KR20160005462A

KR20160005462A - Apparatus and method for treating a subtrate

Info

Publication number: KR20160005462A
Application number: KR1020140084390A
Authority: KR
Inventors: 이정환
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2014-07-07
Filing date: 2014-07-07
Publication date: 2016-01-15

Abstract

The present invention relates to a substrate treating device. According to an embodiment of the present invention, the substrate treating device comprises: a housing; a cup which is located in the housing and which has a treating space therein; a substrate support unit which supports a substrate in the housing; a treating fluid supply unit which is located on an external side of the cup and which supplies a treating fluid onto an upper surface of the substrate; and an air current supply unit which supplies external air for forming a descending air current in the housing. The air current supply unit comprises: an inner spray plate which supplies an air current to the treating space; and an outer spray plate which surrounds the inner spray plate and supplies an air current to the external side of the cup.

Description

[0001] DESCRIPTION [0002] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로 보다 구체적으로 기판의 세정공정에 사용되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method used in a substrate cleaning process.

반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 같은 공정이 진행되기 전 또는 후에는 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 기판을 세정하는 세정공정이 실시된다. In order to manufacture semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition are performed on the substrate. Before or after such a process, a cleaning process is performed to clean the substrate to remove contaminants and particles generated in each process.

일반적으로 세정공정은 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계를 수행한다. 각각의 처리 단계는 하우징의 내부 공간에서 진행되며, 내부 공간에는 공정 진행 시 하강 기류가 형성된다. 하강 기류는 일반적으로 팬과 필터를 구비한 기류 공급 장치에 의해 제공한다. In general, the cleaning process performs a chemical treatment step, a rinsing treatment step, and a drying treatment step. Each processing step proceeds in the inner space of the housing, and a downward flow is formed in the inner space during the process. The downward draft is generally provided by an airflow supply with a fan and a filter.

도 1은 일반적으로 팬과 필터를 구비한 기류 공급 유닛을 제공하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 1를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 기류 공급 유닛(2), 용기(3), 기판 지지 유닛(4), 공정 배기부재(5) 그리고 분위기 배기부재(6)를 포함한다. 기류 공급 유닛(2)은 처리 공간 내부 영역에 동일한 기류의 양을 제공한다. 그러나, 공정 배기부재(5)와 분위기 배기 부재(6)에서의 배기 능력의 차이로 인하여 처리 공간 내에서 차압 평형이 이루어 지지 않는다. 이러한 차압은 처리 공간 내에서 와류를 형성하는 원인이 되며, 도 2는 이를 개략적으로 나타낸 도면이다. 또한, 와류 발생으로 인한 파티클 발생환경을 조성할 수 있다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a substrate processing apparatus for providing an airflow supply unit generally comprising a fan and a filter. Fig. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an air flow supply unit 2, a container 3, a substrate support unit 4, a process exhaust member 5, and an atmosphere exhaust member 6. [ The airflow supply unit 2 provides the same amount of airflow to the processing space interior area. However, differential pressure equilibrium is not achieved in the processing space due to the difference in exhaust ability between the process exhaust member 5 and the atmosphere exhaust member 6. [ This differential pressure causes a vortex to form in the processing space, and Fig. 2 schematically shows this. In addition, it is possible to create an environment in which particles are generated due to vortex generation.

본 발명은 기판 처리 공정을 향상시키기 위한 기류 제공 유닛을 제공하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method which provide an airflow providing unit for improving a substrate processing process.

본 발명의 기판 처리 장치를 제공한다.A substrate processing apparatus of the present invention is provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 하우징과 상기 하우징내에 위치하고, 내부에 처리 공간을 가지는 컵과 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과 상기 컵의 외측에 위치하며 기판의 상면에 처리 유체를 공급하는 처리 유체 공급 유닛과 상기 하우징 내에 하강 기류를 형성하는 외기를 공급하는 기류 공급 유닛을 포함하되, 상기 기류 공급 유닛은 상기 처리공간에 기류를 공급하는 내측 분사판과 상기 내측 분사판을 감싸며 상기 컵의 외측에 기류를 공급하는 외측 분사판을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus includes a housing and a cup having a processing space therein, a substrate support unit for supporting the substrate in the housing, And an air flow supply unit for supplying outside air forming a downward flow in the housing, wherein the air flow supply unit includes an inner spray plate for supplying air to the process space, And an outer ejection plate which surrounds the ejection plate and supplies an air stream to the outside of the cup.

