KR100794919B1 - Apparatus and method for glass etching - Google Patents

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김제환
김재웅
임병석
유대일
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Abstract

A method and an apparatus for etching a glass are provided to completely remove a liquid material from a glass surface by using a rinsing bath separated from a drying bath. A surface of a glass is etched using fluoric acid in an etching bath(100). A bubble generator is formed at a lower portion of the etching bath. A surface of the etched glass is cleansed using UPW(Ultra Pure Water) in a cleaning bath(200). A bubble generator is formed at a lower portion of the cleaning bath. The surface of the glass is cleaned using the UPW and preliminarily dries the glass using dry air in a rinsing and drying bath(300). The surface of the glass is completely dried using the dry air in a drying bath(400).

Description

글라스 식각장치 및 식각방법{APPARATUS AND METHOD FOR GLASS ETCHING}Glass etching apparatus and etching method {APPARATUS AND METHOD FOR GLASS ETCHING}

도 1은 본 발명에 따른 글라스 식각장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a glass etching apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 보조 배스를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an auxiliary bath according to the present invention.

도 3은 보조 배스 내부에서 로봇 암의 표면 세척공정이 진행되는 모습을 나타내는 도면이다.3 is a view illustrating a surface cleaning process of the robot arm in the auxiliary bath.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 에칭 배스 200: 세정 배스100: etching bath 200: cleaning bath

210, 310, 710: 노즐 300: 린스 및 드라이 배스210, 310, 710: nozzle 300: rinse and dry bath

400: 건조 배스 500: 카세트400: dry bath 500: cassette

600: 로딩부 700: 로봇 암600: loading unit 700: robot arm

710: 고정부 800: 언로딩부710: fixed portion 800: unloading portion

900: 보조 배스 900: secondary bath

본 발명은 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display Device)용 글라스를 식각하기 위한 글라스 식각장치 및 식각방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Wet 에칭 방법에 의한 보다 효과적인 글라스 식각을 가능하게 하는 글라스 식각장치 및 식각방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass etching apparatus and an etching method for etching glass for a liquid crystal display device (LCD), and more particularly, to a glass etching apparatus enabling a more effective glass etching by a wet etching method. And an etching method.

일반적으로 액정표시장치용 글라스를 식각(에칭: etching)하기 위한 식각장치는 식각 배스, 세정(QDR: Quick Dump Rinse) 배스, 건조 배스로 이루어지며, 식각 배스의 하부에는 질소기체 버블(bubble)을 균일하게 생성할 수 있는 다공성의 버블판이 설치된다. In general, an etching apparatus for etching (etching) the glass for a liquid crystal display device includes an etching bath, a Quick Dump Rinse (QDR) bath, and a drying bath. A nitrogen gas bubble is formed at the bottom of the etching bath. Porous bubble plates that can be produced uniformly are installed.

이러한 식각장치를 통해 이루어지는 종래의 글라스 식각방법은 불산(HF)을 이용한 식각 배스에서의 식각 공정, 세정 배스에서의 초순수를 이용한 세정공정, 건조 배스에서의 건조 공기(CDA: Clean Dry Air)를 이용한 건조 공정으로 이루어진다. The conventional glass etching method using such an etching apparatus is an etching process in an etching bath using hydrofluoric acid (HF), a cleaning process using ultrapure water in a cleaning bath, and clean dry air (CDA) using a dry bath. It consists of a drying process.

이때, 상기 글라스는 카세트에 다수개가 적층되어 각 배스 사이로 이송된다. 즉, 다수의 글라스는 카세트에 수직방향으로 일정한 간격을 유지하도록 적층되고, 글라스가 적층된 카세트가 로봇 암 등의 이송수단에 의해 각 배스 내부로 이송됨으로써 상기 각 공정이 진행된다.At this time, a plurality of the glass is stacked in the cassette is transferred between each bath. That is, a plurality of glasses are stacked so as to maintain a constant interval in the vertical direction to the cassette, and the above-described process is performed by transferring the stacked cassettes into the respective baths by a transfer means such as a robot arm.

하지만, 이러한 종래의 식각방법은 하나의 세정 배스내에서 세정공정이 완료됨으로써 에칭 배스에서 글라스에 유착된 불산의 완벽한 세정이 이루어지지 않는 문제점이 있었다.However, such a conventional etching method has a problem that the complete cleaning of the hydrofluoric acid adhered to the glass in the etching bath is not achieved by the completion of the cleaning process in one cleaning bath.

