KR20160033038A - 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 패턴이 형성된 패턴 영역을 갖는 몰드에 의해 기판의 샷 영역 상에 공급되는 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법이며, 상기 패턴 영역의 형상 및 상기 샷 영역의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보에 기초하여 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역 중 하나 이상의 영역의 변형을 행하는 변형 공정과, 상기 변형에 의한 마크의 이동량을 추정하는 추정 공정으로서, 상기 마크는 상기 하나 이상의 영역에서 제공되는 추정 공정과, 상기 패턴 영역의 마크 및 상기 샷 영역의 마크의 위치의 검출 결과와 상기 이동량에 기초하여, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 간의 중첩을 행하는 중첩 공정을 포함하는 임프린트 방법을 제공한다.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
기판 상에 공급되는 임프린트재를 몰드를 사용해서 성형하는 임프린트 장치가, 반도체 디바이스, 자기 기억 매체 등의 양산용 리소그래피 장치의 하나로서 주목받고 있다. 임프린트 장치에서는, 몰드 상의 패턴 영역과 기판 상의 샷 영역을 고정밀도로 중첩시키는 것이 요구되고 있다. 일본 특허 공개 제2013-102132호 공보에는, 몰드에 힘을 가해서 패턴 영역을 변형시키는 것과, 기판을 가열해서 샷 영역을 변형시키는 것을 병용함으로써, 패턴 영역과 샷 영역을 고정밀도로 중첩시키는 방법이 제안되고 있다.
임프린트 장치에서는, 예를 들어 패턴 영역의 형상 및 샷 영역의 형상을 나타내는 정보에 기초하여 패턴 영역 및 샷 영역을 변형하고, 그 후에 패턴 영역의 마크 및 샷 영역의 마크의 위치의 검출 결과에 기초하여 패턴 영역과 샷 영역의 중첩을 행한다. 이러한 임프린트 장치에서는, 패턴 영역 및 샷 영역의 변형을 행했을 때에, 당해 변형에 의한 패턴 영역의 마크의 위치의 이동량과 샷 영역의 마크의 위치의 이동량이 서로 상이한 경우가 있다. 이 경우, 그것들의 이동량을 고려하지 않고, 패턴 영역의 마크와 샷 영역의 마크가 일치하도록 중첩을 행하면, 패턴 영역과 샷 영역을 고정밀도로 중첩하는 것이 곤란해질 수 있다.
일본 특허 공개 제2013-102132호 공보
본 발명은, 예를 들어 몰드 상의 패턴 영역과 기판 상의 샷 영역을 고정밀도로 중첩시키는 데에 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 패턴이 형성된 패턴 영역을 갖는 몰드에 의해 기판의 샷 영역 상에 공급되는 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법이며, 상기 패턴 영역의 형상 및 상기 샷 영역의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 패턴 영역의 형상과 상기 샷 영역의 형상이 서로 근접하도록, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역 중 하나 이상의 영역의 변형을 행하는 변형 공정과, 상기 변형에 의한 마크의 이동량을 추정하는 추정 공정으로서, 상기 마크는 상기 변형 공정에서 변형된 상기 하나 이상의 영역에서 제공되는 추정 공정과, 상기 변형 공정에서 상기 하나 이상의 영역이 변형된 상태에서, 상기 패턴 영역의 마크 및 상기 샷 영역의 마크의 위치의 검출 결과와 상기 이동량에 기초하여, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 간의 중첩을 행하는 중첩 공정을 포함하는 임프린트 방법이 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참조하여 아래의 예시적인 실시 형태의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치를 도시하는 도면.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치에서의 얼라인먼트의 흐름을 나타내는 흐름도.
도 3a는 패턴 영역의 형상과 샷 영역의 형상을 도시하는 도면.
도 3b는 패턴 영역의 형상과 샷 영역의 형상을 서로 접근시켰을 때의 패턴 영역의 형상과 샷 영역의 형상을 도시하는 도면.
도 4a는 패턴 영역의 네 코너의 마크와 샷 영역의 네 코너의 마크 간에 위치 어긋남이 발생한 상태를 도시하는 도면.
도 4b는 패턴 영역과 샷 영역의 중첩을 설명하기 위한 도면.
본 발명의 예시적인 실시 형태를 첨부 도면을 참조하여 아래에서 설명할 것이다. 또한, 도면에서 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타내며, 그 반복적인 설명은 생략한다.
<제1 실시 형태>
본 발명의 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치(1)에 대해서 도 1을 참조하면서 설명한다. 임프린트 장치(1)는 반도체 디바이스 등의 제조에 사용된다. 임프린트 장치(1)는 패턴이 형성된 패턴 영역을 갖는 몰드(7)를 사용해서 기판 상의 임프린트재(14)를 성형하는 임프린트 처리를 행한다. 예를 들어, 임프린트 장치(1)는 몰드(7)와 기판 상의 임프린트재(14)(수지)를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재(14)를 경화시킨다. 그리고, 임프린트 장치(1)는 몰드(7)와 기판(11) 간의 간격을 넓히고, 경화된 임프린트재(14)로부터 몰드(7)를 박리(이형)함으로써, 임프린트재(14)로 구성된 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다. 임프린트재를 경화하는 방법에는, 열을 사용하는 열 사이클법과 광을 사용하는 광경화법이 있다. 제1 실시 형태에서는, 광경화법을 채용한 예에 대해서 설명한다. 광경화법은 임프린트재로서 미경화의 자외선 경화 수지를 기판 상에 공급하고, 몰드와 수지를 서로 접촉시킨 상태에서 임프린트재에 자외선을 조사함으로써, 당해 임프린트재를 경화시키는 방법이다.
