KR101394456B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 초임계공정을 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 개시한다. 본 발명에 따른 기판처리장치의 일 양상은, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되고, 각각 복수의 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 지지부재;를 포함한다.This specification discloses a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a supercritical process. An aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention includes: a housing for providing a space in which a process is performed; And a plurality of support members disposed in the interior of the housing and spaced apart from each other in the vertical direction, each supporting the edges of the plurality of substrates.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 초임계공정을 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method that perform a supercritical process.

반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 이러한 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등이 발생하는데, 이러한 이물질은 기판에 결함을 유발하여 반도체소자의 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다. 따라서, 반도체제조공정에는 기판으로부터 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다. Semiconductor devices are fabricated by forming circuit patterns on a substrate through various processes including photolithography. Particles, organic contaminants, metal impurities, etc. are generated during the manufacturing process. Such foreign materials cause defects on the substrate and directly affect the yield of semiconductor devices. Therefore, a cleaning process for removing foreign substances from the substrate is essentially involved in the semiconductor manufacturing process.

일반적으로 세정공정은 세정제로 기판 상의 이물질을 제거하고, 순수(DI-water: deionized water)로 기판을 세척한 후, 표면장력이 작은 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol)과 같은 유기용제로 순수를 치환한 뒤 이를 증발시켜 기판을 건조시키는 순서로 진행된다. 그러나, 이와 같은 기존의 건조방식은 회로패턴이 미세한 반도체소자의 경우에 그 건조효율이 낮을 뿐 아니라 건조과정 중에 비교적 약한 유기용매의 표면장력에 의해서도 회로패턴을 손상되는 도괴현상(pattern collapse)이 빈번하게 발생하는 문제를 가지고 있다. Generally, in the cleaning process, the substrate is cleaned with pure water (DI-water: deionized water), cleaned with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) And then the substrate is evaporated to dry the substrate. However, in the conventional drying method, the drying efficiency is low in the case of a semiconductor device having a fine circuit pattern, and a pattern collapse which is damaged by a surface tension of a relatively weak organic solvent during a drying process And has problems that occur.

이에 따라 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서는 초임계유체를 이용하여 기판을 건조시키는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 점차 기존의 건조공정을 대체해 나가고 있다. 초임계유체란 임계온도와 임계압력 이상에서 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 유체로서, 확산력과 침투력이 뛰어나고, 용해력이 높으며, 표면장력이 거의 없어 기판의 건조에 매우 유용하게 사용될 수 있다. Accordingly, a supercritical drying process for drying a substrate using a supercritical fluid for a semiconductor device having a line width of 30 nm or less is gradually replacing the conventional drying process. Supercritical fluid is a fluid having both gas and liquid properties at both critical temperature and critical pressure. It is excellent in diffusion and penetration, has high solubility, and has very little surface tension, so it can be very useful for drying substrates.

그런데 이와 같은 초임계공정을 수행하는 공정챔버는 고압의 초임계상태를 유지하기 위하여 그 풋프린트(foot print)가 증가하여 기판 처리율(substrate throughput)이 저하되는 문제점을 안고 있어, 최근에는 공간효율을 향상시키기 위한 공정챔버의 구조에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다.However, the process chamber for performing the supercritical process suffers from a problem that the substrate throughput is lowered due to an increase in the foot print in order to maintain the supercritical state at a high pressure. Recently, A study on the structure of the process chamber for improving the performance of the process chamber has been actively carried out.

본 발명의 일 과제는 동시에 복수의 기판을 처리할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of simultaneously processing a plurality of substrates.

본 발명의 다른 과제는 복수의 기판에 초임계유체를 효과적으로 분사하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method for effectively spraying a supercritical fluid on a plurality of substrates.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명에 따른 기판처리장치의 일 양상은, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징; 상기 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되고, 각각 복수의 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 지지부재;를 포함한다.An aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention includes: a housing for providing a space in which a process is performed; And a plurality of support members disposed in the interior of the housing and spaced apart from each other in the vertical direction, each supporting the edges of the plurality of substrates.

측면에서 볼 때 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재;를 더 포함할 수 있다.And a nozzle member in which one end for injecting the process fluid is disposed between the adjacent substrates when viewed from the side.

상기 노즐부재는, 상부에서 볼 때 상기 일단이 상기 기판의 중앙부에 위치할 수 있다. The nozzle member may have one end located at a central portion of the substrate when viewed from above.

상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면을 향해 상기 공정유체를 분사하도록 제공될 수 있다. The nozzle member may be provided to eject the process fluid toward the upper surface of the lower one of the substrates adjacent to each other.

상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면과 위쪽 기판의 하면을 향해 상기 공정유체를 동시에 분사하도록 제공될 수 있다. The nozzle member may be provided to simultaneously jet the process fluid toward the upper surface of the lower substrate and the lower surface of the upper substrate among the adjacent substrates.

상기 노즐부재는, 연직방향에 대하여 경사지게 방사형으로 상기 공정유체를 분사하도록 제공될 수 있다. The nozzle member may be provided to inject the process fluid radially in an inclined manner with respect to the vertical direction.

상기 노즐부재는, 상부에서 볼 때 상기 일단이 상기 기판의 가장자리 영역 또는 외측에 위치하고, 상기 기판에 평행한 방향으로 상기 공정유체를 분사하도록 제공될 수 있다. The nozzle member may be provided such that one end thereof is located at an edge region or outside of the substrate when viewed from above, and the processing fluid is jetted in a direction parallel to the substrate.

상기 하우징의 하부벽에 형성되고, 상기 공정유체를 분사하는 하부공급포트;를 더 포함할 수 있다. And a lower supply port formed on a lower wall of the housing and injecting the process fluid.

상기 하우징의 상부벽에 형성되고, 상기 공정유체를 분사하는 상부공급포트;를 더 포함할 수 있다. And an upper supply port formed in the upper wall of the housing and injecting the process fluid.

상기 하부공급포트로 상기 공정유체를 공급한 뒤 상기 공정챔버의 내부압력이 기 설정된 압력에 도달하면, 상기 노즐부재로 상기 공정유체를 분사하기 시작하도록 제어하는 제어기;를 더 포함할 수 있다. And a controller for controlling the injection of the process fluid to the nozzle member when the internal pressure of the process chamber reaches a predetermined pressure after supplying the process fluid to the lower supply port.

상기 하우징의 상부벽으로부터 아래방향으로 연장되는 지지바;를 더 포함하고, 상기 복수의 지지부재는, 상기 지지바에 일정한 간격으로 연설될 수 있다. And a support bar extending downward from an upper wall of the housing, wherein the plurality of support members can be spaced at regular intervals in the support bar.

상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 상부하우징의 하부에 배치되는 하부하우징을 포함하고, 상기 상부하우징 또는 상기 하부하우징 중 어느 하나를 승강시켜 상기 하우징을 개폐하는 승강부재;를 더 포함할 수 있다. The housing may further include an upper housing and a lower housing disposed at a lower portion of the upper housing, and an elevating member for lifting one of the upper housing and the lower housing to open and close the housing.

상기 공정유체는, 초임계유체일 수 있다.The process fluid may be a supercritical fluid.

본 발명에 따른 기판처리장치의 다른 양상은, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징; 제1기판의 가장자리를 지지하는 제1지지부재; 제2기판의 가장자리를 지지하는 제2지지부재; 및 상기 하우징의 상부벽에 형성되고, 상기 제2기판의 상면를 향해 초임계유체를 분사하는 상부공급포트;를 포함한다.Another aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention includes: a housing for providing a space in which a process is performed; A first support member for supporting an edge of the first substrate; A second support member for supporting an edge of the second substrate; And an upper supply port formed on an upper wall of the housing and injecting supercritical fluid toward an upper surface of the second substrate.

측면에서 볼 때 상기 초임계유체를 분사하는 일단이 상기 제1지지부재와 상기 제2지지부재의 사이에 위치하는 노즐부재;를 더 포함할 수 있다. And one end of the supercritical fluid injected from the side is positioned between the first support member and the second support member.

상기 노즐부재는, 상기 제1기판의 상면을 향해 상기 초임계유체를 분사할 수 있다. The nozzle member may jet the supercritical fluid toward an upper surface of the first substrate.

상기 노즐부재는, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 사이 공간으로 상기 초임계유체를 분사할 수 있다. The nozzle member may inject the supercritical fluid into a space between the first substrate and the second substrate.

상기 하우징의 상부벽으로부터 아래로 연장되는 지지바;를 더 포함하고, 상기 제1지지부재는, 상기 지지바의 하단에서 수평방향으로 연장되고, 상기 제2지지부재는, 상기 지지바의 중간에서 수평방향으로 연장될 수 있다. And a support bar extending downward from the upper wall of the housing, wherein the first support member extends horizontally at a lower end of the support bar, and the second support member extends in the middle of the support bar And can extend in the horizontal direction.

본 발명은 기판처리방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing method.

본 발명에 따른 기판처리방법의 일 양상은, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되는 복수의 지지부재가 복수의 기판의 가장자리를 지지하고, 측면에서 볼 때 서로 인접한 기판의 사이에 일단이 위치하는 노즐부재가 공정유체를 분사하여 동시에 상기 복수의 기판을 처리한다.One aspect of the substrate processing method according to the present invention is that a plurality of support members arranged vertically spaced apart from each other in an interior of a housing for providing a space in which processes are performed support the edges of a plurality of substrates, A nozzle member, one end of which is positioned between the adjacent substrates, injects the process fluid to process the plurality of substrates at the same time.

