KR20160028965A - 실리콘 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 양호한 접착성을 갖는 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 실리콘 조성물은 (A) 1분자 중에 적어도 2개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖고, 25℃에서의 동점도가 60∼100,000㎟/s인 오르가노폴리실록산,
(B) 1분자 중에 적어도 1개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 실리콘 레진,
(C) 알루미늄 분말과 산화아연 분말을 포함하는 충전제,
(D) 하기 일반식 (1)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산,
(E) 하기 일반식 (2)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산,
(F) 하기 일반식 (3)으로 나타내는 가수분해성 오르가노폴리실록산,
Figure pat00026

Figure pat00027

Figure pat00028

(G) 백금족 금속 촉매: 유효량 및
(H) 반응 제어제
를 특정량 함유한다.

Description

실리콘 조성물{SILICONE COMPOSITION}
본 발명은 실리콘 조성물에 관한 것이다. 상세하게는, 고열전도성의 실리콘 그리스를 제공하는 실리콘 조성물에 관한 것으로, 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 접착성이 양호한 그리스를 제공할 수 있는 실리콘 조성물에 관한 것이다.
LSI나 IC 칩 등의 전자 부품은 사용 중의 발열 및 그것에 의한 성능의 저하가 널리 알려져 있고, 이를 해결하기 위한 수단으로서 다양한 방열 기술이 사용되고 있다. 일반적인 방열 기술로서는, 발열부의 부근에 냉각 부재를 배치하고, 양자를 밀접시킨 후 냉각 부재로부터 효율적으로 제열함으로써 방열을 행하는 기술을 들 수 있다.
그때, 발열 부재와 냉각 부재 사이에 간극이 있으면, 열전도성이 나쁜 공기가 개재함으로써 열전도율이 저하되고, 발열 부재의 온도가 충분히 내려가지 않게 된다. 이와 같은 공기의 개재를 방지하여 열전도율을 향상시키기 위해, 열전도율이 양호하고, 부재의 표면에 추종성이 있는 방열 재료, 예를 들어 방열 그리스나 방열 시트가 사용되고 있다(특허문헌 1∼11).
예를 들어, 특허문헌 9에는 특정 구조를 갖는 오르가노폴리실록산과, 특정한 치환기를 갖는 알콕시실란과, 열전도성 충전제를 함유하여 이루어지는 열전도성 실리콘 그리스 조성물이 개시되어 있고, 해당 조성물은 열전도성이 양호하고, 또한 유동성이 양호하고 작업성이 우수한 것이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 10 및 특허문헌 11에는 점착성과 열전도성을 갖는 시트가 개시되고, 부가 경화형의 실리콘 고무 조성물에, 열전도성 충전제와 지방족 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 실리콘 레진을 배합한 열전도성 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 10 및 특허문헌 11에는 박막 상태에서 적당한 점착성과 양호한 열전도성을 갖는 열전도성 경화물을 제공할 수 있는 것이 개시되어 있다.
방열 그리스 중에는, 반도체 칩과 히트 스프레더를 견고하게 접착시키기 위해 그리스에 접착 성능을 부여한 것이 있다. 반도체 칩과 히트 스프레더가 그리스를 통해 충분히 접착되어 있지 않으면, 방열 성능이 충분히 발휘되지 않아 현저한 성능의 저하를 초래하기 때문이다. 따라서, 반도체 칩과 히트 스프레더 사이를 그리스에 의해 견고하게 접착시키는 것은 중요하다. 그러나, 방열 그리스의 열전도율을 향상시키기 위해서는 열전도성 충전재를 대량으로 충전할 필요도 있다. 열전도성 충전제를 그리스 중에 대량으로 충전하면, 얻을 수 있는 경화물의 접착성이 저하된다는 문제가 있다. 접착성이 저하되면, 발열과 냉각의 열 이력에 의한 반도체 칩의 변형에 경화물이 추종할 수 없게 되어 박리가 발생하고, 최악의 경우, 반도체 칩의 파손을 일으킬 가능성이 있다.
특허문헌 12는 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산, 가수분해성 메틸폴리실록산, 열전도성 충전제, 오르가노하이드로겐폴리실록산, 트리아진환 및 알케닐기 함유 접착 보조제 및 백금계 촉매를 필수 성분으로서 함유하는 열전도성 실리콘 그리스 조성물을 개시하고 있다. 특허문헌 12에는, 해당 조성물은 경화 후에 고온에서의 가열 에이징을 행했을 때의 경도 상승이 적고, 연신의 감소가 억제되는 방열 그리스를 제공할 수 있는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 13에는, 경화제로서 10시간 반감기 온도가 80℃ 이상 130℃ 미만인 퍼옥시드를 포함하는 열전도성 실리콘 조성물이 개시되어 있고, 해당 조성물은 금 등의 귀금속층을 갖는 기재 표면 상에서 용이하게 경화할 수 있는 방열 그리스를 제공할 수 있는 것으로 한다.
일본 특허 제2938428호 공보 일본 특허 제2938429호 공보 일본 특허 제3580366호 공보 일본 특허 제3952184호 공보 일본 특허 제4572243호 공보 일본 특허 제4656340호 공보 일본 특허 제4913874호 공보 일본 특허 제4917380호 공보 일본 특허 제4933094호 공보 일본 특허 출원 공개 제2008-260798호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009-209165호 공보 일본 특허 출원 공개 제2012-102283호 공보 일본 특허 출원 공개 제2012-96361호 공보
상술한 바와 같이, 최근, 고품위 기종의 반도체 장치에 있어서 동작 시의 발열량이 점점 증대되고 있다. 그러나, 종래의 실리콘 그리스는 열전도율이 충분하지 않다는 문제나, 열전도율은 높지만 접착성이 낮다는 문제를 갖는다. 따라서, 본 발명은 종래의 실리콘 그리스에 비해, 높은 열전도율을 갖고, 또한 접착성이 양호한 실리콘 그리스를 제공할 수 있는 실리콘 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 실정을 감안하여 본 발명자는 예의 연구를 행한 결과, 지방족 불포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산, (지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 실리콘 레진), 열전도성 충전제, 특정 구조를 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산 및 백금족 금속 촉매 등을 특정량 함유하는 실리콘 조성물을 배합함으로써, 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 양호한 접착성을 갖는 실리콘 그리스를 제공할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 하기의 실리콘 조성물을 제공하는 것이다.
<1> (A) 1분자 중에 적어도 2개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖고, 25℃에서의 동점도가 60∼100,000㎟/s인 오르가노폴리실록산: 100질량부,
(B) 1분자 중에 적어도 1개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 실리콘 레진: (A) 성분 100질량부에 대해 0∼100질량부,
