KR20190083988A - 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

임프린트 장치는 몰드의 패턴 영역을 임프린트재에 접촉시키고 임프린트재를 경화시킴으로써 기판의 샷 영역에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는 패턴 영역을 변형시키기 위한 변형 기구를 포함하며 몰드에 힘을 가하기 위한 액추에이터를 포함한다. 각각의 샷 영역에 대해, 액추에이터에 의해 몰드에 제1 변형량을 부여하는 제1 처리가 실행된 후에, 임프린트재와 패턴 영역이 서로 접촉하고, 샷 영역과 패턴 영역 사이의 중첩 오차가 저감되도록 액추에이터에 의해 몰드에 제2 변형량이 부여된 상태에서 임프린트재를 경화시키는 제2 처리가 실행된다. 제1 변형량과 상기 제2 변형량 사이의 대소 관계는 샷 영역에서 동일하다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
임프린트 장치는, 기판의 샷 영역에 배치된 임프린트재에 몰드의 패턴 영역을 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 기판의 샷 영역에 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는, 샷 영역과 몰드의 패턴 영역 사이의 중첩 오차를 저감하기 위해서, 몰드의 측면에 대하여 힘을 가함으로써 몰드의 패턴 영역을 변형시키도록 구성되는 변형 기구를 포함할 수 있다(일본 특허 공개 공보 제2013-125817호 참조).
기판에 복수의 샷 영역이 배치되고, 복수의 샷 영역의 형상(크기를 포함함)은 서로 상이할 수 있다. 변형 기구에 의한 몰드의 패턴 영역의 변형량은 샷 영역마다 상이할 수 있다.
본 발명자는, 몰드에 가해지는 힘과 몰드의 패턴 영역의 변형량 사이에 히스테리시스가 존재하는 것을 발견했다. 이 히스테리시스는, 몰드의 변형량이, 현재 몰드에 가해진 힘뿐만 아니라 과거에 가해진 힘에도 의존하는 현상이다. 히스테리시스가 존재하면, 임프린트 대상 샷 영역의 형상에 따라서 몰드의 패턴 영역의 형상을 변경하면서 복수의 샷 영역에서 순차적으로 임프린트를 행할 때에 대응하는 중첩 오차가 발생할 수 있다. 즉, 히스테리시스가 존재하면, 샷 영역과 몰드의 패턴 영역 사이의 중첩 정밀도가 저하될 수 있다.
본 발명은 기판의 샷 영역과 몰드의 패턴 영역 사이의 중첩 정밀도를 향상시키는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태 중 하나는, 임프린트재에 몰드의 패턴 영역을 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 기판의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 장치는, 상기 패턴 영역을 변형시키도록 구성되는 변형 기구로서, 상기 변형 기구는 상기 몰드에 힘을 가하도록 구성되는 액추에이터를 포함하는, 변형 기구를 포함하며, 각각의 샷 영역에 대해, 상기 액추에이터에 의해 상기 몰드에 제1 변형량을 가하는 제1 처리가 실행된 후에, 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역이 서로 접촉하고, 상기 샷 영역과 상기 패턴 영역 사이의 중첩 오차를 저감하도록 상기 액추에이터에 의해 상기 몰드에 제2 변형량을 가한 상태에서, 상기 임프린트재를 경화시키는 제2 처리가 실행되며, 상기 제1 변형량과 상기 제2 변형량 사이의 대소 관계가 상기 복수의 샷 영역에서 동일하다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 변형 기구의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 3은 기판에서의 복수의 샷 영역의 배열의 예를 도시하는 도면이다.
도 4는 비교예 1을 도시하는 도면이다.
도 5는 비교예 2를 도시하는 도면이다.
도 6은 제1 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 7은 제2 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 8은 제3 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 9는 제4 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 10은 제5 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 11은 제6 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 12는 제7 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 13은 제8 실시형태를 도시하는 도면이다.