[장치 구성]
도 1은 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치(1)를 도시하는 도면이다. 임프린트 장치(1)는, 예를 들어 몰드(7)를 보유 지지하는 몰드 보유 지지 유닛(3)과, 기판(11)을 보유 지지하는 기판 스테이지(4)와, 조사 유닛(2)과, 검출 유닛(22)과, 공급 유닛(5)을 포함할 수 있다. 몰드 보유 지지 유닛(3)은 베이스 정반(24)에 의해 지주(26)를 개재해서 지지된 브리지 정반(25)에 고정되어 있다. 기판 스테이지(4)는 베이스 정반(24) 위를 이동가능하게 구성된다. 임프린트 장치(1)에는, CPU 및 메모리를 포함하고, 임프린트 처리를 제어하는(임프린트 장치(1)의 각 유닛을 제어하는) 제어 유닛(6)이 포함된다. 임프린트 처리는 제어 유닛(6)의 메모리에 저장되어 있는 프로그램을 실행함으로써 실시된다.
몰드(7)는 통상, 석영 등 자외선을 통과시키는 것이 가능한 재료로 제작된다. 기판 측의 면 상의 일부의 영역(패턴 영역(7a))에는, 기판(11) 상의 임프린트재(14)를 성형하기 위한 3차원 패턴이 형성된다. 기판(11)은, 예를 들어 단결정 실리콘 기판 또는 SOI(Silicon On Insulator) 기판이다. 기판(11)의 상면(피처리면)에는, 공급 유닛(5)에 의해 임프린트재(14)(자외선 경화 수지)가 공급된다.
몰드 보유 지지 유닛(3)은 진공 흡착력, 정전기력 등에 의해 몰드(7)를 보유 지지하는 몰드 척(15)과, 몰드 척(15)을 Z 방향으로 구동하는 몰드 구동 유닛(16)을 포함한다. 몰드 척(15) 및 몰드 구동 유닛(16)은 그들의 중심부(내측)에 개구 영역(17)을 갖고 있으며, 조사 유닛(2)으로부터 사출된 광이 몰드(7)를 통과해서 기판(11)에 조사되도록 구성된다. 여기서, 몰드 상의 패턴 영역(7a)은, 예를 들어 직사각형 형상을 갖는다. 그러나, 패텬 영역(7a)은, 제조 오차, 열 변형 등에 의해, 배율 성분이나 사다리꼴 성분 등의 변형 성분을 포함하는 경우가 있다. 이를 상쇄시키기 위해, 몰드 보유 지지 유닛(3)은, 몰드(7)의 측면 상의 복수의 개소에 힘을 가하여 패턴 영역(7a)을 변형시키는 가압 유닛(18)을 포함하고 있다. 전술한 바와 같이, 가압 유닛(18)에 의해 몰드(7)의 측면 상의 복수의 개소에 힘을 가함으로써, 패턴 영역(7a) 내의 변형 성분을 보정하고, 몰드(7)의 패턴 영역(7a)을 원하는 형상으로 변형할 수 있다. 가압 유닛(18)은 압전 액추에이터 등의 액추에이터를 복수 포함할 수 있다.
몰드 구동 유닛(16)은 리니어 모터 또는 에어 실린더 등의 액추에이터를 포함하고, 몰드(7)를 기판 상의 임프린트재(14)에 접촉시키거나, 몰드를 기판 상의 임프린트재(14)로부터 박리시키도록 몰드 척(15)(몰드(7))을 Z 방향으로 구동한다. 몰드 구동 유닛(16)은, 몰드(7)와 기판 상의 임프린트재(14)를 서로 접촉시킬 때는 고정밀도의 위치 결정이 요구되기 때문에, 조동 구동계 및 미동 구동계 등의 복수의 구동계에 의해 몰드 구동 유닛(16)이 구성되어도 된다. 몰드 구동 유닛(16)은, 예를 들어 몰드(7)의 Z 방향의 구동뿐만 아니라, X, Y 방향 및 θ 방향(Z축 둘레의 회전 방향)에서의 몰드(7)의 위치를 조정하는 위치 조정 기능과, 몰드(7)의 기울기를 보정하는 틸트 기능 등을 갖고 있어도 된다. 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치(1)에서는, 몰드 구동 유닛(16)이 몰드(7)와 기판(11) 사이의 거리를 바꾸는 동작을 행한다. 그러나, 기판 스테이지(4)의 스테이지 구동 유닛(20)이 이 동작을 행해도 되고, 스테이지 구동 유닛(20)과 몰드 구동 유닛(16) 양자 모두가 이 동작을 행해도 된다.
기판 스테이지(4)는 기판 보유 지지 유닛(19)과 스테이지 구동 유닛(20)을 포함하고, 기판(11)을 X 방향 및 Y 방향으로 구동한다. 기판 보유 지지 유닛(19)은 진공 흡착력이나 정전기력 등의 보유 지지력에 의해 기판(11)을 보유 지지한다. 스테이지 구동 유닛(20)은 기판 보유 지지 유닛(19)을 기계적으로 보유 지지함과 함께, 기판 보유 지지 유닛(19)(기판(11))을 X 방향 및 Y 방향으로 구동한다. 스테이지 구동 유닛(20)은, 예를 들어 리니어 모터를 사용하고, 조동 구동계 및 미동 구동계 등의 복수의 구동계에 의해 구성되어도 된다. 스테이지 구동 유닛(20)은, 예를 들어 기판(11)을 Z 방향으로 구동하는 구동 기능, 기판(11)을 θ 방향으로 회전 및 구동해서 기판(11)의 위치를 조정하는 위치 조정 기능 및 기판(11)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능을 갖고 있어도 된다.
