KR20110030321A - Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus and storage medium - Google Patents

Substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus and storage medium Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A substrate liquid processing method, a substrate liquid process apparatus, and a record medium are provided to remove the native oxide film formed on the peripheral part of a substrate by supplying the hydrofluoric acid to the peripheral part of the substrate while rotating the substrate. CONSTITUTION: A holding part(10) holds the substrate. A rotation driving unit(20) rotates the holding part. A hydrofluoric acid feeding port(54) supplies the hydrofluoric acid to the peripheral part of the substrate held by the holding part. The fluoric acid feed port(52) supplies the fluoric acid to the peripheral part of the substrate held by the holding part.

Description

기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM}SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

본 발명은 폴리 실리콘막이 형성된 반도체 웨이퍼 등의 기판에서의 주연부의 폴리 실리콘막을 에칭에 의해 제거하는 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate liquid processing method, a substrate liquid processing apparatus, and a storage medium for removing a polysilicon film at a peripheral portion of a substrate such as a semiconductor wafer on which a polysilicon film is formed by etching.

반도체 디바이스의 제조 공정에서는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고도 함)에 대하여 게이트 전극 등을 형성하기 위하여 폴리 실리콘막을 형성하는 공정이 존재하는데, 웨이퍼의 엣지, 베벨 등의 주연부에서 균열 또는 막 박리 등이 발생하는 경우가 있어, 이러한 균열 또는 막 박리가 발생하면 폴리 실리콘막이 파티클이 되어 반도체 디바이스를 오염시킬 우려가 있다.In the process of manufacturing a semiconductor device, there is a process of forming a polysilicon film to form a gate electrode or the like for a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as a wafer) that is a substrate to be processed. Film peeling may occur, and when such a crack or film peeling occurs, a polysilicon film may become a particle and contaminate a semiconductor device.

이 때문에, 종래부터 웨이퍼의 주연부의 폴리 실리콘막을 제거하는 것이 행해지고 있다. 폴리 실리콘막을 제거할 때는, 종래부터 에칭액으로서 불산과 초산의 혼합액인 불초산을 이용하여 에칭하는 방법이 채택되고 있고, 구체적으로는 제거하고 싶지 않은 부분을 보호막(레지스트, 하드 마스크) 등으로 보호하고 웨이퍼의 주연부(엣지 및 베벨)만을 노출하여 웨이퍼 전체를 불초산에 침지(浸漬)하는 것이 행해지고 있었다. For this reason, conventionally, the polysilicon film of the peripheral part of a wafer is removed. In order to remove a polysilicon film, a method of etching using hydrofluoric acid, which is a mixture of hydrofluoric acid and acetic acid, has been conventionally employed as an etching solution. Specifically, a portion that is not desired to be removed is protected by a protective film (resist, hard mask) or the like. Exposing only the periphery (edge and bevel) of a wafer and immersing the whole wafer in an acetic acid was performed.

그러나, 이러한 수법은 에칭하는 부분에 맞추어 보호막을 형성할 필요가 있으므로, 공정이 번잡해지고 공정수가 증가한다. 또한, 폴리 실리콘막의 커팅폭의 조정이 용이하지 않다고 하는 문제가 있다.However, this method requires forming a protective film in accordance with the portion to be etched, which makes the process complicated and increases the number of processes. Moreover, there exists a problem that adjustment of the cutting width of a polysilicon film is not easy.

이에 대하여, 폴리 실리콘막을 제거하는 기술은 아니지만, 특허 문헌 1에는 웨이퍼에 막을 형성한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 베벨 부분으로 약액을 공급하여 베벨 부분을 에칭에 의해 제거하는 기술이 제안되고 있고, 이것을 웨이퍼의 주연부에 형성된 폴리 실리콘막의 에칭에 적용하는 것이 생각된다. On the other hand, although it is not a technique of removing a polysilicon film, Patent Literature 1 proposes a technique of forming a film on a wafer and then supplying a chemical liquid to the bevel portion while rotating the wafer to remove the bevel portion by etching. It is conceivable to apply to the etching of the polysilicon film formed at the periphery of.

일본특허공개공보 2001-319850호Japanese Patent Laid-Open No. 2001-319850

웨이퍼에 소수성의 폴리 실리콘막이 형성되어 있고, 이 폴리 실리콘막에 친수성의 자연 산화막이 적층되어 있는 경우, 특허 문헌 1에 개시된 방법을 이용하여 웨이퍼의 주연부로 불초산을 공급했을 때에는, 폴리 실리콘막의 에칭 불량의 발생을 충분히 억제하지 못하고, 또한 에칭폭의 정밀도가 나쁘다고 하는 것을 알 수 있었다.When a hydrophobic polysilicon film is formed on the wafer and a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film, etching of the polysilicon film is performed when the nonacetic acid is supplied to the periphery of the wafer using the method disclosed in Patent Document 1. It turned out that the generation | occurrence | production of a defect is not fully suppressed and the precision of an etching width is bad.

본 발명은, 웨이퍼에 소수성의 폴리 실리콘막이 형성되어 있고, 이 폴리 실리콘막에 친수성의 자연 산화막이 적층되어 있는 경우에, 웨이퍼의 주연부에서 에칭 불량이 발생하지 않고, 또한 에칭폭의 정밀도를 향상시킬 수 있는 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.According to the present invention, when a hydrophobic polysilicon film is formed on a wafer, and a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film, etching failure does not occur at the periphery of the wafer and the accuracy of the etching width can be improved. An object of the present invention is to provide a substrate liquid processing method, a substrate liquid processing apparatus, and a storage medium.

본 발명의 기판 액처리 방법은, 폴리 실리콘막이 형성된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불산을 공급함으로써 기판의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키는 공정과, 폴리 실리콘막이 노출된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불초산을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.The substrate liquid treatment method of the present invention comprises the steps of exposing and removing the natural oxide film formed on the periphery of the substrate by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed, and exposing the polysilicon film. And etching away the polysilicon film by supplying non-acetic acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate.

본 발명의 기판 액처리 방법에서는, 기판의 주연부로 불초산을 공급할 때에 기판의 주연부로 불산을 공급할 때보다 늦은 회전 속도로 기판을 회전시키도록 되어 있어도 좋다. In the substrate liquid processing method of the present invention, the substrate may be rotated at a later rotational speed than when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate than when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate.

본 발명의 기판 액처리 방법에서는, 기판의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 기판의 주연부로 불산을 공급할 때에 불산이 기판으로 공급되는 개소보다 기판의 직경 방향 외방의 개소로 불초산을 공급하도록 되어 있어도 좋다.In the substrate liquid processing method of the present invention, when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate, the hydrofluoric acid may be supplied to a portion outside the substrate in the radial direction than the point where the hydrofluoric acid is supplied to the substrate when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate. good.