상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면으로 상기 공정유체를 분사하여 상기 아래쪽 기판의 상면를 처리할 수 있다. The nozzle member may process the upper surface of the lower substrate by spraying the process fluid onto the upper surface of the lower substrate among the substrates adjacent to each other.

상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판의 사이공간으로 상기 초임계유체를 분사하여, 위쪽 기판의 하면과 아래쪽 기판의 상면을 함께 처리할 수 있다. The nozzle member may treat the upper surface of the upper substrate and the upper surface of the lower substrate by spraying the supercritical fluid into a space between the adjacent substrates.

상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 상부하우징의 하부에 배치되는 하부하우징을 포함하고, 상기 상부하우징 또는 상기 하부하우징을 중 어느 하나를 승강시켜 상기 하우징을 개폐하고, 상기 하우징이 개방된 상태에서 상기 기판의 반출 및 반입이 수행되고, 상기 하우징이 밀폐된 상태에서 상기 공정이 수행될 수 있다. Wherein the housing includes an upper housing and a lower housing disposed at a lower portion of the upper housing, wherein the upper housing or the lower housing is lifted and lowered to open and close the housing, And the process can be performed in a state in which the housing is closed.

상기 공정유체는, 초임계유체일 수 있다.The process fluid may be a supercritical fluid.

본 발명에 의하면, 하나의 공정챔버에서 동시에 여러 장의 기판을 처리할 수 있다.According to the present invention, a plurality of substrates can be simultaneously processed in one process chamber.

본 발명에 의하면, 노즐부재가 상하로 이격되어 지지되는 복수의 기판 사이사이에 배치되어 초임계유체를 분사하므로 복수의 기판에 초임계유체가 효과적으로 전달되고, 이에 따라 공정효율이 향상된다. According to the present invention, since the nozzle member is disposed between a plurality of substrates spaced apart from each other and vertically spaced to support the supercritical fluid, the supercritical fluid is efficiently transferred to the plurality of substrates, thereby improving the process efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.
도 2는 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 6은 도 2의 제2공정챔버의 다른 실시예의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 도 4 및 도 5의 노즐부재의 일단의 형상을 나타낸 도면이다.
도 9는 도 7의 노즐부재가 초임계유체를 분사하는 것을 도시한 도면이다.
도 10은 도 4 및 도 5의 노즐부재의 변형예에 관한 도면이다.
도 11은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.
도 12는 기판처리방법의 다른 실시예의 순서도이다.
도 13 및 도 14는 도 12의 기판처리방법의 동작도이다.1 is a graph showing the phase change of carbon dioxide.
2 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus.
Figure 3 is a cross-sectional view of the first process chamber of Figure 2;
Figures 4 and 5 are cross-sectional views of one embodiment of the second process chamber of Figure 2;
Figure 6 is a cross-sectional view of another embodiment of the second process chamber of Figure 2;
Figs. 7 and 8 are views showing the shape of one end of the nozzle member of Figs. 4 and 5. Fig.
Fig. 9 is a view showing the nozzle member of Fig. 7 ejecting supercritical fluid. Fig.
10 is a view showing a modified example of the nozzle member of Figs. 4 and 5. Fig.
11 is a flowchart of one embodiment of a substrate processing method.
12 is a flowchart of another embodiment of the substrate processing method.
13 and Fig. 14 are operation diagrams of the substrate processing method of Fig.

본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms and accompanying drawings used herein are for the purpose of illustrating the present invention easily, and the present invention is not limited by the terms and drawings.

본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.The detailed description of known techniques which are not closely related to the idea of the present invention among the techniques used in the present invention will be omitted.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판처리장치(100)는 초임계유체를 공정유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process of processing the substrate S using a supercritical fluid as a process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a comprehensive concept that includes all semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other substrates used in the manufacture of circuit patterns on thin films. Examples of such a substrate S include silicon wafers, various wafers, glass substrates, organic substrates, and the like.

초임계유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. The supercritical fluid means a phase having gas and liquid properties simultaneously formed when a supercritical state exceeding a critical temperature and a critical pressure is reached. The supercritical fluid has a molecular density close to a liquid and a viscosity close to that of a gas. Thus, the supercritical fluid has excellent diffusion, penetration and dissolving power and is advantageous for a chemical reaction and has no surface tension. .

초임계공정은 이러한 초임계유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계건조공정과 초임계식각공정이 있다. 이하에서는 초임계공정에 관하여 초임계건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리장치(100)는 초임계건조공정 이외의 다른 초임계공정을 수행할 수 있다. The supercritical process is performed using the characteristics of the supercritical fluid. Typical examples thereof include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical drying process will be described with reference to the supercritical drying process. However, since this is merely for ease of explanation, the substrate processing apparatus 100 can perform a supercritical process other than the supercritical drying process.

초임계건조공정은 초임계유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계건조공정에 이용되는 초임계유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process can be performed by dissolving the organic solvent remaining in the circuit pattern of the substrate S as a supercritical fluid and drying the substrate S, There are advantages to be able to. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a substance having miscibility with an organic solvent can be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO 2 ) can be used as a supercritical fluid.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.1 is a graph showing the phase change of carbon dioxide.

이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다. The carbon dioxide has a critical temperature of 31.1 ° C. and a relatively low critical pressure of 7.38 Mpa, which makes it easy to form a supercritical state, and it is easy to control the phase change by controlling the temperature and the pressure, and is cheap. In addition, since carbon dioxide has no toxicity and is harmless to human body, it has the characteristics of nonflammability and inertness. Supercritical carbon dioxide has a diffusion coefficient of about 10 to 100 times that of water and other organic solvents, Has a property of being advantageous to be used for drying a substrate (S) having a fine circuit pattern because the solvent is replaced quickly and the surface tension is low. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and at the same time, it can be used in a supercritical drying process, converted into gas, and then separated and reused.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 초임계건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 2는 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.Fig. 2 is a plan view of one embodiment of the substrate processing apparatus 100. Fig.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a processing module 2000.

인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 transfers the substrate S from the outside and transfers the substrate S to the process module 2000. The process module 2000 can perform the supercritical drying process.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 includes a load port 1100 and a transfer frame 1200 as an equipment front end module (EFEM).

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.The load port 1100 is provided with a container C in which the substrate S is accommodated. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C can be carried from the outside to the load port 1100 or taken out from the load port 1100 by an overhead transfer (OHT).

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 moves on the index rail 1220 and can transport the substrate S. [

공정모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000 as a module for actually performing a process.

버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정챔버(3000)나 제2공정챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space for temporarily holding the substrate S conveyed between the index module 1000 and the processing module 2000. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot in which the substrate S is placed. For example, the index robot 1210 can pull the substrate S out of the container C and place it in the buffer slot, and the transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 can transfer the substrate S placed in the buffer slot And can return it to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. The buffer chamber 2100 may be provided with a plurality of buffer slots so that a plurality of substrates S can be placed.

이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 carries the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 disposed therearound. The transfer chamber 2200 may include a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 moves on the transfer rail 2220 and can transfer the substrate S.

제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 세정공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정공정은 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)에서는 세정공정 중 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정이 수행되고, 뒤이어 제2공정챔버(4000)에서는 초임계건조공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 can perform a cleaning process. At this time, the cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. For example, in the first process chamber 3000, a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process may be performed in the cleaning process, and a supercritical drying process may be performed in the second process chamber 4000.

이러한 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed on opposite sides of the transfer chamber 2200 to face each other.

또한, 공정모듈(2000)에는 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정챔버들(3000, 4000)은 이송챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 연직방향으로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In the process module 2000, a plurality of first process chambers 3000 and a plurality of second process chambers 4000 may be provided. The plurality of process chambers 3000, 4000 may be arranged in a line on the side of the transfer chamber 2200, stacked in the vertical direction, or arranged by a combination thereof.

물론, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판처리장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above example, and may be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100, have.

이하에서는 제1공정챔버(3000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber 3000 will be described.

도 3은 도 2의 제1공정챔버(3000)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first process chamber 3000 of FIG.

제1공정챔버(3000)는 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1공정챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스공정은 가판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The first process chamber 3000 may perform a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process. Of course, the first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing a foreign substance on the substrate S by providing a cleaning agent on the substrate S, and the rinsing process is a process of rinsing the cleaning agent remaining on the substrate S by providing a rinsing agent on the substrate , The organic solvent process is a process of replacing the rinsing agent remaining between the circuit patterns of the substrate (S) with an organic solvent having a low surface tension by providing an organic solvent on the substrate (S).

도 3을 참조하면, 제1공정챔버(3000)는 지지부재(3100), 노즐부재(3200) 및 회수부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지부재(3100)는 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다. The support member 3100 supports the substrate S and can rotate the supported substrate S. [ The support member 3100 may include a support plate 3110, a support pin 3111, a picking pin 3112, a rotation axis 3120, and a rotation driver 3130.

지지플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 형성된다. 지지핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has an upper surface having the same or similar shape as the substrate S and a support pin 3111 and a hooking pin 3112 are formed on the upper surface of the support plate 3110. The support pins 3111 support the substrate S and the processing pins 3112 can fix the supported substrate S. [

지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결된다. 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. A rotation shaft 3120 is connected to a lower portion of the support plate 3110. The rotary shaft 3120 receives the rotational force from the rotary actuator 3130 and rotates the support plate 3110. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 can be rotated. At this time, the machining pin 3112 can prevent the substrate S from deviating from the correct position.

노즐부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐부재(3200)는 노즐(3210), 노즐바(3220), 노즐축(3230) 및 노즐축구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 ejects the medicament onto the substrate S. The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle axis 3230, and a nozzle soccer motive 3240.

