KR20150136608A - 절연체 아래에 상호접속부를 갖는 반도체―온―절연체 집적 회로 - Google Patents

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Abstract

반도체-온-절연체 전사된 층 상에서 제조된 집적 회로가 설명된다. 집적 회로는 절연제의 후면 측 상에 제조된 상호접속 층을 포함한다. 이러한 상호접속 층은 절연체에서 에칭된 홀들을 통해 능동 디바이스들을 서로 접속한다. 이러한 구조는 추가의 레이아웃 유연성 및 더 낮은 커패시턴스를 제공하고, 따라서 더 높은 속도 및 더 낮은 비용의 집적 회로들을 가능하게 한다.

Description

절연체 아래에 상호접속부를 갖는 반도체―온―절연체 집적 회로{SEMICONDUCTOR―ON―INSULATOR INTEGRATED CIRCUIT WITH INTERCONNECT BELOW THE INSULATOR}
[001] 본 출원은 2013년 3월 27일자로 출원된 미국 특허 출원 제 13/851,926 호를 우선권으로 주장하고, 상기 특허 출원은 전체 내용이 인용에 의해 본원에 통합된다.
[002] 집적 회로에서, 금속 라인들은 통상적으로 개별적인 회로 엘리먼트들을 함께 접속한다. 이러한 금속 상호접속부의 성질은 집적 회로 제품의 성능 및 비용에 중대하게 영향을 준다. 예를 들면, 대부분의 집적 회로 프로세스들은 회로 레이아웃에서 최대의 유연성을 허용하기 위해 금속 상호접속의 다수의 레벨을 제안한다. 이러한 레이아웃 유연성은 설계자가 집적 회로의 크기를 최소화하도록 허용하여, 예를 들면, 제품의 비용을 감소시킨다.
[003] 금속 상호접속의 2개의 레벨을 갖는 통상적인 회로 레이아웃의 예가 도 1에 도시된다. 이러한 레이아웃은 2개의 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistors)(240)를 포함한다. 절연 에지들(235) 및 게이트 핑거들(240g)은 트랜지스터들을 정의한다. 트랜지스터들(240) 중 하나는 2 개의 게이트 핑거들(240g)을 갖고, 하나는 3 개의 게이트 핑거들을 갖는다. 게이트 형상들(240g) 및 절연 에지들(235)은 트랜지스터들(240s 및 240d 각각)의 소스 및 드레인 영역들을 결정한다. 양자의 트랜지스터들(240)의 드레인들(240d)은 접촉들(245), 제 1 금속 라인들(250), 금속간 비아들(270) 및 제 2 금속 라인(280)을 통해 함께 전기적으로 접속된다. 2 개의 트랜지스터들의 소스 영역들(240s)은 접촉들(245) 및 제 1 금속 라인들(250)을 통해 개별적으로 접속된다. 도 1의 레이아웃은, 예를 들면, 트랜지스터들(240) 중 하나가 n-채널 MOSFET이고 다른 것이 p-채널 MOSFET인 경우에, CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor) 인버터일 수 있다.
[004] 대부분의 다중-레벨 금속화 방식들에서, 상위-레벨 금속 라인들을 하위 레벨 금속 라인들 또는 트랜지스터 전극들(소스들, 드레인들 및 게이트들)에 접속하기 위해, 중간 금속층들 및 접촉들 또는 비아들 모두가 사용되어야 한다. 이것이 도 1에서 보여질 수 있고, 여기서 제 2 레벨 금속 라인(280)은 제 1 금속 층(250) 및 금속/확산 접촉(245)을 통해 트랜지스터 드레인들(240d)에 접속된다. 따라서, 소스 핑거들(240s)을 함께 접속하기 위해, 예를 들면, 금속 라인(250)은 트랜지스터 소스들(240s) 및 드레인들(240d)을 함께 단락시키는 것을 회피하도록 트랜지스터 영역 외부로 이어진다. 이것은 레이아웃의 높이, 및 따라서 면적을 증가시킨다. 또한, 이러한 레이아웃의 폭은 접촉된 제 1 금속 라인들의 최소 피치, 또는 접촉된 소스/드레인 영역들의 최소 피치 ― 어느 쪽이든 더 큰 것 ― 에 의해 결정된다. 접촉된 제 1 금속 라인들의 최소 피치가 2 개의 피치들 중 더 크면, 이러한 레이아웃은 교번적인 금속화 방식에 의해 폭에서 감소될 수 있다. 접촉된 금속 라인들의 최소 피치가 리소그래픽 또는 다른 프로세스 고려사항들에 의해 결정될 수 있거나, 이것이 전자 이동(electromigration) 우려사항들 또는 다른 고려사항들/우려사항들에 의해 결정될 수 있다는 것을 유의하라.
[005] 금속 상호접속 층들의 (단위 길이 당) 저항 및 (단위 면적 당) 커패시턴스는 종종 집적 회로의 성능에 대한 직접적인 영향을 갖는다. 사용된 상호접속 구조들 및 재료들은, 차례로, 상호접속 라인들의 저항 및 커패시턴스에 영향을 준다. 예를 들면, 주어진 상호접속 라인과 반도체 기판 사이의 커패시턴스, 또는 2 개의 상호접속 라인들 사이의 커패시턴스는, 그들 사이의 수직 거리가 증가함에 따라 감소한다. 다수의 상호접속 층들이 이용 가능하면, 결정적인 커패시턴스들은, 자신들의 노드들을 그들 사이에 더 많은 수직 분리를 갖는 금속 층들 상에 배치함으로써 감소될 수 있다.
[006] 이러한 기생 커패시턴스들의 기원을 예시하기 위해, 도 1의 레이아웃의 단면이 도 2에 도시된다. 예를 들면, 게이트들(240g)과 드레인 영역들(240d) 사이(게이트-드레인 커패시턴스) 및 소스(240s)와 드레인(240d) 영역들 사이(오프-상태 커패시턴스)의 기생 커패시턴스들은 상호접속 구조에 의해 부분적으로 결정된다. 예를 들면, 제 1 금속 라인들(250)과 소스 영역들(240s) 사이의 중첩 영역은 오프-상태 기생 커패시턴스(290)의 컴포넌트를 형성한다. 접촉 금속(245)과 트랜지스터 게이트(240g) 사이의 커패시턴스는 총 게이트-드레인 기생 커패시턴스에 기여한다. 따라서, 금속화 방식 및 레이아웃은 회로 기생 커패시턴스들 및 따라서 회로 성능에 영향을 준다.
