KR101895406B1 - A transferring unit and an apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리 하는 액처리 챔버와; 상기 액처리 챔버에서 공급되어 기판 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 챔버와; 상기 액처리 챔버와 상기 건조 챔버 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되, 상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고, 상기 반송 유닛은, 기판이 놓이는 핸드와; 상기 핸드의 상부에 배치되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하는 블레이드를 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to perform liquid processing; A drying chamber which is supplied from the liquid processing chamber and removes liquid remaining on the substrate; And a transporting unit having a transporting unit for transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber, wherein the transporting chamber further comprises a fan unit for generating a downward flow in a transport region inside the transporting chamber, A hand on which the substrate is placed; And a blade disposed on the top of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate.

Description

반송유닛 및 기판 처리 장치{A TRANSFERRING UNIT AND AN APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a transfer unit and a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 반송하는 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a transfer unit for transferring a substrate and a substrate processing apparatus having the transfer unit.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various processes are used for each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.

일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류된다.Generally, in the cleaning step, the substrate is treated with a chemical and a rinsing liquid and then dried. In the drying treatment step, the substrate is dried with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) as a step for drying the rinsing liquid remaining on the substrate. However, as the distance (CD: critical dimension) between the pattern formed on the substrate and the pattern becomes finer, the organic solvent remains in the spaces between the patterns.

최근에는 기판 상에 잔류된 유기 용제를 제거하기 위해, 초임계 처리 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 특정 조건을 만족하기 위해 외부로부터 밀폐된 공간에서 진행된다. 유기 용제의 공급이 완료된 후, 기판은 유기 용제에 의해 젖음 상태로 반송 유닛이 제공된 반송 챔버를 통해 초임계 처리 공정이 수행되는 챔버로 반송된다.In recent years, a supercritical processing process is performed to remove the organic solvent remaining on the substrate. The supercritical process proceeds in an enclosed space from the outside to meet the specific conditions of the supercritical fluid. After the supply of the organic solvent is completed, the substrate is transported to the chamber in which the supercritical processing process is performed through the transport chamber provided with the transport unit in a wet state by the organic solvent.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 반송 유닛(21)에 의해 기판이 반송되는 모습을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 반송 챔버 내에는 반송 챔버 내부에 하강 기류(22)를 형성하는 기류 형성 유닛(23)이 제공된다. 기류 형성 유닛(23)에 의해 형성된 하강 기류(22)는 반송 유닛(21)에 의한 기판(24) 반송 시 반송 챔버 내부에 퓸 및 파티클 등이 부유되는 것을 방지한다. 그러나 이러한 하강 기류(22)는 기판(24) 상의 유기 용제의 증발을 촉진하고, 표면 장력에 의해 유기 용제는 기판(24)의 중앙 영역으로 모이며 기판(24)의 가장자리 영역의 건조 상태가 유발된다. 기판(24)의 가장자리 영역의 건조 상태는 기판(24)의 수율 저하를 유발한다. 또한, 기판의 유출입을 위해 챔버(25)의 기판 유입구(26)가 개방되는 경우, 하강 기류(22)에 의해 외부 기체가 챔버(25) 내로 유입됨으로써, 챔버(25) 내부가 오염될 수 있다.1 is a view showing a state in which a substrate is transported by a transport unit 21 of a general substrate processing apparatus. Referring to Fig. 1, an airflow forming unit 23 for forming a downward flow 22 in the transport chamber is provided in the transport chamber. The descending airflow 22 formed by the airflow forming unit 23 prevents fumes and particles from floating inside the transportation chamber when the substrate 24 is transported by the transportation unit 21. [ This downward current 22 promotes the evaporation of the organic solvent on the substrate 24 and causes the organic solvent to gather in the central region of the substrate 24 due to the surface tension and cause the dry state of the edge region of the substrate 24 do. The dry state of the edge region of the substrate 24 causes the yield of the substrate 24 to be reduced. In addition, when the substrate inlet 26 of the chamber 25 is opened for the inflow and outflow of the substrate, the inside of the chamber 25 may be contaminated by the external gas being introduced into the chamber 25 by the downward flow 22 .

본 발명은 기판 반송 시 기판의 건조를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing drying of a substrate during substrate transportation.

또한, 본 발명은 기판의 수율 저하를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing a yield reduction of a substrate.

또한, 본 발명은 기판이 처리되는 챔버 내부의 오염을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus capable of suppressing contamination inside a chamber in which a substrate is processed.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리 하는 액처리 챔버와; 상기 액처리 챔버에서 공급되어 기판 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 챔버와; 상기 액처리 챔버와 상기 건조 챔버 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되, 상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고, 상기 반송 유닛은, 기판이 놓이는 핸드와; 상기 핸드의 상부에 배치되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하는 블레이드를 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to perform liquid processing; A drying chamber which is supplied from the liquid processing chamber and removes liquid remaining on the substrate; And a transporting unit having a transporting unit for transporting the substrate between the liquid processing chamber and the drying chamber, wherein the transporting chamber further comprises a fan unit for generating a downward flow in a transport region inside the transporting chamber, A hand on which the substrate is placed; And a blade disposed on the top of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate.

상기 블레이드는 중앙에서 양측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 경사지게 제공된다.The blades are provided to be inclined such that the height decreases from the center to both sides.

상기 블레이드는, 상기 핸드의 전면을 바라볼 때, 일측에 제공된 제 1 플레이트와;The blade includes: a first plate provided on one side when the front of the hand is viewed;

타측에 제공된 제 2 플레이트를 포함한다.And a second plate provided on the other side.

상기 제 1 플레이트의 제 1 측면 및 상기 제 2 플레이트의 제 2 측면은 서로 연결되게 제공된다.The first side of the first plate and the second side of the second plate are provided to be connected to each other.

