KR102153122B1 - Supercritical processing aparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 상부 베젤 및 하부 베젤을 포함하고, 상기 상부 베젤과 상기 하부 베젤 사이에 기판을 수용하는 공간부가 마련되는 베젤; 상기 공간부의 외측에 배치되며, 상기 상부 베젤과 상기 하부 베젤 사이를 밀봉하는 실링부재; 상기 하부 베젤에 소정 간격으로 복수 형성되며, 상기 실링부재를 지지하는 실 가이드;를 포함하는 초임계 처리 장치를 제공한다.An exemplary embodiment of the present invention includes: a bezel including an upper bezel and a lower bezel, wherein a space portion for accommodating a substrate is provided between the upper bezel and the lower bezel; A sealing member disposed outside the space and sealing between the upper bezel and the lower bezel; It provides a supercritical processing apparatus including; a plurality of seal guides formed on the lower bezel at predetermined intervals and supporting the sealing member.

Description

초임계 처리 장치{SUPERCRITICAL PROCESSING APARATUS}Supercritical processing unit {SUPERCRITICAL PROCESSING APARATUS}

본 발명은 초임계 유체를 사용하여 기판을 처리하는 초임계 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a supercritical processing apparatus for processing a substrate using a supercritical fluid.

일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조된다. 예를 들면, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 일면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a silicon wafer. For example, a semiconductor device is manufactured by performing a deposition process, a photolithography process, an etching process, etc. to form a fine circuit pattern on one surface of a substrate.

상기의 공정들을 수행하면서 회로 패턴이 형성된 기판의 일면에는 각종 이물질이 부착될 수 있으며, 이물질을 제거하기 위하여 초임계 처리 공정을 수행할 수 있다.Various foreign substances may be attached to one surface of the substrate on which the circuit pattern is formed while performing the above processes, and a supercritical treatment process may be performed to remove the foreign substances.

초임계 처리 공정은 세정액, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol; IPA) 등의 건조처리액을 이용하여 기판의 일면을 처리한 다음, 베젤(Vessel)을 포함하는 초임계 처리 장치에서 이산화탄소(CO2) 등의 초임계 유체(Supercritical fluid)를 기판에 고압으로 공급함으로써, 기판에 남아 있는 IPA을 포함하는 이물질을 제거하는 방식으로 진행될 수 있다.In the supercritical treatment process, one surface of the substrate is treated using a cleaning solution or a drying treatment solution such as isopropyl alcohol (IPA), and then carbon dioxide (CO 2 ), etc., in a supercritical treatment device including a bezel. By supplying a supercritical fluid to the substrate at high pressure, it can proceed in a manner to remove foreign substances including IPA remaining on the substrate.

베젤은 상부 베젤과 하부 베젤을 포함할 수 있으며, 상부 베젤과 하부 베젤 사이에는 실링부재가 개재되어 공정 진행 시 상호 간을 밀폐시킬 수 있다.The bezel may include an upper bezel and a lower bezel, and a sealing member is interposed between the upper bezel and the lower bezel to seal each other during the process.

그런데 기존에는 공정 진행 시 실링부재 측으로 파티클이 유입되어 적체되고, 파티클(Particle)이 적체된 상태에서 이후 새로운 기판이 베젤 내부로 로딩되어 공정을 진행할 경우 이미 적체된 파티클이 새로운 기판에 재흡착될 수 있다.However, in the past, when the process proceeds, particles flow into the sealing member and accumulate, and if a new substrate is subsequently loaded into the bezel while the particles accumulate and the process proceeds, the already accumulated particles may re-adsorb onto the new substrate. have.

또한, 베젤 내부의 소정 영역 예컨대, 기판의 엣지부가 위치한 영역에서 와류가 발생할 수 있으며, 이 와류에 의해 파티클이 기판에 재흡착됨으로써 공정 불량을 유발할 수 있다.Further, a vortex may occur in a predetermined area inside the bezel, for example, a region where an edge portion of the substrate is located, and particles may be re-adsorbed to the substrate by the vortex, thereby causing a process failure.

한국공개특허 10-2009-0016974Korean Patent Publication 10-2009-0016974

본 발명은 공정 진행 시 베젤 내부의 파티클이 기판에 재흡착되는 것을 최소화할 수 있도록 한 초임계 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a supercritical processing apparatus capable of minimizing re-adsorption of particles inside a bezel onto a substrate during a process.

