KR20180134502A - Apparatus and Method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

An objective of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which prevent a loss of a processing liquid coated on a substrate to prevent a collapse of a micropattern formed on the substrate. To achieve this, according to one embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises a second processing unit to supply a hydrophobic material to an edge part of a substrate and a first processing unit to supply the processing liquid to the substrate having the hydrophobic material supplied thereto. According to one embodiment of the present invention, the substrate processing method comprises a first step of etching the edge part of a substrate having a deposition film coated thereon with a hydrophobic material and a second step of coating a processing liquid of the etched substrate. According to another embodiment of the present invention, the substrate processing method comprises a first step of coating a hydrophobic material on the edge part of the substrate to form a hydrophobic layer and a second step of coating a processing liquid on the upper surface of the substrate surrounded by the hydrophobic layer.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Apparatus and Method for processing substrate} [0001] DESCRIPTION [0002] APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE [0003]

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 상에 도포되는 처리액의 유실 및 이로 인해 초래되는 패턴 붕괴 현상을 방지하기 위한 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for preventing loss of a processing solution applied on a substrate and pattern collapse caused thereby.

일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.In general, cleaning is classified into wet cleaning and dry cleaning, among which wet cleaning is widely used in the field of semiconductor manufacturing. Wet scrubbing is a continuous way to remove contaminants using chemicals that match the contaminants at each stage, and a large amount of acid and alkali solutions are used to remove contaminants that remain on the substrate.

그러나, 이러한 습식세정에 사용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 사용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.However, the chemical used for the wet cleaning not only adversely affects the environment but also causes a large increase in the production cost of the product due to complicated processes, and when used for cleaning a precise part such as a highly integrated circuit, There is a problem in that the contaminant removal can not be effectively performed due to the collapse of the microstructured pattern due to the tensile force.

이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.Recently, a dry cleaning method using carbon dioxide, which is a non-toxic, non-combustible material and a cheap and environmentally friendly substance, as a solvent has been developed as a solution to solve such a problem. Since carbon dioxide has a low critical temperature and a critical pressure, it can easily reach the supercritical state, the interfacial tension is close to zero, and the density or the solvent strength is changed according to the pressure change due to the high compressibility in the supercritical state And it is easy to separate the solvent from the solute because the gas state is changed by the decompression.

이와 같이 초임계유체를 사용한 기판처리방법과 관련된 선행기술의 일례로서, 등록특허 제10-1536712호에는 제1공정챔버에서 케미컬 공정과 린스 공정 및 유기용제 공정이 순차로 이루어지는 세정 공정을 수행하고, 세정 공정을 마친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하여 초임계유체를 사용한 건조 공정을 수행하는 기판처리방법이 개시되어 있다.As an example of prior art related to a method of processing a substrate using a supercritical fluid as described above, Japanese Patent No. 10-1536712 discloses a cleaning process in which a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process are sequentially performed in a first process chamber, There is disclosed a substrate processing method in which a substrate subjected to a cleaning process is transferred to a second process chamber by a transfer robot to perform a drying process using a supercritical fluid.

상기 유기용제 공정은 린스 공정을 거치며 기판 상에 잔류하는 린스제를 유기용제로 치환함으로써, 후속되는 건조 공정에서 초임계유체와 유기용제 간에 용해 반응이 원활하게 이루어지도록 하여 기판의 건조 성능을 향상시킬 수 있도록 한다.In the organic solvent process, the rinsing agent remaining on the substrate after the rinsing process is replaced by the organic solvent, thereby facilitating the dissolution reaction between the supercritical fluid and the organic solvent in the subsequent drying process, thereby improving the drying performance of the substrate .

그러나, 종래의 기판처리방법에 의하면, 유기용제 공정을 거쳐 기판 상에 유기용제가 도포된 상태에서 기판이 이송로봇에 의해 제1공정챔버에서 제2공정챔버로 이송되는 도중에 유기용제가 기판의 외측으로 흘러내려 유실됨에 따라서 기판 상에 유기용제의 분포 상태가 불균일하게 되어 기판에 형성된 패턴이 붕괴됨으로써 공정불량이 초래되는 문제점이 있었다.However, according to the conventional substrate processing method, when the substrate is transferred from the first process chamber to the second process chamber by the transfer robot while the organic solvent is coated on the substrate via the organic solvent process, The distribution state of the organic solvent on the substrate becomes uneven and the pattern formed on the substrate is collapsed to cause a process failure.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판 상에 도포되는 처리액의 유실을 방지함으로써 기판에 형성된 미세 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있도록 하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing collapse of a fine pattern formed on a substrate by preventing loss of a processing solution applied on the substrate. It has its purpose.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판처리장치는, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 공급하는 제2처리부와, 상기 소수성 물질이 공급된 기판에 처리액 공급하는 제1처리부를 포함하여 구성된다.The substrate processing apparatus of the present invention for realizing the above object includes a second processing unit for supplying a hydrophobic substance to a rim of a substrate and a first processing unit for supplying a processing solution to the substrate to which the hydrophobic substance is supplied .

상기 소수성 물질은, 불산, 계면활성제, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 사용할 수 있다.The hydrophobic substance may be selected from hydrofluoric acid, a surfactant, an organosilicon compound, a silane coupling agent, a fluorocarbon compound, a silylating agent, and a hydrocarbon-based nonpolar solvent.

