KR101856606B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 초임계 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리 장치는 내부에 초임계 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 형성되는 고압 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 고압 챔버에 연결되는 1차 배기 라인 및 상기 1차 배기 라인으로부터 분기되는 2차 배기 라인을 포함한다. 처리 공간을 배기하는 과정에서, 처리 공간의 압력이 상압에 가까울수록 감압되는 속도가 낮아지는 것을 최소화하며, 초임계 처리 공정의 쓰루풋을 향상시킬 수 있다.The present invention provides an apparatus and method for supercritical processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a high-pressure chamber in which a processing space in which a supercritical processing process is performed is formed, a substrate support unit that supports the substrate in the processing space, a fluid supply unit that supplies the processing fluid to the processing space, The exhaust unit includes a primary exhaust line connected to the high-pressure chamber and a secondary exhaust line branched from the primary exhaust line. In the course of evacuating the processing space, it is possible to minimize the lowering of the depressurization rate as the pressure of the processing space becomes closer to the normal pressure, and the throughput of the supercritical processing can be improved.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 초임계 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for supercritical processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various processes are used for each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.

일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류된다. Generally, in the cleaning step, the substrate is treated with a chemical and a rinsing liquid and then dried. In the drying treatment step, the substrate is dried with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) as a step for drying the rinsing liquid remaining on the substrate. However, as the distance (CD: critical dimension) between the pattern formed on the substrate and the pattern becomes finer, the organic solvent remains in the spaces between the patterns.

최근에는 기판 상에 잔류된 유기 용제를 제거하기 위해, 초임계 처리 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 특정 조건을 만족하기 위해 외부로부터 밀폐된 공간에서 진행된다. 이러한 특정 조건은 상압 및 상온에 비해 높은 고온 고압의 조건을 가진다. In recent years, a supercritical processing process is performed to remove the organic solvent remaining on the substrate. The supercritical process proceeds in an enclosed space from the outside to meet the specific conditions of the supercritical fluid. These specific conditions have high temperature and high pressure conditions higher than normal pressure and normal temperature.

도 1은 일반적인 초임계 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 초임계 처리 장치는 공정 챔버(2) 및 배기 라인(6)을 포함한다. 공정 챔버(2) 내에는 초임계 공정이 수행되는 처리 공간(4)이 제공되며, 배기 라인(6)은 처리 공간(4)을 배기한다. 일반적인 임계 압력은 150 Bar 이상으로 제공되며, 초임계 공정이 완료되면, 처리 공간(4)을 상압으로 낮춘다. 1 is a cross-sectional view showing a general supercritical processing apparatus. Referring to FIG. 1, the supercritical processing apparatus includes a process chamber 2 and an exhaust line 6. In the process chamber 2, a processing space 4 in which a supercritical process is performed is provided, and the exhaust line 6 exhausts the processing space 4. [ Typical critical pressure is provided above 150 Bar, and when the supercritical process is complete, the process space 4 is lowered to atmospheric pressure.

그러나 처리 공간의 압력은 도 2와 같이, 상압에 가까워질수록 감압되는 속도가 느려진다. 이로 인해 처리 공간(4)을 배기하기 위한 많은 시간이 소요된다.However, as shown in FIG. 2, the pressure in the processing space becomes slower as the pressure becomes closer to the normal pressure. This takes a lot of time to exhaust the processing space 4.

또한 배기 라인(6)에 설치된 압력 센서를 통해 처리 공간이 상압에 도달되었다고 판단되면, 도달 시점으로부터 5초 내지 10초를 더 대기한 후에 공정 챔버(2)를 개방한다. When it is determined that the processing space has reached the normal pressure through the pressure sensor provided in the exhaust line 6, the processing chamber 2 is opened after waiting for 5 to 10 seconds from the arrival time.

이는 공정 챔버(2)를 개방하는 과정에서, 배기 라인(6) 내에 잔류된 고압이 역류하여 기판(W)을 오염시킬 수 있다. 뿐만 아니라 배기 라인(6)에 설치된 압력 센서는 임계 압력에 해당되는 고압을 측정하는 센서로서, 상압에 가까운 압력 측정이 부정확하다.This may cause the high pressure remaining in the exhaust line 6 to reverse flow and contaminate the substrate W in the process of opening the process chamber 2. [ In addition, the pressure sensor provided in the exhaust line 6 is a sensor for measuring the high pressure corresponding to the critical pressure, and the pressure measurement near the normal pressure is inaccurate.

한국 공개 특허 번호 2011-0101045Korean Patent No. 2011-0101045

본 발명은 초임계 처리 공정의 쓰루풋(Throughput)을 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide an apparatus and a method that can improve the throughput of a supercritical processing process.

또한 본 발명은 공정 챔버를 개방하는 과정에서 배기 라인에 잔류되는 압력이 역류하여 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and method for preventing a substrate from being contaminated by a backflow of pressure remaining in an exhaust line during a process chamber opening.

또한 본 발명은 초임계 처리 공정 및 그 이후의 압력을 보다 정확하게 측정할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.The present invention also provides an apparatus and method for more precisely measuring the supercritical treatment process and subsequent pressures.

본 발명의 실시예는 기판을 초임계 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 초임계 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 형성되는 고압 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 처리 공간에 연결되는 진공 라인 및 상기 진공 라인을 감압하는 감압 부재를 포함한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for supercritical processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a high-pressure chamber in which a processing space in which a supercritical processing process is performed is formed, a substrate support unit that supports the substrate in the processing space, a fluid supply unit that supplies the processing fluid to the processing space, The exhaust unit includes a vacuum line connected to the processing space and a pressure-reducing member for decompressing the vacuum line.

상기 기판 처리 장치는 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 배기 유닛은 상기 고압 챔버에 직접 연결되는 벤트 라인을 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 초임계 처리 공정 중에 상기 벤트 라인을 통해 상기 처리 공간을 배기하고, 상기 초임계 처리 공정이 완료되면 상기 진공 라인을 통해 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어할 수 있다. 상기 제어기는 상기 초임계 공정이 완료되면 상기 벤트 라인을 통해 상기 처리 공간을 배기하고, 상기 처리 공간이 상기 기설정 압력으로 낮아지면 상기 진공 라인을 통해 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어할 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a controller for controlling the exhaust unit, wherein the exhaust unit further includes a vent line directly connected to the high-pressure chamber, Exhausting the processing space, and controlling the exhausting unit to exhaust the processing space through the vacuum line when the supercritical processing is completed. The controller exhausts the processing space through the vent line when the supercritical process is completed and controls the exhaust unit to exhaust the processing space through the vacuum line when the processing space is lowered to the preset pressure .

