KR101935951B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 건조 처리하는 장치 및 방법를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 처리 공간에서 기판의 제1영역을 지지하는 제1지지 부재, 그리고 상기 제1지지 부재에 지지된 기판의 상기 제1영역과 상이한 제2영역을 지지하는 제2지지 부재를 포함하되, 상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재는 서로 간에 상대 높이가 조절되도록 어느 하나가 승강 이동이 가능하다. 이로 인해 기판의 중앙 영역에 처짐 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for drying a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber in which a process space is formed, a fluid supply unit that supplies a process fluid to the process space, a first support member that supports a first region of the substrate in the process space, And a second support member for supporting a second region different from the first region of the supported substrate, wherein the first support member and the second support member can be lifted and lowered such that their relative heights are adjusted relative to each other Do. As a result, it is possible to prevent a sag phenomenon from occurring in the central region of the substrate.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various processes are used for each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.

일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류되며, 유기 용제를 제거하기 위한 초임계 처리 공정이 진행된다.Generally, in the cleaning step, the substrate is treated with a chemical and a rinsing liquid and then dried. In the drying treatment step, the substrate is dried with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) as a step for drying the rinsing liquid remaining on the substrate. However, as the distance (CD: critical dimension) between the pattern formed on the substrate and the pattern becomes finer, the organic solvent remains in the spaces between the patterns and a supercritical process for removing the organic solvent proceeds.

초임계 처리 공정은 기판 상에 잔류되는 액을 초임계 유체로 치환하여 건조시키는 공정으로, 기판을 지지하는 영역을 최소화한다. 도 1은 초임계 처리 장치에서 지지된 기판을 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판을 보여주는 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(W)은 양단이 핀(2)에 의해 지지된다. 이에 따라 기판(W) 상에 잔류되는 유기 용제의 하중을 기판의 중앙 영역으로 치중되며, 기판(W)의 중앙 영역에는 처짐 현상이 발생된다. 즉, 기판(W)의 중앙 영역은 가장자리 영역에 비해 낮은 높이를 가지며, 수평 상태를 유지하지 못한다.The supercritical treatment process is a process of replacing the liquid remaining on the substrate with a supercritical fluid and drying it, thereby minimizing a region supporting the substrate. FIG. 1 is a plan view showing a substrate supported by a supercritical processing apparatus, and FIG. 2 is a sectional view showing the substrate of FIG. Referring to Figs. 1 and 2, both ends of the substrate W are supported by the fins 2. Accordingly, the load of the organic solvent remaining on the substrate W is concentrated on the central region of the substrate, and a sagging phenomenon occurs in the central region of the substrate W. That is, the central region of the substrate W has a lower height than the edge region, and does not maintain a horizontal state.

이로 인해 기판(W) 상에 잔류되는 유기 용제는 기판(W)의 가장자리 영역에서 중앙 영역으로 이동되며, 그 가장자리 영역에 형성된 패턴이 건조 불량으로 인해 붕괴될 수 있다.As a result, the organic solvent remaining on the substrate W is moved from the edge area of the substrate W to the center area, and the pattern formed in the edge area can be collapsed due to drying failure.

한국 공개 특허 번호 2011-0101045Korean Patent No. 2011-0101045

본 발명은 기판 상에 잔류되는 액의 하중에 의해을 기판의 처짐 현상이 발생되는 문제점을 해결할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for solving the problem of deflection of a substrate caused by a load of a liquid remaining on a substrate.

또한 본 발명은 기판의 전체 영역으로 수평하게 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus and a method for leveling the entire area of a substrate.

본 발명의 실시예는 기판을 건조 처리하는 장치 및 방법를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 처리 공간에서 기판의 제1영역을 지지하는 제1지지 부재, 그리고 상기 제1지지 부재에 지지된 기판의 상기 제1영역과 상이한 제2영역을 지지하는 제2지지 부재를 포함하되, 상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재는 서로 간에 상대 높이가 조절되도록 어느 하나가 승강 이동이 가능하다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for drying a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber in which a process space is formed, a fluid supply unit that supplies a process fluid to the process space, a first support member that supports a first region of the substrate in the process space, And a second support member for supporting a second region different from the first region of the supported substrate, wherein the first support member and the second support member can be lifted and lowered such that their relative heights are adjusted relative to each other Do.

상기 제1영역은 기판의 가장자리 영역을 포함하고, 상기 제2영역은 기판의 중앙 영역을 포함할 수 있다. 상기 챔버는 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 하부 공급 포트가 형성되는 하부 바디 및 상기 하부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 상부 바디를 포함하고, 상기 장치는 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 간에 상대 높이를 조절하도록 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나를 승하강시키는 바디 승강 부재를 더 포함하되, 상기 제1지지 부재는 상기 상부 바디에 설치되고, 상기 제2지지 부재는 상기 하부 바디에 설치될 수 있다. The first region may include an edge region of the substrate, and the second region may include a central region of the substrate. Wherein the chamber comprises a lower body in which a lower supply port for supplying a processing fluid to the processing space is formed and an upper body combined with the lower body to form the processing space therein, Further comprising a body lifting member for lifting one of the upper body and the lower body to adjust a relative height between the bodies, wherein the first supporting member is installed on the upper body, Can be installed in the body.

상기 제1지지 부재는 상단이 기판의 저면을 직접 지지하는 제1지지핀을 포함하고, 상기 제2지지 부재는 상기 하부 바디와 함께 이동 가능한 제2지지핀을 포함하되, 상기 바디 승강 부재는 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나를 열림 위치 또는 닫힘 위치로 이동시키되, 상기 열림 위치는 상기 처리 공간이 개방되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 이격되는 위치이고, 상기 닫힘 위치는 상기 처리 공간이 밀폐되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 서로 밀착하는 위치이며, 상기 닫힘 위치에 위치된 상기 제2지지핀의 상단은 상기 제1지지핀의 상단과 동일한 높이를 가질 수 있다. Wherein the first support member includes a first support pin directly supporting the bottom surface of the substrate and the second support member includes a second support pin movable together with the lower body, The upper body and the lower body are moved to an open position or a closed position, wherein the open position is a position where the upper body and the lower body are spaced apart from each other such that the processing space is opened, And the upper end of the second support pin located at the closed position may have the same height as the upper end of the first support pin.

