KR101329304B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 기판처리장치 및 기판처리방법, 보다 상세하게는, 초임계공정을 수행하는 기판처리장치 및 이를 이용하는 기판처리방법을 개시한다. 본 발명에 따른 기판처리장치의 일 양상은, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 기판을 지지하는 지지부재; 상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 공급포트; 상기 공급포트와 상기 지지부재 사이에 배치되어 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 차단플레이트를 포함하는 차단부재; 및 상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 배출포트;를 포함한다.The present specification discloses a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, a substrate processing apparatus performing a supercritical process and a substrate processing method using the same. One aspect of the substrate treating apparatus according to the present invention includes a housing providing a space in which a process is performed; A support member supporting a substrate in the housing; A supply port for supplying a process fluid to the housing; A blocking member disposed between the supply port and the support member, the blocking member including a blocking plate to block the process fluid from being directly injected onto the substrate; And a discharge port for exhausting the process fluid from the housing.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 초임계공정을 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a supercritical process.

반도체소자는 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 회로패턴을 형성하는 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 거쳐 제조되는데, 이러한 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생하게 된다. 이러한 이물질들은 기판에 결함(defect)을 일으켜 반도체소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용하므로, 반도체소자의 제조공정에는 이러한 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다. Semiconductor devices are manufactured through various processes, including photolithography, which forms circuit patterns on substrates such as silicon wafers. During this process, various foreign substances such as particles, organic contaminants, and metal impurities are generated. Done. Since these foreign matters cause defects on the substrate and directly affect the performance and yield of the semiconductor device, a cleaning process for removing such foreign matters is essential in the manufacturing process of the semiconductor device.

세정공정은 케미컬로 기판 상의 이물질을 제거하는 케미컬공정, 케미컬을 순수로 세척하는 세척공정, 기판을 건조시키는 건조공정을 거쳐 수행되는데, 종래의 건조공정은 기판 상의 순수를 비교적 표면장력이 작은 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol) 등의 유기용제로 치환한 뒤 이를 증발시키는 방식으로 이루어져왔다. The cleaning process is performed through a chemical process for removing foreign substances on the substrate with a chemical, a washing process for washing the chemical with pure water, and a drying process for drying the substrate. A conventional drying process is performed by pure water on a substrate with isopropyl having a relatively low surface tension. Substituted with an organic solvent such as alcohol (IPA: isopropyl alcohol) and then evaporated it.

그러나, 이러한 건조방식은 유기용제를 이용하더라도 선폭 30nm 이하의 미세한 회로패턴을 가지는 반도체소자에 대해서는 여전히 도괴현상(pattern collapse)을 유발하기 때문에, 최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 기존의 건조공정을 대체해 나가고 있는 추세이다. However, such a drying method still causes a pattern collapse for semiconductor devices having a fine circuit pattern of 30 nm or less in line width even though an organic solvent is used. The drying process is replacing the existing drying process.

본 발명의 일 과제는, 초임계유체를 이용하여 기판의 패턴면은 물론 비패턴면을 균일하게 건조시키는 것이다.One object of the present invention is to uniformly dry the pattern surface of the substrate as well as the non-pattern surface using a supercritical fluid.

본 발명의 다른 과제는, 초임계공정에서 기판의 리닝(leaning)현상을 방지하는 것이다.Another object of the present invention is to prevent the phenomenon of lining of the substrate in the supercritical process.

본 발명의 또 다른 과제는, 본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Another object of the present invention, the problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, the objects that are not mentioned are those having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs from the specification and the accompanying drawings. Will be clearly understood to him.

본 발명은 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명에 따른 기판처리장치의 일 양상은, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 기판을 지지하는 지지부재; 상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 공급포트; 상기 공급포트와 상기 지지부재 사이에 배치되어 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 차단플레이트를 포함하는 차단부재; 및 상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 배출포트;를 포함한다.One aspect of the substrate treating apparatus according to the present invention includes a housing providing a space in which a process is performed; A support member supporting a substrate in the housing; A supply port for supplying a process fluid to the housing; A blocking member disposed between the supply port and the support member, the blocking member including a blocking plate to block the process fluid from being directly injected onto the substrate; And a discharge port for exhausting the process fluid from the housing.

상기 공급포트는, 상기 하우징의 서로 다른 면에 형성되는 제1공급포트 및 제2공급포트를 포함하고, 상기 차단플레이트는, 상기 지지부재와 상기 제1공급포트 사이에 배치될 수 있다. The supply port may include a first supply port and a second supply port formed on different surfaces of the housing, and the blocking plate may be disposed between the support member and the first supply port.

상기 제1공급포트는, 상기 하우징의 하면에 형성되어 상기 기판의 하면 중앙부를 향해 상기 공정유체를 분사하고, 상기 제2공급포트는, 상기 하우징의 상면에 형성되어 상기 기판의 상면 중앙부를 향해 상기 공정유체를 분사할 수 있다. The first supply port is formed on the lower surface of the housing and sprays the process fluid toward the central surface of the lower surface of the substrate, and the second supply port is formed on the upper surface of the housing and is directed toward the upper surface central portion of the substrate. Process fluid can be sprayed.

상기 기판처리장치는, 상기 제1공급포트가 먼저 상기 공정유체를 공급한 뒤 상기 제2공급포트가 나중에 상기 공정유체를 공급하도록 제어하는 제어기;를 더 포함할 수 있다. The substrate processing apparatus may further include a controller configured to control the first supply port to supply the process fluid first, and then the second supply port to supply the process fluid later.

상기 차단부재는, 상기 하우징의 하면으로부터 연장되는 지지대를 더 포함하고, 상기 차단플레이트는, 상기 지지대 위에 안착될 수 있다.The blocking member may further include a support extending from the lower surface of the housing, and the blocking plate may be seated on the support.

상기 차단플레이트의 반경은, 상기 기판의 반경보다 크게 제공될 수 있다. The radius of the blocking plate may be provided larger than the radius of the substrate.

상기 공정은 초임계공정이고, 상기 공정유체는, 초임계유체상(supercritical fluid phase)일 수 있다.The process is a supercritical process, and the process fluid may be a supercritical fluid phase.

상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 상부하우징의 아래에 배치되는 하부하우징을 포함하고, 상기 기판처리장치는, 상기 상부하우징 또는 상기 하부하우징 중 어느 하나를 승강시키는 승강부재;를 더 포함할 수 있다.The housing may include an upper housing and a lower housing disposed below the upper housing, and the substrate processing apparatus may further include an elevating member for elevating any one of the upper housing and the lower housing.

상기 지지부재는, 상기 상부하우징으로부터 아래방향으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 절곡되어 상기 기판의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. The support member may extend downward from the upper housing and bend in a horizontal direction at a lower end thereof to support an edge region of the substrate.

상기 기판처리장치는, 상기 상부하우징의 수평도(水平度)를 조정하는 수평조정부재;를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a horizontal adjusting member configured to adjust a horizontal degree of the upper housing.

상기 제1공급포트는, 상기 하부하우징에 형성되고, 상기 제2공급포트는, 상기 상부하우징에 형성될 수 있다.The first supply port may be formed in the lower housing, and the second supply port may be formed in the upper housing.

상기 하우징은, 일측이 개방되고, 상하로 이동하여 상기 개방된 일측을 개폐하는 도어를 포함할 수 있다. The housing may include a door having one side open and moving up and down to open and close the open side.

상기 기판처리장치는, 상기 하우징이 밀폐되도록 상기 도어에 압력을 가하는 가압부재;를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a pressing member for applying pressure to the door to seal the housing.

본 발명은 기판처리방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing method.

본 발명에 따른 기판처리방법의 일 양상은, 하우징으로 기판을 반입하여 지지부재에 안착시키는 단계; 반입된 기판이 지지부재에 안착되는 단계; 상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 단계; 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 단계; 상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 단계; 및 상기 하우징으로부터 상기 기판을 반출하는 단계;를 포함할 수 있다. One aspect of the substrate processing method according to the invention, the step of bringing the substrate into the housing and seating on the support member; Mounting the loaded substrate on the support member; Supplying a process fluid to the housing; Blocking the process fluid from being directly injected into the substrate; Exhausting the process fluid from the housing; And removing the substrate from the housing.

상기 차단하는 단계는, 상기 공정유체를 공급하는 공급포트와 상기 지지부재 사이에 배치되는 차단플레이트가 상기 공정유체를 차단할 수 있다. In the blocking step, the blocking plate disposed between the supply port for supplying the process fluid and the support member may block the process fluid.

상기 공급하는 단계는, 상기 하우징의 상면에 형성된 제1공급포트가 상기 기판의 상면을 향해 상기 공정유체를 분사하고, 상기 하우징의 하면에 형성된 제2공급포트가 상기 기판의 하면을 향해 상기 공정유체를 분사하고, 상기 차단하는 단계는, 상기 차단플레이트가 상기 제2공급포트와 상기 지지부재의 사이에 배치되어 상기 기판의 하면으로 분사되는 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. The supplying may include: spraying the process fluid toward the upper surface of the substrate, and a first supply port formed on the upper surface of the housing, and a second supply port formed on the lower surface of the housing toward the lower surface of the substrate. The spraying and blocking may be performed by blocking the process fluid, which is disposed between the second supply port and the support member, to be sprayed onto the substrate.

상기 공급하는 단계는, 상기 제2공급포트가 상기 공정유체를 분사하여 상기 하우징의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면 상기 제1공급포트가 상기 공정유체를 분사하기 시작할 수 있다. In the supplying step, when the second supply port injects the process fluid and the internal pressure of the housing reaches a preset pressure, the first supply port may start injecting the process fluid.

상기 공정유체는, 초임계유체이고, 상기 초임계유체에 의해 상기 기판에 잔류하는 유기용제가 용해되어 상기 기판이 건조될 수 있다. The process fluid is a supercritical fluid, and the organic solvent remaining on the substrate is dissolved by the supercritical fluid to dry the substrate.

상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 하우징의 아래에 배치되는 하부하우징을 포함하고, 상기 기판은 상기 상부하우징과 상기 하부하우징이 이격된 상태에서 상기 지지부재에 안착되고, 상기 기판처리방법은, 상기 기판이 반입되면, 상기 상부하우징 및 상기 하부하우징 중 하나를 승강시켜 상기 하우징을 밀폐하는 단계;를 더 포함할 수 있다. The housing includes an upper housing and a lower housing disposed below the housing, wherein the substrate is seated on the support member in a state where the upper housing and the lower housing are spaced apart from each other, and the substrate treating method includes the substrate. When this is carried in, lifting the one of the upper housing and the lower housing to seal the housing; may further include.

본 발명에 따른 기판처리방법의 다른 양상은, 유기용제가 잔류하는 기판을 하우징으로 반입하고, 초임계유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하며 상기 기판의 비패턴면을 향해 초임계유체를 공급하며 상기 하우징 내에 초임계분위기를 조성하고, 상기 초임계분위기가 조성되면 상기 기판의 패턴면을 향해 상기 초임계유체를 분사하여 상기 기판의 회로패턴 사이에 잔류하는 유기용제를 용해시켜 상기 기판을 건조할 수 있다. Another aspect of the substrate processing method according to the present invention is to bring a substrate in which an organic solvent remains into a housing, to prevent supercritical fluid from being injected directly onto the substrate, and to supply a supercritical fluid toward an unpatterned surface of the substrate. And forming a supercritical atmosphere in the housing, and if the supercritical atmosphere is formed, spraying the supercritical fluid toward the pattern surface of the substrate to dissolve the organic solvent remaining between the circuit patterns of the substrate to dry the substrate. can do.

