KR20150115906A - (Ga) Zn Sn 산화물 스퍼터링 타겟 - Google Patents

(Ga) Zn Sn 산화물 스퍼터링 타겟 Download PDF

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예르크 오베르스테 베르그하우스
빌메르트 드 보쉐르
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솔레라스 어드밴스드 코팅스 비브이비에이
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Abstract

아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 포함하는 일체형 탑 코트를 가지고, 상기 일체형 탑 코트는 최소 80 cm의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟; 상기 스퍼터링 타겟 형성을 위한 방법 및 필름 형성을 위한 상기 타겟의 사용.

Description

(Ga) Zn Sn 산화물 스퍼터링 타겟 {(Ga) Zn Sn Oxide Sputtering Target}
본 발명은 (Ga) Zn Sn 산화물 반도체 박막 생산을 위한 (Ga) Zn Sn 산화물 스퍼터링 타겟 분야에 관련한다.
액정 디스플레이(liquid crystal display)와 같이 잘 확립된 인기있는 디스플레이 기술뿐만 아니라 새로운 디스플레이 기술, 예컨대 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode) 디스플레이는 액티브-매트릭스(active matrix) 디스플레이다. 액티브 매트릭스 디스플레이는 박막 트랜지스터의 매트릭스를 포함한다. 다결정질 및 더욱 최근에는 비정질 실리콘이 전통적으로 액티브 매트릭스 디스플레이에서 반도체 채널 레이어(channel layer)의 선택으로서 사용되어 왔다. 그러나 비정질 실리콘의 주요 단점은 장치의 성능을 제한하는 낮은 전하 캐리어 이동도(전자에 대하여 약 1 cm2/V.s) 이다. 현재 대안으로 소위 산화물 반도체에 속하는 범주가 제안되고 있다. 예를 들어, In (인듐) Ga (갈륨) Zn (아연) 산화물은 10 내지 40 cm2/V.s 범위의 전하 이동도로 생산된다. 게다가, In Ga Zn 산화물은은 균일한 대면적 증착을 허용한다. 이것이 차세대 액티브 매트릭스 디스플레이에 있어서 In Ga Zn 산화물을 선호되는 산화물 반도체로 만든다. In Ga Zn 산화물의 주요 단점은 독성 및 지구상 제한된 공급인 사실 모두가 해당한다. 자원의 제한이 미래의 디스플레이 기술의 성장을 제한하는 것에 있어서 첫 번째 요소가 될 것으로 예상된다. 따라서 기술 분야 내에 In Ga Zn 산화물의 실행 가능한 무인듐(Indium-free) 대안의 필요성이 존재한다. Zn Sn 산화물 및 Zn Sn Ga 산화물이 대안으로 제안되어 왔지만 허용 가능한 품질로의 이들의 제조는 매우 어렵다.
N. Nikolic et al. 에 의해 Journal of the European Ceramic Society 21 (2001)에 개재된 논문 "The influence of mechanical activation on zinc stannate spinnel formation"은 높은 에너지 분쇄기에서 기계적으로 활성화된 ZnO 및 SnO2 분말 혼합물로부터 수득되는 압출물의 처리 동안 아연 주석산염 세라믹(zinc stannate ceramics)의 형성을 연구하고, 소결하는 동안 높은 에너지 분쇄의 지속 시간이 증가함에 따라 아연 주석산염은 고상 반응에 의하여 순조롭게 형성되는 것을 설명한다.
US20070215456A1은 Zn Sn 산화물 타겟 및 Ga Zn Sn 산화물 스퍼터링 타겟(Sputtering target)의 제조를 위한 소결 공정을 개시한다. 공정은 원료의 긴 분쇄 단계(18 시간), 산소 함유 분위기에서 15시간 이상 소결 단계 및 이후 7 시간 이상 비산화성 분위기 하에서 가열함으로써 단일 소결체를 만드는 환원 처리 단계를 포함한다. US20070215456A1은 바람직한 방법으로부터의 편차가 타겟의 높은 아크율(arcing rate), 및 소결체의 불충분한 강도를 야기할 수 있는 예시를 이용하여 도시한다. 불충분한 강도는 소결체에 아연 주석산염 화합물 상(또는 이러한 상의 소량)을 포함하지 않음으로써 야기될 수 있다. US20070215456A1은 수득된 스퍼터 타겟(단일 소결체)의 길이에 언급하지 않지만, 필요한 경우, 대면적을 가지는 타겟을 제조하기 위하여 소결체의 여러 피스(piece)가 분할된 형태로 배치될 수 있음을 제안한다. Zn Sn 산화물 타겟의 비저항은 2.3 kΩ.cm 내지 4.7 kΩ.cm의 범위이고 Zn Sn Ga 산화물 타겟의 비저항은 0.11 kΩ.cm이다. US20070215456A1은 이러한 스퍼터링 타겟이 5.513 W/cm2의 DC 전하 전력 밀도에서 사용될 수 있음을 나타낸다. 이러한 수치가 종래 기술의 나머지 부분보다는 우수하지만, 개선의 여지가 많이 남아있다. 게다가, 이러한 스퍼터링 타겟의 제조에 사용되는 현재의 소결법은 매우 번거럽고 노동 집약적이다.
따라서, 기술 분야 내에 특히 대면적 코팅을 위한 In Ga Zn 산화물 스퍼터링 타겟에 새로운 무인듐 대안에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명의 목적은 우수한 스퍼터링 타겟 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 구체예의 장점은 긴 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 일체(one-piece)로 생산될 수 있는 것이다. 예를 들어, 50 cm 이상의 길이를 가지는 일체형 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있다.
본 발명의 구체예의 장점은 낮은 비저항의 탑 코트를 가지는 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있는 것이다. 예를 들어, 일부 구체예에서, 10 Ω.m 미만의 비저항의 탑 코트를 가지는 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있다. 구체예에서, 이러한 낮은 비저항은 고가의 환원 후-처리 단계 없이 및/또는 출발 분말의 길고 고가의 분쇄 단계 없이 수득될 수 있다.
본 발명의 구체예의 장점은 350 kHz 이하의 주파수를 가지는 DC 스퍼터링 또는 AC 스퍼터링에 사용될 수 있는(Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있는 것이다.
본 발명의 구체예의 장점은 균일한 탑 코트를 가지는 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있는 것이다.
본 발명의 구체예의 장점은 대부분 아연 주석산염으로 이루어진 균일한 탑 코트를 가지는 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있는 것이다.
본 발명의 구체예의 장점은 과도한 아크율(arc rate)을 생성하지 않고 높은 전력 밀도에서 스퍼터링 공정에 사용될 수 있는 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생산될 수 있는 것이다. 예를 들어, 구체예에서, 스퍼터링 공정은 타겟 길이 미터당 최소 10kW의 평균 DC 전력의 전력 밀도일 수 있다.
본 발명의 구체예의 장점은 탑 코트가 다양한 형태의 캐리어에 적용될 수 있는 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 생성될 수 있는 것이다. 예를 들어, 플레이트 상에서 형성될 경우 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟은 평면 형태(예로써, 원형 또는 사각형)를 가질 수 있고, 또는 관(tube)에서 형성될 경우 예컨대 원통형의 더욱 복잡한 형태를 가질 수 있다.
구체예에서, 캐리어는 금속 캐리어, 예컨대 금속(백킹(backing)) 튜브일 수 있다.
본 발명의 구체예의 또 다른 장점은 (Ga) Zn Sn 산화물 타겟이 상대적으로 간단하고 저가의 방법, 즉, 용사(thermal spray)로써 제조될 수 있는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따른 방법 및 장치에 의해 달성된다.
제1양태에서, 본 발명은 아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 포함하는 일체형 탑 코트를 가지는 스퍼터링 타겟에 관련하고, 상기 일체형 탑 코트가 최소 50 cm, 바람직하게는 최소 65 cm, 더욱 바람직하게 최소 80 cm, 더욱 더 바람직하게는 최소 100 cm의 길이를 가지는 것을 특징으로 한다. 수득된 탑 코트의 물리적 특성이 어떠한 탑 코트 길이를 수득하는 것을 방해하지 않아야 하는 것으로 보이지만, 전형적인 실질적 상한은, 일부 구체예에서, 4 m, 3 m, 2 m 또는 1 m로 설정될 수 있다. 일체형 탑 코트, 즉, 2개 이상의 함께 부착된 피스(예로써, 슬리브 또는 타일)로 구성되지 않은 탑 코트를 가지는 것은, 보통 탑 코트 피스 사이 경계에서 관찰되는 우선적인 스퍼터링을 제거하기 때문에 매우 유리하다. 피스의 가장자리로부터 발생하는 그러한 스퍼터링은 스퍼터 레이어에 불균일한 밴드의 형성을 야기한다. 따라서 일체형 탑 코트는 균일한 스퍼터 레이어를 허용한다. 게다가, 인접한 두 피스 사이 이러한 접촉면에서, 레이어 품질 및 성능에 영향을 야기하는 과도한 아크(arcing)가 일어 날 수 있다.