상기 제2지지 부재는 상기 하부 공급 포트와 마주하도록 위치되는 차단 플레이트 및 상기 하부 바디의 바닥면으로부터 위로 연장되며, 상기 차단 플레이트를 지지하는 하부 지지대를 포함하되, 상기 제2지지핀은 상기 차단 플레이트의 상면에 고정 설치될 수 있다. ,The second support member includes a shield plate positioned to face the lower supply port and a lower support extending upward from a bottom surface of the lower body and supporting the shield plate, As shown in FIG. ,

상기 제1지지 부재는 상기 상부 바디의 천장면으로부터 아래로 연장되는 상부 지지대 및 상기 상부 지지대의 하단으로부터 수직하게 연장되며, 상면에 상기 제1지지핀이 설치되는 기판 유지대를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 제2지지핀의 외측에 위치될 수 있다. 상기 제2지지핀은 상기 제1지지 부재에 지지된 기판의 중심과 마주하도록 위치되는 제1핀 및 상기 제2영역에 마주하는 위치에서 상기 제1핀을 감싸도록 위치되는 제2핀을 포함할 수 있다. Wherein the first support member includes an upper support extending downward from a ceiling of the upper body and a substrate supporter extending vertically from a lower end of the upper supporter and having the first support pin mounted on an upper surface thereof, The upper support may be positioned outside the second support pin when viewed from above. The second support pin includes a first pin positioned to face the center of the substrate supported by the first support member and a second pin positioned to surround the first pin at a position facing the second region .

기판을 건조 처리하는 방법으로는 개방된 상기 처리 공간에 상기 기판을 반입하는 기판 반입 단계, 상기 처리 공간을 외부로부터 밀폐시키는 분위기 밀폐 단계, 그리고 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 공정 처리 단계를 포함하되, 상기 기판 반입 단계에는 상기 기판의 제1영역이 상기 제1지지 부재에 의해 지지되고, 상기 분위기 밀폐 단계 및 상기 공정 처리 단계에는 상기 제1영역이 상기 제1지지 부재에 지지, 그리고 상기 제1영역과 상이한 상기 기판의 제2영역이 상기 제2지지 부재에 의해 지지된다. A method of drying the substrate includes a substrate carrying step of carrying the substrate into the open processing space, an atmosphere sealing step of sealing the processing space from the outside, and a processing processing step of supplying the processing fluid to the processing space Wherein the first region of the substrate is supported by the first support member and the first region is supported by the first support member in the atmosphere sealing step and the processing step, And a second region of the substrate different from the first region is supported by the second support member.

상기 분위기 밀폐 단계는 개방된 상기 처리 공간이 밀폐되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 밀착되게 이동시키되, 상기 처리 공간이 밀폐되기 전에는 상기 제2지지 부재가 상기 기판으로부터 이격되게 위치되고, 상기 처리 공간이 밀폐되면, 상기 제2지지 부재가 상기 기판을 지지할 수 있다. 상기 처리 공간이 밀폐되기 전에는, 상기 제2지지부재의 제2지지핀이 상기 제1지지 부재의 제1지지핀보다 아래에 위치되고, 상기 처리 공간이 밀폐되면, 상기 제1지지 부재의 제1지지핀 상단과 상기 제2지지부재의 제2지지핀 상단은 동일한 높이를 가질 수 있다. Wherein the atmospheric sealing step moves the upper body and the lower body in close contact with each other so that the open processing space is sealed so that the second supporting member is positioned apart from the substrate before the processing space is sealed, When the space is sealed, the second supporting member can support the substrate. The second support pin of the second support member is located below the first support pin of the first support member before the processing space is sealed, and when the processing space is sealed, the first support pin of the first support member The upper end of the support pin and the upper end of the second support pin of the second support member may have the same height.

상기 처리 유체는 초임계 유체를 포함할 수 있다. The treatment fluid may comprise a supercritical fluid.

기판 반입 단계에는 상기 기판 상에 액막이 형성된 상태로 상기 처리 공간에 반입될 수 있다. The substrate may be brought into the processing space in a state where a liquid film is formed on the substrate.

상기 액막은 유기 용제에 의해 형성되는 막일 수 있다. 상기 공정 처리 단계는 상기 액막을 제거하는 공정을 수행할 수 있다. The liquid film may be a film formed by an organic solvent. The processing step may be a step of removing the liquid film.

기판 처리 장치는 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 챔버에 고정 설치되며, 외부의 반송 로봇으로부터 기판을 인수받는 제1지지 부재, 그리고 상기 처리 공간에서 공정이 진행되는 중에 기판을 지지하며, 승하강 이동이 가능한 제2지지 부재를 포함하되, 상기 제1지지 부재는 기판의 제1영역을 지지하고, 상기 제2지지 부재는 상기 제1영역과 상이한 기판의 제2영역을 지지한다. The substrate processing apparatus includes a chamber in which a processing space is formed, a fluid supply unit that supplies a processing fluid to the processing space, a first supporting member that is fixed to the chamber and receives a substrate from an external transfer robot, And a second support member which supports the substrate while the process is progressing in the space and is movable up and down, the first support member supports a first region of the substrate, and the second support member supports the first region Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

상기 제1영역은 기판의 가장자리 영역을 포함하고, 상기 제2영역은 기판의 중앙 영역을 포함할 수 있다. 상기 챔버는 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급되는 하부 공급 포트가 형성되는 하부 바디 및 상기 하부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 상부 바디를 포함하고, 상기 장치는 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 간에 상대 높이를 조절하도록 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나를 승하강시키는 바디 승강 부재를 더 포함하되, 상기 제1지지 부재는 상기 상부 바디에 고정 설치되고, 상기 제2지지 부재는 상기 하부 바디에 고정 설치될 수 있다. The first region may include an edge region of the substrate, and the second region may include a central region of the substrate. The chamber includes a lower body in which a lower supply port is formed to supply the processing fluid to the processing space and an upper body combined with the lower body to form the processing space therein, And a body lifting member for lifting one of the upper body and the lower body to adjust a relative height between the bodies, wherein the first supporting member is fixed to the upper body, And can be fixedly installed on the lower body.

상기 제1지지 부재는 상단이 기판의 저면을 직접 지지하는 제1지지핀을 포함하고, 상기 제2지지 부재는 상기 하부 바디와 함께 이동 가능한 제2지지핀을 포함하되, 상기 바디 승강 부재는 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나를 열림 위치 또는 닫힘 위치로 이동시키되, 상기 열림 위치는 상기 처리 공간이 개방되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 이격되는 위치이고, 상기 닫힘 위치는 상기 처리 공간이 밀폐되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 서로 밀착하는 위치이며, 상기 닫힘 위치에 위치된 상기 제2지지핀의 상단은 상기 제1지지핀의 상단과 동일한 높이를 가질 수 있다. Wherein the first support member includes a first support pin directly supporting the bottom surface of the substrate and the second support member includes a second support pin movable together with the lower body, The upper body and the lower body are moved to an open position or a closed position, wherein the open position is a position where the upper body and the lower body are spaced apart from each other such that the processing space is opened, And the upper end of the second support pin located at the closed position may have the same height as the upper end of the first support pin.

