KR102563573B1 - 임프린트재에 패턴을 형성하는 방법 및 장치 - Google Patents

임프린트재에 패턴을 형성하는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

몰드를 사용하여 기판의 샷 영역 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법은 샷 영역 및 몰드의 정렬을 위한 복수의 마크를 결정하는 단계; 결정 단계에서 결정된 복수의 마크를 사용하여 정렬을 위한 계측을 행하는 단계, 결정 단계에서 결정된 복수의 마크의 배치에 기초하여 샷 영역과 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치를 설정하는 단계, 및 계측에서의 계측 결과 및 설정 단계에서 결정된 원점 위치에 기초하여 정렬 오차를 취득하는 단계를 포함한다.

Description

임프린트재에 패턴을 형성하는 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR FORMING PATTERN ON IMPRINT MATERIAL}
본 발명은 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법, 임프린트 장치, 임프린트 장치를 조정하는 방법 및, 물품을 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 물품을 제조하기 위한 새로운 기술로서, 몰드를 사용해서 기판의 복수의 샷 영역 위에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 기술이 사용되기 시작했다. 임프린트 기술에서는, 기판의 샷 영역과 몰드의 패턴 영역 사이의 정렬 정밀도를 향상시키기 위해서, 샷 영역의 형상과 패턴 영역의 형상 사이의 차이인 정렬 오차가 샷 영역 및 패턴 영역에 제공된 마크를 사용하여 검출될 수 있다. 샷 영역과 패턴 영역 사이의 형상에 차이가 있는 경우, 샷 영역 및 패턴 영역 중 적어도 하나를 그 차이에 기초하여 변경시킴으로써 차이를 감소시킬 수 있다(일본 특허 공개 공보 제2016-143838호). 정렬 오차는 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분, 사다리꼴 성분 및 스큐(skew) 성분 등의 복수의 성분으로 분해될 수 있다.
기판 상의 샷 영역은 샷 영역의 위치에 따라 상이한 기하학적 특징을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판에 배치되는 복수의 샷 영역은, 직사각형 형상을 갖는 샷 영역(완전 샷 영역)과 기판의 에지에 의해 규정되는 샷 영역(부분 샷 영역)을 포함할 수 있다. 완전 샷 영역 및 부분 샷 영역은, 정렬 오차를 검출하기 위해서 사용하는 복수의 마크의 위치 및 레이아웃이 상이할 수 있다. 또한, 완전 샷 영역도 결함 마크로 인해 예정된 위치와 상이한 위치의 마크 또는 에정된 것보다 적은 수의 마크를 사용하여 정렬되는 경우가 있다. 상술한 바와 같이, 각각의 샷 영역마다 정렬 오차를 검출하기 위해서 사용되는 마크의 위치 및 레이아웃이 상이할 수 있다.
본 발명자는, 정렬 오차를 검출하기 위해서 사용되는 복수의 마크의 위치 및 레이아웃에 관계없이, 원점 위치로서의 샷 영역의 중심 위치에 관하여 정렬 오차 성분을 취득함으로써 정렬 오차를 적절하게 보정할 수 있다고 생각해왔다. 그러나, 본 발명자는, 연구의 결과, 이러한 취득 방법은 바람직하지 않다는 것을 밝혀냈다.
본 발명은 정렬 오차를 적절하게 보정하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태 중 하나는, 몰드를 사용하여 기판의 샷 영역 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법을 제공하며, 상기 방법은, 상기 샷 영역과 상기 몰드의 정렬을 위한 복수의 마크를 결정하는 단계; 상기 결정 단계에서 결정된 상기 복수의 마크를 사용하여 상기 정렬을 위한 계측을 행하는 단계; 상기 결정 단계에서 결정된 상기 복수의 마크의 배치에 기초하여 상기 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치를 설정하는 단계; 및 상기 계측에서의 계측 결과 및 상기 설정 단계에서 결정된 상기 원점 위치에 기초하여 상기 정렬 오차를 취득하는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치의 배치를 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 무아레 패턴을 사용하여 2개의 마크 사이의 상대 위치를 검출하는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 정렬 오차의 검출시의 정렬 스코프, 기판의 샷 영역, 기판 상의 마크, 몰드 상의 마크 사이의 위치 관계를 각각 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 4는 변형 기구의 배치를 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치를 설명하는 도면이다.
도 6은 1개의 샷 영역에 대한 패턴 형성을 위한 동작을 도시하는 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7d는 정렬 오차 성분을 특정하기 위한 룰을 예시적으로 설명하는 도면이다.
도 8은 비교예를 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 정렬 오차의 분배를 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제3 실시형태를 설명하는 블록도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 정렬 방법에 있어서의 절차를 도시하는 흐름도이다.
도 12a 내지 도 12f는 물품을 제조하는 방법을 예시적으로 도시하는 단면도이다.
도 13a 내지 도 13d는 물품을 제조하는 방법을 예시적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명을 첨부의 도면을 참고하여 예시적인 실시형태를 통해 이하에서 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 배치를 도시한다. 임프린트 장치(100)는, 임프린트 처리에 의해 기판(S)의 복수의 샷 영역 상에 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴을 형성하도록 구성된다. 임프린트 처리는, 몰드(M)를 사용해서 기판(S)의 복수의 샷 영역 위에 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴을 형성하는 처리이다. 임프린트 처리는, 예를 들어 접촉 처리, 정렬 처리, 경화 처리, 및 분리 처리를 포함할 수 있다. 접촉 처리는, 기판(S)의 샷 영역 상의 임프린트재(IM)에 몰드(M)의 패턴 영역(PR)을 접촉시키는 처리이다. 정렬 처리는 기판(S)의 샷 영역을 몰드(M)의 패턴 영역(PR)과 정렬시키는 처리이다. 임프린트 처리에서의 정렬 처리는, 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 중첩 오차를 저감시키도록 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 및 기판(S)의 샷 영역 중 적어도 하나를 변형시키는 변형 처리를 포함할 수 있다. 경화 처리는 임프린트재(IM)를 경화시키는 처리이다. 분리 처리는 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴을 몰드(M)의 패턴 영역(PR)으로부터 분리하는 처리이다.
임프린트재로서는, 경화 에너지를 받은 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 칭함)이 사용된다. 경화 에너지의 예는 전자기파, 열 등이다. 전자기파는 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 광이다. 전자기파의 예는 적외선, 가시광선, 및 자외선일 수 있다. 경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 조성물 중, 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하며, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 포함할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다. 임프린트재는, 임프린트재 공급기에 의해 공급되는 액적의 형태로 또는 복수의 액적이 연결되어 획득되는 섬 또는 막의 형태로 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s이다. 기판 재료의 예는 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등일 수 있다. 기판과 상이한 재료로 이루어지는 부재가 필요에 따라 기판의 표면 상에 형성될 수 있다. 기판의 예는 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 및 실리카 유리이다.
