각 통과함으로써, 실제로 묘화에 이용하기 위한 멀티 빔(20)이 형성되게 된다. 여기에서는, 종횡(x, y 방향)이 모두 2 열 이상의 홀(22)이 배치된 예를 나타냈으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 종횡(x, y 방향) 의 어느 일방이 복수열이고 타방은 1 열뿐이어도 상관없다. 또한, 홀(22)의 배열의 방법은, 도 2와 같이, 종횡이 격자 형상으로 배치되는 경우에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 세로 방향(y 방향) 1 단째의 열과, 2 단째의 열의 홀끼리가, 횡 방향(x 방향)으로 치수 a만큼 어긋나게 배치되어도 좋다. 마찬가지로, 세로 방향(y 방향) 2 단째의 열과, 3 단째의 열의 홀끼리가, 횡 방향(x 방향)으로 치수 b만큼 어긋나서 배치되어도 좋다.
또한, 도 2에서, 복수의 홀(22)의 주위(묘화용 멀티 빔 형성 영역(21)의 주위)에는, 비묘화용(측정용)의 복수의 홀(23)(복수의 제2 개구부)이 형성된다. 복수의 홀(23)은, 복수의 홀(22)을 둘러싸도록 형성된다.
도 3은, 실시예 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 구성을 도시한 단면도이다. 도 3의 예에서는, y 방향 단면을 나타내고 있다.
도 4는, 실시예 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 한 조의 블랭커의 구성의 일례를 도시한 상면도이다. 블랭킹 플레이트(204)에는, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 각 홀(22, 23)의 배치 위치에 맞추어, 예를 들면 직사각형의 통과홀(25)이 형성되고, 각 통과홀(25)에는, 예를 들면, 1 세트가 되는 3 개의 전극(24, 26, 27)의 조(블랭커)가 각각 배치된다. 통과홀(25)의 사이즈는, 홀(22, 23)의 사이즈보다 약간 크게 형성되면 바람직하다. 이에 의해, 홀(22, 23)에 의해 성형된 각 빔의 형상 및 사이즈를 유지할 수 있다. 전극(26)은, 통과홀(25)의 x 방향측면의 하나와 y 방향측면의 하나를 덮도록 배치되어 그랜드 전위에 접속된다. 전극(24)은, 전극(26)에 대하여 x 방향을 향해 전위차를 일으키게 하는 것이 가능하도록 통과홀(25)의 x 방향측면의 나머지 1 개측에 배치된다. 전극(27)은, 전극(26)에 대하여 y 방향을 향해 전위차를 일으키게 하는 것이 가능하도록 통과홀(25)의 y 방향측면의 나머지 1 개측에 배치된다. 전극(24)은, x 방향의 전위차를 일으키게 하기 위한 전압을 인가하는 x 드라이버(31)가 접속된다. 전극(27)은, y 방향의 전위차를 일으키게 하기 위한 전압을 인가하는 y 드라이버(29)가 접속된다. x 드라이버(31)와 y 드라이버(29)는 편향 제어 회로(120)에 접속된다. 각 통과홀(25)을 통과하는 전자 빔(20)은, 각각 독립적으로 걸리는 쌍이 되는 2 개의 전극(24, 26)에 인가되는 전압에 의해 x 방향으로 편향된다. 마찬가지로, 각 통과홀(25)을 통과하는 전자 빔(20)은, 각각 독립적으로 걸리는 쌍이 되는 2 개의 전극(27, 26)에 인가되는 전압에 의해 y 방향으로 편향된다. 이러한 x 방향 또는/및 y 방향으로의 편향에 의해 블랭킹 제어된다. 이와 같이, 복수의 블랭커는, 평행하지 않은 적어도 2 방향, 여기에서는, x, y 방향으로 각각 대응하는 빔을 편향 가능하게 배치된다. 그리고, 복수의 블랭커가, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 복수의 홀(22)(개구부)을 통과한 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다.
이상과 같이, 블랭킹 플레이트(204)에는, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 각 홀(22, 23)을 통과한 묘화용 멀티 빔(20)과 측정용 멀티 빔(28) 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된다.
도 5는, 실시예 1에 있어서의 블랭킹 플레이트의 한 조의 블랭커의 구성의 다른 일례를 도시한 상면도이다. 도 4의 예에서는, x 방향 및 y 방향으로 각 빔을 편향 가능하게 형성되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 후술하는 드리프트 보정에 대하여, 한 방향의 보정으로 한정되지만, 도 5에 도시한 바와 같이, 각 통과홀(25)에는, 예를 들면, 1 세트가 되는 2 개의 전극(24, 26)의 조(블랭커)가, 각각 배치되도록 해도 상관없다. 도 5의 예에서는, 전극(24)은, 전극(26)에 대하여 x 방향을 향해 전위차를 일으키게 하는 것이 가능하도록 통과홀(25)의 x 방향측면의 나머지 1 개측에 배치된다. 전극(24)은, x 방향의 전위차를 일으키게 하기 위한 전압을 인가하는 x 드라이버(31)가 접속된다. x 드라이버(31)는, 편향 제어 회로(120)에 접속된다. 각 통과홀(25)에는, 전극(24) 대신에, x 방향을 향해 전위차를 일으키게 하는 전극(27)이 배치되어도 상관없음은 말할 필요도 없다.