상기 제1지지 부재는 상기 상부 바디의 천장면으로부터 아래로 연장되는 상부 지지대 및 상기 상부 지지대의 하단으로부터 수직하게 연장되며, 상면에 상기 제1지지핀이 설치되는 기판 유지대를 포함하고, 상기 제2지지 부재는 상기 하부 공급 포트와 마주하도록 위치되며, 상면에 상기 제2지지핀이 설치되는 차단 플레이트 및 상기 하부 바디의 바닥면으로부터 위로 연장되며, 상기 차단 플레이트를 지지하는 하부 지지대를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 제2지지핀의 외측에 위치될 수 있다. Wherein the first support member includes an upper support extending downward from a ceiling of the upper body and a substrate supporter extending vertically from a lower end of the upper supporter and having the first support pin mounted on an upper surface thereof, 2 supporting member is disposed to face the lower supply port and has a shield plate on the upper surface thereof and a lower supporter extending upward from a bottom surface of the lower body and supporting the shield plate, The upper support may be located outside the second support pin when viewed from above.

상기 공정이 진행되는 중에는 상기 제1지지핀 및 상기 제2지지핀에 의해 상기 제1영역 및 상기 제2영역이 동시에 지지될 수 있다. During the process, the first region and the second region may be simultaneously supported by the first support pin and the second support pin.

본 발명의 실시예에 의하면, 제1지지 부재는 상부 바디에 설치되고, 제2지지 부재는 하부 바디에 설치된다. 제2지지 부재는 상부 바디와 하부 바디가 서로 밀착 시 제1지지 부재에 지지된 기판의 중앙 영역을 지지한다. 이로 인해 기판의 중앙 영역에 처짐 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first support member is installed on the upper body, and the second support member is installed on the lower body. The second support member supports a central region of the substrate supported by the first support member when the upper body and the lower body are in close contact with each other. As a result, it is possible to prevent a sag phenomenon from occurring in the central region of the substrate.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 고온 고압 분위기를 가지는 처리 공간에서 별도의 구동기 없이 제2지지핀을 이동시킬 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the second support pin can be moved in a processing space having a high-temperature and high-pressure atmosphere without a separate actuator.

도 1은 초임계 처리 장치에서 지지된 기판을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판을 보여주는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 제1지지 부재를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 5의 제2지지 부재를 보여주는 사시도이다.
도 8 내지 도 12는 도 5의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.1 is a plan view showing a substrate supported in a supercritical processing apparatus;
2 is a cross-sectional view of the substrate of FIG.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 3;
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 3;
Figure 6 is a perspective view showing the first support member of Figure 5;
Figure 7 is a perspective view showing the second support member of Figure 5;
FIGS. 8 to 12 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 3 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to Figs. 3 to 12 by way of example of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 3, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 배치되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2공정 챔버들(280)이 배치된다. 제1공정 챔버들(260)과 제2공정 챔버들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정 챔버들(280)도 제1공정 챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 모두 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 각각 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, a first process chamber 260, and a second process chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The first process chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 along the second direction 14 and the second process chambers 280 are disposed on the other side of the transfer chamber 240. The first process chambers 260 and the second process chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the first process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the first process chambers 260 are arranged stacked on each other. That is, the first process chambers 260 may be arranged on one side of the transfer chamber 240 in the arrangement of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Where A is the number of the first process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of the second process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six first process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the first process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of first process chambers 260 may increase or decrease. The second process chambers 280 may also be arranged in an array of M X N (where M and N are each a natural number greater than or equal to one), similar to the first process chambers 260. Here, M and N may be the same numbers as A and B, respectively. The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may both be provided only on one side of the transfer chamber 240. [ In addition, unlike the above, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, respectively. In addition, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided in various arrangements different from those described above.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220, the first process chamber 260, and the second process chamber 280. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242.

제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정 챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정 챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기 용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정 챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided to perform a process on one substrate W sequentially. For example, the substrate W may be subjected to a chemical process, a rinsing process, and a primary drying process in the first process chamber 260, and a secondary drying process may be performed in the second process chamber 260. In this case, the primary drying step may be performed by an organic solvent, and the secondary drying step may be performed by a supercritical fluid. As the organic solvent, isopropyl alcohol (IPA) liquid may be used, and supercritical fluid may be carbon dioxide (CO 2 ). Alternatively, the primary drying process in the first process chamber 260 may be omitted.

아래에서는 제1공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 4는 도 3의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the first process chamber 260 will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 3; 4, the substrate processing apparatus 300 has a processing vessel 320, a spin head 340, an elevation unit 360, and an injection member 380. [ The processing vessel 320 provides a space where the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 322. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 326a between the outer recovery cylinder 326 and the inner recovery cylinder 322 are connected to each other by the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326, And serves as an inflow port. Recovery passages 322b and 326b extending perpendicularly to the bottom of the recovery passages 322 and 326 are connected to the recovery passages 322 and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b and 326b discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀 헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed in the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a certain distance. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position and the chuck pin 346 is positioned at the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing vessel 320. [

분사 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사 부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사 부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 각각은 서로 상이한 분사 부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The jetting member 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. [ The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is a position in which the nozzle 384 is disposed in the vertical upper portion of the processing container 320 and the standby position is defined as a position in which the nozzle 384 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. One or a plurality of the ejection members 380 may be provided. When a plurality of jetting members 380 are provided, each of the chemical, rinsing liquid, and organic solvent may be provided through jetting members 380 that are different from each other. The chemical may be a liquid with strong acid or strong base properties. The rinse liquid may be pure. The organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or may be an isopropyl alcohol solution.

제2공정 챔버에는 기판의 2차 건조 공정이 수행하는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 유기 용제가 잔류된 기판(W)을 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 5는 도 2의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 챔버(410), 바디 승강 부재(470), 기판 지지 유닛(440,450), 가열 부재(460), 그리고 유체 공급 유닛(490)을 포함한다.The second process chamber is provided with a substrate processing apparatus 400 in which the secondary drying process of the substrate is performed. The substrate processing apparatus 400 secondary-processes the substrate W subjected to the primary drying process in the first process chamber. The substrate processing apparatus 400 drys the substrate W on which the organic solvent remains. The substrate processing apparatus 400 can dry-process the substrate W using a supercritical fluid. 5 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 2; 5, the substrate processing apparatus 400 includes a chamber 410, a body lift member 470, a substrate support unit 440, 450, a heating member 460, and a fluid supply unit 490.

챔버(410)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)을 형성한다. 챔버(410)는 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 챔버(410)는 하부 바디(420) 및 상부 바디(430)를 포함한다. 하부 바디(420)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 하부 바디(420)의 내측 저면에는 하부 공급 포트(422) 및 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 하부 공급 포트(422)는 하부 바디(420)의 중심축을 벗어나게 위치될 수 있다. 하부 공급 포트(422)는 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급하는 유로로 기능한다.The chamber 410 forms a processing space 412 for processing the substrate W therein. The chamber 410 seals the processing space 412 from the outside while processing the substrate W. [ The chamber 410 includes a lower body 420 and an upper body 430. The lower body 420 has a cup shape with an open top. A lower supply port 422 and an exhaust port 426 are formed on the inner bottom surface of the lower body 420. The lower supply port 422 may be positioned out of the central axis of the lower body 420 as viewed from above. The lower supply port 422 serves as a flow path for supplying a supercritical fluid to the processing space 412.

