JP2011066194A - Substrate liquid-processing method, substrate liquid-processing apparatus, and storage medium - Google Patents

Substrate liquid-processing method, substrate liquid-processing apparatus, and storage medium Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate liquid-processing method, a substrate liquid-processing apparatus, and a storage medium capable of improving accuracy of etching width, without the generation of etching defects in a peripheral part of a substrate, when a hydrophobic polysilicon film is formed in the substrate and when a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film. <P>SOLUTION: First, hydrofluoric acid is supplied to a peripheral part of a substrate W, while the substrate W provided with a polysilicon film is rotated, to remove a natural oxide film provided along the peripheral part of the substrate W by etching so as to expose the polysilicon film. Next, nitrohydrofluoric acid is supplied to the peripheral part of the substrate W while the substrate W from which the polysilicon film is exposed is rotated, so as to remove the polysilicon film by etching. Such operation is performed, by controlling a rotational driving unit 20, a hydrofluoric acid supplying unit 54, and a nitrohydrofluoric acid supply unit 52 by a controller 50 of a substrate liquid-processing apparatus 1. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポリシリコン膜が形成された半導体ウエハ等の基板における周縁部のポリシリコン膜をエッチングにより除去する基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体に関する。   The present invention relates to a substrate liquid processing method, a substrate liquid processing apparatus, and a storage medium for removing a peripheral polysilicon film from a substrate such as a semiconductor wafer on which a polysilicon film is formed by etching.

半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハともいう）に対してゲート電極等を形成するためにポリシリコン膜を形成する工程が存在するが、ウエハのエッジ、ベベル等の周縁部においてひび割れや膜剥がれ等が生じることがあり、このようなひび割れや膜剥がれが生じるとポリシリコン膜がパーティクルとなって半導体デバイスを汚染するおそれがある。   In the manufacturing process of a semiconductor device, there is a step of forming a polysilicon film to form a gate electrode or the like on a semiconductor wafer (hereinafter also simply referred to as a wafer) which is a substrate to be processed. Cracks, film peeling, and the like may occur at the periphery of a bevel or the like. If such cracks or film peeling occur, the polysilicon film may become particles and contaminate the semiconductor device.

このため、従来から、ウエハの周縁部のポリシリコン膜を除去することが行われている。ポリシリコン膜を除去する際には、従来から、エッチング液としてフッ酸と硝酸の混合液であるフッ硝酸を用いてエッチングする方法が採られており、具体的には、除去したくない部分を保護膜（レジスト、ハードマスク）等で保護して、ウエハの周縁部（エッジおよびベベル）のみを露出してウエハ全体をフッ硝酸に浸漬することが行われていた。   For this reason, conventionally, removal of the polysilicon film at the peripheral edge of the wafer has been performed. Conventionally, when removing the polysilicon film, a method of etching using hydrofluoric acid, which is a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid, has been employed as an etchant. Specifically, a portion that is not desired to be removed is used. Protecting with a protective film (resist, hard mask) or the like, exposing only the peripheral edge (edge and bevel) of the wafer and immersing the entire wafer in hydrofluoric acid.

しかしながら、このような手法は、エッチングする部分に合わせて保護膜を形成する必要があるので、工程が煩雑になり、工程数が増加してしまう。また、ポリシリコン膜のカット幅の調整が容易ではないという問題がある。   However, in such a method, since it is necessary to form a protective film in accordance with the portion to be etched, the process becomes complicated and the number of processes increases. In addition, there is a problem that it is not easy to adjust the cut width of the polysilicon film.

これに対して、ポリシリコン膜を除去する技術ではないが、特許文献１には、ウエハに膜を形成した後、ウエハを回転させながらベベル部分に薬液を供給してベベル部分をエッチングにより除去する技術が提案されており、これをウエハの周縁部に形成されたポリシリコン膜のエッチングに適用することが考えられる。   On the other hand, although it is not a technique for removing the polysilicon film, in Patent Document 1, after forming a film on the wafer, a chemical solution is supplied to the bevel portion while rotating the wafer, and the bevel portion is removed by etching. A technique has been proposed, and it can be considered that this technique is applied to etching of a polysilicon film formed on the peripheral edge of a wafer.

特開２００１−３１９８５０号公報JP 2001-31850 A

ウエハに疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合、特許文献１に開示された方法を用いてウエハの周縁部にフッ硝酸を供給したときには、ポリシリコン膜のエッチング不良の発生を十分に抑制することができず、また、エッチング幅の精度が悪いということがわかった。   When a hydrophobic polysilicon film is formed on a wafer and a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film, a hook is formed on the periphery of the wafer using the method disclosed in Patent Document 1. It was found that when nitric acid was supplied, the occurrence of poor etching of the polysilicon film could not be sufficiently suppressed, and the etching width accuracy was poor.

本発明は、ウエハに疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、ウエハの周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供することを目的とする。   In the present invention, when a hydrophobic polysilicon film is formed on a wafer and a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film, no etching failure occurs at the peripheral edge of the wafer. An object of the present invention is to provide a substrate liquid processing method, a substrate liquid processing apparatus, and a storage medium that can improve the accuracy of etching width.

本発明の基板液処理方法は、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、を備えたことを特徴とする。   The substrate liquid processing method of the present invention etches and removes the natural oxide film formed on the peripheral edge of the substrate by supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed. A step of exposing the polysilicon film; and a step of etching and removing the polysilicon film by supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed. And

本発明の基板液処理方法においては、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるようになっていてもよい。   In the substrate liquid processing method of the present invention, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate, the substrate may be rotated at a lower rotational speed than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate. Good.

本発明の基板液処理方法においては、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていてもよい。   In the substrate liquid processing method of the present invention, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate, the radial direction of the substrate is greater than the location where hydrofluoric acid is supplied to the substrate when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate. Fluorine nitric acid may be supplied to the outer part.