[007] 이러한 기생 효과들은 고주파수 및 고속 회로들에서 중요하다. 그러한 회로들은, 1990년대 후반에 처음 상업화된 반도체-온-절연체(SOI) 기술로 종종 구현된다. SOI 기술의 특징을 정의하는 것은, 회로가 형성되는 반도체 영역이 전기적인 절연 층에 의해 벌크 기판으로부터 분리된다는 것이다. 이러한 절연 층은 통상적으로 이산화 실리콘이다. SOI 기술의 유리한 양상들은, 벌크 기판으로부터 능동 층을 전자적으로 분리하기 위한 절연체 층의 능력으로부터 직접적으로 유래한다.
[008] SOI 기술은 전통적인 벌크 기판 기술에 비해 개선안을 나타내는데, 왜냐하면 절연 층의 도입이 SOI 구조 내의 능동 디바이스들을 분리하기 때문이고, 이것은 그들의 전기 특성들을 개선한다. 예를 들면, 반도체 영역 내의 기생 커패시턴스들 ― 예를 들면, 공핍 및 확산 커패시턴스들 ― 은 종종 SOI 디바이스들, 특히, 트랜지스터들이 "완전히 공핍되도록" 충분히 얇은 반도체 층들을 갖는 것들에서 감소된다. 단락-채널 효과들 ― 트랜지스터의 채널 길이에 따른 트랜지스터의 임계 전압의 변동 ― 은 또한 SOI 디바이스들에서 감소된다. 이러한 이유들로, 다른 것들 중에서도, SOI는 종종 고속, 저전력 회로들에서 선택된 기술이다. 또한, SOI의 절연 층은 해로운 복사(radiation)로부터 능동 디바이스들을 차폐하도록 작동할 수 있다. 이것은, 지구의 대기 외부의 해로운 이온화 복사가 만연한 우주에서 사용되는 집적 회로들에서 특히 중요하다.
[009] 벌크-기판 기술들과 같이, SOI 기술들은 또한 금속 상호접속의 다수의 층들을 사용할 수 있다. 이러한 금속 층들이 SOI의 고유한 구조를 이용하기 위한 그러한 방식으로 형성될 수 있다면, 비용 및 성능 이점이 발생할 수 있다. 이러한 성능 이점들은 SOI 기술들로 통상적으로 제조된 회로들의 타입들 ― 고속 또는 높은 스위칭 주파수, 저손실 회로들 ― 에서 특히 요구될 수 있다.
[010] 전사된 실리콘-온-절연체 구조를 포함하는 집적 회로 조립체가 설명된다. 상기 구조는 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 절연 층, 및 제 1 표면으로부터 제 2 표면으로 연장되는 홀을 포함한다. 반도체 층은 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖고, 그의 제 1 표면은 절연 층의 제 1 표면에 접촉한다. 반도체 층은 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 포함한다. 금속 상호접속 층은 절연 층의 제 2 표면에 커플링되고, 금속 상호접속 층은 절연층 내의 홀 내에 배치된다. 절연층 내의 홀은 적어도 반도체 층의 제 1 표면으로 연장되고, 금속 상호접속 층은 복수의 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 함께 전기적으로 커플링한다.
[011] 전사된 반도체-온-절연체 집적 회로를 형성하는 방법이 설명된다. 반도체-온-절연체는 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 절연 층, 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 반도체 층, 및 기판 층을 포함한다. 반도체 층의 제 1 표면은 절연 층의 제 1 표면에 접촉한다. 기판 층은 절연층의 제 2 표면에 접촉한다. 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들은 반도체 층에 형성된다. 핸들 층은 반도체 층의 제 2 표면에 커플링된다. 기판 층이 제거되고, 절연체 층의 제 2 표면으로부터 자신의 제 1 표면으로 연장되는 홀이 절연 층에 형성된다. 홀은 반도체 층의 제 1 표면을 노출시킨다. 금속 상호접속 층은 절연체 층의 제 2 표면 상에 그리고 절연체 층의 홀 내부에 형성된다. 금속 상호접속 층은 복수의 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 서로 전기적으로 커플링한다.
[012] 도 1은 금속의 2 개의 층들을 갖는 통상적인 집적 회로 레이아웃을 예시한다.
[013] 도 2는 도 1에 도시된 회로 레이아웃의 단면을 예시한다.
[014] 도 3은 본 발명의 특정 실시예에 따른 SOI 절연체의 후면 측 상에 금속 상호접속부들을 갖는 집적 회로를 제조하는 방법의 프로세스 흐름도를 도시한다.
[015] 도 4a 내지 도 4g는 일부 실시예들에 따른 SOI 회로의 후면 층 상에 상호접속부를 형성하는 스테이지들의 단면도들을 도시한다.
[016] 도 5는 다른 실시예의 단면도를 도시하고, 여기서 다수의 타입들의 후면 접촉들이 형성된다.
[017] 도 6은 본 발명의 특정 실시예에 따른 후면 측 상호접속부를 사용하는 SOI 집적 회로의 레이아웃을 도시한다.
[018] 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 특정 실시예에 따른 후면 측 상호접속부를 사용하는 SOI 집적 회로의 대안적인 레이아웃 및 단면을 도시한다.
[019] 도 8은 본 발명의 실시예를 사용하여 형성된 트랜지스터들의 단면도를 도시하여, 기생 커패시턴스들에서의 차이들을 예시한다.
[020] 도 9a 내지 도 9c는 일부 실시예들에 따른, 후방 측 확산들 및 상호접속부를 형성하는 스테이지들의 단면도들을 도시한다.
[021] 도 10a 내지 도 10c는 일부 실시예들에 따른, 후방 측 접촉들 및 상호접속부를 형성하는 스테이지들의 단면도들을 도시한다.
