KR102193030B1 - Sealing assembly and substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하부 바디와 상기 하부 바디와 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 챔버, 및 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 사이에 배치되고, 링 형상으로 제공되며, 상기 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리를 포함하되, 상기 실링 어셈블리는, 외체, 상기 외체의 내부에 삽입되는 삽입물를 포함하되, 상기 외체와 상기 삽입물의 재질이 상이할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a chamber having a lower body and an upper body that is combined with the lower body to form an inner space in which a process is processed, and is disposed between the upper body and the lower body, and is provided in a ring shape, And a sealing assembly for sealing the inner space from the outside, wherein the sealing assembly includes an outer body and an insert inserted into the outer body, and materials of the outer body and the insert may be different.
Description
본 발명은 실링 어셈블리, 그리고 이를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a sealing assembly, and to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate using the same.
반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 최근에는, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서 초임계유체를 이용하여 기판을 건조시키는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 이용되고 있다. 초임계유체란 임계온도와 임계압력 이상에서 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 유체로서, 확산력과 침투력이 뛰어나고, 용해력이 높으며, 표면장력이 거의 없어 기판의 건조에 매우 유용하게 사용될 수 있다. A semiconductor device is manufactured by forming a circuit pattern on a substrate through various processes including photolithography. Recently, a supercritical drying process for drying a substrate using a supercritical fluid for semiconductor devices with a line width of 30 nm or less has been used. A supercritical fluid is a fluid having the properties of a gas and a liquid at a critical temperature and a critical pressure or higher, and has excellent diffusion and penetrating power, high dissolving power, and almost no surface tension, so it can be very useful for drying a substrate.
그런데 이와 같은 초임계공정을 수행하는 공정챔버는 고압의 초임계상태를 유지할 수 있어야 한다. 이에 따라 고압 상태를 용이하게 유지하면서 공간효율을 향상시키며 위해 하우징이 복수 개로 분리되어 결합되는 구조로 제공된다. 이 때, 공정 챔버를 결합시켜 외부로부터 밀폐시킬 때, 실링 어셈블리가 이용된다. 도 1은 종래의 실링 어셈블리를 보여준다. 일반적으로 실링 어셈블리는 플라스틱 구조로 제공된다. 일 예로, 고순도테레프탈산, 테프론, 폴리에틸렌, 폴리에테르에테르케톤 등이 사용된다. 그러나 이러한 실링 어셈블리는 하우징 내부의 가스 또는 파티클들이 내부로 침투할 수 있다. 이러한 경우 시간이 지날수록 실링 어셈블리의 무게도 증가하게 되며, 압력이 약해지면 침투된 IPA와 같은 물질들 및 파티클이 도 1과 같이 하우징 내로 다시 배출되어, 역오염의 가능성이 있다.However, a process chamber performing such a supercritical process must be able to maintain a high pressure supercritical state. Accordingly, the housing is provided in a structure in which a plurality of housings are separated and combined to improve space efficiency while easily maintaining a high pressure state. At this time, when the process chamber is coupled and sealed from the outside, a sealing assembly is used. 1 shows a conventional sealing assembly. Typically, the sealing assembly is provided in a plastic construction. For example, high purity terephthalic acid, Teflon, polyethylene, polyetheretherketone, and the like are used. However, in such a sealing assembly, gas or particles inside the housing may penetrate into the interior. In this case, the weight of the sealing assembly increases as time passes, and when the pressure decreases, substances such as IPA and particles that have penetrated are discharged back into the housing as shown in FIG. 1, and there is a possibility of reverse contamination.