도 14a 내지 도 14f는 일 실시형태에 따른 물품 제조 방법을 도시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 예시적인 실시형태를 통해서 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 나타낸다. 임프린트 장치(100)는, 임프린트 처리에 의해 기판(S) 위에 임프린트재(IM)의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성하도록 구성된다. 임프린트 처리는, 접촉 처리, 얼라인먼트 처리, 경화 처리, 및 분리 처리를 포함할 수 있다. 접촉 처리는, 기판(S)의 샷 영역의 임프린트재(IM)에 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 접촉시키는 처리이다. 얼라인먼트 처리는, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 얼라인먼트를 행하는 처리이다. 임프린트 처리에서의 얼라인먼트 처리는, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감시키도록 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 변형시키는 변형 처리를 포함한다. 경화 처리는 임프린트재(IM)를 경화시키는 처리이다. 분리 처리는, 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴을 몰드(M)의 패턴 영역(P)으로부터 분리하는 처리이다.
임프린트재로서는, 경화용 에너지가 부여되는 것에 의해 경화하는 경화성 조성물(미경화 수지라고 칭하기도 함)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자기파는, 예를 들어 그 파장이 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 범위 내에서 선택되는 광, 예를 들어 적외선, 가시광선, 또는 자외선일 수 있다. 경화성 조성물은 광의 조사에 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 조성물 중, 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료이다. 임프린트재는, 액적-유사 형상, 혹은 복수의 액적이 서로 연결됨으로써 형성되는 섬-유사 형상 또는 막-유사 형상으로 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)의 범위 이내일 수 있다. 기판의 재료로서는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판을 위한 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판으로서는, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이 사용된다.
본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(S)의 표면에 평행한 방향이 X-Y 평면을 형성하는 X-Y-Z 좌표계에서 방향을 나타낸다. X 방향, Y 방향, 및 Z 방향을 각각 X-Y-Z 좌표계에서의 X축, Y축, 및 Z축에 평행한 방향으로 한다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, 및 Z축 둘레의 회전을 각각 θX, θY 및 θZ로 한다. X축, Y축, 및 Z축에 관한 제어 또는 구동 동작은, 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, 및 Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동 동작을 의미한다. 또한, θX축, θY축, 및 θZ축에 관한 제어 또는 구동 동작은, 각각 X축에 평행한 축 둘레의 회전, Y축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z축에 평행한 축의 둘레 회전에 관한 제어 또는 구동 동작을 의미한다. 위치는, X축, Y축, 및 Z축의 좌표에 기초해서 특정될 수 있는 정보이다. 배향은 θX축, θY축, 및 θZ축의 값에 의해 특정될 수 있는 정보이다. 위치결정은 위치 및/또는 배향의 제어를 의미한다. 정렬(얼라인먼트 처리)는, 기판 및 몰드 중 적어도 하나의 위치 및/또는 배향의 제어를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 기판(S)을 보유지지해서 구동하는 기판 구동 기구(SDM), 기판 구동 기구(SDM)를 지지하는 베이스 프레임(BF), 몰드(M)를 보유지지해서 구동하는 몰드 구동 기구(MDM), 및 몰드 구동 기구(MDM)를 지지하는 구조체(ST)를 포함할 수 있다. 기판 구동 기구(SDM)는, 기판(S)을 보유지지하는 기판 척(SC)을 포함하는 기판 스테이지(SS)와, 기판 스테이지(SS)를 위치결정함으로써 기판(S)을 위치결정하는 기판 위치결정 기구(SA)를 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 몰드(M)를 보유지지하는 몰드 척(MC), 및 몰드 척(MC)을 위치결정함으로써 몰드(M)를 위치결정하는 몰드 위치결정 기구(MA)를 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 접촉 단계 및/또는 분리 단계에서 몰드(M)에 가해지는 힘을 검출하는 로드셀(LC)을 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 접촉 처리에서, 몰드(M)의 패턴 영역(P)이 기판(S)을 향해서 볼록한 형상을 갖도록 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 변형시키도록 패턴 영역(P)의 반대 측의 면에 압력을 가하는 압력 기구를 더 포함할 수 있다.
