KR20160003247A - 관통 실리콘 비아 노출 처리의 음향 모니터링 및 제어를 위한 장치 및 방법 - Google Patents
관통 실리콘 비아 노출 처리의 음향 모니터링 및 제어를 위한 장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
CMP(chemical mechanical polishing)를 이용하는 TSV(through silicon via) 노출 프로세스는, TSV 파손을 검출하고 그에 자동으로 응답하도록 음향적으로 모니터링 및 제어될 수 있다. CMP 시스템의 기판 홀더 및/또는 폴리싱 패드에 근접 위치된 하나 이상의 음향 센서에 의해 수신되는 음향 방출들이 분석되어, CMP 프로세스 동안 TSV 파손을 검출할 수 있다. TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 하나 이상의 교정 동작이 자동으로 발생할 수 있다. 일부 실시예들에서, 폴리싱 패드 플래튼에는, 폴리싱 패드 플래튼 상에 장착된 폴리싱 패드로 확장되는 하나 이상의 음향 센서가 내부에 통합되어 있을 수 있다. TSV 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법들도 다른 양태들과 마찬가지로 제공된다.
Description
관련 출원들
본 출원은, 2013년 5월 1일자로 출원되었으며 발명의 명칭이 "APPARATUS AND METHODS FOR ACOUSTICAL MONITORING AND CONTROL OF THROUGH-SILICON-VIA REVEAL PROCESSING"인 미국 특허 출원 제13/874,495호(대리인 정리 번호 20654/USA)로부터 우선권을 주장하는데, 이 특허 출원은 참고로 다목적으로 본 명세서에 완전히 포함된다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 반도체 디바이스 제조에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 TSV들(through-silicon vias)의 후방 화학 기계적 폴리싱(backside chemical mechanical polishing)에 관한 것이다.
화학 기계적 평탄화(chemical mechanical planarization)라고도 알려져 있는 화학 기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 기판 상의 집적 회로들(IC)의 제조에서 통상적으로 이용되는 프로세스이다. CMP 프로세스는, 후속 처리를 위해 평탄한 표면을 생성하기 위해서, 부분적으로 처리된 기판으로부터 지형적 피쳐들(topographic features) 및 재료들을 제거할 수 있다. CMP 프로세스는 기판의 표면에 대하여 눌려지는 하나 이상의 회전하는 폴리싱 패드 상에 연마제 및/또는 화학적으로 활성인 폴리싱 용액(chemically-active polishing solution)을 이용할 수 있다. 기판은 기판을 회전시키는 기판 홀더에 유지될 수 있다. 기판 홀더는 또한 회전하는 폴리싱 패드(들)의 표면에 걸쳐 기판을 앞뒤로 진동시킬 수 있다.
IC들의 제조에서, 콤팩트한 풋프린트에서 회로 기능성 및/또는 성능을 증가시키기 위해 3D 패키징이 이용될 수 있다. 3차원 패키징은, 적층된 IC 칩들을 전기적으로 접속하기 위해 TSV들(through silicon vias)을 이용하여 서로의 상부에 적층된 IC 칩들의 상호접속을 수반할 수 있다. TSV들은 기판을 통하여 연장되는 수직 전기 전도체들이다. (아래의 다른 IC에 대한 후속 전기 접속을 위해) 기판의 후방으로부터 TSV들에 접근하기 위해서, CMP가 TSV 노출 프로세스(reveal process)에서 이용될 수 있다. TSV 노출 프로세스는 후방 표면으로부터 돌출하는 스터브들(stubs)로서 TSV들을 노출시키기 위해서 기판의 후방 표면을 그라인딩 및 에칭하는 것을 포함할 수 있다. 다음으로, 후방 표면 상에 유전체 막이 퇴적될 수 있다. CMP는, 돌출하는 스터브들을 제거하고 원하는 유전체 막 두께까지 후방 표면을 폴리싱하여 TSV 노출 프로세스를 완료하는데 이용될 수 있다. 그러나, 기판을 파괴할 수 있는 TSV 파손(즉, 하나 이상의 스터브의 파손)이 발생할 수 있다. 따라서, 개선된 TSV 노출 프로세스들이 요구된다.
일 양태에 따르면, 화학 기계적 폴리싱(CMP) 장치를 위한 플래튼이 제공된다. 플래튼은, 표면 상에 폴리싱 패드를 수용하도록 구성된 디스크 형상 베이스 - 디스크 형상 베이스는 적어도 하나의 관통공(through-hole)을 가짐 -; 및 적어도 하나의 관통공에 수용되며, 디스크 형상 베이스의 표면으로부터 돌출하는 음향 센서 - 음향 센서는 제어기에 전기적으로 연결되도록 구성됨 - 를 포함한다.
다른 양태에 따르면, 화학 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 수행하도록 구성된 CMP 장치가 제공된다. CMP 장치는, 폴리싱 패드를 포함하는 플래튼, 폴리싱될 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더 - 플래튼 또는 기판 홀더는 기판과 폴리싱 패드가 서로 접촉하게 하도록 구성됨 -, CMP 프로세스 동안 폴리싱 패드 또는 기판에 근접 위치된 음향 센서, 및 음향 센서에 전기적으로 연결되고, 음향 센서로부터 수신된 하나 이상의 신호를 분석하여, TSV(through silicon via) 파손을 검출하도록 구성된 음향 프로세서를 포함한다.
추가 양태에 따르면, TSV(through silicon via) 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 화학 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 이용하여 기판을 처리하는 단계, CMP 프로세스의 음향 방출들을 감지하는 단계, 및 음향 방출들을 분석하여, TSV 파손을 검출하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태들, 특징들 및 이점들은, 본 발명을 수행하기 위해 고려되는 최상의 모드를 포함하여, 다수의 예시적인 실시예 및 구현예가 설명되고 예시되는 이하의 상세한 설명으로부터 손쉽게 명백해질 수 있다. 본 발명은 다른 실시예들 및 상이한 실시예들을 또한 포함할 수 있고, 그것의 몇몇 세부사항은 다양한 측면들에서 수정될 수 있으며, 그들 모두는 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는다. 따라서, 도면들 및 설명들은 본질적으로 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 제한적인 것으로 간주되어서는 안 된다. 도면들은 반드시 비례에 맞춰 그려지지는 않는다. 본 발명은 본 발명의 범위 내에 있는 모든 수정물들, 등가물들 및 대안물들을 커버한다.
이하에 설명되는 도면들은 오직 예시를 위한 것이다. 도면들은 어떠한 방식으로도 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지는 않는다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 TSV(through silicon via) 파손이 없는 TSV 노출 프로세스를 겪는 반도체 기판의 순차적인 단면도들을 도시한다.
도 2는 종래 기술에 따른 파손이 없는 TSV를 도시한다.
도 3은 종래 기술에 따른 TSV 파손을 갖는 반도체 기판의 단면도를 도시한다.