노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 ejects the medicament onto the substrate S that is seated on the support plate 3110. The medicament may be a detergent, a rinsing agent or an organic solvent. As the detergent, a hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) solution or a hydrogen peroxide solution mixed with ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl) or sulfuric acid (H 2 SO 4 ) or a hydrofluoric acid have. In addition, pure water can be used as the rinsing agent. Examples of the organic solvent include isopropyl alcohol, ethyl glycol, propanol, tetrahydrofuran, 4-hydroxy, 4-methyl, A solution of 2-pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol or dimethylether Gas may be used.

이러한 노즐(3210)은 노즐바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐바(3220)는 노즐축(3230)에 결합되며, 노즐축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐축구동기(3240)는 노즐축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. This nozzle 3210 is formed on the bottom surface of the nozzle bar 3220 at one end. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle shaft 3230, and the nozzle shaft 3230 is provided to be able to lift or rotate. The nozzle synchronization 3240 may adjust the position of the nozzle 3210 by moving the nozzle axis 3230 up or down.

회수부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the medicine supplied to the substrate S. The support member 3100 can rotate the substrate S and uniformly supply the medicament to the entire area of the substrate S when the medicament is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200. [ When the substrate S is rotated, the medicine is scattered from the substrate S, and the medicine to be scattered can be recovered by the recovering member 3300.

회수부재(3300)는 회수통(3310), 회수라인(3320), 승강바(3330) 및 승강구동기(3340)를 포함할 수 있다. The collecting member 3300 may include a collecting box 3310, a collecting line 3320, a lifting bar 3330,

회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The recovery cylinder 3310 is provided in the form of an annular ring surrounding the support plate 3110. A plurality of the collection bins 3310 may be provided in a ring shape away from the support plate 3110 in order from the top and a plurality of collection bins 3310 provided at a distance from the support plate 3110 3310) is provided so that its height is higher. Thus, a collection port 3311 through which the medicine scattered from the substrate S flows into the space between the collection tubes 3310 is formed.

회수통(3310)의 하면에는 회수라인(3320)이 형성된다. 회수라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A collection line 3320 is formed on the lower surface of the collection box 3310. The recovery line 3320 supplies the recovered medicines to the medicament regeneration system (not shown) for regenerating medicines.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the recovery bottle 3310 and receives the power from the lifting base 3340 to move the recovery bottle 3310 up and down. The elevating bar 3330 may be connected to a waste collection box 3310 disposed at the outermost position when the collection box 3310 is plural. The elevator shaft synchronizer 3340 can control the withdrawal port 3311 through which the scattering agent 3310 flows in the plurality of withdrawal ports 3311 through the lifting bar 3330.

이하에서는 제2공정챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the second process chamber 4000 will be described.

제2공정챔버(4000)는 초임계유체를 이용하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2공정챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있으며, 나아가, 제2공정챔버(4000)는 초임계유체 대신 다른 공정유체를 이용하여 공정을 수행할 수도 있을 것이다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. Of course, as described above, the process performed in the second process chamber 4000 may be a supercritical process other than the supercritical drying process, and further, the second process chamber 4000 may use another process fluid instead of the supercritical fluid May be used to perform the process.

이러한 제2공정챔버(4000)는 상술한 바와 같이, 이송챔버(2200)의 일측면에 배치될 수 있다. 제2공정챔버(4000)가 복수인 경우에는 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치되거나 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 기판처리장치(100)에서는 로드포트(1100), 이송프레임(1200), 버퍼챔버(2100), 이송모듈(2200)이 순차적으로 배치될 수 있는데, 제2공정챔버(4000)는 이와 동일한 방향으로 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치될 수 있다. This second process chamber 4000 may be disposed on one side of the transfer chamber 2200, as described above. When a plurality of the second process chambers 4000 are provided, they may be arranged in a line on one side of the transfer chamber 2200, stacked up and down, or arranged by a combination thereof. In the substrate processing apparatus 100, the load port 1100, the transfer frame 1200, the buffer chamber 2100, and the transfer module 2200 may be sequentially arranged, and the second process chamber 4000 may be arranged in the same direction And may be arranged in a line on one side of the transfer chamber 2200.

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 4 및 도 5는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.Figures 4 and 5 are cross-sectional views of one embodiment of the second process chamber of Figure 2;

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 승강부재(4200), 지지유닛(4300), 가열부재(4400), 공급포트(4500) 및 배기포트(4600)를 포함할 수 있다.4 and 5, the second process chamber 4000 includes a housing 4100, a lift member 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a supply port 4500, and an exhaust port 4600 ).

하우징(4100)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 4100 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 4100 is provided with a material capable of withstanding a high pressure exceeding a critical pressure.

하우징(4100)은 상부하우징(4110)과 상부하우징(4110)의 하부에 배치되는 하부하우징(4120)을 구비할 수 있다.The housing 4100 may include an upper housing 4110 and a lower housing 4120 disposed under the upper housing 4110.

상부하우징(4110)은 고정되어 설치되며, 하부하우징(4120)은 승강할 수 있다. 하부하우징(4120)이 하강하여 상부하우징(4110)으로부터 이격되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부하우징(4120)이 상승하여 상부하우징(4110)에 밀착되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부하우징(4120)이 고정되어 설치되고, 상부하우징(4110)이 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper housing 4110 is fixed and the lower housing 4120 can be raised and lowered. When the lower housing 4120 is lowered and separated from the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is opened, the substrate S is carried into the inner space of the second process chamber 4000, . Here, the substrate S to be transferred to the second process chamber 4000 may be in a state where the organic solvent remains in the first process chamber 3000 through the organic solvent process. When the lower housing 4120 rises and comes into close contact with the upper housing 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is sealed, and the supercritical drying process can be performed therein. Of course, unlike the above-described example, the lower housing 4120 may be fixedly installed in the housing 4100, and the upper housing 4110 may be vertically moved.

승강부재(4200)는 하부하우징(4120)을 승강시킨다. 승강부재(4200)는 승강실린더(4210) 및 승강로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강실린더(4210)는 하부하우징(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(4210)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)을 밀착시켜 제2공정챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부하우징(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(4210)와 승강로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(4210)에 결합된 하부하우징(4120)이 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(4210)에 의해 하부하우징(4120)이 승강하는 동안 승강로드(4220)는 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating member 4200 moves the lower housing 4120 up and down. The elevating member 4200 may include a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower housing 4120 to generate a vertical driving force, that is, a lifting force. The elevating cylinder 4210 is operated so that the supercritical drying process is performed while the high pressure equal to or higher than the critical pressure inside the second process chamber 4000 is obtained and the upper and lower housings 4110 and 4120 are brought into close contact with each other, ) To a degree sufficient to seal the opening. One end of the lifting rod 4220 is inserted into the lifting cylinder 4210 and extends vertically upward, and the other end is coupled to the upper housing 4110. When the driving force is generated in the lifting cylinder 4210 according to this structure, the lifting cylinder 4210 and the lifting rod 4220 are relatively lifted and the lower housing 4120 coupled to the lifting cylinder 4210 can be lifted and lowered. The lifting rod 4220 prevents the upper housing 4110 and the lower housing 4120 from moving in the horizontal direction while the lower housing 4120 is lifted and lowered by the lifting cylinder 4210, It is possible to prevent the housing 4110 and the lower housing 4120 from deviating from each other at a predetermined position.

지지유닛(4300)는 하우징(4100)의 내부에 복수의 기판(S)을 지지한다. 지지유닛(4300)은 지지바(4310) 및 복수의 지지부재(4320)을 포함할 수 있다. The support unit 4300 supports a plurality of substrates S in the interior of the housing 4100. The support unit 4300 may include a support bar 4310 and a plurality of support members 4320.

지지바(4310)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부하우징(4110)의 하면으로부터 아래방향으로 연장될 수 잇다. 지지바(4310)는 수평방향으로 이격되는 한 쌍의 바(bar) 또는 두 쌍의 바로 제공될 수 있다.The support bar 4310 can extend downward from the lower wall of the upper wall of the housing 4100, i.e., the upper housing 4110. The support bar 4310 may be provided with a pair of horizontally spaced bars or two pairs of bars.

지지부재(4320)는 지지바(4310)에 일정한 간격을 가지고 연설된다. 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 수평방향으로 연장되도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1지지부재(4320a)는 지지바(4310)의 중간에서 수평방향으로 연장되고, 제2지지부재(4320)는 지지바(4310b)의 하단에서 수평방향으로 연장될 수 있다. 지지바(4310)가 서로 이격된 두 쌍으로 제공되는 경우에는, 각 지지바(4310)에서 연장되는 지지부재(4320)는 서로를 향하여 연장된다. The support members 4320 are spaced apart from the support bars 4310 at regular intervals. The support member 4320 may be provided to extend in the horizontal direction from the support bar 4310. For example, the first support member 4320a may extend horizontally in the middle of the support bar 4310 and the second support member 4320 may extend horizontally at the lower end of the support bar 4310b. When the support bars 4310 are provided in two pairs spaced from each other, the support members 4320 extending from the respective support bars 4310 extend toward each other.

다만, 지지부재(4310)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 가감될 수 있다.However, the number of the support members 4310 is not limited to the example described above, and may be added or subtracted as necessary.

