JP2002299305A - Apparatus and method for substrate peripheral edge processing - Google Patents

Apparatus and method for substrate peripheral edge processing

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JP2002299305A
JP2002299305A JP2001101171A JP2001101171A JP2002299305A JP 2002299305 A JP2002299305 A JP 2002299305A JP 2001101171 A JP2001101171 A JP 2001101171A JP 2001101171 A JP2001101171 A JP 2001101171A JP 2002299305 A JP2002299305 A JP 2002299305A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate peripheral edge processing apparatus which has high reproducibility of processing and can precisely control the width of an area, where the processing is carried out and to provide a substrate peripheral edge processor which can reuse processing liquid. SOLUTION: This substrate peripheral edger processor is equipped with a spin chuck 1, which holds a semiconductor wafer W nearly horizontally and rotates it, a disk-like shielding plate 2 which is rotated during the processing together with the spin chuck 1, a shield plate holding mechanism 3 which holds and rotates and elevates the shielding plate 2, a rotating body 4 which holds the processing liquid with a centrifugal force together with the shielding plate 2, a processing liquid supply pipe 6 which supplies the processing liquid to the rotating body 4, a rotary mechanism 46 which drives and rotates the rotating body 4, and a processing liquid collection container 7 which collects the processing liquid, after the processing. The shielding plate 2 has a recessed part 44 which can move vertically and holds the processing liquid by coming into contact with the rotating body 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハなど
の円形の被処理基板に対して、基板周縁部に処理液を供
給して処理を施すための基板周縁処理装置、および基板
周縁処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate peripheral processing apparatus and a substrate peripheral processing method for supplying a processing liquid to a peripheral portion of a substrate, such as a semiconductor wafer, to process the substrate. .

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という。)周縁部
の不要な薄膜を除去するために、半導体ウェハの周縁部
にのみエッチング液を供給してエッチング処理を施す、
いわゆるベベルエッチングを行うことがある。従来の基
板周縁処理装置としては、エッジリンス方式で処理を行
うためのものとチャック方式で処理を行うためのものと
がある。
2. Description of the Related Art For example, in a manufacturing process of a semiconductor device,
In order to remove an unnecessary thin film at a peripheral portion of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”), an etching solution is supplied only to a peripheral portion of the semiconductor wafer to perform an etching process.
So-called bevel etching may be performed. As a conventional substrate peripheral processing apparatus, there are an apparatus for performing processing by an edge rinse method and an apparatus for performing processing by a chuck method.

【0003】エッジリンス方式は、ウェハを水平に保持
して回転させながら、細管からウェハの周縁部に向かっ
てエッチング液などの薬液を吐出し、同時に純水を上方
から基板中心部近傍に供給する方法である。この方法に
よれば、ウェハ上面において周縁部以外は純水に覆われ
ているので、遠心力で飛散した処理液がウェハ上に再付
着するのを避けることができる。チャック方式は、ウェ
ハ周辺をチャックピンにより支持してウェハを水平に回
転させ、ウェハ裏面全体が処理液に覆われるように処理
液を供給し、さらに処理液をウェハ表面側の周縁部に回
り込ませる方法である。ウェハ周辺でチャックピンによ
り支持されている部分を処理するため、ウェハは、チャ
ックピンによる把持を一時的に解除することによって、
ウェハ上の液の慣性力の働きにより、チャックピンに対
して相対的に回転させられる。
In the edge rinsing method, while a wafer is held horizontally and rotated, a chemical solution such as an etching solution is discharged from a thin tube toward a peripheral portion of the wafer, and at the same time, pure water is supplied from above to the vicinity of the center of the substrate. Is the way. According to this method, since the upper surface of the wafer is covered with pure water except for the peripheral portion, it is possible to prevent the processing liquid scattered by the centrifugal force from re-adhering to the wafer. In the chuck method, the wafer periphery is supported by chuck pins, the wafer is rotated horizontally, the processing liquid is supplied such that the entire back surface of the wafer is covered with the processing liquid, and the processing liquid is further wrapped around the peripheral edge on the wafer front side. Is the way. In order to process the portion supported by the chuck pins around the wafer, the wafer is temporarily released from being gripped by the chuck pins.
The wafer is rotated relative to the chuck pin by the action of the inertial force of the liquid on the wafer.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、エッジリン
ス方式では、処理が施される領域は、純水と薬液との境
界で決まるので、処理が施される領域の幅を精度よく制
御することができなかった。また、純水と薬液とが混ざ
ってしまうため、処理液を再使用することができなかっ
た。
However, in the edge rinsing method, the area to be treated is determined by the boundary between the pure water and the chemical solution, so that the width of the area to be treated can be controlled accurately. could not. Further, since the pure water and the chemical liquid are mixed, the processing liquid cannot be reused.

【0005】チャック方式では、薬液の流れの中にチャ
ックピンがあるため、薬液が跳ね、ウェハに再付着する
という問題があった。また、チャックピンに対するウェ
ハの相対的な回転は、ウェハ上の処理液の慣性に頼って
いるため、処理の再現性が低い。さらに、チャックピン
に対するウェハの相対的な回転により、処理前と処理後
とでウェハの角度方向が変化する。
In the chuck system, there is a problem that the chemical solution splashes because of the presence of the chuck pins in the flow of the chemical solution and re-adheres to the wafer. Further, since the relative rotation of the wafer with respect to the chuck pins depends on the inertia of the processing liquid on the wafer, the reproducibility of the processing is low. Furthermore, the relative rotation of the wafer with respect to the chuck pins changes the angular direction of the wafer before and after processing.

【0006】そこで、この発明の目的は、処理が施され
る領域の幅を精度よく制御することができる基板周縁処
理装置を提供することである。この発明の他の目的は、
処理液を再使用することができる基板周縁処理装置を提
供することである。この発明のさらに他の目的は、処理
液が基板に再付着しない基板周縁処理装置を提供するこ
とである。
An object of the present invention is to provide a substrate peripheral processing apparatus capable of controlling the width of a region to be processed with high accuracy. Another object of the present invention is to
An object of the present invention is to provide a substrate peripheral processing apparatus capable of reusing a processing liquid. Still another object of the present invention is to provide a substrate peripheral processing apparatus in which a processing liquid does not adhere to a substrate.

【0007】この発明のさらに他の目的は、処理の再現
性が高い基板周縁処理装置を提供することである。この
発明のさらに他の目的は、処理前と処理後とで基板の角
度方向が変化しない基板周縁処理装置を提供することで
ある。この発明のさらに他の目的は、処理が施される領
域の幅を精度よく制御することができる基板周縁処理方
法を提供することである。
It is still another object of the present invention to provide a substrate peripheral processing apparatus having high process reproducibility. Still another object of the present invention is to provide a substrate peripheral processing apparatus in which the angular direction of a substrate does not change before and after processing. Still another object of the present invention is to provide a substrate peripheral processing method capable of accurately controlling the width of a region to be processed.

【0008】この発明のさらに他の目的は、処理液を再
使用することができる基板周縁処理方法を提供すること
である。この発明のさらに他の目的は、処理液が基板に
再付着しない基板周縁処理方法を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理の再現性が高い基板
周縁処理方法を提供することである。
It is still another object of the present invention to provide a method of processing the periphery of a substrate which can reuse a processing solution. It is still another object of the present invention to provide a method of processing the periphery of a substrate in which the processing liquid does not adhere to the substrate.
Still another object of the present invention is to provide a substrate peripheral processing method having high process reproducibility.

