JPH09167747A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device

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Publication number
JPH09167747A
JPH09167747A JP32553995A JP32553995A JPH09167747A JP H09167747 A JPH09167747 A JP H09167747A JP 32553995 A JP32553995 A JP 32553995A JP 32553995 A JP32553995 A JP 32553995A JP H09167747 A JPH09167747 A JP H09167747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
liquid
disk
treatment
Prior art date
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Pending
Application number
JP32553995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoru Tanaka
悟 田中
Kazuo Kise
一夫 木瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP32553995A priority Critical patent/JPH09167747A/en
Publication of JPH09167747A publication Critical patent/JPH09167747A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To treat a substrate by a treatment solution without giving damage to the surface of the substrate and without adhesion of particles to the substrate by a method wherein a treatment disc, which is rotated keeping a little space from the surface of the substrate, is provided in the substrate treatment device. SOLUTION: A substrate surface treatment device 4 is provided with a treatment disc 46 which is rotated in the state having a little space between the surface of the device 4 and the surface of a substrate B. A treatment solution is discharged from the treatment solution discharging nozzle 92 provided in the center of rotation of the treatment disc 46 toward the surface of the substrate B in the state wherein the treatment disc 46 is being rotated. As a result, the treatment solution fed between the bottom face of the rotating treatment disc 46 and the surface of the substrate B is rotatingly moved in the radial direction by the induction of rotation of the treatment disc 46. The surface of the substrate B is washed by the powerful turbulent flow of the treatment solution having the prescribed viscosity. The surface of the substrate B is not damaged by the direct contact with the brush.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶など
の基板を回転させながら、その表面に供給された処理液
によって基板の表面に洗浄処理や現像処理を施すための
基板処理装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for rotating a substrate such as a semiconductor or a liquid crystal and performing a cleaning process or a developing process on the surface of the substrate by a processing liquid supplied to the surface thereof. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば現像装置、エッチング装
置、あるいは剥離装置などの処理操作装置が組み合わさ
れて構成された半導体や液晶などの基板を製造する基板
製造装置が知られている。かかる基板製造装置にあって
は、上記各単位処理装置で所定の処理液が供給され、こ
の処理液によって基板に所定の処理が施されるようにな
っている。従って、基板が上流側の装置から下流側の装
置に引き渡されるに際し、あるいは基板の最終仕上げに
際し、先の処理で使用された処理液が基板に残留しない
ようにするとともに、基板そのものを清浄化する必要が
あり、このために基板製造装置の適所に基板処理装置の
一種である洗浄装置が設けられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a substrate manufacturing apparatus for manufacturing a substrate such as a semiconductor or a liquid crystal, which is constructed by combining processing operation devices such as a developing device, an etching device, or a peeling device. In such a substrate manufacturing apparatus, a predetermined processing liquid is supplied from each of the unit processing apparatuses, and the substrate is subjected to a predetermined processing by the processing liquid. Therefore, when the substrate is transferred from the upstream side device to the downstream side device or when the substrate is finally finished, the processing liquid used in the previous processing is prevented from remaining on the substrate and the substrate itself is cleaned. Therefore, a cleaning apparatus, which is a kind of substrate processing apparatus, is provided in an appropriate place of the substrate manufacturing apparatus.

【0003】かかる洗浄装置としては、搬送中の基板の
表面に処理液としての洗浄液を供給するだけに留めたも
のや、高速回転させた基板の表面に洗浄液を供給し、遠
心力で洗浄液を飛散させるようにしたもの、基板に洗浄
液を供給しつつその表面をブラシなどの洗浄治具を用い
て払拭洗浄(ブラッシング)するようにしたもの等が知
られている。
As such a cleaning device, a cleaning liquid is supplied only to the surface of the substrate being transported, or a cleaning liquid is supplied to the surface of the substrate rotated at a high speed, and the cleaning liquid is scattered by centrifugal force. It is known that the cleaning liquid is supplied to the substrate and the surface of the substrate is wiped and cleaned (brushing) by using a cleaning jig such as a brush.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のブラ
ッシング方式では、基板の表面にブラシの毛が直接接触
するため、表面に傷が付いたり、ブラシの毛の摩耗によ
って生じたパーティクルが表面に付着することがあると
いう問題点を有している。
By the way, in the conventional brushing method, the brush bristles directly contact the surface of the substrate, so that the surface is scratched or particles generated by the abrasion of the brush bristles adhere to the surface. There is a problem in that

【0005】また、処理装置が現像装置の場合は、通常
ブラッシングは行われず、搬送中や高速回転中の基板に
処理液(現像液)が垂らされるのみの処理が施される
が、このような処理では処理液を基板の表面の細部にま
で確実に供給し得ないことがあるという問題点を有して
いる。
Further, when the processing device is a developing device, brushing is not usually performed, and a process of merely dropping a processing liquid (developing liquid) on a substrate being transported or rotating at high speed is performed. In the processing, there is a problem that the processing liquid may not be able to be reliably supplied to the details of the surface of the substrate.

【0006】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、基板の表面に損傷を与える
ことは全くなく、パーティクルの付着が起こらない状態
で処理液による基板処理を確実に施すことができる基板
処理装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and does not damage the surface of the substrate at all, and the substrate is treated with the treatment liquid in a state where particles do not adhere. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can be surely applied.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して処
理する基板処理装置であって、回転可能に構成され、か
つ、基板の表面を露出させた状態で基板を支持する基板
支持手段と、上記基板支持手段を回転させる回転手段
と、上記基板支持手段に支持された基板の表面に処理液
を供給する処理液供給手段と、基板に供給された処理液
によって回転中の基板の表面に所定の処理を施す基板表
面処理手段とが備えられ、上記基板表面処理手段は、対
向面が基板の表面に対して僅かな距離だけ離間した状態
で回転する処理円盤を備えていることを特徴とするもの
である。
According to the first aspect of the present invention,
A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate for processing while rotating the substrate, the substrate supporting means being configured to be rotatable, and supporting the substrate with the surface of the substrate exposed. Rotating means for rotating the substrate supporting means, processing liquid supplying means for supplying the processing liquid to the surface of the substrate supported by the substrate supporting means, and predetermined processing on the surface of the rotating substrate by the processing liquid supplied to the substrate. Substrate surface processing means for performing the above processing, wherein the substrate surface processing means is provided with a processing disk that rotates in a state in which the facing surface is separated from the surface of the substrate by a slight distance. It is a thing.

【0008】この発明によれば、回転手段の作動により
回転している基板支持手段に支持された基板の表面に、
処理液供給手段からの処理液を供給しつつ、僅かな隙間
で基板の表面に対向させた処理円盤を回転させることに
より、処理円盤と基板の表面との間に入り込んだ処理液
は、処理円盤の底面と基板の表面との間で液の粘性によ
って練られた状態になるとともに、遠心力で処理円盤の
径方向に移動し、これらの強い液流によって基板の表面
は確実に処理される。
According to the present invention, on the surface of the substrate supported by the substrate supporting means rotating by the operation of the rotating means,
By supplying the treatment liquid from the treatment liquid supply means and rotating the treatment disc facing the surface of the substrate with a slight gap, the treatment liquid entering between the treatment disc and the surface of the substrate is treated. The bottom surface of the substrate and the surface of the substrate are in a kneaded state due to the viscosity of the liquid, and are moved in the radial direction of the processing disk by centrifugal force, and the strong liquid flow reliably processes the surface of the substrate.

【0009】そして、処理円盤の径を相当の大きさにし
ておくことにより、基板の回転によって表面の全面が処
理される。
Then, by setting the diameter of the processing disk to a considerable size, the entire surface is processed by the rotation of the substrate.