또한, 본 발명은 초임계 유체의 유동을 고려하여 베젤의 내부 구조를 설계함으로써 초임계 유체의 공급 또는 배출이 안정적으로 이루어지도록 한 초임계 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a supercritical treatment apparatus in which the supercritical fluid is supplied or discharged stably by designing the internal structure of the bezel in consideration of the flow of the supercritical fluid.

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention that are not mentioned can be understood by the following description.

본 발명의 실시예에 의한 초임계 처리 장치는, 상부 베젤 및 하부 베젤을 포함하고, 상부 베젤과 하부 베젤 사이에 기판을 수용하는 공간부가 마련되는 베젤; 공간부의 외측에 배치되며, 상부 베젤과 하부 베젤 사이를 밀봉하는 실링부재; 하부 베젤에 소정 간격으로 복수 형성되며, 실링부재를 지지하는 실 가이드;를 포함할 수 있다.A supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a bezel including an upper bezel and a lower bezel, and having a space portion for receiving a substrate between the upper and lower bezels; A sealing member disposed outside the space and sealing between the upper and lower bezels; A plurality of seal guides formed at predetermined intervals on the lower bezel and supporting the sealing member may be included.

본 발명의 실시예에서, 상부 베젤의 저면에는 하측 방향으로 돌출된 제1단차부가 구비될 수 있다. 제1단차부의 직경은 기판의 직경보다 크게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a first step portion protruding downward may be provided on the bottom surface of the upper bezel. The diameter of the first step portion may be larger than the diameter of the substrate.

본 발명의 실시예에서, 하부 베젤에는 상측으로 돌출되는 제2단차부가 형성되고, 실링부재는 제2단차부 상에 배치될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a second step portion protruding upward is formed on the lower bezel, and the sealing member may be disposed on the second step portion.

본 발명의 실시예에서, 상부 베젤의 중앙에는 제1유체홀이 형성되고, 상부 베젤의 하부에는 제1유체홀을 중심으로 그 반경 방향으로 갈수록 하향 경사지게 제1안내부가 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a first fluid hole may be formed in the center of the upper bezel, and a first guide part may be provided at a lower portion of the upper bezel so as to be inclined downward toward the radial direction with the first fluid hole as the center.

본 발명의 실시예에서, 하부 베젤의 중앙에는 제2유체홀이 형성되고, 하부 베젤의 상부에는 제2유체홀을 중심으로 그 반경 방향으로 갈수록 상향 경사지게 제2안내부가 구비될 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, a second fluid hole may be formed in the center of the lower bezel, and a second guide part may be provided at an upper portion of the lower bezel so as to be inclined upward toward the radial direction around the second fluid hole.

본 발명의 실시예에 따르면, 실링부재를 지지하는 실 가이드를 소정 간격으로 복수 형성하여 실 가이드들 사이에 개방부가 형성되도록 함으로써, 공정 진행 시 실링부재 측으로 유입되는 파티클이 개방부를 통해 배출되도록 하여 실링부재 측에 파티클이 적체되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plurality of seal guides supporting the sealing member are formed at predetermined intervals so that an opening is formed between the thread guides, so that particles flowing into the sealing member are discharged through the opening during the process. It is possible to prevent particles from accumulating on the member side.

또한, 상부 베젤의 저면에 기판의 외측으로 단차부를 형성함으로써 기판의 엣지부 측에서 발생하는 와류에 의해 파티클이 기판에 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by forming a step on the lower surface of the upper bezel to the outside of the substrate, it is possible to prevent particles from being re-adsorbed to the substrate due to the eddy current generated at the edge of the substrate.

또한, 초임계 유체의 입출구 부분으로부터 반경 방향으로 유로의 폭이 변화하도록 구성함으로써, 급격한 압력 및 온도 변화에 대한 기판 중심부의 패턴 리닝(Leaning)과 같은 데미지를 감소시키고, 기판의 상부 영역에서 반응 균일도를 증가시킬 수 있다.In addition, by configuring the width of the flow path from the inlet and outlet of the supercritical fluid to change in the radial direction, damage such as pattern lining at the center of the substrate against rapid pressure and temperature changes is reduced, and the reaction uniformity in the upper region of the substrate. Can increase

