TWI625406B - 氧化鋅系濺鍍靶材及包含由氧化鋅系濺鍍靶材沉積之阻擋層之薄膜電晶體 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種氧化鋅系濺鍍靶材、其製備方法、和包含由氧化鋅系 濺鍍靶材所沉積的阻擋層之薄膜電晶體。其氧化鋅系濺鍍靶材包含其中氧化銦以約1%w/w至約50%w/w範圍摻雜的氧化鋅所組成的燒結體。墊板聯接到燒結體的背面。墊板支承燒結體。

Description

氧化鋅系濺鍍靶材及包含由氧化鋅系濺鍍靶材沉積之阻 擋層之薄膜電晶體 相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年2月27日向韓國智慧財產局所提出之韓國專利申請案號No.10-2013-0020890之優先權，其揭露之全部內容通過引用併入本文。
本發明的示例性實施例涉及一種氧化鋅系濺鍍靶材，並且更具體地涉及其製備方法，以及包括由氧化鋅系濺鍍靶材沉積的阻擋層之薄膜電晶體。
液晶顯示裝置或是電致發光顯示裝置提供高顯示性能和低功耗。液晶顯示裝置或電致發光顯示裝置廣泛應用在手機、個人電腦、文字處理機以及電視。此種顯示裝置可以通過包括由精細圖案形成的薄膜電晶體之電晶體來驅動。
精細圖案中的電極可以是，例如，閘極電極、源極電極和汲極電極。示例性電極材料可包含鋁、鉬等。然而，對於高清晰度顯示器而言，可能 需要具有高導電率的材料。具有高導電率同時和其他金屬相比更便宜的銅，可用作為電極材料。
銅電極有絕佳的導電性，如此即使在銅電極比其他電極還要薄的情況下，仍可實現同樣的特質。因此，可減少製程中的作業時間，生產成本也可以被降低。銅電極可應用在高導電性需求規格的產品上。
然而，銅電極和其他材料具有高反應性。從而，銅原子可擴散遍及在薄膜電晶體結構中以其它材料形成在銅電極上部分或下部分的層中。銅電極可以和其他層反應，而且因此可能會發生薄膜電晶體效能下降的問題。當例如稱為鈍化層之保護層沉積於源極電極和汲極電極的頂部表面上時，銅可被氧化並可降低與保護層的接觸。因此，可能發生保護層脫層和薄膜電晶體性能下降這些問題。
有鑑於此，引入阻擋層為形成銅電極時需考慮關心的問題。
提供本發明示例性實施例。這裡提供能夠進行直流(DC)濺鍍的一個氧化鋅系濺鍍靶材，且能夠增加透過氧化鋅系濺鍍靶材沉積的阻擋層之接觸和蝕刻特性。在此提供製備氧化鋅系濺鍍靶材之方法，和包含阻擋層的薄膜電晶體。
根據本發明的一個示例性實施例，氧化鋅系濺鍍靶材包含含有摻雜有基於氧化鋅重量約1% w/w至約50% w/w氧化銦的氧化鋅之燒結體。墊板連結至燒結體的背面，墊板支撐燒結體。
根據本發明的一個示例性實施例，燒結體可具有1×10-2Ω．cm或以下之電阻率。
根據本發明的一個示例性實施例，該氧化鋅系濺鍍靶材可為能夠進行直流(DC)濺鍍。
根據本發明的一個示例性實施例，約0.1W/cm2至約8W/cm2範圍內的功率密度可應用在氧化鋅系濺鍍靶材裡。
根據本發明的一個示例性實施例，燒結體可具有5.6g/cm3或以上之密度。
根據本發明的一個示例性實施例，氧化銦的聚合可以小於1微米的尺寸散佈在燒結體中。