【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、上記処理円盤は、基板の表面に対して直交
する方向に揺動するように構成されていることを特徴と
するものである。
The invention according to claim 2 is characterized in that, in the invention according to claim 1, the processing disk is configured to swing in a direction orthogonal to the surface of the substrate. is there.

【0011】この発明によれば、処理円盤の上下方向の
揺動により、処理円盤の底面と基板の表面との間の間隔
が変化するため、両者の隙間に存在する処理液流の状態
が変化し、この液流の変化によって基板表面上がより確
実に処理される。
According to the present invention, the vertical movement of the processing disk changes the distance between the bottom surface of the processing disk and the surface of the substrate. Therefore, the state of the processing liquid flow existing in the gap between the two changes. However, the change in the liquid flow more reliably treats the surface of the substrate.

【0012】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載の基板処理装置において、上記処理円盤は、基板の
表面に対して平行な方向に移動し得るように構成されて
いることを特徴とするものである。
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2.
In the substrate processing apparatus described above, the processing disk is configured to be movable in a direction parallel to the surface of the substrate.

【0013】この発明によれば、基板の寸法に対して処
理円盤の寸法が相当小さくても、処理円盤を、回転しい
ている基板の表面を走査するように平行に移動させるこ
とにより、基板の表面全面が処理される。
According to the present invention, even if the size of the processing disk is considerably smaller than the size of the substrate, the processing disk is moved in parallel so as to scan the surface of the rotating substrate. The entire surface is processed.

【0014】請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の
いずれかに記載の発明において、上記処理円盤が、その
中心部分に処理液を吐出する吐出口を有しているととも
に、上記処理液供給手段が、処理液を上記吐出口から基
盤の表面に向けて吐出するように構成されていることを
特徴とするものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the processing disk has a discharge port for discharging a processing liquid in a central portion thereof, and the processing is performed. The liquid supply means is configured to discharge the processing liquid from the discharge port toward the surface of the substrate.

【0015】この発明によれば、処理円盤に設けられた
吐出口からの処理液の吐出によって、常に新しい処理液
が処理円盤と基板の表面との間に供給されるとともに、
吐出口からの処理液の吐出速度が処理円盤の回転による
液流の速度に加えられ、処理円盤と基板の表面との間の
液流がより速くなることにより、処理液による基板の処
理がより確実に行われるようになる。
According to the present invention, a new processing liquid is constantly supplied between the processing disk and the surface of the substrate by discharging the processing liquid from the discharge port provided in the processing disk.
The speed of discharge of the processing liquid from the discharge port is added to the speed of the liquid flow due to the rotation of the processing disk, and the liquid flow between the processing disk and the surface of the substrate becomes faster, so that the substrate is processed by the processing liquid more efficiently. It will be surely done.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る基板処理装
置1の一実施形態を示す一部切欠き斜視図であり、図2
は、図1に示す基板処理装置1のA−A線断面図であ
る。なお、図1においては、図2に示した外側フード7
8を省略して描いている。これらの図においては、基板
処理装置1は液晶表示装置用の基板Bの表面を、純水
(処理液)で洗浄処理するためのものを示している。基
板処理装置1は、矩形状の基板Bを支持する基板支持手
段2と、上記基板支持手段2に支持された基板Bの中心
回りに上記基板支持手段2を回転させる回転手段3と、
上記基板支持手段2に支持された基板Bの表面に処理液
を供給する処理液供給手段5と、基板Bの表面に供給さ
れた処理液による処理を施す基盤表面処理手段4とが備
えられて形成されている。
1 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. In addition, in FIG. 1, the outer hood 7 shown in FIG.
8 is omitted in the drawing. In these figures, the substrate processing apparatus 1 is for cleaning the surface of the substrate B for a liquid crystal display device with pure water (processing liquid). The substrate processing apparatus 1 includes a substrate supporting unit 2 that supports a rectangular substrate B, and a rotating unit 3 that rotates the substrate supporting unit 2 around the center of the substrate B supported by the substrate supporting unit 2.
A processing liquid supply means 5 for supplying a processing liquid to the surface of the substrate B supported by the substrate supporting means 2 and a substrate surface processing means 4 for performing processing with the processing liquid supplied to the surface of the substrate B are provided. Has been formed.

【0017】かかる基板処理装置1は、基台T(図2)
上に立設された円筒支柱6に支持されている。この円筒
支柱6は、上下方向に延びる円形の嵌装孔60の穿設さ
れた円筒支柱本体61と、この円筒支柱本体61の下部
に形成されたフランジ部62とから形成されている。一
方基台Tには円筒支柱本体61の外径寸法よりも若干大
きい径を有する装着孔T1が穿設され、この装着孔T1
に円筒支柱本体61のフランジ部62よりも下部の部分
が嵌め込まれ、この状態でフランジ部62と基台Tとが
ボルト止めされることにより円筒支柱6が基台Tに固定
されている。
The substrate processing apparatus 1 has a base T (FIG. 2).
It is supported by a cylindrical column 6 which is erected upright. The cylindrical strut 6 is formed of a cylindrical strut body 61 having a circular fitting hole 60 extending in the up-down direction, and a flange portion 62 formed at the lower portion of the cylindrical strut body 61. On the other hand, the base T is provided with a mounting hole T1 having a diameter slightly larger than the outer diameter of the cylindrical support body 61.
The cylindrical support body 61 is fixed to the base T by fitting the portion of the cylindrical support main body 61 below the flange portion 62 and bolting the flange portion 62 and the base T together in this state.

【0018】上記基板支持手段2は、板状で円形の回転
基盤21、この回転基盤21の上部に一体に設けられた
板状で円形の整流板22、および回転基盤21の中心部
分に同心で設けられたバキュームチャック23とから形
成されている。上記回転基盤21と整流板22との間に
は、これらの周縁部に沿うように筒状スペーサー24が
等ピッチで配設され、この筒状スペーサー24を通して
ネジ止めされることにより回転基盤21と整流板22と
が一体に固定されている。また、上記整流板22には、
中央部分に基板Bを嵌め込む基板装着口22aが設けら
れている。
The substrate supporting means 2 is a plate-shaped circular rotary base 21, a plate-shaped circular straightening plate 22 integrally provided on the rotary base 21, and a center portion of the rotary base 21 concentrically. It is formed from the vacuum chuck 23 provided. Cylindrical spacers 24 are arranged between the rotary base 21 and the current plate 22 at equal pitches along the peripheral edge of the rotary base 21 and the rotary base 21 by screwing through the cylindrical spacers 24. The current plate 22 is integrally fixed. Further, the straightening plate 22 includes
A board mounting port 22a into which the board B is fitted is provided in the central portion.

【0019】上記バキュームチャック23は、内部が空
洞に形成されているとともに、上部には水平面が形成さ
れ、この水平面に多数の吸着孔23aが穿設されてい
る。そしてこのバキュームチャック23の水平面に、上
記基板装着口22aに装着された基板Bが載置された状
態で、基板Bの表面と整流板22の表面とが面一になる
ようにバキュームチャック23の高さ設定が行われてい
る。
The vacuum chuck 23 has a hollow interior, and a horizontal surface is formed on the upper portion, and a large number of suction holes 23a are formed in the horizontal surface. Then, with the substrate B mounted in the substrate mounting port 22a placed on the horizontal surface of the vacuum chuck 23, the surface of the substrate B and the surface of the current plate 22 are flush with each other. Height is set.

【0020】そして、基板Bがバキュームチャック23
上に載置された状態で、バキュームチャック23の内部
の空間を減圧することにより、基板Bの裏面がバキュー
ムチャック23の表面に吸着され、これによって基板B
の基板装着口22aへの装着状態が安定するようになっ
ている。
Then, the substrate B is the vacuum chuck 23.
By depressurizing the space inside the vacuum chuck 23 in the state of being placed on the top, the back surface of the substrate B is adsorbed to the front surface of the vacuum chuck 23, whereby the substrate B
The mounting state of the substrate to the substrate mounting port 22a is stabilized.