본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(S)의 표면에 평행한 방향이 X-Y 평면으로서 설정되는 XYZ 좌표계에 의해 방향을 나타낼 것이다. XYZ 좌표계에서의 X 축, Y 축, 및 Z 축에 평행한 방향이 각각 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향인 것으로 상정한다. X 축 둘레의 회전, Y 축 둘레의 회전, 및 Z 축 둘레의 회전이 각각 θX, θY, 및 θZ인 것으로 상정한다. X 축, Y 축, 및 Z 축에 관한 제어 동작 또는 구동 동작은 각각 X 축에 평행한 방향, Y 축에 평행한 방향, 및 Z 축에 평행한 방향에 관한 제어 동작 또는 구동 동작을 나타낸다. 또한, θX 축, θY 축, 및 θZ 축에 관한 제어 동작 또는 구동 동작은 각각 X 축에 평행한 축 둘레의 회전, Y 축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z 축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 동작 또는 구동 동작을 나타낸다. 또한, 위치는 X 축, Y 축 및 Z 축 상의 좌표에 기초하여 특정될 수 있는 정보이며, 배향은 θX 축, θY 축 및 θZ 축 상의 값에 의해 특정될 수 있는 정보이다. 위치결정은 위치 및/또는 배향의 제어를 나타낸다. 정렬(위치결정) 또는 정렬 처리는 기판 및 몰드 중 적어도 하나의 위치 및/또는 배향의 제어를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)는, 기판(S)을 보유지지하여 구동하는 기판 구동 기구(SDM), 기판 구동 기구(SDM)를 지지하는 베이스 프레임(BF), 몰드(M)를 보유지지하여 구동하는 몰드 구동 기구(MDM), 및 몰드 구동 기구(MDM)을 보유지지하는 구조체(ST)를 포함할 수 있다. 기판 구동 기구(SDM)는, 기판(S)을 보유지지하는 기판 척(SC)을 포함하는 기판 스테이지(SS) 및 기판 스테이지(SS)를 위치결정함으로써 기판(S)을 위치결정하는 기판 위치결정 기구(SA)를 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 몰드(M)를 보유지지하는 몰드 척(MC) 및 몰드 척(MC)을 위치결정함으로써 몰드(M)를 위치결정하는 몰드 위치결정 기구(MA)를 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 접촉 처리 및/또는 분리 처리에서 몰드(M)에 가해지는 힘을 검출하는 로드셀(LC)을 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 패턴 영역(PR)을 기판(S)을 향해서 볼록한 형상으로 변형시키도록 몰드(M)의 패턴 영역(PR)의 반대 측의 면에 압력을 가하는 압력 기구를 더 포함할 수 있다.
기판 구동 기구(SDM) 및 몰드 구동 기구(MDM)는, 기판(S)과 몰드(M) 사이의 상대 위치를 변경하도록 기판(S) 및 몰드(M) 중 적어도 하나를 구동하는 구동 기구(DM)를 구성한다. 구동 기구(DM)를 사용한 상대 위치의 변경은, 기판(S) 상의 임프린트재(IM)에 몰드(M)의 패턴 영역(PR)을 접촉시키고 경화된 임프린트재(경화물의 패턴)로부터 몰드(M)를 분리하는 구동을 포함한다. 즉, 구동 기구(DM)를 사용한 상대 위치의 변경은 접촉 처리 및 분리 처리를 행하도록 기판(S)과 몰드(M) 사이의 상대 위치를 변경하는 것을 포함한다. 기판 구동 기구(SDM)는, 기판(S)을 복수의 축(예를 들어, X 축, Y 축, 및 θZ 축을 포함하는 3축, 바람직하게는 X 축, Y 축, Z 축, θX 축, θY 축, 및 θZ 축을 포함하는 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 몰드(M)를 복수의 축(예를 들어, Z 축, θX 축, 및 θY 축을 포함하는 3축, 바람직하게는 X 축, Y 축, Z 축, θX 축, θY 축, 및 θZ 축을 포함하는 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다.
임프린트 장치(100)는 몰드(M)의 패턴 영역(PR)을 변형시키는 변형 기구(MAG)를 더 포함할 수 있다. 변형 기구(MAG)는, X-Y 평면에 평행한 평면 내에서의 패턴 영역(PR)의 형상(크기를 포함)을 변경하도록 패턴 영역(PR)을 변형시킬 수 있다. 변형 기구(MAG)는 몰드(M)의 4개의 측면에 힘을 가함으로써 패턴 영역(PR)을 변형시킬 수 있다. 임프린트 장치(100)는, 기판(S)의 샷 영역을 변형시키는 샷 영역 변형 유닛(SRD)을 더 포함할 수 있다. 샷 영역 변형 유닛(SRD)은 X-Y 평면에 평행한 평면 내에서의 샷 영역의 형상(크기를 포함)을 변경하도록 샷 영역을 변형시킬 수 있다. 샷 영역 변형 유닛(SRD)은, 기판(S)에 온도 분포를 형성함으로써 기판(S)의 샷 영역을 변형시킬 수 있다. 온도 분포는 기판(S)에 임프린트재를 경화시키지 않으며 자외선의 파장 범위 또는 가시광선의 파장 범위로부터 선택되는 파장을 갖는 광을 조사함으로써 형성될 수 있다.
임프린트 장치(100)는 디스펜서(DSP)를 포함할 수 있다. 디스펜서(DSP)는 임프린트 장치(100)의 외부 장치로서 구성될 수 있다. 디스펜서(DSP)는, 기판(S)의 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치한다. 임프린트재(IM)는, 기판 구동 기구(SDM)에 의해 기판(S)이 구동되는 상태에서, 상기 구동과 동기해서 디스펜서(DSP)가 임프린트재(IM)를 토출하게 함으로써 기판(S)의 샷 영역에 배치될 수 있다. 이 경우, 디스펜서(DSP)가 기판(S) 상의 1개의 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치할 때마다, 접촉 처리, 정렬 처리, 경화 처리 및 분리 처리가 실행될 수 있다. 대안적으로, 디스펜서(DSP)가 기판(S) 상의 복수의 샷 영역에 임프린트재(IM)를 배치한 후에, 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 접촉 처리, 정렬 처리, 경화 처리 및 분리 처리가 실행될 수 있다.
임프린트 장치(100)는 경화 유닛(CU)을 더 포함할 수 있다. 경화 유닛(CU)은, 기판(S) 상의 임프린트재(IM)에 몰드(M)의 패턴 영역(PR)이 접촉한 상태에서 임프린트재(IM)에 경화 에너지를 조사함으로써 임프린트재(IM)를 경화시킨다. 이에 의해 임프린트재(IM)의 경화물로 형성되는 패턴을 기판(S) 상에 형성한다.
임프린트 장치(100)는, 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)의 위치, 몰드(M)의 마크(MMK)의 위치, 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치 등을 검출하는 정렬 검출계(계측 장치)(AS)를 포함할 수 있다. 정렬 검출계(AS)는, 예를 들어 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK)에 의해 형성되는 무아레 패턴에 기초하여 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출할 수 있다. 임프린트 장치(100)는 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)의 위치를 검출(계측)하는 오프-액시스 스코프(OAS)를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)는 제어부(CNT)를 더 포함할 수 있다. 제어부(CNT)는 구동 기구(DM), 변형 기구(MAG), 샷 영역 변형 유닛(SRD), 디스펜서(DSP), 경화 유닛(CU), 정렬 검출계(AS), 및 오프-액시스 스코프(OAS)를 제어할 수 있다. 제어부(CNT)는, 예를 들어 FPGA(Field Programmable Gate Array의 약어) 등의 PLD(Programmable Logic Device의 약어), ASIC(Application Specific Integrated Circuit의 약어), 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 이들 구성요소의 전부 또는 일부의 조합으로 형성될 수 있다.
제어부(CNT)는, 정렬 검출계(AS)에 의해 획득되는 검출 결과, 예를 들어 기판(S)의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치에 기초하여 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 중첩 오차를 계산할 수 있다. 즉, 제어부(CNT)는 정렬 검출계(AS)로부터의 출력에 기초하여 기판(S)의 샷 영역과 몰드(M)의 패턴 영역(PR) 사이의 정렬 오차를 계산할 수 있다. 정렬 오차는 중첩 오차를 포함하는 개념이다. 정렬 오차 또는 중첩 오차는, 예를 들어 복수의 성분(예를 들어, 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분, 사다리꼴 성분 및 스큐 성분)을 포함할 수 있다.
정렬 검출계(AS)에 적용될 수 있는 상대 위치를 검출하는 원리, 더 구체적으로는 무아레 패턴을 사용하여 2개의 마크 사이의 상대 위치를 검출(계측)하는 원리를 도 2a 내지 도 2d를 참고하여 설명한다. 도 2a 및 도 2b는 상이한 피치를 갖는 2개의 유형의 격자 마크를 나타낸다. 2개의 유형의 격자 마크 중 하나는 기판(S)의 마크(SMK)이며, 다른 것은 몰드(M)의 마크(MMK)이다. 이들 격자 마크를 서로 중첩시키면 도 2c에 나타낸 바와 같은 명부 및 암부 줄무늬 패턴이 발생할 것이다. 이 줄무늬 패턴이 무아레 패턴이다. 무아레 패턴의 명부 간섭무늬 및 암부 간섭무늬의 위치는 2개의 유형의 격자 마크 사이의 상대 위치에 의존하여 변화한다. 예를 들어, 2개의 유형의 격자 마크 중 하나가 우측으로 약간 이동되면, 도 2c에 도시된 무아레 패턴은 도 2d에 도시된 것과 같은 무아레 패턴으로 변화한다. 이 무아레 패턴은, 2개의 유형의 격자 마크 사이의 증가된 시프트량에 의해 큰 명부 및 암부 간섭무늬로서 발생하며, 따라서 낮은 해상력을 갖는 정렬 검출계(AS)에서도 2개의 유형의 격자 마크 사이의 상대적인 위치 관계를 정밀하게 검출할 수 있게 한다. 정렬 검출계(AS)는 이러한 원리에 기초하여 기판(S)의 마크(SMK)와 몰드(M)(그 패턴 영역(PR))의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출할 수 있다.
