KR20170113388A - Substrate treatment device and substrate treatment method - Google Patents

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KR20170113388A
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Abstract

본 발명의 실시형태에 따르면, 기판의 처리 시에 있어서의 기판 오염을 막을 수 있다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 유지하는 스핀 유지 기구와, 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과, 상기 스핀 유지 기구에 유지된 상기 기판에 대향하여 배치되고, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동하는 차폐판과, 상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 기구와, 상기 기판에 처리액이 공급되고 있을 때, 상기 차폐판을 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키는 제어 장치를 구비한다.According to the embodiment of the present invention, contamination of the substrate during processing of the substrate can be prevented.
A substrate processing apparatus (1) according to an embodiment includes a spin holding mechanism for holding a substrate, a processing liquid supply nozzle for supplying the processing liquid to the substrate, A shielding plate disposed to face the substrate held by the holding mechanism and moving in a contact / separation direction with respect to the substrate; a shielding plate rotating mechanism rotating the shielding plate; And a control device for rotating the shield plate without moving the shield plate.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.An embodiment of the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

기판 처리 장치는, 예컨대, 반도체 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 패널 등의 기판에 회로 패턴을 형성하는 성막 프로세스나 포토 프로세스를 행한다. 이들 프로세스에 있어서, 주로 처리액을 사용하는 웨트 프로세스에서는, 매엽식의 기판 처리 장치가 이용되며, 약액 처리나 세정 처리, 건조 처리 등이 기판에 대하여 행해지고 있다. 매엽식의 기판 처리 장치에서는, 기판의 외주면을 파지하여, 기판의 표면에 직교하는 축을 회전축으로 하여 기판을 회전시키고, 그 회전하는 기판의 표면에 처리액(예컨대, 에칭액이나 세정액, 순수)을 공급한다.The substrate processing apparatus performs a film forming process or a photoprocess for forming a circuit pattern on a substrate such as a wafer or a liquid crystal panel, for example, in a manufacturing process of a semiconductor or the like. In these processes, in a wet process mainly using a process liquid, a single wafer process apparatus is used, and a chemical liquid process, a cleaning process, a drying process, and the like are performed on the substrate. In the single wafer processing type substrate processing apparatus, the substrate is held by gripping the outer circumferential surface of the substrate, rotating the substrate with the axis orthogonal to the surface of the substrate as the rotation axis, and supplying the processing liquid (for example, etching solution, cleaning liquid, pure water) do.

기판 처리 장치에서는, 기판의 표면에 처리액을 공급한 후, 기판의 회전과 함께 기체를 기판의 표면에 공급하면서 건조 처리가 행해진다. 이 건조 처리에서는, 기판에 대향 배치되어 기판 전체면을 덮을 수 있는 크기의 차폐판을 기판의 표면에 근접시켜, 기판과 차폐판 사이에 형성되는 공간에 기체를 공급하는 것이 행해진다.In the substrate processing apparatus, after the treatment liquid is supplied to the surface of the substrate, drying treatment is performed while supplying the gas to the surface of the substrate together with the rotation of the substrate. In this drying process, a shielding plate having a size capable of covering the entire surface of the substrate is disposed close to the substrate, and the gas is supplied to the space formed between the substrate and the shielding plate.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-133625호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-133625

이러한 장치에서는, 기판의 표면에 처리액을 공급하여 처리하고 있을 때부터, 차폐판을 기판에 접근한 위치에 위치시키도록 하고 있다.In such an apparatus, the shielding plate is positioned at a position close to the substrate when the processing liquid is supplied to the surface of the substrate and processed.

그런데, 기판의 표면에 공급된 처리액이, 기판의 표면 상에서 액 튐이 일어나는 경우가 있다. 이 현상이 생기면, 기판에 접근하고 있는 차폐판의 기판과 대향하고 있는 면에, 액 튐한 처리액이 부착되어 버린다. 이 처리액이 부착된 채로 차폐판을 건조 처리에서 사용하면, 차폐판에 부착되어 있던 처리액이 기판의 표면에 낙하하여, 워터 마크가 발생하여 버리는 원인이 된다. 앞서 서술한 특허문헌 1에는, 이 과제 인식이 없다.However, there is a case where the treatment liquid supplied to the surface of the substrate is liquidated on the surface of the substrate. When this phenomenon occurs, a liquid processing solution adheres to the surface of the shielding plate approaching the substrate, which faces the substrate. If the shielding plate is used in the drying process with the treatment liquid adhered thereto, the treatment liquid adhered to the shielding plate falls on the surface of the substrate, and watermarks are generated. Patent Document 1 described above does not recognize this problem.

본 발명은, 처리액을 이용한 기판에 대한 처리를, 양호하게 행할 수 있는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to perform favorable processing on a substrate using a treatment liquid.

실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 유지하는 스핀 유지 기구와, 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과, 상기 스핀 유지 기구에 유지된 상기 기판에 대향하여 배치되고, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동하는 차폐판과, 상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 기구와, 상기 처리액이 공급되고 있지 않을 때에 상기 차폐판을 대기 위치에 위치시키고, 상기 처리액 공급 노즐에 의한 상기 처리액의 공급 중에는 상기 차폐판을 상기 대기 위치로부터 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키도록 상기 차폐판 회전 기구를 제어하는 제어 장치를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a spin holding mechanism for holding a substrate, a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate, A shield plate disposed opposed to the held substrate and moving in a contacting / separating direction with respect to the substrate; a shield plate rotating mechanism rotating the shield plate; And controls the shield plate rotating mechanism to rotate the shield plate without moving the shield plate from the standby position during the supply of the treatment liquid by the treatment liquid supply nozzle .

실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 유지하는 스핀 유지 기구와, 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과, 상기 스핀 유지 기구에 유지된 상기 기판에 대향하여 배치되고, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동하는 차폐판과, 상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 기구와, 상기 기판의 이면에 상기 처리액과 기체를 각각 공급하는 이면 노즐 헤드와 제어 장치를 포함하고, 상기 제어 장치는, 미리 설정한 제1 설정 매수마다, 상기 처리액이 공급되고 있지 않을 때에 상기 차폐판을 대기 위치에 위치시키고, 상기 처리액 공급 노즐에 의한 상기 처리액의 공급 중에는 상기 차폐판을 상기 대기 위치로부터 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키도록 상기 차폐판 회전 기구를 제어하고, 미리 설정한 제2 설정 매수마다, 상기 기판이 처리실로부터 반출된 후에, 상기 이면 노즐 헤드에 의해 상기 차폐판에 상기 처리액과 상기 기체를 각각 공급하도록 제어하고, 미리 설정한 제3 설정 매수마다, 상기 기판이 상기 처리실로부터 반출된 후에, 상기 처리액 공급 노즐에 의해, 상기 차폐판의 둘레 가장자리를 향하여 상기 처리액을 공급하도록 제어한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a spin holding mechanism for holding a substrate, a processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate, A shielding plate rotating mechanism disposed to face the held substrate and moving in a contacting / separating direction with respect to the substrate; a shielding plate rotating mechanism for rotating the shielding plate; Wherein the control device is configured to position the shield plate at a standby position when the process liquid is not supplied for every predetermined first set number of times, During the supply of the treatment liquid, the shield plate is rotated so that the shield plate is rotated without moving the shield plate from the standby position, And controls to supply the processing liquid and the substrate to the shield plate by the back nozzle head after the substrate is taken out of the processing chamber every predetermined second set number of times, After the substrate has been taken out of the processing chamber, the process liquid supply nozzle controls the supply of the processing liquid toward the peripheral edge of the shield plate every 3 sets of the number of sheets.

실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 공정에 있어서, 상기 기판을 유지시키는 기판 유지 공정과, 상기 기판에 처리액 공급 노즐로부터 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 기판 유지 공정에서 유지된 상기 기판에 대향하여 배치된 차폐판을, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동시키는 차폐판 이동 공정과, 상기 처리액이 공급되고 있지 않을 때에 상기 차폐판을 대기 위치에 위치시키고, 상기 처리액 공급 노즐에 의한 상기 처리액의 공급 중에는 상기 차폐판을 상기 대기 위치로부터 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 공정을 포함한다.A substrate processing method according to an embodiment includes a substrate holding step of holding the substrate in a substrate processing step of rotating the substrate by rotating the substrate, a processing liquid supplying step of supplying the processing liquid from the processing liquid supplying nozzle to the substrate, A shielding plate moving step of moving a shielding plate disposed opposite to the substrate held in the substrate holding step in a contacting / separating direction with respect to the substrate; and a shielding plate holding step of holding the shielding plate in a standby state And a shield plate rotating step of rotating the shield plate without moving the shield plate from the standby position while supplying the treatment liquid by the treatment liquid supply nozzle.

