KR102241267B1 - Developing method, developing apparatus and storage medium - Google Patents

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KR102241267B1
KR102241267B1 KR1020150126339A KR20150126339A KR102241267B1 KR 102241267 B1 KR102241267 B1 KR 102241267B1 KR 1020150126339 A KR1020150126339 A KR 1020150126339A KR 20150126339 A KR20150126339 A KR 20150126339A KR 102241267 B1 KR102241267 B1 KR 102241267B1
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다케시 시모아오키
고오스케 요시하라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 노광 후의 기판에 현상 처리를 행하는 데 있어서, 기판의 면내에 있어서의 레지스트 패턴의 선 폭의 균일성을 높게 하는 것이다. 현상액의 토출구와 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐을 사용하고, 상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 공정과, 계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 공정과, 그와 같이 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정을 포함하도록 현상 처리를 행한다. An object of the present invention is to increase the uniformity of the line width of a resist pattern in the surface of the substrate in performing development treatment on a substrate after exposure. Using a developer nozzle having a developer discharge port and a contact part formed smaller than the surface of the substrate, and facing the contact part to the surface of the substrate at the center of the substrate, and then from the discharge port of the developer nozzle to the surface of the substrate. The step of forming a liquid reservoir by discharging the developer and causing the developer to protrude outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion; and the step of maintaining the protruding state of the developer solution to the rotating substrate. A developing process is performed to include a step of discharging the developer from the discharge port while moving the developer nozzle from the central portion of the substrate to the peripheral portion of the substrate to expand the liquid reservoir to the entire surface of the substrate.

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Figure 112015086793913-pat00009

Description

현상 방법, 현상 장치 및 기억 매체 {DEVELOPING METHOD, DEVELOPING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}Development method, developing apparatus, and storage medium {DEVELOPING METHOD, DEVELOPING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 노광 후의 기판에 대해 현상액을 공급해서 현상하는 현상 방법, 현상 장치 및 상기 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체에 관한 것이다. The present invention relates to a developing method for developing by supplying a developer to a substrate after exposure, a developing apparatus, and a storage medium in which a computer program used in the developing apparatus is stored.

반도체 장치의 제조에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 레지스트막이 형성되고, 소정의 패턴을 따라서 노광된 기판인 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 기재함)에 대해 현상액이 공급되어, 레지스트 패턴이 형성된다. 예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 웨이퍼를 회전시키면서 노즐로부터 현상액을 공급하고, 현상액이 공급되는 위치를 웨이퍼의 반경 위로 이동시킴으로써 현상 처리가 행해지고 있다. 이 방법에서는 현상액의 공급 위치의 이동과 원심력의 작용에 의해, 기판에 현상액의 액막이 형성되고, 당해 액막을 구성하는 현상액이 유동한다. In a photolithography process in manufacturing a semiconductor device, a resist film is formed, and a developer is supplied to a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate exposed along a predetermined pattern, to form a resist pattern. For example, as described in Patent Literature 1, a developer is supplied from a nozzle while rotating the wafer, and a developing process is performed by moving the position where the developer is supplied above the radius of the wafer. In this method, by the movement of the supply position of the developer and the action of the centrifugal force, a liquid film of the developer is formed on the substrate, and the developer constituting the liquid film flows.

웨이퍼에 공급된 현상액은 원심력에 의해 넓어지면서 레지스트막 표면을 흐르지만, 그렇게 흐르는 동안에 현상액은 레지스트와 반응해서 그 농도가 변화되어 버리므로, 현상액의 액 흐름 방향에 의해, 레지스트막과 현상액의 반응 상태가 다를 우려가 있다. 그 결과적으로, 면내의 1개의 노광 영역(쇼트) 내에 있어서의 패턴의 선 폭인 CD(Critical Dimension)가 변화되고, CD의 균일성(CDU:Critical Dimension Uniformity)이 악화되어 버릴 우려가 있다. The developer supplied to the wafer flows over the surface of the resist film while being widened by the centrifugal force, but during that flow, the developer reacts with the resist and its concentration changes, so the reaction state of the resist film and the developer depending on the direction of the liquid flow of the developer. There is a fear that the difference is different. As a result, there is a fear that the CD (Critical Dimension), which is the line width of the pattern in one exposure area (shot) in the plane, changes, and the CD uniformity (CDU: Critical Dimension Uniformity) may deteriorate.

따라서 웨이퍼를 회전시킨 상태에서, 웨이퍼에 형성된 현상액의 액 고임부에 접촉하는 접촉부를 포함하는 현상액 노즐을, 당해 웨이퍼의 중앙부 상으로부터 주연부 상을 향해 이동시킴으로써, 웨이퍼의 표면에 액 고임부를 넓히는 방법을 사용하는 것이 검토되고 있다. 이 방법에 의하면, 웨이퍼의 회전과 접촉부의 이동에 의해 현상액이 유동하여, 교반된 상태로 넓어진다. 이로 인해 웨이퍼의 표면 상의 현상액의 농도의 균일성이 높아져, 결과적으로 CD의 균일성을 개선할 수 있다. Therefore, while the wafer is rotated, a developer nozzle including a contact portion contacting the liquid reservoir of the developer formed on the wafer is moved from the central portion of the wafer toward the peripheral portion, thereby expanding the liquid reservoir on the surface of the wafer. The use of is being considered. According to this method, the developing solution flows due to the rotation of the wafer and the movement of the contact portion, and spreads in an agitated state. This increases the uniformity of the concentration of the developer on the surface of the wafer, and consequently improves the uniformity of the CD.

그러나, 이 방법을 사용해도 CD에 대해 다른 영역과 비교해서 크기가 다른 영역(편의상, CD 변이 영역이라고 기재함)이, 웨이퍼의 표면에 소용돌이 형상으로 형성되는 경우가 있는 것이 확인되었다. 상기 소용돌이 형상의 CD 변이 영역은, 현상액 노즐의 웨이퍼 표면에 있어서의 이동의 궤적을 따라서 형성되어 있고, 당해 현상액 노즐의 이동에 기인하는 것으로 생각할 수 있고, 이와 같은 CD의 편차에 대해서도 개선하는 것이 검토되고 있다. 특허문헌 2에는, 기판의 중앙부 상에 배치한 노즐의 하단부를, 당해 노즐로부터 공급한 처리액에 접촉시키고, 기판을 회전시켜 당해 기판에 액막을 형성하는 기술에 대해 기재되어 있지만, 상기의 문제를 해결할 수 있는 것은 아니다. However, even when this method was used, it was confirmed that a region (for convenience, referred to as a CD transition region) having a different size compared to other regions for CD may be formed in a spiral shape on the surface of the wafer. The vortex-shaped CD shift region is formed along the trajectory of the movement of the developer nozzle on the wafer surface, and can be considered to be due to the movement of the developer nozzle, and it is considered to improve such CD deviation as well. Has become. Patent Document 2 describes a technique of forming a liquid film on the substrate by bringing the lower end of the nozzle disposed on the central portion of the substrate into contact with the processing liquid supplied from the nozzle and rotating the substrate. It is not something that can be solved.

일본 특허 제4893799호 공보Japanese Patent No. 4893799 일본 특허 공개 제2012-74589호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2012-74589

본 발명은, 이와 같은 사정에 있어서 이루어진 것이며, 그 목적은, 노광 후의 기판에 현상 처리를 행하는 데 있어서, 기판의 면내에 있어서의 레지스트 패턴의 선 폭의 균일성을 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다. The present invention has been made in such circumstances, and its object is to provide a technique capable of increasing the uniformity of the line width of a resist pattern in the surface of the substrate in developing a substrate after exposure. Have.

본 발명의 현상 방법은, 노광 후의 기판을 회전 가능한 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과, The developing method of the present invention includes a step of horizontally holding a substrate after exposure to a rotatable substrate holding portion, and

계속해서, 현상액의 토출구와 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐을 사용하고, 상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 공정과, Subsequently, a step of using a developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate, and opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate;

계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 공정과,Subsequently, a step of forming a liquid reservoir by discharging a developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle and causing the developer to protrude outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion; and

상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. Maintaining a state in which the developer protrudes outward than the outer edge of the contact portion, and discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, the developer nozzle is moved from the central portion of the substrate to the peripheral portion of the substrate. It characterized in that it includes a step of expanding to the surface.

본 발명의 현상 장치는, 노광 후의 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, The developing apparatus of the present invention includes a substrate holding portion for horizontally holding a substrate after exposure,

상기 기판 보유 지지부를 회전시키는 회전 기구와, A rotation mechanism that rotates the substrate holding portion,

현상액의 토출구와, 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐과, A developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate;

상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판 상을, 당해 기판의 중앙부로부터 주연부를 향해 상기 현상액 노즐을 이동시키는 이동 기구와, A moving mechanism for moving the developer nozzle on the substrate held by the substrate holding portion from the central portion of the substrate toward the peripheral portion;

상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 스텝과, 계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 스텝과, 상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부 The step of opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate, and then discharging the developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle so that the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion And forming a liquid reservoir; maintaining a state in which the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion, discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, and moving the developer nozzle from the center portion of the substrate to the peripheral portion. A control unit that outputs a control signal to execute a step of moving and extending the liquid reservoir to the entire surface of the substrate

를 구비하는 것을 특징으로 한다. It characterized in that it comprises a.

본 발명의 기억 매체는, 노광 후의 기판을 현상하는 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며, The storage medium of the present invention is a storage medium in which a computer program used in a developing apparatus for developing a substrate after exposure is stored,

상기 컴퓨터 프로그램은, 상기의 현상 방법을 실시하는 것을 특징으로 한다. The computer program is characterized by implementing the above developing method.