本発明の基板液処理装置は、基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる回転駆動部と、前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部と、前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部と、前記回転駆動部、前記フッ酸供給部および前記フッ硝酸供給部を制御する制御部であって、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ酸供給部によりフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ硝酸供給部によりフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するよう制御を行う制御部と、を備えたことを特徴とする。   The substrate liquid processing apparatus of the present invention includes a holding unit that holds a substrate, a rotation driving unit that rotates the holding unit, and a hydrofluoric acid supply unit that supplies hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate held by the holding unit. A hydrofluoric acid supply unit that supplies hydrofluoric acid to a peripheral portion of the substrate held by the holding unit, and a control unit that controls the rotation drive unit, the hydrofluoric acid supply unit, and the hydrofluoric acid supply unit, While rotating the substrate on which the silicon film is formed, hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate by the hydrofluoric acid supply unit, thereby removing the natural oxide film formed on the peripheral portion of the substrate by etching and removing the polysilicon film. Control is performed so that the polysilicon film is etched and removed by supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed by the hydrofluoric acid supply unit. Wherein a control unit for performing, further comprising a.

本発明の基板液処理装置においては、前記制御部は、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるよう、前記回転駆動部の制御を行うようになっていてもよい。   In the substrate liquid processing apparatus of the present invention, the controller may rotate the substrate at a lower rotational speed when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate. The rotation drive unit may be controlled.

本発明の基板液処理装置においては、前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部により基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていてもよい。   In the substrate liquid processing apparatus of the present invention, the hydrofluoric acid supply unit has a larger radial direction of the substrate than a location where hydrofluoric acid is supplied to the substrate when the hydrofluoric acid supply unit supplies hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate. Fluorine nitric acid may be supplied to the outer part.

この場合、前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部よりも、前記保持部により保持された基板の径方向外方に配置されていてもよい。   In this case, the hydrofluoric acid supply unit may be disposed more radially outward of the substrate held by the holding unit than the hydrofluoric acid supply unit.

本発明の記憶媒体は、基板液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板液処理装置を制御して基板液処理方法を実行させるものにおいて、前記基板液処理方法が、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、を備えたことを特徴とする。   The storage medium of the present invention is a storage medium storing a program that can be executed by the control computer of the substrate liquid processing apparatus, and the control computer executes the program so that the substrate liquid processing apparatus is In the method of controlling and executing the substrate liquid processing method, the substrate liquid processing method supplies the hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed. Etching and removing the formed natural oxide film to expose the polysilicon film, and etching the polysilicon film by supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed And a removing step.

本発明の基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体によれば、基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる。   According to the substrate liquid processing method, the substrate liquid processing apparatus, and the storage medium of the present invention, a hydrophobic polysilicon film is formed on the substrate, and a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film. In some cases, etching defects do not occur in the peripheral portion of the substrate, and the accuracy of the etching width can be improved.

本発明の実施の形態における基板液処理装置の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the substrate liquid processing apparatus in embodiment of this invention. 図１に示す基板液処理装置の制御ブロック図である。It is a control block diagram of the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 図１に示す基板液処理装置によるウエハの処理方法を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing a wafer processing method by the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. 1. （ａ）〜（ｃ）は、図３に示すようなウエハの処理方法における、ウエハの表面における各薬液またはリンス液が供給される領域をそれぞれ示す説明図である。(A)-(c) is explanatory drawing which each shows the area | region where each chemical | medical solution or rinse liquid in the surface of a wafer is supplied in the processing method of a wafer as shown in FIG.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態による基板液処理装置および基板液処理方法を示す図である。より詳細には、図１は、本実施の形態における基板の液処理装置の概略縦断面図であり、図２は、図１に示す基板液処理装置の制御ブロック図である。また、図３は、図１に示す基板液処理装置によるウエハの処理方法を示すフローチャートである。また、図４（ａ）〜（ｃ）は、図３に示すようなウエハの処理方法における、ウエハの表面における各薬液またはリンス液が供給される領域をそれぞれ示す説明図である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 4 are views showing a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method according to the present embodiment. More specifically, FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of the substrate liquid processing apparatus in the present embodiment, and FIG. 2 is a control block diagram of the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a wafer processing method by the substrate liquid processing apparatus shown in FIG. FIGS. 4A to 4C are explanatory views respectively showing regions to which each chemical solution or rinse solution is supplied on the wafer surface in the wafer processing method as shown in FIG.

図１に示すように、基板液処理装置１は、半導体ウエハ等の基板Ｗ（以下、ウエハＷともいう）を略水平状態に保持する保持部１０と、保持部１０から下方に延びる回転軸１２と、回転軸１２を介して保持部１０を回転させる回転駆動部２０とを備えている。保持部１０は、当該保持部１０上に載置されたウエハＷを例えば真空吸着により保持するようになっている。   As shown in FIG. 1, the substrate liquid processing apparatus 1 includes a holding unit 10 that holds a substrate W such as a semiconductor wafer (hereinafter also referred to as a wafer W) in a substantially horizontal state, and a rotary shaft 12 that extends downward from the holding unit 10. And a rotation drive unit 20 that rotates the holding unit 10 via the rotation shaft 12. The holding unit 10 holds the wafer W placed on the holding unit 10 by, for example, vacuum suction.

図１に示すように、回転軸１２は鉛直方向に延びるようになっている。回転駆動部２０は、回転軸１２の下端部の周縁外方に配置されたプーリ２４と、プーリ２４に巻き掛けられた駆動ベルト２６と、この駆動ベルト２６に駆動力を付与することによってプーリ２４を介して回転軸１２を回転させるモータ２２とを有している。また、プーリ２４よりも上方の箇所における回転軸１２の周縁外方にはベアリング１４が配置されている。   As shown in FIG. 1, the rotating shaft 12 extends in the vertical direction. The rotary drive unit 20 includes a pulley 24 disposed on the outer periphery of the lower end of the rotary shaft 12, a drive belt 26 wound around the pulley 24, and a pulley 24 by applying a drive force to the drive belt 26. And a motor 22 for rotating the rotary shaft 12 through the shaft. A bearing 14 is disposed outside the periphery of the rotating shaft 12 at a location above the pulley 24.