묘화 동작은, 묘화 제어부(66)에 의해 제어된다. 전자총(201)(방출부)으로부터 방출된 전자 빔(200)은, 조명 렌즈(202)에 의해 거의 수직으로 성형 애퍼쳐 부재(203)의 복수의 홀(22, 23) 전체가 포함되는 영역을 조명한다. 복수의 홀(22)의 위치에 조사된 전자 빔(200)의 각 일부가, 이러한 성형 애퍼쳐 부재(203)의 복수의 홀(22)을 각각 통과하는 것에 의해, 예를 들면 직사각형 형상의 묘화용의 복수의 전자 빔(멀티 빔)(20a~e)이 형성된다. 이러한 묘화용 멀티 빔(20a~e)은, 블랭킹 플레이트(204)의 각각 대응하는 블랭커 내를 통과한다. 이러한 블랭커는, 각각 개별적으로 통과하는 전자 빔(20)을 편향한다(블랭킹 편향을 행한다). 그리고, 블랭킹 플레이트(204)를 통과한 멀티 빔(20a~e)은, 수속 렌즈(205)에 의해, 수속되고, 제한 애퍼쳐 부재(206)에 형성된 중심의 홀을 향해 나아간다. 여기서, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태로 편향된 전자 빔(20)은, 제한 애퍼쳐 부재(206)(블랭킹 애퍼쳐 부재)의 중심의 홀로부터 위치가 이탈되고, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀로부터 이탈된 위치에서 제한 애퍼쳐 부재(206)에 의해 차폐된다. 한편, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에 의해 편향되지 않은 전자 빔(20)은, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀을 통과한다. 이러한 블랭커의 ON/OFF에 의해, 블랭킹 제어가 행해지고 빔의 ON/OFF가 제어된다. 이와 같이, 제한 애퍼쳐 부재(206)는, 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 차폐한다. 그리고, 빔 ON이 되고 나서 빔 OFF가 되기까지 형성된, 제한 애퍼쳐 부재(206)를 통과한 빔에 의해 1 회분의 쇼트의 빔이 형성된다. 제한 애퍼쳐 부재(206)를 통과한 멀티 빔(20)은, 대물 렌즈(207)에 의해 초점이 합쳐져, 원하는 축소율의 패턴 형상이 되고, 편향기(208)에 의해, 제한 애퍼쳐 부재(206)를 통과한 각 빔(멀티 빔(20) 전체)이 동일 방향으로 한꺼번에 함께 편향되어, 각 빔의 시료(101) 상의 각각의 조사 위치에 조사된다. 수속 렌즈(205)와 대물 렌즈(207)에 의해 축소 광학계가 형성된다.
또한, 예를 들면, XY 스테이지(105)가 연속 이동하고 있을 때, 빔의 조사 위치가 XY 스테이지(105)의 이동에 추종하도록 편향기(208)에 의해 제어된다. XY 스테이지(105)의 위치는, 스테이지 위치 검출부(139)가, 레이저광을 조사하고, 미러(210)에서 반사된 반사광을 수광함으로써 측정한다. 측정된 스테이지 위치는, 묘화 제어부(66)로 출력된다. 한 번에 조사되는 멀티 빔(20)은, 이상적으로는 성형 애퍼쳐 부재(203)의 복수의 홀(22)의 배열 피치에, 상술한 원하는 축소율을 곱한 피치로 배열되게 된다. 묘화 장치(100)는, 쇼트 빔을 연속하여 순서대로 조사해가는 라스터 스캔 방식으로 묘화 동작을 행하여, 원하는 패턴을 묘화할 때, 패턴에 따라 필요한 빔이 블랭킹 제어에 의해 빔 ON으로 제어된다.
또한, 복수의 홀(23)의 위치에 조사된 전자 빔(200)의 각 일부가, 이러한 성형 애퍼쳐 부재(203)의 복수의 홀(23)을 각각 통과하는 것에 의해, 예를 들면 직사각형 형상의 측정용(비묘화용)의 복수의 전자 빔(멀티 빔)(28a, b)이 형성된다.
상술한 바와 같이, 싱글 빔 묘화 장치에 대하여, 멀티 빔 묘화 장치의 경우, 성형 애퍼쳐 개구부는 복수 필요하다. 그 때문에, 성형 애퍼쳐 플레이트가 되는 성형 애퍼쳐 부재(203)의 사이즈가 커진다. 또한, 멀티 빔의 각 빔을 블랭킹 제어하는 블랭커 어레이는, 성형 애퍼쳐 플레이트에 일체화되는 경우가 있다. 그 때문에, 구조가 복잡해진다. 이와 같이, 멀티 빔 묘화 장치에서는, 성형 애퍼쳐부가 크고, 구조가 복잡하기 때문에, 싱글 빔 묘화 장치보다 오염(contamination)의 부착에 의한 영향을 받기 쉽고, 빔 드리프트가 생기기 쉽다. 예를 들면, 가변 성형 방식(VSB 방식)의 싱글 빔 묘화 장치의 경우, 제1 성형 애퍼쳐를 통과한 제1 성형 애퍼쳐 형상은, 제2 성형 애퍼쳐 상으로 편향기로 위치가 조정 가능하다. 그 때문에, 제1 성형 애퍼쳐의 위치 정밀도는 보정이 가능해진다. 그러나, 멀티 빔 묘화 장치의 경우, 빔 성형은 1 회이므로, 성형 애퍼쳐 개구부의 위치가 시료면 상에 묘화되었을 때의 위치 정밀도에 주는 영향도 크다. 따라서, 이러한 멀티 빔의 성형 섹션에서로 빔 드리프트가 생기면, 각 빔의 위치 정밀도가 열화되어 버린다. 그리고, 빔 드리프트가 생기면, 각 빔의 위치가 이탈될 뿐만 아니라, 제한 애퍼쳐 부재(206)에 ON 빔의 일부가 차폐되어, 시료(101)면에 도달하는 빔의 도스량도 변화된다고 하는 문제도 일어날 수 있다. 그 때문에, 이러한 멀티 빔의 성형 섹션에서의 드리프트 측정 및 그 보정이 중요해진다. 이에, 실시예 1에서는, 측정용 멀티 빔(28a, b)을 이용하여, 멀티 빔의 성형 섹션에서의 빔 드리프트량을 측정하고, 묘화용 멀티 빔(20)의 위치를 보정한다.