본 발명의 실시형태에 따르면, 처리액을 이용한 기판에 대한 처리를, 양호하게 행하는 것이 가능해진다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to satisfactorily perform the processing on the substrate using the processing liquid.

도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 처리실의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 차폐판의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는 제1 실시형태에 따른 일련의 처리 동작을 나타내는 도면이다.
도 5는 제2 실시형태에 따른 처리 동작을 나타내는 도면이다.
도 6은 제3 실시형태에 따른 처리 동작을 나타내는 도면이다.1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
2 is a view showing a schematic configuration of a treatment chamber according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view showing the configuration of the shielding plate according to the first embodiment.
4 is a diagram showing a series of processing operations according to the first embodiment.
5 is a diagram showing a processing operation according to the second embodiment.
6 is a diagram showing a processing operation according to the third embodiment.

[제1 실시형태][First Embodiment]

제1 실시형태에 대해서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.The first embodiment will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig.

도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판 수납 케이스(2)와, 배치대(3)와, 반송 로보트(4)와, 반송 가이드 레일(5)과, 버퍼대(6)와, 반송 로보트(7)와, 반송 가이드 레일(8)과, 처리실(9)과, 부대 유닛(10)을 구비하고 있다.1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a substrate storage case 2, a placement table 3, a transfer robot 4, a transfer guide rail 5, A buffer table 6, a transfer robot 7, a transfer guide rail 8, a process chamber 9,

기판 수납 케이스(2)는, 기판(W)(예컨대, 반도체 웨이퍼)을 수납하는 용기이다. 이 기판 수납 케이스(2)에는, 기판(W)이 소정 간격으로 1장씩 적층되어 수납되어 있다.The substrate storage case 2 is a container for housing a substrate W (e.g., a semiconductor wafer). In the substrate storage case 2, substrates W are stacked one by one at predetermined intervals.

배치대(3)는, 기판 수납 케이스(2)를 놓기 위한 대이다. 도 1과 같이, 복수개의 기판 수납 케이스(2)를 소정 간격으로 일렬로 놓을 수 있다.The stage 3 is a stage for placing the substrate storage case 2. As shown in Fig. 1, a plurality of substrate storage cases 2 can be arranged in a line at predetermined intervals.

반송 로보트(4)는, 복수개의 기판 수납 케이스(2)가 배열되는 제1 반송 방향[도 1에 나타내는 화살표(A) 방향]을 따라 이동하도록, 기판 수납 케이스(2)의 열의 옆에 마련되어 있다. 이 반송 로보트(4)는, 기판 수납 케이스(2)에 수납된 미처리의 기판(W)을 취출한다. 그리고, 반송 로보트(4)는, 필요에 따라 화살표(A) 방향으로 이동하여 버퍼대(6)의 부근에서 정지하고, 정지 장소에서 선회하여, 기판(W)을 버퍼대(6)에 반송한다. 또한, 반송 로보트(4)는, 버퍼대(6)로부터 처리 완료된 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 화살표(A) 방향으로 이동하여 원하는 기판 수납 케이스(2)에 반송한다. 또한, 반송 로보트(4)는, 선회만 행하고, 미처리의 기판(W)을 버퍼대(6)에, 혹은, 처리 완료된 기판(W)을 원하는 기판 수납 케이스(2)에 반송하도록 구성하는 경우도 있다. 반송 로보트로서는, 예컨대, 로보트 아암이나 로보트 핸드, 이동 기구 등을 갖는, 공지의 로보트를 이용하는 것이 가능하다.The transfer robot 4 is provided next to the row of the substrate storage case 2 so as to move along a first transfer direction (direction indicated by an arrow A in Fig. 1) in which a plurality of substrate storage cases 2 are arranged . The carrying robot 4 takes out the unprocessed substrate W accommodated in the substrate storage case 2. The transport robot 4 moves in the direction of the arrow A as necessary and stops near the buffer table 6 and turns in the stopping position to transport the substrate W to the buffer table 6 . The transfer robot 4 also takes out the processed wafers W from the buffer table 6 and transfers them to the desired substrate storage case 2 by moving in the direction of the arrow A as required. The carrying robot 4 may be configured so that only the turning robot 4 carries the untreated substrate W to the buffer table 6 or the processed substrate W is carried to the desired substrate storage case 2 have. As the carrying robot, for example, a known robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

반송 가이드 레일(5)은, 반송 로보트(4)를 화살표(A) 방향으로 이동시키는 기구이다. 이에 의해, 반송 로보트(4)를 이동시켜, 각 기판 수납 케이스(2)와 버퍼대(6) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 이 반송 가이드 레일(5)은, 예컨대, LM 가이드(Linear Motion Guide)이다.The conveying guide rail 5 is a mechanism for moving the conveying robot 4 in the direction of arrow A. Thereby, the substrate W can be transported between each substrate storage case 2 and the buffer stand 6 by moving the transport robot 4. [ The conveying guide rail 5 is, for example, an LM guide (Linear Motion Guide).

버퍼대(6)는, 반송 로보트(4)가 이동하는 반송 가이드 레일(5)의 중앙 부근이며, 또한 배치대(3)와는 반대측에 마련되어 있다. 이 버퍼대(6)는, 반송 로보트(4)와 반송 로보트(7) 사이에서 기판(W)의 교환을 하기 위한 배치대이다.The buffer table 6 is provided near the center of the conveying guide rail 5 on which the conveying robot 4 moves and on the opposite side of the placing table 3. The buffer table 6 is a stage for exchanging the substrate W between the transfer robot 4 and the transfer robot 7. [

반송 로보트(7)는, 버퍼대(6)로부터, 반송 로보트(4)의 반송 방향[화살표(A) 방향]에 대하여 직교하는 제2 반송 방향[도 1에 나타내는 화살표(B) 방향]으로 이동하도록 마련되어 있다. 이 반송 로보트(7)는, 버퍼대(6)에 놓여진 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 화살표(B) 방향으로 이동하여 원하는 처리실(9)의 부근에서 정지하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 원하는 처리실(9)에 반송한다. 또한, 반송 로보트(7)는, 처리실(9)로부터 처리 완료된 기판(W)을 취출하고, 필요에 따라 화살표(B) 방향으로 이동하여 버퍼대(6) 부근에서 정지하고, 정지 장소에서 선회하여 처리 완료된 기판(W)을 버퍼대(6)에 반송한다. 이 반송 로보트(7)로서는, 예컨대, 로보트 아암이나 로보트 핸드, 이동 기구 등을 갖는, 공지의 로보트를 이용하는 것이 가능하다.The carrying robot 7 moves from the buffer table 6 in the second carrying direction (the direction of the arrow B shown in Fig. 1) perpendicular to the carrying direction of the carrying robot 4 . The transfer robot 7 takes out the substrate W placed on the buffer table 6 and moves in the direction of the arrow B as necessary to stop near the desired processing chamber 9 and turn And transfers the substrate W to a desired processing chamber 9. The transport robot 7 takes out the processed substrate W from the process chamber 9 and moves in the direction of the arrow B as necessary to stop near the buffer table 6 and turn And transfers the processed substrate W to the buffer table 6. As the carrying robot 7, for example, a known robot having a robot arm, a robot hand, a moving mechanism, or the like can be used.

반송 가이드 레일(8)은, 반송 로보트(7)를 화살표(B) 방향으로 이동시키는 기구이다. 이 기구에 의해, 반송 로보트(7)를 이동시켜, 각 처리실(9)과 버퍼대(6) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 이 반송 가이드 레일(8)은, 예컨대, LM 가이드(Linear Motion Guide)이다.The conveying guide rail 8 is a mechanism for moving the conveying robot 7 in the direction of the arrow B. With this mechanism, the transfer robot 7 can be moved to transfer the substrate W between the processing chambers 9 and the buffer table 6. [ The conveying guide rail 8 is, for example, an LM guide (Linear Motion Guide).

