KR100864643B1 - Method and apparatus for cleaning substrate - Google Patents

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KR100864643B1
KR100864643B1 KR1020070085503A KR20070085503A KR100864643B1 KR 100864643 B1 KR100864643 B1 KR 100864643B1 KR 1020070085503 A KR1020070085503 A KR 1020070085503A KR 20070085503 A KR20070085503 A KR 20070085503A KR 100864643 B1 KR100864643 B1 KR 100864643B1
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cleaning
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cleaning chamber
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성보람찬
최중봉
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세메스 주식회사
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Abstract

A substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus are provided to perform rapidly a pressure control process by using a natural exhaust process and a compulsive exhaust process. A substrate is guided into a cleaning chamber(S110). The substrate is cleaned under first pressure within a cleaning chamber by using a supercritical fluid(S120). The pressure of the cleaning chamber is adjusted by the second pressure lower than the first pressure(S130). The second pressure is changed to the third pressure lower than the second pressure by performing a compulsive exhaust process for the cleaning chamber(S140). The substrate is drawn from the cleaning chamber under the third pressure(S150). A vacuum state is formed in the cleaning chamber before the compulsive exhaust process for the cleaning chamber.

Description

기판 세정 방법 및 기판 세정 장치{Method and apparatus for cleaning substrate}Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus {Method and apparatus for cleaning substrate}

본 발명은 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초임계 유체를 이용한 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus, and more particularly, to a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus using a supercritical fluid.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼로 사용되는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로 패턴을 형성하는 공정을 통해 제조되는데, 상기 회로 패턴을 형성하기 위한 공정 중에는 건식 식각 공정을 포함한다.In general, a semiconductor device is manufactured through a process of forming an electric circuit pattern including electrical elements on a semiconductor substrate such as a silicon wafer used as a semiconductor wafer, and a process for forming the circuit pattern includes a dry etching process. do.

상기 건식 식각 공정은 특성상 식각 잔류물로 파티클과 같은 오염물이 웨이퍼(기판) 또는 회로 패턴 상에 남게 되는데, 이러한 오염물들은 반도체 장치의 수율 및 신뢰도를 저하시키는 요인이 되므로 제거가 필수적이다.In the dry etching process, contaminants, such as particles, remain as etching residues on a wafer (substrate) or a circuit pattern, and these contaminants are a factor that degrades the yield and reliability of the semiconductor device, and thus removal is essential.

상기 오염물을 제거하기 위한 세정 방법의 하나로 초임계 유체를 이용한 세정 방법이 있다. 초임계 유체는 임계 온도와 압력 이상의 유체로서 기체의 확산성과 액체의 용해성을 함께 지니며, 이러한 초임계 유체의 특성을 이용하여 기판의 세정을 수행한다. 예컨대, 상기 초임계 유체를 기판으로 공급하여 오염물을 초임계 유체에 용해시킴으로써 세정을 수행한다.One of the cleaning methods for removing the contaminants is a cleaning method using a supercritical fluid. Supercritical fluids are fluids above the critical temperature and pressure, with both the gas diffusion and the solubility of the liquid, and use the properties of these supercritical fluids to perform substrate cleaning. For example, cleaning is performed by supplying the supercritical fluid to the substrate to dissolve contaminants in the supercritical fluid.

초임계 유체를 이용한 세정 장치는 세정유체를 초임계 유체로 변화시키는 변환부와 세정공간을 제공하는 세정 챔버를 포함한다. 대기압 상태의 세정 챔버로 기판이 투입되고, 초임계 유체를 세정 챔버의 내부로 공급함으로써 기판에 대한 세정이 수행된다. 이 때, 세정 챔버의 내부는 초임계 유체의 의해 높은 압력으로 조성된다. 세정이 완료되면 대기압까지 세정 챔버를 배기하며, 통상 자연 배기로 수행된다.The cleaning apparatus using a supercritical fluid includes a converting unit for converting the cleaning fluid into a supercritical fluid and a cleaning chamber providing a cleaning space. The substrate is introduced into the cleaning chamber at atmospheric pressure, and cleaning of the substrate is performed by supplying a supercritical fluid into the cleaning chamber. At this time, the inside of the cleaning chamber is formed at a high pressure by the supercritical fluid. When the cleaning is completed, the cleaning chamber is exhausted to atmospheric pressure, which is usually performed by natural exhaust.

하지만, 대기압까지 세정 챔버를 자연 배기 하는 경우에 일정 압력 이하 구간에서는 배기 속도(예컨대 압력 저하 속도)가 급격하게 느려지는 단점이 있다. 이로 인해 세정 챔버를 대기압까지 배기 하는데 많은 시간이 소요됨에 따라 공정 시 간이 증가하는 문제점이 있다.However, in the case of naturally exhausting the cleaning chamber to atmospheric pressure, there is a disadvantage in that the exhaust speed (for example, the pressure drop rate) is sharply lowered in a section below a certain pressure. This causes a problem that the process time increases as it takes a lot of time to exhaust the cleaning chamber to atmospheric pressure.

본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 일 과자는 대기압까지 세정 챔버를 빠르게 배기 하기 위한 기판 세정 방법을 제공하는 것이다.One confection to be solved through embodiments of the present invention is to provide a substrate cleaning method for quickly exhausting the cleaning chamber to atmospheric pressure.