기판 스테이지(4)의 위치는, 위치 계측 유닛(40)에 의해 계측된다. 위치 계측 유닛(40)은, 예를 들어 레이저 간섭계나 인코더 등을 포함하고, 기판 스테이지(4)의 위치를 계측한다. 여기에서는, 위치 계측 유닛(40)이 레이저 간섭계를 포함하는 예에 대해서 설명한다. 레이저 간섭계는 레이저 빔을 기판 스테이지(4)(예를 들어 기판 보유 지지 유닛(19))의 측면에 제공되는 반사판에 조사하고, 반사판에 의해 반사된 레이저 빔에 기초하여 기판 스테이지(4) 상의 기준 위치로부터의 변위를 검출한다. 위치 계측 유닛(40)은, 레이저 간섭계에 의해 검출된 변위에 기초하여 기판 스테이지(4)의 현재 위치를 계측할 수 있다.
각 검출 유닛(22)은, 패턴 영역(7a)에 제공된 마크(얼라인먼트 마크) 및 샷 영역(12)에 제공된 마크(얼라인먼트 마크)의 위치를 검출한다. 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12)을 고정밀도로 중첩시키기 위해서는, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 각각 제공된 마크를 가능한 한 많이 검출하는 것이 바람직하다. 그로 인해, 임프린트 장치(1)에서 스루풋을 저하시키지 않으면서 다수의 마크를 동시에 검출하기 위해서는, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 제공된 마크를 검출하는 다수의 검출 유닛(22)을 제공할 필요가 있다. 그러나, 임프린트 장치(1)가 다수의 검출 유닛(22)을 포함하면 장치 구성이 복잡화하고, 장치 비용도 증가할 수 있다. 그로 인해, 임프린트 장치(1)는 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 각각 제공된 복수의 마크 중 몇 가지의 마크만을 동시에 검출할 수 있는 수(제2 개수)의 검출 유닛(22)을 포함한다. 제1 실시 형태에서는, 예를 들어 패턴 영역(7a)의 네 코너 및 샷 영역(12)의 네 코너에 각각 제공된 마크를 동시에 검출할 수 있도록, 4개의 검출 유닛(22)이 임프린트 장치(1)에 포함된다.
기판 상의 샷 영역(12)은, 예를 들어 직사각형 형상을 갖는다. 그러나, 샷 영역(12)은, 예를 들어 일련의 반도체 디바이스의 제조 공정의 영향에 의해, 배율 성분이나 사다리꼴 성분 등의 변형 성분을 포함하는 경우가 있다. 이 경우, 몰드 상의 패턴 영역(7a)과 기판 상의 샷 영역(12)을 고정밀도로 중첩시키기 위해서는, 가압 유닛(18)에 의해 패턴 영역(7a)뿐만 아니라 샷 영역(12)도 변형시키는 것이 바람직하다. 그로 인해, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)는, 후술하는 바와 같이, 기판(11)을 가열함으로써 샷 영역(12)을 변형시키는 가열 유닛(50)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 실시 형태에서는, 가압 유닛(18) 및 가열 유닛(50) 중 하나 이상이 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상을 변형시키는 변형 유닛으로서 사용될 수 있다.
조사 유닛(2)은, 기판 상의 임프린트재(14)에 광을 조사함으로써 당해 임프린트재(14)를 경화시키는 경화 유닛(9)과, 기판(11)에 광을 조사함으로써 샷 영역(12)을 변형시키는 가열 유닛(50)을 포함할 수 있다. 조사 유닛(2)은, 경화 유닛(9)에 의해 사출된 광과 가열 유닛(50)로부터 사출된 광을 기판 상에 유도하는 광학 부재(10)를 포함할 수도 있다. 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 경화 유닛(9)과 가열 유닛(50)이 1개의 유닛으로서 구성된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 별도의 유닛으로서 구성되어도 된다. 경화 유닛(9)은 기판 상의 임프린트재(14)를 경화시키는 광(자외선)을 사출하는 광원과, 당해 광원에 의해 사출된 광을 임프린트 처리에서 적절한 광으로 정형하는 광학계를 포함할 수 있다. 가열 유닛(50)은 기판 상에 공급되는 임프린트재(14)를 경화시키지 않고서 기판(11)의 가열에 적합한 특정 파장을 갖는 광을 사출하는 광원과, 당해 광원에 의해 사출된 광의 강도를 조정하기 위한 광 조정 유닛을 포함할 수 있다. 가열 유닛(50)의 광 조정 유닛은 샷 영역(12)에서의 온도 분포가 원하는 온도 분포가 되도록, 기판(11)에 조사되는 광의 강도를 조정한다. 가열 유닛(50)의 광 조정 유닛으로서는, 예를 들어 액정 장치나 디지털 미러 디바이스(DMD)가 채용될 수 있다.
