JP2007157928A - Processing device and method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理装置及び処理方法に関し、例えば、半導体ウェーハなどの被処理体の周縁部を処理液によって処理するための処理装置及び処理方法に関する。 The present invention relates to a processing apparatus and a processing method, for example, a processing apparatus and a processing method for processing a peripheral portion of a target object such as a semiconductor wafer with a processing liquid.
半導体装置やその他の電子デバイスなど、略円形の基板を用いるプロセスにおいて、基板の周縁部に傷や亀裂が生じたり、あるいは不要な堆積物が形成されてしまうことがある。このような傷、亀裂などは、例えば、基板を搬送する際の保持具との接触で発生し、また、不要な堆積物は、例えば、エッチング工程や成膜工程などで生じる反応副生成物が付着したりすることで発生することが知られている。 In a process using a substantially circular substrate such as a semiconductor device or other electronic device, scratches or cracks may be generated on the peripheral edge of the substrate, or unnecessary deposits may be formed. Such scratches, cracks, and the like occur, for example, in contact with a holder when transporting the substrate, and unnecessary deposits include reaction by-products generated in, for example, an etching process or a film forming process. It is known that it occurs by adhering.
そして、このような傷、亀裂、堆積物などが生じると、その後の工程において周縁部に応力集中が起こりやすくなり、その結果、部分的な割れや欠けを生じたり、最悪の場合、基板自体が割れたりしてしまい半導体装置や電子デバイスなどの製造ができなくなる問題が発生する。また、割れた破片が以後に処理をする他の基板に載ってしまった場合にも、配線不良などの不具合を生じる。 When such scratches, cracks, deposits, etc. occur, stress concentration tends to occur in the peripheral portion in the subsequent process, resulting in partial cracks or chipping, or in the worst case, the substrate itself There arises a problem that the semiconductor device or the electronic device cannot be manufactured due to cracking. Also, when a broken piece is placed on another substrate to be processed later, problems such as defective wiring occur.
そのため、基板の周縁部の傷、亀裂、堆積物などの発生を低減すべく種々のプロセス上の改良が加えられているが、これらの発生を完全になくすことはできない。そこで、基板の周縁部を処理液で処理する技術が提案されている(例えば、特許文献1〜3)。
Therefore, various process improvements have been made to reduce the occurrence of scratches, cracks, deposits, and the like on the peripheral edge of the substrate, but these occurrences cannot be completely eliminated. Therefore, techniques for processing the peripheral edge of the substrate with a processing liquid have been proposed (for example,
特許文献1に開示されている技術は、回転する基板の周縁部が通過可能な処理液供給手段を設け、所定の処理液を処理液供給手段に供給するとともに基板を回転させて、基板周縁部を所定の処理液で処理するものである。
The technique disclosed in
しかしながら、特許文献1に開示されているような技術においては、所定の処理液を回転する基板の周縁部付近に供給するだけのため、処理領域寸法の精度の高い制御ができなかった。そのため、処理すべきでない領域までにも処理液が付着したり、反対に、処理すべき領域に処理液が付着しないなどの問題を生じていた。また、処理液供給手段は基板周縁部に部分的に設けるものなので処理効率も低いものとなっていた。
However, in the technique as disclosed in
特許文献2に開示されている技術は、回転する基板の周縁部が通過可能な処理液タンクを設け、所定の処理液を処理液タンクに基板表面をつたわせるようにして供給するとともに、基板を回転させて、基板周縁部を所定の処理液で処理するものである。
The technique disclosed in
しかしながら、特許文献2に開示されているような技術においては、処理液を基板全体に供給しているためそのままでは周縁部のみを選択的に処理することができない。そのため、処理に先立ち、処理が不要な非処理領域の保護のためのコーティングが必要になるなどの手間がかかっていた。
However, in the technique disclosed in
特許文献3に開示されている技術は、基板の周縁部に環状の処理槽を設け、処理槽の処理液に基板周縁部を接触させて、基板周縁部の処理をおこなうものである。
In the technique disclosed in
しかしながら、特許文献3に開示されているような技術においては、単に処理槽の処理液に基板周縁部を接触させるようにしているだけなので、処理領域寸法の精度の高い制御ができなかった。そのため、処理すべきでない領域までにも処理液が付着したり、反対に、処理すべき領域に処理液が付着しないなどの課題を有していた。また、一度に基板の片側のみしか処理ができず、処理効率に課題を有していた。
本発明は、基板などの周縁部を選択的に処理液により処理するとともに、処理領域寸法の精度の高い制御ができ処理効率も高い、処理装置及び処理方法を提供する。 The present invention provides a processing apparatus and a processing method in which a peripheral portion of a substrate or the like is selectively processed with a processing liquid, and the processing region size can be controlled with high accuracy and processing efficiency is high.
