KR20150109225A - 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 - Google Patents

모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00048

A, B, B′, L, L′, X 및 X′의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

Description

모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법{MONOMER FOR HARDMASK COMPOSITION AND HARDMASK COMPOSITION INCLUDING THE MONOMER AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE HARDMASK COMPOSITION}
모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 　이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.
전형적인 리쏘그래픽 기법은 반도체 기판 위에 재료층을 형성하고 그 위에 포토레지스트 층을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 재료층을 식각하는 과정을 포함한다.
근래, 형성하고자 하는 패턴의 크기가 감소함에 따라 상술한 전형적인 리쏘그래픽 기법만으로는 양호한 프로파일을 가진 미세 패턴을 형성하기 어렵다. 이에 따라 식각하고자 하는 재료층과 포토레지스트 층 사이에 일명 하드마스크 층(hardmask layer)이라고 불리는 층을 형성하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
하드마스크 층은 선택적 식각 과정을 통하여 포토레지스트의 미세 패턴을 재료 층으로 전사해주는 중간막으로서 역할을 한다. 따라서 하드마스크 층은 다중 식각 과정 동안 견딜 수 있도록 내열성 및 내식각성 등의 특성이 요구된다.
일 구현예는 내열성 및 내식각성이 우수한 하드마스크 조성물용 모노머를 제공한다.
다른 구현예는 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
A, B 및 B′는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 지방족 고리기 또는 방향족 고리기이고,
L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O- 또는 -C(H)=N-이고,
X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
Y 및 Y′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬에테르, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌에테르, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이다.
상기 A는 하기 그룹 1에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기일 수 있다.
[그룹 1]
Figure pat00002
단, 상기 그룹 1에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않는다.
상기 B 및 B′는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기일 수 있다.
[그룹 2]
Figure pat00003
상기 그룹 2에서,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NR, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
상기 R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
단, 상기 그룹 2에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않는다.
상기 모노머는 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00004
[화학식 3]
Figure pat00005
[화학식 4]
Figure pat00006
[화학식 5]
Figure pat00007
상기 화학식 2 내지 5에서,
L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고
X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이다.
상기 모노머는 상기 L 및 L′이 -C(=O)NH-, 또는 -C(H)=N- 이고, 상기 X 및 X′이 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노기일 수 있다.
상기 모노머는 800 내지 5000의 분자량을 가질 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 모노머 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00008
상기 화학식 1에서,
A, B 및 B′는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 지방족 고리기 또는 방향족 고리기이고,
L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고,
X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
Y 및 Y′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬에테르, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌에테르, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이다.
상기 하드마스크 조성물을 100 내지 500 ℃에서 60초 내지 20분 동안 열처리 시 상기 모노머는 하기 화학식 6 내지 9 중 어느 하나로 표현되는 구조를 가질 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00009
[화학식 7]
Figure pat00010
[화학식 8]
Figure pat00011