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.The effects of the present invention are not limited to the above effects, and should be understood to include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 초임계 처리 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 하부 베젤의 일부를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에 대한 비교예를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 1의 베젤 내부를 도시한 단면도이다.
도 5는 도 4에 대한 비교예를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 상부 베젤과 기판 사이의 유로를 구체적으로 도시한 상세도이다.
도 7은 도 6에 대한 비교예를 도시한 도면이다.
도 8은 도 1의 하부 베젤로 유체가 유입되는 경우의 유로를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 1의 하부 베젤로 유체가 배출되는 경우의 유로를 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view illustrating a part of the lower bezel of FIG. 1.
3 is a perspective view showing a comparative example of FIG. 2.
4 is a cross-sectional view showing the inside of the bezel of FIG. 1.
5 is a cross-sectional view showing a comparative example with respect to FIG. 4.
6 is a detailed diagram illustrating a flow path between the upper bezel of FIG. 1 and the substrate.
7 is a diagram illustrating a comparative example with respect to FIG. 6.
FIG. 8 is a diagram illustrating a flow path when a fluid flows into the lower bezel of FIG. 1.
9 is a view for explaining a flow path when a fluid is discharged to the lower bezel of FIG.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may be implemented in various different forms, and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, detailed descriptions thereof may be omitted for parts irrelevant to the essence of the present invention, and the same reference numerals may be assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.In addition, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. The terminology used herein is only for referring to specific embodiments, and is not intended to limit the present invention, and is understood by those of ordinary skill in the art unless otherwise defined in the present specification. It can be interpreted as a concept.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 초임계 처리 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 초임계 처리 장치는 기판(W)을 수용하는 베젤(100)을 포함한다. 베젤(100)은 상부 베젤(110) 및 하부 베젤(120)을 포함하며, 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이에는 소정의 공간부(S)가 마련된다. 기판(W)은 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이의 공간부(S)에 위치된다.Referring to FIG. 1, the supercritical processing apparatus includes a bezel 100 accommodating a substrate W. The bezel 100 includes an upper bezel 110 and a lower bezel 120, and a predetermined space S is provided between the upper bezel 110 and the lower bezel 120. The substrate W is positioned in the space S between the upper bezel 110 and the lower bezel 120.

상부 베젤(110)의 중앙에는 수직 방향으로 제1유체홀(111)이 형성될 수 있다. 제1유체홀(111)은 초임계 유체가 베젤(100) 내부로 유입되는 입구일 수 있다. 초임계 유체는 제1유체홀(111)을 통해 베젤(100) 내부로 유입되어 패턴이 형성된 기판(W)의 상면에 제공될 수 있다.A first fluid hole 111 may be formed in a vertical direction in the center of the upper bezel 110. The first fluid hole 111 may be an inlet through which the supercritical fluid flows into the bezel 100. The supercritical fluid may flow into the bezel 100 through the first fluid hole 111 and may be provided on the upper surface of the patterned substrate W.

하부 베젤(120)의 중앙에는 수직 방향으로 제2유체홀(121)이 형성될 수 있다. 제2유체홀(121)은 제1유체홀(111)과 함께 초임계 유체가 베젤(100) 내부로 유입되는 입구일 수 있다. 또는, 제2유체홀(121)은 초임계 유체를 베젤(100) 외부로 배출하는 출구일 수 있다.A second fluid hole 121 may be formed in a vertical direction in the center of the lower bezel 120. The second fluid hole 121 may be an inlet through which the supercritical fluid flows into the bezel 100 together with the first fluid hole 111. Alternatively, the second fluid hole 121 may be an outlet for discharging the supercritical fluid to the outside of the bezel 100.

제2유체홀(121)은 초임계 유체가 유입되는 입구 및 초임계 유체가 배출되는 출구의 역할을 같이 수행할 수 있다. 이 경우, 초임계 유체는 제2유체홀(121)을 통해 베젤(100) 내부로 유입되어 기판(W)의 저면 엣지부 측으로 이동하고, 공정 진행 후 제2유체홀(121)을 통해 베젤(100) 외부로 배출될 수 있다.The second fluid hole 121 may serve as an inlet through which the supercritical fluid is introduced and an outlet through which the supercritical fluid is discharged. In this case, the supercritical fluid flows into the bezel 100 through the second fluid hole 121 and moves toward the edge of the bottom surface of the substrate W. After the process proceeds, the bezel ( 100) Can be discharged to the outside.