처리실(9)은, 반송 로보트(7)가 이동하는 반송 가이드 레일(8)의 양측에, 예컨대, 2개씩 마련되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 이 처리실(9)은, 반송 로보트(7)에 의해 반송된 기판(W)에 대하여, 처리액을 공급하여 기판(W)을 세정 처리한다. 또한, 세정 처리가 완료한 기판(W)을 건조시키는 건조 처리를 행한다. 자세히는, 후술한다.The processing chamber 9 is provided on each of two sides of the conveying guide rail 8 on which the conveying robot 7 moves, for example. In this embodiment, the processing chamber 9 supplies the processing liquid to the substrate W conveyed by the conveying robot 7 to clean the substrate W. Further, a drying process for drying the substrate W after the cleaning process is performed. Details will be described later.

부대 유닛(10)은, 반송 가이드 레일(8)의 일단이며, 버퍼대(6)의 반대측, 즉 기판 처리 장치(1)의 단부에 마련되어 있다. 이 부대 유닛(10)은, 기액 공급 유닛(10a)과 제어 유닛(제어 장치)(10b)을 저장하고 있다. 이 기액 공급 유닛(10a)은, 각 처리실(9)에 각종 처리액(예컨대, 순수나 APM: 암모니아수와 과산화수소수의 혼합액, IPA: 이소프로필알코올)이나 기체(예컨대, 질소 가스)를 공급한다. 제어 유닛(10b)은, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로 컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비한다. 이 제어 유닛(10b)은, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 반송 로보트(4), 반송 로보트(7), 각 처리실(9) 등의 각 부를 제어한다.The auxiliary unit 10 is provided at one end of the conveying guide rail 8 and at the opposite side of the buffer table 6, that is, at the end of the substrate processing apparatus 1. This auxiliary unit 10 stores a gas-liquid supply unit 10a and a control unit (controller) 10b. The gas-liquid supply unit 10a supplies various treatment liquids (for example, pure water, APM: mixed liquid of ammonia water and hydrogen peroxide solution, IPA: isopropyl alcohol) or a gas (for example, nitrogen gas) to each treatment chamber 9. The control unit 10b includes a microcomputer for intensively controlling each unit, and a storage unit (both not shown) for storing substrate processing information and various programs relating to substrate processing. The control unit 10b controls each part of the transport robot 4, the transport robot 7, the process chambers 9 and the like based on the substrate process information and various programs.

다음에 처리실(9) 내의 구성에 대해서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.Next, the configuration in the treatment chamber 9 will be described with reference to Figs. 2 and 3. Fig.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리실(9)은, 스핀 유지 기구(21)와, 컵체(30)와, 이면 노즐 헤드(40)와, 제1 노즐(52)과, 제1 노즐 이동 기구(53)와, 제2 노즐(54)과, 제2 노즐 이동 기구(55)와, 차폐 기구(60)를 갖는다. 스핀 유지 기구(21), 컵체(30), 이면 노즐 헤드(40), 제1 노즐(52), 제1 노즐 이동 기구(53), 제2 노즐(54), 제2 노즐 이동 기구(55), 차폐 기구(60)는, 처리실(9) 내에 마련되어 있다.2, the treatment chamber 9 includes a spin holding mechanism 21, a cup body 30, a back surface nozzle head 40, a first nozzle 52, a first nozzle moving mechanism 53 , A second nozzle 54, a second nozzle moving mechanism 55, and a shielding mechanism 60. The spin holding mechanism 21, the cup body 30, the back surface nozzle head 40, the first nozzle 52, the first nozzle moving mechanism 53, the second nozzle 54, the second nozzle moving mechanism 55, And the shielding mechanism 60 are provided in the process chamber 9. As shown in Fig.

처리실(9)은, 예컨대 직육면체 형상으로 형성되고, 셔터(도시하지 않음)를 갖는다. 이 셔터는, 처리실(9)에 있어서의 반송 가이드 레일(8)측의 벽면에 개폐 가능하게 형성되어 있다. 셔터는, 기판(W)을 처리실(9) 내에 반입, 혹은 처리실(9)로부터 반출할 때에 개폐된다. 또한, 처리실(9) 내에는, 다운 플로우(수직 층류)에 의해 청정하게 유지되고 있다.The treatment chamber 9 is formed in, for example, a rectangular parallelepiped shape and has a shutter (not shown). The shutter is openable and closable on a wall surface of the processing chamber 9 on the conveying guide rail 8 side. The shutter is opened or closed when the substrate W is carried into or out of the processing chamber 9. Further, the treatment chamber 9 is kept clean by down flow (vertical laminar flow).

스핀 유지 기구(21)는, 기판(W)을 수평 상태로 유지하며, 기판(W)의 피처리면에 수직인 중심축(R)을 회전 중심으로 하여, 기판(W)을 회전시키는 기구이다. 스핀 유지 기구(21)에는, 베이스가 되는 회전체(22)를 가지고 있다. 이 회전체(22)의 둘레 방향에는, 소정 간격, 예컨대, 60도 간격으로 6개의 지지핀(23)이 형성된다. 이 지지핀(23)은, 기판(W)의 단부면에 접촉하여, 기판(W)을 컵체(30) 내에서 수평 상태로 유지한다. 스핀 유지 기구(21)는, 회전체(22)의 하부에, 회전축이나 모터 등을 갖는 회전 기구(24)를 갖는다. 이 회전 기구(24)에 의해, 스핀 유지 기구(21)는, 기판(W)을 수평 상태로 유지한 채로 회전시킬 수 있다. 또한, 스핀 유지 기구(21)는, 제어 유닛(10b)에 전기적으로 접속된다. 제어 유닛(10b)에 의해, 스핀 유지 기구(21)에 의한 기판(W)의 유지나 회전이 제어된다.The spin holding mechanism 21 is a mechanism for holding the substrate W in a horizontal state and rotating the substrate W about a central axis R perpendicular to the surface to be processed of the substrate W as a rotation center. The spin holding mechanism 21 has a rotating body 22 serving as a base. In the circumferential direction of the rotating body 22, six support pins 23 are formed at predetermined intervals, for example, at intervals of 60 degrees. The support pins 23 come into contact with the end face of the substrate W to keep the substrate W in a horizontal state in the cup body 30. [ The spin holding mechanism 21 has a rotating mechanism 24 having a rotating shaft, a motor, and the like at a lower portion of the rotating body 22. By this rotation mechanism 24, the spin holding mechanism 21 can rotate the substrate W while keeping the substrate W in a horizontal state. Further, the spin holding mechanism 21 is electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the holding and rotation of the substrate W by the spin holding mechanism 21. [

컵체(30)는, 3개의 상측컵(30a, 30b, 30c)과, 3개의 하측컵(31a, 31b, 31c)과, 바닥부(33)를 갖는다. 이 상측컵(30a∼30c)과, 하측컵(31a∼31c)은, 스핀 유지 기구(21)에 의해 유지된 기판(W)을 주위로부터 둘러싸도록 원통 형상으로 형성되어 있다. 컵체(30)의 상부, 즉, 이 상측컵(30a∼30c)은, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 표면(상면) 전체가 노출되도록 개구되어 있고, 그 각 상부의 둘레벽은 직경 방향의 내측을 향하여 경사하고 있다.The cup body 30 has three upper cups 30a, 30b and 30c, three lower cups 31a, 31b and 31c and a bottom 33. [ The upper cups 30a to 30c and the lower cups 31a to 31c are formed in a cylindrical shape so as to surround the substrate W held by the spin holding mechanism 21 from the periphery. The upper portion of the cup body 30, that is, the upper cups 30a to 30c, is opened to expose the entire surface (upper surface) of the substrate W held by the spin holding mechanism 21, The wall is inclined toward the inside in the radial direction.

상측컵(30a)과 하측컵(31a)은, 스핀 유지 기구(21)의 외주에 배치되어 있다. 상측컵(30b)과 하측컵(31b)은, 상측컵(30a)과 하측컵(31a)의 외주에 배치되어 있다. 상측컵(30c)과 하측컵(31c)은, 상측컵(30b)과 하측컵(31b)의 외주에 배치되어 있다.The upper cup 30a and the lower cup 31a are disposed on the outer periphery of the spin holding mechanism 21. The upper cup 30b and the lower cup 31b are arranged on the outer circumference of the upper cup 30a and the lower cup 31a. The upper cup 30c and the lower cup 31c are disposed on the outer periphery of the upper cup 30b and the lower cup 31b.

