KR20170113234A - 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20170113234A
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도모마사 구마가이
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히타치 긴조쿠 가부시키가이샤
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Abstract

분할 스퍼터링 타깃에 있어서의 분할수를 저감하기 위한 긴 제품이며, 또한 산화물 반도체막의 두께를 균일하게 컨트롤하는 측면에서 적합한 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법을 제공한다.
금속 성분 전체에 대하여, Sn을 20 내지 50원자％ 함유하고, 잔부가 Zn 및 불가피적 불순물로 이루어지는 산화물 소결체이며, 또한 긴 변이 660mm 이상, 짧은 변이 200mm 이상, 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)이 0.4％ 이하인 스퍼터링 타깃재이다.

Description

스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법 {SPUTTERING TARGET MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 예를 들어 대형 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등을 구동하는 박막 트랜지스터의 산화물 반도체막을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함)로 구동하는 방식의 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 표시 장치에서는, TFT의 채널층에 비정질 실리콘막이나 결정질 실리콘막을 채용한 것이 주류이다. 그리고, 디스플레이의 고정밀화의 요구에 수반하여, TFT의 채널층에 사용되는 재료로서 산화물 반도체가 주목받고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에 개시가 있는 In(인듐)과 Ga(갈륨)와 Zn(아연)과 O(산소)를 포함하는 산화물 반도체막(이하, 「I-G-Z-O 박막」이라고 함)은, 우수한 TFT 특성을 갖는 것으로서 실용화가 개시되어 있다. 이 I-G-Z-O 박막에 포함되는 In이나 Ga는, 일본에서는 레어 메탈 비축 대상 강종으로 지정된 희소하면서도 고가의 금속이다.
따라서, 상기 I-G-Z-O 박막에 포함되는 In이나 Ga를 함유하지 않는 산화물 반도체막으로서, Zn과 Sn(주석)과 O를 포함하는 Zn-Sn-O계 산화물 반도체막(이하, 「ZTO계 박막」이라고 함)이 주목받고 있다. 그리고, 이 ZTO계 박막은, 스퍼터링 타깃을 사용한 스퍼터링법에 의해 성막된다. 이 스퍼터링법이란, 이온이나 원자 또는 클러스터를 스퍼터링 타깃 표면에 충돌시켜, 그 물질의 표면을 깎음(혹은 날림)으로써, 그 물질을 구성하는 성분을 기판 등의 표면 상에 퇴적시켜 성막하는 방법이다.
여기서, ZTO계 박막은, 산소를 함유하는 박막이기 때문에, 스퍼터링법에 있어서는 산소를 함유한 분위기에서 성막하는 소위 반응성 스퍼터링법이 사용되고 있다. 이 반응성 스퍼터링법이란, 아르곤 가스와 산소 가스로 구성되는 혼합 가스의 분위기 하에서 스퍼터링하는 방법이며, 이온이나 원자 또는 클러스터를 산소와 반응시키면서 스퍼터링함으로써, 산화물계 박막을 형성한다고 하는 방법이다.
그리고, 이 반응성 스퍼터링법에 사용하는 스퍼터링 타깃은, 상기 ZTO계 박막의 성분 조성에 근사한 성분 조성을 갖는 ZTO계 산화물 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃재가, 백킹 플레이트 상에 납땜재로 본딩된 상태로 사용된다.
한편, 최근의 상기 표시 장치의 대형화에 수반하여, 길이가 2m를 초과하는 긴 스퍼터링 타깃이 필요해지게 되었다.
그러나, 산화물 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃은, 그 소재가 단단하고 무른 산화물로 이루어지기 때문에, 긴 재료의 제조가 곤란한 데에 추가하여, 산화물 소결체와 백킹 플레이트의 열팽창차에 의해, 본딩 시에 균열이 우려된다. 이 때문에, 복수의 타깃 부재를 병렬 접합한 분할 스퍼터링 타깃이 채용되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 접합된 타깃 부재 간에 형성되는 이음매를 따라, 백킹 플레이트에 보호체를 설치하는 방법이 제안되어 있다.