본 발명의 기판 액처리 장치는, 기판을 보지(保持)하는 보지부와, 상기 보지부를 회전시키는 회전 구동부와, 상기 보지부에 의해 보지된 기판의 주연부로 불산을 공급하는 불산 공급부와, 상기 보지부에 의해 보지된 기판의 주연부로 불초산을 공급하는 불초산 공급부와, 상기 회전 구동부, 상기 불산 공급부 및 상기 불초산 공급부를 제어하는 제어부로서, 폴리 실리콘막이 형성된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 상기 불산 공급부에 의해 불산을 공급함으로써 기판의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키고, 폴리 실리콘막이 노출된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 상기 불초산 공급부에 의해 불초산을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하도록 제어를 행하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.The substrate liquid processing apparatus of the present invention includes a holding unit for holding a substrate, a rotation driving unit for rotating the holding unit, a hydrofluoric acid supply unit for supplying hydrofluoric acid to a peripheral portion of the substrate held by the holding unit, and the holding unit A non-acetic acid supply unit for supplying the non-acetic acid to the periphery of the substrate held by the unit, and a control unit for controlling the rotary drive unit, the hydrofluoric acid supply unit and the non-acetic acid supply unit, while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed, to the periphery of the substrate. By supplying hydrofluoric acid by the hydrofluoric acid supply part, the natural oxide film formed on the periphery of the substrate is etched away to expose the polysilicon film, and the hydrofluoric acid is supplied by the hydrofluoric acid supply part to the peripheral part of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed. And a control unit that controls to etch away the polysilicon film. It shall be.

본 발명의 기판 액처리 장치에서는, 상기 제어부는 기판의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 기판의 주연부로 불산을 공급할 때보다 늦은 회전 속도로 기판을 회전시키도록 상기 회전 구동부의 제어를 행하도록 되어 있어도 좋다.In the substrate liquid processing apparatus of the present invention, the control unit may control the rotation drive unit to rotate the substrate at a later rotational speed than when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate, when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate. good.

본 발명의 기판 액처리 장치에서는, 상기 불초산 공급부는 상기 불산 공급부에 의해 기판의 주연부로 불산을 공급할 때에, 불산이 기판으로 공급되는 개소보다 기판의 직경 방향 외방의 개소로 불초산을 공급하도록 되어 있어도 좋다.In the substrate liquid processing apparatus of the present invention, when the hydrofluoric acid supply unit supplies hydrofluoric acid to the periphery of the substrate by the hydrofluoric acid supply unit, the hydrofluoric acid is supplied to a portion outside the substrate in the radial direction than the position where the hydrofluoric acid is supplied to the substrate. You may be.

이 경우, 상기 불초산 공급부는 상기 불산 공급부보다 상기 보지부에 의해 보지된 기판의 직경 방향 외방에 배치되어 있어도 좋다.In this case, the said hydrofluoric acid supply part may be arrange | positioned rather than the said hydrofluoric acid supply part in the radial direction outward of the board | substrate hold | maintained by the said holding part.

본 발명의 기억 매체는, 기판 액처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행 가능한 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 상기 프로그램을 실행함으로써 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 기판 액처리 방법을 실행시키되, 상기 기판 액처리 방법은, 폴리 실리콘막이 형성된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불산을 공급함으로써 기판의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키는 공정과, 폴리 실리콘막이 노출된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불초산을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다. The storage medium of the present invention is a storage medium in which a program executable by a control computer of a substrate liquid processing apparatus is stored. By executing the program, the control computer controls the substrate liquid processing apparatus to execute the substrate liquid processing method. The substrate liquid treatment method includes a step of exposing and removing a natural oxide film formed on the periphery of the substrate by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed, and exposing the polysilicon film; And etching to remove the polysilicon film by supplying nonacetic acid to the periphery of the substrate while rotating.

본 발명의 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체에 따르면, 기판에 소수성의 폴리 실리콘막이 형성되어 있고, 이 폴리 실리콘막에 친수성의 자연 산화막이 적층되어 있는 경우에, 기판의 주연부에서 에칭 불량이 발생하지 않고, 또한 에칭폭의 정밀도를 향상시킬 수 있다. According to the substrate liquid processing method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium of the present invention, when a hydrophobic polysilicon film is formed on a substrate, and a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film, etching is performed at the periphery of the substrate. A defect does not generate | occur | produce, and the precision of an etching width can be improved.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 액처리 장치의 개략 종단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 기판 액처리 장치의 제어 블록도이다.
도 3은 도 1에 도시한 기판 액처리 장치에 의한 웨이퍼의 처리 방법을 나타낸 플로우 차트이다.
도 4는 도 3에 나타낸 바와 같은 웨이퍼의 처리 방법에서의 웨이퍼의 표면에서의 각 약액 또는 린스액이 공급되는 영역을 각각 도시한 설명도이다. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a substrate liquid processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a control block diagram of the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a flowchart showing a wafer processing method by the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 4 is an explanatory diagram showing regions where respective chemical or rinse liquids are supplied on the surface of a wafer in the wafer processing method as shown in FIG. 3.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1 내지 도4는 본 실시예에 따른 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법을 도시한 도이다. 보다 상세하게, 도 1은 본 실시예에서의 기판의 액처리 장치의 개략 종단면도이며, 도 2는 도 1에 도시한 기판 액처리 장치의 제어 블록도이다. 또한, 도 3은 도 1에 도시한 기판 액처리 장치에 따른 웨이퍼의 처리 방법을 나타낸 플로우 차트이다. 또한, 도 4는 도 3에 나타낸 바와 같은 웨이퍼의 처리 방법에서, 웨이퍼의 표면에서의 각 약액 또는 린스액이 공급되는 영역을 각각 도시한 설명도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described with reference to drawings. 1 to 4 are diagrams showing a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method according to the present embodiment. More specifically, FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of the substrate liquid processing apparatus in the present embodiment, and FIG. 2 is a control block diagram of the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 3 is a flowchart showing a wafer processing method of the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 1. 4 is an explanatory view showing regions where respective chemical or rinse liquids are supplied on the surface of a wafer in the wafer processing method as shown in FIG. 3.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)(이하, 웨이퍼(W)라고도 함)을 대략 수평 상태로 보지(保持)하는 보지부(10)와, 보지부(10)로부터 하방으로 연장되는 회전축(12)과, 회전축(12)을 개재하여 보지부(10)를 회전시키는 회전 구동부(20)를 구비하고 있다. 보지부(10)는 당해 보지부(10) 상에 재치(載置, mount)된 웨이퍼(W)를, 예를 들면 진공 흡착에 의해 보지하도록 되어 있다.As shown in FIG. 1, the substrate liquid processing apparatus 1 includes a holding part 10 for holding a substrate W (hereinafter, also referred to as a wafer W) such as a semiconductor wafer in a substantially horizontal state. And a rotating shaft 12 extending downward from the holding portion 10 and a rotating drive portion 20 for rotating the holding portion 10 via the rotating shaft 12. The holding unit 10 is configured to hold the wafer W mounted on the holding unit 10 by, for example, vacuum suction.

도 1에 도시한 바와 같이, 회전축(12)은 수직 방향으로 연장되도록 되어 있다. 회전 구동부(20)는 회전축(12)의 하단부의 주연부 외방에 배치된 풀리(24)와, 풀리(24)에 감겨진 구동 벨트(26)와, 이 구동 벨트(26)에 구동력을 부여함으로써 풀리(24)를 개재하여 회전축(12)을 회전시키는 모터(22)를 가지고 있다. 또한, 풀리(24)보다 상방의 개소에서의 회전축(12)의 주연부 외방에는 베어링(14)이 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, the rotation shaft 12 extends in the vertical direction. The rotary drive unit 20 is a pulley 24 disposed outside the periphery of the lower end of the rotary shaft 12, a drive belt 26 wound around the pulley 24, and a pulley by applying a driving force to the drive belt 26. It has the motor 22 which rotates the rotating shaft 12 via the 24. Moreover, the bearing 14 is arrange | positioned outward of the periphery of the rotating shaft 12 in the place above the pulley 24. As shown in FIG.