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
被処理体の周縁部を処理液により処理する処理装置であって、
前記被処理体を載置保持可能なテーブルと、
前記処理液を保持可能かつ前記被処理体の前記周縁部を挿入可能な処理液保持空間を有する処理液ユニットと、
前記処理液保持空間に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液ユニットを回転させる回転手段と、
を備えたことを特徴とする処理装置が提供される。
In order to achieve the above object, according to one aspect of the present invention,
A processing apparatus for processing a peripheral portion of an object to be processed with a processing liquid,
A table capable of mounting and holding the object to be processed;
A treatment liquid unit having a treatment liquid holding space capable of holding the treatment liquid and inserting the peripheral portion of the object to be processed;
Treatment liquid supply means for supplying the treatment liquid to the treatment liquid holding space;
A rotating means for rotating the treatment liquid unit;
A processing apparatus characterized by comprising:
また、本発明の他の一態様によれば、
被処理体の周縁部を処理液により処理する処理方法であって、
前記処理液が保持可能な処理液保持空間を有する処理液ユニットの回転中心と、前記被処理体の中心とがほぼ同軸となるように、かつ前記周縁部が前記処理液保持空間に挿入されるように前記被処理体を載置保持する工程と、
前記処理液ユニットを回転させる工程と、
前記処理液ユニットを回転させた状態で、前記処理液を前記処理液保持空間に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする処理方法が提供される。
According to another aspect of the present invention,
A processing method for processing a peripheral portion of an object to be processed with a processing liquid,
The rotation center of a processing liquid unit having a processing liquid holding space capable of holding the processing liquid and the center of the object to be processed are substantially coaxial, and the peripheral edge portion is inserted into the processing liquid holding space. A step of placing and holding the object to be processed,
Rotating the treatment liquid unit;
Supplying the processing liquid to the processing liquid holding space in a state where the processing liquid unit is rotated;
A processing method characterized by comprising:
本発明によれば、基板などの周縁部を選択的に処理液により処理するとともに、処理領域寸法の精度の高い制御ができ処理効率も高い、処理装置及び処理方法を提供することができる。そのため、産業上のメリットは多大である。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while processing the peripheral part, such as a board | substrate, with a processing liquid selectively, the control of the processing area dimension can be performed with high precision, and the processing efficiency and processing method can be provided. Therefore, the industrial merit is great.
以下、本発明の第一の実施の形態について、具体例を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to specific examples.
図1は、本発明の第一の実施の形態にかかる処理装置1の部分断面斜視図である。
図2は、図1における要部の拡大図である。
図3は、同処理装置1の平面図である。
図4は、図3におけるA−O−A線拡大断面図である。
図5は、処理液ユニット4の処理液保持部4cから上面板4aが離隔した状態を表す図4と同様の断面図である。
図6は、処理液Lが保持された処理液保持空間4i付近の要部拡大断面図である。
FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view of a
FIG. 2 is an enlarged view of a main part in FIG.