도 4는 종래 기술에 따른 파손을 갖는 TSV를 도시한다.
도 5는 실시예들에 따른 화학 기계적 폴리싱(CMP) 시스템의 개략적인 부분 측면도를 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 실시예들에 따른 CMP 시스템의 플래튼 및 폴리싱 패드의 상부도 및 측단면도(도 6a의 선 6B-6B를 따라 절취됨)를 각각 도시한다.
도 7은 실시예들에 따라 TSV 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법의 흐름도를 도시한다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 TSV(through silicon via) 파손이 없는 TSV 노출 프로세스를 겪는 반도체 기판의 순차적인 단면도들을 도시한다.
도 2는 종래 기술에 따른 파손이 없는 TSV를 도시한다.
도 3은 종래 기술에 따른 TSV 파손을 갖는 반도체 기판의 단면도를 도시한다.
도 4는 종래 기술에 따른 파손을 갖는 TSV를 도시한다.
도 5는 실시예들에 따른 화학 기계적 폴리싱(CMP) 시스템의 개략적인 부분 측면도를 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 실시예들에 따른 CMP 시스템의 플래튼 및 폴리싱 패드의 상부도 및 측단면도(도 6a의 선 6B-6B를 따라 절취됨)를 각각 도시한다.
도 7은 실시예들에 따라 TSV 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법의 흐름도를 도시한다.
이하, 첨부 도면들에 도시되어 있는, 본 개시물의 예시적인 실시예들에 대해 상세하게 참조가 이루어질 것이다. 가능한 곳마다, 동일하거나 유사한 부분들을 지칭하기 위해 도면들 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호들이 이용될 것이다.
일 양태에서, CMP(chemical mechanical polishing)를 이용하는 TSV(through silicon via) 노출 프로세스는, TSV 파손을 검출하고 그에 자동으로 응답하도록 음향적으로 모니터링 및 제어될 수 있다. 일부 IC 제조 프로세스들에서, TSV 파손은, TSV 종횡비(즉, 노출된 TSV 스터브 높이 대 TSV 직경)가 높을 수 있는(예를 들어, 작은 직경들을 갖는 TSV들) CMP 동안 더 자주 발생할 수 있다. 높은 종횡비의 TSV들은 IC가 더 큰 밀도의 칩간 상호접속부(chip-to-chip interconnects)를 갖는 것을 허용할 수 있다. 그러나, 높은 종횡비의 TSV들은 덜 강성일 수 있고, 따라서 기판의 후방 표면으로부터 노출된 TSV 스터브들을 제거하는 CMP 프로세스 동안 파손에 더 민감할 수 있다.
하나 이상의 음향 센서가 CMP 프로세스 동안 음향 방출들을 수신하도록 CMP 시스템에 위치될 수 있다. 하나 이상의 음향 센서는 예를 들어 기판 홀더 및/또는 폴리싱 패드 플래튼에 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 폴리싱 패드 플래튼에는, 폴리싱 패드 플래튼 상에 장착된 폴리싱 패드로 확장되는 하나 이상의 음향 센서가 내부에 통합되어 있을 수 있다.
일부 실시예들에서, 하나 이상의 음향 센서에 의해 수신되는 음향 방출들은 시스템 제어기 및/또는 음향 프로세서에 의해 분석되어, TSV 파손을 검출할 수 있다. 음향 프로세서는 CMP 시스템 제어기의 일부일 수 있거나, 또는 대안적으로는 CMP 시스템 제어기에 연결된 별개의 독립형 컴포넌트일 수 있다. TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 시스템 제어기 및/또는 음향 프로세서는 하나 이상의 교정 동작(remedial actions)을 자동으로 개시할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 운영자에게 TSV 파손이 통지될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, CMP 프로세스는, 시스템 제어기 및/또는 음향 프로세서에 미리 프로그래밍되어 있을 수 있는 바와 같이, 예를 들어 기판 또는 폴리싱 패드 중 하나가 다른 하나에 가하는 하향력(down force)을 미리 결정된 양만큼 감소시키는 것, 폴리싱 패드 및/또는 기판의 회전 속도를 미리 결정된 양만큼 감소시키는 것, 및/또는 둘 다의 조합에 의해 자동으로 수정될 수 있다. 일부 실시예들에서, CMP 프로세스는, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 자동으로 중지되고/되거나, 시스템 제어기의 종료점 루틴으로 제어 이전될(control transferred) 수 있다.
다른 양태들에서, 도 1a 내지 도 7과 관련하여 아래에 더 상세하게 설명되는 바와 같이, TSV 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법들이 제공된다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른, BVR(backside via reveal) CMP 프로세스라고 지칭될 수 있는 TSV 노출 프로세스를 겪는 기판(100)을 도시한다. 도 1a는 TSV 노출 프로세스에 의해 부분적으로 처리된 후방 표면(102A)을 갖는 기판(100)을 도시한다. 기판(100)은 실리콘 베이스 층(104), 금속(예를 들어, 구리) 층(106), 금속 층(106)으로부터 연장되고 실리콘 베이스 층(104)을 넘어 돌출하는 복수의 TSV(108), TSV들(108)과 금속 층(106)을 덮는 배리어 층(110), 및 후방 표면(102A)을 덮는 유전체 층(112)을 가질 수 있다. 일부 제조 프로세스들에서, TSV들(108)은 실리콘 베이스 층(104) 위로 높이 H를 가질 수 있는데, 이 높이는 약 2㎛ 내지 약 4㎛의 범위일 수 있고, TSV(108)와 TSV(108) 간에 다를 수 있다. 후방 표면(102A)을 갖는 기판(100)은 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같은 추가 TSV 노출 처리를 위해 CMP 시스템에서 수취될 수 있다.
도 1b는 추가 처리된 후방 표면(102B)을 갖는 기판(100)을 도시하는데, 여기서 유전체 층(112) 및 배리어 층(110)은 CMP 프로세스에 의해 TSV들(108)의 상부 표면들(109)로부터 제거되어 있을 수 있다. TSV 파손이 발생하지 않는다면, CMP 프로세스는, 도 1c의 후방 표면(102C)이 생성될 때까지, 기판(100)의 후방 표면(102B)으로부터 재료들을 제거하고/하거나 이 후방 표면을 폴리싱하는 것을 계속할 수 있다. 도 1c에 도시된 바와 같이, TSV들(108)은 유전체 층(112)의 표면(113)과 동일 평면으로 될 수 있거나, 또는 일부 제조 프로세스들에서는 원하는 덜 두꺼운 유전체 층(112)이 달성될 때까지 약간 더 낮을 수 있다. 도시된 바와 같이, TSV들(108)의 단부 표면 상에 소정의 구리 디싱(copper dishing)(111)이 발생할 수 있다. 표면 마감을 제어하고 작은 표면 결함들 및 흠집들을 제거하기 위해서, 최종 소프트 버프(final soft buff)가 제공될 수 있다. TSV 파손이 발생하지 않는 경우, TSV 노출 프로세스의 완료 시에 기판(100)의 최종 표면 상태는 도 1c에 도시된 바와 같이 나타날 수 있다.