(C) 알루미늄 분말과 산화아연 분말을 포함하는 충전제: (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 100∼2,000질량부,
(D) 하기 일반식 (1)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산
Figure pat00001
(식 (1) 중, n, m은 5.0≤n+m≤100, 또한 n/(n+m)≤0.5, 또한 0.5≤n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)≤10을 만족시키고, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기임),
(E) 하기 일반식 (2)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산
Figure pat00002
(식 (2) 중, o는 2∼8의 정수, R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 R4이되, 단 R2로 나타내는 기 중 2개 내지 3개는 수소 원자이고, 상기 R4는 에폭시알콕시알킬기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기이고, R3은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기임),
(F) 하기 일반식 (3)으로 나타내는 가수분해성 오르가노폴리실록산
Figure pat00003
(식 (3) 중, p, q는 5.0≤p+q≤100을 만족시키고, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기, R4는 탄소수 2∼6의 알케닐기임)
: 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 1∼50질량부,
(G) 백금족 금속 촉매: 유효량 및
(H) 반응 제어제: 0.05∼5.0질량부
를 함유하고,
상기 (D) 성분 및 (E) 성분의 양이
((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)/((A) 성분, (B) 성분 및 (F) 성분 중의 지방족 불포화 탄화수소기의 개수의 합계)가 1.0∼3.0의 범위에 있고, 또한 ((D) 성분 중의 SiH기의 개수)/((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)가 0.2∼0.8의 범위에 있는 실리콘 조성물.
<2> (I) 하기 일반식 (4)
Figure pat00004
(식 중, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기이고, r은 5∼100의 정수임)
로 표시되는 가수분해성 메틸폴리실록산을, 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 1∼50질량부가 되는 양으로 더 함유하는 <1>에 기재된 실리콘 조성물.
<3> (J) 1분자 중에 트리아진환 및 적어도 1개의 산소 원자를 가질 수도 있는 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 접착 보조제를, 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 0.05∼0.5질량부가 되는 양으로 더 함유하는, <1> 또는 <2>에 기재된 실리콘 조성물.
<4> (B) 실리콘 레진이 SiO4 / 2 단위, R5 2R6SiO1 / 2 단위 및 R5 3SiO1 / 2 단위(식 중, R5는 서로 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 1가의 탄화수소기이고, R6은 지방족 불포화 탄화수소기임)를 포함하고, (R5 2R6SiO1 / 2 단위와 R5 3SiO1 / 2 단위의 개수의 합계)/(SiO4 / 2 단위의 개수)가 0.1∼3.0의 범위에 있는, <1>∼<3> 중 어느 하나에 기재된 실리콘 조성물.
<5> (G) 반응 제어제가 아세틸렌 화합물, 질소 화합물, 유기 인 화합물, 옥심 화합물 및 유기 클로로 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는, <1>∼<4> 중 어느 하나에 기재된 실리콘 조성물.
본 발명의 실리콘 조성물은 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 양호한 접착성을 가질 수 있으므로, 높은 열전도율을 갖고, 또한 접착성이 양호한 실리콘 그리스를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
(A) 성분
(A) 성분은, 1분자 중에 적어도 2개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖고, 25℃에서의 동점도 60∼100,000㎟/s를 갖는 오르가노폴리실록산이다.
지방족 불포화 탄화수소기는, 바람직하게는 지방족 불포화 결합을 갖는, 탄소수 2∼8, 더욱 바람직하게는 탄소수 2∼6의 1가 탄화수소기이고, 보다 바람직하게는 알케닐기이다. 예를 들어, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 및 옥테닐기 등의 알케닐기를 들 수 있다. 특히 바람직하게는 비닐기이다. 지방족 불포화 탄화수소기는, 분자쇄 말단의 규소 원자, 분자쇄 도중의 규소 원자 중 어디에 결합되어 있어도 되고, 양자에 결합되어 있어도 된다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산은, 25℃에서의 동점도는 60∼100,000㎟/s, 특히 100∼30,000㎟/s가 바람직하다. 해당 동점도가 60㎟/s 미만이면, 실리콘 조성물의 물리적 특성이 저하될 우려가 있고, 100,000㎟/s를 초과하면, 실리콘 조성물의 신전성이 부족한 것으로 될 우려가 있다. 본 발명에 있어서, 동점도는 우베로데형 오스트발트 점도계에 의해 측정한 25℃에 있어서의 값이다. 동점도가 상기 범위인 것은, 동업자라면 용이하게 합성할 수 있고, 또한 시판되고 있는 것을 사용해도 된다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산은, 상기 성질을 갖는 것이면 그의 분자 구조는 특별히 한정되지 않고, 직쇄상, 분지쇄상, 일부 분지 또는 환상 구조를 갖는 직쇄상 등이어도 된다. 특히, 주쇄가 디오르가노실록산 단위의 반복을 포함하고, 분자쇄 양 말단이 트리오르가노실록시기로 봉쇄된 직쇄상 구조를 갖는 것이 바람직하다. 해당 직쇄상 구조를 갖는 오르가노폴리실록산은, 부분적으로 분지상 구조 또는 환상 구조를 갖고 있어도 된다. 해당 오르가노폴리실록산은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
(A) 성분의 오르가노폴리실록산은 오르가노폴리실록산의 규소 원자에 지방족 불포화 탄화수소기 이외의 유기기가 결합되어 있어도 된다. 이와 같은 지방족 불포화 탄화수소기 이외의 유기기로서는, 탄소수 1∼18, 바람직하게는 탄소수 1∼10, 더욱 바람직하게는 1∼8의, 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기를 들 수 있고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기 또는 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸기가 바람직하다.
(B) 성분
(B) 성분은 실리콘 레진이다. (B) 성분의 실리콘 레진은 1분자 중에 적어도 1개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실리콘 조성물이 해당 실리콘 레진을 함유함으로써, 얻어지는 경화물의 접착 강도를 현저하게 향상시킬 수 있다.