[화학식 9]
Figure pat00012
상기 모노머는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 약 0.1 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상기 하드마스크 조성물을 적용하는 단계, 상기 하드마스크 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층　위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 하드마스크 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행할 수 있다.
상기 하드마스크 층을 형성하는 단계는 100℃ 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 실리콘 함유 박막층은 산화질화규소(SiON)를 함유하는 것일 수 있다.
내열성 및 내식각성이 강화되면서도 갭-필 특성 및 평탄화 특성 또한 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30의 아릴알킬기, C1 내지 C4의 알콕시기, C1 내지 C20의 헤테로알킬기, C3 내지 C20의 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15의 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 하드마스크 조성물용 모노머를 설명한다.
일 구현예에 따른 하드마스크 조성물용 모노머는 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00013
상기 화학식 1에서,
A, B 및 B′는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 지방족 고리기 또는 방향족 고리기이고,
L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고,
X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
Y 및 Y′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬에테르, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌에테르, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이다.
상기 모노머는 하나 또는 둘 이상의 고리를 가지는 또는 방향족 고리기를 코어(core)로 하여 양 측에 방향족 고리기를 포함하는 치환기를 가지는 구조를 가진다. 상기 코어 및 치환기는 복수의 작용기들(X, X′, Y 및 Y′)을 포함하며 이에 따라 용해도를 더욱 개선시켜 스핀-온 코팅 방법으로 효과적으로 형성할 수 있을 뿐만 아니라 소정의 패턴을 가지는 하부막 위에 스핀-온 코팅 방법으로 형성될 때 패턴들 사이의 갭을 채울 수 있는 갭-필 특성 및 평탄화 특성 또한 우수하다.
또한 상기 복수의 작용기들의 축합 반응을 바탕으로 증폭 가교가 가능하여 우수한 가교 특성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 상기 모노머는 비교적 저온에서 열처리하여도 단시간 내에 높은 분자량의 고분자 형태로 가교됨으로써 우수한 기계적 특성, 내열 특성 및 내식각성과 같은 하드마스크 층에서 요구되는 특성을 나타낼 수 있다.
상기 코어 및 치환기에 포함된 방향족 고리기 상호 간은 연결기 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N- 에 의해 연결된다. 상기 연결기는 하드마스크 조성물이 열처리되는 경우 상기 코어에 포함된 작용기(X 및 X′)와 반응하여 고리를 형성할 수 있고, 이에 따라 내식각성 및 내열성이 크게 향상될 수 있다. 예를 들어, 상기 모노머는 벤조 옥사졸(benzoxazole) 전구체 또는 이미다졸(imidazole) 전구체일 수 있다.
예를 들어, 상기 A는 하기 그룹 1에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기일 수 있다.
[그룹 1]
Figure pat00014
예를 들어, 상기 B 및 B′는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기일 수 있다.
[그룹 2]
Figure pat00015
상기 그룹 2에서,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NR, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
상기 R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
단, 상기 그룹 1 및 2에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않으며 연결 가능한 모든 위치에서 연결되어 화학식 1로 표현되는 화합물 내에 일 부분으로서 포함될 수 있다.
예를 들어, 상기 모노머는 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00016
[화학식 3]
Figure pat00017
[화학식 4]
Figure pat00018
[화학식 5]
Figure pat00019
상기 화학식 2 내지 5에서,
L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O- 또는 -C(H)=N-이고,
X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이다.
예를 들어 상기 화학식 1로 표현되는 모노머는 상기 L 및 L-C(=O)NH-, 또는 -C(H)=N- 이고, 상기 X 및 X′이 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 모노머는 약 800 내지 5000의 분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 분자량을 가짐으로써　고탄소 함량의 상기 모노머가 용매에 대한 우수한 용해도를 가지게 되며 스핀-온 코팅에 의한 양호한 박막을 얻을 수 있다.
이하 일 구현예에 따른 하드마스크 조성물에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 하드마스크 조성물은 상술한 모노머 및 용매를 포함한다.
