KR20160030372A - 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

적층 세라믹 콘덴서(1)는 외부전극(13)을 구성하는 최외층의 도금층(13c)과, 세라믹 소체(11)를 구성하는 유전체층(10) 사이에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유한다. 이로 인해, 도금 공정에서 발생하는 수소의 영향을 저감하여, 절연 저항의 열화를 방지하는 것이 가능하게 된다.

Description

적층 세라믹 콘덴서{MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR}
본 발명은 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것으로, 특히 적층 세라믹 콘덴서의 외부전극이나 내부전극의 구조에 관한 것이다.
적층 세라믹 콘덴서는 적층한 복수의 유전체층으로 구성되는 세라믹 소체와, 유전체층 사이에 각각 배치된 복수의 내부전극과, 내부전극과 도통(導通)하도록 세라믹 소체에 형성된 한 쌍의 외부전극을 포함하고 있다. 그리고 외부전극의 표면에는 실장 시의 솔더 리칭(solder leaching)을 방지하기 위한 Ni 도금이 실시되고 있고, 또한, 솔더링 실장 시의 솔더링성을 향상시키기 위해 Ni 도금막 위에 Sn 도금이 실시되어 있다. 이 Ni나 Sn 등의 도금은 통상 전해 도금의 방법에 의해 형성된다.
일본국 공개특허공보 평1-80011호에는, 도금 공정에서의 화학 반응에 의해 수소 이온이 발생하고, 이 수소 이온이 내부전극에 흡장(吸藏; occluded)되어 주위의 유전체층을 서서히 환원하고, 절연 저항을 열화시키는 등의 문제를 일으키는 것이 기재되어 있다. 그리고 귀금속(예를 들면, Ag-Pd 합금)을 주성분으로 하는 내부전극을 이용한 경우에는, 그 해결 수단으로서 그 내부전극에 수소의 흡수를 불활성화시키는 금속(예를 들면, Ni)을 첨가하는 것이 기재되어 있다.
그러나 최근은 재료 코스트 삭감을 위해서, 내부전극의 재료로서 Ag나 Pd 등의 귀금속이 아닌, Ni 등의 비(卑)금속을 이용하는 경우가 많아지고 있다. 또한, 일본국 공개특허공보 평1-80011호에는 Ni가 "수소의 흡수를 불활성화시키는 금속"이라고 기재되어 있지만, 발명자 등의 연구에 의하면, 내부전극이 Ni의 경우라도 수소의 영향에 의해 절연 저항의 열화로 이어지는 것을 알고 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하는 것으로, 도금 공정에서 발생하는 수소의 영향을 저감하고, 절연 저항의 열화를 방지하는 것이 가능한 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 바와 같이 종래는 도금 공정에서 발생한 수소가 절연 저항의 열화에 영향을 준다고 생각되었다. 발명자 등은 상술한 절연 저항의 열화에 대해서 연구를 실시하여, 도금 공정에서 발생한 수소의 대부분은 일단 외부전극이나 내부전극에 흡장되어, 적층 세라믹 콘덴서에 대하여 온도 부가, 전압 인가가 있었을 때에 확산하고, 유전체층에 도달한다는 지견을 얻었다. 발명자 등은 이러한 지견에 기초하여 더욱 실험, 검토를 거듭해서 본 발명을 완성함에 이르렀다.
본 발명의 제1 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서는 세라믹 소체와, 복수의 내부전극과, 한 쌍의 외부전극을 포함하고 있다. 상기 세라믹 소체는 적층된 복수의 유전체층을 포함하고 있고, 서로 대향하는 양단면(端面)과 상기 양단면을 연결하는 복수의 측면을 가지고 있다. 상기 복수의 내부전극은 비금속을 주성분으로서 함유하고 있고, 적층된 상기 유전체층 사이에 배치되어 있고, 상기 양단면에 번갈아 인출되어 있다. 상기 한 쌍의 외부전극은 상기 세라믹 소체의 상기 양단면에 인출된 상기 내부전극과 도통하도록 상기 세라믹 소체에 형성된 외부전극 본체와, 상기 외부전극 본체의 외측에 형성된 적어도 한 층의 도금층을 가지고 있다. 상기 본 발명의 제1 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서에 있어서는, 상기 도금층 중 최외층의 도금층과 상기 유전체층 사이에 수소와 공유 결합형 수소화물(covalent hydride)을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유하고 있다.
상기에 있어서 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함)란, 장주기형 주기율표의 붕소족(In, Tl을 제외한다), 탄소족, 질소족, 산소족, 할로겐에 속하는 원소를 말한다. 또한, 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소란, 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소와, 수소와 금속 결합형 수소화물(metal-like hydride)을 형성하는 원소와의 경계에 있는 원소이며, 장주기형 주기율표의 붕소족(Al, Ga를 제외함), 제11족, 제12족에 속하는 원소를 말한다.
또한, 최외층의 도금층과 유전체층 사이에 존재하는 것으로는 내부전극이나 외부전극 본체는 물론 포함되고, 최외층의 도금층과 외부전극 본체의 사이, 외부전극 본체와 내부전극과의 계면, 또는, 내부전극과 유전체층과의 계면에 도전체가 형성되어 있으면 그것도 포함된다.