본 발명은 하우징 내 역오염을 최소화하며 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a sealing assembly that minimizes reverse contamination in a housing and seals it from the outside, and a substrate processing apparatus and a substrate processing method including the same.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and the problems that are not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하부 바디와 상기 하부 바디와 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 챔버, 및 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 사이에 배치되고, 링 형상으로 제공되며, 상기 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리를 포함하되, 상기 실링 어셈블리는, 외체, 상기 외체의 내부에 삽입되는 삽입물;를 포함하되, 상기 외체와 상기 삽입물의 재질이 상이할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber having a lower body and an upper body that is combined with the lower body to form an inner space in which a process is processed, and is disposed between the upper body and the lower body, It is provided in a ring shape and includes a sealing assembly that seals the inner space from the outside, wherein the sealing assembly includes an outer body and an insert inserted into the outer body, wherein the material of the outer body and the insert may be different I can.
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 유기용제의 흡수율이 더 낮을 수 있다.The material of the insert may have a lower absorption rate of the organic solvent than the material of the outer body.
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 강도가 더 높을 수 있다.The material of the insert may have a higher strength than the material of the outer body.
상기 삽입물은 금속 재질일 수 있다. The insert may be made of a metal material.
상기 외체는 플라스틱 재질일 수 있다.The outer body may be made of plastic.
상기 기판 처리 장치는 상기 챔버 내로 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 부재를 더 포함하고, 상기 챔버는 상기 초임계 유체에 의해 기판을 건조하는 챔버일 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a fluid supply member for supplying a supercritical fluid into the chamber, and the chamber may be a chamber for drying the substrate by the supercritical fluid.
또한, 본 발명은 실링 어셈블리를 제공한다.In addition, the present invention provides a sealing assembly.
본 발명의 일 실시예에 의한 두 개의 바디 사이에 제공되어, 상기 바디들에 의해 형성된 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리에 있어서, 상기 실링 어셈블리는, 외체, 상기 외체의 내부에 삽입되는 삽입물;를 포함하되, 상기 외체와 상기 삽입물의 재질이 상이할 수 있다.A sealing assembly provided between two bodies according to an embodiment of the present invention to seal an internal space formed by the bodies from the outside, the sealing assembly comprising: an outer body, an insert inserted into the outer body; Including, but the material of the outer body and the insert may be different.
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 유기용제의 흡수율이 더 낮을 수 있다.The material of the insert may have a lower absorption rate of the organic solvent than the material of the outer body.
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 강도가 더 높을 수 있다.The material of the insert may have a higher strength than the material of the outer body.
상기 삽입물은 금속 재질일 수 있다. The insert may be made of a metal material.
상기 외체는 플라스틱 재질일 수 있다.The outer body may be made of plastic.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 하우징 내 역오염을 최소화하며 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a sealing assembly that minimizes reverse contamination in a housing and seals it from the outside, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.
도 1은 종래의 일반적인 실링 어셈블리를 보여준다.
도 2는 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.
도 3은 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 4는 도 3의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 5는 도 3의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 6은 도 5의 A 부분의 확대도이다.
도 7은 실링 어셈블리의 내부를 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 실링 어셈블리가 처리되는 모습을 보여준다.1 shows a conventional general sealing assembly.
2 is a graph of a phase change of carbon dioxide.
3 is a plan view of an embodiment of a substrate processing apparatus.
4 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view of an embodiment of the second process chamber of FIG. 3.
6 is an enlarged view of part A of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view showing the inside of the sealing assembly.
8 shows a state in which the sealing assembly of FIG. 7 is processed.
본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms used in the present specification and the accompanying drawings are for easily explaining the present invention, so the present invention is not limited by the terms and drawings.
본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.Among the technologies used in the present invention, detailed descriptions of known technologies that are not closely related to the spirit of the present invention will be omitted.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the
기판처리장치(100)는 초임계유체를 공정유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계공정을 수행할 수 있다.The
여기서, 기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a generic concept that includes all of the substrates used for manufacturing semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other articles having circuit patterns formed on thin films. Examples of such a substrate S include various wafers including a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like.