도 2는 TSV 파손이 없는 TSV 노출 프로세스의 완료 시의 TSV(208) 및 주변 후방 기판 표면(202)을 갖는 기판(200)의 현미경 사진을 보여준다.
도 3은 종래 기술에 따른 TSV 파손을 갖는 처리된 후방 표면(302)을 갖는 기판(300)을 도시한다. TSV 파손은, 기판 표면에 걸쳐, IC 칩 수율 및 신뢰도에 악영향을 줄 수 있는 재작업불가능한(non-reworkable) 스크래치들 및/또는 결함들을 야기시킬 수 있다. 기판(300)은 실리콘 베이스 층(304), 금속(예를 들어, 구리) 층(306), TSV들(308a 및 308b), 배리어 층(310) 및 유전체 층(312)을 가질 수 있다. TSV(308b)는 CMP 프로세스 동안 파손되었을 수 있다. 이러한 파손은 산화물 가우징(oxide gouging)(315)을 야기시켰을 수 있고, 이는 처리 동안 실리콘 층(304)을 금속 오염에 노출시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, TSV(308b)는 예를 들어 비교적 소프트한 재료인 구리로 형성될 수 있다. TSV 파손에 의해 야기된 실리콘 층(304) 상의 구리 스미어링(copper smearing)은 패키징-후(post-packaging) 전기 테스트 동안 IC 품질 및/또는 신뢰도에 잠재적으로 영향을 미칠 수 있다.
도 4는 TSV 파손 이후의 TSV(408) 및 주변 후방 기판 표면(402)을 갖는 기판(400)의 현미경 사진을 보여준다. 보여진 바와 같이, CMP 프로세스 동안 TSV(408)의 파손 이후에 상당한 표면 스크래치 및 결함이 발생할 수 있다. 또한, TSV 파손에 의해 떼어졌을 수 있는 금속 입자들(metal grains)은, 예를 들어 금속 패드(414)(즉, TSV(408)의 상부 표면)로 하여금 추가 처리를 위해 요구되는 하나 이상의 규격을 충족시키지 못하게 할 수 있고, 이는 IC 수율 및/또는 신뢰도에 더 영향을 미칠 수 있다.
도 5는 하나 이상의 실시예에 따른 화학 기계적 폴리싱(CMP) 시스템(500)을 도시한다. CMP 시스템(500)은 기판(501)을 폴리싱 패드(516)와 접촉하여 유지하도록 구성될 수 있고, TSV 노출 프로세스의 일부로서 기판(501) 상에서 CMP 프로세스를 수행하기 위해 이용될 수 있다. 기판(501)은, 부분적으로 또는 완전히 형성된 트랜지스터들 및 내부에 형성된 복수의 TSV를 포함하는 패터닝된 웨이퍼와 같은 실리콘-함유 웨이퍼일 수 있다. 기판(501)은, TSV 노출 프로세스가 기판(501) 상에서 수행될 수 있도록 제2 캐리어 웨이퍼 또는 다른 적합한 배킹(backing)에 (예를 들어, 접착제들을 통해) 부착될 수 있다. 폴리싱 패드(516)는, 샤프트(520)에 의해 플래튼(518)에 연결되는 적합한 모터(도시되지 않음)에 의해 회전되며 디스크 형상일 수 있는 플래튼(518) 상에 장착될 수 있다. 플래튼(518)은 약 10-200rpm으로 회전될 수 있다. 다른 회전 속도들이 이용될 수 있다.
기판(501)은 기판 홀더(522)에 유지될 수 있다. 기판 홀더들은 또한 리테이너들 또는 캐리어 헤드들이라고도 지칭될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(501)은 진공을 통해 기판 홀더(522)에 유지될 수 있다. 다른 적합한 기판 유지 기술들이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 홀더(522)는 기판(501)을 폴리싱 패드(516)와 접촉하도록, 그리고 폴리싱 패드로부터 떨어지도록(즉, 도시된 바와 같이 상하로) 이동시키도록 구성될 수 있다. 기판 홀더(522)는 회전될 수 있고, 일부 실시예들에서는 폴리싱 패드(516)가 기판(501)의 후방 표면과 접촉하여 회전하고 있을 때 폴리싱 패드(516)의 표면에 걸쳐 앞뒤로 진동될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 홀더(522)의 진동 속도는 약 0.1㎜/sec 내지 5㎜/sec일 수 있다. 다른 진동 속도들이 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 홀더(522)는 약 10-200rpm으로 회전될 수 있다. 다른 회전 속도들이 이용될 수 있다. 폴리싱 패드(516)의 방사상 측면(radial side)과 중심 사이에서 진동이 일어날 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판 홀더(522)는 캘리포니아주 산타 클라라에 있는 Applied Material로부터 입수가능한 컨투어 5-존 압력 헤드(Contour, 5-zone pressure head)일 수 있다.
다른 실시예들에서, 폴리싱 패드(516)/플래튼(518) 및 기판(501)/기판 홀더(522)의 위치들이 반전될 수 있다. 즉, 폴리싱 패드(516) 및 플래튼(518)은, 폴리싱 패드(516)를 기판 홀더(522)에 유지된 기판(501)의 후방 표면으로부터 떨어지게 상향으로 그리고 이 후방 표면과 접촉하게 하향으로 이동시키도록 구성된 오버헤드 어셈블리 또는 폴리싱 헤드에 장착될 수 있거나, 오버헤드 어셈블리 또는 폴리싱 헤드의 일부일 수 있다.
슬러리(524)(화학적 폴리싱 용액)가 분배기(526)에 의해 폴리싱 패드(516)에 도포되고 폴리싱 패드(516)와 기판(501) 사이에 삽입될 수 있다. 분배기(526)는 하나 이상의 적합한 도관을 통해 슬러리 공급부(528)에 연결될 수 있다. 펌프(530), 밸브(532), 또는 다른 액체 전달 및 이송 메커니즘이 계량된(metered) 양의 슬러리(524)를 폴리싱 패드(516)의 표면에 공급할 수 있다. 일부 실시예들에서, 슬러리(524)는 분배기(526)에 의해 기판(501)보다 먼저 폴리싱 패드(516)의 표면 상에 공급될 수 있고, 그에 의해 슬러리(524)는 기판(501)의 정면에서 수취될 수 있고, 폴리싱 패드(516)의 회전에 의해 폴리싱 패드(516)와 기판(501) 사이에 끌어들여질 수 있다.
일부 실시예들에서, CMP 시스템(500)의 하나 이상의 부분은 예를 들어 캘리포니아주 산타 클라라에 있는 Applied Material에 의한 Reflexion® GT™ CMP 시스템의 것들과 동등하거나 그에 기초할 수 있다.