상기 기판의 비패턴면을 향해 상기 초임계유체가 분사되는 경로 상에 배치된 차단플레이트가 상기 초임계유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 방지할 수 있다. A blocking plate disposed on a path through which the supercritical fluid is injected toward the non-patterned surface of the substrate may prevent the supercritical fluid from being directly injected onto the substrate.

상기 초임계유체는, 초임계이산화탄소일 수 있다. The supercritical fluid may be supercritical carbon dioxide.

본 발명에 의하면, 기판의 상면과 하면의 양면으로 초임계유체를 분사하여 기판의 전체영역을 건조시킬 수 있다.According to the present invention, the supercritical fluid can be sprayed onto both the upper and lower surfaces of the substrate to dry the entire region of the substrate.

또 본 발명에 의하면, 차단플레이트가 초임계유체가 기판에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계유체에 의해 기판에 리닝현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. According to the present invention, it is possible to prevent the blocking plate from directly injecting the supercritical fluid into the substrate, thereby preventing the phenomenon of lining on the substrate by the supercritical fluid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.
도 2는 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 4의 제2공정챔버의 변형예이다.
도 7은 도 2의 제2공정챔버의 다른 실시예의 사시도이다.
도 8은 도 7의 제2공정챔버의 단면도이다.
도 9는 도 2의 제2공정챔버의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 10은 도 4의 제2공정챔버가 적층되어 배치되는 것을 도시한 도면이다.
도 11은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 12는 기판처리방법의 다른 실시예의 순서도이다.
도 13 내지 도 16은 도 12의 기판처리방법의 동작도이다.1 is a graph relating to the phase change of carbon dioxide.
2 is a plan view of an embodiment of a substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of an embodiment of the second process chamber of FIG. 2.
5 and 6 are modified examples of the second process chamber of FIG.
7 is a perspective view of another embodiment of the second process chamber of FIG. 2.
8 is a cross-sectional view of the second process chamber of FIG. 7.
9 is a cross-sectional view of yet another embodiment of the second process chamber of FIG. 2.
FIG. 10 is a view illustrating that the second process chambers of FIG. 4 are stacked.
11 is a flowchart of one embodiment of a substrate processing method.
12 is a flowchart of another embodiment of a substrate processing method.
13 to 16 illustrate an operation of the substrate treating method of FIG. 12.

본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms and accompanying drawings used herein are for the purpose of illustrating the present invention easily, and the present invention is not limited by the terms and drawings.

본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.The detailed description of known techniques which are not closely related to the idea of the present invention among the techniques used in the present invention will be omitted.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판처리장치(100)는 초임계유체를 공정유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process for treating the substrate S by using the supercritical fluid as the process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a comprehensive concept including both a semiconductor device, a flat panel display (FPD), and other substrates used for manufacturing an article having a circuit pattern formed on a thin film. Examples of such a substrate S include various wafers including silicon wafers, glass substrates, organic substrates, and the like.

초임계유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. Supercritical fluid refers to a phase having both the properties of a gas and a liquid that are formed when a critical temperature and a critical pressure exceeding a critical pressure are reached. Supercritical fluids have molecular densities close to liquids and viscosities close to gases, which is very effective in chemical reactions due to their excellent diffusivity, penetration, and solubility, and do not apply interfacial tension to microstructures because they have little surface tension. Has characteristics.

초임계공정은 이러한 초임계유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계건조공정과 초임계식각공정이 있다. 이하에서는 초임계공정에 관하여 초임계건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리장치(100)는 초임계건조공정 이외의 다른 초임계공정을 수행할 수 있다. Supercritical processes are carried out using the characteristics of these supercritical fluids. Representative examples include supercritical drying processes and supercritical etching processes. Hereinafter, the supercritical process will be described based on the supercritical drying process. However, since this is only for ease of description, the substrate processing apparatus 100 may perform other supercritical processes other than the supercritical drying process.

초임계건조공정은 초임계유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계건조공정에 이용되는 초임계유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process may be performed by dissolving the organic solvent remaining in the circuit pattern of the substrate S as a supercritical fluid to dry the substrate S. It is excellent in drying efficiency and prevents collapse. There are advantages to it. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a material miscible with an organic solvent may be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO 2 ) can be used as the supercritical fluid.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.1 is a graph relating to the phase change of carbon dioxide.

이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다. Carbon dioxide has a critical temperature of 31.1 ℃, the critical pressure of 7.38Mpa is relatively low, making it easy to supercritical state, easy to control the phase change by adjusting the temperature and pressure, and has the advantage of low cost. In addition, carbon dioxide is harmless to humans due to its nontoxicity, nonflammability, and inertness. Supercritical carbon dioxide has a diffusion coefficient of 10 to 100 times higher than water or other organic solvents, resulting in rapid penetration. The substitution of the solvent is quick, and there is little surface tension, which has advantageous properties for use in drying the substrate S having a fine circuit pattern. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and can be used in a supercritical drying process, and then converted into a gas to separate and reuse organic solvents, which is less burdensome in terms of environmental pollution.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 초임계건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 2는 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.2 is a plan view of an embodiment of a substrate processing apparatus 100.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a process module 2000.

인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 may receive the substrate S from the outside and convey the substrate S to the process module 2000, and the process module 2000 may perform a supercritical drying process.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 is an equipment front end module (EFEM) and includes a load port 1100 and a transfer frame 1200.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.In the load port 1100, a container C in which the substrate S is accommodated is placed. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C may be brought into or out of the load port 1100 from the outside by an overhead transfer (OHT).

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transport frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 may move on the index rail 1220 and carry the substrate S.

공정모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 is a module that actually performs a process, and includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000.

버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정챔버(3000)나 제2공정챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space in which the substrate S to be temporarily transported between the index module 1000 and the process module 2000 temporarily stays. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot on which the substrate S is placed. For example, the index robot 1210 may withdraw the substrate S from the container C and place it in the buffer slot, and the transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 may take the substrate S placed in the buffer slot. The drawing may be transferred to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. A plurality of buffer slots may be provided in the buffer chamber 2100 so that a plurality of substrates S may be placed.

이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 conveys the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000, and the second process chamber 4000 arranged around the periphery. The transfer chamber 2200 may include a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 may move on the transfer rail 2220 and carry the substrate S.

제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 세정공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정공정은 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)에서는 세정공정 중 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정이 수행되고, 뒤이어 제2공정챔버(4000)에서는 초임계건조공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may perform a cleaning process. In this case, the cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. For example, a chemical process, a rinse process, and an organic solvent process may be performed during the cleaning process in the first process chamber 3000, and then a supercritical drying process may be performed in the second process chamber 4000.

이러한 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed to face each other on the other side of the transfer chamber 2200.

또한, 공정모듈(2000)에는 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정챔버들(3000, 4000)은 이송챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In addition, a plurality of first process chambers 3000 and second process chambers 4000 may be provided in the process module 2000. The plurality of process chambers 3000 and 4000 may be arranged in a row on the side of the transfer chamber 2200, stacked up and down, or a combination thereof.

물론, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판처리장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above-described example, and may be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint and process efficiency of the substrate processing apparatus 100. have.

이하에서는 제1공정챔버(3000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber 3000 will be described.

도 3은 도 2의 제1공정챔버(3000)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first process chamber 3000 of FIG. 2.

제1공정챔버(3000)는 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1공정챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스공정은 기판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The first process chamber 3000 may perform a chemical process, a rinse process, and an organic solvent process. Of course, the first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing foreign substances on the substrate S by providing a cleaner to the substrate S, and the rinsing process is a process of washing the detergent remaining on the substrate S by providing a rinse agent to the substrate. The organic solvent step is a step of providing an organic solvent to the substrate S to replace the rinse agent remaining between the circuit patterns of the substrate S with an organic solvent having a low surface tension.

도 3을 참조하면, 제1공정챔버(3000)는 지지부재(3100), 노즐부재(3200) 및 회수부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지부재(3100)는 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다. The support member 3100 supports the substrate S and can rotate the supported substrate S. [ The support member 3100 may include a support plate 3110, a support pin 3111, a chucking pin 3112, a rotation shaft 3120, and a rotation driver 3130.

지지플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 형성된다. 지지핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has a top surface of the same or similar shape as the substrate S, and a support pin 3111 and a chucking pin 3112 are formed on the top surface of the support plate 3110. The support pin 3111 may support the substrate S, and the chucking pin 3112 may fix the supported substrate S.

지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결된다. 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The rotating shaft 3120 is connected to the lower portion of the support plate 3110. The rotary shaft 3120 receives the rotational force from the rotary driver 3130 to rotate the support plate 3110. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 may rotate. In this case, the chucking pin 3112 may prevent the substrate S from leaving the correct position.

노즐부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐부재(3200)는 노즐(3210), 노즐바(3220), 노즐축(3230) 및 노즐축구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 injects a medicament to the substrate (S). The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle shaft 3230, and a nozzle shaft driver 3240.

노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 injects a medicament onto the substrate S mounted on the support plate 3110. The agent may be a detergent, a rinse agent or an organic solvent. Here, the cleaning agent may be a solution in which ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl) or sulfuric acid (H 2 SO 4 ) is mixed with hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) solution or hydrogen peroxide solution, or a hydrofluoric acid (HF) solution. have. In addition, pure water may be used as a rinse agent. As the organic solvent, isopropyl alcohol, ethyl glycol, 1-propanol, tetra hydraulic franc, 4-hydroxyl, 4-methyl, 2-pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol or dimethylether Gas can be used.

이러한 노즐(3210)은 노즐바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐바(3220)는 노즐축(3230)에 결합되며, 노즐축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐축구동기(3240)는 노즐축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. The nozzle 3210 is formed at one end of the nozzle bar 3220. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle shaft 3230, and the nozzle shaft 3230 is provided to be able to lift or rotate. The nozzle shaft driver 3240 may adjust the position of the nozzle 3210 by lifting or rotating the nozzle shaft 3230.

회수부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the medicine supplied to the substrate S. When the medicine is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200, the support member 3100 may rotate the substrate S to uniformly supply the medicine to the entire area of the substrate S. When the substrate S rotates, the medicament is scattered from the substrate S, and the medicament scattering may be recovered by the recovery member 3300.

회수부재(3300)는 회수통(3310), 회수라인(3320), 승강바(3330) 및 승강구동기(3340)를 포함할 수 있다. The recovery member 3300 may include a recovery container 3310, a recovery line 3320, a lifting bar 3330, and a lifting driver 3340.

회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The recovery container 3310 is provided in an annular ring shape surrounding the support plate 3110. The recovery container 3310 may be plural, and the recovery container 3310 is provided in a ring shape away from the support plate 3110 in order when viewed from the top, and the recovery container 3110 is located at a distance from the support plate 3110. 3310) is provided so that the height is higher. As a result, a recovery port 3311 through which the chemicals scattered from the substrate S flows into the space between the recovery containers 3310 is formed.

회수통(3310)의 하면에는 회수라인(3320)이 형성된다. 회수라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A recovery line 3320 is formed on the bottom surface of the recovery container 3310. The recovery line 3320 is supplied to a drug regeneration system (not shown) for regenerating the drug recovered in the recovery container 3310.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the recovery container 3310 to receive power from the lifting driver 3340 to move the recovery container 3310 up and down. The lifting bar 3330 may be connected to the recovery container 3310 disposed at the outermost part when the recovery container 3310 is plural. The lifting and lowering driver 3340 may adjust the recovery port 3311 through which the chemicals scattered among the plurality of recovery ports 3311 are lifted by elevating the recovery container 3310 through the lifting bar 3330.

이하에서는 제2공정챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the second process chamber 4000 will be described.

제2공정챔버(4000)는 초임계유체를 이용하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2공정챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. Of course, as described above, the process performed in the second process chamber 4000 may be a supercritical process other than the supercritical drying process.

