KR20150078631A

KR20150078631A - Apparatus for Processing Substrate

Info

Publication number: KR20150078631A
Application number: KR1020130168174A
Authority: KR
Inventors: 오세훈; 이세원; 최기훈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-31
Filing date: 2013-12-31
Publication date: 2015-07-08
Also published as: KR102270779B1

Abstract

The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, which comprises a process container providing a space where a substrate is washed inside; and a substrate support member provided in the space, and supporting the substrate; and a spray member selectively spraying multiple processing solutions to the substrate put on the substrate support member, wherein the process container comprises collecting containers having an inlet where the process solution scattered from the substrate support member flows in, stacked in vertical direction, and having each inlet sealed by being overlapped with a neighboring inlet; and an opening and closing unit moving the collecting container a user wants to open in vertical direction for opening any one collecting container inlet among the collecting containers.

Description

[0001] Apparatus for Processing Substrate [

본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 웨이퍼 또는 평판 표시 소자 제조에 사용되는 유리 기판 등과 같은 기판에 대해 세정 또는 건조 등과 같은 공정을 수행하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for performing a process such as cleaning or drying on a substrate such as a wafer used for manufacturing a semiconductor device or a glass substrate used for manufacturing a flat panel display device.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become more dense, highly integrated, and have high performance, circuit patterns become finer, so that contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of devices and yield do. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhered to the surface of the substrate is becoming very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

이러한 기판 세정 장치는 세정 처리에 사용되는 약액이 종류별로 배출되는데, 바울(처리 용기)에 형성된 약액 유로들을 통해 종류별로 배출된다. In such a substrate cleaning apparatus, the chemical liquid used in the cleaning process is discharged according to the type of the chemical liquid, which is discharged through the chemical liquid flow channels formed in the pores (processing vessels).

그러나, 기존 세정 장치는 해당 바울 단에서 공정 진행시 다른 단으로의 케미칼 유입으로 성상 분리가 불가능하였다. 이러한 원인은 바울이 개방형으로 되어 있어 공정 진행 이외의 단으로 케미칼 유입이 가능한 취약 구조로 이루어졌기 때문이다.However, in the conventional cleaning device, it was impossible to separate the components by the influx of chemicals into the other stages when the process was proceeded at the corresponding Paul stage. The reason for this is that Paul is open-ended and has a weak structure that allows chemicals to flow into the stage other than the process.

또한, 통합 배기 구조로 되어 있어 배기에 의한 미스트(mist)로 인해 성상 분리가 취약하였다.Also, since it has an integrated exhaust structure, it is weak in separation due to mist due to exhaust.

본 발명의 실시예들은 각 단에서의 성상 분리를 통해 약액의 재사용이 용이한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus that facilitates the reuse of a chemical solution through element separation at each stage.

본 발명의 실시예들은 처리 용기 구조를 밀폐형으로 구성한 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus in which the processing vessel structure is constructed in a hermetically sealed manner.

본 발명의 실시예들은 드레인 및 배기가 독립적으로 이루어지는 기판 처리 장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus in which drain and exhaust are provided independently.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 기판을 세정하는 공간을 제공하는 처리 용기; 상기 공간 내에 제공되고, 기판을 지지하는 기판 지지 부재; 상기 기판 지지 부재에 놓여지는 기판으로 복수의 처리액을 선택적으로 분사하는 분사 부재를 포함하되; 상기 처리 용기는 상기 기판 지지 부재로부터 비산되는 처리액이 유입되는 입구를 갖고, 상하 방향으로 적층되되, 각 입구는 이웃하는 입구와 서로 겹쳐져 밀폐되게 제공되는 회수통들; 상기 회수통들중 어느 하나의 회수통 입구를 개폐하기 위해 개폐하고자 하는 회수통을 상하 방향으로 이동시키는 개폐 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus comprising: a processing container for providing a space for cleaning a substrate therein; A substrate support member provided in the space and supporting the substrate; And a jet member for selectively jetting a plurality of process liquids to a substrate placed on the substrate support member; Wherein the processing vessel has an inlet through which the treatment liquid to be scattered from the substrate supporting member flows and is stacked in an up and down direction, each inlet being provided with a neighboring inlet to be hermetically closed; And an opening / closing unit for moving the collection box to open / close to open / close any one of the collection bins of the collection bins in the vertical direction.

또한, 상기 개폐 유닛은 승강 부재; 상기 승강 부재에 의해 업다운 되고, 상기 회수통들 각각에 대향되는 위치에 전자석들이 구비된 홀딩바; 및 상기 전자석들에 전원을 단속시켜 자력 발생을 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 회수통들은 상기 전자석들과 대응되는 위치에 설치되는 자성체를 포함할 수 있다. Further, the opening / closing unit may include an elevating member; A holding bar that is lifted up by the lifting member and has electromagnets at positions opposite to the respective collection bins; And a control unit for controlling the generation of magnetic force by interrupting the power supply to the electromagnets, wherein the recovery bins may include a magnetic body installed at a position corresponding to the electromagnets.