도 6은, 실시예 1에서의 제한 애퍼쳐 부재의 일례를 도시한 상면도이다. 제한 애퍼쳐 부재(206)(블랭킹 애퍼쳐 부재)의 중심부에는, 빔 ON이 되는 묘화용의 멀티 빔(20)을 통과시키는, 예를 들면 원형의 홀(50)(제한 개구부)이 형성되어 있다. 또한, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 상면 또는 홀(50)의 단면 중앙 높이가, 묘화용 멀티 빔(20)과 측정용 멀티 빔(28)이 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근이 되도록, 제한 애퍼쳐 부재(206)는 배치된다. 따라서, 제한 애퍼쳐 부재(206) 상면은, 실질적으로 묘화용 멀티 빔(20) 및 측정용 멀티 빔(28)의 크로스오버면이 된다. 제한 애퍼쳐 부재(206) 상에는, 홀(50)의 주위에, 복수의 마크 부재(212)가 배치된다. 도 6에서는, 검출기(214)의 도시는 생략하고 있다. 복수의 마크 부재(212)는, 측정용 멀티 빔(28a, b)의 수에 맞추어 배치된다.
블랭킹 플레이트(204)를 통과한 측정용(비묘화용) 멀티 빔(28a, b)은, 수속 렌즈(205)에 의해 수속되고, 제한 애퍼쳐 부재(206)에 형성된 중심의 홀(50)을 향해 나아간다. 그 상태로라면, 묘화용 멀티 빔(20)과 마찬가지로, 홀(50)의 위치에서 크로스오버를 형성하게 된다. 실시예 1에서는, 측정용 멀티 빔(28a, b)을 각각 대응하는 블랭커에 의해 개별적으로 독립하여 각각 외측으로 편향한다. 그리고, 수속 렌즈(205)에 의해 수속되어도, 대응하는 마크 부재(212)에 일부가 조사되도록 홀(50)에 대하여 외측으로 편향한다.
측정용 멀티 빔(28)을 대응하는 마크 부재(212)에 조사하면, 빔마다, 그 반사 전자 또는/및 2 차 전자가 방출된다. 측정용 멀티 빔(28)의 빔마다, 이러한 반사 전자 또는/및 2 차 전자를 대응하는 검출기(214)로 검출하고, 그 결과를 앰프(130)로 출력한다. 도 1의 예에서는, 앰프(130)가 1 개 도시되어 있으나, 검출기(214)의 수에 따라 배치됨은 말할 필요도 없다. 실시예 1에서는, 각 검출기(214)와 제한 애퍼쳐 부재(206)와의 사이의 공간을, 마크 부재(212)를 내측으로 하여 주위를 둘러싸서 차폐한다. 이에 의해, 각 검출기(214)와 제한 애퍼쳐 부재(206)와의 사이의 간극으로부터 반사 전자 또는/및 2 차 전자가 누출되어, 묘화용 멀티 빔(20)에 영향을 주지 않게 할 수 있다. 또한, 각 검출기(214)는, 측정용 멀티 빔(28)의 대응 빔이 입사하는 영역에 대해서는 입사구를 개구하면 좋다. 측정 결과는, 각 앰프(130)에서 증폭한 후, 디지탈 신호로 변환되어 측정부(60)로 출력된다. 이에 의해, 측정용 멀티 빔(28)의 위치를 측정할 수 있다. 빔 드리프트가 생겨있으면, 그 만큼 위치 이탈된 위치를 측정할 수 있다. 또한, 각 마크 부재(212)를 크로스오버면 부근에 배치함으로써, 측정용 멀티 빔(28)의 각 빔을 샤프한 형상으로 대응하는 마크 부재(212)에 조사할 수 있다. 따라서, 미세한 위치 이탈이어도 측정되는 전류량의 변화를 크게 할 수 있다. 그 결과, 보다 고정밀도로 위치를 측정할 수 있다.
도 7은, 실시예 1에 있어서의 측정용 멀티 빔의 빔 조사 위치의 일례를 도시한 도면이다. 도 7에서, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, -x 방향측의 측정용 멀티 빔(28a)에 대해서는, 각 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212a) 상으로부터 -x 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 바꾸어 말하면, 각 빔의 일부가 마크 부재(212a)에 조사되도록 측정용 멀티 빔(28a)을 편향한다. 마찬가지로, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, -y 방향측의 측정용 멀티 빔(28b)에 대해서는, 각 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212b) 상으로부터 -y 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 바꾸어 말하면, 각 빔의 일부가 마크 부재(212b)에 조사되도록 측정용 멀티 빔(28b)을 편향한다. 마찬가지로, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, x 방향측의 측정용 멀티 빔(28c)에 대해서는, 각 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212c) 상으로부터 x 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 바꾸어 말하면, 각 빔의 일부가 마크 부재(212c)에 조사되도록 측정용 멀티 빔(28c)을 편향한다. 마찬가지로, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, y 방향측의 측정용 멀티 빔(28d)에 대해서는, 각 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212d) 상으로부터 y 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 바꾸어 말하면, 각 빔의 일부가 마크 부재(212d)에 조사되도록 측정용 멀티 빔(28d)을 편향한다.
도 8은, 실시예 1에 있어서의 측정용 멀티 빔의 빔 조사 위치의 다른 일례를 도시한 도면이다. 도 8에서, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, -x 방향측의 측정용 멀티 빔(28a)에 대해서는, 일부의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212a) 상으로부터 -x 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. －x 방향측의 측정용 멀티 빔(28a)의 그 밖의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212a) 상으로부터, 예를 들면 -y 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 예를 들면, y 방향을 향해 교대로, -x 방향측, -y 방향측으로 빔의 일부가 튀어나오게 조사된다.