보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주위에는 당해 웨이퍼(W)를 덮는 챔버(2)가 설치되어 있다. 챔버(2)의 상부(천장 부분)에는 N2 가스(질소 가스) 등의 가스를 자연적으로 흘려 보냄으로써 다운 플로우로 웨이퍼(W)로 보내는 상부 개구(4)가 형성되어 있다. 또한, 챔버(2)의 하부(바닥 부분)에는 상부 개구(4)로부터 다운 플로우로 보내진 가스를 챔버(2) 내로부터 배기하기 위한 하부 개구(5)가 형성되어 있다. 또한, 챔버(2)의 측부에는 챔버(2) 내로 웨이퍼(W)를 반입하거나 챔버(2) 내로부터 웨이퍼(W)를 반출하거나 하는 반송 암을 통과시키기 위한 측부 개구(3)가 형성되어 있다. 측부 개구(3)는 당해 측부 개구(3)에 설치된 셔터(3a)에 의해 개폐가 가능하게 되어 있다.The chamber 2 covering the wafer W is provided around the wafer W held by the holding unit 10. In the upper part (ceiling part) of the chamber 2, the upper opening 4 which forms a natural flow of gas, such as N2 gas (nitrogen gas), and sends it to the wafer W in downflow is formed. In the lower part (bottom part) of the chamber 2, a lower opening 5 is formed for exhausting the gas sent from the upper opening 4 to the downflow from the inside of the chamber 2. In addition, a side opening 3 is formed at the side of the chamber 2 to allow a transfer arm to carry the wafer W into the chamber 2 or to carry the wafer W out of the chamber 2. . The side opening 3 can be opened and closed by the shutter 3a provided in the side opening 3.

또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 각종 약액 또는 린스액을 공급하기 위한 노즐(30, 33, 36)이 병렬 상태로 일체적으로 설치되어 있다. 보다 구체적으로는, 3 개의 노즐(30, 33, 36) 중 웨이퍼(W)의 직경 방향에서의 가장 외측(웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장 먼 쪽)에 있는 불초산 공급 노즐(30)은 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급하도록 되어 있다. 또한, 3 개의 노즐(30, 33, 36) 중 웨이퍼(W)의 직경 방향에서 불초산 공급 노즐(30)보다 내측에 있는 불산 공급 노즐(33)은 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급하도록 되어 있다. 또한, 3 개의 노즐(30, 33, 36) 중 웨이퍼(W)의 직경 방향에서의 가장 내측(웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장 가까운 쪽)에 있는 린스액 공급 노즐(36)은 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 순수 등의 린스액을 공급하도록 되어 있다.In addition, as shown in FIG. 1, nozzles 30, 33, 36 for supplying various chemical liquids or rinse liquids to the periphery of the wafer W held by the holding portion 10 are integrated in a parallel state. It is installed. More specifically, among the three nozzles 30, 33, 36, the nonacetic acid supply nozzle 30 at the outermost side (the farthest from the center of the wafer W) in the radial direction of the wafer W is held. The nonacetic acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W held by the portion 10. In addition, the hydrofluoric acid supply nozzle 33 which is located inside the hydrofluoric acid supply nozzle 30 in the radial direction of the wafer W among the three nozzles 30, 33, 36 is the wafer held by the holding unit 10 ( Folic acid is supplied to the periphery of W). Moreover, the rinse liquid supply nozzle 36 at the innermost side (closest to the center of the wafer W) in the radial direction of the wafer W among the three nozzles 30, 33, 36 is the holding portion 10. The rinse liquid, such as pure water, is supplied to the peripheral part of the wafer W hold | maintained by ().

불초산 공급 노즐(30)에는 불초산 공급관(31)을 거쳐 불초산 공급원(32)이 접속되어 있고, 불초산 공급원(32)으로부터 불초산 공급관(31)을 거쳐 불초산 공급 노즐(30)로 불초산이 공급되도록 되어 있다. 또한, 불초산 공급관(31)에는 불초산 공급 노즐(30)로의 불초산의 공급의 유무 또는 공급량을 제어하는 밸브(31a)가 설치되어 있다. 이들 불초산 공급 노즐(30), 불초산 공급관(31), 밸브(31a) 및 불초산 공급원(32)에 의해, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급하는 불초산 공급부(52)가 구성되어 있다.The nitric acid supply nozzle 30 is connected to the nitric acid supply nozzle 31 via the nitric acid supply pipe 31, and the nitric acid supply nozzle 30 is passed through the nitric acid supply pipe 31 to the hydrofluoric acid supply nozzle 30. Fluoric acid is to be supplied. Moreover, the valve 31a which controls the presence or absence of the supply of the nitric acid to the hydrofluoric acid supply nozzle 30 or the supply amount is provided in the hydrofluoric acid supply pipe 31. Non-acetic acid is supplied to the periphery of the wafer W held by the holding portion 10 by these non-acetic acid supply nozzles 30, the non-acetic acid supply pipe 31, the valve 31a, and the non-acetic acid supply source 32. The nonacetic acid supply part 52 is comprised.

불산 공급 노즐(33)에는 불산 공급관(34)을 거쳐 불산 공급원(35)이 접속되어 있고, 불산 공급원(35)으로부터 불산 공급관(34)을 거쳐 불산 공급 노즐(33)로 불산이 공급되도록 되어 있다. 또한, 불산 공급관(34)에는 불산 공급 노즐(33)로의 불산의 공급의 유무 또는 공급량을 제어하는 밸브(34a)가 설치되어 있다. 이들 불산 공급 노즐(33), 불산 공급관(34), 밸브(34a) 및 불산 공급원(35)에 의해, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급하는 불산 공급부(54)가 구성되어 있다. A hydrofluoric acid supply source 35 is connected to the hydrofluoric acid supply nozzle 33 via a hydrofluoric acid supply pipe 34, and the hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 35 to the hydrofluoric acid supply nozzle 33 via a hydrofluoric acid supply pipe 34. . The hydrofluoric acid supply pipe 34 is provided with a valve 34a for controlling the presence or absence of the hydrofluoric acid supply to the hydrofluoric acid supply nozzle 33 or the supply amount. The hydrofluoric acid supply part which supplies hydrofluoric acid to the peripheral part of the wafer W hold | maintained by the holding part 10 by these hydrofluoric acid supply nozzles 33, the hydrofluoric acid supply pipe 34, the valve 34a, and the hydrofluoric acid supply source 35 ( 54).

린스액 공급 노즐(36)에는 린스액 공급관(37)을 거쳐 린스액 공급원(38)이 접속되어 있고, 린스액 공급원(38)으로부터 린스액 공급관(37)을 거쳐 린스액 공급 노즐(36)로 순수 등의 린스액이 공급되도록 되어 있다. 또한, 린스액 공급관(37)에는 린스액 공급 노즐(36)로의 린스액의 공급의 유무 또는 공급량을 제어하는 밸브(37a)가 설치되어 있다. 이들 린스액 공급 노즐(36), 린스액 공급관(37), 밸브(37a) 및 린스액 공급원(38)에 의해, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 주연부로 순수 등의 린스액을 공급하는 린스액 공급부(56)가 구성되어 있다.A rinse liquid supply source 38 is connected to the rinse liquid supply nozzle 36 via a rinse liquid supply pipe 37, and from the rinse liquid supply source 38 to the rinse liquid supply nozzle 36 via a rinse liquid supply pipe 37. A rinse liquid such as pure water is supplied. The rinse liquid supply pipe 37 is provided with a valve 37a for controlling the presence or absence of the supply of the rinse liquid to the rinse liquid supply nozzle 36 or the supply amount. By these rinse liquid supply nozzles 36, the rinse liquid supply pipe 37, the valve 37a, and the rinse liquid supply source 38, it rinses pure water etc. to the periphery of the wafer W hold | maintained by the holding part 10. The rinse liquid supply part 56 which supplies a liquid is comprised.