일본 특허 공개 제2012-127005호 공보
그러나, 특허문헌 1에서 제안되어 있는 분할 스퍼터링 타깃은, 타깃 부재 각각의 치수가, 긴 변 355mm, 짧은 변 210mm, 두께 6mm라고 하는 비교적 소면적의 스퍼터링면을 갖는 타깃 부재를 복수 병렬 접합하여 제조된다.
상기에서 설명한 길이가 2m를 초과하는 긴 스퍼터링 타깃을 상기 방법으로 얻기 위해서는, 타깃 부재의 분할수가 많아져 버려, 백킹 플레이트 상에 수 매나 되는 타깃 부재를 본딩할 필요가 있다. 그리고, 본 발명자의 검토에 따르면, 타깃 부재를 핸들링할 때 균열이 발생하거나, 인접하는 타깃 부재와의 위치 정렬에 엄청난 공정수가 필요하게 되거나 하는 것을 확인하였다. 또한, 분할수가 많으면, 성막 시의 타깃 부재의 이음매에 잔존하는 본딩재 등에 기인하는 불순물이 산화물 반도체막에 혼입될 우려도 있다.
또한, 본 발명자의 검토에 따르면, 스퍼터링 타깃의 두께 방향으로 상대 밀도의 변동이 있는 경우에는, 그 밀도차에 의해 성막 속도가 변화되어 버려, 산화물 반도체막의 두께를 컨트롤하는 것이 곤란하게 되고, 산화물 반도체막의 두께가 불균일하게 되는 경우가 있다는 것을 확인하였다.
본 발명의 목적은, 분할 스퍼터링 타깃에 있어서의 분할수를 저감하기 위한 긴 제품이며, 또한 산화물 반도체막의 두께를 균일하게 컨트롤하는 측면에서 적합한 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 금속 성분 전체에 대하여, Sn을 20 내지 50원자％ 함유하고, 잔부가 Zn 및 불가피적 불순물로 이루어지는 산화물 소결체이며, 또한 긴 변이 660mm 이상, 짧은 변이 200mm 이상, 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)이 0.4％ 이하인 스퍼터링 타깃재이다.
또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 상대 밀도의 평균값이 98.0％ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 금속 성분 전체에 대하여, Al, Si, Ga, Mo 및 W 중 1종 이상을 합계로 0.005 내지 4.000원자％ 함유하는 것이 바람직하다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 조립분을 제작하는 공정과, 상기 조립분을 하소하여 하소 분말을 제작하는 공정과, 상기 하소 분말을 습식 해쇄한 후, 주입 성형에 의해 성형체를 제작하는 공정과, 비환원성 분위기에 대기를 도입하면서 상기 성형체의 소성을 행하는 공정을 거쳐 얻을 수 있다.
또한, 상기 하소는 1000 내지 1200℃의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 소성은 1300 내지 1500℃의 범위에서 행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 분할 스퍼터링 타깃의 분할수를 저감할 수 있기 때문에, 인접하는 타깃 부재와의 위치 정렬 등의 공정수를 삭감할 수 있음과 함께, 성막 시에 타깃 부재의 이음매에 기인하는 산화물 반도체막으로의 불순물 혼입을 억제할 수도 있다. 또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 산화물 반도체막의 두께를 균일하게 컨트롤할 수 있다. 이에 의해, 본 발명은 대형 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 TFT의 채널층의 안정된 형성에 유용하게 된다.
도 1은, 스퍼터링 타깃재의 평면 방향의 밀도의 측정 부위를 도시하는 도면이다.
도 2는, 스퍼터링 타깃재의 두께 방향의 밀도의 측정 부위를 도시하는 도면이다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, Zn과 Sn과 O(산소)로 구성되며, 구체적으로는, 금속 성분 전체에 대하여, Sn을 20 내지 50원자％ 함유하고, 잔부가 Zn 및 불가피적 불순물로 이루어지는 산화물 소결체이다.