본 발명에 있어서 (B) 성분은, 바람직하게는 SiO4 / 2 단위, R5 2R6SiO1 / 2 단위 및 R5 3SiO1/2 단위(식 중, R5는 서로 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 1가의 탄화수소기이고, R6은 지방족 불포화 탄화수소기임)를 포함하는 실리콘 레진이다.
상기 식 중, R5는 서로 독립적으로 탄소수 1∼18, 바람직하게는 탄소수 1∼10, 더욱 바람직하게는 1∼8의, 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기이다. 예를 들어, R5로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기 등의 아르알킬기 또는 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소, 브롬, 염소 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 것, 예를 들어 클로로메틸기, 클로로프로필기, 브로모에틸기, 트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 메틸기가 특히 바람직하다.
R6은 지방족 불포화 탄화수소기이고, 바람직하게는 지방족 불포화 결합을 갖는 탄소수 2∼8, 더욱 바람직하게는 탄소수 2∼6의 1가 탄화수소기이고, 보다 바람직하게는 알케닐기이다. 알케닐기로서는, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 및 옥테닐기 등을 들 수 있다. 특히, 바람직하게는 비닐기이다.
(B) 성분의 실리콘 레진은 1분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 1×10-5∼1×10-2mol/g, 더욱 바람직하게는 1×10-4∼2×10-3mol/g의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는다.
또한, (B) 성분은, SiO4 /2 단위(Q 단위)와 R5 2R6SiO1 / 2 단위 및 R5 3SiO1 /2 단위(M 단위)의 몰비가, (M 단위)/(Q 단위)가 0.1∼3.0을 만족시키는 수, 또한 (M 단위)/(Q 단위)가 0.3∼2.5를 만족시키는 수인 것이 바람직하고, 특히 (M 단위)/(Q 단위)가 0.5∼2.0을 만족시키는 수인 것이 바람직하다. M 단위와 Q 단위의 몰비가 상기 범위 내이면, 양호한 접착성 및 강도를 갖는 그리스를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 실리콘 레진은 분자 중에 R2SiO2 /2 단위(D 단위) 및 RSiO3 /2 단위(T 단위)를 본 발명의 조성물의 성질을 손상시키지 않을 정도로 포함하고 있어도 된다(식 중, R은 R5 내지는 R6임).
본 발명에 사용하는 실리콘 레진은 실온에서 고체 또는 점조(粘稠)한 액체이다. 해당 실리콘 레진의 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 해당 실리콘 레진을 크실렌에 용해하여 50질량％ 용액으로 했을 때의 동점도가 0.5∼10㎟/s, 바람직하게는 1.0∼5.0㎟/s가 되는 분자량이 바람직하다. 상기 동점도는 우베로데형 오스트발트 점도계를 사용하여 25℃에서 측정한 값이다. 실리콘 레진의 점도가 상기 범위 내에 있음으로써 조성물의 물리적 특성의 저하를 방지할 수 있어, 바람직하다.
(B) 성분의 실리콘 레진의 양은, (A) 성분 100질량부에 대해 0∼100질량부이지만, 바람직하게는 2∼100질량부, 더욱 바람직하게는 10∼70질량부이다. (B) 성분의 양이 상기 하한값보다 적으면 접착성을 발현하기에는 불충분해질 우려가 있고, 상기 상한값보다 많으면 신전성이 부족한 것으로 될 우려가 있다.
(C) 성분
(C) 성분은 알루미늄 분말과 산화아연 분말을 포함하는, 열전도성의 충전제이다. 본 발명에 있어서 알루미늄 분말의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니고, 예를 들어 구상, 부정형상 등을 들 수 있다. 알루미늄 분말은 사전에 표면을 처리한 분말이어도 된다. 바람직하게는, 알루미늄 분말은 평균 입경 0.1∼100㎛, 더욱 바람직하게는 1∼40㎛를 갖는 것이 바람직하다. 알루미늄 분말의 평균 입경이 0.1㎛ 이상이면, 얻어지는 조성물의 점도가 지나치게 높아지지 않아, 신전성이 부족한 것으로 될 우려가 없다. 100㎛ 이하이면, 얻어지는 조성물이 균일해진다. 또한, 본 명세서에서 말하는 평균 입경은, 레이저 회절ㆍ산란법에 의해 구한 체적 기준의 입도 분포에 있어서의 적산값 50％에서의 입경이다. 여기서, 레이저 회절ㆍ산란법에 의한 측정은 마이크로트랙 입도 분석계 MT3300EX(닛키소(주)사제)에 의해 행하였다.
본 발명에 있어서 알루미늄 분말은 큰 평균 입경을 갖는 알루미늄 분말, 혹은 작은 평균 입경을 갖는 알루미늄 분말을 각각 단독으로 사용해도 되지만, 바람직하게는 큰 평균 입경(예를 들어, 5㎛ 이상 100㎛ 이하, 바람직하게는 10㎛ 이상 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 50㎛ 이하)을 갖는 알루미늄 분말과, 작은 평균 입경(예를 들어, 0.1㎛ 이상 10㎛ 미만, 바람직하게는 0.1㎛ 이상 5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상 5㎛ 이하)을 갖는 알루미늄 분말을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 이들의 혼합 비율은 원하는 그리스의 점도에 따라 조정하면 되지만, 작은 평균 입경을 갖는 알루미늄 분말에 대한 큰 평균 입경을 갖는 알루미늄 분말의 질량비를 바람직하게는 0.5∼9.0, 특히 바람직하게는 1.0∼5.0으로 하면 된다. 또한, 이 평균 입경이 다른 2종류의 알루미늄 분말과 산화아연 분말을 본 발명의 실리콘 조성물의 (C) 충전제로서 사용함으로써, 본 발명의 조성물이 보다 양호한 점도를 갖는 것으로 된다. 그로 인해, 이 조성물을 포함하는 그리스도 마찬가지로 양호한 점도를 갖는 것으로 된다.
본 발명에 있어서 산화아연 분말의 형상은 특별히 제한되는 것은 아니고, 예를 들어 구상, 부정형상 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 산화아연 분말은 평균 입경 0.1∼10㎛, 더욱 바람직하게는 1∼4㎛를 갖는 것이 바람직하다. 산화아연 분말의 평균 입경이, 평균 입경 0.1㎛ 이상이면, 얻어지는 실리콘 조성물의 점도가 지나치게 높아지거나, 신전성이 부족해질 우려가 적어진다. 또한, 10㎛ 이하이면, 얻을 수 있는 실리콘 조성물이 균일해진다.
알루미늄 분말과 산화아연 분말의 질량비는, (알루미늄 분말)/(산화아연 분말)이 1보다 작아지면 얻을 수 있는 조성물의 열전도율이 부족한 것으로 되고, 10보다 크면 경시에 의한 오일 분리가 심해지므로, 1∼10의 범위로 하는 것이 바람직하고, 특히 2∼8의 범위로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서 (C) 충전제는, 상기 알루미늄 분말 및 산화아연 분말 이외에, 산화티타늄 분말, 알루미나 분말, 질화붕소 분말, 질화알루미늄 분말, 다이아몬드 분말, 금 분말, 은 분말, 구리 분말, 카본 분말, 니켈 분말, 인듐 분말, 갈륨 분말, 금속 규소 분말, 실리카 분말 등의 종래 공지의 열전도성 충전제를 목적에 따라 더 함유해도 된다.