제1양태의 구체예에서, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Ga의 비율은 0 내지 20 at% 또는 1 내지 20 at%, 바람직하게는 3 내지 15 at%, 더욱 바람직하게 4 내지 9 at%일 수 있다. 스퍼터링 타겟의 산화물의 혼합물 중의 Ga의 존재는 전기적 성능을 향상시키기 때문에 유리하다. 이론에 의해 제한되지 않고, Ga의 존재는 스퍼터된 필름에 산소 결핍의 생성을 억제하고, 이것이 자유 캐리어 농도 및 전자 트랩 사이트(electron trap site)의 수를 감소시키고, 이것이 산화물 반도체 트랜지스터의 전기적 성능을 저하할 수 있다고 가정한다. 게다가, 뜻밖에도, 아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 포함하는 최소 50 cm의 일체형 탑 코트를 가지는 스퍼터링 타겟이 본 발명의 제6양태에 따른 방법에 의하여 수득될 수 있는 것이 밝혀졌다. 발명자들이 아는 한, 아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 포함하는 이러한 긴 탑 코트는 소결로는 수득될 수 없다.
제1양태의 구체예에서, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Zn의 비율은 15 내지 85 at%, 바람직하게는 30 내지 77 at%일 수 있다.
제1양태의 구체예에서, Sn의 상대적인 비율은 15 내지 55 at%일 수 있다.
제1양태의 구체예에서, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Zn의 비율은 15 내지 85 at%, 바람직하게는 30 내지 77 at%, 더욱 바람직하게 56 내지 70 at% 이고, Sn의 상대적인 비율은 15 내지 55 at%, 바람직하게는 28 내지 35 at%일 수 있다. 아연 주석산염 산화물 상이 용사 동안 형성될 수 있고, 이로 인해 강하고 균일한 타겟을 제조하기 때문에, 상기 조성은 유리하다. 또한, 상기 조성의 타겟을 스퍼터링함에 있어 비정질 박막의 생성이 용이하게 되고, 우수한 트랜지스터 성능을 야기한다.
제1양태의 구체예에서, 산화물의 혼합물은 아연 주석산염 산화물을 포함한다.
제1양태의 구체예에서, mol%로 나타낸 상기 탑 코트 내 존재하는 모든 아연 주석산염 산화물의 합계는 내부에 존재하는 임의의 다른 산화물보다 더 높을 수 있다. 예를 들어, 탑 코트가 ZnO 및SnO2을 또한 포함하는 경우, mol%로 나타낸 모든 아연 주석산염 산화물의 합계는 SnO2의 양보다 높을 수 있는 한편, 다른 한편으로 ZnO의 양보다도 높을 수 있다. 구체예에서, 상기 아연 주석산염 산화물은 대부분 (>50mol%) Zn2SnO4 이다. 구체예에서, 상기 아연 주석산염 산화물은 필수적으로 (>90mol% 및 바람직하게는 >95mol%) Zn2SnO4 이다. 구체예에서, 상기 아연 주석산염 산화물은 아연 주석산염 산화물 Zn2SnO4 이다. 발명자가 탑 코트 내 아연 주석산염 산화물의 존재와 높은 품질의 탑 코트의 상관관계를 입증할 수 있기 때문에, mol%로 나타낸 상기 탑 코트 내 존재하는 모든 아연 주석산염 산화물의 합계가 내부에 존재하는 임의의 다른 산화물보다 더 높은 것이 유리하다. 특히, 기계적 특성이 매우 우수하여, 긴 스퍼터링 타겟을 형성하도록 한다. 또한, 스퍼터링 타겟의 밀도가 특히 우수하다.
제1양태의 구체예에서, 상기 일체형 탑 코트를 구성하는 물질은 10 Ω. m 미만, 바람직하게는 1 Ω. m 미만, 더욱 바람직하게 0.1 Ω. m 미만, 가장 바람직하게는 3*10-2 Ω. m 미만의 비저항을 가지고, 상기 비저항은 2개의 외부 프로브를 가지는 4 포인트 프로브 비저항 측정(4 points probe resistivity measuring) 장치에 의하여 측정되고, 상기 비저항은 상기 장치의 외부 프로브 거리의 최소 2배의 두께를 가지는 상기 물질의 일체형 탑 코트 상에서 측정된다. 상기 두께 요건은 스퍼터링 타겟 자체의 요건이 아니다. 오히려, 보다 얇은 탑 코트 상에서의 4 포인트 프로브 비저항 측정은 부정확한 측정을 야기할 수 있기 때문에, 상기 두께 요건은 측정 방법의 요건이다. 그러한 낮은 비저항은 350 kHz 이하의 주파수에서의 DC 스퍼터링, 펄스 DC 스퍼터링 또는 AC 스퍼터링의 사용을 허용하기 때문에 상기 범위 내의 비저항이 유리하다. 보다 높은 비저항을 가지는 종래 기술의 스퍼터링 타겟은 전형적으로 RF 스퍼터링으로 사용되어야 한다. 350 kHz 이하의 주파수에서의 DC 또는 AC 스퍼터링과 비교할 때, RF 스퍼터링은 단지 저속의 필름 제조만을 가능하게 하고, 포함된 전력 유닛이 더욱 고가이며 필름 제조 가동은 더욱 복잡하고 제어하기 어려운 단점을 가진다.
구체예에서 상기 탑 코트는 단면 SEM 화상 분석에 의해 측정된 바와 같이 10% 미만, 바람직하게는 미만 7%, 더욱 바람직하게 미만 5%, 더욱 더 바람직하게는 미만 3%의 다공도를 가진다. 보다 조밀한 스퍼터링 타겟은 보다 높은 수명/용적 비율을 가지고 더 나은 전기 및 열 전도성을 제공하므로, 낮은 다공도가 유리하다. 이것은 더 높은 증착 속도를 달성하면서, 더욱 안정한 스퍼터 가동 및 더욱 높은 전력 수준을 적용할 수 있는 능력을 야기한다.
구체예에서, 산화물의 상기 혼합물 상기 탑 코트 양의 최소 99 mol%, 바람직하게는 최소 99.5 mol%, 더욱 바람직하게 최소 99.9 mol% 에 이를 수 있다. 본 발명의 구체예의 장점은 상대적으로 높은 순도에도 불구하고 Zn, Sn 및 선택적으로 Ga의 산화물의 혼합물을 포함하는 상대적으로 낮은 비저항의 탑 코트가 수득될 수 있는 것이다. 따라서 비저항 Zn Sn (Ga) 기반의 스퍼터링 타겟의 비저항을 감소시키기 위한 (예로써, Al로의) 도핑이 여기에서는 필요하지 않다.
구체예에서, 스퍼터링 타겟은 종래 기술에서 유용한 것으로 인지되는 임의의 형태를 가진다. 그러나, 원통 형태가 스퍼터된 필름에 불균일성을 생성하지 않고 회전이 가능하며, 이로 인해 평면 스퍼터링 소스와 비교해 대형 물질 저장소 및 높은 타겟 이용도, 뿐만 아니라 증가한 공정 안정성과 결합된 매우 낮은 입자의 생산으로 인한 높은 가동 시간을 허용하기 때문에 원통 형태가 바람직하다.
구체예에서, 스퍼터링 타겟은 추가로 내부 백킹 튜브(backing tube), 및 상기 탑 코트와 상기 백킹 튜브를 부착하는 결합 코트(bond coat)을 추가로 포함한다.
구체예에서, 상기 결합 코트는 용융 온도가 200 ℃ 초과하는, 바람직하게는 300 ℃ 초과 및 더욱 바람직하게 400 ℃ 초과하는 금속 합금일 수 있다. 구체예에서, 상기 합금은 Ni 합금일 수 있다. 이러한 결합 코트는 스퍼터링 동안 결합 물질과 관련된 장애를 줄이기 때문에 유리하다. 이러한 결합 코트는 또한 결합 물질을 용융시키지 않고 보다 높은 전력 밀도의 사용을 허용한다. 전력 밀도가 높을수록, 보다 높은 스퍼터 속도를 허용한다.
구체예에서, 탑 코트는 4 g/cm3 초과, 바람직하게는 5 g/cm3 초과하는 밀도를 가진다. 밀도가 높을수록, 스퍼터링 타겟에 대한 더 긴 가동 시간을 보장한다. 이러한 높은 밀도는 제6양태의 방법에 의해 유리하게 달성된다.
제2양태에서, 본 발명은 제1양태의 임의의 구체예에 따른 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링함으로써, 기판 상에 코팅을 형성하는 공정이 관련된다. 달리 말해, 본 양태는 본 명세서에 기재된 바와 같이 스퍼터링에 의해 기판 상에 코팅을 형성하기 위한 스퍼터링 타겟의 사용에 관련한다.