또한, 상기 원소는 그 원소 단체(單體)로 최외층의 도금층과 유전체층 사이에 존재하고 있어도 되고, 최외층의 도금층과 유전체층 사이에 있는 다른 원소와 결합하고 있어도 된다. 또한, 상기 수소는 수소 원자, 수소 이온, 수소 분자, 수소의 동위체 등 어느 쪽의 상태인 것도 포함한다. 여기서 말하는 수소는 주로 도금 공정에서의 전기 분해에 의해 발생한 수소이지만, 그 밖에도 도금액이나 결로에 의해 생긴 물이나, 대기 중의 수증기로서 존재하는 수소도 포함된다.
여기서, 상기 본 발명의 제1 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서에 있어서, 외부전극 본체에 상기 원소를 함유시키도록 한 경우에는, 외부전극 본체에 수소를 유지시켜서 외부전극 본체로부터 수소의 확산을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 본 발명의 제1 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서에 있어서, 내부전극에 상기 원소를 함유시키도록 한 경우에는, 내부전극에 수소를 유지시켜서 내부전극으로부터 유전체층에 대한 수소의 확산을 억제하는 것이 가능해진다.
본 발명의 제2 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서는 세라믹 소체와, 복수의 내부전극과, 한 쌍의 외부전극을 포함하고 있다. 상기 세라믹 소체는, 적층된 복수의 유전체층을 포함하고 있고, 서로 대향하는 양단면과 상기 양단면을 연결하는 복수의 측면을 가지고 있다. 상기 복수의 내부전극은, 비금속을 주성분으로서 함유하고 있고, 적층된 상기 유전체층 사이에 배치되어 있고, 상기 양단면에 번갈아 인출되어 있다. 상기 한 쌍의 외부전극은 상기 세라믹 소체의 상기 양단면에 인출된 상기 내부전극과 도통하도록 상기 세라믹 소체에 형성된 외부전극 본체와, 상기 외부전극 본체의 외측에 형성된 적어도 한 층의 도금층을 가지고 있다. 상기 본 발명의 제2 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서는 상기 내부전극과 상기 외부전극 본체와의 계면, 상기 외부전극 본체의 외측 표면, 상기 외부전극 본체의 내부, 상기 내부전극과 상기 유전체층과의 계면 및 상기 도금층이 복수의 층을 포함하고 있을 경우의 최외층의 도금층과 그 내측의 도금층과의 계면에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소의 적어도 1종을 함유하는 수소 유지막을 더 포함하고 있다.
상기에 있어서 수소 유지막은 연속적으로 형성되어 있어도 되고, 또한, 부분적으로 존재하고 있거나, 그물코상, 선상(線狀) 등의 모양으로 존재하고 있어도 된다.
여기서, 상기 본 발명의 제1 및 제2 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서에 있어서는, 상기 원소는 Sn, Bi, Al, Ag, Zn, Au, In, Ga, Ge, Si로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다.
Sn, Bi, Al, Ag, Zn, Au, In, Ga, Ge, Si가 수소와 결합한 후에 있어서는 그 수소를 유지하므로, 유전체층에 대한 수소의 확산을 억제할 수 있다.
한편, 이들의 원소 중에서도 Sn, Bi, Al은 융점이 낮고, 합금을 형성하기 쉽기 때문에 특히 바람직한 원소이다.
상기 본 발명의 제1 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서는 최외층의 도금층과 유전체층 사이에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유하고 있다. 그 때문에 도금 공정에서 발생한 수소를 최외층의 도금층과 유전체층 사이에서 유지할 수 있다. 이로 인해, 유전체층에 대한 수소의 확산을 억제할 수 있고, 절연 저항(IR)의 열화를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 국면에 기초한 적층 세라믹 콘덴서는 내부전극과 외부전극 본체와의 계면, 외부전극 본체의 외측 표면, 외부전극 본체의 내부, 내부전극과 유전체층과의 계면 및 도금층이 복수의 층을 포함하고 있을 경우의 최외층의 도금층과 그 내측의 도금층과의 계면에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유하는 수소 유지막을 포함하고 있다. 그 때문에, 수소 유지막에 의해 수소를 유지하여, 유전체층에 대한 수소의 확산을 억제할 수 있다.
한편, 수소 유지막은 내부전극과 유전체층과의 계면, 내부전극과 외부전극 본체와의 계면, 외부전극 본체의 외측 표면, 외부전극 본체의 내부, 내부전극과 유전체층과의 계면 및 도금층이 복수의 층으로 형성될 경우의 최외층의 도금층과 그 내측의 도금층과의 계면 중 하나에 배치되어 있으면 된다. 단, 2개 이상에 배치된 구성으로 하는 것도 가능하다.
이 발명의 상기 및 다른 목적, 특징, 국면 및 이점은 첨부한 도면과 관련하여 이해되는 이 발명에 관한 다음의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태 1에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극과 외부전극 본체의 접합부를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시형태 1에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면(斷面)을 FE-WDX법(전해 방사-파장 분산형 X선 분석법)에 의해 분석하여 얻은 Sn의 매핑도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태 2에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태 3에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시형태 4에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태 5에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 단면도이다.