지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 한 쌍의 지지바(4310)의 간격은 기판(S)의 직경보다 크게 제공되고, 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 지지바(4310)가 서로 마주보는 측으로 연장될 수 있다. 이에 따라 지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지하고, 기판(S)의 상면 및 하면이 모두 하우징(4100)의 내부공간에 노출되어 초임계유체를 제공받아 건조될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다.The support member 4310 can support the edge region of the substrate S. [ The distance between the pair of support bars 4310 is larger than the diameter of the substrate S and the support member 4320 can extend from the support bar 4310 to the side where the support bar 4310 faces each other. Accordingly, the support member 4310 supports the edge region of the substrate S, and both the upper and lower surfaces of the substrate S are exposed to the inner space of the housing 4100 to be supplied with the supercritical fluid to be dried. Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface thereof may be a non-pattern surface.

이와 같이, 지지유닛(4100)이 복수의 기판(S)을 하우징(4100) 내에서 지지하면, 제2공정챔버(4000)가 동시에 복수의 기판(S)에 대하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다.Thus, when the support unit 4100 supports a plurality of substrates S in the housing 4100, the second process chamber 4000 can simultaneously perform a supercritical drying process on the plurality of substrates S have.

또, 지지유닛(4300)는 고정 설치되는 상부하우징(4110)에 설치되므로 하부하우징(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. Since the support unit 4300 is installed in the fixed upper housing 4110, the substrate S can be relatively stably supported while the lower housing 4120 moves up and down.

지지유닛(4300)이 설치되는 상부하우징(4110)에는 수평조정부재(4111)가 설치될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 상부하우징(4110)의 수평도(水平度)을 조정한다. 상부하우징(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(4111)에 설치된 지지유닛(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부하우징(4110)이 승강되고 하부하우징(4120)이 고정되어 설치되거나 지지유닛(4300)가 하부하우징(4120)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(4111)는 하부하우징(4120)에 설치될 수도 있다.A horizontal adjustment member 4111 may be installed in the upper housing 4110 where the support unit 4300 is installed. The horizontal adjustment member 4111 adjusts the horizontality of the upper housing 4110. When the level of the upper housing 4110 is adjusted, the level of the substrate S mounted on the support unit 4300 installed in the upper housing 4111 can be adjusted. In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows along the inclined surface to dry or overdry a specific portion of the substrate S, . The horizontal adjustment member 4111 can align the substrate S to prevent this problem. Of course, when the upper housing 4110 is raised and lowered and the lower housing 4120 is fixed or the support unit 4300 is installed in the lower housing 4120, the horizontal adjustment member 4111 is installed in the lower housing 4120 .

가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(4400)는 상부하우징(4110) 및 하부하우징(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 가열부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 4400 heats the interior of the second process chamber 4000. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 to a supercritical fluid or to supercritical fluid if it is liquefied. The heating member 4400 may be embedded in the wall of at least one of the upper housing 4110 and the lower housing 4120. [ The heating member 4400 may be provided, for example, as a heater that receives power from the outside and generates heat.

공급포트(4500)는 제2공정챔버(4000)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(4500)는 초임계유체를 공급하는 공급라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트(4500)에는 공급라인(4550)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 4500 supplies the supercritical fluid to the second process chamber 4000. The supply port 4500 may be connected to a supply line 4550 that supplies supercritical fluid. At this time, the supply port 4500 may be provided with a valve for regulating the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply line 4550.

공급포트(4500)는 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)를 포함할 수 있다. The supply port 4500 may include an upper supply port 4510, a lower supply port 4520, and a nozzle member 4530.

상부공급포트(4510)는 상부하우징(4110)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 위쪽의 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(4520)는 하부하우징(4120)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 아래쪽의 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The upper supply port 4510 is formed in the upper housing 4110 and supplies the supercritical fluid to the upper surface of the uppermost substrate S among the substrates S supported by the support unit 4300. The lower supply port 4520 is formed in the lower housing 4120 and supplies the supercritical fluid to the lower surface of the substrate S of the substrate S supported by the support unit 4300.

상부공급포트(4510)와 하부공급포트(4520)는 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(4510)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(4520)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)을 건조시킬 수 있다.The upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 can inject supercritical fluid into the central region of the substrate S. [ For example, the upper supply port 4510 may be located vertically above the center of the substrate S supported by the support unit 4300. Further, the lower supply port 4520 may be positioned vertically downward from the center of the substrate S supported by the support unit 4300. The supercritical fluid injected into the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 can reach the central region of the substrate S and spread to the edge region to dry the substrate S. [

노즐부재(4530)는 초임계유체를 분사하는 일단이 측면에서 볼 때 서로 인접한 지지부재(4320)의 사이, 즉 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치할 수 있다. 노즐부재(4530)는 복수의 지지부재(4320)의 사이마다 하나씩 제공될 수 있다. 노즐부재(4530)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부하우징(4110)으로부터 아래방향으로 연장되고, 그 하단이 지지바(4310)의 지지부재(4320)가 연설된 중간높이에서 수평방향으로 절곡되어 기판(S)의 중앙부까지 연장될 수 있다. 이에 따라 노즐부재(4530)의 일단은 측면에서는 볼 때는 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치하고, 상면에서 볼 때는 기판(S)의 중앙부에 위치하게 된다. The nozzle member 4530 may be positioned between the adjacent supporting members 4320, that is, between the substrates S adjacent to each other, at one end for injecting the supercritical fluid. The nozzle member 4530 may be provided one by one between the plurality of support members 4320. The nozzle member 4530 extends downward from the upper wall of the housing 4100, that is, from the upper housing 4110, and the lower end of the nozzle member 4530 extends in a horizontal direction at a middle height at which the support member 4320 of the support bar 4310 And may extend to the central portion of the substrate S. Accordingly, one end of the nozzle member 4530 is located between the adjacent substrates S when viewed from the side, and is located at the center of the substrate S when viewed from the top.

노즐부재(4530)는 그 일단이 서로 인접한 기판(S) 중 아래쪽 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 기판(S)은 그 상면이 패턴면이 되도록 지지유닛(4300)에 안착되므로, 기판(S)의 상면의 건조가 중요한데, 제1지지부재(4320a)에 안착된 기판(S)의 상면은 상부공급포트(4510)에 의해 초임계유체를 제공받고, 제2지지부재(4320b)에 안착된 기판(S)의 상면은 노즐부재(4530)에 의해 초임계유체를 제공받아 동시에 복수의 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 수행될 수 있다.The nozzle member 4530 can jet the supercritical fluid to the upper surface of the lower substrate S among the substrates S whose one ends are adjacent to each other. It is important to dry the upper surface of the substrate S because the upper surface of the substrate S is seated on the supporting unit 4300 so that the upper surface of the substrate S is a pattern surface. The upper surface of the substrate S, which is seated on the first supporting member 4320a, The supercritical fluid is supplied by the supply port 4510 and the upper surface of the substrate S mounted on the second support member 4320b is supplied with the supercritical fluid by the nozzle member 4530 and is supplied to the plurality of substrates S ) Can be performed.

한편, 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)에서 먼저 하부공급포트(4520)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510) 및 노즐부재(4530)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(4510)나 노즐부재(4530)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 따라서, 하부공급포트(4520)를 통해 제2공정챔버(4000)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달한 경우, 상부공급포트(4510)과 노즐부재(4530)이 초임계유체의 공급을 시작하면, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, in the upper supply port 4510, the lower supply port 4520 and the nozzle member 4530, first, the lower supply port 4520 supplies the supercritical fluid, and later the upper supply port 4510 and the nozzle member 4530, 0.0 > supercritical < / RTI > Since the supercritical drying process can initially proceed in the state where the interior of the second process chamber 4000 is under the critical pressure, the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 can be liquefied. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 or the nozzle member 4530 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid is liquefied and drops down to the substrate S by gravity, . ≪ / RTI > Accordingly, when the supercritical fluid is supplied to the second process chamber 4000 through the lower supply port 4520 and the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches the critical pressure, the upper supply port 4510 and the nozzle When the member 4530 starts to supply the supercritical fluid, the supplied supercritical fluid can be prevented from being liquefied and falling to the substrate S.

배기포트(4600)는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체를 배기한다. 배기포트(4600)는 초임계유체를 배기하는 배기라인(4650)에 연결될 수 있다. 이때, 배기포트(4600)에는 배기라인(4650)으로 배기하는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. 배기라인(4650)을 통해 배기되는 초임계유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계유체재생시스템(미도시)로 공급될 수 있다. The exhaust port 4600 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The exhaust port 4600 may be connected to an exhaust line 4650 that exhausts the supercritical fluid. At this time, the exhaust port 4600 may be provided with a valve for regulating the flow rate of supercritical fluid to be exhausted to the exhaust line 4650. Supercritical fluid exhausted through the exhaust line 4650 may be released to the atmosphere or may be supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기포트(4600)는 하부하우징(4120)에 형성될 수 있다. 초임계건조공정의 후기에는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계유체는 중력에 의해 하부하우징(4120)에 형성된 배기포트(4600)를 통해 배출될 수 있다. The exhaust port 4600 may be formed in the lower housing 4120. In the latter stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid is exhausted from the second process chamber 4000 and its internal pressure is lowered to a critical pressure or less, so that the supercritical fluid can be liquefied. The liquefied supercritical fluid may be discharged through the exhaust port 4600 formed in the lower housing 4120 by gravity.

이상에서는 동시에 두 장의 기판(S)을 지지하고, 처리하는 제2공정챔버(4000)를 기준으로 설명하였으나, 제2공정챔버(4000)가 처리할 수 있는 기판(S)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니다.Although the description has been made with reference to the second process chamber 4000 that supports and processes two substrates S simultaneously, the number of substrates S that can be processed by the second process chamber 4000 is limited to the above example It is not.