【0009】この発明のさらに他の目的は、処理前と処
理後とで基板の角度方向が変化しない基板周縁処理方法
を提供することである。
It is still another object of the present invention to provide a method for processing a peripheral edge of a substrate in which the angular direction of the substrate does not change before and after the processing.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
課題を解決するための請求項1記載の発明は、所定の処
理液(19,20)を用いて円形基板(W)の周縁部を
洗浄またはエッチングする基板周縁処理装置であって、
上記円形基板を保持する基板保持手段(1,60)と、
この基板保持手段に保持された上記円形基板の周縁部の
少なくとも一部を覆うように配置可能な凹部(44,5
3,59)を有し、上記円形基板に垂直な回転軸線まわ
りに回転する回転体(2,4,21,51,52,5
8)と、この回転体を上記回転軸線まわりに回転させる
回転手段(46,24、34)と、上記回転体の凹部に
処理液を供給する処理液供給手段(6)と、を備えたこ
とを特徴とする基板周縁処理装置である。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: A substrate peripheral processing apparatus for cleaning or etching,
Substrate holding means (1, 60) for holding the circular substrate;
Recesses (44, 5) that can be arranged to cover at least a part of the peripheral edge of the circular substrate held by the substrate holding means.
Rotator (2, 4, 21, 51, 52, 5) having a rotation axis perpendicular to the circular substrate.
8), rotating means (46, 24, 34) for rotating the rotating body about the rotation axis, and processing liquid supply means (6) for supplying a processing liquid to the concave portion of the rotating body. A substrate peripheral processing apparatus.

【0011】請求項11記載の発明は、円形基板を基板
保持手段で保持する工程と、上記円形基板に垂直な回転
軸線まわりに回転し凹部を備えた回転体を、この凹部が
上記円形基板の周縁部の少なくとも一部を覆うように配
置する工程と、上記回転体を、回転手段により回転させ
る工程と、処理液を、処理液供給手段により上記凹部に
供給する工程と、を含むことを特徴とする基板周縁処理
方法である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じである。
According to an eleventh aspect of the present invention, the step of holding the circular substrate by the substrate holding means and the step of rotating the rotating body around a rotation axis perpendicular to the circular substrate and having a concave portion, the concave portion of the circular substrate Arranging at least a portion of the peripheral portion to cover the rotating body, rotating the rotating body by a rotating unit, and supplying a processing liquid to the recess by a processing liquid supply unit. Is a substrate peripheral processing method. It should be noted that the alphanumeric characters in parentheses indicate corresponding components and the like in the embodiments described later. Hereinafter, the same applies in this section.

【0012】基板保持手段は、円形基板の周縁部以外を
保持する構成とすることができる。この発明によれば、
たとえば、回転体を回転させた後、処理液を回転体の凹
部に供給すると、処理液は回転体による遠心力により凹
部内に張りついて保持される。凹部への処理液の供給量
を適当に設定することにより、円形基板周縁部は凹部内
の処理液に浸漬した状態となるので、円形基板周縁の処
理が施される。円形基板上で処理が施される領域の幅
は、凹部内の処理液の量で決まるので精度がよい。処理
が施される領域では、円形基板の保持を行わない構成と
することができるので、処理の再現性がよい。円形基板
の保持は、円形基板の中央部などでしっかり行い、基板
保持手段に対する円形基板の角度方向が変わらないよう
にすることができる。
The substrate holding means may be configured to hold a part other than the peripheral edge of the circular substrate. According to the invention,
For example, when the processing liquid is supplied to the concave portion of the rotating body after rotating the rotating body, the processing liquid is held in the concave portion by the centrifugal force of the rotating body. By appropriately setting the supply amount of the processing liquid to the concave portion, the peripheral portion of the circular substrate is immersed in the processing liquid in the concave portion, so that the peripheral edge of the circular substrate is processed. Since the width of the region to be processed on the circular substrate is determined by the amount of the processing liquid in the concave portion, the accuracy is good. In a region where the processing is performed, the configuration can be such that the circular substrate is not held, so that the reproducibility of the processing is good. The circular substrate can be held firmly at the center of the circular substrate or the like so that the angle direction of the circular substrate with respect to the substrate holding means does not change.

【0013】処理液の供給を開始してから、円形基板を
回転させることとしてもよい。凹部は、円形基板の周縁
部を全周にわたって覆うように配置可能であってもよ
く、円形基板の周縁部の一部のみを覆うように配置可能
であってもよい。請求項2記載の発明は、上記処理液供
給手段は、処理液が上記円形基板の周縁部に達するまで
処理液を供給可能であることを特徴とする請求項1記載
の基板周縁処理装置である。
After the supply of the processing liquid is started, the circular substrate may be rotated. The concave portion may be disposed so as to cover the entire periphery of the circular substrate, or may be disposed so as to cover only a part of the peripheral portion of the circular substrate. The invention according to claim 2 is the substrate peripheral processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid supply means can supply the processing liquid until the processing liquid reaches a peripheral portion of the circular substrate. .

【0014】この発明によれば、処理を行うために必要
な量の処理液を凹部に供給することができる。必要量の
処理液が供給されると、処理液の供給を停止する構成と
してもよい。請求項3記載の発明は、上記処理液供給手
段は、上記回転体が回転している際に上記凹部に処理液
を供給可能であることを特徴とする請求項1または2記
載の基板周縁処理装置である。
According to the present invention, it is possible to supply the processing liquid in an amount necessary for performing the processing to the concave portion. When the required amount of the processing liquid is supplied, the supply of the processing liquid may be stopped. The invention according to claim 3 is characterized in that the processing liquid supply means can supply the processing liquid to the recess when the rotating body is rotating. Device.

【0015】この発明によれば、処理液の供給に先立っ
て回転体を回転させておくことができるので、供給され
た処理液の大部分は凹部に保持される。したがって、処
理液を無駄にすることがない。請求項4記載の発明は、
上記基板保持手段は、上記円形基板を、この円形基板の
中心を通り上記円形基板に垂直な基板軸(A)を中心に
回転させるものであることを特徴とする請求項1ないし
3のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。
According to the present invention, since the rotating body can be rotated before the supply of the processing liquid, most of the supplied processing liquid is held in the recess. Therefore, the processing liquid is not wasted. The invention according to claim 4 is
4. The method according to claim 1, wherein the substrate holding means rotates the circular substrate around a substrate axis (A) passing through the center of the circular substrate and perpendicular to the circular substrate. A substrate peripheral processing apparatus according to (1).

【0016】この発明によれば、円形基板も回転可能な
ので、円形基板に対する処理液の相対速度を制御するこ
とができる。たとえば、凹部と基板保持手段とを同一方
向同一の回転速度で回転させ、処理液に対する円形基板
の相対的な動きをなくすことができる。すなわち、静的
な状態で処理を行うことができるので、処理液が跳ねた
りして円形基板に再付着することがない。請求項5記載
のように、上記基板保持手段は、上記円形基板を吸着保
持可能であってもよい。
According to the present invention, since the circular substrate is also rotatable, the relative speed of the processing liquid with respect to the circular substrate can be controlled. For example, the concave portion and the substrate holding means can be rotated at the same rotational speed in the same direction to eliminate the relative movement of the circular substrate with respect to the processing liquid. That is, since the processing can be performed in a static state, the processing liquid does not splash and re-attach to the circular substrate. As described in claim 5, the substrate holding means may be capable of holding the circular substrate by suction.