구체예에서, 상기 스퍼터링은 350 kHz 이하의 주파수에서의 DC 스퍼터링, 펄스 DC 스퍼터링 또는 AC 스퍼터링일 수 있다. 이것은 제1양태의 스퍼터링 타겟의 낮은 비저항의 관점에서 가능하다.
구체예에서, 상기 스퍼터링은 타겟 길이 미터당 평균 DC 전력이 최소 6 kW, 바람직하게는 최소 10 kW, 더욱 바람직하게 최소 14 kW 및 가장 바람직하게는 최소 18 kW 전력 밀도에서 수행될 수 있다. 상기 높은 전력 밀도가 사용될 수 있는 것은 본 발명의 명백한 장점이다. AC 스퍼터링에 대해서는, AC 전력 밀도가 상기 언급한 DC 값과 동등하도록 선택될 수 있다. AC 전력 밀도는, 예로써, 단일 타겟 당 평균 DC 전력 밀도와 일치해야 하는 이중 구성(dual configuration)에 인가되는 (통합) 전력 수준의 2배로 고려하여 결정될 수 있다.
구체예에서, 아크율은 100 μarcs/s @18kW/m 미만, 바람직하게는 60 μarcs/s @18kW/m 미만, 더욱 더 바람직하게는 30 μarcs/s @18kW/m 미만, 더욱 더 바람직하게는 10 μarcs/s @18kW/m 미만 and 가장 바람직하게는 6 μarcs/s @18kW/m 미만일 수 있다. 전형적으로, 아크율은 2 μarcs/s @18kW/m 초과, 더욱 전형적으로는 3 초과 및 더욱 더 전형적으로 4 μarcs/s @18kW/m 초과이다. 예를 들어 아크율은 3 내지 7 μarcs/s @18kW/m 또는 4 내지 6 μarcs/s @18kW/m일 수 있다. μarc는 모노-폴라 아크, 즉, 타겟 물질과 또 다른 코팅 시스템의 본체의 사이가 아닌 완전히 타겟 물질의 상부 표면에서 일어나는 아크이다.
제3양태에서, 본 발명은 최소 10 cm, 바람직하게는 최소 20 cm, 더욱 바람직하게 최소 30 cm 및 더욱 더 바람직하게 최소 50 cm의 길이를 가지고, Zn, Sn 및 선택적으로 Ga의 산화물을 포함하며, 기판 표면 상에 비정질 반도성(semiconducting) 코팅을 가지는 기판에 관련한다. 이러한 비정질 반도성 코팅은 제1양태에 기재된 타겟으로 제조될 수 있다.
구체예에서, 상기 코팅은 균일할 수 있다. 예를 들어, 가시적인 결함 또는 불균일성은 육안으로 관찰될 수 없다.
구체예에서, 상기 코팅은 5% 미만, 바람직하게는 2.5% 미만, 더욱 바람직하게는 심지어 1.5% 미만의 상대 표준 편차를 특징으로 하는 두께 균일성을 가질 수 있다. 구체예에서, 상기 두께 균일성은 기판 가장자리로부터 떨어진, 예로써, 기판의 모든 둘레의 1 cm를 제외함으로써 측정될 수 있다.
제3양태의 구체예의 장점은 균일한 코팅을 가지는 긴 기판이 수득될 수 있다는 것이다. 종래 기술로 긴 일체형의 Zn, Sn 및 선택적으로 Ga 산화물 타겟은 수득하기에는 특히 문제가 있기 때문에, 확실한 해결책은 스퍼터링 타겟 상에 보다 짧은 탑 코트를 나란히 병렬하는 것이었다. 그러나, 이것은 기판 상의, 특히, 스퍼터링 타겟의 탑 코트 사이의 접합 영역에 해당하는 기판의 영역에 코팅의 특성(예를 들어 두께 균일성, 거칠기 및 결함 밀도가 있지만 이에 제한되지 않음)을 벗어나는 부작용을 가진다. 본 발명의 제1양태에 따른 긴 일체형 스퍼터링 타겟을 사용함으로써, 비례적으로 보다 긴 기판은 이전에 가능했던 것 보다 균일하게 코팅될 수 있다. 그러나, 스퍼터 타겟의 가장자리에 인접한 플라즈마 불균일성으로 인해, 본 발명의 구체예에 따라 균일하게 코팅될 수 있는 기판의 길이는 전형적으로 스퍼터링 타겟의 길이보다 짧고, 어떤 경우에는 스퍼터링 타겟의 길이의 최소 20% 이고, 스퍼터링 타겟의 길이의 10 내지 70 cm 미만, 더욱 전형적으로 20 내지 40 cm 미만이다. 따라서, 제1양태에 따라 측정한 50, 60, 70, 또는 80 cm 스퍼터링 타겟은 전형적으로 각각 10, 20, 30 또는 40 cm인 제3양태에 따른 기판을 생산할 수 있다. 어떤 경우에는, 최소 50 cm로 측정한 제1양태에 따른 스퍼터링 타겟은 길이가 최소 10 cm 및 대부분의 경우에는 전형적으로 20 cm인 제3양태에 따른 기판을 생산할 수 있다.
상기 기판은 임의의 기판일 수 있다. 예를 들어, 유리 또는 플라스틱과 같은 절연체, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 또는 강철과 같은 금속일 수 있고, 이들 모두 가요성(flexible) 또는 강성(rigid)일 수 있다.
구체예에서, 비정질 반도성 코팅 중의, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Ga의 비율은 0 내지 20 at% 또는 1 내지 20 at%, 바람직하게는 3 내지 15 at%, 더욱 바람직하게 4 내지 9 at%일 수 있다. 비정질 반도성 코팅의 산화물의 혼합물 중의 Ga의 존재는 전기적 성능을 개선시키기 때문에 유리하다. Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Zn의 비율은 15 내지 85 at%, 바람직하게는 30 내지 77 at%일 수 있다.
제3양태의 구체예에서, Sn의 상대적인 비율은 15 내지 55 at% 일 수 있다
제3양태의 구체예에서, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Zn의 비율은 15 내지 85 at%, 바람직하게는 45 내지 77 at%, 더욱 바람직하게 56 내지 70 at% 일 수 있고 Sn의 상대적인 비율은 15 내지 55 at%, 바람직하게는 28 내지 35 at% 일 수 있다. 또한, 상기 조성은 우수한 트랜지스터 성능과 관련된다.
제3양태의 구체예에서, 산화물의 혼합물은 아연 주석산염 산화물을 포함한다.
제3양태의 구체예에서, mol%로 나타낸 상기 비정질 반도성 코팅 내에 존재하는 모든 아연 주석산염 산화물의 합계는 내부에 존재하는 어떠한 다른 산화물보다 높을 수 있다. 구체예에서, 상기 아연 주석산염 산화물은 대부분(>50mol%) Zn2SnO4 이다. 구체예에서, 상기 아연 주석산염 산화물은 필수적으로(>90mol% and 바람직하게는 >95mol%) Zn2SnO4 이다. 구체예에서, 상기 아연 주석산염 산화물은 아연 주석산염 산화물 Zn2SnO4 이다. 발명자가 탑 코트 내 아연 주석산염 산화물의 존재와 높은 품질의 탑 코트의 상관관계를 입증할 수 있기 때문에, mol%로 나타낸 상기 비정질 반도성 코팅 내에 존재하는 모든 아연 주석산염 산화물의 합계가 내부에 존재하는 어떠한 다른 산화물보다 높은 것이 유리하다.
제4양태에서, 본 발명은 제3양태의 임의의 구체예에 따른 기판을 포함하는 박막 트랜지스터에 관련한다.
제5양태에서, 본 발명은 제4양태의 임의의 구체예에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 액티브 매트릭스 디스플레이 장치에 관련한다.
제6양태에서, 본 발명은 스퍼터링 타겟 제조 방법에 관련하고, 상기 방법은 다음의 단계를 포함한다:
a.아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 제공하는 단계,
b.상기 혼합물을 1000 ℃ 초과 온도, 바람직하게는 1700 ℃ 내지 2100 ℃ 또는 1800 ℃ 내지 2100 ℃의 온도로 가열하는 단계,
c.스퍼터링 타겟 기판을 제공하는 단계, 및
d.상기 가열된 혼합물을 상기 스퍼터링 타겟 기판 상에 사출(projecting), 바람직하게는 분사하고, 상기 스퍼터링 타겟 기판 상에 상기 가열된 혼합물을 냉각시키고 고화시키는 단계.
제6양태에 따른 방법은 긴 스퍼터링 타겟을 수득하게 허용한다는 점에서 특별하다. 스퍼터링 타겟에 대해 수득 가능한 길이는 최소 30 cm이고, 일부 구체예에서는 제1양태에 기재된 바와 같이 최소 50 cm이다.
따라서 본 발명의 양태는 제6양태의 방법의 구체예에 의하여 수득 가능한 스퍼터링 타겟이다.