상기 처리액은 유기용제이며, 이소프로필알콜(IPA)일 수 있다.The treatment liquid is an organic solvent and may be isopropyl alcohol (IPA).

본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법은, 증착막이 도포된 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 식각하는 제1단계와, 상기 식각 처리된 기판 상에 처리액을 도포하는 제2단계를 포함하여 구성된다.The substrate processing method according to the first embodiment of the present invention includes a first step of etching a rim of a substrate to which a vapor deposition film is applied using a hydrophobic substance and a second step of applying a processing solution on the etched substrate .

상기 제1단계는, 불산 또는 계면활성제를 상기 소수성 물질로 사용하여 수행될 수 있다.The first step may be carried out using hydrofluoric acid or a surfactant as the hydrophobic substance.

상기 제1단계는, 상기 기판의 표면이 노출되는 깊이까지 상기 증착막을 식각하는 것으로 구성될 수 있다.The first step may include etching the vapor deposition layer to a depth at which the surface of the substrate is exposed.

상기 제1단계는, 상면이 노출된 상기 기판과 상기 소수성 물질 간의 반응에 의해 상기 기판의 테두리부 표면에 소수화부를 형성할 수 있다.In the first step, a hydrophobic portion may be formed on the rim surface of the substrate by reaction between the substrate on which the upper surface is exposed and the hydrophobic material.

상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역을 식각하는 것으로 구성될 수 있다.The first step may include etching an edge bead remover (EBR) region of the substrate edge portion.

상기 제1단계는 상기 식각 처리된 기판을 세정하는 린스 공정을 추가로 수행할 수 있다.The first step may further include a rinsing step of cleaning the etched substrate.

상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용할 수 있다.In the second step, an organic solvent may be used as the treatment liquid.

상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용할 수 있다.In the second step, isopropyl alcohol (IPA) may be used as the treatment liquid.

상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행할 수 있다.The chemical process and the rinsing process for cleaning the substrate prior to the first step may be performed.

상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고, 상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계, 및 상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함할 수 있다.A third step of carrying out the first and second steps in a first process chamber and transferring the substrate having undergone the second step to a second process chamber by a transfer robot, And a fourth step of drying the supercritical fluid using the supercritical fluid.

본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법은, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 도포하여 소수성 층을 형성하는 제1단계와, 상기 소수성 층으로 둘러싸인 기판의 상면에 처리액을 도포하는 제2단계를 포함하여 구성될 수 있다.A second aspect of the present invention is a method for processing a substrate, comprising: a first step of forming a hydrophobic layer by applying a hydrophobic substance to an edge of a substrate; a second step of applying a treatment liquid to the upper surface of the substrate surrounded by the hydrophobic layer; Step < / RTI >

상기 제1단계는, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 상기 소수성 물질로 사용할 수 있다.In the first step, any one of an organosilicon compound, a silane coupling agent, a fluorocarbon compound, a silylating agent, and a hydrocarbon-based nonpolar solvent may be used as the hydrophobic substance.

상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역에 상기 소수성 층을 형성할 수 있다.In the first step, the hydrophobic layer may be formed in an edge bead remover (EBR) region of the substrate edge portion.

상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용할 수 있다.In the second step, an organic solvent may be used as the treatment liquid.

상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용할 수 있다.In the second step, isopropyl alcohol (IPA) may be used as the treatment liquid.

상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행할 수 있다.The chemical process and the rinsing process for cleaning the substrate prior to the first step may be performed.

상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고, 상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계, 및 상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함할 수 있다. A third step of carrying out the first and second steps in a first process chamber and transferring the substrate having undergone the second step to a second process chamber by a transfer robot, And a fourth step of drying the supercritical fluid using the supercritical fluid.

본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 의하면, 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 식각하거나, 기판의 테두리부에 소수성 물질을 도포하여 소수성 층을 형성한 후에 기판 상에 유기용제 등의 처리액을 도포함으로써, 처리액이 도포된 상태에서 기판을 이송하더라도 처리액이 기판의 외측으로 유실되는 것을 방지할 수 있어, 처리액이 유실되는 경우에 초래될 수 있는 미세 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있으며, 이로써 기판을 사용하여 제조되는 반도체 장치의 성능과 품질, 생산성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, the edge of the substrate is etched using a hydrophobic substance, or a hydrophobic substance is applied to the edge of the substrate to form a hydrophobic layer, and then the substrate is treated with an organic solvent By applying the liquid, it is possible to prevent the process liquid from being lost to the outside of the substrate even if the substrate is transported in a state in which the process liquid is applied, thereby preventing the collapse of the fine pattern that may be caused when the process liquid is lost Thereby improving the performance, quality, productivity and reliability of the semiconductor device manufactured using the substrate.