【0017】請求項6記載の発明は、上記回転体は、上
記基板保持手段に保持された円形基板に垂直な方向に二
分割可能な第1部分(4,52)および第2部分(2,
21,51)を備えていることを特徴とする請求項1な
いし5のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。た
とえば、回転体が凹部で分割可能に構成されている場
合、円形基板周縁の処理が終了した後、回転体を分割さ
せることにより、処理液を側方へ排出することができ
る。したがって、処理が終了した後、処理液が円形基板
の周縁部以外の部分に付着することがない。
According to a sixth aspect of the present invention, the rotator includes a first portion (4, 52) and a second portion (2, 2) which can be divided into two in a direction perpendicular to the circular substrate held by the substrate holding means.
The substrate peripheral processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising (21, 51). For example, when the rotating body is configured to be dividable by the concave portion, the processing liquid can be discharged to the side by dividing the rotating body after the processing on the periphery of the circular substrate is completed. Therefore, after the processing is completed, the processing liquid does not adhere to portions other than the peripheral portion of the circular substrate.

【0018】請求項7記載の発明は、上記第1部分およ
び第2部分のうちの一方は、上記円形基板の表面に対し
て所定の間隙をもって対向する円板(2,21)である
ことを特徴とする請求項6記載の基板周縁処理装置であ
る。この発明によれば、円形基板の表面に対して所定の
間隙をもって対向する円板を、円形基板周縁の処理のた
めにも用いることができる。請求項8記載の発明は、さ
らに、上記円形基板表面に気体を供給する気体供給手段
を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか
に記載の基板周縁処理装置である。
According to a seventh aspect of the present invention, one of the first portion and the second portion is a disk (2, 21) opposed to the surface of the circular substrate with a predetermined gap. 7. A substrate peripheral processing apparatus according to claim 6, wherein: According to the present invention, the disk facing the surface of the circular substrate with a predetermined gap can also be used for processing the peripheral edge of the circular substrate. The invention according to claim 8 is the substrate peripheral processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising gas supply means for supplying gas to the surface of the circular substrate.

【0019】この発明によれば、たとえば、円形基板周
縁の処理を行った後、窒素ガスを吹き付けながら円形基
板の乾燥を行うことができる。これにより、円形基板の
酸化を防ぐことができる。請求項9記載の発明は、上記
処理液供給手段が純水を含む複数種類の処理液を供給可
能であることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか
に記載の基板周縁処理装置である。
According to the present invention, for example, after processing the periphery of a circular substrate, the circular substrate can be dried while blowing nitrogen gas. Thereby, oxidation of the circular substrate can be prevented. The invention according to claim 9 is the substrate peripheral processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the processing liquid supply means can supply a plurality of types of processing liquids including pure water. .

【0020】この発明によれば、円形基板の周縁部に対
してエッチングなどの処理を行った後、純水で洗浄して
エッチング液を除去することができる。エッチング液な
どの薬液と純水とは、1つの配管で切り換えて供給され
てもよく、別個に設けられた配管から供給されてもよ
い。請求項10記載の発明は、さらに、処理液を分離回
収するための処理液回収容器(7)を、上記回転体の側
方に設けたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれ
かに記載の基板周縁処理装置である。
According to the present invention, after processing such as etching is performed on the peripheral portion of the circular substrate, the etching solution can be removed by washing with pure water. The chemical solution such as an etching solution and the pure water may be switched and supplied by one pipe, or may be supplied from separately provided pipes. According to a tenth aspect of the present invention, the processing liquid recovery container (7) for separating and recovering the processing liquid is provided on a side of the rotating body. It is a board | substrate edge processing apparatus of description.

【0021】たとえば、回転体が凹部で分割可能に構成
されている場合、円形基板周縁のエッチング処理が終了
した後、回転体を分割させると、エッチング液は遠心力
により回転体の側方へと排出される。この排出されたエ
ッチング液を受けて処理液回収容器導けば、円形基板周
縁の処理が終了したエッチング液を回収することができ
る。その後、エッチング処理と同様の方法で、円形基板
の周縁部を純水により洗浄した場合、たとえば、凹部の
回転を止めて重力の作用により純水を排出することがで
きる。この場合、エッチング液と純水とは、別の経路で
排出されるので、分離回収することができる。したがっ
て、回収した処理液を再使用することができる。
For example, in a case where the rotating body is configured to be dividable by the concave portion, when the rotating body is divided after the etching process of the peripheral edge of the circular substrate is completed, the etching liquid is moved to the side of the rotating body by centrifugal force. Is discharged. When the discharged etching liquid is received and guided to the processing liquid recovery container, the etching liquid whose peripheral edge of the circular substrate has been processed can be recovered. Thereafter, when the peripheral portion of the circular substrate is cleaned with pure water in the same manner as the etching process, for example, the rotation of the concave portion is stopped and the pure water can be discharged by the action of gravity. In this case, since the etching solution and the pure water are discharged through different routes, they can be separated and collected. Therefore, the collected processing liquid can be reused.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下では、添付図面を参照して、
本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、
本発明の第1の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解
的な断面図である。この基板周縁処理装置は、処理対象
である円形の半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」とい
う。)Wの周縁部の不要な薄膜を除去するベベルエッチ
ング処理などを実施するためのものである。この基板周
縁処理装置は、ウェハWをほぼ水平に保持して回転させ
るためのスピンチャック1と、処理時にスピンチャック
1とともに回転される円板状の遮断板2と、遮断板2を
保持して回転および昇降させる遮断板保持機構3と、遠
心力により処理液を保持する回転体4と、回転体4に処
理液を供給する処理液供給配管6と、回転体4を回転駆
動させる回転機構46と、処理後の処理液を回収する処
理液回収容器7とを備えている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG.
An embodiment of the present invention will be described in detail. FIG.
FIG. 1 is an illustrative sectional view of a substrate peripheral processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. The substrate peripheral processing apparatus is for performing a bevel etching process or the like for removing an unnecessary thin film on a peripheral portion of a circular semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a “wafer”) W to be processed. This substrate peripheral processing apparatus holds a spin chuck 1 for holding and rotating a wafer W substantially horizontally, a disk-shaped blocking plate 2 rotated together with the spin chuck 1 during processing, and a holding plate 2. The blocking plate holding mechanism 3 that rotates and moves up and down, the rotating body 4 that holds the processing liquid by centrifugal force, the processing liquid supply pipe 6 that supplies the processing liquid to the rotating body 4, and the rotating mechanism 46 that drives the rotating body 4 to rotate. And a processing liquid collecting container 7 for collecting the processing liquid after the processing.

【0023】スピンチャック1は、鉛直方向に沿わせて
配置されたチャック軸11と、このチャック軸11の上
端からほぼ水平方向にのびたチャックベース12とを有
している。チャックベース12の上面には、ウェハWを
吸着して保持するための吸引孔15が設けられている。
吸引孔15は真空配管13に連通しており、真空ポンプ
(図示せず)などに接続して、その内部の空気を排気す
ることができる。チャック軸11には、たとえばモータ
などの駆動源(図示せず)を含む回転駆動部14が結合
されている。したがって、チャックベース12でウェハ
Wを吸引保持した状態で、回転駆動部14によってチャ
ック軸11を回転させることにより、ウェハWを水平面
内で回転させることができる。スピンチャック1に保持
されたウェハWの中心を通りこのウェハWに垂直な基板
軸Aが、スピンチャック1の回転軸線に一致するよう
に、ウェハWは配置される。
The spin chuck 1 has a chuck shaft 11 arranged along the vertical direction, and a chuck base 12 extending substantially horizontally from the upper end of the chuck shaft 11. On the upper surface of the chuck base 12, a suction hole 15 for sucking and holding the wafer W is provided.
The suction hole 15 communicates with the vacuum pipe 13 and can be connected to a vacuum pump (not shown) or the like to exhaust air therein. A rotation drive unit 14 including a drive source (not shown) such as a motor is coupled to the chuck shaft 11. Therefore, the wafer W can be rotated in a horizontal plane by rotating the chuck shaft 11 by the rotation driving unit 14 while the wafer W is being suction-held by the chuck base 12. The wafer W is arranged such that the substrate axis A passing through the center of the wafer W held by the spin chuck 1 and perpendicular to the wafer W coincides with the rotation axis of the spin chuck 1.