Sn은, 금속 성분 전체에 대하여 20원자％ 이상으로 함으로써, 캐리어의 이동도를 높은 레벨로 유지할 수 있다. 또한, 상기와 마찬가지의 이유로부터, Sn은 금속 성분 전체에 대하여 25원자％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, Sn은, 금속 성분 전체에 대하여 50원자％ 이하로 함으로써, 에칭액에 대한 내성이 지나치게 강해지지 않고, 채널층을 원하는 패턴으로 형성할 때의 에칭성을 향상시킬 수 있다. 또한, 산화물 소결체의 소결성을 향상시키기 위해서는, Sn을 40원자％ 이하로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 고밀도의 산화물 소결체를 얻는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 산화물 소결체의 긴 변을 660mm 이상, 짧은 변을 200mm 이상으로 한다. 현재의 멀티 캐소드 타입에 사용되는 긴 스퍼터링 타깃의 길이는, 예를 들어 2640mm 이상이다. 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 산화물 소결체의 긴 변을 660mm 이상으로 함으로써, 분할 스퍼터링 타깃을 얻을 때, 분할수를 4 이하로 할 수 있다. 그리고, 본 발명은 분할 스퍼터링 타깃의 분할수를 저감할 수 있기 때문에, 인접하는 타깃 부재와의 위치 정렬 등의 공정수를 저감할 수 있음과 함께, 성막 시의 타깃 부재의 이음매에 잔존하는 본딩재 등에 기인하는 산화물 반도체막으로의 불순물 혼입을 억제할 수도 있다. 또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃재의 긴 변의 길이는, 스퍼터링 장치나 소성로 등의 설비의 제약으로부터, 현실적으로는 4000mm 이하이다.
한편, 상기 멀티 캐소드 타입에 사용되는 긴 스퍼터링 타깃의 짧은 변의 길이는, 예를 들어 200mm이다. 이 때문에, 본 발명의 스퍼터링 타깃재의 짧은 변은 200mm 이상으로 한다. 또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃재의 짧은 변의 길이는, 스퍼터링 장치 등의 설비의 제약으로부터, 현실적으로는 1000mm 이하이다.
또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃재의 두께는, 3 내지 20mm의 범위가 바람직하고, 5 내지 18mm의 범위가 보다 바람직하다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)을 0.4％ 이하로 한다. 이 변동을 0.4％ 이하로 함으로써, 성막 속도의 경시 변화를 억제하고, 균일하게 에로젼시킬 수 있으며, 얻어지는 산화물 반도체막의 두께를 컨트롤하는 것이 용이해지고, 산화물 반도체막의 두께를 균일하게 성막할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 스퍼터링 타깃재의 상대 밀도란, 아르키메데스법에 의해 측정된 스퍼터링 타깃재의 벌크 밀도를, 그 이론 밀도로 나눈 값을 백분율로 나타낸 것을 말한다. 여기서, 이론 밀도는, 조성비로부터 얻어지는 질량비로 산출한 가중 평균으로서 얻어진 값을 사용한다.
또한, 상대 밀도의 측정 위치는, 예를 들어 도 1에 도시하는 직사각형 등의 직사각 형상의 스퍼터링 타깃재라면, 평면 방향에 있어서, 얻어진 스퍼터링 타깃재의 외주부이며, 긴 변의 중앙 2개소와 네 코너에 상당하는 부위 i 내지 부위 vi의 합계 6개소로 한다. 그리고, 도 2에 도시하는 스퍼터링 타깃재의 상기한 3 내지 20mm의 범위의 두께 방향에 있어서, 상면, 중앙 및 하면에 상당하도록 3등분한 3개소로부터 각각 시료를 채취한다. 그리고, 본 발명에서는, 이 두께 방향의 3개소에서 얻어지는 상대 밀도의 최댓값, 최솟값 및 평균값을 채용한다. 그리고, 이 최댓값, 최솟값, 평균값으로부터 각 부위(부위 i 내지 부위 vi)의 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)을 산출한다. 여기서, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 각 부위의 두께 방향의 상대 밀도의 변동이, 모두 0.4％ 이하로 되어 있다.