제2유체홀(121)은 출구의 역할 만을 수행할 수도 있다. 이 경우, 초임계 유체는 제1유체홀(111)을 통해 베젤(100) 내부로 유입되고, 제2유체홀(121)을 통해 베젤(100) 외부로 배출될 수 있다. 한편, 하부 베젤(120)에는 초임계 유체가 유입되는 입구 및 초임계 유체가 배출되는 출구가 각각 형성될 수도 있다.The second fluid hole 121 may serve only as an outlet. In this case, the supercritical fluid may flow into the bezel 100 through the first fluid hole 111 and may be discharged to the outside of the bezel 100 through the second fluid hole 121. Meanwhile, the lower bezel 120 may have an inlet through which the supercritical fluid is introduced and an outlet through which the supercritical fluid is discharged, respectively.

상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이에는 실링부재(140)가 구비된다. 실링부재(140)는 상부 베젤(110)의 엣지부 저면 및 하부 베젤(120)의 엣지부 상면 사이에 구비될 수 있다. 즉, 실링부재(140)는 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이에 개재되어 공정 진행 시 베젤(100) 내부를 밀봉한다. 실링부재(140)는 중앙이 관통된 링 형태로 형성될 수 있다.A sealing member 140 is provided between the upper bezel 110 and the lower bezel 120. The sealing member 140 may be provided between a bottom surface of the edge portion of the upper bezel 110 and an upper surface of the edge portion of the lower bezel 120. That is, the sealing member 140 is interposed between the upper bezel 110 and the lower bezel 120 to seal the inside of the bezel 100 during the process. The sealing member 140 may be formed in a ring shape through which the center is penetrated.

하부 베젤(120)의 엣지부에는 제2단차부(123)가 상측 방향으로 돌출될 수 있다. 실링부재(140)는 제2단차부(123) 상에 배치될 수 있다. 제2단차부(123) 상에는 실 가이드(130)가 구비된다. 실 가이드(130)는 실링부재(140)의 위치를 고정시켜 준다. 따라서, 실링부재(140)는 실 가이드(130)에 의해 하부 베젤(120)의 제2단차부(123) 상에 안정적으로 배치될 수 있다.A second step portion 123 may protrude upward from the edge portion of the lower bezel 120. The sealing member 140 may be disposed on the second step portion 123. A thread guide 130 is provided on the second step portion 123. The seal guide 130 fixes the position of the sealing member 140. Accordingly, the sealing member 140 may be stably disposed on the second step portion 123 of the lower bezel 120 by the seal guide 130.

상부 베젤(110)의 저면에는 하측 방향으로 돌출된 제1단차부(113)를 구비한다. 제1단차부(113)는 기판(W)의 엣지부 영역에서 발생하는 와류에 의해 파티클이 기판(W) 측으로 재흡착되는 것을 최소화해 준다.The lower surface of the upper bezel 110 includes a first stepped portion 113 protruding downward. The first stepped portion 113 minimizes re-adsorption of particles toward the substrate W due to eddy currents occurring in the edge portion region of the substrate W.

상부 베젤(110)의 하부에는 반경 방향으로 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제1안내부(112)가 구비될 수 있다.A first guide part 112 may be provided below the upper bezel 110 to guide the flow of the supercritical fluid in the radial direction.

하부 베젤(120)의 상부에는 반경 방향으로 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제2안내부(122)가 구비될 수 있다.A second guide part 122 may be provided on the lower bezel 120 to guide the flow of the supercritical fluid in the radial direction.

상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이의 공간부(S)에는 가이드부재(도시 생략)가 배치될 수 있다. 가이드부재는 기판을 지지하는 역할을 수행할 수도 있고, 공간부의 부피를 감소시켜 케미컬의 사용량을 절감시킬 수도 있다.A guide member (not shown) may be disposed in the space S between the upper bezel 110 and the lower bezel 120. The guide member may serve to support the substrate, or may reduce the amount of chemical used by reducing the volume of the space.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 초임계 처리 장치의 하부 베젤의 일부를 도시한 도면이고, 도 3은 이에 대한 비교예를 도시한 도면이다.2 is a view showing a part of a lower bezel of a supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view showing a comparative example thereof.