상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공될 수 있다.The first plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the first side and the second plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the second side.

상기 핸드가 상승하거나 상기 핸드의 높이의 변화가 없는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 낮게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 낮게 위치될 수 있다.Wherein the first plate is positioned lower than the first side and the second plate is positioned lower than the second side when the hand is raised or the height of the hand is not changed, The opposite side of the side can be positioned lower.

상기 핸드가 하강하는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 높게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 높게 위치될 수 있다.When the hand is lowered, the first plate is located on the opposite side of the first side higher than the first side, and the second plate is positioned higher on the opposite side of the second side than the second side .

상기 블레이드는 상부에서 바라볼 때 기판보다 큰 면적으로 제공된다.The blade is provided with an area larger than the substrate when viewed from above.

상기 블레이드는 상기 핸드가 상기 액처리 챔버 또는 상기 건조 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때, 상기 액처리 챔버의 입구 상단 또는 상기 건조 챔버의 입구의 상단보다 높은 위치에 배치된다.The blade is disposed at a position higher than the upper end of the inlet of the liquid processing chamber or the upper end of the inlet of the drying chamber when the hand transfers the substrate into or out of the liquid processing chamber or the drying chamber.

상기 기판은 상기 액처리 챔버에서 상기 건조 챔버로 기판 반송시 상기 액이 잔류하는 상태로 반송된다.The substrate is transported in a state in which the liquid remains in the substrate transfer from the liquid processing chamber to the drying chamber.

상기 반송 유닛은 상기 블레이드의 하부에 설치되고 상기 액을 상기 핸드에 지지된 기판에 분사하는 액 분사 부재를 더 포함할 수 있다.The transfer unit may further include a liquid spray member installed at a lower portion of the blade and spraying the liquid onto the substrate supported by the hand.

상기 블레이드는 무정전 재질로 제공될 수 있다.The blade may be provided with an uninterrupted material.

상기 반송 유닛은 베이스를 더 포함하되, 상기 핸드는 상기 베이스에 대해 신장 가능하게 제공되고, 상기 블레이드는 상기 베이스에 고정 결합되게 제공될 수 있다.The transport unit further includes a base, wherein the hand is extendably provided with respect to the base, and the blade can be provided to be fixedly coupled to the base.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에서 기판이 처리되고, 상기 내부로 기판이 출입하는 입구가 형성된 처리 챔버와; 상기 입구를 통해 상기 처리 챔버의 내부 및 외부로 기판을 반송하는 반송 유닛을 가지는 반송 챔버를 포함하되, 상기 반송 챔버는 그 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛을 더 포함하고, 상기 반송 유닛은, 베이스와; 기판이 놓이고, 상기 베이스에 대해 신장 가능하게 제공되는 핸드와; 상기 핸드의 상부에 배치되도록 상기 베이스에 고정 결합되어 상기 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하는 블레이드를 포함하되, 상기 블레이드는 상기 핸드가 상기 처리 챔버로 기판을 반입 또는 반출할 때, 상기 입구의 상단보다 높은 위치에 배치된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a processing chamber in which a substrate is processed, and an inlet through which the substrate enters and exits is formed; And a transporting unit having a transporting unit for transporting the substrate to the inside and the outside of the processing chamber through the inlet, wherein the transporting chamber further includes a fan unit for generating a downward flow in a transport region inside the transporting chamber, The unit comprises: a base; A hand on which a substrate is placed and which is provided to be extendable relative to said base; And a blade fixedly coupled to the base so as to be disposed at an upper portion of the hand to minimize the descending airflow reaching the substrate, wherein the blade is configured such that when the hand brings the substrate into or out of the processing chamber, And is disposed at a position higher than the upper end.

상기 블레이드는 중앙에서 양측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 경사지게 제공된다.The blades are provided to be inclined such that the height decreases from the center to both sides.

상기 블레이드는, 상기 핸드의 전면을 바라볼 때, 일측에 제공된 제 1 플레이트와;The blade includes: a first plate provided on one side when the front of the hand is viewed;

타측에 제공된 제 2 플레이트를 포함한다.And a second plate provided on the other side.

상기 제 1 플레이트의 제 1 측면 및 상기 제 2 플레이트의 제 2 측면은 서로 연결되게 제공된다.The first side of the first plate and the second side of the second plate are provided to be connected to each other.

상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공될 수 있다.The first plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the first side and the second plate is rotatably provided about the longitudinal direction of the second side.

상기 핸드가 상승하거나 상기 핸드의 높이의 변화가 없는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 낮게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 낮게 위치될 수 있다.Wherein the first plate is positioned lower than the first side and the second plate is positioned lower than the second side when the hand is raised or the height of the hand is not changed, The opposite side of the side can be positioned lower.

상기 핸드가 하강하는 경우, 상기 제 1 플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제 1 측면의 반대 측면이 높게 위치되고, 상기 제 2 플레이트는 상기 제 2 측면보다 상기 제 2 측면의 반대 측면이 높게 위치될 수 있다.When the hand is lowered, the first plate is located on the opposite side of the first side higher than the first side, and the second plate is positioned higher on the opposite side of the second side than the second side .

상기 블레이드는 상부에서 바라볼 때 기판보다 큰 면적으로 제공된다.The blade is provided with an area larger than the substrate when viewed from above.

상기 처리 챔버는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액처리 챔버이고, 상기 기판은 상기 액처리 챔버로부터 반송시 상기 액이 잔류하는 상태로 반송된다.The processing chamber is a liquid processing chamber for supplying a liquid onto a substrate to perform a liquid processing on the substrate, and the substrate is transported while the liquid remains on transportation from the liquid processing chamber.

