KR102391975B1 - Supercritical processing aparatus - Google Patents

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허찬영
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 제1유체홀이 형성된 제1 베젤, 제2유체홀이 형성되고 상기 제1 베젤과 대향 배치되는 제2 베젤을 포함하는 베젤; 상기 제1 베젤과 제2 베젤 사이에 기판이 배치되는 공간부;를 포함하며, 상기 제1 베젤에는 상기 제1 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 상기 제2 베젤에 가까와지는 방향으로 경사지게 형성되는 제1 안내부가 구비되는 초임계 처리 장치를 제공한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a bezel comprising: a bezel including a first bezel having a first fluid hole and a second bezel having a second fluid hole and disposed opposite to the first bezel; and a space in which a substrate is disposed between the first bezel and the second bezel, wherein the first guide is inclined in a direction from the first fluid hole toward the periphery toward the second bezel. It provides a supercritical processing device that is additionally equipped.

Description

초임계 처리 장치{SUPERCRITICAL PROCESSING APARATUS}SUPERCRITICAL PROCESSING APARATUS

본 발명은 초임계 유체를 사용하여 기판을 처리하는 초임계 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a supercritical processing apparatus for processing a substrate using a supercritical fluid.

일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조된다. 예를 들면, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 일면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a silicon wafer. For example, a semiconductor device is manufactured by forming a fine circuit pattern on one surface of a substrate by performing a deposition process, a photolithography process, an etching process, and the like.

상기의 공정들을 수행하면서 회로 패턴이 형성된 기판의 일면에는 각종 이물질이 부착될 수 있으며, 이물질을 제거하기 위하여 초임계 처리 공정을 수행할 수 있다.Various foreign substances may be attached to one surface of the substrate on which the circuit pattern is formed while performing the above processes, and a supercritical treatment process may be performed to remove the foreign substances.

초임계 처리 공정은 세정액, 이소프로필 알콜(isopropyl alcohol; IPA) 등의 건조처리액을 이용하여 기판의 일면을 처리한 다음, 베젤(Vessel)을 포함하는 초임계 처리 장치에서 이산화탄소(CO2) 등의 초임계 유체(Supercritical fluid)를 기판에 고압으로 공급함으로써, 기판에 남아 있는 IPA을 포함하는 이물질을 제거하는 방식으로 진행될 수 있다.In the supercritical treatment process, one surface of the substrate is treated using a drying solution such as a cleaning solution or isopropyl alcohol (IPA), and then, in a supercritical treatment device including a vessel, carbon dioxide (CO 2 ), etc. By supplying a supercritical fluid of a high pressure to the substrate, a method of removing foreign substances including IPA remaining on the substrate may be performed.

도 1은 종래 기술에 의한 초임계 처리 장치를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a supercritical processing apparatus according to the prior art.

도 1을 참고하면, 종래의 초임계 처리 장치는 상부 베젤(10)과 하부 베젤(20) 사이의 공간부(S)에 초임계 처리를 위한 기판(W)이 구비되도록 구성된다. 상부 베젤(10)의 중앙에는 제1유체홀(11)이 형성되고, 하부 베젤(20)의 중앙에는 제2유체홀(21)이 형성되어 초임계 유체가 베젤 내부로 유입되거나 베젤로부터 배출될 수 있다.Referring to FIG. 1 , the conventional supercritical processing apparatus is configured such that a substrate W for supercritical processing is provided in the space S between the upper bezel 10 and the lower bezel 20 . A first fluid hole 11 is formed in the center of the upper bezel 10, and a second fluid hole 21 is formed in the center of the lower bezel 20, so that the supercritical fluid is introduced into the bezel or discharged from the bezel. can

이때, 상부 베젤(10)의 저면과 기판(W) 사이에는 그 간격이 일정한 유로를 형성하며, 비교적 작은 직경의 제1유체홀(11)로부터 초임계 유체가 기판(W)의 상면으로 고압으로 공급된다. 이에 따라, 제1유체홀(11)의 위치와 대응되는 기판(W)의 중심부에서 급격한 압력 및 온도 변화가 발생할 수 있으며, 이로 인해 패턴 리닝(Leaning) 등의 문제를 유발할 수 있다. 더불어, 기판(W)의 중심부와 주변부 간에는 초임계 유체의 유동 속도에 차이가 발생할 수 있으며, 이와 같은 초임계 유체의 속도 차이로 인해 기판(W)에는 영역별 온도 편차가 발생하고, 결과적으로 기판(W)의 영역별 공정 불균일을 유발할 수 있다.At this time, a flow path with a constant interval is formed between the bottom surface of the upper bezel 10 and the substrate W, and the supercritical fluid flows from the first fluid hole 11 having a relatively small diameter to the upper surface of the substrate W at high pressure. is supplied Accordingly, a sudden change in pressure and temperature may occur in the center of the substrate W corresponding to the position of the first fluid hole 11 , which may cause problems such as pattern leaning. In addition, there may be a difference in the flow rate of the supercritical fluid between the central portion and the peripheral portion of the substrate W, and due to the speed difference of the supercritical fluid, a temperature deviation occurs in each region of the substrate W, and as a result, the substrate W (W) may cause process non-uniformity by area.