하측컵(31a∼31c)은, 바닥부(33)에 대하여 수직으로 고정하여 형성되고, 각각 대응하는 상측컵(30a∼30c)의 하부에 형성된 이중 구조의 둘레벽 사이에 슬라이드 가능하게 삽입되어, 래버린스 구조를 이루고 있다. 상측컵(30a∼30c)은, 도시하지 않는 상하 이동 기구에 의해 개별로 상하 구동 가능하게 되어 있다. 또한, 바닥부(33)에 있어서, 하측컵(31a)에 의해 둘러싸인 영역에는, 배출구(32a)가 형성되고, 하측컵(31a)과 하측컵(31b)에 의해 둘러싸인 영역에는, 배출구(32b)가 형성되고, 하측컵(31b)과 하측컵(31c)에 의해 둘러싸인 영역에는, 배출구(32c)가 형성되어 있다. 각 배출구(32a∼32c)는, 각각 배출관과 배액 탱크, 기액 분리기를 통해 배기 펌프(모두 도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그에 의해, 기판(W)으로부터 비산한 처리액을, 각 배출구(32a∼32c)를 통하여 분리 회수할 수 있다. 또한, 상하 구동 기구는, 제어 유닛(10b)에 전기적으로 접속된다. 제어 유닛(10b)에 의해, 상측컵(30a∼30c)의 상하 구동을 제어한다.The lower cups 31a to 31c are formed by fixing vertically to the bottom portion 33 and are slidably inserted between the peripheral walls of the double structure formed at the lower portions of the corresponding upper cups 30a to 30c, And has a labyrinth structure. The upper cups 30a to 30c can be independently driven up and down by a vertically moving mechanism (not shown). A discharge port 32a is formed in a region surrounded by the lower cup 31a and a discharge port 32b is formed in a region surrounded by the lower cup 31a and the lower cup 31b. And an outlet 32c is formed in a region surrounded by the lower cup 31b and the lower cup 31c. The respective outlets 32a to 32c are connected to an exhaust pump (not shown) through a discharge pipe, a drain tank, and a gas-liquid separator. Thereby, the processing liquid scattered from the substrate W can be separated and recovered through the respective discharge ports 32a to 32c. Further, the up-and-down driving mechanism is electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the vertical movement of the upper cups 30a to 30c.

이면 노즐 헤드(40)는, 고정축(41)의 상단에 고정 상태로 지지된다. 고정축(41)은, 회전 기구(24)를 비접촉으로 관통하여 처리실(9) 내의 바닥부(33)에 고정된다. 고정축(41)의 상단에 지지되는 이면 노즐 헤드(40)는, 회전체(22)와의 사이에 간극을 가지고 있다. 이에 의해, 이면 노즐 헤드(40)는 고정된 상태로서, 회전체(22)와 함께는 회전하지 않는 구성으로 되어 있다. 이 이면 노즐 헤드(40)는, 회전체(22)의 상면측으로 돌출하고 있고, 회전체(22)의 상면에 있어서의, 이면 노즐 헤드(40)의 외주부에 대응하는 위치에는, 상방을 향하여 환형벽(42)이 형성되어 있다. 한편, 이면 노즐 헤드(40)의 외주부에는, 환형벽(42)을 내부에 수용하는 환형홈(43)이 하면에 개방되어 형성되어 있다. 즉, 환형벽(42)과 환형홈(43)은, 래버린스 구조를 형성하여, 회전체(22)의 상면측에서 비산하는 처리액이, 고정축(41)을 따라 컵체(30)의 외부에 유출하는 것을 저지할 수 있다.The nozzle head 40 is supported on the upper end of the fixed shaft 41 in a fixed state. The fixed shaft 41 is fixed to the bottom portion 33 in the processing chamber 9 through the rotating mechanism 24 in a noncontact manner. The back nozzle head 40 supported at the upper end of the fixed shaft 41 has a clearance with the rotating body 22. As a result, the back surface nozzle head 40 is in a fixed state and does not rotate together with the rotating body 22. The back nozzle head 40 protrudes toward the upper surface of the rotating body 22 and is provided at a position corresponding to the outer peripheral portion of the back surface nozzle head 40 on the upper surface of the rotating body 22, A wall 42 is formed. On the other hand, an annular groove (43) for receiving the annular wall (42) is formed on the lower surface of the back nozzle head (40). That is, the annular wall 42 and the annular groove 43 form a labyrinth structure, and the processing liquid scattering on the upper surface side of the rotating body 22 is transferred to the outside of the cup body 30 along the fixed shaft 41 To the outside.

이면 노즐 헤드(40)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 상면을 개방한 오목부(44)가 형성되어 있다. 이 오목부(44)는, 상부로부터 하부로 감에 따라 소직경이 되는 원추 형상으로 형성되어 있다. 이면 노즐 헤드(40)에 있어서의 상면의 오목부(44)의 주변부는, 직경 방향 외방을 향하여 낮게 경사한 경사면(45)이 형성되어 있다.As shown in Fig. 2, the rear surface of the nozzle head 40 is formed with a concave portion 44 that opens the upper surface thereof. The concave portion 44 is formed in a conical shape having a small diameter as it goes from the top to the bottom. The peripheral portion of the concave portion 44 on the upper surface of the nozzle head 40 is formed with an inclined surface 45 inclined downward toward the radially outward direction.

오목부(44)의 바닥부에는, 배액부를 형성하는 배액구(46)의 일단이 개구하고 있다. 이 배액구(46)는, 기판(W)의 이면에 분사된 처리액이 기판(W)에서 반사되어, 오목부(44) 내면에 적하한 처리액을 배출하기 위한 것이다. 배액구(46)의 타단에는, 배액관(47)의 일단이 접속되어 있다. 배액관(47)의 타단은, 도시하지 않지만, 각 배출구(32a∼32c)와 마찬가지로, 기액 분리기를 통해 배기 펌프에 접속되어 있다.At the bottom of the concave portion 44, one end of the liquid discharge port 46 for forming the liquid discharge portion is opened. The liquid draining port 46 is for discharging the processing liquid dropped onto the inner surface of the concave portion 44 by reflecting the processing liquid sprayed on the back surface of the substrate W by the substrate W. One end of the drain pipe 47 is connected to the other end of the drain port 46. The other end of the drain pipe 47 is connected to the exhaust pump through a gas-liquid separator, not shown, like the exhaust ports 32a to 32c.

오목부(44)의 면에는, 하부 처리액 노즐(48)과, 하부 기체용 노즐(50)이 형성되어 있다. 하부 처리액 노즐(48)은, 처리액 공급관(49)의 일단에 접속되고, 하부 기체용 노즐(50)은, 기체 공급관(51)의 일단에 접속되어 있다. 처리액 공급관(49)과 기체 공급관(51)의 타단은, 각각, 기액 공급 유닛(10a)에 접속되어 있다. 또한, 오목부(44)의 면에, 하부 처리액 노즐(48)과 하부 기체용 노즐(50)이, 각각 복수개, 소정 간격으로 설치되어도 좋다. 본 실시형태에서는, 2개의 하부 처리액 노즐(48)과, 2개의 하부 기체용 노즐(50)이, 오목부(44)의 둘레 방향에 거의 90도 간격으로 형성되어 있다.On the surface of the concave portion 44, a lower treatment liquid nozzle 48 and a lower gas nozzle 50 are formed. The lower treatment liquid nozzle 48 is connected to one end of the treatment liquid supply pipe 49 and the lower gas nozzle 50 is connected to one end of the gas supply pipe 51. The other end of the treatment liquid supply pipe 49 and the gas supply pipe 51 are connected to the gas-liquid supply unit 10a, respectively. A plurality of the lower processing liquid nozzles 48 and the lower gas nozzles 50 may be provided at predetermined intervals on the surface of the concave portion 44. In the present embodiment, two lower process liquid nozzles 48 and two lower gas nozzles 50 are formed at intervals of about 90 degrees in the circumferential direction of the recess 44.