또한, 하나의 건조 배스내에서 건조공정이 완료됨으로써 글라스 표면의 액상물질을 완벽한 제거하지 못하는 문제점이 있었다.In addition, since the drying process is completed in one drying bath, there is a problem in that the liquid material on the glass surface cannot be completely removed.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 세정과 건조공정을 모두 수행할 수 있는 린스 및 드라이 배스를 별도로 구비함으로써 보다 효과적인 글라스 세정 및 글라스 표면의 액상물질의 제거를 수행할 수 있는 글라스 식각장치 및 식각방법을 제공하는 것이다.The present invention has been proposed in order to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a rinse and dry bath which can perform both cleaning and drying processes separately, thereby providing a more effective glass cleaning and liquid surface material. It is to provide a glass etching apparatus and an etching method capable of performing the removal.

본 발명의 다른 목적은 카세트의 이송 과정에서 로봇암에 유착되는 불산등에 의한 식각장치의 오염을 방지하고 세정 배스내로의 불산 유입을 최소화할 수 있는 글라스 식각장치 및 식각방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a glass etching apparatus and an etching method capable of preventing contamination of the etching apparatus due to hydrofluoric acid adhered to the robot arm and minimizing the introduction of hydrofluoric acid into the cleaning bath.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 글라스가 적층된 카세트가 에칭 배스 내부로 이송되면 불산을 이용해 글라스의 표면을 식각하는 단계; 상기 카세트가 에칭 배스에서 세정 배스 내부로 이송되면 초순수를 이용해 식각된 글라스의 표면을 세정하는 단계; 상기 카세트가 세정 배스에서 린스 및 드라이 배스 내부로 이송되면 초순수를 이용해 글라스의 표면을 재차 세정하고 건조 공기를 이용해 예비 건조시키는 단계; 그리고, 상기 카세트가 린스 및 드라이 배스에서 건조 배스 내부로 이송되면 건조 공기를 이용해 상기 글라스의 표면을 완전히 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 글라스 식각방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises the steps of etching the surface of the glass using hydrofluoric acid when the cassette is stacked glass is transferred into the etching bath; Cleaning the surface of the etched glass using ultrapure water when the cassette is transferred from the etching bath into the cleaning bath; When the cassette is transferred from the cleaning bath to the rinse and the dry bath, washing the surface of the glass again with ultrapure water and predrying it with dry air; And, when the cassette is transferred from the rinse and dry bath to the inside of the drying bath provides a glass etching method comprising the step of completely drying the surface of the glass using dry air.

또한, 본 발명은 카세트에 적층된 글라스의 표면을 불산을 이용해 식각하는 에칭 배스; 상기 에칭 배스에서 식각된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 세정하는 세정 배스; 상기 세정 배스에서 세정된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 재차 세 정한 후 건조 공기를 이용해 예비 건조시키는 린스 및 드라이 배스; 그리고, 상기 린스 및 드라이 배스에서 세정 및 건조 과정을 거친 글라스의 표면을 건조 공기를 이용해 완전히 건조시키는 건조 배스를 포함하여 이루어지는 글라스 식각장치를 제공한다.In addition, the present invention is an etching bath for etching the surface of the glass laminated on the cassette using hydrofluoric acid; A cleaning bath for cleaning the surface of the glass etched in the etching bath using ultrapure water; A rinse and dry bath for washing the surface of the glass cleaned in the cleaning bath again with ultrapure water and then predrying it with dry air; In addition, it provides a glass etching apparatus comprising a drying bath for completely drying the surface of the glass, which has been cleaned and dried in the rinse and dry bath using dry air.

이하, 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다.Hereinafter, embodiments of the present invention in which the above object can be specifically realized are described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 글라스 식각장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a glass etching apparatus according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 글라스 식각장치는 에칭 배스(100), 세정 배스(200), 린스(rinse) 및 드라이(dry) 배스(300), 건조 배스(400)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, the glass etching apparatus according to the present invention includes an etching bath 100, a cleaning bath 200, a rinse and dry bath 300, and a dry bath 400. Is done.

상기 에칭 배스(100)내에서는 불산에 의해 카세트(500)에 적층된 글라스(미도시)의 표면 식각이 이루어진다. 이를 위해 에칭 배스(100)에는 불산이 공급되어 지며, 하부에는 불산에 의한 글라스의 균일한 식각이 이루어지도록 하는 버블 생성장치(미도시)가 구비된다. 상기 버블 생성장치는 일반적으로 질소기체 버블을 생성시키며, 상기 질소기체 버블은 불산의 온도를 상승시켜 글라스의 표면이 식각되도록 함과 동시에 불산의 균일한 유동을 가능하게 하여 글라스의 표면이 고르게 식각되도록 하는 기능을 수행한다. In the etching bath 100, the surface etching of the glass (not shown) stacked on the cassette 500 is performed by hydrofluoric acid. To this end, hydrofluoric acid is supplied to the etching bath 100, and a bubble generating device (not shown) is provided at the lower portion to uniformly etch the glass by hydrofluoric acid. The bubble generating device generally generates nitrogen gas bubbles, and the nitrogen gas bubbles increase the temperature of the hydrofluoric acid to etch the surface of the glass and at the same time enable uniform flow of the hydrofluoric acid so that the surface of the glass is etched evenly. It performs the function.