[임프린트 처리]
이어서, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 제어 유닛(6)은 몰드(7)의 패턴을 전사해야 할 기판 상의 샷 영역(12)이 공급 유닛(5) 아래에 배치되도록 기판 스테이지(4)를 제어한다. 샷 영역(12)이 공급 유닛(5) 아래에 배치되면, 제어 유닛(6)은 샷 영역(12)에 임프린트재(14)를 공급하도록 공급 유닛(5)을 제어한다. 제어 유닛(6)은, 샷 영역(12)에 임프린트재(14)가 공급된 후, 몰드 상의 패턴 영역(7a) 아래에 샷 영역(12)이 배치되도록 기판 스테이지(4)를 제어한다. 제어 유닛(6)은, 몰드 상의 패턴 영역(7a) 아래에 샷 영역(12)이 배치되면, 몰드(7)를 -Z 방향으로 구동시키도록 몰드 구동 유닛(16)을 제어하고, 몰드(7)와 기판 상의 임프린트재(14)를 서로 접촉시킨다(압형 공정). 그리고, 제어 유닛(6)은, 몰드(7)와 기판 상의 임프린트재(14)를 서로 접촉시킨 상태에서 미리 정해진 시간을 경과시킨다. 이에 의해, 기판 상의 임프린트재(14)를 몰드(7)의 패턴에 완전하게 충전할 수 있다.
제어 유닛(6)은, 몰드(7)와 기판 상의 임프린트재(14)를 서로 접촉시킨 상태에서, 몰드(7)의 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 X, Y 방향에서의 얼라인먼트를 행한다. 얼라인먼트는, 패턴 영역(7a)의 형상과 샷 영역(12)의 형상이 서로 근접하도록 패턴 영역 및 샷 영역을 변형시키는 "변형 공정"과, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12)을 중첩시키는 "중첩 공정"을 포함할 수 있다. 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 얼라인먼트의 상세에 대해서는 후술한다. 제어 유닛(6)은, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 얼라인먼트를 행한 후, 기판 상의 임프린트재(14)에 몰드(7)를 개재해서 광(자외선)을 조사하도록 경화 유닛(9)을 제어한다. 그리고, 제어 유닛(6)은 몰드(7)를 +Z 방향으로 구동시키도록 몰드 구동 유닛(16)을 제어하고, 광의 조사에 의해 경화된 기판 상의 임프린트재(14)로부터 몰드(7)를 박리한다(박리 공정). 이에 의해, 기판 상의 임프린트재(14)를 몰드(7)를 사용해서 성형하고, 임프린트재(14)로 구성된 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다. 이러한 임프린트 처리는 기판 상의 복수의 샷 영역(12)의 각각에 대해서 행하여진다.
[얼라인먼트]
이어서, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서의 얼라인먼트에 대해서 설명한다. 임프린트 장치(1)에서는, 예를 들어 사전에 취득된 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보에 기초하여, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상이 변형된다. 이와 같이, 당해 정보에 기초하여 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상의 영역이 변형되면, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 사이에서 상대적인 위치 어긋남이 발생할 수 있다. 이에 대처하기 위해, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서의 얼라인먼트에서는, 당해 정보에 기초하여 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상을 영역시키는 "변형 공정" 외에, "중첩 공정"이 행하여진다. 중첩 공정에서는, 변형 공정에서 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상의 영역이 변형된 상태에서, 각 검출 유닛(22)에 의한 검출의 결과에 기초하여, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12)의 상대적인 위치 및 형상이 보정된다.
변형 공정은, 패턴 영역(7a) 또는 샷 영역(12)에 포함되는 활형 성분이나 통형 성분 등의 고차원의 성분이 보정되도록, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상의 영역을 변형시키는 공정이다. 그로 인해, 변형 공정은, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 제공된 복수의 마크 중 가능한 한 많은 마크를 검출함으로써 얻어진 정보에 기초해서 행하여지는 것이 바람직하다. 제1 실시 형태에서, 당해 정보는 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 각각 제공된 복수의 마크 중 제1 개수(예를 들어, 9개)의 마크를 검출함으로써 얻어진다.
한편, 중첩 공정은, 각 검출 유닛(22)에 의한 검출 결과에 기초하여, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 시프트 보정이나 배율 보정 등의 저차원의 성분이 보정되도록, 그들을 중첩시키는 공정이다. 당해 중첩 공정은, 변형 공정에서 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 변형이 이루어진 상태에서 행하여 질 수 있다. 즉, 중첩 공정은, 저차원의 성분만을 보정하기 때문에 변형 공정에서 사용되는 정보를 얻기 위해서 검출되는 마크의 수보다 적은 수의 마크를 사용해서 행하여 질 수 있다. 제1 실시 형태에서는, 중첩 공정에서, 직사각형 형상을 갖는 패턴 영역의 네 코너 및 직사각형 형상을 갖는 샷 영역의 네 코너에 배치된, 제1 개수보다 적은 제2 개수(4개)의 마크가 4개의 검출 유닛(22)에 의해 검출된다. 이와 같이, 중첩 공정에서는 저차원의 성분만을 보정한다. 따라서, 검출 유닛(22)의 수를 저감하고, 장치 구성의 복잡화나, 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
이하에, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)의 얼라인먼트에 대해서, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)의 얼라인먼트의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
공정 S101에서는, 제어 유닛(6)은 몰드 상의 패턴 영역(7a)의 형상 및 기판 상의 샷 영역(12)의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보(이하, 형상 정보)를 취득한다. 형상 정보를 얻기 위해서는, 상술한 바와 같이, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 제공된 복수의 마크 중 제1 개수(9개)의 마크를 검출할 필요가 있다. 그러나, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서는, 장치 구성의 복잡화 및 스루풋의 저하를 억제하기 위해서, 검출 유닛(22)의 수를 제1 개수보다 적은 4개(제2 개수)로 하고 있다. 그로 인해, 임프린트 처리를 개시하기 전에, 임프린트 장치(1)의 외부 계측 장치에서 제1 개수의 마크를 검출하고, 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상 중 하나 이상을 형상 정보로 해서 구해 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제어 유닛(6)은 당해 외부의 계측 장치로부터 형상 정보를 취득하고, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 형상 차를 고차원의 성분이 포함되도록 구할 수 있다.