일 실시예에 의하면, 상기 내측 분사판은 상기 처리공간과 대향되게 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inner injection plate may be provided so as to face the processing space.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은 상기 내측 분사판에 연결되며 기류를 공급하는 내측 공급관과 상기 외측 분사판에 연결되며 기류를 공급하는 외측 공급관과 그리고 상기 내측 분사판과 상기 외측 분사판에 공급되는 기류의 유량을 조절하는 조절부재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the airflow supply unit includes an inner supply pipe connected to the inner discharge plate and supplying an airflow, an outer supply pipe connected to the outer discharge plate for supplying an airflow, and an inner discharge pipe connected to the inner discharge plate and the outer discharge plate And an adjusting member for adjusting the flow rate of the supplied airflow.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은 상기 내측 공급관과 상기 외측 공급관에 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the airflow supply unit may further include a gas supply unit for supplying an inert gas to the inner supply pipe and the outer supply pipe.

일 실시예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은 상기 내측 공급관과 상기 외측 공급관에 연결되어 외기를 공급하는 외기 공급관과 상기 외기 공급부에 설치되는 필터를 더 포함할 수 있다. According to an embodiment, the airflow supply unit may further include an outer air supply pipe connected to the inner supply pipe and the outer supply pipe to supply outdoor air, and a filter installed in the outdoor air supply unit.

일 실시예에 의하면, 상기 내측 분사판에는 상기 기류를 상하 ?향으로 수직하게 토출되도록 형성된 수직홀이 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inner spray plate may be provided with a vertical hole formed to vertically discharge the airflow vertically.

일 실시예에 의하면, 상기 내측 분사판에는 상기 기류를 상기 기판 지지 유닛을 향하는 방향으로 경사지게 토출되도록 형성된 경사홀이 제공될 수 있다.According to an embodiment, the inner ejection plate may be provided with an inclined hole formed to be inclined in a direction toward the substrate support unit.

본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은, 공정 진행 시 상기 처리공간에 공급되는 기류의 양과 상기 컵의 외측에 공급되는 기류의 양이 서로 상이하게 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing method may be provided such that the amount of the airflow supplied to the processing space and the amount of the airflow supplied to the outside of the cup are different from each other.

일 실시예에 의하면, 상기 처리공간에 공급되는 기류의 양은 상기 컵의 외측에 공급되는 기류의 양보다 많이 제공될 수 있다.According to one embodiment, the amount of the airflow supplied to the processing space can be provided more than the amount of the airflow supplied to the outside of the cup.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정을 수행하는 공간에 공간별로 상이한 기류를 제공하는 기류 제공 유닛을 제공하여 공정 챔버 내에 청정도를 향상시키는 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, there is an effect of improving air cleanliness in a process chamber by providing an airflow providing unit that provides a different air flow for each space in a space for performing a substrate processing process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정을 수행하는 공간에 영역별로 상이한 양의 기류를 제공하여 와류의 생성을 최소화하여 기류를 안정화하는 효과가 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to stabilize the air flow by minimizing the generation of vortices by providing a different amount of air flow for each region in the space for performing the substrate processing process.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 공정을 수행하는 공간에 영역별로 상이한 양의 기류를 제공하여, 처리 공간의 영역별로 차압이 발생하는 것을 최소화하는 효과가 있다. According to an embodiment of the present invention, a different amount of airflow is provided for each region in the space for performing the substrate processing process, thereby minimizing occurrence of differential pressure in each region of the processing space.