도 1은 본 발명이 적용되는 기판처리장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 도 1에 도시된 제1공정챔버의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법의 순서도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법을 공정순서에 따라 나타낸 상태도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법의 순서도,
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법을 공정순서에 따라 나타낸 상태도. 1 is a schematic view showing the configuration of a substrate processing apparatus to which the present invention is applied,
Fig. 2 is a schematic view of the configuration of the first process chamber shown in Fig. 1,
3 is a flowchart of a substrate processing method according to the first embodiment of the present invention,
FIG. 4 is a state diagram showing a substrate processing method according to the first embodiment of the present invention,
5 is a flowchart of a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention,
6 is a state diagram showing a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention in a process order.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 본 발명이 적용되는 기판처리장치(1)는, 기판(S)을 세정한 후 초임계유체를 사용하여 건조 처리하는 장치일 수 있다. 상기 기판(S)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(S)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 기판 등일 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 to which the present invention is applied may be an apparatus for cleaning a substrate S and then performing a drying treatment using a supercritical fluid. The substrate S may be a silicon wafer serving as a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate S may be a glass substrate used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP).

상기 기판처리장치(1)는, 로드포트(100), 인덱스부(200), 버퍼챔버(300), 제1공정챔버(400), 이송부(500), 및 제2공정챔버(600)로 구성될 수 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index unit 200, a buffer chamber 300, a first process chamber 400, a transfer unit 500, and a second process chamber 600 .

상기 로드포트(100)는, 기판(S)이 로딩 또는 언로딩되는 부분으로, 로드포트(100)에는 기판(S)이 수납되는 복수의 카세트(110)가 구비될 수 있다. 상기 카세트(110)는 전면 개방 일체형 포드(FOUP; front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 기판(S)은 외부의 이송로봇(미도시됨)에 의해 카세트(110)로 반입되거나, 카세트(110)로부터 외부로 반출될 수 있다.The load port 100 is a part where the substrate S is loaded or unloaded and the load port 100 may be provided with a plurality of cassettes 110 in which the substrate S is accommodated. The cassette 110 may be a front opening unified pod (FOUP). The substrate S can be carried into the cassette 110 by an external transfer robot (not shown) or can be taken out from the cassette 110 to the outside.

상기 인덱스부(200)는, 상기 로드포트(100)에 구비된 카세트(110)와 버퍼챔버(300) 간에 기판(S)을 이송하기 위한 구성으로, 인덱스 로봇(210)과 인덱스 레일(220)을 포함할 수 있다. 상기 인덱스 로봇(210)은 인덱스 레일(220)을 따라 이동하며 기판(S)을 이송할 수 있다.The index unit 200 is configured to transfer the substrate S between the cassette 110 and the buffer chamber 300 provided in the load port 100. The index robot 200 includes an index robot 210, . ≪ / RTI > The index robot 210 moves along the index rail 220 to transfer the substrate S.

상기 버퍼챔버(300)는, 인덱스부(200)로부터 제1공정챔버(400)로 이송되는 기판(S)과, 제2공정챔버(600)로부터 인덱스부(200)로 이송되는 기판(S)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다.The buffer chamber 300 includes a substrate S to be transferred from the index unit 200 to the first process chamber 400 and a substrate S to be transferred from the second process chamber 600 to the index unit 200, This provides a temporary residence space.

상기 제1공정챔버(400)는 기판(S)의 세정 공정이 수행되는 부분으로, 상기 제1공정챔버(400)에서는 케미컬 공정, 린스 공정, 소수화 공정, 및 유기용제 공정이 순차로 수행될 수 있다.The first process chamber 400 is a part where the cleaning process of the substrate S is performed and the chemical process, the rinsing process, the hydrophobic process, and the organic solvent process can be sequentially performed in the first process chamber 400 have.

상기 제2공정챔버(600)에서는 상기 세정 공정을 마친 기판(S)을 초임계유체를 사용하여 건조시키는 건조 공정이 수행될 수 있다.In the second process chamber 600, a drying process may be performed in which the substrate S having undergone the cleaning process is dried using a supercritical fluid.

상기 제1공정챔버(400)와 제2공정챔버(500) 사이에는 기판(S)을 이송하는 이송부(500)가 구비된다. 상기 이송부(500)는, 버퍼챔버(300)에 놓인 기판(S)을 제1공정챔버(400)로 이송하거나, 상기 제1공정챔버(400)에서 세정 공정을 마친 기판(S)을 제2공정챔버(600)로 이송하거나, 상기 제2공정챔버(600)에서 건조 공정을 마친 기판(S)을 버퍼챔버(300)로 이송하기 위한 구성으로, 이송로봇(510)과 이송레일(520)을 포함할 수 있다. 상기 이송로봇(510)은 이송레일(520)을 따라 이동하며 기판(S)을 이송할 수 있다.A transfer unit 500 for transferring the substrate S is provided between the first process chamber 400 and the second process chamber 500. The transfer unit 500 transfers the substrate S placed in the buffer chamber 300 to the first process chamber 400 or the substrate S after the cleaning process in the first process chamber 400 is transferred to the second process chamber 400. [ The transfer robot 510 and the transfer rail 520 are configured to transfer the substrate S transferred to the process chamber 600 or the substrate S having undergone the drying process in the second process chamber 600 to the buffer chamber 300, . ≪ / RTI > The transfer robot 510 moves along the transfer rail 520 to transfer the substrate S.