상기 모노머는 전술한 바와 같으며, 1종의 모노머가 단독으로 포함될 수도 있고 2종 이상의 모노머가 혼합되어 포함될 수도 있다.
상기 하드마스크 조성물을 열처리 하는 경우 상기 모노머는 연결기인 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N- 와 기타 작용기들 간의 상호작용에 의해 고리화 반응(cyclization)이 일어날 수 있다. 그 결과 상기 열처리 과정을 거친 하드마스크 조성물 내의 모노머는 예컨대 하기 화학식 6 내지 9의 화합물과 같이 벤조 옥사졸(benzoxazole) 또는 이미다졸 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure pat00020
[화학식 7]
Figure pat00021
[화학식 8]
Figure pat00022
[화학식 9]
Figure pat00023
상기 고리화 반응은 예컨대 100 내지 500 ℃에서 60초 내지 20분 동안 베이크 공정을 통해 일어날 수 있다. 상기 베이크 공정은 기판 위에 하드마스크 조성물을 적용한 후 열처리하는 과정을 포함한다.
한편, 상기 용매는 상기 모노머에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤,　메틸피롤리돈,　아세틸아세톤　및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 모노머는 상기　하드마스크 조성물 총 함량에　대하여 약 0.1　내지 30중량%로 포함될 수 있다.　　상기 모노머가 상기 범위로 포함됨으로써　목적하고자 하는 두께의 박막으로 코팅 할 수 있다.
상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면 활성제를　더 포함할 수 있다.
상기 계면 활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 계면 활성제는 상기 하드마스크 조성물 100 중량부에 대하여 약 0.001 내지 3 중량부로 포함될 수 있다. 　상기 범위로 포함함으로써 하드마스크 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를　확보할 수 있다.
이하 상술한 하드마스크 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 패턴 형성 방법은 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 상술한 모노머 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 적용하는 단계, 상기 하드마스크 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계, 상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계, 상기 실리콘 함유 박막층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계,　그리고 상기 재료 층의 노출된 부분을　식각하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 예컨대 실리콘웨이퍼, 유리 기판 또는 고분자 기판일 수 있다.
상기 재료 층은 최종적으로 패턴하고자 하는 재료이며, 예컨대 알루미늄, 구리 등과 같은 금속층, 실리콘과 같은 반도체 층 또는 산화규소, 질화규소 등과 같은 절연층일 수 있다. 상기 재료 층은 예컨대 화학기상증착 방법으로 형성될 수 있다.
상기 하드마스크 조성물은 용액 형태로 제조되어 스핀-온　코팅(spin-on　coating) 방법으로 도포될 수 있다. 　이 때 상기 하드마스크 조성물의 도포 두께는 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 약 100 내지 10,000Å 두께로 도포될 수 있다.
상기 하드마스크 조성물을 열처리하는 단계는 예컨대 약 100내지 500℃에서 약 60초 내지 20분 동안 수행할 수 있다. 상기 열처리 단계에서, 상기 모노머는 자기 가교 및/또는 상호 가교 반응을 일으킬 수 있다.
상기 실리콘 함유 박막층은 예컨대 질화규소 또는 산화규소로 만들어질 수 있다.
또한 상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 상기 실리콘 함유 박막층 상부에　바닥 반사방지 층(bottom anti-reflective coating, BARC)을 더 형성할 수도 있다.
상기 포토레지스트 층을 노광하는 단계는 예컨대 ArF, KrF 또는 EUV 등을 사용하여 수행할 수 있다. 　또한 노광 후 약　100　내지 500℃에서 열처리　공정을 수행할 수 있다.
상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계는 식각 가스를 사용한 건식 식각으로 수행할 수 있으며, 식각　가스는 예컨대 CHF3, CF4, Cl2, BCl3　및 이들의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
상기 식각된 재료 층은 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 복수의 패턴은 금속 패턴, 반도체 패턴, 절연 패턴 등 다양할 수 있으며, 예컨대 반도체 집적 회로 디바이스 내의 다양한 패턴으로 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
모노머의 합성
합성예 1
2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-헥사플루오로프로판(2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-hexafluoropropane) 2.39 g, 파이렌카르복스알데하이드(pyrenecarboxaldehyde) 3.00 g 및 에탄올 15 ml를 50ml의 플라스크에 넣고 90 ℃에서 가열(reflux)하였다. 상기 파이렌카르복스알데하이드가 박막 크로마토그래피(thin layer chromatography, TLC) 상에서 사라지는 것을 확인한 뒤 반응기의 온도를 상온으로 내리고 고형물을 여과한 후 50 ml의 에탄올로 세척하여 하기 화학식 A로 나타내어지는 화합물 4.05 g을 얻었다.
[화학식 A]
Figure pat00024