CMP 시스템(500)은, 기판(501) 상에서 수행되는 CMP 프로세스 동안 발생하는 음향 방출들을 감지하도록 동작가능한 하나 이상의 음향 센서(534a 및/또는 534b)를 또한 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, CMP 시스템(500)은 음향 센서들(534a 또는 534b) 중 하나만을 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, CMP 시스템(500)은 음향 센서들(534a 및 534b) 둘 다를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에서, CMP 시스템(500)은 2개보다 많은 음향 센서를 포함할 수 있고, 이러한 음향 센서들은 음향 센서들(534a 및 534b)에 대해 도시된 것과는 다르게 위치될 수 있다.
음향 센서들(534a 및/또는 534b)은 CMP 프로세스 동안 폴리싱 패드(516) 및/또는 기판(501)에 근접 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서(534a)는 임의의 적합한 방식으로 플래튼(518)(또는 오버헤드 폴리싱 헤드)에 물리적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 음향 센서(534a)는 플래튼(518)에 기계적으로 고정되는 브래킷에 장착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플래튼(518)은, 함께 부착된 상부 플래튼과 하부 플래튼(도시되지 않음)을 포함하는 어셈블리일 수 있다. 상부 플래튼은 상부 플래튼 위에 장착된 폴리싱 패드(516)를 가질 수 있는데, 여기서 음향 센서(534a)는 예를 들어 브래킷 또는 다른 적합한 메커니즘을 통해, 예를 들어 하부 플래튼의 외부 에지에 통합 또는 장착되거나 상부 플래튼 아래에 통합 또는 장착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 브래킷 또는 다른 적합한 메커니즘은, 음향 센서(534a)가 폴리싱 패드와 일정한 접촉을 유지하는 것을 보장하기 위한 스프링-로딩 메커니즘(spring-loading mechanism)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 브래킷 또는 다른 적합한 메커니즘은 신호 감쇠 또는 열화를 감소시키기 위한 완충 패드(cushioning pad)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전력 공급부 및 신호 케이블(신호 접속(536a)에 의해 적어도 부분적으로 표현될 수 있음)은 플래튼(518)(또는 위에서 설명된 플래튼 어셈블리의 하부 플래튼)을 통해 라우팅되고, 고주파수(예를 들어, 약 1㎒) 8-단자 슬립 링을 통해 센서(534a)에 접속될 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서(534a)에 부가하여 또는 이 음향 센서에 대한 대안으로, 음향 센서(534b)가 임의의 적합한 방식으로 기판 홀더(522)에 물리적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 음향 센서(534b)는 기판 홀더(522)에 기계적으로 고정되는 브래킷에 장착될 수 있다. 대안적으로, 음향 센서들(534a 및/또는 534b)은 기판(501) 및 폴리싱 패드(516)에 대한 다른 적합한 위치들에 위치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서들(534a 및/또는 534b)은 플래튼(516), 기판 홀더(522), 및/또는 CMP 시스템(500)의 임의의 다른 적합한 컴포넌트에 직접 내장되거나 그와 통합될 수 있다(예를 들어, 도 6a 및 도 6b와 관련하여 아래에 설명되는 플래튼(616) 참조).
음향 센서들(534a 및/또는 534b)은, 무선 또는 유선 신호 접속들(536a 및/또는 536b)을 통해, CMP 프로세스로부터의 음향 방출들에 기초하여 TSV 파손을 검출하도록 구성된 음향 프로세서(538) 및/또는 시스템 제어기(540)에 각각 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
음향 프로세서(538)는 도시된 바와 같이 시스템 제어기(540)의 일부일 수 있거나, 또는 시스템 제어기(540)에 전기적으로 연결될 수 있는 별개의 독립형 컴포넌트일 수 있다. 시스템 제어기(540)는 프로세서(542)를 포함할 수 있고, 이 프로세서는, TSV 노출 프로세스에서 이용되는 하나 이상의 CMP 프로세스를 포함하여, CMP 시스템(500)의 동작을 제어할 수 있다. 일부 실시예들에서, 시스템 제어기(540)는 음향 프로세서(538)에 연결되지 않을 수 있고/있거나 음향 프로세서를 포함하지 않을 수 있으나, 대신에 프로세서(542)가 본 명세서에 설명된 음향 프로세서(538)의 기능들을 추가로 수행하게 할 수 있다.
음향 프로세서(538)는 음향 센서들(534a 및/또는 534b)에 의해 송신된 음향 방출들을 나타내는 하나 이상의 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 음향 프로세서(538)는 음향 센서들(534a 및/또는 534b)로부터 수신된 하나 이상의 신호를 분석함으로써 TSV 파손을 검출하도록 구성될 수 있다. 음향 센서들(534a 및/또는 534b)로부터 수신된 하나 이상의 신호는 시간에 따라 변할 수 있는 진폭들(예를 들어, 음향 방출 강도를 나타냄)을 가질 수 있다. 음향 프로세서(538)는 시변(time-varying) 신호들을 수신하도록 구성될 수 있고, 이러한 신호들의 진폭들과 하나 이상의 임계치 및/또는 임계 대역(threshold bands)을 비교할 수 있다. 그러한 임계치들을 초과하거나 그러한 임계 대역들의 밖에 있는 신호 진폭들은 TSV 파손을 나타낼 수 있다. 일부 실시예들에서, 수신된 신호들의 처리는 수신된 신호 파형들의 특정 양상들 또는 영역들과 미리 설정된 임계치들을 비교하는 것을 포함할 수 있다. 음향 프로세서(538)는 적합한 신호 필터링, 증폭, 변환(예를 들어, A/D 변환) 및 처리 컴포넌트들을 포함할 수 있고, 데이터 및 하나 이상의 분석을 저장하도록 구성된 적합한 메모리를 포함할 수 있다. 데이터 및 분석은, 예를 들어 음향 프로세서(538) 및/또는 시스템 제어기(540)의 임의의 적합한 저장 매체(예를 들어, RAM, ROM 또는 다른 메모리)에 저장될 수 있다. 하나 이상의 저장된 분석 및 데이터는 TSV 파손의 검출에 관하여 하나 이상의 CMP 프로세스를 모니터링 및 제어하는데 이용될 수 있다.
일부 실시예들에서, 음향 데이터를 처리하기 위해 주파수 기반 분석이 이용될 수 있다. 음향 센서들(534a 및/또는 534b)로부터의 음향 신호들의 높은 샘플링 레이트 취득은 고속 푸리에 변환(FFT: fast Fourier transformations)과 같은 정지 신호 분석(stationary signal analysis), 또는 웨이브릿 패킷 변환(WPT: wavelet packet transformations)과 같은 비-정지 신호 분석(non-stationary signal analysis)의 이용을 허용할 수 있다. WPT는 수신된 음향 신호를 2개의 부분, 즉 신호 아이덴티티의 근사치를 산출해낼 수 있는 저주파수 성분, 및 신호의 상세를 산출해낼 수 있는 고주파수 성분으로 분해할 수 있다. 분해는, 후속 근사치들이 차례로 분해되며 반복될 수 있다.