본 발명에 따르면, 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성한다. 그리고, 그와 같이 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서, 상기 현상액 노즐을 기판의 주연부를 향해 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면에 넓힌다. 이에 의해, 현상액 노즐의 진행 방향에 대해, 접촉부의 테두리에서의 현상의 진행도의 차를 완화시킬 수 있음과 함께, 액 고임부가 기판의 주위 방향으로 불균일하게 넓어지는 것을 억제할 수 있으므로, 기판의 면내에 있어서 현상 처리를 균일성 높게 행하여, 레지스트 패턴의 선 폭의 균일성을 높게 할 수 있다.According to the present invention, the developer is discharged from the discharge port of the developer nozzle onto the surface of the substrate, and the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion to form a liquid reservoir. Then, while maintaining the protruding state of the developer as described above, while discharging the developer from the discharge port to the rotating substrate, the developer nozzle is moved toward the peripheral portion of the substrate to widen the liquid reservoir over the entire surface of the substrate. . As a result, the difference in the degree of progression of the development at the edge of the contact portion can be reduced with respect to the traveling direction of the developer nozzle, and the liquid reservoir can be suppressed from unevenly widening in the peripheral direction of the substrate. The development treatment can be performed with high uniformity in the surface of the resist pattern, so that the uniformity of the line width of the resist pattern can be increased.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 현상 장치의 사시도이다.
도 2는 상기 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 현상 장치에 설치되는 현상액 노즐의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 현상 장치에 있어서의 비교예의 처리의 설명도이다.
도 5는 상기 현상 장치에 있어서의 비교예의 처리의 설명도이다.
도 6은 상기 현상 장치에 있어서의 비교예의 처리의 설명도이다.
도 7은 상기 현상 장치에 있어서의 처리 시의 현상액 노즐의 측면도이다.
도 8은 상기 처리 시에 있어서의 현상액 노즐 및 액 고임부의 측면도이다.
도 9는 상기 처리 시에 있어서의 현상액 노즐 및 액 고임부의 측면도이다.
도 10은 상기 처리 시에 있어서의 웨이퍼의 평면도이다.
도 11은 상기 처리 시에 있어서의 웨이퍼의 평면도이다.
도 12는 상기 처리 시에 있어서의 웨이퍼의 평면도이다.
도 13은 제1 실시 형태에 있어서의 제1 변형예에 관한 노즐의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 14는 제1 실시 형태에 있어서의 제1 변형예에 관한 다른 노즐의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 15는 제2 변형예에 관한 노즐의 하면측 사시도이다.
도 16은 상기 제2 변형예에 관한 노즐을 사용한 처리의 설명도이다.
도 17은 상기 제2 변형예에 관한 노즐을 사용한 처리의 설명도이다.
도 18은 제3 변형예에 관한 노즐을 사용한 처리의 설명도이다.
도 19는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 현상 장치를 구성하는 각 현상액 노즐의 측면도이다.
도 20은 상기 제2 실시 형태에 관한 현상 장치를 구성하는 각 현상액 노즐의 측면도이다.
도 21은 상기 제2 실시 형태에 관한 현상 장치를 구성하는 각 현상액 노즐의 측면도이다.
도 22는 상기 각 현상액 노즐에 의해 처리되는 웨이퍼의 평면도이다.
도 23은 상기 각 현상액 노즐에 의해 처리되는 웨이퍼의 평면도이다.
도 24는 상기 각 현상액 노즐에 의해 처리되는 웨이퍼의 평면도이다.
도 25는 현상액 노즐의 다른 예를 나타내는 종단 측면도이다.
도 26은 현상액 노즐의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 27은 현상액 노즐의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 28은 상기 현상액 노즐의 종단 측면도이다.
도 29는 현상액 노즐의 다른 예를 나타내는 하면도이다. 1 is a perspective view of a developing device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a longitudinal side view of the developing device.
3 is a longitudinal side view of a developer nozzle installed in the developing apparatus.
4 is an explanatory diagram of processing of a comparative example in the above developing apparatus.
5 is an explanatory diagram of a process of a comparative example in the developing apparatus.
6 is an explanatory diagram of processing of a comparative example in the above developing apparatus.
7 is a side view of a developer nozzle during processing in the developing apparatus.
Fig. 8 is a side view of a developer nozzle and a liquid reservoir during the above treatment.
9 is a side view of a developer nozzle and a liquid reservoir during the above treatment.
10 is a plan view of the wafer during the above processing.
11 is a plan view of the wafer during the above processing.
12 is a plan view of the wafer during the above processing.
13 is a plan view showing a configuration of a nozzle according to a first modification example in the first embodiment.
14 is a plan view showing a configuration of another nozzle according to a first modification example in the first embodiment.
15 is a bottom perspective view of a nozzle according to a second modified example.
16 is an explanatory diagram of a process using a nozzle according to the second modified example.
17 is an explanatory diagram of a process using a nozzle according to the second modified example.
18 is an explanatory diagram of a process using a nozzle according to a third modified example.
19 is a side view of each developer nozzle constituting the developing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
Fig. 20 is a side view of each developer nozzle constituting the developing apparatus according to the second embodiment.
Fig. 21 is a side view of each developer nozzle constituting the developing device according to the second embodiment.
22 is a plan view of a wafer processed by each of the developer nozzles.
23 is a plan view of a wafer processed by each of the developer nozzles.
24 is a plan view of a wafer processed by each of the developer nozzles.
Fig. 25 is a longitudinal side view showing another example of a developer nozzle.
26 is a perspective view showing another example of a developer nozzle.
27 is a perspective view showing another example of a developer nozzle.
28 is a longitudinal side view of the developer nozzle.
29 is a bottom view showing another example of a developer nozzle.

(제1 실시 형태) (First embodiment)

본 발명의 제1 실시 형태에 관한 현상 장치(1)에 대해 도 1, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1은 현상 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 사시도이며, 도 2는 현상 장치(1)의 종단 측면도이다. 현상 장치(1)는, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 반송되는 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 장치이며, 상기 웨이퍼(W)의 표면에는, 예를 들어, 네가티브형 레지스트가 도포되어 있고, 소정의 패턴을 따라서 노광되어 있다. 현상 장치(1)는 기판 보유 지지부인 스핀 척(11)과, 액 받이용의 컵체(2)와, 현상액 노즐(3)과, 세정액 노즐(51)을 구비하고 있다. 스핀 척(11)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착하여, 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지하는 것이며, 회전축(12)을 통하여 회전 기구(13)에 의해 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. A developing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a developing device 1, and FIG. 2 is a longitudinal side view of the developing device 1. The developing device 1 is a device that develops a wafer W transferred by a transfer mechanism (not shown), and a negative resist is applied to the surface of the wafer W, and a predetermined It is exposed along the pattern. The developing apparatus 1 includes a spin chuck 11 serving as a substrate holding portion, a cup body 2 for receiving a liquid, a developer nozzle 3, and a cleaning liquid nozzle 51. The spin chuck 11 is configured to hold the wafer W horizontally by adsorbing the central portion of the back surface of the wafer W, and is configured to be rotatable around a vertical axis by a rotation mechanism 13 through a rotation shaft 12 Has been.

상기 컵체(2)는, 스핀 척(11)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치되어 있다. 도 2 중 부호 21은 컵체(2)를 구성하는 상부 컵이며, 대략 원통 형상이며, 상부측이 내측으로 경사져 있다. 상부 컵(21)은 승강 기구(22)에 의해, 스핀 척(11)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행할 때의 수수 위치(도 2 중, 실선으로 나타내는 위치)와, 현상 처리를 행할 때의 처리 위치(도 2 중, 점선으로 나타내는 위치) 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 처리 위치에 있어서의 상부 컵(21)은 웨이퍼(W)의 측 주위를 둘러싸고, 웨이퍼(W)로부터 비산된 현상액 및 세정액을 받아, 후술하는, 상부 컵(21)의 하방에 설치되는 액 받이부(25)에 가이드한다. The cup body 2 is provided so as to surround the wafer W held by the spin chuck 11. In Fig. 2, reference numeral 21 denotes an upper cup constituting the cup body 2, has a substantially cylindrical shape, and the upper side is inclined inward. The upper cup 21 performs a receiving position (a position indicated by a solid line in FIG. 2) and a developing process when the wafer W is transferred between the spin chuck 11 and the spin chuck 11 by the lifting mechanism 22. It is comprised so that it can raise and lower between processing positions (position shown by a dotted line in FIG. 2) at the time of carrying out. The upper cup 21 in the processing position surrounds the side of the wafer W, receives the developer and cleaning liquid scattered from the wafer W, and is a liquid receiving part installed below the upper cup 21 to be described later. Guide to (25).

또한, 컵체(2)는 원형판(23)을 구비하고, 당해 원형판(23)은 스핀 척(11)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 하방측에 설치되어 있다. 이 원형판(23)의 외측에는 종단면 형상이 산(山)형의 가이드 부재(24)가 링 형상으로 형성되어 있다. 상기 가이드 부재(24)는, 웨이퍼(W)로부터 흘러 떨어진 현상액이나 세정액을, 원형판(23)의 외측에 설치되는 액 받이부(25)에 가이드하도록 구성되어 있다. 액 받이부(25)는 환형의 오목부로서 구성되고, 액체 배출관(26)을 통하여 도시하지 않은 폐액부에 접속되어 있다. 도 2 중 부호 14는, 스핀 척(11)과 도시하지 않은 기판 반송 기구 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행하기 위해, 상기 원형판(23)을 관통해서 설치되는 핀이며, 3개(각 도면에서는 편의상, 2개만 표시하고 있음) 설치되어 있다. 핀(14)은 승강 기구(15)에 의해 승강 가능하게 구성된다. Further, the cup body 2 includes a circular plate 23, and the circular plate 23 is provided on the lower side of the wafer W held by the spin chuck 11. On the outside of this circular plate 23, a guide member 24 having a mountain shape in a longitudinal section is formed in a ring shape. The guide member 24 is configured to guide a developer or cleaning liquid that has flowed from the wafer W to the liquid receiving portion 25 provided outside the circular plate 23. The liquid receiving portion 25 is configured as an annular concave portion, and is connected to a waste liquid portion (not shown) through a liquid discharge pipe 26. In Fig. 2, reference numeral 14 denotes a pin provided through the circular plate 23 in order to transfer the wafer W between the spin chuck 11 and a substrate transfer mechanism (not shown), and three (each drawing For convenience, only two are displayed). The pin 14 is configured to be elevating by the elevating mechanism 15.

계속해서 현상액 노즐(3)에 대해, 종단 측면도인 도 3도 참조하여 설명한다. 현상액 노즐(3)은 수직인 원기둥 형상으로 구성되고, 현상액을 토출해서 웨이퍼(W)의 표면에 액 고임부를 형성하기 위한 토출구(31)와, 웨이퍼(W)의 표면보다도 작게 형성되는 원형의 접촉부(32)를 구비하고 있다. 접촉부(32)는 현상액 노즐(3)의 저부를 구성한다. 현상액 노즐(3)은, 그 중심축을 따라서 형성된 유로(33)를 구비하고, 이 유로(33)의 하단부가, 상기 토출구(31)로서 구성되어 있다. 따라서, 당해 토출구(31)는, 상기 접촉부(32)의 중심부에 개구되어 있다. Subsequently, the developer nozzle 3 will be described with reference to Fig. 3 which is a longitudinal side view. The developer nozzle 3 has a vertical cylindrical shape, a discharge port 31 for discharging the developer to form a liquid reservoir on the surface of the wafer W, and a circular shape formed smaller than the surface of the wafer W. A contact part 32 is provided. The contact portion 32 constitutes the bottom portion of the developer nozzle 3. The developer nozzle 3 includes a flow path 33 formed along its central axis, and the lower end of the flow path 33 is configured as the discharge port 31. Accordingly, the discharge port 31 is opened in the center of the contact portion 32.

상기 접촉부(32)는 스핀 척(11)에 적재된 웨이퍼(W)의 표면과 대향하도록 설치되어 있다. 웨이퍼(W)의 직경이 예를 들어 300㎜인 경우, 접촉부(32)의 직경 d1은 예를 들어 30㎜ 내지 200㎜, 이 예에서는 100㎜로 설정된다. 현상액 노즐(3)의 재질로서는, 표면 장력에 의해 후술하는 바와 같이 현상액을 교반할 수 있도록, 예를 들어, 수지가 사용된다. 이 수지로서는, 예를 들어, PFA(테트라플루오로에틸렌ㆍ퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등이 사용된다. The contact portion 32 is provided so as to face the surface of the wafer W loaded on the spin chuck 11. When the diameter of the wafer W is, for example, 300 mm, the diameter d1 of the contact portion 32 is set to, for example, 30 mm to 200 mm, and in this example, 100 mm. As the material of the developer nozzle 3, for example, a resin is used so that the developer can be stirred as described later by the surface tension. As this resin, PFA (tetrafluoroethylene/perfluoroalkyl vinyl ether copolymer), PTFE (polytetrafluoroethylene), and the like are used, for example.

현상액 노즐(3)의 상면은, 지지 부재(35)를 통하여 아암(41)의 선단에 고정되고, 아암(41)의 기단부측은, 도 1에 도시하는 바와 같이 이동 기구(42)에 접속되어 있다. 이 이동 기구(42)는, 수평으로 신장되는 가이드 레일(43)을 따라서 이동하도록 구성되어 있다. 또한 이동 기구(42)는 도시하지 않은 승강 기구에 의해 아암(41)을 승강 가능하게 지지한다. 컵체(2)의 외측에는, 현상액 노즐(3)을 대기시키기 위한 직사각형 컵 형상의 대기부(44)가 설치되어 있다. 이동 기구(42)에 의해, 현상액 노즐(3)은 스핀 척(11)에 보유 지지된 웨이퍼(W)에 대해 접촉부(32)가 웨이퍼(W)에 대향함과 함께 웨이퍼(W)에 현상액을 공급하는 처리 위치와, 대기부(44) 내의 대기 위치 사이에서, 이동 가능하게 구성되어 있다. 도 3은, 상기 처리 위치에 위치하는 현상액 노즐(3)을 도시하고 있다. 당해 처리 위치에 있어서의 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)와 웨이퍼(W) 표면과의 거리 h1은, 예를 들어, 0.5㎜ 내지 2㎜이다. The upper surface of the developer nozzle 3 is fixed to the tip end of the arm 41 via the support member 35, and the base end side of the arm 41 is connected to the moving mechanism 42 as shown in FIG. . This moving mechanism 42 is configured to move along a guide rail 43 extending horizontally. Further, the moving mechanism 42 supports the arm 41 so as to be able to move up and down by an elevating mechanism (not shown). Outside the cup body 2, a rectangular cup-shaped waiting portion 44 for waiting for the developer nozzle 3 is provided. By means of the moving mechanism 42, the developer nozzle 3 applies the developer to the wafer W while the contact portion 32 faces the wafer W with respect to the wafer W held by the spin chuck 11. It is configured to be movable between the processing position to be supplied and the standby position in the standby unit 44. Fig. 3 shows the developer nozzle 3 located at the processing position. The distance h1 between the contact portion 32 of the developer nozzle 3 and the surface of the wafer W at the processing position is, for example, 0.5 mm to 2 mm.

