KR101964655B1 - Apparatus and Method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판의 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 가지는 고압 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지유닛, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 유체를 배기시키는 배기 유닛, 상기 유체 공급 유닛, 상기 가스 공급 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 공정이 완료되면 상기 배기 유닛을 통해 상기 처리 공간의 처리 유체를 배기하고, 이후에 상기 처리 공간이 기설정 압력이 될 때까지 상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급한 후 상기 처리 공간을 개방한다. 고압 챔버가 개방되기 전에 고압 챔버의 내부 압력을 이의 외부 압력보다 높힌다. 이는 고압 챔버의 내부와 외부 간에 압력차로 인해, 고압 챔버가 개방되는 중에 외부의 파티클이 고압 챔버의 내부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.The present invention provides an apparatus and a method for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a high-pressure chamber having a processing space in which a processing process of the substrate is performed, a support unit for supporting the substrate in the processing space, a fluid supply unit for supplying the processing fluid to the processing space, And a controller for controlling the exhaust unit, the fluid supply unit, the gas supply unit, and the exhaust unit to exhaust the fluid in the processing space, Exhausting the processing fluid in the processing space through the exhaust unit, and then supplying the purge gas to the processing space until the processing space becomes the predetermined pressure, and then opening the processing space . The inner pressure of the high-pressure chamber is made higher than the external pressure thereof before the high-pressure chamber is opened. This can prevent external particles from entering the interior of the high-pressure chamber while the high-pressure chamber is opened due to a pressure difference between the inside and the outside of the high-pressure chamber.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 해결하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate through various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition on the substrate. Various processes are used for each process, and contaminants and particles are generated during the process. In order to solve this problem, a cleaning process for cleaning contaminants and particles is essentially performed before and after each process.

일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계에는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같은 유기 용제로 기판을 건조 처리한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 유기 용제가 잔류된다. Generally, in the cleaning step, the substrate is treated with a chemical and a rinsing liquid and then dried. In the drying treatment step, the substrate is dried with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) as a step for drying the rinsing liquid remaining on the substrate. However, as the distance (CD: critical dimension) between the pattern formed on the substrate and the pattern becomes finer, the organic solvent remains in the spaces between the patterns.

최근에는 기판 상에 잔류된 유기 용제를 제거하기 위해, 초임계 처리 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 특정 조건을 만족하기 위해 외부로부터 밀폐된 공간에서 진행된다. 이러한 특정 조건은 상압 및 상온에 비해 높은 고온 고압의 조건을 가진다. 초임계 처리 공정이 완료되면, 밀폐 공간의 내부 압력을 상압 또는 이보다 낮은 압력으로 낮춘다. 이후 기판을 언로딩하기 위해 밀폐 공간이 개방된다. 밀폐 공간이 개방되는 과정에서 밀폐 공간의 부피는 늘어나며, 외부와 압력차가 발생된다. In recent years, a supercritical processing process is performed to remove the organic solvent remaining on the substrate. The supercritical process proceeds in an enclosed space from the outside to meet the specific conditions of the supercritical fluid. These specific conditions have high temperature and high pressure conditions higher than normal pressure and normal temperature. When the supercritical processing process is completed, the internal pressure of the closed space is lowered to atmospheric pressure or lower. The sealed space is then opened to unload the substrate. In the process of opening the closed space, the volume of the closed space is increased and a pressure difference is generated with the outside.

도 1은 일반적인 밀폐 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이다. 도 1을 참조하면, 밀폐 공간이 개방되는 구간(A)은 일시적으로 외부보다 낮은 압력을 가지며, 이는 외부의 파티클 및 외부의 기류가 함께 유입되어 기판을 오염시킨다. 1 is a graph showing a change in pressure of a general closed space. Referring to FIG. 1, the section A in which the closed space is opened temporarily has a lower pressure than the outside, which causes external particles and external airflow to flow together to contaminate the substrate.

한국 공개 특허 번호 2011-0101045Korean Patent No. 2011-0101045

본 발명은 챔버를 개방하는 과정에서 파티클이 챔버 내에 유입되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for preventing particles from entering the chamber during opening of the chamber.

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판의 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 가지는 고압 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지유닛, 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛, 상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 처리 공간의 유체를 배기시키는 배기 유닛, 상기 유체 공급 유닛, 상기 가스 공급 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 공정이 완료되면 상기 배기 유닛을 통해 상기 처리 공간의 처리 유체를 배기하고, 이후에 상기 처리 공간이 기설정 압력이 될 때까지 상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급한 후 상기 처리 공간을 개방한다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes a high-pressure chamber having a processing space in which a processing process of the substrate is performed, a support unit for supporting the substrate in the processing space, a fluid supply unit for supplying the processing fluid to the processing space, And a controller for controlling the exhaust unit, the fluid supply unit, the gas supply unit, and the exhaust unit to exhaust the fluid in the processing space, Exhausting the processing fluid in the processing space through the exhaust unit, and then supplying the purge gas to the processing space until the processing space becomes the predetermined pressure, and then opening the processing space .