도 3a는, 패턴 영역(7a)의 형상과 샷 영역(12)의 형상을 도시하는 도면이다. 도 3a에서, 실선(30)은 샷 영역(12)의 형상을 나타내고, 파선(31)은 패턴 영역(7a)의 형상을 나타내고 있다. 그들의 형상은 샷 영역(12)에 제공된 9개의 마크(30a) 및 패턴 영역(7a)에 제공된 9개의 마크(31a)로부터 각각 얻어진다. 도 3a에서는, 설명을 간단하게 하기 위해서, 실선(30)으로 나타내는 샷 영역(12)의 형상을 이상적인 형상(직사각형 형상)으로 하고 있다. 그러나, 실제로는 샷 영역(12)에도 고차원의 성분 또는 저차원의 성분을 포함하는 변형이 발생하는 경우가 있다. 즉, 도 3a에서는, 예를 들어 실선(30)이 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 목표 형상 차를 나타내고, 파선(31)이 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 실제의 형상 차를 나타낸다고 생각할 수도 있다.
제1 실시 형태에서는, 형상 정보로서의 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상을, 임프린트 장치의 외부 계측 장치에 의해 구했다. 그러나, 본 발명이 이것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 임프린트 장치(1) 내에서 4개의 검출 유닛(22)에 의한 마크 위치의 검출과 기판 스테이지(4)의 이동을 반복함으로써 제1 개수의 마크의 위치를 검출하여, 형상 정보로서의 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상을 구해도 된다.
공정 S102에서는, 제어 유닛(6)은, 공정 S101에서 취득한 형상 정보에 기초하여, 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상이 서로 근접하도록, 변형 유닛(가압 유닛 및 가열 유닛)을 구동하기 위한 구동량을 결정한다. 즉, 제어 유닛(6)은 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 형상 차가 목표 형상 차에 근접하도록, 변형 유닛의 구동량을 결정한다. 결정된 구동량은 나중의 변형 공정(공정 S105)에서 사용된다. 변형 공정에서는, 고차원의 성분을 보정하기 위해서, 기판(11)을 가열해서 샷 영역(12)을 변형하는 가열 유닛(50)과, 몰드(7)에 힘을 가해서 패턴 영역(7a)를 변형하는 가압 유닛(18)를 병용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 제어 유닛(6)은 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 형상 차가 목표 형상 차에 근접하도록, 가압 유닛(18)을 구동하기 위한 구동량과, 가열 유닛(50)을 구동하기 위한 구동량을 결정할 수 있다. 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나가 변형될 경우에는, 제어 유닛(6)은 가압 유닛(18)를 구동하기 위한 구동량 또는 가열 유닛(50)을 구동하기 위한 구동량을 결정할 수 있다.
공정 S103에서는, 제어 유닛(6)은 공정 S102에서 결정된 구동량에 따라서 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상을 변형함으로써, 당해 변형이 행하여진 영역의 각 마크의 이동량(각 마크의 이동량)을 추정한다. 당해 이동량은 나중에 중첩 공정(공정 S107)에서 검출되는 복수의 마크의 각각에 대해서 추정되는 것이 바람직하다. 도 3b는 공정 S102로 결정된 구동량에 따라서 가압 유닛(18) 및 가열 유닛(50)을 구동하여, 패턴 영역(7a)의 형상과 샷 영역(12)의 형상을 서로 근접시켰을 때에, 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상을 도시하는 도면이다. 가압 유닛(18)에 의해 몰드(7)에 힘을 가하면, 포와송 비(Poisson's ratio)에 기인하는 의도하지 않은 변형이 패턴 영역(7a)에 발생할 수 있다. 한편, 가열 유닛(50)에 의해 기판(11)을 가열하면, 등방적인 변형이 샷 영역(12)에 발생할 수 있다. 그로 인해, 가압 유닛(18)과 가열 유닛(50)을 병용하면, 포와송 비에 기인하는 패턴 영역(7a)의 변형을 샷 영역(12)의 등방적인 변형에 의해 저감시킬 수 있고, 패턴 영역(7a)의 형상과 샷 영역(12)의 형상과 서로 근접시키는 것이 용이하게 된다. 이와 같이 가압 유닛(18)와 가열 유닛(50)를 병용하는 경우, 패턴 영역(7a)의 형상과 샷 영역(12)의 형상이 서로 근접할 때, 예를 들어 도 3b에 도시한 바와 같이 패턴 영역(7a)의 네 코너 및 샷 영역(12)의 네 코너 간에 마크의 위치 어긋남이 발생할 경우가 있다.
이 경우, 나중의 중첩 공정에서, 당해 마크의 위치 어긋남을 고려하지 않고 패턴 영역(7a)의 마크와 샷 영역(12)의 마크를 X, Y 방향에서 일치시키면, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12)을 고정밀도로 중첩시키는 것이 곤란해질 수 있다. 그로 인해, 중첩 공정에서는, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12)의 중첩을 행할 때, 당해 마크의 위치 어긋남을 고려하는 것이 바람직하다. 즉, 중첩 공정에서는, 공정 S102에서 결정된 구동량에 따라서 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 변형을 행한 경우, 패턴 영역(7a)의 네 코너의 마크의 이동량 및 샷 영역(12)의 네 코너의 마크의 이동량을 고려하는 것이 바람직하다. 따라서, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)에서는, 제어 유닛(6)은, 공정 S102에서 결정된 구동량에 기초하여, 패턴 영역(7a)의 네 코너의 마크의 이동량 및 샷 영역(12)의 네 코너의 마크의 이동량을 구한다. 구한 이동량은 나중의 중첩 공정(S107)에서 사용될 수 있다.