발명자들이 아는 한, 소결과 같은 종래 기술에 공지된 다른 방법은 제1양태에 따른 스퍼터링 타겟 수득을 허용하지 않는다. 특히, 탑 코트는 최소 50 cm의 일체형 길이를 가능하게 하는 기계적 무결성을 가지지 않을 것이다. 더욱 더 유리하게는, 본 발명의 제6양태에서 수득된 스퍼터링 타겟은 낮은 다공도를 가지며 수득될 수 있다.
구체예에서, 단계 b 및 d의 합으로 걸린 총 시간은 1초 미만일 수 있다.
구체예에서, 상기 방법은 용사법이다. 타겟이 용사법에 의해 생산될 수 점은 Zn 및Sn 산화물의 낮은 승화 또는 분해 온도의 관점에서 놀라운 것이다. 예를 들어, SnO2는 1630 ℃에서 용융하기 이전에 대략 1080 ℃에서 분해하고 ZnO는 1975 ℃ 에서 용융하기 이전에 대략 1800 ℃에서 승화한다. 용사는 일반적으로 증착될 재료가 최소 융점까지 가열되는 것을 필요로 하기 때문에, 이러한 낮은 승화 또는 분해 온도는 지금까지 순수한 Zn 또는 Sn 산화체를 형성하기 위한 효과적인 방법으로 용사를 제외해왔다.
구체예에서, 혼합물은 용사의 용융 단계 동안 Sn 및 Zn 산화물의 성분의 밀접한 접촉(intimate contact)을 수득하는 방식으로 제공된다. 용사는 일반적으로 공급 시스템에 의해 전달되기 위하여 충분히 크고, 자유롭게 유동하는 입자로 수행된다.
용융 동안 밀접한 접촉을 제공하기 위하여, 혼합물은 바람직하게는 Zn, Sn, 및 선택적으로 Ga의 산화물이 단일 복합 입자에 존재하는 방식으로 제조된다. 이러한 구체예에서, 혼합물은 동일한 입자 내에 Zn, Sn 및 선택적으로 Ga의 산화물을 포함하는 입자를 포함할 것이다. 다양한 산화물이 복합 입자 내에서 서로 접촉하는 방법은 중요하지 않다. 예를 들어, 하나의 산화물이 입자의 한 부분을 형성할 수 있고 또 다른 산화물이 동일한 입자의 또 다른 부분을 형성할 수 있다. 이것은 도 12에 도식화 되어있다. 예를 들어, 하나의 산화물은 또 다른 산화물의 입자 주위에 코팅으로서 존재할 수 있다. 또 다른 예시는 서로 결합되어있는, 두 개의 구별되는 부분의 상이한 산화물 성질을 포함하는 입자일 수 있다. 또 다른 예시는, 내부에 또 다른 산화물의 섬(island)이 분산되어 있는 매트릭스를 형성하는 하나의 산화물을 포함하는 입자일 수 있다.
구체예에서, 제6양태의 단계 b에 적용될 산화물의 상기 혼합물 중의 복합 입자의 비율은 상기 혼합물을 형성하는 입자의 10% 이상, 20% 이상, 30% 이상, 40% 이상, 50% 이상, 70% 이상 또는 90% 이상일 수 있다.
혼합물의 제조는 예를 들어 응집(agglomeration)을 포함할 수 있다. 응집은, 예를 들어, 충분한 힘(예로써, 80kN)에서, Zn 산화물의 입자, Sn 산화물의 입자의 및 선택적으로 Ga 산화물의 입자의 혼합물을 압축하고, 이들 압출물을 소결하고, 이후 압출물을 분쇄, 또는 예를 들어, 분사-건조(spray-drying)함으로써 수행될 수 있다. 응집은 건조 혼합물로부터 또는 슬러리와 같은 습윤 혼합물로부터 수행될 수 있다.
입자는 그러한 응집에 적합한, 밀접한 혼합 슬러리를 수득하는 방식으로 화학 결합제를 첨가한 물에 분산될 수 있다.
혼합물의 제조는 예를 들어 소결을 포함할 수 있고, 여기서 Zn의 산화물, Sn의의 산화물 및 선택적으로 Ga의 산화물을 포함하는 혼합물 (예로써, 상기 응집된 혼합물)은 소결된다. 소결은 예를 들어 600 내지 1300 ℃의 온도에서 수행될 수 있다.
구체예에서, 혼합물의 제조에 포함된 최소 하나의 산화물 입자가 10 μm 미만, 바람직하게는 5 μm 미만의 직경을 가지는 것이 유리하다.
선택적 체별 단계 또한 용사에 적합한 크기 분포를 가지는 입자를 수득하기 위하여 수행될 수 있다.
입자 내에서 밀접한 접촉을 하는 성분의 혼합물은 더 나은 균일성 및 더 나은 밀도를 가지는 탑 코트를 수득하도록 허용하기 때문에 유리하다.
구체예에서, 혼합물은 탑 코트에서 아연 주석산염 산화물의 형성을 허용하기에 충분히 밀접하다. 바람직하게는, 탑 코트 내에 대부분 Zn2SnO4 스피넬을 수득하도록 허용하기에 충분히 밀접하다.
이는 반드시 입자 자체 내에 Zn2SnO4의 존재를 필요로 하지 않는다.
구체예에서, 스퍼터링 타겟 기판의 백킹 튜브는 백킹 튜브/결합 레이어 접촉면을 증가시키기 위하여 (예로써, 모래 분사를 통하여) 조면화(roughened) 될 수 있다. 이것은 열 및 전기 전도성을 향상시키는 장점을 가진다.
본 발명의 구체적이고 바람직한 양태가 첨부하는 독립 및 종속 청구항에 명시된다. 종속항의 특징은 단순히 청구범위에 명시적으로 제시된 것이 아니라 다른 종속항의 특징 및 독립항의 특징과 함께 적절하게 조합될 수 있다.
기술 분야 내에 장치의 지속적인 개선, 변경 및 발전이 존재해왔으나, 현재의 개념은 종래의 실시에서부터의 발전을 비롯하여 새롭고 신규의 실질적인 개선을 나타내, 더욱 효율적이고, 안정적이고 신뢰할 수 있는 이러한 특징의 장치의 제공할 것으로 여겨진다.
본 발명의 상기 및 다른 특성, 특징 및 장점들은 본 발명의 원리를 실시예를 통해 예시하는 첨부 도면과 함께 수록된 다음의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 이러한 설명은 본 발명의 범위를 제한하지 않고, 단지 실시예를 위하여 주어진다. 하기 인용된 참조 도면은 첨부된 도면을 지칭한다.
도1(좌)은 스퍼터링 타겟 튜브의 단면도의 도식 표현이고; 도1(우)은 튜브의 확대 부분을 나타낸다.
도2는 본 발명의 구체예에 따른 스퍼터링 타겟의 탑코트의 단면 현미경 사진이다.
도3은 본 발명의 구체예에 따른 스퍼터링 타겟의 탑코트의 단면 현미경 사진이다.
도4는 본 발명의 구체예에 따른 스퍼터링 타겟의 탑코트의 XRD 스펙트럼이다.
도5는 본 발명의 구체예에 따른 탑코트의 단면 현미경 사진이다.
도6은 본 발명의 구체예에 따른 탑코트를 형성하기 위하여 사용된 분말의 XRD 스펙트럼이다.
도7은 도6의 분말을 용사함으로써 수득된 탑 코트의 XRD 스펙트럼이다.
도8은 본 발명의 구체예에 따른 도6의 분말을 용사함으로써 수득된 탑 코트의 단면 현미경 사진이다.
도9(위)는 본 발명의 구체예에 따른 도8의 탑코트로 스퍼터링 함으로써 수득된 필름의 투과 스펙트럼이다. 도9(아래)는 어닐링(annealing) 후의 동일한 스펙트럼을 나타낸다.
도10은 본 발명의 구체예에 따른 용사로써 수득된 탑 코트의 XRD 스펙트럼이다.
도11은 본 발명의 구체예에 따른 도10의 탑 코트의 단면 현미경 사진이다.
도12는 본 발명의 구체예에 따른 동일한 입자에 Zn 산화물 및 Sn 산화물을 포함하는 단일 입자의 도식 표현이다.
본 발명은 특정 도면을 참조하여 특정 구체예에 관하여 기술될 것이지만 본 발명은 이에 제한되지 않고 오직 청구범위에 의해서만 한정된다. 기재된 도면은 오직 개략적이고 비제한적이다. 도면에서, 일부 요소의 크기는 과장될 수 있으며 예시의 목적을 위한 규모로 도시되지 않을 수 있다. 크기 및 상대적인 크기는 본 발명의 실시를 위한 실재 축소에 부합하지 않는다.
게다가, 명세서 및 청구항에서의 용어 제1, 제2, 제3 등은 유사한 구성 요소를 구분하는데 사용되고, 순위 또는 임의의 다른 방식으로 시간적이거나 공간적인 순서를 설명하기 위한 것이 아니다. 이와 같이 사용된 용어는 적절한 상황하에서 상호 교환되고, 본 명세서에 기재된 본 발명의 구체예는 본 명세서에 기술되거나 예시된 것과는 다른 순서로 실행할 수 있다.
