JP2018120928A - チャック、インプリント装置および物品製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保持対象の部材に対するチャックの接触部分の平坦性の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】部材を保持するチャックは、前記部材を支持するための複数の支持部として第ｉの支持部（ｉは１〜ｎ（ｎは２以上の自然数））を備え、前記第ｉの支持部は、半径Ｒｉを有する第ｉの仮想円の上に配置され、Ａｉを前記第ｉの支持部が前記部材と接触する面積、ＣおよびＬを定数としたときに、０．８Ｃ≦Ａｉ／Ｒｉ≦１．２Ｃ、０．９×ｉ×Ｌ≦Ｒｉ≦１．１×ｉ×Ｌを満たす。【選択図】図２

Description

本発明は、チャック、インプリント装置および物品製造方法に関する。

基板の上にパターンを形成するためにフォトリソグラフィー技術が使われてきたが、新たな技術としてインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上のインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化することによってインプリント材のパターンを基板上に形成する技術である。

フォトリソグラフィー技術においてもインプリント技術においても、重ね合わせ精度は重要である。チャックによって保持される基板または型が歪んでいると、基板の上に形成されるパターンも歪み、重ね合わせ精度を悪化させる要因となりうる。例えば、３２ｎｍハーフピッチ程度の半導体デバイスを製造する例を考える。この場合、ＩＴＲＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）によれば、要求される重ね合わせ精度は６．４ｎｍとなる。このような重ね合わせ精度を満たすためには、基板および型の歪みを低減することが重要となる。

したがって、チャックが基板や型のような保持対象物としての部材と接触する接触部分は、可能な限り同一平面上にあること、即ち、高い平坦性を有することが望ましい。接触部分は、通常、リング状の土手と、土手の内側に配置された複数のピンとで構成されうる。接触部分の加工には研磨加工が使われる。ここで、ピンの面積は土手の面積に比べてかなり小さいので、研磨加工の際に研磨装置のパッドによってピンに加えられる圧力は、土手に加えられる圧力よりもかなり大きい。その結果、ピンの研磨速度が土手の研磨速度に対して速くなり、これにより、接触部分の平坦性が低下しうる。

特許文献１には、リム部（土手）と、その内側に配置された複数のピン部とを有する基板保持装置において、リム部近傍に位置するピン部を他の部分に位置するピン部に比べて密な間隔で配置することが記載されている。

特開２００２−３４３８５３号公報

しかしながら、特許文献１に記載された構成では、リム部に近い領域の局所的な平坦性は改善するが、基板を保持する保持領域の全域における平坦性は低下しうる。したがって、リム部に近い領域とリム部から遠い領域との間で、形成されるパターンに差が生じうる。また、特許文献１に記載された構成をインプリント装置における型チャックに採用した場合に、保持領域の平坦性の低下によって型が歪んでしまい、型に形成されたパターンが歪みうる。以上のような理由により、特許文献１に記載された構成では、重ね合わせ精度の向上に限界がある。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、保持対象の部材に対するチャックの接触部分の平坦性を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、部材を保持するチャックに係り、前記チャックは、前記部材を支持するための複数の支持部として第ｉの支持部（ｉは１〜ｎ（ｎは２以上の自然数））を備え、前記第ｉの支持部は、半径Ｒｉを有する第ｉの仮想円の上に配置され、Ａｉを前記第ｉの支持部が前記部材と接触する面積、ＣおよびＬを定数としたときに、０．８Ｃ≦Ａｉ／Ｒｉ≦１．２Ｃ、０．９×ｉ×Ｌ≦Ｒｉ≦１．１×ｉ×Ｌを満たす。

本発明によれば、保持対象の部材に対するチャックの接触部分の平坦性を向上させるために有利な技術が提供される。

本発明の１つの実施形態のインプリント装置の構成を示す図である。 チャックの第１構成例を示す図。 式の導出方法を説明するための図。 チャックの第２構成例を示す図。 物品製造方法を説明するための図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