(C) 충전제의 양은, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 100∼2,000질량부, 바람직하게는 200∼1,800질량부, 더욱 바람직하게는 400∼1,800질량부이다. 충전제의 양이 100질량부 미만에서는, 얻어지는 조성물의 열전도율이 부족해질 우려가 있고, 2,000질량부를 초과하면, 신전성이 부족한 조성물로 될 우려가 있다.
(D) 성분
(D) 성분은 하기 일반식으로 표시되는 오르가노하이드로겐폴리실록산이다. 해당 오르가노하이드로겐폴리실록산은 분자 중의 SiH기가, 조성물 중의 지방족 불포화 탄화수소기와 후술하는 백금족 금속 촉매의 존재 하에 부가 반응하여 가교 구조를 형성하는 것이다.
Figure pat00005
(식 (1) 중, n, m은 5.0≤n+m≤100, 또한 n/(n+m)≤0.5, 또한 0.5≤n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)≤10을 만족시키고, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기임)
이 오르가노하이드로겐폴리실록산은 SiH기를 분자쇄 말단 및 분자쇄 중의 양쪽에 갖는 것을 필수로 한다. SiH기를 분자쇄 말단 또는 분자쇄 중 어느 하나에만 갖는 오르가노하이드로겐폴리실록산을 사용한 경우에는, 실리콘 조성물의 접착성이 불충분해지는 경우가 있다.
또한, 식 (1) 중, n, m은 5.0≤n+m≤100, 바람직하게는 10≤n+m≤80을 만족시킬 필요가 있다. n+m이 5.0 미만에서는 실리콘 조성물의 물리적 특성이 저하될 우려가 있고, n+m이 100보다 큰 경우에는 실리콘 조성물의 신전성이 부족한 것으로 될 우려가 있다. 또한 n, m은 n/(n+m)≤0.5, 바람직하게는 n/(n+m)≤0.3을 만족시킨다. n/(n+m)이 0.5보다 큰 경우에는 실리콘 조성물의 접착성이 저하될 우려가 있다. 또한 n은 0.5≤n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)≤10, 바람직하게는 1.0≤n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)≤8.0을 만족시킨다. n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)가 0.5보다 작은 경우나 10보다도 큰 경우에는, 실리콘 조성물의 접착성이 저하될 우려가 있다.
식 (1) 중, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기이고, 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.
(D) 성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산은 1종 단독이어도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
(E) 성분
(E) 성분은 하기 일반식 (2)로 표시되는 오르가노하이드로겐폴리실록산이다. 해당 오르가노하이드로겐폴리실록산은 분자 중의 SiH기가, 조성물 중의 지방족 불포화 탄화수소기와 후술하는 백금족 금속 촉매의 존재 하에 부가 반응하여 가교 구조를 형성하는 것임과 함께, 실리콘 조성물에 접착성을 부여하는 것이다.
Figure pat00006
(식 (2) 중, o는 2∼8의 정수, R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 R4이되, 단 R2로 나타내는 기 중 2개 내지 3개는 수소 원자이고, 상기 R4는 에폭시알콕시알킬기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기이고, R3은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기임)
식 (2) 중, R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 R4이되, 단 R2로 나타내는 기 중 2개 내지 3개는 수소 원자이다. 상기 R4는 에폭시알콕시알킬기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기이고, 실리콘 조성물에 접착성을 부여하는 효과를 갖는다. 또한, R3은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기이고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.
해당 오르가노하이드로겐폴리실록산은 1종 단독이어도 되고, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
(D) 성분 및 (E) 성분의 오르가노하이드로겐폴리실록산의 합계량은,
((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)/((A) 성분, (B) 성분 및 (F) 성분 중의 지방족 불포화 탄화수소기의 개수의 합계)가 1.0∼3.0의 범위가 되는 양이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.5∼2.5가 되는 양이다. (D) 성분 및 (E) 성분의 양이 상기 하한값 미만에서는 충분한 접착 성능을 발휘할 수 없어, 기재와의 밀착성이 나빠질 우려가 있다. 또한, 상기 상한값 초과에서는 미반응의 SiH기가 잉여의 가교 반응을 일으켜, 경화물의 경도가 상승할 우려가 있다.
또한, ((D) 성분 중의 SiH기의 개수)/((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)는 0.2∼0.8이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.3∼0.7이다. ((D) 성분 중의 SiH기의 개수)/((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)가 상기 하한값 미만에서는 실리콘 조성물의 물리적 특성이 저하될 우려가 있고, 상기 상한값 초과에서는 충분한 접착 성능을 발휘할 수 없어, 기재와의 밀착성이 나빠질 우려가 있다.
(F) 성분
(F) 성분의 하기 일반식 (3)으로 나타내는 가수분해성 오르가노폴리실록산은 열전도성의 충전제와의 습윤성 및 실리콘 조성물에 접착성을 부여하기 위한 오르가노폴리실록산이다.
Figure pat00007
(식 (3) 중, p, q는 5.0≤p+q≤100을 만족시키고, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기, R4는 탄소수 2∼6의 알케닐기임)
식 (3) 중, p, q는 5.0≤p+q≤100이지만, 바람직하게는 5.0≤p+q≤60이다. p+q가 5.0 미만에서는 실리콘 조성물 유래의 오일 블리드가 심해져 신뢰성이 나빠질 우려가 있다. 또한, p+q가 100보다 큰 경우에는, 충전제와의 습윤성이 충분하지 않게 될 우려가 있다.
식 (3) 중, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기이고, 해당 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. 또한, R4는 탄소수 2∼6의 알케닐기이고, 해당 알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다.
(F) 성분의 양은, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 1∼50질량이고, 바람직하게는 10∼30질량부이다. (F) 성분의 양이 상기 하한값보다 적으면 충분한 습윤성이나 접착성을 발휘하지 못할 우려가 있다. 또한, (F) 성분의 양이 상기 하한값보다 많으면 조성물로부터의 블리드가 심해질 우려가 있다.
(G) 성분
