KR102157837B1

KR102157837B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method

Info

Publication number: KR102157837B1
Application number: KR1020130168124A
Authority: KR
Inventors: 김붕; 정인일; 이영일
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-31
Filing date: 2013-12-31
Publication date: 2020-09-18
Also published as: KR20150078606A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치에 있어서, 하부 바디와 상기 하부 바디와 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 챔버 및 상기 상부 바디와 상기 하부 바디의 사이에 제공되고, 상기 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리를 포함하되, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 접촉되는 영역에는 상기 하부 바디의 측벽 상단이 외측이 내측보다 높게 단차지게 제공되고, 상기 실링 어셈블리는 상기 내측 영역에 위치되고, 상기 실링 어셈블리의 하단에는 상기 내부 공간 내의 유체가 유입될 수 있는 홈을 포함할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate, comprising: a chamber having a lower body and an upper body combined with the lower body to form an inner space in which a process is processed, and provided between the upper body and the lower body, wherein the inner space is external And a sealing assembly sealing from the upper body, wherein an upper end of the side wall of the lower body is stepped higher than an inner side in a region where the upper body and the lower body are in contact, and the sealing assembly is located in the inner region, and A lower end of the sealing assembly may include a groove through which a fluid in the inner space can flow.

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate.

반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 최근에는, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서 초임계유체를 이용하여 기판을 건조시키는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 이용되고 있다. 초임계유체란 임계온도와 임계압력 이상에서 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 유체로서, 확산력과 침투력이 뛰어나고, 용해력이 높으며, 표면장력이 거의 없어 기판의 건조에 매우 유용하게 사용될 수 있다. A semiconductor device is manufactured by forming a circuit pattern on a substrate through various processes including photolithography. Recently, a supercritical drying process for drying a substrate using a supercritical fluid for semiconductor devices with a line width of 30 nm or less has been used. A supercritical fluid is a fluid having the properties of a gas and a liquid at a critical temperature and a critical pressure or higher, and has excellent diffusion and penetrating power, high dissolving power, and almost no surface tension, so it can be very useful for drying a substrate.

그런데 이와 같은 초임계공정을 수행하는 공정챔버는 고압의 초임계상태를 유지할 수 있어야 한다. 이에 따라 고압 상태를 용이하게 유지하면서 공간효율을 향상시키며 위해 하우징이 복수 개로 분리되어 결합되는 구조로 제공된다. 이 때, 공정 챔버를 결합시켜 외부로부터 밀폐시킬 때, 실링 어셈블리가 이용된다. 따라서, 하우징을 압력의 누설을 방지하고, 공정 유체에 의한 역오염을 최소화할 수 있는 실링 어셈블리가 필요하다. However, a process chamber performing such a supercritical process must be able to maintain a high pressure supercritical state. Accordingly, the housing is provided in a structure in which a plurality of housings are separated and combined to improve space efficiency while easily maintaining a high pressure state. At this time, when the process chamber is coupled and sealed from the outside, a sealing assembly is used. Accordingly, there is a need for a sealing assembly capable of preventing the leakage of pressure in the housing and minimizing reverse contamination by the process fluid.

본 발명은 하우징 내 역오염을 최소화하며 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a sealing assembly that minimizes reverse contamination in a housing and seals it from the outside, and a substrate processing apparatus and a substrate processing method including the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and the problems that are not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하부 바디와 상기 하부 바디와 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 하우징 및 상기 상부 바디와 상기 하부 바디의 사이에 제공되고, 상기 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리를 포함하되, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 접촉되는 영역에는 상기 하부 바디의 측벽 상단이 외측이 내측보다 높게 단차지게 제공되고, 상기 실링 어셈블리는 상기 내측 영역에 위치되고, 상기 실링 어셈블리의 하단에는 상기 내부 공간 내의 유체가 유입될 수 있는 홈을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is provided between the upper body and the lower body and a housing having a lower body and an upper body that is combined with the lower body to form an inner space in which a process is processed, And a sealing assembly that seals the inner space from the outside, wherein an upper end of a side wall of the lower body is provided to be stepped higher than an inner side in a region where the upper body and the lower body contact, and the sealing assembly includes the inner region And a groove through which the fluid in the inner space can flow into the lower end of the sealing assembly.

상기 홈은 복수 개로 제공되고, 상기 복수 개의 상기 홈은 상기 실링 어셈블리의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다.The plurality of grooves may be provided, and the plurality of grooves may be provided to be spaced apart from each other along a circumferential direction of the sealing assembly.

상기 외측과 상기 내측 사이에 위치하는 상기 측벽은 아래로 갈수록 상기 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.The sidewall positioned between the outer side and the inner side may be provided to be inclined downward toward the outer side toward the bottom.

상기 내측 영역에 상부로 돌출되어 제공되고, 상기 실링 어셈블리의 이탈을 방지하는 걸림턱을 가질 수 있다.It is provided to protrude upward from the inner region, and may have a locking protrusion preventing separation of the sealing assembly.

상기 실링 어셈블리는 상기 내측 영역 안쪽에 제공되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역에서 상기 안쪽에서 바깥쪽으로 연장되는 제 2 영역을 갖되, 상기 제 1 영역의 상단은 상기 제 2 영역의 상단보다 높고, 상기 제 1 영역의 하단은 상기 제 2 영역의 하단보다 낮을 수 있다.The sealing assembly has a first region provided inside the inner region and a second region extending from the inside to the outside in the first region, wherein an upper end of the first region is higher than an upper end of the second region, and the The lower end of the first region may be lower than the lower end of the second region.

상기 제 1 영역은 그 단면이 원 형상이고, 상기 제 2 영역은 그 단면이 상기 상단에서 상기 하단으로 갈수록 경사지게 제공된 사다리꼴 형상일 수 있다.The first region may have a circular cross section, and the second region may have a trapezoidal shape in which the cross section is provided to be inclined from the top to the bottom.

상기 제 2 영역의 경사진 외측면은 상기 하부 바디의 경사진 상기 측벽과 대응되게 제공되고, 상부에서 바라볼 때 상기 외측면과 상기 측벽은 중첩될 수 있다.The inclined outer surface of the second region is provided to correspond to the inclined sidewall of the lower body, and when viewed from above, the outer surface and the sidewall may overlap.

상기 홈은 상기 제 2 영역의 상기 하단과 동일한 높이로 형성될 수 있다.The groove may be formed at the same height as the lower end of the second region.

상기 기판 처리 장치는 상기 하우징 내로 초임계 유체를 공급하는 공급포트를 더 포함하고, 상기 하우징에서는 상기 초임계 유체에 의해 기판을 건조할 수 있다.The substrate processing apparatus further includes a supply port for supplying a supercritical fluid into the housing, and in the housing, the substrate may be dried by the supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.Further, the present invention provides a substrate processing method.