이러한 이동량은, 예를 들어 가압 유닛(18)의 구동량과 패턴 영역(7a)의 변형량의 관계 및 가열 유닛(50)의 구동량과 샷 영역(12)의 변형량의 관계를 나타내는 정보(이하, 변형량 정보)에 기초하여 산출될 수 있다. 변형량 정보는, 예를 들어 데이터베이스나 함수 등에 의해 표현된다. 그리고, 가압 유닛(18)의 구동량과 패턴 영역(7a)의 변형량의 관계는, 예를 들어 시뮬레이션, 더미 기판을 사용한 실험 등에서 가압 유닛(18)을 구동시켰을 때에 몰드(7)의 변형 해석을 행함으로써 취득될 수 있다. 마찬가지로, 가열 유닛(50)의 구동량과 샷 영역(12)의 변형량의 관계는, 예를 들어 시뮬레이션, 더미 기판을 사용한 실험 등에서 가열 유닛(50)을 구동시켰을 때에 기판(11)의 열 변형 해석을 행함으로써 취득될 수 있다. 여기서, 더미 기판은, 임프린트 처리를 행하지 않는 기판이어도 되고, 임프린트 처리를 행해야 할 복수의 기판 중 최초에 임프린트 처리가 행하여지는 기판(예를 들어, 로트의 선두 기판)이어도 된다.
공정 S104에서는, 제어 유닛(6)은 몰드 보유 지지 유닛(3)을 제어하여, 샷 영역 상에 공급되는 임프린트재(14)와 몰드(7)를 서로 접촉시킨다. 공정 S105에서는, 제어 유닛(6)은 공정 S102에서 결정된 구동량에 따라서 가압 유닛(18) 및 가열 유닛(50)을 제어하여, 패턴 영역(7a)의 형상 및 샷 영역(12)의 형상이 서로 근접하도록, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)을 변형시킨다(변형 공정). 가열 유닛(50)에 의해 샷 영역(12)을 변형시킬 경우, 기판(11)이 원하는 온도 분포를 가질 때까지 상당한 시간을 필요로 한다. 그로 인해, 임프린트재(14)와 몰드(7)를 서로 접촉시켜, 몰드(7)에 형성된 3차원 패턴에 임프린트재(14)를 충전시키는 기간에 가열 유닛(50)에 의한 샷 영역(12)의 변형을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 공정 S105에서는, 고차원의 성분을 보정하도록 가압 유닛(18) 및 가열 유닛(50)의 양쪽 모두를 제어하고, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 양쪽 모두를 변형시키고 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 가압 유닛(18) 및 가열 유닛(50) 하나 이상을 제어하여, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상을 변형시켜도 된다. 공정 S105의 변형 공정은, 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키기(공정 S104) 전에 행해도 되고, 병행해서 행해도 된다.
공정 S106에서는, 제어 유닛(6)은 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 각각 제공된 제2 개수의 마크의 위치를 복수의 검출 유닛(22)에 의해 검출시킨다. 상술한 바와 같이, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)는 패턴 영역(7a)의 네 코너 및 샷 영역(12)의 네 코너에 각각 배치된 마크의 위치를 동시에 검출하도록 4개의 검출 유닛(22)을 포함한다. 제어 유닛(6)은 4개의 검출 유닛(22)에 의해 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)에 각각 배치된 마크의 위치를 동시에 검출시킨다.
공정 S107에서, 제어 유닛(6)은, 변형 공정(공정 S105)에서 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 변형이 이루어진 상태에서, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩을 행한다(중첩 공정). 중첩 공정은, 각 검출 유닛(22)에 의한 위치의 검출 결과와 공정 S103에서 추정된 각 마크의 이동량에 기초해서 행하여 질 수 있다. 예를 들어, 중첩 공정은, 각 검출 유닛(22)에 의한 마크의 위치 검출 결과를, 공정 S103에서 추정된 각 마크의 이동량으로 보정함으로써 얻어진 패턴 영역(7a)의 마크 및 샷 영역(12)의 마크의 각각의 위치에 기초해서 행하여 질 수 있다. 그러나, 중첩 공정은, 각 검출 유닛(22)에 의한 검출의 결과의 보정에 의해 얻어진 마크의 위치에 기초해서 행하여지는 것에 한정되지 않는다. 중첩 공정은, 예를 들어, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 목표 형상 차를 각 마크의 이동량으로 보정함으로써 얻어진 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 형상 차에 기초해서 행하여져도 된다.
중첩 공정에서는, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 상대 위치의 조정(예를 들어, 병진 시프트 보정이나 회전 보정)과, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상의 변형(예를 들어, 배율 보정이나 사다리꼴 보정)이 행하여진다. "조정"에서는, 변형 공정에서 변형이 행하여진 영역의 형상이, 당해 변형이 이루어진 상태로 유지되도록, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 병진 시프트 보정이나 회전 보정이 행하여진다. "조정"은, 예를 들어 기판 스테이지(4)의 스테이지 구동 유닛(20)을 제어함으로써 행하여 질 수 있다. "변형"에서는, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상을 변형함으로써, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 사이의 배율 보정이나 사다리꼴 보정이 행하여진다.