마찬가지로, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, -y 방향측의 측정용 멀티 빔(28b)에 대해서는, 일부의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212b) 상으로부터 -y 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. -y 방향측의 측정용 멀티 빔(28b)의 그 밖의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212b) 상으로부터, 예를 들면 x 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 예를 들면, x 방향을 향해 교대로, －y 방향측, x 방향측으로 빔의 일부가 튀어나오게 조사된다.
마찬가지로, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, x 방향측의 측정용 멀티 빔(28c)에 대해서는, 일부의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212c) 상으로부터 x 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. x 방향측의 측정용 멀티 빔(28c)의 그 밖의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212c) 상으로부터, 예를 들면 y 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 예를 들면, y 방향을 향해 교대로, x 방향측, y 방향측으로 빔의 일부가 튀어나오게 조사된다.
마찬가지로, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 중심의 홀(50)에 대하여, y 방향측의 측정용 멀티 빔(28d)에 대해서는, 일부의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212d) 상으로부터 y 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. y 방향측의 측정용 멀티 빔(28d)의 그 밖의 빔의 각각 대응하는 마크 부재(212d) 상으로부터, 예를 들면 -x 방향측으로 일부가 튀어나오게 조사된다. 예를 들면, x 방향을 향해 교대로, －x 방향측, y 방향측으로 빔의 일부가 튀어나오게 조사된다.
도 8에 도시한 바와 같이, 마크 부재(212)에 대하여 x, y 방향으로 교대로 튀어나오게 측정함으로써, 위치에 의존한 오차 등을 억제할 수 있다. 도 8의 수법으로는, 주위 전체에 걸쳐 각각 x, y 방향의 위치를 측정할 수 있다. 그 때문에, 얻어지는 데이터에 위치에 의존한 편향을 잃을 수 있다. 따라서, 도 7에 도시한 수법보다도 드리프트 보정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 하여 측정된 측정 위치를 이용하여 묘화용 멀티 빔(20)을 보정한다. 이하, 묘화 처리의 플로우를 순서대로 설명한다.
도 9는, 실시예 1에 있어서의 묘화 방법의 요부 공정을 나타내는 플로우차트도이다.
우선, 데이터 처리 공정(S102)으로서, 묘화 데이터 처리부(64)는, 기억 장치(140)로부터 묘화 데이터를 판독하여, 장치 고유의 쇼트 데이터를 생성한다. 쇼트 데이터에는, 시료(101)면 상의 위치에 따라, 묘화용 멀티 빔(20)의 대응 빔이, 빔 ON인지 빔 OFF인지의 정보가 포함된다. 또한, 빔 ON의 경우의 조사 시간(조사량)의 정보가 포함된다. 생성된 쇼트 데이터는 편향 제어 회로(120)로 출력된다.
편향량 연산 공정(S104)으로서, 편향량 연산부(70)는, 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔을 빔 ON으로 할 때의 편향량 및 빔 OFF로 할 때의 편향량을 연산한다. 통상, 빔 ON으로 하려면 0V의 전압을 인가한다. 빔 OFF로 하려면, 빔이 제한 애퍼쳐(206)의 홀(50)로부터 이탈되는 위치까지 편향 가능한 전압 V1를 인가한다. 블랭킹용의 편향 방향은, x 방향이거나 y 방향이어도 상관없다.
멀티 빔을 형성 공정(S106)으로 하여, 상술한 수법으로, 묘화용 멀티 빔(20)을 형성함과 동시에, 측정용 멀티 빔(28)을 형성한다.
편향 공정(S108)으로서, 블랭킹 플레이트(204)에 배치된 복수의 블랭커를 이용하여, 묘화용 멀티 빔(20)과 측정용 멀티 빔(28) 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행한다. 그 때, 측정용 멀티 빔(28)에 대해서는, 상술한 바와 같이, 마크 부재(212) 상에 일부가 겹치도록 편향한다.
수속 공정(S110)으로서, 수속 렌즈(205)가, 개별 블랭킹 플레이트(204)를 통과한, 묘화용 멀티 빔(20)과 측정용 멀티 빔(28)을 크로스오버 위치를 향해 수속한다.
이상에 의해, 묘화용 멀티 빔(20) 중 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 홀(50)로부터 이탈된 위치에서 차폐하고, 빔 ON 상태가 되는 각 빔을 홀(50)로부터 통과시킨다.
동시에, 측정 공정(S112)으로서, 측정부(60)는, 복수의 마크 부재(212)를 이용하여, 상술한 수법을 이용하여 측정용 멀티 빔(28)의 위치를 측정한다. 측정 공정(S112)의 내부 공정으로서, 검출 공정(S114)에 있어서, 복수의 검출기(214)를 이용하여, 복수의 블랭커에 의해 편향되지 않고 통과한 측정용 멀티 빔(28)의 조사에 의해 각각 대응하는 마크 부재(212)로부터 방출되는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출한다. 그리고, 위치 연산 공정(S116)에 있어서, 측정부(60)는 검출 결과를 이용하여 측정용 멀티 빔(28)의 위치를 연산한다.