그리고, 상기 카세트(500)는 다수개의 글라스를 적층하고 있는 상태로 외부에서 로더부(600)로 진입된 후 로봇 암(700)과 같은 이송수단에 의해 에칭 배 스(100)로 이송된다.In addition, the cassette 500 enters the loader 600 from the outside in a state of stacking a plurality of glasses, and then is transferred to the etching bath 100 by a transfer means such as the robot arm 700.

상기 세정 배스(200)내에서는 초순수에 의해 식각된 글라스의 표면 세정이 이루어진다. 좀더 상세히 설명하면, 상기 에칭 배스(100)내에서 일정 두께로 식각된 글라스는 카세트(500)에 적층된 상태로 로봇 암(700)에 의해 세정 배스(200) 내부로 이송되며, 이와 같이 세정 배스(200) 내부로 카세트(500)가 이송되면 내부에 설치된 노즐(210)을 통해 초순수가 분사되어 식각 공정을 통해 글라스에 유착된 불산과 식각물질을 세정한다. 여기서, 상기 노즐(210)은 초순수가 글라스의 표면에 균일하게 분사될 수 있도록 세정 배스(200) 내부에 다수개가 설치된다. In the cleaning bath 200, the surface of the glass etched by ultrapure water is cleaned. In more detail, the glass etched to a predetermined thickness in the etching bath 100 is transferred to the cleaning bath 200 by the robot arm 700 in a state of being stacked on the cassette 500, and thus the cleaning bath 200. When the cassette 500 is transferred into the inside of the 200, ultrapure water is injected through the nozzle 210 installed therein to clean the hydrofluoric acid and the etching material adhering to the glass through an etching process. Here, a plurality of nozzles 210 are installed inside the cleaning bath 200 so that ultrapure water may be uniformly sprayed on the surface of the glass.

그리고, 상기 노즐(210)을 통해 분사된 초순수는 글라스의 표면을 세정한 후 세정 배스(200) 하부에 고이게 되는데 이러한 초순수는 불산과 식각물질을 함유하기 때문에 세정 공정이 완료됨과 동시에 외부로 배수된다. In addition, the ultrapure water sprayed through the nozzle 210 is accumulated in the lower portion of the cleaning bath 200 after cleaning the surface of the glass. Since the ultrapure water contains hydrofluoric acid and an etching material, the ultrapure water is discharged to the outside at the same time as the cleaning process is completed. .

한편, 상기 세정 배스(200) 하부에도 에칭 배스(100)와 동일하게 질소기체 버블을 생성시키는 버블 생성장치가 설치되어 세정 효율을 증진시킨다. Meanwhile, a bubble generating device for generating nitrogen gas bubbles in the same manner as the etching bath 100 is installed under the cleaning bath 200 to increase cleaning efficiency.

상기 린스 및 드라이 배스(300)내에서는 세정 배스(200)에서 이송되는 카세트(500)에 적재된 글라스를 초순수를 이용해 세정하고 건조 공기를 이용해 예비 건조 시키는 공정이 이루어진다. In the rinse and dry bath 300, a process of washing the glass loaded in the cassette 500 transferred from the cleaning bath 200 using ultrapure water and preliminary drying using dry air is performed.

좀더 상세히 설명하면, 상기 로봇 암(700)에 의해 린스 및 드라이 배스(300) 내부로 카세트(500)가 이송되어 지면 초순수가 분사되어 카세트(500)에 적재된 글라스 표면이 재차 세정되고 이후 건조 공기가 공급되어 글라스의 표면이 예비 건조된다. 이를 위해 상기 린스 및 드라이 배스(300) 내부에는 초순수를 분사하기 위한 노즐(310)과 건조 공기를 공급하기 위한 배관(320)이 설치된다. In more detail, when the cassette 500 is transferred into the rinse and dry bath 300 by the robot arm 700, ultrapure water is injected to clean the glass surface loaded on the cassette 500, and then dry air. Is supplied to pre-dry the surface of the glass. To this end, a nozzle 310 for spraying ultrapure water and a pipe 320 for supplying dry air are installed inside the rinse and dry bath 300.

상기 린스 및 드라이 배스(300)에는 초순수를 공급하기 위한 별도의 배관이 설치될 수 있지만 건조 공기가 공급되는 배관(320)을 통해 초순수 역시 공급되도록 구성됨이 바람직하다. 즉, 배관에 자동제어밸브 등을 설치하면 하나의 배관을 통한 건조 공기와 초순수의 선택적 공급이 가능해진다.Although the rinse and dry bath 300 may be provided with a separate pipe for supplying ultrapure water, ultrapure water is also configured to be supplied through a pipe 320 through which dry air is supplied. That is, by installing an automatic control valve or the like in the pipe, it is possible to selectively supply dry air and ultrapure water through one pipe.

