KR101591959B1

KR101591959B1 - Substrate treating apparatus and method

Info

Publication number: KR101591959B1
Application number: KR1020140007314A
Authority: KR
Inventors: 정인일; 김우영; 이영일; 김붕
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-11-29
Filing date: 2014-01-21
Publication date: 2016-02-18
Also published as: KR20150062906A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내의 압력을 측정하는 압력 측정기, 상기 압력 측정기로부터 측정된 압력값을 전송받고, 상기 공정 챔버의 내부의 개방 시기를 결정하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 공정 챔버 내 압력값이 기설정된 개방압력에 도달한 시점부터 설정 조건이 경과되면 상기 공정 챔버의 내부를 개방할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber for performing a predetermined process on a substrate, a pressure meter for measuring a pressure in the process chamber, a pressure value measured from the pressure meter, The controller may open the inside of the process chamber when a set condition has elapsed from a time point at which the pressure value in the process chamber reaches a predetermined opening pressure.

Description

[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same.

반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 최근에는, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서 초임계유체를 이용하여 기판을 건조시키는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 이용되고 있다. 초임계유체란 임계온도와 임계압력 이상에서 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 유체로서, 확산력과 침투력이 뛰어나고, 용해력이 높으며, 표면장력이 거의 없어 기판의 건조에 매우 유용하게 사용될 수 있다. Semiconductor devices are fabricated by forming circuit patterns on a substrate through various processes including photolithography. Recently, a supercritical drying process for drying a substrate using a supercritical fluid has been used for a semiconductor device having a line width of 30 nm or less. Supercritical fluid is a fluid having both gas and liquid properties at both critical temperature and critical pressure. It is excellent in diffusion and penetration, has high solubility, and has very little surface tension, so it can be very useful for drying substrates.

그런데 이와 같은 초임계공정을 수행하는 공정챔버는 고압의 초임계상태를 유지할 수 있어야 한다. 이에 따라 고압 상태의 공정 수행 후에, 공정 챔버 내부의 압력이 외부 압력과 동일해지면 공정 챔버를 개방한다. 그러나, 외부 압력과 동일해진 후 공정 챔버를 바로 개방하면, 공정 챔버 내 잔류하는 이산화탄소 및 유기용매의 잔류물 등이 충분히 배기되지 못한 상태로 공정 챔버가 개방된다. 따라서 이산화탄소 및 유기용매 잔류물이 도어를 통해 공정챔버 외부로 배출된다. 이러한 이산화탄소 및 유기용매 잔류물은 공정챔버의 외부 환경을 오염시키고, 파티클로 작용하여 후속 공정에 영향을 미친다.However, the process chamber for performing the supercritical process should be able to maintain a supercritical state at a high pressure. Accordingly, after the high-pressure process is performed, the process chamber is opened when the pressure inside the process chamber becomes equal to the external pressure. However, if the process chamber is opened immediately after it becomes equal to the external pressure, the process chamber is opened in a state where the remaining carbon dioxide and organic solvent remaining in the process chamber are not sufficiently exhausted. Thus, the carbon dioxide and organic solvent residues are discharged through the door to the outside of the process chamber. These carbon dioxide and organic solvent residues contaminate the external environment of the process chamber and act as particles to affect subsequent processes.

본 발명은 하우징 내 역오염을 최소화하는 기판 처리 장치를 일 목적으로 한다.The object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus which minimizes reverse contamination in a housing.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내의 압력을 측정하는 압력 측정기, 상기 압력 측정기로부터 측정된 압력값을 전송받고, 상기 공정 챔버의 내부의 개방 시기를 결정하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 공정 챔버 내 압력값이 기설정된 개방압력에 도달한 시점부터 설정 조건이 경과되면 상기 공정 챔버의 내부를 개방할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber for performing a predetermined process on a substrate, a pressure meter for measuring a pressure in the process chamber, a pressure value measured from the pressure meter, The controller may open the inside of the process chamber when a set condition has elapsed from a time point at which the pressure value in the process chamber reaches a predetermined opening pressure.

상기 소정의 공정은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이고, 상기 설정 조건은 상기 개방압력에 도달한 시점부터 설정 시간이 경과된 것일 수 있다.The predetermined process may be a process of processing a substrate using a supercritical fluid, and the set condition may be one in which the set time has elapsed from when the open pressure is reached.

상기 설정 시간은 약 1초 이상 약 60초 이하의 시간일 수 있다.The set time may be about 1 second or more and about 60 seconds or less.

상기 개방압력은 상압과 동일한 압력일 수 있다.The open pressure may be equal to atmospheric pressure.

상기 기판 처리 장치는 상기 공정 챔버 내부의 가스를 상기 공정 챔버의 외부로 배기시키는 제 1 배기라인을 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a first exhaust line for exhausting gas inside the process chamber to the outside of the process chamber.

상기 기판 처리 장치는, 상기 제 1 배기라인 상에서 분기되는 제 2 배기라인, 상기 제 2 배기라인 상에 설치되는 감압 펌프를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 공정 챔버 내 압력값이 기설정된 상기 개방압력에 도달한 시점부터 상기 감압 펌프로 상기 공정 챔버 내부의 상기 가스를 배출시키도록 제어할 수 있다.Wherein the substrate processing apparatus further includes a second exhaust line that is branched on the first exhaust line, and a depressurization pump installed on the second exhaust line, wherein the controller determines that the pressure value in the process chamber is less than a predetermined opening pressure It is possible to discharge the gas inside the process chamber with the decompression pump.

상기 제어기는 상기 공정 챔버 내 압력값이 상기 개방압력보다 낮은 압력까지 떨어진 이후에 다시 상기 개방압력까지 상승하면 상기 공정 챔버 내부를 개방할 수 있다.The controller may open the interior of the process chamber when the pressure value in the process chamber has fallen to a pressure lower than the opening pressure and then rises to the opening pressure again.

상기 소정의 공정은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이고, 상기 설정 조건은 상기 개방압력보다 낮은 압력까지 떨어진 이후에 다시 상기 개방압력까지 상승한 것일 수 있다.The predetermined process may be a process of processing a substrate using a supercritical fluid, and the set condition may be one that has risen to the opening pressure again after falling to a pressure lower than the opening pressure.

상기 기판 처리 장치는 상기 공정 챔버 내부의 가스를 상기 공정 챔버의 외부로 배출시키는 제 1 배기라인을 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a first exhaust line for exhausting gas inside the process chamber to the outside of the process chamber.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 공정 챔버 내에서 공정 완료 후 상기 공정 챔버 내부를 개방하며, 상기 공정 챔버 내부의 개방은 상기 공정 챔버 내부의 압력을 측정하여 상기 공정 챔버 내부의 압력값이 기설정된 개방압력에 도달한 시점부터 설정 조건이 경과된 후 이루어질 수 있다.In the method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention, the inside of the processing chamber is opened after completion of the process in the processing chamber, and the opening of the inside of the processing chamber measures the pressure inside the processing chamber, It can be made after the set condition has elapsed from the time when the pressure value reaches the predetermined open pressure.

상기 공정 챔버 내부의 압력값이 상기 개방압력보다 낮은 압력까지 떨어진 이후에 다시 상기 개방압력까지 상승하면 상기 공정 챔버 내부를 개방할 수 있다.When the pressure value inside the process chamber drops to a pressure lower than the opening pressure and then rises to the opening pressure again, the inside of the process chamber can be opened.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 하우징 내 역오염을 최소화하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus that minimizes reverse contamination in a housing can be provided.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여준다.
도 2는 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 5는 도 4의 제2공정챔버의 다른 실시예의 단면도이다.
도 6은 설정 조건의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 7은 설정 조건의 다른 예를 보여주는 그래프이다.
도 8은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 9 내지 도 14는 도 8의 기판 처리 방법에 따른 동작도이다.FIG. 1 shows a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus.
Figure 3 is a cross-sectional view of the first process chamber of Figure 2;
Figure 4 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of Figure 2;
Figure 5 is a cross-sectional view of another embodiment of the second process chamber of Figure 4;
6 is a graph showing an example of setting conditions.
7 is a graph showing another example of the setting condition.
8 is a flowchart of one embodiment of a substrate processing method.
9 to 14 are operation diagrams according to the substrate processing method of FIG.