초임계유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. The supercritical fluid refers to a phase having the properties of a gas and a liquid formed when a supercritical state exceeding a critical temperature and a critical pressure is reached. Supercritical fluid has a molecular density close to that of a liquid and viscosity close to that of a gas. Accordingly, it has excellent diffusion, penetration, and dissolving power, which is advantageous for chemical reactions. It has almost no surface tension, so it does not apply interfacial tension to the microstructure. Have characteristics.
초임계공정은 이러한 초임계유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계건조공정과 초임계식각공정이 있다. 이하에서는 초임계공정에 관하여 초임계건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리장치(100)는 초임계건조공정 이외의 다른 초임계공정을 수행할 수 있다. The supercritical process is performed using the characteristics of such a supercritical fluid, and representative examples thereof include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical process will be described based on the supercritical drying process. However, since this is only for ease of explanation, the
초임계건조공정은 초임계유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계건조공정에 이용되는 초임계유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process can be performed by dissolving the organic solvent remaining on the circuit pattern of the substrate S with a supercritical fluid to dry the substrate S, and not only has excellent drying efficiency, but also prevents collapse. There is an advantage to be able to. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a material that is miscible with an organic solvent can be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO2) can be used as the supercritical fluid.
도 2는 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.2 is a graph of a phase change of carbon dioxide.
이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다. Carbon dioxide has a critical temperature of 31.1℃ and a relatively low critical pressure of 7.38Mpa, making it easy to make it into a supercritical state, controlling a phase change by controlling temperature and pressure, and having an inexpensive price. In addition, carbon dioxide is harmless to the human body because it is not toxic, and has characteristics of non-flammability and inertness. Supercritical carbon dioxide has a high diffusion coefficient of 10 to 100 times compared to water or other organic solvents, so it penetrates quickly. The solvent is quickly replaced and has almost no surface tension, so it has advantageous properties for drying the substrate S having a fine circuit pattern. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and at the same time, it is possible to separate and reuse the organic solvent by converting it into gas after being used in the supercritical drying process, thus reducing the burden in terms of environmental pollution.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 초임계건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the
도 3은 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.3 is a plan view of the
도 3을 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the
인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계건조공정을 수행할 수 있다. The
인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송프레임(1200)을 포함한다. The
로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.A container C in which the substrate S is accommodated is placed on the
이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The
공정모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000)를 포함한다.The
버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정챔버(3000)나 제2공정챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The
이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The
제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 세정공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정공정은 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)에서는 세정공정 중 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정이 수행되고, 뒤이어 제2공정챔버(4000)에서는 초임계건조공정이 수행될 수 있다. The
이러한 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The
또한, 공정모듈(2000)에는 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정챔버들(3000, 4000)은 이송챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 연직방향으로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In addition, a plurality of first and
물론, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판처리장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the
이하에서는 제1공정챔버(3000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the
도 4는 도 3의 제1공정챔버(3000)의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the
제1공정챔버(3000)는 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1공정챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스공정은 가판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The
도 4를 참조하면, 제1공정챔버(3000)는 지지부재(3100), 노즐부재(3200) 및 회수부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the
지지부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지부재(3100)는 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다. The
지지플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 형성된다. 지지핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The
지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결된다. 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. A
노즐부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐부재(3200)는 노즐(3210), 노즐바(3220), 노즐축(3230) 및 노즐축구동기(3240)를 포함한다.The
노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The
이러한 노즐(3210)은 노즐바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐바(3220)는 노즐축(3230)에 결합되며, 노즐축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐축구동기(3240)는 노즐축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. This
회수부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The
회수부재(3300)는 회수통(3310), 회수라인(3320), 승강바(3330) 및 승강구동기(3340)를 포함할 수 있다. The
회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The
회수통(3310)의 하면에는 회수라인(3320)이 형성된다. 회수라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A
승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting
이하에서는 제2공정챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the
제2공정챔버(4000)는 초임계유체를 이용하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2공정챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있으며, 나아가, 제2공정챔버(4000)는 초임계유체 대신 다른 공정유체를 이용하여 공정을 수행할 수도 있을 것이다.The
이러한 제2공정챔버(4000)는 상술한 바와 같이, 이송챔버(2200)의 일측면에 배치될 수 있다. 제2공정챔버(4000)가 복수인 경우에는 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치되거나 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 기판처리장치(100)에서는 로드포트(1100), 이송프레임(1200), 버퍼챔버(2100), 이송모듈(2200)이 순차적으로 배치될 수 있는데, 제2공정챔버(4000)는 이와 동일한 방향으로 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치될 수 있다. As described above, the
이하에서는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the
도 5는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다. 도 6은 도 5의 A 부분의 확대도이다. 5 is a cross-sectional view of an embodiment of the second process chamber of FIG. 2. 6 is an enlarged view of part A of FIG. 5.