[022] 고속, 고성능 집적 회로들은 종종 SOI(silicon-on-insulator) 기술들을 사용하여 제조된다. SOI 기술들은 또한 그 자신들을 층-전사 기술들에 빌려주고, 여기서 SOI의 능동 층은 본딩 및 에치-백 방법들을 사용하여 상이한 기판으로 전사된다. 이러한 방법은 더 낮은 커패시턴스 및 더 높은 속도, 더 용이한 열 관리, 및 SOI 트랜지스터들의 본체 영역들에 대한 더 용이한 액세스의 이점들을 가질 수 있다. 그러한 프로세스의 예는 본 출원의 양수인에 의해 소유되고 2012년 4월 28일자로 출원된 "Silicon-on-insulator with back side connection"란 명칭의 미국 특허 제 8,357,935 호에 설명되고, 상기 특허는 전체 내용이 인용에 의해 본원에 통합된다. 계층 전사 기술들은 또한 완전히 절연 또는 투명한 기판들 상에 회로들을 형성하는데 사용될 수 있고, 이것은, 예를 들면, 광-전자 애플리케이션들에서 이로울 수 있다.
[023] 집적 회로의 능동 층을 전사하는 것은 또한, 원하는 경우, 추가의 프로세싱을 위해 절연 층의 표면(능동 디바이스들의 반대편)을 노출시킬 수 있다. 특히, 완전한 상호접속 층은, 기판이 제거된 후에 이러한 절연체 층 표면 상에 형성될 수 있다. 그렇게 배치된 상호접속 층은 SOI의 절연 층에 에칭된 홀들을 통해 트랜지스터 소스 및 드레인 영역들에 접촉할 수 있다. 이러한 배열은 부가된 레이아웃 유연성을 제안한다. 또한, 이러한 후면 측 상호접속 층은, 전통적인 전면 측 상호접속 층들과 비교할 때 더 낮은 기생 커패시턴스를 제공한다. 마지막으로, 그러한 상호접속 층은 SOI 집적 회로에 의해 생성된 열을 소멸시키는데 도움을 준다. SOI 회로들 상의 열 소멸에 대한 문제들, 및 몇몇의 제안된 해결책들은 본 출원의 양수인에 의해 소유되고 2010년 7월 14일자로 출원된 "Semiconductor-on-insulator with back side heat dissipation"란 명칭의 미국 특허 공보 제 2011/0012199 호에 설명되고, 상기 특허는 전체 내용이 인용에 의해 본원에 통합된다.
[024] 일 실시예에서, 완전한 후면 측 SOI 상호접속 층은 복수의 능동 또는 반응 디바이스들을 함께 접속하여, 고성능 SOI 집적 회로들을 제공하는 것에 대안으로 더 낮은 비용을 제공한다. 다양한 실시예들은 후면 측 접촉들을 통해 고농도 도핑 영역들을 형성함으로써 능동 층의 후면 측에 대한 접촉 저항을 감소시키는 것, 또는 능동 층의 전면 표면 상의 고농도 도핑 또는 규화된 영역들을 접촉하기 위해 능동 층을 통해 에칭하는 것을 포함한다. 전사된 구조가 더 높은 온도들을 견딜 수 있다면, 더 많은 프로세스 유연성이 가능하다.
[025] 도 3은 본 발명의 방법들의 일부 실시예들을 예시하고, 여기서 금속 상호접속 층은 SOI 집적 회로의 후면 측 상에 형성된다. 도 3의 흐름도(100)에서, 단계(110)에서 반도체-온-절연체 구조가 제공된다. 이러한 구조는 반도체 층과 기판 층 사이에 배치된 절연체 층을 포함한다. 절연체 층은, 예를 들면, 이산화 실리콘일 수 있고, 이것은 15-1000 nm 두께일 수 있다. 단계(120)에서, 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들이 반도체 층에 형성된다. 그러한 엘리먼트들은, 예를 들면, n-채널 및 p-채널 MOS(NMOS 및 PMOS) 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 반도체 층은 특정 영역들 ― 예를 들면, 능동 디바이스들 사이에 위치된 절연 영역들 ― 에서 제거되고, 유전체로 대체될 수 있다. 이러한 엘리먼트들은, 예를 들면, 일반적인 CMOS 프로세스, 또는 BiCMOS(bi-polar-CMOS) 프로세스, 또는 MOS 트랜지스터들 이외에 고성능 디바이스들 또는 광전자 디바이스들을 형성하는 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 이러한 프로세스는 반도체 층의 영역들, 예를 들면, MOSFET들의 소스 및 드레인 영역들 상에 금속-반도체 화합물을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 그러한 화합물은 이러한 영역들의 시트 저항을 감소시킬 것이다. 반도체 층이 실리콘을 포함하면, 금속-반도체 화합물은, 예를 들면, 규화 티타늄, 규화 코발트 또는 규화 니켈을 포함할 수 있다. 단계(130)에서, 금속 상호접속 층은 선택적으로 반도체 층 위에 형성된다. 이러한 층은 반도체 층에 형성된 회로 엘리먼트들에 전기적으로 접속할 수 있다. 이러한 층은 감법(subtractive) 또는 다마신(Damascene) 프로세스를 사용하여 형성될 수 있거나, 이것은 가산법(addtive) 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 이러한 층은, 예를 들면, 내화 금속, 예를 들면, 텅스텐으로 구성될 수 있다.
[026] 도 3의 단계(140)에서, 핸들 층은 SOI 구조의 반도체 층에 커플링된다. 핸들 층은 임의의 강성(rigid) 또는 반강성(semi-rigid) 지지부, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 영구적인 결합을 발생시키는 임의의 적절한 커플링 또는 본딩 방법, 예를 들면, 직접적인 또는 융합 본딩, 영구적인 접착 본딩, 금속성 상호확산 또는 공융(eutectic) 본딩이 사용될 수 있다. 전면 측 상호접속 층이 사용되면(단계 130), 본딩 목적으로 이러한 층을 형성하기 위해 다마신 프로세스를 사용하는 것이 이로울 수 있는데, 왜냐하면 평면의 표면이 발생할 것이기 때문이다. 본딩 층, 예를 들면, 이산화 실리콘은 SOI 구조 또는 핸들 층 또는 둘 모두 상에 증착될 수 있다. 이러한 층은, 예를 들면, 화학 기상 증착(CVD)을 사용하여 증착될 수 있다. 단계(150)에서, SOI의 기판 층이 제거된다. 이것은, 예를 들면, 기계적 및 화학적 수단을 독립적으로 또는 조합하여 사용함으로써 이루어질 수 있다.