(G) 성분은 백금족 금속 촉매이고, 상술한 성분의 부가 반응을 촉진하기 위해 기능한다. 백금족 금속 촉매는, 부가 반응에 사용되는 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 백금계, 팔라듐계, 로듐계의 촉매를 들 수 있지만, 그 중에서도 비교적 입수하기 쉬운 백금 또는 백금 화합물이 바람직하다. 예를 들어, 백금의 단체, 백금흑, 염화백금산, 백금-올레핀 착체, 백금-알코올 착체, 백금 배위 화합물 등을 들 수 있다. 백금계 촉매는 1종 단독이어도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
(G) 성분의 배합량은 촉매로서의 유효량, 즉 부가 반응을 촉진하여 본 발명의 조성물을 경화시키기 위해 필요한 유효량이면 된다. 바람직하게는, (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 질량에 대해, 백금족 금속 원자로 환산한 질량 기준으로 0.1∼500ppm, 보다 바람직하게는 1∼200ppm이다. 촉매의 양이 상기 하한값보다 작으면 촉매로서의 효과를 얻을 수 없는 경우가 있다. 또한, 상기 상한값을 초과해도 촉매 효과가 증대되는 일은 없고 비경제적이므로 바람직하지 않다.
(H) 성분
(H) 성분은 실온에서의 히드로실릴화 반응의 진행을 억제하는 제어제이고, 보관 수명, 가용 시간을 연장시키기 위해 첨가한다. 해당 제어제는 부가 경화형 실리콘 조성물에 사용되는 종래 공지의 제어제를 사용할 수 있다. 이것에는, 예를 들어 아세틸렌 알코올류(예를 들어, 에티닐메틸데실카르비놀, 1-에티닐-1-시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올) 등의 아세틸렌 화합물, 트리부틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 벤조트리아졸 등의 각종 질소 화합물, 트리페닐포스핀 등의 유기 인 화합물, 옥심 화합물, 유기 클로로 화합물 등을 들 수 있다.
(H) 성분의 양은, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 0.05∼5.0질량부, 바람직하게는 0.1∼1.0질량부이다. 제어제의 양이 0.05질량부 미만에서는, 원하는 충분한 보관 수명, 가용 시간을 얻을 수 없을 우려가 있고, 또한 5.0질량부보다 많은 경우에는, 실리콘 조성물의 경화성이 저하될 우려가 있다. 또한, 제어제는 실리콘 조성물로의 분산성을 양호하게 하기 위해, 오르가노(폴리)실록산이나 톨루엔 등으로 희석하여 사용해도 된다.
본 발명의 실리콘 조성물은 상기 성분 외에, 필요에 따라 이하의 임의 성분을 더 첨가할 수 있다.
(I) 성분
본 발명의 실리콘 조성물은 하기 식 (4)로 나타내는 가수분해성 메틸폴리실록산을 더 함유할 수 있다.
Figure pat00008
(식 중, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기이고, r은 5∼100의 정수임)
상기 식 (4) 중, R1은 탄소수 1∼6의 알킬기이고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다. r은 5∼100의 정수, 바람직하게는 10∼60의 정수이다. r의 값이 5보다 작으면, 실리콘 조성물 유래의 오일 블리드가 심해지거나 신뢰성이 나빠질 우려가 있다. 또한, r의 값이 100보다 크면, 충전제와의 습윤성이 충분하지 않게 될 우려가 있다.
(I) 성분의 양은, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 1∼50질량부가 바람직하고, 특히 10∼30질량부가 바람직하다. (I) 성분의 양이 1질량부보다 적으면 충분한 습윤성을 발휘하지 못할 우려가 있다. 또한, (I) 성분의 양이 50질량부보다 많으면 조성물로부터의 블리드가 심해질 우려가 있다.
(J) 성분
본 발명의 실리콘 조성물은 (J) 접착 보조제를 더 함유해도 된다. 해당 접착 보조제는 1분자 중에 트리아진환 및 적어도 1개의 산소 원자를 가질 수도 있는 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 화합물이고, 조성물의 접착 성능을 향상시킬 수 있다.
(J) 성분으로서는 하기 일반식 (5)로 표시되는 것을 들 수 있다.
Figure pat00009
식 (5) 중, R7은 산소 원자를 가질 수도 있는 지방족 불포화 탄화수소기 또는 -(CH2)s-Si(OR8)3으로 나타내는 기이다(식 중, R8은 수소 원자 또는 탄소수 1∼6의 1가 탄화수소기이고, s는 1∼6, 바람직하게는 1∼4의 정수임). 단, R7 중 적어도 1개는 지방족 불포화 탄화수소기이다. R7로서는, 바람직하게는 탄소수 2∼8, 더욱 바람직하게는 탄소수 2∼6의, 직쇄상 또는 분지를 갖는 알케닐기, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 1-부테닐기, 1-헥세닐기 및 2-메틸프로페닐기, 또는 (메트)아크릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 비용의 관점에서 알릴기가 바람직하다. (J) 성분으로서는, 트리알릴이소시아누레이트, 트리메타크릴이소시아누레이트 및 트리알릴이소시아누레이트의 1∼2개의 알릴기에 1∼2개의 트리메톡시실릴기 등의 알콕시실릴기가 부가한 알콕시실릴 치환ㆍ트리알릴이소시아누레이트 및 그의 가수분해 축합물인 실록산 변성물(유도체) 등을 들 수 있다. (J) 성분의 양은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 0.05∼0.5질량부, 바람직하게는 0.05∼0.3질량부로 하는 것이 좋다. 상기 하한값 미만에서는 조성물이 충분한 접착 성능을 나타내지 않게 될 우려가 있고, 상기 상한값 초과에서는 부가 반응이 충분히 진행되지 않아, 접착 성능을 발현할 수 없을 우려가 있다.
그 밖의 성분
본 발명의 실리콘 조성물은, 조성물의 탄성률이나 점도를 조정하기 위해 메틸폴리실록산 등의 반응성을 갖지 않는 오르가노(폴리)실록산을 함유해도 된다. 또한, 실리콘 조성물의 열화를 방지하기 위해, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등의, 종래 공지의 산화 방지제를 필요에 따라 함유해도 된다. 또한, 염료, 안료, 난연제, 침강 방지제 또는 요변성 향상제 등을, 필요에 따라 배합할 수 있다.
실리콘 조성물을 제작하는 공정
아래에, 본 발명에 있어서의 열전도성 실리콘 조성물의 제조 방법에 대해 설명하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 열전도성 실리콘 조성물의 제조 방법은, 상술한 (A)∼(H) 성분, 필요에 따라, 이에 더하여 (I), (J) 성분을 함유하는 실리콘 조성물을 제작하는 공정을 갖는다.
본 발명의 실리콘 조성물을 제조하는 방법은, 종래의 실리콘 그리스 조성물의 제조 방법을 따르면 되고, 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 (A)∼(H) 성분 및 필요에 따라 그 밖의 성분을 트리 믹스, 트윈 믹스, 플라네터리 믹서(모두 이노우에 세이사쿠쇼(주)제 혼합기의 등록 상표), 울트라 믹서(미즈호 고교(주)제 혼합기의 등록 상표), 하이비스디스퍼 믹스(도쿠슈 기카 고교(주)제 혼합기의 등록 상표) 등의 혼합기로 혼합하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명의 실리콘 조성물은, 바람직하게는 25℃에서 측정되는 절대 점도 3.0∼500㎩ㆍs, 보다 바람직하게는 10∼300㎩ㆍs를 갖는다. 절대 점도가 3.0㎩ㆍs 미만에서는, 형상 유지가 곤란해지는 등 작업성이 나빠질 우려가 있다. 또한, 절대 점도가 500㎩ㆍs를 초과하는 경우에도 토출이 곤란해지는 등 작업성이 나빠질 우려가 있다. 상기 절대 점도는 상술한 각 성분의 배합을 조정함으로써 얻을 수 있다. 본 발명에 있어서, 절대 점도는 말콤 점도계에 의해 측정한 25℃의 값이다(로터 A로 10rpm, 전단 속도 6[1/s]).