상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)의 위에 위치된다. 상부 바디(430)는 판 형상으로 제공된다. 상부 바디(430)에는 상부 공급 포트(432)가 형성된다. 상부 공급 포트(432)는 처리 공간(412)에 초임계 유체가 공급되는 유로로 기능한다. 상부 공급 포트(432)는 상부 바디(430)의 중심에 일치되게 위치될 수 있다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 하단이 하부 바디(420)의 상단과 마주보도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 각각은 금속 재질로 제공될 수 있다.The upper body 430 is combined with the lower body 420 to form a processing space 412 therein. The upper body 430 is positioned above the lower body 420. The upper body 430 is provided in a plate shape. An upper supply port 432 is formed in the upper body 430. The upper supply port 432 serves as a flow path for supplying supercritical fluid to the processing space 412. The upper supply port 432 may be positioned coincident with the center of the upper body 430. The upper body 430 may be provided such that the lower end thereof faces the upper end of the lower body 420 at a position where the lower body 420 and the central axis coincide with each other. According to an example, each of the upper body 430 and the lower body 420 may be made of a metal material.

바디 승강 부재(470)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 높이를 조절한다. 바디 승강 부재(470)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 하나를 상하 방향으로 이동시킨다. 본 실시예에는 상부 바디(430)의 위치가 고정되고, 하부 바디(420)을 이동시켜 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 바디 승강 부재(470)는 하부 바디(420)를 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 밀폐시킨다. 바디 승강 부재(470)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치가 닫힘 위치 및 열림 위치를 가지도록 하부 바디(420)를 이동시킨다. 여기서 닫힘 위치는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 접촉되게 밀착되어 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐하는 위치이고, 열림 위치는 기판이 반출입 가능하도록 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 이격되는 위치로 정의한다. 바디 승강 부재(470)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)를 서로 연결하는 복수 개의 승강축들(452)을 포함한다. 승강축들(452)은 하부 바디(420)의 상단과 상부 바디(430) 사이에 위치된다. 승강축들(452)은 하부 바디(420)의 상단의 가장자리를 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강축(452)은 상부 바디(430)를 관통하여 하부 바디(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 바디(420)의 높이가 변경되고, 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절할 수 있다. 예컨대, 승강축들(452)은 실린더에 의해 승하강될 수 있다.The body lifting member 470 adjusts the relative height between the upper body 430 and the lower body 420. The body lifting member 470 moves one of the upper body 430 and the lower body 420 in the vertical direction. The position of the upper body 430 is fixed and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 is adjusted by moving the lower body 420. In this embodiment, The body lifting member 470 moves up and down the lower body 420 to open or close the processing space 412. The body lifting member 470 moves the lower body 420 such that the relative position between the upper body 430 and the lower body 420 has a closed position and an open position. The closed position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 are in close contact with each other to close the processing space 412 from the outside and the open position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 are closed, (420) are spaced apart from each other. The body lifting member 470 includes a plurality of lifting shafts 452 connecting the upper body 430 and the lower body 420 to each other. The lifting shafts 452 are positioned between the upper end of the lower body 420 and the upper body 430. The lifting shafts 452 are arranged to be arranged along the upper edge of the lower body 420. Each lifting shaft 452 can be fixedly coupled to the upper end of the lower body 420 through the upper body 430. The height of the lower body 420 can be changed and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 can be adjusted as the lifting axes 452 move up and down. For example, the lift axes 452 can be raised and lowered by the cylinder.

선택적으로, 고정된 하부 바디(420)에 기판 지지 유닛(440)이 설치되고, 상부 바디(430)가 이동될 수 있다. Alternatively, the substrate supporting unit 440 may be installed on the fixed lower body 420, and the upper body 430 may be moved.

기판 지지 유닛(440,450)은 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440,450)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440,450)은 제1지지 부재(440) 및 제2지지 부재(450)를 포함한다. 제1지지 부재(440)는 기판(W)의 제1영역을 지지하고, 제2지지 부재(450)는 기판(W)의 제2영역을 지지한다. 제1영역 및 제2영역은 서로 상이한 영역으로 제공된다. 일 예에 의하면, 제1영역은 제2영역의 둘레를 감싸는 영역으로 제공될 수 있다. 제1영역은 기판(W)의 가장자리 영역을 포함하고, 제2영역은 기판(W)의 중앙 영역을 포함할 수 있다. 기판(W)은 제1지지 부재(440) 및 제2지지 부재(450) 각각에 의해 수평 상태로 지지될 수 있다. The substrate support units 440 and 450 support the substrate W in the processing space 412. The substrate supporting units 440 and 450 support the substrate W such that the processing surface of the substrate W faces upward. The substrate support units 440 and 450 include a first support member 440 and a second support member 450. The first support member 440 supports a first region of the substrate W and the second support member 450 supports a second region of the substrate W. [ The first region and the second region are provided in mutually different regions. According to an example, the first region may be provided as an area surrounding the periphery of the second region. The first region may include an edge region of the substrate W and the second region may include a central region of the substrate W. [ The substrate W may be supported in a horizontal state by the first support member 440 and the second support member 450, respectively.

도 6은 도 5의 제1지지 부재를 보여주는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 제1지지 부재(440)는 상부 지지대(442), 기판 유지대(444), 그리고 제1지지핀(446)을 포함한다. 상부 지지대(442)는 상부 바디(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 상부 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 상부 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 호 형상을 가진다. 기판 유지대(444)는 상부 지지대(442)의 하단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 기판 유지대(444)는 상부 지지대(442)의 내측 방향으로 연장된다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다. 제1지지핀(446)은 기판 유지대(444)의 상면으로부터 위로 돌출되게 연장된다. 제1지지핀(446)의 상단은 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 직접 지지하는 영역으로 제공된다. 예컨대, 제1지지핀(446)은 4 개일 수 있다.Figure 6 is a perspective view showing the first support member of Figure 5; 6, the first support member 440 includes an upper support 442, a substrate holder 444, and a first support pin 446. As shown in FIG. The upper support 442 is provided in a bar shape extending downward from the bottom surface of the upper body 430. A plurality of upper supports 442 are provided. For example, the number of the upper supports 442 may be four. The substrate holder 444 has a arc shape. The substrate supporter 444 extends in the vertical direction from the lower end of the upper supporter 442. The substrate holder 444 extends inward of the upper support 442. For example, the number of the substrate holding tables 444 may be two. Each substrate holder 444 is provided to have a ring shape in combination with each other. Each of the substrate holders 444 is positioned apart from each other. The first support pin 446 extends so as to protrude upward from the upper surface of the substrate supporter 444. The upper end of the first support pin 446 is provided as an area directly supporting the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the number of the first support pins 446 may be four.