[027] 여전히 도 3을 참조하면, 단계(160)에서, 절연체 층의 노출된 표면에서 홀이 에칭된다. 이러한 홀은 절연체 층을 통해 하나의 표면으로부터 반대 표면으로 연장된다. 이것은, 예를 들면, 포토리소그래피를 사용하여 포토레지스터에서 홀 패턴을 형성하는 것, RIE 또는 플라즈마 에치 챔버에서 절연체 층을 에칭하는 것 또는 HF(hydrofluoric acid)를 사용하는 것에 의해 달성될 수 있다. 홀이 형성된 후에, 홀 내부에서 반도체 층 표면이 노출된다. 에칭 단계(160) 동안에, 단계(130)에서 형성된 (선택적인) 상호접속 층 또는 트랜지스터 게이트 층으로 연장되는 다른 홀이 형성될 수 있다. 그러한 홀은, 예를 들면, 능동 또는 반응 디바이스들 사이의 유전체 절연 영역들을 통해 형성될 수 있다. 이러한 상이한 타입들의 홀들 모두 ― 이들은 반도체 층, 게이트 층 또는 상호접속 층으로 연장됨 ― 는 동일한 재료(예를 들면, 이산화 실리콘)를 통해 에칭된다. 따라서, 그들 모두는 동일한 단계(160)에서 에칭될 수 있다. 단계(170)에서, 반도체 층으로 연장되는 홀은 선택적으로 반도체로 연장될 수 있다. 에칭은, 존재하는 경우, 금속-반도체 화합물 층에서 정지할 수 있다. 이러한 에칭 프로세스는, 금속-반도체 화합물보다 더 빠르게 반도체를 에칭할 화학물질을 사용하여 건식-에치 챔버에서 이루어질 수 있다. 예를 들면, 전면 표면 상에 형성된 규화 니켈을 갖는 실리콘 층에 대해, SF6 + O2 에치는 실리콘을 에칭하지만 규화 니켈을 에칭하지 않을 것이다.
[028] 도 3의 단계(180)에서, 금속 상호접속 층은 단계(160)에서 형성된 홀 내부에 그리고 절연체의 후면 측 상에 형성된다. 이러한 금속 상호접속 층은, 예를 들면, 텅스텐 플러그들, 알루미늄, 구리 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이것은, 일반적인 패터닝 기술들, 예를 들면, 금속을 증착하는 것, 포토레지스트로 패터닝하는 것 및 금속을 에칭하는 것에 의해 형성될 수 있다. 결과적인 패턴은 반도체 층에 형성된 디바이스들 중 2 개 이상을 서로 접속할 것이다. 게이트 층 또는 전면 측 금속 상호접속 층으로 연장되는 단계(160)에서 형성된 홀들이 존재하면(단계(130)가 수행되면), 단계(180)에서 형성된 후면 측 금속 및 게이트 또는 전면 측 금속 층 사이에 전기 접속이 형성될 수 있다.
[029] 도 4a 내지 도 4g는 도 3의 방법에 따라 제조된 예시적인 후면 측 SOI 구조를 예시한다. 도 4a에서, 기판 층(210), 절연 층(220) 및 반도체 층(230)을 갖는 SOI 구조(200)가 제공된다. 절연층(220)은 (반도체 층(230)과 접촉하는) 제 1 표면(223) 및 기판(210)과 접촉하는 제 2 표면(226)을 갖는다. 반도체 층(230)은 (절연 층(220)의 제 1 표면(223)과 접촉하는) 제 1 표면(233) 및 제 2 표면(236)을 갖는다. 절연 층은, 예를 들면, 이산화 실리콘으로 구성될 수 있고, 이것은 예를 들면, 10 내지 1000 nm 두께, 예를 들면, 15 내지 70 nm 두께, 또는 150 내지 350 nm 두께, 또는 500 내지 750 nm 두께일 수 있다. 반도체 층은, 예를 들면, 실리콘 또는 GaAs와 같은 III-V 반도체 또는 SiGe와 같은 인장된 반도체 합금으로 구성될 수 있다.
[030] 도 4b에서, 회로 엘리먼트들, 예를 들면, 트랜지스터들(240)이 반도체 층에 형성된다. 이러한 트랜지스터들(240)은 소스(240s) 및 드레인(240d) 영역들 및 게이트 층들(240g)을 포함하고, 절연 영역들(232)에 의해 분리된다. 이리한 엘리먼트들은 앞서 도 3의 단계(120)에 대해 설명된 바와 같이, 즉, 예를 들면, 일반적인 CMOS 프로세스 또는 BicMOS(bi-polar-CMOS) 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 다른 회로 엘리먼트들은 CMOS 트랜지스터들(240), 예를 들면, 고성능 디바이스들, 광전자 디바이스들 또는 다른 수동 또는 반응 엘리먼트들 이외에 또는 대신에 형성될 수 있다.
[031] 도 4b의 소스(240s) 및 드레인(240d) 영역들은, 예를 들면, 게이트들(240g) 아래의 트랜지스터 채널 영역들과 비교하여 고농도로 도핑된 반도체 층의 영역들을 포함한다. 높은 도핑 레벨은, 예를 들면, 이러한 영역들에 대한 양호한 전기 접촉을 허용하기 위해 중요하다. 반도체 층이 충분히 얇다면 ― 예를 들면, 100 nm 미만 또는 70 nm 미만, 또는 50 nm 미만 ― , 소스 및 드레인 고농도 도핑 영역들은 도 4b에 도시된 바와 같이 반도체 층의 완전한 두께를 통해 연장될 수 있다. 또한, 트랜지스터들(240)의 소스(240s) 및 드레인(240d) 영역들이 반도체 층(230)의 표면(236) 위로 상승될 수 있다는 것을 유의하라. 그러한 구조는 종종 완전-공핍형 SOI 프로세스들에 사용되고, 이것은 매우 얇은, 예를 들면, 20 nm 미만 또는 10 nm 미만 또는 5 내지 7 nm의 반도체 층들 상에 구축된다.