본 발명에 의하면, 각 회수통에서의 성상 분리를 통해 약액의 재사용 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the reuse efficiency of the chemical liquid through the constituent separation in each of the recovery tubes.

또한, 각 회수통들에서의 드레인 및 배기를 독립구조로 제공할 수 있다.Further, the drain and the exhaust in each of the collection bins can be provided as independent structures.

또한, 회수통에서의 드레인 및 배기시 이웃하는 회수통으로의 약액 유입을 차단할 수 있다. In addition, it is possible to prevent the inflow of the chemical liquid into the drain in the recovery cylinder and the neighboring recovery cylinder at the time of exhausting.

도 1은 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 처리 용기(100) 전체 높이가 초기 상태인 "0 단" 위치를 보여준다.
도 5는 처리 용기의 1단 위치를 보여주는 도면이다.
도 6은 처리 용기의 2단 위치를 보여주는 도면이다.
도 7은 처리 용기의 3단 위치를 보여주는 도면이다.
도 8은 처리 용기의 4단 위치를 보여주는 도면이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing system.
2 is a plan view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
4 shows a "zero-step" position in which the entire height of the processing vessel 100 is in an initial state.
5 is a view showing a first stage position of the processing container.
6 is a view showing the two-stage position of the processing container.
7 is a view showing the three-stage position of the processing container.
8 is a view showing the four-stage position of the processing container.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention is capable of various modifications and various embodiments, and specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. It is to be understood, however, that the invention is not to be limited to the specific embodiments, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.

본 실시예에서는 기판으로 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명한다. 그러나 기판은 반도체 웨이퍼 이외에 포토마스크, 평편 표시 패널 등 다양한 종류의 기판일 수 있다. In this embodiment, a semiconductor wafer will be described as an example of a substrate. However, the substrate may be various kinds of substrates such as a photomask, a flat display panel, etc. in addition to a semiconductor wafer.

도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing system of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제 1 방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(1)의 수직인 방향을 제 2 방향(2)이라 하며, 제 1 방향(1)과 제 2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(3)이라 정의한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing system 1000 of the present invention may include an index unit 10 and a processing unit 20. The index section 10 and the process processing section 20 are arranged in a line. The direction in which the index portion 10 and the processing portion 20 are arranged is referred to as a first direction 1 and the direction perpendicular to the first direction 1 is referred to as a second direction 2, And a direction perpendicular to the plane including the first direction 1 and the second direction 2 is defined as a third direction 3. [

인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향(1)의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.The index portion 10 is disposed in front of the first direction 1 of the substrate processing system 1000. The index portion 10 includes a load port 12 and a transfer frame 14.

로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.The carrier 11 in which the substrate W is accommodated is seated in the load port 12. A plurality of load ports 12 are provided and they are arranged in a line along the second direction 2. The number of the load ports 12 may increase or decrease depending on the process efficiency and the footprint condition of the substrate processing apparatus 1000 and the like. As the carrier 11, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The carrier 11 is formed with a plurality of slots for accommodating the substrates horizontally arranged with respect to the paper surface.

이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제 2 방향으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.The transfer frame 14 is disposed in the first direction adjacent to the load port 12. [ The transfer frame 14 is disposed between the load port 12 and the buffer section 30 of the processing section 20. The transfer frame 14 includes an index rail 15 and an index robot 17. An index robot (17) is seated on the index rail (15). The index robot 17 transfers the substrate W between the buffer unit 30 and the carrier 11. [ The index robot 17 linearly moves along the index rail 210 in the second direction or rotates about the third direction 3 as an axis.

공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제 1 방향(1)을 따라 기판 처리 시스템(1000)의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다.Process processing section 20 is disposed behind substrate processing system 1000 along a first direction 1 adjacent to index section 10. The processing section 20 includes a buffer section 30, a moving path 40, a main transfer robot 50, and a substrate processing apparatus 60. [

버퍼부(30)는 제 1 방향(1)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 기판 처리 장치(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.The buffer unit 30 is disposed in front of the processing unit 20 along the first direction 1. The buffer unit 30 is a place where the substrate W is temporarily stored and waited before the substrate W is transferred between the substrate processing apparatus 60 and the carrier 11. [ The buffer portion 30 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided so as to be spaced apart from each other in the third direction 3.

이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제 1 방향(1)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제 1 방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다. The transfer passage 40 is disposed in correspondence with the buffer section 30. [ The moving passages (40) are arranged in the longitudinal direction along the first direction (1). The transfer passage 40 provides a passage through which the main transfer robot 50 moves. On both sides of the transfer passage 40, the substrate processing apparatuses 60 are disposed to face each other along the first direction 1. The main transfer robot 50 moves along the first direction 1 to the transfer passages 40 and the upper and lower layers of the substrate processing apparatus 60 and the upper and lower layers of the buffer unit 30, Respectively.