이하, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩에 대해서 설명한다. 도 4a 및 도 4b는 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩을 설명하기 위한 도면이다. 상술한 바와 같이, 공정 S102에서 결정된 구동량에 따른 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 변형 시에는, 패턴 영역(7a)의 네 코너의 마크와 샷 영역(12)의 네 코너의 마크 간에 위치 어긋남이 발생될 경우가 있다. 도 4a는 패턴 영역(7a)의 네 코너의 마크와 샷 영역(12)의 네 코너의 마크 간에 위치 어긋남이 발생하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 도 4a에서, 실선(30)은 샷 영역(12)의 형상을 나타내고, 파선(31)은 패턴 영역(7a)의 형상을 나타내고 있다. 이때, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩 정밀도는 원하는 정밀도이다.
이 상태에서, 각 검출 유닛(22)에 의해 패턴 영역(7a)의 네 코너 및 샷 영역(12)의 네 코너에 제공된 마크의 위치만이 검출되면, 제어 유닛(6)은 패턴 영역(7a)의 형상을 도 4a의 이점 파선(32)으로 나타내는 것과 같은 선형 형상으로 인식할 수 있다. 패턴 영역(7a)의 네 코너의 마크와 샷 영역(12)의 네 코너 마크가 X, Y 방향에서 일치하도록, 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12) 중 하나 이상의 영역을 변형시킬 경우를 상정한다. 이 경우, 도 4b에 도시한 바와 같이, 검출 결과에 기초하여 인식된 패턴 영역(7a)의 형상(이점 파선(32))과 샷 영역(12)의 형상(실선(30))이 서로 중첩된다. 그러나, 실제로는, 패턴 영역(7a)의 형상(파선(31))과 샷 영역(12)의 형상(실선(30))은 서로 중첩되지 않는다. 그 결과, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩 정밀도가 저하될 수 있다. 따라서, 중첩 공정에서는, 패턴 영역(7a)의 네 코너의 마크 및 샷 영역(12)의 네 코너 마크가, 공정 S103에서 추정된 이동량을 고려하여 결정된 위치에 각각 배치되도록, 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩이 행하여진다. 이동량을 고려하여 결정되는 위치는, 상술한 바와 같이, 각 검출 유닛(22)에 의한 마크 위치의 검출 결과를, 공정 S103에서 추정된 이동량으로 보정함으로써 얻어진 패턴 영역(7a)의 마크 및 샷 영역(12)의 마크의 각각의 위치이다. 이에 의해, 변형 공정에서 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)의 변형이 이루어진 상태에서의 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩 정밀도가, 중첩 공정을 행함으로써 저하되는 것을 억제할 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)는, 형상 정보에 기초하여 패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12)을 변형시키는 변형 공정의 후에, 각 검출 유닛(22)에 의한 검출의 결과에 기초하여 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩을 행한다. 그리고, 임프린트 장치(1)는, 변형 공정에서 변형이 행하여진 영역(패턴 영역(7a) 및 샷 영역(12))에서의 마크의 이동량을 고려하여 패턴 영역(7a)과 샷 영역(12) 간의 중첩을 행한다. 이에 의해, 제1 실시 형태의 임프린트 장치(1)는 몰드 상의 패턴 영역(7a)과 기판 상의 샷 영역(12)을 고정밀도로 중첩시킬 수 있다.
<물품의 제조 방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 따른 물품의 제조 방법은, (예를 들어, 반도체 디바이스 등의) 마이크로 디바이스 또는 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 본 실시 형태에 따른 물품 제조 방법은, 기판에 도포된 수지에 상기의 임프린트 방법을 사용해서 패턴을 형성하는 공정(임프린트 처리를 기판에 행하는 공정)과, 이전 공정에서 패턴이 형성된 기판(임프린트 처리를 행한 기판)을 가공하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(예를 들면, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩 및 패키징)을 포함한다. 본 실시 형태에 따른 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비하여 물품의 성능, 품질, 생산성, 생산 비용 중 하나 이상의 점에서 유리하다.
<기타의 실시예>
본 발명의 실시예는 전술한 하나 이상의 실시예의 기능을 실행하기 위해서 기억 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 기억 매체'라고도 불릴 수 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들면, 하나 이상의 프로그램)를 판독해서 실행하고/실행하거나, 전술한 하나 이상의 실시예의 기능을 실행하기 위한 하나 이상의 회로(예를 들면, ASIC(application specific integrated circuit))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고, 예를 들면 전술한 하나 이상의 실시예의 기능을 실행하기 위해서 기억 매체로부터 컴퓨터 판독가능 명령어를 판독하여 실행하고/실행하거나, 전술한 하나 이상의 실시예의 기능을 수행하기 위해서 하나 이상의 회로를 제어함으로써 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해 구현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들면, CPU(central processing unit), MPU(micro processing unit))를 포함할 수 있으며, 컴퓨터 판독가능 명령어를 판독해서 실행하는 별개의 컴퓨터 또는 별개의 프로세서의 네트워크를 포함할 수도 있을 것이다. 컴퓨터 실행가능 명령어는, 예를 들면 네트워크 또는 기억 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있을 것이다. 기억 매체는, 예를 들면 하나 이상의 하드 디스크, RAM(random-access memory), ROM(read only memory), 분산 컴퓨팅 시스템의 저장소, 광 디스크(CD(compact disc), DVD(digital versatile disc) 또는 블루레이 디스크(BD)™ 등), 플래시 메모리 장치, 메모리 카드 등을 포함할 수도 있다.