[032] 도 4c는 반도체 층(230)의 제 2 표면(236)에 선택적으로 커플링되고, 그 안에 제조된 회로 엘리먼트들(트랜지스터들(240)) 위에 있는 전면 금속 상호접속 층(250)을 도시한다. 존재하는 경우에, 이러한 상호접속 층(250)은, 예를 들면, 트랜지스터들(240)의 소스 영역들(240s)에 접속할 수 있다. 감법 또는 다마신 프로세스는 선택적인 상호접속 층(250)을 형성하는데 사용될 수 있다. 상호접속 층(250)은 높은 온도 가능 상호접속부, 예를 들면, 내화 금속, 예를 들면, 텅스텐을 포함할 수 있다. 대안적으로, 상호접속 층(250)은 종래의 저저항률 물질, 예를 들면, 구리 또는 알루미늄을 포함할 수 있거나, 이것은 높은 온도 가능 상호접속부 및 저저항률 물질의 조합, 예를 들면, 알루미늄 또는 구리 금속을 갖는 텅스텐 플러그들을 포함할 수 있다. 레벨 간 유전체 층(258)은 반도체 층(230)에 형성된 디바이스들(240)로부터 선택적인 전면 금속 상호접속 층(250)을 분리한다. 도 4d에서, 핸들 층(260)은, 레벨 간 유전체 층(258) 및 전면 상호접속 층(250)이, 존재하는 경우에, 개재하여, 반도체 층(230)의 표면(236)에 커플링된다. 도 4d에 도시된 바와 같이, 핸들 층(260)은, 존재하는 경우에 상호접속 층(250) 위에 결합된다. 도 3의 단계(140)에서 설명된 바와 같이, 핸들 층은 임의의 강성 또는 반강성 지지부, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 영구적인 결합을 발생시키는 임의의 적절한 커플링 또는 본딩 방법, 예를 들면, 직접적인 또는 융합 본딩 또는 영구적인 접착 본딩이 사용될 수 있다. 본딩 층(미도시), 예를 들면, 증착된 이산화 실리콘은 본딩된 표면들 중 어느 하나 또는 둘 모두 상에 형성될 수 있다.
[033] 도 4e에서, SOI 구조의 기판(210)은, 예를 들면, 기계적 및 화학적 수단을 독립적으로 또는 조합하여 사용함으로써 제거되었다. 이러한 단계는 절연체 층(220)의 표면(226)을 노출시킨다. 도 4f에서, 홀들(270)은 이러한 절연체 층(220)을 통해 에칭되어, 반도체 층(230)의 표면(233)의 영역들을 노출시킨다. 이러한 홀들은 도 3의 단계(160)에 대해 앞서 설명된 임의의 일반적인 패터닝 기술, 예를 들면, 절연체 층(220)의 건식 에칭이 후속하는 레지스트 층의 포토리소그래픽 패터닝에 의해 형성될 수 있다. 이러한 홀들은, 예를 들면, 트랜지스터들(240)의 드레인 영역들(240d)을 노출시킬 수 있다. 홀들은 또한, 예를 들면, CMOS 트랜지스터들의 소스 또는 본체 영역들, 또는 수직 양극성 트랜지스터들의 콜렉터 영역들, 또는 측면 양극성 트랜지스터들의 콜렉터, 베이스, 또는 이미터 영역들을 노출시킬 수 있다.
[034] 도 4g로 넘어가면, 후면 측 금속 상호접속 층(280)은 절연체 층(220)의 표면(226) 상에 그리고 홀들(270) 내부에 형성된다. 도 3의 단계(170)에서 설명된 바와 같이, 이러한 금속 상호접속 층은, 예를 들면, 알루미늄, 구리, 텅스텐 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이것은 일반적인 패터닝 기술들, 예를 들면, 가산법 프로세스 또는 감법 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 후면 측 금속 층(280)은 2 개 이상의 트랜지스터들(240)을 서로 접속할 수 있다. 예를 들면, 도 4g에 도시된 바와 같이, 후면 측 금속 층(280)은 트랜지스터들(240)의 드레인들(240d) 중 일부를 서로 접속할 수 있다.
[035] 도 5는 도 3의 방법에 따른 프로세스를 사용하여 형성될 수 있는 대안적인 구조를 도시한다. 도 5에서, 홀들(270) 이외의 다른 홀들(272 및 274)이 형성된다. 홀들(272 및 274) 둘 모두는 트랜지스터들(240) 사이의 절연 영역들 위에 형성된다. 홀(272)은 절연 영역에 걸쳐 연장되는 게이트 영역(248)으로 연장되고, 홀(274)은 선택적인 전면 금속 상호접속 층(250)으로 연장된다. 홀들(272 및 274)은 홀들(270)과 동시에, 즉, 동일한 마스킹 단계에서 형성될 수 있다. 대안적으로, 예를 들면, 홀들(270) 내부의 반도체 층의 오버에치가 최소화되면, 상이한 타입들의 접촉 홀들에 대해 별개의 마스킹 단계들이 사용될 수 있다. 이러한 구조에서, 후면 측 상호접속부는 선택적인 전면 측 상호접속부 또는 트랜지스터 게이트 층 또는 둘 모두에 전기적으로 접속된다. 이것은 더 큰 레이아웃 유연성 및 따라서 비용 절약들을 허용할 수 있다.
[036] 도 6은 본 발명의 면적-절약 특징들을 사용하는 예시적인 레이아웃을 도시한다. 도 2에서와 같이, 게이트 핑거들(240g) 및 절연 에지들(235)은 트랜지스터들(240)을 정의한다. 트랜지스터들(240)은 드레인 영역들(240d) 및 소스 영역들(240s)을 더 포함한다. 전면 측 금속 상호접속 층(250)은 접촉들(245)을 통해 소스 영역들(240s)을 함께 접속한다. 상호접속 층(250)과 드레인 영역들(240d) 사이에 어떠한 접속도 존재하지 않고, 따라서, 소스 영역들(240s)을 접속하는 금속 층(250)은 당겨져, 트랜지스터 영역 밖으로 나가지 않고서 드레인 영역들(240d)을 중첩할 수 있다는 것을 유의하라. 드레인 영역들(240d)은 후면 측 홀들(또는 비아들)(270)을 통해 후면 측 상호접속 층(280)에 접속된다. 이러한 방식으로, 이러한 집적 회로의 면적은 도 2에 도시된 종래 기술과 비교하여 감소될 수 있다.