기판 구동 기구(SDM) 및 몰드 구동 기구(MDM)는, 기판(S)과 몰드(M) 사이의 상대 위치를 변경하도록 기판(S) 및 몰드(M) 중 적어도 하나를 구동하는 구동 기구(DM)를 구성한다. 구동 기구(DM)에 의한 상대 위치의 변경은, 기판(S) 위의 임프린트재에 대한 몰드(M)의 패턴 영역(P)의 접촉 및 경화된 임프린트재(경화물의 패턴)로부터의 몰드(M)의 분리를 위한 구동을 포함한다. 즉, 구동 기구(DM)에 의한 상대 위치의 변경은 접촉 처리 및 분리 처리를 행하도록 기판(S)과 몰드(M)의 상대 위치를 변경하는 것을 포함한다. 기판 구동 기구(SDM)는, 기판(S)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, 및 θZ축의 3축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축의 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 몰드(M)를 복수의 축(예를 들어, Z축, θX축, 및 θY축의 3축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축의 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 변형시키는 변형 기구(MAG)를 더 포함할 수 있다. 변형 기구(MAG)는, X-Y 평면에 평행한 평면 내에서의 패턴 영역(P)의 형상(크기를 포함함)을 변경시키도록 패턴 영역(P)을 변형시킬 수 있다. 변형 기구(MAG)는, 예를 들어 몰드(M)의 4개의 측면에 힘을 첨가하는 것에 의해 패턴 영역(P)을 변형시킬 수 있다.
임프린트 장치(100)는 디스펜서(DSP)를 더 포함할 수 있다. 디스펜서(DSP)는, 임프린트 장치(100)의 외부 장치로 해서 구성될 수 있다. 디스펜서(DSP)는 기판(S)의 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치한다. 기판(S)의 샷 영역에의 임프린트재(IM)의 배치는, 기판 구동 기구(SDM)에 의해 기판(S)을 구동하고, 이 상태에서 상기 구동과 동기해서 디스펜서(DSP)로부터 임프린트재(IM)를 토출함으로써 이루어질 수 있다. 디스펜서(DSP)가 기판(S) 위에 1개의 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치할 때마다 접촉 처리, 얼라인먼트 처리, 경화 처리 및 분리 처리가 실행될 수 있다. 또한, 디스펜서(DSP)가 기판(S) 위의 복수의 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치한 후에, 해당 복수의 샷 영역 각각에 대하여 접촉 처리, 얼라인먼트 처리, 경화 처리 및 분리 처리를 실행할 수도 있다.
임프린트 장치(100)는 경화 유닛(CU)을 더 포함할 수 있다. 경화 유닛(CU)은, 기판(S) 위의 임프린트재(IM)에 몰드(M)의 패턴 영역(P)이 접촉한 상태에서 임프린트재(IM)에 경화용 에너지를 조사함으로써 임프린트재(IM)를 경화시킨다. 결과적으로, 임프린트재(IM)의 경화물로 이루어지는 패턴이 기판(S) 상에 형성된다.
임프린트 장치(100)는, 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)의 위치, 몰드(M)의 마크(MMK)의 위치, 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK)의 상대 위치 등을 검출(계측)하는 얼라인먼트 스코프(계측기)(AS)를 더 포함할 수 있다. 임프린트 장치(100)는, 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출(계측)하는 오프-액시스 스코프(OAS)를 더 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)는 제어부(CNT)를 더 포함할 수 있다. 제어부(CNT)는, 구동 기구(DM), 변형 기구(MAG), 디스펜서(DSP), 경화 유닛(CU), 얼라인먼트 스코프(AS), 및 오프-액시스 스코프(OAS)를 제어할 수 있다. 제어부(CNT)는, FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 PLD(Programmable Logic Device), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 이들의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구성될 수 있다.
제어부(CNT)는, 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 검출되는 결과, 예를 들어 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)의 위치에 기초하여 샷 영역의 형상을 연산할 수 있다. 또한, 제어부(CNT)는, 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 검출되는 결과, 예를 들어 몰드(M)의 마크(MMK)의 위치에 기초하여 몰드(M)의 패턴 영역(P)의 형상을 연산할 수 있다. 제어부(CNT)는, 이와 같이 하여 얻어진 샷 영역과 패턴 영역(P)의 형상에 기초하여, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 연산할 수 있다. 혹은, 제어부(CNT)는, 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 검출되는 결과, 예를 들어 기판(S)의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK)의 상대 위치에 기초하여, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 연산할 수 있다. 즉, 제어부(CNT)는, 얼라인먼트 스코프(AS)의 출력에 기초하여, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차(샷 영역의 형상과 패턴 영역의 형상 사이의 차이)를 연산할 수 있다. 중첩 오차는, 예를 들어 배율 성분 및 왜곡 성분(예를 들어, 마름모꼴, 사다리꼴 등의 성분 또는 더 높은 차원인 성분)을 포함할 수 있다.