[실시형태 1]
도 1을 참조하면서, 본 발명의 실시형태 1에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1)에 대해서 설명한다. 적층 세라믹 콘덴서(1)는, 세라믹 소체(11)와 복수의 내부전극(12)과 한 쌍의 외부전극(13)을 포함하고 있다. 세라믹 소체(11)는 적층된 복수의 유전체층(10)을 포함하고 있고, 서로 대향하는 양단면(11a)과, 양단면(11a)을 연결하는 복수의 측면(11b)을 가지고 있다. 복수의 내부전극(12)은 각각 적층된 유전체층(10) 사이에 배치되어 있고, 세라믹 소체(11)의 양단면(11a)에 번갈아 인출되어 있다. 한 쌍의 외부전극(13)은 내부전극(12)과 도통하도록 형성되어 있다.
세라믹 소체(11)는, 양단면(11a) 및 4개의 측면(11b)을 포함하는 대략 직육면체 형상을 이루고 있고, 코너부 및 모서리부가 모따기되어 둥근 부분을 가지고 있다. 유전체층(10)을 구성하는 재료로서는, BaTiO3계의 유전체 세라믹이 이용된다. 그 밖에도 유전체층(10)을 구성하는 재료로서는, CaTiO3, SrTiO3, CaZrO3 등을 주성분으로 하는 유전체 세라믹을 이용할 수 있다.
내부전극(12)은 세라믹 소체(11)의 양단면(11a)에 번갈아 노출하도록 형성되어 있다. 내부전극(12)을 구성하는 도전 재료로서는, Ni를 주성분으로 하는 재료가 이용된다. 그 밖에도 내부전극(12)을 구성하는 도전 재료로서는, Cu 등을 주성분으로 하는 비금속을 이용할 수 있다.
외부전극(13)은 세라믹 소체(11)의 양단면(11a)에 형성되고 있고, 내부전극(12)과 도통하도록 형성된 외부전극 본체(13a)와, 외부전극 본체(13a)의 외측에 형성된 도금층(13b, 13c)을 가지고 있다. 외부전극 본체(13a)는 금속 분말과 유리를 포함하는 도전 페이스트를 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 도포하여 소성함으로써 형성된다. 외부전극 본체(13a)를 구성하는 재료로서는 Cu를 주성분으로 하는 금속이 이용된다. 그 밖에도, 외부전극 본체(13a)를 구성하는 재료로서는 Ni 등을 주성분으로 하는 도전 재료를 이용할 수 있다. Ni 등의 외부전극 본체(13a)의 두께는 예를 들면, 1~100㎛이다.
도금층(13b, 13c)은, 외부전극 본체(13a)의 외측 표면에 형성된 도금층(13b)과, 도금층(13b)의 외측 표면에 형성된 최외층의 도금층(13c)에 의해 구성되어 있다. 도금층(13b)을 구성하는 재료로서는 Ni가 이용되고 있고, 도금층(13c)을 구성하는 재료로서는 Sn이 이용되고 있다. 최외층의 도금층(13c)으로서는 그 밖에도 Pd, Cu, Au 등의 금속을 이용할 수 있다. 각각의 도금층(13b, 13c)의 두께는 예를 들면, 0.1∼20㎛이다. 도금층(13b, 13c)은 전해 도금의 방법으로 형성되어 있다. 한편, 도금층은 반드시 복수층으로 구성되어 있을 필요는 없고, Cu 등의 금속에 의해 한 층으로 구성되어 있어도 된다.
이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1)에 있어서는, 외부전극 본체(13a)의 표면의 도금층(13b)과 유전체층(10)을 연결하는 도전 경로체(15)에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종(수소 유지 원소)이 함유되어 있다.
특히, 이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서에 있어서는, 상술한 도전 경로체(15)의 일부를 구성하는 외부전극 본체(13b)에 수소 유지 원소가 함유되어 있다.
한편, 여기서 도전 경로체(15)란, 외부전극 본체(13a)의 표면의 도금층(13b)과 유전체층(10) 사이에 형성되어 있는 도전 경로이며, 내부전극(12)이나 외부전극 본체(13a)가 이것에 포함된다. 또한, 도금층(13b)과 외부전극 본체(13a)와의 계면, 외부전극 본체(13a)와 내부전극(12)과의 계면, 또는 내부전극(12)과 유전체층(10)과의 계면에 다른 도전체가 형성되어 있을 경우에는 그것도 포함된다.
또한, 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함)란, 장주기형 주기율표의 붕소족(In, Tl을 제외한 B, Al, Ga), 탄소족(C, Si, Ge, Sn, Pb), 질소족(N, P, As, Sb, Bi), 산소족(O, S, Se, Te, Po), 할로겐(F, Cl, Br, I, At)에 속하는 원소를 말한다. 또한, 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소란, 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소와, 수소와 금속 결합형 수소화물을 형성하는 원소와의 경계에 있는 원소이며, 장주기형 주기율표의 붕소족(Al, Ga를 제외한 In, Tl), 제11족(Cu, Ag, Au), 제12족(Zn, Cd, Hg)에 속하는 원소를 말한다. 이들의 원소는 수소와 안정된 화합물을 형성한다. 즉, 일단 수소와 결합하면, 그 수소를 이탈시키기 위해 에너지를 필요로 하여 수소를 방출하기 어려운 성질이 있다. 이 성질을 이용하여 도금 공정에서 발생한 수소를 상술한 도전 경로체(15) 안에 유지할 수 있다.
도전 경로체(15)의 일부를 구성하는 외부전극 본체(13a)에 수소 유지 원소를 함유시키기 위해, 이 실시형태에서는, 외부전극 본체(13a)를 형성할 때의 도전 페이스트 안에 금속 상태에 있는 상기 수소 유지 원소의 분말(수소 유지 금속 분말)을 배합하고 있다. 도전 페이스트에 배합하는 수소 유지 금속 분말의 비율은 고형분 비율로, 1~40vol%로 하는 것이 바람직하다.