[037] 도 7a는 기생 커패시턴스의 감소를 위한 예시적인 레이아웃을 도시한다. 다시, 게이트 핑거들(240g) 및 절연 에지들(235)은 트랜지스터들(240)의 소스(240s) 및 드레인(240d) 영역들을 정의한다. 전면 측 금속(250)은 다시 접촉들(245)을 통해 소스 영역들(240s)에 접속된다. 후면 측 금속(280)은 후면 측 비아들(270)을 통해 드레인 영역들(240d)에 접속된다. 게이트-투-소스(오프-상태) 커패시턴스를 감소시키기 위해, 소스 금속(250)이 당겨지지 않아 드레인 영역들(240d)을 중첩하고, 후면 측 드레인 금속(280)이 당겨지지 않아 소스 영역들(240s)을 중첩한다. 따라서, 기생 오프-상태 커패시턴스에 대한 상호접속부 기여도는 후면 측 금속(280) 및 전면 측 금속(250) 층들의 중첩 영역으로 제한된다. 그러나, 이러한 커패시턴스는 도 2의 경우와 비교하여 훨씬 더 감소되는데, 왜냐하면 2 개의 층들이 수직으로 더 많이 분리되기 때문이다. 도 7b는 도 7a에 예시된 레이아웃의 단면도를 도시한다. 이러한 도면은 전면 측 소스 금속(250) 및 후면 측 드레인 금속(280)이 그들이 멀리 있을 수 있는 만큼 서로로부터 분리되는 방법을 명확히 도시한다.
[038] 후면 측 금속(280)이 드레인 영역들(240d)에 접속하는 이러한 실시예를 사용하여, 게이트-투-드레인 커패시턴스가 또한 감소된다. 도 8은 본 발명의 실시예를 사용하여 제조된 2 개의 트랜지스터들(240x 및 240y)의 단면을 도시한다. 트랜지스터(240x)는 전면으로부터 접촉된 자신의 드레인(240d)을 갖고, 트랜지스터(240y)는 후면으로부터 접촉된 자신의 드레인(240d)을 갖는다. 트랜지스터(240x)에 대한 게이트-드레인 커패시턴스는 전면 접촉(245)과 게이트(240g) 사이에 컴포넌트로서 커패시턴스(295)를 포함한다. 그러나, 후면-접촉 트랜지스터(240y)에 대해, 총 게이트-드레인 커패시턴스에 부가되는 어떠한 그러한 커패시턴스도 존재하지 않는다. 따라서, 총 게이트-드레인 커패시턴스는 후면-접촉 드레인들을 갖는 트랜지스터들에서 감소된다.
[039] 또한, 트랜지스터 레이아웃들(도 6 및 도 7)에서, 트랜지스터들(240)이, 일반적인 프로세스들을 사용하는 레이아웃들(예를 들면, 도 2)과 비교하여, 게이트 핑거들(240g)에 수직하는 방향으로 더 많이 접촉될 수 있다는 것을 유의하라. 최소의 전면 측 접촉 금속 피치가 최소의 접촉된 트랜지스터 소스/드레인 피치보다 더 크다면, 이것은 그 경우이고, 이것은 도 2의 레이아웃을 금속-피치 제한되게 할 것이다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 트랜지스터들(240)의 소스들 및 드레인들을 접촉하는데 필요한 전면 측 금속 피치들의 수는 약 2 배만큼 감소된다.
[040] 도 9a 내지 도 9c는 SOI 후면 측 금속 상호접속부의 대안적인 실시예를 예시한다. 도 9a는 트랜지스터들(240) 및 핸들 층(260)에 결합된 전면 측 상호접속 층(250)을 갖는 SOI 집적 회로를 도시한다. 고농도 도핑 소스 영역들(240s) 및 드레인 영역들(240d)은 반도체 층(230)의 후면 표면(233)을 통해 연장되지 않는다. 홀들(270)은 절연체 층(220)에서 에칭되어, 반도체 층(230)의 표면(233)을 노출시킨다. 도 9b에서, 드레인 영역들(240d)과 동일한 도펀트 타입의 도펀트가 도핑 영역들(241)을 형성하기 위해 홀들(270) 내부에 도입되었다. 영역들(241)은 반도체 층(230)의 후면 표면(233)으로 드레인 영역들(240d)을 효과적으로 연장되고, 드레인 영역들(240d)이 후면 측 홀들(270)을 통해 접촉되도록 허용한다. 도핑 영역들(241)은, 예를 들면, 본 출원의 양수인에 의해 소유되고 2011년 10월 11일자로 출원된 "Vertical Semiconductor Device with Thinned Substrate"이란 명칭의 미국 특허 공보 제 2012/0088339 A1 호에 설명된 바와 같이 홀들(270)을 통해 도펀트 이온들을 주입함으로써 형성될 수 있고, 상기 특허 공보는 전체 내용이 인용에 의해 본원에 통합된다. 대안적으로, 도핑 영역들(241)은 구조를 고온(예를 들면, 800 ℃ 초과)에서 도펀트-종들-포함 환경(예를 들면, POCl3)에 노출시킴으로써 형성될 수 있다. 이온 주입이 사용되면, 800 내지 1000℃의 온도에서 1 내지 60 초 동안 도펀트를 활성화하기 위한 어닐링 프로세스, 예를 들면, 고속 열 어닐이 후속될 수 있다. 고온 프로세스가 이러한 단계에서 사용되면, 이러한 층이 사용되는 경우에, 전면 측 금속 상호접속 층(250)에 대해 고온 금속을 사용하는 것이 이로울 것이라는 것을 유의하라. 예를 들면, 내화 금속, 예를 들면, 텅스텐이 전면 측 금속 상호접속부(250)에 사용되는 경우에, 이것이 유리할 것이다.