하부 처리액 노즐(48)로부터는, 처리액 공급관(49)을 통하여 공급되는 처리액(S)(예컨대, APM)이나 처리액(L)(예컨대, 순수)이, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 이면을 향하여 분사된다. 하부 기체용 노즐(50)로부터는, 기체 공급관(51)을 통하여 공급되는 기체(G)(예컨대, 질소)가, 기판의 이면을 향하여 분사되도록 되어 있다.The processing liquid S (for example, APM) and the processing liquid L (for example, pure water) supplied through the processing liquid supply pipe 49 are supplied from the lower processing liquid nozzle 48 to the spin holding mechanism 21 And is sprayed toward the back surface of the held substrate W. A gas G (for example, nitrogen) supplied through the gas supply pipe 51 is jetted toward the back surface of the substrate from the lower gas nozzle 50.

하부 처리액 노즐(48)과 하부 기체용 노즐(50)의 분사 방향은, 중심축(R)에 대하여 소정의 각도 경사하고 있어, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 대략 회전 중심을 향하여, 처리액(S, L), 기체(G)를 분사하도록 되어 있다.The spray directions of the lower process liquid nozzle 48 and the lower gas nozzle 50 are inclined at a predetermined angle with respect to the center axis R so that the substrate W held by the spin holding mechanism 21 is rotated (S, L) and the base body (G) toward the center.

회전하는 기판(W)에 공급된 처리액(S, L)은, 원심력에 의해 기판(W)의 이면의 거의 전체에 분산되며, 기판(W)으로부터 튀어 오른 처리액의 대부분이 오목부(44) 내에 적하하도록 되어 있다. 또한, 기체(G)도 처리액(S, L)과 마찬가지로, 기판(W)의 이면 거의 전체에 작용하도록 되어 있다.The processing liquids S and L supplied to the rotating substrate W are dispersed almost all over the back surface of the substrate W by the centrifugal force so that most of the processing liquid sprung from the substrate W is dispersed in the concave portions 44 ). In addition, the base body G works almost entirely on the back surface of the substrate W, like the treatment liquids S and L. [

처리액(S, L)을 기판(W)의 회전 중심으로부터 벗어난 위치를 향하여 분사하도록 하여도 좋다. 마찬가지로, 기체(G)도 기판(W)의 회전 중심으로부터 벗어난 위치를 향하여 분사하도록 하여도 좋다. 처리액(S, L)이나 기체(G)의 공급은, 제어 유닛(10b)에 의해 제어된다.The processing liquid S or L may be jetted toward a position deviated from the center of rotation of the substrate W. [ Similarly, the base body G may also be jetted toward a position deviated from the center of rotation of the substrate W. [ The supply of the treatment liquids S and L and the base body G is controlled by the control unit 10b.

제1 노즐(52)은, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 표면에 처리액(L)(예컨대, 순수)을 공급한다. 이 제1 노즐(52)은, 제1 노즐 이동 기구(53)에 의해, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 표면을 따라 요동 가능하게 구성되어 있다. 제1 노즐(52)에는, 처리액(L)이 기액 공급 유닛(10a)으로부터 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다.The first nozzle 52 supplies the treatment liquid L (for example, pure water) to the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21. The first nozzle 52 is configured to swing along the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21 by the first nozzle moving mechanism 53. To the first nozzle 52, the process liquid L is supplied from the gas-liquid supply unit 10a through a pipe (not shown).

제1 노즐 이동 기구(53)는, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 제1 노즐 이동 기구(53)는, 제1 노즐(52)을 액 공급 위치와, 후퇴 위치로 이동시킨다. 액 공급 위치는, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 표면의 중앙 부근에 대향하는 위치이고, 후퇴 위치는, 액 공급 위치로부터 후퇴시켜 기판(W)의 반입이나 반출, 기판(W)에 대한 건조 처리를 가능하게 하는 위치이다.The first nozzle moving mechanism 53 is constituted by a rotating shaft, a motor, and the like. For example, the first nozzle moving mechanism 53 moves the first nozzle 52 to the liquid supply position and the retreat position. The liquid supply position is a position opposed to the vicinity of the center of the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21 and the retreat position is retracted from the liquid supply position to bring the substrate W in or out, W) at the same time.

제2 노즐(54)은, 스프레이 노즐이다. 제2 노즐(54)은, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 표면에 미스트형의 처리액(S)을 공급한다. 이 제2 노즐(54)은, 제2 노즐 이동 기구(55)에 의해, 스핀 유지 기구(21)에 유지된 기판(W)의 표면을 따라 요동 가능하게 구성되어 있다. 제2 노즐(54)에는, 처리액(S)이 기액 공급 유닛(10a)으로부터 배관(도시하지 않음)을 통해 공급된다.The second nozzle 54 is a spray nozzle. The second nozzle 54 supplies the mist-like processing liquid S to the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21. [ The second nozzle 54 is swingable along the surface of the substrate W held by the spin holding mechanism 21 by the second nozzle moving mechanism 55. To the second nozzle 54, the process liquid S is supplied from the gas-liquid supply unit 10a through a pipe (not shown).

제2 노즐 이동 기구(55)는, 제1 노즐 이동 기구(53)와 마찬가지로, 회전축이나 모터 등에 의해 구성되어 있다. 예컨대, 제2 노즐 이동 기구(55)는, 제2 노즐(54)을 액 공급 위치와, 후퇴 위치로 이동시킨다. 제1 노즐 이동 기구(53)와 제2 노즐 이동 기구(55)는, 제어 유닛(10b)과 전기적으로 접속된다. 제어 유닛(10b)에 의해, 각 노즐의 이동이나 처리액의 공급 동작이 제어된다.The second nozzle moving mechanism 55, like the first nozzle moving mechanism 53, is constituted by a rotating shaft, a motor, and the like. For example, the second nozzle moving mechanism 55 moves the second nozzle 54 to the liquid supply position and the retreat position. The first nozzle moving mechanism 53 and the second nozzle moving mechanism 55 are electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the movement of each nozzle and the supply operation of the process liquid.

차폐 기구(60)는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 차폐판 승강 기구(61)와, 아암(62)과, 차폐판(63)과, 차폐판 회전 기구(64)와, 차폐판 유지 기구(65)를 가지고 구성되어 있다.2 and 3, the shielding mechanism 60 includes a shield plate lifting mechanism 61, an arm 62, a shield plate 63, a shield plate rotating mechanism 64, And a holding mechanism 65 as shown in Fig.

차폐판 승강 기구(61)는, 중심축(R)에 대하여 직교하는 방향(지면에 직교하는 방향)을 축으로 하는 회동 부재(61a)를 갖는다. 아암(62)의 일단은, 회동 부재(61a)에 고정되어 있다. 차폐판 승강 기구(61)가 회동 부재(61a)를 소정의 각도의 범위에서 회동시키면, 아암(62)은 회동 부재(61a)를 축으로 하여 원호 운동한다. 이 차폐판 승강 기구(61)는, 후술하는 바와 같이, 아암(62)을 원호 운동시킴으로써, 차폐판(63)을 접촉/분리 방향(상하 방향)으로 이동시킬 수 있다.The shield plate lifting mechanism 61 has a tiltable member 61a whose axis is a direction orthogonal to the central axis R (direction orthogonal to the paper surface). One end of the arm 62 is fixed to the tiltable member 61a. When the shield plate lifting mechanism 61 rotates the tiltable member 61a within a predetermined angle range, the arm 62 performs an arc motion about the tiltable member 61a. This shield plate lifting mechanism 61 can move the shield plate 63 in the contact / separation direction (up and down direction) by causing the arm 62 to perform arc motion, as will be described later.

아암(62)의 타단은, 접속핀(65a)을 통해 차폐판 유지 기구(65)에 접속되어 있다. 접속핀(65a)은, 전술한 회동 부재(61a)와 마찬가지로, 중심축(R)에 대하여 직교하는 방향에 마련되어 있다. 또한, 접속핀(65a)과 아암(62)의 접속부, 접속핀(65a)과 차폐판 유지 기구(65)의 접속부에는, 각각, 회전 베어링(도시하지 않음)이 개재되어 있고, 차폐판 승강 기구(61)의 작동에 의해, 아암(62)이 요동할 때, 차폐판(63)은 수평 상태를 유지하여 상하 이동할 수 있도록 되어 있다.The other end of the arm 62 is connected to the shielding plate holding mechanism 65 via the connecting pin 65a. The connection pin 65a is provided in a direction orthogonal to the central axis R, similarly to the above-described tiltable member 61a. A rotating bearing (not shown) is interposed between the connecting portion of the connecting pin 65a and the arm 62, and the connecting portion between the connecting pin 65a and the shielding plate holding mechanism 65, When the arm 62 is pivoted by the operation of the arm 61, the shield plate 63 can move up and down while maintaining a horizontal state.