상기 현상액 노즐(3)의 유로(33)의 상류 단부에는, 현상액 공급관(36)의 일단부가 접속되어 있다. 현상액 공급관(36)의 타단부는, 현상액의 공급원(37)에 접속되어 있다. 공급원(37)은 펌프나 밸브 등을 구비하고, 후술하는 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라서, 현상액 노즐(3)에 현상액을 공급한다. 이 실시 형태에 있어서, 공급원(37)으로부터 공급되는 현상액은 네가티브형 레지스트의 현상액이지만, 웨이퍼(W)에 포지티브형의 레지스트막이 형성되어 있는 경우는, 포지티브형 레지스트의 현상액을 공급하도록 공급원(37)이 구성된다. One end of the developer supply pipe 36 is connected to the upstream end of the flow path 33 of the developer nozzle 3. The other end of the developer supply pipe 36 is connected to a supply source 37 of the developer. The supply source 37 includes a pump, a valve, and the like, and supplies a developer to the developer nozzle 3 in accordance with a control signal from the control unit 100 described later. In this embodiment, the developer supplied from the supply source 37 is a developer of a negative resist, but when a positive resist film is formed on the wafer W, the supply source 37 is used to supply the developer of the positive resist. It is made up.

다음에 세정액 노즐(51)에 대해 설명한다. 세정액 노즐(51)은 연직 하방으로 세정액을 공급하고, 세정액의 공급원(52)에 접속되어 있다. 이 공급원(52)은 각각 펌프나 밸브 등을 구비하고, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라서, 세정액을 세정액 노즐(51)에 공급한다. 세정액 노즐(51)은 아암(53)의 선단측에 설치되고, 상기 아암(53)의 기단부측은, 도 1에 도시하는 바와 같이 이동 기구(54)에 지지되어 있다. 이동 기구(54)에 의해, 아암(53)은 승강 가능하게 구성되어 있다. 상기 이동 기구(54)는, 상기의 가이드 레일(43)과 병행하게 신장되는 가이드 레일(55)을 따라서 이동 가능하게 구성되어 있다. 컵체(2)의 외측에는 세정액 노즐(51)을 대기시키기 위한 직사각형 컵 형상의 대기부(56)가 설치되어 있고, 상기 이동 기구(54)에 의해 세정액 노즐(51)은 스핀 척(11)에 보유 지지된 웨이퍼(W) 상에 있어서의 세정액의 공급 위치와, 대기부(56) 내의 대기 위치 사이에서, 이동 가능하게 구성된다. Next, the cleaning liquid nozzle 51 will be described. The cleaning liquid nozzle 51 supplies the cleaning liquid vertically downward, and is connected to a supply source 52 of the cleaning liquid. Each of these supply sources 52 is provided with a pump, a valve, or the like, and supplies the cleaning liquid to the cleaning liquid nozzle 51 in accordance with a control signal from the control unit 100. The cleaning liquid nozzle 51 is provided on the front end side of the arm 53, and the base end side of the arm 53 is supported by the moving mechanism 54 as shown in FIG. 1. With the movement mechanism 54, the arm 53 is configured to be able to move up and down. The moving mechanism 54 is configured to be movable along the guide rail 55 extending in parallel with the guide rail 43 described above. Outside of the cup body 2, a rectangular cup-shaped waiting portion 56 for waiting the cleaning liquid nozzle 51 is provided, and the cleaning liquid nozzle 51 is attached to the spin chuck 11 by the moving mechanism 54. It is configured to be movable between the supply position of the cleaning liquid on the held wafer W and the standby position in the standby unit 56.

현상 장치(1)에는, 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)가 설치되고, 이 제어부(100)는 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용으로 설명하는 현상 처리 및 세정 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 프로그램이 저장된다. 이 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써, 제어부(100)는 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력한다. 그에 의해, 이동 기구(42)에 의한 현상액 노즐(3)의 이동, 이동 기구(54)에 의한 세정액 노즐(51)의 이동, 현상액의 공급원(37)에 의한 현상액의 공급, 세정액의 공급원(52)에 의한 세정액의 공급, 스핀 척(11)에 의한 웨이퍼(W)의 회전, 핀(14)의 승강 등의 각 동작이 제어된다. 그 결과적으로, 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)에 현상 처리 및 세정 처리를 행할 수 있다. 이 프로그램은, 예를 들어, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.The developing apparatus 1 is provided with a control unit 100 made of a computer, and the control unit 100 has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program in which an instruction is woven so that a developing process and a cleaning process described with an operation described later are performed is stored. By reading this program into the control unit 100, the control unit 100 outputs a control signal to each unit of the developing apparatus 1. Thereby, the movement of the developer nozzle 3 by the movement mechanism 42, the movement of the cleaning solution nozzle 51 by the movement mechanism 54, the supply of the developer by the supply source 37 of the developer, and the supply source of the cleaning solution 52 Each operation such as supply of the cleaning liquid by ), rotation of the wafer W by the spin chuck 11, and lifting and lowering of the pin 14 are controlled. As a result, the wafer W can be developed and cleaned as described later. This program is stored in a program storage unit in a state accommodated in a storage medium such as, for example, a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk or a memory card.

현상 장치(1)에 의한 현상 처리의 개략을 설명하면, 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)를 웨이퍼(W)의 표면의 중앙부에 근접시켜, 도 3에서 설명한 처리 위치에 위치시킨다. 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서 토출구(31)로부터 현상액을 당해 웨이퍼(W)에 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면과 접촉부(32)에 접촉하는 액 고임부(30)를 형성한다. 그리고, 토출구(31)로부터 현상액의 토출을 계속하면서, 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W)의 주연부에 수평으로 이동시킴으로써, 액 고임부(30)를 웨이퍼(W)의 전체면으로 확장한다. The outline of the developing process by the developing apparatus 1 will be described, by bringing the contact portion 32 of the developer nozzle 3 close to the central portion of the surface of the wafer W, and placing it at the processing position described in FIG. 3. A developer is supplied to the wafer W from the discharge port 31 while the wafer W is rotated to form a liquid reservoir 30 that contacts the surface of the wafer W and the contact portion 32. Then, while continuing to discharge the developer from the discharge port 31, the developer nozzle 3 is moved horizontally to the periphery of the wafer W, thereby expanding the liquid reservoir 30 to the entire surface of the wafer W.

여기서 본 발명에 관한 현상 처리에 대해 명확하게 설명하기 위해, 우선 상기의 개략을 따라서 행해지는 비교예의 현상 처리에 대해 도 4 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 또한, 도면 중의 화살표는 웨이퍼(W)의 회전 방향을 나타낸다. 우선, 상기와 같이 회전하는 웨이퍼(W)의 중앙부에 액 고임부(30)를 형성한다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이, 액 고임부(30)의 크기가 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)의 크기와 같게 되면, 현상액 노즐(3)이 수평 이동을 개시한다. 즉, 접촉부(32)의 이동 방향에 있어서의 테두리와, 당해 이동 방향에 있어서의 액 고임부(30)의 테두리가 겹쳐져 있고, 이 겹쳐진 자리를 위치에 대해 편의상, 포인트 P1로 하고 있다. Here, in order to clearly describe the developing process according to the present invention, first, a developing process of a comparative example performed according to the above outline will be described with reference to FIGS. 4 to 6. Incidentally, the arrows in the drawing indicate the rotation direction of the wafer W. First, a liquid reservoir 30 is formed in the center of the rotating wafer W as described above. And, as shown in FIG. 4, when the size of the liquid reservoir 30 becomes the same as the size of the contact part 32 of the developer nozzle 3, the developer nozzle 3 starts to move horizontally. In other words, the edge in the moving direction of the contact portion 32 and the edge of the liquid reservoir 30 in the moving direction overlap, and the overlapped position is set as the point P1 for convenience with respect to the position.

도 5는, 접촉부(32)의 이동 방향의 테두리와 당해 이동 방향에 있어서의 액 고임부(30)의 테두리가 겹쳐진 상태가 유지된 채로, 즉 포인트 P1이 계속 형성된 채로, 접촉부(32)가 이동한 모습을 도시하고 있다. 액 고임부(30)는 접촉부(32)의 이동에 대응하여, 주연의 일부가 결여된 원으로 되어 넓어진다. 이 원의 결여 영역을, 도 5 중, 현상액의 도포 잔여 영역 R1로서 나타내고 있고, 이 도포 잔여 영역 R1은, 웨이퍼(W)의 회전과 접촉부(32)의 이동에 기인하여 당해 접촉부(32)의 위치에 대해 웨이퍼(W)의 회전 방향 상류측에 형성된다. 즉, 도포 잔여 영역 R1이 형성되는 위치는, 현상액 노즐(3)의 위치와 함께, 웨이퍼(W)를 소용돌이 형상으로 이동한다. 또한 접촉부(32)가 이동하면, 액 고임부(30)를 구성하는 현상액의 웨이퍼(W)의 습윤성 확산에 의해, 도포 잔여 영역 R1이 점차 소실되어, 액 고임부(30)는 원형으로 된다. 이후는, 접촉부(32)의 이동에 수반하여, 액 고임부(30)는 웨이퍼(W) 표면의 주연부를 향해 확장된다(도 6). 5 shows that the edge of the contact portion 32 in the moving direction and the edge of the liquid reservoir 30 in the moving direction are maintained in an overlapping state, that is, while the point P1 continues to be formed, the contact portion 32 is moved. It shows a figure. In response to the movement of the contact portion 32, the liquid reservoir 30 becomes a circle lacking a part of the circumference and widens. In Fig. 5, the region lacking this circle is shown as the application residual region R1 of the developer, and the application residual region R1 is caused by the rotation of the wafer W and the movement of the contact portion 32. It is formed on the upstream side in the rotational direction of the wafer W with respect to the position. That is, the position where the coating residual region R1 is formed moves the wafer W in a vortex shape together with the position of the developer nozzle 3. Further, when the contact portion 32 moves, the application residual region R1 gradually disappears due to the wettability diffusion of the developer forming the liquid reservoir 30 in the wafer W, and the liquid reservoir 30 becomes circular. Thereafter, as the contact portion 32 moves, the liquid reservoir 30 extends toward the periphery of the surface of the wafer W (Fig. 6).

접촉부(32)의 이동 방향에 있 어서, 상기 포인트 P1로부터 후방측에서는, 웨이퍼(W)의 회전 및 액 고임부(30)와 접촉부(32) 사이에 작용하는 표면 장력에 의해, 현상액이 교반되어 현상이 효율적으로 진행된다. 그러나, 상기 이동 방향에 있어서, 포인트 P1로부터 전방측에서는 현상이 완전히 진행되지 않으므로, 포인트 P1을 경계로 하여 현상의 진행도에 큰 차가 생기게 된다. 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 주연부로 접촉부(32)가 이동하는 동안, 포인트 P1이 계속해서 형성되면, 웨이퍼(W)의 회전과 현상액 노즐(3)의 이동에 의해, 당해 포인트 P1은 웨이퍼(W) 표면을 소용돌이 형상으로 이동하게 되므로, 배경 기술의 항목에서 설명한 바와 같이 소용돌이 형상의 CD 변이 영역이 형성되는 하나의 요인이 된다고 생각할 수 있다. In the moving direction of the contact part 32, from the point P1, the developer is stirred by the rotation of the wafer W and the surface tension acting between the liquid reservoir 30 and the contact part 32, and is developed. This proceeds efficiently. However, in the moving direction, since the development does not completely proceed from the point P1 to the front side, there is a large difference in the progression of the development with the point P1 as a boundary. When the point P1 is continuously formed while the contact portion 32 moves from the center portion of the wafer W to the peripheral portion, the point P1 becomes the wafer W due to the rotation of the wafer W and the movement of the developer nozzle 3. ) Since the surface is moved in a vortex shape, it can be considered as one of the factors in which the vortex-shaped CD transition region is formed as described in the background art.