메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 기판 처리 장치(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 기판 처리 장치(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제 2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다. The main transfer robot 50 is installed in the transfer passage 40 and transfers the substrate W between the substrate processing apparatus 60 and the buffer section 30 or between the substrate processing apparatuses 60. [ The main transfer robot 50 linearly moves along the moving path 400 in the second direction 2 or rotates about the third direction 3. [

기판 처리 장치(60)는 복수개 제공되며, 제 2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 기판 처리 장치(60)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이고, B는 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 기판 처리 장치(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판 처리 장치(60)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다. A plurality of substrate processing apparatuses 60 are provided, and are arranged on both sides of the moving path 30 along the second direction 2. Some of the substrate processing apparatuses 60 are arranged along the longitudinal direction of the moving path 30. [ In addition, some of the substrate processing apparatuses 60 are stacked on each other. That is, the substrate processing apparatuses 60 may be arranged in an array of A X B on one side of the transfer passage 30. Where A is the number of substrate processing apparatuses 60 provided in a row along the first direction 1 and B is the number of substrate processing apparatuses 60 provided in a row along the second direction 2. [ When four or six substrate processing apparatuses 60 are provided on one side of the moving path 30, the substrate processing apparatuses 60 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of the substrate processing apparatuses 60 may increase or decrease. Unlike the above, the substrate processing apparatus 60 may be provided only on one side of the moving path 30. [ Also, unlike the above, the substrate processing apparatus 60 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the moving path 30. [

기판 처리 장치(60)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(60)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판 처리 장치(60)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 장치(60)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(60)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이동 통로(30)의 일측에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 이동 통로(30)의 타측에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이동 통로(30)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. The substrate processing apparatus 60 can perform a cleaning process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 60 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, each substrate processing apparatus 60 may have the same structure. Alternatively, the substrate processing apparatuses 60 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 60 belonging to the same group are identical to each other, and the structures of the substrate processing apparatuses 60 belonging to different groups are provided differently from each other . For example, when the substrate processing apparatuses 60 are divided into two groups, a first group of the substrate processing apparatuses 60 are provided on one side of the moving path 30, and on the other side of the moving pathway 30, The substrate processing apparatuses 60 may be provided. Alternatively, a first group of substrate processing apparatuses 60 may be provided on the lower layer on both sides of the transfer path 30, and a second group of substrate processing apparatuses 60 may be provided on the upper layer. The first group of substrate processing apparatuses 60 and the second group of substrate processing apparatuses 60 may be classified depending on the type of the chemical used and the type of the cleaning method. Alternatively, the first group of substrate processing apparatuses 60 and the second group of substrate processing apparatuses 60 may be provided to sequentially perform a process on one substrate W.

도 2는 기판 처리 장치를 나타낸 평면도이다. 도 3은 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다. 그리고, 도 4는 처리 용기(100) 전체 높이가 초기 상태인 "0 단" 위치를 보여준다.2 is a plan view showing a substrate processing apparatus. 3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus. 4 shows a "zero-step" position in which the entire height of the processing vessel 100 is the initial state.

아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액(오존수 포함), 산성 약액, 린스액, 그리고 건조가스(IPA가 포함된 가스)와 같은 처리유체들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.In the following examples, an apparatus for cleaning a substrate using processing fluids such as hot sulfuric acid, an alkaline chemical solution (including ozone water), an acidic chemical solution, a rinse solution, and a dry gas (gas containing IPA) is taken as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and can be applied to various kinds of apparatuses that perform a process while rotating a substrate such as an etching process.

또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(60)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.In the present embodiment, the substrate processed by the substrate processing apparatus 60 is exemplified as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited to this and can be applied to various types of substrates such as a glass substrate.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(60)는 공정 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200), 분사 부재(300) 및 배기 부재(400)를 포함한다.2 to 4, the substrate processing apparatus 60 includes a process chamber 700, a processing vessel 100, a substrate supporting member 200, a jetting member 300, and an exhausting member 400.

공정 챔버(700)는 밀폐된 공간을 제공하며. 상부에는 팬 필터 유닛(710)이 설치된다. 팬 필터 유닛(710)은 공정 챔버(700) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.The process chamber 700 provides an enclosed space. And a fan filter unit 710 is installed on the upper part. The fan filter unit 710 generates a vertical air flow inside the process chamber 700.