보정 공정(S118)으로서, 보정부(68)는, 측정된 측정용 멀티 빔(28)의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔(20)의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정한다. 구체적으로는, 이하와 같이 동작한다. 위치 이탈량 연산 공정(S120)에 있어서, 위치 이탈량 연산부(62)는, 측정된 측정용 멀티 빔(28)의 각 빔의 위치 정보를 입력하고, 설계 위치(빔 드리프트가 생기지 않은 위치)로부터의 위치 이탈량을 연산한다. 평균치 연산 공정(S122)에 있어서, 보정부(68)는, 측정용 멀티 빔(28)의 각 빔의 위치 이탈량을 입력하고, 측정된 측정용 멀티 빔(28)의 위치의 각 빔의 위치 이탈량의 평균치를 연산한다. 그리고, 보정 처리 공정(S124)에 있어서, 보정부(68)는, 평균치 데이터를 이용하여, 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔을 빔 ON으로 할 때의 편향량 데이터(편향 전압 데이터)를 보정한다. 편향량 데이터는, 편향 제어 회로(120)로 출력된다. 그리고, 편향량 연산부(70)는, 빔 ON으로 할 때의 편향량을 연산할 때에, 보정된 편향량 데이터에 따라 편향량(편향 전압)을 연산한다. 이에 의해, 빔 ON으로 할 때의 편향 전압이 보정된다. 위치 이탈량은, x 방향과 y 방향과의 데이터가 존재하므로, x 방향의 평균치와 y 방향의 평균치를 각각 이용하면 좋다. 편향 제어 회로(120)는, 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔용의 x 드라이버(31)에는, x 방향의 위치 이탈량의 평균치를 가산(오프셋)한 데이터를 출력한다. 편향 제어 회로(120)는, 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔용의 y 드라이버(29)에는, y 방향의 위치 이탈량의 평균치를 가산(오프셋)한 데이터를 출력한다.
보정치는, 상술한 평균치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 보정부(68)는, 측정된 측정용 멀티 빔(28)의 위치의 각 빔의 위치 이탈량을 이용하여, 선형 보간에 의해 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔의 위치에 따른 위치 이탈량을 각각 연산해도 좋다. 그리고, 묘화용 멀티 빔(20)의 빔마다, 각각 연산된 위치 이탈량을 보정하도록, 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔을 빔 ON으로 할 때의 편향량 데이터(편향 전압 데이터)를 보정해도 바람직하다. 그리고, 편향량 연산부(70)는, 빔 ON으로 할 때의 편향량을 연산할 때에, 보정된 편향량 데이터에 따라, 편향량(편향 전압)을 연산한다. 이에 의해, 묘화용 멀티 빔(20)의 빔마다, 개별적으로, 빔 ON으로 할 때의 편향 전압을 보정할 수 있다. 따라서, 평균치를 이용하는 경우보다, 드리프트 보정의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
오프셋 후의 편향 공정에서는, 쇼트하는 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔을 빔 ON 상태로 할 때에, 대응하는 블랭커는, 드리프트 위치가 보정된 위치에 묘화용 멀티 빔(20)의 각 빔을 편향한다.
측정용 멀티 빔은, 상시, 또는, 묘화용 멀티 빔(20)의 쇼트마다, 각 빔의 위치를 측정 가능하다. 따라서, 묘화 처리를 진행시킬 때에 리얼타임으로 빔 드리프트를 보정할 수 있다. 예를 들면, 묘화용 멀티 빔(20)의 쇼트마다 빔 드리프트를 보정할 수 있다.
도 10a~10c는, 실시예 1에 있어서의 묘화 동작을 설명하기 위한 개념도이다. 도 10a에 도시한 바와 같이, 시료(101)의 묘화 영역(30)은, 예를 들면, y 방향을 향해 소정의 폭으로 단책 형상의 복수의 스트라이프 영역(32)으로 가상 분할된다. 이러한 각 스트라이프 영역(32)은, 묘화 단위 영역이 된다. 우선, XY 스테이지(105)를 이동시켜, 첫번째의 스트라이프 영역(32)의 좌단, 또는 더 좌측의 위치에 1 회의 멀티 빔(20)의 조사로 조사 가능한 조사 영역(34)이 위치하도록 조정하여, 묘화가 개시된다. 첫번째의 스트라이프 영역(32)을 묘화하려면, XY 스테이지(105)를 예를 들면 -x 방향으로 이동시킴으로써, 상대적으로 x 방향으로 묘화를 진행시켜 나간다. XY 스테이지(105)는 소정의 속도로, 예를 들면 연속 이동시킨다. 첫번째의 스트라이프 영역(32)의 묘화 종료 후, 스테이지 위치를 -y 방향으로 이동시키고, 두번째의 스트라이프 영역(32)의 우단, 또는 더 우측의 위치에 조사 영역(34)이 상대적으로 y 방향에 위치하도록 조정하고, 이번에는, 도 10b에 도시한 바와 같이, XY 스테이지(105)를, 예를 들면 x 방향으로 이동시킴으로써, －x 방향을 향해 마찬가지로 묘화를 행한다. 세번째의 스트라이프 영역(32)에서는, x 방향을 향해 묘화하고, 네번째의 스트라이프 영역(32)에서는, －x 방향을 향해 묘화하는 것처럼 교대로 방향을 바꾸면서 묘화함으로써 묘화 시간을 단축할 수 있다. 단, 이러한 교대로 방향을 바꾸면서 묘화하는 경우에 한정하지 않고, 각 스트라이프 영역(32)을 묘화할 때, 같은 방향을 향해 묘화를 진행시키도록 해도 상관없다. 1 회의 쇼트에서는, 도 10c에 도시한 바와 같이, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 각 홀(22)을 통과하는 것에 의해 형성된 멀티 빔에 의해, 각 홀(22)과 같은 수의 복수의 쇼트 패턴(36)이 한 번에 형성된다. 예를 들면, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 하나의 홀 A를 통과한 빔은, 도 10c에 도시한 「A」의 위치에 조사되고, 그 위치에 쇼트 패턴(36)을 형성한다. 마찬가지로, 예를 들면, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 하나의 홀 B를 통과한 빔은, 도 10c에 도시한 「B」의 위치에 조사되고, 그 위치에 쇼트 패턴(36)을 형성한다. 이하, C~H에 대해서도 마찬가지이다. 그리고, 각 스트라이프(32)를 묘화할 때, x 방향을 향해 XY 스테이지(105)가 이동하는 중, 편향기(208)에 의해 y 방향 또는 x, y 방향으로 각 쇼트가 순서대로 이동(스캔)하도록 편향하고, 쇼트 빔을 연속하여 순서대로 조사해가는 라스터 스캔 방식으로 묘화한다.