FIG. 3 is a plan view of the
4 is an enlarged cross-sectional view taken along line A-O-A in FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view similar to FIG. 4 illustrating a state in which the
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part in the vicinity of the processing
処理装置1には、基板(被処理体)Wを載置した状態で保持するためのテーブル2が備えられている。テーブル2の基板載置面には、基板Wを保持するための図示しないバキュームチャックが備えられている。テーブル2において、基板載置面の反対側の面にはシャフト3が一体に設けられている。シャフト3の内部にはバキューム用の通路17が形成されており、この通路17の一端は図示しないバキュームチャックに連通するとともに、他端はこれも図示しない真空ポンプなどの排気装置に接続されている。
The
なお、バキュームチャックの代わりに、例えば、静電チャックのような他の保持手段を設けてもよい。シャフト3の下方には図示しない上下手段が接続されており、その上下手段によりシャフト3を介してテーブル2が上下動可能とされている。
Note that other holding means such as an electrostatic chuck may be provided instead of the vacuum chuck. A vertical means (not shown) is connected to the lower side of the
また、処理装置1は、処理液ユニット4を備える。処理液ユニット4は、断面コの字状の処理液保持空間4iを有する。処理液保持空間4iには、テーブル2上に保持された状態の基板Wの周縁部が挿入可能となっている。処理液保持空間4iは、基板Wの周縁部に沿った環状の溝として設けられている。
Further, the
処理液ユニット4は回転可能に配設され、その回転中心と、テーブル2の中心と、はほぼ同軸となっている。後に詳述するように、処理液ユニット4が回転すると、遠心力によって、処理液保持空間4iに処理液が保持され、基板Wの周縁部は、この処理液の中に沈積された状態となる。このようにして、基板Wの周縁部のみにエッチングなどの処理をすることができる。処理液ユニット4の下面には、これを支えるためのハウジング5が固着されており、さらにハウジング5の底面5aの中央には、処理液ユニット4の中心とほぼ同軸になるように回転シャフト6が一体に設けられている。回転シャフト6は筒状を呈し、その内部には、前述のシャフト3が通されている。回転シャフト6には、図示しない電気モータなどを含む回転手段が連結されており、処理液ユニット4はその回転手段により、基板Wの周縁部に沿った方向に回転可能となっている。
The treatment liquid unit 4 is rotatably arranged, and the center of rotation and the center of the table 2 are substantially coaxial. As will be described in detail later, when the processing liquid unit 4 rotates, the processing liquid is held in the processing
処理液ユニット4の外側を覆うように、上面が開放した処理液飛散防止用のカバー7が備えられている。カバー7の底板7aの中央には、シャフト3及び回転シャフト6が通される貫通孔が形成されている。また、底板7aには、図示しない処理液排出用の穴が設けられており、その処理液排出用の穴は、回収タンクなどの回収手段と接続されている。
A cover 7 for preventing the treatment liquid from scattering is provided so as to cover the outside of the treatment liquid unit 4. A through hole through which the
ハウジング5の底面5aの下方には、処理液ユニット4の後述する上面板4aを処理液保持部4cから離隔させるための上下機構8が設けられている。上下機構8はリング状を呈し、その中央孔を、回転シャフト6及びシャフト3が貫通している。上下機構8は図示しない上下手段に接続されており、この上下手段により、上下機構8は後述する上下シャフト19a〜19d(図3、4に図示)の下端面を押圧可能となっている。
Below the
処理液ユニット4は、相互に分離可能な2つの組み合わせ体である処理液保持部4cと上面板4aとを有する。上面板4aはリング状を呈し、この下方には、同じくリング状の処理液保持部4cが設けられている。処理液保持部4cは、ハウジング5のリング状の上端面上に固定支持されている。処理液保持部4cは、その外周側の部分が、内周側の部分よりも凸状で上方に(上面板4a側に)突出した形状をしており、その外周側の部分が突出した分、内周側すなわち基板Wの周縁部に向き合う側に段差が形成されている。
The processing liquid unit 4 includes a processing
図2に表されるように、処理液保持部4cの凸状部上面4hには、環状の凹溝4eが形成され、この凹溝4eにはOリング4bが嵌入されている。その処理液保持部4cの凸状部上面4hには、上面板4aの下面が当接され、それら両者の合わせ面の内周側と外周側とは、Oリング4bによって液密に遮断される。ただし、Oリング4bは必須の構成要素ではなく、上面板4aと凸状部上面4hが当接することによりある程度の液漏れが防止できれば、これを省くこともできる。
As shown in FIG. 2, an annular groove 4e is formed on the
処理液保持部4cに上面板4aが当接した際にできる環状コの字型の空間が処理液保持空間4iとなる。また、図6に表されるように、処理液保持部4cには、処理液保持空間4iと、処理液保持部4cの外部とを連通させる処理液排出口4dが形成されている。図3に表されるように、処理液排出口4dは、処理液ユニット4の周方向に沿って例えば等間隔で配置され、また複数形成されている。尚、処理液排出口4dは等間隔配置に限ることはなく、また個数も適宜選択が可能である。また、処理液排出口4dに図示しない遮断弁を接続し、処理液Lの排出を制御可能としてもよい。