根據本發明的一個示例性實施例，燒結體可包含屬於元素週期表第三族的一或複數個元素，或屬於元素週期表第四族的一個或複數個元素，或是來自元素週期表第三族和第四族之兩個或複數個元素的組合。
根據本發明的一個示例性實施例，薄膜電晶體包含含有閘極電極、源極電極、汲極電極、以及/或接線的銅層。阻擋層藉由使用氧化鋅系濺鍍靶材濺鍍沉積在銅層上。氧化鋅系濺鍍靶材具有包含摻雜有基於氧化鋅重量約1% w/w至約50% w/w範圍內之氧化銦的氧化鋅的燒結體。氧化物層沉積在阻擋層上。
根據本發明的一個示例性實施例，阻擋層可有約10微米至約5,000微米範圍內之的晶體尺寸。
根據本發明的一個示例性實施例，阻擋層具有大約30奈米至大約50奈米之間的厚度。
根據本發明的一個示例性實施例，阻擋層具有1x10-1Ω．cm至1x10-3Ω．cm範圍內的電阻率。
根據本發明的一個示例性實施例，一種製備氧化鋅系濺鍍靶材的方法包含藉由添加基於氧化鋅重量之約1% w/w至約50% w/w範圍內的氧化銦至氧化鋅中製備漿料。方法包含將漿料乾燥成粒狀粉末。方法包含將粒狀粉末模製為模製體，且將模製體燒結為燒結體。
根據本發明的一個示例性實施例，此方法可包含第一分散，其係藉由混合第一數量之氧化鋅和蒸餾水與第一分散劑之溶液而形成懸浮液，且接著濕磨懸浮液。此方法可包含第二分散，其中第二分散劑和第二數量之氧化鋅混合在從第一分散中得到的懸浮液以製備漿料，接著再濕磨漿料。
根據本發明的一個示例性實施例，在第一分散的第一數量之氧化鋅的平均粒子尺寸可維持在約0.1微米至約0.8微米的範圍內。
根據本發明的一個示例性實施例，於第一分散內，第一分散劑可以基於氧化鋅的重量，大約0.1% w/w至大約2% w/w之範圍加入。
根據本發明的一個示例性實施例，於第二分散內，第二分散劑可以基於氧化銦的重量，大約0.3% w/w至大約2.5% w/w之範圍加入。
根據本發明的一個示例性實施例，於第二分散內，漿料可被控制具有約0.1微米至約0.5微米範圍內之平均粒子尺寸。
根據本發明的一個示例性實施例，此方法可包含加入黏結劑於漿料中。
根據本發明的一個示例性實施例，燒結模製體可在空氣和氧氣的氣氛下以約攝氏1,200度至約攝氏1,500度範圍內之溫度下執行。
本發明的上述及其他特徵將經由參照附圖詳細描述其示例性實施例而更明顯，其中：
第1圖為顯示利用根據本發明示例性實施例之製備濺鍍靶材方法製成的燒結體的電子探針顯微分析儀(EPMA)分析之結構圖；第2圖為顯示對於由依據本發明示例性實施例所製備的濺鍍靶材沉積之阻擋層的蝕刻測試結果之穿透式電子顯微鏡(TEM)影像圖；第3圖顯示說明阻擋層對銅的氧化的影響之電子顯微鏡影像圖，其中阻擋層是根據本發明之示例性實施例沉積。
第4圖顯示電子顯微鏡影像以觀察阻擋層對銅的氧化的影響，其中阻擋層是由銅和錳合金的合金所形成的濺鍍靶材沉積。
以下，本發明的示例性實施例將參照附圖詳細說明。然而，本發明不應該被解釋為限制於本文所闡述的示例性實施例，並且可以不同的形式來體現。
根據本發明的示例性實施例，氧化鋅系濺鍍靶材可為用以沉積氧化鋅系阻擋層的靶材。在可構成包含銅電極的平板顯示器的薄膜電晶體(TFT)的製造過程中，氧化鋅系濺鍍靶材可用來形成阻擋層。阻擋層可抑制銅擴散至氧化物層。阻擋層可為形成在閘極電極、源極電極、汲極電極、或金屬線之上之保護層。阻擋層可抑制銅和氧化物層的反應。阻擋層由於其高透射性且可在現有的蝕刻條件下與銅同步蝕刻而可用在顯示器。所述阻擋層可調節蝕刻速率來防止如底切和尖端的問題產生。