본 발명의 실리콘 조성물은 LSI 등의 전자 부품, 그 밖의 발열 부재와 냉각 부재 사이에 개재시켜 발열 부재로부터의 열을 냉각 부재에 전열하여 방열하기 위한 조성물로서 적절히 사용할 수 있고, 종래의 열전도성 실리콘 그리스와 동일한 방법으로 사용할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실리콘 조성물은 전자 부품 등의 발열 부재로부터의 발열에 의해 경화할 수 있고, 본 발명의 실리콘 조성물을 도포한 후, 적극적으로 가열 경화시켜도 된다. 이에 의해, 본 발명의 실리콘 조성물의 경화물을 발열 부재와 냉각 부재 사이에 개재시킨 반도체 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 실리콘 조성물을 가열 경화하는 경우의 경화 조건은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 80∼200℃, 바람직하게는 100∼180℃에서, 30분∼4시간, 바람직하게는 30분∼2시간이다.
본 발명의 실리콘 조성물은 높은 열전도율을 갖고, 또한 접착성이 양호하기 때문에, 고품위 기종의 반도체 장치 등에 대한 방열 그리스로서 특히 적절히 사용할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 제한되는 것은 아니다. 하기에 있어서 동점도는 우베로데형 오스트발트 점도계(시바타 가가쿠샤제)에 의해 25℃에서 측정한 값이다.
(A) 성분
A-1: 양 말단이 디메틸비닐실릴기로 봉쇄되고, 25℃에 있어서의 동점도가 600㎟/s인 디메틸폴리실록산
(B) 성분
B-1: 하기 평균 조성식으로 나타내는 실리콘 레진: 크실렌 용매 중 50질량％ 용액으로 했을 때의 동점도 3.0㎟/s
(SiO4/2)1.0((CH2=CH)(CH3)2SiO1/2)0.12((CH3)3SiO1/2)0.75
B-2: 하기 평균 조성식으로 나타내는 실리콘 레진: 크실렌 용매 중 50질량％ 용액으로 했을 때의 동점도 1.5㎟/s
(SiO4 / 2)1.0((CH2=CH)(CH3)2SiO1 / 2)0.25((CH3)3SiO1/2)1 .5
(C) 성분
C-1: 평균 입경 20.0㎛의 알루미늄 분말과 평균 입경 2.0㎛의 알루미늄 분말을 60:40 질량비로 미리 혼합한 알루미늄 분말(열전도율: 237W/mㆍ℃)
C-2: 평균 입경 1.0㎛의 산화아연 분말(열전도율: 25W/mㆍ℃)
(D) 성분 및 비교 성분
D-1:
Figure pat00010
D-2:
Figure pat00011
D-3:
Figure pat00012
D-4:
Figure pat00013
(E) 성분
E-1:
Figure pat00014
(F) 성분
F-1:
Figure pat00015
(G) 성분
G-1: 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체를 상기 A-1과 동일한 디메틸폴리실록산에 용해한 용액(백금 원자 함유량: 1질량％)
(H) 성분
H-1:
Figure pat00016
(I) 성분
I-1:
Figure pat00017
(J) 성분
J-1:
Figure pat00018
[실시예 1∼10, 비교예 1∼11]
실리콘 조성물의 제조
상기 (A)∼(J) 성분을, 하기 표 1∼3에 나타내는 배합량으로, 하기에 나타내는 방법으로 배합하여 실리콘 조성물을 제조하였다. 또한, 표에 있어서 (G) 성분의 질량은, 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체를 디메틸폴리실록산에 용해한 용액(백금 원자 함유량: 1질량％)의 질량이다. 또한, SiH/SiVi는 (A) 성분, (B) 성분 및 (F) 성분 중의 알케닐기의 개수의 합계에 대한 (D) 성분, (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계의 비이다. 또한, (D) SiH/(D) SiH+(E) SiH는 (D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계에 대한 (D) 성분 중의 SiH기의 개수의 비이다.
5리터의 플라네터리 믹서(이노우에 세이사쿠쇼(주)제)에 (A), (B), (C), (F) 및 (I) 성분을 가하고, 170℃에서 1시간 혼합하였다. 상온이 될 때까지 냉각하고, 다음에 (D), (E), (G), (H) 및 (J) 성분을 가하여 균일해지도록 혼합하여, 실리콘 조성물을 제조하였다.
상기 방법으로 얻어진 각 조성물에 대해, 하기의 방법에 따라, 점도, 열전도율, 절단 시 연신율 및 접착 강도를 측정하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
[점도]
각 조성물의 절대 점도를, 말콤 점도계(타입 PC-1T)를 사용하여 25℃에서 측정하였다.
[열전도율]
각 조성물을 키친 랩으로 둘러싸고, 열전도율을 교토 덴시고교(주)제 TPA-501로 측정하였다.
[절단 시 연신율]
각 조성물을 150℃에서 60분간 가열하고 경화하여 2㎜ 두께 시트를 제작한 후, JIS K6251에 준거하여 2호 덤벨의 형상을 제작하고, 절단 시 연신율을 측정하였다.
[접착 강도]
각 조성물을 1㎜×1㎜의 실리콘 웨이퍼와 니켈 플레이트 사이에 끼워 넣고, 1.8kgf의 클립에 의해 가압하면서 150℃에서 60분간 가열하였다. 그 후, 다게 시리즈(Dage series)-4000PXY(다게 도이칠란트 게엠베하(Dage Deutchland GmbH)제)를 사용하여 접착 강도를 측정하였다.
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
표 1∼3의 결과로부터, 본 발명의 요건을 만족시키는 실시예 1∼10은 비교예 1∼11에 비해, 실리콘 조성물의 접착 강도가 큰 것을 알 수 있다.
한편, B-1 성분이 A-1 성분과 B-1 성분의 합계 100질량부에 대해 60질량부로 많은 비교예 1, 및 C-1 및 C-2 성분의 충전제가 A-1 성분과 B-1 성분의 합계 100질량부에 대해 2071질량부로 많은 비교예 2에서는 조성물이 그리스상으로 되지 않았다.
또한, 가교제로서 사용한 D-3 성분이 분자쇄 말단에 SiH기를 갖지 않는 비교예 3, 및 가교제로서 사용한 D-4 성분이, n/(n+m)≤0.5, 또한 0.5≤n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)≤10을 만족시키지 않는 비교예 4에서는, 조성물의 접착 강도는 낮아졌다.
D-1 성분 및 E-1 성분 중의 SiH기의 개수의 합계에 대한 D-1 성분 중의 SiH기의 개수의 비가 0.9가 되는 비교예 5, 및 0.1이 되는 비교예 6에서는, 조성물의 접착 강도는 낮아졌다.
F-1 성분이 A-1 성분과 B-1 성분의 합계 100질량부에 대해 60질량부로 많고, SiH/SiVi가 0.8로 낮은 비교예 7, 및 SiH/SiVi가 4.0으로 높은 비교예 8에서는, 조성물의 접착 강도는 낮아졌다.
E-1 성분을 배합하고 있지 않는 비교예 9, F-1 성분을 배합하고 있지 않는 비교예 10, 및 E-1 성분과 F-1 성분의 양쪽을 배합하고 있지 않는 비교예 11에서는, 조성물의 접착 강도는 낮아졌다.
상기 실험에 의해, 본 발명의 실리콘 조성물은 반도체 칩과 히트 스프레더를 견고하게 접착시키기 위해 사용한 경우, 열전도성 충전제를 다량으로 함유해도 양호한 접착성을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