또한, 하부 베젤(20)의 제2유체홀(21)로부터 초임계 유체가 유입될 경우, 기판(W)의 저면 중심부에 온도가 집중됨으로써 기판(W)의 중심부와 주변부 간의 온도 편차 및 기판의 영역별 공정 불균일을 유발할 수 있다.In addition, when the supercritical fluid flows from the second fluid hole 21 of the lower bezel 20, the temperature is concentrated in the center of the bottom surface of the substrate W, so that the temperature deviation between the center and the periphery of the substrate W and the temperature of the substrate It can cause process non-uniformity by area.

또한, 공정 진행 시 공간부(S)의 소정 영역 예컨대, 기판(W)의 주변부가 위치한 영역에서 와류가 발생할 수 있으며, 이 와류에 의해 파티클이 기판(W)에 재흡착됨으로써 공정 불량을 유발할 수 있다.In addition, during the process, a vortex may be generated in a predetermined region of the space S, for example, in a region where the periphery of the substrate W is located, and by this vortex, particles are re-adsorbed to the substrate W, thereby causing process defects. there is.

또한, 하부 베젤(20)의 제2유체홀(21)을 통해 초임계 유체가 배출되는 경우, 기판(W)의 하부 공간에서도 와류가 발생할 수 있으며, 이로 인해 원활한 유체 흐름이 이루어지지 않을 수 있다.In addition, when the supercritical fluid is discharged through the second fluid hole 21 of the lower bezel 20, a vortex may occur in the lower space of the substrate W, and thus a smooth fluid flow may not be achieved. .

한국공개특허 10-2009-0016974Korean Patent Laid-Open Patent 10-2009-0016974

본 발명은 초임계 유체의 유동을 고려하여 베젤의 내부 구조를 설계함으로써 초임계 유체의 공급 또는 배출이 안정적으로 이루어지도록 한 초임계 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a supercritical treatment device in which the supply or discharge of the supercritical fluid is stably made by designing the internal structure of the bezel in consideration of the flow of the supercritical fluid.

또한, 본 발명은 공정 진행 시 베젤 내부의 파티클이 기판에 재흡착되는 것을 최소화할 수 있도록 한 초임계 처리 장치를 제공한다.In addition, the present invention provides a supercritical processing apparatus capable of minimizing the re-adsorption of particles inside the bezel to the substrate during the process.

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description.

본 발명의 실시예에 의한 초임계 처리 장치는, 제1 유체홀이 형성된 제1 베젤, 제2 유체홀이 형성되고 상기 제1 베젤과 대향 배치되는 제2 베젤을 포함하는 베젤; 상기 제1 베젤과 제2 베젤 사이에 구비되어 기판이 배치되는 공간부;를 포함하며, 상기 제1 베젤에는 상기 제1 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 상기 제2 베젤에 가까와지는 방향으로 경사지게 형성되는 제1 안내부가 구비되고, 상기 제1 베젤과 제2 베젤의 사이의 위치되어 제1 베젤과 제2 베젤의 사이를 실링하는 실링부재를 더 포함하며, 상기 제1 유체홀 및 제2 유체홀은 상기 공간부로 초임계 유체를 공급하거나 배출하기 위해 제공될 수 있다.A supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a bezel including a first bezel having a first fluid hole and a second bezel having a second fluid hole and disposed opposite to the first bezel; a space portion provided between the first bezel and the second bezel and in which the substrate is disposed, wherein the first bezel is formed to be inclined in a direction from the first fluid hole toward the periphery toward the second bezel. A first guide part is provided, the sealing member is positioned between the first bezel and the second bezel to seal between the first and second bezels, wherein the first fluid hole and the second fluid hole are located between the first and second bezels. It may be provided for supplying or discharging the supercritical fluid to the space portion.