한편, 수소 유지 금속은 그 금속 단체로 외부전극 본체(13a)에 존재하고 있어도 되고, 또한, 경우에 따라서는 외부전극 본체(13a)의 다른 금속과 서로 분산되어 있거나, 합금화되어 있어도 된다.
여기서, 수소 유지 원소로서 Sn을 첨가한 적층 세라믹 콘덴서(1)의 단면을 FE-WDX법(전해 방사-파장 분산형 X선 분석법)에 의해 관찰했다.
도 3은 수소 유지 금속으로서 Sn을 첨가한 Cu를 주성분으로 하는 도전 페이스트를 이용하여 외부전극 본체(13a)를 형성한 적층 세라믹 콘덴서(1)의 단면을 FE-WDX법에 의해 분석하여 얻은 Sn(수소 유지 금속)의 매핑도이다.
분석용의 시료는 적층 세라믹 콘덴서(1)를 세라믹 소체(11)의 단면(11a) 및 최상층의 유전체층(10)과 직교하는 방향을 따라, 그 체적이 약 1/2이 될 때까지 연마한 후, 내부전극의 연마 처짐(polishing sag)을 밀링(milling) 처리함으로써 제작했다. 그리고 상술한 바와 같이 제작한 시료를 FE-WDX법에 의해, 이하의 조건으로 분석했다.
가속 전압: 15.0kV
조사(照射) 전류: 5×10-8A
배율: 3000배
DwellTime(1개의 화소에서의 획득 시간): 40㎳
분석 깊이: 1~2㎛
그 결과, 도 3에 나타낸 바와 같이, Sn이 외부전극 본체(13a) 안에 존재함과 함께 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 인출된 내부전극(12)의 인출부(12a)에도 일부 존재하는 것이 확인되었다.
<평가 시험>
이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1)의 유의성을 확인하기 위해, Cu 분말을 도전 성분으로 하는 도전 페이스트에 표 1에 나타내는 바와 같은 다른 종류의 금속 분말(Sn, Bi, Ag, Pd)을 첨가한 도전 페이스트 및 금속 분말을 첨가하지 않는 도전 페이스트를 이용하여 표 1의 시료 번호 1~5의 시료를 제작했다.
한편, 도전 페이스트의 상세한 사양은 이하와 같이 했다.
고형분량: 25vol%
고형분 안의 Cu 분말의 비율: 70vol%
고형분 안의 유리의 비율: 25vol%
고형분 안의 첨가 금속 분말의 비율: 5vol%
Cu 분말의 입경: 3㎛
유리의 입경: 2㎛
유리의 조성: BaO-SrO-B2O3-SiO2계 유리 프릿(frit)(유리 프릿이 산화물 환산으로 BaO: 10~50중량%, B2O3: 3~30중량%, SiO2: 3~30중량%계의 유리를 사용함)
그리고 시료 번호 1~5의 시료를 제작함에 있어서는, 이 도전 페이스트를 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 도포하여 소성하고, 외부전극 본체(13a)를 형성했다.
그 후, 외부전극 본체(13a)의 외측에 전해 도금에 의해 Ni로 이루어지는 도금층(13b)을 형성하고, 또한 그 외측에 전해 도금에 의해 Sn으로 이루어지는 도금층(13c)을 형성했다.
이로 인해, 표 1의 시료 번호 1~5의 시료를 얻었다.
제작한 적층 세라믹 콘덴서는 대개, 용량이 10㎌, 정격 전압이 6.3V, 치수가 길이 1.0㎜, 폭 0.5㎜, 높이 0.5㎜이며, 외부전극 본체(13a)의 두께가 25㎛(단면의 중앙부), 도금층(13b)의 두께가 3㎛, 도금층(13c)의 두께가 3㎛인 것이다.
그리고 이렇게 하여 제작한 표 1의 시료 번호 1~5의 시료에 대해 PCBT 시험을 실시했다.
PCBT 시험은 온도 125℃, 상대 습도 95%, 인가 전압 3.2V, 부하 시간 72hr의 조건으로 실시했다. 그리고 각각의 시료에 대해서 절연 저항(IR)을 측정하고, LogIR로 봤을 때에, 시험 종료 시의 IR 값이 시험 시작 시의 IR 값으로부터 0.5 저하한 경우를 IR 열화로 간주했다. 한편, 각각의 시료 수는 20개이다.
그 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
표 1에 있어서, 시료 번호 1~3의 시료는 본 발명의 요건을 만족하는 시료이며, 시료 번호 4, 5의 시료는 본 발명의 요건을 만족하지 않는 시료이다.
표 1에 나타내는 대로, 외부전극 본체(13a)에 Sn을 함유시킨 시료 번호 1의 시료 및 Bi를 함유시킨 시료 번호 2의 시료에는 IR 열화의 발생은 인정되지 않았다. 또한, 외부전극 본체(13a)에 Ag을 함유시킨 시료 번호 3의 시료는, IR 열화의 발생이 적었다.
이에 비해, 외부전극 본체(13a)에 Pd를 함유시킨 시료 번호 4의 시료, 특히 금속을 첨가하지 않은 시료 번호 5의 시료에 있어서는, IR 열화의 발생이 다수로 인정되었다.