또한, 접촉부(32)가 웨이퍼(W)의 주연부 상에 도달할 때까지, 상기의 도포 잔여 영역 R1이 형성되지만, 이미 설명한 바와 같이 도포 잔여 영역 R1은, 웨이퍼(W) 표면을 소용돌이 형상으로 이동하도록 형성되는 위치가 이동한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 주연부로부터 내측에 있어서의 상기의 CD 변이 영역의 형성은, 이 도포 잔여 영역 R1이 형성되는 것도 하나의 요인이라고 생각할 수 있다. Further, until the contact portion 32 reaches the periphery of the wafer W, the coating remaining area R1 is formed, but as already described, the coating residual area R1 moves the wafer W surface in a vortex shape. The position that is formed to move is moved. Accordingly, the formation of the CD transition region from the periphery to the inner side of the wafer W can be considered to be one factor that the coating residual region R1 is formed.

이 현상 장치(1)에 있어서는 상기의 현상 처리의 개략을 따른 데 있어서, 상기의 포인트 P1 및 도포 잔여 영역 R1이 형성되지 않도록 액 고임부(30)를 형성하여, 현상 처리가 행해진다. 당해 현상 처리와, 현상 처리에 이어서 행해지는 세정 처리에 대해, 현상액 노즐(3) 및 웨이퍼(W)의 측면을 도시한 도 7 내지 도 9와, 웨이퍼(W)의 표면을 도시한 도 10 내지 도 12를 참조하면서 설명한다. In this developing apparatus 1, in accordance with the outline of the above developing process, a liquid reservoir 30 is formed so that the point P1 and the coating residual region R1 are not formed, and a developing process is performed. 7 to 9 showing the side surfaces of the developer nozzle 3 and the wafer W, and FIGS. 10 to 10 showing the surface of the wafer W with respect to the developing treatment and the cleaning treatment performed subsequent to the development treatment. This will be described with reference to FIG. 12.

반송 기구에 의해 웨이퍼(W)가 현상 장치(1)에 반송되고, 스핀 척(11)에 수수되어 수평으로 보유 지지되면, 현상액 노즐(3)이 대기부(44)의 대기 위치로부터 웨이퍼(W)의 중앙부 위로 이동한다. 그리고 현상액 노즐(3)은, 그 접촉부(32)가 웨이퍼(W)에 근접해서 대향하도록, 도 3에서 설명한 처리 위치로 하강함과 함께, 웨이퍼(W)가 평면에서 보아 시계 방향으로, 예를 들어, 10rpm으로 회전한다(도 7). When the wafer W is transferred to the developing apparatus 1 by the transfer mechanism, transferred to and held horizontally by the spin chuck 11, the developer nozzle 3 moves the wafer W from the standby position of the standby unit 44. Move over the center of ). Then, the developer nozzle 3 is lowered to the processing position described in FIG. 3 so that the contact portion 32 is close to and faced with the wafer W, and the wafer W is viewed in a clockwise direction when viewed from a plan view, for example. For example, it rotates at 10 rpm (Fig. 7).

계속해서, 토출구(31)로부터 웨이퍼(W)에 현상액이 토출되어, 당해 접촉부(32)에 접촉한 상태의 액 고임부(30)가 형성된다. 접촉부(32)의 하방 전체가 현상액으로 채워진 후에도 현상액의 공급이 계속되고, 액 고임부(30)의 외측 테두리는 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온다(도 8, 도 10). 계속해서, 현상액의 공급이 계속된 채로, 현상액 노즐(3)이 웨이퍼(W)의 주연부 상을 향해, 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서, 예를 들어, 10㎜/초로 수평으로 이동한다. 이 직경 방향에 있어서의 이동 속도는, 예를 들어, 접촉부(32)가 웨이퍼(W)의 표면 전체를 통과하고, 당해 표면 전체에서 현상액의 교반이 행해지는 속도가 된다. 이와 같은 현상액을 토출한 상태의 현상액 노즐(3)의 이동에 의해, 액 고임부(30)는 상기 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)에 접한 상태에서, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 확장될 수 있다. Subsequently, the developer is discharged from the discharge port 31 to the wafer W, and the liquid reservoir 30 in contact with the contact part 32 is formed. Even after the entire lower portion of the contact portion 32 is filled with the developer, the supply of the developer is continued, and the outer edge of the liquid reservoir 30 protrudes outward than the outer edge of the contact portion 32 (FIGS. 8 and 10 ). Subsequently, while supplying the developer is continued, the developer nozzle 3 moves horizontally toward the peripheral portion of the wafer W, along the radial direction of the wafer W, at, for example, 10 mm/second. The moving speed in this radial direction is, for example, a speed at which the contact portion 32 passes through the entire surface of the wafer W, and the developer is stirred over the entire surface. By the movement of the developer nozzle 3 in the state in which the developer is discharged, the liquid reservoir 30 extends toward the periphery of the wafer W in a state in contact with the contact portion 32 of the developer nozzle 3. Can be.

접촉부(32)의 하방에서는, 형성된 액 고임부(30)와 현상액 노즐(3)의 상기 접촉부(32) 사이에서 표면 장력이 작용되고, 이들 액 고임부(30)와 상기 접촉부(32)는 대면하고 있다. 웨이퍼(W)를 회전시키면서 현상액 노즐(3)이 이동하면, 현상액 노즐(3)의 하방에서는 현상액이 교반되어, 현상액의 농도의 균일성이 높아진다. 또한 웨이퍼(W)의 면내에 있어서, 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)의 하방 영역에 대해서는, 그와 같이 현상액의 농도의 균일성이 높아지므로, 균일성 높게 레지스트와 현상액과의 반응이 진행된다. 즉 레지스트 패턴의 CD의 균일성이 높아진다. Below the contact portion 32, a surface tension is applied between the formed liquid reservoir 30 and the contact portion 32 of the developer nozzle 3, and the liquid reservoir 30 and the contact portion 32 face each other. I'm doing it. When the developer nozzle 3 moves while rotating the wafer W, the developer is agitated under the developer nozzle 3, and the uniformity of the concentration of the developer increases. In addition, in the area below the contact portion 32 of the developer nozzle 3 in the surface of the wafer W, the uniformity of the concentration of the developer is increased, so that the reaction between the resist and the developer proceeds with high uniformity. do. That is, the CD uniformity of the resist pattern is increased.

현상액 노즐(3)의 수평 이동 중에서, 액 고임부(30)의 외측 테두리가, 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 상태가 유지된다(도 9, 도 11). 즉, 평면에서 보아, 액 고임부(30)의 내측을 현상액 노즐(3)이 이동하고, 접촉부(32)의 이동 방향에 있어서의 테두리보다도 전방에는, 이미 현상액이 공급된 상태로 되어 있다. 따라서, 도 4 내지 도 6의 비교예로서 설명한, 접촉부(32)의 이동 방향의 테두리와 액 고임부(30)의 테두리가 겹쳐지는 포인트 P1이 형성되지 않는다. 또한, 그와 같이 접촉부(32)의 이동 방향에 있어서, 접촉부(32)보다도 전방측에 공급되는 현상액은 웨이퍼(W)의 회전에 의해, 웨이퍼(W) 상을 이동하는 접촉부(32)의 회전 방향 상류측으로 이동하므로, 비교예에서 설명한 바와 같이, 도포 잔여 영역 R1이 형성되는 것이 방지된다. 즉, 액 고임부(30)는 원형으로 웨이퍼(W)에서 확장된다. During the horizontal movement of the developer nozzle 3, the outer edge of the liquid reservoir 30 is kept protruding outward than the outer edge of the contact portion 32 (FIGS. 9 and 11 ). That is, when viewed in plan view, the developer nozzle 3 moves inside the liquid reservoir 30, and the developer is already supplied in front of the edge in the moving direction of the contact portion 32. Therefore, the point P1 where the edge of the moving direction of the contact portion 32 and the edge of the liquid reservoir 30, described as the comparative example of FIGS. 4 to 6, overlap is not formed. In addition, in the moving direction of the contact portion 32, the developer supplied to the front side of the contact portion 32 is rotated by the rotation of the contact portion 32 moving on the wafer W by the rotation of the wafer W. Since it moves to the upstream side in the direction, as described in the comparative example, the application residual region R1 is prevented from being formed. That is, the liquid reservoir 30 extends from the wafer W in a circular shape.

현상액 노즐(3)이 이동을 계속해서, 액 고임부(30)에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체가 피복된 후, 현상액 노즐(3)이 웨이퍼(W)의 주연부 상에 위치하면, 당해 현상액 노즐(3)의 수평 이동이 정지된다(도 12). 웨이퍼(W)가 회전하고, 당해 주연부 상을 접촉부(32)가 통과하고, 웨이퍼의 표면 전체에 있어서의 현상액의 교반이 완료된 후, 웨이퍼(W)의 회전 및 현상액 노즐(3)로부터의 현상액의 토출이 정지되고, 현상액 노즐(3)은 대기부(44)의 대기 위치로 복귀된다. 계속해서 웨이퍼(W)가 소정의 시간, 정지 상태로 되어, 정지된 액 고임부(30)에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 전체에서 레지스트막과 현상액과의 반응이 더욱 진행된다. 그런데, 웨이퍼(W)의 표면 전체(전체면)란, 레지스트 패턴의 형성 영역 전체의 의미이다. 그로 인해, 주연부에 상기 레지스트 패턴의 형성 영역이 설치되어 있지 않은 웨이퍼(W)에서는, 당해 주연부가 액 고임부(30)에 의해 피복되지 않아도 좋다. After the developer nozzle 3 continues to move, the entire surface of the wafer W is covered by the liquid reservoir 30, and the developer nozzle 3 is positioned on the peripheral portion of the wafer W, the developer The horizontal movement of the nozzle 3 is stopped (Fig. 12). After the wafer W rotates, the contact part 32 passes over the periphery, and the stirring of the developer over the entire surface of the wafer is completed, the rotation of the wafer W and the developer solution from the developer nozzle 3 Discharge is stopped, and the developer nozzle 3 is returned to the standby position of the standby unit 44. Subsequently, the wafer W is in a stopped state for a predetermined time, and the reaction between the resist film and the developer is further advanced over the entire surface of the wafer W by the stopped liquid reservoir 30. By the way, the whole surface (the whole surface) of the wafer W means the whole area where the resist pattern is formed. Therefore, in the wafer W in which the region where the resist pattern is formed is not provided at the periphery, the periphery may not be covered by the liquid reservoir 30.

웨이퍼(W)의 표면 전체에서 레지스트막과 현상액과의 반응이 충분히 진행되면, 대기부(56)의 대기 위치로부터 세정액 노즐(51)이 웨이퍼(W)의 중심부 위로 이동한다. 그리고, 당해 중심부에 세정액이 토출됨과 함께, 웨이퍼(W)가 소정의 회전수로 회전하고, 웨이퍼(W) 표면의 세정 처리가 개시된다. 상기 세정액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 주연부에 확장되어, 웨이퍼(W)로부터 현상액의 액 고임부(30)가 제거된다. 그러한 후, 세정액의 공급이 정지되는 한편, 웨이퍼(W)의 회전이 계속되고, 웨이퍼(W)로부터 세정액이 원심 탈수되어, 웨이퍼(W)가 건조된다. 그러한 후, 웨이퍼(W)의 회전이 정지되고, 도시하지 않은 기판 반송 기구에 당해 웨이퍼(W)가 수수되어, 현상 장치(1)로부터 반출된다.When the reaction between the resist film and the developer proceeds sufficiently over the entire surface of the wafer W, the cleaning liquid nozzle 51 moves from the standby position of the standby unit 56 to the center of the wafer W. Then, while the cleaning liquid is discharged to the central portion, the wafer W rotates at a predetermined rotational speed, and the cleaning treatment of the surface of the wafer W is started. The cleaning liquid expands to the peripheral portion of the wafer W by centrifugal force, and the liquid reservoir 30 of the developer is removed from the wafer W. After that, while the supply of the cleaning liquid is stopped, the rotation of the wafer W continues, and the cleaning liquid is centrifuged from the wafer W, and the wafer W is dried. After that, the rotation of the wafer W is stopped, the wafer W is transferred to a substrate transfer mechanism (not shown), and carried out from the developing apparatus 1.