합성예 2
9,9-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)플루오렌 (9,9-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)fluorene) 2.48 g, 파이렌카르복스알데하이드(pyrenecarboxaldehyde) 3.00 g 및 에탄올 28 ml를 100 ml의 플라스크에 넣은 후 90 ℃에서 가열(reflux)하였다. 상기 파이렌카르복스알데하이드가 박막 크로마토그래피(thin layer chromatography, TLC) 상에서 사라지는 것을 확인한 뒤 반응기의 온도를 상온으로 내리고 고형물을 여과한 후, 20 ml의 에탄올로 세척하여 하기 화학식 B로 나타내어지는 화합물 4.05 g을 얻었다.
[화학식 B]
Figure pat00025

합성예 3
1,3′-디아미노벤지딘(1,3′-diaminobenzidine) 1.30 g, 1-파이렌카르복실산(1-pyrenecarboxylic acid) 3.00 g 및 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 30ml 를 100 mL의 플라스크에 넣은 후 교반 자석을 이용하여 상온에서 20시간 교반하였다. 이어서 상기 혼합 용액의 침전을 여과하여 얻어진 파우더를 n-헥산으로 몇 차례 헹구어 준 후 하기 화학식 C로 나타내어지는 하기 화합물 3.8 g을 얻었다.
[화학식 C]
Figure pat00026

합성예 4
1-안트라센카르복실산(1-anthracenecarboxylic acid) 3 g과, 비스(3,4-디아미노페닐)메탄올 1.65g 및 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 25 ml 를 50 mL의 플라스크에 넣은 후 교반 자석을 이용하여 상온에서 20시간 교반하였다. 이어서 상기 혼합 용액의 침전을 여과하여 얻어진 파우더를 n-헥산으로 몇 차례 헹구어 준 후 하기 화학식 D로 나타내어지는 화합물 3.52 g을 얻었다.
[화학식 D]
Figure pat00027

비교합성예 1
제1 단계: 프리델 - 크래프트 아실레이션 반응
플라스크에 코로넨 50.0g(0.166 mol), 벤조일클로라이드 46.8g(0.333 mol) 및 1,2-디클로로에탄 330g을 첨가하여 용액을 준비하였다. 　이어서 상기　용액에 알루미늄 클로라이드 44.4g(0.333 mol)를 상온에서 천천히 첨가한 후 60 ℃로 승온하여 8 시간 동안 교반하였다. 　반응이 완결되면 상기 용액에 메탄올을 첨가하여 형성된 침전을 여과하여 건조하였다.
제2 단계: 메틸기 제거 반응
플라스크에 상기에서 얻은 화합물　25.0g(0.0492 mol)과 테트라하이드로퓨란 174　g을 첨가하여 용액을 준비하였다. 　이어서 상기　용액에 수소화 붕소나트륨 수용액 18.6g(0.492 mol)을 천천히 첨가하여 24시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완결되면 5% 염화수소 용액으로 pH 7 정도로 중화한 후 에틸 아세테이트로 추출 및 건조하여 하기 화학식 E로 나타내어지는 화합물을 얻었다.
[화학식 E]
Figure pat00028