도 3에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63)은, 중앙에 중심축(Q)을 축으로 하는 원형의 노즐 개구(63a)를 갖는 원반형의 부재이다. 이 차폐판(63)의 직경은, 예컨대, 기판(W)과 거의 동직경의 크기로 되어 있다. 또한, 기판(W)의 크기보다 약간 크게 하여도 좋지만, 본 실시형태에 있어서, 차폐판(63)의 직경은, 기판(W)의 직경보다 약간 작게 하고 있다. 이것은, 차폐판(63)과 기판(W)의 거리를 좁혔을 때에, 차폐판(63)이 지지핀(23)에 간섭하는 것을 방지하기 위해서이다. 차폐판(63)은, 차폐판 회전 기구(64)의 하단부에 있는 접속 플레이트(64d)에 나사(도시하지 않음)에 의해 고정되어 있다.As shown in Fig. 3, the shielding plate 63 is a disc-shaped member having a circular nozzle opening 63a whose center is the axis Q at the center. The diameter of the shielding plate 63 is, for example, substantially the same as the diameter of the substrate W. [ The diameter of the shielding plate 63 is slightly smaller than the diameter of the substrate W in the present embodiment. This is to prevent the shield plate 63 from interfering with the support pin 23 when the distance between the shield plate 63 and the substrate W is narrowed. The shield plate 63 is fixed to the connection plate 64d at the lower end of the shield plate rotating mechanism 64 by screws (not shown).

차폐판 회전 기구(64)는, 회전체(64a)와, 본체(64b)와, 모터부(64c)와, 접속 플레이트(64d)를 가지고 구성되어 있다. 회전체(64a)와 본체(64b)에 내부에는, 중심축(Q)을 중심으로, 단면 원형의 기체 공급 노즐(73)이 형성되어 있다. 이 기체 공급 노즐(73)의 일단은, 노즐 개구(63a)에 연통되어 있다. 본체(64b)의 측벽측에는, 기체 공급구(70)가 마련되며, 기체 도입로(71)의 일단에 접속된다. 기체 도입로(71)의 타단은, 기체 공급 노즐(73)에 접속되며, 기체 공급구(70)로부터 기체(G)가 공급되면, 그 기체(G)는, 노즐 개구(63a)로부터 기판(W)을 향하여 공급된다. 또한, 기체 공급 노즐(73)의 내부에는, 처리액(P)(예컨대, IPA: 이소프로필알코올)을 기판(W)의 표면에 분사하는 처리액 공급 노즐(67)이, 중심축(Q)을 따라 형성되어 있다. 이 처리액 공급 노즐(67)의 일단은, 차폐판 유지 기구(65)를 관통하여, 처리액 도입부(66)에 접속된다. 처리액 공급 노즐(67)의 타단은, 노즐 토출구(68)를 형성한다. 이 노즐 토출구(68)는, 노즐 개구(63a)의 중앙에 위치하고 있다. 또한, 처리액 공급 노즐(67)은, 기체 공급 노즐(73)과 노즐 개구(63a)와 마찬가지로, 중심축(Q)을 축으로 하여 단면은 원형상으로 형성되어 있다. 회전체(64a)는, 상부가 볼록형의 형상으로 되어 있고, 중앙에는, 개구부(64f)가 마련되어 있다. 이 볼록형의 형상에 대응하도록, 본체(64b)의 하부는 오목형으로 형성되어 있고, 볼록형 부분과 오목형 부분의 대향면 사이에는, 간극이 형성되도록 되어 있다. 본체(64b)의 중앙부는, 기체 공급 노즐(73)을 둘러싸도록 형성된 돌출부(64g)가 마련되어 있다. 이 돌출부(64g)는, 개구부(64f)에 삽입된다. 개구부(64f)의 내주면과 돌출부(64g)의 외주면 사이에는, 간극이 형성되도록 되어 있다. 이 간극에는, 베어링(64e)이 마련되고, 회전체(64a)는, 본체(64b)에 의해 비접촉으로 지지되고 있다. 이 베어링(64e)은, 예컨대, 회전 베어링이다.The shield plate rotating mechanism 64 includes a rotating body 64a, a main body 64b, a motor portion 64c, and a connecting plate 64d. A gas supply nozzle 73 having a circular cross section around the center axis Q is formed in the rotating body 64a and the main body 64b. One end of the gas supply nozzle 73 communicates with the nozzle opening 63a. A gas supply port 70 is provided on the side wall of the main body 64b and is connected to one end of the gas introduction path 71. The other end of the gas introduction path 71 is connected to the gas supply nozzle 73. When the gas G is supplied from the gas supply port 70, the gas G is discharged from the nozzle opening 63a to the substrate W). A processing liquid supply nozzle 67 for jetting the processing liquid P (for example, IPA: isopropyl alcohol) onto the surface of the substrate W is provided inside the gas supply nozzle 73, As shown in FIG. One end of the processing liquid supply nozzle 67 passes through the shielding plate holding mechanism 65 and is connected to the processing liquid introducing portion 66. The other end of the process liquid supply nozzle 67 forms a nozzle discharge port 68. The nozzle discharge opening 68 is located at the center of the nozzle opening 63a. Like the gas supply nozzle 73 and the nozzle opening 63a, the treatment liquid supply nozzle 67 is formed in a circular shape in cross section with the center axis Q as an axis. The rotating body 64a has an upward convex shape and an opening 64f at the center thereof. The lower portion of the main body 64b is concave so as to correspond to the convex shape, and a gap is formed between the convex portion and the opposite surface of the concave portion. A protrusion 64g formed to surround the gas supply nozzle 73 is provided at the center of the main body 64b. The protrusion 64g is inserted into the opening 64f. A gap is formed between the inner peripheral surface of the opening 64f and the outer peripheral surface of the projection 64g. A bearing 64e is provided in this gap, and the rotating body 64a is held in a noncontact manner by the main body 64b. The bearing 64e is, for example, a rotary bearing.

개구부(64f)의 내주면과 돌출부(64g)의 외주면 사이에 형성되는 간극에는, 모터부(64c)가 설치되어 있다. 예컨대, 돌출부(64g)의 외주면에는, 모터부(64c)의 스테이터에 상당하는 복수의 코일(64h)이 고정하여 마련되고, 개구부(64f)의 내주면에는, 모터부(64c)의 회전자에 상당하는 영구 자석(64i)이 고정하여 마련된다. 영구 자석(64i)은, 소정 각도마다 극성이 반전하도록 링형을 이루며, 더구나 코일(64h)에 대향하여 배치된다. 따라서, 코일(64h)에 전류를 흘리면, 영구 자석(64i)과 일체로 회전체(64a) 및 차폐판(63)이 중심축(Q)을 축으로 회전한다.A motor portion 64c is provided in the gap formed between the inner peripheral surface of the opening 64f and the outer peripheral surface of the projecting portion 64g. For example, a plurality of coils 64h corresponding to the stator of the motor portion 64c are fixedly provided on the outer peripheral surface of the protruding portion 64g, and an inner peripheral surface of the opening portion 64f is provided with The permanent magnets 64i are fixed. The permanent magnets 64i are ring-shaped so as to invert the polarities at predetermined angles, and are arranged to face the coils 64h. Therefore, when a current is supplied to the coil 64h, the rotating body 64a and the shielding plate 63 rotate together with the permanent magnet 64i about the central axis Q.

차폐판 유지 기구(65)는, 아암(62)과 본체(64b)를 잇는 부재이며, 본체(64b)의 상부에 고정하여 마련되어 있다. 이 차폐판 유지 기구(65)의 중앙에는, 접속핀(65a)을 삽입할 수 있는 구멍(도시하지 않음)이 마련되어 있다.The shield plate holding mechanism 65 is a member connecting the arm 62 and the main body 64b and is fixed to the upper portion of the main body 64b. A hole (not shown) capable of inserting the connection pin 65a is provided at the center of the shielding plate holding mechanism 65.