상기 반송 유닛은 상기 블레이드의 하부에 설치되고 상기 액을 상기 핸드에 지지된 기판에 분사하는 액 분사 부재를 더 포함할 수 있다.The transfer unit may further include a liquid spray member installed at a lower portion of the blade and spraying the liquid onto the substrate supported by the hand.

상기 블레이드는 무정전 재질로 제공될 수 있다.The blade may be provided with an uninterrupted material.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판 반송 시 기판의 건조를 억제할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can suppress the drying of the substrate during substrate transportation.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 수율 저하를 최소화할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can minimize the yield reduction of the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판이 처리되는 챔버 내부의 오염을 억제할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can suppress the contamination inside the chamber in which the substrate is processed.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치의 반송 유닛(21)에 의해 기판이 반송되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 반송 유닛을 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛의 전면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 정면도이다.
도 5는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛이 처리 챔버의 입구를 향한 경우 반송 유닛의 측면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 측면도이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 반송 유닛을 나타낸 도면들이다.
도 8은 또 다른 실시 예에 따른 반송 유닛을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 2의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 2의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 10의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.1 is a view showing a state in which a substrate is transported by a transport unit 21 of a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 is a perspective view showing the transport unit of Fig. 2;
4 is a front view schematically showing a state in which the interior of the transport chamber shown in Fig. 2 is viewed from the front of the transport unit.
Fig. 5 is a side view schematically showing the inside of the transfer chamber shown in Fig. 2 when viewed from the side of the transfer unit when the transfer unit faces the entrance of the process chamber;
6 and 7 are views showing a transport unit according to another embodiment.
8 is a view showing a transport unit according to still another embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning the substrate in the first process chamber of FIG. 2. FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 2;
11 is a perspective view showing the substrate supporting unit of Fig.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 2 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.The present invention will now be described in detail with reference to the embodiments of the present invention with reference to FIGS. 2 to 10. FIG.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판을 처리하는 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하며, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2, the substrate processing apparatus 1 for processing a substrate has an index module 10 and a process module 20, and the index module 10 includes a load port 120 and a transfer frame 140 I have. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제 3 방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 2, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 반송 챔버(240) 그리고 처리 챔버(260, 280)를 가진다. 반송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 처리 챔버(260, 280)는 내부에서 기판이 처리되고, 각각의 내부로 기판이 출입하는 입구(도 5의 261, 281)가 형성된 제1공정챔버(260) 및 제2공정챔버(280)를 포함한다. 제 2 방향(14)를 따라 반송 챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버들(260)이 배치되고, 반송 챔버(240)의 타측에는 제2공정챔버들(280)이 배치된다. 제1공정챔버들(260)과 제2공정챔버들(280)은 반송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정챔버(260)들 중 일부는 반송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 반송 챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정챔버(260)의 수이고, B는 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정챔버(260)의 수이다. 반송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정챔버들(280)도 제1공정챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 모두 반송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 각각 반송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 반송 챔버(240)의 일측에 제1공정챔버들(260)이 적층되고, 타측에 제2공정챔버들(280)이 적층되도록 위치될 수 있다. 또한, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and processing chambers 260 and 280. The transport chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The processing chambers 260 and 280 have a first processing chamber 260 and a second processing chamber 280 in which substrates are processed and inlets (261 and 281 in FIG. 5) . The first process chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 along the second direction 14 and the second process chambers 280 are disposed on the other side of the transfer chamber 240. The first process chambers 260 and the second process chambers 280 may be provided symmetrically with respect to the transfer chamber 240. Some of the first process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. Further, some of the first process chambers 260 are arranged to be stacked on each other. That is, the first process chambers 260 may be arranged on one side of the transfer chamber 240 in the arrangement of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Where A is the number of the first process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of the second process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six first process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the first process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of first process chambers 260 may increase or decrease. The second process chambers 280 may also be arranged in an array of M X N (where M and N are each a natural number greater than or equal to one), similar to the first process chambers 260. Here, M and N may be the same numbers as A and B, respectively. The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may both be provided only on one side of the transfer chamber 240. [ Also, unlike the above, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, respectively. Optionally, the first process chambers 260 may be stacked on one side of the transfer chamber 240 and the second process chambers 280 may be stacked on the other side. In addition, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided in various arrangements different from those described above.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 반송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 반송 챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 반송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space in which the substrate W remains before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 facing the transfer frame 140 and the surface facing the transfer chamber 240 are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

반송 챔버(240)는 처리 챔버(260, 280)의 입구(261, 281)를 통해 처리 챔버(260, 280)의 내부 및 외부로 기판(W)을 반송하는 반송 유닛(500)을 가진다. 일 실시 예에 따르면, 반송 챔버(240)는 버퍼유닛(220), 제1공정챔버(260), 그리고 제2공정챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 챔버(240)에는 가이드레일(242)과 반송 유닛(500)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 반송 유닛(500)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제 1 방향(12)을 따라 직선 이동된다. 반송 챔버(240)는 내부의 반송 영역에 하강 기류를 발생시키는 팬 유닛(246)이 제공된다. 하강 기류는 내부의 파티클 및 퓸 등의 이물질이 부유하는 것을 방지한다. 기판(W)은 제1공정챔버(260)에서 제2공정챔버(280)로 반송되는 경우, 제1공정챔버(260)에서 공급된 액이 잔류하는 상태로 반송된다.The transfer chamber 240 has a transfer unit 500 for transferring the substrate W into and out of the process chambers 260 and 280 through the inlets 261 and 281 of the process chambers 260 and 280. According to one embodiment, the transport chamber 240 transports the substrate W between the buffer unit 220, the first process chamber 260, and the second process chamber 280. The transport chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a transport unit 500. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The transport unit 500 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The transfer chamber 240 is provided with a fan unit 246 which generates a downward flow in an internal transfer area. The downward flow prevents foreign matters such as particles and fumes from floating inside. When the substrate W is transported from the first process chamber 260 to the second process chamber 280, the substrate W is transported in a state in which the liquid supplied from the first process chamber 260 remains.