또한 기판처리 장치는 내부에 초임계 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 형성되는 고압 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 고압 챔버에 연결되는 1차 배기 라인 및 상기 1차 배기 라인으로부터 분기되는 2차 배기 라인을 포함한다. The substrate processing apparatus further includes a high-pressure chamber in which a processing space in which a supercritical processing process is performed is formed, a substrate support unit that supports the substrate in the processing space, a fluid supply unit that supplies the processing fluid to the processing space, The exhaust unit includes a primary exhaust line connected to the high-pressure chamber and a secondary exhaust line branched from the primary exhaust line.

상기 기판 처리 장치는 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 초임계 처리 공정이 완료되면 상기 2차 배기 라인을 차단 및 상기 1차 배기 라인을 개방하여 상기 처리 공간을 1차 배기하고, 상기 처리 공간이 기설정 압력으로 낮아지면 상기 1차 배기 라인을 차단 및 상기 2차 배기 라인을 개방하여 상기 처리 공간을 2차 배기할 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 2차 배기 라인을 감압하는 감압 부재를 더 포함하되, 상기 감압 부재는 상기 2차 배기 라인을 상기 고압 챔버의 외부 압력보다 낮은 압력으로 감압할 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 1차 배기 라인의 압력을 측정하는 제1측정 부재 및 상기 2차 배기 라인의 압력을 측정하는 제2측정 부재를 더 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간을 1차 배기하는 중에 상기 제1측정 부재로부터 1차 측정 정보를 전달받고, 상기 처리 공간을 2차 배기하는 중에 상기 제2측정 부재로부터 2차 측정 정보를 전달받을 수 있다. 상기 제어기는 상기 초임계 처리 공정이 진행되는 중에 상기 2차 배기 라인을 차단하고, 상기 1차 배기 라인을 개방하여 상기 처리 공간의 압력을 일정 범위로 유지할 수 있다. Wherein the substrate processing apparatus further includes a controller for controlling the exhaust unit, wherein when the supercritical processing process is completed, the controller disconnects the secondary exhaust line and opens the primary exhaust line, And when the processing space is lowered to a preset pressure, the primary exhaust line may be shut off and the secondary exhaust line may be opened to exhaust the processing space secondarily. The exhaust unit may further include a decompression member for decompressing the secondary exhaust line, wherein the decompression member can decompress the secondary exhaust line to a pressure lower than the external pressure of the high-pressure chamber. Wherein the exhaust unit further comprises a first measuring member for measuring a pressure of the primary exhaust line and a second measuring member for measuring a pressure of the secondary exhaust line, The first measurement information is received from the first measurement member and the second measurement information is received from the second measurement member during the second exhaustion of the processing space. The controller may block the secondary exhaust line while the supercritical processing is in progress and maintain the pressure of the processing space within a predetermined range by opening the primary exhaust line.

기판 처리 방법으로는 밀폐된 처리 공간에서 초임계 처리 공정이 수행되는 공정 처리 단계 및 상기 처리 공간을 배기하는 공간 배기 단계를 포함하되, 상기 공간 배기 단계는 상기 처리 공간과 연결되는 1차 배기 라인을 통해 상기 처리 공간을 배기하는 1차 배기 단계 및 상기 1차 배기 단계 이후에, 상기 1차 배기 라인으로부터 분기되는 2차 배기 라인을 통해 상기 처리 공간을 배기하는 2차 배기 단계를 포함한다. The substrate processing method includes a process step in which a supercritical processing process is performed in an enclosed process space and a space evacuation step in which the process space is evacuated, wherein the evacuation step includes a primary evacuation line connected to the processing space And a second evacuation step of evacuating the processing space through a secondary evacuation line branching from the primary evacuation line after the primary evacuation step.

상기 1차 배기 단계에서 상기 처리 공간의 압력이 기설정 압력에 도달하면,상기 2차 배기 단계를 진행할 수 있다. 상기 1차 배기 단계에는 상기 처리 공간을 자연 배기하고, 상기 2차 배기 단계에는 상기 처리 공간을 상기 2차 배기 라인에 연결된 감압 부재에 의해 강제 배기할 수 있다. 상기 기설정 압력은 1 내지 5 Bar을 포함할 수 있다. 상기 공정 처리 단계에는 상기 1차 배기 라인을 개방하고 상기 2차 배기 라인을 차단할 수 있다. When the pressure of the processing space reaches the preset pressure in the primary evacuation step, the secondary evacuation step can proceed. The processing space is naturally exhausted in the primary evacuation step and the processing space is forcedly evacuated by the decompression member connected to the secondary evacuation line in the secondary evacuation step. The preset pressure may comprise 1 to 5 bars. The processing step may open the primary exhaust line and block the secondary exhaust line.

본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간을 배기하는 과정에서, 처리 공간의 압력이 상압에 가까울수록 감압되는 속도가 낮아지는 것을 최소화하며, 초임계 처리 공정의 쓰루풋을 향상시킬 수 있다.According to the embodiment of the present invention, in the course of evacuating the processing space, the lowering of the depressurization rate is minimized as the pressure of the processing space is closer to the normal pressure, and the throughput of the supercritical processing can be improved.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간은 상압보다 낮은 압력 또는 고압 챔버의 외부보다 낮은 압력으로 감압된다. 이로 인해 고압 챔버가 개방되는 중에 배기 라인의 잔류 압력이 역류되는 것을 방지할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, the processing space is depressurized to a pressure lower than the atmospheric pressure or a pressure lower than the outside of the high-pressure chamber. This can prevent the residual pressure of the exhaust line from flowing back during the opening of the high-pressure chamber.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 처리 공간은 압력에 따라 그 압력을 측정하는 센서가 상이하게 제공된다. 이로 인해 처리 공간의 압력을 보다 정확하게 측정 가능하다.Further, according to the embodiment of the present invention, the processing space is provided with a sensor for measuring the pressure thereof in accordance with the pressure. This makes it possible to more accurately measure the pressure of the processing space.