まず、図１を参照しながら、本発明に係るチャックを適用可能なリソグラフィー装置の一例としてのインプリント装置１について説明する。インプリント装置１は、基板１１の上に配置されたインプリント材１５と型７とを接触させ、インプリント材１５に硬化用のエネルギーを与えることによって、型７のパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、塗布部により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。

本明細書および添付図面では、基板１１の表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。位置合わせは、基板および型の少なくとも一方の位置および／または姿勢の制御を含みうる。

インプリント装置１は、例えば、硬化部２と、型駆動機構３、基板駆動機構４、塗布部（ディスペンサ）５および制御部６を備えうる。硬化部２は、例えば、硬化用のエネルギーとしての紫外線８を基板１１の上のインプリント材１５に供給するように構成されうる。硬化部２は、例えば、光源９と、光源９から射出された紫外線８を調整するための光学素子１０とを含みうる。型７は、ＸＹ平面に対する正射影において矩形形状を有しうる。型７は、パターン部７ａを有し、パターン部７ａは、基板１１（インプリント材１５）に転写すべきパターンを有する。型７は、紫外線８を透過させることができる材料、例えば、石英で構成されうる。

型駆動機構３は、型７を保持する型チャック１２と、型チャック１２を駆動する型チャック駆動機構１３とを含みうる。型駆動機構３は、型７を複数の軸（例えば、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。型駆動機構３は、紫外線８を透過させる窓１４（開口部）を有する。型チャック駆動機構１３は、複数のアクチュエータを含みうる。該アクチュエータは、例えば、リニアモータ、エアシリンダおよび圧電素子の少なくとも１つを含みうる。基板駆動機構４は、基板１１を保持する基板チャック１６と、基板チャック１６を駆動する基板チャック駆動機構１７とを含みうる。基板駆動機構４は、基板１１を複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸、好ましくは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸）について駆動するように構成されうる。基板１１の上のインプリント材１５と型７とを接触させる動作および硬化したインプリント材１５と型７とを分離する動作は、型駆動機構３および基板駆動機構４の少なくとも一方によってなされうる。

塗布部５は、基板１１の上にインプリント材１５を塗布（配置）する。制御部６は、硬化部２と、型駆動機構３、基板駆動機構４および塗布部（ディスペンサ）５を制御するように構成されうる。制御部６は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。

インプリント装置１は、更に、基板駆動機構４を支持するベース定盤１８と、型駆動機構３を支持するブリッジ定盤１９と、ブリッジ定盤１９を支持するようにブリッジ定盤１９とベース定盤１８との間に配置された支柱２０とを備えうる。インプリント装置１は、その他、型７を搬送する型搬送機構と、基板１１を搬送する基板搬送機構とを含みうる。

図２には、型チャック１２および／または基板チャック１６として構成されうるチャックＣＨの第１構成例が示されている。チャックＣＨは、型７または基板１１等の部材（以下、保持対象部材）を保持するように構成される。チャックＣＨは、保持対象部材を支持するための複数の支持部として、複数の土手（リング状の突出部）２２１、２２２、２２３、２２４を含む。複数の土手２２１、２２２、２２３、２２４を相互に区別するために、第１の土手２２１、第２の土手２２２、第３の土手２２３、第４の土手２２４ともいう。土手の個数は、任意に決定しうる。第１の土手２２１は、第１の半径Ｒ１を有する第１の仮想円ＶＣ１の上に配置される。第２の土手２２２は、第２の半径Ｒ２を有する第２の仮想円ＶＣ２の上に配置される。第３の土手２２３は、第３の半径Ｒ３を有する第３の仮想円ＶＣ３の上に配置される。第４の土手２２４は、第４の半径Ｒ４を有する第４の仮想円ＶＣ４の上に配置される。複数の仮想円としての第１〜第４仮想円ＶＣ１〜ＶＣ４は、中心位置が同一の円である。複数の土手としての第１〜第４の土手２２１〜２２４は、中心位置が同一のリング形状を有しうる。