병렬 상태로 일체적으로 설치된 3 개의 노즐(30, 33, 36)에는 노즐 구동 기구(39)가 설치되어 있다. 노즐 구동 기구(39)에 의해 3 개의 노즐(30, 33, 36)이 일체적으로 이동되도록 되어 있다.The nozzle drive mechanism 39 is provided in the three nozzles 30, 33, 36 integrally provided in parallel. Three nozzles 30, 33, 36 are integrally moved by the nozzle drive mechanism 39.

도 2에 도시한 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)에는 당해 기판 액처리 장치(1)의 각 구성 요소의 제어를 행하는 제어부(50)가 설치되어 있다. 구체적으로, 제어부(50)에는 보지부(10), 회전 구동부(20), 불초산 공급부(52), 불산 공급부(54), 린스액 공급부(56) 및 노즐 구동 기구(39)가 각각 접속되어 있다. 그리고, 제어부(50)는 당해 제어부(50)에 접속된 각 구성 요소에 대하여 제어 신호를 보냄으로써, 각 구성 요소의 제어를 행하도록 되어 있다. 제어부(50)에 의한 각 구성 요소의 제어의 구체적인 내용에 대해서는 후술한다.As shown in FIG. 2, the board | substrate liquid processing apparatus 1 is provided with the control part 50 which controls each component of the said substrate liquid processing apparatus 1. As shown in FIG. Specifically, the control unit 50 is connected to the holding unit 10, the rotation drive unit 20, the hydrofluoric acid supply unit 52, the hydrofluoric acid supply unit 54, the rinse liquid supply unit 56 and the nozzle drive mechanism 39, respectively, have. And the control part 50 sends a control signal to each component connected to the said control part 50, and is to control each component. Details of the control of each component by the controller 50 will be described later.

본 실시예에서, 제어부(50)에는 기판 액처리 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 제어부(50)에 의한 제어로 실현시키기 위한 제어 프로그램 또는 처리 조건에 따라 기판 액처리 장치(1)의 각 구성 요소에 처리를 실행시키기 위한 프로그램(즉, 레시피)이 기억된 기억 매체(60)가 접속되어 있다. 기억 매체(60)는 ROM 또는 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM 등의 디스크 형상 기억 매체, 그 외의 공지의 기억 매체로 구성될 수 있다. 그리고, 필요에 따라 임의의 레시피를 기억 매체(60)로부터 호출하여 제어부(50)에 실행시킴으로써, 제어부(50)의 제어 하에 기판 액처리 장치(1)에서의 원하는 처리가 행해진다.In the present embodiment, the control unit 50 includes each of the substrate liquid processing apparatuses 1 in accordance with a control program or processing conditions for realizing various processes executed in the substrate liquid processing apparatus 1 with the control by the control unit 50. A storage medium 60 in which a program (i.e., a recipe) for executing a process is stored in the component is connected. The storage medium 60 may be composed of a memory such as a ROM or a RAM, a disk-shaped storage medium such as a hard disk, a CD-ROM, a DVD-ROM, or other known storage medium. Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage medium 60 and executed by the controller 50, so that the desired processing in the substrate liquid processing apparatus 1 is performed under the control of the controller 50.

이어서, 상술한 바와 같은 기판 액처리 장치(1)의 동작(웨이퍼(W)의 처리 방법)에 대하여, 도 3에 나타낸 플로우 차트 및 도 4에 도시한 설명도를 이용하여 설명한다. 또한, 이하에 나타낸 바와 같은 기판 액처리 장치(1)의 동작은 기억 매체(60)에 기억된 프로그램(레시피)에 따라 제어부(50)가 기판 액처리 장치(1)의 각 구성 요소를 제어함으로써 행해진다.Next, the operation | movement (processing method of the wafer W) of the substrate liquid processing apparatus 1 as mentioned above is demonstrated using the flowchart shown in FIG. 3 and explanatory drawing shown in FIG. In addition, the operation | movement of the board | substrate liquid processing apparatus 1 as shown below is carried out by the control part 50 controlling each component of the board | substrate liquid processing apparatus 1 according to the program (recipe) stored in the storage medium 60. FIG. Is done.

우선, 기판 액처리 장치(1)의 외부로부터 도시하지 않은 반송 암에 의해 챔버(2)의 측부 개구(3)를 거쳐 챔버(2) 내로 웨이퍼(W)를 반송한다. 구체적으로는, 반송 암에 의해 챔버(2) 내의 보지부(10) 상에 웨이퍼(W)를 재치시킨다(도 3의 STEP1 참조). 여기서, 반송 암에 의해 보지부(10) 상에 재치되는 웨이퍼(W)는 폴리 실리콘막 및 자연 산화막이 적층 상태로 표면에 형성된 것으로 되어 있다(보다 상세하게는, 웨이퍼(W)의 표면에 폴리 실리콘막이 형성되고, 이 폴리 실리콘막에 자연 산화막이 적층되어 있다). 또한, 폴리 실리콘막은 소수성인 것이며, 자연 산화막은 친수성인 것이다. First, the wafer W is conveyed into the chamber 2 via the side opening 3 of the chamber 2 by the transfer arm not shown from the outside of the substrate liquid processing apparatus 1. Specifically, the wafer W is placed on the holding part 10 in the chamber 2 by the transfer arm (see STEP1 in FIG. 3). Here, the wafer W placed on the holding portion 10 by the transfer arm is formed on the surface of the polysilicon film and the natural oxide film in a laminated state (more specifically, the surface of the wafer W is poly A silicon film is formed, and a natural oxide film is laminated on the polysilicon film). The polysilicon film is hydrophobic, and the natural oxide film is hydrophilic.

이어서, 회전 구동부(20)에 의해 수직 방향으로 연장되는 축선(軸線)을 중심으로 하여 회전축(12)을 회전시킨다. 이에 따라, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)가 회전된다. 이 때에, 모터(22)로부터 구동 벨트(26)를 거쳐 풀리(24)에 구동력이 부여됨으로써 회전축(12)이 회전된다.Next, the rotation shaft 12 is rotated about the axis line extended in the vertical direction by the rotation drive unit 20. As a result, the wafer W held by the holding unit 10 is rotated. At this time, the rotating shaft 12 is rotated by applying a driving force to the pulley 24 from the motor 22 via the drive belt 26.