본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 다른 과제는 대기압까지 세정 챔버를 빠르게 배기 하기 위한 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.Another problem to be solved through embodiments of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus for quickly exhausting the cleaning chamber to atmospheric pressure.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 세정 방법은 기판을 세정 챔버로 안내한다. 초임계 유체를 이용하여 상기 세정 챔버를 제1 압력으로 조성하여 상기 기판을 세정한다. 상기 기판의 세정이 이루어진 세정 챔버를 자연 배기에 의해 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정한다. 상기 제2 압력으로 조정할 때 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에서 강제 배기를 수행하여 상기 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 조정한다. 상기 제3 압력으로 조정된 상태의 세정 챔버로부터 상기 기판을 빼내는 단계를 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, the substrate cleaning method according to the present invention guides the substrate to the cleaning chamber. The substrate is cleaned by forming a cleaning chamber at a first pressure using a supercritical fluid. The cleaning chamber in which the substrate is cleaned is adjusted to a second pressure lower than the first pressure by natural exhaust. When the pressure is adjusted to the second pressure, forced exhaust is performed in a section in which the pressure adjustment speed is sharply lowered compared to the speed to be adjusted to the second pressure, thereby adjusting to a third pressure lower than the second pressure. Removing the substrate from the cleaning chamber in the adjusted state to the third pressure.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 세정 챔버를 강제 배기 하여 제3 압력으로 조정할 때 빠르게 조정되도록 강제 배기 수행 전에 진공을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the method may further include forming a vacuum before performing forced exhaust so that the cleaning chamber is forced out and adjusted quickly to adjust to a third pressure.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 기판 세정 장치는 세정 챔버, 제1 배기부 및 제2 배기부를 포함한다. 상기 세정 챔버는 기판을 세정하 기 위한 세정 공간을 제공하고, 기판의 세정을 위해 공급되는 초임계 유체에 의해 제1 압력으로 조성된다. 상기 제1 배기부는 기판의 세정이 이루어진 상기 세정 챔버를 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정되도록 자연 배기를 수행하다. 상기 제2 배기부는 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 상기 세정 챔버를 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 조정되도록 강제 배기를 수행한다.In order to achieve the above object of the present invention, the substrate cleaning apparatus according to the present invention includes a cleaning chamber, a first exhaust portion and a second exhaust portion. The cleaning chamber provides a cleaning space for cleaning the substrate, and is formed at a first pressure by a supercritical fluid supplied for cleaning the substrate. The first exhaust unit performs natural exhaust so that the cleaning chamber in which the substrate is cleaned is adjusted to a second pressure lower than the first pressure. The second exhaust unit performs forced exhaust so that the cleaning chamber is adjusted to a third pressure lower than the second pressure in a section in which the pressure adjustment speed is sharply lowered compared to the speed of adjusting the second pressure.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 배기부는 상기 세정 챔버의 배기를 위한 제1 배기 유로 및 상기 제1 배기 유로를 개폐하는 제1 밸브를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first exhaust part may include a first exhaust flow path for exhausting the cleaning chamber and a first valve for opening and closing the first exhaust flow path.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 배기부는 상기 세정 챔버의 배기를 위한 제2 배기 유로, 상기 제2 배기 유로를 개폐하는 제2 밸브 및 상기 제2 배기 유로 상에 배치되고 상기 세정 챔버를 강제 배기 하기 위한 진공 펌프를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the second exhaust part is disposed on the second exhaust flow path for exhausting the cleaning chamber, the second valve opening and closing the second exhaust flow path and the second exhaust flow path, and the cleaning chamber. It may include a vacuum pump for forced exhaust.

본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 배기부는 상기 세정 챔버를 강제 배기 하여 제3 압력으로 조정할 때 빠르게 조정되도록 강제 배기 이전에 진공으로 조성되는 진공 용기를 포함할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the second exhaust portion may include a vacuum container which is formed with a vacuum before the forced exhaust so as to be adjusted quickly when forcedly evacuating the cleaning chamber to adjust to the third pressure.

본 발명에 따른 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치는 기판 세정이 이루어진 후 세정 챔버의 압력 조정을 위해 배기 할 때, 초기 자연 배기를 수행하고, 압력 조정 속도가 급격하게 저하되는 구간에 강제 배기를 수행하여 빠르게 배기 함으로 써, 대기압까지 압력 조정을 빠르게 수행할 수 있다.In the substrate cleaning method and the substrate cleaning apparatus according to the present invention, when the exhaust gas is exhausted to adjust the pressure of the cleaning chamber after the substrate is cleaned, the initial natural exhaust is performed, and the forced exhaust is performed in a section where the pressure adjustment speed is sharply reduced. By quickly venting, pressure adjustments to atmospheric pressure can be done quickly.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.Hereinafter, a substrate cleaning method and a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described on the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

기판 세정 방법Substrate Cleaning Method

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 개략적인 동작 흐름도이고, 도 2는 자연 배기 및 강제 배기에 의한 세정 챔버의 압력 변화를 나타내는 그래프이다.1 is a schematic operation flowchart showing a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a graph showing the pressure change of the cleaning chamber by natural exhaust and forced exhaust.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 세정 방법은 초임계 유체를 이용하여 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판을 세정하기 위하여 사용될 수 있다.1 and 2, a substrate cleaning method may be used to clean a semiconductor substrate such as a silicon wafer using a supercritical fluid.

상기 기판 세정 방법은 먼저 기판을 세정 챔버로 안내한다(S110). 즉, 대기압 상태의 세정 챔버 내부로 피세정물인 기판을 안내하여 세정을 위한 위치(예컨대 세정 공간)로 배치한다.The substrate cleaning method first guides the substrate to the cleaning chamber (S110). That is, the substrate to be cleaned is guided into the cleaning chamber under atmospheric pressure and arranged at a position (for example, a cleaning space) for cleaning.