保持部１０により保持されたウエハＷの周囲には、当該ウエハＷを覆うようなチャンバー２が設けられている。チャンバー２の上部（天井部分）には、Ｎ２ガス（窒素ガス）等のガスを自然流下によりダウンフローでウエハＷに送るような上部開口４が形成されている。また、チャンバー２の下部（底部分）には、上部開口４からダウンフローで送られたガスをチャンバー２内から排気するための下部開口５が形成されている。また、チャンバー２の側部には、チャンバー２内にウエハＷを搬入したりチャンバー２内からウエハＷを搬出したりする搬送アームを通過させるための側部開口３が形成されている。側部開口３は、当該側部開口３に設けられたシャッター３ａにより開閉自在となっている。   A chamber 2 that covers the wafer W is provided around the wafer W held by the holding unit 10. An upper opening 4 is formed in the upper portion (ceiling portion) of the chamber 2 so that a gas such as N 2 gas (nitrogen gas) is sent to the wafer W by a natural flow. In addition, a lower opening 5 is formed in the lower part (bottom part) of the chamber 2 for exhausting the gas sent from the upper opening 4 by downflow from the chamber 2. Further, a side opening 3 for passing a transfer arm for carrying the wafer W into the chamber 2 and carrying the wafer W out of the chamber 2 is formed at the side of the chamber 2. The side opening 3 can be opened and closed by a shutter 3 a provided in the side opening 3.

また、図１に示すように、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部に各種薬液やリンス液を供給するためのノズル３０、３３、３６が並列状態で一体的に設けられている。より具体的には、３つのノズル３０、３３、３６のうちウエハＷの径方向における最も外側（ウエハＷの中心から最も遠い側）にあるフッ硝酸供給ノズル３０は、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給するようになっている。また、３つのノズル３０、３３、３６のうちウエハＷの径方向においてフッ硝酸供給ノズル３０よりも内側にあるフッ酸供給ノズル３３は、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するようになっている。また、３つのノズル３０、３３、３６のうちウエハＷの径方向における最も内側（ウエハＷの中心から最も近い側）にあるリンス液供給ノズル３６は、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部に純水等のリンス液を供給するようになっている。   Further, as shown in FIG. 1, nozzles 30, 33 and 36 for supplying various chemical solutions and rinse solutions to the peripheral portion of the wafer W held by the holding unit 10 are integrally provided in a parallel state. More specifically, among the three nozzles 30, 33, and 36, the hydrofluoric acid supply nozzle 30 that is on the outermost side in the radial direction of the wafer W (the side farthest from the center of the wafer W) is held by the holding unit 10. Fluorine nitric acid is supplied to the peripheral edge of the wafer W. Of the three nozzles 30, 33, and 36, the hydrofluoric acid supply nozzle 33 that is inside the hydrofluoric acid supply nozzle 30 in the radial direction of the wafer W is disposed at the periphery of the wafer W held by the holding unit 10. To supply. The rinsing liquid supply nozzle 36 located on the innermost side (the side closest to the center of the wafer W) in the radial direction of the wafer W among the three nozzles 30, 33, 36 is a peripheral edge of the wafer W held by the holding unit 10. A rinsing liquid such as pure water is supplied to the section.

フッ硝酸供給ノズル３０には、フッ硝酸供給管３１を介してフッ硝酸供給源３２が接続されており、フッ硝酸供給源３２からフッ硝酸供給管３１を介してフッ硝酸供給ノズル３０にフッ硝酸が供給されるようになっている。また、フッ硝酸供給管３１には、フッ硝酸供給ノズル３０へのフッ硝酸の供給の有無や供給量を制御するバルブ３１ａが設けられている。これらのフッ硝酸供給ノズル３０、フッ硝酸供給管３１、バルブ３１ａ、およびフッ硝酸供給源３２により、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部５２が構成されている。   A nitric acid supply source 32 is connected to the hydrofluoric acid supply nozzle 30 via a hydrofluoric acid supply pipe 31, and hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 32 to the hydrofluoric acid supply nozzle 30 via the hydrofluoric acid supply pipe 31. It comes to be supplied. In addition, the hydrofluoric acid supply pipe 31 is provided with a valve 31a for controlling the presence or absence and supply amount of the hydrofluoric acid to the hydrofluoric acid supply nozzle 30. The hydrofluoric acid supply nozzle 52, the hydrofluoric acid supply pipe 31, the valve 31 a, and the hydrofluoric acid supply source 32 constitute a hydrofluoric acid supply unit 52 that supplies hydrofluoric acid to the periphery of the wafer W held by the holding unit 10. Has been.

フッ酸供給ノズル３３には、フッ酸供給管３４を介してフッ酸供給源３５が接続されており、フッ酸供給源３５からフッ酸供給管３４を介してフッ酸供給ノズル３３にフッ酸が供給されるようになっている。また、フッ酸供給管３４には、フッ酸供給ノズル３３へのフッ酸の供給の有無や供給量を制御するバルブ３４ａが設けられている。これらのフッ酸供給ノズル３３、フッ酸供給管３４、バルブ３４ａ、およびフッ酸供給源３５により、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部５４が構成されている。   A hydrofluoric acid supply source 35 is connected to the hydrofluoric acid supply nozzle 33 via a hydrofluoric acid supply pipe 34, and hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 35 to the hydrofluoric acid supply nozzle 33 via the hydrofluoric acid supply pipe 34. It comes to be supplied. Further, the hydrofluoric acid supply pipe 34 is provided with a valve 34 a for controlling the presence or absence and supply amount of hydrofluoric acid to the hydrofluoric acid supply nozzle 33. These hydrofluoric acid supply nozzle 33, hydrofluoric acid supply pipe 34, valve 34 a, and hydrofluoric acid supply source 35 constitute a hydrofluoric acid supply unit 54 that supplies hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W held by the holding unit 10. Has been.