【0021】上記回転手段3は、駆動モータや駆動力伝
達手段等を組み合わせて形成された回転駆動機構31
と、この回転駆動機構31に接続された垂直回転軸32
とを備えて形成されている。上記垂直回転軸32は、円
筒支柱6の嵌装孔60の内径よりも若干小さい外径を有
し、嵌装孔60内に嵌装可能になっている。そして、垂
直回転軸32が嵌装孔60に嵌装された状態でそれらの
間には上下にベアリング33が介設され、これによって
垂直回転軸32は嵌装孔60内において円筒支柱本体6
1に支持された状態で自軸心回りに回転可能になってい
る。
The rotation means 3 is a rotation drive mechanism 31 formed by combining a drive motor, a driving force transmission means and the like.
And a vertical rotary shaft 32 connected to the rotary drive mechanism 31.
Are formed. The vertical rotation shaft 32 has an outer diameter slightly smaller than the inner diameter of the fitting hole 60 of the cylindrical column 6 and can be fitted into the fitting hole 60. Then, in the state where the vertical rotation shaft 32 is fitted in the fitting hole 60, a vertical bearing 33 is interposed between the vertical rotation shaft 32 and the vertical rotation shaft 32.
It is rotatable about its own axis while being supported by 1.

【0022】かかる垂直回転軸32の頂部には、上記バ
キュームチャック23が同心で一体に固定されている。
従って、回転駆動機構31の駆動によって垂直回転軸3
2を回転させると、この回転はバキュームチャック23
を介して回転基盤21および整流板22に伝達され、基
板装着口22aに装着されている基板Bも回転するよう
になっている。
The vacuum chuck 23 is concentrically and integrally fixed to the top of the vertical rotary shaft 32.
Therefore, the vertical rotation shaft 3 is driven by the rotation drive mechanism 31.
When 2 is rotated, this rotation is caused by the vacuum chuck 23.
It is transmitted to the rotary base 21 and the current plate 22 through the board, and the board B mounted in the board mounting opening 22a also rotates.

【0023】そして、垂直回転軸32には、軸心部分に
上下方向に延びる吸引通路32a(図2)が設けられ、
この吸引通路32aは真空ポンプ34に接続されてい
る。従って、基板支持手段2のバキュームチャック23
上に基板Bが載置された状態で真空ポンプ34を駆動さ
せることにより、バキュームチャック23の空洞内が減
圧され、これによって基板Bは吸着孔23aに向かって
吸引され、バキュームチャック23に吸着された状態に
なる。
The vertical rotary shaft 32 is provided with a suction passage 32a (FIG. 2) extending in the vertical direction at the axial center thereof.
The suction passage 32a is connected to the vacuum pump 34. Therefore, the vacuum chuck 23 of the substrate supporting means 2
By driving the vacuum pump 34 with the substrate B placed thereon, the inside of the cavity of the vacuum chuck 23 is decompressed, whereby the substrate B is sucked toward the suction holes 23a and sucked by the vacuum chuck 23. It will be in a state of being.

【0024】また、上記基板支持手段2の周りには、図
2に示すように、基板支持手段2を囲繞するように集液
排気手段7が設けられている。この集液排気手段7は、
基板表面処理手段4から基板B上に供給された処理液を
捕捉して回収するためのものであり、環状の底部71
a、およびこの底部71aの周縁部から基板支持手段2
を包囲するように立設された環状壁71bを有する集液
フード71と、集液フード71の底部71aに上端部が
接続された複数の連絡管72と、各連絡管72の下端部
が接続された環状の集液ダクト73と、この集液ダクト
73に接続された集液装置74とを備えている。
A liquid collecting and exhausting means 7 is provided around the substrate supporting means 2 so as to surround the substrate supporting means 2 as shown in FIG. The liquid collecting and exhausting means 7 is
It is for capturing and collecting the processing liquid supplied onto the substrate B from the substrate surface processing means 4, and has an annular bottom portion 71.
a and the substrate supporting means 2 from the peripheral portion of the bottom portion 71a.
A collecting hood 71 having an annular wall 71b that is erected so as to surround the connecting hood 71, a plurality of connecting pipes 72 whose upper end is connected to a bottom 71a of the collecting hood 71, and a lower end of each connecting pipe 72 is connected. The liquid collecting duct 73 has an annular shape and a liquid collecting device 74 connected to the liquid collecting duct 73.

【0025】上記環状壁71bの上縁部は中心方向に向
けて湾曲され、これによって基板支持手段2の回転によ
る遠心力によって整流板22の径方向に外方に向かって
飛散する処理液が確実に捕捉され、かつ処理液の跳ね返
り分が集液フード71の外部に飛び出さないようにして
いる。
The upper edge of the annular wall 71b is curved toward the center, so that the processing liquid which is scattered outward in the radial direction of the flow straightening plate 22 by the centrifugal force due to the rotation of the substrate supporting means 2 is sure. Therefore, the splashed portion of the processing liquid is prevented from jumping out of the liquid collection hood 71.

【0026】集液フード71の底部71aには、中心部
分に上記垂直回転軸32を貫通させ得る貫通孔が穿設さ
れており、この貫通孔に垂直回転軸32を嵌入した状態
で貫通孔の縁部が垂直回転軸32の頂部にボルト止めで
固定され、これによって集液フード71が基板支持手段
2の周りに取り付けられた状態になっている。
The bottom portion 71a of the liquid collecting hood 71 is provided with a through hole at the center thereof for allowing the vertical rotation shaft 32 to penetrate therethrough, and the vertical rotation shaft 32 is inserted into the through hole to form a through hole. The edge is fixed to the top of the vertical rotation shaft 32 by bolting, whereby the liquid collecting hood 71 is attached around the substrate supporting means 2.

【0027】集液装置74は、気液分離装置であるエリ
ミネータ74aと、吸引ブロワー74bとが直列で配設
されて形成されている。そして、吸引ブロワー74bを
駆動させることにより、基板表面処理手段4から供給さ
れ、基板Bの回転によって遠心力で整流板22の径方向
に飛ばされた処理液は、集液フード71の環状壁71b
で捕捉され、内に向かう気流に伴われて連絡管72およ
び集液ダクト73を通ってエリミネータ74aに導入さ
れ、ここでの気液分離処理により除去されるようになっ
ている。処理液が除去された後の気流は、吸引ブロワー
74bを通って系外に排出される。
The liquid collecting device 74 is formed by arranging an eliminator 74a, which is a gas-liquid separating device, and a suction blower 74b in series. Then, by driving the suction blower 74b, the processing liquid supplied from the substrate surface processing means 4 and spun in the radial direction of the straightening plate 22 by the centrifugal force by the rotation of the substrate B is the annular wall 71b of the liquid collecting hood 71.
Is introduced into the eliminator 74a through the connecting pipe 72 and the liquid collecting duct 73, and is removed by the gas-liquid separation process here. The airflow after the treatment liquid is removed is discharged to the outside of the system through the suction blower 74b.