도 3은 도 2의 반송 유닛(500)을 나타낸 사시도이다. 도 4는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛(500)의 전면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 정면도이다. 도 5는 도 2의 반송 챔버의 내부를 반송 유닛이 처리 챔버의 입구를 향한 경우 반송 유닛(500)의 측면에서 바라본 모습을 간략하게 나타낸 측면도이다. 도 3 내지 도 5를 참조하면, 반송 유닛(500)은 베이스(530), 핸드(510) 그리고 블레이드(520)를 포함한다.3 is a perspective view showing the transport unit 500 of FIG. 4 is a front view schematically showing a state in which the inside of the transport chamber shown in Fig. 2 is viewed from the front of the transport unit 500. Fig. 5 is a side view schematically showing the inside of the transfer chamber of FIG. 2 viewed from the side of the transfer unit 500 when the transfer unit faces the entrance of the process chamber. 3 to 5, the transfer unit 500 includes a base 530, a hand 510, and a blade 520. [

베이스(530)는 가이드 레일(242)을 따라 이동되도록 제공된다. 베이스(530)는 핸드(510)를 지지한다.The base 530 is provided to be moved along the guide rail 242. The base 530 supports the hand 510.

핸드(510)에는 기판(W)이 놓인다. 핸드(510)는 베이스(530)에 대해 신장 가능하게 제공된다. 핸드(510)는 입구를 통해 처리 챔버(260, 280)로 기판(W)을 직접 반입 또는 반출한다. 핸드(510)는 복수개가 적층되게 제공될 수 있다.In the hand 510, a substrate W is placed. The hand 510 is provided to be extendable relative to the base 530. The hand 510 directly brings the substrate W into or out of the processing chambers 260 and 280 through the inlet. The hand 510 may be provided so as to be stacked.

블레이드(520)는 팬유닛(246)에 의해 형성된 하강기류가 핸드(510)에 놓인 기판에 도달하는 것을 최소화한다. 블레이드(520)는 핸드(510)의 상부에 배치되도록 베이스(530)에 고정 결합된다. 블레이드(520)는 핸드(510)가 처리 챔버(260, 280)로 기판(W)을 반입 또는 반출할 때, 입구(261, 281)의 상단보다 높은 위치에 배치된다. 블레이드(520)는 상부에서 바라볼 때, 기판(W)보다 큰 면적으로 제공된다. The blade 520 minimizes the downward flow generated by the fan unit 246 to reach the substrate resting on the hand 510. [ The blade 520 is fixedly coupled to the base 530 so as to be placed on top of the hand 510. The blade 520 is disposed at a position higher than the upper ends of the inlets 261 and 281 when the hand 510 brings the substrate W into or out of the processing chambers 260 and 280. [ The blade 520 is provided with an area larger than the substrate W when viewed from above.

블레이드(520)는 중앙에서 양측으로 갈수록 높이가 낮아지도록 경사지게 제공된다. 따라서, 하강 기류는 블레이드(520)의 경사면을 따라 핸드(510)의 기판(W)이 제공된 영역을 벗어나 흐르게 된다. 블레이드(520)는 상부에서 바라볼 때, 두 개의 플레이트의 일측면이 서로 핸드(510)의 중앙 영역에서 고정 결합되게 제공될 수 있다. 각각의 플레이트는 핸드(510)의 중앙 영역으로부터 가장자리 영역으로 아래 방향으로 경사지게 제공될 수 있다. 블레이드(520)는 핸드(510)가 처리 챔버(260, 280)로 기판을 반입 또는 반출할 때, 처리 챔버(260, 280)의 입구 상단보다 높은 위치에 배치된다. 블레이드(520) 하강기류가 입구(261, 281)를 통해 유입되는 것을 방지할 수 있도록 입구(261, 281)에 충분히 인접되게 제공된다. 상술한 바와 같이, 블레이드(520)가 핸드(510)의 상부에 제공됨으로써, 반송 챔버(240) 내에서 기판 반송 중 핸드(510)에 놓인 기판(W)에 하강 기류가 직접 닿는 것을 방지한다. 또한, 반송 유닛(500) 처리 챔버(260, 280)로 기판(W)을 반입/반출 시 입구(261, 281)를 통해 하강 기류가 유입되는 것을 억제할 수 있다. 블레이드(520)는 정전기의 발생을 방지하기 위해 무정전 재질로 제공된다. 예컨대, 블레이드(520)는 무정전 염화비닐 수지(PVC) 재질로 제공될 수 있다.The blade 520 is provided to be inclined so that its height decreases from the center to both sides. Thus, the downward flow flows along the inclined surface of the blade 520 out of the region where the substrate W of the hand 510 is provided. The blades 520 may be provided with one side of the two plates fixedly coupled to each other in the central region of the hand 510 when viewed from above. Each plate may be provided to be inclined downwardly from the central area of the hand 510 to the edge area. The blade 520 is disposed at a position higher than the top of the inlet of the processing chambers 260 and 280 when the hand 510 brings the substrate into or out of the processing chambers 260 and 280. Is provided sufficiently adjacent to the inlets 261 and 281 to prevent the downward flow of the blade 520 from flowing through the inlets 261 and 281. [ The blade 520 is provided on the upper portion of the hand 510 to prevent the downward current from directly touching the substrate W placed on the hand 510 in the transfer chamber 240 during substrate transfer. It is also possible to suppress the inflow of the downward airflow through the inlets 261 and 281 when the substrate W is carried into / out of the processing chambers 260 and 280 of the transfer unit 500. The blade 520 is provided with an uninterrupted material to prevent the generation of static electricity. For example, the blade 520 may be provided with an unvulcanized vinyl chloride (PVC) material.