【0024】回転体4は、基板軸Aに対してほぼ回転対
称形であるドラム形状を有し、スピンチャック1の側方
を囲むように配置されている。回転体4は、スピンチャ
ック1に保持されたウェハWの外周と対向する面を有す
るリング状の対向面部41と、対向面部41の下端から
中心側に水平に張り出した処理液保持底板42と、対向
面部41の下端から下方にのびた円筒体43とを備えて
いる。対向面部41の直径は、遮断板2の直径にほぼ等
しく、遮断板2は対向面部41上部を密閉して覆うこと
が可能である。平面視において、スピンチャック1に保
持されたウェハWは、その外周から内方にかけて一定の
幅で処理液保持底板42と重なる。
The rotating body 4 has a drum shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the substrate axis A, and is arranged so as to surround the side of the spin chuck 1. The rotator 4 has a ring-shaped facing surface portion 41 having a surface facing the outer periphery of the wafer W held by the spin chuck 1, a processing liquid holding bottom plate 42 horizontally projecting from the lower end of the facing surface portion 41 to the center side, And a cylindrical body 43 extending downward from the lower end of the facing surface portion 41. The diameter of the facing surface portion 41 is substantially equal to the diameter of the blocking plate 2, and the blocking plate 2 can seal and cover the upper portion of the facing surface portion 41. In plan view, the wafer W held by the spin chuck 1 overlaps the processing liquid holding bottom plate 42 with a constant width from the outer periphery to the inner side.

【0025】回転体4は、円筒体43下部に内設された
ベアリング8を介して、回転可能に支持されている。円
筒体43下部内面でベアリング8の上方には、リングギ
ア9が設けられている。回転体4の内側下方にはギア1
0を有するモータ45が設けられており、リングギア9
とギア10とは噛合している。モータ45を回転させる
ことにより、回転体4を回転させることができる。回転
体4の回転軸線は、基板軸Aに一致する。
The rotating body 4 is rotatably supported via a bearing 8 provided below the cylindrical body 43. A ring gear 9 is provided above the bearing 8 on the inner surface of the lower portion of the cylindrical body 43. A gear 1 is provided below the inside of the rotating body 4.
0 is provided, and a ring gear 9 is provided.
And the gear 10 are meshed. By rotating the motor 45, the rotating body 4 can be rotated. The rotation axis of the rotating body 4 coincides with the substrate axis A.

【0026】遮断板2は、ウェハWの表面に対して所定
の間隙(たとえば、0.1〜1.0mm、好ましくは
0.5mm)をもって対向し、ウェハWの表面に平行な
円板であって、処理対象のウェハWの直径よりわずかに
大きな直径を有している。遮断板保持機構3は、スピン
チャック1の外側に鉛直方向に沿って設けられた支持軸
31と、支持軸31を上下動させるための駆動力を発生
する昇降駆動部32と、支持軸31の上端から水平方向
にのびたアーム33と、アーム33の先端下面に取り付
けられ鉛直方向にのびた回転駆動可能な保持軸34とを
有している。保持軸34の先端には、遮断板2が水平に
取り付けられている。以上の構成により、遮断板2とチ
ャックベース12とは平行となる。
The blocking plate 2 is a circular plate that faces the surface of the wafer W with a predetermined gap (for example, 0.1 to 1.0 mm, preferably 0.5 mm) and is parallel to the surface of the wafer W. The diameter of the wafer W to be processed is slightly larger than the diameter of the wafer W to be processed. The blocking plate holding mechanism 3 includes a support shaft 31 provided vertically outside the spin chuck 1, an elevating drive unit 32 that generates a driving force for vertically moving the support shaft 31, and a support shaft 31. The arm 33 includes an arm 33 extending horizontally from the upper end, and a holding shaft 34 attached to the lower surface of the distal end of the arm 33 and extending vertically and rotatably driven. The blocking plate 2 is horizontally attached to the tip of the holding shaft 34. With the above configuration, the blocking plate 2 and the chuck base 12 are parallel.

【0027】この機構により、昇降駆動部32の駆動力
で支持軸31を上下動させることにより、遮断板2を、
対向面部41上部に接触させた接触位置(図1に実線で
示す)と対向面部41の上方に離間した離間位置(図1
に2点鎖線で示す)との間で変位させることができる。
また、保持軸34を回転駆動させることにより遮断板2
を回転させることができる。処理液供給配管6は、装置
の下方よりのびており、その一方端に吐出口5を有して
いる。吐出口5は、スピンチャック1に保持されたウェ
ハWと処理液保持底板42との間の上下位置で、対向面
部41を向くように配設されている。処理液供給配管6
の他方端は、エッチング液貯留槽および純水貯留槽(図
示せず)に接続されており、エッチング液および純水を
切り換えて供給することが可能である。
By this mechanism, the support shaft 31 is moved up and down by the driving force of the lifting drive unit 32, so that the blocking plate 2 is
A contact position (shown by a solid line in FIG. 1) in contact with the upper portion of the opposing surface portion 41 and a separation position (FIG.
(Indicated by a two-dot chain line).
In addition, by rotating the holding shaft 34, the blocking plate 2 is rotated.
Can be rotated. The processing liquid supply pipe 6 extends from below the apparatus, and has a discharge port 5 at one end. The discharge port 5 is disposed at a vertical position between the wafer W held by the spin chuck 1 and the processing liquid holding bottom plate 42 so as to face the facing surface portion 41. Processing liquid supply piping 6
The other end is connected to an etching solution storage tank and a pure water storage tank (not shown), and can switch and supply the etching solution and the pure water.

【0028】処理液回収容器7は、ドラム形状を有し、
回転体4のさらに外側に配置されている。処理液回収容
器7は、その上端が対向面部41の上端より高い上下位
置に配されており、その下端が回転体4の下端より低い
上下位置に配されている。また、処理液回収容器7は、
その上端が内側に向かって傾斜しており、その下端で回
転体4の下端を覆うように屈曲した屈曲部16を有して
いる。次に、この基板周縁処理装置を用いて、ウェハW
周縁の処理方法を説明する。
The processing liquid recovery container 7 has a drum shape,
It is arranged further outside the rotating body 4. The upper end of the processing liquid recovery container 7 is disposed at an upper and lower position higher than the upper end of the facing surface portion 41, and the lower end thereof is disposed at an upper and lower position lower than the lower end of the rotating body 4. In addition, the processing liquid collection container 7
Its upper end is inclined inward, and has a bent portion 16 bent at its lower end so as to cover the lower end of the rotating body 4. Next, using this substrate peripheral processing apparatus, the wafer W
The peripheral edge processing method will be described.