차폐판 유지 기구(65)의 상부에는, 처리액 도입부(66)가 마련되어 있다. 이 처리액 도입부(66)의 일단은, 차폐판 유지 기구(65)의 내부를 관통하는 처리액 공급 노즐(67)에 접속되어 있다. 또한, 처리액 도입부(66)의 타단에는, 기액 공급 유닛(10a)으로부터 처리액(P)을 공급하는 공급관(도시하지 않음)이 접속되어 있다. 차폐판 승강 기구(61)와 차폐판 회전 기구(64)는, 제어 유닛(10b)에 전기적으로 접속되어 있다. 제어 유닛(10b)에 의해, 차폐판(63)의 승강 및 회전이 제어된다.At the upper portion of the shielding plate holding mechanism 65, a processing liquid introducing portion 66 is provided. One end of the treatment liquid introducing portion 66 is connected to a treatment liquid supply nozzle 67 penetrating the inside of the shielding plate holding mechanism 65. A supply pipe (not shown) for supplying the process liquid P from the gas-liquid supply unit 10a is connected to the other end of the process liquid introduction unit 66. [ The shield plate lifting mechanism 61 and the shield plate rotating mechanism 64 are electrically connected to the control unit 10b. The control unit 10b controls the ascending and descending of the shield plate 63 and the rotation thereof.

다음에, 기판 처리 동작을 설명한다. 먼저, 기판(W)이 기판 수납 케이스(2)로부터 반송 로보트(4)에 의해 취출된다. 반송 로보트(4)는, 필요에 따라 반송 가이드 레일(5)을 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 버퍼대(6)에 반입한다. 혹은, 반송 로보트(4)는, 반송 가이드 레일(5)을 따라 이동하지 않고 선회만 하여 기판(W)을 버퍼대(6)에 반입한다. 그 후, 버퍼대(6)에 반입된 기판(W)은, 반송 로보트(7)에 의해 취출된다. 반송 로보트(7)는, 필요에 따라 원하는 처리실(9)의 부근까지, 반송 가이드 레일(8)을 따라 이동하고, 정지 장소에서 선회하여 기판(W)을 원하는 처리실(9)에 반입한다. 혹은, 반송 로보트(7)는, 반송 가이드 레일(8)을 따라 이동하지 않고 선회만 하여 원하는 처리실(9)에 반입한다. 이때, 처리실(9)의 셔터는 개방되어 있다.Next, the substrate processing operation will be described. First, the substrate W is taken out from the substrate storage case 2 by the transport robot 4. Then, The transport robot 4 moves along the transport guide rail 5 as necessary and turns in the stopping position to carry the substrate W into the buffer table 6. [ Alternatively, the transport robot 4 carries the substrate W to the buffer table 6 by turning only without moving along the transport guide rail 5. Thereafter, the substrate W carried into the buffer base 6 is taken out by the carrying robot 7. [ The transport robot 7 moves along the transport guide rail 8 to the vicinity of the desired processing chamber 9 as needed and turns the substrate W at a stopping position to transport the substrate W into a desired processing chamber 9. [ Alternatively, the transport robot 7 does not move along the transport guide rail 8 but merely swings to bring it into the desired processing chamber 9. [ At this time, the shutter of the treatment chamber 9 is opened.

처리실(9)에 반입된 기판(W)은, 스핀 유지 기구(21)에 의해 유지된다. 이때, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 상측컵(30a∼30c)은, 하강된 상태로 되어 있다. 또한, 차폐 기구(60)의 차폐판(63)은, 대기 위치(도 4 중에 부호 T1로 나타내는 위치)에 위치시킨다. 이 대기 위치는, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 스핀 유지 기구(21)의 상방으로서, 반송 로보트(7)에 의해 처리실(9)에 기판(W)을 반입할 때, 기판(W)의 반입을 방해하는 일이 없는 위치를 말한다. 그 후, 반송 로보트(7)는, 처리실(9)로부터 후퇴하고, 셔터가 폐쇄된다.The substrate W carried into the treatment chamber 9 is held by the spin holding mechanism 21. [ At this time, as shown in Fig. 4 (a), the upper cups 30a to 30c are in a lowered state. Further, the shielding plate 63 of the shielding mechanism 60 is positioned at a standby position (position indicated by T1 in Fig. 4). 4 (a), when the substrate W is carried into the processing chamber 9 by the transport robot 7 above the spin holding mechanism 21, the substrate W ) That are not obstructing the bring-in. Thereafter, the transport robot 7 retreats from the process chamber 9, and the shutter is closed.

다음에, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 상측컵(30b)과 상측컵(30c)은, 상하 구동 기구에 의해 상승한다. 스핀 유지 기구(21)에 의해 유지된 기판(W)은, 회전 기구(24)에 의해 저속(예컨대, 500 rpm)으로 회전한다. 기판(W)의 회전과 동시에, 제1 노즐 이동 기구(53)로부터 제1 노즐(52)이, 기판(W)의 중앙까지 이동한다.Next, as shown in Fig. 4B, the upper cup 30b and the upper cup 30c are raised by the up-and-down driving mechanism. The substrate W held by the spin holding mechanism 21 is rotated at a low speed (for example, 500 rpm) by the rotating mechanism 24. [ The first nozzle 52 moves from the first nozzle moving mechanism 53 to the center of the substrate W simultaneously with the rotation of the substrate W.

기체 공급구(70)로부터 기체(G)가 공급되고, 기체 공급 노즐(73)로부터 기체(G)가 분사된다. 이 기체(G)는, 후술하는 바와 같이, 기판(W)의 표면에 공급되는 처리액(L)이나 처리액(S)이, 기판(W)의 표면에서 액이 튐으로써, 노즐 개구(63a)나 노즐 토출구(68)에 들어가는 것을 저지하기 위해 실행된다. 또한, 기체의 분사량으로서는, 예컨대, 매분 50 리터 정도이다. 또한 후술하는 바와 같이, 이 상태에서의 기체 공급 노즐(73)로부터의 기체(G)의 공급은, 도 4의 (g) 직전, 즉, 차폐판(63)이 건조 처리 위치(T3)에 위치되기 직전까지 계속된다.The gas G is supplied from the gas supply port 70 and the gas G is injected from the gas supply nozzle 73. The substrate G is a substrate G which is formed by laminating the processing liquid L and the processing liquid S supplied to the surface of the substrate W from the surface of the substrate W as shown in Fig. ) Or the nozzle discharge opening (68). The amount of gas injected is, for example, about 50 liters per minute. As described later, supply of the gas G from the gas supply nozzle 73 in this state is performed immediately before the gantry G in FIG. 4 (g), that is, when the shielding plate 63 is positioned at the drying processing position T3 It continues until just before becoming.

다음에, 제1 노즐(52)로부터, 기판(W)의 표면의 중앙에 처리액(L)이 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 부착된 파티클이 제거된다. 이 처리액(L)은, 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 외주를 향하여 퍼져, 기판(W)의 외주로부터 비산한다. 기판(W)으로부터 비산한 처리액(L)은, 상승한 상측컵(30b)의 내주면에 충돌하고, 이 내주면을 따라 배출구(32b)를 향하여 흘러내린다. 흘러내린 처리액(L)은, 배출구(32b)에 접속된 배출관을 통하여 회수된다.Next, the processing liquid L is supplied from the first nozzle 52 to the center of the surface of the substrate W. Thereby, the particles attached to the surface of the substrate W are removed. This treatment liquid L spreads toward the outer periphery of the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W and scattered from the outer periphery of the substrate W. The treatment liquid L scattered from the substrate W collides with the inner peripheral surface of the raised upper cup 30b and flows down along the inner peripheral surface toward the discharge port 32b. The process liquid L flowing down is recovered through a discharge pipe connected to the discharge port 32b.