위에서는 무아레 패턴을 사용해서 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출하는 경우를 예시하였다. 그러나, 이것은 단지 일례이다. 정렬 검출계(AS)는, 다른 원리 또는 방법에 따라서 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출할 수 있다. 예를 들어, 정렬 검출계(AS)는, 시야 내에서의 마크(SMK)의 화상의 위치와 시야 내에서의 마크(MMK)의 화상의 위치에 기초하여, 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출할 수 있다. 대안적으로, 정렬 검출계(AS)는, 시야 내에서의 마크(SMK)의 화상과 시야 내에서의 마크(MMK)의 화상 사이의 상대 위치에 기초하여 기판(S)의 샷 영역의 마크(SMK)와 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 정렬계(AS), 기판(S)의 샷 영역(SR), 기판(S)의 마크(기판측 마크)(SMK), 및 몰드(M)의 마크(몰드측 마크)(MMK) 사이의 위치 관계를 예시적으로 도시한다. 도 3a는 완전 샷 영역에 관한 정렬 오차가 어떻게 검출되는지를 나타낸다. 도 3c는 부분 샷 영역에 관한 정렬 오차가 어떻게 검출되는지를 나타낸다. 도 3b는 완전 샷 영역과 부분 샷 영역 사이의 차이를 설명하기 위한 참고 도면이다. 완전 샷 영역(제1 샷 영역)은 직사각형 형상을 갖는 샷 영역(SR)이다. 완전 샷 영역은 몰드(M)의 패턴 영역(PR)의 것과 동일한 형상을 갖는다. 부분 샷 영역(제2 샷 영역)은 기판(S)의 에지에 의해 형상이 규정되는 샷 영역(SR)이다. 완전 샷 영역(제1 샷 영역)은 제1 개수의 칩 영역을 포함하고, 부분 샷 영역(제2 샷 영역)은 제1 개수보다 적은 제2 개수의 칩 영역을 포함한다. 도 3a 내지 도 3c는 완전 샷 영역 및 부분 샷 영역의 양자 모두를 샷 영역(SR)으로서 나타낸다.
이 경우, 완전 샷 영역은 6개의 칩 영역(CR-1, CR-2, CR-3, CR-4, CR-5, 및 CR-6)을 포함한다. 이와 대조적으로, 부분 샷 영역은 6개의 칩 영역(CR-1, CR-2, CR-3, CR-4, CR-5, 및 CR-6) 중 기판(S)의 유효 영역 내에 들어가는 하나의 칩 영역 또는 여러 개의 칩 영역만을 포함한다. 도 3b 및 도 3c에 도시된 경우에, 부분 샷 영역은 칩 영역(CR-5)만을 포함한다. 도 3b 및 도 3c는 모든 칩 영역(CR-1, CR-2, CR-3, CR-4, CR-5, 및 CR-6)을 각각 나타내지만, 이는 편의를 위해서일 뿐이다. 도 3b 및 도 3c를 참조하면, 기판(S)의 부분 샷 영역은 실제로는 칩 영역(CR-5)만을 포함한다. 기판(S)의 유효 영역은 기판(S)의 전체 주요면 중 패턴의 형성을 허용하는 영역이다. 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 기판(S)의 각각의 마크(SMK) 및 몰드(M)의 각각의 마크(MMK)를 작은 직사각형으로 나타낸다. 이들 직사각형 중, 이들 중, 중실 검정색 직사각형은 상대 위치의 검출을 가능하게 하는 마크(SMK 및 MMK)이다. 이와 대조적으로, 중공 직사각형은, 기판(S)의 마크(SMK)가 실제로는 존재하지 않기 때문에, 마크(SMK)에 대한 상대 위치의 검출이 불가능한 마크(MMK)이다.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 경우에, 정렬 검출계(AS)는 8개의 정렬 스코프(AS-1 내지 AS-8)를 포함한다. 8개의 정렬 스코프(AS-1 내지 AS-8)는 기판(S)의 마크(SMK)와 대응하는 몰드(M)의 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출하도록 구성된다. 이 경우, 정렬 스코프(AS-1, AS-2, AS-5, 및 AS-6)는 X 방향에서의 마크(SMK)와 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출한다. 정렬 스코프(AS-3, AS-4, AS-7, 및 AS-8)는 Y 방향에서의 마크(SMK)와 마크(MMK) 사이의 상대 위치를 검출한다.
도 4는 변형 기구(MAG)의 배치의 예를 도시한다. 변형 기구(MAG)는 예를 들어 몰드(M)의 측면에 힘을 인가하는 복수의 힘 인가 유닛(40)을 포함할 수 있다. 각각의 힘 인가 유닛(40)은 몰드(M)의 측면을 흡인하는 흡인 유닛(41), 및 흡인 유닛(41)을 몰드(M)의 측면에 가압하며 흡인 유닛(41)을 몰드(M)의 측면으로부터 멀리 이동시키는 액추에이터(42)를 포함할 수 있다. 제어부(CNT)는, 액추에이터(42)에 부여되는 명령값과 몰드(M)의 변형량 사이의 관계를 미리 취득하고, 그후 상기 관계 및 정렬 검출계(AS)에 의해 획득된 계측 결과에 기초하여 결정된 필요 변형량에 기초하여 결정되는 명령값을 액추에이터(42)에 보낸다. 변형 기구(MAG)는, 샷 영역(SR)과 패턴 영역(PR) 사이의 정렬 오차(중첩 오차)를 구성하는 복수의 성분 중 예를 들어 배율 성분, 사다리꼴 성분 및 스큐 성분을 보정(저감)할 수 있다.
완전 샷 영역에 대해서 정렬 오차를 검출하는 경우, 도 3a에 예시되는 바와 같이, 완전 샷 영역에 대하여 제공된 복수의 마크 쌍(마크(SMK 및 MMK)) 중, 가능한 한 외측에 배치된 8개의 마크 쌍이 사용된다. 이 경우, 정렬 스코프(AS-1 내지 AS-8)는 8개의 마크 쌍에 각각 대응하는 위치에 각각 위치결정될 수 있다.
그러나, 이와 같이 배치된 정렬 스코프(AS-1 내지 AS-8)는 부분 샷 영역에 대해서 어떠한 정렬 오차도 검출할 수 없다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 경우에, 정렬 스코프(AS-6 및 AS-7)만이 마크(SMK 및 MMK) 사이의 상대 위치를 검출할 수 있다. 따라서, 부분 샷 영역에 대해서 정렬 오차를 검출하는 경우, 도 3c에 예시적으로 도시된 바와 같이, 유효한 칩 영역(CR-5) 또는 그 근방의 칩 영역에 대하여 제공된 복수의 마크 쌍(마크(SMK 및 MMK)), 예를 들어 8개의 마크 쌍이 사용될 수 있다. 이 경우, 정렬 스코프(AS-1 내지 AS-8)는 8개의 마크 쌍에 각각 대응하는 위치에 위치결정될 수 있다.
제어부(CNT)는, 정렬 검출계(AS)(정렬 스코프(AS-1 내지 AS-8))를 사용하여 검출된 각 마크 쌍(SMK 및 MMK) 사이의 상대 위치에 기초하여 샷 영역(SR)과 패턴 영역(PR) 사이의 정렬 오차를 계산한다. 이 정렬 오차 계산에서, 좌표계의 원점 위치를 결정할 필요가 있다.