도 2를 참고하면, 하부 베젤(120)은 중앙에 공간부(S)를 갖는다. 공간부(S)에는 처리 대상물인 기판 기판(W)이 수용된다. 공간부(S)의 외측에는 제2단차부(123)가 형성된다. 제2단차부(123)는 상측 방향으로 돌출될 수 있다. 제2단차부(123) 상에는 상부 베젤과 하부 베젤(120) 간을 밀폐하기 위한 실링부재(140)가 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2, the lower bezel 120 has a space S in the center. A substrate substrate W, which is an object to be processed, is accommodated in the space S. A second step portion 123 is formed outside the space portion S. The second step portion 123 may protrude upward. A sealing member 140 for sealing between the upper bezel and the lower bezel 120 may be disposed on the second step portion 123.

또한, 제2단차부(123) 상에는 실 가이드(130)가 구비된다. 실 가이드(130)는 실링부재(140)를 지지할 수 있도록 제2단차부(123) 상에서 상측 방향으로 돌출 형성된다. 실 가이드(130)는 소정 간격으로 복수 구비된다. 즉, 어느 하나의 실 가이드와 이웃한 실 가이드 사이에는 개방부(131)가 형성될 수 있다. 따라서, 실 가이드(130)는 실링부재(140)를 전체적으로 지지하지 않고 부분적으로 지지하게 된다. 공정 진행 시 파티클이 실링부재(140) 측으로 유입되더라도 개방부(131)를 통해 공간부(S) 측으로 배출됨으로써 파티클이 실링부재(140) 측에 적체되는 것을 최소화할 수 있다. 개방부(131)를 통해 공간부(S)로 배출된 파티클은 공정 진행 후 초임계 유체의 배출 시 함께 배출될 수 있다.In addition, a thread guide 130 is provided on the second step portion 123. The seal guide 130 is formed to protrude upwardly on the second step portion 123 to support the sealing member 140. A plurality of thread guides 130 are provided at predetermined intervals. That is, an opening portion 131 may be formed between any one thread guide and an adjacent thread guide. Accordingly, the seal guide 130 does not fully support the sealing member 140 but partially supports the sealing member 140. Even if particles are introduced into the sealing member 140 during the process, they are discharged to the space S side through the opening 131, thereby minimizing accumulation of particles on the sealing member 140 side. Particles discharged to the space S through the opening 131 may be discharged together when the supercritical fluid is discharged after the process proceeds.

반면, 도 3을 참고하면, 실 가이드(30)는 공간부(S)의 외측 단차부(23) 상에 동심원상으로 연장 형성된다. 이 경우, 실링부재(40) 측으로 파티클이 유입되면 실 가이드(30)에 막혀 공간부(S) 측으로 배출되지 않을 수 있다. 이러한 상태가 지속되면 파티클은 실링부재(40) 측에 적체될 수 있고, 적체된 파티클은 이후에 처리되는 새로운 기판(W)에 토출되어 흡착될 수 있다.On the other hand, referring to FIG. 3, the thread guide 30 is formed to extend concentrically on the outer stepped portion 23 of the space portion S. In this case, when particles are introduced into the sealing member 40, they may be blocked by the seal guide 30 and may not be discharged toward the space S. If this state continues, particles may accumulate on the sealing member 40 side, and the accumulated particles may be discharged and adsorbed onto a new substrate W to be processed later.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 초임계 처리 장치의 베젤 내부를 도시한 도면이고, 도 5는 이에 대한 비교예를 도시한 도면이다.4 is a view showing the inside of a bezel of a supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view showing a comparative example thereof.

도 4를 참고하면, 상부 베젤(110)의 저면에 하측 방향 즉, 기판(W) 방향으로 제1단차부(113)가 돌출된다.Referring to FIG. 4, the first stepped portion 113 protrudes from the bottom surface of the upper bezel 110 in a downward direction, that is, in the direction of the substrate W.

예컨대, 상부 베젤(110)의 저면에 제1단차부(113)가 없을 경우 기판(W)의 주변에 와류(T)가 발생하게 되고, 와류에 의해 파티클이 기판(W) 측으로 재흡착될 수 있다.For example, when there is no first stepped portion 113 on the bottom of the upper bezel 110, a vortex T is generated around the substrate W, and particles may be re-adsorbed toward the substrate W by the vortex. have.