이 현상 장치(1)의 현상 처리에 의하면, 현상액 노즐(3)의 토출구(31)로부터 당해 현상액 노즐을 구성하는 접촉부(32)와 웨이퍼(W)의 표면과의 간극에 현상액을 토출하여, 당해 간극에 현상액을 채움과 함께 상기 접촉부(32)에서 보아 당해 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성한다. 그리고, 그와 같이 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 웨이퍼(W)에 상기 토출구(31)로부터 현상액을 토출하면서, 상기 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 이동시켜, 상기 액 고임부(30)를 웨이퍼(W)의 전체면으로 확장한다. 이에 의해 액 고임부(30)를 웨이퍼(W)의 전체면으로 확장하는 데 있어서, 비교예로서 설명한, 접촉부(32)의 이동 방향에 있어서 현상의 진행도가 크게 다른 포인트 P1의 발생 및 포인트 P1의 웨이퍼(W) 표면에 있어서의 소용돌이 형상의 이동을 방지할 수 있다. 또한, 비교예에서 설명한 도포 잔여 영역 R1의 형성 및 당해 도포 잔여 영역 R1의 웨이퍼(W) 표면에 있어서의 소용돌이 형상의 이동을 방지할 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼(W) 표면 내에 있어서의 현상 처리의 균일성을 높게 할 수 있어, 레지스트 패턴의 CD에 대해, 다른 영역과 비교해서 크기가 크게 다른 영역(CD 변이 영역)이, 웨이퍼의 표면에 소용돌이 형상으로 형성되는 것을 방지할 수 있다. 평가 시험을 행한 결과, 이 제1 실시 형태에서 설명한 현상 처리를 행함으로써, 소용돌이 형상의 CD 변이 영역의 형성이 억제되는 것이 확인되어 있다. According to the developing treatment of this developing device 1, the developer is discharged from the discharge port 31 of the developer nozzle 3 into the gap between the contact portion 32 constituting the developer nozzle and the surface of the wafer W, The developer is filled in the gap, and the developer protrudes outward from the outer edge of the contact part 32 as viewed from the contact part 32 to form a liquid reservoir. Then, the developer nozzle 3 is moved toward the periphery of the wafer W while maintaining the protruding state of the developer and discharging the developer solution from the discharge port 31 to the rotating wafer W. As a result, the liquid reservoir 30 is expanded to the entire surface of the wafer W. In this way, in extending the liquid reservoir 30 to the entire surface of the wafer W, the occurrence of the point P1 and the point P1, which has been described as a comparative example, in which the progress of the development in the moving direction of the contact portion 32 is significantly different. It is possible to prevent the movement of the vortex shape on the surface of the wafer W. Further, it is possible to prevent the formation of the coating residual region R1 described in the comparative example and the movement of the swirl shape on the surface of the wafer W of the coating residual region R1. As a result, it is possible to increase the uniformity of the development process within the surface of the wafer W, so that the CD of the resist pattern has a significantly different size compared to other regions (CD transition region) on the surface of the wafer. It can be prevented from being formed in a vortex shape. As a result of performing the evaluation test, it was confirmed that the formation of the vortex-shaped CD transition region was suppressed by performing the development treatment described in the first embodiment.

그런데, 웨이퍼(W)의 중앙부에 있어서 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)에 접촉하고, 또한 그 외측 테두리가 당해 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 액 고임부(30)를 형성하는 데 있어서는, 상기와 같이 행하는 것으로는 한정되지 않는다. 접촉부(32)가 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 있어서의 도 3에서 설명한 처리 위치보다도 상방에 위치하는 상태에서 현상액의 토출을 개시하고, 웨이퍼(W)의 중앙부에 액 고임부(30)를 형성한다. 계속해서, 접촉부(32)를 상기 처리 위치로 하강시켜 상기 액 고임부(30)에 접촉시키고, 상기와 같이 액 고임부(30)의 외측 테두리가 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 상태로 해도 좋다. 접촉부(32)의 하강 중, 현상액의 토출은 정지되어 있어도 좋고, 토출이 계속되어 있어도 좋다. By the way, the liquid reservoir 30 which contacts the contact part 32 of the developer nozzle 3 in the central part of the wafer W, and its outer edge protrudes outward from the outer edge of the contact part 32. In forming, it is not limited to performing as described above. When the contact portion 32 is positioned above the processing position described in FIG. 3 on the central portion of the wafer W, discharging of the developer is started, and a liquid reservoir 30 is formed in the central portion of the wafer W. do. Subsequently, the contact portion 32 is lowered to the processing position to contact the liquid reservoir 30, and the outer edge of the liquid reservoir 30 protrudes outward from the outer edge of the contact portion 32 as described above. You can leave it out. During the descending of the contact portion 32, the discharging of the developer may be stopped or the discharging may continue.

(제1 실시 형태의 제1 변형예) (First modified example of the first embodiment)

계속해서, 제1 실시 형태에 있어서의 제1 변형예에 대해 도 13을 참조하여 설명한다. 이 제1 변형예에서는, 현상액 노즐(3) 대신에 현상액 노즐(3)과 형상만 다른 현상액 노즐(5)을 사용해서, 현상 처리가 행해진다. 현상액 노즐(5)은 평면에서 보아 타원형으로 구성되어 있고, 따라서 접촉부(32)도 타원형으로 구성되어 있다. 타원형의 접촉부(32)의 중심에, 토출구(31)가 개구되어 있다. 이 현상액 노즐(5)은 현상 처리 중, 타원의 단축 방향을 따라서 수평으로 이동한다. 즉, 현상액 노즐(5)을 평면에서 보면, 진행 방향측의 외측 테두리가 진행 방향측으로 부풀어 오르는 곡선을 이루고, 상기 진행 방향측의 외측 테두리에 연속되는 좌우의 각 외측 테두리가, 상기 진행 방향측의 외측 테두리가 이루는 곡선의 곡률보다도 큰 곡률의 곡선을 이루고 있다. Subsequently, a first modified example in the first embodiment will be described with reference to FIG. 13. In this first modification, instead of the developer nozzle 3, a developer nozzle 5 that differs only in shape from the developer nozzle 3 is used, and the developing treatment is performed. The developer nozzle 5 is formed in an elliptical shape when viewed in plan, and thus the contact portion 32 is also formed in an elliptical shape. At the center of the elliptical contact portion 32, a discharge port 31 is opened. The developer nozzle 5 moves horizontally along the short axis direction of the ellipse during the development process. That is, when the developer nozzle 5 is viewed in plan view, the outer rim on the advancing direction side forms a curve that swells toward the advancing direction, and each of the left and right outer edges continuous to the outer rim on the advancing direction side is It has a curvature curve that is larger than that of the curve formed by the outer edge.

이 현상액 노즐(5)을 사용한 경우도, 제1 실시 형태와 마찬가지로 처리가 행해진다. 즉, 현상액 노즐(5)이 회전하는 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 배치되고, 당해 웨이퍼(W)의 중앙부에 현상액이 공급되어, 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로, 그 외측 테두리가 비어져 나오도록 액 고임부(30)가 형성된다. 그러한 후, 상기 비어져 나온 것이 유지되도록, 현상액 노즐(5)이 웨이퍼(W)의 주연부 상을 향해 수평 이동된다. 이때, 현상액 노즐(5)에 있어서, 상기 진행 방향측의 외측 테두리에 연속되는 좌우의 각 외측 테두리가, 상기 진행 방향측의 외측 테두리가 이루는 곡선의 곡률보다도 큰 곡률의 곡선을 이루도록 구성되어 있음으로써, 웨이퍼(W)의 회전 방향에 있어서 비교적 넓은 범위가, 접촉부(32)에 의해 덮여진다. 접촉부(32)의 하방은 현상액이 공급되어 있으므로, 현상액 노즐(5)의 수평 이동 중, 웨이퍼(W)의 회전 방향의 넓은 범위에 현상액이 공급되게 된다. 따라서, 이 현상액 노즐(5)의 이동 중에 있어서는, 비교예에서 설명한 도포 잔여 영역 R1의 발생을, 보다 확실하게 방지할 수 있다. Even when this developer nozzle 5 is used, processing is performed in the same manner as in the first embodiment. In other words, the developer nozzle 5 is disposed on the central portion of the rotating wafer W, and the developer is supplied to the central portion of the wafer W, so that the outer edge of the contact portion 32 is more than that of the outer edge. The liquid reservoir 30 is formed so as to come out. After that, the developer nozzle 5 is moved horizontally toward the periphery of the wafer W so that the protrusion is maintained. At this time, in the developer nozzle 5, each left and right outer rims continuous to the outer rim on the advancing direction side are configured to form a curve with a curvature greater than the curvature of the curve formed by the outer rim on the advancing direction side. , A relatively wide range in the rotational direction of the wafer W is covered by the contact portion 32. Since the developer is supplied below the contact portion 32, the developer is supplied to a wide range in the rotational direction of the wafer W during the horizontal movement of the developer nozzle 5. Therefore, during the movement of the developer nozzle 5, the occurrence of the coating residual region R1 described in the comparative example can be prevented more reliably.

현상액 노즐에 있어서, 상기와 같이 진행 방향측의 외측 테두리에 연속되는 좌우의 각 외측 테두리는, 곡선으로서 구성하는 것에 한정되지 않고, 코너부를 갖도록 구성해도 좋다. 도 14에는 당해 코너부를 갖는 예로서, 평면에서 보아 초승달 형상으로 구성된 현상액 노즐(59)을 나타내고 있다. 이 현상액 노즐(59)의 수평 이동 방향은, 초승달의 외형을 이루는 원호의 돌출 방향이다. 이와 같은 현상액 노즐(59)을 사용해도, 현상액 노즐(5)을 사용한 경우와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이와 같이 평면에서 보아 타원형, 초승달 형상으로 현상액 노즐을 구성하는 것 외에, 현상액 노즐을 평면에서 보아 부채 형상으로 형성해도, 도포 잔여 영역 R1의 발생을 방지할 수 있다. In the developer nozzle, each of the left and right outer edges continuous to the outer edge on the advancing direction side as described above is not limited to being configured as a curved line, and may be configured to have a corner portion. In Fig. 14, as an example having the corner portion, a developer nozzle 59 configured in a crescent shape in plan view is shown. The horizontal movement direction of the developer nozzle 59 is a protruding direction of an arc forming the outer shape of a crescent moon. Even when such a developer nozzle 59 is used, the same effect as that in the case of using the developer nozzle 5 is obtained. In addition, in addition to configuring the developer nozzle in an elliptical shape and a crescent shape in a plan view, even if the developer nozzle is formed in a fan shape in a plan view, the occurrence of the coating residual region R1 can be prevented.

(제1 실시 형태의 제2 변형예) (2nd modified example of 1st embodiment)

계속해서, 제1 실시 형태에 있어서의 제2 변형예에 대해 설명한다. 도 15는, 이 제2 변형예에 있어서 사용되는 현상액 노즐(3)의 사시도이며, 도 16, 도 17은, 당해 현상액 노즐(3)을 사용해서 행해지는 현상 처리를 도시하는 설명도이다. 이 현상액 노즐(3)에는, 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)의 측방으로부터, 판상의 확산 부재(61)가 수평으로 신장되어 있고, 이 확산 부재(61)의 하면은, 예를 들어, 접촉부(32)와 동일한 높이에 위치하고 있다. 또한, 확산 부재(61)는 현상액 노즐(3)의 진행 방향측에 설치되어 있고, 평면에서 보아, 웨이퍼(W)의 회전 방향 상류측을 향해 원호를 그리도록 연장되어 있다. Subsequently, a second modified example in the first embodiment will be described. 15 is a perspective view of a developer nozzle 3 used in this second modification, and FIGS. 16 and 17 are explanatory diagrams showing a developing process performed using the developer nozzle 3. In the developer nozzle 3, a plate-shaped diffusion member 61 extends horizontally from the side of the contact portion 32 of the developer nozzle 3, and the lower surface of the diffusion member 61 is, for example, It is located at the same height as the contact part 32. Further, the diffusion member 61 is provided on the advancing direction side of the developer nozzle 3, and extends so as to draw an arc toward the upstream side in the rotational direction of the wafer W in plan view.

이와 같은 현상액 노즐(3)을 사용한 현상 처리에 대해 설명하면, 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 현상액 노즐(3)이 배치되고, 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나오도록 액 고임부(30)가 형성되면, 이 액 고임부(30)는 확산 부재(61)에 접촉한다(도 16). 그리고, 현상액이 토출된 상태에서 현상액 노즐(3)이 웨이퍼(W)의 주연부 상을 향해 이동하면, 이 이동에 의해 확산 부재(61)도 웨이퍼(W)의 주연부 상을 향해 이동한다. When the developing treatment using such a developer nozzle 3 is described, as described in the first embodiment, the developer nozzle 3 is disposed on the central portion of the wafer W, and is more than the outer edge of the contact portion 32. When the liquid reservoir 30 is formed to protrude outward, the liquid reservoir 30 contacts the diffusion member 61 (FIG. 16). Then, when the developer nozzle 3 moves toward the peripheral portion of the wafer W while the developer is discharged, the diffusion member 61 also moves toward the peripheral portion of the wafer W by this movement.