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 안내부는, 상기 제1 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 경사가 완만해지는 만곡면으로 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first guide portion may be formed as a curved surface whose inclination becomes gentler from the first fluid hole toward the periphery.

본 발명의 실시예에서, 상기 기판의 중심부에서 주변부 측으로 갈수록 상기 제1 베젤과 상기 기판 사이의 폭이 점차 감소할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the width between the first bezel and the substrate may gradually decrease from the central portion of the substrate to the peripheral portion.

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 안내부는, 상기 제1 유체홀로 공급되어 상기 제1 베젤과 상기 기판 사이 공간을 따라 유동하는 초임계 유체의 유동 속도가 상기 기판의 중심부와 주변부에서 동일하도록 제공될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first guide part is provided such that the flow velocity of the supercritical fluid supplied to the first fluid hole and flowing along the space between the first bezel and the substrate is the same at the center and the periphery of the substrate can be

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 베젤의 제2 베젤과 대향하는 면에는, 상기 공간부에 배치되는 기판의 에지부보다 외측으로 오목하게 파인 형상의 제1 단차부가 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, on a surface of the first bezel opposite to the second bezel, a first step portion having a concave shape concave outward than an edge portion of the substrate disposed in the space may be provided.

본 발명의 실시예에서, 상기 제2 베젤에는 상기 제2 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 상기 제1 베젤에 가까와지는 방향으로 경사지게 형성된 제2 안내부가 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second bezel may include a second guide part inclined in a direction closer to the first bezel from the second fluid hole to the peripheral side.

본 발명의 실시예에서, 상기 제2 베젤의 제1 베젤과 대향하는 면에는, 상기 제1 베젤 방향으로 돌출되는 제2 단차부가 구비될 수 있고, 상기 실링부재는 상기 제2 단차부에 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a second step portion protruding in the direction of the first bezel may be provided on a surface of the second bezel opposite to the first bezel, and the sealing member may be provided on the second step portion. can

본 발명의 실시예에서, 상기 제1 베젤의 제2 베젤과 대향하는 면에 구비되어 상기 공간부에 배치되는 기판의 에지부보다 외측으로 오목하게 파인 형상의 제1 단차부; 및 상기 제2 베젤의 제1 베젤과 대향하는 면에 구비되어 상기 제1 베젤 방향으로 돌출되는 제2 단차부;를 포함하고, 상기 제2 단차부는 상기 제1 단차부보다 기판에서 먼 방향에 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, a first step portion provided on a surface opposite to the second bezel of the first bezel and having a concave shape outward than an edge portion of a substrate disposed in the space portion; and a second step portion provided on a surface of the second bezel opposite to the first bezel and protruding in the direction of the first bezel, wherein the second step portion is provided in a direction farther from the substrate than the first step portion can be

본 발명의 실시예에 따르면, 초임계 유체의 입출구 부분으로부터 반경 방향으로 유로의 폭이 변화하도록 구성함으로써, 급격한 압력 및 온도 변화에 대한 기판 중심부의 패턴 리닝(Leaning)과 같은 데미지를 감소시키고, 기판의 상부 영역에서 반응 균일도를 증가시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, by configuring the width of the flow path to change in the radial direction from the inlet and outlet portions of the supercritical fluid, damage such as pattern leaning of the center of the substrate against sudden pressure and temperature changes is reduced, and the substrate It is possible to increase the reaction uniformity in the upper region of

또한, 상부 베젤의 저면에 기판의 외측으로 단차부를 형성함으로써 기판의 주변부 측에서 발생하는 와류에 의해 파티클(Particle)이 기판에 재흡착되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by forming a stepped portion on the lower surface of the upper bezel to the outside of the substrate, it is possible to prevent particles from being re-adsorbed to the substrate by eddy currents generated from the peripheral side of the substrate.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 종래 기술에 의한 초임계 처리 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 초임계 처리 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 상부 베젤과 기판 사이의 유로를 구체적으로 도시한 상세도이다.
도 4는 도 3에 대한 비교예를 도시한 도면이다.
도 5는 도 2의 상부 베젤의 단차부를 구체적으로 도시한 상세도이다.
도 6은 도 5에 대한 비교예를 도시한 도면이다.
도 7은 도 2의 하부 베젤로 유체가 유입되는 경우의 유로를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 도 2의 하부 베젤로 유체가 배출되는 경우의 유로를 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a supercritical processing apparatus according to the prior art.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a detailed view specifically illustrating a flow path between the upper bezel and the substrate of FIG. 2 .
FIG. 4 is a view showing a comparative example with respect to FIG. 3 .
5 is a detailed view specifically illustrating a step portion of the upper bezel of FIG. 2 .
6 is a view showing a comparative example with respect to FIG.
FIG. 7 is a view for explaining a flow path when a fluid flows into the lower bezel of FIG. 2 .
FIG. 8 is a view for explaining a flow path when the fluid is discharged to the lower bezel of FIG. 2 .