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 4는 도 2의 제2공정챔버(4000)의 일 실시예의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an embodiment of the second process chamber 4000 of FIG. 2.

도 4를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 승강부재(4200), 지지부재(4300), 가열부재(4400), 공급포트, 차단부재(4600) 및 배기포트(4700)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the second process chamber 4000 may include a housing 4100, a lifting member 4200, a supporting member 4300, a heating member 4400, a supply port, a blocking member 4600, and an exhaust port 4700. ) May be included.

하우징(4100)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 4100 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 4100 is provided of a material that can withstand high pressures above the critical pressure.

하우징(4100)은 상부하우징(4110)과 상부하우징(4110)의 하부에 배치되는 하부하우징(4120)을 구비하여 상하부로 구분되는 구조로 제공될 수 있다. The housing 4100 may include a top housing 4110 and a lower housing 4120 disposed below the upper housing 4110, and may be provided in a top and bottom structure.

상부하우징(4110)은 고정되어 설치되며, 하부하우징(4120)은 승강할 수 있다. 하부하우징(4120)이 하강하여 상부하우징(4110)으로부터 이격되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부하우징(4120)이 상승하여 상부하우징(4110)에 밀착되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부하우징(4120)이 고정되어 설치되고, 상부하우징(4110)이 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper housing 4110 is fixedly installed, and the lower housing 4120 may be elevated. When the lower housing 4120 descends and is spaced apart from the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is opened, and the substrate S is carried into the inner space of the second process chamber 4000 or the inner space. Can be exported from. Here, the substrate S carried into the second process chamber 4000 may be in a state in which the organic solvent remains after the organic solvent process in the first process chamber 3000. In addition, when the lower housing 4120 is raised to be in close contact with the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 may be sealed, and a supercritical drying process may be performed therein. Of course, unlike the above-described example, the lower housing 4120 is fixedly installed in the housing 4100 and may be provided in a structure in which the upper housing 4110 is elevated.

승강부재(4200)는 하부하우징(4120)을 승강시킨다. 승강부재(4200)는 승강실린더(4210) 및 승강로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강실린더(4210)는 하부하우징(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(4210)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)을 밀착시켜 제2공정챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부하우징(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(4210)와 승강로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(4210)에 결합된 하부하우징(4120)이 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(4210)에 의해 하부하우징(4120)이 승강하는 동안 승강로드(4220)는 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The lifting member 4200 lifts the lower housing 4120. The lifting member 4200 may include a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower housing 4120 to generate driving force in the up and down direction, that is, lifting force. The lifting cylinder 4210 overcomes the high pressure above the critical pressure inside the second process chamber 4000 while the supercritical drying process is performed, and closely attaches the upper housing 4110 and the lower housing 4120 to the second process chamber 4000. ) Generates a driving force that can be sealed. One end of the elevating rod 4220 is inserted into the elevating cylinder 4210 and extended vertically, and the other end thereof is coupled to the upper housing 4110. When the driving force is generated in the lifting cylinder 4210 according to this structure, the lifting cylinder 4210 and the lifting rod 4220 are lifted relative to the lower housing 4120 coupled to the lifting cylinder 4210. In addition, the lifting rod 4220 prevents the upper housing 4110 and the lower housing 4120 from moving horizontally while the lower housing 4120 is lifted by the lifting cylinder 4210, and guides the lifting direction to the upper portion. The housing 4110 and the lower housing 4120 may be prevented from being separated from each other in the correct position.

지지부재(4300)는 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)의 사이에 기판(S)을 지지한다. 지지부재(4300)는 상부하우징(4110)의 하면에 설치되어 수직하방으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 수직하게 절곡되는 구조로 제공될 수 있다. 이에 따라 지지부재(4300)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 이처럼 지지부재(4300)가 기판(S)의 가장자리 영역에 접촉하여 기판(S)을 지지하므로 기판(S) 상면 전체영역과 하면의 대부분의 영역에 대해서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다. 또, 지지부재(4300)는 고정되어 설치되는 상부하우징(4110)이 설치되므로 하부하우징(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. The support member 4300 supports the substrate S between the upper housing 4110 and the lower housing 4120. The support member 4300 may be provided on a lower surface of the upper housing 4110 and extend vertically downward, and may be provided in a structure bent vertically in the horizontal direction at the lower end thereof. Accordingly, the support member 4300 may support the edge region of the substrate S. Since the support member 4300 contacts the edge region of the substrate S and supports the substrate S as described above, the supercritical drying process can be performed on the entire upper surface and most of the lower surface of the substrate S. Here, the upper surface of the substrate S may be a patterned surface, and the lower surface of the substrate S may be a non-patterned surface. In addition, since the upper housing 4110 is fixedly installed, the support member 4300 may support the substrate S relatively stably while the lower housing 4120 is elevated.

이처럼 지지부재(4300)가 설치되는 상부하우징(4110)에는 수평조정부재(4111)이 설치될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 상부하우징(4110)의 수평도(水平度)을 조정한다. 상부하우징(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(4111)에 설치된 지지부재(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부하우징(4110)이 승강되고 하부하우징(4120)이 고정되어 설치되거나 지지부재(4300)가 하부하우징(4120)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(4111)는 하부하우징(4120)에 설치될 수도 있을 것이다.As such, a horizontal adjusting member 4111 may be installed in the upper housing 4110 in which the supporting member 4300 is installed. The horizontal adjusting member 4111 adjusts the horizontality of the upper housing 4110. When the horizontality of the upper housing 4110 is adjusted, the horizontality of the substrate S seated on the support member 4300 installed in the upper housing 4111 may be adjusted. In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows through the inclined surface, and a specific portion of the substrate S is not dried or is overdried to damage the substrate S. Can be. The horizontal adjusting member 4111 may prevent such a problem by leveling the substrate S. Of course, when the upper housing 4110 is elevated and the lower housing 4120 is fixedly installed or the support member 4300 is installed in the lower housing 4120, the horizontal adjusting member 4111 is installed in the lower housing 4120. It could be.

가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(4400)는 상부하우징(4110) 및 하부하우징(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 이러한 가열부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 4400 heats the interior of the second process chamber 4000. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid supplied inside the second process chamber 4000 above a critical temperature to maintain the supercritical fluid or to become a supercritical fluid again when liquefied. The heating member 4400 may be embedded in at least one wall of the upper housing 4110 and the lower housing 4120. The heating member 4400 may be provided as, for example, a heater that generates heat by receiving power from the outside.

공급포트는 제2공정챔버(4000)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트는 초임계유체를 공급하는 공급라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트에는 공급라인(4550)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port supplies the supercritical fluid to the second process chamber 4000. The supply port may be connected to a supply line 4550 for supplying a supercritical fluid. At this time, the supply port may be provided with a valve for adjusting the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply line (4550).

공급포트는 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)를 포함할 수 있다. 상부공급포트(4510)는 상부하우징(4110)에 형성되어 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(4520)는 하부하우징(4120)에 형성되어 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The supply port may include an upper supply port 4510 and a lower supply port 4520. The upper supply port 4510 is formed in the upper housing 4110 and supplies a supercritical fluid to the upper surface of the substrate S supported by the support member 4300. The lower supply port 4520 is formed in the lower housing 4120 and supplies a supercritical fluid to the lower surface of the substrate S supported by the support member 4300.

공급포트들은 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(4510)는 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(4520)는 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 공급포트로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공될 수 있을 것이다.The supply ports may spray the supercritical fluid into the central region of the substrate S. For example, the upper supply port 4510 may be located vertically above the center of the substrate S supported by the support member 4300. In addition, the lower supply port 4520 may be located vertically downward from the center of the substrate S supported by the support member 4300. Accordingly, the supercritical fluid injected into the supply port may reach the center region of the substrate S and spread to the edge region to be uniformly provided in the entire region of the substrate S. FIG.

이러한 상부공급포트(4510)와 하부공급포트(4520)에서는 먼저 하부공급포트(4520)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(4510)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 상부공급포트(4510)는 하부공급포트(4520)를 통해 제2공정챔버(4000)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달하면 초임계유체의 공급을 시작하여, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. In the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520, the lower supply port 4520 may supply a supercritical fluid first, and later the upper supply port 4510 may supply a supercritical fluid. Since the supercritical drying process may be performed in a state where the inside of the second process chamber 4000 is less than the critical pressure in the initial stage, the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 may be liquefied. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid may be liquefied and fall to the substrate S by gravity to damage the substrate S. The upper supply port 4510 is supplied with a supercritical fluid to the second process chamber 4000 through the lower supply port 4520 so that the supercritical fluid is supplied when the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches a critical pressure. Starting from, it is possible to prevent the supercritical fluid supplied to liquefy and fall to the substrate (S).

차단부재(4600)는 공급포트를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)에 바로 분사되는 것을 차단한다. 차단부재(4600)는 차단플레이트(4610)와 지지대(4620)를 포함할 수 있다.The blocking member 4600 prevents the supercritical fluid supplied through the supply port from being directly injected onto the substrate S. The blocking member 4600 may include a blocking plate 4610 and a support 4620.

차단플레이트(4610)는 공급포트와 지지부재(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 사이에 배치된다. 예를 들어, 차단플레이트(4610)는 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 배치되어, 기판(S)의 하방에 위치할 수 있다. 이러한 차단플레이트(4610)는 하부공급포트(4520)를 통해 공급되는 초임계유체가 기판(S)의 하면에 직접적으로 분사되는 것을 방지할 수 있다. The blocking plate 4610 is disposed between the supply port and the substrate S supported by the support member 4300. For example, the blocking plate 4610 may be disposed between the lower supply port 4520 and the support member 4300, and may be positioned below the substrate S. The blocking plate 4610 may prevent the supercritical fluid supplied through the lower supply port 4520 from being directly sprayed on the lower surface of the substrate S.

이러한 차단플레이트(4610)는 그 반경이 기판(S)과 유사하거나 더 크게제공될 수 있다. 이러한 경우에는 차단플레이트(4610)가 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 완벽히 차단할 수 있을 것이다. 한편, 차단플레이트(4610)는 그 반경이 기판(S)보다 작게 제공될 수도 있다. 이 경우에는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하면서도 초임계유체의 유속을 최소한으로 저하시켜 기판(S)에 초임계유체가 비교적 쉽게 도달하여 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 효과적으로 진행될 수 있을 것이다.The blocking plate 4610 may be provided with a radius similar to or larger than that of the substrate S. FIG. In this case, the blocking plate 4610 may completely block the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate S. On the other hand, the blocking plate 4610 may be provided with a radius smaller than the substrate (S). In this case, while the supercritical fluid is prevented from being injected directly onto the substrate S, the flow rate of the supercritical fluid is reduced to a minimum, and the supercritical fluid reaches the substrate S relatively easily, so that the supercritical drying on the substrate S is performed. The process will be able to proceed effectively.

지지대(4620)는 차단플레이트(4610)를 지지한다. 즉, 차단플레이트(4610)는 지지대(4620)의 일단에 놓여질 수 있다. 이러한 지지대(4620)는 하우징(4100)의 하면으로부터 연직상방으로 연장될 수 있다. 지지대(4620)와 차단플레이트(4610)는 별도의 결합없이 단순히 차단플레이트(4610)가 중력에 의해 지지대(4620)에 놓여지도록 설치될 수 있다. 지지대(4620)와 차단플레이트(4610)가 너트나 볼트 등의 결합수단에 의해 결합되는 경우에는, 침투력이 뛰어난 초임계유체가 그 사이에 침투한 뒤 오염물질을 발생시킬 수 있다. 물론, 지지대(4620)와 차단플레이트(4610)는 일체로 제공될 수도 있을 것이다.The support 4620 supports the blocking plate 4610. That is, the blocking plate 4610 may be placed at one end of the support 4620. The support 4620 may extend vertically upward from the lower surface of the housing 4100. The support 4620 and the blocking plate 4610 may be installed such that the blocking plate 4610 is placed on the support 4620 by gravity without any separate coupling. When the support 4620 and the blocking plate 4610 are coupled by a coupling means such as a nut or a bolt, a supercritical fluid having excellent penetration force may penetrate therebetween to generate contaminants. Of course, the support 4620 and the blocking plate 4610 may be provided integrally.