이에 따라, 상부 베젤(110)의 저면에 제1단차부(113)를 형성함으로써 기판(W)의 주변에 와류(T)가 발생하더라도 기판(W) 측으로 파티클이 재흡착되는 것을 감소시킬 수 있다.Accordingly, by forming the first stepped portion 113 on the bottom of the upper bezel 110, it is possible to reduce re-adsorption of particles toward the substrate W even if the vortex T occurs around the substrate W. .

제1단차부(113)의 반경(또는 직경)은 기판(W)의 반경(또는 직경)보다 d1의 길이만큼 길게 형성하는 것이 바람직하다.The radius (or diameter) of the first stepped portion 113 is preferably formed to be longer than the radius (or diameter) of the substrate W by d1.

즉, 제1단차부(113)의 반경을 기판(W)의 반경보다 크게 형성하면, 기판(W)의 주변에 와류(T)가 발생하더라도 와류(T)는 기판 외측의 제1단차부(113)에 의해 간섭될 수 있다. 이에 따라 기판(W) 주변의 파티클이 와류에 의해 기판(W)의 엣지부 측으로 재흡착되는 것을 최소화할 수 있다.That is, if the radius of the first stepped portion 113 is formed larger than the radius of the substrate W, even if a vortex T occurs around the substrate W, the eddy current T is the first stepped portion outside the substrate ( 113). Accordingly, it is possible to minimize re-adsorption of particles around the substrate W toward the edge portion of the substrate W due to the eddy current.

반면, 도 5와 같이 상부 베젤(10)의 저면에 제1단차부(12)가 형성되고, 제1단차부(12)의 반경이 기판(W)의 반경보다 d2의 길이만큼 작을 경우, 기판(W)의 주변에 발생한 와류(T)는 제1단차부(12)에 간섭되지 않을 수 있으며, 이로 인해 파티클이 기판(W)의 엣지부에 재흡착될 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 5, when the first step portion 12 is formed on the bottom surface of the upper bezel 10 and the radius of the first step portion 12 is smaller than the radius of the substrate W by d2, the substrate The eddy current T generated around the (W) may not interfere with the first stepped portion 12, and thus particles may be re-adsorbed to the edge portion of the substrate (W).

도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 상부 베젤과 기판 사이의 유로를 도시한 도면이고, 도 7은 이에 대한 비교예를 도시한 도면이다.6 is a diagram illustrating a flow path between an upper bezel and a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a diagram illustrating a comparative example thereof.

도 6을 참고하면, 상부 베젤(110)은 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제1안내부(112)를 구비할 수 있다. 제1안내부(112)는 상부 베젤(110)의 저면 중앙 예컨대, 제1유체홀(111)의 하단으로부터 상부 베젤(110)의 저면 외측으로 갈수록 하향 경사지게 형성될 수 있다. 제1안내부(112)는 소정 곡률을 갖는 곡면으로 형성되거나 또는 불연속 경사면으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the upper bezel 110 may include a first guide part 112 to guide the flow of the supercritical fluid. The first guide part 112 may be formed to be inclined downward from the center of the lower surface of the upper bezel 110, for example, from the lower end of the first fluid hole 111 toward the outside of the lower surface of the upper bezel 110. The first guide part 112 may be formed as a curved surface having a predetermined curvature or may be formed as a discontinuous inclined surface.

즉, 기판(W)과 상부 베젤(110)의 저면 사이의 공간부(S)에는 제1유체홀(111)로부터 유입된 유체가 유동하도록 유로가 형성되며, 유체의 유동속도가 기판(W)의 중심부와 엣지부에서 동등한 수준이 되도록 기판(W)과 상부 베젤(110)의 저면 사이의 유로의 폭이 변화되도록 한 것이다. 구체적으로, 상부 베젤(110)의 제1안내부(112)는 기판(W)의 중심부에서 엣지부 측으로 갈수록 유로의 폭이 점차 감소되도록 하향 경사지게 형성된다.That is, a flow path is formed in the space S between the substrate W and the bottom surface of the upper bezel 110 so that the fluid introduced from the first fluid hole 111 flows, and the flow rate of the fluid is the substrate W The width of the flow path between the substrate W and the bottom surface of the upper bezel 110 is changed so as to be at the same level at the center and the edge of the substrate. Specifically, the first guide part 112 of the upper bezel 110 is formed to be inclined downward so that the width of the flow path gradually decreases from the center of the substrate W toward the edge part.