이 확산 부재(61)의 이동 중, 당해 확산 부재(61)에 접촉된 현상액은, 당해 확산 부재(61)와의 사이에 작용하는 표면 장력에 의해 확산 부재(61)의 이동 방향을 향하는 힘을 받아, 확산 부재(61)에 의해 끌려지도록 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 확산된다(도 17). 이와 같이 현상액이 확산됨으로써, 상기의 도포 잔여 영역 R1의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 여기서, 확산 부재(61)의 배치에 대해 도 17을 참조하여 보다 상세하게 설명해 두면, 그와 같은 도포 잔여 영역 R1의 발생을 방지하는 효과를 얻기 위해, 평면에서 보아, 접촉부(32)의 중심 Q와 웨이퍼(W)의 회전 중심 P를 포함하는 직선 L에 대해 웨이퍼(W)의 회전 방향 상류측에 선단부가 연장되기 시작하도록 설치되어 있다. 그런데, 확산 부재(61)로서는, 현상액 노즐(3)에 설치하는 것에 한정되지 않고, 현상액 노즐(3)을 이동시키는 이동 기구(42)와는 별개의 이동 기구에 접속된 구성으로 하고, 당해 이동 기구에 의해, 현상액 노즐(3)의 이동과 병행해서 이동하도록 해도 좋다. During the movement of the diffusion member 61, the developer in contact with the diffusion member 61 receives a force in the direction of movement of the diffusion member 61 due to the surface tension acting between the diffusion member 61 and the diffusion member 61. , Diffuses toward the periphery of the wafer W so as to be attracted by the diffusion member 61 (FIG. 17). By diffusion of the developer in this way, it is possible to more reliably prevent the occurrence of the coating residual region R1. Here, if the arrangement of the diffusion member 61 is described in more detail with reference to FIG. 17, in order to obtain an effect of preventing the occurrence of such a coating residual region R1, the center Q of the contact portion 32 as viewed in plan view. It is provided so that the tip end portion starts to extend upstream in the rotation direction of the wafer W with respect to the straight line L including the rotation center P of the wafer W and the wafer W. By the way, the diffusion member 61 is not limited to being installed in the developer nozzle 3, but has a configuration connected to a moving mechanism separate from the moving mechanism 42 for moving the developer nozzle 3, and the moving mechanism By this, you may make it move in parallel with the movement of the developer nozzle 3.

(제1 실시 형태의 제3 변형예) (3rd modified example of 1st embodiment)

도 18에는, 현상 장치(1)의 또 다른 변형예를 나타내고 있다. 이 예에서는, 아암(41)에 불활성 가스인 N2(질소) 가스를 공급하는 가스 노즐(62)이 설치되어 있다. 이 가스 노즐(62)은, 현상액 노즐(3)의 진행 방향을 향해 경사진 하방으로 N2 가스를 토출한다. 당해 가스 노즐(62)을 설치한 경우의 현상 처리에 대해 설명하면, 상기와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부 상에, 그 외측 테두리가 접촉부(32)의 외측 테두리의 외측에 위치하도록 액 고임부(30)를 형성한다. 그 후, 가스 노즐(62)로부터 N2 가스의 토출을 개시하고, 액 고임부(30)의 주연부는, 당해 N2 가스에 의해 웨이퍼(W)의 외측을 향해 확대된다. 그러한 후, 아암(41)을 이동시키고, N2 가스를 토출한 상태의 가스 노즐(62)과 현상액을 토출한 상태의 현상액 노즐(3)을, 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 이동시킨다. 이와 같이 이동 중에 N2 가스를 토출함으로써, 액 고임부(30)의 테두리부가 현상액 노즐(3)의 진행 방향으로 확대되고, 현상액 노즐(3)의 진행 방향에 있어서, 액 고임부의 테두리와 현상액 노즐(3)의 테두리가 겹쳐지는 것이, 보다 확실하게 억제된다. 18 shows still another modified example of the developing device 1. In this example, a gas nozzle 62 for supplying an inert gas N 2 (nitrogen) gas to the arm 41 is provided. The gas nozzle 62 discharges the N 2 gas inclined downward toward the advancing direction of the developer nozzle 3. When the development process in the case where the gas nozzle 62 is installed will be described, as described above, on the central portion of the wafer W, the liquid reservoir portion ( 30). After that, discharge of the N 2 gas is started from the gas nozzle 62, and the peripheral portion of the liquid reservoir 30 is expanded toward the outside of the wafer W by the N 2 gas. After that, the arm 41 is moved, and the gas nozzle 62 in which the N 2 gas has been discharged and the developer nozzle 3 in the state in which the developer has been discharged are moved toward the periphery of the wafer W. By discharging the N 2 gas while moving in this way, the edge portion of the liquid reservoir 30 is enlarged in the advancing direction of the developer nozzle 3, and in the advancing direction of the developer nozzle 3, the edge of the liquid reservoir and the developer The overlapping of the edges of the nozzles 3 is suppressed more reliably.

(제2 실시 형태) (2nd embodiment)

계속해서, 제2 실시 형태의 현상 장치에 대해, 제1 실시 형태의 현상 장치(1)와의 차이점을 중심으로, 도 19를 참조하면서 설명한다. 이 현상 장치에 있어서는, 아암(41)에 현상액 노즐(3)과, 보조 노즐인 현상액 노즐(71)이 설치되어 있고, 현상액 노즐(71)은 현상액 노즐(3)과 함께 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라서 이동할 수 있다. 현상액 노즐(71)은 수직인 원통 형상으로 구성되고, 그 하단부는 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)보다도 높은 위치에 설치되어 있다. 따라서, 현상액 노즐(71)은, 현상액 노즐(3)이 행하는 현상액의 교반을 행하지 않는다. 현상액 노즐(71)은, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)에 대향하는 영역의 외측 영역에 현상액을 공급하고, 이 외측 영역은, 상기 접촉부(32)에 대향하는 영역에 대해, 현상 처리 시에 있어서의 현상액 노즐(71) 및 현상액 노즐(3)의 이동 방향측에 위치하고 있다. Subsequently, the developing device of the second embodiment will be described with reference to FIG. 19, focusing on differences from the developing device 1 of the first embodiment. In this developing apparatus, a developer nozzle 3 and a developer nozzle 71 serving as an auxiliary nozzle are provided on the arm 41, and the developer nozzle 71 is formed on the surface of the wafer W together with the developer nozzle 3 The image can be moved along the radial direction of the wafer W. The developer nozzle 71 has a vertical cylindrical shape, and its lower end is provided at a position higher than the contact portion 32 of the developer nozzle 3. Therefore, the developer nozzle 71 does not stir the developer solution performed by the developer nozzle 3. The developer nozzle 71 supplies a developer to an area outside of the area opposite to the contact portion 32 of the developer nozzle 3 on the surface of the wafer W, and the outer area faces the contact portion 32. In the area to be developed, the developing solution nozzle 71 and the developing solution nozzle 3 are located on the moving direction side.

제2 실시 형태의 현상 장치에 의한 현상 처리에 대해, 제1 실시 형태의 현상 처리와의 차이점을 중심으로, 상기 도 19 및 도 20, 도 21의 현상액 노즐(3, 71)의 측면도를 참조하면서 설명한다. 또한, 도 22 내지 도 24의 웨이퍼(W)의 평면도도 적절히 참조한다. 우선, 제1 실시 형태와 마찬가지로 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W)의 중앙부 상의 처리 위치로 이동시키고, 회전하는 웨이퍼(W)에 현상액 노즐(3)로부터 현상액의 토출을 행하고, 액 고임부(30)를 형성한다. 예를 들어, 이 액 고임부(30)의 외측 테두리가 접촉부(32)의 외측 테두리에 겹쳐져 있거나, 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 약간 내측에 위치하고 있을 때에, 현상액 노즐(71)로부터 현상액의 토출을 개시한다. 도 19는 현상액 노즐(71)로부터 현상액의 토출을 행하기 직전의 상태를 도시하고 있다. With respect to the developing process by the developing apparatus of the second embodiment, focusing on the difference from the developing process of the first embodiment, referring to the side views of the developer nozzles 3 and 71 of FIGS. 19, 20, and 21, Explain. Further, a plan view of the wafer W in FIGS. 22 to 24 is also referred to as appropriate. First, as in the first embodiment, the developer nozzle 3 is moved to a processing position on the central portion of the wafer W, and the developer is discharged from the developer nozzle 3 to the rotating wafer W, and the liquid reservoir ( 30). For example, when the outer edge of the liquid reservoir 30 overlaps the outer edge of the contact portion 32 or is located slightly inside the outer edge of the contact portion 32, the developer is discharged from the developer nozzle 71 Start. 19 shows a state just before the developer is discharged from the developer nozzle 71. As shown in FIG.

현상액 노즐(71)로부터 공급된 현상액과 합류함으로써, 액 고임부(30)는, 그 외측 테두리가 접촉부(32)의 외측 테두리의 외측으로 비어져 나오도록 확대된다(도 20, 도 22). 그리고, 현상액 노즐(3, 71)로부터 현상액의 토출이 계속된 상태에서, 현상액 노즐(3, 71)이 웨이퍼(W)의 주연부 상을 향해 이동한다. 따라서, 액 고임부(30)의 테두리부에 현상액 노즐(71)로부터 현상액이 공급된 상태에서, 액 고임부(30)가 웨이퍼(W)의 주연부로 확대된다(도 21, 도 23). 현상액 노즐(71)의 현상액의 토출 위치가 웨이퍼(W)의 외측에 위치하면, 당해 현상액 노즐(71)로부터의 현상액의 토출이 정지된다. 그러한 후, 현상액 노즐(3)이 웨이퍼(W)의 주연부 상에 위치하면, 현상액 노즐(3, 71)의 이동이 정지되고(도 24), 그 후, 현상액 노즐(3)로부터의 현상액의 토출 및 웨이퍼(W)의 회전이 정지된다. By merging with the developer supplied from the developer nozzle 71, the liquid reservoir 30 is enlarged so that its outer rim protrudes to the outside of the outer rim of the contact part 32 (Figs. 20 and 22). Then, the developer nozzles 3 and 71 move toward the periphery of the wafer W in a state in which the developer is continuously discharged from the developer nozzles 3 and 71. Accordingly, in a state in which the developer is supplied from the developer nozzle 71 to the edge portion of the liquid reservoir 30, the liquid reservoir 30 is enlarged to the periphery of the wafer W (Figs. 21 and 23). When the discharging position of the developer by the developer nozzle 71 is located outside the wafer W, the discharging of the developer from the developer nozzle 71 is stopped. After that, when the developer nozzle 3 is located on the periphery of the wafer W, the movement of the developer nozzles 3 and 71 is stopped (Fig. 24), and thereafter, the developer is discharged from the developer nozzle 3 And rotation of the wafer W is stopped.

이 제2 실시 형태에 있어서, 상기와 같이 현상액 노즐(71)로부터 현상액의 토출을 행하는 것은, 현상액 노즐(3)의 이동 중에서 액 고임부(30)의 외측 테두리가 접촉부(32)의 외측 테두리의 외측으로 비어져 나온 상태를, 보다 확실하게 형성하기 위해서이다. 즉, 웨이퍼(W) 표면의 레지스트의 성질에 의해, 현상액 노즐(3)로부터 토출되는 현상액의 웨이퍼(W) 표면에 있어서의 확장 상태는 변화하므로, 현상액이 웨이퍼(W) 표면을 확장하기 어려운 경우가 있지만, 이 제2 실시 형태에 있어서는 그와 같은 레지스트의 성질에 의하지 않고, 보다 확실하게 상기와 같은 액 고임부(30)를 형성하고, 상기의 CD 변이 영역의 형성을 보다 확실하게 억제할 수 있다고 하는 이점이 있다. 이 현상액 노즐(71) 및 상기의 가스 노즐(62)에 대해서도, 아암(41)에 설치하는 것에 한정되지 않고, 현상액 노즐(3)을 이동시키는 이동 기구(42)와는 별개의 이동 기구에 접속된 구성으로 하고, 당해 이동 기구에 의해, 현상액 노즐(3)과 병행해서 이동하도록 해도 좋다. In this second embodiment, the discharging of the developer solution from the developer nozzle 71 as described above means that during the movement of the developer nozzle 3, the outer rim of the liquid reservoir 30 is at the outer rim of the contact part 32. This is to make the state protruding outward more reliably. That is, in the case where it is difficult for the developer to expand the surface of the wafer W because the expansion state of the developer discharged from the developer nozzle 3 on the surface of the wafer W changes due to the property of the resist on the surface of the wafer W. However, in this second embodiment, it is possible to more reliably form the liquid reservoir 30 as described above, and to more reliably suppress the formation of the CD transition region, regardless of the properties of such a resist. There is an advantage that there is. The developer nozzle 71 and the gas nozzle 62 are not limited to being installed on the arm 41, and are connected to a moving mechanism separate from the moving mechanism 42 that moves the developer nozzle 3. It may be configured and moved in parallel with the developer nozzle 3 by the moving mechanism.