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다. 또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어,ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 기술되었지만, 본 발명이 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 아래의 청구범위의 범주는 모든 변경과, 등가 구조 및 기능을 포함하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (12)

  1. 패턴이 형성된 패턴 영역을 갖는 몰드에 의해 기판의 샷 영역 상에 공급되는 임프린트재를 성형하는 임프린트 방법이며,
    상기 패턴 영역의 형상 및 상기 샷 영역의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 패턴 영역의 형상과 상기 샷 영역의 형상이 서로 근접하도록, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역 중 하나 이상의 영역의 변형을 행하는 변형 공정과,
    상기 변형에 의한 마크의 이동량을 추정하는 추정 공정으로서, 상기 마크는 상기 변형 공정에서 변형된 상기 하나 이상의 영역에서 제공되는 것인, 상기 추정 공정과,
    상기 변형 공정에서 상기 하나 이상의 영역이 변형된 상태에서, 상기 패턴 영역의 마크 및 상기 샷 영역의 마크의 위치의 검출 결과와 상기 이동량에 기초하여, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 간의 중첩을 행하는 중첩 공정을 포함하는 임프린트 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중첩 공정에서, 상기 패턴 영역의 마크 및 상기 샷 영역의 마크의 각각의 위치에 기초하여, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 간의 중첩이 행해지고, 상기 각각의 위치는 상기 검출 결과를 상기 이동량으로 보정함으로써 얻어지는 임프린트 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중첩 공정은, 상기 변형 공정에서 변형된 상기 하나 이상의 영역의 형상이 유지되도록, 상기 검출 결과에 기초하여 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역의 상대 위치를 조정하는 공정을 포함하는 임프린트 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 중첩 공정은, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 사이에서 배율 보정 및 사다리꼴 보정 중 하나 이상을 행하는 공정을 포함하는 임프린트 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 추정 공정에서는, 상기 중첩 공정에서 검출되어야 할 상기 마크의 이동량을 추정하는 임프린트 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 정보는, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역의 각각에 제공되는 복수의 마크 중 제1 개수의 마크의 각 위치의 검출 결과를 사용해서 얻어지고,
    상기 중첩 공정에서는, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역의 각각에 제공되는 상기 복수의 마크 중 상기 제1 개수보다 적은 제2 개수의 마크의 각 위치의 검출 결과를 사용해서 상기 중첩이 행해지는 임프린트 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 정보를 얻기 위해 검출되어야 할 마크들은 상기 중첩 공정에서 검출되어야 할 마크들을 포함하는 임프린트 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역의 각각은 직사각형 형상을 갖고,
    상기 중첩 공정에서는, 상기 패턴 영역의 네 코너 및 상기 샷 영역의 네 코너에 각각 배치된 마크의 위치의 검출 결과를 사용해서 상기 중첩이 행해지는 임프린트 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 중첩 공정에서는, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 중첩이 행해지는 임프린트 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 변형 공정에서는, 상기 몰드와 상기 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 하나 이상의 영역이 변형되는 임프린트 방법.
  11. 패턴이 형성된 패턴 영역을 갖는 몰드에 의해 기판의 샷 영역 상에 공급되는 임프린트재를 성형하는 임프린트 장치이며,
    상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역 중 하나 이상의 영역을 변형시키는 변형 유닛과,
    제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 패턴 영역의 형상 및 상기 샷 영역의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 패턴 영역의 형상과 상기 샷 영역의 형상이 서로 근접하도록, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역 중 하나 이상의 영역의 변형을 상기 변형 유닛이 행하게 하고,
    상기 변형 유닛에 의해 변형된 상기 하나 이상의 영역에 제공되는 마크의 상기 변형에 의한 이동량을 추정하고,
    상기 하나 이상의 영역이 상기 변형 유닛에 의해 변형된 상태에서, 상기 패턴 영역의 마크 및 상기 샷 영역의 마크의 위치의 검출 결과와 상기 이동량에 기초하여, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 간의 중첩을 제어하는 임프린트 장치.
  12. 물품의 제조 방법이며,
    임프린트 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하여 상기 물품을 제조하는 공정을 포함하고,
    상기 임프린트 방법은,
    상기 패턴이 형성된 패턴 영역을 갖는 몰드에 의해 상기 기판의 샷 영역 상에 공급되는 임프린트재를 성형하는 방법이며,
    상기 임프린트 방법은,
    상기 패턴 영역의 형상 및 상기 샷 영역의 형상 중 하나 이상을 나타내는 정보에 기초하여, 상기 패턴 영역의 형상과 상기 샷 영역의 형상이 서로 근접하도록, 상기 패턴 영역 및 상기 샷 영역 중 하나 이상의 영역의 변형을 행하는 변형 공정과,
    상기 변형에 의한 마크의 이동량을 추정하는 추정 공정으로서, 상기 마크는 상기 변형 공정에서 변형된 상기 하나 이상의 영역에서 제공되는 것인, 상기 추정 공정과,
    상기 변형 공정에서 상기 하나 이상의 영역이 변형된 상태에서, 상기 패턴 영역의 마크 및 상기 샷 영역의 마크의 위치의 검출 결과와 상기 이동량에 기초하여, 상기 패턴 영역과 상기 샷 영역 간의 중첩을 행하는 중첩 공정을 포함하는 물품의 제조 방법.
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