【0029】まず、遮断板2を離間位置に配置し、搬送
ロボット(図示せず)により、ウェハWをチャックベー
ス12上の所定位置に、すなわち、スピンチャック1の
回転軸線が基板軸Aに一致するように載置する。そし
て、ウェハWをチャックベース12に吸着させる。次
に、昇降駆動部32により遮断板2を下降させて対向面
部41上部に接触させる。この状態で、対向面部41、
遮断板2、および処理液保持底板42により、リング状
で内方に開いた凹部44が形成される。凹部44は、ウ
ェハWの周縁部を覆うように配置している。そして、モ
ータ45、保持軸34、および回転駆動部14を駆動し
て、回転体4、遮断板2、およびスピンチャック1を同
一方向に同一の回転速度で回転させる。
First, the blocking plate 2 is arranged at the separated position, and the wafer W is moved to a predetermined position on the chuck base 12 by the transfer robot (not shown), that is, the rotation axis of the spin chuck 1 coincides with the substrate axis A. Place it as you want. Then, the wafer W is attracted to the chuck base 12. Next, the blocking plate 2 is moved down by the lifting drive unit 32 to be brought into contact with the upper portion of the facing surface 41. In this state, the facing surface portion 41,
The blocking plate 2 and the processing liquid holding bottom plate 42 form a ring-shaped inwardly opened concave portion 44. The concave portion 44 is arranged so as to cover the peripheral portion of the wafer W. Then, the motor 45, the holding shaft 34, and the rotation drive unit 14 are driven to rotate the rotating body 4, the blocking plate 2, and the spin chuck 1 in the same direction at the same rotation speed.

【0030】続いて、処理液供給配管6より、エッチン
グ液19を供給する。エッチング液19は、吐出口5か
ら凹部44に向かって吐出される。このとき、凹部44
(回転体4)は回転しているので、エッチング液19
は、遠心力により対向面部41内面に張りついた状態と
なり、凹部44内に保持される。凹部44内に所定量の
エッチング液19が満たされると、吐出口5からのエッ
チング液19の供給を止める。このとき、凹部44内に
一定量以上のエッチング液19が満たされていると、ウ
ェハWの周縁部は、エッチング液19に浸漬した状態と
なり、ウェハW周縁部にエッチング処理が施される。凹
部44とスピンチャック1とは、同一方向に同一の回転
速度で回転しているので、エッチング液19に対するウ
ェハWの相対的な動きはない。
Subsequently, an etching solution 19 is supplied from the processing solution supply pipe 6. The etching solution 19 is discharged from the discharge port 5 toward the recess 44. At this time, the recess 44
Since the (rotator 4) is rotating, the etching solution 19
Is in a state of being stuck to the inner surface of the facing surface portion 41 by centrifugal force, and is held in the concave portion 44. When a predetermined amount of the etching solution 19 is filled in the concave portion 44, the supply of the etching solution 19 from the discharge port 5 is stopped. At this time, when the concave portion 44 is filled with the etching solution 19 in a certain amount or more, the peripheral portion of the wafer W is immersed in the etching solution 19 and the peripheral portion of the wafer W is subjected to the etching process. Since the recess 44 and the spin chuck 1 are rotating in the same direction at the same rotation speed, there is no relative movement of the wafer W with respect to the etching solution 19.

【0031】所定時間、エッチングを行った後、昇降駆
動部32により遮断板2を上昇させる。すると凹部44
は対向面部41と遮断板2との間で分割され、エッチン
グ液19は遠心力によりこれらの間から側方へ向かって
排出され、エッチングは終了する。側方へ排出されたエ
ッチング液19は、処理液回収容器7の内側面にあた
る。処理液回収容器7の上端が内側に向かって傾斜して
いることから、エッチング液19は、処理液回収容器7
の外側へは移動し難くなっている。その後、エッチング
液19は処理液回収容器7の内側面を下方へと移動し、
処理液回収容器7の下端の屈曲部16に回収される。回
収されたエッチング液19は、さらにエッチング液貯留
槽(図示せず)へと導かれる。
After the etching is performed for a predetermined time, the blocking plate 2 is raised by the lifting drive unit 32. Then the recess 44
Is divided between the opposing surface portion 41 and the blocking plate 2, and the etching solution 19 is drained laterally from between them by centrifugal force, and the etching is completed. The etching liquid 19 discharged to the side hits the inner surface of the processing liquid recovery container 7. Since the upper end of the processing liquid recovery container 7 is inclined inward, the etching liquid 19
It is difficult to move to the outside of. Thereafter, the etching solution 19 moves downward on the inner surface of the processing solution recovery container 7,
The liquid is collected in the bent portion 16 at the lower end of the processing liquid collection container 7. The collected etching solution 19 is further led to an etching solution storage tank (not shown).

【0032】次に、再び遮断板2を下降させて対向面部
41上部に接触させ、回転体4、遮断板2、およびスピ
ンチャック1を同一方向に同一の回転速度で回転させ
る。そして、処理液供給配管6の吐出口5より凹部44
に純水20を供給する。凹部44内には純水20が満た
され、ウェハWの周縁部は純水20に浸漬されることに
より洗浄される。すなわち、ウェハWの周縁部に付着し
たエッチング液19などは除かれる。
Next, the blocking plate 2 is lowered again to make contact with the upper portion of the facing surface portion 41, and the rotating body 4, the blocking plate 2 and the spin chuck 1 are rotated in the same direction at the same rotation speed. Then, the concave portion 44 is discharged from the discharge port 5 of the processing liquid supply pipe 6.
Is supplied with pure water 20. The recess 44 is filled with pure water 20, and the periphery of the wafer W is cleaned by being immersed in the pure water 20. That is, the etching solution 19 and the like attached to the peripheral portion of the wafer W are removed.

【0033】所定時間洗浄を行った後、遮断板2を上昇
させずに、遮断板2および回転体4の回転を停止する。
すると、純水20は重力の作用により、凹部44から下
方へ流れ落ちる。流れ落ちた純水は、受け容器(図示せ
ず)を経て廃液ラインへと導かれる。回転体4および遮
断板2は回転を停止させ、スピンチャック1はそのまま
回転を継続する。これにより、ウェハWの乾燥が行われ
る。ウェハWが乾燥すると、回転を停止し、ウェハWを
基板周縁処理装置から搬出する。以上で、ウェハW周縁
の処理を終了する。
After the cleaning for a predetermined time, the rotation of the blocking plate 2 and the rotating body 4 is stopped without raising the blocking plate 2.
Then, the pure water 20 flows down from the concave portion 44 by the action of gravity. The pure water that has flowed down is guided to a waste liquid line via a receiving container (not shown). The rotation of the rotating body 4 and the blocking plate 2 is stopped, and the spin chuck 1 continues to rotate. Thereby, the wafer W is dried. When the wafer W is dried, the rotation is stopped, and the wafer W is carried out of the substrate peripheral processing apparatus. Thus, the processing on the periphery of the wafer W is completed.