【0028】また、集液フード71内にはその底部71
a上に垂直回転軸32の上部を囲繞するように環状壁部
材75が設けられ、この環状壁部材75の外周面75a
と集液フード71の内周面との間に環状の気流通路が形
成されるようにしている。また、環状壁部材75の内周
面75bと垂直回転軸32との間には環状の傘部材76
が介設され、この傘部材76によって上部から落下した
処理液の嵌装孔60への侵入を防止するようにしてい
る。
The bottom portion 71 of the liquid collecting hood 71 is
An annular wall member 75 is provided on a so as to surround the upper portion of the vertical rotation shaft 32, and an outer peripheral surface 75a of the annular wall member 75 is provided.
An annular airflow passage is formed between the liquid collecting hood 71 and the inner surface of the liquid collecting hood 71. An annular umbrella member 76 is provided between the inner peripheral surface 75b of the annular wall member 75 and the vertical rotation shaft 32.
The umbrella member 76 prevents the processing liquid dropped from above from entering the fitting hole 60.

【0029】また、環状壁部材75の内周面75bと傘
部材76の外周面との間に形成された空間は、接続管7
7によって上記連絡管72内と連通され、これによって
上記空間に入り込んだ処理液はこの接続管77を通って
連絡管72内に導出されるようにしている。
Further, the space formed between the inner peripheral surface 75b of the annular wall member 75 and the outer peripheral surface of the umbrella member 76 is defined by the connecting pipe 7
The processing liquid 7 is communicated with the inside of the communication pipe 72 by this, and thereby the processing liquid that has entered the space is led out into the communication pipe 72 through the connection pipe 77.

【0030】また、集液フード71の外周には、さらに
集液フード71を囲繞するように外側フード78が設け
られ、この外側フード78によって集液フード71の外
部に飛び出した処理液を捕捉し、その底部に設けられた
接続管79を通して連絡管72内に導出するようにして
いる。
Further, an outer hood 78 is provided on the outer periphery of the liquid collecting hood 71 so as to surround the liquid collecting hood 71, and the outer hood 78 captures the processing liquid that has jumped out of the liquid collecting hood 71. , Through the connecting pipe 79 provided at the bottom of the connecting pipe 79.

【0031】そして、上記基板表面処理手段4は、外側
フード78内であって集液フード71に隣接するように
設けられている。図3は、基板表面処理手段4の一実施
形態を示す一部切欠き斜視図であり、図4は、図3のB
−B線断面図である。まず図3に示すように、基板表面
処理手段4は、支持枠体40、この支持枠体40に設け
られた駆動機構41、この駆動機構41の駆動によって
所定の動作を行う駆動アーム45、この駆動アーム45
の先端に設けられた処理円盤46、および処理円盤46
を介して基板Bの表面に処理液を供給する処理液源5a
とを備えて形成されている。
The substrate surface treatment means 4 is provided inside the outer hood 78 and adjacent to the liquid collecting hood 71. FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of the substrate surface treatment means 4, and FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line B. First, as shown in FIG. 3, the substrate surface treatment means 4 includes a support frame body 40, a drive mechanism 41 provided in the support frame body 40, a drive arm 45 for performing a predetermined operation by driving the drive mechanism 41, and Drive arm 45
Processing disk 46 provided at the tip of the disk, and processing disk 46
Processing liquid source 5a for supplying the processing liquid to the surface of the substrate B via the
Are formed.

【0032】上記支持枠体40は、底板40aに天井板
40bが4本の支柱40cを介して支持された直方体状
に形成されている。この支持枠体40は、後方(図3の
右方)において底板40aおよび天井板40bに上下方
向で互いに対向した一対のガイド孔402を有してい
る。一方、基台T(図2)にはガイドロッド401が立
設され、このガイドロッド401に上記各ガイド孔40
2が摺接状態で外嵌され、これによって支持枠体40は
ガイドロッド401に案内されつつ上下動可能になって
いる。また、底板40aおよび天井板40bの略中央部
には、上下一対のネジ孔403が螺設されているととも
に、天井板40bの前方に円形の装着孔404が穿設さ
れている。
The support frame 40 is formed in a rectangular parallelepiped shape in which a bottom plate 40a and a ceiling plate 40b are supported via four columns 40c. The support frame 40 has a pair of guide holes 402 facing each other in the vertical direction on the bottom plate 40a and the ceiling plate 40b at the rear (right side in FIG. 3). On the other hand, a guide rod 401 is erected on the base T (FIG. 2), and the guide holes 401 are provided in the guide rod 401.
2 is externally fitted in a sliding contact state, whereby the support frame 40 can be moved up and down while being guided by the guide rod 401. In addition, a pair of upper and lower screw holes 403 are screwed in substantially the central portions of the bottom plate 40a and the ceiling plate 40b, and a circular mounting hole 404 is formed in front of the ceiling plate 40b.

【0033】上記駆動機構41は、昇降手段42、アー
ム旋回手段43および円盤回転手段44とからなってい
る。昇降手段42は、支持枠体40を昇降させるための
ものであり、基台T上に縦置きで据え付けられた第1駆
動モータ42a、およびこの第1駆動モータ42aの駆
動軸に同心で接続されたスクリュー軸42bとを備えて
いる。スクリュー軸42bは、上記支持枠体40の底板
40aおよび天井板40bに螺設されたネジ孔403に
螺着されており、第1駆動モータ42aの駆動によるス
クリュー軸42bの正逆回転によって支持枠体40が昇
降するようになっている。
The drive mechanism 41 comprises an elevating means 42, an arm turning means 43 and a disk rotating means 44. The elevating means 42 is for elevating and lowering the support frame 40, and is concentrically connected to the first drive motor 42a vertically installed on the base T and the drive shaft of the first drive motor 42a. And a screw shaft 42b. The screw shaft 42b is screwed into screw holes 403 screwed in the bottom plate 40a and the ceiling plate 40b of the support frame 40, and is rotated by the first drive motor 42a to rotate the screw shaft 42b forward and backward. The body 40 moves up and down.

【0034】上記アーム旋回手段43は、支持枠体40
の底板40a上に縦置きで据え付けられた第2駆動モー
タ43a、この第2駆動モータ43aの駆動軸に設けら
れた駆動プーリー43b、上記天井板40bの装着孔4
04に嵌入されたアーム支持筒43c、このアーム支持
筒43cの下端部に設けられた従動プーリ43d、およ
びこの従動プーリ43dと上記駆動プーリー43bとの
間に張設された連絡ベルト43eを備えている。
The arm revolving means 43 is a support frame 40.
Second drive motor 43a vertically installed on the bottom plate 40a of the vehicle, a drive pulley 43b provided on the drive shaft of the second drive motor 43a, and a mounting hole 4 for the ceiling plate 40b.
04 includes an arm support cylinder 43c fitted in the 04, a driven pulley 43d provided at the lower end of the arm support cylinder 43c, and a connecting belt 43e stretched between the driven pulley 43d and the drive pulley 43b. There is.

【0035】上記アーム支持筒43cは、上下方向への
移動が規制された状態で天井板40bの装着孔404に
回転可能に嵌入されている。従って、第2駆動モータ4
3aを駆動することにより、その駆動回転は駆動プーリ
ー43b、連絡ベルト43eおよび従動プーリ43dを
介してアーム支持筒43cに伝達され、アーム支持筒4
3cは上下方向に延びる中心線回りに回転することにな
る。
The arm support cylinder 43c is rotatably fitted in the mounting hole 404 of the ceiling plate 40b in a state in which the vertical movement is restricted. Therefore, the second drive motor 4
By driving 3a, the driving rotation is transmitted to the arm support cylinder 43c via the drive pulley 43b, the connecting belt 43e and the driven pulley 43d, and the arm support cylinder 4c.
3c will rotate around a center line extending in the vertical direction.