비교예에서는, 완전 샷 영역 및 부분 샷 영역의 양자 모두에서, 패턴 영역의 중심이 정렬 오차의 계산(취득)을 위한 좌표계의 원점 위치로서 설정된다. 이 경우, 완전 샷 영역에 대해서 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치로서 패턴 영역(PR)의 중심을 설정하는 것에 대해서는 문제가 없다. 그러나, 부분 샷 영역에 대해서 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치로서 패턴 영역(PR)의 중심을 설정하는 것에 대해서는 문제가 있다. 완전 샷 영역의 중심은 패턴 영역(PR)의 중심과 일치하지만, 부분 샷 영역은 완전 샷 영역(또는 패턴 영역(PR))보다 작기 때문에 부분 샷 영역의 중심은 패턴 영역(PR)의 중심과 일치하지 않는다.
이하, 부분 샷 영역에 관한 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치로서 패턴 영역(PR)의 중심을 설정하는 것에 있어서의 문제점에 대해서 도 5a를 참고하여 설명한다.
도 5a는 칩 영역(CR-1 내지 CR-6) 중 칩 영역(CR-2)만이 기판(S)의 유효 영역 내에 들어가는 부분 샷 영역을 예시적으로 도시한다. 검정색 동그라미는 칩 영역(CR-2)의 4개의 코너에 위치하는 마크(SMK)에 대응하는 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)의 위치를 나타낸다. 검정색 삼각형은 칩 영역(CR-2)의 4개의 코너에 위치하는 마크(SMK)의 실제 위치를 나타낸다. 이 경우, 정렬 검출계(AS)는 검정색 동그라미와 검정색 삼각형의 위치 사이의 상대 위치를 검출하는 것으로 상정한다. 간략화를 위해서, 몰드(M)의 마크(MMK)는 오차를 갖지 않고, 마크(MMK)의 위치는 설계 위치와 일치하는 것으로 상정한다.
(x1, y1)는 칩 영역(CR-2)의 우측 상위에 위치하는 마크(SMK)에 대응하는 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)의 위치인 것으로 하고, (x2, y2)는 칩 영역(CR-2)의 우측 하위에 위치하는 마크(SMK)에 대응하는 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)의 위치인 것으로 하고, (x3, y3)는 칩 영역(CR-2)의 좌측 하위에 위치하는 마크(SMK)에 대응하는 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)의 위치인 것으로 하며, (x4, y4)는 칩 영역(CR-2)의 좌측 상위에 위치하는 마크(SMK)에 대응하는 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)의 위치인 것으로 한다.
(Δx1, Δy1)는 (x1, y1)에 대한 우측 상위의 마크(SMK)의 위치의 시프트량(정렬 오차)인 것으로 한다. (Δx1, Δy1)가 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분, 및 사다리꼴 성분의 합계인 것으로 규정되는 경우, (Δx1, Δy1)는 이하에 주어진 식 (1)에 의해 표현된다:
Δx1 = Sx + Mx·x1 + rotθx·y1 + Tx·x1·y1
Δy1 = Sy + My·y1 + rotθy·x1 + Ty·x1·y1
...(1)
Sx 및 Sy는 시프트 성분이고, Mx 및 My는 배율 성분이고, rotθx 및 rotθy는 회전 성분이며, Tx 및 Ty는 사다리꼴 성분이다. 정렬 오차는 스큐 성분 및 더 높은 차원의 성분을 포함할 수 있지만, 간략화를 위해서 영향이 큰 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분, 및 사다리꼴 성분에 대해서 생각한다.
마찬가지로, 이하의 식 (2)은 다른 위치에 배치되는 마크에 대해서 규정된다.
Δx2 = Sx + Mx·x2 + rotθx·y2 + Tx·x2·y2
Δy2 = Sy + My·y2 + rotθy·x2 + Ty·x2·y2
Δx3 = Sx + Mx·x3 + rotθx·y3 + Tx·x3·y3
Δy3 = Sy + My·y3 + rotθy·x3 + Ty·x3·y3
Δx4 = Sx + Mx·x4 + rotθx·y4 + Tx·x4·y4
Δy4 = Sy + My·y4 + rotθy·x4 + Ty·x4·y4
...(2)
특정 예를 제공하기 위해서, 완전 샷 영역의 크기는 4a × 6a로서 정의된다. 이 경우, 패턴 영역의 마크(MMK)의 위치는 이하에 주어진 식 (3)으로서 표현된다:
(x1, y1) = (2a, 3a)
(x2, y2) = (2a, a)
(x3, y3) = (0, a)
(x4, y4) = (0, 3a)
...(3)
간략화를 위해서, X 방향의 정렬 오차, 즉 이하에 주어진 식 (4)에 대해서만 생각한다:
Δx1 = Sx + 2a·Mx + 3a·rotθx + 6a2Tx
Δx2 = Sx + 2a·Mx + a·rotθx + 2a2Tx
Δx3 = Sx + a·rotθx
Δx4 = Sx + 3a·rotθx
...(4)
이 정렬 오차를 각각의 성분에 대해 풀이하면, 이하에 주어진 식 (5)가 달성된다:
Sx = 1/2·(3Δx3 - Δx4)
Mx = 1/4a·(-Δx1 + 3Δx2 - 3Δx3 + Δx4)
Rotθx = 1/2a·(-Δx3 + Δx4)
Tx = 1/4a2·(Δx1 - Δx2 + Δx3 - Δx4)
...(5)
예를 들어, Sx 및 Rotθx를 생각한다. 이 경우, 4개의 마크 쌍 사이의 상대 위치가 검출되지만, 4개의 마크 쌍 중 2개의 마크 쌍 사이의 상대 위치만이 Sx 및 Rotθx에 반영된다. 또한, Mx를 고려한다. 이 경우, 4개의 마크 쌍 사이의 상대 위치에 대한 검출 결과에 계수가 적용된다. 그러므로, Mx에 대한 4개의 마크 쌍 사이의 상대 위치에 대한 검출 결과는 영향이 상이한 것이 명백하다. 따라서, 복수의 마크 쌍 사이의 상대 위치에 대한 검출 결과가 오차를 포함하는 경우, 복수의 마크 쌍 사이의 상대 위치가 검출된다는 사실에도 불구하고, 충분한 평균화 효과를 얻을 수 없다. 또한, 계산 결과는 일부의 마크 쌍에 대한 검출 결과를 불균형적으로 강조할 것이다.
따라서, 본 실시형태에서는, 제어부(CNT)는 부분 샷 영역 중 기판(S)의 유효 영역 내에 있는 칩 영역(CR-2)의 복수의 마크를 정렬 오차의 검출을 위해 사용한다. 제어부(CNT)는 복수의 마크의 배치에 기초하여 정렬 오차의 계산을 위한 좌표계의 원점 위치를 결정한다. 한편, 제어부(CNT)는, 완전 샷 영역에 대해서는, 4개의 코너의 마크(즉, 4개의 마크 쌍)를 정렬 오차의 검출을 위해서 사용하고, 4개의 마크 쌍의 배치에 기초하여 정렬 오차의 계산을 위한 좌표계의 원점 위치를 결정한다.
즉, 제어부(CNT)는 부분 샷 영역과 완전 샷 영역 사이에서 정렬 오차의 검출에 상이한 마크(마크 쌍)를 사용한다. 그러나, 제어부(CNT)는 부분 샷 영역 및 완전 샷 영역의 양자 모두에 대해서 정렬 오차의 검출을 위해 사용되는 복수의 마크(마크 쌍)에 따라서 정렬 오차의 계산을 위한 좌표계의 원점 위치를 결정한다.
일례에서, 제어부(CNT)는, 부분 샷 영역 및 완전 샷 영역의 양자 모두에 대해 정렬 오차의 검출에 사용하는 복수의 마크(마크 쌍)의 중심을 정렬 오차의 계산을 위한 좌표계의 원점 위치로서 결정한다. 복수의 마크(마크 쌍)의 중심은 예를 들어 복수의 마크(마크 쌍)의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 중심일 수 있다. 이 경우, 부분 샷 영역을 위해서 선택되는 복수의 마크의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 면적은 완전 샷 영역을 위해서 선택되는 복수의 마크의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 면적보다 작다.