상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판 상에 제공된 유기용제를 제거하는 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 공정에 사용되는 상기 하우징을 외부로부터 밀폐시켜 상기 기판을 건조시킬 수 있다.In a method of treating a substrate for removing an organic solvent provided on a substrate using the above-described substrate processing apparatus, the substrate may be dried by sealing the housing used in the process from the outside.

상기 하우징이 밀폐되면, 상기 실링 어셈블리의 상기 홈에 의해 형성된 공간으로 상기 내부 공간 내의 유체가 유입될 수 있다.When the housing is sealed, the fluid in the inner space may flow into the space formed by the groove of the sealing assembly.

상기 하우징 내에 공급되는 초임계 유체에 의해 기판을 건조시킬 수 있다.The substrate may be dried by the supercritical fluid supplied into the housing.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 하우징 내 역오염을 최소화하며 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a sealing assembly that minimizes reverse contamination in a housing and seals it from the outside, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects that are not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.
도 2는 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 5는 도 4의 A 부분의 확대도이다.
도 6은 실링 어셈블리의 단면도이다.
도 7은 실링 어셈블리가 홈을 갖고 있는 부분의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 도 5의 실링 어셈블리가 하우징을 밀폐시키는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.1 is a graph of a phase change of carbon dioxide.
2 is a plan view of an embodiment of a substrate processing apparatus.
3 is a cross-sectional view of the first process chamber of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view of an embodiment of the second process chamber of FIG. 2.
5 is an enlarged view of part A of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view of the sealing assembly.
7 is a cross-sectional view of a portion of the sealing assembly having a groove.
8 to 10 are views sequentially showing a state in which the sealing assembly of FIG. 5 seals the housing.

본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms used in the present specification and the accompanying drawings are for easily explaining the present invention, so the present invention is not limited by the terms and drawings.

본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.Among the technologies used in the present invention, detailed descriptions of known technologies that are not closely related to the spirit of the present invention will be omitted.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판처리장치(100)는 초임계유체를 공정유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process of processing the substrate S using a supercritical fluid as a process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a generic concept that includes all of the substrates used for manufacturing semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other articles having circuit patterns formed on thin films. Examples of such a substrate S include various wafers including a silicon wafer, a glass substrate, an organic substrate, and the like.

초임계유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. The supercritical fluid refers to a phase having the properties of a gas and a liquid formed when a supercritical state exceeding a critical temperature and a critical pressure is reached. Supercritical fluid has a molecular density close to that of a liquid and viscosity close to that of a gas. Accordingly, it has excellent diffusion, penetration, and dissolving power, which is advantageous for chemical reactions. It has almost no surface tension, so it does not apply interfacial tension to the microstructure. Have characteristics.

초임계공정은 이러한 초임계유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계건조공정과 초임계식각공정이 있다. 이하에서는 초임계공정에 관하여 초임계건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리장치(100)는 초임계건조공정 이외의 다른 초임계공정을 수행할 수 있다. The supercritical process is performed using the characteristics of such a supercritical fluid, and representative examples thereof include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical process will be described based on the supercritical drying process. However, since this is only for ease of explanation, the substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process other than the supercritical drying process.

초임계건조공정은 초임계유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계건조공정에 이용되는 초임계유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process can be performed by dissolving the organic solvent remaining on the circuit pattern of the substrate S with a supercritical fluid to dry the substrate S, and not only has excellent drying efficiency, but also prevents collapse. There is an advantage to be able to. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a material that is miscible with an organic solvent can be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO2) can be used as the supercritical fluid.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.1 is a graph of a phase change of carbon dioxide.

이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다. Carbon dioxide has a critical temperature of 31.1℃ and a relatively low critical pressure of 7.38Mpa, making it easy to make it into a supercritical state, controlling a phase change by controlling temperature and pressure, and having an inexpensive price. In addition, carbon dioxide is harmless to the human body because it is not toxic, and has characteristics of non-flammability and inertness. Supercritical carbon dioxide has a high diffusion coefficient of 10 to 100 times compared to water or other organic solvents, so it penetrates quickly. The solvent is quickly replaced and has almost no surface tension, so it has advantageous properties for drying the substrate S having a fine circuit pattern. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and at the same time, it is possible to separate and reuse the organic solvent by converting it into gas after being used in the supercritical drying process, thus reducing the burden in terms of environmental pollution.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 초임계건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 2는 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.2 is a plan view of a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a process module 2000.

인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 may receive the substrate S from the outside and transfer the substrate S to the process module 2000, and the process module 2000 may perform a supercritical drying process.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 is an equipment front end module (EFEM) and includes a load port 1100 and a transfer frame 1200.

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.A container C in which the substrate S is accommodated is placed on the load port 1100. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C may be carried into the load port 1100 from the outside by an overhead transfer (OHT) or may be carried out from the load port 1100 to the outside.

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 transfers the substrate S between the container C placed in the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 moves on the index rail 1220 and can transport the substrate S.

공정모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 is a module that actually performs a process, and includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000.

버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정챔버(3000)나 제2공정챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space in which the substrate S transferred between the index module 1000 and the process module 2000 stays temporarily. A buffer slot in which the substrate S is placed may be provided in the buffer chamber 2100. For example, the index robot 1210 can withdraw the substrate S from the container C and place it in the buffer slot, and the transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 can transfer the substrate S placed in the buffer slot. It can be withdrawn and transported to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. A plurality of buffer slots is provided in the buffer chamber 2100 so that a plurality of substrates S may be placed.

이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 transfers the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000, and the second process chamber 4000 disposed around it. The transfer chamber 2200 may include a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 moves on the transfer rail 2220 and can transfer the substrate S.

제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 세정공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정공정은 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)에서는 세정공정 중 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정이 수행되고, 뒤이어 제2공정챔버(4000)에서는 초임계건조공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may perform a cleaning process. In this case, the cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. For example, a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process may be performed in the cleaning process in the first process chamber 3000, and then a supercritical drying process may be performed in the second process chamber 4000.

이러한 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed to face each other on different sides of the transfer chamber 2200.

또한, 공정모듈(2000)에는 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정챔버들(3000, 4000)은 이송챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 연직방향으로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In addition, a plurality of first and second process chambers 3000 and 4000 may be provided in the process module 2000. The plurality of process chambers 3000 and 4000 may be arranged in a row on the side surface of the transfer chamber 2200 or stacked in a vertical direction, or a combination thereof.

물론, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판처리장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above-described example, and may be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100 or process efficiency. have.

이하에서는 제1공정챔버(3000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber 3000 will be described.