【0036】上記円盤回転手段44は、アーム支持筒4
3cの直下の底板40a上に縦置きで据え付けられた第
3駆動モータ44a、この第3駆動モータ44aの駆動
軸に結合された垂直軸44b、この垂直軸44bの上端
部に設けられた駆動プーリー44c、後述する円盤支持
軸9に装着された従動プーリ44d、およびこの従動プ
ーリ44dと駆動プーリー44cとの間に張設された連
絡ワイヤ44eとを備えている。
The disc rotating means 44 is the arm supporting cylinder 4
3c, a third drive motor 44a installed vertically on a bottom plate 40a, a vertical shaft 44b coupled to the drive shaft of the third drive motor 44a, and a drive pulley provided on the upper end of the vertical shaft 44b. 44c, a driven pulley 44d mounted on a disk support shaft 9 described later, and a connecting wire 44e stretched between the driven pulley 44d and the drive pulley 44c.

【0037】上記垂直軸44bは、アーム支持筒43c
内を同心で上方に延設され、その上部がアーム支持筒4
3cの軸受部43gに軸支されているとともに、垂直軸
44bの軸受部43gより上方に突出した部分に上記駆
動プーリー44cが一体に取り付けられている。そし
て、第3駆動モータ44aの駆動によって、その駆動回
転が垂直軸44b、駆動プーリー44c、連絡ワイヤ4
4e、および従動プーリ44dを介して円盤支持軸9に
伝達されるようになっている。
The vertical shaft 44b is an arm support cylinder 43c.
The inside is concentrically extended upward, and the upper part thereof is the arm support cylinder 4
The drive pulley 44c is integrally attached to a portion of the vertical shaft 44b which is axially supported by the bearing portion 43g of the 3c and projects upward from the bearing portion 43g of the vertical shaft 44b. Then, the drive rotation is driven by the third drive motor 44a to drive the vertical shaft 44b, the drive pulley 44c, and the connecting wire 4.
It is adapted to be transmitted to the disk support shaft 9 via 4e and the driven pulley 44d.

【0038】上記駆動アーム45は、内部が空洞に形成
されたアーム本体45a、このアーム本体45aの基端
部に設けられた長手方向に直交する方向に開口を有する
接続部45b、およびアーム本体45aの先端部に形成
された円盤支持部45cとからなっている。
The drive arm 45 includes an arm body 45a having a hollow interior, a connecting portion 45b provided at the base end of the arm body 45a and having an opening in a direction orthogonal to the longitudinal direction, and an arm body 45a. And a disk support portion 45c formed at the tip of the.

【0039】駆動アーム45の接続部45bの内周面に
は、上記アーム支持筒43cの雄ネジ部43fに対応し
た雌ネジが螺設され、この雌ネジを雄ネジ部43fに螺
合することによってアーム本体45aが水平方向に延び
るようにアーム支持筒43cに結合されるようになって
いる。また、上記円盤支持部45cの内底部には円盤支
持軸9を支持する軸受部45dが設けられている。この
軸受部45dの内周面と、円盤支持軸9の外周面との間
にはベアリング45eが介設されている。
A female screw corresponding to the male screw portion 43f of the arm support cylinder 43c is screwed on the inner peripheral surface of the connecting portion 45b of the drive arm 45, and this female screw is screwed into the male screw portion 43f. The arm body 45a is coupled to the arm support cylinder 43c so as to extend in the horizontal direction. A bearing portion 45d that supports the disc support shaft 9 is provided on the inner bottom of the disc support portion 45c. A bearing 45e is provided between the inner peripheral surface of the bearing portion 45d and the outer peripheral surface of the disk support shaft 9.

【0040】上記処理円盤46は、その中心に上下方向
に貫通したネジ孔46aを有している。一方、上記円盤
支持軸9の下部には上記ネジ孔46aに対応した雄ネジ
が螺設されており、ネジ孔46aに円盤支持軸9を螺着
することによって処理円盤46が円盤支持軸9に取り付
けられるようになっている。この円盤支持軸9は、軸心
部分に上下方向に貫通した処理液通路91が設けられて
いるとともに、この処理液通路91の下端部に処理液吐
出ノズル92が形成され、この処理液吐出ノズル92の
吐出口から処理液が吐出されるようになっている。
The processing disk 46 has a screw hole 46a at the center thereof which penetrates in the vertical direction. On the other hand, a male screw corresponding to the screw hole 46a is screwed on the lower portion of the disc support shaft 9, and the processing disc 46 is attached to the disc support shaft 9 by screwing the disc support shaft 9 into the screw hole 46a. It can be attached. The disc support shaft 9 is provided with a processing liquid passage 91 penetrating in the vertical direction in the axial center portion thereof, and a processing liquid discharge nozzle 92 is formed at the lower end of the processing liquid passage 91. The processing liquid is discharged from the discharge port 92.

【0041】上記処理液源5aは、処理液を密閉状態で
貯留する処理液槽51、この処理液槽51と上記円盤支
持軸9の処理液通路91との間を接続した処理液管路5
2を有している。この処理液槽51には、レギュレータ
54を介して高圧窒素が供給されるようになっており、
この高圧窒素の圧力で内部の処理液が処理液管路52を
通して導出されるようになっている。また、処理液管路
52には適所に開閉バルブ53が設けられ、この開閉バ
ルブ53の開閉操作で処理液槽51内の処理液の導出お
よび導出停止を行うようにしている。
The treatment liquid source 5a is a treatment liquid tank 51 for storing the treatment liquid in a hermetically sealed state, and a treatment liquid conduit 5 connecting the treatment liquid tank 51 and the treatment liquid passage 91 of the disc support shaft 9 to each other.
Two. High-pressure nitrogen is supplied to the processing liquid tank 51 via a regulator 54.
The pressure of the high-pressure nitrogen causes the internal processing liquid to be drawn out through the processing liquid pipe 52. Further, an opening / closing valve 53 is provided at an appropriate position in the processing liquid pipe line 52, and the opening / closing operation of the opening / closing valve 53 causes the processing liquid in the processing liquid tank 51 to be discharged and stopped.

【0042】上記処理液管路52は、その下流側が駆動
アーム45内に導かれ、下流端が円盤支持軸9の処理液
通路91の上方端に接続されている。具体的には、円盤
支持軸9は、その上方端にロータリージョイント93が
設けられ、処理液管路52からの処理液は、このロータ
リージョイント93を介して円盤支持軸9の処理液通路
91に供給されるようになっている。なお、ロータリー
ジョイント93は、円盤支持軸9の回転を許容した状態
で処理液管路52からの処理液を処理液通路91に供給
し得るものである。
The processing liquid pipe line 52 has its downstream side guided into the drive arm 45, and has its downstream end connected to the upper end of the processing liquid passage 91 of the disk support shaft 9. Specifically, the disc support shaft 9 is provided with a rotary joint 93 at its upper end, and the treatment liquid from the treatment liquid conduit 52 is passed through the rotary joint 93 to the treatment liquid passage 91 of the disc support shaft 9. It is being supplied. The rotary joint 93 is capable of supplying the processing liquid from the processing liquid pipe 52 to the processing liquid passage 91 while allowing the rotation of the disk support shaft 9.

【0043】図5は、処理円盤46を示す底面図であ
る。この図に示すように、処理円盤46の底面には、互
いに交差した複数条の線溝46bが凹設されている。回
転している処理円盤46の処理液吐出ノズル92から吐
出された処理液は、処理円盤46の底面と基板B(図
1)の表面との間において上記線溝46bに入り込み、
処理円盤46の高速回転によって水平方向に剪断され、
これによって強力な乱液流が発生し、基板Bの表面の処
理がより確実に行い得るようになっている。
FIG. 5 is a bottom view showing the processing disk 46. As shown in this figure, a plurality of line grooves 46b intersecting with each other are formed in the bottom surface of the processing disk 46. The processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 92 of the rotating processing disk 46 enters the line groove 46b between the bottom surface of the processing disk 46 and the surface of the substrate B (FIG. 1),
It is sheared horizontally by the high speed rotation of the processing disk 46,
As a result, a strong turbulent liquid flow is generated, and the surface of the substrate B can be treated more reliably.