An annular U-shaped space formed when the
図4に表されるように、処理液保持部4c及びこの下のハウジング5を貫通して上下シャフト19a、19bが設けられている。図4では、2本の上下シャフト19a、19bのみが図示されているが、図3に表されるように、例えば全部で4本の上下シャフト19a〜19dが、処理ユニット4の周方向に沿って配置されて設けられている。上下シャフト19aと19cとが、処理液ユニット4及びテーブル2の中心Oを挟んで対向し、上下シャフト19bと19dとが、上記中心Oを挟んで対向している。なお、上下シャフトの本数、配置は適宜選択が可能である。各上下シャフト19a〜19dの上端部は、上面板4aに固定されている。
As shown in FIG. 4, upper and
図4に表されるように、各上下シャフト19a〜19dの下端部には受け座4gが設けられ、その受け座4gとハウジング5との間には、各上下シャフト19a〜19dを下方に付勢するコイルバネ4fが設けられている。このコイルバネ4fの付勢力により、上面板4aは、Oリング4bを介して処理液保持部4cに押し付けられ、処理液保持空間4iからの処理液の漏れが防止される。
As shown in FIG. 4, a receiving seat 4 g is provided at the lower end of each of the upper and
ハウジング5内には、処理液供給手段として、例えば2本の処理液ノズル9が設けられている。2本の処理液ノズル9は、シャフト3の周囲に180°間隔で配置されている。処理液ノズル9の一端は図示しない処理液供給源に接続されており、他端(先端)は処理液保持空間4iに向けて処理液が供給できる位置に配置されている。
In the
処理液ノズル9は、シャフト3と回転シャフト6との間を通され、さらに処理液ユニット4の回転中心O(図3参照)から径外方に延び、さらにここから上方に延び、さらに処理液保持空間4iに向けて延びている。処理液ノズル9の先端は、テーブル2に載置保持された基板Wの下方に位置する。また、図3に表されるように、処理液ノズル9の先端側の部分は、回転中心Oから径外方に延びる部分に対して、処理ユニット4の回転方向r側に傾いている。
The processing liquid nozzle 9 is passed between the
処理液ノズル9は、2本に限らず、3本以上または1本だけでもよい。また、その配置も必ずしも均等割り付けでなくともよい。また、処理液ノズル9は必ずしも処理液ユニット4の内側に設ける必要はなく、例えば、処理液排出口4dのように処理液保持部4cに設けてもよいし、処理液排出口4dに切り替え弁を設けて処理液Lの供給と排出を切り替えて処理液Lを供給するようにしてもよい。さらには、基板Wの上方に設けることもできる。
The number of treatment liquid nozzles 9 is not limited to two, but may be three or more or only one. Further, the arrangement is not necessarily equal. Further, the processing liquid nozzle 9 is not necessarily provided inside the processing liquid unit 4. For example, the processing liquid nozzle 9 may be provided in the processing
次に、処理装置1の動作について説明する。
Next, the operation of the
まず、図示しない上下手段により上下機構8を上昇させ、上下機構8を、上下シャフト19a〜19dの下端面に当接させ、さらに上下機構8が上昇することで、コイルバネ4fの付勢力に打ち勝ち、上下シャフト19a〜19dを上方に持ち上げる。これにより、図5に表されるように、上下シャフト19a〜19dの上端部に固定された上面板4aが処理液保持部4cの凸状部上面4hから離隔上昇する。
First, the
次に、図示しない上下手段によりシャフト3を介してテーブル2を上昇させる。このとき、テーブル2の上昇端において、上面板4aの下面と、テーブル2の上面との間に、基板Wの搬入搬出が可能となるようなスペースができる。
Next, the table 2 is lifted through the
その状態で、基板Wを、図3に表されるフォーク15などの搬送装置により、カバー7に形成された図示しない開口を介してカバー7の内部に搬入し、さらに上面板4aの下面と、テーブル2の上面との間に搬入し、テーブル2上に載置する。上下シャフト19aと19bとの間の間隔、及び上下シャフト19dと19cとの間の間隔は、基板Wの直径より大きいため、上下シャフト19a〜19dは基板Wの搬出入の妨げにはならない。
In that state, the substrate W is carried into the cover 7 through an opening (not shown) formed in the cover 7 by a transport device such as the fork 15 shown in FIG. It is carried between the upper surface of the table 2 and placed on the table 2. Since the distance between the upper and
上面板4aの下面と、テーブル2の上面との間に搬入された基板Wは、図示しない位置決め手段などで、処理液ユニット4の回転中心と、基板Wの中心とがほぼ同軸になるようにテーブル2上に載置される。載置後、バキューム用通路3に接続された図示しない排気手段を動作させることにより、テーブル2に内蔵されたバキュームチャックで基板Wを保持する。
The substrate W loaded between the lower surface of the
次に、シャフト3及びテーブル2を下降させ、さらに上下機構8を下降させる。コイルバネ4fの付勢力に抗して上下シャフト19a〜19d及び上面板4aを持ち上げていた上下機構8が下降することにより、図4に表されるように、コイルバネ4fの下方への付勢力によって、上面板4aは処理液保持部4cの凸状部上面4hに圧接する。ここで、凸状部上面4hにはOリング4bが備えられているので、上面板4aと凸状部上面4hとの圧接部からの処理液の漏れが防止できる。