도 1은 일반적인 초임계 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 장치에서 기판을 처리하는 과정 중에 처리 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 5의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7 내지 도 10은 도 5의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 11은 도 7 내지 도 10의 과정에서 처리 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이다.
도 12 및 도 13은 도 7 내지 도 10의 과정의 다른 실시예를 보여주는 도면들이다.1 is a cross-sectional view showing a general supercritical processing apparatus.
FIG. 2 is a graph showing the pressure change of the processing space during processing of a substrate in the apparatus of FIG. 1; FIG.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 3;
FIG. 5 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 3;
Fig. 6 is a perspective view showing the substrate supporting unit of Fig. 5;
7 to 10 are views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.
11 is a graph showing the pressure change of the processing space in the process of FIGS. 7 to 10. FIG.
FIGS. 12 and 13 are views showing another embodiment of the process of FIGS. 7 to 10. FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 3 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 13 by way of example.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 3, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 배치되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2공정 챔버들(280)이 배치된다. 제1공정 챔버들(260)과 제2공정 챔버들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정 챔버들(280)도 제1공정 챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 모두 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 각각 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, a first process chamber 260, and a second process chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The first process chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 along the second direction 14 and the second process chambers 280 are disposed on the other side of the transfer chamber 240. The first process chambers 260 and the second process chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the first process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the first process chambers 260 are arranged stacked on each other. That is, the first process chambers 260 may be arranged on one side of the transfer chamber 240 in the arrangement of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Where A is the number of the first process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of the second process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six first process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the first process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of first process chambers 260 may increase or decrease. The second process chambers 280 may also be arranged in an array of M X N (where M and N are each a natural number greater than or equal to one), similar to the first process chambers 260. Here, M and N may be the same numbers as A and B, respectively. The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may both be provided only on one side of the transfer chamber 240. [ In addition, unlike the above, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, respectively. In addition, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided in various arrangements different from those described above.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220, the first process chamber 260, and the second process chamber 280. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242.

제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정 챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정 챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기 용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정 챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided to perform a process on one substrate W sequentially. For example, the substrate W may be subjected to a chemical process, a rinsing process, and a primary drying process in the first process chamber 260, and a secondary drying process may be performed in the second process chamber 260. In this case, the primary drying step may be performed by an organic solvent, and the secondary drying step may be performed by a supercritical fluid. As the organic solvent, isopropyl alcohol (IPA) liquid may be used, and supercritical fluid may be carbon dioxide (CO 2 ). Alternatively, the primary drying process in the first process chamber 260 may be omitted.

아래에서는 제1공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 4는 도 3의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the first process chamber 260 will be described. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 3; 4, the substrate processing apparatus 300 has a processing vessel 320, a spin head 340, an elevation unit 360, and an injection member 380. [ The processing vessel 320 provides a space where the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 322. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 326a between the outer recovery cylinder 326 and the inner recovery cylinder 322 are connected to each other by the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326, And serves as an inflow port. Recovery passages 322b and 326b extending perpendicularly to the bottom of the recovery passages 322 and 326 are connected to the recovery passages 322 and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b and 326b discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀 헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed in the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a certain distance. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position and the chuck pin 346 is positioned at the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing vessel 320. [

분사 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사 부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사 부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 각각은 서로 상이한 분사 부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The jetting member 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. [ The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is a position in which the nozzle 384 is disposed in the vertical upper portion of the processing container 320 and the standby position is defined as a position in which the nozzle 384 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. One or a plurality of the ejection members 380 may be provided. When a plurality of jetting members 380 are provided, each of the chemical, rinsing liquid, and organic solvent may be provided through jetting members 380 that are different from each other. The chemical may be a liquid with strong acid or strong base properties. The rinse liquid may be pure. The organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or may be an isopropyl alcohol solution.

제2공정 챔버에는 기판의 2차 건조 공정이 수행하는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 유기 용제가 잔류된 기판(W)을 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 5는 도 2의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 고압 챔버(410), 기판 지지 유닛(440), 바디 승강 부재(450), 가열 부재(460), 차단 부재(480), 유체 공급 유닛(490), 배기 유닛(470,500), 그리고 제어기(550)를 포함한다.The second process chamber is provided with a substrate processing apparatus 400 in which the secondary drying process of the substrate is performed. The substrate processing apparatus 400 secondary-processes the substrate W subjected to the primary drying process in the first process chamber. The substrate processing apparatus 400 drys the substrate W on which the organic solvent remains. The substrate processing apparatus 400 can dry-process the substrate W using a supercritical fluid. 5 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 2; 5, the substrate processing apparatus 400 includes a high pressure chamber 410, a substrate support unit 440, a body lift member 450, a heating member 460, a shutoff member 480, a fluid supply unit 490 ), Exhaust units 470, 500, and a controller 550.

고압 챔버(410)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)을 형성한다. 고압 챔버(410)는 기판의 처리 공정이 진행되는 공정 챔버(410)로 제공된다. 고압 챔버(410)는 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 고압 챔버(410)는 하부 바디(420) 및 상부 바디(430)를 포함한다. 하부 바디(420)는 상부가 개방된 사각의 컵 형상을 가진다. 하부 바디(420)의 내측 저면에는 하부 공급 포트(422) 및 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 하부 공급 포트(422)는 하부 바디(420)의 중심축을 벗어나게 위치될 수 있다. 하부 공급 포트(422)는 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급하는 유로로 기능한다.The high-pressure chamber 410 forms a processing space 412 for processing the substrate W therein. The high-pressure chamber 410 is provided to the process chamber 410 where the process of processing the substrate proceeds. The high-pressure chamber 410 seals the processing space 412 from the outside while processing the substrate W. The high-pressure chamber 410 includes a lower body 420 and an upper body 430. The lower body 420 has a rectangular cup shape with an open top. A lower supply port 422 and an exhaust port 426 are formed on the inner bottom surface of the lower body 420. The lower supply port 422 may be positioned out of the central axis of the lower body 420 as viewed from above. The lower supply port 422 serves as a flow path for supplying a supercritical fluid to the processing space 412.

상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)의 위에 위치된다. 상부 바디(430)는 사각의 판 형상으로 제공된다. 상부 바디(430)에는 상부 공급 포트(432)가 형성된다. 상부 공급 포트(432)는 처리 공간(412)에 초임계 유체가 공급되는 유로로 기능한다. 상부 공급 포트(432)는 상부 바디(430)의 중심에 일치되게 위치될 수 있다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 하단이 하부 바디(420)의 상단과 마주보도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 각각은 금속 재질로 제공될 수 있다.The upper body 430 is combined with the lower body 420 to form a processing space 412 therein. The upper body 430 is positioned above the lower body 420. The upper body 430 is provided in a rectangular plate shape. An upper supply port 432 is formed in the upper body 430. The upper supply port 432 serves as a flow path for supplying supercritical fluid to the processing space 412. The upper supply port 432 may be positioned coincident with the center of the upper body 430. The upper body 430 may be provided such that the lower end thereof faces the upper end of the lower body 420 at a position where the lower body 420 and the central axis coincide with each other. According to an example, each of the upper body 430 and the lower body 420 may be made of a metal material.