초임계건조공정의 초기에 하부공급포트(4520)를 통해 초임계유체가 공급되는 경우에는, 하우징(4500)의 내부기압이 낮은 상태이므로 공급되는 초임계유체가 빠른 속도로 분사될 수 있다. 이처럼 빠른 속도로 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접적으로 도달하게 되면, 초임계유체의 물리적인 압력에 의해 초임계유체가 기판(S) 중 직접 분사되는 부분이 휘어 리닝현상이 발생할 수 있다. 또한, 초임계유체의 분사력에 의해 기판(S)이 요동하여 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 흘러 기판(S)의 회로패턴에 손상이 발생할 수도 있다. When the supercritical fluid is supplied through the lower supply port 4520 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid supplied may be injected at a high speed since the internal pressure of the housing 4500 is low. When the supercritical fluid sprayed at such a high speed reaches the substrate S directly, the supercritical fluid may be directly sprayed in the substrate S due to the physical pressure of the supercritical fluid, which may cause the phenomenon of lining. have. In addition, the substrate S may be shaken due to the injection force of the supercritical fluid, and the organic solvent remaining on the substrate S may flow to damage the circuit pattern of the substrate S.

따라서, 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 배치된 차단플레이트(4610)는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하여 초임계유체의 물리적 힘에 의해 기판(S)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, the blocking plate 4610 disposed between the lower supply port 4520 and the support member 4300 blocks the supercritical fluid from being directly injected onto the substrate S, thereby preventing the substrate from being applied by the physical force of the supercritical fluid. Damage to S) can be prevented.

물론, 차단플레이트(4610)의 위치가 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이로 한정되는 것은 아니다. Of course, the position of the blocking plate 4610 is not limited between the lower supply port 4520 and the support member 4300.

도 5 및 도 6은 도 4의 제2공정챔버의 변형예이다.5 and 6 are modified examples of the second process chamber of FIG.

도 5를 참조하면, 차단플레이트(4610)는 상부공급포트(4510)와 지지부재(4300)에 의해 안착되는 기판(S)의 사이에 배치될 수 있다. 또 도 6을 참조하면, 차단플레이트(4610)는 상부공급포트(4510)와 지지부재(4300)의 사이, 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 각각 배치될 수도 있다. 여기서, 상부공급포트(4610)와 지지부재(4300)의 사이에 차단플레이트(4610)가 배치되는 경우에는 지지대(4620)는 상부하우징(4110)의 하면으로부터 연직하방으로 연장되어 그 하단이 수평방향으로 절곡되도록 제공될 수 있다. 이러한 구조에 의해 지지대(4620)는 별도의 결합수단 없이 중력에 의해 차단플레이트(4610)를 지지할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 5, the blocking plate 4610 may be disposed between the upper supply port 4510 and the substrate S seated by the support member 4300. 6, the blocking plate 4610 may be disposed between the upper supply port 4510 and the support member 4300, and between the lower supply port 4520 and the support member 4300, respectively. Here, in the case where the blocking plate 4610 is disposed between the upper supply port 4610 and the support member 4300, the support 4620 extends vertically downward from the lower surface of the upper housing 4110 so that the lower end thereof is in the horizontal direction. It may be provided to be bent. By this structure, the support 4620 may support the blocking plate 4610 by gravity without a separate coupling means.

다만, 차단플레이트(4610)가 공급포트에서 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 도달하는 경로 상에 배치되는 경우에는 초임계유체가 기판(S)에 도달하는 효율이 저하되므로, 차단플레이트(4610)를 배치하는 위치는 초임계유체에 의해 기판(S)이 손상되는 정도와 초임계유체가 기판(S)에 전달되어 기판(S)이 건조되는 정도를 고려하여 설치할 수 있다. However, when the blocking plate 4610 is disposed on the path where the supercritical fluid injected from the supply port reaches the substrate S, the efficiency of reaching the substrate S is reduced, so that the blocking plate ( 4610 may be disposed in consideration of the degree to which the substrate S is damaged by the supercritical fluid and the degree to which the supercritical fluid is transferred to the substrate S and the substrate S is dried.

특히, 제2공정챔버(4000)에 복수의 공급포트가 제공되는 경우에는 초임계건조공정의 초기에 초임계유체를 공급하는 공급포트에서 분사되는 초임계유체가 직접 기판(S)에 분사되는 이동경로 상에 차단플레이트(4600)를 배치하는 것이 유리할 수 있다. In particular, when a plurality of supply ports are provided in the second process chamber 4000, the supercritical fluid injected from the supply port for supplying the supercritical fluid at the beginning of the supercritical drying process is directly injected to the substrate S. It may be advantageous to place the blocking plate 4600 on the path.

배기포트(4700)는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체를 배기한다. 배기포트(4700)는 초임계유체를 배기하는 배기라인(4750)에 연결될 수 있다. 이때, 배기포트(4700)에는 배기라인(4750)으로 배기하는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. 배기라인(4750)을 통해 배기되는 초임계유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계유체재생시스템(미도시)로 공급될 수 있다. The exhaust port 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The exhaust port 4700 may be connected to an exhaust line 4750 for exhausting the supercritical fluid. At this time, the exhaust port 4700 may be provided with a valve for adjusting the flow rate of the supercritical fluid to be exhausted to the exhaust line (4750). The supercritical fluid exhausted through the exhaust line 4750 may be discharged into the atmosphere or supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기포트(4700)는 하부하우징(4120)에 형성될 수 있다. 초임계건조공정의 후기에는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계유체는 중력에 의해 하부하우징(4120)에 형성된 배기포트(4700)를 통해 배출될 수 있다. The exhaust port 4700 may be formed in the lower housing 4120. In the later stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid may be exhausted from the second process chamber 4000, and the internal pressure may be forced down to a critical pressure or less to liquefy the supercritical fluid. The liquefied supercritical fluid may be discharged through the exhaust port 4700 formed in the lower housing 4120 by gravity.

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 다른 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 7은 도 2의 제2공정챔버(4000)의 다른 실시예의 사시도이고, 도 8은 도 7의 제2공정챔버의 단면도이다.7 is a perspective view of another embodiment of the second process chamber 4000 of FIG. 2, and FIG. 8 is a cross-sectional view of the second process chamber of FIG. 7.

도 7 및 도 8을 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 도어(4130), 가압부재(4800), 지지부재(4300), 가열부재(4400), 공급포트, 차단부재(4600) 및 배기포트(4700)를 포함할 수 있다.7 and 8, the second process chamber 4000 may include a housing 4100, a door 4130, a pressing member 4800, a supporting member 4300, a heating member 4400, a supply port, and a blocking member. 4600 and exhaust port 4700.

제2공정챔버의 일 실시예에 상이하게, 하우징(4100)은 단일한 구조로 제공될 수 있다. 하우징(4100)의 일측에는 개구가 형성된다. 기판(S)은 개구를 통해 하우징(4100)으로 반입되거나 하우징(4100)으로부터 반출될 수 있다. 하우징(4100)에 있어서, 개구가 설치되는 면은 이송챔버(2200)의 제2공정챔버(4000)가 배치되는 일면과 수직한 면일 수 있다.Differently from one embodiment of the second process chamber, the housing 4100 may be provided in a single structure. An opening is formed at one side of the housing 4100. The substrate S may be carried into or out of the housing 4100 through the opening. In the housing 4100, the surface on which the opening is installed may be a surface perpendicular to one surface on which the second process chamber 4000 of the transfer chamber 2200 is disposed.

도어(4130)는 개구와 마주보도록 배치된다. 도어(4130)는 수평으로 이동하여 개구와 이격되거나 밀착되어 하우징(4100)을 개폐할 수 있다.The door 4130 is disposed to face the opening. The door 4130 may move horizontally to be spaced or in close contact with the opening to open and close the housing 4100.

지지부재(4300)는 도어(4130)에 설치될 수 있다. 도어(4130)에 있어서, 지지부재(4300)가 설치되는 면은 개구와 마주보는 면일 수 있다. 도어(4130)에 설치된 지지부재(4300)는 도어(4130)의 이동에 따라 개구를 통해 슬라이딩하여 하우징(4100) 내로 반입되거나 하우징(4100)의 외부에 위치할 수 있다. 이때, 지지부재(4300)는 그 일측이 도어(4130)의 개구와 마주보는 면에 고정되고, 그 면으로부터 수직방향으로 연장되는 플레이트의 형상으로 제공될 수 있다. The support member 4300 may be installed in the door 4130. In the door 4130, a surface on which the support member 4300 is installed may be a surface facing the opening. The support member 4300 installed in the door 4130 may be carried into the housing 4100 by sliding through the opening according to the movement of the door 4130, or may be located outside the housing 4100. In this case, the support member 4300 may be provided in the shape of a plate whose one side is fixed to a surface facing the opening of the door 4130 and extends in the vertical direction from the surface.

지지부재(4300)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 예를 들어, 플레이트 형상의 지지부재(4300)에는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 홈이 형성되며, 홈의 내측에는 홀이 형성된다. 기판(S)은 홈에 놓여 지지되며, 홈 내측의 홀을 통해 기판(S)의 상면과 하면이 모두 외부로 노출되어 초임계건조공정 동안 기판(S)의 전체영역이 건조될 수 있다. The support member 4300 may support the edge region of the substrate S. For example, grooves having the same or similar shape as the substrate S are formed in the plate-shaped support member 4300, and holes are formed inside the grooves. The substrate S is placed and supported in the groove, and both the top and bottom surfaces of the substrate S are exposed to the outside through holes in the grooves, so that the entire area of the substrate S may be dried during the supercritical drying process.

이러한 지지부재(4300)가 하우징(4100)으로 반입되도록 개구는 지지부재(4300)의 측면 형상과 동일하거나 조금 큰 정도의 면적을 갖도록 제공될 수 있다. 초임계건조공정 동안 하우징(4100)의 내부는 임계압력 이상의 고압으로 유지되므로, 개구의 면적이 넓을수록 도어(4130)가 하우징(4100)을 밀폐하는데 더 큰 힘이 요구되는데, 개구가 지지부재(4300)의 측면의 면적 정도의 크기로 제공되면 비교적 작은 힘으로도 하우징(4100)을 밀폐할 수 있다.The opening may be provided to have an area equal to or slightly larger than the side shape of the support member 4300 such that the support member 4300 is carried into the housing 4100. Since the interior of the housing 4100 is maintained at a high pressure above the critical pressure during the supercritical drying process, the larger the area of the opening is, the greater the force is required for the door 4130 to close the housing 4100. If the size of the area of the side of the 4300 is provided, it is possible to seal the housing 4100 with a relatively small force.

가압부재(4800)는 도어(4130)를 이동시켜 하우징(4100)을 개방하거나 밀폐할 수 있다. 가압부재(4800)는 가압실린더(4810) 및 가압로드(4820)를 포함할 수 있다. The pressing member 4800 may move the door 4130 to open or seal the housing 4100. The pressure member 4800 may include a pressure cylinder 4810 and a pressure rod 4820.