또한, 상술한 제2공정챔버(4000)의 구성요소 중 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)은 선택적인 구성요소이다. 예를 들어, 제2공정챔버(4000)에는 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520) 중 어느 하나 또는 모두가 제공되지 않을 수 있다. 제2공정챔버(4000)에 상부공급포트(4510)가 생략되는 경우에는, 최상부의 지지부재(4320)와 하우징(4100)의 상부벽 사이에 노즐부재(4530)이 추가로 제공될 수 있다. 이러한 노즐부재(4530)는 생략된 상부공급포트(4510) 대신 최상부의 지지부재(4320)에 안착된 기판의 상면에 초임계유체를 공급할 수 있다.In addition, the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 among the components of the second process chamber 4000 described above are optional components. For example, in the second process chamber 4000, either or both of the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 may not be provided. If the upper supply port 4510 is omitted in the second process chamber 4000, a nozzle member 4530 may be further provided between the uppermost support member 4320 and the upper wall of the housing 4100. This nozzle member 4530 can supply the supercritical fluid to the upper surface of the substrate that is seated on the uppermost support member 4320 instead of the omitted upper supply port 4510.

또한, 상술한 제2공정챔버(4000)에서는 지지유닛(4300)이 지지바(4310)와 지지부재(4320)를 구비하는 것으로 설명하였으나, 지지유닛(4300)은 이와 다른 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지유닛(4300)은 버퍼챔버(2100)의 버퍼슬롯과 유사한 형태로 제공될 수 있다. 구체적으로 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽으로부터 수평방향으로 연장되는 한 쌍의 플레이트로 제공될 수 있다. 한 쌍의 플레이트의 기판(S)의 양측 가장자리를 지지할 수 있다. 또한, 슬롯형태의 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽에 상하방향으로 복수개 제공될 수 있다. 복수의 지지유닛(4300)은 복수의 기판(S)을 지지할 수 있다. Although the support unit 4300 is described as having the support bar 4310 and the support member 4320 in the second process chamber 4000 described above, the support unit 4300 may be provided in a different form . For example, the support unit 4300 may be provided in a form similar to a buffer slot of the buffer chamber 2100. Specifically, the support unit 4300 may be provided as a pair of plates extending in the horizontal direction from the side wall of the housing 4100. It is possible to support both side edges of the substrate S of the pair of plates. Further, a plurality of support units 4300 in the form of a slot may be provided on the side wall of the housing 4100 in the vertical direction. A plurality of support units 4300 can support a plurality of substrates S. [

도 6은 도 2의 제2공정챔버(4000)의 다른 실시예의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of another embodiment of the second process chamber 4000 of FIG.

도 6을 참조하면, 지지바(4310)에는 상하방향으로 각각 기판(S)을 지지하는 세 개의 지지부재(4320a, 4320b, 4320c)가 제공될 수 있다. 또한, 노즐부재(4530)는, 제1지지부재(4320a)과 제2지지부재(4320b)의 사이에 배치되는 제1노즐부재(4530a), 그리고 제2지지부재(4320b)와 제3지지부재(4320c)의 사이에 배치되는 제2노즐부재(4530b)를 포함할 수 있다. 이에 따라 상부공급포트(4510), 제1지지부재(4530a), 제2지지부재(4530b)가 각각 기판(S)의 상면에 초임계유체를 분사할 수 있다. 이러한 제2공정챔버(4000)는 동시에 세 장의 기판을 처리할 수 있을 것이다.Referring to FIG. 6, three support members 4320a, 4320b, and 4320c may be provided on the support bar 4310 to support the substrate S in the vertical direction, respectively. The nozzle member 4530 includes a first nozzle member 4530a disposed between the first and second support members 4320a and 4320b and a second nozzle member 4530b disposed between the second and third support members 4320b and 4320b. And a second nozzle member 4530b disposed between the second nozzle member 4520c. Accordingly, the upper supply port 4510, the first support member 4530a, and the second support member 4530b can inject supercritical fluid onto the upper surface of the substrate S, respectively. This second process chamber 4000 will be able to process three substrates simultaneously.

한편, 이상에서는 노즐부재(4530)이 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사하는 것으로 설명하였으나, 노즐부재(4530)가 분사하는 방향 및 형태가 이에 한정되는 것은 아니다.Although it has been described above that the nozzle member 4530 injects the supercritical fluid onto the upper surface of the substrate S positioned below the nozzle member 4530, the direction and shape of the nozzle member 4530 are not limited thereto.

노즐부재(4530)는 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면에 수직한 방향으로 초임계유체를 분사하는 대신, 방사형으로 분사할 수 있다.The nozzle member 4530 can be radially injected instead of injecting the supercritical fluid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate S positioned thereunder.

도 7 및 도 8은 도 4 및 도 5의 노즐부재(4530)의 일단의 형상을 나타낸 도면이고, 도 9는 도 7의 노즐부재(4530)가 초임계유체를 분사하는 것을 도시한 도면이다.Figs. 7 and 8 are views showing the shape of one end of the nozzle member 4530 in Figs. 4 and 5, and Fig. 9 is a view showing that the nozzle member 4530 in Fig. 7 ejects supercritical fluid.

도 7을 참조하면, 노즐부재(4530)의 일단에는 노즐부재(4530)의 중앙을 관통하여 초임계유체가 이동하는 중공(4531)으로부터 노즐부재(4530)의 외곽쪽으로 안내되는 미세홀(4532a)이 형성될 수 있다. 초임계유체는 노즐부재(4530)에서 중공(4531)을 따라 이동하다, 일단에서 미세홀(4532a)을 통해 토출될 수 있다. 미세홀(4532a)는 노즐부재(4530)의 중앙부로부터 방사형으로 퍼지는 형상을 가지므로, 초임계유체는 연직하방으로 분사되는 대신 연직방향에 경사지게 분사될 수 있다. 따라서, 도 9에 도시된 바와 같이 초임계유체가 수평성분의 속도를 가지므로, 기판(S)의 중앙부로부터 빠르게 기판(S)의 가장자리 영역으로 퍼져, 기판(S)의 전 영역에 초임계유체가 고르게 제공될 수 있을 것이다.7, a fine hole 4532a is formed in one end of the nozzle member 4530 to guide the nozzle member 4530 from the hollow 4531 through which the supercritical fluid moves, passing through the center of the nozzle member 4530, Can be formed. The supercritical fluid moves along the hollow 4531 in the nozzle member 4530, and can be discharged through the fine holes 4532a at one end. Since the fine holes 4532a have a shape radially spreading from the center of the nozzle member 4530, the supercritical fluid can be injected obliquely in the vertical direction instead of vertically downward. 9, the supercritical fluid has a velocity of the horizontal component so that it spreads rapidly from the central portion of the substrate S to the edge region of the substrate S, May be provided evenly.

도 8을 참조하면, 노즐부재(4530)의 일단에 방사형의 미세홀(4532a) 대신 스크류(screw) 타입으로 형성된 미세홀(4532b)가 형성될 수 있다. 이러한 미세홀(4532b)는 초임계유체에 회전력을 가하므로, 다시 도 9에 도시된 바와 같이, 초임계유체를 회전력을 가지고 분사되어 역시 기판(S)의 전 영역에 균일하게 제공될 수 있을 것이다.8, a fine hole 4532b may be formed at one end of the nozzle member 4530 in the form of a screw instead of a radial fine hole 4532a. Since this fine hole 4532b applies a rotational force to the supercritical fluid, it can be sprayed with the rotational force of the supercritical fluid again, as shown in Fig. 9, so as to be uniformly provided over the entire region of the substrate S .

또, 노즐부재(4530)가 반드시 그 아래에 있는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사해야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 노즐부재(4530)는 그 위에 있는 기판(S)의 하면을 향해 초임계유체를 분사하거나 또는 아래쪽 기판(S)의 상면과 위쪽 기판(S)의 하면 양쪽으로 동시에 초임계유체를 분사할 수도 있을 것이다.In addition, the nozzle member 4530 does not necessarily need to inject the supercritical fluid to the upper surface of the substrate S under the nozzle member 4530. For example, the nozzle member 4530 ejects a supercritical fluid toward the lower surface of the substrate S thereon or a supercritical fluid is simultaneously supplied to both the upper surface of the lower substrate S and the lower surface of the upper substrate S It may be sprayed.

한편, 이러한 노즐부재(4530)는 그 일단이 기판(S)의 중앙부에 위치하지 않을 수도 있다. On the other hand, one end of the nozzle member 4530 may not be located at the center of the substrate S.

도 10은 도 4 및 도 5의 노즐부재(4530)의 변형예에 관한 도면이다.Fig. 10 is a view showing a modified example of the nozzle member 4530 of Figs. 4 and 5. Fig.

도 10을 참조하면, 노즐부재(4530)의 일단은 상부에서 볼 때, 기판(S)의 가장자리 또는 외측에 위치할 수 있다. 이러한 노즐부재(4530)는 서로 인접한 기판(S) 사이의 공간으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 이때, 노즐부재(4530)는 초임계유체를 기판(S)의 상면과 하면에 나란하게 분사할 수 있다. 기판(S)의 가장자리나 외측에서 이와 같이 초임계유체를 분사하면, 그 초임계유체는 유체의 수평방향 속도 성분에 의해 기판(S)의 가장자리로부터 중앙을 거쳐 반대쪽 가장자리로 이동하면서 기판(S)의 전 영역에 제공된다. 또한, 노즐부재(4530)의 위쪽 기판(S)의 하면과 아래쪽 기판(S)의 상면에 동시에 초임계유체가 제공된다.Referring to FIG. 10, one end of the nozzle member 4530 may be located at an edge or outside of the substrate S when viewed from above. Such a nozzle member 4530 can jet a supercritical fluid into a space between the substrates S adjacent to each other. At this time, the nozzle member 4530 can jet the supercritical fluid in parallel to the upper surface and the lower surface of the substrate S. When supercritical fluid is sprayed from the edge or outside of the substrate S, the supercritical fluid moves from the edge of the substrate S to the opposite edge of the substrate S by the horizontal velocity component of the fluid, In the entire region of < / RTI > In addition, a supercritical fluid is simultaneously provided on the lower surface of the upper substrate S of the nozzle member 4530 and the upper surface of the lower substrate S.