이에 따라, 급격한 압력 및 온도 변화가 발생하는 공정에서 기판(W)의 중심부가 받는 영향을 감소시킬 수 있고, 기판(W)의 상부 영역에서 유체의 유동 균일도가 높아지므로 유체의 혼합 및 반응 균일도가 증가하게 된다.Accordingly, it is possible to reduce the influence of the central portion of the substrate W in a process in which rapid pressure and temperature changes occur, and since the flow uniformity of the fluid in the upper region of the substrate W is increased, the mixing and reaction uniformity of fluids Will increase.

반면, 도 7과 같이 제1유체홀(11)이 일정한 직경으로 수직 형성되고, 상부 베젤(10)의 저면과 기판(W) 사이의 폭이 일정하게 형성될 경우, 기판 크기에 비하여 좁은 입구 형태로 인해 기판(W)의 중심부에는 급격한 압력 및 온도 변화가 발생하게 되고, 이에 따라 기판(W)의 중심부에 형성된 패턴에는 리닝(leaning)과 같은 데미지가 발생할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 7, when the first fluid hole 11 is vertically formed with a constant diameter and the width between the bottom surface of the upper bezel 10 and the substrate W is formed uniformly, the entrance shape is narrow compared to the size of the substrate. As a result, a sudden change in pressure and temperature occurs in the central portion of the substrate W, and accordingly, damage such as leaning may occur in the pattern formed in the central portion of the substrate W.

또한, 상부 베젤(10)의 저면과 기판(W) 사이의 유로의 폭이 일정하게 형성될 경우, 제1유체홀(11)이 대응 위치된 기판(W)의 중심부의 유체 속도는 기판(W)의 엣지부의 유체 속도보다 빠르다. 즉, 유체의 유로의 폭이 일정할 경우 기판(W)의 중심부와 엣지부 간의 유체 속도 차이가 크게 발생하여 기판(W)의 중심부와 엣지부 간의 온도 편차가 크게 발생하고, 이에 따라 반응 균일도가 상대적으로 낮아지게 된다.In addition, when the width of the flow path between the bottom surface of the upper bezel 10 and the substrate W is formed to be constant, the fluid velocity at the center of the substrate W in which the first fluid hole 11 is located is the substrate W ) Is faster than the fluid velocity at the edge. That is, when the width of the flow path of the fluid is constant, the difference in fluid velocity between the center portion and the edge portion of the substrate W is large, resulting in a large temperature difference between the center portion and the edge portion of the substrate W. Accordingly, the reaction uniformity is It becomes relatively low.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 베젤로 유체가 유입되는 경우를 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시예에 의한 하부 베젤로 유체가 배출되는 경우를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a view for explaining a case in which fluid flows into the lower bezel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a view for explaining a case in which fluid is discharged to the lower bezel according to an embodiment of the present invention to be.

도 8을 참고하면, 하부 베젤(120)은 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제2안내부(122)를 구비할 수 있다. 제2안내부(122)는 제2유체홀(121)의 하단으로부터 하부 베젤(120)의 상면 일부 구간까지 상향 경사지게 형성될 수 있다. 제2안내부(122)는 소정 곡률을 갖는 곡면으로 형성되거나 또는 불연속 경사면으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 8, the lower bezel 120 may include a second guide part 122 to guide the flow of the supercritical fluid. The second guide part 122 may be formed to be inclined upward from the lower end of the second fluid hole 121 to a partial section of the upper surface of the lower bezel 120. The second guide part 122 may be formed as a curved surface having a predetermined curvature or may be formed as a discontinuous inclined surface.

따라서, 제2유체홀(121)로 유입된 초임계 유체는 하부 베젤(120)의 제2안내부(122)와 기판(W) 사이의 유로를 통해 기판(W)의 엣지부 측으로 안내될 수 있다.Accordingly, the supercritical fluid flowing into the second fluid hole 121 may be guided toward the edge portion of the substrate W through a flow path between the second guide portion 122 of the lower bezel 120 and the substrate W. have.

이에 따라, 공정 진행 시 유체의 흐름을 원활하게 안내함으로써 기판(W)의 급격한 온도 변화를 방지할 수 있으며, 기판(W)의 중심부와 엣지부 간의 온도 편차를 최소화할 수 있다.Accordingly, a rapid temperature change of the substrate W can be prevented by smoothly guiding the flow of the fluid during the process, and a temperature deviation between the center portion and the edge portion of the substrate W can be minimized.