도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 반송 유닛(1500)을 나타낸 도면들이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 블레이드(520)는 제 1 플레이트(521) 및 제 2 플레이트(522)를 포함한다. 핸드(510)의 전면을 바라볼 때, 제 1 플레이트(521)는 핸드(510)의 중심을 기준으로 일측에 제공되고, 제 2 플레이트(522)는 타측에 제공된다. 도 3 내지 도 5의 경우와 달리, 제 1 플레이트(521)의 제 1 측면(521a) 및 제 2 플레이트(522)의 제 2 측면은 제 1 플레이트(521) 및 제 2 플레이트(522)가 상하 방향으로 회전되는 축이 될 수 있도록 서로 연결된다. 예를 들면 제 1 측면(521a) 및 제 2 측면(522a) 서로 경첩 형태로 결합될 수 있다. 따라서, 제 1 플레이트(521)는 제 1 측면(521a)의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공되고, 제 2 플레이트(522)는 제 2 측면(522a)의 길이 방향을 축으로 회전 가능하게 제공된다. 핸드(510)가 상승하거나 핸드(510)의 높이 변화가 없는 경우, 제 1 플레이트(521)는 제 1 측면(521a)보다 제 1 측면(521a)의 반대 측면(521b)이 낮게 위치되고, 제 2 플레이트(522)는 제 2 측면(522a)보다 제 2 측면(522a)의 반대 측면(522b)이 낮게 위치된다. 핸드(510)가 하강하는 경우, 제 1 플레이트(521)는 제 1 측면(521a)보다 제 1 측면(521a)의 반대 측면(521a)이 높게 위치되고, 제 2 플레이트(522)는 제 2 측면(522a)보다 제 2 측면(522a)의 반대 측면(522b)이 높게 위치된다. 따라서, 핸드(510)가 하강하는 경우, 도 3 내지 도 5의 블레이드(520)의 형태가 유지되는 경우, 기류가 블레이드(520)에 의해 집중되어, 블레이드(520)의 하부를 통해 외부의 기체가 기판(W)으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다. FIGS. 6 and 7 are views showing a transfer unit 1500 according to another embodiment. Referring to FIGS. 6 and 7, the blade 520 includes a first plate 521 and a second plate 522. The first plate 521 is provided on one side with respect to the center of the hand 510 and the second plate 522 is provided on the other side when the front side of the hand 510 is viewed. 3 to 5, the first side surface 521a of the first plate 521 and the second side surface of the second plate 522 are formed such that the first plate 521 and the second plate 522 are vertically To be an axis rotated in the direction of the arrow. For example, the first side surface 521a and the second side surface 522a may be hinged to each other. Accordingly, the first plate 521 is rotatably provided about the longitudinal direction of the first side surface 521a, and the second plate 522 is rotatably provided about the longitudinal direction of the second side surface 522a do. The first plate 521 is positioned such that the opposite side 521b of the first side face 521a is lower than the first side face 521a, 2 plate 522 is positioned lower than the second side surface 522a and the opposite side surface 522b of the second side surface 522a. When the hand 510 is lowered, the first plate 521 is positioned such that the opposite side 521a of the first side face 521a is higher than the first side face 521a and the second plate 522 is positioned higher than the second side face 521b. The opposite side surface 522b of the second side surface 522a is positioned higher than the second side surface 522a. 3 to 5 is maintained, the airflow is concentrated by the blade 520, and the airflow is supplied through the lower portion of the blade 520 to the outside of the gas To the substrate W can be minimized.

도 8은 또 다른 실시 예에 따른 반송 유닛(2500)을 나타낸 도면이다. 도 8을 참고하면, 반송 유닛(2500)은 액 분사 부재(540)를 더 포함한다. 액 분사 부재(540)는 블레이드(520)의 하부에 설치된다. 액 분사 부재(540)는 제1공정챔버(260)에서 공급되어 반송 중인 기판(W) 상에 잔류하는 액과 동일한 액을 핸드(510)에 지지된 기판(W)에 분사한다.Fig. 8 is a view showing a conveyance unit 2500 according to yet another embodiment. 8, the transport unit 2500 further includes a liquid jetting member 540. [ The liquid ejection member 540 is installed below the blade 520. The liquid ejection member 540 ejects the liquid, which is supplied from the first process chamber 260 and remains on the substrate W being conveyed, onto the substrate W supported by the hand 510.

제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 제1공정챔버(260)는 기판 상으로 액을 공급하여 기판을 액 처리하는 액처리 챔버로 제공될 수 있다. 제2공정챔버(280)는 액처리 챔버에서 공급되어 기판 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 챔버로 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided to perform a process on one substrate W sequentially. The first process chamber 260 may be provided with a liquid processing chamber for supplying the liquid onto the substrate to liquid-process the substrate. The second process chamber 280 may be provided as a drying chamber which is supplied from the liquid processing chamber and which removes liquid remaining on the substrate. For example, the substrate W may be subjected to a chemical process, a rinsing process, and a primary drying process in the first process chamber 260, and a secondary drying process may be performed in the second process chamber 260. In this case, the primary drying step may be performed by an organic solvent, and the secondary drying step may be performed by a supercritical fluid. As the organic solvent, isopropyl alcohol (IPA) liquid may be used, and supercritical fluid may be carbon dioxide (CO 2 ). Alternatively, the primary drying process in the first process chamber 260 may be omitted.