제2지지 부재(450)는 제1지지 부재(440)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역을 지지한다. 제2지지 부재(450)는 하부 바디(420)의 위치에 따라 그 위치가 이동된다. 제2지지 부재(450)는 하부 바디(420)와 함께 승하강 이동이 가능하다. 도 7은 도 5의 제2지지 부재(450)를 보여주는 사시도이다. 도 7을 참조하면, 제2지지 부재(450)는 차단 플레이트(456), 하부 지지대(458), 그리고 제2지지핀(452)을 포함한다. 차단 플레이트(456)는 하부 공급 포트(422)와 제1지지 부재(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(456)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(456)는 하부 바디(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(456)는 하부 공급 포트(422) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 이에 따라 하부 공급 포트(422)로부터 공급되는 처리 유체의 흐름 경로는 차단 플레이트(456)에 의해 우회된다. 즉 차단 플레이트(456)는 하부 공급 포트(422)로부터 공급되는 초임계 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 예컨대, 차단 플레이트(456)는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 하부 지지대(458)는 차단 플레이트(456)를 지지한다. 하부 지지대(458)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(456)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 하부 지지대(458)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다. The second support member 450 supports a central region of the substrate W supported by the first support member 440. The second supporting member 450 is moved in accordance with the position of the lower body 420. The second support member 450 is movable up and down together with the lower body 420. 7 is a perspective view showing the second support member 450 of FIG. Referring to FIG. 7, the second support member 450 includes a cutoff plate 456, a lower support 458, and a second support pin 452. The blocking plate 456 is positioned between the lower supply port 422 and the first support member 440. The blocking plate 456 is provided to have a circular plate shape. The blocking plate 456 has a smaller diameter than the inner diameter of the lower body 420. The blocking plate 456 has a diameter which obscures both the lower supply port 422 and the exhaust port 426 when viewed from above. The flow path of the processing fluid supplied from the lower supply port 422 is bypassed by the blocking plate 456. [ That is, the blocking plate 456 prevents the supercritical fluid supplied from the lower supply port 422 from being directly supplied to the non-processed surface of the substrate W. [ For example, the blocking plate 456 may be provided to have a diameter corresponding to or larger than the diameter of the substrate W. [ The lower support 458 supports the blocking plate 456. The lower supports 458 are provided in a plurality and arranged along the circumferential direction of the shield plate 456. [ Each lower support 458 is spaced apart from one another at regular intervals.

제2지지 부재(450)는 복수 개의 제2지지핀(452)을 포함한다. 제2지지핀(452)은 복수 개로 제공된다. 제2지지핀(452)들은 차단 플레이트(456)의 상면으로부터 위로 돌출되게 제공된다. 상부에서 바라볼 때 제2지지핀(452)들은 제1지지핀(446)들의 내측에 위치된다. 상부에서 바라볼 때 제2지지핀(452)들은 제1지지 부재(440)에 지지된 기판(W)의 중앙 영역인 제2영역과 중첩되게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 제2지지핀(452)들은 제1지지 부재(440)에 지지된 기판(W)의 중심 및 이와 제1지지핀(446) 사이 영역 각각에 중첩되게 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 기판(W)의 중심과 마주하도록 위치되는 제2지지핀(452)을 제1핀(452a)으로 정의하고, 제1핀(452a)을 감싸도록 위치되는 제2지지핀(452)들을 제2핀(452b)들로 정의한다. 하부 바디(420)가 열림 위치에 위치되면, 제2지지핀(452)들은 제1지지핀(446)들에 비해 낮게 위치된다. 하부 바디(420)가 닫힘 위치에 위치되면, 제2지지핀(452)들은 제1지지핀(446)들에 지지된 기판(W)의 중앙 영역을 지지한다. 일 예에 의하면, 닫힘 위치에서 제1지지핀(446)의 상단과 제2지지핀(452)의 상단은 동일한 높이를 가질 수 있다. The second support member 450 includes a plurality of second support pins 452. A plurality of second support pins 452 are provided. The second support pins 452 are provided so as to protrude upward from the upper surface of the blocking plate 456. The second support pins 452 are positioned inside the first support pins 446 when viewed from above. The second support pins 452 are positioned so as to overlap with a second region that is a central region of the substrate W supported by the first support member 440. [ The second support pins 452 may be positioned superposed on each of the regions between the center of the substrate W supported by the first support member 440 and the first support pins 446. [ A second support pin 452 positioned to face the center of the substrate W is defined as a first pin 452a and a second support pin 452a positioned to surround the first pin 452a, 452 are defined as second pins 452b. When the lower body 420 is in the open position, the second support pins 452 are positioned lower than the first support pins 446. The second support pins 452 support the central region of the substrate W supported by the first support pins 446. The second support pins 452 support the central region of the substrate W supported by the first support pins 446. [ According to one example, in the closed position, the upper end of the first support pin 446 and the upper end of the second support pin 452 may have the same height.

다시 도 5를 참조하면, 가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터(460)로 제공될 수 있다. Referring again to FIG. 5, the heating member 460 heats the process space 412. The heating member 460 heats the supercritical fluid supplied to the processing space 412 above the critical temperature to maintain it in the supercritical fluid phase. The heating member 460 may be embedded in the wall of at least one of the upper body 430 and the lower body 420. For example, the heating member 460 may be provided with a heater 460 that receives power from the outside and generates heat.

유체 공급 유닛(490)은 처리 공간(412)에 처리 유체를 공급한다. 처리 유체는 임계 온도 및 임계 압력에 의해 초임계 상태로 공급된다. 유체 공급 유닛(490)은 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494)을 포함한다. 상부 공급 라인(492)은 상부 공급 포트(432)에 연결된다. 처리 유체는 상부 공급 라인(492) 및 상부 공급 포트(432)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 상부 공급 라인(492)에는 상부 밸브(493)가 설치된다. 상부 밸브(493)는 상부 공급 라인(492)을 개폐한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)과 하부 공급 포트(422)를 서로 연결한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)으로부터 분기되어 하부 공급 포트(422)에 연결된다. 즉, 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494) 각각으로부터 공급되는 처리 유체는 동일한 종류의 유체일 수 있다. 처리 유체는 하부 공급 라인(494) 및 하부 공급 포트(422)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 하부 공급 라인(494)에는 하부 밸브(495)가 설치된다. 하부 밸브(495)는 하부 공급 라인(494)을 개폐한다.The fluid supply unit 490 supplies the processing fluid to the processing space 412. The treatment fluid is supplied in a supercritical state by the critical temperature and the critical pressure. The fluid supply unit 490 includes an upper supply line 492 and a lower supply line 494. The upper supply line 492 is connected to the upper supply port 432. The processing fluid is supplied to the processing space 412 through the upper supply line 492 and the upper supply port 432 in sequence. The upper supply line 492 is provided with an upper valve 493. The upper valve 493 opens and closes the upper supply line 492. The lower supply line 494 connects the upper supply line 492 and the lower supply port 422 to each other. The lower supply line 494 branches from the upper supply line 492 and is connected to the lower supply port 422. That is, the processing fluid supplied from each of the upper supply line 492 and the lower supply line 494 may be the same kind of fluid. The processing fluid is supplied to the processing space 412 through the lower supply line 494 and the lower supply port 422 in sequence. The lower supply line 494 is provided with a lower valve 495. The lower valve 495 opens and closes the lower supply line 494.