또한, 명세서 및 청구항에서의 용어 상부, 하부, 위, 아래 등은 설명의 목적으로 사용되고 반드시 상대적인 위치를 설명하기 위하여 사용되는 것은 아니다. 이와 같이 사용된 용어는 적절한 상황 하에서 상호 교환되고, 본 명세서에 기재된 본 발명의 구체예는 본 명세서에 기술되거나 예시된 것과는 다른 방향으로 실행할 수 있다.
청구항에 사용된 용어 "포함하는"은 그 앞에 열거된 수단에만 한정되는 것으로 해석되어서는 안되며, 다른 요소 또는 단계를 제외하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 따라서 언급된 특징, 정수, 단계 또는 구성요소의 존재를 지칭된 바와 같이 명시하는 것으로 해석되기 위함이고, 하나 이상의 다른 특징, 정수, 단계 또는 구성요소, 또는 이들 그룹의 존재 또는 첨가를 배제하는 것이 아니다. 따라서, "수단 A 및 B를 포함하는 장치"라는 표현의 범위는 구성요소 A 및 B 만으로 구성된 장치로 제한되지 않아야 한다. 본 발명에 관련된 장치의 구성 요소가 단지 A 및 B임을 의미한다.
본 명세서에 걸친 "하나의 구체예" 또는 "구체예"에 관한 기재는 구체예와 연관되어 기재된 특정한 특징, 구조 또는 특성이 본 발명의 최소 하나의 구체예에 포함됨을 의미한다. 이와 같이, 본 명세서에 걸쳐 다양한 위치에서의 "하나의 구체예에서" 또는 "구체예에서"라는 구문의 등장이 반드시 모두 동일한 구체예를 지칭하고 있지 않지만, 동일한 구체예를 지칭할 수도 있다. 게다가, 하나 이상의 구체예에서, 본 개시로부터의 특정한 특징, 구조 또는 특성은 당업자에게 자명한 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
마찬가지로, 발명의 예시적인 구체예의 설명에서, 발명의 다양한 특징이 개시를 간소화하고 하나 이상의 다양한 발명의 양태의 이해를 돕는 목적을 위하여, 때때로 하나의 구체예, 도면 또는 이의 설명에서 그룹화되는 것은 이해되어야 한다. 그러나, 이러한 개시 방법은 청구된 발명이 각 청구항에서 명백히 인용된 것 보다 더 많은 특징을 필요로 한다는 의도를 반영하는 것으로 해석되어서는 안된다. 오히려, 다음의 청구항들이 반영하는 바와 같이, 본 발명의 양태들은 상기 개시된 하나의 구체예의 모든 특징보다 적은 특징을 나타낸다. 따라서, 상세한 설명에 이은 청구항은 이러한 상세한 설명에 명백하게 포함되고, 각각의 청구항은 그 자체를 본 발명의 개별적인 구체예로서 나타낸다.
게다가, 본 명세서에 기재된 일부 구체예는 다른 구체예에 포함되는 다른 특징이 아닌 일부 특징을 포함하는 반면, 서로 다른 구체예의 특징들의 조합은 당업자에게 이해되는 바와 같이 본 발명의 범위 내에 있으며 상이한 구체예를 형성한다. 예를 들어, 다음의 청구항에서, 임의의 청구된 구체예들이 임의의 조합으로 사용될 수 있다.
게다가, 일부 구체예는 컴퓨터 시스템의 프로세서에 의해 또는 기능을 수행하는 다른 수단에 의해 구현될 수 있는 방법 또는 방법의 요소의 조합으로 본 명세서에 기재된다. 따라서, 이러한 방법 또는 방법의 요소를 수행하기 위한 필요한 지시를 가지는 프로세서는 방법 또는 방법의 요소를 수행하기 위한 수단을 형성한다. 게다가, 장비 구체예의 본 명세서에 기재된 요소는 본 발명을 수행하기 위하여 상기 요소에 의해 실행되는 기능을 수행하기 위한 수단의 예시이다.
본 명세서에 제공된 설명에, 다수의 특정 세부 사항이 기재된다. 그러나, 발명의 구체예는 이러한 특정 세부 사항 없이 실시될 수 있는 것으로 여겨진다. 다른 예에서, 공지된 방법, 구조, 기술은 이러한 설명의 이해를 모호하게 하지 않기 위하여 상세히 나타나지 않았다.
다음의 용어는 오로지 본 발명의 이해를 돕기 위해서만 제공된다.
본 명세서에 사용되고 달리 제공되지 않는 한, 용어 "아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물"은 최소 아연을 포함하는 산화 화합물 및 최소 주석을 포함하는 산화 화합물 (및 선택적으로 갈륨을 포함하는 산화 화합물)을 포함하는 둘 이상의 산화 화합물의 혼합물을 지칭하고, 아연을 포함하는 상기 산화 화합물 및 주석을 포함하는 상기 산화 화합물 (및 선택적으로 갈륨을 포함하는 상기 산화 화합물)은 존재하는 금속 수만큼 많거나(예로써, 2 또는 선택적으로 3), 최소 하나의 산화 화합물이 최소 두 개의 금속을 포함하여 산화 화합물의 수보다 적게(예로써, Zn2SnO4 또는 ZnGa2O4) 존재한다.
본 명세서에 사용되고 달리 제공되지 않는 한, 용어 "아연 주석산염 산화물"은 최소 아연 및 주석을 이의 조성으로 포함하는 산화 화합물에 관련한다. 전형적인 예로는 Zn2SnO4 이지만, 비-화학양론적 화합물과 같은 다른 화합물 또한 이러한 정의에 포함된다.
본 발명은 이제 본 발명의 여러 구체예의 상세한 설명으로 기술될 것이다. 본 발명의 다른 구체예가 본 발명으로부터 벗어나지 않고 당업자의 지식에 따라 구성될 수 있고, 본 발명이 첨부되는 청구항의 용어에 의해서만 제한되는 것은 명백하다.
실시예
하기 실시예 1, 2, 4, 6, 및 8은 스퍼터링 타겟 기판에 혼합물을 용사함으로써 실행되었고, 이로 인해 도1에 도식화된 바와 같이, 스퍼터링 타겟(4)를 수득하였다. 스퍼터링 타겟 기판은 백킹 튜브(1) 및 고융점 Ni 합금 결합 코트(2)로 구성된다. 백킹 튜브(1)은 상대적으로 높은 거칠기(roughness)를 가지고 결합 코트(2)는 수백 μm의 두께를 가진다. 용사 공정은 스퍼터링 타겟 기판 상에 최소 부분적으로 용융된 산화물 재료의 방울을 가속 및 사출(본 경우에는 분사)로 구성되고, 상기 기판에서 입자들은 충돌로 평평해지고, 고화하여 코팅을 형성한다. 공급 재료인 분말 입자는 전형적으로 10 내지 90 미크론의 크기 범위 내이고 자유롭게 유동하여, 이러한 분말이 가스, 전형적으로 아르곤에 의해 운반되면서, 장치에 공급 호스 및 주입기를 통해 지속적으로 분사 장치 내로 공급되도록 한다. 이러한 실시예에서 플라즈마 분사 시스템이 사용되었다. 플라즈마 분사 시스템은 40 내지 90 kW의 전력에서 아르곤, 질소 및 수소 가스의 혼합물로 가동되었다. 상기 분사 시스템은 120 g/분의 공급 능력을 가졌다.
실시예 1: Zn:Sn의 원자 비가 65:35인 ZnO 및 SnO 2 의 단순 분말 블렌드의 용사.
Malvern 입자 크기 분석기로 측정되어 각각 10 내지 90 미크론의 평균 입자 직경을 가지는 상용의 분사-응집된 및 소결된 순수 ZnO 및 순수 SnO2 입자를, Zn:Sn의 원자 비가 65:35 at% 로 회전 혼합 용기에서 20분간 혼합하고 이후 전술한 바와 같이 용사하였다. ZnO 및 SnO2 모두에 대해 상기 입자는 전형적으로 5 미크론보다 작고 99.99 wt%의 금속 순도를 가지는 전형적으로 아주 미세한 원료 분말로부터 제조된다. 작은 원료 입자는 전형적으로 화학 결합제의 첨가로 물에 분산되고, 분사-응집되고, 소결되어 이후 용사에 적합한 입자 크기로 체별하였다. 도2는 용사 절차 이후 탑 코트의 구조를 나타낸다. 증착된 SnO2 입자는 대부분이 용융되지 않았고, X-Ray 회절로 측정된 바와 같이 Zn2SnO4 스피넬이 형성되지 않았다. 상의 균일성은 최적은 아니지만 허용 가능한 것으로 보였다. 아르키메데스법에 의해 측정된 탑 코트의 밀도는 4.7 g/cm3 미만이고, 이것 역시 허용 가능하지만 최적은 아니다. 코팅은 다음의 실시예보다 낮은 강도 및 무결성을 얻었음에도 불구하고, 30 cm의 타겟을 제조할 수 있었다.