다른 실시예들에서, 음향 데이터를 처리하기 위해 시간 기반 분석이 이용될 수 있다. 예를 들어, TSV 파손 이벤트들이 신호대 잡음비에 관하여 충분히 큰 신호 스파이크들을 갖는다면, 음향 센서들(534a 및/또는 534b)로부터 수신된 음향 신호들의 단순 rms(root mean square)가 모니터링될 수 있다.
수신된 음향 신호들과 TSV 파손 이벤트들을 상관시키기 위해서, 일부 실시예들에서는 이하의 셋업 절차가 이용될 수 있다. 돌출 TSV 스터브들을 갖지 않는 제1 셋업 기판은 정규화를 위한 기준선 음향 신호 데이터를 생성하기 위해 CMP 프로세스를 겪을 수 있다. 매우 높은 돌출 TSV 스터브들(예를 들어, 5㎛ 직경과 함께 15㎛ 스터브 길이)을 갖는 제2 셋업 기판이 CMP 프로세스를 겪을 수 있다. 제2 셋업 기판은 처리 이후에 예를 들어 광학적 검사 또는 주사 전자 현미경을 이용하여 TSV 파손에 대해 검사될 수 있다. 제1 및 제2 셋업 기판들로부터의 기록된 신호 크기들의 비교가 이루어질 수 있다. 정상 상태(steady state) CMP 처리 동안 음향 활동에서 기준선 신호 위에 보이는 임의의 신호 스파이크들은 파손 신호들로서 분류될 수 있고, 다음에 이들은 TSV 파손 이벤트들을 상관시키는데 이용될 수 있다.
음향 프로세서(538)는 하나 이상의 교정 동작을 개시함으로써 TSV 파손의 검출에 자동으로 응답할 수 있다. 교정 동작들은, 예를 들어 가청 경보를 야기시키거나 경고 또는 다른 타입의 메시지를 시스템 제어기(540)에 연결된 디스플레이 디바이스 상에 디스플레이함으로써 운영자에게 통지하는 것을 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 교정 동작들은, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, CMP 프로세스를 자동으로 중지하는 것을 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 교정 동작들은, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, CMP 프로세스의 하나 이상의 파라미터를 자동으로 수정하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 음향 프로세서(538)는, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 음향 프로세서(538) 또는 시스템 제어기(540)에 의해 실행되는 하나 이상의 프로그래밍된 루틴에 따라, 폴리싱 패드(516)에 대하여 기판 홀더(522)에 의해 가해지는 하향력(또는 그 반대)을 자동으로 감소시키고/시키거나, 기판 홀더(522), 플래튼(518) 또는 둘 다의 회전 속도를 자동으로 감소시키도록 구성될 수 있다. 이것은 CMP 시스템(500)이 수정된 처리 파라미터들을 갖고서 후속 기판들의 처리를 자동으로 계속하는 것을 허용할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 하나 이상의 실시예에 따른, 예를 들어 CMP 시스템(500)과 같은 CMP 장치에서 이용될 수 있는 플래튼(618)과 폴리싱 패드(616)의 어셈블리(600)를 도시한다. 플래튼(618)은 디스크 형상 베이스(644)의 표면(617) 상에 폴리싱 패드(616)를 수용하도록 구성된 디스크 형상 베이스(644)를 포함할 수 있다. 디스크 형상 베이스(644)는 하나 이상의 관통공(633a, 633b 및 633c)을 가질 수 있다. 즉, 일부 실시예들에서, 디스크 형상 베이스(644)는 관통공들(633a, 633b 및 633c) 중 단 1개, 또는 관통공들(633a, 633b 및 633c) 중 단 2개, 또는 3개의 관통공(633a, 633b 및 633c)보다 많은 관통공을 가질 수 있다.
플래튼(618)은 각각의 관통공들(633a, 633b 및 633c)에 수용되는 하나 이상의 음향 센서(634a, 634b 및/또는 634c)를 또한 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c)은 각각의 관통공들(633a, 633b 및 633c)에 마찰 끼움(friction fit)될 수 있다. 다른 실시예들에서, 음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c)은 임의의 적합한 방식으로 디스크 형상 베이스(644)에 물리적으로 연결되거나 디스크 형상 베이스와 일체로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플래튼(618)은, 음향 센서가 내부에 수용되어 있지 않은 관통공들(633a, 633b 및 633c)을 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c)은 디스크 형상 베이스(644)의 표면(617)으로부터 거리 D1만큼 돌출할 수 있다. 거리 D1은, 예를 들어 폴리싱 패드(616)의 일부 실시예들의 폴리우레탄 소프트 SUBA™ 부분에서 발생할 수 있는 음향 신호 감쇠를 감소시키도록 선택될 수 있다. 일부 실시예들에서, 거리 D1은 약 50 밀(mils)(약 1.27㎜)일 수 있다. 이것은, 음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c) 중 하나 이상이 폴리싱 패드(616)의 폴리싱 표면(621)에 매우 근접할 수 있지만 폴리싱 동안 손상될 가능성이 적다는 것을 보장할 수 있다.
일부 실시예들에서, 음향 센서(634a)는 플래튼(618)의 대략 중심에 위치될 수 있다. 이러한 중심 위치는 처리 중인 기판에 대한 음향 센서(634a)의 거리가 일정하게 유지되는 것을 보장할 수 있다. 음향 센서(634b)는 플래튼(618)의 중심으로부터 약 거리 D2만큼 방사상 외측에 위치될 수 있고, 음향 센서(634c)는 플래튼(618)의 중심으로부터 약 거리 D3만큼 방사상 외측에 위치될 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 거리 D2는 플래튼(618)의 중심으로부터 방사상 외측으로 약 5인치(약 12.7㎝)일 수 있고, 거리 D3은 플래튼(618)의 중심으로부터 방사상 외측으로 약 10인치(약 25.4㎝)일 수 있다. 일부 실시예들에서, 약 10인치(약 25.4㎝)의 D3 거리는 음향 센서(634c)가 모든 회전 패스(rotation pass)에서 기판에 가장 가깝게 위치되는 것을 보장할 수 있다. 일부 실시예들에서, CMP 처리 동안 기판이 음향 센서(634c)로부터 떨어져 이동할 때, 수신된 음향 데이터는 필터링될 수 있다. 거리 D2 및/또는 D3은 대안적으로 다른 적합한 치수를 가질 수 있다.