일 예에 의하면, 기판(W)의 비 처리면과 대향되는 하부 공급 포트(422)로부터 처리 유체가 공급되고, 이후에 기판(W)의 처리면과 대향되는 상부 공급 포트(432)로부터 처리 유체가 공급될 수 있다. 따라서 처리 유체는 하부 공급 라인(494)을 통해 처리 공간(412)으로 공급되고, 이후에 상부 공급 라인(492)을 통해 처리 공간(412)으로 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 처리 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(W)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다. The processing fluid is supplied from the lower supply port 422 opposed to the non-processing surface of the substrate W and is then supplied from the upper supply port 432 opposed to the processing surface of the substrate W, Can be supplied. Thus, the process fluid may be supplied to the process space 412 via the bottom feed line 494 and then to the process space 412 via the top feed line 492. [ This is to prevent the initially supplied processing fluid from being supplied to the substrate W with the critical pressure or the critical temperature not yet reached.

다음은 상술한 기판 처리 장치(400)를 이용하여 기판(W)을 건조 처리하는 과정을 설명한다. 도 8 내지 도 12는 도 5의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다. 도 8 내지 도 12를 참조하면, 기판(W)을 건조 처리하는 방법은 기판 반입 단계, 분위기 밀폐 단계, 1차 유체 공급 단계, 2차 유체 공급 단계, 그리고 분위기 개방 단계를 포함한다. 기판 반입 단계, 분위기 밀폐 단계, 1차 유체 공급 단계, 2차 유체 공급 단계, 그리고 분위기 개방 단계는 순차적으로 진행된다. Next, a process of drying the substrate W using the above-described substrate processing apparatus 400 will be described. FIGS. 8 to 12 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 8 to 12, a method of drying the substrate W includes a substrate carrying-in step, an atmosphere sealing step, a primary fluid supplying step, a secondary fluid supplying step, and an atmosphere opening step. The substrate carrying-in step, the atmosphere sealing step, the first fluid supplying step, the second fluid supplying step, and the atmosphere opening step are sequentially performed.

기판 반입 단계가 진행되면, 하부 바디(420)는 열림 위치로 이동되어 처리 공간(412)을 개방한다. 메인 로봇(244)은 제1지지 부재(440)에 액막이 형성된 기판(W)을 로딩한다. 제1지지핀(446)에는 기판(W)의 저면 가장자리 영역이 접촉되게 놓여진다. 예컨대, 액막은 유기 용제에 의해 형성된 막일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 액일 수 있다.When the substrate carrying-in step is performed, the lower body 420 is moved to the open position to open the processing space 412. The main robot 244 loads the substrate W formed with the liquid film on the first supporting member 440. The bottom edge region of the substrate W is placed in contact with the first support pin 446. For example, the liquid film may be a film formed by an organic solvent. The organic solvent may be an isopropyl alcohol solution.

분위기 밀폐 단계에는 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 하부 바디(420)는 열림 위치에서 닫힘 위치로 승강 이동되어 처리 공간(412)을 밀폐한다. 제2지지핀(452)은 하부 바디(420)와 함께 승강 이동된다. 하부 바디(420)가 닫힘 위치에 위치되면, 제2지지핀(452)의 상단은 제1지지핀(446)의 상단과 동일한 높이를 가지도록 위치된다. 이로 인해 제2지지핀(452)에는 기판(W)의 저면 중앙 영역이 접촉되게 놓여진다.In the atmosphere sealing step, the processing space 412 is sealed from the outside. The lower body 420 is moved up and down from the open position to the closed position to seal the processing space 412. The second support pin 452 is moved up and down together with the lower body 420. When the lower body 420 is in the closed position, the upper end of the second support pin 452 is positioned to have the same height as the upper end of the first support pin 446. As a result, the central region of the bottom surface of the substrate W is placed in contact with the second support pin 452.

1차 유체 공급 단계에는 상부 공급 포트(432)의 처리 유체 공급이 중지되고, 하부 공급 포트(422)를 통해 처리 공간(412)으로 처리 유체를 공급한다. 처리 유체는 차단 플레이트(456)에 의해 흐름 경로가 방사형으로 제공된다. 처리 공간(412)의 분위기가 임계 온도 및 임계 압력에 도달되거나, 그 이상으로 제공되면, 2차 유체 공급 단계를 수행한다.The supply of the processing fluid to the upper supply port 432 is stopped and the processing fluid is supplied to the processing space 412 through the lower supply port 422 in the primary fluid supply step. The treatment fluid is provided radially with a flow path by a blocking plate 456. When the atmosphere of the processing space 412 reaches or exceeds the critical temperature and the critical pressure, the secondary fluid supply step is performed.

2차 유체 공급 단계에는 하부 공급 포트(422)의 처리 유체 공급이 중지되고, 상부 공급 포트(432)를 통해 처리 공간(412)으로 처리 유체를 공급한다. 상부 공급 포트(432)를 통해 공급되는 처리 유체는 기판(W)의 처리면으로 직접 공급된다. 처리 유체는 기판(W) 상에 잔류된 유기 용제를 제거한다. 2차 유체 공급 단계가 완료되면, 처리 유체의 공급을 중지하고, 배기 포트(426)를 통해 처리 공간(412)을 배기한다.The supply of the processing fluid to the lower supply port 422 is stopped and the processing fluid is supplied to the processing space 412 through the upper supply port 432. [ The processing fluid supplied through the upper supply port 432 is directly supplied to the processing surface of the substrate W. [ The processing fluid removes the residual organic solvent on the substrate (W). When the secondary fluid supply step is completed, the supply of the processing fluid is stopped, and the processing space 412 is evacuated through the exhaust port 426.

분위기 개방 단계에는 하부 바디(420)가 닫힘 위치에서 개방 위치로 하강 이동된다. 제2지지핀(452)은 하부 바디(420)와 함께 하강 이동되며 기판(W)으로부터 이격된다. In the atmosphere releasing step, the lower body 420 is moved down from the closed position to the open position. The second support pin 452 is moved downward together with the lower body 420 and is separated from the substrate W. [

상술한 실시예에는 기판(W)의 제1영역이 제1지지 부재(440)에 의해 지지되고, 제2영역이 제2지지 부재(450)에 의해 지지된다. 이로 인해 기판(W)의 제1영역 및 제2영역은 처짐 현상이 발생되지 않으며, 전체 영역이 수평 상태를 유지할 수 있다.The first region of the substrate W is supported by the first support member 440 and the second region is supported by the second support member 450 in the above embodiment. As a result, the first region and the second region of the substrate W are free from sagging, and the entire region can be maintained in a horizontal state.