이상에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판처리장치(100)의 제2공정챔버(4000)는 공급포트(4500)로 초임계유체를 대신 다른 공정유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정유체로 초임계유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마가스, 불활성가스 등이 사용될 수 있을 것이다. Although the substrate processing apparatus 100 according to the present invention has been described as processing a substrate by supplying a supercritical fluid to the substrate S, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention must perform the supercritical process The present invention is not limited thereto. Accordingly, the second process chamber 4000 of the substrate processing apparatus 100 may process the substrate S by supplying another process fluid instead of the supercritical fluid to the supply port 4500. In this case, an organic solvent or various other constituent gases, a plasma gas, an inert gas, or the like may be used instead of the supercritical fluid as the process fluid.

또한, 기판처리장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 공급라인(4550)이나 배기라인(4650)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부공급포트(4110)과 하부공급포트(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계유체를 공급하기 시작한 뒤 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.Further, the substrate processing apparatus 100 may further include a controller for controlling the components. For example, the controller may control the heating member 4400 to adjust the internal temperature of the housing 4100. [ Alternatively, the controller may control valves installed in the supply line 4550 or the exhaust line 4650 to control the flow rate of the drug or supercritical fluid. For example, the controller may be configured such that when either the upper supply port 4110 and the lower supply port 4120 start supplying supercritical fluid first, the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches a preset pressure , The other one may be controlled to start supplying the supercritical fluid.

이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented in a computer or similar device using hardware, software, or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In hardware, the controller may be implemented as an application specific integrated circuit (ASIC), digital signal processors (DSPs), digital signal processing devices (DSPDs), programmable logic devices (PLDs), field programmable gate arrays (FPGAs) micro-controllers, microprocessors, or electrical devices that perform similar control functions.

또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.Also, the software may be implemented by software code or software applications written in one or more programming languages. The software is executed by a hardware-implemented control unit. The software may be installed by being transmitted from an external device such as a server in the hardware configuration described above.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing method according to the present invention will be described using the substrate processing apparatus 100 described above. However, since this is merely for the sake of explanation, the substrate processing method may be performed by using another apparatus which is the same or similar to the substrate processing apparatus 100 described above. Further, the substrate processing method according to the present invention can be stored in a computer-readable recording medium in the form of a code or a program for performing the processing.

이하에서는 기판처리방법의 일 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 일 실시예는 세정공정 전반에 관한 것이다.Hereinafter, one embodiment of the substrate processing method will be described. One embodiment of the substrate processing method relates to the cleaning process in general.

도 11은 기판처리방법의 일 실시예의 순서도이다.11 is a flowchart of one embodiment of a substrate processing method.

도 11을 참조하면, 기판처리방법의 일 실시예는 제1공정챔버(3000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S110), 케미컬공정을 수행하는 단계(S120), 린스공정을 수행하는 단계(S130), 유기용제공정을 수행하는 단계(S140), 제2공정챔버(4000)로 기판(S)을 반입하는 단계(S150), 초임계건조공정을 수행하는 단계(S160) 및 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 기판(S)을 수납하는 단계(S170)를 포함한다. 한편, 상술한 단계는 반드시 설명된 순서로 실행되어야만 하는 것은 아니며, 나중에 설명된 단계가 먼저 설명된 단계에 앞서 수행될 수도 있다. 이는 후술할 기판처리방법의 다른 실시예에서도 마찬가지이다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.Referring to FIG. 11, an embodiment of a substrate processing method includes a step S 110 of carrying a substrate S into a first process chamber 3000, a step S 120 of performing a chemical process, a step of performing a rinsing process (S130), performing an organic solvent process (S140), bringing a substrate (S) into a second process chamber (4000) (S150), performing a supercritical drying process (S160) (S170) of accommodating the substrate (S) in the container (C) placed on the substrate (1100). On the other hand, the steps described above are not necessarily executed in the order described, and the steps described later may be performed prior to the steps described earlier. This is true in other embodiments of the substrate processing method described later. Each step will be described below.

제1공정챔버(3000)로 기판(S)을 반입한다(S110). 먼저 오버헤드트랜스퍼 등의 반송장치 등이 기판(S)이 수납된 용기(C)를 로드포트(1100)에 놓는다. 용기(C)가 놓이면 인덱스로봇(1210)이 용기(C)로부터 기판(S)을 인출하여 이를 버퍼슬롯에 적재한다. 버퍼슬롯에 적재된 기판(S)은 이송로봇(2210)에 의해 인출되어 제1공정챔버(3000)로 반입되며, 지지플레이트(3110)에 안착된다.The substrate S is carried into the first process chamber 3000 (S110). First, a transfer device such as an overhead transfer or the like places the container C in which the substrate S is housed in the load port 1100. When the container C is placed, the index robot 1210 pulls the substrate S from the container C and loads it into the buffer slot. The substrate S loaded in the buffer slot is withdrawn by the transfer robot 2210, is transferred to the first process chamber 3000, and is placed on the support plate 3110.

제1공정챔버(3000)에 기판(S)이 반입되면, 케미컬공정을 수행한다(S120). 지지플레이트(3110)에 기판(S)이 놓이면, 노즐축구동기(3240)에 의해 노즐축(3230)이 이동 및 회전하여 노즐(3210)이 기판(S)의 상부에 위치하게 된다. 노즐(3210)은 기판(S)의 상면으로 세정제를 분사한다. 세정제가 분사되면 기판(S)으로부터 이물질이 제거된다. 이때, 회전구동기(3130)는 회전축(3120)을 회전시켜 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 기판(S)이 회전되면, 세정제가 기판(S)에 균일하게 공급되고, 또한 기판(S)으로부터 비산된다. 비산되는 세정제는 회수통(3310)으로 유입되고, 회수라인(3320)을 통해 유체재생시스템(미도시)로 보내어진다. 이때, 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 복수의 회수통(3310) 중 어느 하나로 비산되는 세정제가 유입되도록 회수통(3310)을 승강시킨다.When the substrate S is carried into the first process chamber 3000, a chemical process is performed (S120). When the substrate S is placed on the support plate 3110, the nozzle axis 3230 moves and rotates by the nozzle soccer synchronizer 3240 so that the nozzle 3210 is positioned above the substrate S. The nozzle 3210 ejects the cleaning agent onto the upper surface of the substrate S. When the cleaning agent is sprayed, foreign matter is removed from the substrate S. At this time, the rotary actuator 3130 can rotate the substrate S by rotating the rotary shaft 3120. When the substrate S is rotated, the cleaning agent is uniformly supplied to the substrate S and scattered from the substrate S. The scattered cleaning agent flows into the recovery tank 3310 and is sent to the fluid recovery system (not shown) through the recovery line 3320. At this time, the lifting / lowering motors 3340 raise / lower the collection box 3310 so that the cleaning agent scattered to any one of the plurality of collection bins 3310 flows through the lifting bar 3330.

기판(S) 상의 이물질이 충분히 제거되면, 린스공정을 수행한다(S130). 케미컬공정이 종료되면, 기판(S)에는 이물질이 제거되고, 세정제가 잔류하게 된다. 복수의 노즐(3210) 중 세정제를 분사한 노즐(3210)은 기판(S)의 상부로부터 이탈하고, 다른 노즐(3210)이 기판(S)의 상부로 이동하여 기판(S)의 상면으로 린스제를 분사한다. 기판(S)에 린스제가 공급되면, 기판(S)에 잔류하는 세정제가 세척된다. 린스공정 중에도 기판(S)의 회전과 약제의 회수가 이루어질 수 있다. 승강구동기(3340)는 세정제를 회수한 회수통(3310)과 다른 회수통(3310)으로 린스제가 유입되도록 회수통(3310)의 높이를 조절한다.When the foreign substance on the substrate S is sufficiently removed, a rinsing process is performed (S130). When the chemical process is completed, foreign substances are removed from the substrate S, and the cleaning agent remains. The nozzles 3210 for spraying the cleaning agent from the plurality of nozzles 3210 are separated from the upper portion of the substrate S and the other nozzles 3210 are moved to the upper portion of the substrate S, . When rinsing agent is supplied to the substrate (S), the cleaning agent remaining on the substrate (S) is cleaned. The rotation of the substrate S and the recovery of the medicament can be performed even during the rinsing process. The elevator shaft synchronizing unit 3340 adjusts the height of the recovery cylinder 3310 so that the rinsing agent is introduced into the recovery cylinder 3310 and the recovery cylinder 3310 in which the cleaning agent is recovered.