上述的氧化鋅系濺鍍靶材可包含燒結體和墊板。
燒結體可由其中氧化銦以大約1% w/w至大約50% w/w之範圍摻雜之氧化鋅形成。當氧化銦以少於1wt%之範圍摻雜時，由此沉積之氧化鋅系阻擋層可具有低電阻性，且因此可適合作為透明導電層。此阻擋層為了製造薄膜電晶體可具有快的蝕刻率，如此在蝕刻過程中可能產生諸如底切或尖端導致的侵蝕問題會發生。當氧化銦以大於50% w/w的範圍摻雜時，靶材可能無法展現直流(DC)濺鍍過程。如此，氧化銦可以，例如，以約20% w/w至約40% w/w之範圍摻雜進氧化鋅裡。可執行直流(DC)濺鍍之氧化鋅系濺鍍靶材可提高由氧化鋅系濺鍍靶材沉積的阻擋層之接觸和蝕刻特性。
根據本發明的示例性實施例，氧化銦可均勻地散佈在氧化鋅裡。散佈在燒結體中之氧化銦的聚合可具有小於1微米尺寸。燒結體的電阻的局部均勻性可在從約0%至約10%之範圍內，而組合物的均勻性也可在約0%至約10%的範圍裡。如此，透過燒結體沉積的阻擋層也可有均勻的特性。根據本發明的示例性實施例，燒結體包含屬於元素週期表第三族和/或第四族的元素。例如，第三族元素可包含鎵(Ga)和/或鋁(Al)，而第四族元素可包含鋯(Zr)、矽(Si)、和/或錫(Sn)。
根據本發明的示例性實施例，燒結體可具有等於或小於1×10-2Ω．cm的電阻率及5.6g/cm3或更大之密度。包含上述燒結體之濺鍍靶材在其中施加之功率密度為從約0.1W/cm2至約8W/cm2之範圍內之直流濺鍍過程中可具有穩定的放電特性而無異常放電。
墊板是可支撐燒結體的元件。墊板可由具有高導電性和高導熱性的銅形成。墊板可由，比如說，無氧銅(oxygen-free copper)、鈦、或不鏽鋼形成。墊板可，比如說，利用由銦形成的連結材質連接在燒結體的背面來形成氧化鋅系濺鍍靶材。
包含燒結體和背板之氧化鋅系濺鍍靶材可減少造成發黑現象的頻率。發黑現象典型發生在一般的濺鍍靶材。如此，粒子的缺陷可在濺鍍沉積過程中被降低。氧化鋅系濺鍍靶材可透過控制製造過程來製備，這將在下面更詳細的描述。
根據本發明的示例性實施例，氧化鋅系濺鍍靶材可被使用在包含於薄膜電晶體中的氧化鋅系阻擋層的沉積。薄膜電晶體可包含銅層和保護層。銅層會包含閘極電極、源極電極、和汲極電極和/或接線，且保護層可作為氧化物層沉積在銅層的頂部上。當SiOx系氧化物(氧化矽)層沉積在銅層的頂部上時，從銅層來的銅可和氧化物層反應，且因此形成CuOx。當CuOx藉由銅和氧化物層的反應形成時，銅層可能會變色且銅層和氧化物層之間的接觸可能會下降。因此，可能會發生如氧化物層的脫層和薄膜電晶體性能的退化等問題。當氧化鋅系阻擋層在薄膜電晶體製造過程中使用氧化鋅系濺鍍靶材沉積在銅層的頂部上時，銅層和氧化物層之間的反應可被抑制。
藉由氧化鋅系濺鍍靶材沉積的阻擋層有尺寸為約10微米至約5,000微米範圍內的結晶尺寸。阻擋層可沉積成30奈米至50奈米範圍內的厚度。阻擋層可具有從約1x10-1Ω．cm至約1x10-3Ω．cm範圍內的電阻。為了形成阻擋層，除了使用氧化鋅系濺鍍來沉積之外，氬氣和氧氣可以預定的比例混合來進行濺鍍。
