KR100874655B1 - 스핀 온 카본 하드마스크용 축중합체 및 이의 제조방법과축중합체를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물 및이를 이용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 제 1항에 따른 축중합체를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 축중합체는 상기 전체 조성물 중 0.1내지 40중량% 로 포함되는 것을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 조성물은 경화제, 열산발생제 및 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 경화제는 2개 이상의 가교 형성 관능기를 갖는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 것으로 전체 조성물 중0.01내지 40중량%로 포함됨을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물.
- 제 5항에 있어서, 상기 가교 형성 관능기는 옥세타닐기, 옥사졸린기, 시클로카보네이트기, 알코올시 시릴기, 아미노 메틸올기 또는 알콕시메틸기, 아지리디닐기, 메틸올기, 이소시아네이트기, 알콕시메틸아미노기, 혹은 다관능성 에폭시기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 것임을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 용매로는 테트라히드로나프탈렌, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 시클로헥사논, 에틸락테이트, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디메틸 포름아미드(DMF), 감마-부티로락톤, 에톡시 에탄올, 메톡시 에탄올, 메틸3-메톡시프로피오네이트(MMP), 및 에틸3-에톡시프로피오네이트(EEP)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 이상의 것으로, 전체 조성물 중 50중량% 내지 98 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크 조성물.
- 9,9-비스(3,5-디페닐-4-히드록시페닐)플루오렌과 나프탈렌 유도체 및 안트라센 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 관능기를 포함하는 알데히드를 반응시키는 단계를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크용 축중합체의 제조 방법.
- 제 9항에 있어서, 상기 9,9-비스(3,5-디페닐-4-히드록시페닐)플루오렌과 알데히드는 1:2.5~1:0.59의 몰비로 반응하는 것을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크용 축중합체의 제조 방법.
- 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 축중합체는 산촉매 하에서 120~200℃ 온도에서 3~24시간 동안 축중합 반응을 진행시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크용 축중합체의 제조 방법.
- 제 2항에 따른 조성물을 스핀 도포를 통해 피식각층 상부에 도포하는 단계; 및상기 도포된 조성물에 대해 베이크 공정을 진행하여 가교 결합을 형성시킴으로써 스핀 온 카본 하드마스크를 형성하는 단계를 포함하는 스핀 온 카본 하드마스크 형성 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 베이크 공정은 150-250℃의 온도에서 1 내지 5분간 진행됨을 특징으로 하는 스핀 온 카본 하드마스크 형성 방법.
- 제 2항에 따른 조성물을 스핀 도포에 의해 피식각층 상부에 도포하는 단계;도포된 조성물에 대해 베이크 공정을 진행하여 가교 결합을 형성시킴으로써 스핀 온 카본 하드마스크를 형성하는 단계;형성된 스핀 온 카본 하드마스크 상부에 유무기 조성물을 도포하고, 베이크하여 유무기 반사방지막을 형성시키는 단계;상기 형성된 유무기 막질 상부에 포토레지스트를 도포하고 노광한 다음 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 유무기 막질을 식각한 후, 스핀 온 카본 하드마스크를 식각한 다음, 피식각층을 식각하여 피식각층의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
- 제 14 항에 의한 패턴 형성 방법을 통하여 제조되는 반도체 소자.
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