팬 필터 유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 공정 챔버(700) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 공정 챔버(700) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리유체에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 퓸(Fume)등 오염기체는 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수 용기들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 청정도를 유지하게 된다.The fan filter unit 710 is a unit in which the filter and the air supply fan are modularized into a single unit and supplies clean air to the inside of the process chamber 700 by filtering. Clean air passes through the fan filter unit 710 and is supplied into the process chamber 700 to form a vertical airflow. The vertical airflow of the air provides a uniform air flow on the substrate. The contaminated gas such as fumes generated during the processing of the substrate surface by the processing fluid flows together with the air into the recovery vessels of the processing vessel 100 So that the cleanliness of the inside of the processing container can be maintained.

도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 상부 영역(716)과 하부 영역(718)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 하부 영역(718)에는 처리 용기(100)의 각 회수통들과 연결되는 회수라인(151,152,153,154), 서브배기라인(410) 이외에도 제1승강 부재의 구동부, 분사 부재(300)의 분사 노즐(340)과 연결되는 구동부, 공급라인 등이 위치되는 유지 보수 공간으로, 이러한 하부 영역(718)은 기판 처리가 이루어지는 상부 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the chamber 700 is partitioned into an upper region 716 and a lower region 718 by a horizontal partition 714. In addition to the recovery lines 151, 152, 153 and 154 and the sub-exhaust line 410 connected to the respective recovery cylinders of the processing vessel 100, the driving unit of the first elevation member, the injection member 300, A supply line, and the like, which are connected to the injection nozzles 340 of the lower region 718. The lower region 718 is preferably isolated from the upper region where the substrate processing is performed.

처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 처리 용기(100)는 공정 공간 아래에 배기부재(400)와 연결되는 배기덕트(190)가 제공된다. The processing vessel 100 has a cylindrical shape with an open top, and provides a processing space for processing the substrate w. The open upper surface of the processing vessel 100 is provided as a take-out and carry-in passage of the substrate w. The substrate support member 200 is located in the process space. The processing vessel 100 is provided with an exhaust duct 190 connected to the exhaust member 400 below the processing space.

배기 부재(400)는 기판 처리 공정시 처리 용기 내에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 배기부재(400)는 배기덕트(190)와 연결되는 서브 배기 라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브 배기 라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.The exhaust member 400 is for providing the exhaust pressure in the processing vessel during the substrate processing process. The exhaust member 400 includes a sub-exhaust line 410 connected to the exhaust duct 190, and a damper 420. The sub-exhaust line 410 is supplied with the exhaust pressure from an exhaust pump (not shown) and is connected to the main exhaust line embedded in the bottom space of the semiconductor production line.

기판 지지부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판을 회전시킨다. 기판 지지부재(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220), 회전 구동부(230)을 포함한다. 스핀 헤드는 지지핀(212), 척핀(214)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(210)의 저면에는 회전 구동부(230)에 의해 회전가능한 지지축(220)이 고정결합된다. The substrate support member 200 supports the substrate W and rotates the substrate during the process. The substrate support member 200 includes a spin head 210, a support shaft 220, and a rotation drive unit 230. The spin head includes a support pin 212 and a chuck pin 214. The spin head 210 has an upper surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 220 rotatable by a rotation drive unit 230 is fixedly coupled to a bottom surface of the spin head 210.

지지핀(212)은 복수 개 제공된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 헤드(210)에서 제 3 방향(3)으로 돌출된다. 지지핀(212)은 스핀 헤드(210)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(214)은 복수 개 제공되며, 지지핀(214)의 외측에 배치되며, 지지판(214)에서 제 3 방향(3)으로 돌출되도록 구비된다. 척핀(214)은 기판 지지부재(200)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다.A plurality of support pins 212 are provided. The support pins 212 are spaced apart from the edge of the upper surface of the spin head 210 by a predetermined distance and protrude in the third direction 3 from the spin head 210. The support pins 212 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is separated from the upper surface of the spin head 210 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 214 are provided and are disposed on the outside of the support pins 214 and protrude from the support plate 214 in the third direction 3. [ The chuck pin 214 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the substrate support member 200 is rotated.

분사 부재(300)는 기판 처리 공정시 약액을 공급받아 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 약액을 분사한다. 분사 부재(300)는 지지축(320), 구동기(310), 노즐 지지대(330) 그리고 분사 노즐(340)을 포함한다. The jetting member 300 receives the chemical liquid during the substrate processing step and ejects the chemical liquid onto the processing surface of the substrate placed on the spin head 210 of the substrate supporting member 200. The injection member 300 includes a support shaft 320, a driver 310, a nozzle support 330, and a spray nozzle 340.

지지축(320)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(320)의 하단은 구동기(310)와 결합된다. 구동기(310)는 지지축(320)을 회전 및 직선 운동시킨다. 노즐 지지대(330)는 지지축(320)에 결합되어 분사 노즐(340)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(340)이 약액을 분사하면서 이동되도록 한다. The support shaft 320 is provided in the third direction 3 in its longitudinal direction and the lower end of the support shaft 320 is engaged with the driver 310. The driver 310 rotates and linearly moves the support shaft 320. The nozzle support 330 is coupled to the support shaft 320 to move the injection nozzle 340 to an upper portion of the substrate or to allow the injection nozzle 340 to move while spraying the chemical liquid.