비교합성예 2
질소 분위기하의 플라스크에 벤질메타크릴레이트 (10g, 0.057mol)과 사이클로헥실메틸메타크릴레이트 (10.6g, 0.057mol)을 메틸에틸케톤 41g에서 혼합하였다. 이후 상기 혼합물에 중합개시제로서 디메틸-2,2’-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 2.6g을 80℃에서 4 시간동안 실린지로 첨가하고 2시간 추가로 교반하였다. 중합 완료 후, 얻어진 중합체를 과량의 헥산 용매에서 천천히 침전시켰다. 이에 따라 생성된 침전물을 여과한 후 침전물을 다시 적당량의 헥산/이소프로판올 혼합 용매에 용해시켜서 교반하였다. 이어서 얻어진 침전물을 50℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 24시간 건조하여 화학식 F로 나타내어지는 화합물을 얻었다.
얻어진 중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 6200이고, 분산도 (Mw/Mn)은 1.45이었다.
[화학식 F]
Figure pat00029
(a:b= 1:1)
하드마스크 조성물의 제조
실시예 1
합성예 1에서 얻은 화합물을 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethyl ether acetate, PGMEA)와 사이클로헥사논(cyclohexanone)(7:3 (v/v))의 혼합 용매에 녹인 후 여과하여 하드마스크 조성물을 제조하였다. 목적하고자 하는 두께에 따라 상기 화합물의 함량은 상기 하드마스크 조성물의 총 중량에 대하여 10.0 중량% 또는 13.0 중량%로 조절하였다.
실시예 2
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 2에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 3
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 3에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
실시예 4
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 합성예 4에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 1
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 비교합성예 1에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
비교예 2
합성예 1에서 얻은 화합물 대신 비교합성예 2에서 얻은 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하드마스크 조성물을 제조하였다.
평가
평가 1: 내열성 평가-1
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 4, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅한 후, 핫 플레이트 위에서 400℃로 2분간 열처리하여 박막을 형성하였다. 상기 박막들을 긁어 펠렛으로 각각 만든 후, 400℃에서 30분간 감소된 무게를 측정하여 무게 감소율을 구하였다 (열중량분석평가: Thermogravimetric Analysis, TGA).
그 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
무게 유지율 (%)
실시예 1 95.8 %
실시예 2 97.5 %
실시예 3 96.1 %
실시예 4 96.5 %
비교예 1 66.7 %
비교예 2 52.6 %
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1, 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 박막 무게 감소율이 적은 것을 알 수 있다. 이로부터 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물은 비교예 1, 2에 따른 하드마스크 조성물과 비교하여 내열성이 우수함을 알 수 있다.
평가 2: 내열성 평가-2
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 4, 및 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅한 후, 핫 플레이트 위에서 240℃로 2분간 열처리하여 박막을 형성하였다. 이어서 상기 박막을 400℃로 2분간 추가로 열처리한 후 박막의 두께를 다시 측정하여 박막 두께 감소율을 구하였다.
그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
240℃
열처리
후 박막 두께 (Å)		 400℃
열처리
후 박막 두께 (Å)		 박막 두께
감소율 (%)
실시예 1 3002 2625 12.53
실시예 2 3214 3014 6.22
실시예 3 2940 2647 9.94
실시예 4 3022 2758 8.71
비교예 1 2994 1973 34.08
표 2를 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 1에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 박막 두께 감소율이 적은 것을 알 수 있다. 이로부터 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물은 비교예에 따른 하드마스크 조성물과 비교하여 내열성이 우수함을 알 수 있다.
평가 3: 내식각성
실리콘 웨이퍼 위에 실시예 1 내지 4과 비교예 2에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅한 후 핫플레이트 위에서 400℃로 2분간 열처리하여 박막을 형성하였다. 이어서 K-MAC社의 박막두께측정기를 이용하여 상기 박막의 두께를 측정하였다. 이어서 상기 박막에 N2/O2 혼합 가스 및 CFx 가스를 사용하여 각각 60초 및 100초 동안 건식 식각한 후 박막의 두께를 다시 측정하였다. 건식 식각 전후의 박막의 두께와 식각 시간으로부터 하기 계산식 1에 의해 식각율(bulk etch rate, BER)을 계산하였다.
[계산식 1]
(초기 박막 두께 - 식각 후 박막 두께)/식각 시간 (Å/s)
그 결과는 표 3과 같다.
식각율(N2/O2, Å/s) 식각율(CFx, Å/s)
실시예 1 25.2 26.3
실시예 2 23.5 22.7
실시예 3 24.3 27.6
실시예 4 22.4 23.3
비교예 2 29.7 32.4
표 3을 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막은 비교예 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 박막과 비교하여 식각 가스에 대한 충분한 내식각성이 있어서 낮은 식각율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
평가 4: 패턴 형성
실리콘 웨이퍼 위에 3000Å 두께의 산화규소(SiO2) 층을 화학기상증착 방법으로 형성하였다. 이어서 상기 산화규소 층 위에 실시예 1 내지 4와 비교예 1, 2에 따른 하드마스크 조성물을 스핀-온 코팅한 후 핫플레이트 위에서 240℃로 1분간 열처리하여 하드마스크 층을 형성하였다.
이어서 상기 하드마스크 층 위에 질화규소(SiN) 층을 화학기상증착법에 의해 형성하였다. 이어서 질화규소 층 위에 KrF용 포토레지스트를 코팅하여 110℃에서 60초 동안 열처리한 후 ASML(XT: 1400, NA 0.93) 노광 장비를 이용하여 노광한 후 2.38wt% 테트라메틸암모늄 하이드록시드(TMAH) 수용액으로 현상하였다.
이어서 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 하여 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 질화규소층을 건식 식각하였다. 이어서 패터닝된 질화규소 층을 마스크로 하여 N2/O2 혼합가스를 사용하여 실시예 1 내지 4와 비교예 1, 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 하드마스크 층을 건식 식각하고, 패터닝된 하드마스크 층을 마스크로 하여 산화규소 층을 건식 식각하였다.
그 후 전자주사현미경(SEM)을 사용하여 하드마스크 층 및 산화규소 층의 패턴의 단면을 관찰하였다.
그 결과는 표 4와 같다.
하드마스크 층
패턴 단면 모양		 산화규소 층
패턴 단면 모양
실시예 1 수직 모양 수직 모양
실시예 2 수직 모양 수직 모양
실시예 3 수직 모양 수직 모양
실시예 4 수직 모양 수직 모양
비교예 1 테이퍼진 모양
(Tapered Shape)		 테이퍼진 모양
(Tapered Shape)
비교예 2 테이퍼진 모양 테이퍼진 모양
표 4를 참고하면, 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 하드마스크 층 및 그 하부의 산화규소 층은 모두 수직 모양으로 패터닝된 반면, 비교예 1, 2에 따른 하드마스크 조성물로부터 형성된 하드마스크 층 및 그 하부의 산화규소 층은 수직모양으로 패터닝되지 못하고 단면이 패턴 상단부로 갈수록 좁아지는 테이퍼진 모양으로 패터닝된 것을 알 수 있다.
이로부터 실시예 1 내지 4에 따른 하드마스크 조성물을 사용한 경우 비교예 1, 2에 따른 하드마스크 조성물을 사용한 경우보다 식각 내성이 우수하여 양호한 패턴이 형성되고 그로부터 하드마스크 층의 하부에 위치하는 재료층 또한 양호한 패턴으로 형성되는 것을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머:
    [화학식 1]
    Figure pat00030