대안적으로, 제어부(CNT)는 정렬 오차의 보정을 위한 허용 정밀도에 의존하여 부분 샷 영역 및 완전 샷 영역의 양자 모두에 대해 원점 위치가 상기 도형의 내측에 위치하도록 정렬 오차의 계산을 위한 좌표계의 원점 위치를 결정할 수 있다. 복수의 마크(마크 쌍)의 수는 적어도 3개일 수 있다.
다른 양태에서, 제어부(CNT)는, 정렬 오차를 검출하기 위해 사용되는 원점 위치와 복수의 마크(마크 쌍) 사이의 거리가 부분 샷 영역 및 완전 샷 영역의 양자 모두에 대해 허용 정밀도(허용 범위) 내에서 서로 동일하도록 원점 위치를 결정할 수 있다. 대안적으로, 제어부(CNT)는, 원점 위치가 부분 샷 영역 및 완전 샷 영역의 양자 모두에 대해 정렬 오차의 검출에 사용하는 복수의 마크(마크 쌍)의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 무게 중심과 일치하도록 원점 위치를 결정할 수 있다.
또 다른 양태에서, 제어부(CNT)는 샷 영역(부분 샷 영역 및 완전 샷 영역)에 따라서 원점 위치를 결정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 이 결정은 샷 영역과 대응하는 원점 위치를 지정하는 정보를 포함하는 테이블에 기초하여 행해질 수 있다.
도 5b는, 정렬 오차를 검출하기 위해 사용되는 복수의 마크(마크 쌍)와 원점 위치 사이의 거리가 부분 샷 영역에 대해 서로 동일하도록 원점 위치가 결정되는 경우를 도시한다.
이러한 원점 위치가 결정되는 경우, 칩 영역(CR-2)의 좌측 상위의 마크(SMK)에 대응하는 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)의 위치((x1, y1), (x2, y2), (x3, y3), 및 (x4, y4))는 이하에 주어진 식 (6)으로서 각각 표현된다.
(x1, y1) = (a, a)
(x2, y2) = (a, -a)
(x3, y3) = (-a, -a)
(x4, y4) = (-a, a)
...(6)
그러므로, Δx1, Δx2, Δx3, 및 Δx4은 이하에 주어진 식 (7)으로서 표현된다:
Δx1 = Sx + a·Mx + a·rotθx + a2·Tx
Δx2 = Sx + a·Mx - a·rotθx - a2·Tx
Δx3 = Sx - a·Mx - a·rotθx + a2·Tx
Δx4 = Sx - a·Mx + a·rotθx - a2·Tx
...(7)
이 정렬 오차를 각각의 성분에 대해 풀이하면 이하에 주어진 식 (8)이 제공될 것이다:
Sx = 1/4·(Δx1 + Δx2 + Δx3 + Δx4)
Mx = 1/4a·(Δx1 + Δx2 - Δx3 - Δx4)
Rotθx = 1/4a·(Δx1 - Δx2 - Δx3 + Δx4)
Tx = 1/4a2·(Δx1 - Δx2 + Δx3 - Δx4)
...(8)
성분(Sx, Mx, Rotθx, 및 Tx)은 각각 4개의 마크 쌍 사이의 상대 위치에서 유사한 민감도로 정렬 오차에 포함된다. 따라서, 복수의 마크 쌍 사이의 상대 위치에 대한 검출 결과를 평균화하면 정렬 오차에 대한 계산 결과에 포함되는 오차를 저감하는 효과가 제공될 것이다.
본 실시형태는 한 번의 임프린트 처리에 의해 패턴이 형성되는 영역의 면적(크기)이 복수의 샷 영역의 사이에서 상이한 경우에 유용하다. 그러나, 본 실시형태는 한 번의 임프린트 처리에 의해 패턴이 형성되는 영역의 면적(크기)이 복수의 샷 영역에서 동일하게 유지되는 경우에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 샷 영역에 따라서 정렬 오차의 검출을 위해서 사용되는 복수의 마크의 배치(위치 및/또는 개수)가 상이한 경우에는, 복수의 마크의 배치에 따라서 좌표계의 원점 위치는 변경될 수 있다. 예를 들어, 이전 단계에서 기판 상에 이상 마크가 형성되는 경우, 그 마크는 검출 대상으로서의 마크로부터 제외될 수 있는 경우가 있다. 이러한 경우, 최종 검출 대상으로서의 복수의 마크의 배치에 따라서 좌표계의 원점 위치가 변경될 수 있다.
제어부(CNT)가 유저의 의도에 관계없이 원점 위치를 결정하는 경우, 제어부(CNT)는 원점 위치를 의도하지 않은 위치에 배치할 수 있다. 따라서, 이러한 장치에는 제어부(CNT)가 원점 위치를 결정하게 하는 기능을 유효 또는 무효로 하는 설정 기능이 제공될 수 있다. 또한, 제어부(CNT)가 원점 위치를 결정하는 경우에는, 장치에는 원점 위치가 배치될 수 있는 영역을 제한하는 제한 기능이 제공될 수 있다. 이러한 설정 기능 및 제한 기능은 도 1에 예시적으로 도시되는 바와 같이 제어부(CNT)와 통신하는 유저 인터페이스 UI에 의해 제공될 수 있다.
도 6은, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에서의 기판(S)의 1개의 샷 영역(SR)에 대해 패턴을 형성하는 동작을 예시적으로 도시한다. 제어부(CNT)는 이 동작을 제어한다. 이러한 동작 전에, 패턴 형성 대상으로서의 샷 영역(SR)에 대하여 디스펜서(DSP) 또는 임프린트 장치(100) 외부의 장치에 의해 임프린트재(IM)가 배치되는 것으로 상정한다. 임프린트재(IM)는 하나의 샷 영역(SR)에 대해여 배치될 수 있거나 복수의 샷 영역(SR)에 대하여 연속적으로 배치될 수 있다.
단계 S601에서는, 제어부(CNT)는 패턴 형성 대상으로서의 샷 영역(SR)을 특정한다. 단계 S602(결정 단계)에서는, 제어부(CNT)는 단계 S601에서 결정된 샷 영역(SR)을 몰드(M)(그 패턴 영역(PR))에 정렬시키기 위한 복수의 마크(SMK)를 결정한다. 이 경우, 샷 영역(SR)의 복수의 마크(SMK)를 결정함으로써 샷 영역(SR)의 당해 복수의 마크(SMK)에 각각 대응하는 몰드(M)의 복수의 마크(MMK)가 결정될 것이다. 즉, 단계 S602에서는, 제어부(CNT)는, 단계 S601에서 특정된 샷 영역(SR)을 몰드(M)(그 패턴 영역(PR))에 정렬시키기 위한 복수의 마크 쌍(각 마크 쌍은 마크(SMK)와 마크(MMK)로 구성됨)을 결정한다. 이 경우, 완전 샷 영역을 위해서 결정되는 복수의 마크(마크 쌍) 사이의 상대 위치는 부분 샷 영역에 대해 결정되는 복수의 마크(마크 쌍) 사이의 상대 위치와 전형적으로 상이할 수 있다.
단계 S603(계측 단계)에서는, 제어부(CNT)는 단계 S602에서 결정된 복수의 마크 쌍 사이의 상대 위치(마크(SMK)와 마크(MMK) 사이의 상대 위치)를 검출하도록 정렬 검출계(AS)를 제어한다. 이는 제어부(CNT)가 단계 S602에서 선택된 복수의 마크 쌍 사이의 상대 위치를 계측하게 한다. 단계 S604(설정 단계)에서는, 제어부(CNT)는, 단계 S602에서 선택된 복수의 마크 쌍의 배치에 기초하여, 단계 S601에서 특정된 샷 영역(SR)과 몰드(M)(그 패턴 영역(PR)) 사이의 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치를 설정한다. 단계 S604는 원점 위치를 결정하는 단계를 포함한다. 원점 위치를 결정하는 방법은 상기의 설명을 따를 수 있다. 단계 S604는 단계 S602 후에 실행되는 한 단계 S603 전에 실행될 수 있다. 단계 S604에서는, 제어부(CNT)는, 단계 S601에서 특정된 샷 영역(SR)에 기초하여, 샷 영역(SR)과 몰드(M)(그 패턴 영역(PR)) 사이의 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치를 설정할 수 있다. 원점 위치를 결정하는 방법은 상기의 설명을 따를 수 있다. 이 경우, 단계 S604는 단계 S601 후에 실행되는 한 단계 S603 전에 또는 단계 S602 전에 실행될 수 있다.