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 본 발명의 본질과 관계없는 부분은 그에 대한 상세한 설명을 생략할 수 있으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여할 수 있다.In order to clearly describe the present invention, the detailed description thereof may be omitted for parts not related to the essence of the present invention, and the same reference numerals may be assigned to the same or similar elements throughout the specification.

또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated. The terminology used herein is for the purpose of referring to specific embodiments only, and is not intended to limit the present invention, and unless otherwise defined herein, it is understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. can be interpreted as a concept.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 초임계 처리 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating a supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참고하면, 일 실시예에 의한 초임계 처리 장치는 기판(W)을 수용하는 베젤(100)을 포함한다.Referring to FIG. 2 , the supercritical processing apparatus according to an exemplary embodiment includes a bezel 100 accommodating a substrate W .

베젤(100)은 상부 베젤(110) 및 하부 베젤(120)을 포함하며, 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이에는 소정의 공간부(S)가 형성된다. 기판(W)은 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이의 공간부(S)에 위치된다.The bezel 100 includes an upper bezel 110 and a lower bezel 120 , and a predetermined space S is formed between the upper bezel 110 and the lower bezel 120 . The substrate W is positioned in the space S between the upper bezel 110 and the lower bezel 120 .

상부 베젤(110)의 중앙에는 수직 방향으로 제1유체홀(111)이 형성되며, 상부 베젤(110)의 하부에는 반경 방향으로 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제1안내부(112)가 구비된다.A first fluid hole 111 is formed in the center of the upper bezel 110 in a vertical direction, and a first guide part 112 is provided at a lower portion of the upper bezel 110 to guide the flow of the supercritical fluid in a radial direction. do.

제1유체홀(111)은 초임계 유체가 베젤(100) 내부로 유입되는 입구일 수 있다. 초임계 유체는 제1유체홀(111)을 통해 베젤(100) 내부로 유입되어 패턴이 형성된 기판(W)의 상면에 제공될 수 있다.The first fluid hole 111 may be an inlet through which the supercritical fluid flows into the bezel 100 . The supercritical fluid may be introduced into the bezel 100 through the first fluid hole 111 and be provided on the upper surface of the substrate W on which the pattern is formed.

상부 베젤(110)의 저면에는 공간부(S)에 배치되는 기판(W)의 에지부보다 외측으로 오목하게 파인 형상의 제1단차부(113)를 구비한다. 제1단차부(113)는 기판(W)의 주변부 영역에서 발생하는 와류에 의해 파티클이 기판(W) 측으로 재흡착되는 것을 최소화해 준다.The lower surface of the upper bezel 110 is provided with a first step portion 113 having a concave shape to the outside than the edge portion of the substrate W disposed in the space portion (S). The first step portion 113 minimizes re-adsorption of particles to the substrate W side by the eddy current generated in the peripheral region of the substrate W.

하부 베젤(120)의 중앙에는 수직 방향으로 제2유체홀(121)이 형성되며, 하부 베젤(120)의 상부에는 반경 방향으로 유체의 흐름을 안내하도록 제2안내부(122)가 구비된다.A second fluid hole 121 is formed in the center of the lower bezel 120 in a vertical direction, and a second guide part 122 is provided at an upper portion of the lower bezel 120 to guide the flow of the fluid in a radial direction.

제2유체홀(121)은 제1유체홀(111)과 함께 초임계 유체가 베젤(100) 내부로 유입되는 입구일 수도 있고, 또는 초임계 유체를 베젤(100) 외부로 배출하는 출구일 수도 있다. 초임계 유체는 제2유체홀(121)을 통해 베젤(100) 내부로 유입되어 기판(W)의 저면 주변부 측으로 이동하고, 제2유체홀(121)을 통해 베젤(100) 외부로 배출될 수 있다.The second fluid hole 121 may be an inlet through which the supercritical fluid flows into the bezel 100 together with the first fluid hole 111 , or may be an outlet for discharging the supercritical fluid to the outside of the bezel 100 . there is. The supercritical fluid flows into the bezel 100 through the second fluid hole 121, moves toward the peripheral portion of the bottom surface of the substrate W, and can be discharged to the outside of the bezel 100 through the second fluid hole 121. there is.