도 2를 참조하면, 상기 제1공정챔버(400)에서는, 기판(S)의 케미컬 공정, 린스 공정, 소수화(疏水化) 공정, 및 처리액 도포 공정이 순차로 수행될 수 있다.Referring to FIG. 2, in the first process chamber 400, a chemical process, a rinsing process, a hydrophobic process, and a process liquid application process of the substrate S may be sequentially performed.

상기 케미컬 공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 상기 린스 공정은 기판(S)에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 상기 소수화 공정은 후속되는 처리액 도포 공정에 앞서 기판(S)의 테두리부를 소수화시켜 처리액의 유실을 방지하기 위한 공정이고, 상기 처리액 도포 공정은 린스제를 유기용제 등의 처리액으로 치환함으로써, 후속되는 제2공정챔버(600)에서 초임계유체를 사용한 기판의 건조시 초임계유체와 처리액 간에 용해 반응이 원활하게 이루어지도록 하여 기판의 건조 성능을 높이기 위한 공정이다.The chemical process is a process of removing foreign substances on the substrate S by providing a cleaning agent on the substrate S, and the rinsing process is performed by rinsing the substrate S to remove the cleaning agent remaining on the substrate S Wherein the hydrophobic process is a process for hydrophobizing the rim of the substrate (S) prior to the subsequent process liquid application process to prevent loss of the process liquid, and the process liquid application process is a process for treating the rinse material with an organic solvent or the like To thereby facilitate the dissolution reaction between the supercritical fluid and the processing solution during the subsequent drying of the substrate using the supercritical fluid in the second processing chamber 600, thereby improving the drying performance of the substrate.

상기 제1공정챔버(400)는, 제1처리부(410), 제2처리부(420), 기판지지부(430), 및 처리유체 회수부(440)를 포함할 수 있다.The first process chamber 400 may include a first process unit 410, a second process unit 420, a substrate support unit 430, and a process fluid recovery unit 440.

상기 제1처리부(410)는 세정제와 린스제 및 처리액 등의 제1처리유체를 기판(S)에 공급하기 위한 구성으로, 제1처리유체 공급원(411)과 제1처리유체 공급라인(412) 및 제1노즐(413)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 제1처리부(410)는 사용되는 세정제과 린스제 및 처리액 종류의 수에 대응하는 복수로 구비될 수 있다. The first processing unit 410 includes a first processing fluid supply source 411 and a first processing fluid supply line 412 for supplying a first processing fluid such as a cleaning agent, And a first nozzle 413. The first processing unit 410 may be provided in a plurality of units corresponding to the number of cleaning agents, rinsing agents, and treatment liquids used.

상기 제1노즐(413)은 회전하는 기판(S)의 중앙부를 향하여 제1처리유체를 공급하도록 배치될 수 있다.The first nozzle 413 may be arranged to supply the first processing fluid toward the center of the rotating substrate S.

상기 세정제로는 과산화수소 용액이나, 과산화수소 용액에 암모니아, 염산 또는 황산을 혼합한 용액 또는 불산 용액 등이 사용될 수 있다.As the detergent, a hydrogen peroxide solution, a solution obtained by mixing ammonia, hydrochloric acid or sulfuric acid with a hydrogen peroxide solution, or a hydrofluoric acid solution may be used.

상기 린스제로는 순수(DI)가 사용될 수 있다. Pure water (DI) may be used as the rinse agent.

상기 처리액으로는 이소프로필알콜(IPA) 등의 유기용제가 사용될 수 있다. 상기 처리액은 이소프로필알콜(IPA) 이외에도 에틸글리콜, 1-프로파놀, 테트라하이드로프랑, 4-하이드록시, 4-메틸, 2-펜타논, 1-부타놀, 2-부타놀, 메탄올, 에탄올 등이 사용될 수 있다. As the treatment liquid, an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA) may be used. The treatment liquid may contain, in addition to isopropyl alcohol (IPA), ethyl glycol, 1-propanol, tetrahydrofuran, 4-hydroxy, 4-methyl, 2-pentanone, 1-butanol, Etc. may be used.

상기 제2처리부(420)는 소수성 물질로 이루어진 제2처리유체를 기판(S)의 테두리부에 공급하기 위한 구성으로, 제2처리유체 공급원(421)과 제2처리유체 공급라인(422) 및 제2노즐(423)을 포함할 수 있다. 상기 제2노즐(423)은 회전하는 기판(S)의 테두리부를 향하여 제2처리유체를 공급하도록 배치될 수 있다.The second processing unit 420 is configured to supply a second processing fluid made of a hydrophobic material to a rim of the substrate S and includes a second processing fluid supply source 421 and a second processing fluid supply line 422, And a second nozzle 423. The second nozzle 423 may be arranged to supply a second processing fluid toward a rim of the rotating substrate S.

상기 소수성 물질로는, 불산, 계면활성제, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 등이 사용될 수 있다. 상기 소수성 물질을 사용한 기판 테두리의 소수화 방법은 후술하기로 한다.Examples of the hydrophobic substance include hydrofluoric acid, a surfactant, an organosilicon compound, a silane coupling agent, a fluorocarbon compound, a silylating agent, and a hydrocarbon-based nonpolar solvent. A method of hydrophobing the substrate edge using the hydrophobic substance will be described later.