상기 배기 유닛은 상기 고압 챔버에 연결되어 상기 처리 공간의 처리 유체를 배기하는 배기 라인을 포함하며, 상기 유체 공급 유닛은 상기 고압 챔버의 하벽을 통해 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 하부 공급 라인을 포함하고, 상기 가스 공급 유닛은 상기 하부 공급 라인에 연결된 퍼지 가스 라인을 포함할 수 있다. 상기 기설정 압력은 상기 고압 챔버의 외부 압력보다 높을 수 있다. 상기 기판 처리 장치는 상기 고압 챔버의 외측에 위치되며, 상기 처리 공간의 분위기를 배출시키는 흡입 유닛을 더 포함하되, 상기 고압 챔버는 상부 바디 및 상기 상부 바디의 아래에 위치되며, 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하고, 상기 흡입 유닛은 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 접촉되는 영역에 인접하게 위치될 수 있다. 상기 흡입 유닛은 복수 개로 제공되며, 동일 평면 상에 위치되는 흡입 부재들을 포함하되, 상기 흡입 부재들은 상기 고압 챔버를 감싸도록 위치될 수 있다. The exhaust unit includes an exhaust line connected to the high-pressure chamber for exhausting the processing fluid in the processing space. The fluid supply unit includes a lower supply line for supplying the processing fluid to the processing space through a lower wall of the high- And the gas supply unit may include a purge gas line connected to the lower supply line. The preset pressure may be higher than the external pressure of the high-pressure chamber. The substrate processing apparatus further includes a suction unit positioned outside the high-pressure chamber and discharging an atmosphere of the processing space, wherein the high-pressure chamber is positioned below the upper body and the upper body, And a lower body that forms the processing space therein, and the suction unit can be positioned adjacent to an area where the upper body and the lower body are in contact with each other. The suction unit is provided in plural and includes suction members positioned on the same plane, and the suction members can be positioned to surround the high-pressure chamber.

기판을 처리하는 방법은 밀폐된 처리 공간을 상압보다 높은 고압으로 형성하고, 처리 유체를 공급하여 기판을 처리하는 공정 처리 단계, 상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 단계, 상기 처리 공간이 기설정 압력에 도달될 때까지 상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 단계, 그리고 상기 처리 공간을 개방하는 개방 단계를 포함한다. A method for processing a substrate includes the steps of: forming a closed processing space at a high pressure higher than normal pressure and processing the substrate by supplying a processing fluid; an exhausting step of exhausting the atmosphere of the processing space; A gas supply step of supplying a purge gas to the processing space until the processing space is reached, and an opening step of opening the processing space.

상기 기설정 압력은 상기 처리 공간의 외부 압력보다 높을 수 있다. 상기 가스 공급 단계에는 상기 처리 공간의 분위기 배기를 중지할 수 있다. 상기 배기 단계에는 상기 처리 공간이 배기 압력에 도달될 때까지 상기 처리 공간의 분위기를 배기하되, 상기 배기 압력은 상기 처리 공간의 외부에 대응되는 압력으로 제공될 수 있다.The preset pressure may be higher than the external pressure of the processing space. And the atmosphere discharge of the processing space can be stopped at the gas supply step. In the evacuation step, the atmosphere of the processing space is evacuated until the processing space reaches the evacuation pressure, and the evacuation pressure may be provided at a pressure corresponding to the outside of the processing space.

본 발명의 실시예에 의하면, 고압 챔버가 개방되기 전에 고압 챔버의 내부 압력을 이의 외부 압력보다 높힌다. 이는 고압 챔버의 내부와 외부 간에 압력차로 인해, 고압 챔버가 개방되는 중에 외부의 파티클이 고압 챔버의 내부에 유입되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the inner pressure of the high-pressure chamber is made higher than the external pressure thereof before the high-pressure chamber is opened. This can prevent external particles from entering the interior of the high-pressure chamber while the high-pressure chamber is opened due to a pressure difference between the inside and the outside of the high-pressure chamber.

도 1은 일반적인 밀폐 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 4의 흡입 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정에서 처리 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이다.
도 8 내지 도 11은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 단면도들이다.
도 12는 도 4의 기판 건조 장치의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 4의 기판 건조 장치의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a graph showing a change in pressure of a general closed space.
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 2. FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 2;
Fig. 5 is a perspective view showing the substrate supporting unit of Fig. 4;
Figure 6 is a top view showing the suction unit of Figure 4;
FIG. 7 is a graph showing the pressure change of the processing space in the process of processing the substrate using the apparatus of FIG. 4;
FIGS. 8 to 11 are cross-sectional views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG.
12 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate drying apparatus of FIG.
13 is a cross-sectional view showing another embodiment of the substrate drying apparatus of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 발명은 도 2 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.The present invention will be described in detail with reference to Figs. 2 to 13 by way of example.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다. 2, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. The carrier 18 is formed with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate. The slots are provided in a plurality of third directions 16, and the substrates are positioned in the carrier so as to be stacked apart from each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 배치되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2공정 챔버들(280)이 배치된다. 제1공정 챔버들(260)과 제2공정 챔버들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 챔버들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 챔버들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정 챔버들(280)도 제1공정 챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 모두 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)은 각각 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다. The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, a first process chamber 260, and a second process chamber 280. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The first process chambers 260 are disposed on one side of the transfer chamber 240 along the second direction 14 and the second process chambers 280 are disposed on the other side of the transfer chamber 240. The first process chambers 260 and the second process chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the first process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the first process chambers 260 are arranged stacked on each other. That is, the first process chambers 260 may be arranged on one side of the transfer chamber 240 in the arrangement of A X B (A and B are each a natural number of 1 or more). Where A is the number of the first process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of the second process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six first process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the first process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of first process chambers 260 may increase or decrease. The second process chambers 280 may also be arranged in an array of M X N (where M and N are each a natural number greater than or equal to one), similar to the first process chambers 260. Here, M and N may be the same numbers as A and B, respectively. The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may both be provided only on one side of the transfer chamber 240. [ In addition, unlike the above, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided as a single layer on one side and the other side of the transfer chamber 240, respectively. In addition, the first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided in various arrangements different from those described above.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220), 제1공정 챔버(260), 그리고 제2공정 챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220, the first process chamber 260, and the second process chamber 280. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242.