リンス液供給ノズル３６には、リンス液供給管３７を介してリンス液供給源３８が接続されており、リンス液供給源３８からリンス液供給管３７を介してリンス液供給ノズル３６に純水等のリンス液が供給されるようになっている。また、リンス液供給管３７には、リンス液供給ノズル３６へのリンス液の供給の有無や供給量を制御するバルブ３７ａが設けられている。これらのリンス液供給ノズル３６、リンス液供給管３７、バルブ３７ａ、およびリンス液供給源３８により、保持部１０により保持されたウエハＷの周縁部に純水等のリンス液を供給するリンス液供給部５６が構成されている。   A rinsing liquid supply source 38 is connected to the rinsing liquid supply nozzle 36 via a rinsing liquid supply pipe 37, and pure water or the like is supplied from the rinsing liquid supply source 38 to the rinsing liquid supply nozzle 36 via the rinsing liquid supply pipe 37. The rinsing liquid is supplied. Further, the rinse liquid supply pipe 37 is provided with a valve 37a for controlling whether or not the rinse liquid is supplied to the rinse liquid supply nozzle 36 and the supply amount. A rinse liquid supply for supplying a rinse liquid such as pure water to the peripheral edge of the wafer W held by the holding unit 10 by the rinse liquid supply nozzle 36, the rinse liquid supply pipe 37, the valve 37a, and the rinse liquid supply source 38. Part 56 is configured.

並列状態で一体的に設けられた３つのノズル３０、３３、３６には、ノズル駆動機構３９が設けられている。ノズル駆動機構３９により、３つのノズル３０、３３、３６が一体的に移動させられるようになっている。   A nozzle driving mechanism 39 is provided on the three nozzles 30, 33, and 36 that are integrally provided in a parallel state. The nozzle drive mechanism 39 allows the three nozzles 30, 33, and 36 to be moved together.

図２に示すように、基板液処理装置１には、当該基板液処理装置１の各構成要素の制御を行う制御部５０が設けられている。具体的には、制御部５０には、保持部１０、回転駆動部２０、フッ硝酸供給部５２、フッ酸供給部５４、リンス液供給部５６、およびノズル駆動機構３９がそれぞれ接続されている。そして、制御部５０は、当該制御部５０に接続された各構成要素に対して制御信号を送ることにより、各構成要素の制御を行うようになっている。制御部５０による各構成要素の制御の具体的な内容については後述する。   As shown in FIG. 2, the substrate liquid processing apparatus 1 is provided with a control unit 50 that controls each component of the substrate liquid processing apparatus 1. Specifically, the holding unit 10, the rotation drive unit 20, the hydrofluoric acid supply unit 52, the hydrofluoric acid supply unit 54, the rinse liquid supply unit 56, and the nozzle drive mechanism 39 are connected to the control unit 50. The control unit 50 controls each component by sending a control signal to each component connected to the control unit 50. Specific contents of control of each component by the control unit 50 will be described later.

本実施の形態において、制御部５０には、基板液処理装置１で実行される各種処理を制御部５０による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板液処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体６０が接続されている。記憶媒体６０は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。そして、必要に応じて、任意のレシピを記憶媒体６０から呼び出して制御部５０に実行させることで、制御部５０の制御下で、基板液処理装置１での所望の処理が行われる。   In the present embodiment, the control unit 50 includes a control program for realizing various processes executed by the substrate liquid processing apparatus 1 under the control of the control unit 50 and the substrate liquid processing apparatus 1 according to processing conditions. A storage medium 60 that stores a program (that is, a recipe) for causing each component to execute processing is connected. The storage medium 60 can be composed of a memory such as a ROM or a RAM, a disk-shaped storage medium such as a hard disk, a CD-ROM, or a DVD-ROM, or other known storage media. Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage medium 60 and is executed by the control unit 50, whereby a desired process in the substrate liquid processing apparatus 1 is performed under the control of the control unit 50.

次に、上述のような基板液処理装置１の動作（ウエハＷの処理方法）について、図３に示すフローチャートおよび図４に示す説明図を用いて説明する。なお、以下に示すような基板液処理装置１の動作は、記憶媒体６０に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部５０が基板液処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。   Next, the operation of the substrate liquid processing apparatus 1 as described above (wafer W processing method) will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 3 and the explanatory diagram shown in FIG. The operation of the substrate liquid processing apparatus 1 as described below is performed by the control unit 50 controlling each component of the substrate liquid processing apparatus 1 according to a program (recipe) stored in the storage medium 60.

まず、基板液処理装置１の外部から図示しない搬送アームによりチャンバー２の側部開口３を介してチャンバー２内にウエハＷを搬送する。具体的には、搬送アームによりチャンバー２内の保持部１０上にウエハＷを載置させる（図３のＳＴＥＰ１参照）。ここで、搬送アームにより保持部１０上に載置されるウエハＷは、ポリシリコン膜および自然酸化膜が積層状態で表面に形成されたものとなっている（より詳細には、ウエハＷの表面にポリシリコン膜が形成され、このポリシリコン膜に自然酸化膜が積層されている）。なお、ポリシリコン膜は疎水性のものであり、自然酸化膜は親水性のものである。   First, the wafer W is transferred into the chamber 2 from the outside of the substrate liquid processing apparatus 1 through the side opening 3 of the chamber 2 by a transfer arm (not shown). Specifically, the wafer W is placed on the holding unit 10 in the chamber 2 by the transfer arm (see STEP 1 in FIG. 3). Here, the wafer W placed on the holding unit 10 by the transfer arm has a polysilicon film and a natural oxide film formed on the surface in a laminated state (more specifically, the surface of the wafer W). A polysilicon film is formed, and a natural oxide film is laminated on the polysilicon film). The polysilicon film is hydrophobic, and the natural oxide film is hydrophilic.

次に、回転駆動部２０により、鉛直方向に延びる軸線を中心として回転軸１２を回転させる。このことにより、保持部１０により保持されたウエハＷが回転される。このときに、モータ２２から駆動ベルト２６を介してプーリ２４に駆動力が付与されることによって回転軸１２が回転される。   Next, the rotation drive unit 20 rotates the rotation shaft 12 around the axis extending in the vertical direction. As a result, the wafer W held by the holding unit 10 is rotated. At this time, the rotating shaft 12 is rotated by applying a driving force from the motor 22 to the pulley 24 via the driving belt 26.