【0044】因に、本実施形態においては、処理円盤4
6の回転数は略200〜500rpmに設定され、処理
液の吐出量は略2000cm3/minに設定されてい
る。そして、この処理液の吐出を略10秒間継続させる
ようにしている。また、円盤支持軸9の底面と基板Bの
表面との隙間寸法は、2〜3mmになるようにしてい
る。
Incidentally, in this embodiment, the processing disk 4 is used.
The rotation speed of No. 6 is set to about 200 to 500 rpm, and the discharge rate of the processing liquid is set to about 2000 cm 3 / min. Then, the discharge of the treatment liquid is continued for about 10 seconds. Further, the size of the gap between the bottom surface of the disk support shaft 9 and the surface of the substrate B is set to 2-3 mm.

【0045】以下本実施形態の動作について説明する。
まず、駆動アーム45が、図1に二点鎖線で示すよう
に、基板支持手段2の基板装着口22aに干渉しない収
納位置に位置された状態で、基板Bは、基板装着口22
aに装填され、ついで真空ポンプ34(図2)を駆動さ
せることによってバキュームチャック23に吸着された
状態にされる。
The operation of this embodiment will be described below.
First, as shown by the chain double-dashed line in FIG. 1, the drive arm 45 is positioned at a storage position where it does not interfere with the board mounting opening 22a of the board supporting means 2, and the board B is mounted on the board mounting opening 22a.
It is loaded into a and then driven by the vacuum pump 34 (FIG. 2) so that it is attracted to the vacuum chuck 23.

【0046】この状態で昇降手段42の第1駆動モータ
42aの駆動により支持枠体40を介して駆動アーム4
5を一旦上昇させ、処理円盤46が集液フード71の環
状壁71b上縁部に干渉しないようにする。ついでアー
ム旋回手段43の第2駆動モータ43aの駆動によって
駆動アーム45をアーム支持筒43c回りに共回りさ
せ、その円盤支持部45cを基板Bの略中央部に位置さ
せた後、再度第1駆動モータ42aを駆動することによ
って駆動アーム45を下降させ、円盤支持軸9の底面と
基板Bの表面との隙間寸法が2〜3mmになった時点で
駆動アーム45の下降を停止する。かかる初期操作で図
1に実線で示すように基板処理の準備段階が完了する。
In this state, the drive arm 4 is driven by the first drive motor 42a of the elevating means 42 through the support frame 40.
5 is once raised so that the processing disk 46 does not interfere with the upper edge of the annular wall 71b of the liquid collection hood 71. Then, the drive arm 45 is rotated together with the arm support cylinder 43c by driving the second drive motor 43a of the arm revolving means 43, and the disk support portion 45c is positioned substantially in the center of the substrate B, and then the first drive is performed again. By driving the motor 42a, the drive arm 45 is lowered, and when the gap between the bottom surface of the disc support shaft 9 and the surface of the substrate B reaches 2-3 mm, the drive arm 45 is stopped. With this initial operation, the preparatory stage for substrate processing is completed as shown by the solid line in FIG.

【0047】ついで、回転駆動機構31を駆動して垂直
回転軸32を略200〜2000rpmで回転させると
同時に、第3駆動モータ44aを駆動して垂直軸44
b、駆動プーリー44c、連絡ワイヤ44eおよび従動
プーリ44dを介して処理円盤46を回転(略200〜
500rpm)させるとともに、処理液管路52の開閉
バルブ53を開弁する。合わせて第2駆動モータ43a
を所定タイミング毎に正逆駆動し、円盤支持軸9が整流
板22上を横断するように略150mm/secの速度
で往復動させる。
Then, the rotary drive mechanism 31 is driven to rotate the vertical rotary shaft 32 at approximately 200 to 2000 rpm, and at the same time, the third drive motor 44a is driven to drive the vertical shaft 44.
The processing disk 46 is rotated via b, the drive pulley 44c, the connecting wire 44e, and the driven pulley 44d (approximately 200 to
(500 rpm) and the opening / closing valve 53 of the processing liquid conduit 52 is opened. Second drive motor 43a
Are driven at regular intervals to reciprocate at a speed of about 150 mm / sec so that the disk support shaft 9 traverses over the current plate 22.

【0048】こうすることにより、処理液槽51からの
処理液が処理液管路52を通って円盤支持軸9の中心に
設けられた処理液吐出ノズル92から、回転している円
盤支持軸9の底面と基板Bの表面との間の僅かな隙間
(2〜3mm)に吐出される。
By doing so, the processing liquid from the processing liquid tank 51 passes through the processing liquid conduit 52, and from the processing liquid discharge nozzle 92 provided at the center of the disk supporting shaft 9, the rotating disk supporting shaft 9 is rotated. Is discharged into a small gap (2 to 3 mm) between the bottom surface of the substrate and the surface of the substrate B.

【0049】そして、処理液吐出ノズル92から吐出さ
れた処理液は、図6に示すように、処理円盤46の高速
回転によって(図6に示す例では、白抜き矢印に示すよ
うに処理円盤46は円盤支持軸9回りに時計方向に回転
している)径が漸増し、かつ、基板Bの回転や処理円盤
46の線溝46bの作用を受けて蛇行した状態の円運動
を行いつつ処理円盤46の周縁部から外方に押し出され
る。このときの強力な乱液流によって基板Bの表面は確
実に洗浄処理が施された状態になる。
Then, the processing liquid discharged from the processing liquid discharge nozzle 92 is rotated by the high-speed rotation of the processing disk 46 as shown in FIG. 6 (in the example shown in FIG. 6, the processing disk 46 is indicated by a white arrow). Is rotating clockwise around the disk support shaft 9). The diameter of the processing disk gradually increases, and the processing disk performs a circular motion in a meandering state by the rotation of the substrate B and the action of the line groove 46b of the processing disk 46. It is extruded outward from the peripheral portion of 46. The strong turbulent liquid flow at this time ensures that the surface of the substrate B has been subjected to the cleaning treatment.

【0050】また、かかる基板Bの処理中に、第1駆動
モータ42aを所定の時間間隔で正逆駆動させ、これに
よって駆動アーム45を上下方向に揺動させるようにし
ている。こうすることによって処理円盤46の底面と基
板Bの表面との隙間寸法が周期的に変更され、処理液吐
出ノズル92からの処理液の吐出圧が周期的に変動する
ことによる水流の衝撃が基板Bの表面に加わる、いわゆ
るハンマー効果が得られるため、基板Bの表面の洗浄処
理はより良好に行われることになる。
Further, during the processing of the substrate B, the first drive motor 42a is driven forward and backward at predetermined time intervals, whereby the drive arm 45 is swung in the vertical direction. By doing so, the gap size between the bottom surface of the processing disk 46 and the surface of the substrate B is periodically changed, and the discharge pressure of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 92 is periodically changed, so that the impact of the water flow is generated. Since the so-called hammer effect that is added to the surface of B is obtained, the cleaning process of the surface of the substrate B can be performed better.