도 2는 변형 기구(MAG)의 구성예를 나타낸다. 변형 기구(MAG)는, 몰드(M)의 4개의 측면(MS)에 힘을 가함으로써 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 변형시킬 수 있다. 변형 기구(MAG)에 의해 제어될 수 있는 패턴 영역(P)의 형상(크기를 포함함)의 성분은, 예를 들어 배율 성분 및 왜곡 성분(예를 들어, 마름모꼴, 사다리꼴 등의 성분 또는 더 높은 차원인 성분)을 포함할 수 있다. 변형 기구(MAG)는 복수의 유닛(20)을 포함할 수 있다. 각 유닛(20)은, 몰드(M)의 측면(MS)에 접촉하는 접촉부(21)와, 접촉부(21)를 구동하는 액추에이터(22)를 포함할 수 있다. 액추에이터(22)는, 예를 들어 압전 소자를 포함할 수 있지만, 다른 소자를 포함해도 된다.
도 3은, 기판(S)에서의 복수의 샷 영역(SR)의 배열의 예를 나타내고 있다. 도 3의 각 번호는, 복수의 샷 영역(SR)을 서로 식별하기 위해서 부여된 번호(샷 번호)이다. 복수의 샷 영역(SR)에서의 임프린트 처리는 미리정해진 순서로 실행될 수 있다.
도 4 내지 도 13을 참조하여 기판(S)의 복수의 샷 영역 각각에서 임프린트 처리를 실행하는 기판 처리에 대해서 설명한다. 도 4 내지 도 13에서, "변형량"은 변형 기구(MAG)의 1개의 유닛(20)의 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 대하여 부여되는 변형량일 수 있다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)의 형상(크기를 포함함)은, 변형 기구(MAG)의 유닛(20)의 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)에 가해지는 힘의 합성에 의해 결정될 수 있다. 제어부(CNT)는, 변형 기구(MAG)의 유닛(20)의 액추에이터(22)에 대하여, 몰드(M)의 패턴 영역(P)의 형상을 제어하기 위한 명령값을 부여한다.
도 4 내지 도 13에서, 제(i-1), 제i, 및 제(i+1) 샷 영역은, 기판(S)의 샷 영역이며, 주어진 순서로 임프린트 처리가 이루어진다. "목표 변형량"은, 제어부(CNT)가 변형 기구(MAG)의 1개의 유닛(20)의 액추에이터(22)에 부여하는 명령값(혹은, 그 명령값에 대응하는 조작 변수)이다. 준비 처리(제1 처리)는, 주어진 샷 영역에서의 임프린트 처리의 종료 후에, 다음 임프린트 처리를 위한 준비를 행하는 처리이다. 준비 처리는, 예를 들어 다음에 임프린트 처리를 행해야 할 샷 영역에 디스펜서(DSP)에 의해 임프린트재(IM)를 배치하는 처리 및 다음에 임프린트 처리를 행해야 할 샷 영역을 몰드(M) 아래에 배치하는 처리를 포함할 수 있다. 도 4 내지 도 13에 나타낸 처리는 제어부(CNT)에 의해 제어된다.
임프린트 장치(100)에서는, 각 샷 영역에 대해서, 제1 처리(준비 처리)가 실행된 후에 제2 처리(경화 처리)가 실행된다. 제1 처리에서는, 액추에이터(22)가 몰드(M)에 제1 변형량을 부여한다. 제2 처리에서는, 샷 영역의 임프린트재와 패턴 영역(P)이 서로 접촉하고, 해당 샷 영역과 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감하도록 각 액추에이터(22)가 몰드(M)에 제2 변형량을 부여한 상태에서 임프린트재를 경화시킨다. 제1 처리는 준비 처리의 일부에서 실행되고, 제2 처리(경화 처리)는 임프린트 처리의 일부에서 실행된다.
도 4 내지 도 13에서, 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량이 제(i-1) 샷 영역을 위한 목표 변형량보다 크고, 제(i+1) 샷 영역을 위한 목표 변형량이 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량보다 작다.