분사 노즐(340)은 노즐 지지대(330)의 끝단 저면에 설치된다. 분사 노즐(340)은 구동기(310)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 분사 노즐(340)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)로부터 공급된 약액을 분사한다. 또한, 분사 노즐(340)은 약액 공급 장치(미도시)에서 공급된 약액 외에 다른 약액을 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.The injection nozzle 340 is installed at the bottom end of the nozzle support base 330. The injection nozzle 340 is moved to the process position and the standby position by the driver 310. The process position is a position where the injection nozzle 340 is disposed at the vertical upper portion of the processing container 100 and the standby position is the position where the injection nozzle 340 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 100. The injection nozzle 340 injects the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply device (not shown). In addition, the injection nozzle 340 can directly supply the chemical liquid other than the chemical liquid supplied from the chemical liquid supply device (not shown) to the nozzle and inject it.

처리 용기(100)는 회수통들(112,114,116,118)과 개폐 유닛(130)을 포함한다.The processing vessel 100 includes recovery cans 112, 114, 116 and 118 and an opening and closing unit 130.

회수통들(112,114,116,118)들은 처리 용기(100)의 원통 베이스(101) 안쪽에 배치된다. 원통 베이스(101)는 수평 격벽(714)에 고정 설치될 수 있다. The recovery vats 112, 114, 116 and 118 are disposed inside the cylindrical base 101 of the processing vessel 100. The cylindrical base 101 may be fixed to the horizontal partition 714.

회수통(112,114,116,118)들은 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하기 위해 다단으로 배치된다. 회수통(112,114,116,118)들은 원통 베이스(101)로부터 이격되어 배치되며, 고정통(119)상에 위치된다.The recovery cylinders (112, 114, 116, 118) are arranged in multiple stages for introducing and sucking the chemical liquid and the gas scattered on the substrate to be rotated. The recovery cylinders 112, 114, 116 and 118 are disposed apart from the cylindrical base 101 and located on the fixed cylinder 119.

회수통(112,114,116,118)들은 최상단에 위치하는 1단 회수통(112)을 시작으로 아래에 순차적으로 2단 회수통(114), 3단 회수통(116) 그리고 4단 회수통(118)이 배치된다. 4단 회수통(118)은 고정통(119)에 지지된다. The recovery cylinders 112, 114, 116 and 118 are sequentially arranged below the first-stage recovery cylinder 112 located at the uppermost stage, the second-stage recovery cylinder 114, the third-stage recovery cylinder 116 and the fourth-stage recovery cylinder 118 are disposed sequentially . The four-stage recovery cylinder 118 is supported by the fixed cylinder 119.

본 실시예에서, 처리 용기는 4단의 회수통을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 처리 용기는 2단 또는 5단 이상의 회수통을 포함할 수 있다. In this embodiment, the processing vessel is shown as having four recovery vessels, but it is not limited thereto, and the processing vessel may include two or more recovery vessels.

각각의 회수통(112,114,116,118)은 공정에 사용된 처리 유체 중 서로 상이한 처리 유체를 회수할 수 있다. Each of the recovery cylinders 112, 114, 116, and 118 can recover different processing fluids among the processing fluids used in the process.

회수통들(112,114,116,118)은 기판 지지부재(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 4단 회수통(118)의 내측에는 고정통(119)이 배치된다. 회수통들(112,114,116,118)은 상하 방향으로 이동가능하게 설치된다. The recovery vats 112, 114, 116 and 118 are provided in the form of an annular ring surrounding the substrate support member 311. A fixed cylinder 119 is disposed inside the four-stage recovery cylinder 118. The recovery cans 112, 114, 116 and 118 are provided so as to be movable in the vertical direction.

4단 회수통(118)과 고정통(119) 사이 공간(118a)은 4단 회수통(118)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로 4단 회수통 상단의 유입구(118b)와 연결된다. 3단 회수통(116)과 4단 회수통(118) 사이 공간(116a)은 3단 회수통(116)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로, 3단 회수통 상단의 유입구(116b)와 연결된다. 2단 회수통(114)과 3단 회수통(116) 사이 공간(114a)은 2단 회수통(114)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로, 2단 회수통 상단의 유입구(114b)와 연결된다. 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114) 사이 공간(112a)은 1단 회수통(112)으로 약액 및 기체가 유입되는 공간으로 1단 회수통 상단의 유입구(112b)와 연결된다. The space 118a between the 4-stage recovery tank 118 and the fixed cylinder 119 is connected to the inlet 118b at the upper end of the 4-stage recovery tank into the space where the chemical solution and the gas are introduced into the 4-stage recovery tank 118. The space 116a between the third stage recovery tube 116 and the fourth stage recovery tube 118 is a space through which the chemical solution and the gas are introduced into the third stage recovery tube 116 and connected to the inlet 116b at the upper end of the third stage recovery tube do. The space 114a between the second stage recovery cylinder 114 and the third stage recovery cylinder 116 is a space into which the chemical solution and the gas are introduced into the second stage recovery cylinder 114 and is connected to the inlet 114b at the upper end of the second stage recovery cylinder do. The space 112a between the first stage recovery tank 112 and the second stage recovery tank 114 is connected to the inlet 112b at the upper end of the first stage recovery tank into a space where the chemical solution and the gas are introduced into the first stage recovery tank 112 .