음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c) 각각은 유선 또는 무선 접속을 통해 제어기 또는 음향 프로세서에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c)은 플래튼(618) 아래에서(즉, 표면(617)의 반대쪽에서) 접근가능한 전기 커넥터들(646a, 646b 및/또는 646c)을 포함할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 폴리싱 패드(616)는 디스크 형상 베이스(644)에 장착될 수 있고, 폴리싱 패드(616)의 베이스측 표면(619) 상에 하나 이상의 비관통공들(non-through holes)(635a, 635b 및 635c)을 가질 수 있다. 비관통공들(635a, 635b 및 635c)은 약 거리 D1의 깊이를 가질 수 있고, 각각의 음향 센서들(634a, 634b 및/또는 634c) 중 하나 이상의 음향 센서의 돌출 부분을 내부에 수용하도록 구성될 수 있다. 비관통공들(635a, 635b 및 635c)의 개수 및 위치는 플래튼(618)의 관통공들(633a, 633b 및 633c)의 개수 및 위치에 각각 대응할 수 있다. 폴리싱 패드(616)는, 예를 들어 내부에 형성된 하나 이상의 비관통공(635a, 635b 및/또는 635c)을 갖는 SUBA™ IV 서브패드를 구비한 IC1000™ 폴리싱 패드와 동일하거나 유사할 수 있다.
일부 실시예들에서, 음향 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c) 중 임의의 하나 이상은 압전, 트랜스듀서 및/또는 가속도계 타입 센서일 수 있고, 각각은 높은 신호대 잡음비를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c)은 약 100-500㎑의 범위에 걸친 정주파수 응답(flat frequency response)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c) 중 임의의 하나 이상은 약 40-60dB의 이득으로 음향 신호를 증폭할 수 있다. 일부 실시예들에서, 음향 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c)은 약 50㎐-100㎐의 범위를 갖는 고역 통과 필터를 포함할 수 있다. 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c)을 위해 임의의 적합한 음향 센서가 이용될 수 있다.
도 7은 하나 이상의 실시예에 따라 TSV 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법(700)을 도시한다. 프로세스 블록(702)에서, 방법(700)은 CMP 프로세스를 이용하여 기판을 처리하는 단계를 포함할 수 있다. CMP 프로세스는 TSV 노출 프로세스의 일부일 수 있다. 예를 들어, 도 1a 내지 도 1c 및 도 5를 참조하면, 후방 표면(102A)을 갖는 기판(100)이 CMP 시스템(500)에서 수취될 수 있다. 기판(100)은 기판 홀더(522)에 장착되거나 부착될 수 있고, 후방 표면들(102B 및 102C, 또는 가능하게는 302)과 관련하여 도시되고 설명된 것과 같이 CMP 처리를 위해 폴리싱 패드(516)에 대하여 눌려진다.
프로세스 블록(704)에서, CMP 프로세스의 음향 방출들의 감지가 일어날 수 있다. 도 5, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 음향 방출들의 감지는 음향 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c) 중 임의의 하나 이상에 의해 수행될 수 있다. 음향 방출들은, 예를 들어 도 1a의 후방 표면(102A)을 갖는 기판(100) 또는 도 5의 기판(501)과 같은 기판이, 도 5의 폴리싱 패드(516) 또는 도 6a 및 도 6b의 폴리싱 패드(616)와 같은 폴리싱 패드로 처리되고 있는 CMP 프로세스로부터 온 것일 수 있다. 음향 센서들(534a, 534b, 634a, 634b 및/또는 634c)은 기판(100 또는 501)의 처리에 기인하는 음향 방출들을 감지할 수 있고, 그러한 음향 방출들을 나타내는 전기 신호들을, 예를 들어 시스템 제어기(540) 및/또는 음향 프로세서(538)와 같은 제어기 및/또는 음향 프로세서에 송신할 수 있다.
프로세스 블록(706)에서, 방법(700)은, 음향 방출들을 분석하여, TSV 파손을 검출하는 단계를 포함할 수 있다. 음향 방출들의 분석은 하나 이상의 수신된 신호의 하나 이상의 파라미터(예를 들어, 진폭)와 하나 이상의 임계치 및/또는 임계 범위를 비교하는 것을 포함할 수 있다. 하나 이상의 수신된 신호는 CMP 프로세스로부터의 음향 방출들을 나타낼 수 있고, 하나 이상의 임계치 및/또는 임계 범위는 CMP 프로세스 동안 TSV 파손이 발생했는지 여부를 나타낼 수 있다. 각각 TSV 파손이 발생하였고 발생하지 않은 제1 및 제2 셋업 기판들 상에서 수행되는 하나 이상의 기준선 CMP 프로세스들 동안, 하나 이상의 임계치 및/또는 임계 범위가 미리 결정되었을 수 있다.
판정 블록(708)에서 TSV 파손이 검출되는 경우에는, 방법(700)은 프로세스 블록(710)으로 진행할 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 수신된 음향 신호에서의 높은 스파이크는, 예를 들어 음향 프로세서(538) 상에서 실행되는 프로그램의 일부 또는 예를 들어 시스템 제어기(540) 상에서 실행되는 종료점 소프트웨어의 일부일 수 있는 미리 정의된 알고리즘에 따라 프로세스 블록(710)으로 진행하도록 방법(700)을 트리거할 수 있다. TSV 파손이 검출되지 않는 경우에는, 방법(700)은 판정 블록(712)으로 진행할 수 있다.
프로세스 블록(710)에서, 방법(700)은 TSV 파손의 검출에 자동으로 응답하는 단계를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이 단계는 현재 처리되는 기판을 재작업가능할 수 있는 운영자에게 자동으로 통지하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 방법(700)은, 추가적으로 또는 대안적으로, 예를 들어 하향력을 감소시키는 것, 회전 속도를 감소시키는 것, 또는 둘 다에 의해, CMP 프로세스를 자동으로 수정함으로써 TSV 파손의 검출에 응답할 수 있다. 방법(700)은 추가적으로 또는 대안적으로 CMP 프로세스를 자동으로 중지함으로써 TSV 파손의 검출에 응답할 수 있다. 이것은 종료 블록(714)으로 곧바로 진행함으로써(파선으로 도시된 경로), 또는 일부 실시예들에서는 판정 블록(712)으로 진행함으로써 발생할 수 있는데, 이 판정 블록에서는 "예" 응답이 자동으로 트리거될 수 있고, 그에 의해 CMP 프로세스를 유효하게 중지시킨다. 방법(700)은 다른 방식으로 판정 블록(712)으로 진행할 수 있다.