도 4는 비교예 1을 나타내고 있다. 비교예 1에서는, 각 샷 영역을 위한 목표 변형량이 임프린트 처리의 실행 전에 결정된다. 비교예 1에서는, 제i 샷 영역을 위한 준비 처리에서, 제(i-1) 샷 영역을 위한 목표 변형량으로부터 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량으로 목표 변형량이 변경된다. 제i 샷 영역을 위한 준비 처리는, 제(i-1) 샷 영역에서의 임프린트 처리와 제i 샷 영역에서의 임프린트 처리 사이의 기간에 실시된다. 비교예 1에서는, 제(i+1) 샷 영역을 위한 준비 처리에서, 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량으로부터 제(i+1) 샷 영역을 위한 목표 변형량으로 목표 변형량이 변경된다. 제(i+1) 샷 영역을 위한 준비 처리는, 제i 샷 영역에서의 임프린트 처리와 제(i+1) 샷 영역에서의 임프린트 처리 사이의 기간에 실시된다.
비교예 1에서는, 준비 처리 중에 제1 처리에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량) 사이의 대소 관계가 일정하지 않거나 동일하지 않다. 더 구체적으로는, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 큰 경우와 작은 경우가 있다. 액추에이터(22)에 의해 패턴 영역(P)에 부여하는 변형량을 목표 변형량을 향해서 증가시키는 경우와 해당 변형량을 목표 변형량을 향해서 감소시키는 경우 사이에서, 패턴 영역(P)에 실제로 부여되는 변형량이 상이할 수 있다. 즉, 몰드(M)에 가해지는 힘과 몰드(M)의 패턴 영역(P)의 변형량 사이에는 히스테리시스가 존재한다. 히스테리시스는, 예를 들어 몰드(M)와 몰드 척(MC) 사이의 마찰, 몰드(M)의 기계적 특성, 변형 기구(MAG)의 기계적 특성(액추에이터 및 접촉부의 히스테리시스) 등에 의해 발생할 수 있다.
히스테리시스가 존재하면, 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 충실한 변형량으로 변형시키는 것이 어렵다. 따라서, 히스테리시스가 존재하면, 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 제어하는 것이 어렵고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감하는 것이 어렵다.
도 5는 비교예 2를 나타내고 있다. 비교예 2에서는, 각 샷 영역에서의 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 얼라인먼트 스코프(AS)를 사용해서 중첩 오차가 계측되고, 이 계측에 기초하여 제어부(CNT)가 목표 구동량을 결정한다. 즉, 비교예 2에서는, 목표 변형량이 제i 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 제(i-1) 샷 영역을 위한 목표 변형량으로부터 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량으로 변경된다. 비교예 2에서는, 목표 변형량이 제(i+1) 샷 영역에서의 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량으로부터 제(i+1) 샷 영역을 위한 목표 변형량으로 변경된다.
비교예 2에서도, 준비 처리 중에 제1 처리에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량) 사이의 대소 관계가 일정하지 않는다. 더 구체적으로는, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 큰 경우와 작은 경우가 있다. 비교예 2에서도 히스테리시스 문제가 일어나고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감하는 것이 어렵다.
도 6 내지 도 13을 참조하여, 히스테리시스의 영향(중첩 오차의 악화)을 저감하는데 유리한 제1 내지 제8 실시형태에 대해서 설명한다. 이하의 실시형태에서는, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계가 복수의 샷 영역에서 일정하거나 동일하다. 이에 의해, 히스테리시스의 영향(중첩 오차의 악화)이 저감된다.
도 6은 제1 실시형태를 나타내고 있다. 제1 실시형태에서는, 복수의 샷 영역 각각을 위한 목표 변형량은, 임프린트 처리의 실행 전에 미리 취득된 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정된다. 형상 정보는, 예를 들어 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 기판(S)의 각 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출함으로써 결정될 수 있다. 형상 정보로서, 예를 들어 임프린트 처리의 실행 전에 미리 외부 계측기에 의한 계측 결과를 사용해도 된다. 또한, 임프린트 처리의 결과를 외부 계측기에 의해 계측한 결과를 형상 정보로서 사용할 수 있다. 제1 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량이, 복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최대값보다 크게 설정된다. 즉, 제1 실시형태에서는, 제1 변형량은 일정한 사전설정량이고, 이 사전설정량은 복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최대값보다 크게 설정된다.
복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최대값은, 과거(예를 들어, 이전의 로트, 이전의 기판, 또는 동일한 종류의 몰드를 사용한 로트)의 처리 결과 등에 기초하여 결정될 수 있다. 해당 최대값에 대하여 마진을 부가해서 제1 변형량(사전설정량)을 결정할 수 있다.