도 5를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 승강부재(4200), 지지유닛(4300), 가열부재(4400), 공급포트(4500) 및 배기포트(4600)를 포함할 수 있다.5, the
하우징(4100)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The
하우징(4100)은 상부 바디(4110)과 상부 바디(4110)의 하부에 배치되는 하부 바디(4120)를 구비할 수 있다. 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)는 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성한다. The
상부 바디(4110)는 고정되어 설치되며, 하부 바디(4120)는 승강될 수 있다. 하부 바디(4120)가 하강하여 상부 바디(4110)로부터 이격되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부 바디(4120)가 상승하여 상부 바디(4110)에 밀착되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부 바디(4120)이 고정되어 설치되고, 상부 바디(4110)가 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The
실링 어셈블리(5000)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120) 사이에 배치된다. 도 5를 참조하면, 실링 어셈블리(5000)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 접촉하는 면에 근접하게 제공된다. 도 5와 같이, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)보다 내측에 제공될 수 있다. 선택적으로, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)보다 외측에 제공될 수 있다. 또한, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)의 외측과 내측 모두에 제공될 수 있다. 실링 어셈블리(5000)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 어셈블리(5000)는 내부 공간을 외부로부터 밀폐시킨다. The sealing
도 7은 실링 어셈블리(5000)의 내부를 보여주는 단면도이다. 도 8은 도 7의 실링 어셈블리(5000)가 처리되는 모습을 보여준다. 7 is a cross-sectional view showing the inside of the sealing
실링 어셈블리(5000)는 외체(5100)와 삽입물(5200)을 가진다. 삽입물(5200)은 외체(5100)의 내부에 삽입된다. 외체(5100)와 삽입물(5200)은 상이한 재질로 제공된다. 외체(5100)는 상부 바디(4110)와 접촉되어 밀봉시킬 수 있어, 유연한 재질로 제공되어야 한다. 따라서, 외체(5100)는 삽입물(5200)보다 유연성이 더 높은 재질로 제공된다. 일 예로, 외체(5100)는 외체(5100)는 플라스틱 재질로 제공될 수 있다. 예를 들면, 외체(5100)는 엔지니어링 플라스틱 재질로 제공될 수 있다. 이와 달리, 삽입물(5200)은 물질의 흡수율을 낮추기 위해 밀도가 높은 재질로 제공되어야 한다. 따라서, 삽입물(5200)은 외체(5100)보다 유기용제의 흡수율이 더 낮은 재질로 제공된다. 또한, 삽입물(5200)은 외체(5100)보다 강도가 더 높은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로, 삽입물(5200)은 금속 재질로 제공될 수 있다. 도 8을 참조하면, 실링 어셈블리(5000)의 외체(5100) 내부에 삽입물(5200)을 삽입함으로써, 파티클이 침투할 수 있는 영역을 줄일 수 있다. 이에 따라, 실링 어셈블리(5000)에 파티클이 흡수되어 하우징(4100) 내부로 파티클이 재방출되는 것을 최소화할 수 있다. 따라서, 실링 어셈블리(5000)는 밀봉시키기 위한 소재의 유연성을 가짐과 동시에, 파티클 흡수율 또한 최소화할 수 있다. 이에 따라, 공정 진행 중 하우징(4100) 내부의 파티클로 인한 역오염을 최소화할 수 있다. 또한, 실링 어셈블리(5000)는 파티클 흡수에 따른 무게가 증가하는 문제점을 해결할 수 있다. The sealing
승강부재(4200)는 하부 바디(4120)를 승강시킨다. 승강부재(4200)는 승강실린더(4210) 및 승강로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강실린더(4210)는 하부 바디(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(4210)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)를 밀착시켜 제2공정챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부 바디(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(4210)와 승강로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(4210)에 결합된 하부 바디(4120)가 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(4210)에 의해 하부 바디(4120)가 승강하는 동안 승강로드(4220)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating
지지유닛(4300)는 하우징(4100)의 내부에 복수의 기판(S)을 지지한다. 지지유닛(4300)은 지지바(4310) 및 복수의 지지부재(4320)을 포함할 수 있다. The
지지바(4310)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부 바디(4110)의 하면으로부터 아래방향으로 연장될 수 잇다. 지지바(4310)는 수평방향으로 이격되는 한 쌍의 바(bar) 또는 두 쌍의 바로 제공될 수 있다.The
지지부재(4320)는 지지바(4310)에 일정한 간격을 가지고 연설된다. 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 수평방향으로 연장되도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1지지부재(4320a)는 지지바(4310)의 중간에서 수평방향으로 연장되고, 제2지지부재(4320)는 지지바(4310b)의 하단에서 수평방향으로 연장될 수 있다. 지지바(4310)가 서로 이격된 두 쌍으로 제공되는 경우에는, 각 지지바(4310)에서 연장되는 지지부재(4320)는 서로를 향하여 연장된다. The support member 4320 is extended to the