在本發明的示例性實施例。氧化鋅系濺鍍靶材可根據製備條件形成單相或複合相阻擋層。阻擋層可由六方晶系層狀化合物組成。由氧化鋅系濺鍍靶材沉積的阻擋層當腐蝕進行時可被弱酸蝕刻。如此，蝕刻速率可以通過調節蝕刻液的濃度和組合物，例如，弱酸來進行控制。在本發明示例性的實施例中，對於所述阻擋層的蝕刻速度可以被控制在大約1Å/秒至約500Å/秒的範圍內， 例如約5Å/秒至約500Å/秒。因此，阻擋層可以使用用於形成銅層的現有蝕刻液來與銅層同時蝕刻，而無需進一步處理。因此，阻擋層可有助於薄膜電晶體製造過程的便利性和簡便性。為了提高阻擋層的蝕刻特性，舉例而言，阻擋層可以約攝氏200度至約攝氏400度範圍內之溫度做熱處理約10分鐘至約120分鐘。
以下，將對製備氧化鋅系濺鍍靶材的方法進行詳細說明。
如上所述，為了實現在本發明示例性實施例中藉由氧化鋅系濺鍍靶材方法沉積的阻擋層的特徵，製備氧化鋅系濺鍍靶材的方法需要被高度控制。該方法包括製備漿料、乾燥、模製和燒結。
在製備漿料，氧化銦可以基於氧化鋅的重約1%w/w至約50%w/w範圍內加入氧化鋅裡。在製備漿料可包括第一分散和第二分散。
在第一分散中，氧化鋅可以與蒸餾水和第一分散劑的溶液混合，然後可以被濕磨至具有約0.1微米至約0.8微米範圍內之平均分散粒徑。所添加的分散劑的量可為基於氧化鋅的重量從約0.1%w/w至約2%w/w範圍內。分散劑可配置以很容易地被吸附在氧化鋅和/或氧化銦的表面上。分散劑可隨後加入到包含濕磨所製備的氧化鋅和/或氧化銦之懸浮液。有機酸如，例如，檸檬酸和/或多元羧酸可以用作分散劑。為了實施氧化鋅顆粒和氧化銦顆粒的高分散特性，分散劑可以使懸浮液保持其酸鹼值。多元羧酸鹽、聚丙烯酸酯(plyacrylate)的銨鹽、或聚丙烯酸酯的胺鹽可被用作為分散劑。在第一分散中，氧化鋅可以分散如上述。
在第二分散中，氧化銦可以以約1% w/w至約50%w/w的範圍，例如，約20% w/w至約40%w/w，添加進入其中分散氧化鋅的懸浮液裡。然後，第二分散劑可以基於氧化鋅的重量約0.3% w/w至約2.5% w/w的範圍加入其中以製備漿料。漿液可以濕磨至從約0.1奈米至約0.5奈米範圍內之平均粒徑。所 添加的分散劑的量和其平均粒徑可以緊密地彼此相關。當存在分散條件和粒子尺寸的比值之間的差異時，由於其中不具電性能的氧化鋅和氧化銦之聚集，通過後續程序製備的燒結體可有部分迅速增加抗性。因此，制得的氧化鋅系濺鍍靶材的穩定的直流濺鍍可能會受到干擾，並且為由氧化鋅系濺鍍靶材沉積的阻擋層之薄膜的組合物均勻性可能受到影響。本發明的示例性實施例中，調節氧化銦粒子和漿料顆粒兩者的分散的大小可以和燒結溫度密切相關。當分散粒子的大小不是在上述範圍內時，在高溫燒結可能會引起氧化鋅的異常揮發。
一種粘合劑可加入第二分散完成後所製備的漿料。粘合劑可以加入進漿料中以保持在漿料乾燥並製成粉末後，模製過程中成形的模製體的模製強度。所述粘合劑的例子是聚乙烯醇和聚乙二醇。在這裡，粘合劑可以以約0.01% w/w至約5%w/w的範圍添加，例如，約0.5% w/w至約3%w/w。粘合劑的量可基於氧化銦粉末與氧化鋅粉末在漿液中的重量。粘合劑的量可能影響燒結體的燒結密度。當粘合劑的量不在上述範圍內時，模製密度可能在粒狀粉末的模製過程中下降，且燒結密度也可能降低。燒結密度的降低可表示在燒結體內部的孔洞形成，並可能導致其中部分高電阻。因此，孔洞可能在製備可進行直流濺鍍的氧化鋅系濺鍍靶材時成為障礙。