실시예 2: Zn:Sn의 원자 비가 41:59인, 밀접하게 접촉된 ZnO 및 SnO 2 분말의 용사.
실시예 1의 각각 10 내지 90 미크론의 평균 입자 직경을 가지는 상용의 분사-응집된 및 소결된 ZnO 및 SnO2 분말을 수동으로 블렌드하고, 평균 크기 1 마이크로미터 미만의 훨씬 작은 상용의 ZnO 입자와 1시간 동안 혼합하여, 2시간 동안 소결시키고 10 내지 100 미크론 크기 범위로 체별하였다. 이러한 절차는 Zn 및 Sn 산화물 성분 모두가 단일 입자 내에 존재하도록 촉진하였다(도 12 참고). 상기 혼합물의 용사로 Zn:Sn의 비가 41:59 at%를 차지하는 탑 코트를 생성했다. 수득된 탑코트의 강도는 매우 우수했고, 8.3%의 다공도를 가지며, 최소 5.11 g/cm3의 밀도를 가졌다. EDX 원소 맵핑(elemental mapping)에 의해 측정된 Zn 및 Sn 원소는 실시예 1의 원소 보다 더욱 잘 분포되었다. 도3은 상기 절차가 단일 입자 내 구성 요소의 밀접한 접촉을 포함할 때, 탑 코트에 대하여 수득된 구조를 나타낸다. 백색의 미크론 크기의 SnO2 미립자는 EDX로 측정된 바와 같이, 회색의 아연 주석산염 산화물 매트릭스에 균일하게 분산되었다. 검은색 영역은 다공도이다. 탑 코트 내에 주석 산화물 및 아연 주석산염 산화물의 존재(Zn2SnO4 스피넬 및 기타 비-화학양론적 화학종)가 XRD로 입증되었다. 이러한 타겟의 탑 코트 내에서 ZnO는 발견되지 않았다. 타겟은 회색이며, 평행의 어두운 줄무늬를 나타냈다. 상기 줄무늬 내에서 일부 작은 기공이 관찰되었고, 타겟의 단부를 향하는 작은 균열이 존재했다. 타겟은 880 mm의 길이를 가졌다.
실시예 1 및 2에 대한 결론 :
혼합물의 품질이 수득된 탑 코트의 균일성, 밀도 및 강도에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 또한 Zn2SnO4 스피넬과 같은 아연 주석산염 산화물의 형성에 긍정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다.
실시예 3: 실시예 2 의스퍼터링 타겟을 사용한 기판 상의 필름 생성.
실시예 2의 스퍼터링 타겟이 DC 스퍼터링 공정을 통해 스퍼터된 필름을 생성하기 위하여 사용되었다. 타겟의 안정성을 테스트하기 위하여, 무산소 분위기에서 20시간 이상 8kW/m에서 스퍼터링을 실시하였다. 스퍼터 공정은 안정했다. 필름을 제조하기 위하여, 무산소 분위기에 1시간 20분 간 18kW/m에서 스퍼터링을 실시하였다. 두 증착 사이의 코팅기의 개방 시간을 가능한 많이 제한하였다. 아크율은 약 10 μarcs/s @18kW/m이었다. 이것은 상기 높은 전력에 대하여 낮은 아크율이다. 사용된 최대 램핑 속도(ramping speed)는 4kW/min/m이었다. 증착 동안 압력은 3.0*10-3 mbar이었다. 증착 속도는 kW/m의 전력 밀도에 대하여 미터당 및 분당 6.5 nm이었다. 어떠한 손상, 균열 또는 먼지 형성은 타겟에 유입되지 않았다. 증착 동안 유리 기판을 400 ℃ 로 가열하였다. 하기 표는 상기 절차로 수득된 두 개의 샘플의 성질을 나타낸다. 이러한 표에서, "Th."는 타원계측법(ellipsometry)으로 측정된 두께를 나타내고; "4 p resist."는 4-포인트 프로브로 측정된 전기 저항을 나타내고, μ는 van der Pauw 방법을 이용하여 Hall 효과로부터 측정된 캐리어 이동도이고; "Gr. XRD"는 0.6°의 입사각에서 스침각(grazing angle) XRD로 측정된 (비정질 또는 결정질) 상이고; "n"은 굴절률을 나타내고; "k"는 50°의 입사각으로 190 nm 내지 2500 nm에서 타원계측법(Sentech)으로 측정된 흡광 계수를 나타내고; "Am"은 비정질을 나타내고; "Cr." 결정질을 나타낸다. 이러한 절차로 수득된 코팅은 결정질이며, 이것은 박막 트랜지스터 내의 반도체 채널 레이어에 사용을 위한 최적은 아니다.
샘플 타겟
Zn:Sn		 Th. (nm) 4p resist.
(Ωm)		 μ
(cm2/Vs)		 Gr.
XRD		 n
550 nm		 k
550 nm
BAC-3 41:59 290 1,5.10-3 5 Cr. 2,02 0,0057
BAC-4 41:59 217 3,2.10-3 4 Cr. 2,02 0,0030
실시예 4: Zn:Sn의 원자 비가 68:32로 ZnO 분말과 블렌드된 SnO 2 분말의 용사
Zn:Sn의 비가 68:32로 블렌드 중의 전체 Zn 함유량이 증가하는 그러한 방식으로, 10 내지 90 미크론의 입자 크기를 가지는 상용 분사-응집된 및 소결된 ZnO 입자와 실시예 2에서 제조된 바와 같이 ZnO 성분을 함유하는 SnO2 입자를 20분간 회전 혼합 용기에서 혼합하였다. 상기 혼합물의 용사는 상응하는 Zn:Sn 비를 포함하는 탑 코트를 생성하였다. 수득한 탑 코트의 밀도는 최소 5.11 g/cm3이었다. 탑 코트 내 주석 산화물, 아연 산화물 및 아연 주석산염 산화물(Zn2SnO4 스피넬 및 기타 비-화학양론적 화학종)의 존재가 관찰되었다(도 4참고). 도4에서, 실시예 4의 탑 코트에 대하여 실선 화살표로서 가리킨 XRD 피크는 주석석 상(cassiterite phase)의 SnO2 에 상응하고; 점선 화살표로서 가리킨 피크는 Zn2SnO4의 스피넬 유형(또는 유사하지만 비-화학양론적 화학종)에 상응하고, 파선 화살표는 육방정상의 ZnO에 상응한다. 도5는 탑 코트에 대하여 수득된 구조를 나타낸다. 상기 구조는 실시예 2의 백색의 미크론 크기의 SnO2 미립자가 아연 주석산염의 회색 매트릭스에 균일하게 분산되어있는 구조와 유사하지만, 이제 상기 매트릭스는 보다 큰 용융된 ZnO 입자로 산재되어 있다. 타겟은 회색이며 평행의 어두운 줄무늬를 나타냈다. 상기 줄무늬 내에 일부 작은 기공이 관찰되었지만, 균열은 존재하지 않았다. 타겟은 880 cm의 길이를 가졌다.
실시예 5: 실시예 4 의스퍼터링 타겟을 사용한 기판 상의 필름 생성
실시예 4의 스퍼터링 타겟이 실시예 3과 유사한 DC 스퍼터링 공정을 통해 스퍼터된 필름을 생성하기 위하여 사용되었다. 타겟의 안정성을 테스트하기 위하여, 무산소 분위기에서 20시간 이상 18kW/m에서 스퍼터링을 실시하였다. 스퍼터 공정은 안정했다. 필름을 제조하기 위하여, 무산소 분위기에서 2시간 40분 간 18kW/m에서 스퍼터링을 실시하였다. 두 증착 사이의 코팅기의 개방 시간을 가능한 많이 제한하였다. 증착 동안 압력은 3.0*10-3 mbar이었다. 아크율은 약 15 μarcs/s @18kW/m이었다. 사용된 최대 램핑 속도는 4kW/min/m이었다. 증착 속도는 1 kW/m의 전력 밀도에 대하여 미터당 및 분당 6.5 nm이었다. 어떠한 손상, 균열 또는 먼지 형성은 관찰되지 않았다. 증착 동안 유리 기판을 400 ℃ 로 가열하였다. 하기 표는 상기 절차로 수득된 두 개의 샘플의 성질을 나타낸다. 상기 절차로 제조된 샘플은 높은 캐리어 이동도를 나타내고, 금속 산화물 박막 트랜지스터에 적합한 XRD 비정질이다.
샘플 타겟
Zn:Sn		 Th. (nm) 4 p resist.
(Ωm)		 μ
(cm2/Vs)		 Gr.