아래에서는 제1공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 9는 도 2의 제1공정 챔버(260)에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 도 2의 제1공정 챔버(260)에서 기판을 세정 처리하는 장치로 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b, 324b, 326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b, 324b, 326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the first process chamber 260 will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning the substrate in the first process chamber 260 of FIG. Referring to FIG. 9, the substrate processing apparatus 300 may be provided as an apparatus for cleaning the substrate in the first processing chamber 260 of FIG. The substrate processing apparatus 300 has a processing vessel 320, a spin head 340, an elevation unit 360, and an injection member 380. The processing vessel 320 provides a space where the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The processing vessel 320 has an inner recovery vessel 322, an intermediate recovery vessel 324, and an outer recovery vessel 326. Each of the recovery cylinders 322, 324 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340. The intermediate recovery cylinder 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed in the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a certain distance. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position and the chuck pin 346 is positioned at the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate W with the first processing solution, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate W with the second processing solution and the third processing solution, the substrate W is separated into the space 324a between the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 324, And may be located at a height corresponding to the space 326a between the cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326. [ The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing vessel 320. [

분사부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제 각각은 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올(IPA) 액일 수 있다.The jetting member 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. [ The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is a position in which the nozzle 384 is disposed in the vertical upper portion of the processing container 320 and the standby position is defined as a position in which the nozzle 384 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. One or a plurality of the ejection members 380 may be provided. When a plurality of jetting members 380 are provided, each of the chemical, rinsing liquid, and organic solvent may be provided through jetting members 380 that are different from each other. The chemical may be a liquid with strong acid or strong base properties. The rinse liquid may be pure. The organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or may be an isopropyl alcohol (IPA) solution.

제2공정 챔버(280)에는 기판의 2차 건조 공정이 수행되는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 10은 도 2의 제2공정 챔버(280)에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 10을 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 도 2의 제2공정 챔버(280)에서 기판을 세정 처리하는 장치로 제공될 수 있다. 기판 처리 장치(400)는 하우징(410), 기판 지지 유닛(440), 승강 부재(450), 가열 부재(460), 유체 공급 유닛(470), 차단 부재(480), 실링 유닛(490)을 포함한다.The second process chamber 280 is provided with a substrate processing apparatus 400 in which a secondary drying process of the substrate is performed. The substrate processing apparatus 400 secondary-processes the substrate W subjected to the primary drying process in the first process chamber. The substrate processing apparatus 400 can dry-process the substrate W using a supercritical fluid. 10 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber 280 of FIG. Referring to FIG. 10, the substrate processing apparatus 400 may be provided as an apparatus for cleaning the substrate in the second process chamber 280 of FIG. The substrate processing apparatus 400 includes a housing 410, a substrate supporting unit 440, an elevating member 450, a heating member 460, a fluid supplying unit 470, a blocking member 480, and a sealing unit 490 .

하우징(410)은 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)이 제공된다. 하우징(410)은 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 하우징(410)은 하부 하우징(420) 및 상부 하우징(430)를 포함한다. 하부 하우징(420)은 상부가 개방된 원형의 컵 형상을 가진다. 하부 하우징(420)의 내측 저면에는 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 배기 포트(426)는 하부 하우징(420)의 중심축을 벗어난 위치에 형성될 수 있다. 배기 포트(426)에는 감압 부재가 연결되어 처리 공간(412)에 발생된 파티클을 배기할 수 있다. 또한 처리 공간(412)은 배기 포트(426)를 통해 그 내부 압력을 조절할 수 있다. The housing 410 is provided with a processing space 412 for processing the substrate W therein. The housing 410 seals the processing space 412 from the outside while processing the substrate W. [ The housing 410 includes a lower housing 420 and an upper housing 430. The lower housing 420 has a circular cup shape with its top opened. An exhaust port 426 is formed on the inner bottom surface of the lower housing 420. The exhaust port 426 may be formed at a position deviated from the center axis of the lower housing 420. A decompression member is connected to the exhaust port 426 to exhaust particles generated in the processing space 412. The processing space 412 can also regulate its internal pressure through the exhaust port 426.

상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)과 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)의 위에 위치된다. 상부 하우징(430)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 하우징(430)은 하부 하우징(420)과 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 저면이 하부 하우징(420)의 상단과 마주보는 크기의 직경을 가질 수 있다. The upper housing 430 is combined with the lower housing 420 to form a processing space 412 therein. The upper housing 430 is positioned above the lower housing 420. The upper housing 430 is provided in the shape of a circular plate. For example, the upper housing 430 may have a diameter such that its bottom faces the upper end of the lower housing 420, at a position where the lower housing 420 and the central axis coincide with each other.

기판 지지 유닛(440)은 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지한다. 도 11은 도 10의 기판 지지 유닛(440)을 보여주는 사시도이다. 도 11을 참조하면, 기판 지지 유닛(440)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 지지대(442) 및 기판 유지대(444)를 포함한다. 지지대(442)는 상부 하우징(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 기판 유지대(444)는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(W)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 라운드진 플레이트 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 지지대의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다.The substrate support unit 440 supports the substrate W in the processing space 412. 11 is a perspective view showing the substrate supporting unit 440 of FIG. Referring to Fig. 11, the substrate supporting unit 440 supports the substrate W such that the processing surface of the substrate W faces upward. The substrate support unit 440 includes a support table 442 and a substrate support table 444. The support base 442 is provided in a bar shape extending downward from the bottom surface of the upper housing 430. A plurality of supports 442 are provided. For example, the support base 442 may be four. The substrate holder 444 supports the bottom edge region of the substrate W. [ A plurality of substrate holding tables 444 are provided, each supporting a different area of the substrate W. For example, the number of the substrate holding tables 444 may be two. The substrate holder 444 is provided in a rounded plate shape when viewed from above. The substrate holder 444 is positioned inside the support when viewed from above. Each substrate holder 444 is provided to have a ring shape in combination with each other. Each of the substrate holders 444 is positioned apart from each other.