기판 지지 유닛(440)은 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지한다. 도 6은 도 5의 기판 지지 유닛(440)을 보여주는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 기판 지지 유닛(440)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 지지대(442) 및 기판 유지대(444)를 포함한다. 지지대(442)는 상부 바디(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 기판 유지대(444)는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(W)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 라운드진 플레이트 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 지지대의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다.The substrate support unit 440 supports the substrate W in the processing space 412. 6 is a perspective view showing the substrate supporting unit 440 of FIG. Referring to FIG. 5, the substrate supporting unit 440 supports the substrate W such that the processing surface of the substrate W faces upward. The substrate support unit 440 includes a support table 442 and a substrate support table 444. The support base 442 is provided in a bar shape extending downward from the bottom surface of the upper body 430. A plurality of supports 442 are provided. For example, the support base 442 may be four. The substrate holder 444 supports the bottom edge region of the substrate W. [ A plurality of substrate holding tables 444 are provided, each supporting a different area of the substrate W. For example, the number of the substrate holding tables 444 may be two. The substrate holder 444 is provided in a rounded plate shape when viewed from above. The substrate holder 444 is positioned inside the support when viewed from above. Each substrate holder 444 is provided to have a ring shape in combination with each other. Each of the substrate holders 444 is positioned apart from each other.

다시 도 5를 참조하면, 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 하나를 상하 방향으로 이동시킨다. 본 실시예에는 상부 바디(430)의 위치가 고정되고, 하부 바디(420)을 이동시켜 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 고정된 하부 바디(420)에 기판 지지 유닛(440)이 설치되고, 상부 바디(430)가 이동될 수 있다. 바디 승강 부재(450)는 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치가 밀폐 위치 및 개방 위치를 가지도록 하부 바디(420)를 이동시킨다. 여기서 밀폐 위치는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 접촉되어 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐하는 위치이고, 개방 위치는 기판이 반출입 가능하도록 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 이격되는 위치로 정의한다. 바디 승강 부재(450)는 하부 바디(420)를 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 밀폐시킨다. 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)를 서로 연결하는 복수 개의 승강 축들(452)을 포함한다. 승강 축들(452)은 하부 바디(420)의 상단과 상부 바디(430) 사이에 위치된다. 승강 축들(452)은 하부 바디(420)의 상단의 가장 자리를 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강 축(452)은 상부 바디(430)를 관통하여 하부 바디(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강 축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 바디(420)의 높이가 변경되고, 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절할 수 있다.Referring again to FIG. 5, the body lifting member 450 adjusts the relative position between the upper body 430 and the lower body 420. The body elevating member 450 moves one of the upper body 430 and the lower body 420 in the vertical direction. The position of the upper body 430 is fixed and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 is adjusted by moving the lower body 420. In this embodiment, Alternatively, the substrate supporting unit 440 may be installed on the fixed lower body 420, and the upper body 430 may be moved. The body elevating member 450 moves the lower body 420 such that the relative position between the upper body 430 and the lower body 420 has a closed position and an open position. The closed position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 are in contact with each other to seal the processing space 412 from the outside and the open position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 ) Are spaced apart from each other. The body lifting member 450 moves up and down the lower body 420 to open or close the processing space 412. The body elevating member 450 includes a plurality of elevating shafts 452 connecting the upper body 430 and the lower body 420 to each other. The lifting axes 452 are located between the upper end of the lower body 420 and the upper body 430. The lifting axes 452 are arranged to be arranged along the edge of the upper end of the lower body 420. Each lifting shaft 452 can be fixedly coupled to the upper end of the lower body 420 through the upper body 430. The height of the lower body 420 can be changed and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 can be adjusted as the lifting and lowering shafts 452 move up and down.

가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터(460)로 제공될 수 있다. The heating member 460 heats the processing space 412. The heating member 460 heats the supercritical fluid supplied to the processing space 412 above the critical temperature to maintain it in the supercritical fluid phase. The heating member 460 may be embedded in the wall of at least one of the upper body 430 and the lower body 420. For example, the heating member 460 may be provided with a heater 460 that receives power from the outside and generates heat.

차단 부재(480)는 하부 공급 포트(474)로부터 공급되는 초임계 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 차단 부재(480)는 차단 플레이트(482) 및 지지대(484)를 포함한다. 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474)와 기판 지지 유닛(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(482)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(482)는 하부 바디(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트(482)는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대(484)는 차단 플레이트(482)를 지지한다. 지지대(484)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(482)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 지지대(484)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다. The blocking member 480 prevents the supercritical fluid supplied from the lower supply port 474 from being directly supplied to the non-processed surface of the substrate W. [ The blocking member 480 includes a blocking plate 482 and a support 484. The blocking plate 482 is positioned between the lower supply port 474 and the substrate support unit 440. The blocking plate 482 is provided to have a circular plate shape. The blocking plate 482 has a smaller diameter than the inner diameter of the lower body 420. The blocking plate 482 has a diameter that obscures both the lower supply port 474 and the exhaust port 426 when viewed from above. For example, the blocking plate 482 may be provided to have a diameter corresponding to, or larger than, the diameter of the substrate W. [ Support base 484 supports blocking plate 482. The supports 484 are provided in a plurality and are arranged along the circumferential direction of the shield plate 482. Each support base 484 is spaced apart from one another at regular intervals.

유체 공급 유닛(490)은 처리 공간(412)에 처리 유체를 공급한다. 처리 유체는 임계 온도 및 임계 압력에 의해 초임계 상태로 공급된다. 유체 공급 유닛(490)은 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494)을 포함한다. 상부 공급 라인(492)은 상부 공급 포트(432)에 연결된다. 처리 유체는 상부 공급 라인(492) 및 상부 공급 포트(432)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 상부 공급 라인(492)에는 상부 밸브(493)가 설치된다. 상부 밸브(493)는 상부 공급 라인(492)을 개폐한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)과 하부 공급 포트(422)를 서로 연결한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)으로부터 분기되어 하부 공급 포트(422)에 연결된다. 즉, 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494) 각각으로부터 공급되는 처리 유체는 동일한 종류의 유체일 수 있다. 처리 유체는 하부 공급 라인(494) 및 하부 공급 포트(422)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 하부 공급 라인(494)에는 하부 밸브(495)가 설치된다. 하부 밸브(495)는 하부 공급 라인(494)을 개폐한다.The fluid supply unit 490 supplies the processing fluid to the processing space 412. The treatment fluid is supplied in a supercritical state by the critical temperature and the critical pressure. The fluid supply unit 490 includes an upper supply line 492 and a lower supply line 494. The upper supply line 492 is connected to the upper supply port 432. The processing fluid is supplied to the processing space 412 through the upper supply line 492 and the upper supply port 432 in sequence. The upper supply line 492 is provided with an upper valve 493. The upper valve 493 opens and closes the upper supply line 492. The lower supply line 494 connects the upper supply line 492 and the lower supply port 422 to each other. The lower supply line 494 branches from the upper supply line 492 and is connected to the lower supply port 422. That is, the processing fluid supplied from each of the upper supply line 492 and the lower supply line 494 may be the same kind of fluid. The processing fluid is supplied to the processing space 412 through the lower supply line 494 and the lower supply port 422 in sequence. The lower supply line 494 is provided with a lower valve 495. The lower valve 495 opens and closes the lower supply line 494.