제1공정 챔버(260)와 제2공정 챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정 챔버(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정 챔버(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기 용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정 챔버(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.The first process chamber 260 and the second process chamber 280 may be provided to perform a process on one substrate W sequentially. For example, the substrate W may be subjected to a chemical process, a rinsing process, and a primary drying process in the first process chamber 260, and a secondary drying process may be performed in the second process chamber 260. In this case, the primary drying step may be performed by an organic solvent, and the secondary drying step may be performed by a supercritical fluid. As the organic solvent, isopropyl alcohol (IPA) liquid may be used, and supercritical fluid may be carbon dioxide (CO 2 ). Alternatively, the primary drying process in the first process chamber 260 may be omitted.

아래에서는 제1공정 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 3은 도 2의 제1공정 챔버에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 300 provided in the first process chamber 260 will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view showing an apparatus for cleaning a substrate in the first process chamber of FIG. 2. FIG. 3, the substrate processing apparatus 300 has a processing vessel 320, a spin head 340, an elevating unit 360, and a jetting member 380. [ The processing vessel 320 provides a space where the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The processing vessel 320 has an inner recovery cylinder 322 and an outer recovery cylinder 326. [ Each of the recovery cylinders 322 and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery cylinder 322 is provided in an annular ring shape surrounding the spin head 340 and the outer recovery cylinder 326 is provided in an annular ring shape surrounding the inner recovery cylinder 322. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 326a between the outer recovery cylinder 326 and the inner recovery cylinder 322 are connected to each other by the inner recovery cylinder 322 and the outer recovery cylinder 326, And serves as an inflow port. Recovery passages 322b and 326b extending perpendicularly to the bottom of the recovery passages 322 and 326 are connected to the recovery passages 322 and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b and 326b discharges the processing liquid introduced through each of the recovery cylinders 322 and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

스핀 헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The spin head 340 is disposed in the processing vessel 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the rear edge of the substrate such that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a certain distance. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. When the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340, the chuck pin 346 is positioned at the standby position and the chuck pin 346 is positioned at the support position when the substrate W is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the spin head 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W.

상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the processing vessel 320. [

분사 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사 부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사 부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 각각은 서로 상이한 분사 부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The jetting member 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W. [ The injection member 380 has a nozzle support 382, a nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 384 is moved by a driver 388 to a process position and a standby position. The process position is a position in which the nozzle 384 is disposed in the vertical upper portion of the processing container 320 and the standby position is defined as a position in which the nozzle 384 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. One or a plurality of the ejection members 380 may be provided. When a plurality of jetting members 380 are provided, each of the chemical, rinsing liquid, and organic solvent may be provided through jetting members 380 that are different from each other. The chemical may be a liquid with strong acid or strong base properties. The rinse liquid may be pure. The organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or may be an isopropyl alcohol solution.

제2공정 챔버에는 기판의 2차 건조 공정이 수행하는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 챔버에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 유기 용제가 잔류된 기판(W)을 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 4는 도 2의 제2공정 챔버에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 4 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 고압 챔버(410), 기판 지지 유닛(440), 바디 승강 부재(450), 가열 부재(460), 차단 부재(480), 배기 유닛(470), 유체 공급 유닛(490), 가스 공급 유닛(500), 흡입 유닛(510), 그리고 제어기(550)를 포함한다.The second process chamber is provided with a substrate processing apparatus 400 in which the secondary drying process of the substrate is performed. The substrate processing apparatus 400 secondary-processes the substrate W subjected to the primary drying process in the first process chamber. The substrate processing apparatus 400 drys the substrate W on which the organic solvent remains. The substrate processing apparatus 400 can dry-process the substrate W using a supercritical fluid. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an apparatus for dry-processing a substrate in the second process chamber of FIG. 2; 4, the substrate processing apparatus 400 includes a high pressure chamber 410, a substrate supporting unit 440, a body elevating member 450, a heating member 460, a blocking member 480, an exhaust unit 470, A fluid supply unit 490, a gas supply unit 500, a suction unit 510, and a controller 550.

고압 챔버(410)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)을 형성한다. 고압 챔버(410)는 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 고압 챔버(410)는 하부 바디(420) 및 상부 바디(430)를 포함한다. 하부 바디(420)는 상부가 개방된 사각의 컵 형상을 가진다. 하부 바디(420)의 내측 저면에는 하부 공급 포트(422) 및 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 하부 공급 포트(422)는 하부 바디(420)의 중심축을 벗어나게 위치될 수 있다. 하부 공급 포트(422)는 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급하는 유로로 기능한다.The high-pressure chamber 410 forms a processing space 412 for processing the substrate W therein. The high-pressure chamber 410 seals the processing space 412 from the outside while processing the substrate W. The high-pressure chamber 410 includes a lower body 420 and an upper body 430. The lower body 420 has a rectangular cup shape with an open top. A lower supply port 422 and an exhaust port 426 are formed on the inner bottom surface of the lower body 420. The lower supply port 422 may be positioned out of the central axis of the lower body 420 as viewed from above. The lower supply port 422 serves as a flow path for supplying a supercritical fluid to the processing space 412.