상기 기판지지부(430)는 기판(S)을 지지하고 회전시키기 위한 구성으로, 스핀척(431)과, 상기 스핀척(431) 상에 결합되어 기판을 지지 및 고정시키는 지지핀(432)과 고정핀(433), 상기 스핀척(431)의 하부에 결합된 회전축(434)과, 상기 회전축(434)의 회전을 위한 동력을 제공하는 회전구동부(435)를 포함할 수 있다.The substrate supporting unit 430 is configured to support and rotate the substrate S and includes a spin chuck 431, a support pin 432 coupled to the spin chuck 431 to support and fix the substrate, A rotation shaft 434 coupled to the lower portion of the spin chuck 431 and a rotation driving unit 435 for providing power for rotating the rotation shaft 434.

상기 처리유체 회수부(440)는 회전하는 기판(S) 상에 공급되어 비산하는 제1처리유체와 제2처리유체를 회수 처리하기 위한 구성으로, 기판(S)의 둘레방향으로 배치되며 링 형상으로 이루어진 복수의 회수컵(441)과, 상기 복수의 회수컵(441) 사이에 상하로 구획되어 형성된 복수의 회수구(442)와, 상기 회수컵(441)을 지지하는 지지부재(443), 및 상기 지지부재(443)를 승강시키는 동력을 제공하는 승강 구동부(444)를 포함할 수 있다.The treatment fluid recovery unit 440 is configured to recover and process the first treatment fluid and the second treatment fluid supplied and scattered on the rotating substrate S and is disposed in the circumferential direction of the substrate S, A plurality of recovery openings 442 partitioned vertically between the plurality of recovery cups 441; a support member 443 for supporting the recovery cup 441; And a lifting driver 444 for providing power to lift the support member 443.

상기 승강 구동부(444)의 구동에 의해 지지부재(443)와 이에 결합된 회수컵(441)은 처리유체의 종류에 대응하여 해당 회수구(442)가 기판(S)의 측부 둘레에 위치하도록 설정된 높이까지 승강되어 원심력에 의해 기판(S)의 외측방향으로 비산하는 해당 처리유체를 회수하게 된다.The support member 443 and the recovery cup 441 coupled to the support member 443 are driven by the lifting and lowering drive unit 444 so that the recovery tool 442 is positioned around the side of the substrate S So as to recover the processing fluid that is scattered toward the outside of the substrate S by the centrifugal force.

이하, 상기와 같이 구성된 기판처리장치(1)에서의 기판처리방법을 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method in the substrate processing apparatus 1 configured as described above will be described.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리방법은, 제1공정챔버(400)로 기판을 반입하는 단계(S11), 상기 제1공정챔버(400)에서 케미컬 공정과 린스 공정을 순차로 수행하는 단계(S12,S13), 기판(S)의 테두리부를 식각하고 린스 공정을 수행하는 단계(S14), 린스제를 유기용제로 치환하는 유기용제 공정을 수행하는 단계(S15), 유기용제 공정을 마친 기판(S)을 이송부(500)에 의해 이송하여 제2공정챔버(600)로 반입하는 단계(S16), 및 제2공정챔버(600)에서 초임계 건조 공정을 수행하는 단계(S17)로 이루어진다.3, the substrate processing method according to the first embodiment of the present invention includes a step S11 of loading a substrate into a first process chamber 400, a chemical process and a rinsing process in the first process chamber 400, A step S15 of performing a rinsing process on the rim of the substrate S, a step S15 of performing an organic solvent process of replacing the rinsing agent with an organic solvent, A step S16 of transferring the substrate S after the organic solvent process by the transfer unit 500 to the second process chamber 600 and a step of performing a supercritical drying process in the second process chamber 600 Step S17.

도 4를 참조하여, 상기 S14와 S15 단계를 설명한다. The steps S14 and S15 will be described with reference to FIG.

도 4(a)는 기판(S) 상에 미세 패턴(미도시됨)을 포함하는 증착막(10)이 형성된 모습을 나타낸 것으로, 상기 증착막(10)의 미세 패턴들 사이에는 린스 공정에 사용된 순수(DI) 등의 린스제가 잔류하는 상태이다. 4A shows a state in which a vapor deposition film 10 including a fine pattern (not shown) is formed on a substrate S. Between the fine patterns of the vapor deposition film 10, pure water (DI) or the like.

도 4(b)는 회전하는 기판(S)의 테두리부에 소수성 물질(20)인 식각유체를 사용하여 증착막(10)의 테두리부를 식각하는 단계를 나타낸 것이다. 상기 테두리부는 패턴이 형성되어 있지 않으며 기판의 처리가 완료된 후에 제거될 부분인 EBR(Edge Bead Remover) 영역일 수 있다. 이 단계에서, 상기 소수성 물질(20)로는 불산 또는 계면활성제가 사용될 수 있다. 이와 같은 증착막(10)의 테두리부의 식각은 기판(S)의 표면이 외부로 노출되는 깊이까지 수행될 수 있다.4B shows a step of etching the edge of the deposition film 10 by using an etching fluid, which is a hydrophobic substance 20, at the edge of the rotating substrate S. As shown in FIG. The rim portion may be an edge bead remover (EBR) region that is not formed with a pattern and is to be removed after the processing of the substrate is completed. At this stage, as the hydrophobic substance 20, hydrofluoric acid or a surfactant may be used. The edge of the deposition film 10 may be etched to the depth where the surface of the substrate S is exposed to the outside.