가압실린더(4810)는 하우징(4100)의 양측면에 설치될 수 있다. 가압로드(4820)는 하우징(4100)의 개구가 형성된 면의 양측을 관통하도록 제공되고, 그 일단이 도어(4130)와 결합될 수 있다. 예를 들어, 가압로드(4820)의 상기 일단은 도어(4130)를 관통해 개구와 마주보는 면의 반대측에 형성되는 로드헤드(4821)로 제공될 수 있다.The pressure cylinder 4810 may be installed at both sides of the housing 4100. The pressure rod 4820 may be provided to penetrate both sides of the surface on which the opening of the housing 4100 is formed, and one end thereof may be coupled to the door 4130. For example, the one end of the pressure rod 4820 may be provided as a rod head 4821 formed on the opposite side of the surface facing the opening through the door 4130.

이러한 구조에 따라 가압로드(4820)는 가압실린더(4810)에 의해 수평방향으로 이동하며 도어(4130)를 수평방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라 도어(4130)가 개구로부터 이격되어 지지부재(4300)가 하우징(4100)의 외부로 노출되면 이송로봇(2210)이 기판(S)을 지지부재(4300)에 안착시킬 수 있으며, 기판(S)이 안착되면, 도어(4130)가 개구와 밀착되도록 이동하여 지지부재(4300)에 안착된 기판(S)이 하우징(4100)의 내부로 반입될 수 있다.According to this structure, the pressure rod 4820 may move in the horizontal direction by the pressure cylinder 4810 and move the door 4130 in the horizontal direction. Accordingly, when the door 4130 is spaced apart from the opening and the support member 4300 is exposed to the outside of the housing 4100, the transfer robot 2210 may seat the substrate S on the support member 4300. When S) is seated, the door 4130 may move in close contact with the opening, and the substrate S seated on the support member 4300 may be carried into the housing 4100.

또한, 초임계건조공정이 진행되는 동안, 하우징(4100)의 내부압력이 도어(4130)이 개방되도록 압력을 가할 수 있는데, 가압실린더(4810)가 도어(4130)가 개구와 밀착되도록 구동력을 발생시키고, 가압로드(4820)가 도어(4130)의 개구와 마주보는 반대측에 형성된 로드헤드(4821)를 통해 도어(4130)에 힘을 전달하여, 초임계건조공정 동안 하우징(4100)이 밀폐되도록 할 수 있다. In addition, during the supercritical drying process, the internal pressure of the housing 4100 may apply pressure to open the door 4130, and the pressure cylinder 4810 generates a driving force to close the door 4130 to the opening. And a pressure rod 4820 transmits a force to the door 4130 through a rod head 4721 formed on the opposite side facing the opening of the door 4130 to seal the housing 4100 during the supercritical drying process. Can be.

가열부재(4400), 공급포트, 차단부재(4600) 및 배기포트(4700)는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에서 상술한 내용과 동일 또는 유사할 수 있으므로 이에 관한 자세한 설명은 생략한다.Since the heating member 4400, the supply port, the blocking member 4600, and the exhaust port 4700 may be the same as or similar to those described above in one embodiment of the second process chamber 4000, a detailed description thereof will be omitted. .

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 또 다른 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 9는 도 2의 제2공정챔버의 또 다른 실시예의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of yet another embodiment of the second process chamber of FIG. 2.

도 9를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 도어(4130), 지지부재(4300), 가열부재(4400), 공급포트, 차단부재(4600) 및 배기포트(4700)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 9, the second process chamber 4000 may include a housing 4100, a door 4130, a support member 4300, a heating member 4400, a supply port, a blocking member 4600, and an exhaust port 4700. It may include.

하우징(4100)은 제2공정챔버(4000)의 다른 실시예의 하우징(4000)과 유사하게 일측에 개구가 형성되는 단일한 하우징(4000)으로 제공될 수 있다. 도어(4130)는 상하방향으로 승강하여 개구를 개폐하고, 하우징(4100)을 밀폐할 수 있다. 도어(4130)는 도어플레이트(4131)와 도어구동기(4132)를 포함하여, 도어구동기(4132)가 도어플레이트(4131)를 상하방향으로 이동시킴에 개구를 개폐할 수 있다.The housing 4100 may be provided as a single housing 4000 having an opening formed at one side, similar to the housing 4000 of another embodiment of the second process chamber 4000. The door 4130 may be elevated in the vertical direction to open and close the opening, and seal the housing 4100. The door 4130 includes a door plate 4131 and a door driver 4132 so that the door driver 4132 moves the door plate 4131 up and down to open and close the opening.

지지부재(4300)는 하우징(4100)의 하방으로부터 연직상방으로 연장되고, 그 상단이나 상단부분에서 수평방향으로 절곡되는 형태로 제공될 수 있다. 기판(S)은 이러한 지지부재(4300)에 안착됨에 따라 그 상면 및 하면에 초임계유체를 제공받을 수 있을 것이다. The support member 4300 extends vertically upward from the lower side of the housing 4100 and may be provided in a form that is bent in a horizontal direction at an upper end or an upper end thereof. As the substrate S is seated on the support member 4300, supercritical fluid may be provided on the upper and lower surfaces thereof.

이상에서는 제2공정챔버(4000)의 다양한 실시예에 관하여 설명하였는데, 기판처리장치(100)에는 이러한 제2공정챔버(4000)는 복수개가 적층되어 제공될 수도 있다.In the above, various embodiments of the second process chamber 4000 have been described, but a plurality of such second process chambers 4000 may be provided in the substrate processing apparatus 100.

도 10은 도 4의 제2공정챔버(4000)가 적층되어 배치되는 것을 도시한 도면이다.FIG. 10 illustrates that the second process chamber 4000 of FIG. 4 is stacked.

도 10을 참조하면, 세 개의 제2공정챔버(4000)가 상하방향으로 적층되어 제공되고 있다. 물론, 적층되는 제2공정챔버(4000)의 수는 필요에 따라 가감될 수 있다.Referring to FIG. 10, three second process chambers 4000 are stacked in a vertical direction. Of course, the number of stacked second process chambers 4000 may be adjusted as needed.

이러한 제2공정챔버(4000)에서 최상부의 제2공정챔버(4000a)의 하부하우징(4120)과 중간의 제2공정챔버(4000b)의 상부하우징(4110)이 일체를 이루고, 중간의 제2공정챔버(4000b)의 하부하우징(4120)와 최하부의 제2공정챔버(4000c)의 상부하우징(4110)이 일체를 이루도록 제공될 수 있다. In the second process chamber 4000, the lower housing 4120 of the uppermost second process chamber 4000a and the upper housing 4110 of the intermediate second process chamber 4000b are integrated with each other. The lower housing 4120 of the chamber 4000b and the upper housing 4110 of the lowermost second process chamber 4000c may be provided to be integrated.

이러한 구조에서 최상부의 상부하우징(4110)과 최하부의 하부하우징(4120)을 제외한 다른 하우징(4100)에 형성된 공급포트와 배기포트(4700)는 각각 하우징(4100)의 측면부를 통해서 공급라인(4550) 및 배기라인(4750)과 연결될 수 있을 것이다. 여기서 공급라인(4550) 및 배기라인(4750)은 신축성 있는 유연한 재질로 제공될 수 있다. In this structure, the supply port and the exhaust port 4700 formed in the housing 4100 except for the upper upper housing 4110 and the lower lower housing 4120 are respectively supplied through the side portions of the housing 4100. And an exhaust line 4750. Here, the supply line 4550 and the exhaust line 4750 may be provided with an elastic flexible material.

승강부재(4200)는 승강로드(4220)각 제2공정챔버(4000)를 관통하여 최상부의 제2공정챔버(4000a)에 그 일단이 결합되며, 승강실린더(4210)가 이러한 승강로드(4220)를 승강시켜 복수의 제2공정챔버(4000)를 아래서부터 또는 위에서부터 차례로 밀폐하거나 개방할 수 있을 것이다.One end of the elevating member 4200 is coupled to the uppermost second process chamber 4000a through the second process chamber 4000 of the elevating rods 4220, and the elevating cylinder 4210 is the elevating rod 4220. By raising and lowering, the plurality of second process chambers 4000 may be sealed or opened in order from the bottom or from the top.

이상에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판처리장치(100)의 제2공정챔버(4000)는 공급포트로 초임계유체를 대신 다른 공정유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정유체로 초임계유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마가스, 불활성가스 등이 사용될 수 있을 것이다. The substrate processing apparatus 100 according to the present invention has been described as supplying a supercritical fluid to the substrate S to process the substrate, but the substrate processing apparatus 100 according to the present invention necessarily performs such a supercritical process. It is not limited to doing. Therefore, the second process chamber 4000 of the substrate processing apparatus 100 may process the substrate S by supplying another process fluid instead of the supercritical fluid to the supply port. In this case, an organic solvent or gas of various components, plasma gas, inert gas, etc. may be used as the process fluid instead of the supercritical fluid.

또한, 기판처리장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 노즐부재(2320), 공급라인(4550)이나 배기라인(4750)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 승강부재(4200)나 가압부재(4800)를 제어하여 하우징(4100)을 개방하거나 밀폐할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부공급포트(4110)과 하부공급포트(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계유체를 공급하기 시작한 뒤 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.In addition, the substrate processing apparatus 100 may further include a controller for controlling the components. For example, the controller may control the heating member 4400 to adjust the internal temperature of the housing 4100. For another example, the controller may control the valve installed in the nozzle member 2320, the supply line 4550 or the exhaust line 4750 to adjust the flow rate of the drug or supercritical fluid. As another example, the controller may control the lifting member 4200 or the pressing member 4800 to open or seal the housing 4100. In another example, the controller may start supplying a supercritical fluid to one of the upper supply port 4110 and the lower supply port 4120, and then the internal pressure of the second process chamber 4000 may reach a preset pressure. If so, the other may be controlled to start supplying the supercritical fluid.

이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented in a computer or similar device using hardware, software or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In terms of hardware, controllers include application specific integrated circuits (ASICs), digital signal processors (DSPs), digital signal processing devices (DSPDs), programmable logic devices (PLDs), field programmable gate arrays (FPGAs), processors, and microcontrollers. It can be implemented as micro-controllers, microprocessors or electrical devices that perform similar control functions.

또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.In software, the controller may be implemented by software code or software application written in one or more programming languages. The software is executed by a hardware-implemented control unit. The software may be installed by being transmitted from an external device such as a server in the hardware configuration described above.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing method according to the present invention will be described using the substrate processing apparatus 100 described above. However, since this is only for ease of description, the substrate processing method may be performed using the same or similar other device in addition to the substrate processing apparatus 100 described above. In addition, the substrate processing method according to the present invention may be stored in a computer-readable recording medium in the form of a code or a program for performing the same.

이하에서는 기판처리방법의 일 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 일 실시예는 세정공정 전반에 관한 것이다.Hereinafter, one embodiment of the substrate processing method will be described. One embodiment of a substrate processing method relates to the overall cleaning process.

도 11은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.11 is a flowchart of one embodiment of a substrate processing method.

기판처리방법의 일 실시예는 제1공정챔버(3000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S110), 케미컬공정을 수행하는 단계(S120), 린스공정을 수행하는 단계(S130), 유기용제공정을 수행하는 단계(S140), 제2공정챔버(4000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S150), 초임계건조공정을 수행하는 단계(S160) 및 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 기판(S)을 수납하는 단계(S170)를 포함한다. 한편, 상술한 단계는 반드시 설명된 순서로 실행되어야만 하는 것은 아니며, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계에 앞서 수행될 수도 있다. 이는 후술할 기판처리방법의 다른 실시예에서도 마찬가지이다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.One embodiment of the substrate processing method is a step (S110) of carrying the substrate (S) into the first process chamber 3000, performing a chemical process (S120), performing a rinse process (S130), an organic solvent Performing the process (S140), the step (S150) of importing the substrate (S) into the second process chamber 4000, performing the supercritical drying process (S160) and the container placed in the load port (1100) And storing the substrate S in C) (S170). On the other hand, the above-described steps are not necessarily executed in the order described, the steps described later may be performed before the steps described first. The same holds true for other embodiments of the substrate processing method described later. Each step will be described below.