다만, 지지부재(4310)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 가감될 수 있다.However, the number of
지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 한 쌍의 지지바(4310)의 간격은 기판(S)의 직경보다 크게 제공되고, 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 지지바(4310)가 서로 마주보는 측으로 연장될 수 있다. 이에 따라 지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지하고, 기판(S)의 상면 및 하면이 모두 하우징(4100)의 내부공간에 노출되어 초임계유체를 제공받아 건조될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다.The
이와 같이, 지지유닛(4100)이 복수의 기판(S)을 하우징(4100) 내에서 지지하면, 제2공정챔버(4000)가 동시에 복수의 기판(S)에 대하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다.In this way, when the
또, 지지유닛(4300)는 고정 설치되는 상부 바디(4110)에 설치되므로 하부 바디(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. In addition, since the
지지유닛(4300)이 설치되는 상부 바디(4110)에는 수평조정부재(4111)가 설치될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 상부 바디(4110)의 수평도(水平度)를 조정한다. 상부 바디(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(4111)에 설치된 지지유닛(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부 바디(4110)이 승강되고 하부 바디(4120)이 고정되어 설치되거나 지지유닛(4300)가 하부 바디(4120)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(4111)는 하부 바디(4120)에 설치될 수도 있다.A
가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(4400)는 상부 바디(4110) 및 하부 바디(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 가열부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The
공급포트(4500)는 제2공정챔버(4000)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(4500)는 초임계유체를 공급하는 공급라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트(4500)에는 공급라인(4550)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 4500 supplies the supercritical fluid to the
공급포트(4500)는 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)를 포함할 수 있다. The supply port 4500 may include an
상부공급포트(4510)는 상부 바디(4110)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 위쪽의 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(4520)는 하부 바디(4120)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 아래쪽의 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The
상부공급포트(4510)와 하부공급포트(4520)는 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(4510)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(4520)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)을 건조시킬 수 있다.The
노즐부재(4530)는 초임계유체를 분사하는 일단이 측면에서 볼 때 서로 인접한 지지부재(4320)의 사이, 즉 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치할 수 있다. 노즐부재(4530)는 복수의 지지부재(4320)의 사이마다 하나씩 제공될 수 있다. 노즐부재(4530)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부 바디(4110)으로부터 아래방향으로 연장되고, 그 하단이 지지바(4310)의 지지부재(4320)가 연설된 중간높이에서 수평방향으로 절곡되어 기판(S)의 중앙부까지 연장될 수 있다. 이에 따라 노즐부재(4530)의 일단은 측면에서는 볼 때는 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치하고, 상면에서 볼 때는 기판(S)의 중앙부에 위치하게 된다. The
노즐부재(4530)는 그 일단이 서로 인접한 기판(S) 중 아래쪽 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 기판(S)은 그 상면이 패턴면이 되도록 지지유닛(4300)에 안착되므로, 기판(S)의 상면의 건조가 중요한데, 제1지지부재(4320a)에 안착된 기판(S)의 상면은 상부공급포트(4510)에 의해 초임계유체를 제공받고, 제2지지부재(4320b)에 안착된 기판(S)의 상면은 노즐부재(4530)에 의해 초임계유체를 제공받아 동시에 복수의 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 수행될 수 있다.The
한편, 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)에서 먼저 하부공급포트(4520)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510) 및 노즐부재(4530)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(4510)나 노즐부재(4530)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 따라서, 하부공급포트(4520)를 통해 제2공정챔버(4000)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달한 경우, 상부공급포트(4510)과 노즐부재(4530)이 초임계유체의 공급을 시작하면, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, from the