본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms and accompanying drawings used herein are for the purpose of illustrating the present invention easily, and the present invention is not limited by the terms and drawings.

본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.The detailed description of known techniques which are not closely related to the idea of the present invention among the techniques used in the present invention will be omitted.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판처리장치(100)는 초임계유체를 공정유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process of processing the substrate S using a supercritical fluid as a process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a comprehensive concept that includes all semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other substrates used in the manufacture of circuit patterns on thin films. Examples of such a substrate S include silicon wafers, various wafers, glass substrates, organic substrates, and the like.

초임계유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. The supercritical fluid means a phase having gas and liquid properties simultaneously formed when a supercritical state exceeding a critical temperature and a critical pressure is reached. The supercritical fluid has a molecular density close to a liquid and a viscosity close to that of a gas. Thus, the supercritical fluid has excellent diffusion, penetration and dissolving power and is advantageous for a chemical reaction and has no surface tension. .

초임계공정은 이러한 초임계유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계건조공정과 초임계식각공정이 있다. 이하에서는 초임계공정에 관하여 초임계건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리장치(100)는 초임계건조공정 이외의 다른 초임계공정을 수행할 수 있다. The supercritical process is performed using the characteristics of the supercritical fluid. Typical examples thereof include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical drying process will be described with reference to the supercritical drying process. However, since this is merely for ease of explanation, the substrate processing apparatus 100 can perform a supercritical process other than the supercritical drying process.

초임계건조공정은 초임계유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계건조공정에 이용되는 초임계유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process can be performed by dissolving the organic solvent remaining in the circuit pattern of the substrate S as a supercritical fluid and drying the substrate S, There are advantages to be able to. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a substance having miscibility with an organic solvent can be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO2) can be used as a supercritical fluid.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.1 is a graph showing the phase change of carbon dioxide.

이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다. The carbon dioxide has a critical temperature of 31.1 ° C. and a relatively low critical pressure of 7.38 Mpa, which makes it easy to form a supercritical state, and it is easy to control the phase change by controlling the temperature and the pressure, and is cheap. In addition, since carbon dioxide has no toxicity and is harmless to human body, it has the characteristics of nonflammability and inertness. Supercritical carbon dioxide has a diffusion coefficient of about 10 to 100 times that of water and other organic solvents, Has a property of being advantageous to be used for drying a substrate (S) having a fine circuit pattern because the solvent is replaced quickly and the surface tension is low. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and at the same time, it can be used in a supercritical drying process, converted into gas, and then separated and reused.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 초임계건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 2는 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.Fig. 2 is a plan view of one embodiment of the substrate processing apparatus 100. Fig.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a processing module 2000.

인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 transfers the substrate S from the outside and transfers the substrate S to the process module 2000. The process module 2000 can perform the supercritical drying process.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 includes a load port 1100 and a transfer frame 1200 as an equipment front end module (EFEM).

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.The load port 1100 is provided with a container C in which the substrate S is accommodated. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C can be carried from the outside to the load port 1100 or taken out from the load port 1100 by an overhead transfer (OHT).

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 moves on the index rail 1220 and can transport the substrate S. [

공정모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000 as a module for actually performing a process.

버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정챔버(3000)나 제2공정챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space for temporarily holding the substrate S conveyed between the index module 1000 and the processing module 2000. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot in which the substrate S is placed. For example, the index robot 1210 can pull the substrate S out of the container C and place it in the buffer slot, and the transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 can transfer the substrate S placed in the buffer slot And can return it to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. The buffer chamber 2100 may be provided with a plurality of buffer slots so that a plurality of substrates S can be placed.

이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 carries the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 disposed therearound. The transfer chamber 2200 may include a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 moves on the transfer rail 2220 and can transfer the substrate S.

제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 세정공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정공정은 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)에서는 세정공정 중 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정이 수행되고, 뒤이어 제2공정챔버(4000)에서는 초임계건조공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 can perform a cleaning process. At this time, the cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. For example, in the first process chamber 3000, a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process may be performed in the cleaning process, and a supercritical drying process may be performed in the second process chamber 4000.

이러한 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed on opposite sides of the transfer chamber 2200 to face each other.

또한, 공정모듈(2000)에는 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정챔버들(3000, 4000)은 이송챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In the process module 2000, a plurality of first process chambers 3000 and a plurality of second process chambers 4000 may be provided. The plurality of process chambers 3000 and 4000 may be arranged in a line on the side of the transfer chamber 2200, or may be stacked on top of each other, or a combination thereof.

물론, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판처리장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above example, and may be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100, have.

이하에서는 제1공정챔버(3000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber 3000 will be described.

도 3은 도 2의 제1공정챔버(3000)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first process chamber 3000 of FIG.

제1공정챔버(3000)는 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1공정챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스공정은 기판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The first process chamber 3000 may perform a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process. Of course, the first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing foreign substances on the substrate S by providing a cleaning agent on the substrate S, and the rinsing process is a process of rinsing the cleaning agent remaining on the substrate S by providing a rinsing agent on the substrate , The organic solvent process is a process of replacing the rinsing agent remaining between the circuit patterns of the substrate (S) with an organic solvent having a low surface tension by providing an organic solvent on the substrate (S).

도 3을 참조하면, 제1공정챔버(3000)는 지지부재(3100), 노즐부재(3200) 및 회수부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지부재(3100)는 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다. The support member 3100 supports the substrate S and can rotate the supported substrate S. [ The support member 3100 may include a support plate 3110, a support pin 3111, a picking pin 3112, a rotation axis 3120, and a rotation driver 3130.

지지플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 형성된다. 지지핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has an upper surface having the same or similar shape as the substrate S and a support pin 3111 and a hooking pin 3112 are formed on the upper surface of the support plate 3110. The support pins 3111 support the substrate S and the processing pins 3112 can fix the supported substrate S. [

지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결된다. 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. A rotation shaft 3120 is connected to a lower portion of the support plate 3110. The rotary shaft 3120 receives the rotational force from the rotary actuator 3130 and rotates the support plate 3110. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 can be rotated. At this time, the machining pin 3112 can prevent the substrate S from deviating from the correct position.

노즐부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐부재(3200)는 노즐(3210), 노즐바(3220), 노즐축(3230) 및 노즐축구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 ejects the medicament onto the substrate S. The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle axis 3230, and a nozzle soccer motive 3240.

노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 ejects the medicament onto the substrate S that is seated on the support plate 3110. The medicament may be a detergent, a rinsing agent or an organic solvent. As the detergent, a hydrogen peroxide (H 2 O 2) solution or a hydrogen peroxide solution mixed with ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl) or sulfuric acid (H 2 SO 4) or a hydrofluoric acid solution may be used. In addition, pure water can be used as the rinsing agent. Examples of the organic solvent include isopropyl alcohol, ethyl glycol, propanol, tetrahydrofuran, 4-hydroxy, 4-methyl, A solution of 2-pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol or dimethylether Gas may be used.

이러한 노즐(3210)은 노즐바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐바(3220)는 노즐축(3230)에 결합되며, 노즐축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐축구동기(3240)는 노즐축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. This nozzle 3210 is formed on the bottom surface of the nozzle bar 3220 at one end. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle shaft 3230, and the nozzle shaft 3230 is provided to be able to lift or rotate. The nozzle synchronization 3240 may adjust the position of the nozzle 3210 by moving the nozzle axis 3230 up or down.

회수부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the medicine supplied to the substrate S. The support member 3100 can rotate the substrate S and uniformly supply the medicament to the entire area of the substrate S when the medicament is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200. [ When the substrate S is rotated, the medicine is scattered from the substrate S, and the medicine to be scattered can be recovered by the recovering member 3300.