도 3은 도 2의 제1공정챔버(3000)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first process chamber 3000 of FIG. 2.

제1공정챔버(3000)는 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1공정챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스공정은 가판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The first process chamber 3000 may perform a chemical process, a rinse process, and an organic solvent process. Of course, the first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing foreign substances on the substrate S by providing a cleaning agent to the substrate S, and the rinsing process is a process of cleaning the cleaning agent remaining on the substrate S by providing a rinse agent to the temporary plate. , The organic solvent process is a process of providing an organic solvent to the substrate S and replacing the rinse agent remaining between the circuit patterns of the substrate S with an organic solvent having a low surface tension.

도 3을 참조하면, 제1공정챔버(3000)는 지지부재(3100), 노즐부재(3200) 및 회수부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지부재(3100)는 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다. The support member 3100 supports the substrate S and may rotate the supported substrate S. The support member 3100 may include a support plate 3110, a support pin 3111, a chucking pin 3112, a rotation shaft 3120, and a rotation drive 3130.

지지플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 형성된다. 지지핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has an upper surface having the same or similar shape as the substrate S, and a support pin 3111 and a chucking pin 3112 are formed on the upper surface of the support plate 3110. The support pin 3111 may support the substrate S, and the chucking pin 3112 may fix the supported substrate S.

지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결된다. 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. A rotation shaft 3120 is connected to the lower portion of the support plate 3110. The rotation shaft 3120 rotates the support plate 3110 by receiving rotational force from the rotation driver 3130. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 may rotate. At this time, the chucking pin 3112 may prevent the substrate S from leaving its original position.

노즐부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐부재(3200)는 노즐(3210), 노즐바(3220), 노즐축(3230) 및 노즐축구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 sprays a drug onto the substrate S. The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle shaft 3230, and a nozzle shaft driver 3240.

노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 sprays a drug onto the substrate S mounted on the support plate 3110. The medicament may be a detergent, rinse or organic solvent. Here, as the cleaning agent, a hydrogen peroxide (H2O2) solution or a hydrogen peroxide solution mixed with ammonia (NH4OH), hydrochloric acid (HCl), or sulfuric acid (H2SO4), or a hydrofluoric acid (HF) solution may be used. In addition, pure water may be used as the rinse agent. In addition, organic solvents include isopropyl alcohol, ethyl glycol, 1-propanol, tetra hydraulic franc, 4-hydroxyl, 4-methyl, and A solution of 2-pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol, or dimethylether Gas can be used.

이러한 노즐(3210)은 노즐바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐바(3220)는 노즐축(3230)에 결합되며, 노즐축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐축구동기(3240)는 노즐축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. This nozzle 3210 is formed on the bottom of one end of the nozzle bar 3220. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle shaft 3230, and the nozzle shaft 3230 is provided to be lifted or rotated. The nozzle shaft driver 3240 may adjust the position of the nozzle 3210 by lifting or rotating the nozzle shaft 3230.

회수부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the drug supplied to the substrate S. When a drug is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200, the support member 3100 may rotate the substrate S so that the drug is uniformly supplied to the entire area of the substrate S. When the substrate S rotates, the drug is scattered from the substrate S, and the scattered drug may be recovered by the recovery member 3300.

회수부재(3300)는 회수통(3310), 회수라인(3320), 승강바(3330) 및 승강구동기(3340)를 포함할 수 있다. The recovery member 3300 may include a recovery container 3310, a recovery line 3320, an elevator bar 3330, and an elevator drive 3340.

회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The recovery container 3310 is provided in an annular ring shape surrounding the support plate 3110. There may be a plurality of recovery bins 3310, the plurality of recovery bins 3310 are provided in a ring shape that is in turn away from the support plate 3110 when viewed from the top, and the recovery bins located at a distance from the support plate 3110 ( 3310), the higher the height is provided. Accordingly, a recovery port 3311 through which a drug scattered from the substrate S flows is formed in the space between the recovery bins 3310.

회수통(3310)의 하면에는 회수라인(3320)이 형성된다. 회수라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A recovery line 3320 is formed on the lower surface of the recovery container 3310. The recovery line 3320 supplies a drug regeneration system (not shown) to regenerate the drug recovered by the recovery container 3310.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the collecting container 3310 to receive power from the lifting actuator 3340 to move the collecting container 3310 up and down. The lifting bar 3330 may be connected to the recovery bin 3310 disposed at the outermost side when there are a plurality of recovery bins 3310. The elevator driver 3340 may lift the collection container 3310 through the elevator bar 3330 to control the recovery port 3311 through which the scattering agent is introduced among the plurality of recovery ports 3311.

이하에서는 제2공정챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the second process chamber 4000 will be described.

제2공정챔버(4000)는 초임계유체를 이용하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2공정챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있으며, 나아가, 제2공정챔버(4000)는 초임계유체 대신 다른 공정유체를 이용하여 공정을 수행할 수도 있을 것이다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. Of course, as described above, the process performed in the second process chamber 4000 may be a supercritical process other than the supercritical drying process, and further, the second process chamber 4000 uses other process fluids instead of the supercritical fluid. You could also use it to perform the process.

이러한 제2공정챔버(4000)는 상술한 바와 같이, 이송챔버(2200)의 일측면에 배치될 수 있다. 제2공정챔버(4000)가 복수인 경우에는 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치되거나 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 기판처리장치(100)에서는 로드포트(1100), 이송프레임(1200), 버퍼챔버(2100), 이송모듈(2200)이 순차적으로 배치될 수 있는데, 제2공정챔버(4000)는 이와 동일한 방향으로 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치될 수 있다. As described above, the second process chamber 4000 may be disposed on one side of the transfer chamber 2200. When there are a plurality of second process chambers 4000, they may be arranged in a line on one side of the transfer chamber 2200, stacked up and down, or a combination thereof. In the substrate processing apparatus 100, the load port 1100, the transfer frame 1200, the buffer chamber 2100, and the transfer module 2200 may be sequentially disposed, and the second process chamber 4000 is in the same direction. It may be arranged in a line on one side of the transfer chamber 2200.

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 4는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of an embodiment of the second process chamber of FIG. 2.

도 4를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 승강부재(4200), 지지유닛(4300), 가열부재(4400), 공급포트(4500) 및 배기포트(4600)를 포함할 수 있다.4, the second process chamber 4000 includes a housing 4100, an elevating member 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a supply port 4500 and an exhaust port 4600. can do.

하우징(4100)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 4100 provides a space in which a supercritical drying process is performed. The housing 4100 is made of a material capable of withstanding a high pressure higher than a critical pressure.