그리고, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)가 회전하고 있는 상태로, 불산 공급부(54)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급한다. 구체적으로는, 불산 공급원(35)으로부터 불산 공급관(34)을 거쳐 불산 공급 노즐(33)로 불산을 공급하고, 불산 공급 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 불산을 토출시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)를 고속(예를 들면, 1000 rpm)으로 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 자연 산화막이 에칭 제거된다(도 3의 STEP2 참조). 이와 같이 하여 웨이퍼(W)에 형성된 폴리 실리콘막이 노출되게 된다. 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시키는 이점(利点)으로서, 자연 산화막에 대한 에칭의 폭의 제어를 용이하고 정밀도 높게 행할 수 있다는 것을 들 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면으로 공급된 불산은 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 둘레 방향 외방으로 흐르게 된다.The hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W by the hydrofluoric acid supply unit 54 while the wafer W held by the holding unit 10 is rotating. Specifically, hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 35 through the hydrofluoric acid supply pipe 34 to the hydrofluoric acid supply nozzle 33, and the hydrofluoric acid is discharged from the hydrofluoric acid supply nozzle 33 to the peripheral edge of the wafer W. At this time, the wafer W is rotated at a high speed (for example, 1000 rpm). As a result, the native oxide film formed on the periphery of the wafer W is etched away (see STEP2 in FIG. 3). In this way, the polysilicon film formed on the wafer W is exposed. As an advantage of rotating the wafer W at high speed, it is possible to control the width of the etching with respect to the native oxide film easily and with high accuracy. The hydrofluoric acid supplied to the surface of the wafer W flows outward from the wafer W in the circumferential direction by the centrifugal force by the rotation of the wafer W.

또한, 불산 공급부(54)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급하는 공정에서, 웨이퍼(W)에서의 불산이 공급되는 영역은 도 4의 (a)의 참조 부호(40)로 나타낸 바와 같은 영역이 된다. In the process of supplying hydrofluoric acid to the periphery of the wafer W by the hydrofluoric acid supply unit 54, the region in which the hydrofluoric acid is supplied in the wafer W is indicated by reference numeral 40 in FIG. 4A. It becomes the same area.

불산 공급부(54)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 공급되는 불산의 농도는 자연 산화막을 단시간에 에칭할 수 있고, 폴리 실리콘막을 완전하게 노출시킬만한 농도로 설정되어 있다. 구체적으로, 불산의 농도는, 예를 들면 1 ~ 50%의 범위 내의 크기로 설정되어 있다. 이에 따라, 불산 공급부(54)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급했을 때에, 폴리 실리콘막은 제거되지 않고 자연 산화막만이 제거되게 된다.The concentration of hydrofluoric acid supplied by the hydrofluoric acid supply section 54 to the periphery of the wafer W is set to a concentration at which the natural oxide film can be etched in a short time and the polysilicon film is completely exposed. Specifically, the concentration of hydrofluoric acid is set to a size in the range of 1 to 50%, for example. As a result, when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W by the hydrofluoric acid supply portion 54, only the natural oxide film is removed without removing the polysilicon film.

이어서, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)가 회전하고 있는 상태로, 불초산 공급부(52)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급한다. 구체적으로는, 불초산 공급원(32)으로부터 불초산 공급관(31)을 거쳐 불초산 공급 노즐(30)로 불초산을 공급하고, 불초산 공급 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 토출시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 폴리 실리콘막이 에칭 제거된다(도 3의 STEP3 참조). 웨이퍼(W)의 표면으로 공급된 불초산은 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 둘레 방향 외방으로 흐르게 된다.Subsequently, in the state where the wafer W held by the holding unit 10 is rotating, the nonacetic acid is supplied by the nonacetic acid supply unit 52 to the periphery of the wafer W. Specifically, the nitric acid is supplied from the nitric acid supply source 32 through the nitric acid supply pipe 31 to the nitric acid supply nozzle 30, and the nitric acid is supplied from the nonacetic acid supply nozzle 30 to the periphery of the wafer W. Discharge. As a result, the polysilicon film formed on the periphery of the wafer W is etched away (see STEP3 in FIG. 3). The nonacetic acid supplied to the surface of the wafer W flows outward from the wafer W in the circumferential direction by the centrifugal force by the rotation of the wafer W.

또한, 불초산 공급 노즐(30)은 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 직경 방향에서 불산 공급 노즐(33)보다 외방에 배치되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급할 때에 불산이 웨이퍼(W)로 공급되는 개소보다 웨이퍼(W)의 직경 방향 외방의 개소로 불초산이 공급되게 된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 웨이퍼(W)의 주연부에서의 불산이 공급된 영역(40)(도 4의 (a) 참조) 내에, 즉 폴리 실리콘막의 소수성 면내로 불초산이 공급되게 된다. 도 4의 (b)에, 웨이퍼(W)에서의 불초산이 공급되는 영역을 참조 부호 41로 나타낸다. 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에서의 불초산이 공급되는 영역(41)은 웨이퍼(W)에서의 불산이 공급되는 영역(40) 내에 포함되게 된다.In addition, the non-acetic acid supply nozzle 30 is arrange | positioned outward from the hydrofluoric acid supply nozzle 33 in the radial direction of the wafer W hold | maintained by the holding part 10. As shown in FIG. For this reason, when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral part of the wafer W, when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral part of the wafer W, the hydrofluoric acid is displaced to a radially outer portion of the wafer W rather than a point where the hydrofluoric acid is supplied to the wafer W. Acid will be supplied. As a result, when the hydrofluoric acid is supplied to the periphery of the wafer W, the hydrofluoric acid is supplied to the periphery of the wafer W in the region 40 (see FIG. 4A), that is, into the hydrophobic surface of the polysilicon film. The acetic acid will be supplied. In FIG. 4B, a region to which nonacetic acid is supplied in the wafer W is indicated by reference numeral 41. As shown in FIG. 4B, the region 41 to which hydrofluoric acid is supplied in the wafer W is included in the region 40 to which hydrofluoric acid is supplied in the wafer W. As shown in FIG.

또한, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 도 3의 STEP2에 나타내는 바와 같은 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급할 때보다 느린 회전 속도로 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 보다 구체적으로는, 웨이퍼(W)를, 예를 들면 300 rpm으로 회전시킨다. 이와 같이, 웨이퍼(W)를 저속 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 폴리 실리콘막이 접촉하는 시간이 길어지기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부에서 부분적으로 에칭 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 에칭 처리를 행한 후에 웨이퍼(W)의 주연부에 폴리 실리콘막이 부분적으로 남는 것을 억제할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 저속으로 회전시키는 이점으로서, 폴리 실리콘막은 소수성이기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에 불초산이 웨이퍼(W)의 중심측으로 유입되는 일 없이, 저속으로 인해 불초산을 길게 접촉시킬 수 있다. 본 발명자에 의한 실험에 따르면, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 비교적 빠른 경우(구체적으로는 웨이퍼(W)의 회전 속도가, 예를 들면 500 rpm 이상인 경우)에는, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 폴리 실리콘막에 불초산이 접촉하는 시간이 짧아지기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부에서 부분적으로 에칭 불량이 발생하고, 에칭 처리를 행한 후에도 웨이퍼(W)의 주연부에 폴리 실리콘막이 부분적으로 남는 것을 알 수 있었다.In addition, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral part of the wafer W, the wafer W is rotated at a slower rotation speed than when supplying the hydrofluoric acid to the peripheral part of the wafer W as shown in STEP2 of FIG. More specifically, the wafer W is rotated at 300 rpm, for example. Thus, since the time which the polysilicon film formed in the periphery of the wafer W makes long by the low speed rotation of the wafer W, it can suppress that etching failure occurs in part at the periphery of the wafer W. As shown in FIG. For this reason, it can suppress that a polysilicon film partially remains in the peripheral part of the wafer W after performing an etching process. In addition, as an advantage of rotating the wafer W at a low speed, since the polysilicon film is hydrophobic, the nonacetic acid does not flow into the center side of the wafer W when the acetic acid is supplied to the periphery of the wafer W. It is possible to make long contact with the acetic acid. According to the experiment by the inventors, when the rotational speed of the wafer W is relatively fast (specifically, when the rotational speed of the wafer W is, for example, 500 rpm or more), it is formed at the periphery of the wafer W. Since the time for contacting the non-acetic acid with the polysilicon film is shortened, it can be seen that the etching failure occurs partially at the periphery of the wafer W, and that the polysilicon film remains partially at the periphery of the wafer W even after the etching process is performed. there was.