회수부재(3300)는 회수통(3310), 회수라인(3320), 승강바(3330) 및 승강구동기(3340)를 포함할 수 있다. The collecting member 3300 may include a collecting box 3310, a collecting line 3320, a lifting bar 3330,

회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The recovery cylinder 3310 is provided in the form of an annular ring surrounding the support plate 3110. A plurality of the collection bins 3310 may be provided in a ring shape away from the support plate 3110 in order from the top and a plurality of collection bins 3310 provided at a distance from the support plate 3110 3310) is provided so that its height is higher. Thus, a collection port 3311 through which the medicine scattered from the substrate S flows into the space between the collection tubes 3310 is formed.

회수통(3310)의 하면에는 회수라인(3320)이 형성된다. 회수라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A collection line 3320 is formed on the lower surface of the collection box 3310. The recovery line 3320 supplies the recovered medicines to the medicament regeneration system (not shown) for regenerating medicines.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the recovery bottle 3310 and receives the power from the lifting base 3340 to move the recovery bottle 3310 up and down. The elevating bar 3330 may be connected to a waste collection box 3310 disposed at the outermost position when the collection box 3310 is plural. The elevator shaft synchronizer 3340 can control the withdrawal port 3311 through which the scattering agent 3310 flows in the plurality of withdrawal ports 3311 through the lifting bar 3330.

이하에서는 제2공정챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the second process chamber 4000 will be described.

제2공정챔버(4000)는 초임계유체를 이용하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2공정챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. Of course, as described above, the process performed in the second process chamber 4000 may be a supercritical process other than the supercritical drying process.

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 4는 도 2의 제2공정챔버(4000)의 일 실시예의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber 4000 of FIG.

도 4를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 승강부재(4200), 지지부재(4300), 가열부재(4400), 공급포트(4500), 차단부재(4600), 배기포트(4700), 압력 측정기(4800), 그리고 제어기(4900)를 포함할 수 있다.4, the second process chamber 4000 includes a housing 4100, an elevating member 4200, a supporting member 4300, a heating member 4400, a supply port 4500, a blocking member 4600, A port 4700, a pressure gauge 4800, and a controller 4900.

하우징(4100)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 4100 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 4100 is provided with a material capable of withstanding a high pressure exceeding a critical pressure.

하우징(4100)은 상부하우징(4110)과 상부하우징(4110)의 하부에 배치되는 하부하우징(4120)을 구비하여 상하부로 구분되는 구조로 제공될 수 있다. The housing 4100 may be provided with an upper housing 4110 and a lower housing 4120 disposed below the upper housing 4110 to be divided into upper and lower portions.

상부하우징(4110)은 고정되어 설치되며, 하부하우징(4120)은 승강할 수 있다. 하부하우징(4120)이 하강하여 상부하우징(4110)으로부터 이격되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부하우징(4120)이 상승하여 상부하우징(4110)에 밀착되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부하우징(4120)이 고정되어 설치되고, 상부하우징(4110)이 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper housing 4110 is fixed and the lower housing 4120 can be raised and lowered. When the lower housing 4120 is lowered and separated from the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is opened, the substrate S is carried into the inner space of the second process chamber 4000, . Here, the substrate S to be transferred to the second process chamber 4000 may be in a state where the organic solvent remains in the first process chamber 3000 through the organic solvent process. When the lower housing 4120 rises and comes into close contact with the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is sealed, and the supercritical drying process can be performed therein. Of course, unlike the above-described example, the lower housing 4120 may be fixedly installed in the housing 4100, and the upper housing 4110 may be vertically moved.

승강부재(4200)는 하부하우징(4120)을 승강시킨다. 승강부재(4200)는 승강실린더(4210) 및 승강로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강실린더(4210)는 하부하우징(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(4210)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)을 밀착시켜 제2공정챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부하우징(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(4210)와 승강로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(4210)에 결합된 하부하우징(4120)이 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(4210)에 의해 하부하우징(4120)이 승강하는 동안 승강로드(4220)는 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating member 4200 moves the lower housing 4120 up and down. The elevating member 4200 may include a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower housing 4120 to generate a vertical driving force, that is, a lifting force. The elevating cylinder 4210 is operated so that the supercritical drying process is performed while the high pressure equal to or higher than the critical pressure inside the second process chamber 4000 is obtained and the upper and lower housings 4110 and 4120 are brought into close contact with each other, ) To a degree sufficient to seal the opening. One end of the lifting rod 4220 is inserted into the lifting cylinder 4210 and extends vertically upward, and the other end is coupled to the upper housing 4110. When the driving force is generated in the lifting cylinder 4210 according to this structure, the lifting cylinder 4210 and the lifting rod 4220 are relatively lifted and the lower housing 4120 coupled to the lifting cylinder 4210 can be lifted and lowered. The lifting rod 4220 prevents the upper housing 4110 and the lower housing 4120 from moving in the horizontal direction while the lower housing 4120 is lifted and lowered by the lifting cylinder 4210, It is possible to prevent the housing 4110 and the lower housing 4120 from deviating from each other at a predetermined position.

지지부재(4300)는 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)의 사이에 기판(S)을 지지한다. 지지부재(4300)는 상부하우징(4110)의 하면에 설치되어 수직하방으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 수직하게 절곡되는 구조로 제공될 수 있다. 이에 따라 지지부재(4300)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이처럼 지지부재(4300)가 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하므로 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. 또, 지지부재(4300)는 고정되어 설치되는 상부하우징(4110)이 설치되므로 하부하우징(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. The support member 4300 supports the substrate S between the upper housing 4110 and the lower housing 4120. The support member 4300 may be provided on the lower surface of the upper housing 4110 and extend vertically downward, and may be provided with a structure that is bent perpendicularly in the horizontal direction at the lower end thereof. Accordingly, the support member 4300 can support the edge region of the substrate S. [ Since the support member 4300 contacts the edge region of the substrate S and supports the substrate S as described above, the supercritical drying process can be performed on the entire upper surface and most of the lower surface of the substrate S. Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface thereof may be a non-pattern surface. In addition, since the support member 4300 is provided with the fixed upper housing 4110, the substrate S can be relatively stably supported while the lower housing 4120 is lifted and lowered.

이처럼 지지부재(4300)가 설치되는 상부하우징(4110)에는 수평조정부재(4111)이 설치될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 상부하우징(4110)의 수평도(水平度)을 조정한다. 상부하우징(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(4111)에 설치된 지지부재(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부하우징(4110)이 승강되고 하부하우징(4120)이 고정되어 설치되거나 지지부재(4300)가 하부하우징(4120)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(4111)는 하부하우징(4120)에 설치될 수도 있을 것이다.The horizontal adjustment member 4111 may be installed on the upper housing 4110 in which the support member 4300 is installed. The horizontal adjustment member 4111 adjusts the horizontality of the upper housing 4110. When the horizontal degree of the upper housing 4110 is adjusted, the horizontal position of the substrate S mounted on the support member 4300 installed on the upper housing 4111 can be adjusted. In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows along the inclined surface to dry or overdry a specific portion of the substrate S, . The horizontal adjustment member 4111 can align the substrate S to prevent this problem. When the upper housing 4110 is elevated and the lower housing 4120 is fixed or the support member 4300 is installed on the lower housing 4120, .

가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(4400)는 상부하우징(4110) 및 하부하우징(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 이러한 가열부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 4400 heats the interior of the second process chamber 4000. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 to a supercritical fluid or to supercritical fluid if it is liquefied. The heating member 4400 may be embedded in the wall of at least one of the upper housing 4110 and the lower housing 4120. [ Such a heating member 4400 may be provided, for example, as a heater which receives power from the outside and generates heat.

공급포트(4500)는 제2공정챔버(4000)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(4500)는 초임계유체를 공급하는 공급라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트(4500)에는 공급라인(4550)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 4500 supplies the supercritical fluid to the second process chamber 4000. The supply port 4500 may be connected to a supply line 4550 that supplies supercritical fluid. At this time, the supply port 4500 may be provided with a valve for regulating the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply line 4550.