【0051】本発明は、以上詳述したように、上記基板
表面処理手段4は、対向面が基板Bの表面に対して僅か
な距離だけ離間した状態で回転する処理円盤46を備え
てなり、しかもこの処理円盤46の回転中心に処理液吐
出ノズル92が設けられ、処理円盤46を回転させた状
態で上記処理液吐出ノズル92から基板Bの表面に向け
て処理液を吐出するようにしたものであるため、回転し
ている処理円盤46の底面と基板Bの表面との間に供給
された処理液は処理円盤46の回転に誘導されて回転し
ながら径方向に移動し、この過程での所定の粘度を有す
る処理液の強力な乱液流によって基板Bの表面は洗浄処
理される。
According to the present invention, as described above in detail, the substrate surface processing means 4 is provided with the processing disk 46 which rotates with the facing surface separated from the surface of the substrate B by a slight distance. Moreover, the processing liquid discharge nozzle 92 is provided at the center of rotation of the processing disk 46, and the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 92 toward the surface of the substrate B while the processing disk 46 is rotated. Therefore, the processing liquid supplied between the bottom surface of the rotating processing disk 46 and the surface of the substrate B is guided by the rotation of the processing disk 46 and moves in the radial direction while rotating. The surface of the substrate B is cleaned by a strong turbulent flow of the processing liquid having a predetermined viscosity.

【0052】このように、本発明においては、処理液吐
出による基板Bの表面の処理時に、処理円盤46は基板
Bの表面に対して離間状態に設定され、従来のように基
板Bの表面にブラッシング処理を施すものではないた
め、基板Bの表面がブラシとの直接接触によって損傷す
ることがない。また、ブラシの摩耗によるパーティクル
が基板Bの表面に付着することもなく、基板Bの表面の
再汚染を確実に防止することが可能になる。さらに、ブ
ラシに付着したパーティクルによる基盤Bの表面の再汚
染を確実に防止することが可能になる。
As described above, in the present invention, the processing disk 46 is set in a state of being separated from the surface of the substrate B at the time of processing the surface of the substrate B by discharging the processing liquid. Since the brushing process is not performed, the surface of the substrate B is not damaged by direct contact with the brush. Further, particles due to abrasion of the brush do not adhere to the surface of the substrate B, and it is possible to reliably prevent recontamination of the surface of the substrate B. Further, it is possible to reliably prevent recontamination of the surface of the base B by the particles attached to the brush.

【0053】本発明は、以上の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の内容をも包含するものである。 (1)上記の実施形態においては、基板処理装置1は純
水による基板Bの洗浄処理に適用されているが、本発明
は、基板処理装置1が洗浄処理にのみ適用されることに
限定されるものではなく、現像工程で基板Bの表面に処
理液としての現像液を供給する、いわゆる基板Bの現像
処理にも適用し得るものである。
The present invention is not limited to the above embodiment, but also includes the following contents. (1) In the above embodiment, the substrate processing apparatus 1 is applied to the cleaning processing of the substrate B with pure water, but the present invention is not limited to the substrate processing apparatus 1 being applied only to the cleaning processing. However, the present invention can also be applied to so-called substrate B development processing in which a developing solution as a processing solution is supplied to the surface of the substrate B in the developing step.

【0054】(2)上記の実施形態においては、処理液
は処理円盤46の回転軸心部分に設けられた処理液吐出
ノズル92から吐出するようにしているが、本発明は、
処理円盤46の処理液吐出ノズル92から処理液を吐出
することに限定されるものではなく、基板Bの表面に向
けて処理液を吐出する処理液吐出ノズルを別途配設する
ようにしてもよい。
(2) In the above embodiment, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 92 provided at the rotation axis of the processing disk 46.
It is not limited to discharging the processing liquid from the processing liquid discharging nozzle 92 of the processing disk 46, and a processing liquid discharging nozzle for discharging the processing liquid toward the surface of the substrate B may be separately provided. .

【0055】(3)上記の実施形態においては、第1駆
動モータ42aの正逆駆動で処理円盤46を上下方向に
揺動させるようにしているが、こうする代わりに駆動ア
ーム45の円盤支持部45c内に電磁石等からなるアク
チュエータを内装し、このアクチュエータの作動によっ
て処理円盤46を上下方向に揺動させるようにしてもよ
い。
(3) In the above embodiment, the processing disk 46 is swung in the vertical direction by the forward and reverse driving of the first drive motor 42a. However, instead of this, the disk support portion of the drive arm 45 is used. An actuator made of an electromagnet or the like may be installed inside 45c, and the processing disk 46 may be vertically swung by the operation of this actuator.

【0056】(4)上記の実施形態においては、処理円
盤46の底面に縦横の格子状の線溝46bが凹設されて
いるが、線溝46bは、格子状であることに限定される
ものではなく、処理液を撹拌し得る種々の形状を採用す
ることが可能である。また、線溝46bを設けなくて
も、所望レベルの処理効果は得られるものである。
(4) In the above embodiment, the vertical and horizontal grid-shaped line grooves 46b are provided on the bottom surface of the processing disk 46, but the line grooves 46b are not limited to the grid-like shape. Instead, it is possible to adopt various shapes capable of stirring the processing liquid. Further, even if the line groove 46b is not provided, a desired level of processing effect can be obtained.

【0057】[0057]

【発明の効果】上記請求項1記載の発明は、回転手段の
作動によって回転している基板に供給された処理液によ
りその表面に所定の処理を施す基板表面処理手段が備え
られ、この基板表面処理手段は、対向面が基板の表面に
対して僅かな距離だけ離間した状態で回転する処理円盤
を備えてなるものであるため、基板支持手段に支持され
た状態で回転している基板の表面に、処理液供給手段か
らの処理液を供給しつつ、基板の表面に対向させた処理
円盤を回転させることにより、処理円盤と基板の表面と
の間に入り込んだ処理液は、処理円盤の底面と基板の表
面との間で液の粘性によって練られた状態になるととも
に、遠心力で処理円盤の径方向に移動し、これらの強い
液流によって基板の表面を確実に処理することが可能に
なる。
According to the first aspect of the present invention, there is provided the substrate surface treating means for subjecting the surface of the substrate rotating by the operation of the rotating means to the predetermined treatment by the treating liquid supplied thereto. Since the processing means comprises a processing disk that rotates with the facing surface spaced apart from the surface of the substrate by a slight distance, the surface of the substrate that is rotating while being supported by the substrate support means. In addition, while supplying the processing liquid from the processing liquid supply means, by rotating the processing disk facing the surface of the substrate, the processing liquid that has entered between the processing disk and the surface of the substrate is the bottom surface of the processing disk. Between the substrate and the surface of the substrate becomes a kneaded state due to the viscosity of the liquid, and it moves in the radial direction of the processing disk by centrifugal force, making it possible to reliably process the surface of the substrate with these strong liquid flows. Become.

【0058】上記請求項2記載の発明によれば、処理円
盤は、基板の表面に対して直交する方向に揺動するよう
にしているため、処理円盤の底面と基板の表面との間の
間隔が変化するため、両者の隙間に存在する処理液流の
状態が変化し、この液流の変化によって基板表面上をよ
り確実に処理することができるようになる。
According to the second aspect of the present invention, since the processing disk is swung in the direction orthogonal to the surface of the substrate, the distance between the bottom surface of the processing disk and the surface of the substrate is increased. Changes, the state of the processing liquid flow existing in the gap between the two changes, and the change in the liquid flow allows the surface of the substrate to be processed more reliably.

【0059】上記請求項3記載の発明によれば、処理円
盤は、基板の表面に対して平行な方向に移動し得るよう
にしているため、基板の寸法に対して処理円盤の寸法が
相当小さくても、処理円盤を、回転しいている基板の表
面を走査するように平行に移動させることにより、基板
の表面全面が確実に処理し得るようになる。
According to the third aspect of the present invention, since the processing disk can move in the direction parallel to the surface of the substrate, the size of the processing disk is considerably smaller than the size of the substrate. However, by moving the processing disk in parallel so as to scan the surface of the rotating substrate, the entire surface of the substrate can be surely processed.