그리고, 상기 노즐(310)을 통해 분사된 초순수는 글라스의 표면을 세정하며 불산과 식각물질을 함유하게 되기 때문에 건조 공기를 이용한 예비 건조가 진행되기 전에 외부로 배수됨이 바람직하다. In addition, the ultrapure water sprayed through the nozzle 310 cleans the surface of the glass and contains hydrofluoric acid and an etching material, so that the ultrapure water is drained to the outside before the preliminary drying using the dry air is performed.

상기 건조 배스(400)내에서는 로봇 암(700)에 의해 린스 및 드라이 배스(300)에서 이송되는 카세트(500)에 적층된 글라스의 표면을 건조 공기를 이용해 완전 건조시키는 공정이 진행된다. 이러한 건조 배스(400)에서 진행되는 글라스의 완전한 표면건조 과정이 완료되면 다시 로봇 암(700)에 의해 카세트(500)가 언로딩부(800)로 이송된다. In the drying bath 400, a process of completely drying the surface of the glass stacked on the cassette 500 transferred from the rinse and the dry bath 300 by the robot arm 700 is performed using dry air. When the complete surface drying process of the glass in the drying bath 400 is completed, the cassette 500 is transferred to the unloading unit 800 by the robot arm 700 again.

이와 같이 린스 및 드라이 배스(300)가 별도로 구비되면, 세정 배스(200)를 통해 1차 세정된 글라스의 표면을 재차 세정할 수 있어 글라스의 완벽한 세정이 가능해지며, 또한 글라스를 미리 예비 건조시킴으로써 글라스 표면에 유착된 액상물질의 완벽한 제거가 이루어질 수 있다. When the rinse and dry bath 300 are separately provided as described above, the surface of the first cleaned glass can be cleaned again through the cleaning bath 200, thereby enabling the perfect cleaning of the glass, and preliminarily drying the glass. Complete removal of the liquid substance adhered to the surface can be achieved.

한편, 카세트(500)를 각 배스로 이송시키는 로봇 암(700)은 상하 방향으로 1회 이상 왕복운동 가능하게 구성됨이 바람직하다. 이 경우, 상기 세정 배스(200)에서 글라스의 세정 공정이 완료되면 로봇 암(700)이 카세트(500)를 집어 상하 방향 으로 1회 이상 왕복운동함으로써 글라스의 세척효율을 증대시킬 수 있다. 이러한 로봇 암(700)의 기능은 린스 및 드라이 배스(300)에서의 세정공정이 완료된 후에도 동일하게 적용될 수 있다.On the other hand, the robot arm 700 for transferring the cassette 500 to each bath is preferably configured to be capable of reciprocating one or more times in the vertical direction. In this case, when the glass cleaning process is completed in the cleaning bath 200, the robot arm 700 may pick up the cassette 500 and reciprocate one or more times in the vertical direction to increase the cleaning efficiency of the glass. The function of the robot arm 700 may be equally applied after the cleaning process in the rinse and dry bath 300 is completed.

그리고, 카세트(500)의 이송과정에서 로봇 암(700)의 표면에는 불산 또는 식각물질등이 유착될 가능성이 높다. 로봇 암(700)의 표면에 불산등이 유착되면 식각장치 내부가 오염될 가능성이 있으며 특히, 로봇 암(700)이 세정 배스(200)로 카세트(500)를 이송시키는 과정에서 세정 배스(200) 내부로 불산이 유입될 가능성이 있다. 따라서, 식각장치 내부 오염 및 세정 배스(200) 내부로 불산이 유입되는 것을 막기 위해 상기 로봇 암(700)의 표면은 세척될 필요가 있다.In addition, in the transfer process of the cassette 500, the surface of the robot arm 700 is likely to adhere to hydrofluoric acid or an etchant. When hydrofluoric acid adheres to the surface of the robot arm 700, there is a possibility that the inside of the etching apparatus is contaminated. In particular, the robot arm 700 transfers the cassette 500 to the cleaning bath 200. There is a possibility of introducing hydrofluoric acid into the interior. Therefore, the surface of the robot arm 700 needs to be cleaned to prevent contamination of the etching apparatus and the introduction of hydrofluoric acid into the cleaning bath 200.

도 2는 본 발명에 따른 보조 배스를 나타내는 도면이며, 도 3은 보조 배스 내부에서 로봇 암의 표면 세척공정이 진행되는 모습을 나타내는 도면이다.Figure 2 is a view showing an auxiliary bath according to the present invention, Figure 3 is a view showing a surface cleaning process of the robot arm in the auxiliary bath is in progress.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 글라스 식각장치는 로봇 암(700)의 표면을 세척하기 위한 보조 배스(900)를 포함하여 이루어진다. As shown in Figures 2 and 3, the glass etching apparatus according to the present invention comprises an auxiliary bath (900) for cleaning the surface of the robot arm (700).