배기포트(4600)는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체를 배기한다. 배기포트(4600)는 초임계유체를 배기하는 배기라인(4650)에 연결될 수 있다. 이때, 배기포트(4600)에는 배기라인(4650)으로 배기하는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. 배기라인(4650)을 통해 배기되는 초임계유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계유체재생시스템(미도시)로 공급될 수 있다. The
배기포트(4600)는 하부 바디(4120)에 형성될 수 있다. 초임계건조공정의 후기에는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계유체는 중력에 의해 하부 바디(4120)에 형성된 배기포트(4600)를 통해 배출될 수 있다. The
이상에서는 동시에 두 장의 기판(S)을 지지하고, 처리하는 제2공정챔버(4000)를 기준으로 설명하였으나, 제2공정챔버(4000)가 처리할 수 있는 기판(S)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니다.In the above, the description was made based on the
또한, 상술한 제2공정챔버(4000)의 구성요소 중 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)은 선택적인 구성요소이다. 예를 들어, 제2공정챔버(4000)에는 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520) 중 어느 하나 또는 모두가 제공되지 않을 수 있다. 제2공정챔버(4000)에 상부공급포트(4510)가 생략되는 경우에는, 최상부의 지지부재(4320)와 하우징(4100)의 상부벽 사이에 노즐부재(4530)이 추가로 제공될 수 있다. 이러한 노즐부재(4530)는 생략된 상부공급포트(4510) 대신 최상부의 지지부재(4320)에 안착된 기판의 상면에 초임계유체를 공급할 수 있다.In addition, among the components of the
또한, 상술한 제2공정챔버(4000)에서는 지지유닛(4300)이 지지바(4310)와 지지부재(4320)를 구비하는 것으로 설명하였으나, 지지유닛(4300)은 이와 다른 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지유닛(4300)은 버퍼챔버(2100)의 버퍼슬롯과 유사한 형태로 제공될 수 있다. 구체적으로 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽으로부터 수평방향으로 연장되는 한 쌍의 플레이트로 제공될 수 있다. 한 쌍의 플레이트의 기판(S)의 양측 가장자리를 지지할 수 있다. 또한, 슬롯형태의 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽에 상하방향으로 복수개 제공될 수 있다. 복수의 지지유닛(4300)은 복수의 기판(S)을 지지할 수 있다. In addition, in the
한편, 이상에서는 노즐부재(4530)이 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사하는 것으로 설명하였으나, 노즐부재(4530)가 분사하는 방향 및 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 노즐부재(4530)는 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면에 수직한 방향으로 초임계유체를 분사하는 대신, 방사형으로 분사할 수 있다.Meanwhile, in the above, it has been described that the
또, 노즐부재(4530)가 반드시 그 아래에 있는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사해야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 노즐부재(4530)는 그 위에 있는 기판(S)의 하면을 향해 초임계유체를 분사하거나 또는 아래쪽 기판(S)의 상면과 위쪽 기판(S)의 하면 양쪽으로 동시에 초임계유체를 분사할 수도 있을 것이다. 한편, 이러한 노즐부재(4530)는 그 일단이 기판(S)의 중앙부에 위치하지 않을 수도 있다.In addition, the
이상에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판처리장치(100)의 제2공정챔버(4000)는 공급포트(4500)로 초임계유체를 대신 다른 공정유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정유체로 초임계유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마가스, 불활성가스 등이 사용될 수 있을 것이다. In the above, it has been described that the
또한, 기판처리장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 공급라인(4550)이나 배기라인(4650)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부공급포트(4110)과 하부공급포트(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계유체를 공급하기 시작한 뒤 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.In addition, the
이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented as a computer or a similar device using hardware, software, or a combination thereof.
하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In hardware, controllers are ASICs (application specific integrated circuits), DSPs (digital signal processors), DSPDs (digital signal processing devices), PLDs (programmable logic devices), FPGAs (field programmable gate arrays), processors, and microcontrollers. It can be implemented as (micro-controllers), microprocessors, or electrical devices that perform similar control functions.