하우징(4100)은 상부 바디(4110)과 상부 바디(4110)의 하부에 배치되는 하부 바디(4120)를 구비할 수 있다. 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)는 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성한다. The housing 4100 may include an upper body 4110 and a lower body 4120 disposed under the upper body 4110. The upper body 4110 and the lower body 4120 are combined to form an inner space in which a process is processed.

상부 바디(4110)는 고정되어 설치되며, 하부 바디(4120)는 승강될 수 있다. 하부 바디(4120)가 하강하여 상부 바디(4110)로부터 이격되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부 바디(4120)가 상승하여 상부 바디(4110)에 밀착되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부 바디(4120)이 고정되어 설치되고, 상부 바디(4110)가 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper body 4110 is fixedly installed, and the lower body 4120 may be raised or lowered. When the lower body 4120 descends and is separated from the upper body 4110, the internal space of the second process chamber 4000 is opened, and the substrate S is carried into the internal space of the second process chamber 4000 or Can be exported from Here, the substrate S carried into the second process chamber 4000 may be in a state in which the organic solvent remains after an organic solvent process in the first process chamber 3000. In addition, when the lower body 4120 rises and comes into close contact with the upper body 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is sealed, and a supercritical drying process may be performed therein. Of course, unlike the above-described example, the lower body 4120 may be fixedly installed in the housing 4100 and may be provided in a structure in which the upper body 4110 is raised and lowered.

도 4와 같이, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)보다 내측에 제공될 수 있다. 선택적으로, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)보다 외측에 제공될 수 있다. 또한, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)의 외측과 내측 모두에 제공될 수 있다. 실링 어셈블리(5000)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 어셈블리(5000)는 내부 공간을 외부로부터 밀폐시킨다. As shown in FIG. 4, the sealing assembly 5000 may be provided inside the lifting rod 4220. Optionally, the sealing assembly 5000 may be provided outside the lifting rod 4220. In addition, the sealing assembly 5000 may be provided on both the outside and the inside of the lifting rod 4220. The sealing assembly 5000 may be provided in a ring shape. The sealing assembly 5000 seals the inner space from the outside.

도 5는 도 4의 A 부분의 확대도이다. 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 접촉되는 영역에는, 하부 바디(4120)의 측벽 상단이 단차지게 제공된다. 측벽 상단은 외측이 내측보다 높게 제공된다. 외측과 내측 사이에 위치하는 측벽은, 아래로 갈수록 외측을 향해 하향 경사지게 제공된다. 하향 경사지게 제공된 측벽은 실링 어셈블리(5000)의 이탈을 방지한다. 또한, 하향 경사지게 제공된 측벽은 실링 어셈블리(5000)가 외측 또는 상측으로 압력을 받을 수 있어, 공정 진행시에 유체에 의한 압력을 견딜 수 있게 한다. 추가적으로, 내측 영역에는 걸림턱(4130)이 제공될 수 있다. 걸림턱(4130)은 내측 영역에서 상부로 돌출되어 제공된다. 걸림턱(4130)은 실링 어셈블리(5000)의 이탈을 방지한다. 5 is an enlarged view of part A of FIG. 4. In a region where the upper body 4110 and the lower body 4120 contact each other, an upper end of the sidewall of the lower body 4120 is provided stepped. The top of the side wall is provided with the outer side higher than the inner side. Sidewalls positioned between the outer and inner sides are provided to be inclined downward toward the outer side toward the bottom. The sidewall provided inclined downward prevents separation of the sealing assembly 5000. In addition, the side wall provided inclined downward allows the sealing assembly 5000 to receive pressure from the outside or upward, so that it can withstand the pressure caused by the fluid during the process. Additionally, a locking protrusion 4130 may be provided in the inner region. The locking projection 4130 is provided to protrude upward from the inner region. The locking projection 4130 prevents separation of the sealing assembly 5000.

도 6은 실링 어셈블리(5000)의 단면도이다. 도 7은 실링 어셈블리(5000)가 홈을 갖고 있는 부분의 단면도이다. 실링 어셈블리(5000)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120) 사이에 제공된다. 실링 어셈블리(5000)는 하우징(4100)의 내부 공간을 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 어셈블리(5000)는 하부 바디(4120)의 내측 영역에 위치된다. 실링 어셈블리(5000)는 상부 바디(4110)와 접촉되어 하우징(4100)을 밀봉시킬 수 있어, 유연한 재질로 제공되어야 한다. 일 예로, 실링 어셈블리(5000)는 플라스틱 재질로 제공될 수 있다. 예를 들면, 실링 어셈블리(5000)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PTFE)로 제공될 수 있다.6 is a cross-sectional view of the sealing assembly 5000. 7 is a cross-sectional view of a portion of the sealing assembly 5000 having a groove. The sealing assembly 5000 is provided between the upper body 4110 and the lower body 4120. The sealing assembly 5000 seals the inner space of the housing 4100 from the outside. The sealing assembly 5000 is located in the inner region of the lower body 4120. The sealing assembly 5000 may be in contact with the upper body 4110 to seal the housing 4100, so it must be made of a flexible material. For example, the sealing assembly 5000 may be made of a plastic material. For example, the sealing assembly 5000 may be provided with polyethylene terephthalate (PTFE).

실링 어셈블리(5000)는 제 1 영역(5100)과 제 2 영역(5200)을 갖는다. 제 1 영역(5100)은 내측 영역 안쪽에 제공된다. 제 2 영역(5200)은 제 1 영역(5100)에서 안쪽에서 바깥쪽으로 연장된다. 제 1 영역(5100)의 상단은 제 2 영역(5200)의 상단보다 높다. 또한, 제 1 영역(5100)의 하단은 제 2 영역(5200)의 하단보다 낮게 제공된다. 일 예로, 도 6을 참조하면, 제 1 영역(5100)은 그 단면이 원 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 영역(5200)은 그 단면이 아래로 갈수록 경사지게 제공될 수 있다. 일 예로, 도 6과 같이, 상단에서 하단으로 갈수록 경사지게 제공된 사다리꼴 형상일 수 있다. 제 2 영역(5200)의 경사진 외측면은 하부 바디(4120)의 경사진 측벽과 대응되게 제공될 수 있다. 이 때, 상부에서 바라볼 때, 외측면과 측벽은 중첩될 수 있다. The sealing assembly 5000 has a first area 5100 and a second area 5200. The first region 5100 is provided inside the inner region. The second region 5200 extends from the inside to the outside in the first region 5100. The upper end of the first region 5100 is higher than the upper end of the second region 5200. In addition, the lower end of the first region 5100 is provided lower than the lower end of the second region 5200. For example, referring to FIG. 6, the first region 5100 may have a circular cross section. The second region 5200 may be provided inclined with its cross section going downward. For example, as shown in FIG. 6, it may have a trapezoidal shape provided inclined from the top to the bottom. The inclined outer surface of the second region 5200 may be provided to correspond to the inclined sidewall of the lower body 4120. At this time, when viewed from the top, the outer surface and the side wall may overlap.