상기 보조 배스(900)는 로봇 암(700)의 세척을 위해 별도로 구비되는 장치로 에칭 배스(100)등에 비해 소형으로 구성되며 내부에 초순수를 분사하기 위한 노즐(910)을 구비한다. 상기 노즐(910)은 카세트(500)와 직접 접촉하는 로봇 암(700)의 고정부(710)가 보조 배스(900) 내부로 진입하면 상기 고정부(710)에 초순수를 균일하게 분사하여 불산등과 같은 이물질을 제거한다.The auxiliary bath 900 is a device provided separately for the cleaning of the robot arm 700 is configured to be smaller than the etching bath 100 and has a nozzle 910 for injecting ultrapure water therein. The nozzle 910 is a hydrofluoric acid by uniformly spraying ultrapure water to the fixing portion 710 when the fixing portion 710 of the robot arm 700 in direct contact with the cassette 500 enters the auxiliary bath 900. Remove foreign substances such as

이러한 보조 배스(900)는 에칭 배스(100)와 세정 배스(200) 사이에 설치됨이 바람직하다. 에칭 배스(100)와 세정 배스(200) 사이에 보조 배스(900)가 설치되면 로봇 암(700)이 에칭 배스(100) 내부로 카세트(500)를 이송시킨 직후 또는 에칭 배스(100)에서 세정 배스(200)로 카세트(500)를 이송시킨 직후 신속하게 보조 배스(900)로 이동할 수 있는 장점이 있다. 물론, 상기 보조 배스(900)는 세정 배스(200) 내부에 설치되는 등 설치 위치는 다양한 변형이 가능하다.The auxiliary bath 900 is preferably installed between the etching bath 100 and the cleaning bath 200. When the auxiliary bath 900 is installed between the etching bath 100 and the cleaning bath 200, the robot arm 700 immediately transfers the cassette 500 into the etching bath 100 or cleans the etching bath 100. Immediately after transferring the cassette 500 to the bath 200, there is an advantage in that it can be quickly moved to the auxiliary bath 900. Of course, the auxiliary bath 900 is installed in the cleaning bath 200, the installation position may be various modifications.

이와 같이 구성되는 본 발명에 따른 글라스 식각장치를 이용한 글라스 식각방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.The glass etching method using the glass etching apparatus according to the present invention configured as described above is as follows.

먼저, 다수개의 글라스가 적재된 카세트(500)가 외부에서 로딩부(600)로 들어오면 로봇 암(700)이 상부에서 이동하여 카세트(700)를 들어올린 후 에칭 배스(100) 내부로 이송시킨다. 이때, 로봇 암(700)의 표면에는 에칭 배스(100) 내부에 공급되는 불산이 유착될 수 있기 때문에 로봇 암(700)은 보조 배스(900)로 이동하여 표면을 초순수로 세정하는 과정을 거치는 것이 바람직하다. First, when the cassette 500 loaded with a plurality of glasses enters the loading unit 600 from the outside, the robot arm 700 moves from the top to lift the cassette 700 and then transfers it into the etching bath 100. . In this case, since hydrofluoric acid supplied into the etching bath 100 may be adhered to the surface of the robot arm 700, the robot arm 700 moves to the auxiliary bath 900 to clean the surface with ultrapure water. desirable.

그리고, 카세트(500)가 에칭 배스(100) 내부로 이송되면 불산을 이용한 글라스의 표면 식각공정이 진행된다. 상기 에칭 배스(100)의 하부에는 버블 생성장치가 설치되어 불산에 의한 글라스의 균일한 식각이 이루어지도록 한다.When the cassette 500 is transferred into the etching bath 100, the surface etching process of the glass using hydrofluoric acid is performed. A bubble generating device is installed below the etching bath 100 to uniformly etch the glass by hydrofluoric acid.

상기 식각 공정이 완료되면 로봇 암(700)에 의해 카세트(500)가 세정 배스(200) 내부로 이송되어 초순수를 이용한 글라스의 표면 세정공정이 진행된다. 상기 세정 배스(200) 하부에는 에칭 배스(100)와 마찬가지로 버블 생성장치가 구비되어 초순수에 의한 세정공정이 원활히 진행되는 것을 돕는다. When the etching process is completed, the cassette 500 is transferred into the cleaning bath 200 by the robot arm 700, and the surface cleaning process of the glass using ultrapure water is performed. Like the etching bath 100, a bubble generating device is provided below the cleaning bath 200 to help the cleaning process by ultrapure water to proceed smoothly.