【0060】上記請求項4記載の発明によれば、処理円
盤は、その中心部分に処理液を基板の表面に向けて吐出
する吐出口を有しているため、処理円盤に設けられた吐
出口からの処理液の吐出によって、常に新しい処理液が
処理円盤と基板の表面との間に供給されるとともに、吐
出口からの処理液の吐出速度が処理円盤の回転による液
流の速度に加えられ、処理円盤と基板の表面との間の液
流がより速くなることにより、処理液による基板の処理
をより確実に行い得るようになる。
According to the invention described in claim 4, since the processing disk has the discharge port for discharging the processing liquid toward the surface of the substrate in the central portion thereof, the discharge port provided in the processing disk. A new processing liquid is constantly supplied between the processing disk and the surface of the substrate by discharging the processing liquid from the substrate, and the discharging speed of the processing liquid from the discharge port is added to the speed of the liquid flow due to the rotation of the processing disk. As the liquid flow between the processing disk and the surface of the substrate becomes faster, the processing of the substrate with the processing liquid can be performed more reliably.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
一部切欠き斜視図である。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1に示す基板処理装置のA−A線断面図であ
る。
2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the substrate processing apparatus shown in FIG.

【図3】基板表面処理手段の一実施形態を示す一部切欠
き斜視図である。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of a substrate surface treatment means.

【図4】図3に示す基板表面処理手段のB−B線断面図
である。
FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of the substrate surface treatment means shown in FIG.

【図5】処理円盤を示す底面図である。FIG. 5 is a bottom view showing the processing disk.

【図6】処理円盤の処理液吐出ノズルから吐出された処
理液の液流を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a liquid flow of a processing liquid discharged from a processing liquid discharge nozzle of a processing disk.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 2 基板支持手段 21 回転基盤 22 整流板 22a 基板装着口 23 バキュームチャック 3 回転手段 31 回転駆動機構 32 垂直回転軸 32a 吸引通路 33 ベアリング 34 真空ポンプ 4 基板表面処理手段 40 支持枠体 40a 底板 40b 天井板 40c 支柱 401 ガイドロッド 41 駆動機構 42 昇降手段 43 アーム回動手段 44 円盤回転手段 45 駆動アーム 46 処理円盤 46a ネジ孔 46b 線溝 5 処理液供給手段 5a 処理液源 51 処理液槽 52 処理液管路 53 開閉バルブ 6 円筒支柱 7 集液排気手段 B 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 2 Substrate supporting means 21 Rotating substrate 22 Straightening plate 22a Substrate mounting port 23 Vacuum chuck 3 Rotating means 31 Rotational drive mechanism 32 Vertical rotation shaft 32a Suction passage 33 Bearing 34 Vacuum pump 4 Substrate surface treating means 40 Support frame 40a Bottom plate 40b Ceiling plate 40c Strut 401 Guide rod 41 Drive mechanism 42 Elevating means 43 Arm rotating means 44 Disc rotating means 45 Drive arm 46 Treatment disc 46a Screw hole 46b Line groove 5 Treatment liquid supply means 5a Treatment liquid source 51 Treatment liquid tank 52 Processing liquid conduit 53 Opening / closing valve 6 Cylindrical support 7 Liquid collecting and exhausting means B Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/306 H01L 21/306 J ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical indication H01L 21/306 H01L 21/306 J

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を回転させながら基板の表面に処理
液を供給して処理する基板処理装置であって、 回転可能に構成され、かつ、基板の表面を露出させた状
態で基板を支持する基板支持手段と、 上記基板支持手段を回転させる回転手段と、 上記基板支持手段に支持された基板の表面に処理液を供
給する処理液供給手段と、 基板に供給された処理液によって回転中の基板の表面に
所定の処理を施す基板表面処理手段とが備えられ、 上記基板表面処理手段は、対向面が基板の表面に対して
僅かな距離だけ離間した状態で回転する処理円盤を備え
ていることを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate for processing while rotating the substrate, which is configured to be rotatable and supports the substrate with the surface of the substrate exposed. Substrate supporting means, rotating means for rotating the substrate supporting means, processing liquid supplying means for supplying a processing liquid to the surface of the substrate supported by the substrate supporting means, and rotating by the processing liquid supplied to the substrate. Substrate surface treatment means for performing a predetermined treatment on the surface of the substrate is provided, and the substrate surface treatment means is provided with a treatment disk that rotates in a state in which the facing surface is separated from the surface of the substrate by a slight distance. A substrate processing apparatus characterized by the above.
【請求項2】 上記処理円盤は、基板の表面に対して直
交する方向に揺動するように構成されていることを特徴
とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing disk is configured to swing in a direction orthogonal to the surface of the substrate.
【請求項3】 上記処理円盤は、基板の表面に対して平
行な方向に移動し得るように構成されていることを特徴
とする請求項1または2記載の基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the processing disk is configured to be movable in a direction parallel to the surface of the substrate.
【請求項4】 上記処理円盤が、その中心部分に処理液
を吐出する吐出口を有しているとともに、上記処理液供
給手段が、処理液を上記吐出口から基盤の表面に向けて
吐出するように構成されていることを特徴とする請求項
1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。
4. The processing disk has a discharge port for discharging the processing liquid in its central portion, and the processing liquid supply means discharges the processing liquid from the discharge port toward the surface of the substrate. 4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is configured as described above.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104345580A (en) * 2013-08-05 2015-02-11 东京毅力科创株式会社 Developing method and developing apparatus
JP2016031942A (en) * 2014-07-25 2016-03-07 東京エレクトロン株式会社 Developing method, developing device, and computer-readable recording medium
CN105404103A (en) * 2014-09-08 2016-03-16 东京毅力科创株式会社 Developing method and developing apparatus
JP2017123480A (en) * 2013-08-05 2017-07-13 東京エレクトロン株式会社 Process liquid supply device
JP2017157860A (en) * 2017-05-23 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 Developing method, developing device, and computer-readable recording medium
CN109693036A (en) * 2017-10-24 2019-04-30 株式会社迪思科 Laser processing device

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110824864A (en) * 2013-08-05 2020-02-21 东京毅力科创株式会社 Developing method and developing device
JP2017123480A (en) * 2013-08-05 2017-07-13 東京エレクトロン株式会社 Process liquid supply device
CN104345580A (en) * 2013-08-05 2015-02-11 东京毅力科创株式会社 Developing method and developing apparatus
JP2015053467A (en) * 2013-08-05 2015-03-19 東京エレクトロン株式会社 Development method, development apparatus, and storage medium
US10120285B2 (en) 2013-08-05 2018-11-06 Tokyo Electron Limited Developing method, developing apparatus and storage medium
JP2016031942A (en) * 2014-07-25 2016-03-07 東京エレクトロン株式会社 Developing method, developing device, and computer-readable recording medium
JP2016058488A (en) * 2014-09-08 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 Development method, development apparatus and storage medium
CN105404103A (en) * 2014-09-08 2016-03-16 东京毅力科创株式会社 Developing method and developing apparatus
KR20160030057A (en) * 2014-09-08 2016-03-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Developing method, developing apparatus and storage medium
CN105404103B (en) * 2014-09-08 2020-03-10 东京毅力科创株式会社 Developing method and developing device
JP2017157860A (en) * 2017-05-23 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 Developing method, developing device, and computer-readable recording medium
CN109693036A (en) * 2017-10-24 2019-04-30 株式会社迪思科 Laser processing device
KR20190045836A (en) * 2017-10-24 2019-05-03 가부시기가이샤 디스코 Laser machining apparatus
JP2019076926A (en) * 2017-10-24 2019-05-23 株式会社ディスコ Laser processing device
CN109693036B (en) * 2017-10-24 2022-03-04 株式会社迪思科 Laser processing apparatus
TWI768138B (en) * 2017-10-24 2022-06-21 日商迪思科股份有限公司 Laser processing equipment

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