각각의 회수통(112,114,116,118)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(151,152,153,154)이 연결된다. 각각의 회수라인(151,152,153,154)은 각각의 회수통(112,114,116,118)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Recovery passages (151, 152, 153, 154) extending vertically downward from the bottom face are connected to the respective recovery passages (112, 114, 116, 118). Each of the recovery lines 151, 152, 153, and 154 discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 112, 114, 116, and 118. The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

한편, 각각의 회수통(112,114,116,118)은 자성체를 갖는다. 자성체는 외측면에 매장된 형태로 개폐 유닛의 홀딩바에 설치된 전자석들과 각각 대향되게 배치된다. On the other hand, each of the recovery cylinders 112, 114, 116 and 118 has a magnetic body. The magnetic body is disposed opposite to the electromagnets installed in the holding bar of the opening / closing unit in the form buried in the outer surface.

공정을 진행하기 전에는 회수통(112,114,116,118)들의 입구가 이웃하는 회수통의 입구와 서로 겹쳐져 닫혀진 상태로 제공될 수 있다. Prior to the process, the entrances of the collecting troughs 112, 114, 116 and 118 may be provided in a closed state overlapping with the entrances of the adjacent collecting troughs.

개폐 유닛(130)은 회수통들(112,114,116,118)중 어느 하나의 회수통 입구를 개폐하기 위해 개폐하고자 하는 회수통을 상하 방향으로 이동시키는 위한 것이다. 개폐 유닛(130)은 처리 용기(100)의 양측에 대칭되게 설치될 수 있다. The opening and closing unit 130 is for vertically moving the collection container to be opened or closed to open or close any one of the collection containers 112, 114, 116 and 118. The opening and closing unit 130 may be installed symmetrically on both sides of the processing vessel 100.

개폐 유닛(130)은 승강 부재(140)와 홀딩바(150) 그리고 제어부(160)를 포함한다.The opening and closing unit 130 includes a lifting member 140, a holding bar 150, and a control unit 160.

승강 부재(140)는 승강 축(144), 그리고 구동기(146)를 포함한다. 구동기(146)는 실린더 장치일 수 있으며, 승강 축(144)은 구동기(146) 내에서 상하로 이동되는 실린더 로드일 수 있다. 본 실시예에서는 실린더 방식의 승강 부재를 일 예로 도시하였으나, 다양한 직선 구동 장치가 적용될 수 있다. The lifting member 140 includes a lifting shaft 144 and a driver 146. [ The actuator 146 may be a cylinder device and the lift shaft 144 may be a cylinder rod that is moved up and down in the actuator 146. [ Although the cylinder type elevating member is shown as an example in the present embodiment, various linear driving devices can be applied.

홀딩바(150)는 승강 축(144)에 연결되어 승강 부재(140)에 의해 승강된다. 홀딩바(150)는 회수통(112,114,116,118)들과 원통 베이스(101) 사이 공간에 배치된다. 홀딩바(150)의 내측면은 회수통(112,114,116,118)의 외측면과 거의 맞닿게 제공된다. 홀딩바(150)에는 전자석(152,154,156,158)들이 설치된다. 전자석(152,154,156,158)들은 회수통(112,114,116,118) 각각의 자성체(a1,a2,a3,a4)와 대향되게 배치된다. The holding bar 150 is connected to the lifting shaft 144 and is lifted by the lifting member 140. The holding bar 150 is disposed in a space between the recovery cylinders 112, 114, 116, and 118 and the cylindrical base 101. The inner surface of the holding bar 150 is provided to abut the outer surfaces of the recovery tubes 112, 114, 116 and 118. The holding bars 150 are provided with electromagnets 152, 154, 156 and 158. The electromagnets 152, 154, 156 and 158 are arranged to face the magnetic bodies a1, a2, a3 and a4 of the recovery cylinders 112, 114, 116 and 118, respectively.

제어부(160)는 전자석(152,154,156,158)들에 전원을 단속시켜 자력 발생을 제어한다.The control unit 160 controls the generation of magnetic force by interrupting the power supply to the electromagnets 152, 154, 156, and 158.