또한, 원판상의 스퍼터링 타깃재라면, 평면 방향에 있어서, 얻어진 스퍼터링 타깃재의 외주부에 상당하는 4개의 부위와, 중앙부에 상당하는 부위의 합계 5개소로 한다. 그리고, 두께 방향에 있어서, 상면, 중앙 및 하면에 상당하도록 3등분한 3개소에서 얻어지는 상대 밀도의 최댓값, 최솟값 및 평균값을 채용한다. 그리고, 이 최댓값, 최솟값, 평균값으로부터 각 부위(외주부에 상당하는 4개의 부위와, 중앙부에 상당하는 부위의 5개소)의 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)을 산출한다. 여기서, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 각 부위의 두께 방향의 상대 밀도의 변동이, 모두 0.4％ 이하로 되어 있다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 상대 밀도의 평균값이 모든 부위에서 98.0％ 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 본 발명은 스퍼터링 시의 이상 방전의 발생을 억제하고, 안정된 방전을 얻을 수 있으며, 얻어지는 산화물 반도체막의 막질을 향상시킬 수 있다. 게다가, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 상대 밀도의 평균값을 모든 부위에서 98.0％ 이상으로 함으로써, 노듈의 발생도 억제할 수 있음과 함께, 스퍼터링 타깃재를 기계 가공할 때 균열이나 파편의 발생을 억제할 수 있다는 점에서 바람직하다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 금속 성분 전체에 대하여, Al, Si, Ga, Mo 및 W 중 1종 이상을 합계로 0.005 내지 4.000원자％ 함유하는 것이 바람직하다. 이들 원소 중, Al, Ga, Mo, W는, 캐리어의 이동도의 제어나 광 열화를 방지하는 데 유용한 원소이다. 또한, Si는, 소결성의 향상에 유용한 원소이다.
이하에, 본 발명의 스퍼터링 타깃재의 제조 방법의 일례를 설명한다.
본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 예를 들어 ZnO 분말과 SnO2 분말을 순수, 분산제와 혼합하여 슬러리로 하고, 이 슬러리를 건조시킨 후, 조립분을 제작하고, 그 조립분을 하소하여 하소 분말을 제작한다. 그리고, 그 하소 분말을 습식 해쇄한 후, 주입 성형에 의해 성형체를 제작하고, 탈지를 거쳐, 상압에서 소성함으로써 얻을 수 있다.
여기서, 하소 분말은, 습식 해쇄에 의해, 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 0.3 내지 1.5㎛로 되도록 입도 조정하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 긴 제품이며, 또한 두께 방향에 있어서, 상대 밀도에 변동이 적은 산화물 소결체를 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 상기와 마찬가지의 이유로부터, 하소 분말은, 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)으로 0.6 내지 1.2㎛의 범위로 입도 조정하는 것이 보다 바람직하다.
상기 하소 분말을 제작하기 위한 조립분의 하소 온도는, 1000 내지 1200℃의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 하소 온도를 1000℃ 이상으로 함으로써, ZnO 분말과 SnO2 분말의 반응을 충분히 진행시킬 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 하소 온도를 1200℃ 이하로 함으로써, 적당한 분말 입경을 유지할 수 있고, 이에 의해 치밀한 스퍼터링 타깃재를 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다.