준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계는 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 따라서, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 커진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
도 7은 제2 실시형태를 나타낸다. 제2 실시형태에서는, 복수의 샷 영역 각각을 위한 목표 변형량은, 임프린트 처리의 실행 전에 미리 취득한 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정된다. 형상 정보는, 예를 들어 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 기판(S)의 각 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출함으로써 취득될 수 있다. 제2 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량이, 복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최소값보다 작게 설정된다. 즉, 제2 실시형태에서는, 제1 변형량은 일정한 사전설정량이고, 사전설정량은 복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여하는 제2 변형량의 최소값보다도 작게 설정된다.
준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계는 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 작아진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최소값은, 과거(예를 들어, 이전의 로트, 이전의 기판, 또는 동일한 종류의 몰드를 사용한 로트)의 처리 결과 등에 기초하여 결정될 수 있다. 해당 최소값으로부터 마진을 감산함으로써 제1 변형량(사전설정량)을 결정할 수 있다.
도 8은 제3 실시형태를 나타내고 있다. 제3 실시형태에서는, 복수의 샷 영역 각각을 위한 목표 변형량이, 임프린트 처리의 실행 전에 미리 취득한 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정된다. 형상 정보는, 예를 들어 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 기판(S)의 각 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출함으로써 취득될 수 있다. 제3 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 제1 처리에 후속하는 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 차분이 복수의 샷 영역에서 미리정해진 정의 값이 되도록 설정된다. 즉, 제3 실시형태에서는, 상기 차분이 미리정해진 정의 오프셋값이 되도록 설정된다.
준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계는 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 커진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
도 9는 제4 실시형태를 나타내고 있다. 제4 실시형태에서는, 복수의 샷 영역 각각을 위한 목표 변형량은, 임프린트 처리의 실행 전에 미리 취득한 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정된다. 형상 정보는, 예를 들어 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 기판(S)의 각 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출함으로써 취득될 수 있다. 제4 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 제1 처리에 후속하는 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 차분이 복수의 샷 영역에서 미리정해진 부의 값이 되도록 설정된다. 즉, 제4 실시형태에서는, 상기 차분이 미리정해진 부의 오프셋값이 되도록 설정된다.
준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계는 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 작아진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
도 10은 제5 실시형태를 나타내고 있다. 제5 실시형태에서는, 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 얼라인먼트 스코프(AS)를 사용해서 중첩 오차가 계측되고, 이 계측에 기초하여 제어부(CNT)가 목표 구동량을 결정한다. 임프린트 처리와 임프린트 처리 사이의 준비 처리(제1 처리)에서는, 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 대한 변형량인 제1 변형량이 일정한 사전설정량이 되도록 설정된다. 즉, 제5 실시형태에서는, 목표 변형량이 제i 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 사전설정량(제1 변형량)으로부터 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량(제2 변형량)으로 변경된다. 또한, 제5 실시형태에서는, 목표 변형량이 제(i+1) 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 사전설정량(제1 변형량)으로부터 제(i+1) 샷 영역을 위한 목표 변형량(제2 변형량)으로 변경된다.
제5 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량(사전설정량)이, 복수의 샷 영역에 대해서 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최대값보다 크게 설정된다. 즉, 제5 실시형태에서는, 제1 변형량은 일정한 사전설정량이 되도록 설정되며, 복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여하는 제2 변형량의 최대값보다 크게 설정된다.
복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최대값은, 과거(예를 들어, 이전의 로트, 이전의 기판, 또는 동일한 종류의 몰드를 사용한 로트)의 처리 결과 등에 기초하여 결정될 수 있다. 해당 최대값에 대하여 마진을 부가해서 제1 변형량(사전설정량)을 결정할 수 있다.
제5 실시형태에서도, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계는 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 따라서, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 커진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
도 11은 제6 실시형태를 나타낸다. 제6 실시형태에서는, 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 얼라인먼트 스코프(AS)를 사용해서 중첩 오차가 계측되고, 이 계측에 기초하여 제어부(CNT)가 목표 변형량을 결정한다. 임프린트 처리와 임프린트 처리 사이의 준비 처리(제1 처리)에서는, 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 대한 변형량인 제1 변형량이 일정한 사전설정량이 되도록 설정된다. 즉, 제6 실시형태에서는, 목표 변형량은 제i 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 사전설정량(제1 변형량)으로부터 제i 샷 영역을 위한 목표 변형량(제2 변형량)으로 변경된다. 또한, 제6 실시형태에서는, 목표 변형량은 제(i+1) 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 사전설정량(제1 변형량)으로부터 제(i+1) 샷 영역을 위한 목표 변형량(제2 변형량)으로 변경된다.