이어서, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)가 회전하고 있는 상태로, 린스액 공급부(56)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 순수 등의 린스액을 공급한다. 구체적으로는, 린스액 공급원(38)으로부터 린스액 공급관(37)을 거쳐 린스액 공급 노즐(36)로 린스액을 공급하고, 린스액 공급 노즐(36)로부터 웨이퍼(W)의 주연부에 린스액을 토출시킨다. 이 때, 웨이퍼(W)를 고속(예를 들면, 1000 rpm)으로 회전시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부의 린스 처리가 행해진다(도 3의 STEP4 참조). 웨이퍼(W)의 표면으로 공급된 린스액은 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 웨이퍼(W)로부터 둘레 방향 외방으로 흐르게 된다.Next, the rinse liquid such as pure water is supplied to the peripheral edge of the wafer W by the rinse liquid supply unit 56 while the wafer W held by the holding unit 10 is rotating. Specifically, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid supply source 38 to the rinse liquid supply nozzle 36 via the rinse liquid supply pipe 37, and the rinse liquid is provided at the peripheral edge of the wafer W from the rinse liquid supply nozzle 36. Discharge. At this time, the wafer W is rotated at a high speed (for example, 1000 rpm). Thereby, the rinse process of the peripheral part of the wafer W is performed (refer STEP4 of FIG. 3). The rinse liquid supplied to the surface of the wafer W flows outward from the wafer W in the circumferential direction by the centrifugal force due to the rotation of the wafer W.

또한, 린스액 공급 노즐(36)은 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 직경 방향에서 불초산 공급 노즐(30) 또는 불산 공급 노즐(33)보다 내방에 배치되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부로 린스액을 공급할 때에, 불초산 또는 불산이 웨이퍼(W)로 공급되는 개소보다 웨이퍼(W)의 직경 방향 내방의 개소로 린스액이 공급되게 된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에 부착된 불초산 또는 불산은 모두 린스액에 의해 세정되게 되어 웨이퍼(W)의 린스 처리가 확실히 행해진다. 또한, 린스액 공급부(56)에 의해 웨이퍼(W)의 주연부로 린스액을 공급하여 웨이퍼(W)의 린스 처리를 행하는 공정에서, 웨이퍼(W)에서의 린스액이 공급되는 영역은 도 4의 (c)의 참조 부호(42)로 나타내는 바와 같은 영역이 된다.In addition, the rinse liquid supply nozzle 36 is disposed inward from the nonacetic acid supply nozzle 30 or the hydrofluoric acid supply nozzle 33 in the radial direction of the wafer W held by the holding unit 10. For this reason, when supplying a rinse liquid to the periphery of the wafer W, the rinse liquid is supplied to the location inside the radial direction of the wafer W rather than the place where the hydrofluoric acid or hydrofluoric acid is supplied to the wafer W. As shown in FIG. As a result, all of the hydrofluoric acid or hydrofluoric acid adhering to the periphery of the wafer W is cleaned by the rinse liquid, and the rinsing treatment of the wafer W is surely performed. In the process of rinsing the wafer W by supplying the rinse liquid to the periphery of the wafer W by the rinse liquid supply unit 56, the region where the rinse liquid is supplied from the wafer W is shown in FIG. 4. It becomes an area | region shown by the reference numeral 42 of (c).

그 후, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)를 고속으로 계속 회전시킴으로써, 당해 웨이퍼(W)의 건조 처리를 행한다(도 3의 STEP5 참조).Thereafter, the wafer W held by the holding unit 10 is continuously rotated at a high speed, thereby drying the wafer W (see STEP 5 in FIG. 3).

마지막으로, 챔버(2)의 측부 개구(3)를 거쳐 반송 암을 챔버(2) 내로 넣고, 이 반송 암에 의해 보지부(10)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 기판 액처리 장치(1)의 외부로 반송한다(도 3의 STEP6 참조). 이와 같이 하여, 웨이퍼(W)의 일련의 처리가 종료된다.Finally, the transfer arm is inserted into the chamber 2 via the side opening 3 of the chamber 2, the wafer W is taken out from the holding portion 10 by the transfer arm, and the wafer W taken out. To the outside of the substrate liquid processing apparatus 1 (refer to STEP6 of FIG. 3). In this way, the series of processing of the wafer W is completed.

이상과 같이 본 실시예의 기판 액처리 장치(1) 및 기판 액처리 방법에 따르면, 폴리 실리콘막이 형성된 웨이퍼(W)를 회전시키면서 당해 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급함으로써 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키고(도 3의 STEP2 참조), 폴리 실리콘막이 노출된 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하도록 되어 있다(도 3의 STEP3 참조). 또한, 상술한 바와 같은 동작은 기판 액처리 장치(1)의 제어부(50)가 회전 구동부(20), 불산 공급부(54) 및 불초산 공급부(52)를 제어함으로써 행해진다. 이러한 기판 액처리 장치(1) 및 기판 액처리 방법에 따르면, 웨이퍼(W)의 주연부로 우선 불산을 공급함으로써 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 친수성의 자연 산화막을 에칭 제거하여 이 웨이퍼(W)의 주연부에서 소수성의 폴리 실리콘막을 노출시킬 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급함으로써 불초산이 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 유입되는 것을 억제할 수 있고, 이에 따라 에칭폭의 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 불초산이 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 유입되는 것을 억제할 수 있게 되면, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에 웨이퍼(W)를 저속 회전시킬 수 있게 되므로, 웨이퍼(W)의 주연부에서 부분적으로 에칭 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있게 된다.As described above, according to the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method of the present embodiment, the periphery of the wafer W is supplied by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the wafer W while rotating the wafer W on which the polysilicon film is formed. Etching away the natural oxide film formed on the silicon oxide film (see STEP2 of FIG. 3), and etching the polysilicon film by supplying non-acetic acid to the periphery of the wafer W while rotating the wafer W on which the polysilicon film is exposed. (See STEP3 in Fig. 3). In addition, the operation | movement as mentioned above is performed by the control part 50 of the substrate liquid processing apparatus 1 controlling the rotation drive part 20, the hydrofluoric acid supply part 54, and the hydrofluoric acid supply part 52. As shown in FIG. According to such a substrate liquid processing apparatus 1 and a substrate liquid processing method, by first supplying hydrofluoric acid to the periphery of the wafer W, the hydrophilic natural oxide film formed on the periphery of the wafer W is etched away to remove the wafer W. Since the hydrophobic polysilicon film can be exposed at the periphery, by supplying the nonacetic acid to the periphery of the wafer W, it is possible to suppress the inflow of the non-acetic acid toward the center of the wafer W, thereby improving the accuracy of the etching width. You can. In addition, if it is possible to suppress the inflow of the non-acetic acid toward the center of the wafer W, the wafer W can be rotated at a low speed when the non-acetic acid is supplied to the periphery of the wafer W, so that the wafer W It is possible to suppress the occurrence of etching defects at the peripheral portion.