[041] 도 9c에서, 후면 측 금속 상호접속 층(280)은 절연체 층(220)의 표면(226) 상에 그리고 홀들(270) 내부에 형성되어, 드레인 영역들(240d)에 접속된 도핑 영역(241)에 접촉한다. 이러한 금속 상호접속 층은, 예를 들면, 텅스텐, 알루미늄, 구리 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이러한 상호접속 층은, 도 9c에 도시된 바와 같이, 후면 측 비아들(270) 및 도핑 영역들(241)을 통해 트랜지스터들(240)의 드레인들(240d)을 함께 접속할 수 있다.
[042] 도 9a 및 도 9b에 설명된 프로세스는, 이러한 영역들이 반도체 층의 후면 측으로 연장되지 않을 때, 드레인 또는 소스 영역들에 접촉하는 후면 측 상호접속부를 형성하는 수단을 제공한다. 예를 들면, 반도체 층이 200 nm 두께보다 더 크거나 100 nm 두께보다 더 크거나, 70 nm 두께보다 더 큰 경우에, 이것이 그 경우일 수 있다.
[043] 도 10a 내지 도 10c는 SOI 후면 측 금속 상호접속부의 다른 대안적인 실시예를 예시한다. 도 10a는 트랜지스터들(240) 및 핸들 층(260)에 결합된 전면 측 상호접속 층(250)을 갖는 SOI 집적 회로를 도시한다. 고농도 도핑 소스 영역들(240s) 및 드레인 영역들(240d)은 반도체 층(230)의 후면 표면(233)을 통해 연장되지 않는다. 또한, 금속-반도체 화합물(242)의 영역들은 트랜지스터들(240)의 드레인 영역들(240d), 소스 영역들(240s) 및 게이트 영역들(240g)의 표면들 상에 형성되었다. 이러한 금속-반도체 화합물들은 종종 이러한 영역들의 시트 저항 및 접촉 저항을 감소시키는데 사용된다. 반도체 층이 실리콘을 포함하면, 금속-반도체 화합물은, 예를 들면, 규화 티타늄, 규화 코발트, 또는 규화 니켈을 포함할 수 있다. 이러한 영역들은 종종 "자체-정렬 규화물" 또는 "샐리사이드(SAlicide)" 영역들로 지칭된다.
[044] 여전히 도 10a를 참조하면, 홀들(270)은 반도체 층(230)의 표면(233)을 노출시키기 위해 절연체 층(220)에서 에칭되었다. 도 10b에서, 홀들(270)은 금속 반도체 화합물 영역들(242)의 후면 측에 접촉하기 위해 반도체 층(230)으로 연장되었다. 이러한 에칭 프로세스는 금속 반도체 화합물보다 더 빠르게 반도체를 에칭할 화학물질을 사용하여 건식-에치 챔버에서 이루어질 수 있다. 예를 들면, 전면 표면 상에 형성된 규화 니켈을 갖는 실리콘 층에 대해, SF6 + O2 에치는 규화 니켈이 아닌 실리콘을 에칭할 것이다. 도 10c에서, 후면 측 금속 상호접속 층(280)은 절연체 층(220)의 표면(226) 상에 그리고 홀들(270) 내부에 형성되어, 소스 영역들(240s)에 전기적으로 접속된 금속 반도체 화합물 영역들(242)에 접촉한다. 이러한 금속 상호접속 층은, 예를 들면, 텅스텐, 알루미늄, 구리 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
[045] 도 10c의 구조는 몇몇의 이점들을 제안한다. 예를 들면, 전사된 반도체 층(230)은 (예를 들면, 도펀트들을 활성화하기 위해) 고온 단계들에 노출될 필요가 없어서, 존재하는 경우에, 전면 측 금속 상호접속 층에 대해 낮은 저항률, 낮은 온도 금속들(예를 들면, 알루미늄 또는 구리)이 사용될 수 있다. 또한, 금속 반도체 화합물 영역(242)에 함께 접촉하는 상호접속 금속(280)으로 채워진 홀(270)은 능동 디바이스들(240)로부터의 열의 효율적인 전달을 위한 탁월한 열 경로를 제공한다. 마지막으로, 금속-충전 홀(270)과 금속 반도체 화합물(242) 사이의 접촉 저항은 이롭게도 금속-충전 홀들(270)과 실리콘 표면(233)(도 4g 및 도 9c) 사이의 금속 반도체 접촉 저항보다 더 낮을 수 있다.
[046] 도 10c는 트랜지스터 드레인들(240d)보다 트랜지스터 소스들(240s)에 접속하는 후면 측 상호접속 층(280)이 도시된다. 도시된 이러한 구조에서, 홀(270)을 채우는 금속과 트랜지스터(240)의 본체 영역(240b) 사이에 일부 전도가 존재할 수 있다. 따라서, 도 10c에서, 트랜지스터들(240)의 소스들 및 본체 영역들은 함께 효율적으로 단락될 수 있다. 많은 회로들, 특히 디지털 회로들에서, 이것이 요구된다. 이러한 타입들의 회로들에서, 이러한 구조는 레이아웃 이점을 제안할 수 있는데, 왜냐하면 별개의 본체 접촉이 필요 없기 때문이다.
[047] 도 10a 내지 도 10c에 설명된 프로세스는 또한, 확산된 영역들이 반도체 층(230)(도 4a 내지 도 4g)의 후면 측에 도달하는 프로세스와 조합하여 사용될 수 있다. 이것은, 예를 들면, 더 낮은 드레인 접촉 저항이 요구되는 경우들에서 이로울 수 있다. 이러한 구조는 또한 홀들(270)을 채우는 금속과 트랜지스터들(240)의 본체 영역들 사이에 의도되지 않은 전도에 덜 민감하고, 그래서, 예를 들면, 소스-본체 타이들(ties)이 반드시 요구되지는 않는 아날로그 또는 다른 회로들이 구현될 수 있다.
[048] 본원에 설명된 후면 측 상호접속 프로세스들은 많은 상이한 타입들의 SOI 제조 프로세스들, 예를 들면, 완전히 공핍 또는 부분적으로 공핍된 SOI 프로세스들에 적용 가능하다. 또한, 금속 상호접속의 다수의 층들은, 예를 들면, 본원에 설명된 적용 가능한 단계들을 반복함으로써 전사된 층의 전면 또는 후면 측 상에 사용될 수 있다.