도 4(c)는 상기 소수성 물질(20)에 의한 식각에 의해 기판(S)의 테두리부 상에 소수화부(30)가 형성된 모습을 나타낸 것이다. 이 단계에서 상기 소수화부(30)는 상면이 노출된 기판(S)과 상기 소수성 물질(20) 간의 반응에 의해 형성될 수 있다. [반응예 : SiO2(기판)+2HF(소수성 물질)→H2O+SiOF2(소수화부)]4 (c) shows the hydrophobic portion 30 formed on the edge of the substrate S by the etching with the hydrophobic substance 20. As shown in FIG. In this step, the hydrophobic portion 30 may be formed by a reaction between the substrate S on which the upper surface is exposed and the hydrophobic substance 20. [ [Reaction example: SiO 2 (substrate) + 2HF (hydrophobic substance) → H 2 O + SiOF 2 (hydrophobic section)]

상기 식각 공정을 마친 후에는 식각 부산물을 제거하여 기판(S)을 세정하기 위한 린스 공정이 추가로 수행될 수 있다.After the etching process is completed, a rinsing process for cleaning the substrate S by removing etching by-products may be further performed.

도 4(d)는 테두리부 표면에 소수화부(30)가 형성된 기판(S) 상에 이소프로필알콜(IPA) 등의 처리액(40)을 공급하는 단계를 나타낸 것이다. 이 단계에서 공급된 처리액(40)은 회전하는 기판(S) 상에 균일하게 분산되고, 도 4(e)에 도시된 바와 같이 기판(S)의 테두리부로 분산되어 공급된 처리액(40)은 소수화부(30) 상에서 맺혀 있는 상태로 유지되므로, 상기 처리액(40)이 소수화부(30)의 외측으로 유동하여 유실되는 것을 방지할 수 있다. 4 (d) shows a step of supplying a treatment liquid 40 such as isopropyl alcohol (IPA) onto the substrate S on which the hydrophobic portion 30 is formed on the rim surface. The treatment liquid 40 supplied at this stage is uniformly dispersed on the rotating substrate S and is uniformly dispersed in the treatment liquid 40 supplied and dispersed at the edge of the substrate S as shown in Fig. It is possible to prevent the treatment liquid 40 from flowing to the outside of the hydrophobic portion 30 and being lost.

따라서 제1공정챔버(400)에서 유기용제 공정을 마친 기판(S)이 이송부(500)에 의해 제2공정챔버(600)로 이송되더라도 이송도중에 처리액(40)의 유실을 방지할 수 있으며, 이로써 상기 처리액(40)이 유실되는 경우에 초래될 수 있는 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있게 된다.Therefore, even if the substrate S having been subjected to the organic solvent process in the first process chamber 400 is transferred to the second process chamber 600 by the transfer unit 500, the loss of the process liquid 40 during transfer can be prevented, This makes it possible to prevent the collapse of the pattern which may be caused when the treatment liquid 40 is lost.

상기 제2공정챔버(500)로 반입된 기판(S)은 초임계유체를 사용하는 건조 공정을 거쳐 건조된다.The substrate S transferred into the second process chamber 500 is dried through a drying process using a supercritical fluid.

이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법을 설명한다. 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리방법은, 제1공정챔버(400)로 기판을 반입하는 단계(S21), 상기 제1공정챔버(400)에서 케미컬 공정과 린스 공정을 순차로 수행하는 단계(S22,S23), 기판(S)의 테두리부에 소수성 물질(50)을 도포하는 단계(S24), 린스제를 유기용제로 치환하는 유기용제 공정을 수행하는 단계(S25), 유기용제 공정을 마친 기판(S)을 이송부(500)에 의해 제2공정챔버(600)로 반입하는 단계(S26), 및 제2공정챔버(600)에서 초임계 건조 공정을 수행하는 단계(S27)로 이루어진다.Hereinafter, a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The substrate processing method according to the second embodiment of the present invention may include the steps of loading a substrate into the first process chamber 400 (S21), sequentially performing a chemical process and a rinsing process in the first process chamber 400 A step S24 of applying a hydrophobic substance 50 to the rim of the substrate S, a step S25 of performing an organic solvent process of replacing the rinsing agent with an organic solvent, A step S26 of bringing the substrate S completed by the transfer unit 500 into the second process chamber 600 by the transfer unit 500 and a step S27 of performing a supercritical drying process in the second process chamber 600 .

도 6을 참조하여, 상기 S24와 S25 단계를 설명한다. The steps S24 and S25 will be described with reference to FIG.

도 6(a)는 기판(S) 상에 미세 패턴(미도시됨)을 포함하는 증착막(10)이 형성된 모습을 나타낸 것으로, 상기 증착막(10)의 미세 패턴 사이에는 린스 공정에 사용된 순수(DI) 등의 린스제가 잔류하는 상태이다. 6A shows a state in which a vapor deposition film 10 including a fine pattern (not shown) is formed on a substrate S. Between the fine patterns of the vapor deposition film 10, pure water DI) and the like.