도 1은 일반적으로 팬과 필터를 제공하는 기류 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에서 형성되는 하강 기류를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 4의 기류 공급 유닛에 형성된 분사홀의 일 실시예를 보여주는 도면이다.
도 7은 도 4의 기류 공급 유닛에 형성된 분사홀의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 기판 처리 장치에서 형성되는 하강 기류를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a schematic view of a substrate processing apparatus including an airflow supply unit that generally provides a fan and a filter.
FIG. 2 is a schematic view showing a descending airflow formed in the substrate processing apparatus of FIG. 1. FIG.
3 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus provided with a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG.
5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG.
FIG. 6 is a view showing one embodiment of a jet hole formed in the airflow supply unit of FIG. 4;
Fig. 7 is a view showing another embodiment of the injection hole formed in the airflow supply unit of Fig. 4;
FIG. 8 is a schematic view showing a descending airflow formed in the substrate processing apparatus of FIG. 4; FIG.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

이하, 도 3과 도 4를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3 and FIG.

도 3은 본 발명의 기판 처리 설비(10)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 3 is a plan view schematically showing the substrate processing apparatus 10 of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가지고, 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 10 includes an index module 100 and a process module 200, and the index module 100 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130) 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. A carrier (130) is provided with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate (W). The slots are provided in a plurality of third directions 16 and the substrates W are positioned in the carrier 130 so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 포함한다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 includes a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130 while others are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 포함한다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 includes a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate W is transferred from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244b used when the substrate W is transferred from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 4는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 컵(320), 기판 지지 유닛(340), 승강유닛(360), 처리 유체 공급 유닛(370) 그리고 기류 공급 유닛(380)을 포함한다. 컵(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W by using the process liquid will be described below. 4 is a cross-sectional view showing an example of the substrate processing apparatus 300. 4, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 310, a cup 320, a substrate supporting unit 340, a lift unit 360, a processing fluid supply unit 370, and an airflow supply unit 380, . The cup 320 provides a space in which the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The cup 320 includes an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery vessel 322 is provided in an annular ring shape surrounding the substrate support unit 340 and the intermediate recovery vessel 324 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery vessel 322, 326 are provided in an annular ring shape surrounding the intermediate recovery bottle 324. [ The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

기판 지지 유닛(340)은 컵(320)의 내부에 배치된다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 포함한다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The substrate support unit 340 is disposed inside the cup 320. The substrate support unit 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The substrate support unit 340 includes a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the substrate supporting unit 340, the chuck pin 346 is placed in the standby position and the chuck pin 346 is moved to the supporting position do. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 기판 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the cup 320 in the vertical direction. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 to the substrate supporting unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the cup 320 and a moving shaft 364 which is moved up and down by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The cup 320 is lowered so that the substrate supporting unit 340 protrudes to the upper portion of the cup 320 when the substrate W is placed on the substrate supporting unit 340 or is lifted from the substrate supporting unit 340. In addition, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing liquid supplied to the substrate W when the process is performed. For example, while processing the substrate W with the first processing solution, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate W with the second processing solution and the third processing solution, the substrate W is separated into the space 324a between the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 324, And may be located at a height corresponding to the space 326a between the cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326. [ The elevating unit 360 can move the substrate supporting unit 340 in the vertical direction instead of the cup 320 as described above.

처리 유체 공급 유닛(370)은 기판 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리 유체 공급 유닛(370)은 노즐 지지대(372), 노즐(374), 지지축(376), 그리고 구동기(378)를 포함한다. 지지축(376)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(376)의 하단에는 구동기(378)가 결합된다. 구동기(378)는 지지축(376)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(372)는 구동기(378)와 결합된 지지축(376)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(374)은 노즐 지지대(372)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(374)은 구동기(378)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(374)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(374)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 처리 유체 공급 유닛(370)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 처리 유체 공급 유닛(370)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 처리 유체 공급 유닛(370)을 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The treatment fluid supply unit 370 supplies the treatment liquid to the substrate W during the substrate treatment process. The treatment fluid supply unit 370 includes a nozzle support 372, a nozzle 374, a support shaft 376, and a driver 378. The support shaft 376 is provided along its lengthwise direction in the third direction 16 and the driver 378 is coupled to the lower end of the support shaft 376. The driver 378 rotates and lifts the support shaft 376. The nozzle support 372 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 376 coupled to the driver 378. The nozzle 374 is installed at the bottom end of the nozzle support 372. The nozzle 374 is moved by the actuator 378 to the process position and the standby position. The process position is that the nozzle 374 is located at the vertically upper portion of the cup 320 and the standby position is the position at which the nozzle 374 is away from the vertical upper portion of the cup 320. One or more processing fluid supply units 370 may be provided. When a plurality of processing fluid supply units 370 are provided, the chemical, rinsing liquid, or organic solvent may be provided through different processing fluid supply units 370. The rinsing liquid may be pure, and the organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