판정 블록(712)에서, 방법(700)은 CMP 프로세스의 종료점이 검출되었는지를 판정하는 단계를 포함할 수 있다. 종료점 검출은 예를 들어 CMP 시스템(500)의 시스템 제어기(540)와 같은 CMP 시스템의 시스템 제어기에 의해 수행될 수 있다. 일부 실시예들에서, TSV 노출 프로세스에 대한 종료점 검출은, 도 1c 및 도 2에 도시된 바와 같이, TSV들이 유전체 산화물 표면과 동일 평면으로 평탄화되는 지점을 검출하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 종료점 검출은, 예를 들어 음향 분석, 및/또는 예를 들어 폴리싱 패드의 회전과 같은 모터 구동의 모터 토크 피드백에 의해 결정될 수 있다. 음향 분석 및 모터 토크 피드백 둘 다는 처리 중인 재료(들)가 변경될 때 발생할 수 있는 마찰 변화들에 기초할 수 있다. 예를 들어, CMP 프로세스가 기판 표면 상의 금속 재료를 주로 제거/폴리싱하는 것으로부터 기판 표면 상의 산화물 재료를 주로 제거/폴리싱하는 것으로 변화할 때, 기판 표면과 폴리싱 패드 사이에서, 하나 이상의 수신된 음향 신호에서 그리고/또는 수신된 모터 토크 피드백에서 나타내어질 수 있는 마찰 변화가 발생할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, TSV 노출 프로세스에 대한 종료점 검출은 특정 산화물 두께를 나타내는 백색광 분광사진에 기초하여 결정될 수 있다. 판정 블록(712)에서 종료점이 검출된 경우에는, 방법(700)은 종료 블록(714)으로 진행할 수 있다. 종료점이 검출되지 않은 경우에는, 방법(700)은 프로세스 블록(704)으로 되돌아갈 수 있다.
종료 블록(714)에서, 방법(700), 및 CMP 프로세스를 이용한 기판의 처리가 종료될 수 있다.
방법(700)의 상기 프로세스 및 판정 블록들은, 도시되고 설명된 순서 및 시퀀스에 제한되지는 않는 순서 또는 시퀀스로 실행 또는 수행될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 프로세스 블록(704)은 프로세스 블록들(706 및/또는 710) 및/또는 판정 블록들(708 및/또는 712)과 동시에 수행될 수 있다.
관련 기술분야의 통상의 기술자라면, 본 명세서에 설명된 본 발명이 광범위한 활용 및 응용을 허용한다는 것을 손쉽게 인식할 것이다. 본 발명의 본질 또는 범위로부터 벗어나지 않으면서, 본 명세서에 설명된 것들과는 다른 본 발명의 많은 실시예들 및 적응물들뿐만 아니라, 많은 변형물들, 수정물들 및 등가의 구성들은 본 발명 및 전술한 설명으로부터 명백해지거나 그에 의해 적절하게 시사될 것이다. 따라서, 본 발명은 본 명세서에서 구체적인 실시예들과 관련하여 상세하게 설명되었지만, 본 개시물은 예시적일 뿐이고, 본 발명의 예들을 제시하는 것이며, 본 발명의 완전하고 사용가능하게 하는 개시물을 제공하는 목적으로만 이루어진 것임을 이해해야 한다. 본 개시물은 본 발명을 개시된 특정 장치, 디바이스, 어셈블리, 시스템 또는 방법으로 제한하도록 의도되지는 않으며, 반대로, 본 발명의 범위 내에 포함되는 모든 수정물들, 등가물들 및 대안물들을 커버하도록 의도된다.
Claims (15)
- 화학 기계적 폴리싱(CMP: chemical mechanical polishing) 장치를 위한 플래튼으로서,
표면 상에 폴리싱 패드를 수용하도록 구성된 디스크 형상 베이스 - 상기 디스크 형상 베이스는 적어도 하나의 관통공을 가짐 -; 및
상기 적어도 하나의 관통공에 수용되며, 상기 디스크 형상 베이스의 표면으로부터 돌출하는 음향 센서 - 상기 음향 센서는 제어기에 전기적으로 연결되도록 구성됨 -
를 포함하는 플래튼. - 제1항에 있어서,
상기 디스크 형상 베이스에 장착된 폴리싱 패드를 더 포함하고, 상기 폴리싱 패드는, 상기 음향 센서를 내부에 수용하도록 구성된 비관통공(non-through hole)을 상기 폴리싱 패드의 베이스측 표면 상에 갖는, 플래튼. - 제1항에 있어서,
상기 적어도 하나의 관통공은 상기 디스크 형상 베이스의 대략 중심에, 또는 상기 중심으로부터 방사상 외측으로 약 5인치(약 12.7㎝)에, 또는 상기 중심으로부터 방사상 외측으로 약 10인치(약 25.4cm)에 위치되는, 플래튼. - 제1항에 있어서,
상기 음향 센서는 상기 디스크 형상 베이스의 표면으로부터 약 50 밀(mils)(약 1.27㎜)만큼 돌출하는, 플래튼. - 화학 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 수행하도록 구성된 CMP 장치로서,
폴리싱 패드를 포함하는 플래튼;
폴리싱될 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더 - 상기 플래튼 또는 상기 기판 홀더는 상기 기판과 상기 폴리싱 패드가 서로 접촉하게 하도록 구성됨 -;
상기 CMP 프로세스 동안 상기 폴리싱 패드 또는 상기 기판에 근접 위치된 음향 센서; 및
상기 음향 센서에 전기적으로 연결되고, 상기 음향 센서로부터 수신된 하나 이상의 신호를 분석하여, TSV(through silicon via) 파손을 검출하도록 구성된 음향 프로세서
를 포함하는 CMP 장치. - 제5항에 있어서,
상기 음향 프로세서는, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 운영자에게 자동으로 통지하도록 또한 구성되는, CMP 장치. - 제5항에 있어서,
상기 음향 프로세서는, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여 하향력(down force)을 감소시키는 것, 회전 속도를 감소시키는 것, 또는 둘 다에 의해, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여 상기 CMP 프로세스를 자동으로 중지하거나 수정하도록 또한 구성되는, CMP 장치. - 제5항에 있어서,
상기 음향 센서는 약 100-500㎑의 영역에 걸친 정주파수 응답(flat frequency response)을 포함하고, 약 50-100㎐의 범위를 갖는 고역 통과 필터를 포함하는, CMP 장치. - 제5항에 있어서,
상기 음향 센서는 약 40-60dB의 이득으로 음향 신호를 증폭하는, CMP 장치. - 제5항에 있어서,
상기 음향 센서는, 상기 음향 센서가 상기 플래튼의 표면으로부터 상기 폴리싱 패드로 돌출하도록 상기 플래튼에 통합되는, CMP 장치. - 제5항에 있어서,
상기 음향 센서는, 상기 플래튼에서, 상기 플래튼의 대략 중심에, 또는 상기 중심으로부터 방사상 외측으로 약 5인치(약 12.7cm)에, 또는 상기 중심으로부터 방사상 외측으로 약 10인치(약 25.4cm)에 통합되는, CMP 장치. - 관통 실리콘 비아(TSV) 노출 프로세스를 모니터링 및 제어하는 방법으로서,
화학 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스를 이용하여 기판을 처리하는 단계;
상기 CMP 프로세스의 음향 방출들을 감지하는 단계; 및
상기 음향 방출들을 분석하여, TSV 파손을 검출하는 단계
를 포함하는 방법. - 제12항에 있어서,
TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 운영자에게 자동으로 통지하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제12항에 있어서,
TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 상기 CMP 프로세스를 자동으로 중지하거나 수정하는 단계를 더 포함하는 방법. - 제14항에 있어서,
상기 자동으로 수정하는 단계는, TSV 파손을 검출하는 것에 응답하여, 하향력을 감소시키는 것, 회전 속도를 감소시키는 것, 또는 둘 다에 의해, 상기 CMP 프로세스를 자동으로 수정하는 단계를 포함하는, 방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220100110A (ko) * | 2016-09-15 | 2022-07-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기계적 폴리싱 스마트 링 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9403254B2 (en) * | 2011-08-17 | 2016-08-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for real-time error detection in CMP processing |
| US10478937B2 (en) * | 2015-03-05 | 2019-11-19 | Applied Materials, Inc. | Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing |
| KR102333209B1 (ko) | 2015-04-28 | 2021-12-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 장치 |
| US10967483B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Slurry distribution device for chemical mechanical polishing |
| US10695907B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-06-30 | Intel Corporation | Methods and apparatus for monitoring robot health in manufacturing environments |
| US11565365B2 (en) * | 2017-11-13 | 2023-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method for monitoring chemical mechanical polishing |
| CN108188931A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-06-22 | 华侨大学 | 双面行星磨削/研磨加工中工件破碎的在线控制系统 |
| KR20200108098A (ko) * | 2018-02-05 | 2020-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 3d 프린트된 cmp 패드들을 위한 압전 엔드포인팅 |
| CN111263682A (zh) | 2018-03-13 | 2020-06-09 | 应用材料公司 | 化学机械抛光期间的振动的监测 |
| JP7116645B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-08-10 | キオクシア株式会社 | 研磨装置 |
| JP7325913B2 (ja) * | 2019-11-22 | 2023-08-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハ加工装置 |
| US11289387B2 (en) * | 2020-07-31 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for backside via reveal processing |
| JP2022127882A (ja) * | 2021-02-22 | 2022-09-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11183447A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nippei Toyama Corp | 被加工材の割れ発生予知方法及びこれを利用したウエハの加工方法並びに研削盤 |