한편, 일 실시예에서는 제2유체홀(121)이 입구와 출구의 역할을 같이 수행하고 있으나, 제2유체홀(121)은 출구의 역할 만을 수행할 수도 있다. 또는 하부 베젤(120)에 입구와 출구가 각각 형성될 수도 있다.Meanwhile, in an embodiment, the second fluid hole 121 serves as an inlet and an outlet. However, the second fluid hole 121 may only serve as an outlet. Alternatively, an inlet and an outlet may be respectively formed in the lower bezel 120 .

상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이의 공간부(S)에는 가이드부재가 배치될 수 있다. 가이드부재는 기판을 지지하는 역할을 수행할 수도 있고, 공간부의 부피를 감소시켜 케미컬의 사용량을 절감시킬 수도 있다.A guide member may be disposed in the space S between the upper bezel 110 and the lower bezel 120 . The guide member may serve to support the substrate, and may reduce the volume of the space portion, thereby reducing the amount of chemicals used.

하부 베젤(120)의 테두리 측에는 상측으로 돌출된 제2단차부(123)가 구비된다. 제2단차부(123) 상에는 실링부재(140)가 배치된다. 즉, 실링부재(140)는 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120) 사이에 개재되어 공정 진행 시 베젤(100) 내부를 밀봉한다. 실링부재(140)는 실링 가이드(141)에 의해 하부 베젤(120)의 제2단차부(123) 상에 안정적으로 배치될 수 있다. 제2 단차부(123)는 제1 단차부(113)보다 기판(W)에서 먼 방향에 구비될 수 있다.A second step portion 123 protruding upward is provided on the edge of the lower bezel 120 . A sealing member 140 is disposed on the second step portion 123 . That is, the sealing member 140 is interposed between the upper bezel 110 and the lower bezel 120 to seal the inside of the bezel 100 during the process. The sealing member 140 may be stably disposed on the second step portion 123 of the lower bezel 120 by the sealing guide 141 . The second stepped portion 123 may be provided in a direction farther from the substrate W than the first stepped portion 113 .

본 발명의 일 실시예에 의한 초임계 처리 장치를 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.A supercritical processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in more detail as follows.

도 3을 참고하면, 일 실시예에서는 상부 베젤(110)의 하부에 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제1안내부(112)가 구비된다.Referring to FIG. 3 , in one embodiment, a first guide part 112 is provided under the upper bezel 110 to guide the flow of the supercritical fluid.

제1안내부(112)는 상부 베젤(110)의 저면 중앙 예컨대, 제1유체홀(111)의 하단으로부터 상부 베젤(110)의 저면 외측으로 갈수록 하향 경사지게 형성될 수 있다. 제1안내부(112)는 소정 곡률을 갖는 곡면으로 형성되거나 또는 불연속 경사면으로 형성될 수 있다.The first guide part 112 may be formed to be inclined downward from the center of the bottom surface of the upper bezel 110 , for example, from the lower end of the first fluid hole 111 to the outside of the bottom surface of the upper bezel 110 . The first guide 112 may be formed as a curved surface having a predetermined curvature or may be formed as a discontinuous inclined surface.

즉, 기판(W)과 상부 베젤(110)의 저면 사이의 공간부(S)에는 제1유체홀(111)로부터 유입된 유체가 유동하도록 유로가 형성되며, 유체의 유동속도가 기판(W)의 중심부와 주변부에서 동등한 수준이 되도록 기판(W)과 상부 베젤(110)의 저면 사이의 유로의 폭이 변화되도록 한 것이다. 구체적으로, 상부 베젤(110)의 제1안내부(112)는 기판(W)의 중심부에서 주변부 측으로 갈수록 유로의 폭이 점차 감소되도록 하향 경사지게 형성된다.That is, a flow path is formed in the space S between the substrate W and the bottom surface of the upper bezel 110 so that the fluid introduced from the first fluid hole 111 flows, and the flow rate of the fluid is determined by the substrate W. The width of the flow path between the substrate W and the bottom surface of the upper bezel 110 is changed to be at the same level at the center and the periphery of the . Specifically, the first guide portion 112 of the upper bezel 110 is formed to be inclined downwardly so that the width of the flow path gradually decreases from the center of the substrate W to the peripheral portion.