상술한 바와 같이, 이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1)는 외부전극 본체(13a)에 수소 유지 원소를 함유시키도록 하고 있으므로, 도금 공정에서 발생한 수소를 도전 경로체(15)의 일부를 구성하는 외부전극 본체(13a)에서 흡수 및 유지할 수 있다. 그 결과, 유전체층(10)에 대한 수소의 확산을 억제하여, 절연 저항(IR)의 열화를 방지할 수 있다.
한편, 본 발명에 있어서는, Sn 등의 수소 유지 원소가 내부전극(12)의 내부에 존재하도록 구성한 경우에도 양호한 결과가 얻어진다. 또한, 상술한 Sn 대신에 Bi, Al가 존재하도록 한 경우에도 양호한 결과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 있어서는, 통상 수소 유지 원소로서 Sn, Bi, Al 중 적어도 1종이 내부전극(12)과 외부전극 본체(13a)의 접합부에 많이 편석되어 있는 것이 바람직하다.
여기서, 상술한 내부전극(12)과 외부전극 본체(13a)의 접합부에 대해, 도 2를 참조하여 설명한다. 내부전극(12)과 외부전극 본체(13a)의 접합부란, 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 노출한 내부전극(12)의 단면(12a)과, 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 형성된 외부전극 본체(13a)가 접하는 영역(R)에서의 한쪽 단부(도 2에서는 상단부)(R1)와 다른 쪽 단부(도 2에서는 하단부)(R2)의 중간점(R0)을 말한다.
즉, 상술한 "Sn, Bi, Al 중 적어도 1종이 내부전극(12)과 외부전극 본체 (13a)의 접합부에 많이 편석되어 있다"란, Sn, Bi, Al 중 적어도 1종이 도 2의 R0로 나타내는 위치(접합부)에 많이 편석되어 있는 것을 의미한다.
한편, 이 실시형태에서는 외부전극 본체(13a)가 한 층 구조인 경우에 대해서 설명했지만, 외부전극 본체(13a)를 복수층 구조로 하고, 그 중 소정의 한 층, 혹은 복수층에 수소 유지 원소를 함유시키도록 구성하는 것도 가능하다.
[실시형태 2]
도 4를 참조하면서 본 발명의 실시형태 2에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1A)에 대해서 설명한다. 이 적층 세라믹 콘덴서(1A)에 있어서는, 도 4에 나타내는 대로 외부전극 본체(13a)와 내부전극(12)과의 계면에 수소 유지막(13e)이 형성되어 있다. 한편, 실시형태 1의 적층 세라믹 콘덴서(1)와 공통되는 구성에 대해서는 실시형태 2의 적층 세라믹 콘덴서(1A)를 설명하는 도면에 있어서 동일한 부호를 기록하고, 그 설명은 반복하지 않는다. 이하의 다른 실시형태 3~5의 경우도 동일하다.
적층 세라믹 콘덴서(1A)는 외부전극 본체(13a)와 내부전극(12)과의 계면에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유하는 수소 유지막(13e)을 포함하고 있다. 이 수소 유지막(13e)은 단면(11a)에 노출한 내부전극의 인출부(12a)를 덮도록 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 연속적으로 형성되어 있다. 단, 수소 유지막(13e)은 연속하지 않아도 되고, 부분적으로 존재하고 있거나, 그물코상, 선상(線狀) 등의 모양으로 존재하고 있어도 된다.
수소 유지막(13e)은 금속 상태에 있는 수소 유지 원소(수소 유지 금속)를 스패터함으로써 형성되어 있고, 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 금속막의 상태로 형성되어 있다. 한편, 수소 유지막(13e)은 증착, 도금 등에 의해 형성하는 것도 가능하다.
<평가 시험>
이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1A)의 유의성을 확인하기 위해 다른 종류의 금속(Sn, Bi, Al, Ag, Zn, Pd, Ti)을 스패터함으로써 형성된 막을 포함한 시료, 즉, 표 2의 시료 번호 6~12의 시료를 제작했다. 또한, 특히 스패터를 실시하지 않고, 수소 유지막을 형성하지 않는 시료 번호 13의 시료를 제작했다. 수소 유지막(13e)의 막 두께는 1㎛로 했다.
한편, 외부 전극 본체(13a)의 두께는 15㎛(단면 중앙부)로 했다. 외부전극 본체(13a)를 형성하기 위한 도전 페이스트의 사양은, 고형분량: 25vol%, 고형분 안의 유리의 비율: 25vol%로 했다.
그리고 이렇게 하여 제작한 표 2의 시료 번호 6~13의 시료에 대해서, 상술한 실시형태 1에 있어서 실시한 PCBT 시험과 동일한 조건으로 시험을 실시했다.
그 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pat00002
표 2에 있어서, 시료 번호 6~10의 시료는 본 발명의 요건을 만족하는 시료이며, 시료 번호 11~13의 시료는 본 발명의 요건을 만족하지 않는 시료이다.
표 2에 나타낸 대로, 수소 유지막(13e)으로서 Sn막을 마련한 시료 번호 6의 시료, Bi막을 마련한 시료 번호 7의 시료 및 Al막을 마련한 시료 번호 8의 시료에는 IR 열화의 발생은 인정되지 않았다. 또한, Ag막을 마련한 시료 번호 9의 시료 및 Zn막을 마련한 시료 번호 10의 시료는 IR 열화의 발생이 적었다.