상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)의 위에 위치된다. 상부 바디(430)는 사각의 판 형상으로 제공된다. 상부 바디(430)에는 상부 공급 포트(432)가 형성된다. 상부 공급 포트(432)는 처리 공간(412)에 초임계 유체가 공급되는 유로로 기능한다. 상부 공급 포트(432)는 상부 바디(430)의 중심에 일치되게 위치될 수 있다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 중심축이 서로 일치하는 위치에서, 그 하단이 하부 바디(420)의 상단과 마주보도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 각각은 금속 재질로 제공될 수 있다.The upper body 430 is combined with the lower body 420 to form a processing space 412 therein. The upper body 430 is positioned above the lower body 420. The upper body 430 is provided in a rectangular plate shape. An upper supply port 432 is formed in the upper body 430. The upper supply port 432 serves as a flow path for supplying supercritical fluid to the processing space 412. The upper supply port 432 may be positioned coincident with the center of the upper body 430. The upper body 430 may be provided such that the lower end thereof faces the upper end of the lower body 420 at a position where the lower body 420 and the central axis coincide with each other. According to an example, each of the upper body 430 and the lower body 420 may be made of a metal material.

기판 지지 유닛(440)은 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지한다. 도 5는 도 4의 기판 지지 유닛(440)을 보여주는 사시도이다. 도 5를 참조하면, 기판 지지 유닛(440)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 지지대(442) 및 기판 유지대(444)를 포함한다. 지지대(442)는 상부 바디(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 기판 유지대(444)는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(W)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 라운드진 플레이트 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 지지대의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다.The substrate support unit 440 supports the substrate W in the processing space 412. 5 is a perspective view showing the substrate supporting unit 440 of FIG. Referring to FIG. 5, the substrate supporting unit 440 supports the substrate W such that the processing surface of the substrate W faces upward. The substrate support unit 440 includes a support table 442 and a substrate support table 444. The support base 442 is provided in a bar shape extending downward from the bottom surface of the upper body 430. A plurality of supports 442 are provided. For example, the support base 442 may be four. The substrate holder 444 supports the bottom edge region of the substrate W. [ A plurality of substrate holding tables 444 are provided, each supporting a different area of the substrate W. For example, the number of the substrate holding tables 444 may be two. The substrate holder 444 is provided in a rounded plate shape when viewed from above. The substrate holder 444 is positioned inside the support when viewed from above. Each substrate holder 444 is provided to have a ring shape in combination with each other. Each of the substrate holders 444 is positioned apart from each other.

다시 도 4를 참조하면, 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 하나를 상하 바향으로 이동시킨다. 본 실시예에는 상부 바디(430)의 위치가 고정되고, 하부 바디(420)을 이동시켜 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절하는 것으로 설명한다. 선택적으로, 고정된 하부 바디(420)에 기판 지지 유닛(440)이 설치되고, 상부 바디(430)가 이동될 수 있다. 바디 승강 부재(450)는 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치가 개방 위치 및 밀폐 위치로 이동되도록 하부 바디(420)를 이동시킨다. 여기서 개방 위치는 처리 공간(412)이 외부와 서로 통하도록 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 이격되는 위치이고, 밀폐 위치는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 접촉되어 이들에 의해 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐하는 위치로 정의한다. 바디 승강 부재(450)는 하부 바디(420)를 승하강시켜 처리 공간(412)을 개방 또는 밀폐시킨다. 바디 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)를 서로 연결하는 복수 개의 승강 축들(452)을 포함한다. 승강 축들(452)은 하부 바디(420)의 상단과 상부 바디(430) 사이에 위치된다. 승강 축들(452)은 하부 바디(420)의 상단의 가장 자리를 따라 배열되게 위치된다. 각각의 승강 축(452)은 상부 바디(430)를 관통하여 하부 바디(420)의 상단에 고정 결합될 수 있다. 승강 축들(452)이 승강 또는 하강 이동함에 따라 하부 바디(420)의 높이가 변경되고, 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 거리를 조절할 수 있다.Referring again to FIG. 4, the body lifting member 450 adjusts the relative position between the upper body 430 and the lower body 420. The body lifting member 450 moves one of the upper body 430 and the lower body 420 up and down. The position of the upper body 430 is fixed and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 is adjusted by moving the lower body 420. In this embodiment, Alternatively, the substrate supporting unit 440 may be installed on the fixed lower body 420, and the upper body 430 may be moved. The body lifting member 450 moves the lower body 420 such that the relative position between the upper body 430 and the lower body 420 is moved to the opened position and the closed position. Here, the open position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 are spaced apart from each other such that the processing space 412 communicates with the outside, and the closed position is a position where the upper body 430 and the lower body 420 are in contact with each other Thereby defining the processing space 412 as a position for sealing from the outside. The body lifting member 450 moves up and down the lower body 420 to open or close the processing space 412. The body elevating member 450 includes a plurality of elevating shafts 452 connecting the upper body 430 and the lower body 420 to each other. The lifting axes 452 are located between the upper end of the lower body 420 and the upper body 430. The lifting axes 452 are arranged to be arranged along the edge of the upper end of the lower body 420. Each lifting shaft 452 can be fixedly coupled to the upper end of the lower body 420 through the upper body 430. The height of the lower body 420 can be changed and the distance between the upper body 430 and the lower body 420 can be adjusted as the lifting and lowering shafts 452 move up and down.

가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 가열 부재(460)는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터(460)로 제공될 수 있다. The heating member 460 heats the processing space 412. The heating member 460 heats the supercritical fluid supplied to the processing space 412 above the critical temperature to maintain it in the supercritical fluid phase. The heating member 460 may be embedded in the wall of at least one of the upper body 430 and the lower body 420. For example, the heating member 460 may be provided with a heater 460 that receives power from the outside and generates heat.