【0034】このような、基板周縁処理装置によれば、
ウェハW上で処理が施される領域の幅は、凹部44内の
処理液の量で決まるので精度がよい。処理が施される領
域では、ウェハWは保持されていないので、処理の再現
性がよい。ウェハWの保持は、ウェハWの中央部で吸着
によりしっかり行われており、スピンチャック1に対す
るウェハWの角度方向が変わらないようにすることがで
きる。処理時には、エッチング液19などの薬液に対す
るウェハWの相対的な動きがなく、静的な状態で処理を
行うことができるので、処理液が跳ねたりしてウェハW
に再付着することがない。なお、エッチング時や洗浄時
に、必要により、回転体4および遮断板2の回転速度と
スピンチャック1の回転速度とを異ならせ、処理液に対
してウェハWを相対的に動かすことも可能である。
According to such a substrate peripheral processing apparatus,
Since the width of the region to be processed on the wafer W is determined by the amount of the processing liquid in the concave portion 44, the accuracy is good. Since the wafer W is not held in the area where the processing is performed, the reproducibility of the processing is good. The holding of the wafer W is firmly performed by suction at the center of the wafer W, and the angle direction of the wafer W with respect to the spin chuck 1 can be kept unchanged. At the time of processing, there is no relative movement of the wafer W with respect to the chemical solution such as the etching solution 19, and the processing can be performed in a static state.
It does not re-adhere. At the time of etching or cleaning, the rotation speed of the rotator 4 and the blocking plate 2 and the rotation speed of the spin chuck 1 can be made different from each other, if necessary, to move the wafer W relative to the processing liquid. .

【0035】上記の装置によれば、処理液回収容器7に
より回収されたエッチング液は、他の処理液と分離回収
することが可能である。したがって、回収したエッチン
グ液を再使用することが可能である。保持軸34中に窒
素ガス配管を通し、遮断板2に設けた穴より窒素ガスを
供給可能な構成としてもよい。その場合、ウェハWの乾
燥時にウェハWに窒素ガスを供給し、ウェハWの酸化を
防止することができる。
According to the above-described apparatus, the etching solution recovered by the processing solution recovery container 7 can be separated and recovered from other processing solutions. Therefore, the collected etching liquid can be reused. A configuration may be adopted in which a nitrogen gas pipe is passed through the holding shaft 34 and nitrogen gas can be supplied from a hole provided in the blocking plate 2. In this case, when the wafer W is dried, a nitrogen gas is supplied to the wafer W, so that oxidation of the wafer W can be prevented.

【0036】図2は、本発明の第2の実施形態に係る基
板周縁処理装置の図解的な断面図である。図1に示す実
施形態による基板周縁処理装置と同一構成である部分は
同一符号を付して説明を省略する。この実施形態におい
ては、真空配管13以外に処理液供給配管6も、チャッ
クベース12およびチャック軸11内部に挿通されてい
る。チャック軸11は、下方で中空モータ24により回
転駆動可能に支持されている。チャック軸11の下端
は、ベアリング26を介して固定部材25に回転可能に
内嵌している。固定部材25の上部で、チャック軸11
の周囲には回転シール27が設けられている。固定部材
25には、処理液導入配管28が設けられており、処理
液導入配管28はチャック軸11中の回転する処理液供
給配管6へ処理液を送液可能に接続されている。固定部
材25の下端には、真空配管13に連通した排気孔29
が設けられている。
FIG. 2 is an illustrative sectional view of a substrate peripheral processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. Portions having the same configuration as those of the substrate peripheral processing apparatus according to the embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. In this embodiment, in addition to the vacuum pipe 13, the processing liquid supply pipe 6 is also inserted into the chuck base 12 and the chuck shaft 11. The chuck shaft 11 is rotatably supported by a hollow motor 24 below. The lower end of the chuck shaft 11 is rotatably fitted in the fixed member 25 via a bearing 26. At the top of the fixing member 25, the chuck shaft 11
Is provided with a rotary seal 27 around the periphery. The fixing member 25 is provided with a processing liquid introduction pipe 28, and the processing liquid introduction pipe 28 is connected to the rotating processing liquid supply pipe 6 in the chuck shaft 11 so that the processing liquid can be sent. An exhaust hole 29 communicating with the vacuum pipe 13 is provided at a lower end of the fixing member 25.
Is provided.

【0037】このような機構により、回転するチャック
軸11内部の処理液供給配管6に処理液を送液したり、
真空配管13中の空気を排気したりすることが可能とな
っている。処理液供給配管6の吐出口5は、チャックベ
ース12の側面に設けられている。チャックベース12
の側面下部からは、円板状の処理液保持底板52が張り
出している。
With such a mechanism, the processing liquid is supplied to the processing liquid supply pipe 6 inside the rotating chuck shaft 11,
The air in the vacuum pipe 13 can be exhausted. The discharge port 5 of the processing liquid supply pipe 6 is provided on a side surface of the chuck base 12. Chuck base 12
A processing liquid holding bottom plate 52 in the shape of a disk protrudes from the lower side of the side surface.

【0038】遮断板21は、保持軸34に固定されてお
らず、これらは別体となっている。遮断板21の上面中
央部には、上部が上に広がった把持部22が設けられて
いる。保持軸34の下端には、把持部22を把持するこ
とができるハンド35が備えられている。保持軸34
は、回転駆動する機構を有していない。遮断板21の外
周部から下方に向かって短筒部51がのびている。短筒
部51の下端には、円周方向に一定間隔で切欠55が設
けられている。また、その切欠55に対応するように、
処理液保持底板52の外周から側方に向かって突起54
が張り出している。
The blocking plate 21 is not fixed to the holding shaft 34, and these are separate bodies. At the center of the upper surface of the blocking plate 21, a grip portion 22 having an upper portion extending upward is provided. At the lower end of the holding shaft 34, a hand 35 capable of holding the holding portion 22 is provided. Holding shaft 34
Does not have a rotary drive mechanism. A short cylindrical portion 51 extends downward from the outer peripheral portion of the blocking plate 21. At the lower end of the short tubular portion 51, notches 55 are provided at regular intervals in the circumferential direction. Also, to correspond to the notch 55,
A protrusion 54 is provided from the outer periphery of the processing liquid holding bottom plate 52 to the side.
Is overhanging.

【0039】処理するウェハWの直径は、チャックベー
ス12の直径より大きく、遮断板21の直径より小さ
い。昇降駆動部32やハンド35が制御されて、遮断板
22はウェハWが吸着されたチャックベース12上に載
置される。すると、突起54は切欠55に嵌合し、遮断
板21、短筒部51、処理液保持底板52、およびチャ
ックベース12により、環状中空部53が形成される。
吐出口5は、環状中空部53内に開口しているので、吐
出口5から環状中空部53に処理液を供給することがで
きる。
The diameter of the wafer W to be processed is larger than the diameter of the chuck base 12 and smaller than the diameter of the blocking plate 21. The lifting drive unit 32 and the hand 35 are controlled, and the blocking plate 22 is placed on the chuck base 12 on which the wafer W is sucked. Then, the projection 54 is fitted into the notch 55, and the blocking plate 21, the short tube portion 51, the processing liquid holding bottom plate 52, and the chuck base 12 form an annular hollow portion 53.
Since the discharge port 5 is opened in the annular hollow portion 53, the processing liquid can be supplied from the discharge port 5 to the annular hollow portion 53.

【0040】突起54と切欠55との嵌合により、スピ
ンチャック1を回転させると、遮断板21も一緒に回転
する。この状態で環状中空部53に処理液を供給する
と、処理液は遠心力により短筒部51に張りついて保持
される。ウェハWは、この環状中空部53に張り出して
いるので、一定量以上の処理液を環状中空部53に満た
すことにより、ウェハWの周縁の処理を行うことができ
る。このまま環状中空部53の回転を停止しても、処理
液の量が一定量以下であれば、処理液の液面Bはウェハ
Wの下方となるので処理を終了することができる。
When the spin chuck 1 is rotated by the engagement between the projection 54 and the notch 55, the blocking plate 21 is also rotated. When the processing liquid is supplied to the annular hollow portion 53 in this state, the processing liquid adheres to and is held by the short cylindrical portion 51 by centrifugal force. Since the wafer W protrudes into the annular hollow portion 53, the peripheral edge of the wafer W can be processed by filling the annular hollow portion 53 with a certain amount or more of the processing liquid. Even if the rotation of the annular hollow portion 53 is stopped, if the amount of the processing liquid is equal to or less than a certain amount, the processing liquid level B is below the wafer W, so that the processing can be completed.