기판(S)이 충분히 세척되면, 유기용제공정을 수행한다(S140). 린스공정이 종료되면, 또 다른 노즐(3210)이 기판(S)의 상부로 이동하여 유기용제를 분사한다. 유기용제가 공급되면, 기판(S) 상의 린스제가 유기용제로 치환된다. 한편, 유기용제공정 중에는 기판(S)을 회전시키지 않거나 저속으로 회전시킬 수 있다. 기판(S) 상에서 유기용제가 바로 증발하게 되면, 유기용제의 표면장력에 의해 회로패턴에 계면장력이 작용하여 회로패턴이 도괴될 수 있기 때문이다.When the substrate S is sufficiently cleaned, an organic solvent process is performed (S140). When the rinsing process is completed, another nozzle 3210 moves to the upper portion of the substrate S to spray the organic solvent. When the organic solvent is supplied, the rinsing agent on the substrate S is replaced with an organic solvent. On the other hand, during the organic solvent process, the substrate S can be rotated or rotated at a low speed. When the organic solvent evaporates directly on the substrate S, the surface tension of the organic solvent causes the interfacial tension to act on the circuit pattern, so that the circuit pattern can be destroyed.

제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정이 종료되면, 제2공정챔버(4000)로 기판(S)을 반입하고(S150), 제2공정챔버(4000)가 초임계건조공정을 수행한다(S160). 단계 S150과 단계 S160에 대해서는 후술할 기판처리방법의 다른 실시예에서 상세하게 설명하도록 한다. When the organic solvent process is completed in the first process chamber 3000, the substrate S is carried into the second process chamber 4000 (S150), and the second process chamber 4000 performs a supercritical drying process S160). Steps S150 and S160 will be described in detail in another embodiment of a substrate processing method to be described later.

초임계건조공정이 종료되면, 기판(S)을 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)에 수납한다(S170). 제2공정챔버(4000)가 개방되면, 이송로봇(2210)이 기판(S)을 인출한다. 기판(S)은 버퍼챔버(2100)로 이동하고, 인덱스로봇(1110)에 의해 버퍼챔버(2100)로부터 인출되어 용기(C)에 수납될 수 있다.When the supercritical drying process is completed, the substrate S is accommodated in the container C placed on the rod port 1100 (S170). When the second process chamber 4000 is opened, the transfer robot 2210 takes out the substrate S. [ The substrate S moves to the buffer chamber 2100 and can be withdrawn from the buffer chamber 2100 by the index robot 1110 and accommodated in the container C. [

이하에서는 기판처리방법의 다른 실시예에 관하여 설명한다. 기판처리방법의 다른 실시예는 제2공정챔버(4000)가 초임계건조공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.Hereinafter, another embodiment of the substrate processing method will be described. Another embodiment of the substrate processing method relates to a method in which the second process chamber 4000 performs a supercritical drying process.

도 12는 기판처리방법의 다른 실시예의 순서도이다.12 is a flowchart of another embodiment of the substrate processing method.

도 12를 참조하면, 기판처리방법의 일 실시예는, 제1지지부재(4320a)에 기판(S)이 안착되는 단계(S210), 제2지지부재(4320b)에 기판(S)이 안착되는 단계(S220), 하우징(4100)이 밀폐되는 단계(S230), 하부공급포트(4520)이 초임계유체를 공급하는 단계(S240), 상부공급포트(4510) 및 노즐부재(4530)이 초임계유체를 공급하는 단계(S250), 초임계유체를 배기하는 단계(S260) 및 기판(S)을 반출하는 단계(S270)를 포함할 수 있다. 이하에서는 각 단계에 관하여 설명한다.12, an embodiment of the substrate processing method may include a step S210 in which the substrate S is placed on the first support member 4320a, a step in which the substrate S is placed on the second support member 4320b The upper supply port 4510 and the nozzle member 4530 are separated from each other by the supercritical fluid flow rate of the supercritical fluid in the step S220, the housing 4100 is closed in S230, the lower supply port 4520 supplies the supercritical fluid S240, (S250) supplying the fluid, discharging the supercritical fluid (S260), and removing the substrate (S) (S270). Each step will be described below.

도 13 및 도 14는 도 12의 기판처리방법의 동작도이다. 13 and Fig. 14 are operation diagrams of the substrate processing method of Fig.

도 13을 참조하면, 기판(S)이 이송로봇(2210)에 의해 제2공정챔버(4000) 내부로 반입되어 제1지지부재(4320a)에 안착되고(S110), 또 기판(S)이 역시 이송로봇(2210)에 의해 제2공정챔버(4000) 내부로 반입되어 제2지지부재(4320b)에 안착된다. 여기서 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거친 기판(S)으로, 기판(S)은 유기용제가 잔류하는 상태로 반입될 수 있다. 13, the substrate S is carried into the second process chamber 4000 by the transfer robot 2210 and is mounted on the first support member 4320a (S110) Is carried into the second process chamber 4000 by the transfer robot 2210 and is mounted on the second support member 4320b. Here, the substrate S may be transferred to the substrate S through the organic solvent process in the first process chamber 3000, and the substrate S may be transferred into the state in which the organic solvent remains.

여기서, 단계 S110과 단계 S120은 먼저 단계 S110이 수행되고 다음으로 단계 S120이 수행되거나 단계 S120이 수행된 뒤 단계 S110이 수행되어도 무방하며 또는 두 단계가 동시에 진행될 수도 있다. 또한, 하우징(4100)은 상부하우징(4110)과 하부하우징(4120)이 서로 이격되어 개방되어 있는 상태일 수 있다.Here, steps S110 and S120 may be performed first, step S110 may be performed first, step S120 may be performed first, step S110 may be performed after step S120, or both steps may be performed simultaneously. In addition, the housing 4100 may be in a state in which the upper housing 4110 and the lower housing 4120 are spaced apart from each other.

도 14를 참조하면, 기판들(S)이 안착되면, 승강부재(4200)가 하부하우징(4120)을 상승시켜 상부하우징(4110)과 결합되도록 한다. 이에 따라 하우징(4100) 또는 제2공정챔버(4000)가 밀폐된다(S130).14, when the substrates S are seated, the elevating member 4200 moves up the lower housing 4120 to engage with the upper housing 4110. [ Accordingly, the housing 4100 or the second process chamber 4000 is sealed (S130).

제2공정챔버(4000)가 밀폐되면, 하부공급포트(4520)이 초임계유체를 제2공정챔버(4000) 내부의 하부영역으로 분사한다(S140). 여기서, 초임계유체는 초임계이산화탄소일 수 있다. 이러한 과정에서 가열부재(4400)는 하우징(4100) 내부를 가열할 수 있다. When the second process chamber 4000 is sealed, the lower supply port 4520 injects the supercritical fluid into the lower region inside the second process chamber 4000 (S140). Here, the supercritical fluid may be supercritical carbon dioxide. In this process, the heating member 4400 can heat the inside of the housing 4100.

제2공정챔버(4000)의 내부에 초임계유체가 충분히 공급되면 온도와 압력이 임계치를 초과하여 제2공정챔버(4000)의 내부에 초임계분위기가 조성된다.When the supercritical fluid is sufficiently supplied to the interior of the second process chamber 4000, the temperature and the pressure exceed the threshold value, and a supercritical atmosphere is formed inside the second process chamber 4000.

초임계분위기가 조성되면, 상부공급포트(4510) 및 노즐부재(4530)가 초임계유체를 분사한다(S160). 이에 따라 지지부재들(4320)에 안착된 기판(S)의 패턴면에 초임계유체가 제공되고, 회로패턴 사이에 잔류하는 유기용제가 용해되어 기판(S)이 건조된다.When the supercritical atmosphere is formed, the upper supply port 4510 and the nozzle member 4530 inject the supercritical fluid (S160). Thus, the supercritical fluid is provided on the pattern surface of the substrate S which is seated on the support members 4320, and the organic solvent remaining between the circuit patterns is dissolved, and the substrate S is dried.

이때, 각각 상부공급포트(4510)는 제1지지부재(4320a)에 안착된 기판(S)에, 노즐부재(4530)는 제2지지부재(4320b)에 안착된 기판(S)에 초임계유체를 각각 공급하므로, 두 기판(S)에 대하여 초임계건조공정이 효과적으로 수행된다.At this time, the upper supply port 4510 is connected to the substrate S placed on the first supporting member 4320a, and the nozzle member 4530 is connected to the substrate S placed on the second supporting member 4320b. Respectively, so that the supercritical drying process is effectively performed on the two substrates S.

기판(S)의 건조가 충분히 이루어지면, 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체 및 초임계건조공정에서 발생한 이물질을 배기한다(S160). 이에 따라 공정챔버(4000)의 내부압력이 상압이 될 수 있다. 압력이 충분히 낮아지면, 승강부재(4200)이 하부하우징(4120)을 하강시켜 제2공정챔버(4000)를 개방하고, 이송로봇(2210)에 의해 기판(S)이 반출된다(S170).If the drying of the substrate S is sufficiently performed, the foreign substances generated in the supercritical fluid drying process and the supercritical drying process are discharged from the second process chamber 4000 (S160). Accordingly, the internal pressure of the process chamber 4000 can be atmospheric pressure. The elevating member 4200 moves down the lower housing 4120 to open the second processing chamber 4000 and the substrate S is carried out by the transfer robot 2210 in step S170.

한편, 단계 S150에서, 초임계유체에 유기용제 등이 용해되는 과정에서 초임계유체가 포화되면, 건조효율이 낮아질 수 있다. 따라서, 건조효율을 향상시키기 위해 초임계건조공정이 이용된 초임계유체를 배기하고 새로운 초임계유체를 공급받을 수 있다. 즉 단계 S150과 단계 S160을 수회에 걸쳐 수행하며 초임계유체의 공급과 배기를 반복할 수 있다. On the other hand, if the supercritical fluid is saturated in the process of dissolving the organic solvent or the like in the supercritical fluid in step S150, the drying efficiency may be lowered. Therefore, in order to improve the drying efficiency, the supercritical fluid used in the supercritical drying process may be exhausted and the new supercritical fluid may be supplied. That is, steps S150 and S160 may be performed several times, and supply and exhaust of supercritical fluid may be repeated.