또한 고압 분위기를 가지는 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지하는 제2지지핀(452)이 별도의 구동 부재없이 이동 가능하다. In addition, the second support pin 452 supporting the substrate W in the processing space 412 having a high-pressure atmosphere is movable without a separate driving member.

또한 제2지지핀(452)은 하부 바디(420)와 함께 이동되며, 하부 바디(420)가 하강 이동 시 기판(W)으로부터 이격된다. 이로 인해 메인 로봇(244)이 제1지지핀(446)에 기판(W)을 반송할 수 있는 공간을 확보할 수 있다.The second support pin 452 is moved together with the lower body 420 and the lower body 420 is separated from the substrate W during the downward movement. This makes it possible to secure a space for the main robot 244 to transport the substrate W to the first support pins 446.

420: 하부 바디 430: 상부 바디
440: 제1지지 부재 446: 제1지지핀
450: 제2지지 부재 452: 제2지지핀
452a: 제1핀 452b: 제2핀
470: 바디 승강 부재420: lower body 430: upper body
440: first support member 446: first support pin
450: second support member 452: second support pin
452a: first pin 452b: second pin
470: Body lift member

Claims (20)

하부 바디 및 상기 하부 바디와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 챔버와;
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 간에 상대 높이를 조절하도록 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나를 승하강시키는 바디 승강 부재와;
상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 처리 공간에서 기판의 제1영역을 지지하는 제1지지 부재와;
상기 제1지지 부재에 지지된 기판의 상기 제1영역과 상이한 제2영역을 지지하는 제2지지 부재를 포함하되,
상기 제1지지 부재는 상기 상부 바디에 설치되고,
상기 제2지지 부재는 상기 하부 바디에 설치되며,
상기 제1지지 부재와 상기 제2지지 부재는 상기 어느 하나의 승하강에 의해 서로 간에 상대 높이가 조절되되,
상기 바디 승강 부재는 상기 어느 하나를 열림 위치 또는 닫힘 위치로 이동시키되,
상기 열림 위치는 상기 처리 공간이 개방되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 이격되는 위치이고,
상기 닫힘 위치는 상기 처리 공간이 밀폐되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 서로 밀착하는 위치이며,
상기 열림 위치에는 상기 제2지지 부재의 상단이 상기 제1지지 부재의 상단보다 낮은 높이에 위치되고,
상기 닫힘 위치에는 상기 제2지지 부재의 상단이 상기 제1지지 부재의 상단과 동일한 높이를 가지는 기판 처리 장치.A chamber having a lower body and an upper body combined with the lower body to form a processing space therein;
A body lifting member for lifting one of the upper body and the lower body to adjust a relative height between the upper body and the lower body;
A fluid supply unit for supplying a processing fluid to the processing space;
A first support member for supporting a first region of the substrate in the processing space;
And a second support member for supporting a second region different from the first region of the substrate supported by the first support member,
Wherein the first support member is installed in the upper body,
The second support member is installed on the lower body,
Wherein a relative height between the first support member and the second support member is adjusted by one of the upward and downward movements,
Wherein the body lift member moves any one of the body lift members to an open position or a closed position,
Wherein the open position is a position where the upper body and the lower body are spaced apart from each other such that the processing space is opened,
Wherein the closed position is a position for bringing the upper body and the lower body into close contact with each other so that the processing space is sealed,
The upper end of the second support member is located at a lower level than the upper end of the first support member in the open position,
And the upper end of the second support member has the same height as the upper end of the first support member in the closed position. 제1항에 있어서,
상기 제1영역은 기판의 가장자리 영역을 포함하고,
상기 제2영역은 기판의 중앙 영역을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first region comprises an edge region of the substrate,
Wherein the second region comprises a central region of the substrate. 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1지지 부재는,
상단이 기판의 저면을 직접 지지하는 제1지지핀을 포함하고,
상기 제2지지 부재는,
상기 하부 바디와 함께 이동 가능한 제2지지핀을 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first support member comprises:
And a first support pin directly supporting the bottom surface of the substrate,
Wherein the second support member comprises:
And a second support pin movable with the lower body. 제4항에 있어서,
상기 하부 바디에는 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 하부 공급 포트가 형성되고,
상기 제2지지 부재는,
상기 하부 공급 포트와 마주하도록 위치되는 차단 플레이트와;
상기 하부 바디의 바닥면으로부터 위로 연장되며, 상기 차단 플레이트를 지지하는 하부 지지대를 포함하되,
상기 제2지지핀은 상기 차단 플레이트의 상면에 고정 설치되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the lower body is formed with a lower supply port for supplying a processing fluid to the processing space,
Wherein the second support member comprises:
A blocking plate positioned to face the lower supply port;
A lower support extending upward from a bottom surface of the lower body and supporting the shield plate,
And the second support pin is fixedly mounted on the upper surface of the blocking plate. 제5항에 있어서,
상기 제1지지 부재는,
상기 상부 바디의 천장면으로부터 아래로 연장되는 상부 지지대와;
상기 상부 지지대의 하단으로부터 수직하게 연장되며, 상면에 상기 제1지지핀이 설치되는 기판 유지대를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 제2지지핀의 외측에 위치되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the first support member comprises:
An upper support extending downward from the ceiling of the upper body;
And a substrate supporter extending vertically from a lower end of the upper supporter and having the first supporter pin mounted on an upper surface thereof,
Wherein the upper support is positioned outside the second support pin when viewed from the top. 제6항에 있어서,
상기 제2지지핀은,
상기 제1지지 부재에 지지된 기판의 중심과 마주하도록 위치되는 제1핀과;
상기 제2영역에 마주하는 위치에서 상기 제1핀을 감싸도록 위치되는 제2핀을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
The second support pin
A first fin positioned to face the center of the substrate supported by the first support member;
And a second fin positioned to surround the first fin at a position facing the second region. 제1항의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
개방된 상기 처리 공간에 상기 기판을 반입하는 기판 반입 단계와;
상기 처리 공간을 외부로부터 밀폐시키는 분위기 밀폐 단계와;
상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 공정 처리 단계를 포함하되,
상기 기판 반입 단계에는 상기 기판의 제1영역이 상기 제1지지 부재에 의해 지지되고,
상기 분위기 밀폐 단계 및 상기 공정 처리 단계에는 상기 제1영역이 상기 제1지지 부재에 지지, 그리고 상기 제1영역과 상이한 상기 기판의 제2영역이 상기 제2지지 부재에 의해 지지되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using the apparatus of claim 1,
A substrate carrying step of carrying the substrate into the open processing space;
An atmosphere sealing step of sealing the processing space from the outside;
And a processing step of supplying a processing fluid to the processing space,
The first region of the substrate is supported by the first support member,