그리고, 상기 로봇 암(700)의 표면은 에칭 배스(100)에서 세정 배스(200)로 카세트(500)를 이송시키는 과정에서 에칭 배스(100) 내부의 불산등에 의해 오염될 가능성이 있기 때문에 보조 배스(900)로 이동하여 세척하는 과정을 거치는 것이 바람직하다. 한편, 세정 효과 증대를 위해 세정 배스(200)내에서 초순수에 의한 글라스의 세정이 완료되면 로봇 암(700)이 카세트(500)를 집어 1회 이상 상하 왕복운동시키는 공정이 진행될 수 있다. In addition, since the surface of the robot arm 700 may be contaminated by hydrofluoric acid in the etching bath 100 in the process of transferring the cassette 500 from the etching bath 100 to the cleaning bath 200, an auxiliary bath may be used. It is preferable to go to 900 and go through the process of washing. Meanwhile, when the cleaning of the glass by the ultrapure water is completed in the cleaning bath 200 to increase the cleaning effect, the robot arm 700 may pick up the cassette 500 and move up and down one or more times.

이러한 글라스 세정공정이 완료되면 카세트(500)는 로봇 암(700)에 의해 세정 배스(200)에서 린스 및 드라이 배스(300)로 이송된다. 카세트(500)가 린스 및 드라이 배스(300)로 이송되면 카세트(500)에 적재된 글라스는 표면이 초순수에 의해 세정된 후 건조 공기에 의해 예비 건조된다.When the glass cleaning process is completed, the cassette 500 is transferred from the cleaning bath 200 to the rinse and dry bath 300 by the robot arm 700. When the cassette 500 is transferred to the rinse and dry bath 300, the glass loaded on the cassette 500 is preliminarily dried by dry air after the surface is cleaned by ultrapure water.

상기 린스 및 드라이 배스(300)에서의 공정이 완료되면 상기 카세트(500)는 로봇 암(700)에 의해 건조 배스(400) 내부로 이송되고, 상기 카세트(500)에 적층된 글라스는 건조 공기에 의해 표면이 완전히 건조된다. 그리고, 건조 배스(400) 내에서 건조공정이 모두 완료되면 카세트는 로봇 암(700)에 의해 언로딩부(800)로 이송된다.When the process in the rinse and dry bath 300 is completed, the cassette 500 is transferred into the drying bath 400 by the robot arm 700, and the glass stacked on the cassette 500 is placed in dry air. Thereby completely drying the surface. When the drying process is completed in the drying bath 400, the cassette is transferred to the unloading unit 800 by the robot arm 700.

이러한 본 발명에 따른 글라스 식각장치 및 식각방법은 다음과 같은 효과를 가진다.  The glass etching apparatus and the etching method according to the present invention have the following effects.

첫째, 본 발명은 린스 및 드라이 배스를 별도로 구비하여 세정 배스를 통해 1차 세정된 글라스의 표면을 재차 세정함으로써 글라스의 완벽한 세정을 가능하게 하며, 또한 글라스를 미리 예비 건조시킴으로써 글라스 표면에 유착된 액상물질의 완벽한 제거를 가능하게 하는 효과가 있다.First, the present invention is provided with a rinse and dry bath separately to clean the surface of the glass first washed through the cleaning bath to enable a complete cleaning of the glass, and also by pre-drying the glass in advance liquid phase adhered to the glass surface It has the effect of enabling complete removal of the material.

둘째, 본 발명은 보조 배스를 구비하여 로봇 암의 표면에 유착되는 불산 또는 식각물질등을 제거해준다. 따라서, 불산에 의한 식각장치 내부 오염 및 세정 배스 내부로 불산이 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Second, the present invention is provided with an auxiliary bath to remove the hydrofluoric acid or etching material that is adhered to the surface of the robot arm. Therefore, there is an effect that the hydrofluoric acid in the etching apparatus due to the hydrofluoric acid and the hydrofluoric acid can be prevented from flowing into the cleaning bath.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (14)