실링 어셈블리(5000)는 그 하단에 홈을 포함한다. 실링 어셈블리(5000)의 홈에는 내부 공간 내의 초임계 유체가 유입될 수 있다. 일 예로, 제 1 영역(5100)은 홈을 포함할 수 있다. 도 7과 같이, 홈은 제 2 영역(5200)의 하단과 대응되는 높이로 제공될 수 있다. 홈은 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 홈은 8개 제공될 수 있다. 복수 개의 홈은 실링 어셈블리(5000)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다. The sealing assembly 5000 includes a groove at its bottom. A supercritical fluid in the inner space may flow into the groove of the sealing assembly 5000. For example, the first area 5100 may include a groove. As shown in FIG. 7, the groove may be provided at a height corresponding to the lower end of the second region 5200. A plurality of grooves may be provided. As an example, eight grooves may be provided. The plurality of grooves may be provided to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the sealing assembly 5000.

이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 도 8 내지 도 10은 도 5의 실링 어셈블리(5000)가 하우징(4100)을 밀폐시키는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다. 하부 바디(4120)가 승강되면, 실링 어셈블리(5000)가 상부 바디(4110)와 접촉되고 하우징(4100)을 밀폐시킨다. 실링 어셈블리(5000)의 제 1 영역(5100)의 상단이 제 2 영역(5200)의 상단보다 높게 제공되어, 제 1 영역(5100)의 상단이 밀리면서 하우징(4100)을 밀폐시킬 수 있다. 또한, 걸림턱(4130)과 외측을 향해 하향 경사지게 제공된 외측면을 갖는 제 2 영역(5200), 실링 어셈블리(5000)의 이탈을 방지한다. 초임계공정 수행 시에, 홈을 통해 초임계유체가 유입된다. 이후, 공정이 완료되어 하부 바디(4120)가 하강되면, 홈에 유입되어 있던 초임계유체가 홈을 따라 용이하게 외부로 배출된다. 이에 따라, 초임계유체 또는 파티클이 하부 바디(4120)에 잔류하는 것을 방지하여, 이에 의한 역오염을 최소화할 수 있다.Hereinafter, a process of processing the substrate will be described with reference to FIGS. 8 to 10. 8 to 10 are views sequentially showing a state in which the sealing assembly 5000 of FIG. 5 seals the housing 4100. When the lower body 4120 is raised and lowered, the sealing assembly 5000 contacts the upper body 4110 and seals the housing 4100. The upper end of the first region 5100 of the sealing assembly 5000 is provided higher than the upper end of the second region 5200, so that the upper end of the first region 5100 may be pushed to seal the housing 4100. In addition, the second region 5200 having the locking projection 4130 and the outer surface provided to be inclined downwardly toward the outside, and the sealing assembly 5000 are prevented from being separated. When performing the supercritical process, the supercritical fluid is introduced through the groove. Thereafter, when the process is completed and the lower body 4120 is lowered, the supercritical fluid flowing into the groove is easily discharged to the outside along the groove. Accordingly, it is possible to prevent supercritical fluid or particles from remaining in the lower body 4120, thereby minimizing reverse contamination.

승강부재(4200)는 하부 바디(4120)를 승강시킨다. 승강부재(4200)는 승강실린더(4210) 및 승강로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강실린더(4210)는 하부 바디(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(4210)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)를 밀착시켜 제2공정챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부 바디(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(4210)와 승강로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(4210)에 결합된 하부 바디(4120)가 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(4210)에 의해 하부 바디(4120)가 승강하는 동안 승강로드(4220)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating member 4200 elevates the lower body 4120. The lifting member 4200 may include a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower body 4120 to generate a vertical driving force, that is, a lifting force. The lifting cylinder 4210 overcomes the high pressure above the critical pressure inside the second process chamber 4000 while the supercritical drying process is being performed, and makes the upper body 4110 and the lower body 4120 in close contact with each other to form the second process chamber 4000. ) It generates a driving force enough to seal it. One end of the lifting rod 4220 is inserted into the lifting cylinder 4210 and extended vertically so that the other end is coupled to the upper body 4110. According to this structure, when a driving force is generated in the lifting cylinder 4210, the lifting cylinder 4210 and the lifting rod 4220 are relatively elevated so that the lower body 4120 coupled to the lifting cylinder 4210 may be elevated. In addition, while the lower body 4120 is elevated by the lifting cylinder 4210, the lifting rod 4220 prevents the upper body 4110 and the lower body 4120 from moving in the horizontal direction, guides the lifting direction, and It is possible to prevent the body 4110 and the lower body 4120 from being separated from each other in the correct position.

지지유닛(4300)는 하우징(4100)의 내부에 복수의 기판(S)을 지지한다. 지지유닛(4300)은 지지바(4310) 및 복수의 지지부재(4320)을 포함할 수 있다. The support unit 4300 supports a plurality of substrates S inside the housing 4100. The support unit 4300 may include a support bar 4310 and a plurality of support members 4320.

지지바(4310)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부 바디(4110)의 하면으로부터 아래방향으로 연장될 수 잇다. 지지바(4310)는 수평방향으로 이격되는 한 쌍의 바(bar) 또는 두 쌍의 바로 제공될 수 있다.The support bar 4310 may extend downward from an upper wall of the housing 4100, that is, a lower surface of the upper body 4110. The support bar 4310 may be provided with a pair of bars or two pairs of bars spaced apart in the horizontal direction.

지지부재(4320)는 지지바(4310)에 일정한 간격을 가지고 연설된다. 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 수평방향으로 연장되도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1지지부재(4320a)는 지지바(4310)의 중간에서 수평방향으로 연장되고, 제2지지부재(4320)는 지지바(4310b)의 하단에서 수평방향으로 연장될 수 있다. 지지바(4310)가 서로 이격된 두 쌍으로 제공되는 경우에는, 각 지지바(4310)에서 연장되는 지지부재(4320)는 서로를 향하여 연장된다. The support member 4320 is extended to the support bar 4310 at regular intervals. The support member 4320 may be provided to extend from the support bar 4310 in a horizontal direction. For example, the first support member 4320a may extend horizontally from the middle of the support bar 4310, and the second support member 4320 may extend horizontally from the lower end of the support bar 4310b. When the support bars 4310 are provided in two pairs spaced apart from each other, the support members 4320 extending from each support bar 4310 extend toward each other.

다만, 지지부재(4310)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 가감될 수 있다.However, the number of support members 4310 is not limited to the above-described example, and may be added or subtracted as necessary.