이에 따라, 급격한 압력 및 온도 변화가 발생하는 공정에서 기판(W)의 중심부가 받는 영향을 감소시킬 수 있고, 기판(W)의 상부 영역에서 유체의 유동 균일도가 높아지므로 유체의 혼합 및 반응 균일도도 증가하게 된다.Accordingly, it is possible to reduce the influence of the central portion of the substrate W in a process in which rapid pressure and temperature changes occur, and the fluid flow uniformity in the upper region of the substrate W is increased, so that the fluid mixing and reaction uniformity will increase

예컨대, 도 4와 같이 제1유체홀(11)이 일정한 직경으로 수직 형성되고, 상부 베젤(10)의 저면과 기판(W) 사이의 폭이 일정하게 형성될 경우, 기판 크기에 비하여 좁은 입구 형태로 인해 기판(W)의 중심부에는 급격한 압력 및 온도 변화가 발생하게 되고, 이에 따라 기판(W)의 중심부에 형성된 패턴에는 리닝(leaning)과 같은 데미지가 발생할 수 있다.For example, as shown in FIG. 4 , when the first fluid hole 11 is vertically formed with a constant diameter and the width between the bottom surface of the upper bezel 10 and the substrate W is formed uniformly, the entrance is narrow compared to the size of the substrate. Due to this, a sudden change in pressure and temperature occurs in the center of the substrate W, and accordingly, damage such as leaning may occur in the pattern formed in the center of the substrate W.

또한, 상부 베젤(10)의 저면과 기판(W) 사이의 유로의 폭이 일정하게 형성될 경우, 제1유체홀(11)이 대응 위치된 기판(W)의 중심부의 유체 속도는 기판(W)의 주변부의 유체 속도보다 빠르다. 즉, 유체의 유로의 폭이 일정할 경우 기판(W)의 중심부와 주변부 간의 유체 속도 차이가 크게 발생하여 기판(W)의 중심부와 주변부 간의 온도 편차가 크게 발생하고, 이에 따라 반응 균일도가 상대적으로 낮아지게 된다.In addition, when the width of the flow path between the bottom surface of the upper bezel 10 and the substrate W is uniformly formed, the fluid velocity at the center of the substrate W where the first fluid hole 11 is located is the same as the substrate W ) is faster than the velocity of the surrounding fluid. That is, when the width of the flow path of the fluid is constant, the fluid velocity difference between the center and the periphery of the substrate W is large, so that the temperature deviation between the center and the periphery of the substrate W is large, and accordingly, the reaction uniformity is relatively will be lowered

도 5를 참고하면, 일 실시예에서는 상부 베젤(110)의 저면, 즉 하부 베젤(120)에 대향하는 면에는 상측으로 오목하게 파인 형상의 제1 단차부(113)가 형성된다.Referring to FIG. 5 , in an exemplary embodiment, a first step portion 113 concavely recessed upward is formed on the bottom surface of the upper bezel 110 , that is, on the surface opposite to the lower bezel 120 .

예컨대, 상부 베젤(110)의 저면에 제1단차부(113)가 없을 경우 기판(W)의 주변에 와류(T)가 발생하게 되고, 와류에 의해 파티클이 기판(W) 측으로 재흡착될 수 있다.For example, if there is no first step 113 on the bottom surface of the upper bezel 110, a vortex T is generated around the substrate W, and the particles can be re-adsorbed to the substrate W side by the vortex. there is.

이에 따라, 상부 베젤(110)의 저면에 제1단차부(113)를 형성함으로써 기판(W)의 주변에 와류(T)가 발생하더라도 기판(W) 측으로 파티클이 재흡착되는 것을 감소시킬 수 있다.Accordingly, by forming the first step portion 113 on the bottom surface of the upper bezel 110, even if a vortex T occurs around the substrate W, it is possible to reduce the re-adsorption of particles to the substrate W side. .

이때, 제1단차부(113)는 기판(W)의 에지부보다 외측에 구비될 수 있다. 즉, 기판(W)의 에지부 위치보다 d1의 길이만큼 더 외측에 구비될 수 있다.In this case, the first step portion 113 may be provided outside the edge portion of the substrate (W). That is, it may be provided on the outer side by the length of d1 than the position of the edge portion of the substrate (W).