글라스가 적층된 카세트가 하부에 버블생성장치가 구비된 에칭 배스 내부로 이송되면 불산을 이용해 글라스의 표면을 식각하는 단계;Etching the surface of the glass using hydrofluoric acid when the cassette on which the glass is stacked is transferred into an etching bath having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 카세트가 에칭 배스에서 하부에 버블생성장치가 구비된 세정 배스 내부로 이송되면 초순수를 이용해 식각된 글라스의 표면을 세정하는 단계;Cleaning the surface of the etched glass using ultrapure water when the cassette is transferred from the etching bath into the cleaning bath having the bubble generator at the bottom thereof; 상기 카세트가 세정 배스에서 린스 및 드라이 배스 내부로 이송되면 초순수를 이용해 글라스의 표면을 재차 세정하고 건조 공기를 이용해 예비 건조시키는 단계; 그리고,When the cassette is transferred from the cleaning bath to the rinse and the dry bath, washing the surface of the glass again with ultrapure water and predrying it with dry air; And, 상기 카세트가 린스 및 드라이 배스에서 건조 배스 내부로 이송되면 건조 공기를 이용해 상기 글라스의 표면을 완전히 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 글라스 식각방법.And completely drying the surface of the glass using dry air when the cassette is transferred from the rinse and the dry bath into the drying bath. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 카세트가 로봇 암에 의해 에칭 배스로 이송되면 로봇 암을 초순수가 분사되는 보조 배스로 이동시킨 후 표면을 세정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 글라스 식각방법.And moving the robot arm to an auxiliary bath through which ultrapure water is injected when the cassette is transferred to the etching bath by the robot arm, and then cleaning the surface. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 카세트가 로봇 암에 의해 에칭 배스에서 세정 배스로 이송되면 로봇 암 을 초순수가 분사되는 보조 배스로 이동시킨 후 표면을 세정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 글라스 식각방법.And when the cassette is transferred from the etching bath to the cleaning bath by the robot arm, moving the robot arm to an auxiliary bath through which ultrapure water is injected, and then cleaning the surface. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 카세트가 로봇 암에 의해 에칭 배스로 이송되면 로봇 암을 초순수가 분사되는 보조 배스로 이동시킨 후 표면을 세정하는 단계; 그리고,If the cassette is transferred to the etching bath by the robot arm, moving the robot arm to an auxiliary bath through which ultrapure water is injected, and then cleaning the surface; And, 상기 카세트가 로봇 암에 의해 에칭 배스에서 세정 배스로 이송되면 로봇 암을 초순수가 분사되는 보조 배스로 이동시킨 후 표면을 세정하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 글라스 식각방법.And when the cassette is transferred from the etching bath to the cleaning bath by the robot arm, moving the robot arm to an auxiliary bath through which ultrapure water is injected, and then cleaning the surface. 글라스가 적층된 카세트가 에칭 배스 내부로 이송되면 불산을 이용해 글라스의 표면을 식각하는 단계;Etching the surface of the glass using hydrofluoric acid when the cassette in which the glass is stacked is transferred into the etching bath; 상기 카세트가 에칭 배스에서 세정 배스 내부로 이송되면 초순수를 이용해 식각된 글라스의 표면을 세정하는 단계;Cleaning the surface of the etched glass using ultrapure water when the cassette is transferred from the etching bath into the cleaning bath; 상기 세정 배스 내부에서 초순수에 의한 글라스의 세정이 완료되면 로봇 암이 카세트를 집어 1회 이상 상하 왕복 운동시키는 단계;A robot arm picking up a cassette and reciprocating one or more times once the glass is cleaned by ultrapure water in the cleaning bath; 상기 카세트가 세정 배스에서 린스 및 드라이 배스 내부로 이송되면 초순수를 이용해 글라스의 표면을 재차 세정하고 건조 공기를 이용해 예비 건조시키는 단계; 그리고,When the cassette is transferred from the cleaning bath to the rinse and the dry bath, washing the surface of the glass again with ultrapure water and predrying it with dry air; And, 상기 카세트가 린스 및 드라이 배스에서 건조 배스 내부로 이송되면 건조 공기를 이용해 상기 글라스의 표면을 완전히 건조시키는 단계를 포함하여 이루어지는 글라스 식각방법.And completely drying the surface of the glass using dry air when the cassette is transferred from the rinse and the dry bath into the drying bath. 삭제delete 카세트에 적층된 글라스의 표면을 불산을 이용해 식각하며, 하부에 버블생성장치가 구비되는 에칭 배스;An etching bath for etching the surface of the glass stacked on the cassette using hydrofluoric acid and having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 에칭 배스에서 식각된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 세정하며, 하부에 버블생성장치가 구비되는 세정 배스;A cleaning bath for cleaning the surface of the glass etched by the etching bath using ultrapure water, and having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 세정 배스에서 세정된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 재차 세정한 후 건조 공기를 이용해 예비 건조시키는 린스 및 드라이 배스; 그리고,A rinse and dry bath for cleaning the surface of the glass cleaned in the cleaning bath again with ultrapure water and then predrying it with dry air; And, 상기 린스 및 드라이 배스에서 세정 및 건조 과정을 거친 글라스의 표면을 건조 공기를 이용해 완전히 건조시키는 건조 배스를 포함하여 이루어지는 글라스 식각장치.And a dry bath for completely drying the surface of the glass, which has been cleaned and dried in the rinse and dry bath, using dry air. 