이로 인해, 스패터에 의해 Pd막을 형성한 시료 번호 11의 시료, Ti막을 형성한 시료 번호 12의 시료는 IR 열화의 발생이 많이 인정되었다. 특히 스패터를 실시하지 않은 시료 번호 13의 시료에 있어서는, 다수로 IR 열화가 인정되었다.
상술한 결과로부터 외부전극 본체(13a)와 내부전극(12)과의 계면에 수소 유지막(13e)을 마련하도록 한 경우에도 도금 공정에서 발생하는 수소가 수소 유지막(13e)에 의해 흡수되기 때문에 수소가 내부전극(12)을 지나 유전체층(10)으로 확산하는 것을 억제, 방지하는 것이 가능하게 된다.
이 실시형태 2에서는, 내부전극의 인출부(12a)의 모두를 덮도록, 세라믹 소체(11)의 단면(11a)에 수소 유지막(13e)이 연속적으로 형성되어 있을 경우를 예로 들어 설명했지만, 단면(11a)에 부분적으로 존재하고 있거나, 그물코상, 선상 등의 모양으로 존재하고 있거나 할 경우에도 유의성이 있는 효과를 얻는 것이 가능하다.
[실시형태 3]
도 5는 본 발명의 실시형태 3에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1B)를 나타내는 도면이다. 이 적층 세라믹 콘덴서(1B)에 있어서는, 수소 유지막(13f)이 외부전극 본체(13a)의 내부에 형성되어 있다. 구체적으로는, 외부전극 본체(13a)가 Ni를 주성분으로 하는 외부전극 본체(13a 1)와 Cu를 주성분으로 하는 외부전극 본체(13a 2)의 2층으로 구성되어 있고, 이 2층의 계면에 도전성을 가지는 거의 연속하는 막인 수소 유지막(13f)이 형성되어 있다.
수소 유지막(13f)은 2층째의 외부전극 본체(13a 2)를 형성하기 위한 도전 페이스트에 수소 유지 금속을 배합하고, 1층째의 외부전극 본체(13a 1)에 그 도전 페이스트를 도포한 후, 2층의 외부전극 본체(13a 1, 13a 2)를 동시 소성함으로써 형성된다.
도전 페이스트에 첨가하는 수소 유지 금속의 비율은 1~40vol%의 범위로 하는 것이 바람직하다.
<평가 시험>
이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1B)의 유의성을 확인하기 위해 Cu 분말을 도전 성분으로 하는 도전 페이스트에 표 3에 나타내는 것과 같은 다른 종류의 금속 분말(Sn, Bi, Ag, Zn, Pd)을 첨가한 도전 페이스트 및 금속 분말을 첨가하지 않은 도전 페이스트를 이용하여 표 3의 시료 번호 14~19의 시료를 제작했다.
한편, 2층째의 외부전극 본체(13a 2)를 형성하기 위한 도전 페이스트에 대한 금속 분말의 첨가량은 도전 페이스트 안의 고형분비 5vol%의 비율로 했다. 그 밖의 사양은 실시형태 1과 동일하게 했다.
한편, 1층째의 외부전극 본체(13a 1)를 형성하기 위한 도전 페이스트의 사양은 이하와 같이 했다.
고형분량: 15vol%
고형분 안의 공재 비율: 40vol%
고형분 안의 유리의 비율: 25vol%
Ni 분말의 입경: 0.5㎛
공재의 입경: 100㎚~500㎚
그리고 이렇게 하여 제작한 표 3의 시료 번호 14~19의 시료에 대해서, 상술한 실시형태 1에 있어서 실시한 PCBT 시험과 동일한 조건으로 시험을 실시했다.
그 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pat00003
표 3에 있어서, 시료 번호 14~17의 시료는 본 발명의 요건을 만족하는 시료이며, 시료 번호 18, 19의 시료는 본 발명의 요건을 만족하지 않는 시료이다.
표 3에 나타낸 대로, 2층째의 외부전극 본체(13a 2)에 Sn을 배합한 시료 번호 14의 시료 및 Bi를 배합한 시료 번호 15의 시료에는 IR 열화의 발생은 인정되지 않았다. 또한, Ag을 배합한 시료 번호 16의 시료 및 Zn을 배합한 시료 번호 17의 시료에는 IR 열화의 발생이 적었다.
이에 비해, 2층째의 외부전극 본체(13a 2)에 Pd를 배합한 시료 번호 18의 시료에서는 IR 열화가 많이 발생했다. 특히 금속 분말을 첨가하지 않은 시료 번호 19의 시료에 있어서는 IR 열화의 발생이 많았다.
상기의 결과로부터 도 5에 나타내는 것과 같은 구성을 포함한 적층 세라믹 콘덴서(1B)에 있어서도, 도금 공정에서 발생하는 수소가 수소 유지막(13f)에 의해 흡수되기 때문에 수소가 내부전극(12)을 지나 유전체층(10)으로 확산되는 것이 억제, 방지되어, IR의 열화가 억제되는 것이 확인되었다.
한편, 이 실시형태 3의 경우, 수소 유지막(13f)은 연속적인 막인 것이 바람직한데, 반드시 연속적인 막으로서 형성되어 있을 필요는 없고, 외부전극 본체(13a 1)의 표면을 따라 부분적으로 존재하고 있거나, 그물코상, 선상 등의 모양으로 존재하고 있어도 된다. 또한, 두께가 균일한 막일 필요는 없고, 두께 방향에 있어서 수소 유지 금속의 분포에 차이가 있도록 형성되어 있어도 된다.