차단 부재(480)는 하부 공급 포트(474)로부터 공급되는 초임계 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 차단 부재(480)는 차단 플레이트(482) 및 지지대(484)를 포함한다. 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474)와 기판 지지 유닛(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(482)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(482)는 하부 바디(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트(482)는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대(484)는 차단 플레이트(482)를 지지한다. 지지대(484)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(482)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 지지대(484)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다. The blocking member 480 prevents the supercritical fluid supplied from the lower supply port 474 from being directly supplied to the non-processed surface of the substrate W. [ The blocking member 480 includes a blocking plate 482 and a support 484. The blocking plate 482 is positioned between the lower supply port 474 and the substrate support unit 440. The blocking plate 482 is provided to have a circular plate shape. The blocking plate 482 has a smaller diameter than the inner diameter of the lower body 420. The blocking plate 482 has a diameter that obscures both the lower supply port 474 and the exhaust port 426 when viewed from above. For example, the blocking plate 482 may be provided to have a diameter corresponding to, or larger than, the diameter of the substrate W. [ Support base 484 supports blocking plate 482. The supports 484 are provided in a plurality and are arranged along the circumferential direction of the shield plate 482. Each support base 484 is spaced apart from one another at regular intervals.

배기 유닛(470)은 처리 공간(412)의 분위기를 자연 배기한다. 처리 공간(412)에 발생된 공정 부산물은 배기 유닛(470)을 통해 배기된다. 또한 배기 유닛(470)은 공정 부산물을 배기하는 동시에, 처리 공간(412)의 압력을 조절 가능하다. 배기 유닛(470)은 배기 라인(472) 및 압력 측정 부재(474)를 포함한다. 배기 라인(472)은 배기 포트(426)에 연결된다. 배기 라인(472)에 설치된 배기 밸브(476)는 처리 공간(412)의 배기량을 조절 가능하다. 압력 측정 부재(474)는 배기 라인(472)에 설치되며, 배기 라인(472)의 압력을 측정한다. 압력 측정 부재(474)는 배기 방향에 대해 배기 밸브(476)보다 상류에 위치된다. The exhaust unit 470 naturally exhausts the atmosphere of the processing space 412. The process by-products generated in the process space 412 are exhausted through the exhaust unit 470. The exhaust unit 470 is also capable of controlling the pressure in the processing space 412 while exhausting the process by-products. The exhaust unit 470 includes an exhaust line 472 and a pressure measuring member 474. The exhaust line 472 is connected to the exhaust port 426. The exhaust valve 476 provided in the exhaust line 472 is capable of regulating the amount of exhaust in the processing space 412. The pressure measuring member 474 is installed in the exhaust line 472, and measures the pressure of the exhaust line 472. The pressure measuring member 474 is located upstream of the exhaust valve 476 with respect to the exhaust direction.

유체 공급 유닛(490)은 처리 공간(412)에 처리 유체를 공급한다. 처리 유체는 임계 온도 및 임계 압력에 의해 초임계 상태로 공급된다. 유체 공급 유닛(490)은 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494)을 포함한다. 상부 공급 라인(492)은 상부 공급 포트(432)에 연결된다. 처리 유체는 상부 공급 라인(492) 및 상부 공급 포트(432)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 상부 공급 라인(492)에는 상부 밸브(493)가 설치된다. 상부 밸브(493)는 상부 공급 라인(492)을 개폐한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)과 하부 공급 포트(422)를 서로 연결한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)으로부터 분기되어 하부 공급 포트(422)에 연결된다. 즉, 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494) 각각으로부터 공급되는 처리 유체는 동일한 종류의 유체일 수 있다. 처리 유체는 하부 공급 라인(494) 및 하부 공급 포트(422)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 하부 공급 라인(494)에는 하부 밸브(495)가 설치된다. 하부 밸브(495)는 하부 공급 라인(494)을 개폐한다.The fluid supply unit 490 supplies the processing fluid to the processing space 412. The treatment fluid is supplied in a supercritical state by the critical temperature and the critical pressure. The fluid supply unit 490 includes an upper supply line 492 and a lower supply line 494. The upper supply line 492 is connected to the upper supply port 432. The processing fluid is supplied to the processing space 412 through the upper supply line 492 and the upper supply port 432 in sequence. The upper supply line 492 is provided with an upper valve 493. The upper valve 493 opens and closes the upper supply line 492. The lower supply line 494 connects the upper supply line 492 and the lower supply port 422 to each other. The lower supply line 494 branches from the upper supply line 492 and is connected to the lower supply port 422. That is, the processing fluid supplied from each of the upper supply line 492 and the lower supply line 494 may be the same kind of fluid. The processing fluid is supplied to the processing space 412 through the lower supply line 494 and the lower supply port 422 in sequence. The lower supply line 494 is provided with a lower valve 495. The lower valve 495 opens and closes the lower supply line 494.

일 예에 의하면, 기판(W)의 비 처리면과 대향되는 하부 공급 포트(422)로부터 처리 유체가 공급되고, 이후에 기판(W)의 처리면과 대향되는 상부 공급 포트(432)로부터 처리 유체가 공급될 수 있다. 따라서 처리 유체는 하부 공급 라인(494)을 통해 처리 공간(412)으로 공급되고, 이후에 상부 공급 라인(492)을 통해 처리 공간(412)으로 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 처리 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(W)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다. The processing fluid is supplied from the lower supply port 422 opposed to the non-processing surface of the substrate W and is then supplied from the upper supply port 432 opposed to the processing surface of the substrate W, Can be supplied. Thus, the process fluid may be supplied to the process space 412 via the bottom feed line 494 and then to the process space 412 via the top feed line 492. [ This is to prevent the initially supplied processing fluid from being supplied to the substrate W with the critical pressure or the critical temperature not yet reached.