[049] 명세서가 본 발명의 특정 실시예들에 관련하여 상세히 설명되었지만, 앞서 말한 것의 이해를 획득할 때, 당업자들이 이러한 실시예들의 변경들, 변동들 및 등가물들을 용이하게 구상할 수 있다는 것이 인지될 것이다. 본 발명에 대한 이들 및 다른 수정들 및 변형들은, 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고서, 당업자들에 의해 실시될 수 있다. 또한, 당업자들은, 앞서 말한 설명이 단지 예이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다는 것을 인지할 것이다. 따라서, 본 주제가 그러한 수정들 및 변형들을 커버하는 것이 의도된다.

Claims (20)

  1. 집적 회로 조립체로서,
    제 1 표면, 제 2 표면, 및 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면으로 연장되는 홀을 갖는 절연 층,
    제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 반도체 층 ― 상기 반도체 층의 제 1 표면은 상기 절연 층의 제 1 표면에 접촉함 ― ,
    상기 반도체 층의 제 2 표면에 커플링된 핸들(handle) 층,
    상기 절연 층의 제 2 표면에 커플링된 금속 상호접속 층 ― 상기 금속 상호접속 층은 상기 절연 층의 홀 내에 배치됨 ― , 및
    상기 반도체 층에 위치된 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 포함하고,
    상기 절연 층 내의 홀은 적어도 상기 반도체 층의 제 1 표면으로 연장되고,
    상기 금속 상호접속 층은 복수의 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 서로 전기적으로 커플링하는,
    집적 회로 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들은 전계-효과 트랜지스터를 포함하고,
    상기 절연 층 내의 홀은 상기 전계-효과 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역을 노출시키는,
    집적 회로 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 층의 제 2 표면에 커플링된 제 2 금속 상호접속 층을 더 포함하는,
    집적 회로 조립체.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 금속 상호접속 층은 내화 금속(refractory metal)을 포함하는,
    집적 회로 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 층의 제 2 표면은 금속-반도체 화합물의 영역을 포함하고,
    상기 절연 층 내의 홀은 상기 금속-반도체 화합물의 영역을 노출시키기 위해 상기 반도체 층을 통해 연장되는,
    집적 회로 조립체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 금속-반도체 화합물은 규화 금속(metal silicide)을 포함하는,
    집적 회로 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 층은 실리콘을 포함하는,
    집적 회로 조립체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들은 전계-효과 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 금속 상호작용 층은 상기 전계-효과 트랜지스터들의 드레인 영역들에만 전기적으로 커플링하는,
    집적 회로 조립체.
  9. 집적 회로 조립체를 형성하는 방법으로서,
    반도체-온-절연체(semiconductor-on-insulator)를 제공하는 단계 ― 상기 반도체-온-절연체는: 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 절연 층; 제 1 표면 및 제 2 표면을 갖는 반도체 층(상기 반도체 층의 제 1 표면은 상기 절연 층의 제 1 표면에 접촉함); 및 상기 절연 층의 제 2 표면에 접촉하는 기판 층을 포함함 ― ,
    상기 반도체 층에서 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 형성하는 단계,
    상기 반도체 층의 제 2 표면을 핸들 층에 커플링하는 단계,
    상기 기판 층을 제거하는 단계,
    절연체 층에서 홀을 형성하는 단계 ― 상기 절연체 층 내의 홀은 상기 절연 층의 제 2 표면으로부터 제 1 표면으로 연장되고, 상기 반도체 층의 제 1 표면을 노출시킴 ― , 및
    상기 절연체 층의 제 2 표면 상에 금속 상호접속 층을 형성하는 단계 ― 상기 금속 상호접속 층은 상기 절연 층의 홀 내에 배치되고, 상기 금속 상호접속 층은 복수의 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 서로 전기적으로 커플링함 ― 를 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 층의 제 2 표면을 핸들 층에 커플링하는 단계 전에, 상기 반도체 층의 제 2 표면에 커플링된 제 2 금속 상호접속 층을 형성하는 단계를 더 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 금속 상호접속 층은 내화 금속을 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 층에서 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 형성하는 단계는, 상기 반도체 층의 제 2 표면으로부터 제 1 표면으로 연장되는 복수의 고농도 도핑 영역들(heavily doped regions)을 형성하는 단계를 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 절연체 층 내의 홀은 상기 반도체 층의 제 2 표면으로부터 제 1 표면으로 연장되는 상기 고농도 도핑 영역들 중 적어도 하나를 노출시키는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 절연체 층에서 상기 홀을 형성하는 단계 후에, 활성 도펀트(active dopant)를 상기 홀을 통해 상기 반도체 층에 도입하는 단계를 더 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 활성 도펀트를 상기 반도체 층에 도입하는 단계는,
    상기 도펀트를 상기 홀을 통해 주입하는 단계, 및
    상기 구조를 어닐링하는 단계를 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 층에서 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 형성하는 단계는, 상기 반도체 층의 제 2 표면 상에 금속-반도체 화합물의 영역들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 방법은,
    상기 절연체 층에서 홀을 형성하는 단계 후에, 상기 금속-반도체 화합물의 영역을 노출시키기 위해, 상기 홀 내의 상기 반도체 층의 일부를 제거함으로써 상기 절연체 층에서 상기 홀을 연장시키는 단계를 더 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 금속-반도체 화합물은 규화 금속을 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 층은 실리콘을 포함하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  19. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 층에서 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 형성하는 단계는 전체-효과 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 절연 층 내의 홀은 상기 전계-효과 트랜지스터의 소스 영역 또는 드레인 영역을 노출시키는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
  20. 제 9 항에 있어서,
    상기 반도체 층에서 능동 또는 반응 회로 엘리먼트들을 형성하는 단계는 전계-효과 트랜지스터들을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 금속 상호접속 층은 상기 전계-효과 트랜지스터들의 드레인 영역들에만 전기적으로 커플링하는,
    집적 회로 조립체를 형성하는 방법.
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