다음으로 초임계 유체를 이용하여 상기 세정 챔버를 제1 압력으로 조성하여 상기 기판을 세정한다(S120). 기판을 세정하기 위한 초임계 유체를 상기 세정 챔버 의 내부( 세정 공간)로 공급하여 상기 세정 챔버를 제1 압력으로 조성한다. 제1 압력 조건에서 기판의 오염물이 초임계 유체에 용해되어 기판에 대한 세정이 수행된다. 일 예로, 초임계 유체는 기판의 세정을 위한 세정유체(예컨대 이산화탄소)를 임계 온도 및 임계 압력 이상으로 가열 및 가압하여 수득하며, 상기 제1 압력은 상기 세정 챔버로 공급되는 초임계 유체가 갖는 압력에 대응하는 압력이 된다.Next, the cleaning chamber is formed at a first pressure using a supercritical fluid to clean the substrate (S120). A supercritical fluid for cleaning the substrate is supplied into the cleaning chamber (cleaning space) to form the cleaning chamber at a first pressure. Contaminants of the substrate are dissolved in the supercritical fluid at the first pressure condition, and cleaning of the substrate is performed. For example, the supercritical fluid is obtained by heating and pressurizing a cleaning fluid (for example, carbon dioxide) for cleaning a substrate to a critical temperature and a critical pressure or higher, wherein the first pressure is a pressure of the supercritical fluid supplied to the cleaning chamber. Is the pressure corresponding to.

상기 기판의 세정이 이루어진 후에 세정 챔버를 자연 배기에 의해 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정한다(S130). 즉, 기판에 대한 세정 공정이 완료된 다음 초임계 유체의 공급에 의해 제1 압력으로 조성된 상기 세정 챔버를 자연 배기 하여 내부(예컨대 세정 공간)의 압력을 저하시킨다.After the substrate is cleaned, the cleaning chamber is adjusted to a second pressure lower than the first pressure by natural exhaust (S130). That is, after the cleaning process for the substrate is completed, the cleaning chamber formed at the first pressure by the supply of the supercritical fluid is naturally exhausted to lower the pressure in the interior (for example, the cleaning space).

상기 제2 압력으로 조정할 때, 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 강제 배기를 수행하여 상기 제2 압력보다 낮은 제3 압력(예컨대 대기압)으로 조정한다(S140). 기판에 대한 세정 공정이 완료되어 상기 세정 챔버를 자연 배기에 의해 압력을 조정하는 경우 도 2에 도시된 바와 같이 일정한 압력까지는 압력 조정 속도가 빠르게 진행되지만, 일정한 압력(예컨대 제2 압력) 이하에서는 압력 조정 속도가 급격하게 저하되는 경향을 보인다. 따라서, 본 발명에서는 빠른 압력 조정을 위해 압력 조정 속도가 급격하게 저하되는 구간에 상기 세정 챔버를 강제 배기를 수행하여 내부의 압력을 저하시킨다. 즉, 상기 세정 챔버를 자연 배기에 의해 압력 조정할 때, 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 강제 배기를 수행함으로써, 상기 세정 챔버를 대기압까지 조정한다.When adjusting to the second pressure, forced exhaust is performed in a section in which the pressure adjusting speed drops sharply compared to the speed adjusting to the second pressure, and adjusted to a third pressure (for example, atmospheric pressure) lower than the second pressure ( S140). When the cleaning process for the substrate is completed and the pressure of the cleaning chamber is adjusted by natural exhaust, the pressure adjusting speed proceeds rapidly up to a constant pressure as shown in FIG. 2, but the pressure is lower than the constant pressure (for example, the second pressure). The speed of adjustment tends to decrease sharply. Therefore, in the present invention, the internal pressure is reduced by forcibly evacuating the cleaning chamber in a section in which the pressure adjustment speed is rapidly lowered for quick pressure adjustment. That is, when the pressure of the cleaning chamber is adjusted by natural exhaust, the cleaning chamber is adjusted to atmospheric pressure by performing forced exhaust in a section in which the pressure adjusting speed drops rapidly compared to the speed of adjusting the second pressure.

여기서, 상기 세정 챔버를 강제 배기에 의해 제1 압력으로부터 제3 압력(예컨대 대기압)으로 조정할 수도 있다. 하지만, 도 2의 도면에서와 같이 제2 압력까지는 자연 배기에 의한 압력 조정 속도와 강제 배기에 의한 압력 조정 속도에 큰 차이가 없으므로, 효율적으로 상기 세정 챔버를 자연 배기에 의해 제2 압력까지 조정한 후 제2 압력 이후 구간에 강제 배기를 수행하는 것이 바람직하다.Here, the cleaning chamber may be adjusted from the first pressure to the third pressure (for example, atmospheric pressure) by forced exhaust. However, as shown in FIG. 2, there is no significant difference between the pressure adjusting speed due to natural exhaust and the pressure adjusting speed due to forced exhaust until the second pressure, so that the cleaning chamber is efficiently adjusted to the second pressure by natural exhaust. After the second pressure it is preferable to perform a forced exhaust in the section.

상기 세정 챔버를 대기압으로 조정한 후에는 상기 세정 챔버로부터 기판을 빼낸다(S150). 즉, 기판에 대한 세정이 이루어진 후에 상기 세정 챔버를 자연 배기 및 강제 배기에 의해 대기압으로 압력이 조정되면, 상기 세정 챔버로부터 기판을 빼냄으로써 기판에 대한 세정 공정이 모두 완료된다.After adjusting the cleaning chamber to atmospheric pressure, the substrate is removed from the cleaning chamber (S150). That is, if the pressure of the cleaning chamber is adjusted to atmospheric pressure by natural exhaust and forced exhaust after the cleaning of the substrate, the cleaning process for the substrate is completed by removing the substrate from the cleaning chamber.