제1공정챔버(3000)로 기판(S)을 반입한다(S110). 먼저 오버헤드트랜스퍼 등의 반송장치 등이 기판(S)이 수납된 용기(C)를 로드포트(1100)에 놓는다. 용기(C)가 놓이면 인덱스로봇(1210)이 용기(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 버퍼슬롯에 적재한다. 버퍼슬롯에 적재된 기판(S)은 이송로봇(2210)에 의해 인출되어 제1공정챔버(3000)로 반입되며, 지지플레이트(3110)에 안착된다.The substrate S is loaded into the first process chamber 3000 (S110). First, a conveying device such as an overhead transferr or the like places the container C in which the substrate S is stored in the load port 1100. When the container C is placed, the index robot 1210 draws the substrate S from the container C and loads the substrate S in the buffer slot. The substrate S loaded in the buffer slot is taken out by the transfer robot 2210 and brought into the first process chamber 3000 and seated on the support plate 3110.

제1공정챔버(3000)에 기판(S)이 반입되면, 케미컬공정을 수행한다(S120). 지지플레이트(3110)에 기판(S)이 놓이면, 노즐축구동기(3240)에 의해 노즐축(3230)이 이동 및 회전하여 노즐(3210)이 기판(S)의 상부에 위치하게 된다. 노즐(3210)은 기판(S)의 상면으로 세정제를 분사한다. 세정제가 분사되면 기판(S)으로부터 이물질이 제거된다. 이때, 회전구동기(3130)는 회전축(3120)을 회전시켜 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 기판(S)이 회전되면, 세정제가 기판(S)에 균일하게 공급되고, 또한 기판(S)으로부터 비산된다. 비산되는 세정제는 회수통(3310)으로 유입되고, 회수라인(3320)을 통해 유체재생시스템(미도시)로 보내어진다. 이때, 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 복수의 회수통(3310) 중 어느 하나로 비산되는 세정제가 유입되도록 회수통(3310)을 승강시킨다.When the substrate S is loaded into the first process chamber 3000, a chemical process is performed (S120). When the substrate S is placed on the support plate 3110, the nozzle shaft 3230 is moved and rotated by the nozzle shaft driver 3240 so that the nozzle 3210 is positioned above the substrate S. The nozzle 3210 sprays a cleaner on the upper surface of the substrate S. When the cleaning agent is sprayed, the foreign matter is removed from the substrate (S). At this time, the rotary driver 3130 may rotate the rotating shaft 3120 to rotate the substrate (S). When the substrate S is rotated, the cleaning agent is uniformly supplied to the substrate S and scattered from the substrate S. FIG. Flushing detergent flows into the recovery container 3310 and is sent to the fluid regeneration system (not shown) through the recovery line 3320. In this case, the lifting and lowering driver 3340 lifts and recovers the recovery container 3310 such that the cleaning agent scattered into one of the plurality of recovery containers 3310 is introduced through the lifting bar 3330.

기판(S) 상의 이물질이 충분히 제거되면, 린스공정을 수행한다(S130). 케미컬공정이 종료되면, 기판(S)에는 이물질이 제거되고, 세정제가 잔류하게 된다. 복수의 노즐(3210) 중 세정제를 분사한 노즐(3210)은 기판(S)의 상부로부터 이탈하고, 다른 노즐(3210)이 기판(S)의 상부로 이동하여 기판(S)의 상면으로 린스제를 분사한다. 기판(S)에 린스제가 공급되면, 기판(S)에 잔류하는 세정제가 세척된다. 린스공정 중에도 기판(S)의 회전과 약제의 회수가 이루어질 수 있다. 승강구동기(3340)는 세정제를 회수한 회수통(3310)과 다른 회수통(3310)으로 린스제가 유입되도록 회수통(3310)의 높이를 조절한다.When the foreign substance on the substrate S is sufficiently removed, a rinse process is performed (S130). When the chemical process is completed, foreign matter is removed from the substrate S, and the cleaning agent remains. Of the plurality of nozzles 3210, the nozzles 3210 sprayed with the cleaner are separated from the upper portion of the substrate S, and another nozzle 3210 moves to the upper portion of the substrate S to rinse the upper surface of the substrate S. Spray it. When the rinse agent is supplied to the substrate S, the cleaning agent remaining on the substrate S is washed. Even during the rinse process, the substrate S may be rotated and the drug may be recovered. The lift driver 3340 adjusts the height of the recovery container 3310 such that the rinsing agent flows into the recovery container 3310 and the other recovery container 3310 from which the cleaning agent is collected.

기판(S)이 충분히 세척되면, 유기용제공정을 수행한다(S140). 린스공정이 종료되면, 또 다른 노즐(3210)이 기판(S)의 상부로 이동하여 유기용제를 분사한다. 유기용제가 공급되면, 기판(S) 상의 린스제가 유기용제로 치환된다. 한편, 유기용제공정 중에는 기판(S)을 회전시키지 않거나 저속으로 회전시킬 수 있다. 기판(S) 상에서 유기용제가 바로 증발하게 되면, 유기용제의 표면장력에 의해 회로패턴에 계면장력이 작용하여 회로패턴이 도괴될 수 있기 때문이다.When the substrate S is sufficiently washed, an organic solvent process is performed (S140). When the rinsing process is completed, another nozzle 3210 moves to the upper portion of the substrate S to spray the organic solvent. When the organic solvent is supplied, the rinse agent on the substrate S is replaced with the organic solvent. On the other hand, during the organic solvent process, the substrate S may not be rotated or may be rotated at a low speed. This is because when the organic solvent is directly evaporated on the substrate S, the interfacial tension acts on the circuit pattern by the surface tension of the organic solvent, thereby causing the circuit pattern to collapse.

제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정이 종료되면, 제2공정챔버(4000)로 기판(S)을 반입하고(S150), 제2공정챔버(4000)가 초임계건조공정을 수행한다. 단계 S150과 단계 S160에 대해서는 후술할 기판처리방법의 다른 실시예에서 상세하게 설명하도록 한다. When the organic solvent process is completed in the first process chamber 3000, the substrate S is loaded into the second process chamber 4000 (S150), and the second process chamber 4000 performs a supercritical drying process. Step S150 and step S160 will be described in detail in another embodiment of the substrate processing method to be described later.

초임계건조공정이 종료되면, 기판(S)을 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납한다(S170). 제2공정챔버(4000)가 개방되면, 이송로봇(2210)이 기판(S)을 인출한다. 기판(S)은 버퍼챔버(2100)로 이동하고, 인덱스로봇(1110)에 의해 버퍼챔버(2100)로부터 인출되어 용기(C)에 수납될 수 있다.When the supercritical drying process is completed, the substrate S is stored in the container C placed in the load port 1100 (S170). When the second process chamber 4000 is opened, the transfer robot 2210 pulls out the substrate S. The substrate S may move to the buffer chamber 2100, may be withdrawn from the buffer chamber 2100 by the index robot 1110, and may be accommodated in the container C.

이하에서는 기판처리방법의 다른 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 다른 실시예는 제2공정챔버가 초임계건조공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.Hereinafter, another embodiment of the substrate processing method will be described. Another embodiment of the substrate processing method relates to a method in which the second process chamber performs a supercritical drying process.

도 12는 기판처리방법의 다른 실시예의 순서도이다.12 is a flowchart of another embodiment of a substrate processing method.

기판처리방법의 다른 실시예는 제2공정챔버(4000)에 기판(S)을 반입하는 단계(S210), 하우징(4100)을 밀폐하는 단계(S220), 하부공급포트(4520)로 초임계유체를 공급하는 단계(S230), 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하는 단계(S240), 상부공급포트(4510)로 초임계유체를 공급하는 단계(S250), 초임계유체를 배기하는 단계(S260), 하우징(4100)을 개방하는 단계(S270) 및 제2공정챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출하는 단계(S280)를 포함한다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.Another embodiment of the substrate processing method is a step (S210), the step of sealing the housing 4100 (S220), the lower supply port 4520, the supercritical fluid into the second process chamber (4000) Supplying (S230), blocking the supercritical fluid from being injected directly onto the substrate (S240), supplying the supercritical fluid to the upper supply port (4510) (S250), supercritical fluid Exhausting (S260), opening the housing 4100 (S270), and removing the substrate S from the second process chamber 4000 (S280). Each step will be described below.

도 13 내지 도 16은 도 12의 기판처리방법의 동작도이다.13 to 16 illustrate an operation of the substrate treating method of FIG. 12.

제2공정챔버(4000)에 기판(S)을 반입한다(S210). 이송로봇(2210)이 제2공정챔버(4000)의 지지부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 이송로봇(2210)은 제1공정챔버(3000)로부터 유기용제가 잔류하는 상태로 기판(S)을 인출하여 이를 지지부재(4300)에 안착시킬 수 있다.The substrate S is loaded into the second process chamber 4000 (S210). The transfer robot 2210 places the substrate S on the support member 4300 of the second process chamber 4000. The transfer robot 2210 may withdraw the substrate S in a state in which the organic solvent remains from the first process chamber 3000 and mount it on the support member 4300.

도 13을 참조하면, 상하부구조의 제2공정챔버(4000)인 경우에는, 하우징(4100)은 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 분리되어 개방된 상태이며, 이송로봇(2210)은 그 지지부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. Referring to FIG. 13, in the case of the second process chamber 4000 having the upper and lower structures, the housing 4100 is in an open state in which the upper housing 4110 and the lower housing 4120 are separated, and the transfer robot 2210 is opened. The substrate S is placed on the support member 4300.

도어(4130)가 수평방향으로 움직이는 슬라이드구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 도어(4130)가 개구로부터 이격되어 있는 상태에서 이송로봇(2210)이 지지부재(4300)에 기판(S)을 놓는다. 기판(S)이 안착되면, 도어(4130)가 하우징(4100)의 내부로 이동하여 기판(S)이 제2공정챔버(4000)로 반입될 수 있다.In the case of the second process chamber 4000 having the slide structure in which the door 4130 moves in the horizontal direction, the transfer robot 2210 is attached to the support member 4300 in the state in which the door 4130 is spaced from the opening. Release. When the substrate S is seated, the door 4130 may move into the housing 4100 so that the substrate S may be carried into the second process chamber 4000.

도어플레이트(4131)가 도어구동기(4132)에 의해 이동하는 구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 이송로봇(2210)이 하우징(4100) 내로 이동하여 지지부재(4300)에 기판(S)을 안착시킬 수 있다. In the case of the second process chamber 4000 having the structure in which the door plate 4131 is moved by the door driver 4132, the transfer robot 2210 is moved into the housing 4100 so that the substrate S is supported on the support member 4300. Can be seated.

기판(S)이 반입되면, 하우징(4100)을 밀폐한다(S220). When the substrate S is loaded, the housing 4100 is sealed (S220).

도 14를 참조하면, 상하부구조의 제2공정챔버(4000)인 경우에는, 승강부재(4200)가 하부하우징(4120)을 상승시켜 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)을 밀착시켜 하우징(4100), 즉 제2공정챔버(4000)를 밀폐할 수 있다. Referring to FIG. 14, in the case of the second process chamber 4000 having the upper and lower structures, the elevating member 4200 raises the lower housing 4120 to bring the upper housing 4110 and the lower housing 4120 into close contact with each other. 4100, that is, the second process chamber 4000 may be sealed.