공급포트(4500)는 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)를 포함할 수 있다. 상부공급포트(4510)는 상부하우징(4110)에 형성되어 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(4520)는 하부하우징(4120)에 형성되어 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The supply port 4500 may include an upper supply port 4510 and a lower supply port 4520. An upper supply port 4510 is formed in the upper housing 4110 to supply the supercritical fluid to the upper surface of the substrate S supported by the support member 4300. The lower supply port 4520 is formed in the lower housing 4120 and supplies the supercritical fluid to the lower surface of the substrate S supported by the support member 4300.

공급포트들은 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(4510)는 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(4520)는 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 공급포트(4500)로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공될 수 있을 것이다.The supply ports may inject supercritical fluid into the central region of the substrate S. For example, the upper supply port 4510 may be positioned vertically above the center of the substrate S supported by the support member 4300. The lower supply port 4520 may be positioned vertically downward from the center of the substrate S supported by the support member 4300. Accordingly, the supercritical fluid injected into the supply port 4500 may reach the central region of the substrate S and spread uniformly in the entire region of the substrate S while spreading to the edge region.

이러한 상부공급포트(4510)와 하부공급포트(4520)에서는 먼저 하부공급포트(4520)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(4510)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 상부공급포트(4510)는 하부공급포트(4520)를 통해 제2공정챔버(4000)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달하면 초임계유체의 공급을 시작하여, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. In the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520, the lower supply port 4520 supplies the supercritical fluid first, and later the upper supply port 4510 supplies the supercritical fluid. Since the supercritical drying process can initially proceed in the state where the interior of the second process chamber 4000 is under the critical pressure, the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 can be liquefied. Therefore, when a supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 at an early stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid may be liquefied and fall into the substrate S by gravity to damage the substrate S. The supercritical fluid is supplied to the second process chamber 4000 through the lower supply port 4520 to supply the supercritical fluid when the inner pressure of the second process chamber 4000 reaches the critical pressure. It is possible to prevent the supplied supercritical fluid from being liquefied and falling into the substrate S.

차단부재(4600)는 공급포트를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)에 바로 분사되는 것을 차단한다. 차단부재(4600)는 차단플레이트(4610)와 지지대(4620)를 포함할 수 있다.The blocking member 4600 blocks direct injection of the supercritical fluid supplied through the supply port to the substrate S. [ The blocking member 4600 may include a blocking plate 4610 and a support 4620.

차단플레이트(4610)는 공급포트와 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 사이에 배치된다. 예를 들어, 차단플레이트(4610)는 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 배치되어, 기판(S)의 하방에 위치할 수 있다. 이러한 차단플레이트(4610)는 하부공급포트(4520)를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지할 수 있다. The blocking plate 4610 is disposed between the supply port and the substrate S supported by the support member 4300. For example, the blocking plate 4610 may be disposed between the lower supply port 4520 and the support member 4300 and located below the substrate S. This blocking plate 4610 can prevent the supercritical fluid supplied through the lower supply port 4520 from being injected directly onto the lower surface of the substrate S. [

이러한 차단플레이트(4610)는 그 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게제공될 수 있다. 이러한 경우에는 차단플레이트(4610)가 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 완벽히 차단할 수 있을 것이다. 한편, 차단플레이트(4610)는 그 반경이 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 이 경우에는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하면서도 초임계유체의 유속을 최소한으로 저하시켜 기판(S)에 초임계유체가 비교적 쉽게 도달하여 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 효과적으로 진행될 수 있을 것이다.This blocking plate 4610 may be provided with a radius similar to or larger than that of the substrate S. [ In this case, the blocking plate 4610 may completely block the supercritical fluid from being sprayed directly onto the substrate S. On the other hand, the blocking plate 4610 may be provided with a smaller radius than the substrate S. [ In this case, the supercritical fluid is prevented from being directly sprayed onto the substrate S, but the flow rate of the supercritical fluid is minimized, so that the supercritical fluid reaches the substrate S comparatively easily, The process can be effectively carried out.

지지대(4620)는 차단플레이트(4610)를 지지한다. 즉, 차단플레이트(4610)는 지지대(4620)의 일단에 놓여질 수 있다. 이러한 지지대(4620)는 하우징(4100)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다. 지지대(4620)와 차단플레이트(4610)는 별도의 결합없이 단순히 차단플레이트(4610)가 중력에 의해 지지대(4620)에 놓여지도록 설치될 수 있다. 지지대(4620)와 차단플레이트(4610)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합되는 경우에는, 침투력이 뛰어난 초임계유체가 그 사이에 침투한 뒤 오염물질을 발생시킬 수 있다. 물론, 지지대(4620)와 차단플레이트(4610)는 일체로 제공될 수도 있을 것이다.The support base 4620 supports the blocking plate 4610. That is, the blocking plate 4610 may be placed at one end of the support 4620. The support base 4620 may extend vertically upward from the lower surface of the housing 4100. The support plate 4620 and the shield plate 4610 can be installed such that the shield plate 4610 is simply placed on the support 4620 by gravity without any additional engagement. When the support base 4620 and the blocking plate 4610 are coupled by a coupling means such as a nut or a bolt, a supercritical fluid having excellent penetration ability may be generated between the supercritical fluid and the contaminant. Of course, the support plate 4620 and the blocking plate 4610 may be integrally provided.

초임계건조공정의 초기에 하부공급포트(4520)를 통해 초임계유체가 공급되는 경우에는, 하우징(4500)의 내부기압이 낮은 상태이므로 공급되는 초임계유체가 빠른 속도로 분사될 수 있다. 이처럼 빠른 속도로 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접적으로 도달하게 되면, 초임계유체의 물리적인 압력에 의해 초임계유체가 기판(S) 중 직접 분사되는 부분이 휘어 리닝현상이 발생할 수 있다. 또한, 초임계유체의 분사력에 의해 기판(S)이 요동하여 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 흘러 기판(S)의 회로패턴에 손상이 발생할 수도 있다. When the supercritical fluid is supplied through the lower supply port 4520 at the initial stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid supplied may be injected at a high rate because the internal pressure of the housing 4500 is low. When the supercritical fluid injected at such a high speed directly reaches the substrate S, the supercritical fluid is directly injected into the substrate S due to the physical pressure of the supercritical fluid, have. In addition, the substrate S may be pivoted by the jetting force of the supercritical fluid, and the organic solvent remaining on the substrate S may flow, thereby damaging the circuit pattern of the substrate S.

따라서, 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 배치된 차단플레이트(4610)는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계유체의 물리적 힘에 의해 기판(S)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 물론, 차단플레이트(4610)의 위치가 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이로 한정되는 것은 아니다. The blocking plate 4610 disposed between the lower supply port 4520 and the support member 4300 blocks the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S, S can be prevented from being damaged. Of course, the position of the blocking plate 4610 is not limited between the lower supply port 4520 and the support member 4300.

도 5는 도 4의 제2공정챔버의 변형예이다.Figure 5 is a variation of the second process chamber of Figure 4;

도 5를 참조하면, 차단플레이트(5610)는 상부공급포트(5510)와 지지부재(5300)에 의해 안착되는 기판(S)의 사이에 배치될 수 있다. 이 때, 지지대(5620)는 상부하우징(5110)의 하면으로부터 연직하방으로 연장되어, 그 하단이 수평방향으로 절곡되도록 제공될 수 있다. 이러한 구조에 의해 지지대(5620)는 별도의 결합수단 없이 중력에 의해 차단플레이트(5610)를 지지할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 5, a blocking plate 5610 may be disposed between the upper supply port 5510 and the substrate S that is seated by the support member 5300. At this time, the support table 5620 may be provided so as to extend vertically downward from the lower surface of the upper housing 5110, and to have its lower end bent in the horizontal direction. With this structure, the support member 5620 can support the blocking plate 5610 by gravity without a separate engaging means.