일 예에 의하면, 기판(W)의 비 처리면과 대향되는 하부 공급 포트(422)로부터 처리 유체가 공급되고, 이후에 기판(W)의 처리면과 대향되는 상부 공급 포트(432)로부터 처리 유체가 공급될 수 있다. 따라서 처리 유체는 하부 공급 라인(494)을 통해 처리 공간(412)으로 공급되고, 이후에 상부 공급 라인(492)을 통해 처리 공간(412)으로 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 처리 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(W)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다. The processing fluid is supplied from the lower supply port 422 opposed to the non-processing surface of the substrate W and is then supplied from the upper supply port 432 opposed to the processing surface of the substrate W, Can be supplied. Thus, the process fluid may be supplied to the process space 412 via the bottom feed line 494 and then to the process space 412 via the top feed line 492. [ This is to prevent the initially supplied processing fluid from being supplied to the substrate W with the critical pressure or the critical temperature not yet reached.

배기 유닛(470,500)은 처리 공간(412)의 분위기를 배기한다. 처리 공간(412)에 발생된 공정 부산물은 배기 유닛(470,500)을 통해 배기된다. 또한 배기 유닛(470,500)은 공정 부산물을 배기하는 동시에, 처리 공간(412)의 압력을 조절 가능하다. 배기 유닛(470,500)은 1차 배기 부재(470) 및 2차 배기 부재(500)를 포함한다. 처리 공간(412)은 1차 배기 부재(470)에 의해 1차 배기되고, 이후에 2차 배기 부재(500)에 의해 2차 배기된다. 즉, 1차 배기 부재(470)는 고압 상태의 처리 공간(412)을 배기하고, 2차 배기 부재(500)는 1차 배기 부재(470)에 비해 상대적으로 저압 상태의 처리 공간(412)을 배기한다. 일 예에 의하면, 1차 배기 부재(470)는 처리 공간(412)을 자연 배기하고, 2차 배기 부재(500)는 처리 공간(412)을 강제 배기할 수 있다. The exhaust units 470 and 500 exhaust the atmosphere of the processing space 412. The process by-products generated in the process space 412 are exhausted through the exhaust units 470 and 500. Also, the exhaust units 470, 500 can control the pressure of the processing space 412 while exhausting the process by-products. The exhaust units 470 and 500 include a primary exhaust member 470 and a secondary exhaust member 500. The processing space 412 is firstly exhausted by the primary exhaust member 470, and then is secondarily exhausted by the secondary exhaust member 500. That is, the primary exhaust member 470 exhausts the processing space 412 in the high pressure state, and the secondary exhaust member 500 exhausts the processing space 412 in a relatively low pressure state relative to the primary exhaust member 470 Exhaust. According to an example, the primary exhaust member 470 naturally exhausts the processing space 412, and the secondary exhaust member 500 can forcibly exhaust the processing space 412.

1차 배기 부재(470)는 1차 배기 라인(472) 및 제1측정 부재(474)를 포함한다. 1차 배기 라인(472)은 배기 포트(426)에 직접 연결된다. 처리 공간(412)은 1차 배기 라인(472)을 통해 자연 배기될 수 있다. 1차 배기 라인(472)에는 1차 밸브(476)가 설치된다. 1차 밸브(476)는 1차 배기 라인(472)을 개폐한다. 1차 배기 라인(472)을 통한 배기량은 1차 배기 라인(472)의 개방률에 따라 조절될 수 있다. 제1측정 부재(474)는 1차 배기 라인(472)의 압력을 측정한다. 제1측정 부재(474)는 고압 센서(474)를 포함한다. 고압 센서(474)는 압력 센서일 수 있다. 고압 센서(474)는 상압에 비해 이보다 높은 압력을 정확하게 측정 가능하다. 고압 센서(474)는 측정하고자 하는 압력이 상압에 가까워질수록 그 정확도가 떨어질 수 있다.The primary exhaust member 470 includes a primary exhaust line 472 and a first measuring member 474. The primary exhaust line 472 is connected directly to the exhaust port 426. The processing space 412 may be naturally exhausted through the primary exhaust line 472. A primary valve 476 is installed in the primary exhaust line 472. The primary valve 476 opens and closes the primary exhaust line 472. The amount of exhaust through the primary exhaust line 472 can be adjusted according to the opening rate of the primary exhaust line 472. [ The first measuring member 474 measures the pressure of the primary exhaust line 472. The first measuring member 474 includes a high pressure sensor 474. The high pressure sensor 474 may be a pressure sensor. The high pressure sensor 474 is capable of accurately measuring a pressure higher than the atmospheric pressure. The accuracy of the high pressure sensor 474 may decrease as the pressure to be measured approaches the normal pressure.

2차 배기 부재(500)는 2차 배기 라인(510), 감압 부재(520), 그리고 제2측정 부재(530)를 포함한다. 2차 배기 라인(510)은 1차 배기 라인(472)으로부터 분기되는 분기 라인으로 제공된다. 2차 배기 라인(510)의 분기점은 배기 방향에 대해 1차 밸브(476)보다 상류에 위치된다. 2차 배기 라인(510)에는 2차 밸브(512)가 설치된다. 2차 밸브(512)는 2차 배기 라인(510)을 개폐한다. 감압 부재(520)는 2차 배기 라인(510)에 설치된다. 감압 부재(520)는 2차 배기 라인(510)을 강제 배기한다. 감압 부재(520)는 배기 방향에 대해 2차 밸브(512)보다 하류에 위치된다. 감압 부재(520)는 2차 배기 라인(510)을 상압 또는 고압 챔버(410)의 외부보다 낮은 압력으로 감압할 수 있다.The secondary exhaust member 500 includes a secondary exhaust line 510, a pressure-reducing member 520, and a second measuring member 530. The secondary exhaust line 510 is provided as a branch line that branches from the primary exhaust line 472. The bifurcation point of the secondary exhaust line 510 is located upstream of the primary valve 476 with respect to the exhaust direction. A secondary valve 512 is installed in the secondary exhaust line 510. The secondary valve 512 opens and closes the secondary exhaust line 510. The pressure-reducing member 520 is installed in the secondary exhaust line 510. The pressure-reducing member 520 forcibly discharges the secondary exhaust line 510. The pressure-reducing member 520 is positioned downstream of the secondary valve 512 with respect to the exhaust direction. The pressure-reducing member 520 can reduce the pressure of the secondary exhaust line 510 to atmospheric pressure or to a pressure lower than the external pressure of the high-pressure chamber 410.