Claims (5)

  1. (A) 1분자 중에 적어도 2개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖고, 25℃에서의 동점도가 60∼100,000㎟/s인 오르가노폴리실록산: 100질량부,
    (B) 1분자 중에 적어도 1개의 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 실리콘 레진: (A) 성분 100질량부에 대해 0∼100질량부,
    (C) 알루미늄 분말과 산화아연 분말을 포함하는 충전제: (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 100∼2,000질량부,
    (D) 하기 일반식 (1)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산
    Figure pat00022

    (식 (1) 중, n, m은 5.0≤n+m≤100, 또한 n/(n+m)≤0.5, 또한 0.5≤n/(말단기에 존재하는 SiH기의 개수, 즉 2)≤10을 만족시키고, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기임),
    (E) 하기 일반식 (2)로 나타내는 오르가노하이드로겐폴리실록산
    Figure pat00023

    (식 (2) 중, o는 2∼8의 정수, R2는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 R4이되, 단 R2로 나타내는 기 중 2개 내지 3개는 수소 원자이고, 상기 R4는 에폭시알콕시알킬기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기 및 트리알콕시실릴기로부터 선택되는 기이고, R3은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기임),
    (F) 하기 일반식 (3)으로 나타내는 가수분해성 오르가노폴리실록산
    Figure pat00024

    (식 (3) 중, p, q는 5.0≤p+q≤100을 만족시키고, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기, R4는 탄소수 2∼6의 알케닐기임)
    : 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 1∼50질량부,
    (G) 백금족 금속 촉매: 유효량 및
    (H) 반응 제어제: 0.05∼5.0질량부
    를 함유하고,
    상기 (D) 성분 및 (E) 성분의 양이
    ((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)/((A) 성분, (B) 성분 및 (F) 성분 중의 지방족 불포화 탄화수소기의 개수의 합계)가 1.0∼3.0의 범위에 있고, 또한 ((D) 성분 중의 SiH기의 개수)/((D) 성분 및 (E) 성분 중의 SiH기의 개수의 합계)가 0.2∼0.8의 범위에 있는 실리콘 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (I) 하기 일반식 (4)
    Figure pat00025

    (식 중, R1은 서로 독립적으로 탄소수 1∼6의 알킬기이고, r은 5∼100의 정수임)
    로 표시되는 가수분해성 메틸폴리실록산을, 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 1∼50질량부가 되는 양으로 더 함유하는 실리콘 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (J) 1분자 중에 트리아진환 및 적어도 1개의 산소 원자를 가질 수도 있는 지방족 불포화 탄화수소기를 갖는 접착 보조제를, 상기 (A) 성분과 상기 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해 0.05∼0.5질량부가 되는 양으로 더 함유하는 실리콘 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, (B) 실리콘 레진이 SiO4 / 2 단위, R5 2R6SiO1 / 2 단위 및 R5 3SiO1 / 2 단위(식 중, R5는 서로 독립적으로 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 1가의 탄화수소기이고, R6은 지방족 불포화 탄화수소기임)를 포함하고, (R5 2R6SiO1 / 2 단위와 R5 3SiO1 / 2 단위의 개수의 합계)/(SiO4 / 2 단위의 개수)가 0.1∼3.0의 범위에 있는 실리콘 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, (G) 반응 제어제가 아세틸렌 화합물, 질소 화합물, 유기 인 화합물, 옥심 화합물 및 유기 클로로 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 실리콘 조성물.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190112318A (ko) * 2017-02-14 2019-10-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 부가 경화형 실리콘 조성물
KR20200059244A (ko) * 2017-09-29 2020-05-28 다우 실리콘즈 코포레이션 열 전도성 조성물