단계 S605에서는, 제어부(CNT)는 단계 S603(계측 단계)에서 획득된 계측 결과 및 단계 S604(설정 단계)에서 설정된 원점 위치에 기초하여 정렬 오차를 계산한다. 정렬 오차의 계산 방법은 상기 설명을 따를 수 있다. 단계 S606에서는, 제어부(CNT)는, 임프린트 처리를 실행하기 위해서 구동 기구(DM), 변형 기구(MAG), 샷 영역 변형 유닛(SRD), 및 경화 유닛(CU)을 제어한다.
이하 본 발명의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 제2 실시형태에서 언급되지 않는 사항은 제1 실시형태를 따를 수 있다는 것에 유의한다. 도 7a 내지 도 7d는 정렬 오차의 성분을 특정하기 위한 룰을 각각 예시적으로 도시한다. 이하의 설명에서, 각 마크 쌍은 1개의 마크(MMK)(검정색 동그라미)와 1개의 마크(SMK)(검정색 삼각형)로서 구성된다. 어느 하나의 마크가 변형에 관한 기준으로서 사용될 수 있기 때문에, 각 마크 쌍의 MMK와 SMK 사이의 관계는 반대일 수 있다는 것에 유의한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 패턴 영역(PR)의 마크(MMK)(검정색 동그라미)와 샷 영역(SR)의 마크(SMK)(검정색 삼각형) 사이의 상대 위치가 허용 오차 내에서 4개의 마크 쌍 각각 사이에서 동일하게 유지되는 경우, 제어부(CNT)는 정렬 오차가 시프트 성분이라고 판단한다. 이 경우, 각각의 상대 위치는 마크(MMK)에 대한 마크(SMK)의 방향 및 마크(MMK)와 마크(SMK) 사이의 거리에 의해 특정된다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 패턴 영역(PR)의 중심에 대해서 4개의 마크(MMK)의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형을 회전시켰을 때에 4개의 마크(MMK)가 허용 오차 내에서 4개의 마크(SMK)에 중첩하는 경우, 제어부(CNT)는 정렬 오차가 회전 성분이라고 판단한다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 패턴 영역(PR)의 중심을 확대/축소의 중심으로 하여 4개의 마크(MMK)의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형을 확대/축소했을 대에 4개의 마크(MMK)가 허용 오차 내에서 4개의 마크(SMK)에 중첩하는 경우, 제어부(CNT)는 정렬 오차가 배율 성분이라고 판단한다. 도 7d에 도시된 바와 같이, 4개의 마크(MMK)의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 사각형의 제1 변의 2개의 단부를 서로 근접시키고 사각형의 제2 변의 2개의 단부를 서로 떨어지게 했을 때에 4개의 마크(MMK)가 4개의 마크(SMK)에 중첩하는 경우, 제어부(CNT)는 정렬 오차가 사다리꼴 성분이라고 판단한다. 이 경우, 제1 및 제2 변은 대변으로서의 2개의 변이다.
도 8을 참조하여 비교예로서 도 7a 내지 도 7d에 나타내는 룰에 따라서 부분 샷 영역의 정렬 오차의 성분을 판단하는 예를 설명한다. 도 8를 참조하면, 부분 샷 영역은 기판(S)의 유효 영역 내에 1개의 칩 영역(CR)만을 갖는다. 도 8을 참조하면, 검정색 동그라미는 부분 샷 영역의 칩 영역(CR)의 4개의 코너에 각각 배치되는 4개의 마크(SMK)에 대응하는 4개의 마크(MMK)를 나타낸다. 도 8을 참조하면, 4개의 마크(MMK)의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형이 패턴 영역(PR)의 중심을 확대/축소의 중심으로 하여 확대/축소되는 경우에, 4개의 마크(MMK)는 허용 오차 내에서 4개의 마크(SMK)에 중첩한다. 따라서, 도 7a 내지 도 7d에 도시된 룰에 따르면 정렬 오차는 배율 성분인 것으로 판단된다.
제조 공정 동안 기판(S)의 주변부(에지에 가까운 부분)에서 왜곡이 발생할 가능성이 높다. 부분 샷 영역의 칩 영역(CR)은 기판(S)의 중앙부 또는 완전 샷 영역의 칩 영역(CR)보다 큰 왜곡을 가질 수 있다. 부분 샷 영역의 칩 영역(CR)의 마크를 사용해서 계측된 정렬 오차를 패턴 영역(PR) 전체를 위한 보정 값으로 환산하면, 변형 기구(MAG) 및 샷 영역 변형 유닛(SRD)의 보정가능 범위를 초과할 수 있다.
도 8에 도시된 예에서는, 부분 샷 영역의 칩 영역(CR)의 4개의 코너에 배치된 마크(MMK)는 마크(MMK)를 시프트시킴으로써 대응하는 마크(SMK)에 중첩될 수 있다. 즉, 도 8에 도시된 예에서는, 정렬 오차가 시프트 오차인 것으로 판단될 수 있다. 그러면, 변형 기구(MAG)를 사용한 배율 성분 보정 대신에 구동 기구(DM)를 사용한 시프트 성분 보정에 의해 정렬 오차를 저감시킬 수 있다.
따라서, 제2 실시형태에서는, 제어부(CNT)는, 제1 실시형태에 따라 부분 샷 영역의 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치를 설정하고, 정렬 오차의 각 성분을 계산한다. 이 경우, 도 9에 예시적으로 도시되는 바와 같이, 도 8의 정렬 오차는 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분 및 사다리꼴 성분으로 분해되고, 주요 성분은 시프트 성분이 된다. 이 경우, 정렬 오차를 복수의 성분으로 분해할 때에, 우선 순위를 제공할 수 있다. 예를 들어, 변형 기구(MAG) 및 샷 영역 변형 유닛(SRD)에 의해 보정되어야 하는 배율 성분 및 사다리꼴 성분보다 구동 기구(DM)에 의해 보정될 수 있는 시프트 성분 및 회전 성분에 더 높은 우선도를 부여하는 것이 바람직하다. 이 경우, 우선도가 높은 성분을 먼저 결정하고, 나머지 정렬 오차를 우선도가 낮은 성분으로 분해한다.
유저는 유저 인터페이스(UI)를 통해 우선 순위를 설정할 수 있다. 유저는 또한 유저 인터페이스(UI)를 통해 정렬 오차를 복수의 성분으로 분해하는 룰을 설정할 수 있다.
보정값을 중첩 검사 장치(110)에 의해 결정하고 임프린트 장치(100)에 적용하는 경우를 도 10a 및 도 10b를 참고하여 본 발명의 제3 실시형태로서 설명할 것이다.
먼저 도 10a를 참조하여 비교예를 설명한다. 임프린트 장치(100)에 의해 임프린트재(IM)의 경화물로 형성된 패턴이 형성된 기판, 즉 몰드(M)의 패턴이 전사된 기판은 중첩 검사 장치(110)를 사용하여 평가될 수 있다. 먼저, 임프린트 장치(100) 및 몰드(M)를 사용하여 임프린트 처리에 의해 제1 패턴을 갖는 기판(제1 기판이라 칭함)에 제2 패턴을 형성한다. 제1 기판은 그후 중첩 검사 장치(110)로 보내진다. 중첩 검사 장치(110)는 제1 기판의 제1 패턴과 제1 패턴에 형성된 제2 패턴 사이의 중첩 오차를 계측한다. 계산 장치(120)는 중첩 검사 장치(110)에 의해 계측된 중첩 오차에 기초하여 보정값(오프셋값)을 계산한다. 이 값이 임프린트 장치(100)에 설정된다.