지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 한 쌍의 지지바(4310)의 간격은 기판(S)의 직경보다 크게 제공되고, 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 지지바(4310)가 서로 마주보는 측으로 연장될 수 있다. 이에 따라 지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지하고, 기판(S)의 상면 및 하면이 모두 하우징(4100)의 내부공간에 노출되어 초임계유체를 제공받아 건조될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다.The support member 4310 may support an edge region of the substrate S. The distance between the pair of support bars 4310 is provided larger than the diameter of the substrate S, and the support member 4320 may extend from the support bar 4310 to the side where the support bars 4310 face each other. Accordingly, the support member 4310 supports the edge region of the substrate S, and both the upper and lower surfaces of the substrate S are exposed to the inner space of the housing 4100 to be provided with a supercritical fluid to be dried. Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface may be a non-pattern surface.

이와 같이, 지지유닛(4100)이 복수의 기판(S)을 하우징(4100) 내에서 지지하면, 제2공정챔버(4000)가 동시에 복수의 기판(S)에 대하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다.In this way, when the support unit 4100 supports the plurality of substrates S in the housing 4100, the second process chamber 4000 can simultaneously perform a supercritical drying process on the plurality of substrates S. have.

또, 지지유닛(4300)는 고정 설치되는 상부 바디(4110)에 설치되므로 하부 바디(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. In addition, since the support unit 4300 is installed on the upper body 4110 that is fixedly installed, it can support the substrate S relatively stably while the lower body 4120 is elevating.

지지유닛(4300)이 설치되는 상부 바디(4110)에는 수평조정부재(4111)가 설치될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 상부 바디(4110)의 수평도(水平度)를 조정한다. 상부 바디(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(4111)에 설치된 지지유닛(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부 바디(4110)이 승강되고 하부 바디(4120)이 고정되어 설치되거나 지지유닛(4300)가 하부 바디(4120)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(4111)는 하부 바디(4120)에 설치될 수도 있다.A horizontal adjustment member 4111 may be installed on the upper body 4110 on which the support unit 4300 is installed. The horizontal adjustment member 4111 adjusts the horizontality of the upper body 4110. When the horizontality of the upper body 4110 is adjusted, the horizontality of the substrate S mounted on the support unit 4300 installed in the upper housing 4111 may be adjusted accordingly. When the substrate (S) is inclined in the supercritical drying process, the organic solvent remaining on the substrate (S) flows along the inclined surface, and a specific part of the substrate (S) is not dried or over-dried and damages the substrate (S). Can be. The horizontal adjustment member 4111 can prevent this problem by aligning the level of the substrate S. Of course, when the upper body 4110 is elevated and the lower body 4120 is fixed and installed, or the support unit 4300 is installed on the lower body 4120, the horizontal adjustment member 4111 is installed on the lower body 4120. It could be.

가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(4400)는 상부 바디(4110) 및 하부 바디(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 가열부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 4400 heats the inside of the second process chamber 4000. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid supplied to the inside of the second process chamber 4000 to a critical temperature or higher to maintain the supercritical fluid phase or to become a supercritical fluid again when liquefied. The heating member 4400 may be installed by being embedded in at least one of the upper body 4110 and the lower body 4120. The heating member 4400 may be provided as a heater that generates heat by receiving power from the outside.

공급포트(4500)는 제2공정챔버(4000)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(4500)는 초임계유체를 공급하는 공급라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트(4500)에는 공급라인(4550)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 4500 supplies the supercritical fluid to the second process chamber 4000. The supply port 4500 may be connected to a supply line 4550 for supplying a supercritical fluid. In this case, a valve for adjusting the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply line 4550 may be installed in the supply port 4500.

공급포트(4500)는 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)를 포함할 수 있다. The supply port 4500 may include an upper supply port 4510, a lower supply port 4520, and a nozzle member 4530.

상부공급포트(4510)는 상부 바디(4110)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 위쪽의 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(4520)는 하부 바디(4120)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 아래쪽의 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The upper supply port 4510 is formed in the upper body 4110 and supplies the supercritical fluid to the upper surface of the uppermost substrate S among the substrates S supported by the support unit 4300. The lower supply port 4520 is formed in the lower body 4120 to supply the supercritical fluid to the lower surface of the lowermost substrate S among the substrates S supported by the support unit 4300.

상부공급포트(4510)와 하부공급포트(4520)는 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(4510)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(4520)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)을 건조시킬 수 있다.The upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 may spray the supercritical fluid into the central region of the substrate S. For example, the upper supply port 4510 may be located vertically above the center of the substrate S supported by the support unit 4300. Further, the lower supply port 4520 may be located vertically below the center of the substrate S supported by the support unit 4300. Accordingly, the supercritical fluid sprayed to the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 reaches the central region of the substrate S and spreads to the edge region, thereby drying the substrate S.

노즐부재(4530)는 초임계유체를 분사하는 일단이 측면에서 볼 때 서로 인접한 지지부재(4320)의 사이, 즉 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치할 수 있다. 노즐부재(4530)는 복수의 지지부재(4320)의 사이마다 하나씩 제공될 수 있다. 노즐부재(4530)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부 바디(4110)으로부터 아래방향으로 연장되고, 그 하단이 지지바(4310)의 지지부재(4320)가 연설된 중간높이에서 수평방향으로 절곡되어 기판(S)의 중앙부까지 연장될 수 있다. 이에 따라 노즐부재(4530)의 일단은 측면에서는 볼 때는 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치하고, 상면에서 볼 때는 기판(S)의 중앙부에 위치하게 된다. The nozzle member 4530 may be positioned between the support members 4320 adjacent to each other, that is, between the substrates S adjacent to each other, at one end of which the supercritical fluid is sprayed when viewed from the side. One nozzle member 4530 may be provided for each of the plurality of support members 4320. The nozzle member 4530 extends downward from the upper wall of the housing 4100, that is, the upper body 4110, and its lower end is horizontally from the intermediate height at which the support member 4320 of the support bar 4310 is extended. It may be bent and extended to the central portion of the substrate S. Accordingly, one end of the nozzle member 4530 is positioned between the substrates S adjacent to each other when viewed from the side, and is positioned at the center of the substrate S when viewed from the top.