제6 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량(사전설정량)이, 복수의 샷 영역에 대해서 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최소값보다 작게 설정된다. 즉, 제6 실시형태에서는, 제1 변형량은 일정한 사전설정량이 되도록 설정되며, 복수의 샷 영역에 대해서 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여하는 제2 변형량의 최소값보다 작게 설정된다. 복수의 샷 영역에 대한 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량의 최소값은, 과거(예를 들어, 이전의 로트, 이전의 기판, 또는 동일한 종류의 몰드를 사용한 로트)의 처리 결과 등에 기초하여 결정될 수 있다. 해당 최소값으로부터 마진을 감산함으로써 제1 변형량(사전설정량)을 결정할 수 있다.
제6 실시형태에서도, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계는 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 따라서, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 작아진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
도 12는 제7 실시형태를 나타내고 있다. 제7 실시형태에서는, 복수의 샷 영역 각각을 위한 잠정 목표 변형량은, 임프린트 처리의 실행 전에 미리 취득된 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정된다. 형상 정보는, 과거(예를 들어, 이전의 로트 또는 이전의 기판)의 처리 결과 등에 기초하여 취득될 수 있다. 혹은, 형상 정보는, 얼라인먼트 스코프(AS)에 의해 기판(S)의 각 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출함으로써 취득될 수 있다. 제7 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 제1 처리에 후속하는 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 잠정 목표 변형량 사이의 차분이 복수의 샷 영역에서 미리정해진 정의 값이 되도록 설정된다. 즉, 제7 실시형태에서는, 상기 차분이 미리정해진 정의 오프셋값이 되도록 설정된다.
제7 실시형태에서는, 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 얼라인먼트 스코프(AS)를 사용해서 중첩 오차가 계측되고, 이 계측에 기초하여 제어부(CNT)가 목표 변형량을 결정한다.
제7 실시형태에서도, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계가 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 커진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
도 13은 제8 실시형태를 나타내고 있다. 제8 실시형태에서는, 복수의 샷 영역 각각을 위한 잠정 목표 변형량은, 임프린트 처리의 실행 전에 미리 취득된 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정된다. 제8 실시형태에서는, 제1 처리에서 액추에이터(22)에 의해 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 제1 처리에 후속하는 제2 처리(경화 처리)에서 몰드(M)의 패턴 영역(P)에 부여되는 잠정 목표 변형량 사이의 차분이 복수의 샷 영역에서 미리정해진 부의 값이 되도록 설정된다. 즉, 제8 실시형태에서는, 상기 차분이 미리정해진 부의 오프셋값이 되도록 설정된다.
제8 실시형태에서는, 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리 중에 얼라인먼트 처리에서 얼라인먼트 스코프(AS)를 사용해서 중첩 오차가 계측되고, 이 계측에 기초하여 제어부(CNT)가 목표 변형량을 결정한다.
제8 실시형태에서도, 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제1 변형량과 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 제2 변형량 사이의 대소 관계가 복수의 샷 영역에서 일정해진다. 준비 처리 중에 제1 처리에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제1 변형량)이 임프린트 처리 중에 제2 처리(경화 처리)에서 패턴 영역(P)에 부여되는 변형량(제2 변형량)보다 항상 작아진다. 몰드(M)의 패턴 영역(P)을 목표 변형량에 대하여 더 정확한 변형량으로 변형시킬 수 있다. 기판(S)의 샷 영역을 목표 형상으로 안정적으로 제어할 수 있고, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(P) 사이의 중첩 오차를 저감할 수 있다.
임프린트 장치를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 및 몰드를 포함한다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 또는 MRAM과 같은 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리, 및 LSI, CCD, 이미지 센서, 또는 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은, 전술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행하여진 후에 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 임프린트 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하고, 해당 패턴이 형성된 기판을 처리하고, 해당 처리가 행하여진 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 14a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로 형성된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 14b에 도시하는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)의, 그 3차원 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해 대향시킨다. 도 14c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서의 광을 몰드(4z)를 통해 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화한다.