이상에서 언급된 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명에 대한 이해를 돕기 위하여 기재된 것이므로, 본 발명이 상술한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. The above-described embodiments of the present invention are described in order to facilitate understanding of the present invention to those skilled in the art, so the present invention is not limited to the above embodiments.

따라서, 본 발명은 상술한 실시예 및 그 구성요소를 선택적으로 조합하거나 공지의 기술을 더해 구현될 수 있으며, 나아가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 수정, 치환 및 변경이 가해진 수정예, 변형예를 모두 포함한다.Therefore, it is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. For example, the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. All of the modifications are included.

또한, 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 발명은 모두 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.In addition, the scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all inventions within the scope of the claims should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 기판처리장치
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 이송프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 제1공정챔버 3100: 지지부재 3200: 노즐부재
3300: 회수부재
4000: 제2공정챔버 4100: 하우징 4110: 상부하우징
4120: 하부하우징 4200: 승강부재 4300: 지지유닛
4310: 지지바 4320: 지지부재 4400: 가열부재
4500: 공급포트 4510: 상부공급포트 4520: 하북공급포트
4530: 노즐부재 4600: 배기포트
C: 용기 S: 기판100: substrate processing apparatus
1000: index module 1100: load port 1200: transfer frame
1210: index robot 1220: index rail
2000 Process module 2100 Buffer chamber 2200 Transfer chamber
2210: transfer robot 2220: transferring rail
3000: first process chamber 3100: support member 3200: nozzle member
3300: recovery member
4000: second process chamber 4100: housing 4110: upper housing
4120: lower housing 4200: elevating member 4300: supporting unit
4310: support bar 4320: support member 4400: heating member
4500: Supply port 4510: Upper supply port 4520: Hebei supply port
4530: nozzle member 4600: exhaust port
C: vessel S: substrate

Claims (23)

공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되고, 각각 복수의 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 지지부재;
상기 하우징의 상부벽에 형성되고, 공정유체를 분사하는 상부공급포트;및
측면에서 볼 때 상기 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재;를 포함하되,
상기 노즐부재는 상기 하우징의 상부벽을 관통하여 상기 상부벽으로부터 수직하게 연장되고, 상기 복수의 기판 사이로 상기 기판과 평행하게 절곡되어, 상기 기판으로 상기 공정유체를 공급하는,
기판처리장치.A housing for providing a space in which the process is performed;
A plurality of support members disposed in the interior of the housing and spaced apart from each other in the vertical direction and each supporting the edges of the plurality of substrates;
An upper supply port formed in the upper wall of the housing and injecting process fluid;
And a nozzle member having one end for ejecting the process fluid from the side, the nozzle member being positioned between the adjacent substrates,
Wherein the nozzle member extends vertically from the top wall through the top wall of the housing and is bent in parallel with the substrate between the plurality of substrates to supply the process fluid to the substrate.
/ RTI > 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상부에서 볼 때 상기 일단이 상기 기판의 중앙부에 위치하는
기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the nozzle member has one end located at a central portion of the substrate when viewed from above
/ RTI > 제3항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면을 향해 상기 공정유체를 분사하도록 제공되는
기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein the nozzle member is provided to eject the process fluid toward an upper surface of a lower substrate of the substrates adjacent to each other
/ RTI > 제3항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 서로 인접한 기판 중 아래쪽 기판의 상면과 위쪽 기판의 하면을 향해 상기 공정유체를 동시에 분사하도록 제공되는
기판처리장치.The method of claim 3,
The nozzle member is provided to simultaneously spray the process fluid toward the upper surface of the lower substrate and the lower surface of the upper substrate among the adjacent substrates
/ RTI > 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 노즐부재는, 연직방향에 대하여 경사지게 방사형으로 상기 공정유체를 분사하도록 제공되는
기판처리장치.The method according to claim 4 or 5,
The nozzle member is provided to inject the process fluid radially in an oblique direction with respect to the vertical direction
/ RTI > 제1항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상부에서 볼 때 상기 일단이 상기 기판의 가장자리 영역 또는 외측에 위치하고, 상기 기판에 평행한 방향으로 상기 공정유체를 분사하도록 제공되는
기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the nozzle member is provided for ejecting the process fluid in a direction parallel to the substrate, the one end being located at an edge region or outside of the substrate when viewed from above
/ RTI > 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
상기 하우징의 내부에 서로 상하방향으로 이격되어 배치되고, 각각 복수의 기판의 가장자리를 지지하는 복수의 지지부재;
측면에서 볼 때 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재; 및
상기 하우징의 하부벽에 형성되고, 상기 공정유체를 분사하는 하부공급포트;를 포함하는
기판처리장치.A housing for providing a space in which the process is performed;
A plurality of support members disposed in the interior of the housing and spaced apart from each other in the vertical direction and each supporting the edges of the plurality of substrates;
A nozzle member having one end for injecting the process fluid when viewed from the side, the nozzle member being positioned between the adjacent substrates; And
And a lower supply port formed in a lower wall of the housing and injecting the process fluid
/ RTI > 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 하부공급포트로 상기 공정유체를 공급한 뒤 상기 하우징의 내부압력이 기 설정된 압력에 도달하면, 상기 노즐부재로 상기 공정유체를 분사하기 시작하도록 제어하는 제어기;를 더 포함하는
기판처리장치.9. The method of claim 8,
And a controller for supplying the process fluid to the lower supply port and controlling the injection of the process fluid to the nozzle member when the internal pressure of the housing reaches a predetermined pressure
/ RTI > 제1항 및 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징의 상부벽으로부터 아래방향으로 연장되는 지지바;를 더 포함하고,
상기 복수의 지지부재는, 상기 지지바에 일정한 간격으로 연설되는
기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 5 and 7 to 8 and 10,
Further comprising: a support bar extending downward from an upper wall of the housing,
The plurality of support members are arranged at regular intervals in the support bar
/ RTI > 제1항 및 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징은, 상부하우징 및 상기 상부하우징의 하부에 배치되는 하부하우징을 포함하고,
상기 상부하우징 또는 상기 하부하우징 중 어느 하나를 승강시켜 상기 하우징을 개폐하는 승강부재;를 더 포함하는
기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 5 and 7 to 8 and 10,
The housing includes an upper housing and a lower housing disposed below the upper housing,
And a lifting member for lifting one of the upper housing and the lower housing to open and close the housing,
/ RTI > 제1항 및 제3항 내지 제5항 및 제7항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공정유체는, 초임계유체인
기판처리장치.The method according to any one of claims 1 and 3 to 5 and 7 to 8 and 10,
The process fluid includes a supercritical fluid chain
/ RTI > 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징;
제1기판의 가장자리를 지지하는 제1지지부재;
제2기판의 가장자리를 지지하는 제2지지부재;
상기 하우징의 상부벽에 형성되고, 상기 제2기판의 상면을 향해 초임계유체를 분사하는 상부공급포트; 및
측면에서 볼 때 공정유체를 분사하는 일단이 서로 인접한 기판 사이에 위치하는 노즐부재;를 더 포함하되,
상기 노즐부재는 상기 하우징의 상부벽을 관통하여 상기 상부벽으로부터 수직하게 연장되고, 상기 복수의 기판 사이로 상기 기판과 평행하게 절곡되어, 상기 기판으로 상기 공정유체를 공급하는,
기판처리장치.A housing for providing a space in which the process is performed;
A first support member for supporting an edge of the first substrate;
A second support member for supporting an edge of the second substrate;
An upper supply port formed in the upper wall of the housing and injecting supercritical fluid toward the upper surface of the second substrate; And
Further comprising: a nozzle member having one end for ejecting the process fluid from a side view, the nozzle member being positioned between adjacent substrates,
Wherein the nozzle member extends vertically from the top wall through the top wall of the housing and is bent in parallel with the substrate between the plurality of substrates to supply the process fluid to the substrate.
/ RTI > 제14항에 있어서,
상기 노즐부재는 측면에서 볼 때 상기 일단이 상기 제1지지부재와 상기 제2지지부재의 사이에 위치하는
기판처리장치.15. The method of claim 14,
Wherein the nozzle member has, as viewed from the side, one end thereof positioned between the first support member and the second support member
/ RTI > 제15항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 제1기판의 상면을 향해 상기 초임계유체를 분사하는
기판처리장치.16. The method of claim 15,
Wherein the nozzle member is configured to eject the supercritical fluid toward an upper surface of the first substrate
/ RTI > 제15항에 있어서,
상기 노즐부재는, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 사이 공간으로 상기 초임계유체를 분사하는
기판처리장치.16. The method of claim 15,
Wherein the nozzle member is configured to inject the supercritical fluid into a space between the first substrate and the second substrate
/ RTI > 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징의 상부벽으로부터 아래로 연장되는 지지바;를 더 포함하고,
상기 제1지지부재는, 상기 지지바의 하단에서 수평방향으로 연장되고,
상기 제2지지부재는, 상기 지지바의 중간에서 수평방향으로 연장되는
기판처리장치.18. The method according to any one of claims 14 to 17,
Further comprising: a support bar extending downwardly from an upper wall of the housing,
Wherein the first support member extends horizontally at a lower end of the support bar,
The second support member extends in a horizontal direction in the middle of the support bar
/ RTI > 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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