그런데, 상기 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)의 직경 d1, 웨이퍼(W)의 회전수, 현상액 노즐(3)의 수평 이동 속도는, 위에 설명한 조건에 기초하여 현상액 노즐(3)의 접촉부(32)가 웨이퍼(W) 표면 전체를 통과할 수 있도록 설정한다. 현상액 노즐(3)의 수평 이동 속도는, 예를 들어, 10㎜/초 내지 100㎜/초이다. 웨이퍼(W)의 회전수는, 웨이퍼(W)에 현상액을 토출한 때의 액 튐을 억제하기 위해 100rpm 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10rpm 내지 50rpm이다. By the way, the diameter d1 of the contact portion 32 of the developer nozzle 3, the rotational speed of the wafer W, and the horizontal movement speed of the developer nozzle 3 are determined by the contact portion ( It is set so that 32) can pass through the entire surface of the wafer (W). The horizontal movement speed of the developer nozzle 3 is, for example, from 10 mm/sec to 100 mm/sec. The rotational speed of the wafer W is preferably 100 rpm or less, and more preferably 10 rpm to 50 rpm in order to suppress splashing of liquid when the developer is discharged onto the wafer W.

또한, 상기의 각 예에서, 현상액 노즐의 접촉부(32)가 웨이퍼(W) 표면에 대향하고 있는 것으로 기재되어 있지만, 웨이퍼(W) 표면에 대해 대향한다고 함은, 웨이퍼(W) 표면에 대해 평행한 것에 한정되지 않고, 웨이퍼(W) 표면에 대해 경사져 있어도 좋다. 또한, 현상액 노즐의 하면, 즉 접촉부(32)의 표면은 평면인 것에 한정되지 않고, 곡면이어도 좋다. In addition, in each of the above examples, it is described that the contact portion 32 of the developer nozzle faces the surface of the wafer W, but when it is said to face the surface of the wafer W, it is parallel to the surface of the wafer W. It is not limited to one, and may be inclined with respect to the surface of the wafer W. In addition, the lower surface of the developer nozzle, that is, the surface of the contact portion 32 is not limited to a flat surface, and may be a curved surface.

예를 들어, 현상 장치(1)에 있어서, 현상액 노즐(3)은 1개만 설치하는 것에 한정되지 않고, 복수 설치되어 있어도 좋다. 그 경우, 예를 들어, 각 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W)의 중앙부 상에 배치하여, 각각 현상액을 토출해서 웨이퍼(W)의 중앙부에 액 고임부(30)를 형성한 후, 각 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시킨다. 예를 들어, 현상액 노즐(3)을 2개 설치한 경우는, 웨이퍼(W)의 중앙부 상으로부터 주연부 상으로, 각 현상액 노즐(3)을 서로 역방향으로 이동시킨다. 이와 같이 현상액 노즐(3)을 이동시키는 경우도, 각 현상액 노즐(3)의 진행 방향에 있어서, 접촉부(32)의 외측 테두리보다도 액 고임부(30)의 외측 테두리가 외측에 위치하도록, 각 현상액 노즐(3)의 이동이 행해진다. For example, in the developing apparatus 1, the number of the developer nozzles 3 is not limited to one, and may be provided in plural. In that case, for example, each developer nozzle 3 is disposed on the central portion of the wafer W, and each developer is discharged to form a liquid reservoir 30 in the central portion of the wafer W, and then each developer The nozzle 3 is moved to the periphery of the wafer W. For example, when two developer nozzles 3 are provided, the developer nozzles 3 are moved in opposite directions from the central portion of the wafer W to the peripheral portion of the wafer W. In the case where the developer nozzle 3 is moved in this way, each developer solution is arranged so that the outer edge of the liquid reservoir 30 is positioned outside the outer edge of the contact portion 32 in the traveling direction of each developer nozzle 3. The nozzle 3 is moved.

또한, 상기의 현상 장치(1)에서는, 현상 처리 후에 세정액을 웨이퍼(W)에 공급하는 세정 처리를 행하고, 현상액의 제거를 행하고 있지만, 그와 같은 세정 처리를 행하지 않고, 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력으로 현상액을 원심 탈수해서 제거하는 경우도 본 발명의 권리 범위에 포함된다. 또한, 상기의 각 예에 있어서, 현상액 노즐(3)은 액 고임부(30)를 확장하는 데 있어서, 웨이퍼(W) 표면 상을 평면에서 보아 직선 상으로 이동하고 있지만, 평면에서 보아 호를 그리도록 이동시켜도 좋다. 또한, 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W)의 주연부 위로 수평 이동시켜, 액 고임부(30)가 웨이퍼(W)의 전체면으로 확장된 후, 당해 현상액 노즐(3)로부터 현상액을 토출시키면서, 당해 현상액 노즐(3)을 웨이퍼(W) 중앙부 위로 수평 이동시켜도 좋다.Further, in the above developing apparatus 1, a cleaning treatment in which a cleaning liquid is supplied to the wafer W after the development treatment is performed, and the developer is removed, but the wafer W is rotated without performing such cleaning treatment. The case where the developer is centrifuged and removed by centrifugal force by means of a centrifugal force is also included in the scope of the present invention. In addition, in each of the above examples, in extending the liquid reservoir 30, the developer nozzle 3 is moving in a straight line when looking at the surface of the wafer W in a plan view, but drawing an arc when viewed from the plane. You may move it so that it is possible. In addition, after the developer nozzle 3 is horizontally moved over the periphery of the wafer W so that the liquid reservoir 30 extends to the entire surface of the wafer W, while discharging the developer solution from the developer nozzle 3, The developer nozzle 3 may be horizontally moved above the central portion of the wafer W.

그런데, 비교예에 있어서 소용돌이 형상으로 CD 변이 영역이 형성되는 것은, 이미 설명한 각 요인 외에도, 현상액 노즐(3)로부터의 현상액의 토출압이 영향을 미치고 있는 것으로 생각할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)에 있어서 접촉부(32)에 대향하는 영역 중, 토출구(31)의 하방은, 그 외측에 비해 압력이 높아지도록 압력 분포가 형성된다고 생각할 수 있고, 이와 같은 압력 분포가 CD 변위 영역의 형성에 관계되어 있다고 생각할 수 있다. 도 25는, 상기의 접촉부에 대향하는 영역에서의 압력 분포의 형성을 억제할 수 있도록 구성된 현상액 노즐(81)에 대해 도시하고 있고, 이미 설명한 각 현상 장치에 있어서, 현상액 노즐(3) 대신에 사용할 수 있다. By the way, it can be considered that the ejection pressure of the developer from the developer nozzle 3 affects the formation of the CD transition region in a vortex shape in the comparative example, in addition to the factors previously described. That is, it can be considered that the pressure distribution is formed so that the pressure of the lower portion of the discharge port 31 is higher than that of the outer side of the region of the wafer W facing the contact portion 32, and such a pressure distribution is CD displacement. It can be considered that it is related to the formation of the region. Fig. 25 shows a developer nozzle 81 configured to suppress the formation of pressure distribution in a region facing the contact portion, and is used in place of the developer nozzle 3 in each developing apparatus described above. I can.

현상액 노즐(81)에 대해, 현상액 노즐(3)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 현상액 노즐(81)에 있어서는, 유로(33)의 하방측에 현상액 노즐(81)의 하면을 따라서 넓어지는 편평한 현상액의 통류 공간(82)이 형성되어 있다. 그리고, 이 통류 공간(82)을 하방으로부터 막도록 원판 형상의 접촉부(83)가 설치되고, 당해 접촉부(83)가 현상액 노즐(81)의 하면을 구성한다. 접촉부(83)는, 예를 들어, 다공질체에 의해 구성되어 있고, 다공질체를 구성하는 각 구멍이 현상액의 토출구로서 구성된다. 즉, 이 예에서는 접촉부(83)의 하면 전체에 걸쳐서, 미세한 토출구가 분산되어 형성되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 웨이퍼(W)의 접촉부(83)에 대향하는 영역에서, 압력 분포의 형성이 억제된다. The developer nozzle 81 will be described focusing on differences from the developer nozzle 3. In the developer nozzle 81, a flow space 82 for a flat developer extending along the lower surface of the developer nozzle 81 is formed on the lower side of the flow path 33. Then, a disk-shaped contact portion 83 is provided so as to block the flow space 82 from below, and the contact portion 83 constitutes the lower surface of the developer nozzle 81. The contact portion 83 is made of, for example, a porous body, and each hole constituting the porous body is configured as a discharge port for a developer. That is, in this example, the fine discharge ports are dispersed over the entire lower surface of the contact portion 83 and formed. With such a configuration, formation of a pressure distribution in the region of the wafer W facing the contact portion 83 is suppressed.

접촉부(83)로서는, 다공질체 대신에 망상 부재에 의해 구성해도 좋다. 그 경우는, 당해 망상 부재의 각 메쉬가 각 토출구를 구성한다. 또한, 도 26에 도시하는 바와 같이 접촉부(83)는, 다수의 토출구(84)가 분산되어 형성된 샤워 플레이트로서 구성되고, 샤워 형상으로 현상액이 토출되도록 해도 좋다. The contact portion 83 may be formed of a network member instead of a porous body. In that case, each mesh of the said network member constitutes each discharge port. In addition, as shown in Fig. 26, the contact portion 83 is constituted as a shower plate formed by dispersing a plurality of discharge ports 84, and the developer may be discharged in a shower shape.

또한 상기의 압력 분포의 형성을 억제하도록 구성된 현상액 노즐(85)에 대해, 그 하면측 사시도, 종단 측면도를, 각각 도 27, 도 28에 도시한다. 현상액 노즐(3)과의 차이점을 설명하면, 현상액 노즐(85)에서는 슬릿 형상으로 형성된 토출구(86)를 접촉부(32)의 일단부측에 설치하고, 토출구(86)로부터 현상액을 접촉부(32)의 타단부측을 향해, 경사진 하방으로 토출할 수 있도록 구성되어 있다. 접촉부(32)의 하면 전체가 현상액과 접촉할 수 있도록, 토출구(86)인 슬릿의 형성 방향은, 평면에서 본 현상액의 토출 방향과 직교하고 있다. 또한, 도 29에 도시하는 현상액 노즐(87)은, 평면에서 본 형상이 다른 것을 제외하고 상기의 현상액 노즐(85)과 마찬가지로 구성되어 있고, 현상액 노즐(85)과 마찬가지로 상기 압력 분포의 형성을 억제할 수 있도록 구성되어 있다. 현상액 노즐(87)은 평면에서 보아, 상기의 토출구(86)로부터의 현상액의 토출 방향을 향해 가는 탄두 형상으로 형성되어 있고, 액 고임부(30)를 웨이퍼(W)의 주연부로 확장하는 데 있어서는, 예를 들어, 이 현상액의 토출 방향과 동일한 방향으로 현상액 노즐(87)이 이동한다. 이미 서술한 상기의 현상 장치의 각 구성예, 현상 처리의 각 예, 현상액 노즐의 구성의 각 예는 서로 조합할 수 있다. Further, a bottom perspective view and a longitudinal side view of the developer nozzle 85 configured to suppress the formation of the above pressure distribution are shown in Figs. 27 and 28, respectively. To explain the difference from the developer nozzle 3, in the developer nozzle 85, a discharge port 86 formed in a slit shape is provided at one end of the contact part 32, and the developer is transferred from the discharge port 86 to the contact part 32. It is configured to be able to discharge in an inclined downward direction toward the other end side. The formation direction of the slit, which is the discharge port 86, is orthogonal to the discharge direction of the developer viewed in plan so that the entire lower surface of the contact portion 32 can contact the developer. In addition, the developer nozzle 87 shown in FIG. 29 is configured in the same manner as the developer nozzle 85, except that the shape viewed from the top is different, and similarly to the developer nozzle 85, the formation of the pressure distribution is suppressed. It is structured to be able to do. The developer nozzle 87 is formed in a warhead shape that goes toward the discharging direction of the developer from the discharge port 86 when viewed from the top, and in extending the liquid reservoir 30 to the periphery of the wafer W , For example, the developer nozzle 87 moves in the same direction as the discharging direction of this developer. Each configuration example of the above-described developing apparatus, each example of a development process, and each example of a configuration of a developer nozzle can be combined with each other.