根據如下的本發明示例性實施例，濕磨可分步執行。乾燥粉末材料的平均顆粒尺寸可以彼此不同，而且粉末本身的硬度和凝聚力也可能不同。因此，當所有的材料一次地混合並濕磨，其可能難以如期望地控制每個粉狀材料的粒徑尺寸。當製備燒結體時氧化銦可能不會均勻地分散在氧化鋅基質上，並且可能發生局部聚集現象。因此，靶材的電性能和機械性能可能會降低。為了均勻地分散氧化銦與氧化鋅，分散可以通過第一分散和第二分散進行。
在製備氧化鋅系濺鍍靶材的方法中，漿料的乾燥是指漿料被乾燥成粒狀粉末。舉例而言，漿料可以被噴霧乾燥成粒狀粉末。
在製備氧化鋅系濺鍍靶材的方法中，粒狀粉末的模製是指粒狀粉末被模製成模製體。舉例而言，粒狀粉末可通過冷壓(即油壓(oil-hydraulic pressand)和/或冷等靜壓模製。
在製備氧化鋅系濺鍍靶材的方法中，模製體的燒結是指模製體被燒結以製成燒結體。模製體可在約攝氏1,200度至約攝氏1,500度的溫度範圍內燒結，例如，在空氣或氧氣的氣氛中。考慮到摻雜氧化銦的氧化鋅系濺鍍靶材的製造程序中，可控制燒結溫度以提供使得直流濺鍍可行之約1×10-3Ω至約50Ω範圍內之目標電阻。模製體的燒結可進行如具有高密度和低電阻的處理。
根據本發明的示例性實施例，當燒結體粘結到所述襯板上，可完成氧化鋅系濺鍍靶材的製造。
為燒結體之氧化鋅系濺鍍靶材，其具有小於1×10-2Ω．cm的電阻率。因此，當薄膜電晶體使用直流濺鍍製造時，阻擋層可以穩定地以膜形成於銅層的頂部。在成膜過程中，直流濺鍍施加的功率密度可以保持在大約0.1W/cm3至大約8W/cm3的範圍內。當所施加的功率密度不在上述範圍內時，輝光放電可能發生，而可能發生例如異常放電之問題。因此，目標可包含裂縫，因此可能不值得作工業用途。
當阻擋層是利用氧化鋅系濺鍍靶材藉由直流濺鍍沉積，對於大約厚度為30奈米的阻擋層可以得到約1×10-1Ω．cm至約1×10-3．cm範圍內的電阻率。當阻擋層是由氧化鋅系濺鍍靶材沉積，腔室中的真空底壓可以保持在約1×10-7托到約1×10-5托的範圍內。例如，當真空底壓在上述範圍內時，可以利用氧化鋅系濺鍍靶材得到高品質的阻擋層。當沉積阻擋層時，氧等反應性氣體和/或氬氣 可能被注入以控制阻擋層的結晶度和電阻。沉積的阻擋層可以約攝氏200度至約攝氏400度範圍內的溫度熱處理以提高蝕刻特性。
根據本發明示例性實施例之藉由氧化鋅系濺鍍靶材沉積之阻擋層以及經過熱處理的阻擋層，由於在製造薄膜電晶體過程中用於刻蝕銅層的刻蝕劑在上層和底層之間的刻蝕有優異直線能力，故可能不會造成例如底切或尖端的問題。當刻蝕速率太慢，可能降低量產。與此相反，當刻蝕速率太快，則過程可能會難以控制。當阻擋層係使用根據本發明示例性實施例的氧化系濺鍍靶材形成和刻蝕係根據本發明示例性實施例執行時，蝕刻速率可以保持在約1埃/秒至約500埃/秒的範圍內。因此，不均勻刻蝕所造成的問題可以被防止。
實施例1