[실시형태 4]
도 6은 본 발명의 실시형태 4에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1C)를 나타내는 도면이다. 이 적층 세라믹 콘덴서(1C)에 있어서는, 외부전극 본체(13a)의 표면과 도금층(13b)의 사이, 즉, 외부전극 본체(13a)의 외측 표면에 수소 유지 원소를 포함하는 수소 유지막(13g)이 형성되어 있다.
수소 유지막(13g)은 금속의 상태에 있는 수소 유지 원소(수소 유지 금속)를 스패터함으로써 형성되어 있고, 외부전극 본체(13a)의 표면에 금속막의 상태로 형성되어 있다. 또한, 수소 유지막(13g)은 외부전극 본체(13a)의 표면 전체를 덮도록 연속적으로 형성되어 있다. 한편, 수소 유지막(13g)은 증착, 도금 등에 의해 형성하는 것도 가능하다.
<평가 시험>
이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1C)의 유의성을 확인하기 위해서 다른 종류의 금속(Sn, Bi, Al, Ag, Pd, Ti)을 스패터함으로써 형성된 막을 포함한 시료 즉, 표 4의 시료 번호 20~25의 시료를 제작했다. 또한, 특히 스패터를 실시하지 않고, 수소 유지막을 형성하지 않는 시료 번호 26의 시료를 제작했다. 한편, 외부전극 본체(13a)를 형성하기 위한 도전 페이스트의 사양은 실시형태 2와 동일하게 했다.
그리고 이렇게 하여 제작한 표 4의 시료 번호 20~26의 시료에 대해 상술한 실시형태 1에 있어서 실시한 PCBT 시험과 동일한 조건으로 시험을 실시했다.
그 결과를 표 4에 나타낸다.
Figure pat00004
표 4에 있어서, 시료 번호 20~23의 시료는 본 발명의 요건을 만족하는 시료이며, 시료 번호 24~26의 시료는 본 발명의 요건을 만족하지 않는 시료이다.
표 4에 나타내는 대로, 수소 유지막(13g)으로서 Sn막을 마련한 시료 번호 20의 시료, Bi막을 마련한 시료 번호 21의 시료 및 Al막을 마련한 시료 번호 22의 시료에는 IR 열화의 발생은 인정되지 않았다. 또한, Ag막을 마련한 시료 번호 23의 시료는 IR 열화의 발생이 적었다.
한편, 스패터에 의해 Pd막을 형성한 시료 번호 24의 시료, Ti막을 형성한 시료 번호 25의 시료는 IR 열화의 발생이 많이 인정되었다. 또한, 스패터를 실시하지 않은 시료 번호 26의 시료에 있어서도, 다수로 IR 열화가 인정되었다.
한편, 이 적층 세라믹 콘덴서(1C)의 경우에도, 수소 유지막(13g)이 외부전극 본체(13a)의 표면과 도금층(13b)의 사이에 부분적으로 존재하고 있거나, 그물코상, 선상 등의 모양으로 존재하고 있어도 된다. 그 경우도 유의성이 있는 효과를 얻을 수 있다.
[실시형태 5]
도 7은 본 발명의 실시형태 5에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1D)를 나타내는 도면이다. 이 적층 세라믹 콘덴서(1D)에 있어서는, 최외층의 도금층(13c)과 그 내측의 도금층(13b) 사이에 수소 유지 원소를 포함하는 수소 유지막(13h)이 형성되어 있다.
수소 유지막(13h)은 금속의 상태에 있는 수소 유지 원소(수소 유지 금속)를 스패터함으로써 형성되어 있고, 도금층(13b)의 외측 표면에 금속막의 상태로 형성되어 있다. 또한, 수소 유지막(13h)은 도금층(13b)의 표면 전체를 덮도록 연속적으로 형성되어 있다. 한편, 수소 유지막(13h)은 증착, 도금 등에 의해 형성하는 것도 가능하다.
<평가 시험>
이 실시형태의 적층 세라믹 콘덴서(1D)의 유의성을 확인하기 위해, 다른 종류의 금속(Sn, Bi, Ag, Pd)을 스패터함으로써 형성된 막을 포함한 시료, 즉, 표 5의 시료 번호 27~30의 시료를 제작했다. 또한, 특히 스패터를 실시하지 않고, 수소 유지막을 형성하지 않는 시료 번호 31의 시료를 제작했다. 한편, 외부전극 본체(13a)를 형성하기 위한 도전 페이스트의 사양은 실시형태 2와 동일하게 했다.
그리고 이렇게 하여 제작한 표 5의 시료 번호 27~31의 시료에 대해 상술한 실시형태 1에 있어서 실시한 PCBT 시험과 동일한 조건으로 시험을 실시했다.
그 결과를 표 5에 나타낸다.
Figure pat00005
표 5에 있어서, 시료 번호 27~29의 시료는 본 발명의 요건을 만족하는 시료이며, 시료 번호 30~31의 시료는 본 발명의 요건을 만족하지 않는 시료이다.