한편, 상기 세정 챔버를 강제 배기 하여 제3 압력(예컨대 대기압)으로 조정할 때, 빠르게 조정되도록 강제 배기 수행 전에 진공을 형성할 수 있다. 언급한 바와 같이 강제 배기는 진공 펌프 등을 사용하게 되는데, 상기 진공 펌프 등을 사용하는 경우 동작 초기에 원활한 배기의 수행이 어려운 단점이 있다. 이처럼, 강제 배기의 수행 초기에 원활한 배기가 수행되도록 강제 배기 수행 전에 일정 공간에 진공을 형성해 둠으로써, 강제 배기의 수행 초기에도 빠른 배기의 수행이 가능해진다.On the other hand, when the cleaning chamber is forced out and adjusted to a third pressure (for example, atmospheric pressure), a vacuum may be formed before performing forced exhaust so as to be adjusted quickly. As mentioned above, forced exhaust uses a vacuum pump and the like, and when the vacuum pump is used, it is difficult to perform smooth exhaust at the initial stage of operation. In this manner, a vacuum is formed in a predetermined space before the forced exhaust is performed so that smooth exhaust is performed at the early stage of the forced exhaust, thereby enabling rapid exhaustion even at the beginning of the forced exhaust.

이와 같이, 본 기판 세정 방법은 초임계 유체의 공급으로 인해 제1 압력으로 조성된 세정 챔버를 대기압으로 조정할 때, 초기 상기 세정 챔버를 자연 배기에 의해 조정하고, 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 강제 배기를 수행하여 빠르게 배기 함으로써, 대기압까지 상기 세정 챔버를 빠르게 조정한다.As described above, in the substrate cleaning method, when the cleaning chamber formed at the first pressure is adjusted to atmospheric pressure due to the supply of the supercritical fluid, the initial stage of the cleaning chamber is adjusted by natural exhaust, and the pressure adjustment speed is rapidly reduced. Forced evacuation is performed to quickly evacuate, thereby quickly adjusting the cleaning chamber to atmospheric pressure.

기판 세정 장치Substrate Cleaning Device

이하, 언급한 기판 세정 방법을 수행하기 위한 일 실시예에 따른 기판 세정 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a substrate cleaning apparatus according to an embodiment for performing the substrate cleaning method mentioned above will be described.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 세정 장치는 초임계 유체를 이용하여 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판(W)을 세정하기 위하여 사용될 수 있다.Referring to FIG. 3, a substrate cleaning apparatus may be used to clean a semiconductor substrate W such as a silicon wafer using a supercritical fluid.

상기 기판 세정 장치는 유체 저장조(100), 변환부(200), 세정 챔버(300), 제1 배기부(310) 및 제2 배기부(320)를 포함한다.The substrate cleaning apparatus includes a fluid reservoir 100, a conversion unit 200, a cleaning chamber 300, a first exhaust unit 310, and a second exhaust unit 320.

상기 유체 저장조(100)는 기판(W)을 세정하기 위한 세정유체를 저장하고, 저장된 세정유체를 상기 변환부(200)에 공급한다. 상기 유체 저장조(100)는 일반적으로 상기 세정유체를 액화 상태로 저장하며, 이를 위해서 상기 유체 저장조(100)에는 상기 세정유체를 냉각시키기 위한 냉각기(미도시)가 구비될 수 있다. 여기서, 상기 세정유체는 일 예로 이산화탄소(CO2)를 포함한다.The fluid reservoir 100 stores a cleaning fluid for cleaning the substrate W, and supplies the stored cleaning fluid to the converter 200. The fluid reservoir 100 generally stores the cleaning fluid in a liquefied state, and for this purpose, the fluid reservoir 100 may be provided with a cooler (not shown) for cooling the cleaning fluid. Here, the cleaning fluid includes carbon dioxide (CO 2 ) as an example.

상기 변환부(200)는 상기 유체 저장조(100)로부터 공급받은 세정유체를 초임계 유체로 변화시켜 상기 세정 챔버(300)의 내부로 공급한다. 더욱 정확하게는 상기 유체 저장조(100)로부터 공급받은 세정유체를 임계 온도 및 압력 이상(예컨대 임계 상태)을 갖는 초임계 유체로 변화시켜 상기 세정 챔버(300)의 내부에 구비되는 분사부(302)로 공급한다. 이를 위해 상기 변환부(200)는 상기 세정유체를 임계 온도 이상으로 가열하기 위한 가열 히터(210)와 상기 세정유체를 임계 압력 이상으로 가압하기 위한 압축기(220)를 포함하여 이루어진다. 일 예로, 상기 변환부(200)는 상기 가열 히터(210) 및 압축기(220)를 통해 공급받은 세정유체를 약 80℃의 온도와 약 290[bar]의 압력 이상을 갖도록 가열 및 가압함으로써, 상기 세정유체를 초임계 유체로 변화시킨다.The converter 200 changes the cleaning fluid supplied from the fluid reservoir 100 into a supercritical fluid and supplies the cleaning fluid to the inside of the cleaning chamber 300. More precisely, the cleaning fluid supplied from the fluid reservoir 100 is changed into a supercritical fluid having a critical temperature and pressure or more (for example, a critical state) to the injection unit 302 provided in the cleaning chamber 300. Supply. To this end, the conversion unit 200 includes a heating heater 210 for heating the cleaning fluid above a critical temperature and a compressor 220 for pressurizing the cleaning fluid above a critical pressure. For example, the conversion unit 200 by heating and pressurizing the cleaning fluid supplied through the heating heater 210 and the compressor 220 to have a temperature of about 80 ° C and a pressure of about 290 [bar] or more, The cleaning fluid is changed to supercritical fluid.