상술한 예에서는, 측정용 멀티 빔을 이용한 빔 드리프트 보정을 리얼타임으로 실시하도록 설명했으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 스트라이프 영역(32)마다 보정하도록 해도 바람직하다. 또는, 복수의 시료(101)를 순서대로 묘화하는 경우에는, 시료마다 보정하도록 해도 바람직하다.
도 11은, 실시예 1에 있어서의 검출기의 다른 일례를 도시한 도면이다. 도 1에서는, 측정용 멀티 빔(28)이 마크 부재(212) 및 제한 애퍼쳐 부재(206)에 조사되었을 때에 생기는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출기(214)로 검출한 예를 설명했으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 11에 도시한 바와 같이, 마크 부재(212)의 하측에 파라디캅(213)을 배치해도 좋다. 파라디캅(213)은, 마크 부재(212)의 일부와 겹치도록 배치되면 바람직하다. 마크 부재(212)로 차폐되지 않은 측정용 멀티 빔(28)의 일부가 파라디캅(213)에 입사된다. 파라디캅(213)에 입사된 빔의 전류량을 측정함으로써, 전류량에 따른 빔 위치를 연산할 수 있다. 따라서, 파라디캅(213)에 입사된 전류량을 측정함으로써 빔 위치를 측정할 수 있다.
이상과 같이, 실시예 1에 의하면, 멀티 빔 묘화에 있어서의 멀티 빔의 성형 섹션에서의 드리프트 보정을 행할 수 있다. 그 결과, 빔 드리프트에 의해, 묘화용 멀티 빔(20)의 ON 빔의 일부가 제한 애퍼쳐 부재(206)에 의해 차폐되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 시료(101)면에 도달하는 빔의 도스량의 변화를 저감 또는 억제할 수 있다.
실시예 2
실시예 1에서는, 측정용 멀티 빔(28)의 위치를 크로스오버면 높이 위치 부근에서 측정하는 경우를 설명했으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 실시예 2에서는, 크로스오버 위치로 향하는 도중에, 측정용 멀티 빔(28)의 위치를 측정하는 경우에 대하여 설명한다.
도 12는, 실시예 2에 있어서의 묘화 장치의 구성을 도시한 개념도이다. 도 12에서, 복수의 마크 부재(212)가, 블랭킹 플레이트(204)와 제한 애퍼쳐 부재(206)와의 사이에 배치된 점, 복수의 마크 부재(212)를 지지하는 측정 플레이트(215)(지지 부재)가 배치된 점 이외에는, 도 1과 마찬가지이다. 또한, 이하, 특히 설명하는 점 이외의 내용은 실시예 1과 같다. 중앙부에 개구부가 형성된 1 개의 측정 플레이트(215)가 복수의 마크 부재(212)를 지지해도 좋고, 마크 부재(212)마다 측정 플레이트(215)를 배치해도 좋다. 또는, 복수의 마크 부재(212)를 복수의 그룹으로 나누어 그룹마다 측정 플레이트(215)를 배치해도 좋다.
도 12의 예에서는, 복수의 마크 부재(212)는, 수속 렌즈(205)와 제한 애퍼쳐 부재(206)와의 사이에 배치된다. 또한, 측정 플레이트(215) 상에는, 복수의 마크 부재(212)와 마크 부재(212)마다 배치된 복수의 검출기(214)가 배치된다. 실시예 2에서는, 도 12에 도시한 바와 같이, 측정용 멀티 빔(28)의 각 빔을, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커로 편향하지 않고 각각 통과시킨다. 그리고, 수속 렌즈(205)에 의해, 제한 애퍼쳐 부재(206)의 홀(50)에 크로스오버하도록 수속시킨다. 각 마크 부재(212)는, 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커로 편향되지 않고 각각 통과한 측정용 멀티 빔(28)의 대응 빔이 수속되어, 크로스오버 위치로 향하는 도중의 궤도 상에 배치된다. 이에 의해, 측정용 멀티 빔(28)에 대해서는 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커에서의 편향을 불필요하게 할 수 있다. 추가로 말하면, 측정용 멀티 빔(28)에 대해서는 블랭킹 플레이트(204)의 블랭커를 잃을 수도 있다.
또한, 복수의 마크 부재(212)는, 블랭킹 플레이트(204)와 수속 렌즈(205)와의 사이에 배치되어도 상관없다.
이러한 실시예 2에 의하면, 실시예 1과 마찬가지로, 멀티 빔 묘화에 있어서의 멀티 빔의 성형 섹션에서의 드리프트 보정을 행할 수 있다. 그 결과, 빔 드리프트에 의해, 묘화용 멀티 빔(20)의 ON 빔의 일부가 제한 애퍼쳐 부재(206)에 의해 차폐되어 버리는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 시료(101)면에 도달하는 빔의 도스량의 변화를 저감 또는 억제할 수 있다.
여기서, 측정용 멀티 빔(28)의 각 빔은, 성형 애퍼쳐 부재(203)의 홀(23)에서 직사각형으로 성형한 경우에도, 크로스오버면 높이 위치에서는, 각 빔이 원형 형상이 된다. 이에 대해, 도 12에 도시한 바와 같이, 수속 도중에는, 각 빔을 직사각형에 가까운 형상으로 유지할 수 있다. 따라서, 실시예 2에서는, 직사각형 빔을 이용하여 위치를 측정할 수 있다. 그 결과, 원형 모양의 빔으로 위치를 측정하는 것보다도 용이하게 위치를 특정(연산)할 수 있다.