    상기 화학식 1에서,
    A, B 및 B′는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 지방족 고리기 또는 방향족 고리기이고,
    L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고,
    X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
    Y 및 Y′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬에테르, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌에테르, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이다.
  2. 제1항에서,
    상기 A는 하기 그룹 1에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기인 하드마스크 조성물용 모노머:
    [그룹 1]
    Figure pat00031

    단, 상기 그룹 1에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않는다.
  3. 제1항에서,
    상기 B 및 B′는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기인 하드마스크 조성물용 모노머:
    [그룹 2]
    Figure pat00032

    상기 그룹 2에서,
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NR, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
    상기 R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
    단, 상기 그룹 2에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않는다.
  4. 제1항에서,
    하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머:
    [화학식 2]
    Figure pat00033

    [화학식 3]
    Figure pat00034

    [화학식 4]
    Figure pat00035

    [화학식 5]
    Figure pat00036

    상기 화학식 2 내지 5에서,
    L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고,
    X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이다.
  5. 제1항에서,
    상기 L 및 L′는 -C(=O)NH-, 또는 -C(H)=N-이고,
    상기 X 및 X′는 히드록시기, 또는 치환 또는 비치환된 아미노기인
    하드마스크 조성물용 모노머.
  6. 제1항에서,
    상기 모노머는 800 내지 5000의 분자량을 가지는 모노머.
  7. 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 그리고
    용매
    를 포함하는 하드마스크 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00037