상기 세정 챔버(300)는 기판(W)을 세정하기 위한 세정 공간을 제공한다. 상기 세정 챔버(300)의 내부에는 분사부(302)와 기판 지지부(304)가 배치된다. 상기 기판 지지부(304)는 세정을 위해 투입되는 기판(W)이 놓여진다. 여기서, 상기 기판 지지부(304)는 경우에 따라서 상기 기판(W)에 대한 세정이 수행될 때 상기 기판(W)을 일정한 속도로 회전시킨다. 상기 분사부(302)는 기판(W)의 세정을 위한 초임계 유체를 상기 변환부(200)로부터 공급받아, 상기 기판 지지부(304)에 놓여진 기판(W)으로 공급(분사)한다. 즉, 초임계 유체가 상기 분사부(302)를 통해 상기 기판(W)의 표면으로 공급되고, 상기 기판(W) 표면의 오염물들이 상기 초임계 유체에 용해됨으로써, 기판(W)으로부터 분리되어 기판(W)에 대한 세정이 이루어진다.The cleaning chamber 300 provides a cleaning space for cleaning the substrate (W). An injection part 302 and a substrate support part 304 are disposed in the cleaning chamber 300. The substrate support 304 is placed on the substrate (W) to be injected for cleaning. In this case, the substrate support 304 rotates the substrate W at a constant speed when the cleaning of the substrate W is performed. The injection unit 302 receives a supercritical fluid for cleaning the substrate W from the converter 200, and supplies (sprays) the substrate W to the substrate support 304. That is, a supercritical fluid is supplied to the surface of the substrate W through the sprayer 302, and contaminants on the surface of the substrate W are dissolved in the supercritical fluid, thereby being separated from the substrate W to thereby separate the substrate. The cleaning for (W) takes place.

여기서, 상기 세정 챔버(300)는 내부 압력이 대기압 상태일 때 상기 기판(W)이 투입된 후, 상기 기판(W)을 세정하기 위한 초임계 유체의 공급으로 임계 압력 이상으로 압력이 높아진다. 즉, 상기 세정 챔버(300)는 내부 압력이 임계 압력 이상으로 가압된 상태에서 기판(W)에 대한 세정이 수행되므로, 상시 세정 챔버(300)로는 고압 용기의 사용이 일반적이다. 또한, 상기 세정 챔버(300)에는 내부로 공급되는 초임계 유체의 임계 상태(예컨대 온도)를 유지하기 위하여 상기 세정 챔 버(300)를 가열하기 위한 히터를 구비할 수 있다. Here, after the substrate W is introduced when the internal pressure is at atmospheric pressure, the cleaning chamber 300 increases the pressure above the critical pressure by supplying a supercritical fluid for cleaning the substrate W. That is, since the cleaning chamber 300 is cleaned with respect to the substrate W while the internal pressure is pressed above the critical pressure, the high pressure vessel is generally used as the cleaning chamber 300 at all times. In addition, the cleaning chamber 300 may be provided with a heater for heating the cleaning chamber 300 in order to maintain a critical state (eg, temperature) of the supercritical fluid supplied therein.

한편, 기판(W)에 대한 세정 공정이 완료되면, 상기 세정 챔버(300)를 배기 하여 대기압까지 압력을 조정한다. 상기 세정 챔버(300)의 배기를 위해 상기 제1 배기부(310) 및 제2 배기부(320)가 구비된다.On the other hand, when the cleaning process for the substrate (W) is completed, the cleaning chamber 300 is exhausted to adjust the pressure to atmospheric pressure. The first exhaust part 310 and the second exhaust part 320 are provided to exhaust the cleaning chamber 300.

상기 제1 배기부(310)는 제1 배기 유로(312)를 갖고, 상기 세정 챔버(300)를 자연 배기 한다. 일 예로, 상기 제1 배기부(310)는 상기 세정 챔버(300)의 내외부 압력 차이에 따른 자연적인 유체 흐름으로 상기 세정 챔버(300)를 배기 한다. 상기 제1 배기부(310)는 상기 제1 배기 유로(312) 상에 배치되고, 상기 세정 챔버(300)의 내부로 초임계 유체가 공급되어 기판(W)에 대한 세정이 수행될 때, 상기 세정 챔버(300)의 기밀을 유지하기 위하여 상기 제1 배기 유로(312)를 차단하는 제1 밸브(314)를 더 포함한다. 상기 제1 배기부(310)는 상기 제1 밸브(314)가 열림에 따라 제1 압력으로 조성된 상기 세정 챔버(300)를 자연 배기 하여 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정한다.The first exhaust part 310 has a first exhaust flow path 312 and naturally exhausts the cleaning chamber 300. For example, the first exhaust part 310 exhausts the cleaning chamber 300 by a natural fluid flow according to the pressure difference between the inside and the outside of the cleaning chamber 300. The first exhaust part 310 is disposed on the first exhaust flow path 312, when a supercritical fluid is supplied into the cleaning chamber 300 to perform cleaning on the substrate W. In order to maintain the airtightness of the cleaning chamber 300 further includes a first valve 314 blocking the first exhaust passage 312. As the first valve 314 is opened, the first exhaust part 310 naturally exhausts the cleaning chamber 300 formed at the first pressure and adjusts the pressure to a second pressure lower than the first pressure.

상기 제2 배기부(320)는 제2 배기 유로(322) 및 상기 제2 배기 유로(322) 상에 배치되는 진공 펌프(326)를 포함하여 이루어진다. 상기 제2 배기부(320)는 상기 진공 펌프(326)를 이용하여 상기 세정 챔버(300)를 강제 배기 한다. 더욱 상세하게는 상기 제2 배기부(320)는 상기 제1 배기부(310)에 의한 자연 배기에 의해 압력을 조정할 때, 상기 제1 압력으로부터 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 상기 진공 펌프(326)를 작동시켜 강제 배기를 수행한다. 따라서, 자연 배기에 의해 느려질 수 있는 압력 조정 속도를 강제 배기 에 의해 빠르게 유지한다.The second exhaust part 320 includes a second exhaust flow path 322 and a vacuum pump 326 disposed on the second exhaust flow path 322. The second exhaust unit 320 forcibly evacuates the cleaning chamber 300 by using the vacuum pump 326. In more detail, when the pressure is adjusted by the natural exhaust by the first exhaust unit 310, the second exhaust unit 320 rapidly adjusts the pressure compared to the speed of adjusting the pressure from the first pressure to the second pressure. Forced evacuation is performed by operating the vacuum pump 326 in a section where the speed decreases. Thus, the pressure adjusting speed, which can be slowed by natural exhaust, is kept fast by forced exhaust.