일반적으로, 임프린트 장치(100)의 외부 장치로서의 중첩 검사 장치(110)는 계측에 특화되어 있으므로, 생산성을 저하시키지 않으면서 많은 계측점(평가 부분)을 계측할 수 있다. 따라서, 중첩 검사 장치(110)를 사용함으로써 보정값(오프셋값)을 정밀하게 결정하는 것이 가능해진다. 임프린트 장치(100)는, 정렬 검출계(AS)를 사용하여 획득된 계측 결과에 기초하여 결정되는 정렬 오차 성분 및 미리설정된 오프셋값에 기초하여 정렬을 실행할 수 있다.
그러나, 제1 및 제2 실시형태에서와 같이 임프린트 장치(100)를 사용하여 정렬 오차를 계산하기 위한 좌표계의 원점 위치를 결정하는 방식을 사용하는 경우, 상기 비교예에서와 같이 계산을 행하도록 구성되는 계산 장치(120)에 의해 획득된 계산 결과는 임프린트 장치(100)에 적합하지 않다. 이 경우, 계산 장치(120)는 제1 및 제2 실시형태를 따르는 계산 알고리즘을 통합하는 것이 바람직하지만, 제조 공정용의 범용 장치로서의 계산 장치(120)에 대해서는 이러한 알고리즘을 통합하는 것이 어려울 수 있다.
도 10b에 도시된 시스템은 상기 문제를 해결하도록 구성된다. 제3 실시형태에서는, 계산 장치(120)로부터 출력되는 보정값에 기초하여, 계산 장치(122)가 제1 또는 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)에 적합한 보정값을 재계산한다.
먼저, 계산 장치(122)는, 중첩 검사 장치(110)에 의해 행해진 계측에서의 계측점의 위치 및 계산 장치(120)에 의해 계산된 보정값에 기초하여, 계측점에서의 계측값을 역산한다. 후속하여, 계산 장치(122)는, 임프린트 장치(100)에서 각각의 샷 영역마다 결정되는 원점 위치를 설정할 때 각각의 보정 성분(정렬 오차 성분)마다 보정값을 계산하고, 보정값에 대응하는 오프셋값을 임프린트 장치(100)에 설정한다. 정렬 오차는, 그 성분으로서, 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분, 사다리꼴 성분 및 스큐 성분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 오프셋값은 각 정렬 스코프에 의해 검출되는 상대 위치를 보정하는 형태로 적용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 조정 방법의 절차를 도시한다. 이 조정 방법은 도 10b에 도시된 시스템에서 임프린트 장치(100)를 조정하는 조정 방법이다. 단계 S1101(임프린트 단계)에서는, 임프린트 장치(100) 및 몰드(M)를 사용하여 제1 기판의 제1 패턴 상에 제2 패턴을 형성하는 임프린트 처리가 행해진다. 제1 기판은 테스트용 기판 또는 디바이스 제조용의 기판일 수 있다. 임프린트 처리에서의 정렬은 제1 또는 제2 실시형태에 따라서 행해진다.
단계 S1102(계측 단계)에서는, 단계 S1101에서 제1 패턴이 형성된 제1 기판이 중첩 검사 장치(110)로 보내지고, 중첩 검사 장치(110)는 제1 패턴과 제2 패턴 사이의 중첩 오차를 계측한다. 단계 S1103(제1 계산 단계)에서는, 계산 장치(120)가 정렬 오차를 계산하기 위해서 계산 장치(120)에 미리 설정된 좌표계의 원점 위치로서의 제1 원점 위치를 사용하여 단계 S1102에서 획득된 중첩 오차에 기초하여 제1 보정값을 계산한다.
단계 S1104(결정 단계)에서는, 계산 장치(122)는 임프린트 장치(100)에 의해 처리되는 제2 기판의 샷 영역과 몰드(M) 사이의 정렬을 위한 복수의 마크의 배치에 기초하여 좌표계의 원점 위치로서의 제2 원점 위치를 결정한다. 제2 원점 위치는 임프린트 장치(100)가 제2 기판의 샷 영역과 몰드(M) 사이의 정렬 오차를 계산하게 하기 위한 좌표계의 원점 위치이다. 계산 장치(122)는, 임프린트 장치(100)로부터 몰드(M)를 사용하여 실행되는 임프린트 처리에서의 샷 영역의 레이아웃에 관한 정보를 취득하고, 취득된 정보에 기초하여 제2 원점 위치를 결정할 수 있다. 단계 S1104에서는, 제2 원점 위치는 임프린트 장치(100)에 의해 처리되는 제2 기판의 샷 영역과 몰드(M) 사이의 정렬을 위한 복수의 마크의 배치에 기초하여 결정될 수 있다.
단계 S1105(제2 계산 단계)에서는, 계산 장치(122)가 제2 원점 위치에 기초하여 제1 보정값을 제2 보정값으로 변환된다. 단계 S1106(설정 단계)에서는, 계산 장치(122)가 제2 보정값에 따른 오프셋값을 임프린트 장치(100)에 설정한다.
임프린트 장치를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은, 다양한 종류의 물품의 적어도 일부를 위에 영구적으로 또는 다양한 종류의 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와 LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 광학 소자는 마이크로렌즈, 도광체, 도파로, 반사방지막, 회절 격자, 편광 소자, 컬러 필터, 발광 소자, 디스플레이, 태양 전지 등을 포함한다. MEMS는 DMD, 마이크로채널, 전기기계 트랜스듀서 등을 포함한다. 기록 소자는 CD 또는 DVD와 같은 광학 디스크, 자기 디스크, 광자기 디스크, 자기 헤드 등을 포함한다. 센서는 자기 센서, 광학 센서, 자이로 센서 등을 포함한다. 몰드는 임프린트 몰드 등을 포함한다.
경화물의 패턴은 상술한 물품의 구성 부재의 적어도 일부로서 직접 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 공정에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후에, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 임프린트 장치에 의해 기판에 패턴을 형성하고, 패턴이 형성된 기판을 처리하고, 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 12a에 도시된 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기서는 기판 상에 복수의 액적으로서 임프린트재(3z)가 부여된 상태를 나타낸다.
도 12b에 도시하는 바와 같이, 몰드(4z)의 오목-볼록 패턴을 갖는 임프린트를 위한 측면을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해 지향시켜 거기에 대면시킨다. 도 12c에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)을 몰드(4z)와 접촉시키고 압력을 부여한다. 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극은 임프린트재(3z)로 충전된다. 이 상태에서, 경화용 에너지를 몰드(4z)를 통해 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)가 경화된다.
도 12d에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후에, 몰드(4z)는 기판(1z)으로부터 분리되고, 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 몰드(4z)의 오목-볼록 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.
도 12e에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 에칭 저항 몰드로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 12f에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴이 제거되면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 가공 후에 경화물의 패턴을 제거하는 대신에, 그것을 예를 들어 반도체 조사 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.
이어서 다른 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 13a에 도시된 바와 같이, 실리카 유리 같은 기판(1y)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 기판(1y)의 표면에 임프린트재(3y)를 부여한다. 필요에 따라, 기판(1y)의 표면에 금속 또는 금속 화합물 같은 다른 재료의 층을 제공할 수 있다.
도 13b에 도시된 바와 같이, 임프린트 몰드(4y)의 3차원 패턴이 형성된 측면을 기판 상의 임프린트재(3y)에 대면시킨다. 도 13c에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3y)가 부여된 기판(1y) 및 몰드(4y)를 서로 접촉시키고, 압력을 부여한다. 임프린트재(3y)는 몰드(4y)와 기판(1y) 사이의 간극을 충전한다. 이 상태에서 광을 몰드(4y)를 통해서 조사하여 임프린트재(3y)를 경화시킨다.
도 13d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3y)를 경화시킨 후, 몰드(4y)와 기판(1y)을 서로로부터 분리하여 기판(1y) 위에 임프린트재(3y)의 경화물의 패턴을 형성한다. 이렇게 구성 부재로서의 경화물의 패턴을 포함하는 물품이 획득된다. 도 13d의 상태에서 경화물의 패턴을 마스크로서 사용하여 기판(1y)을 에칭하면, 몰드(4y)에 대하여 오목부 및 볼록부가 반전된 물품, 예를 들어 임프린트 몰드를 얻는 것도 가능하다는 것에 유의한다.