기류 공급 유닛(380)은 하우징(310) 내부에 하강 기류를 형성하는 외기를 공급한다. 기류 공급 유닛(380)은 내측 분사판(381), 외측 분사판(382), 내측 공급관(383), 외측 공급관(384), 조절 부재(385) 그리고 가스 공급부(386)를 포함한다. The airflow supply unit 380 supplies outside air that forms a downward air flow inside the housing 310. The airflow supply unit 380 includes an inner jet plate 381, an outer jet plate 382, an inner supply pipe 383, an outer supply pipe 384, a regulating member 385 and a gas supply unit 386.

내측 분사판(381)은 컵(320)의 처리 공간에 기류를 공급한다. 내측 분사판(381)은 처리 공간과 상하로 대향되는 위치에 제공된다. 내측 분사판(381)에는 기류를 토출하는 토출홀(388,389)이 형성된다. 토출홀(388,389)은 수직홀(388)과 경사홀(389)을 포함한다. 수직홀(388)은 기류를 상하 방향으로 토출하도록 수직하게 형성된다. 경사홀(389)은 기판 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 경사지게 토출되도록 경사지게 형성된다. 도 6은 도 4의 기류 공급 유닛에 형성된 분사홀의 일 실시예를 보여주는 도면이다. 이하, 도 6을 참조하면, 일 예로 내측 분사판(381)에서의 가장자리 영역에는 경사홀(389)이 제공되고, 내측 분사판(381)의 중앙 영역에는 수직홀(388)이 형성될 수 있다. 이와는 달리, 도 7과 같이 내측 분사판(381)에는 수직홀(388)만이 제공될 수 있다. The inner spray plate 381 supplies air to the processing space of the cup 320. The inner jet plate 381 is provided at a position opposed to the processing space up and down. The inner spray plate 381 is provided with discharge holes 388 and 389 for discharging airflow. The discharge holes 388 and 389 include vertical holes 388 and inclined holes 389. The vertical holes 388 are vertically formed to discharge the airflow in the vertical direction. The inclined holes 389 are formed to be inclined so as to be inclinedly discharged in the direction toward the substrate supporting unit 340. FIG. 6 is a view showing one embodiment of a jet hole formed in the airflow supply unit of FIG. 4; 6, an inclined hole 389 may be provided in an edge region of the inner injection plate 381, and a vertical hole 388 may be formed in a central region of the inner injection plate 381 . Alternatively, only the vertical hole 388 may be provided in the inner injection plate 381 as shown in FIG.

외측 분사판(382)은 컵(320)의 외측 공간에 기류를 공급한다. 외측 분사판(382)은 내측 분사판(381)을 감싸게 제공된다. 외측 분사판(382)에는 기류를 토출하는 토출홀이 형성된다. 토출홀은 컵(320)의 외측 공간에 기류를 제공한다. 일 예로 토출홀은 기류를 상하 방향으로 수직하게 토출하는 수직홀 또는 경사지게 토출할 경사홀 등이 제공될 수 있다. The outer jet plate 382 supplies airflow to the outer space of the cup 320. The outer jet plate 382 is provided to enclose the inner jet plate 381. The outer injection plate 382 is formed with a discharge hole for discharging the airflow. The discharge hole provides an air flow in the outer space of the cup 320. For example, the discharge hole may be provided with a vertical hole for discharging the airflow vertically in the vertical direction, a tilted hole for discharging the air in an oblique direction, or the like.