이상, 구체적인 예를 참조하면서 실시예에 대하여 설명했다. 그러나, 본 발명은, 이러한 구체적인 예로 한정되는 것은 아니다. 상술한 라스터 스캔 동작은 일례이며, 멀티 빔을 이용한 라스터 스캔 동작은 그 밖의 동작 방법이어도 좋다. 또한, 상술한 예에서는, BAA 부재(211)에 의해, 성형 애퍼쳐 부재(204)와 블랭킹 플레이트(204)를 일체 구조로 하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 성형 애퍼쳐 부재(204)와 블랭킹 플레이트(204)가 각각 떨어져서 배치되어도 좋다.
또한, 장치 구성 또는 제어 수법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략했으나, 필요시되는 장치 구성 또는 제어 수법을 적의 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들면, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는, 기재를 생략했으나, 필요시되는 제어부 구성을 적의 선택하여 이용하는 것은 말할 필요도 없다.
그 밖에, 본 발명의 요소를 구비하여, 당업자가 적의 설계 변경할 수 있는 모든 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 방법은, 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명의 몇 가지의 실시예를 설명했으나, 이들 실시예는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시예는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않은 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시예 또는 그 변형은, 발명의 범위 또는 요지에 포함됨과 동시에, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

Claims (17)

  1. 하전 입자 빔을 방출하는 방출부와,
    묘화용의 복수의 제1 개구부와 복수의 제1 개구부의 주위에 비묘화용의 복수의 제2 개구부가 형성되고, 상기 복수의 제1 및 제2 개구부 전체가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 묘화용 멀티 빔을 형성하고, 또한, 상기 복수의 제2 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 측정용 멀티 빔을 형성하는 빔 성형 부재와,
    상기 빔 성형 부재의 상기 복수의 제1 및 제2 개구부를 통과한 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와,
    상기 블랭킹 플레이트를 통과한, 상기 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔을 수속(收束)하는 수속 렌즈와,
    상기 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔이 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치되고, 제한 개구부가 형성되고, 상기 묘화용 멀티 빔 중 상기 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 상기 제한 개구부로부터 이탈된 위치에서 차폐하고, 빔 ON 상태가 되는 각 빔을 제한 개구부로부터 통과시키는 블랭킹 애퍼쳐 부재와,
    크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치된 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에, 또는, 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에, 배치된 복수의 마크 부재와,
    상기 복수의 마크 부재를 이용하여, 상기 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 측정부와,
    측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 상기 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정하는 보정부
    를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보정부는, 측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 각 빔의 위치 이탈량의 평균치를 이용하여, 상기 전압을 보정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보정부는, 측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 각 빔의 위치 이탈량을 이용하여, 선형 보간에 의해 상기 묘화용 멀티 빔의 각 빔의 위치에 따른 위치 이탈량을 각각 연산하여, 상기 묘화용 멀티 빔의 빔마다, 각각 연산된 위치 이탈량을 보정하도록 상기 전압을 개별적으로 보정하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 블랭커는, 비평행의 두 방향으로, 각각 대응하는 빔을 편향 가능하게 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 측정부는, 복수의 파라디캅을 가지고,
    상기 복수의 파라디캅은, 상기 복수의 마크 부재 하에 배치된 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 마크 부재 중, 각각 대응하는 마크 부재로부터 방출되는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출하는 복수의 검출기를 더 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에 배치되는 경우, 상기 복수의 검출기의 각 검출기와 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와의 사이의 공간을 대응하는 마크 부재를 내측으로 하여 주위가 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에 배치되는 경우, 상기 복수의 마크 부재를 지지하는 지지 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에 배치되는 경우, 상기 복수의 마크 부재 중, 각각 대응하는 마크 부재를 지지하는 복수의 지지 부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에 배치되는 경우, 상기 복수의 검출기는, 상기 복수의 블랭커에 의해 편향된 상기 측정용 멀티 빔의 조사에 의해 각각 대응하는 마크 부재로부터 방출되는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에 배치되는 경우, 상기 복수의 검출기는, 상기 복수의 블랭커에 의해 편향되지 않고 통과한 상기 측정용 멀티 빔의 조사에 의해 각각 대응하는 마크 부재로부터 방출되는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 하전 입자 빔을 방출하는 단계와,
    묘화용의 복수의 제1 개구부와 상기 복수의 제1 개구부의 주위에 비묘화용의 복수의 제2 개구부가 형성된 빔 성형 부재를 이용하여, 상기 복수의 제1 및 제2 개구부 전체가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 묘화용 멀티 빔을 형성하고, 또한, 상기 복수의 제2 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 측정용 멀티 빔을 형성하는 단계와,
    블랭킹 플레이트에 배치된 복수의 블랭커를 이용하여, 상기 빔 성형 부재의 상기 복수의 제1 및 제2 개구부를 통과한 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 단계와,
    상기 블랭킹 플레이트를 통과한, 상기 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔을 수속하는 단계와,
    상기 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔이 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치되고, 제한 개구부가 형성된 블랭킹 애퍼쳐 부재를 이용하여, 상기 묘화용 멀티 빔 중 상기 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 상기 제한 개구부로부터 이탈된 위치에서 차폐하고, 빔 ON 상태가 되는 각 빔을 상기 제한 개구부로부터 통과시키는 단계와,
    상기 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치된 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에, 또는, 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에, 배치된 복수의 마크 부재를 이용하여, 상기 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 단계와,
    측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 상기 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 각 빔의 위치 이탈량의 평균치를 이용하여, 상기 전압이 보정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 각 빔의 위치 이탈량을 이용하여, 선형 보간에 의해 상기 묘화용 멀티 빔의 각 빔의 위치에 따른 위치 이탈량을 각각 연산하는 단계를 더 가지고,