第１〜第４の土手２２１〜２２４が保持対象部材と接触する面積をそれぞれＡ１〜Ａ４、任意の定数をＣとすると、
０．８Ｃ≦Ａ１／Ｒ１≦１．２Ｃ
０．８Ｃ≦Ａ２／Ｒ２≦１．２Ｃ
０．８Ｃ≦Ａ３／Ｒ３≦１．２Ｃ
０．８Ｃ≦Ａ４／Ｒ４≦１．２Ｃ
を満たすことが好ましい。

また、Ｌを任意の定数とすると、
０．９×１×Ｌ≦Ｒ１≦１．１×１×Ｌ
０．９×２×Ｌ≦Ｒ２≦１．１×２×Ｌ
０．９×３×Ｌ≦Ｒ３≦１．１×３×Ｌ
０．９×４×Ｌ≦Ｒ４≦１．１×４×Ｌ
を満たすことが好ましい。

より一般的には、複数の支持部（例えば、土手）を第ｉの支持部（ｉは１〜ｎ（ｎは２以上の自然数））とし、第ｉの支持部が保持対象部材と接触する面積Ａｉ、第ｉの仮想円の半径をＲｉとすると、
０．８Ｃ≦Ａｉ／Ｒｉ≦１．２Ｃ ・・・（１）
０．９×ｉ×Ｌ≦Ｒｉ≦１．１×ｉ×Ｌ ・・・（２）
を満たすことが好ましい。

（１）式は、ｉ＝１〜ｎに関して、Ａｉ／Ｒｉの値のばらつきが、定数Ｃによって示される基準値の０．８倍から１．２倍の範囲に収まっていることが好ましいことを示す。

（２）式は、ｉ＝１〜ｎに関して、Ｒｉの値が、ｉ×Ｌによって示される基準値の０．９倍から１．１倍の範囲に収まっていることが好ましいことを示す。換言すると、（２）式は、半径方向における複数の支持部の間隔をある範囲内に収めることが好ましいことを示す。

（１）式および（２）式を満たすことは、複数の支持部を有するチャックＣＨを製作するために複数の支持部を研磨装置で研磨する際に複数の支持部が研磨装置のパッドから受ける圧力の範囲をある範囲内に収めるために有利である。これにより、研磨を経て得られるチャックＣＨの複数の支持部の接触部（保持対象部材に接触する部分）の平坦性を向上させることができる。

ここで、理想的には、
Ａｉ／Ｒｉ＝Ｃ ・・・（３）
Ｒｉ＝ｉＬ ・・・（４）
を満たすことが好ましい。（３）式は、例えば、半径方向における各支持部の幅を一定値Ｔとすることによって満たされる。（４）式は、隣り合う支持部の配置ピッチ（隣り合う仮想円の半径差）を一定にすることを意味する。

ここで、図３を参照しながら（１）〜（４）式の導出方法を説明する。半径Ｒｉの第ｉの仮想円ＶＣｉを含む第ｉのリング領域Ｂｉを考える。第ｉのリング領域Ｂｉは、半径方向の幅がＬである。第ｉのリング領域Ｂｉは、内径が（Ｒｉ−Ｌ／２）、外径が（Ｒｉ＋Ｌ／２）のリング形状を有する。第ｉのリング領域Ｂｉの面積をＢＡｉとする。

第ｉのリング領域Ｂｉには、それに含まれる第ｉの仮想円ＶＣｉの上に第ｉの支持部Ｓｉが配置されている。第ｉの支持部Ｓｉは、半径方向の幅がＴｉであり、内径が（Ｒｉ−Ｔｉ／２）、外形が（Ｒｉ＋Ｔｉ／２）のリング形状を有する。第ｉの支持部Ｓｉの面積をＡｉとする。