다만, 차단플레이트(5610)가 공급포트에서 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 도달하는 경로 상에 배치되는 경우에는 초임계유체가 기판(S)에 도달하는 효율이 저하되므로, 차단플레이트(5610)를 배치하는 위치는 초임계유체에 의해 기판(S)이 손상되는 정도와 초임계유체가 기판(S)에 전달되어 기판(S)이 건조되는 정도를 고려하여 설치할 수 있다. However, when the supercritical fluid injected from the supply port is disposed on the path to reach the substrate S, the efficiency of the supercritical fluid reaching the substrate S is lowered, 5610 may be disposed in consideration of the extent to which the substrate S is damaged by the supercritical fluid and the extent to which the supercritical fluid is transferred to the substrate S and the substrate S is dried.

특히, 제2공정챔버(4000)에 복수의 공급포트가 제공되는 경우에는 초임계건조공정의 초기에 초임계유체를 공급하는 공급포트에서 분사되는 초임계유체가 직접 기판(S)에 분사되는 이동경로 상에 차단플레이트(4600)를 배치하는 것이 유리할 수 있다. In particular, when a plurality of supply ports are provided in the second process chamber 4000, supercritical fluid injected from a supply port for supplying supercritical fluid at the beginning of the supercritical drying process is directly transferred to the substrate S It may be advantageous to place the blocking plate 4600 on the path.

배기포트(4700)는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체를 배기한다. 배기포트(4700)는 제 1 배기라인(4750)에 연결된다. 제 1 배기라인(4750)은 초임계유체를 배기한다. 제 1 배기라인(4750)을 통해 배기되는 초임계유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계유체재생시스템(미도시)로 공급될 수 있다. 이때, 배기포트(4700)에는 배기라인(4750)으로 배기하는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다.The exhaust port 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The exhaust port 4700 is connected to the first exhaust line 4750. The first exhaust line 4750 exhausts the supercritical fluid. The supercritical fluid exhausted through the first exhaust line 4750 may be released to the atmosphere or may be supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown). At this time, the exhaust port 4700 may be provided with a valve for regulating the flow rate of the supercritical fluid to be exhausted to the exhaust line 4750.

제 2 배기라인(4760)은 제 1 배기라인(4750) 상에서 분기된다. 이 때, 제 2 배기라인(4760)은 감압 펌프(4770)를 포함할 수 있다. 감압 펌프(4770)로 인해, 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력이 상압에 도달하여도, 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력값이 더 떨어질 수 있다. The second exhaust line 4760 is branched on the first exhaust line 4750. [ At this time, the second exhaust line 4760 may include a decompression pump 4770. Due to the decompression pump 4770, even if the pressure inside the second process chamber 4000 reaches the normal pressure, the pressure value inside the second process chamber 4000 may be further lowered.

배기포트(4700)는 하부하우징(4120)에 형성될 수 있다. 초임계건조공정의 후기에는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계유체는 중력에 의해 하부하우징(4120)에 형성된 배기포트(4700)를 통해 배출될 수 있다. The exhaust port 4700 may be formed in the lower housing 4120. In the latter stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid is exhausted from the second process chamber 4000 and its internal pressure is lowered to a critical pressure or less, so that the supercritical fluid can be liquefied. The liquefied supercritical fluid can be discharged through the exhaust port 4700 formed in the lower housing 4120 by gravity.

압력 측정기(4800)는 하우징(4100)에 제공된다. 일 예로, 도 4를 참조하면, 압력 측정기(4800)는 하부하우징(4120)의 일측벽에 제공될 수 있다. 압력 측정기(4800)는 제 2 공정챔버(4000) 내의 압력을 측정한다. 압력 측정기(4800)는 측정한 압력값을 제어기(4900)로 전송한다. A pressure gauge 4800 is provided in the housing 4100. For example, referring to FIG. 4, a pressure gauge 4800 may be provided on one side wall of the lower housing 4120. The pressure gauge 4800 measures the pressure in the second process chamber 4000. The pressure meter 4800 transmits the measured pressure value to the controller 4900.

제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000) 내부의 개방시기를 결정한다. 제어기(5100)는 압력 측정기(4800)로부터 압력값을 전송받는다. 제어기(5100)는 압력값에 따라, 공정 챔버(4000) 내부의 개방 시기를 결정한다. 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정에서는, 제 2 공정 챔버(4000)는 그 내부가 매우 높은 압력으로 제공된다. 따라서, 공정이 끝난 후에는 제 2 공정 챔버(4000) 내의 압력이 개방 압력(P₀)에 도달한 후에 제 2 공정 챔버(4000)를 개방하여야 한다. 이 때, 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력이 개방압력(P₀)에 도달한 후 바로 제 2 공정챔버(4000)를 개방시키면, 제 2 공정챔버(4000) 내의 이산화탄소 및 유기용매 잔류물이 충분히 배기되지 못한 상태로 제 2 공정챔버(4000)가 개방된다. 따라서, 이산화탄소 및 유기용매 잔류물이 도어를 통해 제 2 공정챔버(4000) 외부로 배출된다. 이러한 이산화탄소 및 유기용매 잔류물은 제 2 공정챔버(4000)의 외부 환경을 오염시키고, 파티클로 작용하여 후속 공정에 영향을 미친다. 따라서, 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000)의 개방시기를 조절한다. 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000) 내 압력값이 개방압력(P₀)에 도달한 시점부터, 설정 조건이 경과되면 제 2 공정챔버(4000) 내부를 개방한다. 개방압력(P₀)은 기설정되어 제공된다. 일 예로, 개방압력(P₀)은 상압일 수 있다. 또한, 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000) 내 압력값이 개방압력(P₀)에 도달한 후에, 감압 펌프(4770)로 제 2 공정챔버(4000) 내부의 초임계유체를 배출시키도록 제어할 수 있다. 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000)의 개방시기를 조절함으로써, 제 2 공정챔버(4000) 내의 이산화탄소 및 유기용매 잔류물이 충분히 배기될 수 있다.The controller 4900 determines the opening time inside the second process chamber 4000. [ Controller 5100 receives pressure values from pressure gauge 4800. [ The controller 5100 determines the opening time inside the process chamber 4000 according to the pressure value. In the process of processing a substrate using a supercritical fluid, the second process chamber 4000 is provided with a very high pressure inside thereof. Therefore, after the process is completed, the second process chamber 4000 must be opened after the pressure in the second process chamber 4000 reaches the open pressure P ₀ . At this time, opening the second processing chamber 4000 immediately after the pressure inside the second processing chamber 4000 reaches the opening pressure P ₀ , the carbon dioxide and organic solvent residues in the second processing chamber 4000 The second process chamber 4000 is opened in a state where it is not sufficiently exhausted. Therefore, the carbon dioxide and the organic solvent residue are discharged to the outside of the second process chamber 4000 through the door. These carbon dioxide and organic solvent residues contaminate the external environment of the second process chamber 4000 and act as particles to affect the subsequent process. Accordingly, the controller 4900 adjusts the opening timing of the second process chamber 4000. [ The controller 4900 opens the inside of the second process chamber 4000 when the set condition has elapsed from the time when the pressure value in the second process chamber 4000 reaches the open pressure P ₀ . The open pressure (P ₀ ) is provided pre-set. In one example, the open pressure (P ₀ ) may be normal pressure. The controller 4900 discharges the supercritical fluid in the second process chamber 4000 to the decompression pump 4770 after the pressure value in the second process chamber 4000 reaches the open pressure P ₀ . The controller 4900 can control the opening timing of the second process chamber 4000 so that the carbon dioxide and organic solvent residues in the second process chamber 4000 can be sufficiently exhausted.