상압에 있어서의 소성 온도는, 1300 내지 1500℃의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 소성 온도는 1300℃ 이상으로 함으로써, 소결의 촉진이 가능하게 되고, 치밀한 스퍼터링 타깃재를 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다. 그리고, 치밀한 스퍼터링 타깃재로 함으로써, 높은 부하를 받는 상태라도 균열을 억제할 수 있다. 또한, 상기와 마찬가지의 이유로부터, 소결 온도는 1350℃ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 소성 온도는 1500℃ 이하로 함으로써, ZnO 분말의 증발을 억제할 수 있고, 상대 밀도를 향상시키고, 스퍼터링 타깃재의 두께 방향에 있어서 상대 밀도의 변동을 작게 한다는 측면에서 바람직하다. 그리고, 상기와 마찬가지의 이유로부터, 소성 온도는 1450℃ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 성형체의 소성은, 비환원성 분위기로 하고, 대기를 도입하면서 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, ZnO가 증발하는 것을 억제할 수 있고, 긴 제품이며, 또한 두께 방향에 있어서, 상대 밀도의 값의 변동이 작은, 본 발명의 스퍼터링 타깃재를 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다.
소성 온도에 있어서의 유지 시간은, 5시간 이상이 바람직하고, 길게 할수록 소성에 의한 치밀화가 진행된다. 한편, 유지 시간은, 30시간을 초과하면 ZnO의 증발이 많아지고, 상대 밀도가 저하되는 데다가, 스퍼터링 타깃재의 두께 방향에 있어서 상대 밀도의 변동을 조장한다. 이 때문에, 본 발명의 스퍼터링 타깃재를 얻기 위해서는, 유지 시간을 30시간 이하로 하는 것이 바람직하다.
<실시예>
금속 성분 전체에 대하여 Sn이 30원자％로 되도록, 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 0.70㎛인 ZnO 분말과, 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 1.85㎛인 SnO2 분말을 칭량하여, 소정량의 순수와 분산제가 들어간 교반 용기 내에 투입한 후, 혼합하여 슬러리를 얻었다. 이 슬러리를 건조, 조립시킨 후, 1090℃에서 하소성하여, 하소 분말을 얻었다. 하소 분말은, 습식 해쇄에 의해 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 1㎛로 되도록 입도 조정하였다. 하소 분말을 습식 해쇄한 후, 주입 성형함으로써, 긴 변: 840mm×짧은 변: 250mm×두께: 20mm의 성형체를 2매 얻었다.
이어서, 얻어진 각 성형체를 소성 온도 1400℃, 유지 시간 10시간 또는 20시간, 비환원성 분위기에서, 대기를 도입하면서 상압 소성하여, 산화물 소결체를 얻었다. 그리고, 각 산화물 소결체에 기계 가공을 하여, 긴 변: 750mm×짧은 변: 225mm×두께: 18mm의 본 발명예 1 및 본 발명예 2로 되는 스퍼터링 타깃재를 얻었다.
또한, 본 발명예 1 및 본 발명예 2와 마찬가지의 방법으로 제작한 하소 분말에, 금속 성분 전체에 대하여, Al이 0.130원자％로 되도록 Al2O3 분말을 첨가하고, 습식 해쇄에 의해 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 0.8㎛로 되도록 입도 조정하였다. 그리고, 이 습식 분쇄한 하소 분말을 주입 성형함으로써, 긴 변: 1735mm×짧은 변: 255mm×두께: 17mm의 성형체를 얻었다.
이어서, 얻어진 성형체를 소성 온도 1400℃, 유지 시간 17시간, 비환원성 분위기에서, 대기를 도입하면서 상압 소성하여, 산화물 소결체를 얻었다. 그리고, 이 산화물 소결체에 기계 가공을 하여, 긴 변: 1500mm×짧은 변: 220mm×두께: 14mm의 본 발명예 3으로 되는 스퍼터링 타깃재를 얻었다.
비교예로서, 이하와 같이 스퍼터링 타깃재를 제작하였다. 금속 성분 전체에 대하여 Sn이 30원자％로 되도록, 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 0.70㎛인 ZnO 분말과, 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 1.85㎛인 SnO2 분말을 칭량하여, 소정량의 순수와 분산제가 들어간 교반 용기 내에 투입한 후, 혼합하여 슬러리를 얻었다.