도 14d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)와 기판(1z)을 서로 분리함으로써, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 몰드의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하고, 몰드의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)의 3차원 패턴이 전사된다.
도 14e에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용해서 에칭을 행함으로써, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없는 부분 또는 경화물이 얇게 유지되는 부분이 제거되어 트렌치(5z)를 형성한다. 도 14f에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 피가공재(2z)의 표면에 트렌치(5z)가 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서 경화물의 패턴이 제공된다. 그러나, 경화물의 패턴은 가공 후에도 제거되지 않고 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용될 수 있다.
다른 실시형태
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (13)

  1. 임프린트재에 몰드의 패턴 영역을 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 기판의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 상기 장치는,
    상기 패턴 영역을 변형시키도록 구성되는 변형 기구로서, 상기 변형 기구는 상기 몰드에 힘을 가하도록 구성되는 액추에이터를 포함하는, 변형 기구를 포함하며,
    각각의 샷 영역에 대해, 상기 액추에이터에 의해 상기 몰드에 제1 변형량을 부여하는 제1 처리가 실행된 후에, 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역이 서로 접촉하고, 상기 샷 영역과 상기 패턴 영역 사이의 중첩 오차를 저감하도록 상기 액추에이터에 의해 상기 몰드에 제2 변형량을 부여한 상태에서, 상기 임프린트재를 경화시키는 제2 처리가 실행되며,
    상기 제1 변형량과 상기 제2 변형량 사이의 대소 관계가 상기 복수의 샷 영역에서 동일한 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 변형량은 상기 복수의 샷 영역에서 일정한 임프린트 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 변형량은 상기 복수의 샷 영역 각각의 처리에서의 상기 제2 변형량보다 큰 임프린트 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1 변형량은 상기 복수의 샷 영역 각각의 처리에서의 상기 제2 변형량보다 작은 임프린트 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제1 변형량과 상기 복수의 샷 영역 각각의 처리에서의 상기 제2 변형량 사이의 차분이 일정해지도록, 상기 제1 변형량이 상기 복수의 샷 영역 각각에 대해서 결정되는 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 복수의 샷 영역 각각과 상기 패턴 영역 사이의 중첩 오차를 계측하도록 구성되는 계측기를 더 포함하며,
    상기 제2 변형량은 상기 계측기에 의한 계측에 기초하여 결정되는 임프린트 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 복수의 샷 영역 각각과 상기 패턴 영역 사이의 중첩 오차를 계측하도록 구성되는 계측기를 더 포함하고,
    상기 제1 변형량은, 미리 취득된 상기 복수의 샷 영역의 형상 정보에 기초하여 결정되며,
    상기 제2 변형량은, 상기 계측기에 의한 계측에 기초하여 결정되는 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2 처리에서, 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역이 서로 접촉한 상태에서 상기 샷 영역과 상기 패턴 영역 사이의 중첩 오차가 저감되도록 상기 제2 변형량이 상기 액추에이터에 의해 상기 몰드에 부여되는 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 중첩 오차는 배율 성분을 포함하는 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 중첩 오차는 왜곡 성분을 포함하는 임프린트 장치.
  11. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에서 규정된 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 기판의 처리를 행하는 단계를 포함하며,
    상기 처리가 행하여진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법.
  12. 임프린트재에 몰드의 패턴 영역을 접촉시키고 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 기판의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 상기 방법은,
    각각의 샷 영역에 대해서, 액추에이터에 의해 상기 몰드에 제1 변형량을 부여하는 제1 처리와, 상기 제1 처리의 후에, 상기 임프린트재와 상기 패턴 영역이 서로 접촉하고, 상기 샷 영역과 상기 패턴 영역 사이의 중첩 오차가 저감되도록 제2 변형량을 상기 액추에이터에 의해 상기 몰드에 부여한 상태에서 상기 임프린트재를 경화시키는 제2 처리를 포함하며,
    상기 제1 변형량과 상기 제2 변형량 사이의 대소 관계는 상기 복수의 샷 영역에서 동일한 임프린트 방법.
  13. 물품 제조 방법이며,
    제12항에서 규정된 임프린트 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 기판의 처리를 행하는 단계를 포함하며,
    상기 처리가 행하여진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법.
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