Next, the
上面板4aが処理液保持部4cに圧接することで、上面板4a及び上下シャフト19a〜19dのそれ以上の下降が停止され、また、上下機構8は上下シャフト19a〜19dの下端面から離隔する位置まで下降して停止される。また、シャフト3及びテーブル2の下降により、基板Wの周縁部は、処理液保持部4cにおける径内方に突き出た部分と、上面板4aの内周側部分との間で挟まれた処理液保持空間4i内に配置される。基板Wの周縁部は、処理液保持部4c及び上面板4aに接触していない。
When the
次に、図示しないモータなどの回転手段により回転シャフト6を回転させ、回転シャフト6に固定されているハウジング5及び処理液ユニット4を所定の回転数(例えば、100〜1500rpm(revolutions per minute))で回転させる。基板Wは、回転されず静止している。また、処理液ユニット4は、基板Wに接触しない状態で回転させられる。以上の状態で、図6に表されるように、処理液ノズル9より処理液Lを処理液保持空間4iに所定量供給する。
Next, the
処理液ユニット4が回転しているため、処理液保持空間4iに供給された処理液Lは、遠心力により外側に付勢される。そのため、処理液Lは、基板Wの径内方側に流れ出ることがない。また、処理液保持空間4iの開口側の液面(側面)Laがほぼ鉛直となる上、環状の処理液保持空間4iの全周にわたり処理液の深さ(径方向の幅)Dがほぼ一定となる。
Since the processing liquid unit 4 is rotating, the processing liquid L supplied to the processing
そして、前述のように処理液ユニット4の回転中心と、基板Wの中心とがほぼ同軸となっているので、基板Wの表裏とも周縁部全周にわたって均一な範囲(基板Wの端面から一定の寸法の範囲)に処理液Lを付着させることができる。また、処理液Lの深さDは、処理液Lの供給量により簡単に調節できるので、処理領域が変更になった場合にも迅速な対応が可能となる。例えば、処理液保持空間4iの高さと径方向の幅は10ミリメータほどであり、基板Wの端面から5ミリメータほどの部分が処理液Lに浸けられる。
Since the rotation center of the processing liquid unit 4 and the center of the substrate W are substantially coaxial as described above, the front and back surfaces of the substrate W are uniform over the entire periphery (a constant distance from the end surface of the substrate W). The processing liquid L can be adhered to the dimension range). Further, since the depth D of the processing liquid L can be easily adjusted by the supply amount of the processing liquid L, it is possible to quickly respond even when the processing area is changed. For example, the height and the radial width of the processing
また、図3に表されるように、処理液ノズル9の先端側の部分を、処理ユニット4の回転方向r側に傾けることで、回転している処理液保持空間4i内に処置液を円滑に収めて遠心力を作用させることができ、液面の乱れを抑えることができる。
In addition, as shown in FIG. 3, the treatment liquid is smoothly introduced into the rotating treatment
ここで、基板Wの具体例としては、例えば、半導体装置の製造に用いられるシリコン基板や液晶表示装置の製造に用いられるガラス基板のようなものがあるがこれに限定されるものではない。処理液Lの具体例としては、例えば、エッチング処理に用いられるエッチング液として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ酸などの無機酸または有機酸もしくはこれらの混合物などがあり、洗浄処理に用いられる洗浄液として、純水、脱イオン化された純水などがある。しかし、処理液Lはこれらに限定されるものではなく、基板W自体の材質やその上に形成された薄膜の材質、処理条件などにより適宜選択が可能である。 Here, specific examples of the substrate W include a silicon substrate used for manufacturing a semiconductor device and a glass substrate used for manufacturing a liquid crystal display device, but are not limited thereto. Specific examples of the treatment liquid L include, for example, an inorganic acid such as sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and hydrofluoric acid, or a mixture thereof as an etching liquid used in the etching process. , Pure water and deionized pure water. However, the processing liquid L is not limited to these, and can be appropriately selected depending on the material of the substrate W itself, the material of the thin film formed thereon, processing conditions, and the like.