가스 공급 유닛(500)은 처리 공간(412)에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(500)은 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달될 때까지 퍼지 가스를 공급한다. 일 예에 의하면, 기설정 압력은 고압 챔버(410)의 외부 압력보다 높은 압력일 수 있다. 기설정 압력은 상압인 1Bar 보다 높은 압력일 수 있다. 가스 공급 유닛(500)은 퍼지 가스 라인(502)을 포함한다. 퍼지 가스 라인(502)은 하부 공급 라인(494)에 연결된다. 퍼지 가스 라인(502)과 하부 공급 라인(494)의 연결 지점은 하부 밸브(495)보다 하류에 위치된다. 퍼지 가스 라인(502)에는 가스 밸브(504)가 설치된다. 가스 밸브(504)는 퍼지 가스 라인(502)을 개폐한다. 예컨대, 퍼지 가스는 비활성 가스일 수 있다. 퍼지 가스는 질소 가스(N2)일 수 있다.The gas supply unit 500 supplies purge gas to the processing space 412. The gas supply unit 500 supplies the purge gas until the process space 412 reaches the preset pressure. According to one example, the predetermined pressure may be higher than the external pressure of the high-pressure chamber 410. [ The preset pressure may be higher than normal pressure, 1 Bar. The gas supply unit 500 includes a purge gas line 502. The purge gas line 502 is connected to the lower supply line 494. The connection point between the purge gas line 502 and the lower supply line 494 is located downstream of the lower valve 495. The purge gas line 502 is provided with a gas valve 504. The gas valve 504 opens and closes the purge gas line 502. For example, the purge gas may be an inert gas. The purge gas may be nitrogen gas (N 2 ).

흡입 유닛(510)은 처리 공간(412)의 분위기를 배출시킨다. 흡입 유닛(510)은 고압 챔버(410)의 외측에 위치된다. 도 6은 도 4의 흡입 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 4 및 도 6을 참조하면, 흡입 유닛(510)은 복수 개의 흡입 부재들(512)을 포함한다. 흡입 부재(512)들은 고압 챔버(410)에 인접하게 위치된다. 흡입 부재들(512)은 고압 챔버(410)의 주변을 감싸도록 위치된다. 각각의 흡입 부재(512)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 흡입 부재(512)는 상부 바디(430)와 하부 바디(420)가 서로 접촉되는 영역에 인접하게 위치된다. 본 실시예에는 흡입 부재(512)가 4 개로 제공되는 것으로 설명한다. 흡입 부재들(512) 중 2 개는 제1방향으로 서로 대향되게 위치되고, 다른 2 개는 제2방향으로 서로 대향되게 위치된다. 흡입 부재(512)는 기판(W)이 반출입되는 경로에 간섭되지 않는 높이에 위치될 수 있다. 흡입 부재들(512) 각각에는 슬릿 형상의 흡입홀이 형성된다. 선택적으로 흡입 부재(512)는 3 개로 제공되며, 기판(W)이 반출입되는 경로를 제외한 고압 챔버(410)의 나머지 측면들을 감싸도록 제공될 수 있다.The suction unit 510 discharges the atmosphere of the processing space 412. The suction unit 510 is located outside the high-pressure chamber 410. Figure 6 is a top view showing the suction unit of Figure 4; Referring to FIGS. 4 and 6, the suction unit 510 includes a plurality of suction members 512. The suction members 512 are positioned adjacent to the high-pressure chamber 410. The suction members 512 are positioned to surround the periphery of the high-pressure chamber 410. Each suction member 512 is positioned on the same plane. Each suction member 512 is positioned adjacent to an area where the upper body 430 and the lower body 420 are in contact with each other. In this embodiment, it is assumed that four suction members 512 are provided. Two of the suction members 512 are positioned facing each other in the first direction and the other two are positioned facing each other in the second direction. The suction member 512 can be positioned at a height that does not interfere with the path through which the substrate W is carried in and out. Each of the suction members 512 has a slit-shaped suction hole. Optionally, the suction member 512 is provided in three and may be provided to enclose the remaining sides of the high-pressure chamber 410 except for the path through which the substrate W is carried in and out.

제어기(550)는 유체 공급 유닛(490), 가스 공급 유닛(500), 그리고 배기 유닛(470)을 제어한다. 제어기(550)는 기판(W)을 2차 건조하기 위한 공정 처리 단계 및 후처리 단계가 진행되도록 각 유닛을 제어한다. 여기서 공정 처리 단계는 기판(W)을 초임계 유체로 처리하는 단계이고, 후처리 단계는 공정 처리 단계 이후에 수행되는 단계이다. 공정 처리 단계에서 처리 공간(412)을 밀폐하고 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급할 수 있다. 후처리 단계에는 처리 공간(412)의 유체를 배기하고, 이후에 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달할 때까지 처리 공간(412)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다. 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달되면, 처리 공간(412)을 일부 개방할 수 있다. 처리 공간(412)의 분위기는 일부 개방된 영역을 통해 처리 공간(412)의 외부로 배출되며, 이는 흡입 유닛(510)으로 배출될 수 있다. The controller 550 controls the fluid supply unit 490, the gas supply unit 500, and the exhaust unit 470. The controller 550 controls each unit so that the processing step and the post-processing step for secondary drying the substrate W are performed. Here, the processing step is a step of treating the substrate W with supercritical fluid, and the post-processing step is performed after the processing step. The processing space 412 may be closed and the supercritical fluid may be supplied to the processing space 412 in the processing step. The post-treatment step can drain the fluid in the processing space 412 and then supply the purge gas to the processing space 412 until the processing space 412 reaches a preset pressure. When the processing space 412 reaches the predetermined pressure, the processing space 412 can be partially opened. The atmosphere of the processing space 412 is exhausted to the outside of the processing space 412 through a part of the open area, which can be discharged to the suction unit 510.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. 도 7은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정에서 처리 공간의 압력 변화를 보여주는 그래프이고, 도 8 내지 도 11은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 단면도들이다. 도 7 내지 도 11을 참조하면, 기판 처리 방법은 공정 처리 단계, 배기 단계, 가스 공급 단계, 그리고 개방 단계가 순차적으로 진행된다. 공정 처리 단계에는 처리 공간(412)이 외부로부터 밀폐된 상태에서 하부 공급 포트(422)를 통해 초임계 유체가 공급된다. 처리 공간(412)이 임계 온도 및 임계 압력에 도달되면, 하부 공급 포트(422)의 유체 공급을 중지하고 상부 공급 포트(432)를 통해 유체 공급이 시작된다. 공정 처리 단계가 완료되면, 후처리 단계가 진행된다. Next, a method of processing the substrate W by using the above-described substrate processing apparatus will be described. FIG. 7 is a graph showing a change in pressure of a processing space in the process of processing a substrate using the apparatus of FIG. 4, and FIGS. 8 to 11 are cross-sectional views illustrating a process of processing a substrate using the apparatus of FIG. Referring to FIGS. 7 to 11, the substrate processing method includes a process step, an evacuation step, a gas supply step, and an open step. In the processing step, the supercritical fluid is supplied through the lower supply port 422 with the processing space 412 sealed from the outside. When the processing space 412 reaches the critical temperature and the critical pressure, the supply of the fluid to the lower supply port 422 is stopped and the supply of the fluid is started through the upper supply port 432. When the processing step is completed, the post-processing step is performed.