또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.In addition, in terms of software, the controller may be implemented by software codes or software applications written in one or more programming languages. The software can be executed by a control unit implemented in hardware. In addition, the software can be installed by being transmitted from an external device such as a server in the above-described hardware configuration.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to the present invention will be described using the
상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 건조 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해 스팀 부재 또는 노즐 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above-described examples, it has been described that a drying process is performed on the substrate S, but unlike this, the type of process and the number of process chambers may be different. In addition, a steam member or a nozzle member may be further provided for the wafer W. The present invention described above is capable of various modifications, substitutions, and modifications without departing from the technical spirit of the present invention to those of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. It is not limited by the drawings. In addition, the embodiments described in the present specification are not limitedly applicable, and all or part of each of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.
100: 기판처리장치
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 이송프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 제1공정챔버 3100: 지지부재 3200: 노즐부재
3300: 회수부재
4000: 제2공정챔버 4100: 하우징 4110: 상부 바디
4120: 하부 바디 4200: 승강부재 4300: 지지유닛
5000: 실링 어셈블리 5100: 외체 5200: 삽입물100: substrate processing apparatus
1000: index module 1100: load port 1200: transfer frame
1210: index robot 1220: index rail
2000: process module 2100: buffer chamber 2200: transfer chamber
2210: transfer robot 2220: transfer rail
3000: first process chamber 3100: support member 3200: nozzle member
3300: recovery member
4000: second process chamber 4100: housing 4110: upper body
4120: lower body 4200: elevating member 4300: support unit
5000: sealing assembly 5100: outer body 5200: insert
Claims (18)
상부 바디와 상기 상부 바디와 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성하는 하부 바디를 가지는 하우징;
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 사이에 배치되고, 링 형상으로 제공되며, 상기 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리; 및,
상기 하우징 내로 초임계 유체를 공급하는 공급포트를 포함하되,
상기 실링 어셈블리는,
외체;
상기 외체의 내부에 삽입되는 삽입물;를 포함하되,
상기 외체와 상기 삽입물의 재질이 상이하고,
상기 삽입물은 상기 외체에 의해 상기 내부 공간에 노출되지 않도록 제공되며,
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 유기용제의 흡수율이 더 낮고,
상기 하우징에서는 상기 초임계 유체에 의해 기판을 건조하는 기판 처리 장치. In the apparatus for processing a substrate,
A housing having an upper body and a lower body combined with the upper body to form an inner space in which a process is processed;
A sealing assembly disposed between the upper body and the lower body, provided in a ring shape, and sealing the inner space from the outside; And,
Including a supply port for supplying a supercritical fluid into the housing,
The sealing assembly,
External body;
Including; inserts inserted into the interior of the outer body,
The material of the outer body and the insert are different,
The insert is provided so as not to be exposed to the inner space by the outer body,
The material of the insert has a lower absorption rate of the organic solvent than the material of the outer body,
In the housing, the substrate processing apparatus for drying the substrate by the supercritical fluid.