제2측정 부재(530)는 2차 배기 라인(510)의 압력을 측정한다. 제2측정 부재(530)는 측정 라인(532) 및 저압 센서(534)를 포함한다. 측정 라인(532)은 2차 배기 라인(510)으로부터 분기되는 분기 라인으로 제공된다. 측정 라인(532)의 분기점은 배기 방향에 대해 2차 밸브(512)보다 상류에 위치된다. 측정 라인(532)에는 측정 밸브(536)가 설치된다. 측정 밸브(536)는 측정 라인(532)을 개폐한다. 측정 밸브(536) 및 2차 밸브(512)는 동시에 개폐될 수 있다. 저압 센서(534)는 측정 라인(532)에 설치된다. 저압 센서(534)는 배기 방향에 대해 측정 밸브(536)보다 하류에 위치된다. 저압 센서(534)는 압력 센서일 수 있다. 저압 센서(534)는 측정하고자 하는 압력이 상압에 가까워질수록 압력의 측정 정확도가 높아질 수 있다. 저압 센서(534)는 측정하고자 하는 압력이 상압에 가까워질수록 고압 센서(474)에 비해 더 정확하게 측정할 수 있다. 예컨대, 저압 센서(534)는 0 내지 5 Bar의 압력을 고압 센서(474)에 비해 더 정확하게 측정할 수 있다. The second measuring member 530 measures the pressure of the secondary exhaust line 510. The second measuring member 530 includes a measuring line 532 and a low pressure sensor 534. The measurement line 532 is provided as a branch line that branches from the secondary exhaust line 510. The bifurcation point of the measurement line 532 is located upstream of the secondary valve 512 with respect to the exhaust direction. The measurement line 532 is provided with a measurement valve 536. The measurement valve 536 opens and closes the measurement line 532. The measurement valve 536 and the secondary valve 512 can be simultaneously opened and closed. A low pressure sensor 534 is installed in the measurement line 532. The low pressure sensor 534 is located downstream of the measurement valve 536 with respect to the exhaust direction. The low pressure sensor 534 may be a pressure sensor. As the pressure to be measured approaches the normal pressure, the low-pressure sensor 534 can increase the measurement accuracy of the pressure. As the pressure to be measured approaches the normal pressure, the low pressure sensor 534 can measure more accurately than the high pressure sensor 474. For example, the low pressure sensor 534 can measure the pressure of 0 to 5 Bar more accurately than the high pressure sensor 474.

제어기(550)는 고압 센서(474) 및 저압 센서(534)로부터 측정된 정보를 전달받아 1차 밸브(476), 2차 밸브(512), 그리고 측정 밸브(536)를 제어한다. 제어기(550)는 기판의 초임계 처리 공정이 완료되면, 처리 공간(412)을 1차 배기 라인(472)을 배기하도록 1차 밸브(476)를 제어한다. 제어기(550)는 고압 센서로부터 측정된 압력이 기설정 압력에 도달되면, 1차 밸브(476)를 차단하고, 2차 밸브(512) 및 측정 밸브(536)를 개방한다. 제어기(550)는 저압 센서(534)로부터 처리 공간(412)의 압력 정보를 전달받고, 처리 공간(412)의 압력이 상압 또는 고압 챔버(410)의 외부보다 낮은 압력에 도달되면, 2차 밸브(512) 및 측정 밸브(536)를 차단하여 배기 공정을 종료할 수 있다. 선택적으로 제어기(550)는 처리 공간(412)의 압력이 상압 또는 고압 챔버(410)의 외부와 동일한 압력에 도달되면, 2차 밸브(512) 및 측정 밸브(536)를 차단하여 배기 공정을 종료할 수 있다.The controller 550 receives the measured information from the high pressure sensor 474 and the low pressure sensor 534 and controls the primary valve 476, the secondary valve 512 and the measurement valve 536. The controller 550 controls the primary valve 476 to exhaust the processing space 412 to the primary exhaust line 472 when the supercritical processing process of the substrate is completed. The controller 550 interrupts the primary valve 476 and opens the secondary valve 512 and the measurement valve 536 when the measured pressure from the high pressure sensor reaches the preset pressure. The controller 550 receives the pressure information of the processing space 412 from the low pressure sensor 534 and when the pressure in the processing space 412 reaches a pressure lower than the outside pressure of the atmospheric pressure or high pressure chamber 410, The exhaust valve 512 and the measurement valve 536 are closed to terminate the exhaust process. The controller 550 may shut off the secondary valve 512 and the measuring valve 536 to terminate the evacuation process when the pressure in the process space 412 reaches the same pressure as the outside of the atmospheric or high pressure chamber 410 can do.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 도 7 내지 도 10은 도 5의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이고, 도 11은 도 7 내지 도 10의 과정에서 처리 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이다. 도 7 내지 도 11을 참조하면, 기판 처리 방법은 공정 처리 단계 및 공간 배기 단계를 포함한다. 공정 처리 단계 및 공간 배기 단계는 순차적으로 진행된다. 공정 처리 단계에는 하부 바디가 밀폐 위치로 이동된다. 처리 공간(412)은 외부로부터 밀폐되고, 처리 공간(412)에는 하부 공급 포트(422)를 통해 초임계 유체가 공급된다. 처리 공간(412)이 임계 온도 및 임계 압력에 도달되면, 하부 공급 포트(422)의 초임계 유체 공급을 중지하고 상부 공급 포트(432)를 통해 유체 공급이 시작된다. 기판의 초임계 처리 공정이 진행되는 중에 발생된 공정 부산물은 1차 배기 라인(472)을 통해 배기된다. 처리 공간(412)은 1차 배기 라인(472)을 통한 배기에 의해 일정 범위 내에 유지될 수 있다. 공정 처리 단계가 완료되면, 처리 유체의 공급을 중지하고 공간 배기 단계가 진행된다. Next, a method of processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus will be described. FIGS. 7 to 10 are views showing a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 5, and FIG. 11 is a graph showing a pressure change of a processing space in the process of FIGS. 7 to 10. Referring to Figs. 7 to 11, the substrate processing method includes a processing step and a space evacuation step. The process step and the space evacuation step proceed sequentially. In the processing step, the lower body is moved to the closed position. The processing space 412 is sealed from the outside and the processing space 412 is supplied with the supercritical fluid through the lower supply port 422. When the processing space 412 reaches the critical temperature and the critical pressure, the supercritical fluid supply of the lower supply port 422 is stopped and the fluid supply is started through the upper supply port 432. The process by-products generated during the course of the supercritical processing of the substrate are exhausted through the primary exhaust line 472. The processing space 412 may be maintained within a certain range by exhaust through the primary exhaust line 472. [ When the processing step is completed, the supply of the processing fluid is stopped and the space evacuation step proceeds.