そして、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する。具体的には、フッ酸供給源３５からフッ酸供給管３４を介してフッ酸供給ノズル３３にフッ酸を供給し、フッ酸供給ノズル３３からウエハＷの周縁部にフッ酸を吐出させる。この際に、ウエハＷを高速（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転させる。このことにより、ウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜がエッチング除去される（図３のＳＴＥＰ２参照）。このようにして、ウエハＷに形成されたポリシリコン膜が露出されることとなる。ウエハＷを高速で回転させる利点として、自然酸化膜に対するエッチングの幅の制御を容易かつ精度良く行うことができるということが挙げられる。ウエハＷの表面に供給されたフッ酸は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷから周方向外方に流されることとなる。   Then, while the wafer W held by the holding unit 10 is rotating, the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W by the hydrofluoric acid supply unit 54. Specifically, hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 35 to the hydrofluoric acid supply nozzle 33 through the hydrofluoric acid supply pipe 34, and hydrofluoric acid is discharged from the hydrofluoric acid supply nozzle 33 to the peripheral edge of the wafer W. At this time, the wafer W is rotated at a high speed (for example, 1000 rpm). As a result, the natural oxide film formed on the peripheral edge of the wafer W is removed by etching (see STEP 2 in FIG. 3). In this way, the polysilicon film formed on the wafer W is exposed. An advantage of rotating the wafer W at a high speed is that the etching width for the natural oxide film can be controlled easily and accurately. The hydrofluoric acid supplied to the surface of the wafer W is caused to flow outward from the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.

なお、フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する工程において、ウエハＷにおけるフッ酸が供給される領域は、図４（ａ）の参照符号４０で示すような領域となる。   In the step of supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W by the hydrofluoric acid supply unit 54, the region where the hydrofluoric acid is supplied to the wafer W is a region as indicated by reference numeral 40 in FIG. .

フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部に供給されるフッ酸の濃度は、自然酸化膜を短時間でエッチングでき、かつポリシリコン膜を完全に露出させるような濃度に設定されている。具体的には、フッ酸の濃度は例えば１〜５０％の範囲内の大きさに設定されている。このことにより、フッ酸供給部５４によりウエハＷの周縁部にフッ酸を供給した際に、ポリシリコン膜は除去されることなく自然酸化膜のみが除去されることとなる。   The concentration of hydrofluoric acid supplied to the peripheral portion of the wafer W by the hydrofluoric acid supply unit 54 is set to such a concentration that the natural oxide film can be etched in a short time and the polysilicon film is completely exposed. Specifically, the concentration of hydrofluoric acid is set to a size within a range of 1 to 50%, for example. Thus, when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W by the hydrofluoric acid supply unit 54, only the natural oxide film is removed without removing the polysilicon film.

次に、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、フッ硝酸供給部５２によりウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する。具体的には、フッ硝酸供給源３２からフッ硝酸供給管３１を介してフッ硝酸供給ノズル３０にフッ硝酸を供給し、フッ硝酸供給ノズル３０からウエハＷの周縁部にフッ硝酸を吐出させる。このことにより、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜がエッチング除去される（図３のＳＴＥＰ３参照）。ウエハＷの表面に供給されたフッ硝酸は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷから周方向外方に流されることとなる。   Next, while the wafer W held by the holding unit 10 is rotating, the nitric acid supply unit 52 supplies the nitric acid to the peripheral portion of the wafer W. Specifically, hydrofluoric acid is supplied from the hydrofluoric acid supply source 32 to the hydrofluoric acid supply nozzle 30 via the hydrofluoric acid supply pipe 31, and the hydrofluoric acid is discharged from the hydrofluoric acid supply nozzle 30 to the peripheral portion of the wafer W. As a result, the polysilicon film formed on the peripheral edge of the wafer W is removed by etching (see STEP 3 in FIG. 3). The hydrofluoric acid supplied to the surface of the wafer W is caused to flow outward from the wafer W by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.

なお、フッ硝酸供給ノズル３０は、保持部１０により保持されたウエハＷの径方向においてフッ酸供給ノズル３３よりも外方に配置されている。このため、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸がウエハＷに供給される箇所よりもウエハＷの径方向外方の箇所にフッ硝酸が供給されることとなる。このことにより、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部におけるフッ酸が供給された領域４０（図４（ａ）参照）内に、すなわちポリシリコン膜の疎水性面内にフッ硝酸が供給されることとなる。図４（ｂ）に、ウエハＷにおけるフッ硝酸が供給される領域を参照符号４１で示す。図４（ｂ）に示すように、ウエハＷにおけるフッ硝酸が供給される領域４１は、ウエハＷにおけるフッ酸が供給される領域４０内に含まれることとなる。   The hydrofluoric acid supply nozzle 30 is disposed outside the hydrofluoric acid supply nozzle 33 in the radial direction of the wafer W held by the holding unit 10. For this reason, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W, the outer side of the wafer W in the radial direction than the portion where the hydrofluoric acid is supplied to the wafer W is provided. Fluorine nitric acid will be supplied to the location. Thus, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W, the hydrophobicity of the polysilicon film is present in the region 40 (see FIG. 4A) where the hydrofluoric acid is supplied in the peripheral edge of the wafer W. The nitric acid is supplied in the plane. In FIG. 4B, a region of the wafer W to which hydrofluoric acid is supplied is indicated by reference numeral 41. As shown in FIG. 4B, the region 41 supplied with hydrofluoric acid in the wafer W is included in the region 40 supplied with hydrofluoric acid in the wafer W.