개폐 유닛(130)은 전자석(152,154,156,158)들에 선택적으로 전류를 인가하여 원하는 회수통의 입구를 개방할 수 있다. 특히, 개폐 유닛(130)은 하나의 승강 부재(140)를 이용해 1단의 회수통부터 4단의 회수통까지 선택적 승강이 가능하다.The opening and closing unit 130 may selectively apply current to the electromagnets 152, 154, 156, 158 to open the inlet of the desired recovery bin. In particular, the opening and closing unit 130 can be selectively lifted and lowered from the one-stage recovery cylinder to the four-stage recovery cylinder by using one lifting member 140.

한편, 처리 용기(100)의 다른 일측에 설치된 개폐유닛(130a)은 앞서 언급한 개폐유닛(130)과 일부 차이점을 갖는다. 개폐유닛(130a)은 홀딩바(150)에 배기를 위한 개구(B1,B2,B3,B4)들이 제공된다. On the other hand, the opening / closing unit 130a provided on the other side of the processing container 100 has some differences from the opening / closing unit 130 described above. The opening and closing unit 130a is provided with openings B1, B2, B3 and B4 for exhausting in the holding bar 150. [

이상에서 설명한 바와 같은 구성을 가지는 기판 처리 장치(60)는 회수통(112,114,116,118)들을 다음과 같은 처리 단계에서 사용할 수 있다. The substrate processing apparatus 60 having the above-described structure can use the recovery containers 112, 114, 116, and 118 in the following process steps.

도 5는 처리 용기의 1단 위치를 보여주는 도면이다. 5 is a view showing a first stage position of the processing container.

도 5를 참조하면, 1단 위치는 1단 회수통만 상승시킨 상태로, 개폐 유닛(130)은 1단 회수통(112)과 대향되는 전자석(152)에만 전류를 인가한 후 상승 이동하여 1단 회수통(112)의 입구(112b)를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 1단 회수통(112)의 입구(112a)를 통해 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114) 사이 공간(112a)으로 유입되고, 약액은 1단 회수통(112)에 연결된 회수라인(151)을 통해 배출되며, 기체는 개폐유닛(130a)의 제1개구(B1)을 통해 배기된다.5, the first-stage position is a state in which only the first-stage recovery cylinder is lifted and the opening / closing unit 130 moves upward after applying current only to the electromagnet 152 opposed to the first-stage recovery cylinder 112, The inlet 112b of the recovery bin 112 can be opened. The chemical liquid and gas scattered from the outside of the processing vessel 100 during the processing are introduced into the space 112a between the first stage recovery vessel 112 and the second stage recovery vessel 114 through the inlet 112a of the first stage recovery vessel 112 And the chemical liquid is discharged through the recovery line 151 connected to the first stage recovery cylinder 112 and the gas is exhausted through the first opening B1 of the opening and closing unit 130a.

도 6은 처리 용기의 2단 위치를 보여주는 도면이다. 6 is a view showing the two-stage position of the processing container.

도 6을 참조하면, 2단 위치는 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114)이 상승된 상태로, 개폐 유닛(130)은 1단 회수통(112)과 2단 회수통(114) 각각에 대향되는 전자석(152,154)에 전류를 인가한 후 상승 이동하여 2단 회수통(114)의 입구를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 2단 회수통(114)의 입구(114b)를 통해 2단 회수통(114)과 3단 회수통(116) 사이 공간(114a)으로 유입되고, 약액은 2단 회수통(114)에 연결된 회수라인(152)을 통해 배출되고, 기체는 개폐유닛(130a)의 제2개구(B2)를 통해 배기된다.6, the two-stage position is a state in which the first-stage recovery cylinder 112 and the second-stage recovery cylinder 114 are lifted, and the opening and closing unit 130 is connected to the first-stage recovery cylinder 112 and the second- 114, respectively, and then move upward to open the inlet of the two-stage recovery cylinder 114. In this case, the electromagnets 152, The chemical liquid and gas scattered from the outside of the processing vessel 100 during the processing are introduced into the space 114a between the two stage recovery cylinder 114 and the three stage recovery cylinder 116 through the inlet 114b of the two stage recovery cylinder 114 And the chemical liquid is discharged through the recovery line 152 connected to the second stage recovery cylinder 114 and the gas is exhausted through the second opening B2 of the opening and closing unit 130a.

도 7은 처리 용기의 3단 위치를 보여주는 도면이다. 7 is a view showing the three-stage position of the processing container.