具有平均粒徑為0.5微米的氧化鋅，加入含有基於氧化鋅重量1.0% w/w的分散劑的蒸餾水中。添加依據濺鍍靶材的燒結體之總重量的65% w/w、70% w/w和75% w/w的氧化鋅。然後，利用濕磨法將氧化鋅粉碎並分散成具有0.2微米的平均粒徑。接著，基於具有0.5微米的平均粒徑的氧化鋅和氧化銦的重量0.5% w/w的分散劑加入其中且濕磨至具約0.2微米的最終分散顆粒尺寸。這裡，所述分散劑是聚丙烯酸的胺鹽。得到最終的氧化鋅系漿料後，加入1.0% w/w的PVA和0.5% w/w的PEG作為粘合劑，接著再研磨一次，以製備均勻的漿料。然後，漿料被噴乾成粒狀粉末，然後透過軸壓機加壓進行冷等靜壓模製。
接著，在空氣和氧氣的氣氛中以攝氏1,400度的溫度對模製體燒結20小時。在完成燒結後的模製體的電阻率分別為4.7Ω．cm、7.3Ω．cm、和8.0×10-3Ω．cm，且其燒結密度分別為5.72g/cm3、5.81g/cm3、5.91g/cm3。基於燒結體使用電子探針顯微鏡分析儀的分析，觀察到分散在氧化鋅的氧化銦凝 聚，且其結果示於第1圖。參照第1圖，氧化銦均勻地分散在氧化鋅基質中且氧化銦顆粒的尺寸均小於1微米。
實施例2
實施例1的燒結體粘結於以銅製成的墊板以執行濺鍍。濺鍍條件包括1×10-6托之腔室真空底壓和0.5帕操作氣壓。膜在純氬氣氣氛中於攝氏100度的溫度藉由電漿放電透過濺鍍沉積。靶材的尺寸為565毫米×690毫米且施加的功率為10千W的直流電。薄膜沉積為30奈米之厚度。關於薄膜電晶體的結構，為了確保利用濺鍍靶材沉積的阻擋層確實在源極電極和汲極電極的頂端的SiOx沉積過程中做為銅的保護層，使用其中銅層沉積於無鹼玻璃上之基板。包含氧化鋅薄膜的氧化銦使用濺鍍靶材沉積在基板上，然後，SiOx薄膜利用化學汽相沉積(CVD)法沉積。接著，使用液體化學品來進行刻蝕以將銅刻蝕為樣品。用透射電子顯微鏡觀察是否有殘留物。其結果示於第2圖。參照第2圖，可以確認進行刻蝕後無殘留物。
第3圖和第4圖為顯示根據用以在銅電極上形成阻擋層之濺鍍靶材，有無形成CuOx之圖。第3圖的(a)和(b)部分為在SiOx沉積在透過根據本發明示例性實施例的濺鍍靶材沉積的阻擋層上之前和之後的圖像。第4圖的(a)和(b)部分為在SiOx沉積在利用銅-錳(Cu/Mn)濺鍍靶材沉積在銅電極上的阻擋層之前和之後的圖像。在第3圖，SiOx沉積之前和之後沒有差別。然而，在第4圖，SiOx沉積之前和之後有所變化。即，當摻雜氧化銦的氧化鋅層使用根據本發明示例性實施例的濺鍍靶材形成在銅層上時(在可形成SiOx薄膜之情況下)，銅電極和SiOx薄膜之間的反應可以由阻擋層來抑制。然而，當Cu/Mn系阻擋層形成於銅電極上時，Cu/Mn系阻擋層可能不抑制銅電極和SiOx薄膜之間的反應。因此，CuOx可 通過反應形成，如第4圖的(b)部分之變暗的區域所示，從而除了薄膜電晶體特的退化性以外，在銅電極和SiOx薄膜間的接觸會退化。
如上所述，根據本發明示例性實施例，氧化銦摻雜於氧化鋅中來製備可以執行直流濺鍍之高密度的濺鍍靶材。
此外，當SiOx系保護層沉積在銅電極，例如，閘極電極、源極電極和汲極電極的頂部上，且在薄膜電晶體製造過程中，阻擋層利用根據本發明示例性實施例的濺鍍靶材沉積時，可防止CuOx的形成，因此，銅電極和保護層之間的接觸可能被增加。根據本發明示例性實施例之阻擋層可適用於例如顯示面板。具有高透射率的阻擋層可沉積在銅層上。阻擋層可在銅層和氧化物保護層之間形成。