배기 단계에는 처리 공간(412)에 잔류 유체를 배기한다. 배기 단계가 진행되면, 처리 공간(412)의 분위기는 배기 유닛(470)을 통해 배기된다. 배기 단계에는 처리 공간(412)이 배기 압력에 도달될 때까지 처리 공간(412)의 분위기를 배기한다. 배기 압력은 상압 및 고압 챔버(410)의 외부와 대응되는 압력일 수 있다. In the evacuation step, the residual fluid is evacuated to the processing space 412. When the evacuation step proceeds, the atmosphere in the processing space 412 is evacuated through the evacuation unit 470. In the evacuation step, the atmosphere in the processing space 412 is evacuated until the processing space 412 reaches the evacuation pressure. The exhaust pressure may be the atmospheric pressure and the pressure corresponding to the outside of the high-pressure chamber 410.

배기 단계가 완료되면 배기 유닛(470)을 통해 배기는 중지되며, 가스 공급 단계를 진행한다. 가스 공급 단계에는 처리 공간(412)에 퍼지 가스를 공급한다. 가스 공급 단계에는 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달될 때까지 퍼지 가스를 공급한다. 가스가 공급되는 중에는 배기 유닛(470)을 통한 배기를 중지한다. 여기서 기설정 압력은 고압 챔버(410)의 외부 압력보다 높은 압력일 수 있다. 기설정 압력은 상압인 1Bar보다 높은 압력일 수 있다. When the evacuation step is completed, the evacuation is stopped through the evacuation unit 470, and the gas supply step is performed. In the gas supply step, purge gas is supplied to the processing space 412. In the gas supply step, the purge gas is supplied until the processing space 412 reaches the preset pressure. While the gas is being supplied, the exhaust through the exhaust unit 470 is stopped. The preset pressure may be higher than the external pressure of the high-pressure chamber 410. The preset pressure may be higher than normal pressure, 1 Bar.

가스 공급 단계가 완료되면, 개방 단계를 진행한다. 개방 단계에는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)는 밀폐 위치에서 개방 위치로 이동된다. 처리 공간(412)이 개방됨에 따라 처리 공간(412)과 이의 외부 압력 차로 인해 처리 공간(412)의 분위기는 외부로 배출된다. 처리 공간(412)의 분위기는 퍼지 가스 및 잔류 처리 유체를 포함할 수 있다. 처리 공간(412)의 분위기가 완전 배출되면, 기판(W)은 언로딩된다.When the gas supply step is completed, the opening step is carried out. In the opening step, the upper body 430 and the lower body 420 are moved from the closed position to the open position. As the processing space 412 is opened, the atmosphere of the processing space 412 is discharged to the outside due to the processing space 412 and an external pressure difference therebetween. The atmosphere in the process space 412 may include a purge gas and a residual process fluid. When the atmosphere in the processing space 412 is completely exhausted, the substrate W is unloaded.

상술한 실시예에는 처리 공간(412)을 개방하기 전에, 처리 공간(412)을 상압보다 높은 기설정 압력으로 유지한다. 이로 인해 처리 공간(412)을 개방하는 과정에서 외부의 파티클 및 외부의 기류가 유입되는 것을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, the processing space 412 is maintained at a preset pressure higher than the atmospheric pressure before the processing space 412 is opened. Accordingly, it is possible to prevent the inflow of the external particles and the external air flow in the process of opening the processing space 412.

또한 처리 공간(412)을 개방하기 전에, 처리 공간(412)을 상압보다 높은 기설정 압력으로 유지하므로, 처리 공간(412)이 개방되는 중에 처리 공간(412)의 부피가 급격하기 늘어남에 따라 처리 공간(412)의 압력이 이의 외부 압력보다 낮아지는 것을 방지하기 위함이다.Since the processing space 412 is maintained at a preset pressure higher than the atmospheric pressure before the processing space 412 is opened, the volume of the processing space 412 is suddenly increased while the processing space 412 is opened, To prevent the pressure of the space 412 from becoming lower than its external pressure.

또한 본 실시예에는 퍼지 가스 라인(502)이 하부 공급 라인(494)에 연결되는 것으로 설명하였다. 그러나 본 실시예에는 이에 한정되지 않으며, 도 12와 같이 퍼지 가스 라인(502)은 상부 공급 라인(492)에 연결될 수 있다.It is also described in this embodiment that the purge gas line 502 is connected to the lower supply line 494. However, the present embodiment is not limited to this, and the purge gas line 502 may be connected to the upper supply line 492 as shown in FIG.