본 실시예의 기판 액처리 장치(1) 및 기판 액처리 방법에서는, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급할 때보다 느린 회전 속도로 웨이퍼(W)를 회전시키도록 되어 있다. 구체적으로는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급할 때의 회전 속도가 500 rpm 이상, 보다 상세하게는, 예를 들면 1000 rpm인데 반해, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예를 들면 300 rpm으로 되어 있다. 이와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에 웨이퍼(W)를 저속 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 주연부에 형성된 폴리 실리콘막에 불초산이 접촉하는 시간을 길게 할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 주연부에서 부분적으로 에칭 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 에칭 처리를 행한 후에 웨이퍼(W)의 주연부에 폴리 실리콘막이 부분적으로 남는 것을 억제할 수 있다.In the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method of this embodiment, when supplying hydrofluoric acid to the periphery of the wafer W, the wafer W is rotated at a slower rotation speed than when hydrofluoric acid is supplied to the periphery of the wafer W. It is supposed to rotate. Specifically, for example, while the rotational speed at the time of supplying hydrofluoric acid to the periphery of the wafer W is 500 rpm or more, more specifically, for example, 1000 rpm, the hydrofluoric acid can be supplied to the periphery of the wafer W. The rotational speed of the wafer W at the time is 300 rpm, for example. In this manner, when the nonacetic acid is supplied to the periphery of the wafer W, the wafer W is rotated at low speed, whereby the time for the nonacetic acid to contact the polysilicon film formed on the periphery of the wafer W can be increased. As a result, it is possible to suppress the occurrence of etching defects in the peripheral portion of the wafer W. For this reason, it can suppress that a polysilicon film partially remains in the peripheral part of the wafer W after performing an etching process.

또한, 본 실시예의 기판 액처리 장치(1) 및 기판 액처리 방법에서는, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 웨이퍼(W)의 주연부에서의 불산이 공급된 영역으로 불초산을 공급하도록 되어 있다(도 4의 (a) 및 (b) 참조). 보다 상세하게는, 불초산 공급부(52)의 불초산 공급 노즐(30)이 불산 공급부(54)의 불산 공급 노즐(33)보다, 보지부(10)에 의해 보지된 웨이퍼(W)의 직경 방향 외방에 배치되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급할 때에 불산이 웨이퍼(W)로 공급되는 개소(불산 공급 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)로 불산이 공급되는 개소)보다 웨이퍼(W)의 직경 방향 외방의 개소로 불초산을 공급하도록 되어 있다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 표면에서의, 자연 산화막이 제거되어 폴리 실리콘막이 노출된 개소로 불초산을 확실히 공급할 수 있게 된다. 또한, 이 때 웨이퍼(W)의 표면에서의 소수화된 면내로 불초산이 확실히 공급되므로, 불초산이 웨이퍼(W)의 중심을 향하여 유입되는 것을 보다 확실히 억제할 수 있게 된다.In addition, in the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method of the present embodiment, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W, the hydrofluoric acid is supplied to the region supplied with the hydrofluoric acid at the peripheral portion of the wafer W. (Refer to FIG. 4 (a) and (b)). In more detail, the radial acetic acid supply nozzle 30 of the hydrofluoric acid supply part 52 is radial direction of the wafer W hold | maintained by the holding | maintenance part 10 rather than the hydrofluoric acid supply nozzle 33 of the hydrofluoric acid supply part 54. It is arranged outside. For this reason, when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral part of the wafer W, when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral part of the wafer W, hydrofluoric acid is supplied to the wafer W (from the hydrofluoric acid supply nozzle 33 to the wafer W). Hydrofluoric acid is supplied to the position radially outward of the wafer W rather than the place where hydrofluoric acid is supplied. As a result, the natural oxide film on the surface of the wafer W is removed, whereby the nonacetic acid can be reliably supplied to the exposed portion of the polysilicon film. In addition, since hydrofluoric acid is reliably supplied into the hydrophobized surface in the surface of the wafer W at this time, it can be suppressed more reliably that inflow of hydrofluoric acid toward the center of the wafer W is carried out.

또한, 웨이퍼(W)의 주연부로 공급되는 불산의 농도는 자연 산화막을 단시간에 에칭할 수 있고, 폴리 실리콘막을 완전하게 노출시킬만한 농도로 설정되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부로 불산을 공급했을 때에, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 자연 산화막만을 제거할 수 있게 되어, 이 웨이퍼(W)의 표면을 확실히 소수성 상태로 할 수 있게 된다.The concentration of hydrofluoric acid supplied to the periphery of the wafer W is set at such a concentration that the natural oxide film can be etched in a short time and the polysilicon film is completely exposed. For this reason, when hydrofluoric acid is supplied to the periphery of the wafer W, only the natural oxide film formed on the surface of the wafer W can be removed, and the surface of the wafer W can be reliably hydrophobic.

또한, 본 실시예에 따른 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법은 상기의 태양에 한정되지 않고 다양한 변경을 가할 수 있다. 예를 들면, 불초산 공급 노즐(30), 불산 공급 노즐(33) 및 린스액 공급 노즐(36)은 일체적으로 설치되어 있지 않아도 좋다. 즉, 각 노즐(30, 33, 36)이 서로 독립적으로 구동하도록 되어 있어도 좋다. The substrate liquid processing apparatus and the substrate liquid processing method according to the present embodiment can be variously modified without being limited to the above aspects. For example, the hydrofluoric acid supply nozzle 30, the hydrofluoric acid supply nozzle 33, and the rinse liquid supply nozzle 36 may not be provided integrally. In other words, the nozzles 30, 33, 36 may be driven independently of each other.

1 : 기판 액처리 장치
2 : 챔버
3 : 측부 개구
3a : 셔터
4 : 상부 개구
5 : 하부 개구
10 : 보지부
12 : 회전축
14 : 베어링
20 : 회전 구동부
22 : 모터
24: 풀리
26 : 구동 벨트
30 : 불초산 공급 노즐
31 : 불초산 공급관
31a : 밸브
32 : 불초산 공급원
33 : 불산 공급 노즐
34 : 불산 공급관
34a : 밸브
35 : 불산 공급원
36 : 린스액 공급 노즐
37 : 린스액 공급관
37a : 밸브
38 : 린스액 공급원
39 : 노즐 구동 기구
40 : 불산이 공급되는 영역
41 : 불초산이 공급되는 영역
42 : 린스액이 공급되는 영역
50 : 제어부
52 : 불초산 공급부
54 : 불산 공급부
56 : 린스액 공급부
60 : 기억 매체1: substrate liquid processing apparatus
2: chamber
3: side opening
3a: shutter
4: upper opening
5: lower opening
10: pussy part
12: axis of rotation
14: Bearing
20: rotation drive
22: motor
24: pulley
26: drive belt
30: nonacetic acid supply nozzle
31: acetic acid supply pipe
31a: valve
32: acetic acid source
33: hydrofluoric acid supply nozzle
34: Foshan supply pipe
34a: valve
35: foshan source
36: rinse liquid supply nozzle
37: rinse liquid supply pipe
37a: valve
38: rinse liquid supply source
39: nozzle drive mechanism
40: area supplied with hydrofluoric acid
41: the area to which acetic acid is supplied
42: area where the rinse liquid is supplied
50:
52: acetic acid supply unit
54: foshan supply unit
56: rinse liquid supply unit
60: storage medium

Claims (8)