【0041】この基板周縁処理装置においては、1つの
中空モータ24により、スピンチャック1や遮断板21
などを回転させる構成なので、装置の構造が単純とな
る。図3は、本発明の第3の実施形態に係る基板周縁処
理装置の図解的な断面図である。図1や図2に示す実施
形態による基板周縁処理装置と同一構成である部分は同
一符号を付して説明を省略する。遮断板21は、第1の
実施形態と同様、保持軸34の下端に固定されている。
保持軸34は回転駆動させることができ、保持軸34を
回転駆動させることにより遮断板21を回転させること
ができる。
In this substrate peripheral processing apparatus, the spin chuck 1 and the blocking plate 21 are driven by one hollow motor 24.
The structure of the device is simple, so that the structure of the device is simple. FIG. 3 is an illustrative sectional view of a substrate peripheral processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The blocking plate 21 is fixed to the lower end of the holding shaft 34 as in the first embodiment.
The holding shaft 34 can be driven to rotate, and the blocking plate 21 can be rotated by driving the holding shaft 34 to rotate.

【0042】一方、チャック軸11には、回転駆動部1
4は結合されていない。チャック軸11は回転可能であ
る。昇降駆動部32により、遮断板21をスピンチャッ
ク1の上に降ろすと、突起54と切欠55と嵌合する。
保持軸34により遮断板21を回転させると、スピンチ
ャック1も一緒に回転する。すなわち、この実施形態に
おいても、1つの保持軸34により、スピンチャック1
や遮断板21などを回転させる構成なので、装置の構造
が単純となる。
On the other hand, the rotation drive unit 1 is attached to the chuck shaft 11.
4 is not connected. The chuck shaft 11 is rotatable. When the blocking plate 21 is lowered onto the spin chuck 1 by the lifting drive unit 32, the protrusion 54 and the notch 55 are fitted.
When the blocking plate 21 is rotated by the holding shaft 34, the spin chuck 1 also rotates. That is, also in this embodiment, the spin chuck 1 is held by one holding shaft 34.
The structure of the device is simplified because the structure and the blocking plate 21 are rotated.

【0043】図4は、本発明の第4の実施形態に係る基
板周縁処理装置の一部を示す図解的な平面図であり、図
5は、その図解的な断面図である。3つ1組で1枚のウ
ェハWを保持することができるローラ60が3組配置さ
れている。3組のローラ60に保持された3枚のウェハ
Wは、等間隔をあけて配置される。ローラ60は外周に
V溝を有しており、ウェハWをその端部がV溝に嵌る状
態で保持することができる(図5(a))。1組のロー
ラ60のうちの1つは駆動源に結合されており、ウェハ
Wを回転させることが可能である。1組のローラ60
は、互いに間隔を拡げてウェハWの着脱を行うことが可
能である。
FIG. 4 is an illustrative plan view showing a part of a substrate peripheral processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an illustrative sectional view thereof. Three sets of rollers 60 capable of holding one wafer W in sets of three are arranged. The three wafers W held by the three sets of rollers 60 are arranged at equal intervals. The roller 60 has a V-groove on the outer periphery, and can hold the wafer W in a state where its end is fitted into the V-groove (FIG. 5A). One of the set of rollers 60 is coupled to a driving source, and can rotate the wafer W. One set of rollers 60
It is possible to attach and detach the wafer W with a wide interval.

【0044】回転体58は、円板の外周部が下方から内
方へ屈曲して凹部59を形成した構造を有している。回
転体58は、回転した状態で凹部59に処理液19,2
0を保持可能である。凹部59は環状になっており、そ
の内方端61の輪郭は、ウェハWの直径の約3倍の直径
を有している。ローラ60に保持された3枚のウェハW
は、ほぼ凹部59内の空間に内接する位置に配置され
る。すなわち、回転体58の凹部59は、3枚のウェハ
Wの周縁部の一部を覆っている。また、ウェハWは、ロ
ーラ60を移動させることにより、回転体58の中心方
向と外周方向とに移動させることができる。
The rotating body 58 has a structure in which an outer peripheral portion of a disk is bent inward from below to form a concave portion 59. The rotator 58 holds the processing liquids 19 and 2 in the recess 59 while rotating.
0 can be held. The concave portion 59 has an annular shape, and the contour of the inner end 61 has a diameter approximately three times the diameter of the wafer W. Three wafers W held by rollers 60
Is arranged at a position substantially inscribed in the space inside the concave portion 59. That is, the concave portion 59 of the rotating body 58 covers a part of the peripheral portion of the three wafers W. Further, the wafer W can be moved in the center direction and the outer peripheral direction of the rotating body 58 by moving the roller 60.

【0045】処理時には、まず、ウェハWが受け渡しに
際して凹部59の内方端61にかからない位置で、3枚
のウェハWをそれぞれ3組のローラ60で保持する。そ
して、回転体58を回転させ、凹部59に処理液19,
20を保持させる。そして、ウェハWを回転させなが
ら、ウェハWを凹部59の方へ移動させ、その一部が処
理液19,20に浸漬する状態にする(図5(b))。
ウェハWは回転しているので、処理液19,20に浸漬
する部分は順次移動し、一定時間内にはウェハW周縁の
全周が浸漬することになる。このようにして、ウェハW
周縁の処理を行うことができる。処理を終了するとき
は、ウェハWを回転体58の内方側に移動させてから、
回転体58の回転を停止する。これにより、処理液1
9,20は下方で落下する。
At the time of processing, first, three wafers W are held by three sets of rollers 60 at a position where the wafer W does not touch the inner end 61 of the concave portion 59 at the time of delivery. Then, the rotating body 58 is rotated, and the processing liquid 19 and
Hold 20. Then, while rotating the wafer W, the wafer W is moved toward the concave portion 59, and a part of the wafer W is immersed in the processing liquids 19 and 20 (FIG. 5B).
Since the wafer W is rotating, the parts immersed in the processing liquids 19 and 20 move sequentially, and the entire periphery of the wafer W is immersed within a certain time. Thus, the wafer W
Peripheral processing can be performed. When ending the processing, the wafer W is moved to the inside of the rotating body 58,
The rotation of the rotating body 58 is stopped. Thereby, the processing liquid 1
9, 20 fall below.

【0046】このような処理装置によれば、複数枚のウ
ェハWを同時に処理することができる。ウェハWを保持
する位置は、処理を施すウェハW周縁部であるが、ウェ
ハWはローラ60により密接されて保持され、規則的な
回転を与えられるので、処理の再現性はよい。しかも、
ウェハWを保持する部分は処理液中にはないので、処理
液が跳ねてウェハWに再付着することはない。また、こ
の実施形態では、真空による吸着でウェハWを保持して
いないので、裏面パーティクルに対して有利になる。
According to such a processing apparatus, a plurality of wafers W can be processed simultaneously. The position where the wafer W is held is the peripheral portion of the wafer W to be processed. However, the wafer W is held closely by the rollers 60 and given a regular rotation, so that the reproducibility of the process is good. Moreover,
Since the portion holding the wafer W is not in the processing liquid, the processing liquid does not splash and re-attach to the wafer W. Further, in this embodiment, since the wafer W is not held by vacuum suction, it is advantageous for the back surface particles.