도 6은 설정 조건의 일 예를 보여주는 그래프이다. 도 7은 설정 조건의 다른 예를 보여주는 그래프이다. 설정 조건은 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력값이 개방압력(P0)에 도달한 시점부터, 설정 시간이 경과되는 것일 수 있다. 이 때, 설정 시간은 약 1초 이상 약 60초 이하의 시간일 수 있다. 이와 달리, 설정 조건은, 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력값이 개방압력(P₀)보다 낮은 압력(P₂)까지 떨어진 이후에, 다시 개방압력(P₀)까지 상승시킨 것일 수 있다. 이 시간동안 제 2 공정 챔버(4000) 내 이산화탄소 및 유기성 용매들이 배출포트를 통해 외부로 배출될 수 있다. 이로 인해, 제 2 공정챔버(4000) 내의 유기성 파티클들의 발생을 최소화할 수 있다. 6 is a graph showing an example of setting conditions. 7 is a graph showing another example of the setting condition. The setting condition may be that the set time has elapsed from the time when the pressure value inside the second process chamber 4000 reaches the open pressure P0. At this time, the set time may be about 1 second or more and about 60 seconds or less. Alternatively, the setting conditions, the later fell to the second process chamber (4000), the opening pressure the pressure of the internal pressure lower than (P ₀₎ (P _2), it may be one which rises to the re-opening pressure (P ₀₎ . During this time, the carbon dioxide and organic solvents in the second process chamber 4000 may be vented out through the exhaust port. Thus, the generation of organic particles in the second process chamber 4000 can be minimized.

이상에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판처리장치(100)의 제2공정챔버(4000)는 공급포트로 초임계유체를 대신 다른 공정유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정유체로 초임계유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마가스, 불활성가스 등이 사용될 수 있을 것이다. Although the substrate processing apparatus 100 according to the present invention has been described as processing a substrate by supplying a supercritical fluid to the substrate S, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention must perform the supercritical process The present invention is not limited thereto. Accordingly, the second process chamber 4000 of the substrate processing apparatus 100 may process the substrate S by supplying another process fluid instead of the supercritical fluid to the supply port. In this case, an organic solvent or various other constituent gases, a plasma gas, an inert gas, or the like may be used instead of the supercritical fluid as the process fluid.

또한, 기판처리장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 노즐부재(2320), 공급라인(4550)이나 배기라인(4750)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 승강부재(4200)나 가압부재(4800)를 제어하여 하우징(4100)을 개방하거나 밀폐할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부공급포트(4110)과 하부공급포트(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계유체를 공급하기 시작한 뒤 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.Further, the substrate processing apparatus 100 may further include a controller for controlling the components. For example, the controller may control the heating member 4400 to adjust the internal temperature of the housing 4100. [ Alternatively, the controller may control the valves installed in the nozzle member 2320, the supply line 4550, or the exhaust line 4750 to control the flow rate of the drug or supercritical fluid. As another example, the controller can control the elevating member 4200 and the pressing member 4800 to open or close the housing 4100. [ For example, the controller may be configured such that when either the upper supply port 4110 and the lower supply port 4120 start supplying supercritical fluid first, the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches a preset pressure , The other one may be controlled to start supplying the supercritical fluid.

이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented in a computer or similar device using hardware, software, or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors),마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In hardware, the controller may be implemented as an application specific integrated circuit (ASIC), digital signal processors (DSPs), digital signal processing devices (DSPDs), programmable logic devices (PLDs), field programmable gate arrays (FPGAs) micro-controllers, microprocessors, or electrical devices that perform similar control functions.

또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.Also, the software may be implemented by software code or software applications written in one or more programming languages. The software is executed by a hardware-implemented control unit. The software may be installed by being transmitted from an external device such as a server in the hardware configuration described above.

이하에서는 본 발명에 따른 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 기판처리방법에 관하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. However, since this is merely for the sake of explanation, the substrate processing method may be performed by using another apparatus which is the same or similar to the substrate processing apparatus 100 described above. Further, the substrate processing method according to the present invention can be stored in a computer-readable recording medium in the form of a code or a program for performing the processing.

이하에서는 기판처리방법의 일 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 일 실시예는 제2공정챔버가 초임계건조공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.Hereinafter, one embodiment of the substrate processing method will be described. One embodiment of the substrate processing method is directed to a method wherein the second process chamber performs a supercritical drying process.

도 8은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다. 기판처리방법의 일 실시예는 제2공정챔버(4000)에 기판(S)을 반입하는 단계(S210), 하우징(4100)을 밀폐하는 단계(S220), 하부공급포트(4520)로 초임계유체를 공급하는 단계(S230), 상부공급포트(4510)로 초임계유체를 공급하는 단계(S240), 초임계유체를 배기하는 단계(S250), 제 2 공정챔버(4000) 내부 압력이 개방압력(P0)에 도달하는 단계(S260), 설정 조건이 경과하는 단계(S270), 하우징(4100)을 개방하는 단계(S270) 및 제2공정챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출하는 단계(S280)를 포함한다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.8 is a flowchart of one embodiment of a substrate processing method. One embodiment of the substrate processing method includes a step S210 of bringing the substrate S into the second process chamber 4000, a step S220 of sealing the housing 4100, a step of supplying a supercritical fluid (S240) of supplying supercritical fluid to the upper supply port 4510 (S240), exhausting the supercritical fluid (S250), supplying the supercritical fluid to the upper supply port 4510 (S260), a step S270 in which the setting condition elapses, a step S270 of opening the housing 4100 and a step S280 of taking out the substrate S from the second process chamber 4000 ). Each step will be described below.

도 9 내지 도 14는 도 8의 기판 처리 방법에 따른 공정 과정을 보여주는 도면이다. 이하, 도 9 내지 도 14를 참조하여 기판 처리 과정을 설명한다. 화살표는 유체의 흐름을 나타낸다. 밸브의 내부가 채워진 것은 밸브가 닫혀있는 것이고, 밸브의 내부가 비워있는 것은 밸브가 개방되어 있는 것을 의미한다.FIGS. 9 to 14 are views showing a process according to the substrate processing method of FIG. Hereinafter, a substrate processing process will be described with reference to FIGS. 9 to 14. FIG. The arrows indicate the flow of the fluid. The valve is closed when the inside of the valve is filled, and the inside of the valve is empty, which means that the valve is open.

제2공정챔버(4000)에 기판(S)을 반입한다(S210). 이송로봇(2210)이 제2공정챔버(4000)의 지지부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 이송로봇(2210)은 제1공정챔버(3000)로부터 유기용제가 잔류하는 상태로 기판(S)을 인출하여 이를 지지부재(4300)에 안착시킬 수 있다.The substrate S is carried into the second process chamber 4000 (S210). The transfer robot 2210 places the substrate S on the support member 4300 of the second process chamber 4000. [ The transfer robot 2210 can take out the substrate S in a state where the organic solvent remains from the first process chamber 3000 and mount the substrate S on the support member 4300.

도 9를 참조하면, 상하부구조의 제2공정챔버(4000)인 경우에는, 하우징(4100)은 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 분리되어 개방된 상태이며, 이송로봇(2210)은 그 지지부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 9, in the case of the second process chamber 4000 of the upper and lower structure, the housing 4100 is separated from the upper housing 4110 and the lower housing 4120, and the transfer robot 2210 And the substrate S is placed on the supporting member 4300.

도어(4130)가 수평방향으로 움직이는 슬라이드구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 도어(4130)가 개구로부터 이격되어 있는 상태에서 이송로봇(2210)이 지지부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 기판(S)이 안착되면, 도어(4130)가 하우징(4100)의 내부로 이동하여 기판(S)이 제2공정챔버(4000)로 반입될 수 있다.In the case of the second process chamber 4000 having the slide structure in which the door 4130 moves in the horizontal direction, the transfer robot 2210 moves the substrate S to the support member 4300 in a state where the door 4130 is separated from the opening. Lt; / RTI > Once the substrate S is seated, the door 4130 may move into the interior of the housing 4100 and the substrate S may be carried into the second process chamber 4000.

도어플레이트(4131)가 도어구동기(4132)에 의해 이동하는 구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 이송로봇(2210)이 하우징(4100) 내로 이동하여 지지부재(4300)에 기판(S)을 안착시킬 수 있다. In the case of the second process chamber 4000 having the structure in which the door plate 4131 is moved by the door driver 4132, the transfer robot 2210 moves into the housing 4100 to transfer the substrate S to the support member 4300, .

기판(S)이 반입되면, 하우징(4100)을 밀폐한다(S220). When the substrate S is loaded, the housing 4100 is closed (S220).