예컨대, 도 6과 같이 상부 베젤(10)의 저면에 제1단차부(12)가 형성되더라도 제1단차부(12)가 기판(W)의 에지부 위치보다 d2의 길이만큼 내측(기판 중심 방향)에 형성될 경우 기판(W)의 주변에 발생한 와류(T)는 제1단차부(12)에 간섭되지 않을 수 있으며, 이로 인해 파티클이 기판(W)의 주변부에 재흡착될 수 있기 때문이다.For example, even if the first step portion 12 is formed on the bottom surface of the upper bezel 10 as shown in FIG. 6 , the first step portion 12 is positioned inside by a length d2 than the edge portion of the substrate W (in the direction of the center of the substrate). ), the eddy current T generated in the periphery of the substrate W may not interfere with the first stepped portion 12, and this is because the particles may be re-adsorbed to the periphery of the substrate W. .

따라서, 일 실시예에서와 같이 제1단차부(113)를 기판(W)의 에지부보다 외측으로 오목하게 파인 형상으로 형성함으로써 기판(W)의 주변에 와류(T)가 발생하더라도 와류(T)는 기판 외측의 제1단차부(113)에 의해 간섭됨으로써 기판(W)에 가해지는 영향을 감소시킬 수 있고, 이에 따라 기판(W) 주변의 파티클이 와류에 의해 기판(W) 측으로 재흡착되는 것을 최소화할 수 있다.Therefore, even if the vortex (T) occurs around the substrate (W) by forming the first step portion 113 in a concave shape to the outside than the edge portion of the substrate (W) as in one embodiment (T) ) can reduce the influence applied to the substrate W by being interfered with by the first step 113 on the outside of the substrate, and accordingly, particles around the substrate W are re-adsorbed toward the substrate W by the vortex. can be minimized.

도 7을 참고하면, 일 실시예에서는 상부 베젤(110)과 하부 베젤(120)의 사이에 기판(W)을 수용할 수 있는 공간부(S)가 마련된다.Referring to FIG. 7 , in an embodiment, a space S for accommodating the substrate W is provided between the upper bezel 110 and the lower bezel 120 .

하부 베젤(120)은 초임계 유체의 흐름을 안내하도록 제2안내부(122)를 구비할 수 있다. 제2안내부(122)는 제2유체홀(121)의 하단으로부터 하부 베젤(120)의 상면 일부 구간까지 상향 경사지게 형성될 수 있다.The lower bezel 120 may include a second guide 122 to guide the flow of the supercritical fluid. The second guide part 122 may be formed to be inclined upward from the lower end of the second fluid hole 121 to a portion of the upper surface of the lower bezel 120 .

따라서, 제2유체홀(121)로 유입된 초임계 유체는 하부 베젤(120)의 제2안내부(122)와 기판(W) 사이의 유로를 통해 기판(W)의 주변부 측으로 안내될 수 있다.Accordingly, the supercritical fluid introduced into the second fluid hole 121 may be guided toward the peripheral portion of the substrate W through the flow path between the second guide 122 of the lower bezel 120 and the substrate W. .

이에 따라, 공정 진행 시 유체의 흐름을 원활하게 안내함으로써 기판(W)의 급격한 온도 변화를 방지할 수 있으며, 기판(W)의 중심부와 주변부 간의 온도 편차를 최소화할 수 있다.Accordingly, a sudden temperature change of the substrate W can be prevented by smoothly guiding the flow of the fluid during the process, and the temperature deviation between the center and the periphery of the substrate W can be minimized.

한편, 도 8과 같이 하부 베젤(120)의 제2유체홀(121)이 출구의 역할을 수행할 경우, 베젤 내부의 유체 및 이물질 등은 소정 각도로 일정 간격을 유지하는 하부 베젤(120)의 제2안내부(122)와 기판(W) 사이의 유로에 의해 안내된 후 제2유체홀(121)을 통해 안정적으로 배출될 수 있다.On the other hand, when the second fluid hole 121 of the lower bezel 120 serves as an outlet, as shown in FIG. 8 , the fluid and foreign substances inside the bezel are kept at regular intervals at a predetermined angle. After being guided by the flow path between the second guide part 122 and the substrate W, the fluid may be stably discharged through the second fluid hole 121 .

본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.Those skilled in the art to which the present invention pertains should understand that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof, so the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. only do

본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention. .