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 강도가 더 높은 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The material of the insert has a higher strength than the material of the outer body.
상기 삽입물은 금속 재질인 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The insert is a substrate processing apparatus of a metal material.
상기 외체는 상기 삽입물의 재질보다 유연한 재질인 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The outer body is a substrate processing apparatus of a material that is more flexible than the material of the insert.
상기 외체는 플라스틱 재질인 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The outer body is a substrate processing apparatus made of plastic.
상기 실링 어셈블리는,
외체;
상기 외체의 내부에 삽입되는 삽입물;를 포함하되,
상기 외체와 상기 삽입물의 재질이 상이하고,
상기 삽입물은 상기 외체에 의해 상기 내부 공간에 노출되지 않도록 제공되며,
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 유기용제의 흡수율이 더 낮고,
상기 내부 공간으로 초임계 유체가 공급되는 실링 어셈블리.In the sealing assembly provided between the two bodies to seal the inner space formed by the bodies from the outside,
The sealing assembly,
External body;
Including; inserts inserted into the interior of the outer body,
The material of the outer body and the insert are different,
The insert is provided so as not to be exposed to the inner space by the outer body,
The material of the insert has a lower absorption rate of the organic solvent than the material of the outer body,
A sealing assembly in which a supercritical fluid is supplied to the inner space.
상기 삽입물의 재질은 상기 외체의 재질보다 강도가 더 높은 실링 어셈블리.The method of claim 8,
The material of the insert is a sealing assembly having a higher strength than the material of the outer body.
상기 삽입물은 금속 재질인 실링 어셈블리.The method of claim 10,
The insert is a sealing assembly made of metal.
상기 외체는 상기 삽입물의 재질보다 유연한 재질인 실링 어셈블리. The method of claim 8,
The outer body is a sealing assembly of a material that is more flexible than the material of the insert.
상기 외체는 플라스틱 재질인 실링 어셈블리.The method of claim 12,
The outer body is a sealing assembly made of plastic.
상기 삽입물은 상기 외체의 재질보다 유기용제의 흡수율이 더 낮은 재질을 사용하고,
상기 유기용제는 상기 하우징 내로 초임계유체를 공급하여 제거하는 기판 처리 방법. In the process of removing the organic solvent provided on the substrate, sealing the housing used in the process from the outside, and using a sealing assembly including an outer body and an insert inserted into the outer body, wherein the sealing assembly includes the insert and Using the outer body of different materials,
The insert is made of a material having a lower absorption rate of the organic solvent than the material of the outer body,
The substrate processing method of removing the organic solvent by supplying a supercritical fluid into the housing.
상기 삽입물은 상기 외체의 재질보다 강도가 더 높은 재질을 사용하는 기판 처리 방법.The method of claim 14,
The substrate processing method using a material having a higher strength than the material of the outer body for the insert.
상기 외체는 상기 삽입물의 재질보다 유연성이 더 높은 재질을 사용하는 기판 처리 방법.
The method of claim 14,
The substrate processing method using a material having a higher flexibility than the material of the insert for the outer body.
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