研磨装置による研磨時にチャックＣＨにかかる圧力をＰ、第ｉの支持部にかかる圧力をＰｉ、第（ｉ＋１）の支持部にかかる圧力をＰ（ｉ＋１）とする。Ｐｉ、Ｐ（ｉ＋１）は、
Ｐｉ＝Ｐ×ＢＡｉ／Ａｉ ・・・（５）
Ｐ（ｉ＋１）＝Ｐ×ＢＡ（ｉ＋１）／Ａ（ｉ＋１） ・・・（６）
である。複数の支持部にかかる圧力を互いに等しくするためには、第ｉの支持部にかかる圧力Ｐｉと第（ｉ＋１）の支持部にかかる圧力Ｐ（ｉ＋１）とを等しくする必要がある。

よって、Ｐｉ＝Ｐ（ｉ＋１）より、
Ａｉ／ＢＡｉ＝Ａ（ｉ＋１）／ＢＡ（ｉ＋１）＝ＣＯＮＳＴ ・・・（７）
を満たす必要がある。ただし、ＣＯＮＳＴは定数である。

ここで、
ＢＡｉ＝（Ｒｉ＋Ｌ／２）^２×π−（Ｒｉ−Ｌ／２）^２×π＝２×π×Ｒｉ×Ｌ
・・・（８）
であるから、（７）式、（８）式より、
Ａｉ／Ｒｉ＝Ｃ ・・・（９）
が得られる。なお、Ｃ＝２×π×Ｌ×ＣＯＮＳＴである。（９）式は、前述の（３）式と等しいことが分かる。また、領域Ｂｉの半径方向の幅がＬであるということは、（４）式と等価である。

ここで、（３）式（＝（９）式）を満たすことが理想ではあるが、ｉ＝１〜ｎに関して、Ａｉ／Ｒｉの値が、定数Ｃによって示される基準値の０．８倍から１．２倍の範囲に収まっていれば、複数の支持部の接触領域に十分な平坦性が得られる。また、リング領域Ｂｉの半径方向の幅（これは、複数の支持部の配置ピッチに影響を与える）は一定である必要はなく、（２）式を満たせば、複数の支持部の接触領域に十分な平坦性が得られる。

なお、
Ａｉ＝（Ｒｉ＋Ｔｉ／２）^２×π−（Ｒｉ−Ｔｉ／２）^２×π＝２×π×Ｒｉ×Ｔｉ
・・・（１０）
でるので、（７）式、（８）式、（９）式より、
Ａｉ／Ｒｉ＝２×π×Ｔｉ ・・・（１１）
である。よって、全ての支持部の半径方向の幅Ｔｉを同じ値にするようにチャックＣＨを設計することが、（９）式を満たすための簡易な設計である。

また、図２に例示されるように、複数の支持部としての複数の土手２２１〜２２４は、円形プレート２１０の上に配置されうる。円形プレート２１０の表面への正射影において、第ｎの仮想円Ｖｎと円形プレート２１０の外縁半径ＲＥとの半径差は、０．４×Ｌ以上かつ０．６×Ｌ以下であることが好ましい。

図２には示されていないが、チャックＣＨが真空吸着チャックとして構成される場合、隣り合う土手（支持部）によって囲まれる空間を減圧する減圧ラインが設けられうる。

図４には、型チャック１２および／または基板チャック１６として構成されうるチャックＣＨの第２構成例が示されている。第２構成例では、複数の支持部の少なくとも１つが複数のピンで構成される。図４に示された第２構成例では、第１の支持部が複数のピン２３１で構成され、第２の支持部が土手２３２で構成され、第３の支持部が複数のピン２３３で構成され、第４の支持部が土手２３４で構成される。

第１の支持部を構成する複数のピン２３１は、円形プレート２１０上における第１の仮想円ＶＣ１の上に配置される。第２の支持部を構成する土手２３２は、円形プレート２１０上における第２の仮想円ＶＣ２の上に配置される。第３の支持部を構成する複数のピン２３３は、円形プレート２１０上における第３の仮想円ＶＣ３の上に配置される。第４の支持部を構成する土手２３４は、円形プレート２１０上における第４の仮想円ＶＣ４の上に配置される。