また、処理液Lを切り替えることにより処理を切り替えることもできる。例えば、前述のエッチング処理に用いられる液を供給しエッチング処理をおこなった後、洗浄に用いられる液に切り替えて洗浄処理をおこない、さらには、窒素ガスや乾燥空気などの乾燥ガスに切り替え乾燥処理をおこなうこともできる。尚、これらの処理は同一の処理液ノズル9を用いて、供給する流体を切り替えるようにしてもよいし、別途独立に専用のノズルを設けるようにしてもよい。なお、これらの処理は必ずしもすべてをおこなう必要はなく、必要に応じて適宜選択の上、おこなわれるようにしてもよい。 Further, the processing can be switched by switching the processing liquid L. For example, after supplying the liquid used for the above-described etching process and performing the etching process, the liquid is switched to the liquid used for the cleaning to perform the cleaning process, and further, the drying process is switched to a dry gas such as nitrogen gas or dry air. You can also do it. In these processes, the same process liquid nozzle 9 may be used to switch the fluid to be supplied, or a dedicated nozzle may be provided independently. Note that it is not always necessary to perform all of these processes, and may be performed after appropriate selection as necessary.
処理液保持空間4i内の処理液Lは、遠心力の作用によって、処理液排出口4dを通って、処理液ユニット4の外部に排出され、回収された後に不純物除去などの必要な処置を施し再利用される。処理液排出口4dを介して処理液Lの排出をおこないつつ、処理液ノズル9から新しい処理液Lが供給されてその新しい処理液Lが基板Wの処理面に付着するので処理の効率を上げることができる。
The processing liquid L in the processing
もしくは、処理液排出口4dに遮断弁を設け、処理中はその遮断弁を閉じて、処理液が処理液保持空間4iに保持されるようにし、処理が終わった後、その遮断弁を開くことにより処理液Lの排出を行ってもよい。この場合、処理液ユニット4が回転しているので、遠心力により処理液Lは簡単に排出することができるが、排出をより容易にするために排出ポンプなどを併せて用いるようにしてもよい。
Alternatively, a shut-off valve is provided at the processing
必要な処理が終了した後は、図示しない回転手段を停止させ、処理液ユニット4を停止させる。前述の基板載置時と反対の手順で基板Wを搬出する。すなわち、上下機構8を上昇させ、上面板4aを処理液保持部4cの凸状部上面4hから離隔上昇させる。次に、テーブル2を上昇させる。そして、上面板4aの下面と、テーブル2の上面との間のスペースから、フォーク15(図3)などの搬送装置により基板Wを搬出する。以後、必要があれば前述の手順を繰り返すことにより連続して基板処理をおこなうことができる。
After the necessary processing is completed, the rotating means (not shown) is stopped and the processing liquid unit 4 is stopped. The substrate W is unloaded in the reverse procedure to that described above. That is, the
次に、本発明の第二の実施の形態について説明する。本実施形態においては、基本的な構成は前述の第一の実施の形態と同じである。そのため、異なる部分のみを説明することとする。 Next, a second embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the basic configuration is the same as that of the first embodiment described above. Therefore, only different parts will be described.