상기 제2 배기부(320)는 상기 제2 배기 유로(322) 상에 배치되고, 상기 세정 챔버(300)의 내부로 초임계 유체가 공급되어 기판(W)에 대한 세정이 수행될 때, 상기 세정 챔버(300)의 기밀을 유지하기 위하여 상기 제2 배기 유로(322)를 차단하는 제2 밸브(324)를 더 포함한다. 상기 제2 밸브(324)는 상기 제1 배기부(310)에 따른 상기 세정 챔버(300)의 자연 배기 구간 즉, 상기 세정 챔버(300)를 상기 제1 압력으로부터 제2 압력으로 조정하는 구간에 상기 제2 배기 유로(322)를 차단할 수도 있다. 즉, 상기 세정 챔버(300)를 상기 제2 압력으로 조정할 때까지는 상기 제1 배기부(310)에 의한 자연 배기만으로 수행되도록 상기 제2 배기부(320)를 차단한다.The second exhaust part 320 is disposed on the second exhaust flow path 322, and when a supercritical fluid is supplied into the cleaning chamber 300 to perform cleaning on the substrate W, In order to maintain the airtightness of the cleaning chamber 300 further includes a second valve 324 blocking the second exhaust flow path (322). The second valve 324 may be a natural exhaust section of the cleaning chamber 300 along the first exhaust part 310, that is, a section in which the cleaning chamber 300 is adjusted from the first pressure to the second pressure. The second exhaust passage 322 may be blocked. That is, until the cleaning chamber 300 is adjusted to the second pressure, the second exhaust part 320 is blocked so as to be performed only by natural exhaust by the first exhaust part 310.

한편, 상기 제2 배기부(320)에 의해 상기 세정 챔버(300)를 강제 배기 하는 구간에 상기 제1 배기부(310)에 의한 자연 배기는 정지하게 된다. 이와 달리, 상기 제1 배기부(310)에 의한 자연 배기를 계속 유지하는 상태에서 상기 세정 챔버(300)가 제2 압력으로 조정되는 구간에 상기 제2 배기부(320)에 의한 강제 배기를 부수적으로 수행하도록 할 수도 있다.On the other hand, the natural exhaust by the first exhaust unit 310 is stopped in the section forcibly exhausting the cleaning chamber 300 by the second exhaust unit 320. On the contrary, forced exhaust by the second exhaust unit 320 is additionally performed in a section in which the cleaning chamber 300 is adjusted to the second pressure while maintaining natural exhaust gas by the first exhaust unit 310. It can also be done.

상기 기판 세정 장치는 상기 세정 챔버(300)의 내부에서 기판(W)에 대한 세정을 수행한 후, 상기 제1 배기부(310) 및 제2 배기부(320)에 의해 상기 세정 챔버(300)로부터 배기된 초임계 유체의 후처리를 위한 분리조(400) 및 응축기(500)를 더 포함할 수 있다.The substrate cleaning apparatus cleans the substrate W in the cleaning chamber 300, and then cleans the substrate 300 by the first exhaust part 310 and the second exhaust part 320. It may further include a separation tank 400 and a condenser 500 for the post-treatment of the supercritical fluid exhausted from.

상기 분리조(400)는 기판(W)의 세정을 수행한 후 상기 세정 챔버(500)로부터 배기 되는 오염물이 용해된 초임계 유체를 공급받고, 공급받은 초임계 유체의 압력 을 저하시켜 초임계 상태에서 기체 상태로 변화시킨다. 이로 인해 기판(W)의 세정을 수행하여 오염물이 용해된 초임계 유체는 기체 상태의 세정유체(예컨대 이산화탄소)와 오염물로 분리된다. 세정유체로부터 분리된 오염물은 분리조(400)의 외부로 배기 된다. 상기 분리조(400)는 기체 상태로 변화된 세정유체를 상기 응축기(500)로 공급한다.The separation tank 400 receives a supercritical fluid in which contaminants exhausted from the cleaning chamber 500 are dissolved after cleaning the substrate W, and reduces the pressure of the supercritical fluid supplied to the supercritical state. Change to gaseous state at As a result, the supercritical fluid in which contaminants are dissolved by cleaning the substrate W is separated into a gaseous cleaning fluid (for example, carbon dioxide) and contaminants. The contaminants separated from the cleaning fluid are exhausted to the outside of the separation tank 400. The separation tank 400 supplies the cleaning fluid changed into a gas state to the condenser 500.

상기 응축기(500)는 상기 분리조(400)로부터 공급받은 기체 상태의 세정유체를 액화시키고, 이렇게 액화시킨 세정유체를 상기 유체 저장조(100)로 공급한다. 이후, 세정유체는 기판(W)의 세정을 위해 재활용된다.The condenser 500 liquefies the gaseous cleaning fluid supplied from the separation tank 400, and supplies the liquefied cleaning fluid to the fluid storage tank 100. Thereafter, the cleaning fluid is recycled for cleaning the substrate (W).