폴리 실리콘막이 형성된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불산을 공급함으로써, 기판의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키는 공정과,
폴리 실리콘막이 노출된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불초산(弗硝酸)을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
Supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed, thereby etching away the natural oxide film formed on the periphery of the substrate to expose the polysilicon film;
Etching and removing the polysilicon film by supplying nonacetic acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate exposed to the polysilicon film
Substrate liquid processing method comprising the.
제 1 항에 있어서,
기판의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 기판의 주연부로 불산을 공급할 때보다 느린 회전 속도로 기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
The method of claim 1,
A method of processing a substrate liquid, wherein when supplying hydrofluoric acid to a peripheral portion of the substrate, the substrate is rotated at a slower rotational speed than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
기판의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 기판의 주연부로 불산을 공급할 때에 불산이 기판으로 공급되는 개소보다 기판의 직경 방향 외방의 개소로 불초산을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
The method according to claim 1 or 2,
When supplying hydrofluoric acid to the peripheral part of a board | substrate, When supplying hydrofluoric acid to the peripheral part of a board | substrate, hydrofluoric acid is supplied to the position of the radial direction outer side of a board | substrate rather than the place where hydrofluoric acid is supplied to a board | substrate.
기판을 보지하는 보지부와,
상기 보지부를 회전시키는 회전 구동부와,
상기 보지부에 의해 보지된 기판의 주연부로 불산을 공급하는 불산 공급부와,
상기 보지부에 의해 보지된 기판의 주연부로 불초산을 공급하는 불초산 공급부와,
상기 회전 구동부, 상기 불산 공급부 및 상기 불초산 공급부를 제어하는 제어부로서, 폴리 실리콘막이 형성된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 상기 불산 공급부에 의해 불산을 공급함으로써 기판의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키고, 폴리 실리콘막이 노출된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 상기 불초산 공급부에 의해 불초산을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하도록 제어를 행하는 제어부
를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
Holding part holding a board,
A rotation drive unit for rotating the holding unit;
A hydrofluoric acid supply portion for supplying hydrofluoric acid to a peripheral portion of the substrate held by the holding portion,
A non-acetic acid supply unit for supplying non-acetic acid to a peripheral portion of the substrate held by the holding unit;
As a control unit for controlling the rotation drive unit, the hydrofluoric acid supply unit, and the hydrofluoric acid supply unit, etching and removing the natural oxide film formed at the periphery of the substrate by supplying hydrofluoric acid by the hydrofluoric acid supply unit to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed. To expose the polysilicon film, and to control the etching of the polysilicon film by supplying the nonacetic acid by the nonacetic acid supply part to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed.
Substrate liquid processing apparatus comprising a.
제 4 항에 있어서,
상기 제어부는, 기판의 주연부로 불초산을 공급할 때에, 기판의 주연부로 불산을 공급할 때보다 느린 회전 속도로 기판을 회전시키도록 상기 회전 구동부의 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
The method of claim 4, wherein
And the control unit controls the rotation drive unit to rotate the substrate at a slower rotation speed than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate, when supplying the hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 불초산 공급부는, 상기 불산 공급부에 의해 기판의 주연부로 불산을 공급할 때에 불산이 기판으로 공급되는 개소보다 기판의 직경 방향 외방의 개소로 불초산을 공급하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
The method according to claim 4 or 5,
The said hydrofluoric acid supply part is made to supply a hydrofluoric acid to the place of the radial direction outer side of a board | substrate rather than the place where hydrofluoric acid is supplied to a board | substrate, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral part of a board | substrate by the said hydrofluoric acid supply part, The board | substrate liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned. .
제 6 항에 있어서,
상기 불초산 공급부는, 상기 불산 공급부보다 상기 보지부에 의해 보지된 기판의 직경 방향 외방에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
The method according to claim 6,
The said hydrofluoric acid supply part is arrange | positioned more radially outward of the board | substrate hold | maintained by the said holding part than the said hydrofluoric acid supply part, The substrate liquid processing apparatus characterized by the above-mentioned.
기판 액처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행 가능한 프로그램이 기억된 기억 매체로서,
상기 프로그램을 실행함으로써 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 기판 액처리 방법을 실행시키되,
상기 기판 액처리 방법은,
폴리 실리콘막이 형성된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불산을 공급함으로써 기판의 주연부에 형성된 자연 산화막을 에칭 제거하여 폴리 실리콘막을 노출시키는 공정과,
폴리 실리콘막이 노출된 기판을 회전시키면서 상기 기판의 주연부로 불초산(弗硝酸)을 공급함으로써 폴리 실리콘막을 에칭 제거하는 공정
을 구비한 것을 특징으로 하는 기억 매체.
As a storage medium in which a program executable by a control computer of a substrate liquid processing apparatus is stored,
By executing the program, the control computer controls the substrate liquid processing apparatus to execute the substrate liquid processing method,
The substrate liquid processing method,
Etching and removing the natural oxide film formed on the periphery of the substrate by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed;
Etching and removing the polysilicon film by supplying nonacetic acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate exposed to the polysilicon film
And a storage medium.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101268458B1 (en) * 2011-09-19 2013-06-04 국민대학교산학협력단 Semiconductor device and method for forming the same
KR20180054598A (en) * 2015-09-16 2018-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
KR20180134502A (en) * 2017-06-09 2018-12-19 주식회사 케이씨텍 Apparatus and Method for processing substrate

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI597770B (en) 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI661477B (en) 2015-06-18 2019-06-01 日商思可林集團股份有限公司 Substrate processing apparatus
JP6784546B2 (en) 2016-09-08 2020-11-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Board processing equipment
JP7241594B2 (en) 2019-04-22 2023-03-17 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing method and substrate processing apparatus
TW202242991A (en) * 2020-12-18 2022-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate processing method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8402859A (en) * 1984-09-18 1986-04-16 Philips Nv METHOD FOR MANUFACTURING SUBMICRON GROUPS IN E.g., SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICES OBTAINED BY THESE METHOD.
US6413436B1 (en) * 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
DE19741465A1 (en) * 1997-09-19 1999-03-25 Wacker Chemie Gmbh Polycrystalline silicon
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
JP2001156038A (en) * 1999-11-29 2001-06-08 Mitsubishi Electric Corp Method for manufacturing semiconductor device
JP2001319850A (en) 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing method, liquid processing device, and thin film formation system
US6482749B1 (en) * 2000-08-10 2002-11-19 Seh America, Inc. Method for etching a wafer edge using a potassium-based chemical oxidizer in the presence of hydrofluoric acid
JP3489555B2 (en) * 2000-09-22 2004-01-19 ヤマハ株式会社 Silicon residue removal method
US20020168880A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-14 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method for cleaning polysilicon
JP3874261B2 (en) * 2002-04-10 2007-01-31 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JP3802507B2 (en) * 2002-05-20 2006-07-26 株式会社ルネサステクノロジ Manufacturing method of semiconductor device
TWI312536B (en) * 2003-07-23 2009-07-21 Nanya Technology Corporatio Method for fabricating semiconductor device having stack-gate structure
JP2008244248A (en) * 2007-03-28 2008-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for treating substrate
JP5025508B2 (en) * 2008-01-30 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 Method for removing polysilicon film and storage medium
JP5020915B2 (en) * 2008-10-08 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 Polysilicon film removal method, processing apparatus, and storage medium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101268458B1 (en) * 2011-09-19 2013-06-04 국민대학교산학협력단 Semiconductor device and method for forming the same
KR20180054598A (en) * 2015-09-16 2018-05-24 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
KR20180134502A (en) * 2017-06-09 2018-12-19 주식회사 케이씨텍 Apparatus and Method for processing substrate

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