노즐부재(4530)는 그 일단이 서로 인접한 기판(S) 중 아래쪽 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 기판(S)은 그 상면이 패턴면이 되도록 지지유닛(4300)에 안착되므로, 기판(S)의 상면의 건조가 중요한데, 제1지지부재(4320a)에 안착된 기판(S)의 상면은 상부공급포트(4510)에 의해 초임계유체를 제공받고, 제2지지부재(4320b)에 안착된 기판(S)의 상면은 노즐부재(4530)에 의해 초임계유체를 제공받아 동시에 복수의 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 수행될 수 있다.The nozzle member 4530 may spray the supercritical fluid to the upper surface of the lower substrate S among the substrates S having one end adjacent to each other. Since the substrate S is mounted on the support unit 4300 so that the upper surface thereof becomes a pattern surface, drying of the upper surface of the substrate S is important, but the upper surface of the substrate S mounted on the first support member 4320a is A supercritical fluid is provided through the supply port 4510, and the upper surface of the substrate S mounted on the second support member 4320b receives the supercritical fluid by the nozzle member 4530 and simultaneously receives a plurality of substrates S. ), a supercritical drying process can be performed.

한편, 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)에서 먼저 하부공급포트(4520)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510) 및 노즐부재(4530)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(4510)나 노즐부재(4530)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 따라서, 하부공급포트(4520)를 통해 제2공정챔버(4000)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달한 경우, 상부공급포트(4510)과 노즐부재(4530)이 초임계유체의 공급을 시작하면, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, from the upper supply port 4510, the lower supply port 4520 and the nozzle member 4530, the lower supply port 4520 first supplies the supercritical fluid, and later, the upper supply port 4510 and the nozzle member 4530 Can supply supercritical fluid. Since the supercritical drying process may initially proceed in a state in which the inside of the second process chamber 4000 is less than the critical pressure, the supercritical fluid supplied to the inside of the second process chamber 4000 may be liquefied. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 or the nozzle member 4530 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid is liquefied and falls to the substrate S by gravity, and the substrate S You can damage it. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the second process chamber 4000 through the lower supply port 4520 and the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches the critical pressure, the upper supply port 4510 and the nozzle When the member 4530 starts supplying the supercritical fluid, it is possible to prevent the supercritical fluid from being liquefied and falling onto the substrate S.

배기포트(4600)는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체를 배기한다. 배기포트(4600)는 초임계유체를 배기하는 배기라인(4650)에 연결될 수 있다. 이때, 배기포트(4600)에는 배기라인(4650)으로 배기하는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. 배기라인(4650)을 통해 배기되는 초임계유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계유체재생시스템(미도시)로 공급될 수 있다. The exhaust port 4600 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The exhaust port 4600 may be connected to an exhaust line 4650 for exhausting the supercritical fluid. In this case, a valve for adjusting the flow rate of the supercritical fluid exhausted to the exhaust line 4650 may be installed in the exhaust port 4600. The supercritical fluid exhausted through the exhaust line 4650 may be discharged into the atmosphere or may be supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기포트(4600)는 하부 바디(4120)에 형성될 수 있다. 초임계건조공정의 후기에는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계유체는 중력에 의해 하부 바디(4120)에 형성된 배기포트(4600)를 통해 배출될 수 있다. The exhaust port 4600 may be formed on the lower body 4120. In the latter half of the supercritical drying process, the supercritical fluid is exhausted from the second process chamber 4000 and the internal pressure thereof is reduced to a critical pressure or lower, so that the supercritical fluid may be liquefied. The liquefied supercritical fluid may be discharged through the exhaust port 4600 formed in the lower body 4120 by gravity.

이상에서는 동시에 두 장의 기판(S)을 지지하고, 처리하는 제2공정챔버(4000)를 기준으로 설명하였으나, 제2공정챔버(4000)가 처리할 수 있는 기판(S)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니다.In the above, the description was made based on the second process chamber 4000 that simultaneously supports and processes two substrates S, but the number of substrates S that the second process chamber 4000 can process is limited to the above-described example. It does not become.

또한, 상술한 제2공정챔버(4000)의 구성요소 중 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)은 선택적인 구성요소이다. 예를 들어, 제2공정챔버(4000)에는 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520) 중 어느 하나 또는 모두가 제공되지 않을 수 있다. 제2공정챔버(4000)에 상부공급포트(4510)가 생략되는 경우에는, 최상부의 지지부재(4320)와 하우징(4100)의 상부벽 사이에 노즐부재(4530)이 추가로 제공될 수 있다. 이러한 노즐부재(4530)는 생략된 상부공급포트(4510) 대신 최상부의 지지부재(4320)에 안착된 기판의 상면에 초임계유체를 공급할 수 있다.In addition, among the components of the second process chamber 4000 described above, the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 are optional components. For example, either or both of the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 may not be provided in the second process chamber 4000. When the upper supply port 4510 is omitted in the second process chamber 4000, a nozzle member 4530 may be additionally provided between the uppermost support member 4320 and the upper wall of the housing 4100. The nozzle member 4530 may supply the supercritical fluid to the upper surface of the substrate mounted on the uppermost support member 4320 instead of the omitted upper supply port 4510.

또한, 상술한 제2공정챔버(4000)에서는 지지유닛(4300)이 지지바(4310)와 지지부재(4320)를 구비하는 것으로 설명하였으나, 지지유닛(4300)은 이와 다른 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지유닛(4300)은 버퍼챔버(2100)의 버퍼슬롯과 유사한 형태로 제공될 수 있다. 구체적으로 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽으로부터 수평방향으로 연장되는 한 쌍의 플레이트로 제공될 수 있다. 한 쌍의 플레이트의 기판(S)의 양측 가장자리를 지지할 수 있다. 또한, 슬롯형태의 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽에 상하방향으로 복수개 제공될 수 있다. 복수의 지지유닛(4300)은 복수의 기판(S)을 지지할 수 있다. In addition, in the second process chamber 4000 described above, it has been described that the support unit 4300 includes a support bar 4310 and a support member 4320, but the support unit 4300 may be provided in a different form. . For example, the support unit 4300 may be provided in a shape similar to the buffer slot of the buffer chamber 2100. Specifically, the support unit 4300 may be provided as a pair of plates extending horizontally from the sidewall of the housing 4100. It is possible to support the edge of both sides of the substrate S of the pair of plates. In addition, a plurality of slot-shaped support units 4300 may be provided on a sidewall of the housing 4100 in the vertical direction. The plurality of support units 4300 may support a plurality of substrates S.

한편, 이상에서는 노즐부재(4530)이 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사하는 것으로 설명하였으나, 노즐부재(4530)가 분사하는 방향 및 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 노즐부재(4530)는 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면에 수직한 방향으로 초임계유체를 분사하는 대신, 방사형으로 분사할 수 있다.Meanwhile, in the above, it has been described that the nozzle member 4530 sprays the supercritical fluid onto the upper surface of the substrate S positioned below it, but the direction and shape in which the nozzle member 4530 sprays are not limited thereto. In addition, the nozzle member 4530 may spray the supercritical fluid radially instead of spraying the supercritical fluid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate S positioned below it.