제 7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 카세트를 각 배스 내부로 이송시키는 로봇 암의 표면을 초순수를 이용해 세척하는 보조 배스를 더 포함하여 이루어지는 특징으로 하는 글라스 식각장치.And an auxiliary bath for cleaning the surface of the robot arm for transferring the cassette into each bath using ultrapure water. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 보조 배스는 에칭 배스와 세정 배스 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 글라스 식각장치.The auxiliary bath is a glass etching apparatus, characterized in that installed between the etching bath and the cleaning bath. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 로봇 암은 상하 방향으로 1회 이상 왕복운동 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 글라스 식각장치.The robotic arm is a glass etching apparatus, characterized in that installed to be able to reciprocate one or more times in the vertical direction. 삭제delete 카세트에 적층된 글라스의 표면을 불산을 이용해 식각하며, 하부에 버블생성장치가 구비되는 에칭 배스;An etching bath for etching the surface of the glass stacked on the cassette using hydrofluoric acid and having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 에칭 배스에서 식각된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 세정하며, 하부에 버블생성장치가 구비되는 세정 배스;A cleaning bath for cleaning the surface of the glass etched by the etching bath using ultrapure water, and having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 세정 배스에서 세정된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 재차 세정한 후 건조 공기를 이용해 예비 건조시키며, 상기 초순수와 건조공기는 자동제어밸브를 이용해 하나의 공급관을 통해 공급되는 린스 및 드라이 배스; 그리고,The surface of the glass cleaned in the cleaning bath is again washed with ultrapure water and then preliminarily dried using dry air, and the rinsing and dry baths are supplied through a single supply pipe using an automatic control valve; And, 상기 린스 및 드라이 배스에서 세정 및 건조 과정을 거친 글라스의 표면을 건조 공기를 이용해 완전히 건조시키는 건조 배스를 포함하여 이루어지는 글라스 식각장치.And a dry bath for completely drying the surface of the glass, which has been cleaned and dried in the rinse and dry bath, using dry air. 카세트에 적층된 글라스의 표면을 불산을 이용해 식각하며, 하부에 버블생성장치가 구비되는 에칭 배스;An etching bath for etching the surface of the glass stacked on the cassette using hydrofluoric acid and having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 에칭 배스에서 식각된 글라스의 표면을 초순수를 이용해 세정하며, 하부에 버블생성장치가 구비되는 세정 배스;A cleaning bath for cleaning the surface of the glass etched by the etching bath using ultrapure water, and having a bubble generator at the bottom thereof; 상기 세정 배스에서 세정된 글라스의 표면을 건조 공기를 이용해 완전히 건조시키는 건조 배스; 그리고,A drying bath for completely drying the surface of the glass cleaned in the cleaning bath using dry air; And, 상기 카세트를 각 배스 내부로 이송시키는 로봇 암의 표면을 초순수를 이용해 세척하는 보조 배스를 포함하여 이루어지는 특징으로 하는 글라스 식각장치.And an auxiliary bath for cleaning the surface of the robot arm for transferring the cassette into each bath using ultrapure water. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 보조 배스는 에칭 배스와 세정 배스 사이에 설치되는 것을 특징으로 하는 글라스 식각장치.The auxiliary bath is a glass etching apparatus, characterized in that installed between the etching bath and the cleaning bath.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101154470B1 (en) * 2011-03-17 2012-06-14 (주)클레슨 Aqueous washing device for TV parts
KR101179745B1 (en) 2010-08-20 2012-09-04 이대천 Glass panel etching unit
KR101428656B1 (en) * 2012-11-27 2014-08-13 (주)에스티아이 Tempered Glass For Touch Screen Panel Surface Treating Apparatus
KR101515107B1 (en) 2013-06-17 2015-04-24 주식회사 태성기연 Tempered glass processing system
KR20180052531A (en) * 2016-11-10 2018-05-18 사이언테크 코포레이션 Apparatus for substrate wet processing
KR20200026749A (en) 2018-09-03 2020-03-11 웨이하이 디엠에스 주식회사 Apparatus for processing substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990023477A (en) * 1997-08-08 1999-03-25 가네꼬 히사시 Wafer cleaning and drying method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990023477A (en) * 1997-08-08 1999-03-25 가네꼬 히사시 Wafer cleaning and drying method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101179745B1 (en) 2010-08-20 2012-09-04 이대천 Glass panel etching unit
KR101154470B1 (en) * 2011-03-17 2012-06-14 (주)클레슨 Aqueous washing device for TV parts
CN102671881A (en) * 2011-03-17 2012-09-19 (株)克来森 Water washing device used for television parts
KR101428656B1 (en) * 2012-11-27 2014-08-13 (주)에스티아이 Tempered Glass For Touch Screen Panel Surface Treating Apparatus
KR101515107B1 (en) 2013-06-17 2015-04-24 주식회사 태성기연 Tempered glass processing system
KR20180052531A (en) * 2016-11-10 2018-05-18 사이언테크 코포레이션 Apparatus for substrate wet processing
KR102003128B1 (en) * 2016-11-10 2019-07-23 사이언테크 코포레이션 Apparatus for substrate wet processing
KR20200026749A (en) 2018-09-03 2020-03-11 웨이하이 디엠에스 주식회사 Apparatus for processing substrate

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