また、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、図３のＳＴＥＰ２に示すようなウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度でウエハＷを回転させる。より具体的には、ウエハＷを例えば３００ｒｐｍで回転させる。このように、ウエハＷを低速回転させることにより、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜が接触する時間が長くなるため、ウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生してしまうことを抑制することができる。このため、エッチング処理を行った後にウエハＷの周縁部にポリシリコン膜が部分的に残ってしまうことを抑制することができる。また、ウエハＷを低速で回転させる利点として、ポリシリコン膜は疎水性であるため、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際にフッ硝酸がウエハＷの中心側に入り込むことなく、低速のおかげで、フッ硝酸を長く接液させておくことができる。本発明者らによる実験によれば、ウエハＷの回転速度が比較的速い場合（具体的にはウエハＷの回転速度が例えば５００ｒｐｍ以上である場合）には、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜にフッ硝酸が接触する時間が短くなるため、ウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生し、エッチング処理を行った後でもウエハＷの周縁部にポリシリコン膜が部分的に残ってしまうことがわかった。   Further, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W, the wafer W is rotated at a slower rotational speed than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W as shown in STEP 2 of FIG. More specifically, the wafer W is rotated at 300 rpm, for example. As described above, when the wafer W is rotated at a low speed, it takes a long time for the polysilicon film formed on the peripheral portion of the wafer W to be in contact with the wafer W, so that a defective etching occurs partially at the peripheral portion of the wafer W. This can be suppressed. For this reason, it is possible to prevent the polysilicon film from partially remaining on the peripheral edge of the wafer W after the etching process. Further, as an advantage of rotating the wafer W at a low speed, since the polysilicon film is hydrophobic, when the nitric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W, the nitric acid does not enter the center side of the wafer W. Thanks to this, it is possible to keep the hydrofluoric acid in contact for a long time. According to the experiments by the present inventors, when the rotation speed of the wafer W is relatively high (specifically, when the rotation speed of the wafer W is, for example, 500 rpm or more), the wafer W is formed on the peripheral edge of the wafer W. Since the time for which the hydrofluoric acid is in contact with the polysilicon film is shortened, etching failure occurs partially at the peripheral portion of the wafer W, and the polysilicon film is partially formed on the peripheral portion of the wafer W even after the etching process is performed. I knew it would remain.

次に、保持部１０により保持されたウエハＷが回転している状態で、リンス液供給部５６によりウエハＷの周縁部に純水等のリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給源３８からリンス液供給管３７を介してリンス液供給ノズル３６にリンス液を供給し、リンス液供給ノズル３６からウエハＷの周縁部にリンス液を吐出させる。この際に、ウエハＷを高速（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転させる。このことにより、ウエハＷの周縁部のリンス処理が行われる（図３のＳＴＥＰ４参照）。ウエハＷの表面に供給されたリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷから周方向外方に流されることとなる。   Next, while the wafer W held by the holding unit 10 is rotating, a rinse liquid such as pure water is supplied to the peripheral portion of the wafer W by the rinse liquid supply unit 56. Specifically, the rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid supply source 38 to the rinsing liquid supply nozzle 36 through the rinsing liquid supply pipe 37, and the rinsing liquid is discharged from the rinsing liquid supply nozzle 36 to the peripheral portion of the wafer W. At this time, the wafer W is rotated at a high speed (for example, 1000 rpm). Thereby, the rinsing process of the peripheral edge of the wafer W is performed (see STEP 4 in FIG. 3). The rinse liquid supplied to the surface of the wafer W is caused to flow outward in the circumferential direction from the wafer W due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W.

なお、リンス液供給ノズル３６は、保持部１０により保持されたウエハＷの径方向においてフッ硝酸供給ノズル３０やフッ酸供給ノズル３３よりも内方に配置されている。このため、ウエハＷの周縁部にリンス液を供給する際に、フッ硝酸やフッ酸がウエハＷに供給される箇所よりもウエハＷの径方向内方の箇所にリンス液が供給されることとなる。このことにより、ウエハＷの周縁部に付着したフッ硝酸やフッ酸は全てリンス液により洗い流されることとなり、ウエハＷのリンス処理が確実に行われる。なお、リンス液供給部５６によりウエハＷの周縁部にリンス液を供給し、ウエハＷのリンス処理を行う工程において、ウエハＷにおけるリンス液が供給される領域は、図４（ｃ）の参照符号４２で示すような領域となる。   The rinsing liquid supply nozzle 36 is disposed inward of the hydrofluoric acid supply nozzle 30 and the hydrofluoric acid supply nozzle 33 in the radial direction of the wafer W held by the holding unit 10. For this reason, when supplying the rinsing liquid to the peripheral edge of the wafer W, the rinsing liquid is supplied to a position radially inward of the wafer W from a position where hydrofluoric acid or hydrofluoric acid is supplied to the wafer W. Become. As a result, all the hydrofluoric acid and hydrofluoric acid adhering to the peripheral edge of the wafer W are washed away by the rinsing liquid, and the rinsing process of the wafer W is performed reliably. In the step of supplying the rinsing liquid to the peripheral edge of the wafer W by the rinsing liquid supply unit 56 and performing the rinsing process on the wafer W, the reference numeral in FIG. The region is as shown by 42.

その後、保持部１０により保持されたウエハＷを高速で回転させ続けることで、当該ウエハＷの乾燥処理を行う（図３のＳＴＥＰ５参照）。   Thereafter, by continuing to rotate the wafer W held by the holding unit 10 at a high speed, the wafer W is dried (see STEP 5 in FIG. 3).

最後に、チャンバー２の側部開口３を介して搬送アームをチャンバー２内に入れ、この搬送アームにより保持部１０からウエハＷを取り出し、取り出されたウエハＷを基板液処理装置１の外部に搬送する（図３のＳＴＥＰ６参照）。このようにして、ウエハＷの一連の処理が終了する。   Finally, a transfer arm is put into the chamber 2 through the side opening 3 of the chamber 2, the wafer W is taken out from the holding unit 10 by this transfer arm, and the taken out wafer W is transferred to the outside of the substrate liquid processing apparatus 1. (See STEP 6 in FIG. 3). In this way, a series of processing of the wafer W is completed.