한편, 도 9와 같이 하부 베젤(120)의 제2유체홀(121)이 출구의 역할을 수행할 경우, 베젤 내부의 유체 및 이물질 등은 소정 각도로 일정 간격을 유지하는 하부 베젤(120)의 제2안내부(122)와 기판(W) 사이의 유로에 의해 안내된 후 제2유체홀(121)을 통해 안정적으로 배출될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 9, when the second fluid hole 121 of the lower bezel 120 serves as an outlet, the fluid and foreign substances inside the bezel are formed of the lower bezel 120 maintaining a predetermined distance at a predetermined angle. After being guided by a flow path between the second guide part 122 and the substrate W, it may be stably discharged through the second fluid hole 121.

본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains, since the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof, the embodiments described above are illustrative in all respects and should be understood as non-limiting. Only.

본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims to be described later rather than the detailed description, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. .

100; 베젤 110; 상부 베젤
111; 제1유체홀 112; 제1안내부
113; 제1단차부 120; 하부 베젤
121; 제2유체홀 122; 제2안내부
123; 제2단차부 130; 실 가이드
131; 개방부 140; 실링부재100; Bezel 110; Upper bezel
111; First fluid hole 112; Information Section 1
113; A first step 120; Lower bezel
121; Second fluid hole 122; 2nd guide
123; Second step 130; Thread guide
131; Opening 140; Sealing member

Claims (7)

상부 베젤 및 하부 베젤을 포함하고, 상기 상부 베젤과 상기 하부 베젤 사이에 기판을 수용하는 공간부가 마련되는 베젤;
상기 공간부의 외측에 배치되며, 상기 상부 베젤과 상기 하부 베젤 사이를 밀봉하는 실링부재;
상기 하부 베젤에 소정 간격으로 복수 형성되며, 상기 실링부재를 지지하는 실 가이드;
를 포함하고,
상기 실 가이드들 사이에는 개방부가 형성되는 초임계 처리 장치.
A bezel including an upper bezel and a lower bezel, wherein a space portion for accommodating a substrate is provided between the upper bezel and the lower bezel;
A sealing member disposed outside the space and sealing between the upper bezel and the lower bezel;
A plurality of seal guides formed at predetermined intervals on the lower bezel and supporting the sealing member;
Including,
A supercritical processing apparatus in which an opening is formed between the thread guides.
제1항에 있어서,
상기 상부 베젤의 저면에는 기판의 엣지부가 위치한 영역 외측으로 상부 베젤이 오목하게 파인 형상의 제1단차부가 구비되는 초임계 처리 장치.
The method of claim 1,
A supercritical processing apparatus having a first step portion having a concave shape of an upper bezel outside an area where an edge portion of the substrate is located on a bottom surface of the upper bezel.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 하부 베젤에는 상측으로 돌출되는 제2단차부가 형성되고, 상기 실링부재는 상기 제2단차부에 배치되는 초임계 처리 장치.
The method of claim 1,
A supercritical processing apparatus, wherein a second step portion protruding upward is formed on the lower bezel, and the sealing member is disposed in the second step portion.
제1항에 있어서,
상기 상부 베젤의 중앙에는 제1유체홀이 형성되고, 상기 상부 베젤의 하부에는 상기 제1유체홀을 중심으로 그 반경 방향으로 갈수록 하향 경사지게 제1안내부가 구비되는 초임계 처리 장치.
The method of claim 1,
A supercritical processing apparatus having a first fluid hole formed at the center of the upper bezel, and a first guide portion disposed at a lower portion of the upper bezel so as to be inclined downwardly toward the radial direction of the first fluid hole.
제1항에 있어서,
상기 하부 베젤의 중앙에는 제2유체홀이 형성되고, 상기 하부 베젤의 상부에는 상기 제2유체홀을 중심으로 그 반경 방향으로 갈수록 상향 경사지게 제2안내부가 구비되는 초임계 처리 장치.
The method of claim 1,
A second fluid hole is formed in the center of the lower bezel, and a second guide part is provided at an upper portion of the lower bezel so as to be inclined upwardly toward the radial direction of the second fluid hole.
제1항에 있어서,
상기 기판의 중심부와 엣지부에서 유체의 유동 속도가 동일한 초임계 처리 장치.The method of claim 1,
A supercritical processing apparatus having the same fluid flow rate at the center and the edge of the substrate.
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