도 7을 참조하면, 3단 위치는 1단 회수통(112), 2단 회수통(114) 그리고 3단 회수통(116)이 상승된 상태로, 개폐 유닛(130)은 1~3단 회수통(112,114,116) 각각에 대향되는 전자석(152,154,156)에 전류를 인가한 후 상승 이동하여 3단 회수통(116)의 입구(116b)를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 3단 회수통(116)의 입구(116b)를 통해 3단 회수통(116)과 4단 회수통(118) 사이 공간(116a)으로 유입되고, 약액은 3단 회수통(116)에 연결된 회수라인(153)을 통해 배출되고, 기체는 개폐유닛(130a)의 제3개구(B3)를 통해 배기된다.7, the three-stage position is a state in which the first-stage recovery cylinder 112, the second-stage recovery cylinder 114, and the third-stage recovery cylinder 116 are lifted, The electric currents are applied to the electromagnets 152, 154, and 156 opposed to the cylinders 112, 114, and 116, respectively, and then moved upward to open the inlet 116b of the three- The chemical liquid and gas scattered from the outside of the processing vessel 100 during the processing are transferred through the inlet 116b of the tertiary stage recovery tank 116 to the space 116a between the tertiary stage recovery tank 116 and the four stage recovery tank 118 And the chemical liquid is discharged through the recovery line 153 connected to the three-stage recovery cylinder 116, and the gas is exhausted through the third opening B3 of the opening / closing unit 130a.

도 8은 처리 용기의 4단 위치를 보여주는 도면이다. 8 is a view showing the four-stage position of the processing container.

도 7을 참조하면, 4단 위치는 1단 회수통(112), 2단 회수통(114) 3단 회수통(116) 그리고 4단 회수통(118)이 모두 상승된 상태로, 개폐 유닛(130)은 1~4단 회수통(112,114,116,118) 각각에 대향되는 전자석(152,154,156,158)에 전류를 인가한 후 상승 이동하여 4단 회수통(118)의 입구(118b)를 개방할 수 있다. 공정 처리시, 처리 용기(100) 외부로부터 비산되는 약액 및 기체는 4단 회수통(118)의 입구(118b)를 통해 4단 회수통(118)과 고정통(119) 사이 공간(118a)으로 유입되고, 약액은 4단 회수통(118)에 연결된 회수라인(154)을 통해 배출되고, 기체는 개폐유닛(130a)의 제4개구(B3)를 통해 배기된다.7, the four-stage position is a state in which the first-stage recovery cylinder 112, the second-stage recovery cylinder 114, the third-stage recovery cylinder 116, and the fourth-stage recovery cylinder 118 are both raised, 130 may apply a current to the electromagnets 152, 154, 156, 158 opposed to the first to fourth stage recovery cylinders 112, 114, 116, 118 and then move up to open the inlet 118b of the fourth stage recovery cylinder 118. The chemical liquid and the gas scattered from the outside of the processing vessel 100 during the processing are passed through the inlet 118b of the four stage recovery vessel 118 to the space 118a between the four stage recovery vessel 118 and the fixed vessel 119 And the chemical liquid is discharged through the recovery line 154 connected to the four-stage recovery tank 118, and the gas is exhausted through the fourth opening B3 of the opening / closing unit 130a.

상기와 같이, 본 발명은 개방된 회수통의 입구를 제외한 나머지 입구는 닫혀진 상태이기 때문에 해당 회수통의 입구로만 약액 및 기체(퓸)가 유입되고, 다른 단으로의 약액 및 기체 유입이 원천적으로 차단될 수 있다.As described above, according to the present invention, since the remaining openings except for the openings of the open recovery bins are closed, only the liquid chemical and the fumes are introduced into the inlet of the recovery bins, and the chemical liquid and the gas flow into the other stages are intrinsically blocked .

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

1000 기판 처리 시스템
10 인덱스부 20 공정 처리부
30 버퍼부 40 이동 통로
50 메인 이송 로봇 60 기판 처리 장치
100 처리 용기 200 기판 지지부재
300 분사 부재1000 substrate processing system
10 index section 20 process processing section
30 buffer unit 40 moving path
50 main transfer robot 60 substrate processing apparatus
100 processing vessel 200 substrate supporting member
300 injection member

Claims

A processing container for providing a space for cleaning the substrate therein;
A substrate support member provided in the space and supporting the substrate;
And a jet member for selectively jetting a plurality of process liquids to a substrate placed on the substrate support member;
The processing vessel
A plurality of collecting openings for collecting the processing liquid to be scattered from the substrate supporting member, the collecting openings being vertically stacked, each of the openings overlapping with neighboring openings to be hermetically sealed;
And an opening / closing unit for moving the collection box to open / close to open / close any one of the collection bins of the collection bins in the vertical direction.

The method according to claim 1,
The opening /
A lifting member;
A holding bar that is lifted up by the lifting member and has electromagnets at positions opposite to the respective collection bins; And
And a control unit for controlling the generation of magnetic force by interrupting power supply to the electromagnets,
The recovery containers
And a magnetic body provided at a position corresponding to the electromagnets.