또한 퍼지 가스 라인(502)은 도 13과 같이 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494) 각각에 연결될 수 있다.The purge gas line 502 may also be connected to the upper supply line 492 and the lower supply line 494, respectively, as shown in FIG.

410: 고압 챔버 440: 기판 지지 유닛
450: 바디 승강 부재 460: 가열 부재
480: 차단 부재 470: 배기 유닛
490: 유체 공급 유닛 500: 가스 공급 유닛
510: 흡입 유닛 550: 제어기410: high pressure chamber 440: substrate support unit
450: body lift member 460: heating member
480: blocking member 470: exhaust unit
490: fluid supply unit 500: gas supply unit
510: Suction unit 550: Controller

Claims (9)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판의 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 가지는 고압 챔버와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과;
상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 처리 공간의 유체를 배기시키는 배기 유닛과;
상기 고압 챔버의 외측에 위치되며, 상기 처리 공간의 분위기를 배출시키는 흡입 유닛과;
상기 유체 공급 유닛, 상기 가스 공급 유닛, 그리고 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 제어기는 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 공정이 완료되면 상기 배기 유닛을 통해 상기 처리 공간의 처리 유체를 배기하고, 이후에 상기 처리 공간이 상기 고압 챔버의 외부 압력보다 높은 기설정 압력이 될 때까지 상기 처리 공간에 퍼지 가스를 공급하고, 상기 처리 공간이 상기 기설정 압력인 상태에서 상기 처리 공간을 개방하며,
상기 배기 유닛은 상기 고압 챔버에 연결되어 상기 처리 공간의 처리 유체를 배기하는 배기 라인을 포함하며,
상기 고압 챔버는,
상부 바디와;
상기 상부 바디의 아래에 위치되며, 상기 상부 바디와 조합되어 내부에 상기 처리 공간을 형성하는 하부 바디를 포함하고,
상기 흡입 유닛은 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 서로 접촉되는 영역에 인접하게 위치되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate,
A high pressure chamber having a processing space in which a processing process of the substrate is performed;
A support unit for supporting the substrate in the processing space;
A fluid supply unit for supplying a processing fluid to the processing space;
A gas supply unit for supplying a purge gas to the processing space;
An exhaust unit for exhausting the fluid in the processing space;
A suction unit located outside the high-pressure chamber and discharging the atmosphere of the processing space;
And a controller for controlling the fluid supply unit, the gas supply unit, and the exhaust unit,
The controller exhausts the processing fluid in the processing space through the exhaust unit when the processing space is closed and the processing space is then exhausted when the processing space is higher than the external pressure of the high pressure chamber Supplying the purge gas to the processing space, opening the processing space with the processing space being the predetermined pressure,
Wherein the exhaust unit includes an exhaust line connected to the high-pressure chamber for exhausting the processing fluid in the processing space,
The high-
An upper body;
And a lower body located below the upper body and combined with the upper body to form the processing space therein,
Wherein the suction unit is located adjacent to an area where the upper body and the lower body are in contact with each other. 제1항에 있어서,
상기 유체 공급 유닛은 상기 고압 챔버의 하벽을 통해 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 하부 공급 라인을 포함하고,
상기 가스 공급 유닛은 상기 하부 공급 라인에 연결된 퍼지 가스 라인을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the fluid supply unit includes a lower supply line for supplying a processing fluid to the processing space through a lower wall of the high-pressure chamber,
Wherein the gas supply unit comprises a purge gas line connected to the lower supply line. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 흡입 유닛은,
복수 개로 제공되며, 동일 평면 상에 위치되는 흡입 부재들을 포함하되,
상기 흡입 부재들은 상기 고압 챔버를 감싸도록 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The suction unit includes:
A plurality of suction members positioned coplanarly,
Wherein the suction members are positioned to surround the high-pressure chamber. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
밀폐된 상기 처리 공간을 상압보다 높은 고압으로 형성하고, 상기 처리 유체를 공급하여 상기 처리 공간 내의 기판을 처리하는 공정 처리 단계와;
상기 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 단계와;
상기 처리 공간이 상기 처리 공간의 외부 압력보다 높은 기설정 압력에 도달될 때까지 상기 처리 공간에 상기 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 단계와;
상기 처리 공간이 상기 기설정된 압력인 상태에서 상기 처리 공간을 개방하는 개방 단계를 포함하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 1,
A processing step of forming the closed processing space at a higher pressure than the normal pressure and processing the substrate in the processing space by supplying the processing fluid;
An exhausting step of exhausting the atmosphere of the processing space;
A gas supply step of supplying the purge gas to the processing space until the processing space reaches a preset pressure higher than the external pressure of the processing space;
And opening the processing space with the processing space at the preset pressure. 삭제delete 제6항에 있어서,
상기 가스 공급 단계에는 상기 처리 공간의 분위기 배기를 중지하는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the gas supply step stops the atmosphere exhaust of the processing space. 제6항 또는 제8항에 있어서,
상기 배기 단계에는 상기 처리 공간이 배기 압력에 도달될 때까지 상기 처리 공간의 분위기를 배기하되,
상기 배기 압력은 상기 처리 공간의 외부 압력과 동일한 압력 또는 상압으로 제공되는 기판 처리 방법.
9. The method according to claim 6 or 8,
Exhausting the atmosphere of the processing space until the processing space reaches the exhaust pressure,
Wherein the exhaust pressure is provided at the same pressure or atmospheric pressure as the external pressure of the processing space.
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