이 슬러리를 건조, 조립시킨 후, 1090℃에서 하소성하여, 하소 분말을 얻었다. 하소 분말은, 습식 해쇄에 의해 평균 입경(누적 입도 분포의 D50)이 1㎛로 되도록 입도 조정하였다. 하소 분말을 습식 분쇄한 후, 주입 성형에 의해, 긴 변: 840mm×짧은 변: 250mm×두께: 20mm의 성형체를 2매 얻었다.
이어서, 얻어진 각 성형체를 소성 온도 1400℃, 유지 시간 34시간 또는 44시간, 비환원성 분위기에서, 대기를 도입하지 않고 상압 소성하여, 산화물 소결체를 얻었다. 그리고, 각 산화물 소결체에 기계 가공을 하여, 긴 변: 750mm×짧은 변: 225mm×두께: 18mm의 비교예 1 및 비교예 2로 되는 스퍼터링 타깃재를 얻었다.
상기에서 얻은 각 스퍼터링 타깃재에 대하여, 도 1에 도시하는 부위 i 내지 vi으로부터, 두께 방향에 수직인 방향의 치수가 20mm×20mm인 시료를 잘라내고, 또한 이 시료를, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상하면으로부터 두께 5mm로 되도록 슬라이스 가공하고, 상면, 하면, 잔부를 중앙으로 하여, 각각 밀도 측정용 시료를 채취하였다.
또한, 본 발명예 1 내지 본 발명예 3, 비교예 1 및 비교예 2의 각 스퍼터링 타깃재를 기계 가공할 때에는, 균열이나 파편이 없는 것을 확인하였다.
그리고, 이들 밀도 측정용 시료를 사용하여 진밀도를 측정하고, 상술한 방법으로 상대 밀도 및 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)을 산출하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
표 1의 결과로부터, 본 발명의 스퍼터링 타깃재는, 긴 변이 660mm 이상, 짧은 변이 200mm 이상이라도, i 내지 vi의 모든 부위에 있어서, 두께 방향의 상대 밀도의 변동이 0.4％ 이하인 것을 확인할 수 있었다. 이에 의해, 본 발명의 스퍼터링 타깃재로 성막되는 ZTO계 박막은, 균일한 두께로 형성되게 되어, TFT의 채널층으로서 유용한 재료로 될 것이라고 기대할 수 있다.
한편, 비교예의 스퍼터링 타깃재는, i 내지 vi의 부위에 있어서, 두께 방향의 상대 밀도의 변동이 0.4％를 초과하는 부위(표 1의 하선부가 상당)가 존재하고, 최대 1.0％이며, 변동이 크다는 것이 확인되었다.

Claims (6)

  1. 금속 성분 전체에 대하여, Sn을 20 내지 50원자％ 함유하고, 잔부가 Zn 및 불가피적 불순물로 이루어지는 산화물 소결체이며, 또한 긴 변이 660mm 이상, 짧은 변이 200mm 이상, 두께 방향의 상대 밀도의 변동 [(최댓값-최솟값)/평균값]×100(％)이 0.4％ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃재.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상대 밀도의 평균값이 98.0％ 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 금속 성분 전체에 대하여, Al, Si, Ga, Mo 및 W 중 1종 이상을 합계로 0.005 내지 4.000원자％ 함유하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃재.
  4. 조립분을 제작하는 공정과,
    상기 조립분을 하소하여 하소 분말을 제작하는 공정과,
    상기 하소 분말을 습식 해쇄한 후, 주입 성형에 의해 성형체를 제작하는 공정과,
    비환원성 분위기에 대기를 도입하면서 상기 성형체의 소성을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항 또는 제2항에 기재된 스퍼터링 타깃재의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 하소는 1000 내지 1200℃에서 행하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃재의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 소성은 1300 내지 1500℃에서 행하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃재의 제조 방법.
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