다시 도 10을 참조하면, 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 중 하나를 이동시킨다. 본 실시 예에는 상부 하우징(430)의 위치가 고정되고, 하부 하우징(420)을 이동시켜 상부 하우징(430)과 하부 하우징(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 고정된 하부 하우징(420)에 기판 지지 유닛(440)이 설치되고, 상부 하우징(430)이 이동될 수 있다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 상대 위치가 개방 위치 및 폐쇄 위치로 이동되도록 하부 하우징(420)을 이동시킨다. 여기서 개방 위치는 처리 공간(412)이 외부와 서로 통하도록 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 서로 이격되는 위치이고, 폐쇄 위치는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)이 서로 접촉되어 이들에 의해 처리 공간(412)을 외부로부터 폐쇄하는 위치로 정의한다. 승강 부재(450)는 하부 하우징(420)을 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 폐쇄시킨다. 승강 부재(450)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420)을 서로 연결하는 복수 개의 승강 축들(452)을 포함한다. 승강 축들(452)은 하부 하우징(420)의 상단과 상부 하우징(430) 사이에 위치된다. 승강 축들(452)은 하부 하우징(420)의 상단의 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강 축(452)은 상부 하우징(430)를 관통하여 하부 하우징(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강 축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 하우징(420)의 높이가 변경되고, 상부 하우징(430)와 하부 하우징(420) 간에 거리를 조절할 수 있다.Referring again to FIG. 10, the lifting member 450 adjusts the relative position between the upper housing 430 and the lower housing 420. The lifting member 450 moves one of the upper housing 430 and the lower housing 420. The position of the upper housing 430 is fixed and the distance between the upper housing 430 and the lower housing 420 is adjusted by moving the lower housing 420. In this embodiment, Alternatively, the substrate supporting unit 440 may be installed in the fixed lower housing 420, and the upper housing 430 may be moved. The elevating member 450 moves the lower housing 420 such that a relative position between the upper housing 430 and the lower housing 420 is moved to the open position and the closed position. The open position is a position where the upper housing 430 and the lower housing 420 are spaced from each other such that the process space 412 communicates with the outside and the closed position is a position where the upper housing 430 and the lower housing 420 are in contact with each other Thereby defining the processing space 412 as a position for closing from the outside. The elevating member 450 moves up and down the lower housing 420 to open or close the processing space 412. The elevating member 450 includes a plurality of elevating shafts 452 connecting the upper housing 430 and the lower housing 420 to each other. The lifting axes 452 are positioned between the upper end of the lower housing 420 and the upper housing 430. The lifting axes 452 are arranged to be arranged along the circumferential direction of the upper end of the lower housing 420. Each lifting shaft 452 can be fixedly coupled to the upper end of the lower housing 420 through the upper housing 430. The height of the lower housing 420 can be changed and the distance between the upper housing 430 and the lower housing 420 can be adjusted as the lifting axes 452 move up and down.

가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 460 heats the processing space 412. The heating member 460 heats the supercritical fluid supplied to the processing space 412 above the critical temperature to maintain it in the supercritical fluid phase. The heating member 460 may be embedded in the wall of at least one of the upper housing 430 and the lower housing 420. For example, the heating member 460 may be provided as a heater that receives power from the outside and generates heat.

유체 공급 유닛(470)은 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급한다. 유체 공급 유닛(470)은 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)를 포함한다. 상부 공급 포트(472)는 상부 하우징(430)에 형성되고, 하부 공급 포트(474)는 하부 하우징(420)에 형성된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)는 상하 방향으로 서로 대향되게 위치된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474)는 처리 공간(412)의 중심축에 일치하도록 위치된다. 상부 공급 포트(472) 및 하부 공급 포트(474) 각각에는 동일한 종류의 초임계 유체가 공급된다. 일 예에 의하면, 기판(W)의 비 처리면과 대향되는 공급 포트로부터 초임계 유체가 공급되고, 이후에 기판(W)의 처리면과 대향되는 공급 포트로부터 초임계 유체가 공급될 수 있다. 따라서 하부 공급 포트(474)로부터 초임계 유체가 공급되고, 이후에 상부 공급 포트(472)로부터 초임계 유체가 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(W)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다. The fluid supply unit 470 supplies the supercritical fluid to the processing space 412. The fluid supply unit 470 includes an upper supply port 472 and a lower supply port 474. The upper supply port 472 is formed in the upper housing 430 and the lower supply port 474 is formed in the lower housing 420. The upper supply port 472 and the lower supply port 474 are positioned facing each other in the vertical direction. The upper supply port 472 and the lower supply port 474 are positioned to coincide with the central axis of the processing space 412. Each of the upper supply port 472 and the lower supply port 474 is supplied with the same kind of supercritical fluid. According to one example, supercritical fluid may be supplied from a supply port opposed to the non-treatment surface of the substrate W, and then supercritical fluid may be supplied from a supply port opposed to the treatment surface of the substrate W. [ Thus, the supercritical fluid may be supplied from the lower supply port 474, and then the supercritical fluid may be supplied from the upper supply port 472. This is to prevent the initially supplied fluid from being supplied to the substrate W with the critical pressure or the critical temperature not yet reached.