本実施形態においては、シャフト3の下方に図示しない回転手段が接続されている。この回転手段によりシャフト3を介してテーブル2が回転可能となっている。前述の第一の実施の形態においては、シャフト3には図示しない上下手段が接続されていたが、本実施形態では図示しない搬送装置側に上下手段を設け、テーブル2上への基板Wの載置をおこなうようにしている。そのため、本実施形態ではテーブル2の上下動作はおこなわず、搬送装置側の上下動作により基板Wをテーブル2へ載置する。なお、シャフト3の下方に図示しない上下手段と回転手段の双方を設けるようにして、第一の実施形態と同様の基板Wの受け渡しをすることもできる。
In the present embodiment, a rotating means (not shown) is connected below the
本実施形態においては前述のような構成をとっているため、テーブル2を回転させることができる。例えば、処理液ユニット4とテーブル2とを互いに逆方向に回転させた場合には、処理液Lと基板Wの周縁部との接触を容易にするとともに、攪拌による物理的作用をも加えることにより処理の効率をあげることができる。また、処理液ユニット4とテーブル2とを同方向に同期回転させた場合には、攪拌の影響を低減させ、処理液の液面Laの変動を抑えることにより、より厳格な寸法範囲での処理が可能となる。 In the present embodiment, since the configuration as described above is adopted, the table 2 can be rotated. For example, when the processing liquid unit 4 and the table 2 are rotated in the opposite directions, the processing liquid L and the peripheral edge of the substrate W can be easily contacted and a physical action by stirring is also applied. The processing efficiency can be increased. Further, when the processing liquid unit 4 and the table 2 are synchronously rotated in the same direction, the influence of stirring is reduced and the fluctuation of the liquid level La of the processing liquid is suppressed, thereby processing in a stricter dimensional range. Is possible.
基板Wを静止させた状態で、処理液ユニット4を回転させて基板Wの周縁部をエッチングした場合、処理液が表面張力によって基板Wの中心に向けて浸透して、エッチングするべきでない部分をエッチングしてしまう可能性がある。これに対して、基板Wも回転させれば、そのときに生ずる遠心力で、処理液が基板Wの中心に向けて浸透するのを抑制することが可能となる。 When the processing liquid unit 4 is rotated and the peripheral portion of the substrate W is etched while the substrate W is stationary, the processing liquid penetrates toward the center of the substrate W due to surface tension, and a portion that should not be etched is removed. There is a possibility of etching. On the other hand, if the substrate W is also rotated, it is possible to suppress the treatment liquid from penetrating toward the center of the substrate W by the centrifugal force generated at that time.
また、エッチング後は、基板Wが酸性になっているため純水などでリンスして乾燥させることを必要とすることが多い。このとき、基板Wを回転させれば、遠心力で水分を飛ばし、乾燥(スピン乾燥)させることが可能になる。 In addition, after etching, the substrate W is acidic, so it is often necessary to rinse the substrate W with pure water and dry it. At this time, if the substrate W is rotated, moisture can be removed by centrifugal force and dried (spin drying).
また、前述のように乾燥処理をする場合は、基板Wを回転させ遠心力で付着した液を飛ばし、乾燥時間を短縮することができる。この場合、基板Wの周縁部には処理液保持空間4iがあるので、遠心力で飛ばされた液が飛散することもない。尚、回転方向や回転速度は適宜選択が可能であるし、処理中に回転方向の切り替えや回転速度の変速をするようにしてもよい。
Moreover, when performing a drying process as mentioned above, the board | substrate W is rotated and the liquid adhering with centrifugal force is skipped, and drying time can be shortened. In this case, since the processing
次に、図7を参照して、処理液ユニット4の他の具体例について説明する。
図7は、図6と同様な部分の断面図であるが、図6と異なるのは、上面板4aと処理液保持部4cのそれぞれに、処理液保持空間4i内の処理液Lの最大液面レベルを規定するオーバーフロードレインポート21a、bを設けている点である。
Next, another specific example of the treatment liquid unit 4 will be described with reference to FIG.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the same portion as FIG. 6, except that the maximum liquid of the processing liquid L in the processing
オーバーフロードレインポート21a、bのそれぞれの一端は、処理液保持空間4iにおける開口寄りの部分に通じ、他端はそれぞれ上面板4aと処理液保持部4cの外部に通じている。処理液保持空間4i内の処理液Lの液面(開口寄りの側面)Laがオーバーフロードレインポート21a、bに至ると、処理液Lはオーバーフロードレインポート21a、bを通じて処理液保持空間4iから排出される。したがって、処理液保持空間4i内の処理液Lは、オーバーフロードレインポート21a、bよりも径内方側にはあふれ出すことがなく、基板W周縁部の処理領域寸法の精度の高い制御を行える。オーバーフロードレインポート21a、bは、処理液保持空間4iに通じる部分から径外方に延在して形成されているため、処理ユニット4の回転による遠心力により、処理液Lを簡単に排出することができる。
One end of each of the
オーバーフロードレインポート21a、bは、前述した処理液排出口4dと同様に、環状の処理液保持空間4iの周方向に沿って複数設けられている。また、オーバーフロードレインポート21a、bは、上面板4aと処理液保持部4cのどちらか一方だけに設けてもよい。
A plurality of
以上具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。 The embodiments of the present invention have been described with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.