W : 웨이퍼
1 : 현상 장치
11 : 스핀 척
3 : 현상액 노즐
30 : 액 고임부
31 : 토출구
32 : 접촉부
42 : 이동 기구
100 : 제어부 W: wafer
1: developing device
11: spin chuck
3: developer nozzle
30: high pregnant woman
31: discharge port
32: contact
42: moving mechanism
100: control unit

Claims (14)

노광 후의 기판을 회전 가능한 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과,
계속해서, 현상액의 토출구와 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐을 사용하고, 상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 공정과,
계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 공정과,
상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정을 포함하고,
상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정은, 상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 액 고임부의 일부에 확산 부재를 접촉시키면서 당해 확산 부재를 상기 접촉부와 함께 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 현상 방법.A step of horizontally holding the exposed substrate in a rotatable substrate holding portion, and
Subsequently, a step of using a developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate, and opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate;
Subsequently, a step of forming a liquid reservoir by discharging a developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle and causing the developer to protrude outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion; and
Maintaining a state in which the developer protrudes outward than the outer edge of the contact portion, and discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, the developer nozzle is moved from the central portion of the substrate to the peripheral portion of the substrate. Including the process of expanding into cotton,
The step of expanding the liquid reservoir to the entire surface of the substrate is a step of moving the diffusion member together with the contact portion while bringing the diffusion member into contact with a part of the liquid reservoir protruding outward from the outer edge of the contact portion. Characterized in, the developing method. 제1항에 있어서,
상기 확산 부재는, 평면적으로 보아, 상기 접촉부의 중심과 기판의 회전 중심을 포함하는 직선에 대해 기판의 회전 방향 상류측에 적어도 일부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 현상 방법. The method of claim 1,
The developing method, wherein, in plan view, at least a part of the diffusion member is provided on an upstream side in the rotational direction of the substrate with respect to a straight line including the center of the contact portion and the rotational center of the substrate. 노광 후의 기판을 회전 가능한 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과,
계속해서, 현상액의 토출구와 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐을 사용하고, 상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 공정과,
계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 공정과,
상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정을 포함하고,
상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정은, 상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 액 고임부의 일부에 보조 노즐로부터 현상액을 공급하면서, 당해 보조 노즐을 상기 접촉부와 함께 이동시키는 공정인 것을 특징으로 하는, 현상 방법. A step of horizontally holding the exposed substrate in a rotatable substrate holding portion, and
Subsequently, a step of using a developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate, and opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate;
Subsequently, a step of forming a liquid reservoir by discharging a developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle and causing the developer to protrude outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion; and
Maintaining a state in which the developer protrudes outward than the outer edge of the contact portion, and discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, the developer nozzle is moved from the central portion of the substrate to the peripheral portion of the substrate. Including the process of expanding into cotton,
In the step of expanding the liquid reservoir to the entire surface of the substrate, a developer is supplied from an auxiliary nozzle to a portion of the liquid reservoir protruding outward from the outer edge of the contact portion, while moving the auxiliary nozzle together with the contact portion. The developing method characterized in that it is a process. 노광 후의 기판을 회전 가능한 기판 보유 지지부에 수평으로 보유 지지하는 공정과,
계속해서, 현상액의 토출구와 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐을 사용하고, 상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 공정과,
계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 공정과,
상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정을 포함하고,
상기 접촉부가 현상액과 접촉하는 외측 테두리의 외형에 대해서는, 평면에서 보아, 진행 방향측의 외측 테두리가 진행 방향측으로 부풀어 오르는 곡선을 이루고, 상기 진행 방향측의 외측 테두리에 연속되는 좌우의 각 외측 테두리가 상기 곡선의 곡률보다도 큰 곡률의 곡선 또는 코너부를 이루고 있는 것을 특징으로 하는, 현상 방법.A step of horizontally holding the exposed substrate in a rotatable substrate holding portion, and
Subsequently, a step of using a developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate, and opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate;
Subsequently, a step of forming a liquid reservoir by discharging a developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle and causing the developer to protrude outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion; and
Maintaining a state in which the developer protrudes outward than the outer edge of the contact portion, and discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, the developer nozzle is moved from the central portion of the substrate to the peripheral portion of the substrate. Including the process of expanding into cotton,
Regarding the external shape of the outer rim in which the contact portion is in contact with the developer, when viewed from a plan view, the outer rim on the advancing direction side forms a curve that swells toward the advancing direction, and each of the left and right outer rims continuing to the outer edge of the advancing direction A developing method, characterized in that it comprises a curved or corner portion having a curvature greater than that of the curved line. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토출구는, 상기 접촉부에 개구되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 현상 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
The developing method, wherein the discharge port is formed so as to be opened in the contact portion. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 공정을 행할 때의 기판의 회전수는, 10 내지 50rpm인 것을 특징으로 하는, 현상 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
The developing method, wherein the rotation speed of the substrate when performing the step of expanding the liquid reservoir to the entire surface of the substrate is 10 to 50 rpm. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 토출구는,
접촉부의 일단부측으로부터 타단부측을 향해 현상액이 흐르도록, 상기 접촉부에 있어서 기판의 표면에 대해 경사 방향으로 개구되는 개구부,
상기 접촉부에 샤워 형상으로 현상액을 토출하도록 설치된 복수의 개구부, 및, 상기 접촉부를 구성하는 다공질체의 각 구멍 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 현상 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
The discharge port,
An opening opening in a direction oblique to the surface of the substrate in the contact portion so that the developer flows from one end side of the contact portion toward the other end side;
A developing method, characterized in that it is any one of a plurality of openings provided in the contact portion to discharge a developer in a shower shape, and each hole of a porous body constituting the contact portion. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 고임부를 형성하는 공정은,
상기 현상액 노즐의 토출구로부터 상기 접촉부와 기판의 표면과의 간극에 현상액을 토출하여, 당해 간극에 현상액을 채우는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 현상 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
The process of forming the liquid reservoir,
And a step of discharging a developer solution into a gap between the contact portion and a surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle, and filling the gap with the developer. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액 고임부를 형성하는 공정은,
기판의 표면에 현상액을 토출하고, 계속해서 현상액 노즐을 기판에 대해 하강시켜, 상기 접촉부를 상기 기판에 토출된 현상액에 접촉시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 현상 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
The process of forming the liquid reservoir,
And a step of discharging a developer to a surface of a substrate, and subsequently lowering a developer nozzle relative to the substrate to contact the contact portion with the developer discharged to the substrate. 노광 후의 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부를 회전시키는 회전 기구와,
현상액의 토출구와, 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐과,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판 상을, 당해 기판의 중앙부로부터 주연부를 향해 상기 현상액 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 스텝과, 계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 스텝과, 상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부와,
상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 액 고임부의 일부에 접촉하면서, 상기 접촉부와 함께 상기 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동하는 확산 부재
를 구비하는 것을 특징으로 하는, 현상 장치. A substrate holding portion for horizontally holding the exposed substrate, and
A rotation mechanism that rotates the substrate holding portion,
A developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate;
A moving mechanism for moving the developer nozzle on the substrate held by the substrate holding portion from the central portion of the substrate toward the peripheral portion;
The step of opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate, and then discharging the developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle so that the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion. And forming a liquid reservoir; maintaining a state in which the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion, discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, and moving the developer nozzle from the center portion of the substrate to the peripheral portion. A control unit for outputting a control signal to execute a step of moving and extending the liquid reservoir to the entire surface of the substrate;
A diffusion member that moves from the central portion of the substrate to the periphery of the substrate together with the contact portion while contacting a portion of the liquid reservoir protruding outward than the outer edge of the contact portion.
A developing apparatus comprising: a. 노광 후의 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 기판 보유 지지부를 회전시키는 회전 기구와,
현상액의 토출구와, 상기 기판의 표면보다도 작게 형성된 접촉부를 구비한 현상액 노즐과,
상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판 상을, 당해 기판의 중앙부로부터 주연부를 향해 상기 현상액 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
상기 기판의 중앙부에서 상기 접촉부를 기판의 표면에 대향시키는 스텝과, 계속해서 상기 현상액 노즐의 토출구로부터 기판의 표면에 현상액을 토출해서 상기 접촉부에서 보아 당해 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액을 비어져 나오게 하여 액 고임부를 형성하는 스텝과, 상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 현상액이 비어져 나온 상태를 유지하여, 회전하고 있는 기판에 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 상기 현상액 노즐을 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동시켜 상기 액 고임부를 기판의 전체면으로 확장하는 스텝을 실행하도록 제어 신호를 출력하는 제어부와,
상기 접촉부의 외측 테두리보다도 외측으로 비어져 나온 액 고임부의 일부에 현상액을 공급하면서 상기 접촉부와 함께 상기 기판의 중앙부로부터 주연부로 이동하는 보조 노즐
을 구비하는 것을 특징으로 하는, 현상 장치. A substrate holding portion for horizontally holding the exposed substrate, and
A rotation mechanism that rotates the substrate holding portion,
A developer nozzle having a developer discharge port and a contact portion formed smaller than the surface of the substrate;
A moving mechanism for moving the developer nozzle on the substrate held by the substrate holding portion from the central portion of the substrate toward the peripheral portion;
The step of opposing the contact portion to the surface of the substrate at the central portion of the substrate, and then discharging the developer solution onto the surface of the substrate from the discharge port of the developer nozzle so that the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion as viewed from the contact portion. And forming a liquid reservoir; maintaining a state in which the developer protrudes outward from the outer edge of the contact portion, discharging the developer solution from the discharge port to the rotating substrate, and moving the developer nozzle from the center portion of the substrate to the peripheral portion. A control unit for outputting a control signal to execute a step of moving and extending the liquid reservoir to the entire surface of the substrate;
An auxiliary nozzle that moves from the central portion of the substrate to the peripheral portion of the substrate together with the contact portion while supplying a developer to a portion of the liquid reservoir protruding outward from the outer edge of the contact portion
A developing apparatus comprising: a. 노광 후의 기판을 현상하는 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 현상 방법을 실시하는 것을 특징으로 하는, 기억 매체. A storage medium in which a computer program used in a developing apparatus for developing a substrate after exposure is stored,
A storage medium characterized in that the computer program implements the developing method according to any one of claims 1 to 4. 삭제delete 삭제delete
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6798390B2 (en) * 2017-03-30 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 Development method, developing device and storage medium

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173906A (en) * 1998-12-10 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Developing solution feeding method and developing device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6088944A (en) * 1983-10-21 1985-05-18 Fujitsu Ltd Resist film developing method
JPH0822952A (en) * 1994-07-07 1996-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Board rotation developing method and its equipment
JPH09167747A (en) * 1995-12-14 1997-06-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
JP3589890B2 (en) * 1999-03-02 2004-11-17 大日本スクリーン製造株式会社 Developing solution supply method and developing device
JP4566376B2 (en) * 2000-10-02 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Manufacturing method of semiconductor device
JP3914842B2 (en) * 2001-10-23 2007-05-16 有限会社ユーエムエス Method and apparatus for removing organic coating
JP4553266B2 (en) * 2007-04-13 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment apparatus, automatic control constant adjustment method, and storage medium
JP4900116B2 (en) * 2007-07-30 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 Development method, development device, and storage medium
JP5084656B2 (en) * 2008-07-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 Development processing method and development processing apparatus
JP4893799B2 (en) 2009-10-23 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 Developing device, developing method, and storage medium
JP5698487B2 (en) 2010-09-29 2015-04-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5920736B2 (en) * 2011-12-06 2016-05-18 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Spin development method and apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173906A (en) * 1998-12-10 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Developing solution feeding method and developing device

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