| US20020173223A1 (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-21 | Norm Gitis | Method and apparatus for polishing control with signal peak analysis |
| US20050124273A1 (en) * | 2000-05-19 | 2005-06-09 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | Method of forming a polishing pad for endpoint detection |
| US20080305717A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Novellus Systems, Inc. | Platen assembly and work piece carrier head employing flexible circuit sensor |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2600001B1 (fr) * | 1986-06-11 | 1988-09-09 | Meseltron Sa | Dispositif pour la commande de la vitesse d'avance d'un outil vers une piece a usiner |
| EP0738561B1 (en) * | 1995-03-28 | 2002-01-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ endpoint detection and monitoring for chemical mechanical polishing operations |
| JP2011249833A (ja) * | 1995-03-28 | 2011-12-08 | Applied Materials Inc | Ｃｍｐプロセス中のインシチュウ終点検出に用いるポリッシングパッド |
| US6910942B1 (en) * | 1997-06-05 | 2005-06-28 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor wafer chemical-mechanical planarization process monitoring and end-point detection method and apparatus |
| JPH11254311A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-21 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 研磨時の薄板状ワーク破損防止方法 |
| JPH11254304A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | センサを組み込んだ定盤 |
| JP2000306963A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置及び製造システム |
| JP3292243B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2002-06-17 | 日本電気株式会社 | 研磨終点検出装置 |
| US6488569B1 (en) * | 1999-07-23 | 2002-12-03 | Florida State University | Method and apparatus for detecting micro-scratches in semiconductor wafers during polishing process |
| US6924641B1 (en) * | 2000-05-19 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing |
| US6485354B1 (en) * | 2000-06-09 | 2002-11-26 | Strasbaugh | Polishing pad with built-in optical sensor |
| US6424137B1 (en) * | 2000-09-18 | 2002-07-23 | Stmicroelectronics, Inc. | Use of acoustic spectral analysis for monitoring/control of CMP processes |
| US20020090889A1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-07-11 | Crevasse Annette M. | Apparatus and method of determining an endpoint during a chemical-mechanical polishing process |
| TW536454B (en) * | 2001-02-14 | 2003-06-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Apparatus and method for detecting polishing endpoint of chemical-mechanical planarization/polishing of wafer |
| JP2003086551A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体研磨装置、半導体研磨の終点検出方法および研磨ヘッドのドレスの終点検出方法 |
| US6646737B2 (en) * | 2001-09-24 | 2003-11-11 | Kla-Tencor Technologies | Submicron dimensional calibration standards and methods of manufacture and use |
| US6660539B1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods for dynamically controlling etch endpoint time, and system for accomplishing same |
| US6586337B2 (en) * | 2001-11-09 | 2003-07-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing |
| US6722946B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-04-20 | Nutool, Inc. | Advanced chemical mechanical polishing system with smart endpoint detection |
| US6878039B2 (en) * | 2002-01-28 | 2005-04-12 | Speedfam-Ipec Corporation | Polishing pad window for a chemical-mechanical polishing tool |
| US6808590B1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-10-26 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of arrayed sensors for metrological control |
| US7011566B2 (en) * | 2002-08-26 | 2006-03-14 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates |
| US6991514B1 (en) * | 2003-02-21 | 2006-01-31 | Verity Instruments, Inc. | Optical closed-loop control system for a CMP apparatus and method of manufacture thereof |
| US7537511B2 (en) * | 2006-03-14 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Embedded fiber acoustic sensor for CMP process endpoint |
| CN101484979A (zh) * | 2006-05-03 | 2009-07-15 | 圣劳伦斯纳米科技有限公司 | 能够抛光单个管芯的用于对大尺寸晶片进行化学机械抛光的方法及装置 |
| US8106651B2 (en) * | 2008-04-17 | 2012-01-31 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatuses for determining thickness of a conductive layer |
| WO2009137764A2 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Cmp pad thickness and profile monitoring system |
| WO2010067732A1 (ja) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 旭硝子株式会社 | 研磨装置、及び研磨方法、並びにガラス板の製造方法 |
| DE102009015718B4 (de) * | 2009-03-31 | 2012-03-29 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Testsystem und Verfahren zum Verringern der Schäden in Saatschichten in Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen |
-
2013
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-
2014
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11183447A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Nippei Toyama Corp | 被加工材の割れ発生予知方法及びこれを利用したウエハの加工方法並びに研削盤 |
| US20050124273A1 (en) * | 2000-05-19 | 2005-06-09 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | Method of forming a polishing pad for endpoint detection |
| US20020173223A1 (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-21 | Norm Gitis | Method and apparatus for polishing control with signal peak analysis |
| US20080305717A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Novellus Systems, Inc. | Platen assembly and work piece carrier head employing flexible circuit sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220100110A (ko) * | 2016-09-15 | 2022-07-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기계적 폴리싱 스마트 링 |
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