한편, 상기 기판 세정 장치는 각 구성 부재들 사이에 위치한 초임계 유체 또는 세정유체의 유로 상에 배치되고, 공정 진행에 따라서 해당 유로를 개폐하기 위한 밸브들(202, 402, 502)이 배치될 수 있다.On the other hand, the substrate cleaning apparatus is disposed on the flow path of the supercritical fluid or the cleaning fluid located between each component member, the valves 202, 402, 502 for opening and closing the flow path as the process proceeds may be disposed have.

도 4는 본 발명에 따른 기판 세정 장치에 포함되는 제2 배기부의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 구성도이다. 여기서, 도 4에 도시된 제2 배기부는 언급한 도 3에 도시된 제2 배기부와 유사하므로 동일 부재에 대해서는 동일한 부호를 사용하고 중복되는 부분은 그 상세한 설명을 생략하고 차이점 위주로 간략하게 설명하기로 한다.4 is a schematic diagram illustrating another embodiment of the second exhaust unit included in the substrate cleaning apparatus according to the present invention. Here, since the second exhaust unit illustrated in FIG. 4 is similar to the second exhaust unit illustrated in FIG. 3, the same reference numerals are used for the same members, and overlapping portions will not be described in detail and will be briefly described based on differences. Shall be.

도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 제2 배기부(320)는 제2 배기 유로(322), 상기 제2 배기 유로(322) 상에 배치되는 진공 펌프(326) 및 진공 용기(328)를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 제2 배기 유로(322)를 개폐하는 제2 밸브(324)를 더 포함한다.Referring to FIG. 4, the second exhaust part 320 according to another embodiment may include a second exhaust flow path 322, a vacuum pump 326 and a vacuum container 328 disposed on the second exhaust flow path 322. It is made, including. The apparatus further includes a second valve 324 that opens and closes the second exhaust passage 322.

상기 제2 배기부(320)는 상기 세정 챔버(300)가 상기 제1 배기부(310)에 의해 제2 압력으로 조정됨으로써, 압력 조정 속도가 급격하게 저하되는 구간에 강제 배기를 수행한다. 여기서, 상기 진공 펌프(426)를 사용하여 강제 배기를 수행할 때, 배기 초기에 원활한 배기의 수행이 어려울 수 있다. 이를 위해, 본 실시예에서는 강제 배기의 수행 초기에 원활한 배기가 가능하도록 강제 배기 수행 전에 상기 진공 펌프(326)를 사용하여 상기 진공 용기(328)에 미리 진공을 형성한다. 이로써, 상기 제2 밸브(324)가 열림과 동시에 상기 진공 펌프(326)의 동작과 무관하게 상기 세정 챔버(300)의 강제 배기 초기에도 빠른 배기를 수행한다. 즉, 상기 세정 챔버(300)를 상기 제3 압력(예컨대 대기압)으로 빠르게 조정한다.The second exhaust part 320 performs forced exhaust in a section where the cleaning chamber 300 is adjusted to the second pressure by the first exhaust part 310 so that the pressure adjusting speed is sharply lowered. Here, when performing forced exhaust using the vacuum pump 426, it may be difficult to perform a smooth exhaust in the initial stage of exhaust. To this end, in this embodiment, the vacuum pump 326 is used to form a vacuum in advance in the vacuum container 328 before the forced evacuation so as to enable smooth evacuation at the beginning of the forced evacuation. As a result, the second valve 324 is opened and at the same time, early exhaustion of the cleaning chamber 300 is performed regardless of the operation of the vacuum pump 326. That is, the cleaning chamber 300 is quickly adjusted to the third pressure (for example, atmospheric pressure).

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치는 초임계 유체의 공급으로 기판의 세정이 이루어진 세정 챔버를 배기에 의해 대기압까지 조정할 때, 초기 자연 배기에 의해 조정하고, 자연 배기에 의한 압력 조정 속도가 급격하게 저하되는 구간에 강제 배기를 수행함으로써, 빠른 배기에 의해 압력 조정 시간을 단축할 수 있다. 따라서 기판의 세정 공정 시간을 단축으로 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the substrate cleaning method and the substrate cleaning apparatus according to the preferred embodiment of the present invention are adjusted by the initial natural exhaust when the cleaning chamber in which the substrate is cleaned by the supply of the supercritical fluid is adjusted to the atmospheric pressure by the exhaust. By performing forced exhaust in a section in which the pressure regulating speed due to natural exhaust decreases rapidly, the pressure regulating time can be shortened by fast exhaust. Therefore, the efficiency can be improved by shortening the cleaning process time of the substrate.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 방법을 나타내는 개략적인 동작 흐름도이다.1 is a schematic operation flowchart illustrating a substrate cleaning method according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 제1 배기부 및 제2 배기부에 따른 세정 챔버의 압력 변화를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 2 is a view schematically illustrating a change in pressure of the cleaning chamber according to the first exhaust part and the second exhaust part shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 기판 세정 장치에 포함되는 제2 배기부의 다른 실시예를 나타내는 개략적인 구성도이다. 4 is a schematic diagram illustrating another embodiment of the second exhaust unit included in the substrate cleaning apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100: 유체 저장조 200: 변환부100: fluid reservoir 200: converter

210: 가열 히터 220: 압축기210: heating heater 220: compressor

300: 세정 챔버 302: 분사부300: cleaning chamber 302: injection unit

304: 기판 지지부 310: 제1 배기부304: substrate support 310: first exhaust

312: 제1 배기 유로 314: 제1 밸브312: first exhaust flow path 314: first valve

320: 제2 배기부 322: 제2 배기 유로320: second exhaust part 322: second exhaust flow path

324: 제2 밸브 326: 진공 펌프324: second valve 326: vacuum pump

328: 진공 용기 400: 분리조328: vacuum vessel 400: separation tank

500: 응축기 W: 기판500: condenser W: substrate

Claims (6)