使用根據本發明示例性實施例的濺鍍靶材所形成的阻擋層也可以與銅電極同時刻蝕，並且刻蝕速率可以調整以防止出現例如底切和尖端等問題。由於防止像是例如，銅電極的侵蝕之問題發生之阻擋層的沉積，阻擋層可以有助於薄膜電晶體製造過程的便利性和簡便性。藉由根據本發明示例性實施例的濺鍍靶材沉積的阻擋層可以在銅電極圖案化過程中進行圖案化，而不需經過進一步處理。
雖然本發明已藉參照其示例性實施例示出並描述，將對本領域普通技術人員而言為顯而易見的是，可以不脫離本發明的精神和範圍下對其進行形式和細節上的各種變化。

Claims (10)

  1. 一種氧化鋅系濺鍍靶材，其包括：一燒結體，包含根據氧化鋅的重量摻雜有1% w/w至50% w/w範圍內之氧化銦的氧化鋅，其中該燒結體具有5.6g/cm3或以上之密度；以及一墊板，和該燒結體的背面連結，該墊板支撐該燒結體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氧化鋅系濺鍍靶材，該燒結體具有1×10-2Ω．cm或以下之電阻率。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的氧化鋅系濺鍍靶材，該氧化鋅系濺鍍靶材能夠進行直流濺鍍。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的氧化鋅系濺鍍靶材，還包含應用在該氧化鋅系濺鍍靶材之0.1W/cm2至8W/cm2範圍內之功率密度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的氧化鋅系濺鍍靶材，其中氧化銦的聚合以小於1微米的尺寸散佈在該燒結體中。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的氧化鋅系濺鍍靶材，其中該燒結體包含屬於元素週期表第三族的一或複數個元素，或屬於元素週期表第四族的一個或複數個元素，或是來自元素週期表第三族和第四族之兩個或複數個元素的組合。
  7. 一種薄膜電晶體，其包括：一銅層，包括一閘極電極、一源極電極、一汲極電極、和/或一接線；一阻擋層，藉由利用一氧化鋅系濺鍍靶材濺鍍沉積在該銅層上， 該氧化鋅系濺鍍靶材具有包含摻雜有基於氧化鋅的重量1% w/w至50%w/w範圍內的氧化銦的氧化鋅的一燒結體，其中該燒結體具有5.6g/cm3或以上之密度；以及一氧化物層，沉積在該阻擋層的頂端。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的薄膜電晶體，其中該阻擋層具有10微米至5,000微米範圍內的晶體尺寸。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的薄膜電晶體，其中該阻擋層具有30奈米至50奈米範圍內的厚度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的薄膜電晶體，其中該阻擋層具有1x10-1Ω．cm至1x10-3Ω．cm範圍內的電阻。
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