도 10을 참조하면, 상하부구조의 제2공정챔버(4000)인 경우에는, 승강부재(4200)가 하부하우징(4120)을 상승시켜 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)을 밀착시켜 하우징(4100), 즉 제2공정챔버(4000)를 밀폐할 수 있다. Referring to FIG. 10, in the case of the second process chamber 4000 of the upper and lower structure, the elevating member 4200 moves the lower housing 4120 upward to closely contact the upper housing 4110 and the lower housing 4120, 4100, i.e., the second process chamber 4000.

슬라이드구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 가압부재(4800)이 도어(4130)를 수평 이동시켜 개구와 밀착시켜 하우징(4100)을 밀폐한다. 또는 도어구동기(4132)가 도어플레이트(4131)가 개구를 닫도록 한다.In the case of the second process chamber 4000 of the slide structure, the pressing member 4800 horizontally moves the door 4130 to closely contact the opening to seal the housing 4100. Or the door driver 4132 causes the door plate 4131 to close the opening.

제2공정챔버(4000)가 밀폐되면, 하부공급포트(4520)로 초임계유체를 공급한다(S230). 초임계유체가 처음으로 유입될 때에는 하우징(4100) 내부의 압력이 아직 임계압력 이하인 상태이므로, 초임계유체가 액화될 수 있다. 기판(S)의 상부로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)의 상부로 낙하할 수 있으며, 이에 따라 기판(S)에 손상이 생길 수 있다. 따라서, 먼저 하부공급포트(4520)를 통해 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510)를 통해 초임계유체를 공급할 수 있다. 한편, 이러한 과정에서 가열부재(4300)는 하우징(4100)의 내부를 가열할 수 있다. When the second process chamber 4000 is sealed, the supercritical fluid is supplied to the lower supply port 4520 (S230). When the supercritical fluid is first introduced, the pressure inside the housing 4100 is still below the critical pressure, so that the supercritical fluid can be liquefied. When the supercritical fluid is supplied to the upper portion of the substrate S, the supercritical fluid may be liquefied and may fall to the upper portion of the substrate S by gravity, thereby causing damage to the substrate S. Thus, the supercritical fluid can first be supplied through the lower supply port 4520, and later, the supercritical fluid can be supplied through the upper supply port 4510. Meanwhile, in this process, the heating member 4300 can heat the inside of the housing 4100.

차단플레이트(5610)는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단한다. 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 배치된 차단플레이트(4610)는 하부공급포트(4520)를 통해 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 기판(S)에 초임계유체의 물리력이 전달되지 않으므로, 기판(S)에 리닝이 발생하지 않는다. 하부공급포트(4520)에서 연직상방으로 분사된 초임계유체는 차단플레이트(4610)에 부딪힌 후 수평방향으로 이동하여 차단플레이트(4610)를 우회하여 기판(S)에 제공될 수 있다. The blocking plate 5610 blocks the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S. [ The blocking plate 4610 disposed between the lower supply port 4520 and the support member 4300 can block the supercritical fluid injected through the lower supply port 4520 from being injected directly onto the substrate S. [ Accordingly, since the physical force of the supercritical fluid is not transmitted to the substrate S, the substrate S is not lined. Supercritical fluid injected vertically upward from the lower supply port 4520 may be horizontally moved after hitting the shutoff plate 4610 and may be provided to the substrate S by bypassing the shutoff plate 4610. [

도 11을 참조하면, 상부공급포트(4510)로 초임계유체를 공급한다(S240). 하부공급포트(4510)를 통해 초임계유체가 지속적으로 유입되면, 하우징(4100) 내부압력이 임계압력 이상으로 상승하고, 가열부재(4200)에 의해 하우징(4100) 내부가 가열되면, 하우징(4100) 내부온도가 임계온도 이상으로 상승하여, 하우징(4100) 내부에 초임계분위기가 형성될 수 있다. 상부공급포트(4510)는 하우징(4100) 내부가 초임계상태가 된 때에 초임계유체의 공급을 시작할 수 있다. 즉, 제어기는 하우징(4100)의 내부압력이 임계압력 이상이 된 때에 상부공급포트(4510)를 통해 초임계유체를 공급할 수 있다. Referring to FIG. 11, supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 (S240). When the pressure of the interior of the housing 4100 rises above the critical pressure and the interior of the housing 4100 is heated by the heating member 4200 as the supercritical fluid continues to flow through the lower supply port 4510, The internal temperature rises above the critical temperature, and a supercritical atmosphere can be formed inside the housing 4100. The upper supply port 4510 can start supplying the supercritical fluid when the inside of the housing 4100 becomes the supercritical state. That is, the controller can supply the supercritical fluid through the upper supply port 4510 when the internal pressure of the housing 4100 becomes equal to or higher than the critical pressure.

이때, 상부공급포트(4510)로 분사되는 초임계유체는 차단플레이트(4610)에 의해 차단되지 않을 수 있다. 하우징(4100) 내부가 이미 임계압력을 초과한 고압상태이므로, 공급포트로 공급되는 초임계유체의 유속은 하우징(4100) 내에서 급격히 저하되므로, 기판(S)에 도달할 때에는 리닝현상을 유발시킬 정도의 속도를 상실하게 된다. At this time, the supercritical fluid injected into the upper supply port 4510 may not be blocked by the blocking plate 4610. The flow velocity of the supercritical fluid supplied to the supply port rapidly drops in the housing 4100 since the inside of the housing 4100 is already in a high pressure state exceeding the critical pressure, The speed is lost.

한편, 상부공급포트(4510)로 분사되는 초임계유체는 차단부재(4600)에 의해 차단되지 않으므로, 기판(S)의 상면은 보다 더 잘 건조될 수 있다. 일반적으로 기판(S)의 상면이 패턴면이 되므로 상부공급포트(4510)와 지지부재(4300)의 사이에는 차단플레이트(4610)를 배치하지 않아 기판(S)에 초임계유체가 잘 전달되도록 하여 기판(S)의 회로패턴 사이의 유기용제가 효과적으로 건조되도록 할 수 있다. 물론, 공정환경을 종합적으로 고려하여 상부공급포트(4510)와 지지부재(4300) 사이에 차단플레이트(4610)를 배치하여 기판(S)의 상면으로 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하는 것도 가능하다.On the other hand, the supercritical fluid injected into the upper supply port 4510 is not blocked by the blocking member 4600, so that the upper surface of the substrate S can be dried better. The upper surface of the substrate S is a patterned surface so that no interrupting plate 4610 is disposed between the upper supply port 4510 and the supporting member 4300 to allow the supercritical fluid to be well transferred to the substrate S The organic solvent between the circuit patterns of the substrate S can be effectively dried. It is needless to say that a shutoff plate 4610 is disposed between the upper supply port 4510 and the support member 4300 so that the supercritical fluid injected onto the upper surface of the substrate S is directly applied to the substrate S It is also possible to block the injection.