100; 베젤 110; 상부 베젤
111; 제1유체홀 112; 제1안내부
113; 제1단차부 120; 하부 베젤
121; 제2유체홀 122; 제2안내부
123; 제2단차부 140; 실링부재
141; 실링 가이드100; bezel 110; upper bezel
111; a first fluid hole 112; 1st information department
113; first step part 120; lower bezel
121; a second fluid hole 122; 2nd information department
123; second step 140; sealing member
141; sealing guide

Claims (9)

제1 유체홀이 형성된 제1 베젤, 제2 유체홀이 형성되고 상기 제1 베젤과 대향 배치되는 제2 베젤을 포함하는 베젤;
상기 제1 베젤과 제2 베젤 사이에 구비되어 기판이 배치되는 공간부;를 포함하며,
상기 제1 베젤에는 상기 제1 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 상기 제2 베젤에 가까와지는 방향으로 경사지게 형성되는 제1 안내부가 구비되고,
상기 제1 베젤과 제2 베젤의 사이의 위치되어 제1 베젤과 제2 베젤의 사이를 실링하는 실링부재를 더 포함하며,
상기 제1 유체홀 및 제2 유체홀은 상기 공간부로 초임계 유체를 공급하거나 배출하기 위해 제공되고,
상기 제1 베젤의 제2 베젤과 대향하는 면에는, 상기 공간부에 배치되는 기판의 에지부보다 외측으로 오목하게 파인 형상의 제1 단차부가 구비되는 초임계 처리 장치.
a bezel including a first bezel having a first fluid hole, a second bezel having a second fluid hole and disposed opposite to the first bezel;
and a space portion provided between the first bezel and the second bezel in which the substrate is disposed;
The first bezel is provided with a first guide portion formed to be inclined in a direction closer to the second bezel from the first fluid hole toward the periphery;
Further comprising a sealing member positioned between the first bezel and the second bezel to seal the space between the first and second bezels,
The first fluid hole and the second fluid hole are provided for supplying or discharging the supercritical fluid to the space,
A surface of the first bezel opposite to the second bezel is provided with a first step portion concave outwardly than an edge portion of the substrate disposed in the space portion.
 제1항에 있어서,
상기 제1 안내부는,
상기 제1 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 경사가 완만해지는 만곡면으로 형성되는 초임계 처리 장치.
According to claim 1,
The first guide unit,
A supercritical treatment device formed as a curved surface whose inclination becomes gentler from the first fluid hole toward the periphery.
 제1항에 있어서,
상기 기판의 중심부에서 주변부 측으로 갈수록 상기 제1 베젤과 상기 기판 사이의 폭이 점차 감소하는 초임계 처리 장치.
According to claim 1,
A supercritical processing apparatus in which a width between the first bezel and the substrate gradually decreases from a central portion of the substrate to a peripheral portion thereof.
 제1항에 있어서,
상기 제1 안내부는,
상기 제1 유체홀로 공급되어 상기 제1 베젤과 상기 기판 사이 공간을 따라 유동하는 초임계 유체의 유동 속도가 상기 기판의 중심부와 주변부에서 동일하도록 제공되는 초임계 처리 장치.
According to claim 1,
The first guide unit,
The supercritical processing apparatus is provided such that the flow velocity of the supercritical fluid supplied to the first fluid hole and flowing along the space between the first bezel and the substrate is the same at the center and the periphery of the substrate.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 베젤에는 상기 제2 유체홀로부터 주변 측으로 갈수록 상기 제1 베젤에 가까와지는 방향으로 경사지게 형성된 제2 안내부가 구비되는 초임계 처리 장치.
According to claim 1,
The second bezel is provided with a second guide portion inclined in a direction closer to the first bezel from the second fluid hole to a peripheral side.
 제1항에 있어서,
상기 제2 베젤의 제1 베젤과 대향하는 면에는, 상기 제1 베젤 방향으로 돌출되는 제2 단차부가 구비되는 초임계 처리 장치.
According to claim 1,
A second step portion protruding in the direction of the first bezel is provided on a surface of the second bezel opposite to the first bezel.
 제7항에 있어서,
상기 실링부재는 상기 제2 단차부에 구비되는 초임계 처리 장치.
8. The method of claim 7,
The sealing member is a supercritical processing device provided in the second step portion.
 제7항에 있어서,
상기 제2 단차부는 상기 제1 단차부보다 기판에서 먼 방향에 구비되는 초임계 처리 장치.
8. The method of claim 7,
The second step portion is provided in a direction further from the substrate than the first step portion supercritical processing apparatus.
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