다른 실시형태
본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))을 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 별도의 컴퓨터 또는 별도의 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광학 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (16)

  1. 몰드를 사용하여 기판의 샷 영역 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법이며, 상기 방법은,
    상기 샷 영역과 상기 몰드의 정렬을 위한 복수의 마크를 결정하는 결정 단계;
    상기 결정 단계에서 결정된 상기 복수의 마크를 사용하여 상기 정렬을 위한 계측을 행하는 계측 단계;
    상기 결정 단계에서 결정된 상기 복수의 마크의 배치에 기초하여 상기 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치를 설정하는 설정 단계; 및
    상기 계측 단계에서의 계측 결과 및 상기 설정 단계에서 결정된 상기 원점 위치에 기초하여, 상기 정렬 오차를 취득하는 취득 단계;
    를 포함하고,
    상기 설정 단계에서 설정되는 상기 원점 위치가, 상기 결정 단계에서 결정되는 상기 복수의 마크의 배치의 변경에 따라서 변경됨으로써, 상기 정렬 오차를 보정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 취득 단계에서 취득된 상기 정렬 오차에 기초하여 상기 샷 영역 및 상기 몰드의 정렬을 행할 때 상기 샷 영역 상의 임프린트재에 상기 몰드의 패턴을 전사하는 단계를 더 포함하는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 설정 단계에서, 상기 원점 위치는 상기 원점 위치가 상기 복수의 마크의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형 내측에 배치되도록 설정되는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 마크의 개수는 적어도 3개인 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 설정 단계에서, 상기 원점 위치는 상기 복수의 마크와 상기 원점 위치 사이의 거리가 허용 범위 내에서 동등해지도록 결정되는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 설정 단계에서, 상기 원점 위치는 상기 원점 위치가 허용 범위 내에서 상기 복수의 마크의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 무게 중심과 일치하도록 결정되는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 취득 단계에서 취득된 상기 정렬 오차는 시프트 성분, 배율 성분, 회전 성분, 사다리꼴 성분 및 스큐(skew) 성분 중 적어도 하나를 포함하는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 복수의 성분 중 상기 정렬 오차로서 취득될 적어도 하나의 성분을 결정하는 단계를 더 포함하는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판은 직사각형 형상을 갖는 제1 샷 영역 및 상기 제1 샷 영역보다 작고 상기 기판의 에지에 의해 규정되는 형상을 갖는 제2 샷 영역을 포함하며,
    상기 결정 단계에서, 상기 제1 샷 영역을 위한 상기 복수의 마크 및 상기 제2 샷 영역을 위한 상기 복수의 마크는, 상기 제1 샷 영역을 위해 선택된 상기 복수의 마크 사이의 상대 위치가 상기 제2 샷 영역을 위해 선택된 상기 복수의 마크 사이의 상대 위치와 상이하도록 선택되는 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 샷 영역을 위해 선택된 상기 복수의 마크의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 면적이 상기 결정 단계에서 상기 제1 샷 영역을 위한 정점으로서 선택된 상기 복수의 마크의 위치를 그 정점으로 하여 형성되는 도형의 면적보다 작은 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  11. 몰드를 사용하여 기판의 복수의 샷 영역 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법이며, 상기 방법은,
    상기 몰드 및 상기 복수의 샷 영역으로부터 선택된 샷 영역의 정렬을 위한 계측을 행하는 계측 단계;
    상기 선택된 샷 영역에 기초하여, 상기 선택된 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치를 설정하는 설정 단계; 및
    상기 계측 단계에서 획득된 계측 결과 및 상기 설정 단계에서 결정된 원점 위치에 기초하여 상기 정렬 오차를 취득하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 설정 단계에서 설정되는 상기 원점 위치가, 상기 선택된 샷 영역의 변경에 따라서 변경됨으로써, 상기 정렬 오차를 보정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트재의 패턴을 형성하는 방법.
  12. 몰드를 사용하여 기판의 샷 영역 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 상기 장치는,
    상기 샷 영역 및 상기 몰드의 정렬을 위한 계측을 행하도록 구성되는 계측 장치; 및
    상기 샷 영역 및 상기 몰드의 상기 정렬을 위해서 선택된 복수의 마크에 대해 상기 계측 장치가 상기 계측을 행하게 하고, 상기 계측 결과에 기초하여 상기 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차를 취득하며, 상기 정렬 오차에 기초하여 상기 정렬을 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는 상기 샷 영역 및 상기 몰드의 상기 정렬을 위해서 선택된 상기 복수의 마크의 배치에 기초하여 상기 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치를 결정하는 임프린트재의 패턴을 형성하고,
    상기 제어부에 의해 결정되는 상기 원점 위치가, 상기 샷 영역과 상기 몰드 사이의 상기 정렬을 위해서 선택되는 상기 복수의 마크의 배치의 변경에 따라서 변경됨으로써, 상기 정렬 오차를 보정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
  13. 제12항에서 규정된 임프린트 장치를 조정하는 방법이며, 상기 방법은,
    상기 임프린트 장치 및 상기 몰드를 사용하여 제1 기판 상의 제1 패턴에 제2 패턴을 형성하는 임프린트를 행하는 단계;
    중첩 검사 장치를 사용하여 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴 사이의 중첩 오차를 계측하는 계측 단계;
    정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치로서 제1 원점 위치를 사용하여 상기 계측 단계에서 획득된 중첩 오차에 기초하여 제1 보정값을 취득하는 취득 단계;
    상기 임프린트 장치에서 처리되는 제2 기판의 샷 영역과 상기 몰드의 정렬을 위한 복수의 마크의 배치에 기초하여, 상기 제2 기판의 상기 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치로서 제2 원점 위치를 결정하는 결정 단계;
    상기 제2 원점 위치에 기초하여 상기 제1 보정값을 제2 보정값으로 변환하는 변환 단계; 및
    상기 제2 보정값에 대응하는 오프셋값을 상기 임프린트 장치에 설정하는 설정 단계를 포함하는 임프린트 장치를 조정하는 방법.
  14. 몰드를 사용하여 기판의 복수의 샷 영역 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며, 상기 장치는,
    상기 복수의 샷 영역으로부터 선택된 샷 영역 및 상기 몰드의 정렬을 위한 계측을 행하도록 구성되는 계측 장치; 및
    상기 선택된 샷 영역 및 상기 몰드의 정렬을 위한 복수의 마크에 대해서 상기 계측 장치가 상기 계측을 행하게 하고, 상기 계측 결과에 기초하여 상기 선택된 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차를 취득하며, 상기 정렬 오차에 기초하여 상기 정렬을 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는 상기 선택된 샷 영역에 기초하여 상기 선택된 샷 영역과 상기 몰드 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치를 결정하고,
    상기 제어부에 의해 결정되는 상기 원점 위치가, 상기 선택된 샷 영역에 따라서 변경됨으로써, 상기 정렬 오차를 보정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.
  15. 제14항에서 규정된 임프린트 장치를 조정하는 방법이며, 상기 방법은,
    상기 임프린트 장치 및 상기 몰드를 사용하여 제1 기판 상의 제1 패턴에 제2 패턴을 형성하는 임프린트를 행하는 단계;
    중첩 검사 장치를 사용하여 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴 사이의 중첩 오차를 계측하는 계측 단계;
    정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치로서 제1 원점 위치를 사용하여 상기 계측 단계에서 획득된 중첩 오차에 기초하여 제1 보정값을 취득하는 취득 단계;
    상기 임프린트 장치에서 처리되는 제2 기판의 복수의 샷 영역으로부터 선택된 샷 영역에 기초하여, 상기 몰드와 상기 제2 기판의 상기 선택된 샷 영역 사이의 정렬 오차의 취득을 위한 좌표계의 원점 위치로서 제2 원점 위치를 결정하는 결정 단계;
    상기 제2 원점 위치에 기초하여 상기 제1 보정값을 제2 보정값으로 변환하는 변환 단계; 및
    상기 제2 보정값에 대응하는 오프셋값을 상기 임프린트 장치에 설정하는 설정 단계를 포함하는 임프린트 장치를 조정하는 방법.
  16. 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 방법이며, 상기 방법은,
    제12항 또는 제14항에서 규정된 임프린트 장치를 사용하여 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계; 및
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함하는 물품을 제조하는 방법.
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