또, 노즐부재(4530)가 반드시 그 아래에 있는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사해야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 노즐부재(4530)는 그 위에 있는 기판(S)의 하면을 향해 초임계유체를 분사하거나 또는 아래쪽 기판(S)의 상면과 위쪽 기판(S)의 하면 양쪽으로 동시에 초임계유체를 분사할 수도 있을 것이다. 한편, 이러한 노즐부재(4530)는 그 일단이 기판(S)의 중앙부에 위치하지 않을 수도 있다.In addition, the nozzle member 4530 does not necessarily spray the supercritical fluid onto the upper surface of the substrate S under it. For example, the nozzle member 4530 sprays the supercritical fluid toward the lower surface of the substrate S thereon, or simultaneously applies the supercritical fluid to both the upper surface of the lower substrate S and the lower surface of the upper substrate S. It could be sprayed. Meanwhile, one end of the nozzle member 4530 may not be located in the center of the substrate S.

이상에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판처리장치(100)의 제2공정챔버(4000)는 공급포트(4500)로 초임계유체를 대신 다른 공정유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정유체로 초임계유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마가스, 불활성가스 등이 사용될 수 있을 것이다. In the above, it has been described that the substrate processing apparatus 100 according to the present invention processes a substrate by supplying a supercritical fluid to the substrate S, but the substrate processing apparatus 100 according to the present invention must perform such a supercritical process. It is not limited to doing. Accordingly, the second process chamber 4000 of the substrate processing apparatus 100 may process the substrate S by supplying another process fluid to the supply port 4500 instead of the supercritical fluid. In this case, instead of the supercritical fluid, an organic solvent or other gas, plasma gas, and inert gas may be used as the process fluid.

또한, 기판처리장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 공급라인(4550)이나 배기라인(4650)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부공급포트(4110)과 하부공급포트(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계유체를 공급하기 시작한 뒤 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.In addition, the substrate processing apparatus 100 may further include a controller that controls its components. For example, the controller may control the heating member 4400 to adjust the internal temperature of the housing 4100. For another example, the controller may control a valve installed in the supply line 4550 or the exhaust line 4650 to adjust the flow rate of the drug or the supercritical fluid. For another example, in the controller, after either one of the upper supply port 4110 and the lower supply port 4120 starts to supply the supercritical fluid, the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches a preset pressure. If so, you can control the other to start supplying the supercritical fluid.

이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented as a computer or a similar device using hardware, software, or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In hardware, controllers are ASICs (application specific integrated circuits), DSPs (digital signal processors), DSPDs (digital signal processing devices), PLDs (programmable logic devices), FPGAs (field programmable gate arrays), processors, and microcontrollers. It can be implemented as (micro-controllers), microprocessors, or electrical devices that perform similar control functions.

또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.In addition, in terms of software, the controller may be implemented by software codes or software applications written in one or more programming languages. The software can be executed by a control unit implemented in hardware. In addition, software may be installed by being transmitted from an external device such as a server in the above-described hardware configuration.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to the present invention will be described using the substrate processing apparatus 100 described above. However, since this is only for ease of explanation, the substrate processing method may be performed using another apparatus identical or similar to the substrate processing apparatus 100 described above. In addition, the substrate processing method according to the present invention may be stored in a computer-readable recording medium in the form of a code or program for performing the same.

상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 건조 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해 스팀 부재 또는 노즐 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above-described examples, it has been described that a drying process is performed on the substrate S, but unlike this, the type of process and the number of process chambers may be different. In addition, a steam member or a nozzle member may be further provided for the wafer W. The present invention described above is capable of various modifications, substitutions, and modifications without departing from the technical spirit of the present invention to those of ordinary skill in the technical field to which the present invention belongs. It is not limited by the drawings. In addition, the embodiments described in the present specification are not limitedly applicable, and all or part of each of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.

100: 기판처리장치
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 이송프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 제1공정챔버 3100: 지지부재 3200: 노즐부재
4000: 제2공정챔버 4100: 하우징 4110: 상부 바디
4120: 하부 바디 4130: 걸림턱 4200: 승강부재
4300: 지지유닛 5000: 실링 어셈블리
5100: 제 1 영역 5200: 제 2 영역100: substrate processing apparatus
1000: index module 1100: load port 1200: transfer frame
1210: index robot 1220: index rail
2000: process module 2100: buffer chamber 2200: transfer chamber
2210: transfer robot 2220: transfer rail
3000: first process chamber 3100: support member 3200: nozzle member
4000: second process chamber 4100: housing 4110: upper body
4120: lower body 4130: locking jaw 4200: elevating member
4300: support unit 5000: sealing assembly
5100: first area 5200: second area

Claims

In the apparatus for processing a substrate,
A housing having an upper body and a lower body combined with the upper body to form an inner space in which a process is processed; And
A sealing assembly provided between the upper body and the lower body and sealing the inner space from the outside,
In a region in which the upper body and the lower body are in contact, the outer side of the upper side of the lower body is stepped higher than the inner side, and the sealing assembly is positioned at the inner side, and the lower end of the sealing assembly has a fluid in the inner space. Includes a groove into which is introduced,
The sealing assembly,
A first area provided inside the inner side; And
It has a second area extending from the inside to the outside in the first area,
The first region has a circular cross section,
The second region is provided in a trapezoidal shape whose cross section is provided inclined from the top to the bottom,
The inclined outer surface of the second region is provided to contact the inclined sidewall of the lower body, and the outer surface and the sidewall overlap when viewed from above.

The method of claim 1,
The plurality of grooves are provided, and the plurality of grooves are provided to be spaced apart from each other along a circumferential direction of the sealing assembly.

The method of claim 2,
A substrate processing apparatus wherein the sidewall disposed between the outer side and the inner side is provided to be inclined downward toward the outer side toward the bottom.

The method of claim 3,
The substrate processing apparatus is provided to protrude upward from the inner region, and has a locking protrusion preventing separation of the sealing assembly.

The method of claim 4,
An upper end of the first region is higher than an upper end of the second region, and a lower end of the first region is lower than a lower end of the second region.

delete

The method of claim 5,
The groove is formed to have a height corresponding to the lower end of the second region.

The method according to any one of claims 1 to 5 and 8,
The substrate processing apparatus further includes a supply port for supplying a supercritical fluid into the housing,
In the housing, a substrate processing apparatus for drying a substrate by the supercritical fluid.

A method of processing a substrate for removing an organic solvent provided on a substrate by using the substrate processing apparatus of claim 1, wherein the housing used in the process is sealed from the outside to dry the substrate.

The method of claim 10,
When the housing is sealed, a fluid in the inner space flows into a space formed by the groove of the sealing assembly.

The method of claim 10 or 11,
A substrate processing method in which a substrate is dried by a supercritical fluid supplied into the housing.