표 5에 나타내는 대로, 수소 유지막(13h)으로서, Sn막을 마련한 시료 번호 27의 시료, Bi막을 마련한 시료 번호 28의 시료, Ag막을 마련한 시료 번호 29의 시료는 IR 열화의 발생이 적었다.
한편, 스패터에 의해 Pd막을 형성한 시료 번호 30의 시료는 IR 열화의 발생이 많이 인정되었다. 또한, 스패터를 실시하지 않은 시료 번호 31의 시료에 있어서도 다수로 IR 열화가 인정되었다.
한편, 이 적층 세라믹 콘덴서(1D)의 경우에도, 수소 유지막(13h)이 도금층(13b)과 도금층(13c)의 사이에 부분적으로 존재하고 있거나, 그물코상, 선상 등의 모양으로 존재하고 있어도 된다. 그 경우도 유의성이 있는 효과를 얻을 수 있다.
이상에 있어서 예시한 실시형태 1~5에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 특징적인 구성은 필요에 따라 이들을 서로 조합시키는 것이 가능하다.
본 발명의 실시형태에 대해서 설명했으나, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 청구범위에 의해 나타나고, 청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

Claims (5)

  1. 적층된 복수의 유전체층을 포함하고, 서로 대향하는 양단면(端面)과 상기 양단면을 연결하는 복수의 측면을 가지는 세라믹 소체와,
    비(卑)금속을 주성분으로서 함유하고, 적층된 상기 유전체층의 사이에 배치되어, 상기 양단면에 번갈아 인출된 복수의 내부전극과,
    상기 세라믹 소체의 상기 양단면에 인출된 상기 내부전극과 도통(導通)하도록 상기 세라믹 소체에 형성된 외부전극 본체와, 상기 외부전극 본체의 외측에 형성된 적어도 한 층의 도금층을 가지는 한 쌍의 외부전극을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서이며,
    상기 도금층 중 최외층의 도금층과 상기 유전체층 사이에 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외부전극 본체가 상기 원소를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 내부전극이 상기 원소를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  4. 적층된 복수의 유전체층을 포함하고, 서로 대향하는 양단면과 상기 양단면을 연결하는 복수의 측면을 가지는 세라믹 소체와,
    비금속을 주성분으로서 함유하고, 적층된 상기 유전체층의 사이에 배치되어, 상기 양단면에 번갈아 인출된 복수의 내부전극과,
    상기 세라믹 소체의 상기 양단면에 인출된 상기 내부전극과 도통하도록 상기 세라믹 소체에 형성된 외부전극 본체와, 상기 외부전극 본체의 외측에 형성된 적어도 한 층의 도금층을 가지는 한 쌍의 외부전극을 포함하는 적층 세라믹 콘덴서이며,
    상기 내부전극과 상기 외부전극 본체와의 계면, 상기 외부전극 본체의 외측의 표면, 상기 외부전극 본체의 내부, 상기 내부전극과 상기 유전체층과의 계면 및 상기 도금층이 복수의 층을 포함하고 있는 경우의 최외층의 도금층과 그 내측의 도금층과의 계면에, 수소와 공유 결합형 수소화물을 형성하는 원소(단, 비점이 125℃ 미만인 수소화물을 생성하는 원소는 제외함) 및 수소와 경계 영역의 수소화물을 형성하는 원소 중 적어도 1종을 함유하는 수소 유지막을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 원소가 Sn, Bi, Al, Ag, Zn, Au, In, Ga, Ge, Si로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180079807A (ko) * 2017-01-02 2018-07-11 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR20190021685A (ko) * 2017-08-23 2019-03-06 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조 방법
KR20190035521A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 다이요 유덴 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서
KR20190067137A (ko) * 2019-06-03 2019-06-14 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조 방법
KR20190121175A (ko) * 2018-09-06 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR20190121174A (ko) * 2018-09-06 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR20200038446A (ko) * 2018-09-06 2020-04-13 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7477073B2 (ja) * 2019-08-01 2024-05-01 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
JP2021027095A (ja) * 2019-08-01 2021-02-22 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品
JP2021100020A (ja) * 2019-12-20 2021-07-01 太陽誘電株式会社 積層セラミック電子部品及びその製造方法
KR20220101911A (ko) 2021-01-12 2022-07-19 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP2023118628A (ja) 2022-02-15 2023-08-25 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4691807B2 (ja) * 2001-03-08 2011-06-01 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP2013165180A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Tdk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11869722B2 (en) 2017-01-02 2024-01-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor component having external electrodes with reduced thickness
US11107634B2 (en) 2017-01-02 2021-08-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing capacitor component having external electrodes with reduced thickness
US10748710B2 (en) 2017-01-02 2020-08-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor component having external electrodes with reduced thickness
KR20180079807A (ko) * 2017-01-02 2018-07-11 삼성전기주식회사 커패시터 부품
US10629379B2 (en) 2017-01-02 2020-04-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor component having external electrodes with reduced thickness
US10650971B2 (en) 2017-08-23 2020-05-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Capacitor component and method of manufacturing the same
KR20190021685A (ko) * 2017-08-23 2019-03-06 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조 방법
KR20190035521A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 다이요 유덴 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서
KR20200038446A (ko) * 2018-09-06 2020-04-13 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR20190121174A (ko) * 2018-09-06 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
US10892101B2 (en) 2018-09-06 2021-01-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
KR20190121175A (ko) * 2018-09-06 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR20190067137A (ko) * 2019-06-03 2019-06-14 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조 방법

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