XRD		 n
550 nm		 k
550 nm
BAC-1 68:32 225 1,2.10-4 26 Am. 2,05 0,0060
BAC-2 68:32 223 1,6.10-4 27 Am. 2,05 0,0062
실시예 6: Zn:Sn의 원자 비가 68:32인 ZnO 및 SnO 2 과 밀접하게 혼합된 분말의 용사
단일 분말 입자 내에 밀접한 접촉으로 ZnO 및 SnO2 성분을 함유하는 응집된 및 소결된 분말을 전술한 바와 같이 용사하였다. Zn:Sn 비는 68:32이었다. 분말은 10 내지 90 미크론의 평균 입자 직경을 가졌다. 이러한 용사된 분말은 5 미크론 보다 작고 99.99 wt%의 금속 순도를 가지는, 아주 미세한 원료 분말로부터 제조된다. 작은 원료 입자는 응집에 적절한 밀접한 혼합물을 수득하기 위한 방식으로 분산된다. 결과로 생성된 응집체는 전형적으로 1300 ℃를 초과하지 않는 온도에서 소결된다. 이러한 분말의 일부는 상기와 같이 용사 단계에 적합한 입자 크기로 체별하였다. 이러한 절차를 사용하여 단일 분사 입자 내에 밀접하게 접촉하는 Zn 및 Sn 산화물 성분을 가질 수 있다. Zn2SnO4 스피넬이 분말 생산의 상기 소결 단계 동안 생성될 수 있다. 이러한 실시예에서의 상기 분말에 대하여, 도6은 아연 주석산염 산화물(스피넬)의 존재를 나타내지만, 여전히 상당한 양의 SnO2 및 ZnO를 함유하고 있다. 이러한 분말은 실시예 2와 유사한 방식으로 스퍼터링 타겟을 위한 탑 코트를 형성하는데 사용되었다. 이러한 혼합물의 용사로 Zn:Sn의 비를 68:32 로 포함하는 탑 코트를 생성하였다. 수득된 탑 코트의 상 동일성은 매우 우수했다. 수득된 탑 코트의 밀도는 최소 5.37 g/cm3었다. 타겟은 줄무늬, 기공 또는 균열 없이 균일한 외관을 가졌다. 타겟의 길이는 880 mm 이었다. 도7은 결과로 생성된 탑 코트의 스펙트럼을 나타낸다. 도7은 단지 소량의 SnO2 및 ZnO를 가지는 대부분 아연 주석산염 스피넬의 존재를 나타낸다. 도8에서, 이러한 탑 코트는 도5의 탑 코트보다 상이 더욱 균일한 것을 발견할 수 있다.
실시예 7: 실시예 6 의스퍼터링 타겟을 사용한 기판 상의 필름 생성.
실시예 6의 스퍼터링 타겟이 실시예 5과 유사한 DC 스퍼터링 공정을 통해 스퍼터된 필름을 생성하기 위하여 사용되었다. 타겟의 안정성을 테스트하기 위하여, 무산소 분위기에서 20시간 이상 18kW/m에서 스퍼터링을 실시하였다. 스퍼터 공정은 안정했다. 아크율은 약 5 μarcs/s @18kW/m이었다. 이것은 상기 높은 전력에 대하여 낮은 아크율이다. 사용된 최대 램핑 속도는 4kW/min/m이었다. 증착 속도는 1 kW/m의 전력 밀도에 대하여 미터당 및 분당 7 내지 10 nm 이었다. 어떠한 손상, 균열 또는 먼지 형성은 관찰되지 않았다. 이후 아르곤 가스 중의 1 내지 10%의 산소, 2·10-3 내지 8·10-3 mbar의 압력, 6 내지 18 kW/m의 전력 밀도에서 스퍼터된 필름이 생산되었다. 증착 동안 외부에서 기판을 가열하지 않았다. 그러나, 180 ℃에서 진공으로 샘플을 포스트 어닐링하였다. 하기 표는 상기 절차로 수득된 두 개의 샘플의 성질을 나타낸다. 분광 광도계로 측정된, 유리 상의 180 nm 두께의 투과 스펙트럼이 도9에 나타난다(180 ℃에서 어닐링 이전(상부, 1점 쇄선) 및 이후(하부, 점선)). 샘플은 높은 광학 투과율을 가졌다. 샘플은 XRD 비정질이었다. TFTs의 제조에 적합한 Si/SiO2 기판 상 필름의 초기 비저항은 0.0023 내지 0.013 Ω.m이었다.
샘플 스퍼터 전력 (kW/m) Ar중 O2 (%) 아크/sec 압력
(μbar)		 증착 속도
(nm m/min) / (kW/m)		 Th. (nm) 4 p resist.
(Ωm)		 μ
(cm2/Vs)		 Gr.
XRD		 n
@550 nm
SAC 5-6H 12 4 0,8 4 8,7 180 2,33.10-3 18,8 Am. 2,05
SAC 6-7H 12 6 0,5 4 7,7 179 1,23.10-2 20,57 Am. 2,05
실시예 8: Ga:Zn:Sn의 원자 비가 7:60:33인 Ga 2 O 3 - ZnO - SnO 2 밀접한 혼합물의 용사.
단일 분말 입자 내에 밀접한 접촉으로 Zn, Sn 및 Ga 산화물 성분을 함유하는 응집된 및 소결된 분말을 전술한 바와 같이 용사하였다. Ga:Zn:Sn의 비는 7:60:33이었다. 응집을 위하여 밀접한 혼합물로 미크론-크기의 Ga2O3, 입자를 유입하는, 응집된 및 소결된 분말의 제조를 위한 전형적인 절차를 사용하였다. 소결 단계는 입자가 파단 또는 분해되지 않는 전형적으로 그러한 단계였다. 이러한 분말의 일부는 상기와 같이 용사 단계에 적합한 입자 크기로 체별하였다. 발명자들은 충분한 Zn2SnO4 스피넬 형성에 충분히 높은 온도에서 미크론-크기의 ZnO, SnO2 및 Ga2O4 입자의 밀접한 혼합물의 긴 소결 단계가 소결체 또는 분말을 파단하는 것을 발견하였다. 파단은 분말을 용사 단계에 부적합하게 만들 것이다. 뜻밖에도, 단지 소량의 Zn2SnO4 스피넬을 가지거나 전혀 가지지 않는 이러한 분말의 용사 단계는 대부분 Zn2SnO4 스피넬로 구성된 균일하고 경성인 탑 코트를 야기하였다. 길이가 50 cm 보다 훨씬 긴 코팅을 수득할 수 있었고, 길이에 대한 상한은 검출되지 않았다. 갈륨 화학종은 단면 현미경 사진에서 원소 맵핑으로 입증된 바와 같이 코팅 내에 잘 분산되었다. 수득된 탑 코트의 상의 균일성은, 대부분 Zn2SnO4 이고 보다 소량의 ZnO2 및 SnO2 성분을 가져 매우 우수하였다. 도10은 수득된 탑 코트의 XRD 스펙트럼을 나타낸다. Ga 산화물은 아연 주석산염 산화물 스피넬 중에 용해되어 XRD 스펙트럼에서 관찰되지 않는다. 도11은 타겟의 탑-코트의 단면 현미경 사진을 나타낸다. 수득된 탑 코트의 밀도는 최소 5.7 g/cm3 이었다. 타겟은 줄무늬, 기공 또는 균열 없이 거시적으로 균일한 외관을 가졌다. 타겟의 길이는 880 mm 이었다. 다공도는 3% 미만이었다. 타겟의 비저항은 1.94*10-2 Ω.m이었다.
실시예 9: 실시예 8 의스퍼터링 타겟을 사용한 기판 상의 필름 생성.
실시예 8의 스퍼터링 타겟이 실시예 7과 유사한 DC 스퍼터링 공정을 통해 스퍼터된 필름을 생성하기 위하여 사용되었다. 타겟의 안정성을 테스트하기 위하여, 무산소 분위기에서 20시간 이상 18kW/m에서 스퍼터링을 실시하였다. 스퍼터 공정은 안정했다. 아크율은 약 5 μarcs/s 미만 @18kW/m이었다. 이것은 상기 높은 전력에 대하여 매우 낮은 아크율이다. 사용된 최대 램핑 속도는 4kW/min/m이었다. 증착 속도는 1 kW/m의 전력 밀도에 대하여 미터당 및 분당 7 내지 10 nm 이었다. 어떠한 손상, 균열 또는 먼지 형성은 관찰되지 않았다. 이후 아르곤 가스 중의 1 내지 10%의 산소, 2·10-3 내지 8·10-3 mbar의 압력, 6 내지 18 kW/m의 전력 밀도에서 스퍼터된 필름이 제조되었다. 증착 동안 외부에서 기판을 가열하지 않았다. 180 ℃에서 진공으로 샘플을 포스트 어닐링하였다. 하기 표는 상기 절차로 수득된 두 개의 샘플의 성질을 나타낸다. 분광 광도계로 측정된, 유리 상의 170 nm 두께의 투과 스펙트럼이 도9에 나타난다 (180 ℃에서 어닐링 이전(상부, 파선) 및 이후(하부, 실선)). 샘플은 높은 광학 투과율을 가졌다. 샘플은 XRD 비정질이었다. TFTs의 제조에 적합한 Si/SiO2 기판 상 필름의 초기 비저항은 0.02 내지 0.5 Ω.m이었다.