내측 공급관(383)은 내측 분사판(381)에 기류를 공급한다. 내측 공급관(383)은 내측 분사판(381)에 연결되어 제공된다. 외측 공급관(384)은 외측 분사판(382)에 기류를 공급한다. 외측 공급관(384)은 외측 분사판(382)에 연결되어 제공된다. 조절 부재(385)는 내측 공급관(383)을 통해 공급되는 기류의 양과 외측 공급관(384)을 통해 공급되는 기류의 양을 조절한다. 조절 부재(385)는 제1조절부재(385a)와 제2조절부재(385b)를 포함한다. 제1조절부재(385a)는 내측 공급관(383)에 연결되어 제공된다. 제2조절부재(385b)는 외측 공급관(384)에 연결되어 제공된다. 조절부재(385)는 내측 분사판(381)을 통해 공급되는 기류의 양이 외측 분사판(382)에 제공되는 기류의 양보다 많도록 기류의 양을 조절한다.The inner supply pipe 383 supplies airflow to the inner injection plate 381. The inner supply pipe 383 is connected to the inner injection plate 381. The outer supply pipe 384 supplies air to the outer injection plate 382. The outer supply pipe 384 is connected to the outer injection plate 382. The regulating member 385 regulates the amount of the airflow supplied through the inner supply pipe 383 and the amount of the airflow supplied through the outer supply pipe 384. The adjustment member 385 includes a first adjustment member 385a and a second adjustment member 385b. The first regulating member 385a is connected to the inner supply pipe 383. The second adjusting member 385b is connected to the outer supply pipe 384 and is provided. The regulating member 385 regulates the amount of the airflow so that the amount of the airflow supplied through the inner spray plate 381 is larger than the amount of the airflow provided to the outer spray plate 382. [

가스 공급부(386)는 내측 공급관(383)과 외측 공급관(384)에 불활성 가스를 공급한다. 가스 공급부(386)는 내측 공급관(383)과 외측 공급관(384)에 연결되어 제공된다. 가스 공급부(386)는 하우징(310)의 외측에 제공된다. 일 예로 공급되는 불활성 가스는 질소가스 일 수 있다.The gas supply unit 386 supplies an inert gas to the inner supply pipe 383 and the outer supply pipe 384. The gas supply part 386 is connected to the inner supply pipe 383 and the outer supply pipe 384. The gas supply part 386 is provided outside the housing 310. As an example, the supplied inert gas may be nitrogen gas.

도 5는 도 3의 공정 챔버에 제공된 기판 처리 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 이하 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 기판 지지 유닛(440), 승강 유닛(460), 처리 유체 공급 유닛(470) 그리고 기류 공급 유닛(480)을 가진다. 기판 처리 장치(400)에 제공되는 유닛은 도 2의 기판 처리 장치(300)와 대부분 동일하게 제공된다. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate processing apparatus provided in the process chamber of FIG. 5, the substrate processing apparatus 400 includes a housing 410, a cup 420, a substrate supporting unit 440, a lift unit 460, a process fluid supply unit 470, and an airflow supply unit 480 ). The units provided in the substrate processing apparatus 400 are provided in much the same manner as the substrate processing apparatus 300 in FIG.

기류 공급 유닛(480)은 내측 분사판(481), 외측 분사판(482), 내측 공급관(483), 외측 공급관(484), 조절 부재(485) 외기 공급관(486) 그리고 필터(487)를 포함한다.The airflow supply unit 480 includes an inner injection plate 481, an outer injection plate 482, an inner supply pipe 483, an outer supply pipe 484, an adjustment member 485 and an outer air supply pipe 486 and a filter 487 do.

내측 분사판(481), 외측 분사판(482), 내측 공급관(483), 외측 공급관(484), 조절 부재(485)는 도 2의 내측 분사판(381), 외측 분사판(382), 내측 공급관(383), 외측 공급관(384), 조절 부재(385)와 대부분 동일하게 제공된다. 외기 공급관(486)은 외기를 제공한다. 일 예로 외기는 공기일 수 있다. 외기 공급관(486)은 내측 공급관(483)과 외측 공급관(484)에 연결되어 제공된다. 외기 공급관(486)에는 필터(487)가 연결된다. 필터(487)는 외기의 공기를 정화하여 내측 공급관(483) 및 외측 공급관(484)에 제공한다. The inner injection plate 481, the outer injection plate 482, the inner supply pipe 483, the outer supply pipe 484 and the regulating member 485 are connected to the inner injection plate 381, the outer injection plate 382, The supply pipe 383, the outer supply pipe 384, and the regulating member 385 are provided. The outside air supply pipe 486 provides outside air. As an example, the outside air may be air. The outside air supply pipe 486 is connected to the inside supply pipe 483 and the outside supply pipe 484. A filter 487 is connected to the outside air supply pipe 486. The filter 487 purifies the air of the outside air and supplies it to the inner supply pipe 483 and the outer supply pipe 484.