기판을 세정 챔버로 안내하는 단계;Directing the substrate to the cleaning chamber; 초임계 유체를 이용하여 상기 세정 챔버를 제1 압력으로 조성하여 상기 기판을 세정하는 단계;Cleaning the substrate by creating the cleaning chamber at a first pressure using a supercritical fluid; 상기 기판의 세정이 이루어진 세정 챔버를 자연 배기에 의해 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정하는 단계;Adjusting the cleaning chamber in which the substrate is cleaned to a second pressure lower than the first pressure by natural exhaust; 상기 제2 압력으로 조정할 때 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 강제 배기를 수행하여 상기 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 조정하는 단계;Adjusting the pressure to a third pressure lower than the second pressure by performing forced exhaust in a section in which the pressure adjustment speed is sharply lowered compared to the speed adjusted to the second pressure when adjusting to the second pressure; 상기 제3 압력으로 조정된 상태의 세정 챔버로부터 상기 기판을 빼내는 단계; 및Removing the substrate from the cleaning chamber in the adjusted state to the third pressure; And 상기 세정 챔버를 강제 배기하여 제3 압력으로 조정할 때 빠르게 조정되도록 강제 배기 수행 전에 진공을 형성하는 단계를 포함하는 기판 세정 방법.Forming a vacuum prior to forced evacuation such that the evacuation chamber is forced to evacuate and adjust rapidly to a third pressure. 삭제delete 기판을 세정하기 위한 세정 공간을 제공하고, 기판의 세정을 위해 공급되는 초임계 유체에 의해 제1 압력으로 조성되는 세정 챔버;A cleaning chamber providing a cleaning space for cleaning the substrate, the cleaning chamber being configured to a first pressure by a supercritical fluid supplied for cleaning the substrate; 기판의 세정이 이루어진 상기 세정 챔버를 상기 제1 압력보다 낮은 제2 압력으로 조정되도록 자연 배기를 수행하는 제1 배기부; 및A first exhaust unit configured to perform natural exhaust so that the cleaning chamber in which the substrate is cleaned is adjusted to a second pressure lower than the first pressure; And 상기 제2 압력으로 조정하는 속도에 비해 급격하게 압력 조정 속도가 저하되는 구간에 상기 세정 챔버를 제2 압력보다 낮은 제3 압력으로 조정되도록 강제 배기를 수행하는 제2 배기부를 포함하며,And a second exhaust unit configured to perform forced exhaust so that the cleaning chamber is adjusted to a third pressure lower than the second pressure in a section in which the pressure adjustment speed is sharply lowered compared to the speed of adjusting the second pressure. 상기 제2 배기부는 상기 세정 챔버를 강제 배기하여 상기 제3 압력으로 조정할 때 빠르게 조정되도록 상기 강제 배기 이전에 진공으로 조성되는 진공 용기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.And said second exhaust portion comprises a vacuum vessel configured to vacuum prior to forced exhaust so as to be rapidly adjusted when forcedly evacuating the cleaning chamber to adjust to the third pressure. 제3항에 있어서, 상기 제1 배기부는 상기 세정 챔버의 배기를 위한 제1 배기 유로 및 상기 제1 배기 유로를 개폐하는 제1 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The substrate cleaning apparatus of claim 3, wherein the first exhaust unit comprises a first exhaust flow path for exhausting the cleaning chamber and a first valve for opening and closing the first exhaust flow path. 제3항에 있어서, 상기 제2 배기부는 상기 세정 챔버의 배기를 위한 제2 배기 유로, 상기 제2 배기 유로를 개폐하는 제2 밸브 및 상기 제2 배기 유로 상에 배치되고 상기 세정 챔버를 강제 배 기하기 위한 진공 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.4. The cleaning apparatus of claim 3, wherein the second exhaust part is disposed on a second exhaust flow path for exhausting the cleaning chamber, a second valve for opening and closing the second exhaust flow path, and the second exhaust flow path and forcibly drains the cleaning chamber. Substrate cleaning apparatus comprising a vacuum pump for. 삭제delete
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101856606B1 (en) * 2016-06-02 2018-05-15 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR20180105089A (en) * 2017-03-14 2018-09-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20200142673A (en) * 2019-06-13 2020-12-23 주식회사 테스 Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960005772A (en) * 1994-07-20 1996-02-23 제임스 조셉 드롱 Vacuum chamber for ultra-high vacuum at high temperatures
JP2002134420A (en) 2000-10-24 2002-05-10 Sony Corp System and method for depositing film
KR20030047011A (en) * 2001-12-07 2003-06-18 주성엔지니어링(주) Vacuum apparatus for fabricating semiconductor device and operating method thereof
KR20060124882A (en) * 2005-05-26 2006-12-06 세메스 주식회사 Method and apparatus for cleaning and drying substrates

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960005772A (en) * 1994-07-20 1996-02-23 제임스 조셉 드롱 Vacuum chamber for ultra-high vacuum at high temperatures
JP2002134420A (en) 2000-10-24 2002-05-10 Sony Corp System and method for depositing film
KR20030047011A (en) * 2001-12-07 2003-06-18 주성엔지니어링(주) Vacuum apparatus for fabricating semiconductor device and operating method thereof
KR20060124882A (en) * 2005-05-26 2006-12-06 세메스 주식회사 Method and apparatus for cleaning and drying substrates

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101856606B1 (en) * 2016-06-02 2018-05-15 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate
KR20180105089A (en) * 2017-03-14 2018-09-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102482206B1 (en) 2017-03-14 2022-12-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20200142673A (en) * 2019-06-13 2020-12-23 주식회사 테스 Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
KR102228517B1 (en) * 2019-06-13 2021-03-16 주식회사 테스 Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same

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