第２構成例においても、以下に再掲する（１）式、（２）式を満たすことが好ましい。

０．８Ｃ≦Ａｉ／Ｒｉ≦１．２Ｃ ・・・（１）
０．９×ｉ×Ｌ≦Ｒｉ≦１．１×ｉ×Ｌ ・・・（２）
また、第２構成例においても、以下に再掲する（３）式、（４）式を満たすことが好ましい。

Ａｉ／Ｒｉ＝Ｃ ・・・（３）
Ｒｉ＝ｉ×Ｌ ・・・（４）
ここで、第１の支持部を構成する複数のピン２３１の面積Ａ１は、該複数のピンの接触部の合計面積である。また、第３の支持部を構成する複数のピン２３３の面積Ａ３は、該複数のピンの接触部の合計面積である。

図４に示された第２構成例では、第１支持部を構成する複数のピン２３１は、等間隔（周方向の間隔）で配置されうる。また、第３支持部を構成する複数のピン２３３は、等間隔（周方向の間隔）で配置されうる。

図４に示された第２構成例では、複数の支持部のうちの少なくとも２つの支持部が複数のピンで構成された例である。ここで、該少なくとも２つの支持部のうちの１つにおける複数のピン２３１の間隔（周方向の間隔）と、該少なくとも２つの支持部のうちの他の１つにおける複数のピン２３３の間隔（周方向の間隔）とは、互いに等しい。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、インプリント装置を使って物品を製造する物品製造方法について説明する。図５（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図５（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図５（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図５（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：インプリント装置、７：型、１１：基板、１２：型チャック、１５：インプリント材、１７：基板チャック：２２１〜２２４：土手（支持部）、２３１、２３３：ピン（支持部）、２３２、２３４：土手（支持部）

Claims (9)

1. 部材を保持するチャックであって、
   前記部材を支持するための複数の支持部として第ｉの支持部（ｉは１〜ｎ（ｎは２以上の自然数））を備え、
   前記第ｉの支持部は、半径Ｒｉを有する第ｉの仮想円の上に配置され、
   Ａｉを前記第ｉの支持部が前記部材と接触する面積、ＣおよびＬを定数としたときに、
   ０．８Ｃ≦Ａｉ／Ｒｉ≦１．２Ｃ、
   ０．９×ｉ×Ｌ≦Ｒｉ≦１．１×ｉ×Ｌ
   を満たすことを特徴とするチャック。
2. 前記複数の支持部の少なくとも１つは、リング形状を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のチャック。
3. 前記複数の支持部は、半径方向の幅が互いに等しい、
   ことを特徴とする請求項２に記載のチャック。
4. 前記複数の支持部の少なくとも１つは、複数のピンで構成されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載のチャック。
5. 前記複数のピンは、等間隔で配置されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載のチャック。
6. 前記複数の支持部のうちの少なくとも２つの支持部は、複数のピンで構成され、
   前記少なくとも２つの支持部のうちの１つにおける前記複数のピンの間隔と、前記少なくとも２つの支持部のうちの他の１つにおける前記複数のピンの間隔とが、互いに等しい、
   ことを特徴とする請求項１に記載のチャック。
7. 前記複数の支持部は、円形プレートの上に配置され、
   前記円形プレートの表面への正射影において、第Ｎの仮想円と前記円形プレートの外縁との半径差が０．４×Ｌ以上かつ０．６×Ｌ以下である、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のチャック。
8. 基板の上に配置されたインプリント材に型を接触させた状態で前記インプリント材を硬化させることによって前記基板の上にパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記部材または前記基板を保持するように構成された請求項１乃至７のいずれか１項に記載のチャックを備えることを特徴とするインプリント装置。
9. 請求項８に記載のインプリント装置により基板の上にパターンを形成する工程と、
   前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
   を含むことを特徴とする物品製造方法。

Images