샘플 스퍼터 전력 (kW/m) Ar 중의 O2 (%) 아크/sec 압력
(μbar)		 증착 속도 (nm m/min) / (kW/m) Th. (nm) 4 p resist.
(Ωm)		 Gr.
XRD		 n
@550 nm
SAC 7-4H 12 4 0,7 4 8,1 171 2,6.10-2 Am. 2,05
본 발명에 따른 장치에 대하여 바람직한 구체예, 특정 재료뿐만 아니라 구조 및 구성이 본 명세서에 논의되고 있지만, 형태 및 세부 사항에서 다양한 변화 또는 변형이 본 발명의 범위 및 정신을 벗어나지 않고 이루어질 수 있음은 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 주어진 임의의 방식은 사용될 수 있는 절차의 단지 대표일 뿐이다. 블록 다이어그램(block diagram)에 기능을 추가하거나 기능이 제거될 수 있고, 기능 블록들(functional block) 사이에서 작동이 상호 교환될 수 있다. 본 발명의 범위 내에서 기술된 방법에 단계가 추가되거나 삭제될 수 있다.
본 발명으로 이어지는 상기 연구는 유럽 연합의 7차 프레임워크 프로그램(FP7/2007-2013)으로부터 지원 협약 제 NMP3-LA-2010-246334아래 통해 자금을 지원받고 있다.

Claims (17)

  1. 아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 포함하는 일체형 탑 코트를 가지고, 상기 일체형 탑 코트는 최소 80 cm의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Ga의 비율은 3 내지 15 at%, 더욱 바람직하게 4 내지 9 at%인 스퍼터링 타겟.

  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, Ga, Zn 및 Sn 전체 양에 대한 산화물의 상기 혼합물 중의 Zn의 비율은 15 내지 85 at%, 바람직하게는 56 내지 70 at% 이고, 산화물의 상기 혼합물 중의 Sn의 상대적인 비율은 Ga, Zn 및 Sn의 전체 양과 비교할 때 15 내지 55 at%, 바람직하게는 28 내지 35 at%인 스퍼터링 타겟.
  4. 선행하는 청구항들 중 어느 한 항에 있어서, at%로 나타낸 상기 탑 코트 내 존재하는 모든 아연 주석산염 산화물의 합계는 내부에 존재하는 다른 임의의 산화물을 초과하는 스퍼터링 타겟.
  5. 선행하는 청구항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 일체형 탑 코트를 구성하는 물질은 10 Ψ. m 미만, 바람직하게는 1 Ψ. m 미만, 더욱 바람직하게 0.1 Ψ. m 미만, 가장 바람직하게는 3*10-2 Ψ. M 미만의 비저항을 가지고, 상기 비저항은 2개의 외부 프로브를 가지는 4 포인트 프로브 비저항 측정 장치에 의하여 측정되고, 상기 비저항은 상기 장치의 외부 프로브 거리의 최소 2배의 두께를 가지는 상기 물질의 일체형 탑 코트 상에서 측정되는 스퍼터링 타겟.
  6. 선행하는 청구항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탑 코트는 단면 SEM 화상 분석에 의해 측정된 바와 같이, 10% 미만, 바람직하게는 5% 미만, 더욱 바람직하게 3% 미만의 다공도를 가지는 스퍼터링 타겟.
  7. 선행하는 청구항들 중 어느 한 항에 있어서, 산화물의 상기 혼합물은 상기 탑 코트의 최소 99 at%, 바람직하게는 최소 99.5 at%, 더욱 바람직하게 최소 99.9 at% 에 이르는 스퍼터링 타겟.
  8. 선행하는 청구항들 중 어느 한 항에 있어서, 원통 형태를 가지는 스퍼터링 타겟.
  9. 선행하는 청구항들 중 어느 한 항에 있어서, 스퍼터링 타겟은 내부 백킹 튜브 및 상기 탑 코트와 상기 백킹 튜브를 결합시키는 결합 코트를 추가로 포함하고, 상기 결합 코트는 200°C 초과, 바람직하게는 300°C 초과 및 더욱 바람직하게 400°C 초과의 용융 온도를 가지는 급속 합금인 스퍼터링 타겟.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링함으로써 기판 상에 코팅을 형성하는 공정.
  11. 제10항에 있어서, 상기 스퍼터링은 350 kHz 이하의 주파수에서의 DC 스퍼터링, 펄스 DC 스퍼터링 또는 AC 스퍼터링인 공정.
  12. 제10항에 있어서, 상기 스퍼터링은 타겟 길이 미터당 최소 10kW의 평균 DC 전력의 전력 밀도에서 실시되는 공정.
  13. 최소 10 cm, 바람직하게는 최소 20 cm, 더욱 바람직하게 최소 30 cm 및 더욱 바람직하게 최소 50 cm의 길이를 가지고, 기판 표면 상에 비정질 반도성 코팅을 가지며, 상기 코팅은 5% 미만, 바람직하게는 2.5% 미만, 더욱 바람직하게는 심지어 1.5% 미만의 상대 표준 편차를 특징으로 하는 두께 균일성을 가지고, Zn, Sn 및 선택적으로 Ga의 산화물을 포함하는 기판.
  14. 제13항에 따른 기판을 포함하는 박막 트랜지스터.
  15. 제14항에 따른 박막 트랜지스터를 포함하는 액티브 매트릭스 디스플레이 장치.
  16. 다음의 단계를 포함하는, 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법:
    a.아연, 주석 및 선택적으로 갈륨의 산화물의 혼합물을 제공하는 단계, 상기 혼합물은 동일한 입자 내에 Zn, Sn 및 선택적으로 Ga의 산화물을 포함하는 입자를 포함함,
    b.상기 혼합물을 1000 ℃ 초과 온도로 가열하는 단계,
    c.스퍼터링 타겟 기판을 제공하는 단계, 및
    d.상기 가열된 혼합물을 상기 스퍼터링 타겟 기판 상에 사출(projecting), 바람직하게는 분사하여, 상기 스퍼터링 타겟 기판 상에 상기 가열된 혼합물을 냉각시키고 고화시키는 단계.
  17. 제16항에 있어서, 단계 b 및 d의 합으로 걸린 총 시간은 1초 미만인 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170113234A (ko) * 2016-03-28 2017-10-12 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019079207A1 (en) * 2017-10-16 2019-04-25 Materials Science International, Inc. PROCESS FOR PRODUCTION OF CATHODIC SPUTTER TARGET IN ZINC STANNATE
BE1025799B1 (nl) * 2017-12-18 2019-07-19 Soleras Advanced Coatings Bvba Gespoten lithiumcobaltoxide-targets
KR20240013218A (ko) 2021-06-04 2024-01-30 제이엑스금속주식회사 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5171411A (en) * 1991-05-21 1992-12-15 The Boc Group, Inc. Rotating cylindrical magnetron structure with self supporting zinc alloy target
JPH05156431A (ja) 1991-11-29 1993-06-22 Asahi Glass Co Ltd 回転カソードターゲットの製造方法
WO1997008359A1 (fr) * 1995-08-23 1997-03-06 Asahi Glass Company Ltd. Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente
GB9600210D0 (en) 1996-01-05 1996-03-06 Vanderstraeten E Bvba Improved sputtering targets and method for the preparation thereof
JPH1068072A (ja) * 1996-08-26 1998-03-10 Japan Energy Corp Ｉｔｏシリンドリカルターゲットおよびその製造方法
CN1369572A (zh) 2001-04-03 2002-09-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 氧化物透明导电薄膜材料
WO2006038538A1 (ja) * 2004-10-01 2006-04-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法
JP5395994B2 (ja) * 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
JP4552950B2 (ja) * 2006-03-15 2010-09-29 住友金属鉱山株式会社 ターゲット用酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜
KR101137906B1 (ko) * 2006-08-03 2012-05-03 삼성코닝정밀소재 주식회사 회전식 타겟 어셈블리
WO2009078330A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Hitachi Metals, Ltd. 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、このスパッタリングターゲットを用いて形成された電極
JP5024226B2 (ja) * 2008-08-06 2012-09-12 日立金属株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜
JP5679315B2 (ja) * 2010-03-31 2015-03-04 日立金属株式会社 円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法
JP2012107296A (ja) * 2010-11-18 2012-06-07 Tosoh Corp セラミック溶射円筒ターゲットの製造方法
DE112012002394T5 (de) * 2011-06-08 2014-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sputtertarget, Verfahren zum Herstellen eines Sputtertargets und Verfahren zum Bilden eines Dünnfilmes
CN102286717B (zh) * 2011-09-01 2013-07-03 基迈克材料科技（苏州）有限公司 以等离子喷涂制备圆柱形大面积镀膜靶材及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170113234A (ko) * 2016-03-28 2017-10-12 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법

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