    상기 묘화용 멀티 빔의 빔마다, 각각 연산된 위치 이탈량을 보정하도록 상기 전압이 개별적으로 보정되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 단계는,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에 배치되는 경우, 복수의 검출기를 이용하여, 상기 복수의 블랭커에 의해 편향된 상기 측정용 멀티 빔의 조사에 의해 각각 대응하는 마크 부재로부터 방출되는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 단계는,
    상기 복수의 마크 부재가 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에 배치되는 경우, 복수의 검출기를 이용하여, 상기 복수의 블랭커에 의해 편향되지 않고 통과한 상기 측정용 멀티 빔의 조사에 의해 각각 대응하는 마크 부재로부터 방출되는 반사 전자 또는 2 차 전자를 검출하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 하전 입자 빔을 방출하는 방출 수단과,
    묘화용의 복수의 제1 개구부와 상기 복수의 제1 개구부의 주위에 비묘화용의 복수의 제2 개구부가 형성되고, 상기 복수의 제1 및 제2 개구부 전체가 포함되는 영역에 상기 하전 입자 빔의 조사를 받고, 상기 복수의 제1 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 묘화용 멀티 빔을 형성하고, 또한, 상기 복수의 제2 개구부를 상기 하전 입자 빔의 일부가 각각 통과함으로써 측정용 멀티 빔을 형성하는 빔 형성 부재와,
    상기 빔 형성 부재의 상기 복수의 제1 및 제2 개구부를 통과한 묘화용 멀티 빔과 측정용 멀티 빔 중, 각각 대응하는 빔의 블랭킹 편향을 행하는 복수의 블랭커가 배치된 블랭킹 플레이트와,
    상기 블랭킹 플레이트를 통과한, 상기 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔을 수속하는 수속 수단과,
    상기 묘화용 멀티 빔과 상기 측정용 멀티 빔이 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치되고, 제한 개구부가 형성된 상기 묘화용 멀티 빔 중 상기 복수의 블랭커에 의해 빔 OFF 상태가 되도록 편향된 각 빔을 상기 제한 개구부로부터 이탈된 위치에서 차폐하고, 빔 ON 상태가 되는 각 빔을 상기 제한 개구부로부터 통과시키는 블랭킹 애퍼쳐 부재와,
    상기 크로스오버를 형성하는 높이 위치 부근에 배치된 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재 상에, 또는, 상기 블랭킹 애퍼쳐 부재와 상기 블랭킹 플레이트와의 사이에, 배치된 복수의 마크 부재와,
    상기 복수의 마크 부재를 이용하여, 상기 측정용 멀티 빔의 위치를 측정하는 측정 수단과,
    측정된 상기 측정용 멀티 빔의 위치의 위치 이탈량을 보정하도록, 상기 복수의 블랭커 중 묘화용 멀티 빔의 블랭킹 편향을 행하는 각 블랭커에 인가하는 빔 ON 상태로 하기 위한 전압을 보정하는 보정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190030170A (ko) * 2017-09-13 2019-03-21 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 장치 및 블랭킹 회로의 고장 진단 방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016199738A1 (ja) * 2015-06-08 2016-12-15 株式会社ニコン 荷電粒子ビーム露光装置及びデバイス製造方法
KR102333285B1 (ko) 2015-08-20 2021-11-30 삼성전자주식회사 노광 장치
JP2017073461A (ja) * 2015-10-07 2017-04-13 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6593090B2 (ja) * 2015-10-20 2019-10-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 支持ケース及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6589597B2 (ja) * 2015-11-25 2019-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2017107959A (ja) 2015-12-09 2017-06-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム装置及びマルチ荷電粒子ビーム像の形状調整方法
JP2017126674A (ja) 2016-01-14 2017-07-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US9666405B1 (en) * 2016-02-18 2017-05-30 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH System for imaging a signal charged particle beam, method for imaging a signal charged particle beam, and charged particle beam device
JP6808986B2 (ja) * 2016-06-09 2021-01-06 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法
US10157723B2 (en) * 2016-08-03 2018-12-18 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and method of adjusting the same
JP6851181B2 (ja) * 2016-11-09 2021-03-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム光学系の調整方法
JP6772962B2 (ja) * 2017-06-02 2020-10-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6957998B2 (ja) * 2017-06-07 2021-11-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム調整方法
JP6791051B2 (ja) * 2017-07-28 2020-11-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR102401179B1 (ko) * 2017-12-12 2022-05-24 삼성전자주식회사 전자빔 장치의 어퍼처 시스템, 전자빔 노광 장치 및 전자빔 노광 장치 시스템
JP6930431B2 (ja) * 2018-01-10 2021-09-01 株式会社ニューフレアテクノロジー アパーチャのアライメント方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7189729B2 (ja) 2018-10-30 2022-12-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7189794B2 (ja) * 2019-02-12 2022-12-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR20210032139A (ko) * 2019-09-16 2021-03-24 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661015B2 (en) 2000-09-15 2003-12-09 Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh Pattern lock system
JP4756776B2 (ja) * 2001-05-25 2011-08-24 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法
JP4459524B2 (ja) * 2002-11-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、デバイス製造方法
JP4477434B2 (ja) * 2004-06-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP4181533B2 (ja) * 2004-09-09 2008-11-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム描画装置
GB2435348B (en) 2004-11-17 2009-06-24 Ims Nanofabrication Ag Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus
JP5031345B2 (ja) * 2006-12-06 2012-09-19 キヤノン株式会社 マルチ荷電粒子線装置およびデバイス製造方法
NL2006868C2 (en) * 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
JP5826566B2 (ja) * 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5859778B2 (ja) * 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5977941B2 (ja) * 2011-12-19 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5848135B2 (ja) * 2012-01-10 2016-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190030170A (ko) * 2017-09-13 2019-03-21 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 장치 및 블랭킹 회로의 고장 진단 방법
KR102137680B1 (ko) * 2017-09-13 2020-07-24 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 장치 및 블랭킹 회로의 고장 진단 방법

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