도 6(b)는 회전하는 기판(S) 상의 증착막(10)의 테두리부에 소수성 물질(50)을 공급하는 단계를 나타낸 것이다. 상기 테두리부는 패턴이 형성되어 있지 않으며 기판의 처리가 완료된 후에 제거될 부분인 EBR(Edge Bead Remover) 영역일 수 있다. 이 단계에서, 상기 소수성 물질(50)로는 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 사용할 수 있다. 6 (b) shows a step of supplying the hydrophobic material 50 to the rim portion of the deposition film 10 on the rotating substrate S. As shown in Fig. The rim portion may be an edge bead remover (EBR) region that is not formed with a pattern and is to be removed after the processing of the substrate is completed. At this stage, the hydrophobic material 50 may be any one of an organosilicon compound, a silane coupling agent, a fluorocarbon compound, a silylating agent, and a hydrocarbon-based nonpolar solvent.

도 6(c)는 상기 증착막(10)의 테두리부 상에 소수성 층(50')이 형성된 모습을 나타낸 것이다. 6 (c) shows a state in which the hydrophobic layer 50 'is formed on the rim portion of the vapor deposition film 10.

도 6(d)는 테두리부 표면에 소수성 층(50')이 형성된 기판(S) 상에 이소프로필알콜(IPA) 등의 처리액(40)을 공급하는 단계를 나타낸 것이다. 이 단계에서 공급된 처리액(40)은 회전하는 기판(S) 상에 균일하게 분산되고, 도 6(e)에 도시된 바와 같이 기판(S)의 테두리부로 분산 공급된 처리액(40)은 소수성 층(50')에 의해 외측으로의 유동이 차단되므로 처리액(40)이 유실되는 것을 방지할 수 있다.6 (d) shows a step of supplying a treatment liquid 40 such as isopropyl alcohol (IPA) onto a substrate S on which a hydrophobic layer 50 'is formed on the rim surface. The treatment liquid 40 supplied at this stage is uniformly dispersed on the rotating substrate S and the treatment liquid 40 distributed and supplied to the edge of the substrate S as shown in Fig. The flow out of the hydrophobic layer 50 'is blocked by the hydrophobic layer 50', so that the treatment liquid 40 can be prevented from being lost.

따라서 제1공정챔버(400)에서 유기용제 공정을 마친 기판(S)이 이송부(500)에 의해 제2공정챔버(600)로 이송되더라도 이송도중에 상기 처리액(40)의 유실을 방지할 수 있으며, 이로써 상기 처리액(40)이 유실되는 경우에 초래될 수 있는 패턴의 붕괴 현상을 방지할 수 있다.Therefore, even if the substrate S having been subjected to the organic solvent process in the first process chamber 400 is transferred to the second process chamber 600 by the transfer unit 500, it is possible to prevent the process liquid 40 from being lost during transfer , Thereby preventing the collapse of the pattern which may be caused when the treatment liquid 40 is lost.

상기 제2공정챔버(500)로 반입된 기판(S)은 초임계유체를 사용하는 건조 공정을 거쳐 건조된다.The substrate S transferred into the second process chamber 500 is dried through a drying process using a supercritical fluid.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the appended claims. And such modifications are within the scope of the present invention.

1 : 기판처리장치 10 : 증착막
20 : 소수성 물질 30 : 소수화부
40 : 처리액 50 : 소수성 물질
50' : 소수성 층 100 : 로드포트
110 : 카세트 200 : 인덱스부
210 : 인덱스 로봇 220 : 인덱스 레일
300 : 버퍼챔버 400 : 제1공정챔버
410 : 제1처리부 411 : 제1처리유체 공급원
412 : 제1처리유체 공급라인 413 : 제1노즐
420 : 제2처리부 421 : 제2처리유체 공급원
422 : 제2처리유체 공급라인 423 : 제2노즐
430 : 기판지지부 431 : 스핀척
432 : 지지핀 433 : 고정핀
434 : 회전축 435 : 회전구동부
440 : 처리유체 회수부 441 : 회수컵
442 : 회수구 443 : 지지부재
444 : 승강구동부 500 : 이송부
510 : 이송로봇 520 : 이송레일
600 : 제2공정챔버 S : 기판1: substrate processing apparatus 10: vapor deposition film
20: hydrophobic substance 30: hydrophobic part
40: Treatment liquid 50: hydrophobic substance
50 ': hydrophobic layer 100: load port
110: cassette 200: index part
210: index robot 220: index rail
300: buffer chamber 400: first process chamber
410: first processing section 411: first processing fluid supply source
412: first processing fluid supply line 413: first nozzle
420: second processing section 421: second processing fluid supply source
422: second processing fluid supply line 423: second nozzle
430: substrate supporting part 431: spin chuck
432: Support pin 433: Fixing pin
434: rotating shaft 435:
440: treatment fluid recovery unit 441: recovery cup
442: Collection port 443: Support member
444: Elevating carriage section 500:
510: transfer robot 520: transfer rail
600: second process chamber S: substrate

Claims (21)