以上のように本実施の形態の基板液処理装置１および基板液処理方法によれば、ポリシリコン膜が形成されたウエハＷを回転させながら当該ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給することによりウエハＷの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ（図３のＳＴＥＰ２参照）、ポリシリコン膜が露出されたウエハＷを回転させながらウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するようになっている（図３のＳＴＥＰ３参照）。なお、上述のような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。このような基板液処理装置１および基板液処理方法によれば、ウエハＷの周縁部にまずフッ酸を供給することによりウエハＷの周縁部に形成された親水性の自然酸化膜をエッチング除去してこのウエハＷの周縁部において疎水性のポリシリコン膜を露出させることができるので、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給することによりフッ硝酸がウエハＷの中心に向かって浸食することを抑止することができ、このことによりエッチング幅の精度を向上させることができる。また、フッ硝酸がウエハＷの中心に向かって浸食することを抑止することができるようになると、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際にウエハＷを低速回転させることができるようになるのでウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生することを抑止することができるようになる。   As described above, according to the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method of the present embodiment, the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W while rotating the wafer W on which the polysilicon film is formed. The native oxide film formed on the periphery of the wafer W is removed by etching to expose the polysilicon film (see STEP 2 in FIG. 3), and the wafer W on which the polysilicon film is exposed is rotated to the periphery of the wafer W. By supplying hydrofluoric acid, the polysilicon film is removed by etching (see STEP 3 in FIG. 3). The operation as described above is performed by the control unit 50 of the substrate liquid processing apparatus 1 controlling the rotation driving unit 20, the hydrofluoric acid supply unit 54, and the hydrofluoric acid supply unit 52. According to the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method, the hydrophilic natural oxide film formed on the peripheral portion of the wafer W is removed by etching by first supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W. Since the hydrophobic polysilicon film can be exposed at the peripheral edge portion of the wafer W, supplying fluoric nitric acid to the peripheral edge portion of the wafer W prevents the fluorinated nitric acid from eroding toward the center of the wafer W. This can improve the accuracy of the etching width. In addition, when it is possible to prevent fluorinated nitric acid from eroding toward the center of the wafer W, the wafer W can be rotated at a low speed when the fluorinated nitric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of partial etching defects at the peripheral edge of the wafer W.

本実施の形態の基板液処理装置１および基板液処理方法においては、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度でウエハＷを回転させるようになっている。具体的には、例えばウエハＷの周縁部にフッ酸を供給する際の回転速度が５００ｒｐｍ以上、より詳細には例えば１０００ｒｐｍであるのに対し、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際のウエハＷの回転速度は例えば３００ｒｐｍとなっている。このように、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際にウエハＷを低速回転させることにより、ウエハＷの周縁部に形成されたポリシリコン膜にフッ硝酸が接触する時間を長くすることができる。このことにより、ウエハＷの周縁部において部分的にエッチング不良が発生してしまうことを抑制することができる。このため、エッチング処理を行った後にウエハＷの周縁部にポリシリコン膜が部分的に残ってしまうことを抑制することができる。   In the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method of the present embodiment, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W, the rotational speed is slower than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W. The wafer W is rotated. Specifically, for example, the rotation speed when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W is 500 rpm or more, more specifically, for example, 1000 rpm. The rotation speed of the wafer W is, for example, 300 rpm. In this way, when the nitric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W, the time during which the nitric acid contacts the polysilicon film formed on the peripheral portion of the wafer W can be increased by rotating the wafer W at a low speed. it can. As a result, it is possible to suppress the occurrence of partial etching defects at the peripheral edge of the wafer W. For this reason, it is possible to prevent the polysilicon film from partially remaining on the peripheral edge of the wafer W after the etching process.

また、本実施の形態の基板液処理装置１および基板液処理方法においては、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部におけるフッ酸が供給された領域にフッ硝酸を供給するようになっている（図４（ａ）（ｂ）参照）。より詳細には、フッ硝酸供給部５２のフッ硝酸供給ノズル３０が、フッ酸供給部５４のフッ酸供給ノズル３３よりも、保持部１０により保持されたウエハＷの径方向外方に配置されている。このため、ウエハＷの周縁部にフッ硝酸を供給する際に、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸がウエハＷに供給される箇所（フッ酸供給ノズル３３からウエハＷにフッ酸が供給される箇所）よりもウエハＷの径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっている。このことにより、ウエハＷの表面における、自然酸化膜が除去されてポリシリコン膜が露出された箇所にフッ硝酸を確実に供給することができるようになる。また、この際に、ウエハＷの表面における疎水化された面内にフッ硝酸が確実に供給されるので、フッ硝酸がウエハＷの中心に向かって浸食することをより確実に抑止することができるようになる。   Further, in the substrate liquid processing apparatus 1 and the substrate liquid processing method of the present embodiment, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the wafer W, the hydrofluoric acid is supplied to the region where the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W. Is supplied (see FIGS. 4A and 4B). More specifically, the hydrofluoric acid supply nozzle 30 of the hydrofluoric acid supply unit 52 is disposed radially outward of the wafer W held by the holding unit 10 rather than the hydrofluoric acid supply nozzle 33 of the hydrofluoric acid supply unit 54. Yes. For this reason, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W, the hydrofluoric acid is supplied to the wafer W when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the wafer W (from the hydrofluoric acid supply nozzle 33 to the wafer W). The hydrofluoric acid is supplied to a location radially outward of the wafer W from the location where the hydrofluoric acid is supplied. As a result, it is possible to reliably supply hydrofluoric acid to the portion of the surface of the wafer W where the natural oxide film is removed and the polysilicon film is exposed. At this time, since hydrofluoric acid is reliably supplied into the hydrophobic surface on the surface of the wafer W, it is possible to more reliably prevent the hydrofluoric acid from eroding toward the center of the wafer W. It becomes like this.

また、ウエハＷの周縁部に供給されるフッ酸の濃度は、自然酸化膜を短時間でエッチングでき、かつポリシリコン膜を完全に露出させるような濃度に設定されている。このため、ウエハＷの周縁部にフッ酸を供給したときに、ウエハＷの表面に形成された自然酸化膜のみを除去することができるようになり、このウエハＷの表面を確実に疎水性の状態とすることができるようになる。   The concentration of hydrofluoric acid supplied to the peripheral edge of the wafer W is set to a concentration that allows the natural oxide film to be etched in a short time and that the polysilicon film is completely exposed. For this reason, when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the wafer W, only the natural oxide film formed on the surface of the wafer W can be removed, and the surface of the wafer W is reliably hydrophobic. It becomes possible to be in a state.