    상기 화학식 1에서,
    A, B 및 B′는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 지방족 고리기 또는 방향족 고리기이고,
    L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고,
    X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이고,
    Y 및 Y′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지C30 사이클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬에테르, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬렌에테르, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 할로알킬기 또는 이들의 조합이다.
  8. 제7항에서,
    상기 A는 하기 그룹 1에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기인 하드마스크 조성물:
    [그룹 1]
    Figure pat00038

    단, 상기 그룹 1에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않는다.
  9. 제7항에서,
    상기 B 및 B′는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에서 선택된 치환 또는 비치환된 고리기인 하드마스크 조성물:
    [그룹 2]
    Figure pat00039

    상기 그룹 2에서,
    Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐렌기, C=O, NR, 산소(O), 황(S) 또는 이들의 조합이며,
    상기 R은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐 함유기 또는 이들의 조합이다.
    단, 상기 그룹 2에서 각 고리의 연결 위치는 특별히 한정되지 않는다.
  10. 제7항에서,
    상기 모노머는 하기 화학식 2 내지 5 중 어느 하나로 표현되는 하드마스크 조성물:
    [화학식 2]
    Figure pat00040

    [화학식 3]
    Figure pat00041

    [화학식 4]
    Figure pat00042

    [화학식 5]
    Figure pat00043

    상기 화학식 2 내지 5에서,
    L 및 L′는 각각 독립적으로 -C(=O)NH-, -C(=O)O-, 또는 -C(H)=N-이고,
    X 및 X′는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원자, 히드록시기, 티오닐기, 티올기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알데히드기, 치환 또는 비치환된 카르복실기 또는 이들의 조합이다.
  11. 제7항에서,
    상기 L 및 L′는 -C(=O)NH-, 또는 -C(H)=N-이고,
    상기 X 및 X′는 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 아미노기인
    하드마스크 조성물.
  12. 제7항에서,
    상기 하드마스크 조성물을 100 내지 500 ℃에서 60초 내지 20분 동안 열처리 시 상기 모노머가 하기 화학식 6 내지 9 중 어느 하나로 표현되는 구조를 가지는 하드마스크 조성물:
    [화학식 6]
    Figure pat00044