Wherein the first region is supported by the first support member and the second region of the substrate different from the first region is supported by the second support member in the atmosphere sealing step and the processing step. 제8항에 있어서,
상기 분위기 밀폐 단계는,
개방된 상기 처리 공간이 밀폐되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 밀착되게 이동시키되,
상기 처리 공간이 밀폐되기 전에는 상기 제2지지 부재가 상기 기판으로부터 이격되게 위치되고,
상기 처리 공간이 밀폐되면, 상기 제2지지 부재가 상기 기판을 지지하는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the atmosphere sealing step comprises:
The upper body and the lower body are moved in close contact with each other to close the open processing space,
The second supporting member is positioned apart from the substrate before the processing space is sealed,
Wherein when the processing space is sealed, the second supporting member supports the substrate. 제9항에 있어서,
상기 처리 공간이 밀폐되기 전에는, 상기 제2지지부재의 제2지지핀이 상기 제1지지 부재의 제1지지핀보다 아래에 위치되고,
상기 처리 공간이 밀폐되면, 상기 제1지지 부재의 제1지지핀 상단과 상기 제2지지부재의 제2지지핀 상단은 동일한 높이를 가지는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
The second support pin of the second support member is positioned below the first support pin of the first support member before the processing space is sealed,
Wherein the upper end of the first support pin of the first support member and the upper end of the second support pin of the second support member have the same height when the processing space is sealed. 제10항에 있어서,
상기 처리 유체는 초임계 유체를 포함하는 기판 처리 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the processing fluid comprises a supercritical fluid. 제11항에 있어서,
기판 반입 단계에는 상기 기판 상에 액막이 형성된 상태로 상기 처리 공간에 반입되는 기판 처리 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the substrate is brought into the processing space in a state where a liquid film is formed on the substrate. 제12항에 있어서,
상기 액막은 유기 용제에 의해 형성되는 막인 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the liquid film is a film formed by an organic solvent. 제13항에 있어서,
상기 공정 처리 단계는 상기 액막을 제거하는 공정을 수행하는 기판 처리 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the processing step performs a step of removing the liquid film. 하부 바디 및 상기 하부 바디와 조합되어 내부에 처리 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 챔버와;
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 간에 상대 높이를 조절하도록 상기 하부 바디를 승하강시키는 바디 승강 부재와;
상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 상부 바디에 고정 설치되며, 외부의 반송 로봇으로부터 기판을 인수받는 제1지지 부재와;
상기 하부 바디에 설치되고, 상기 처리 공간에서 공정이 진행되는 중에 기판을 지지하는 제2지지 부재를 포함하되,
상기 제1지지 부재는 기판의 제1영역을 지지하고,
상기 제2지지 부재는 상기 제1영역과 상이한 기판의 제2영역을 지지하고, 상기 하부 바디의 승하강에 의해 상기 제1지지 부재의 상대 높이가 조절되며,
상기 바디 승강 부재는 상기 하부 바디를 열림 위치 또는 닫힘 위치로 이동시키되,
상기 열림 위치는 상기 처리 공간이 개방되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 이격되는 위치이고,
상기 닫힘 위치는 상기 처리 공간이 밀폐되도록 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 서로 밀착하는 위치이며,
상기 열림 위치에는 상기 제2지지 부재의 상단이 상기 제1지지 부재의 상단보다 낮은 높이에 위치되고,
상기 닫힘 위치에는 상기 제2지지 부재의 상단이 상기 제1지지 부재의 상단과 동일한 높이를 가지는 기판 처리 장치.A chamber having a lower body and an upper body combined with the lower body to form a processing space therein;
A body lifting member for lifting and lowering the lower body to adjust a relative height between the upper body and the lower body;
A fluid supply unit for supplying a processing fluid to the processing space;
A first support member fixed to the upper body and receiving a substrate from an external transport robot;
And a second supporting member installed on the lower body and supporting the substrate during the process in the processing space,
The first support member supports a first region of the substrate,
Wherein the second supporting member supports a second region of the substrate different from the first region and the relative height of the first supporting member is adjusted by raising and lowering the lower body,
Wherein the body elevating member moves the lower body to an open position or a closed position,
Wherein the open position is a position where the upper body and the lower body are separated from each other such that the processing space is opened,
Wherein the closed position is a position for bringing the upper body and the lower body into close contact with each other so that the processing space is sealed,
The upper end of the second support member is located at a lower level than the upper end of the first support member in the open position,
And the upper end of the second support member has the same height as the upper end of the first support member in the closed position. 제15항에 있어서,
상기 제1영역은 기판의 가장자리 영역을 포함하고,
상기 제2영역은 기판의 중앙 영역을 포함하는 기판 처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the first region comprises an edge region of the substrate,
Wherein the second region comprises a central region of the substrate. 삭제delete 제15항 또는 제16항에 있어서,
상기 제1지지 부재는,
상단이 기판의 저면을 직접 지지하는 제1지지핀을 포함하고,
상기 제2지지 부재는,
상기 하부 바디와 함께 이동 가능한 제2지지핀을 포함하는 기판 처리 장치.17. The method according to claim 15 or 16,
Wherein the first support member comprises:
And a first support pin directly supporting the bottom surface of the substrate,
Wherein the second support member comprises:
And a second support pin movable with the lower body. 제18항에 있어서,
상기 하부 바디에는 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 하부 공급 포트가 형성되고,
상기 제1지지 부재는,
상기 상부 바디의 천장면으로부터 아래로 연장되는 상부 지지대와;
상기 상부 지지대의 하단으로부터 수직하게 연장되며, 상면에 상기 제1지지핀이 설치되는 기판 유지대를 포함하고,
상기 제2지지 부재는,
상기 하부 공급 포트와 마주하도록 위치되며, 상면에 상기 제2지지핀이 설치되는 차단 플레이트와;
상기 하부 바디의 바닥면으로부터 위로 연장되며, 상기 차단 플레이트를 지지하는 하부 지지대를 포함하되,
상부에서 바라볼 때 상기 상부 지지대는 상기 제2지지핀의 외측에 위치되는 기판 처리 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the lower body is formed with a lower supply port for supplying a processing fluid to the processing space,
Wherein the first support member comprises:
An upper support extending downward from the ceiling of the upper body;
And a substrate supporter extending vertically from a lower end of the upper supporter and having the first supporter pin mounted on an upper surface thereof,
Wherein the second support member comprises:
A blocking plate positioned to face the lower supply port and having the second support pin installed on an upper surface thereof;
A lower support extending upward from a bottom surface of the lower body and supporting the shield plate,
Wherein the upper support is positioned outside the second support pin when viewed from the top. 제19항에 있어서,
상기 공정이 진행되는 중에는 상기 제1지지핀 및 상기 제2지지핀에 의해 상기 제1영역 및 상기 제2영역이 동시에 지지되는 기판 처리 장치.



20. The method of claim 19,
Wherein the first region and the second region are simultaneously supported by the first support pin and the second support pin during the process.



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