なお、本実施の形態による基板液処理装置および基板液処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、フッ硝酸供給ノズル３０、フッ酸供給ノズル３３、およびリンス液供給ノズル３６は一体的に設けられていなくともよい。すなわち、各ノズル３０、３３、３６が互いに独立して駆動するようになっていてもよい。   The substrate liquid processing apparatus and the substrate liquid processing method according to the present embodiment are not limited to the above-described aspects, and various changes can be made. For example, the hydrofluoric acid supply nozzle 30, the hydrofluoric acid supply nozzle 33, and the rinse liquid supply nozzle 36 do not have to be provided integrally. That is, each nozzle 30, 33, 36 may be driven independently of each other.

１ 基板液処理装置
２ チャンバー
３ 側部開口
３ａ シャッター
４ 上部開口
５ 下部開口
１０ 保持部
１２ 回転軸
１４ ベアリング
２０ 回転駆動部
２２ モータ
２４ プーリ
２６ 駆動ベルト
３０ フッ硝酸供給ノズル
３１ フッ硝酸供給管
３１ａ バルブ
３２ フッ硝酸供給源
３３ フッ酸供給ノズル
３４ フッ酸供給管
３４ａ バルブ
３５ フッ酸供給源
３６ リンス液供給ノズル
３７ リンス液供給管
３７ａ バルブ
３８ リンス液供給源
３９ ノズル駆動機構
４０ フッ酸が供給される領域
４１ フッ硝酸が供給される領域
４２ リンス液が供給される領域
５０ 制御部
５２ フッ硝酸供給部
５４ フッ酸供給部
５６ リンス液供給部
６０ 記憶媒体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate liquid processing apparatus 2 Chamber 3 Side part opening 3a Shutter 4 Upper opening 5 Lower opening 10 Holding part 12 Rotating shaft 14 Bearing 20 Rotation driving part 22 Motor 24 Pulley 26 Driving belt 30 HF nitric acid supply nozzle 31 HF nitric acid supply pipe 31a Valve 32 hydrofluoric acid supply source 33 hydrofluoric acid supply nozzle 34 hydrofluoric acid supply pipe 34a valve 35 hydrofluoric acid supply source 36 rinse liquid supply nozzle 37 rinse liquid supply pipe 37a valve 38 rinse liquid supply source 39 nozzle drive mechanism 40 hydrofluoric acid is supplied Area 41 area 42 to which hydrofluoric acid is supplied area 42 to which rinsing liquid is supplied 50 control section 52 hydrofluoric acid supply section 54 hydrofluoric acid supply section 56 rinse liquid supply section 60

Claims (8)

ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備えたことを特徴とする基板液処理方法。 A step of exposing the polysilicon film by etching away the natural oxide film formed on the periphery of the substrate by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed;
Etching the polysilicon film by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed; and
A substrate liquid processing method comprising: 基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させることを特徴とする請求項１記載の基板液処理方法。   The substrate liquid processing method according to claim 1, wherein when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate, the substrate is rotated at a slower rotational speed than when hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate. 基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給することを特徴とする請求項１または２記載の基板液処理方法。   When supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate, when supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate, the hydrofluoric acid is supplied to a location radially outward from the location where hydrofluoric acid is supplied to the substrate. 3. The substrate liquid processing method according to claim 1, wherein the substrate liquid processing method is performed. 基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部と、
前記回転駆動部、前記フッ酸供給部および前記フッ硝酸供給部を制御する制御部であって、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ酸供給部によりフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ硝酸供給部によりフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するよう制御を行う制御部と、
を備えたことを特徴とする基板液処理装置。 A holding unit for holding the substrate;
A rotation drive unit for rotating the holding unit;
A hydrofluoric acid supply unit that supplies hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate held by the holding unit;
A nitric acid supply unit for supplying hydrofluoric acid to the peripheral edge of the substrate held by the holding unit;
A control unit that controls the rotation driving unit, the hydrofluoric acid supply unit, and the hydrofluoric acid supply unit, and rotates the substrate on which the polysilicon film is formed while the hydrofluoric acid supply unit fluorinates the peripheral portion of the substrate. By supplying acid, the native oxide film formed on the peripheral portion of the substrate is removed by etching to expose the polysilicon film, and the hydrofluoric acid is applied to the peripheral portion of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed. A control unit that performs control to etch away the polysilicon film by supplying hydrofluoric acid by the supply unit;
A substrate liquid processing apparatus comprising: 前記制御部は、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるよう、前記回転駆動部の制御を行うことを特徴とする請求項４記載の基板液処理装置。   The control unit controls the rotation driving unit so as to rotate the substrate at a lower rotation speed than when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate when supplying hydrofluoric acid to the peripheral portion of the substrate. The substrate liquid processing apparatus according to claim 4. 前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部により基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていることを特徴とする請求項４または５記載の基板液処理装置。   The hydrofluoric acid supply unit supplies hydrofluoric acid to a location radially outward of the substrate from a location where hydrofluoric acid is supplied to the substrate when the hydrofluoric acid is supplied to the peripheral portion of the substrate by the hydrofluoric acid supply unit. 6. The substrate liquid processing apparatus according to claim 4, wherein the substrate liquid processing apparatus is configured as described above. 前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部よりも、前記保持部により保持された基板の径方向外方に配置されていることを特徴とする請求項６記載の基板液処理装置。   The substrate liquid processing apparatus according to claim 6, wherein the hydrofluoric acid supply unit is disposed more radially outward of the substrate held by the holding unit than the hydrofluoric acid supply unit. 基板液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板液処理装置を制御して基板液処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板液処理方法が、
ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備えたことを特徴とする記憶媒体。 A storage medium storing a program that can be executed by a control computer of a substrate liquid processing apparatus, wherein the control computer controls the substrate liquid processing apparatus by executing the program. In what causes
The substrate liquid processing method comprises:
A step of exposing the polysilicon film by etching away the natural oxide film formed on the periphery of the substrate by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is formed;
Etching the polysilicon film by supplying hydrofluoric acid to the periphery of the substrate while rotating the substrate on which the polysilicon film is exposed; and
A storage medium comprising:
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