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6217588B2 (ja) * 2014-10-23 2017-10-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンポッティング組成物
JP6634988B2 (ja) * 2016-09-20 2020-01-22 信越化学工業株式会社 透明液状シリコーンゴム組成物
EP3580790B1 (en) 2017-02-08 2024-01-24 Elkem Silicones USA Corp. Secondary battery pack with improved thermal management
JP6919716B2 (ja) * 2017-11-09 2021-08-18 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
WO2019138991A1 (ja) 2018-01-15 2019-07-18 信越化学工業株式会社 シリコーン組成物
JP7062233B2 (ja) * 2018-03-08 2022-05-06 株式会社ソミックマネージメントホールディングス ボールジョイント用グリース組成物
KR20200135992A (ko) * 2018-03-23 2020-12-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 실리콘 조성물
WO2019235293A1 (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及びその製造方法
WO2020031669A1 (ja) * 2018-08-10 2020-02-13 信越化学工業株式会社 シリコーン組成物及びその製造方法
US20210388207A1 (en) * 2018-10-12 2021-12-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition curing silicone composition and method for manufacturing same
JP7070320B2 (ja) * 2018-10-18 2022-05-18 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
WO2020084899A1 (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
US20210403785A1 (en) * 2019-01-24 2021-12-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Highly thermally conductive silicone composition and method for producing same
JP7050704B2 (ja) * 2019-02-07 2022-04-08 信越化学工業株式会社 熱伝導性粘着層を有する熱伝導性シリコーンゴムシート
WO2021090655A1 (ja) * 2019-11-06 2021-05-14 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーンポッティング組成物およびその硬化物
CN116997613A (zh) 2022-01-28 2023-11-03 瓦克化学股份公司 含铝导热膏
JP2024026920A (ja) * 2022-08-16 2024-02-29 信越化学工業株式会社 紫外線硬化型シリコーン組成物、硬化物およびシリコンウェハーコーティング剤

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2938428B1 (ja) 1998-02-27 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物
JP2938429B1 (ja) 1998-02-27 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
JP3580366B2 (ja) 2001-05-01 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
JP2005325211A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーンゴム組成物及び成型品
JP3952184B2 (ja) 2002-10-10 2007-08-01 信越化学工業株式会社 熱伝導性シート
JP2008260798A (ja) 2007-04-10 2008-10-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP2009209165A (ja) 2008-02-29 2009-09-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP4572243B2 (ja) 2008-03-27 2010-11-04 信越化学工業株式会社 熱伝導性積層体およびその製造方法
JP4656340B2 (ja) 2008-03-03 2011-03-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP4913874B2 (ja) 2010-01-18 2012-04-11 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP4917380B2 (ja) 2006-07-31 2012-04-18 信越化学工業株式会社 放熱用シリコーングリース組成物及びその製造方法
JP4933094B2 (ja) 2005-12-27 2012-05-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP2012096361A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン構造体の製造方法及び半導体装置
JP2012102283A (ja) 2010-11-12 2012-05-31 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP2014080546A (ja) * 2012-10-18 2014-05-08 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン組成物

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0297559A (ja) * 1988-10-03 1990-04-10 Toshiba Silicone Co Ltd 熱伝導性シリコーン組成物
JP3948642B2 (ja) * 1998-08-21 2007-07-25 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物及びそれを使用した半導体装置
US6605238B2 (en) * 1999-09-17 2003-08-12 Honeywell International Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
DE60112718T2 (de) * 2000-01-20 2006-06-29 Yeda Research And Development Co., Ltd. Verwendung von copolymer 1- und verwandten peptiden sowie von polypeptiden und damit behandelten t-zellen zur neuroprotektiven therapie
JP4334842B2 (ja) * 2002-10-02 2009-09-30 信越化学工業株式会社 定着ロールの圧縮永久歪を低減する方法、及び定着ロール
JP4828146B2 (ja) * 2005-03-30 2011-11-30 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP4662036B2 (ja) * 2005-06-16 2011-03-30 信越化学工業株式会社 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP5434795B2 (ja) * 2010-05-25 2014-03-05 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP6415451B2 (ja) * 2012-12-28 2018-10-31 ダウ シリコーンズ コーポレーション トランスデューサー用硬化性オルガノシロキサン組成物及び硬化性シリコーン組成物のトランスデューサーへの使用
MY170487A (en) * 2013-01-22 2019-08-07 Shinetsu Chemical Co Heat conductive silicone composition, heat conductive layer, and semiconductor device
JP5843368B2 (ja) * 2013-05-07 2016-01-13 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
JP6110273B2 (ja) * 2013-10-22 2017-04-05 株式会社泰陽貿易 模造紙銭とその製造方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2938429B1 (ja) 1998-02-27 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物
JP2938428B1 (ja) 1998-02-27 1999-08-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性グリース組成物
JP3580366B2 (ja) 2001-05-01 2004-10-20 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及び半導体装置
JP3952184B2 (ja) 2002-10-10 2007-08-01 信越化学工業株式会社 熱伝導性シート
JP2005325211A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性シリコーンゴム組成物及び成型品
JP4933094B2 (ja) 2005-12-27 2012-05-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP4917380B2 (ja) 2006-07-31 2012-04-18 信越化学工業株式会社 放熱用シリコーングリース組成物及びその製造方法
JP2008260798A (ja) 2007-04-10 2008-10-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP2009209165A (ja) 2008-02-29 2009-09-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱伝導性硬化物及びその製造方法
JP4656340B2 (ja) 2008-03-03 2011-03-23 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP4572243B2 (ja) 2008-03-27 2010-11-04 信越化学工業株式会社 熱伝導性積層体およびその製造方法
JP4913874B2 (ja) 2010-01-18 2012-04-11 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2012096361A (ja) 2010-10-29 2012-05-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン構造体の製造方法及び半導体装置
JP2012102283A (ja) 2010-11-12 2012-05-31 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 熱伝導性シリコーングリース組成物
JP2014080546A (ja) * 2012-10-18 2014-05-08 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190112318A (ko) * 2017-02-14 2019-10-04 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 부가 경화형 실리콘 조성물
KR20200059244A (ko) * 2017-09-29 2020-05-28 다우 실리콘즈 코포레이션 열 전도성 조성물

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