공간 배기 단계는 1차 배기 단계 및 2차 배기 단계를 포함한다. 1차 배기 단계에는 1차 배기 라인(472)을 통해 처리 공간(412)을 자연 배기하고, 2차 배기 단계에는 2차 배기 라인(510)을 통해 처리 공간(412)을 강제 배기한다. 1차 배기 단계가 진행되면 1차 배기 라인(472)은 개방되고, 2차 배기 라인(510) 및 측정 라인(532)은 차단된 상태를 유지한다. 처리 공간(412)은 1차 배기되는 중에 그 압력이 계속적으로 낮아진다. 1차 배기 단계에는 고압 센서가 처리 공간(412)의 압력을 측정한다. 처리 공간(412)의 압력이 기설정 압력이 도달하면, 1차 배기 단계를 중지하고 2차 배기 단계를 진행한다. 일 예에 의하면, 기설정 압력은 1 내지 5 Bar 일 수 있다.The space evacuation step includes a primary evacuation step and a secondary evacuation step. The first evacuation stage naturally exhausts the processing space 412 through the primary evacuation line 472 and forcibly evacuates the processing space 412 through the secondary evacuation line 510 at the secondary evacuation stage. As the primary evacuation step proceeds, the primary evacuation line 472 is opened and the secondary evacuation line 510 and measurement line 532 remain blocked. The processing space 412 is continuously lowered in pressure during the primary evacuation. In the primary evacuation step, a high pressure sensor measures the pressure in the process space 412. When the pressure of the processing space 412 reaches the predetermined pressure, the first evacuation step is stopped and the second evacuation step is performed. According to one example, the preset pressure may be 1 to 5 Bar.

2차 배기 단계에는 2차 배기 라인(510)을 통해 처리 공간(412)을 배기한다. 2차 배기 단계가 진행되면 1차 배기 라인(472)을 차단하고, 2차 배기 라인(510) 및 측정 라인(532)을 개방한다. 처리 공간(412)은 2차 배기되는 중에 그 압력이 계속적으로 낮아진다. 2차 배기 단계에는 저압 센서(534)가 처리 공간(412)의 압력을 측정한다. 처리 공간(412)의 압력이 상압보다 낮은 압력 또는 고압 챔버(410)의 외부보다 낮은 압력에 도달되면, 2차 배기 라인(510) 및 측정 라인(532)을 차단한다. In the secondary evacuation step, the processing space 412 is evacuated through the secondary evacuation line 510. When the secondary evacuation step proceeds, the primary evacuation line 472 is shut off and the secondary evacuation line 510 and measurement line 532 are opened. The pressure in the processing space 412 is continuously lowered during the secondary evacuation. In the secondary evacuation step, a low pressure sensor 534 measures the pressure in the process space 412. When the pressure in the process space 412 reaches a pressure lower than the normal pressure or a pressure lower than the outside of the high-pressure chamber 410, the secondary exhaust line 510 and the measuring line 532 are blocked.

이후 하부 바디는 개방 위치로 이동되며, 기판을 언로딩한다.The lower body is then moved to the open position and unloads the substrate.

상술한 실시예에는 처리 공간(412)을 배기하는 과정에서, 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달되면 감압 부재(520)가 설치된 2차 배기 라인(510)을 통해 배기한다. 이로 인해 처리 공간(412)의 압력이 상압에 가까울수록 감압되는 속도가 낮아지는 것을 최소화할 수 있다. The exhaust gas is exhausted through the secondary exhaust line 510 provided with the pressure reducing member 520 when the process space 412 reaches the preset pressure in the process of evacuating the processing space 412. [ Accordingly, it is possible to minimize the decrease in the speed of decompression as the pressure in the processing space 412 approaches the normal pressure.

또한 처리 공간(412)의 1차 배기는 고압 센서에 의해 측정되며, 2차 배기는 저압 센서(534)에 의해 측정되므로, 처리 공간(412)의 압력을 보다 정확하게 측정 가능하다.Further, since the primary exhaust of the processing space 412 is measured by the high-pressure sensor, and the secondary exhaust is measured by the low-pressure sensor 534, the pressure of the processing space 412 can be more accurately measured.

또한 처리 공간(412)의 2차 배기는 처리 공간(412)을 상압보다 낮은 압력 또는 고압 챔버(410)의 외부보다 낮은 압력으로 감압한다. 이로 인해 배기 라인에 잔류된 압력이 고압 챔버(410)를 개방하는 중에 역류되는 것을 방지할 수 있다.Further, the secondary exhaust of the processing space 412 reduces the pressure of the processing space 412 to a pressure lower than the atmospheric pressure or a pressure lower than the outside of the high-pressure chamber 410. Accordingly, it is possible to prevent the pressure remaining in the exhaust line from flowing back while opening the high-pressure chamber 410.

상술한 실시예에는 초임계 처리 공정이 완료되고, 처리 공간(412)의 압력에 따라 서로 상이한 배기 라인(472,510)으로 배기하는 것을 설명하였다. 그러나 도 12 및 도 13과 같이, 1차 배기 라인(472)은 공정 처리 중에 처리 공간(412)을 배기시키는 벤트 라인으로 제공되고, 2차 배기 라인(510)은 공정 완료 후에 처리 공간(412)을 배기시키는 진공 라인으로 제공될 수 있다. 공정 처리 단계에는 1차 배기 라인(472)을 통해 처리 공간(412)을 배기하고, 공간 배기 단계에는 2차 배기 라인(510)을 통해 처리 공간(412)을 임계 압력에서 상압보다 낮은 압력 또는 고압 챔버(410)의 외부보다 낮은 압력으로 배기할 수 있다. In the embodiment described above, supercritical processing is completed and exhausted to the exhaust lines 472 and 510 which are different from each other according to the pressure in the processing space 412. 12 and 13, the primary exhaust line 472 is provided as a vent line for exhausting the processing space 412 during processing, and the secondary exhaust line 510 is connected to the processing space 412 after the process is completed. As shown in FIG. The processing space 412 is evacuated through the primary evacuation line 472 in the processing step and the processing space 412 is evacuated through the secondary evacuation line 510 in the space evacuation step at a pressure lower than normal pressure or a high pressure And can be discharged at a lower pressure than the outside of the chamber 410.