    [화학식 7]
    Figure pat00045

    [화학식 8]
    Figure pat00046

    [화학식 9]
    Figure pat00047
  13. 제7항에서,
    상기 모노머는 800 내지 5000의 분자량을 가지는 하드마스크 조성물.
  14. 제7항에서,
    상기 모노머는 상기 하드마스크 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 내지 30 중량%로 포함되어 있는 하드마스크 조성물.
  15. 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계,
    상기 재료 층 위에 제7항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 하드마스크 조성물을 적용하는 단계,
    상기 하드마스크 조성물을 열처리하여 하드마스크 층을 형성하는 단계,
    상기 하드마스크 층 위에 실리콘 함유 박막층을 형성하는 단계,
    상기 실리콘 함유 박막층 위에 포토레지스트 층을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 층을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 함유 박막층 및 상기 하드마스크 층을 선택적으로 제거하고 상기 재료 층의 일부를 노출하는 단계, 그리고
    상기 재료 층의 노출된 부분을 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 하드마스크 조성물을 적용하는 단계는 스핀-온 코팅 방법으로 수행하는 패턴 형성 방법.
  17. 제15항에서,
    상기 하드마스크 층을 형성하는 단계는 100℃ 내지 500℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  18. 제15항에서,
    상기 포토레지스트 층을 형성하는 단계 전에 바닥 반사 방지 층(BARC)을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
  19. 제15항에서,
    상기 실리콘 함유 박막층은 산화질화규소(SiON)를 함유하는 것인 패턴 형성 방법.
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US14/609,824 US9683114B2 (en) 2014-03-19 2015-01-30 Monomer for hardmask composition, hardmask composition including the monomer, and method of forming patterns using the hardmask composition
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180062140A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물 및 패턴형성방법
US10556986B2 (en) 2015-10-23 2020-02-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101829750B1 (ko) * 2015-10-19 2018-02-19 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR102289697B1 (ko) * 2015-12-29 2021-08-13 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR102296794B1 (ko) * 2016-07-28 2021-08-31 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR102365131B1 (ko) * 2016-11-10 2022-02-17 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
JP7360927B2 (ja) * 2019-01-09 2023-10-13 信越化学工業株式会社 熱硬化性ケイ素含有化合物、ケイ素含有膜形成用組成物及びパターン形成方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1079762B (de) * 1955-09-07 1960-04-14 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Kuepenfarbstoffen der Thiazol- und Oxazolreihe
US3368974A (en) * 1964-12-30 1968-02-13 Universal Oil Prod Co Pyrenyl compounds and use thereof
US3763107A (en) * 1970-11-10 1973-10-02 D Alelio G Francis Polybenzimidazoles and method of preparation
JPH03192264A (ja) * 1989-12-21 1991-08-22 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPH05281551A (ja) * 1992-04-01 1993-10-29 Fuji Photo Film Co Ltd 液晶配向膜
PL192759B1 (pl) * 1999-05-18 2006-12-29 Politechnika Warszawska Nowe związki azometinowe
DE10147927B8 (de) * 2001-09-28 2004-07-08 Infineon Technologies Ag Poly-o-hydroxyamide, Polybenzoxazole, elektronisches Bauteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
KR20030043702A (ko) * 2001-11-26 2003-06-02 간사이 페인트 가부시키가이샤 폴리벤족사졸 전구체 및 그것을 이용하는 피복용 조성물
DE10228769A1 (de) * 2002-06-27 2004-02-05 Infineon Technologies Ag Isoliermaterial für Aluminium und Kupfermetallisierungen
EP1394171A1 (de) * 2002-08-09 2004-03-03 Bayer Aktiengesellschaft Mehrkernige Metallkomplexe als Phosphoreszenzemitter in elektrolumineszierenden Schichtanordnungen
US7303855B2 (en) 2003-10-03 2007-12-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoresist undercoat-forming material and patterning process
WO2005114724A1 (ja) * 2004-05-21 2005-12-01 Jsr Corporation 積層体および半導体装置
JP2006338338A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Sanden Corp 集中管理システムにおける被管理端末
KR100662542B1 (ko) * 2005-06-17 2006-12-28 제일모직주식회사 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용하여 기판 상에패턴화된 재료 형상을 형성시키는 방법
CN101067826A (zh) * 2007-06-08 2007-11-07 威盛电子股份有限公司 数据分散存取方法
KR100874655B1 (ko) 2007-07-20 2008-12-17 금호석유화학 주식회사 스핀 온 카본 하드마스크용 축중합체 및 이의 제조방법과축중합체를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR101156489B1 (ko) * 2008-12-02 2012-06-18 제일모직주식회사 반사방지 하드마스크 조성물
KR101067826B1 (ko) * 2009-10-27 2011-09-27 이화여자대학교 산학협력단 폴리곤 모델에 대한 하우스도르프 거리 산출 방법
KR101719146B1 (ko) 2010-04-09 2017-03-24 한국생산기술연구원 하드마스크용 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물
JP5229278B2 (ja) 2010-06-21 2013-07-03 信越化学工業株式会社 ナフタレン誘導体、レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
EP2695906B1 (en) * 2011-04-08 2018-12-26 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Polybenzoxazole resin and precursor thereof
JP5653880B2 (ja) * 2011-10-11 2015-01-14 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
KR101497132B1 (ko) 2011-12-30 2015-03-02 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101556276B1 (ko) * 2012-12-28 2015-09-30 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
KR101667788B1 (ko) * 2013-12-31 2016-10-19 제일모직 주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10556986B2 (en) 2015-10-23 2020-02-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns
KR20180062140A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물 및 패턴형성방법

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