기판의 테두리부에 소수성 물질을 공급하는 제2처리부;
상기 소수성 물질이 공급된 기판에 처리액 공급하는 제1처리부;
를 포함하는 기판처리장치.A second processing unit for supplying a hydrophobic substance to an edge of the substrate;
A first processing unit for supplying a processing solution to the substrate to which the hydrophobic substance is supplied;
And the substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 소수성 물질은, 불산, 계면활성제, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the hydrophobic substance is any one of hydrofluoric acid, a surfactant, an organosilicon compound, a silane coupling agent, a fluorocarbon compound, a silylating agent, and a hydrocarbon-based nonpolar solvent. 제1항에 있어서,
상기 처리액은 유기용제인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment liquid is an organic solvent. 제1항에 있어서,
상기 처리액은 이소프로필알콜(IPA)인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the treatment liquid is isopropyl alcohol (IPA). 증착막이 도포된 기판의 테두리부를 소수성 물질을 사용하여 식각하는 제1단계;
상기 식각 처리된 기판 상에 처리액을 도포하는 제2단계;
를 포함하는 기판처리방법.A first step of etching the rim of the substrate coated with the evaporation film using a hydrophobic material;
A second step of applying a treatment liquid onto the etched substrate;
≪ / RTI > 제5항에 있어서,
상기 제1단계는, 불산 또는 계면활성제를 상기 소수성 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the first step uses hydrofluoric acid or a surfactant as the hydrophobic substance. 제5항에 있어서,
상기 제1단계는, 상기 기판의 표면이 노출되는 깊이까지 상기 증착막을 식각하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the first step is to etch the deposited film to a depth at which the surface of the substrate is exposed. 제7항에 있어서,
상기 제1단계는, 상면이 노출된 상기 기판과 상기 소수성 물질 간의 반응에 의해 상기 기판의 테두리부 표면에 소수화부를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 8. The method of claim 7,
Wherein the first step forms a hydrophobic portion on the rim surface of the substrate by reaction between the substrate on which the upper surface is exposed and the hydrophobic substance. 제5항에 있어서,
상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역을 식각하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the first step is to etch the edge bead remover (EBR) region of the substrate edge portion. 제5항에 있어서,
상기 제1단계는 상기 식각 처리된 기판을 세정하는 린스 공정을 추가로 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the first step further comprises a rinsing step of cleaning the etched substrate. 제5항에 있어서,
상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the second step uses an organic solvent as the treatment liquid. 제5항에 있어서,
상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the second step uses isopropyl alcohol (IPA) as the treatment liquid. 제5항에 있어서,
상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. 6. The method of claim 5,
Wherein a chemical process and a rinsing process are performed to clean the substrate prior to the first step. 제5항에 있어서,
상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고,
상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계; 및
상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함하는 기판처리방법.6. The method of claim 5,
Wherein the first and second steps are performed in a first process chamber,
A third step of transferring the substrate through the second step to the second process chamber by the transfer robot; And
And a fourth step of drying the substrate transferred into the second process chamber using a supercritical fluid. 기판의 테두리부에 소수성 물질을 도포하여 소수성 층을 형성하는 제1단계;
상기 소수성 층으로 둘러싸인 기판의 상면에 처리액을 도포하는 제2단계;
를 포함하는 기판처리방법.A first step of forming a hydrophobic layer by applying a hydrophobic substance to the rim of the substrate;
A second step of applying the treatment liquid to the upper surface of the substrate surrounded by the hydrophobic layer;
≪ / RTI > 제15항에 있어서,
상기 제1단계는, 유기 실리콘 화합물, 실란 커플링제, 플루오르카본계 화합물, 실릴화제, 탄화수소계 비극성 용제 중 어느 하나를 상기 소수성 물질로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.16. The method of claim 15,
Wherein the first step uses any one of an organosilicon compound, a silane coupling agent, a fluorocarbon compound, a silylating agent, and a hydrocarbon-based nonpolar solvent as the hydrophobic substance. 제15항에 있어서,
상기 제1단계는 상기 기판 테두리부의 EBR(Edge Bead Remover) 영역에 상기 소수성 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.16. The method of claim 15,
Wherein the first step forms the hydrophobic layer in an edge bead remover (EBR) region of the substrate edge portion. 제15항에 있어서,
상기 제2단계는 유기용제를 상기 처리액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.16. The method of claim 15,
Wherein the second step uses an organic solvent as the treatment liquid. 제15항에 있어서,
상기 제2단계는 이소프로필알콜(IPA)을 상기 처리액으로 사용하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.16. The method of claim 15,
Wherein the second step uses isopropyl alcohol (IPA) as the treatment liquid. 제15항에 있어서,
상기 제1단계에 선행하여 기판을 세정하는 케미컬 공정과 린스 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.16. The method of claim 15,
Wherein a chemical process and a rinsing process are performed to clean the substrate prior to the first step. 제15항에 있어서,
상기 제1단계와 제2단계를 제1공정챔버에서 수행하고,
상기 제2단계를 거친 기판을 이송로봇에 의해 제2공정챔버로 이송하는 제3단계; 및
상기 제2공정챔버로 반입된 기판을 초임계유체를 사용하여 건조하는 제4단계를 더 포함하는 기판처리방법. 16. The method of claim 15,
Wherein the first and second steps are performed in a first process chamber,
A third step of transferring the substrate through the second step to the second process chamber by the transfer robot; And
And a fourth step of drying the substrate transferred into the second process chamber using a supercritical fluid.
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