차단 부재(480)는 하부 공급 포트(474)로부터 공급되는 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 차단 부재(480)는 차단 플레이트(482) 및 지지대(484)를 포함한다. 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474)와 기판 지지 유닛(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(482)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(482)는 하부 하우징(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트(482)는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대(484)는 차단 플레이트(482)를 지지한다. 지지대(484)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(482)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 지지대(484)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다. The blocking member 480 prevents the fluid supplied from the lower supply port 474 from being directly supplied to the non-processed surface of the substrate W. [ The blocking member 480 includes a blocking plate 482 and a support 484. The blocking plate 482 is positioned between the lower supply port 474 and the substrate support unit 440. The blocking plate 482 is provided to have a circular plate shape. The blocking plate 482 has a smaller diameter than the inner diameter of the lower housing 420. The blocking plate 482 has a diameter that obscures both the lower supply port 474 and the exhaust port 426 when viewed from above. For example, the blocking plate 482 may be provided to have a diameter corresponding to, or larger than, the diameter of the substrate W. [ Support base 484 supports blocking plate 482. The supports 484 are provided in a plurality and are arranged along the circumferential direction of the shield plate 482. Each support base 484 is spaced apart from one another at regular intervals.

실링 유닛(490)은 처리 공간(412)이 외부로부터 밀폐되도록 폐쇄 위치에 위치된 상부 하우징(430) 및 하부 하우징(420) 간에 틈을 밀폐한다. The sealing unit 490 seals the gap between the upper housing 430 and the lower housing 420 located in the closed position so that the processing space 412 is hermetically sealed from the outside.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 반송 유닛(500, 1500, 2500)에 블레이드 및 액 분사 부재를 제공함으로써, 기판 반송 시 기판의 건조를 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 건조에 의한 수율 저하를 최소화할 수 있다. 또한, 입구를 통해 하강기류가 처리 챔버에 유입되는 것을 방지하여 기판이 처리되는 챔버 내부의 오염을 억제할 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention can prevent drying of the substrate during substrate transportation by providing the blades and the liquid jetting member to the transport units 500, 1500, and 2500. Therefore, the reduction in the yield due to the drying of the substrate can be minimized. In addition, it is possible to prevent the downward flow of air from entering the processing chamber through the inlet, thereby suppressing the contamination inside the chamber in which the substrate is processed.

1: 기판 처리 장비 420: 반송 챔버
242: 가이드 레일 246: 팬유닛
260: 제1공정챔버 280: 제2공정챔버
500: 반송 유닛 510: 핸드
520: 블레이드 521: 제 1 플레이트
522: 제 2 플레이트 530: 베이스
540: 액 분사 부재1: substrate processing equipment 420: transfer chamber
242: guide rail 246: fan unit
260: first process chamber 280: second process chamber
500: transfer unit 510: hand
520: blade 521: first plate
522: second plate 530: base
540: liquid jet member

Claims (7)

기판을 반송하는 반송유닛에 있어서,
기판이 놓이는 핸드와;
상기 핸드의 상부에 배치되어 하강기류가 기판에 도달하는 것을 최소화하기 위한 제1플레이트와 제2플레이트를 갖는 블레이드를 포함하되;
상기 핸드를 전면에서 바라볼 때, 상기 제1플레이트는 상기 핸드의 중심을 기준으로 일측에 제공되고, 상기 제2플레이트는 상기 핸드의 중심으로 기준으로 타측에 제공되며,
상기 제1플레이트의 제1측면 및 상기 제2플레이트의 제2측면은 회전축에 의해 서로 연결되게 제공되고, 상기 제1플레이트 및 상기 제2플레이트는 상기 회전축을 중심으로 회전되는 반송 유닛.A transfer unit for transferring a substrate,
A hand on which a substrate is placed;
A blade disposed on the hand and having a first plate and a second plate for minimizing a descending airflow reaching the substrate;
When the hand is viewed from the front, the first plate is provided at one side with respect to the center of the hand, and the second plate is provided at the other side with respect to the center of the hand,
Wherein the first side of the first plate and the second side of the second plate are provided to be connected to each other by a rotation shaft, and the first plate and the second plate are rotated about the rotation axis. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 핸드가 상승하거나 상기 핸드의 높이 변화가 없는 경우,
상기 제1플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제1측면의 반대 측면이 낮게 위치되고,
상기 제2플레이트는 상기 제2측면보다 상기 제2측면의 반대 측면이 낮게 위치되며,
상기 핸드가 하강하는 경우,
상기 제1플레이트는 상기 제 1 측면보다 상기 제1측면의 반대 측면이 높게 위치되고,
상기 제2플레이트는 상기 제2측면보다 상기 제2측면의 반대 측면이 높게 위치되는 반송 유닛.The method according to claim 1,
When the hand rises or the height of the hand does not change,
Wherein the first plate is positioned lower than the first side and the opposite side of the first side,
The second plate is positioned lower than the second side and the opposite side of the second side,
When the hand descends,
Wherein the first plate is positioned higher than the first side and the opposite side of the first side,
And the second plate is positioned higher than the second side opposite to the second side. 제 1 항에 있어서,
상기 반송 유닛은 상기 블레이드의 하부에 설치되고 상기 핸드에 지지된 기판에 액을 분사하는 액 분사 부재를 더 포함하는 반송 유닛.The method according to claim 1,
Wherein the transfer unit further comprises a liquid jetting member installed at a lower portion of the blade and jetting liquid onto a substrate supported by the hand. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 블레이드는 무정전 재질로 제공된 반송 유닛.The method according to claim 1 or 4,
Wherein the blade is provided with an uninterruptible material. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 반송 유닛은 베이스를 더 포함하되,
상기 핸드는 상기 베이스에 대해 신장 가능하게 제공되고,
상기 블레이드는 상기 베이스에 고정 결합되는 반송 유닛.
The method according to claim 1 or 4,
The transfer unit further includes a base,
The hand being provided in a stretchable manner relative to the base,
And the blade is fixedly coupled to the base.
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