410: 고압 챔버 440: 기판 지지 유닛
470: 1차 배기 부재 490: 유체 공급 유닛
500: 2차 배기 부재 550: 제어기410: high pressure chamber 440: substrate support unit
470: Primary exhaust member 490: Fluid supply unit
500: Secondary exhaust member 550: Controller

Claims (13)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 초임계 처리 공정이 수행되는 처리 공간이 형성되는 고압 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛과;
상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 배기 유닛은,
상기 고압 챔버에 연결되는 벤트 라인과;
상기 벤트 라인으로부터 분기되는 진공 라인과;
상기 진공 라인을 감압하는 감압 부재와;
상기 벤트 라인의 압력을 측정하는 고압 센서와;
상기 진공 라인의 압력을 측정하는 저압 센서를 포함하되,
상기 제어기는 상기 처리 공간의 압력이 기설정 압력 이상이면 상기 벤트 라인을 개방 및 상기 진공 라인을 차단하고, 상기 처리 공간의 압력이 상기 기설정 압력에 도달하면 상기 벤트 라인을 차단 및 상기 진공 라인을 개방하며,
상기 고압 센서는 상기 기설정 압력 이상의 압력 측정 정확도가 상기 저압 센서보다 높고,
상기 저압 센서는 상기 기설정 압력의 측정 정확도가 상기 고압 센서보다 높으며,
상기 기설정 압력은 0 내지 5 Bar를 포함하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A high pressure chamber in which a processing space in which a supercritical processing process is performed is formed;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space;
A fluid supply unit for supplying a processing fluid to the processing space;
An exhaust unit for exhausting the atmosphere of the processing space;
And a controller for controlling the exhaust unit,
The exhaust unit includes:
A vent line connected to the high-pressure chamber;
A vacuum line branching from the vent line;
A decompression member for decompressing the vacuum line;
A high pressure sensor for measuring the pressure of the vent line;
And a low pressure sensor for measuring the pressure of the vacuum line,
Wherein the controller opens the vent line and cuts off the vacuum line when the pressure of the processing space is equal to or higher than a preset pressure and cuts off the vent line when the pressure of the processing space reaches the predetermined pressure, Open,
Wherein the high pressure sensor has a pressure measurement accuracy higher than the preset pressure higher than the low pressure sensor,
Wherein the low-pressure sensor has a higher measurement accuracy than the high-pressure sensor,
Wherein the preset pressure comprises 0 to 5 Bar. 제1항에 있어서,
상기 제어기는 상기 초임계 처리 공정이 완료되면 상기 진공 라인을 차단 및 상기 벤트 라인을 개방하여 상기 처리 공간을 1차 배기하고, 상기 처리 공간이 상기 기설정 압력에 도달하면 상기 벤트 라인을 차단 및 상기 진공 라인을 개방하여 상기 처리 공간을 2차 배기하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein when the supercritical processing is completed, the controller cuts off the vacuum line and opens the vent line to first exhaust the processing space, and when the processing space reaches the preset pressure, And the vacuum line is opened to secondarily exhaust the processing space. 제2항에 있어서,
상기 감압 부재는 상기 진공 라인을 상기 고압 챔버의 외부 압력보다 낮은 압력으로 감압하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the pressure reducing member reduces the pressure of the vacuum line to a pressure lower than an external pressure of the high-pressure chamber. 삭제delete 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제어기는 상기 초임계 처리 공정이 진행되는 중에 상기 진공 라인을 차단하고, 상기 벤트 라인을 개방하도록 상기 처리 공간의 압력을 상기 기설정 압력보다 높은 압력으로 유지하는 기판 처리 장치. The method according to claim 2 or 3,
Wherein the controller cuts off the vacuum line during the course of the supercritical processing and maintains the pressure of the processing space at a pressure higher than the predetermined pressure so as to open the vent line. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판을 처리하는 방법에 있어서,
밀폐된 처리 공간에서 초임계 처리 공정이 수행되는 공정 처리 단계와;
상기 처리 공간을 배기하는 공간 배기 단계를 포함하되,
상기 공간 배기 단계는,
상기 처리 공간과 연결되는 1차 배기 라인을 통해 상기 처리 공간을 자연 배기하는 1차 배기 단계와;
상기 1차 배기 단계 이후에, 상기 1차 배기 라인으로부터 분기되는 2차 배기 라인을 통해 상기 처리 공간을 강제 배기하는 2차 배기 단계를 포함하되,
상기 처리 공간의 압력이 기설정 압력 이상이면 상기 1차 배기 단계를 진행하고, 상기 처리 공간의 압력이 상기 기설정 압력에 도달되면 상기 2차 배기 단계를 진행하되,
상기 1차 배기 라인에는 고압 센서가 설치되고,
상기 2차 배기 라인에는 저압 센서가 설치되며,
상기 고압 센서는 상기 기설정 압력 이상의 압력 측정 정확도가 상기 저압 센서보다 높고,
상기 저압 센서는 상기 기설정 압력의 측정 정확도가 상기 고압 센서보다 높으며,
상기 기설정 압력은 0 내지 5 Bar를 포함하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate,
A processing step in which a supercritical processing process is performed in an enclosed processing space;
And a space exhausting step of exhausting the processing space,
Wherein the space evacuation step comprises:
A primary evacuation step of naturally venting the processing space through a primary evacuation line connected to the processing space;
And a secondary evacuation step for forcibly evacuating the processing space through a secondary evacuation line branching from the primary evacuation line after the primary evacuation step,
Wherein when the pressure of the processing space is equal to or higher than a preset pressure, the first evacuation step is performed, and when the pressure of the processing space reaches the predetermined pressure,
A high-pressure sensor is installed in the primary exhaust line,
The secondary exhaust line is provided with a low-pressure sensor,
Wherein the high pressure sensor has a pressure measurement accuracy higher than the preset pressure higher than the low pressure sensor,
Wherein the low-pressure sensor has a higher measurement accuracy than the high-pressure sensor,
Wherein the preset pressure comprises 0 to 5 Bar. 삭제delete 제9항에 있어서,
상기 2차 배기 단계에는 상기 처리 공간을 상기 2차 배기 라인에 연결된 감압 부재에 의해 강제 배기하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
And in the secondary evacuation step, the processing space is forcibly evacuated by a pressure-reducing member connected to the secondary evacuation line. 삭제delete 제9항 또는 제11항에 있어서,
상기 공정 처리 단계에는 상기 1차 배기 라인을 개방하고 상기 2차 배기 라인을 차단하는 기판 처리 방법.




The method according to claim 9 or 11,
Wherein the processing step includes opening the primary exhaust line and shutting off the secondary exhaust line.




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