슬라이드구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 가압부재(4800)이 도어(4130)를 수평 이동시켜 개구와 밀착시켜 하우징(4100)을 밀폐한다. 또는 도어구동기(4132)가 도어플레이트(4131)가 개구를 닫도록 한다.In the case of the second process chamber 4000 of the slide structure, the pressing member 4800 horizontally moves the door 4130 to be in close contact with the opening to seal the housing 4100. Alternatively, the door driver 4132 causes the door plate 4131 to close the opening.

제2공정챔버(4000)가 밀폐되면, 하부공급포트(4520)로 초임계유체를 공급한다(S230). 초임계유체가 처음으로 유입될 때에는 하우징(4100) 내부의 압력이 아직 임계압력 이하인 상태이므로, 초임계유체가 액화될 수 있다. 기판(S)의 상부로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)의 상부로 낙하할 수 있으며, 이에 따라 기판(S)에 손상이 생길 수 있다. 따라서, 먼저 하부공급포트(4520)를 통해 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510)를 통해 초임계유체를 공급할 수 있다. 한편, 이러한 과정에서 가열부재(4300)는 하우징(4100)의 내부를 가열할 수 있다. When the second process chamber 4000 is sealed, the supercritical fluid is supplied to the lower supply port 4520 (S230). When the supercritical fluid is introduced for the first time, since the pressure inside the housing 4100 is still below the critical pressure, the supercritical fluid may be liquefied. When the supercritical fluid is supplied to the upper portion of the substrate S, the supercritical fluid may be liquefied and fall to the upper portion of the substrate S by gravity, thereby causing damage to the substrate S. Therefore, first, the supercritical fluid may be supplied through the lower supply port 4520, and the supercritical fluid may be supplied later through the upper supply port 4510. Meanwhile, in this process, the heating member 4300 may heat the inside of the housing 4100.

초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단한다(S240). 다시 도 14를 참조하면, 하부공급포트(4520)와 지지부재(4300)의 사이에 배치된 차단플레이트(4610)는 하부공급포트(4520)를 통해 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 기판(S)에 초임계유체의 물리력이 전달되지 않으므로, 기판(S)에 리닝이 발생하지 않는다. 하부공급포트(4520)에서 연직상방으로 분사된 초임계유체는 차단플레이트(4610)에 부딪힌 후 수평방향으로 이동하여 차단플레이트(4610)를 우회하여 기판(S)에 제공될 수 있다. The supercritical fluid is blocked from being injected directly onto the substrate (S240). Referring back to FIG. 14, the blocking plate 4610 disposed between the lower supply port 4520 and the support member 4300 has a supercritical fluid sprayed through the lower supply port 4520 directly onto the substrate S. Referring to FIG. Can be sprayed off. Accordingly, since the physical force of the supercritical fluid is not transmitted to the substrate S, no lining occurs in the substrate S. The supercritical fluid sprayed vertically from the lower supply port 4520 may be provided to the substrate S by bypassing the blocking plate 4610 by hitting the blocking plate 4610 and moving horizontally.

도 15를 참조하면, 상부공급포트(4510)로 초임계유체를 공급한다(S250). 하부공급포트(4510)를 통해 초임계유체가 지속적으로 유입되면, 하우징(4100) 내부압력이 임계압력 이상으로 상승하고, 가열부재(4200)에 의해 하우징(4100) 내부가 가열되면, 하우징(4100) 내부온도가 임계온도 이상으로 상승하여, 하우징(4100) 내부에 초임계분위기가 형성될 수 있다. 상부공급포트(4510)는 하우징(4100) 내부가 초임계상태가 된 때에 초임계유체의 공급을 시작할 수 있다. 즉, 제어기는 하우징(4100)의 내부압력이 임계압력 이상이 된 때에 상부공급포트(4510)를 통해 초임계유체를 공급할 수 있다. Referring to FIG. 15, the supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 (S250). When the supercritical fluid continuously flows through the lower supply port 4510, the internal pressure of the housing 4100 rises above the critical pressure, and when the inside of the housing 4100 is heated by the heating member 4200, the housing 4100. As the internal temperature rises above the critical temperature, a supercritical atmosphere may be formed inside the housing 4100. The upper supply port 4510 may start supplying the supercritical fluid when the inside of the housing 4100 becomes the supercritical state. That is, the controller may supply the supercritical fluid through the upper supply port 4510 when the internal pressure of the housing 4100 is greater than or equal to the threshold pressure.

이때, 상부공급포트(4510)로 분사되는 초임계유체는 차단플레이트(4610)에 의해 차단되지 않을 수 있다. 하우징(4100) 내부가 이미 임계압력을 초과한 고압상태이므로, 공급포트로 공급되는 초임계유체의 유속은 하우징(4100) 내에서 급격히 저하되므로, 기판(S)에 도달할 때에는 리닝현상을 유발시킬 정도의 속도를 상실하게 된다. At this time, the supercritical fluid injected into the upper supply port 4510 may not be blocked by the blocking plate 4610. Since the inside of the housing 4100 is a high pressure state already exceeding the critical pressure, the flow rate of the supercritical fluid supplied to the supply port is sharply lowered in the housing 4100, so that when the substrate S is reached, a lining phenomenon may occur. You will lose speed.

한편, 상부공급포트(4510)로 분사되는 초임계유체는 차단부재(4600)에 의해 차단되지 않으므로, 기판(S)의 상면은 보다 더 잘 건조될 수 있다. 일반적으로 기판(S)의 상면이 패턴면이 되므로 상부공급포트(4510)와 지지부재(4300)의 사이에는 차단플레이트(4610)를 배치하지 않아 기판(S)에 초임계유체가 잘 전달되도록 하여 기판(S)의 회로패턴 사이의 유기용제가 효과적으로 건조되도록 할 수 있다. 물론, 공정환경을 종합적으로 고려하여 상부공급포트(4510)와 지지부재(4300) 사이에 차단플레이트(4610)를 배치하여 기판(S)의 상면으로 분사되는 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하는 것도 가능하다.On the other hand, since the supercritical fluid injected into the upper supply port 4510 is not blocked by the blocking member 4600, the upper surface of the substrate S may be dried better. In general, the upper surface of the substrate (S) is a pattern surface, so that the blocking plate 4610 is not disposed between the upper supply port 4510 and the support member 4300 so that the supercritical fluid is well transmitted to the substrate (S). The organic solvent between the circuit patterns of the substrate S can be effectively dried. Of course, the supercritical fluid sprayed on the upper surface of the substrate S is disposed directly on the substrate S by placing the blocking plate 4610 between the upper supply port 4510 and the support member 4300 in consideration of the process environment. It is also possible to block the injection.

초임계유체에 의해 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 용해되어 기판(S)이 충분히 건조되면, 초임계유체를 배기한다(S260). 배기포트(4700)가 초임계유체를 제2공정챔버(4000)로부터 배기한다. 한편, 상술한 초임계유체의 공급 및 배기는 제어기가 각 공급라인(4550) 및 배기라인(4750)을 제어하여 그 유량을 조절함으로써 수행될 수 있다. 배기되는 초임계유체는 배기라인(4750)을 통해 대기 중으로 방출되거나 초임계유체재생시스템(미도시)로 제공될 수 있다.When the organic solvent remaining in the substrate S is dissolved by the supercritical fluid and the substrate S is sufficiently dried, the supercritical fluid is exhausted (S260). The exhaust port 4700 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. On the other hand, the supply and exhaust of the above-described supercritical fluid may be performed by the controller to control each supply line 4550 and the exhaust line 4750 to adjust the flow rate. The supercritical fluid that is exhausted may be released into the atmosphere through an exhaust line 4750 or provided to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기를 통해 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 충분히 낮아지면, 예를 들어 상압이 되면, 하우징(4100)을 개방한다(S270). 도 16을 참조하면, 승강부재(4200)가 하부하우징(4120)을 하강시켜 하우징(4100)을 개방한다.When the internal pressure of the second process chamber 4000 is sufficiently lowered through the exhaust, for example, when the pressure is normal, the housing 4100 is opened (S270). Referring to FIG. 16, the lifting member 4200 lowers the lower housing 4120 to open the housing 4100.

도어(4130)가 수평방향으로 움직이는 슬라이드구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 가압부재(4800)가 도어(4130)를 개구로부터 이격시켜 하우징(4100)을 개방할 수 있다. 또 도어플레이트(4131)가 도어구동기(4132)에 의해 이동하는 구조의 제2공정챔버(4000)의 경우에는 도어구동기(4132)가 도어플레이트(4131)를 이동시켜 하우징(4100)을 개방한다.In the case of the second process chamber 4000 having the slide structure in which the door 4130 moves in the horizontal direction, the pressing member 4800 may open the housing 4100 by separating the door 4130 from the opening. In the case of the second process chamber 4000 in which the door plate 4131 is moved by the door driver 4132, the door driver 4132 moves the door plate 4131 to open the housing 4100.

제2공정챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출한다(S280). 하우징(4100)이 개방되면 이송로봇(2210)이 제2공정챔버(4000)로부터 기판(S)을 반출한다.The substrate S is taken out from the second process chamber 4000 (S280). When the housing 4100 is opened, the transfer robot 2210 carries out the substrate S from the second process chamber 4000.

이상에서 언급된 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 기재된 것이므로, 본 발명이 상술한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. The above-described embodiments of the present invention are described in order to facilitate understanding of the present invention to those skilled in the art, so the present invention is not limited to the above embodiments.

따라서, 본 발명은 상술한 실시예 및 그 구성요소를 선택적으로 조합하거나 공지의 기술을 더해 구현될 수 있으며, 나아가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 수정, 치환 및 변경이 가해진 수정예, 변형예를 모두 포함한다.Therefore, it is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. For example, the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. All of the modifications are included.

또한, 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 발명은 모두 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.In addition, the scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all inventions within the scope of the claims should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 기판처리장치
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 이송프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 제1공정챔버 3100: 지지부재 3110: 지지플레이트
3111: 지지핀 3112: 처킹핀 3120: 회전축
3130: 회전구동기 3200: 노즐부재 3210: 노즐
3220: 노즐바 3230: 노즐축 3240: 노즐축구동기
3300: 회수부재 3310: 회수통 3311: 회수구
3320: 회수라인 3330: 승강바 3340: 승강구동기
4000: 제2공정챔버 4100: 하우징 4110: 상부하우징
4111: 수평조정부재 4120: 하부하우징 4130: 도어
4200: 승강부재 4210: 승강실린더 4220: 승강로드
4300: 지지부재 4400: 가열부재 4510: 상부공급포트
4520: 하부공급포트 4600: 차단부재 4610: 차단플레이트
4620: 지지대 4700: 배기포트 4800: 가압부재
4810: 가압실린더 4820: 가압로드 4821: 로드헤드
C: 용기 S: 기판100: substrate processing apparatus
1000: index module 1100: load port 1200: transfer frame
1210: index robot 1220: index rail
2000: process module 2100: buffer chamber 2200: transfer chamber
2210: transfer robot 2220: transfer rail
3000: first process chamber 3100: support member 3110: support plate
3111: support pin 3112: chucking pin 3120: rotating shaft
3130: rotary actuator 3200: nozzle member 3210: nozzle
3220: nozzle bar 3230: nozzle shaft 3240: nozzle shaft actuator
3300: recovery member 3310: recovery container 3311: recovery port
3320: recovery line 3330: hoisting bar 3340: hoisting drive
4000: second process chamber 4100: housing 4110: upper housing
4111: horizontal adjusting member 4120: lower housing 4130: door
4200: lifting member 4210: lifting cylinder 4220: lifting rod
4300: support member 4400: heating member 4510: upper supply port
4520: lower feed port 4600: blocking member 4610: blocking plate
4620: support 4700: exhaust port 4800: pressure member
4810: pressurized cylinder 4820: pressurized rod 4821: rod head
C: container S: substrate

Claims (22)