【0047】第1ないし第3の実施形態では、純水20
を供給する処理液供給配管6とエッチング液19を供給
する処理液供給配管6とは共通であったが、これらは別
個に設けられていてもよい。処理液はウェハWの裏面に
向けて供給してもよい。また、第1の実施形態では、処
理液は凹部44から溢れる前に供給を停止することとし
ているが、常に新液を供給してもよい。その場合、凹部
44を形成する対向面部41に、適当な流量で処理液を
排出するための処理液排出孔47が設けられた構成とす
ることができる(図6)。
In the first to third embodiments, pure water 20
Although the processing liquid supply pipe 6 for supplying the etching liquid 19 and the processing liquid supply pipe 6 for supplying the etching liquid 19 are common, they may be provided separately. The processing liquid may be supplied toward the back surface of the wafer W. In the first embodiment, the supply of the processing liquid is stopped before overflowing from the concave portion 44, but a new liquid may be supplied at all times. In this case, a configuration is possible in which the processing liquid discharge hole 47 for discharging the processing liquid at an appropriate flow rate is provided in the facing surface portion 41 forming the concave portion 44 (FIG. 6).

【0048】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る基板周縁処理装
置の図解的な断面図である。
FIG. 1 is an illustrative sectional view of a substrate peripheral processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施形態に係る基板周縁処理装
置の図解的な断面図である。
FIG. 2 is an illustrative sectional view of a substrate peripheral processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施形態に係る基板周縁処理装
置の図解的な断面図である。
FIG. 3 is an illustrative sectional view of a substrate peripheral processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施形態に係る基板周縁処理装
置の一部を示す図解的な平面図である。
FIG. 4 is an illustrative plan view showing a part of a substrate peripheral processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4の実施形態に係る基板周縁処理装
置の一部を示す図解的な断面図である。
FIG. 5 is an illustrative sectional view showing a part of a substrate peripheral processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】処理液排出孔を備えた凹部の構造を示す図解的
な断面図である。
FIG. 6 is an illustrative sectional view showing a structure of a concave portion having a processing liquid discharge hole.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スピンチャック 2,21 遮断板 4,58 回転体 5 吐出口 6 処理液供給配管 7 処理液回収容器 44,59 凹部 46 回転機構 53 環状中空部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 2, 21 Cut-off plate 4, 58 Rotating body 5 Discharge port 6 Processing liquid supply pipe 7 Processing liquid recovery container 44, 59 Recess 46 Rotation mechanism 53 Annular hollow part

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Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】所定の処理液を用いて円形基板の周縁部を
洗浄またはエッチングする基板周縁処理装置であって、 上記円形基板を保持する基板保持手段と、 この基板保持手段に保持された上記円形基板の周縁部の
少なくとも一部を覆うように配置可能な凹部を有し、上
記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転する回転体
と、 この回転体を上記回転軸線まわりに回転させる回転手段
と、 上記回転体の凹部に処理液を供給する処理液供給手段
と、を備えたことを特徴とする基板周縁処理装置。
1. A substrate peripheral processing apparatus for cleaning or etching a peripheral portion of a circular substrate using a predetermined processing liquid, comprising: a substrate holding means for holding the circular substrate; and a substrate holding means for holding the circular substrate. A rotating body that has a recess that can be arranged to cover at least a part of the peripheral edge of the circular substrate, and that rotates about a rotation axis perpendicular to the circular substrate; and a rotating unit that rotates the rotating body about the rotation axis. And a processing liquid supply means for supplying a processing liquid to the concave portion of the rotating body.
【請求項2】上記処理液供給手段は、処理液が上記円形
基板の周縁部に達するまで処理液を供給可能であること
を特徴とする請求項1記載の基板周縁処理装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid supply means is capable of supplying the processing liquid until the processing liquid reaches a peripheral portion of the circular substrate.
【請求項3】上記処理液供給手段は、上記回転体が回転
している際に上記凹部に処理液を供給可能であることを
特徴とする請求項1または2記載の基板周縁処理装置。
3. The substrate peripheral processing apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid supply means is capable of supplying a processing liquid to said recess when said rotating body is rotating.
【請求項4】上記基板保持手段は、上記円形基板を、こ
の円形基板の中心を通り上記円形基板に垂直な基板軸を
中心に回転させるものであることを特徴とする請求項1
ないし3のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
4. The substrate holding means for rotating the circular substrate around a substrate axis passing through the center of the circular substrate and perpendicular to the circular substrate.
4. The substrate peripheral processing apparatus according to any one of claims 3 to 3.
【請求項5】上記基板保持手段は、上記円形基板を吸着
保持可能であることを特徴とする請求項1ないし4のい
ずれかに記載の基板周縁処理装置。
5. The substrate peripheral processing apparatus according to claim 1, wherein said substrate holding means is capable of holding said circular substrate by suction.
【請求項6】上記回転体は、上記基板保持手段に保持さ
れた円形基板に垂直な方向に二分割可能な第1部分およ
び第2部分を備えていることを特徴とする請求項1ない
し5のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
6. The rotating body according to claim 1, further comprising a first portion and a second portion which can be divided into two in a direction perpendicular to the circular substrate held by the substrate holding means. A substrate peripheral processing apparatus according to any one of the above.
【請求項7】上記第1部分および第2部分のうちの一方
は、上記円形基板の表面に対して所定の間隙をもって対
向する円板であることを特徴とする請求項6記載の基板
周縁処理装置。
7. The peripheral processing of a substrate according to claim 6, wherein one of said first portion and said second portion is a disk facing a surface of said circular substrate with a predetermined gap. apparatus.
【請求項8】さらに、上記円形基板表面に気体を供給す
る気体供給手段を備えたことを特徴とする請求項1ない
し7のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
8. The substrate peripheral processing apparatus according to claim 1, further comprising gas supply means for supplying gas to the surface of the circular substrate.
【請求項9】上記処理液供給手段が純水を含む複数種類
の処理液を供給可能であることを特徴とする請求項1な
いし8のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
9. The substrate peripheral processing apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid supply means is capable of supplying a plurality of types of processing liquids including pure water.
【請求項10】さらに、処理液を分離回収するための処
理液回収容器を、上記回転体の側方に設けたことを特徴
とする請求項1ないし9のいずれかに記載の基板周縁処
理装置。
10. The substrate peripheral processing apparatus according to claim 1, further comprising a processing liquid recovery container for separating and recovering the processing liquid, provided on a side of the rotating body. .
【請求項11】円形基板を基板保持手段で保持する工程
と、 上記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転し凹部を備
えた回転体を、この凹部が上記円形基板の周縁部の少な
くとも一部を覆うように配置する工程と、 上記回転体を、回転手段により回転させる工程と、 処理液を、処理液供給手段により上記凹部に供給する工
程と、を含むことを特徴とする基板周縁処理方法。
11. A step of holding a circular substrate by substrate holding means, and a step of rotating a rotating body which is rotated around a rotation axis perpendicular to the circular substrate and has a concave portion, the concave portion being at least a part of a peripheral edge of the circular substrate. A peripheral edge of the substrate, a step of rotating the rotating body by a rotating unit, and a step of supplying a processing liquid to the recess by a processing liquid supply unit. .
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