초임계유체에 의해 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 용해되어 기판(S)이 충분히 건조되면, 초임계유체를 배기한다(S250). 배기포트(4700)가 초임계유체를 제2공정챔버(4000)로부터 배기한다. 초임계유체는 제 1 배기라인(4750)을 통해 배기될 수 있다. 제 2 공정챔버(4000) 내부 압력이 개방압력(P0)에 도달하면, 제어기(4900)는 설정 조건이 경과한 후에 제 2 공정챔버(4000)를 개방할 수 있다(S260,S270). 일 예로, 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력값이 개방압력(P₀)에 도달한 시점부터, 설정 시간이 경과된 후 제 2 공정챔버(4000)를 개방시킬 수 있다. 개방압력(P₀)은 기설정되어 제공된다. 일 예로, 개방압력(P₀)은 상압일 수 있다. 이 때, 설정 시간은 약 1초 이상 약 60초 이하의 시간일 수 있다. 이와 달리, 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000) 내부의 압력값이 개방압력(P₀)보다 낮은 압력(P₂)까지 떨어진 이후에, 다시 개방압력(P0)까지 상승시킨 후에야 제 2 공정챔버(4000)를 개방시킬 수 있다. 이 시간동안 제 2 공정 챔버(4000) 내 이산화탄소 및 유기성 용매들이 배출포트를 통해 외부로 배출될 수 있다. 이로 인해, 제 2 공정챔버(4000) 내의 유기성 파티클들의 발생을 최소화할 수 있다. 이 때, 도 13과 같이, 제어기(4900)는 제 2 공정챔버(4000) 내 압력값이 개방압력(P₀)에 도달한 후에, 감압 펌프(4770)로 제 2 공정챔버(4000) 내부의 초임계유체를 배출시키도록 제어할 수 있다. 제어기는 각 공급라인(4550) 및 배기라인(4750)을 제어하여 그 유량을 조절할 수 있다. 배기되는 초임계유체는 배기라인(4750)을 통해 대기 중으로 방출되거나 초임계유체재생시스템(미도시)로 제공될 수 있다.When the organic solvent remaining on the substrate S is dissolved by the supercritical fluid and the substrate S is sufficiently dried, the supercritical fluid is exhausted (S250). The exhaust port 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The supercritical fluid may be exhausted through the first exhaust line 4750. When the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches the open pressure P0, the controller 4900 may open the second process chamber 4000 after the setting condition has elapsed (S260, S270). In one example, the controller 4900 may open the second process chamber 4000 after the set time has elapsed since the pressure value inside the second process chamber 4000 reached the open pressure P ₀ . The open pressure (P ₀ ) is provided pre-set. In one example, the open pressure (P ₀ ) may be normal pressure. At this time, the set time may be about 1 second or more and about 60 seconds or less. Alternatively, the controller 4900 may be operated after the pressure value inside the second process chamber 4000 has fallen to the pressure P _{2 which} is lower than the opening pressure P ₀ , again to the opening pressure P ₀ , The process chamber 4000 can be opened. During this time, the carbon dioxide and organic solvents in the second process chamber 4000 may be vented out through the exhaust port. Thus, the generation of organic particles in the second process chamber 4000 can be minimized. 13, the controller 4900 controls the pressure inside the second process chamber 4000 by the decompression pump 4770 after the pressure value in the second process chamber 4000 reaches the open pressure P ₀ . It is possible to control to discharge the supercritical fluid. The controller can control each supply line 4550 and the exhaust line 4750 to regulate the flow rate thereof. The supercritical fluid to be vented may be vented to the atmosphere via an exhaust line 4750 or may be provided to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

설정 조건이 경과되면, 제어기(4900)는 하우징(4100)을 개방한다(S280). 도 14를 참조하면, 승강부재(4200)가 하부하우징(4120)을 하강시켜 하우징(4100)을 개방한다.When the setting condition has elapsed, the controller 4900 opens the housing 4100 (S280). Referring to FIG. 14, the lifting member 4200 moves down the lower housing 4120 to open the housing 4100.

도어(4130)가 수평방향으로 움직이는 슬라이드구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 가압부재(4800)가 도어(4130)를 개구로부터 이격시켜 하우징(4100)을 개방할 수 있다. 또 도어플레이트(4131)가 도어구동기(4132)에 의해 이동하는 구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 도어구동기(4132)가 도어플레이트(4131)를 이동시켜 하우징(4100)을 개방한다.In the case of the second process chamber 4000 of the slide structure in which the door 4130 moves in the horizontal direction, the pressing member 4800 can open the housing 4100 by separating the door 4130 from the opening. In the case of the second process chamber 4000 having the structure in which the door plate 4131 is moved by the door driver 4132, the door driver 4132 moves the door plate 4131 to open the housing 4100.

제2공정챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출한다(S290). 하우징(4100)이 개방되면 이송로봇(2210)이 제2공정챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출한다.The substrate S is taken out from the second process chamber 4000 (S290). When the housing 4100 is opened, the transfer robot 2210 takes out the substrate S from the second process chamber 4000.

이상에서 언급된 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 기재된 것이므로, 본 발명이 상술한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. The above-described embodiments of the present invention are described in order to facilitate understanding of the present invention to those skilled in the art, so the present invention is not limited to the above embodiments.

따라서, 본 발명은 상술한 실시예 및 그 구성요소를 선택적으로 조합하거나 공지의 기술을 더해 구현될 수 있으며, 나아가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 수정, 치환 및 변경이 가해진 수정예, 변형예를 모두 포함한다.Therefore, it is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. For example, the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. All of the modifications are included.

또한, 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 발명은 모두 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.In addition, the scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all inventions within the scope of the claims should be construed as being included in the scope of the present invention.

4000: 공정 챔버 4100: 하우징 4110: 상부 바디
4120: 하부 바디 4200: 승강부재 4300: 지지부재
4400: 가열부재 4500: 공급포트 4600:차단부재
4700: 배기포트 4750: 제 1 배기라인 4760: 제 2 배기라인
4770: 감압 펌프 4800: 압력 측정기 4900: 제어기4000: process chamber 4100: housing 4110: upper body
4120: lower body 4200: elevating member 4300: supporting member
4400: heating member 4500: supply port 4600: blocking member
4700: exhaust port 4750: first exhaust line 4760: second exhaust line
4770: Decompression pump 4800: Pressure meter 4900: Controller

Claims

An apparatus for processing a substrate,
A process chamber for performing a process of treating a substrate with a supercritical fluid to the substrate;
A pressure gauge for measuring a pressure in the process chamber;
A first exhaust line for exhausting gas inside the process chamber to the outside of the process chamber;
A second exhaust line branched on the first exhaust line;
A decompression pump installed on the second exhaust line; And
A controller receiving the measured pressure value from the pressure gauge and determining an opening time within the process chamber,
The controller controls the decompression pump to discharge the gas in the process chamber from a time point when the pressure value in the process chamber reaches a predetermined opening pressure, and when the pressure value in the process chamber reaches a predetermined opening pressure And opens the inside of the process chamber when a set condition has elapsed from a point in time.

The method according to claim 1,
Wherein the set condition has elapsed from a time point at which the opening pressure is reached.

3. The method of claim 2,
Wherein the set time is from 1 second to 60 seconds or less.

The method of claim 3,
Wherein the opening pressure is equal to atmospheric pressure.

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The method according to claim 1,
Wherein the controller opens the inside of the process chamber when the pressure value in the process chamber rises to the open pressure again after the pressure value falls to a pressure lower than the open pressure.

An apparatus for processing a substrate,
A process chamber for performing a process of treating a substrate with a supercritical fluid to the substrate;
A pressure gauge for measuring a pressure in the process chamber; And
A controller receiving the measured pressure value from the pressure gauge and determining an opening time within the process chamber,
Wherein the controller opens the inside of the process chamber when a set condition has elapsed from a time when a pressure value in the process chamber reaches a predetermined open pressure,
Wherein the set condition is raised again to the open pressure after falling to a pressure lower than the open pressure.

9. The method of claim 8,
Wherein the opening pressure is equal to atmospheric pressure.

10. The method of claim 9,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises a first exhaust line for exhausting gas inside the process chamber to the outside of the process chamber.

11. The method of claim 10,
The substrate processing apparatus includes:
A second exhaust line branched on the first exhaust line;
Further comprising a decompression pump installed on the second exhaust line,
Wherein the controller controls the decompression pump to discharge the gas inside the process chamber from a time point at which the pressure value in the process chamber reaches the preset opening pressure.

A method of processing a substrate, the method comprising: opening the interior of the process chamber after completion of a process of processing the substrate using a supercritical fluid in the process chamber, wherein opening in the process chamber measures pressure within the process chamber, Wherein the predetermined condition is satisfied after a pressure value inside the process chamber reaches a predetermined opening pressure,
Wherein the setting condition is raised again to the opening pressure after the pressure value inside the process chamber has fallen to a pressure lower than the opening pressure.

13. The method of claim 12,
Wherein the set time has elapsed from the time point at which the opening pressure is reached.

14. The method of claim 13,
Wherein the set time is a time of 1 second or more and 60 seconds or less.

15. The method of claim 14,
Wherein the opening pressure is equal to the atmospheric pressure.

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