공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 기판을 지지하는 지지부재;
상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 공급포트;
상기 공급포트와 상기 지지부재 사이에 배치되어 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 차단플레이트를 포함하는 차단부재; 및
상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 배출포트;를 포함하되,
상기 공급포트는, 상기 하우징의 하면에 형성되어 상기 기판의 하면 중앙부를 통해 상기 공정유체를 분사하는 제 1 공급포트 및 상기 하우징의 하면과는 다른 면에 형성되는 제 2 공급포트를 포함하고,
상기 차단플레이트는 상기 지지부재와 상기 제 1 공급포트 사이에 배치되는
기판처리장치.A housing providing a space in which the process is performed;
A support member supporting a substrate in the housing;
A supply port for supplying a process fluid to the housing;
A blocking member disposed between the supply port and the support member, the blocking member including a blocking plate to block the process fluid from being directly injected onto the substrate; And
And a discharge port for exhausting the process fluid from the housing.
The supply port includes a first supply port formed on a lower surface of the housing and spraying the process fluid through a central portion of the lower surface of the substrate, and a second supply port formed on a surface different from the lower surface of the housing,
The blocking plate is disposed between the support member and the first supply port
Substrate processing apparatus. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2공급포트는, 상기 하우징의 상면에 형성되어 상기 기판의 상면 중앙부를 향해 상기 공정유체를 분사하는
기판처리장치.The method of claim 1,
The second supply port is formed on the upper surface of the housing and sprays the process fluid toward the center of the upper surface of the substrate.
Substrate processing apparatus. 제 3 항에 있어서,
상기 제1공급포트가 먼저 상기 공정유체를 공급한 뒤 상기 제2공급포트가 나중에 상기 공정유체를 공급하도록 제어하는 제어기;를 더 포함하는
기판처리장치.The method of claim 3, wherein
And a controller configured to control the first supply port to supply the process fluid first, and then the second supply port to supply the process fluid later.
Substrate processing apparatus. 제3항에 있어서,
상기 차단부재는, 상기 하우징의 하면으로부터 연장되는 지지대를 더 포함하고,
상기 차단플레이트는, 상기 지지대 위에 안착되는
기판처리장치.The method of claim 3,
The blocking member further includes a support extending from the lower surface of the housing,
The blocking plate is seated on the support
Substrate processing apparatus. 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 기판을 지지하는 지지부재;
상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 공급포트;
상기 공급포트와 상기 지지부재 사이에 배치되어 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 차단플레이트를 포함하는 차단부재; 및
상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 배출포트;를 포함하되,
상기 공급포트는, 상기 하우징의 하면에 형성되어 상기 기판의 하면 중앙부를 통해 상기 공정유체를 분사하는 제 1 공급포트 및 상기 하우징의 하면과는 다른 면에 형성되는 제 2 공급포트를 포함하고,
상기 차단플레이트는 상기 지지부재와 상기 제 1 공급포트 사이에 배치되고, 상기 차단플레이트의 반경은, 상기 기판의 반경보다 크게 제공되는
기판처리장치A housing providing a space in which the process is performed;
A support member supporting a substrate in the housing;
A supply port for supplying a process fluid to the housing;
A blocking member disposed between the supply port and the support member, the blocking member including a blocking plate to block the process fluid from being directly injected onto the substrate; And
And a discharge port for exhausting the process fluid from the housing.
The supply port includes a first supply port formed on a lower surface of the housing and spraying the process fluid through a central portion of the lower surface of the substrate, and a second supply port formed on a surface different from the lower surface of the housing,
The blocking plate is disposed between the support member and the first supply port, the radius of the blocking plate is provided to be larger than the radius of the substrate
Substrate Processing Equipment 제 1항, 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정은 초임계공정이고,
상기 공정유체는, 초임계유체상(supercritical fluid phase)인
기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 6,
The process is a supercritical process,
The process fluid is a supercritical fluid phase
Substrate processing apparatus. 제 1항, 제 3 항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 상부하우징의 아래에 배치되는 하부하우징을 포함하고,
상기 상부하우징 또는 상기 하부하우징 중 어느 하나를 승강시키는 승강부재;를 더 포함하는
기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 6,
The housing includes an upper housing and a lower housing disposed below the upper housing,
And an elevating member for elevating any one of the upper housing and the lower housing.
Substrate processing apparatus. 제8항에 있어서,
상기 지지부재는, 상기 상부하우징으로부터 아래방향으로 연장되고, 그 하단에서 수평방향으로 절곡되어 상기 기판의 가장자리 영역을 지지하는
기판처리장치.9. The method of claim 8,
The support member extends downwardly from the upper housing and is bent horizontally at the lower end thereof to support the edge region of the substrate.
Substrate processing apparatus. 제9항에 있어서,
상기 상부하우징의 수평도(水平度)를 조정하는 수평조정부재;를 더 포함하는
기판처리장치.10. The method of claim 9,
Further comprising a; horizontal adjustment member for adjusting the horizontal degree of the upper housing (水平 度)
Substrate processing apparatus. 제8항에 있어서,
상기 제1공급포트는, 상기 하부하우징에 형성되고,
상기 제2공급포트는, 상기 상부하우징에 형성되는
기판처리장치.9. The method of claim 8,
The first supply port is formed in the lower housing,
The second supply port is formed in the upper housing
Substrate processing apparatus. 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 기판을 지지하는 지지부재;
상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 공급포트;
상기 공급포트와 상기 지지부재 사이에 배치되어 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 차단플레이트를 포함하는 차단부재; 및
상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 배출포트;를 포함하되,
상기 공급포트는, 상기 하우징의 하면에 형성되어 상기 기판의 하면 중앙부를 통해 상기 공정유체를 분사하는 제 1 공급포트 및 상기 하우징의 하면과는 다른 면에 형성되는 제 2 공급포트를 포함하고,
상기 하우징은, 일측이 개방되고, 상하로 이동하여 상기 개방된 일측을 개폐하는 도어를 포함하는,
기판처리장치A housing providing a space in which the process is performed;
A support member supporting a substrate in the housing;
A supply port for supplying a process fluid to the housing;
A blocking member disposed between the supply port and the support member, the blocking member including a blocking plate to block the process fluid from being directly injected onto the substrate; And
And a discharge port for exhausting the process fluid from the housing.
The supply port includes a first supply port formed on a lower surface of the housing and spraying the process fluid through a central portion of the lower surface of the substrate, and a second supply port formed on a surface different from the lower surface of the housing,
The housing, one side is open, includes a door for moving up and down to open and close the open one side,
Substrate Processing Equipment 제12항에 있어서,
상기 하우징이 밀폐되도록 상기 도어에 압력을 가하는 가압부재;를 더 포함하는
기판처리장치.The method of claim 12,
Further comprising a pressing member for applying pressure to the door so that the housing is sealed
Substrate processing apparatus. 하우징으로 기판을 반입하여 지지부재에 안착시키는 단계;
반입된 기판이 지지부재에 안착되는 단계;
상기 하우징으로 공정유체를 공급하는 단계;
상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는 단계;
상기 하우징으로부터 상기 공정유체를 배기하는 단계; 및
상기 하우징으로부터 상기 기판을 반출하는 단계;를 포함하되,
상기 공급하는 단계는, 상기 하우징의 상면에 형성된 제 1 공급포트가 상기 기판의 상면을 향해 상기 공정유체를 분사하고, 상기 하우징의 하면에 형성된 제 2 공급포트가 상기 기판의 하면을 향해 상기 공정유체를 분사하고,
상기 차단하는 단계는, 차단플레이트가 상기 제 2 공급포트와 상기 지지부재의 사이에 배치되어 상기 기판의 하면으로 분사되는 상기 공정유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하는
기판처리방법.Bringing the substrate into the housing and seating the substrate on the support member;
Mounting the loaded substrate on the support member;
Supplying a process fluid to the housing;
Blocking the process fluid from being directly injected into the substrate;
Exhausting the process fluid from the housing; And
Removing the substrate from the housing;
The supplying may include: spraying the process fluid toward the upper surface of the substrate, and a first supply port formed on the upper surface of the housing, and a second supply port formed on the lower surface of the housing toward the lower surface of the substrate. Spraying,
In the blocking step, a blocking plate is disposed between the second supply port and the support member to block the process fluid sprayed to the lower surface of the substrate from being directly sprayed onto the substrate.
Substrate processing method. 삭제delete 삭제delete 제14항에 있어서,
상기 공급하는 단계는, 상기 제2공급포트가 상기 공정유체를 분사하여 상기 하우징의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면 상기 제1공급포트가 상기 공정유체를 분사하기 시작하는
기판처리방법.15. The method of claim 14,
The supplying may include: when the second supply port injects the process fluid and the internal pressure of the housing reaches a preset pressure, the first supply port begins to inject the process fluid.
Substrate processing method. 제 14항 또는 제 17항에 있어서,
상기 공정유체는, 초임계유체이고,
상기 초임계유체에 의해 상기 기판에 잔류하는 유기용제가 용해되어 상기 기판이 건조되는
기판처리방법.The method according to claim 14 or 17,
The process fluid is a supercritical fluid,
The substrate is dried by dissolving the organic solvent remaining in the substrate by the supercritical fluid.
Substrate processing method. 제 14항 또는 제 17항에 있어서,
상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 하우징의 아래에 배치되는 하부하우징을 포함하고,
상기 기판은 상기 상부하우징과 상기 하부하우징이 이격된 상태에서 상기 지지부재에 안착되고,
상기 기판이 반입되면, 상기 상부하우징 및 상기 하부하우징 중 하나를 승강시켜 상기 하우징을 밀폐하는 단계;를 더 포함하는
기판처리방법.The method according to claim 14 or 17,
The housing includes an upper housing and a lower housing disposed below the housing,
The substrate is mounted on the support member in a state where the upper housing and the lower housing are spaced apart from each other,
When the substrate is loaded, lifting and lowering one of the upper housing and the lower housing to seal the housing;
Substrate processing method. 제 1항의 기판 처리 장치를 이용하여 유기용제가 잔류하는 기판을 건조하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판을 상기 유기용제가 잔류하는 기판을 하우징으로 반입하고, 초임계유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 차단하며 상기 기판의 비패턴면을 향해 초임계유체를 공급하며 상기 하우징 내에 초임계분위기를 조성하고, 상기 초임계분위기가 조성되면 상기 기판의 패턴면을 향해 상기 초임계유체를 분사하여 상기 기판의 회로패턴 사이에 잔류하는 유기용제를 용해시켜 상기 기판을 건조하는
기판처리방법.A substrate processing method of drying a substrate in which an organic solvent remains using the substrate processing apparatus of claim 1, wherein the substrate is loaded into a housing in which the organic solvent remains, and a supercritical fluid is directly sprayed onto the substrate. The supercritical fluid in the housing and supplying a supercritical fluid toward the non-patterned surface of the substrate, and if the supercritical atmosphere is formed, spraying the supercritical fluid toward the patterned surface of the substrate Drying the substrate by dissolving the organic solvent remaining between the circuit patterns
Substrate processing method. 제20항에 있어서,
상기 기판의 비패턴면을 향해 상기 초임계유체가 분사되는 경로 상에 배치된 차단플레이트가 상기 초임계유체가 상기 기판에 직접 분사되는 것을 방지하는
기판처리방법.21. The method of claim 20,
A blocking plate disposed on a path through which the supercritical fluid is injected toward the non-patterned surface of the substrate prevents the supercritical fluid from being directly injected onto the substrate.
Substrate processing method. 제 20항 또는 제 21항에 있어서,
상기 초임계유체는, 초임계이산화탄소인
기판처리방법.22. The method according to claim 20 or 21,
The supercritical fluid is supercritical carbon dioxide
Substrate processing method.
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