도 8은 도4의 기판 처리 장치에서 하강 기류를 보여주는 도면이다. 도면에서 화살표의 길이는 제공되는 기류의 양을 나타낸다. 이하, 도 8을 참조하면, 도 4의 기판 처리 장치는 처리 공간에 더 많은 기류를 제공한다. 또한, 컵의 외측에는 처리 공간에 제공되는 기류의 양보다 적게 제공된다. 이러한 처리 공간 내 영역별로 차등적인 기류 제공은 공정 배기부재와 분위기 배기 부재의 배기능력의 차이가 있어도 처리 공간 내 영역별 차압을 억제한다. 또한, 컵의 상단 부근에서 와류의 생성을 억제하고, 처리 공간 내에 기류를 더 많이 제공하여 공정의 효율을 향상시킨다. FIG. 8 is a view showing a descending airflow in the substrate processing apparatus of FIG. 4; FIG. The length of the arrow in the figure represents the amount of air flow provided. Hereinafter, referring to Fig. 8, the substrate processing apparatus of Fig. 4 provides more airflow to the processing space. Further, the outside of the cup is provided with less than the amount of airflow provided in the processing space. Providing a differential airflow for each of the processing space areas suppresses the differential pressure in the processing space even if there is a difference in the exhausting ability between the process exhausting member and the atmosphere exhausting member. Also, the generation of eddy currents is suppressed in the vicinity of the upper end of the cup, and more airflow is provided in the processing space, thereby improving the efficiency of the process.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover further embodiments.

300 : 기판 처리 장치
320 : 컵
340 : 기판 지지 유닛
360 : 승강 유닛
370 : 처리 유체 공급 유닛
380 : 기류 공급 유닛300: substrate processing apparatus
320: cup
340: substrate support unit
360: Lift unit
370: Process fluid supply unit
380: Air flow supply unit

Claims

An apparatus for processing a substrate,
A housing
A cup positioned within the housing and having a processing space therein;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the housing;
A processing fluid supply unit located on the outer side of the cup and supplying a processing fluid to an upper surface of the substrate;
And an air flow supply unit for supplying outside air forming a down stream in the housing,
The airflow supply unit includes:
An inner spray plate for supplying air to the process space;
And an outer spray plate that surrounds the inner spray plate and supplies an air flow to the outside of the cup.

The method according to claim 1,
Wherein the inner injection plate is provided so as to face the processing space.

3. The method of claim 2,
The airflow supply unit includes:
An inner supply pipe connected to the inner spray plate and supplying an air stream;
An outer supply pipe connected to the outer injection plate and supplying an air flow, and
And an adjusting member for adjusting a flow rate of the airflow supplied to the inner spray plate and the outer spray plate.

The method of claim 3,
Wherein the airflow supply unit further comprises a gas supply unit for supplying an inert gas to the inner supply pipe and the outer supply pipe.

The method of claim 3,
The airflow supply unit
An outer air supply pipe connected to the inner supply pipe and the outer supply pipe to supply outside air;
And a filter installed in the outside air supply unit.

6. The method of claim 5,
Wherein the inner spray plate is provided with a vertical hole formed to vertically discharge the airflow vertically.

6. The method of claim 5,
Wherein the inner ejection plate is provided with an inclined hole formed so as to be inclined in a direction toward the substrate supporting unit.

8. A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
Wherein the amount of airflow supplied to the processing space and the amount of airflow supplied to the outside of the cup are different from each other.

9. The method of claim 8,
Wherein an amount of the airflow supplied to the processing space is larger than an amount of airflow supplied to the outside of the cup.