例えば、本発明において用いる処理液ユニット、テーブル、処理液保持空間、処理液ノズル、処理液飛散防止用のカバーなどの要素は、前述した形状、サイズのものには限定されず、その断面形状、壁面厚、開口の形状やサイズなどは適宜変更して同様の作用効果が得られ、本発明の範囲に包含される。 For example, the elements such as the treatment liquid unit, the table, the treatment liquid holding space, the treatment liquid nozzle, the cover for preventing the treatment liquid scattering used in the present invention are not limited to the shapes and sizes described above, and the cross-sectional shape thereof, The wall thickness, the shape and size of the opening, etc. are changed as appropriate to obtain the same effects and are included in the scope of the present invention.
なお、上下機構8はハウジング5の底面5aに上下動自在に取り付けられるようにしたものであってもよい。また、上下機構8を設けずに処理液ユニット4を下降させ、固定されたブロックなどに上下シャフト19a〜19dの下端面を押し当て、上面板4aを処理液保持部4cから離隔させるようにしてもよい。
The
1 処理装置
2 テーブル
4 処理液ユニット
4a 上面板
4c 処理液保持部
4d 処理液排出口
4h 凸状部上面
4i 処理液保持空間
5 ハウジング
6 回転シャフト
7 カバー
8 上下機構
9 処理液ノズル
19a〜19d 上下シャフト
21a,b オーバーフロードレインポート
D 処理液の深さ
L 処理液
La 処理液の液面(側面)
W 基板(被処理体)
DESCRIPTION OF
W substrate (object to be processed)
Claims (11)
前記被処理体を載置保持可能なテーブルと、
前記処理液を保持可能かつ前記被処理体の前記周縁部を挿入可能な処理液保持空間を有する処理液ユニットと、
前記処理液保持空間に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液ユニットを回転させる回転手段と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 A processing apparatus for processing a peripheral portion of an object to be processed with a processing liquid,
A table capable of mounting and holding the object to be processed;
A treatment liquid unit having a treatment liquid holding space capable of holding the treatment liquid and inserting the peripheral portion of the object to be processed;
Treatment liquid supply means for supplying the treatment liquid to the treatment liquid holding space;
A rotating means for rotating the treatment liquid unit;
A processing apparatus comprising:
前記組み合わせ体が液密に組み合わされることで、前記処理液保持空間が形成されることを特徴とする請求項1記載の処理装置。 The treatment liquid unit has two combinations that are separable from each other,
The processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid holding space is formed by liquid-tightly combining the combination body.
前記処理液が保持可能な処理液保持空間を有する処理液ユニットの回転中心と、前記被処理体の中心とがほぼ同軸となるように、かつ前記周縁部が前記処理液保持空間に挿入されるように前記被処理体を載置保持する工程と、
前記処理液ユニットを回転させる工程と、
前記処理液ユニットを回転させた状態で、前記処理液を前記処理液保持空間に供給する工程と、
を備えたことを特徴とする処理方法。 A processing method for processing a peripheral portion of an object to be processed with a processing liquid,
The rotation center of a processing liquid unit having a processing liquid holding space capable of holding the processing liquid and the center of the object to be processed are substantially coaxial, and the peripheral edge portion is inserted into the processing liquid holding space. A step of placing and holding the object to be processed,
Rotating the treatment liquid unit;
Supplying the processing liquid to the processing liquid holding space in a state where the processing liquid unit is rotated;
A processing method characterized by comprising:
The method further comprising the step of supplying a dry gas to the processing liquid holding space after the step of discharging the processing liquid from the processing liquid holding space while the processing liquid unit is rotated. 10. The processing method according to 10.
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