또한, 기판(W)에 표면에 처리액(L)이 공급되고 있을 때, 차폐 기구(60)의 차폐판(63)은, 대기 위치(T1)에 위치시킨 채로, 차폐판 회전 기구(64)에 의해 차폐판(63)이 회전한다. 차폐판(63)의 회전수는, 고정된 회전수(예컨대, 500 rpm)이다. 회전 방향은, 기판(W)과 동일한 방향으로 회전한다. 이 차폐판(63)의 회전에 의해, 기판(W)의 표면에 있어서의 처리액(L)의 액 튐에 의해, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면에 부착된 처리액(L)의 액적을, 원심력에 의해 털어 제거한다. 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면에 부착된 처리액(L)의 액적을 제거함으로써, 차폐판(63)으로부터 기판(W)의 표면에 처리액(L)의 액적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 차폐판(63)의 기판(W)에 대한 면에 부착된 처리액(L)의 액적을 그대로 두면, 고화하여 파티클의 원인이 될 수 있는데, 이것도 저지할 수 있다.The shielding plate 63 of the shielding mechanism 60 is positioned at the standby position T1 and is shielded by the shield plate rotating mechanism 64 when the processing liquid L is supplied to the surface of the substrate W. [ The shield plate 63 is rotated. The number of revolutions of the shield plate 63 is a fixed number of revolutions (for example, 500 rpm). The rotation direction rotates in the same direction as the substrate W. By the rotation of the shielding plate 63, the treatment liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W is removed by the liquid of the treatment liquid L on the surface of the substrate W (L) is removed by centrifugal force. The droplet of the processing liquid L drops from the shielding plate 63 onto the surface of the substrate W by removing the droplet of the processing liquid L adhered to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W Can be suppressed. If the liquid level of the treatment liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 with respect to the substrate W is kept unchanged, it may solidify and cause particles, which can also be prevented.

또한, 제1 노즐(52)로부터 기판(W)의 표면에 처리액(L)이 공급됨과 동시에, 기판(W)의 이면을 향하여, 하부 처리액 노즐(48)로부터 처리액(L)이 공급된다. 이에 의해, 기판(W)의 이면에 부착된 파티클이 제거된다. 기판(W)의 이면에 공급된 처리액(L)은, 기판(W)의 외주로 퍼져, 기판(W)의 이면의 외주로부터 비산한다. 이 기판(W)의 이면의 외주로부터 비산한 처리액(L)은, 상승한 상측컵(30b)의 내주면에 충돌하고, 이 내주면을 따라 배출구(32b)를 향하여 흘러내린다. 적하된 처리액(L)은, 배출구(32b)에 접속된 배출관을 통하여 회수된다. 또한, 처리액(L)의 공급 시간은, 미리 설정된 시간으로서, 본 실시형태에서는, 예컨대, 10초이다.The process liquid L is supplied from the first nozzle 52 to the surface of the substrate W and the process liquid L is supplied from the lower process liquid nozzle 48 toward the back surface of the substrate W do. Thereby, the particles attached to the back surface of the substrate W are removed. The processing liquid L supplied to the back surface of the substrate W spreads on the outer periphery of the substrate W and scattered from the outer periphery of the back surface of the substrate W. [ The processing liquid L scattered from the outer periphery of the back surface of the substrate W collides with the inner peripheral surface of the raised upper cup 30b and flows down along the inner peripheral surface toward the discharge port 32b. The dripped process liquid L is recovered through a discharge pipe connected to the discharge port 32b. The supply time of the process liquid L is a preset time, for example, 10 seconds in the present embodiment.

미리 설치된 시간이 경과하면, 제1 노즐(52) 및 하부 처리액 노즐(48)로부터의 처리액(L)의 공급이 정지된다. 제1 노즐 이동 기구(53)에 의해, 제1 노즐(52)을 후퇴 위치로 이동시킨다.The supply of the process liquid L from the first nozzle 52 and the lower process liquid nozzle 48 is stopped. The first nozzle moving mechanism 53 moves the first nozzle 52 to the retreat position.

다음에, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 상측컵(30c)이 상승한 채로, 상측컵(30b)이 상하 구동 기구에 의해 하강된다. 제2 노즐 이동 기구(55)에 의해, 제2 노즐(54)이 기판(W)의 중앙 부근까지 이동된다. 그리고, 제2 노즐(54)로부터 미스트형의 처리액(S)이 기판(W)의 표면에 공급됨과 동시에, 제2 노즐 이동 기구(55)에 의해, 제2 노즐(54)이 기판(W)의 중심과 기판(W)의 외주 사이를 왕복하면서 요동한다. 또한, 기판(W)의 표면에 미스트형의 처리액(S)이 공급됨과 동시에, 하부 처리액 노즐(48)로부터 처리액(S)이 기판(W)의 이면을 향하여 공급된다. 또한, 하부 처리액 노즐(48)로부터는, 액형의 처리액(S)이 공급된다. 이 처리액(S)에 의해, 기판(W)에 부착되는 산화물을 포함하는 파티클이 제거된다. 또한, 여기서의 처리액(S)의 공급은, 미리 설정된 시간으로서, 본 실시형태에서는, 예컨대, 30초이다.Next, as shown in Fig. 4C, while the upper cup 30c is lifted, the upper cup 30b is lowered by the up-and-down driving mechanism. The second nozzle 54 is moved to the vicinity of the center of the substrate W by the second nozzle moving mechanism 55. [ The mist-like treatment liquid S is supplied from the second nozzle 54 to the surface of the substrate W and the second nozzle 54 is moved by the second nozzle moving mechanism 55 to the surface of the substrate W And the outer periphery of the substrate W. The mist-like treatment liquid S is supplied to the surface of the substrate W and the treatment liquid S is supplied from the lower treatment liquid nozzle 48 toward the back surface of the substrate W. [ From the lower treatment liquid nozzle 48, a liquid treatment liquid S is supplied. Particles containing an oxide adhered to the substrate W are removed by this treatment liquid (S). Here, the supply of the treatment liquid S here is a preset time, for example, 30 seconds in the present embodiment.

또한, 기판(W)의 표면에 처리액(S)이 공급되고 있을 때도, 차폐판(63)은, 대기 위치(T1)에서 회전하고 있다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 공급된 처리액(S)의 액 튐에 의해, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향한 면에 부착된 처리액(S)의 액적을, 원심력에 의해 털어, 제거할 수 있다. 이에 의해, 처리액(S)의 액적이, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면으로부터 기판(W)의 표면에 낙하하는 것을 저지할 수 있다. 또한, 차폐판(63)의 기판(W)에 대한 면에 부착된 처리액(S)의 액적을 그대로 두면, 고화하여 파티클의 원인이 될 수 있는데, 이것도 저지할 수 있다.The shielding plate 63 is rotating at the standby position T1 even when the process liquid S is being supplied to the surface of the substrate W. [ The droplets of the treatment liquid S adhered to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W can be reliably removed by the liquid of the treatment liquid S supplied to the surface of the substrate W, And can be removed. This makes it possible to prevent the droplets of the treatment liquid S from falling on the surface of the substrate W from the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W. [ Further, if the liquid level of the treatment liquid S adhering to the surface of the shield plate 63 with respect to the substrate W remains unchanged, it may solidify and cause particles, which can also be prevented.

기판(W)에 공급된 미스트형의 처리액(S)은, 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)의 외주로부터 비산한다. 비산한 미스트형의 처리액(S)은, 상승한 상측컵(30c)의 내주면에 충돌하고, 이 내주면을 따라 배출구(32c)를 향하여 적하된다. 적하된 미스트형의 처리액(S)는, 배출구(32c)를 통하여 회수된다. 또한, 기판(W)의 이면에 공급된 처리액(S)도, 기판(W)의 이면의 외주로부터 비산하여, 상승한 상측컵(30c)에 회수된다.The mist-like treatment liquid S supplied to the substrate W is scattered from the outer periphery of the substrate W by the rotation of the substrate W. The scattered mist-like treatment liquid S impinges on the inner peripheral surface of the raised upper cup 30c, and is dropped along the inner peripheral surface toward the discharge port 32c. The dropped mist-like treatment liquid S is recovered through the discharge port 32c. The treatment liquid S supplied to the back surface of the substrate W is also scattered from the outer periphery of the back surface of the substrate W and collected in the raised upper cup 30c.

미리 설정된 시간이 경과하면, 제2 노즐(54)로부터의 미스트형의 처리액(S)의 공급과 하부 처리액 노즐(48)로부터의 처리액(S)의 공급이 정지된다. 그리고, 제2 노즐(54)은, 제2 노즐 이동 기구(55)에 의해 후퇴 위치로 이동된다.Supply of the mist-like processing liquid S from the second nozzle 54 and supply of the processing liquid S from the lower processing liquid nozzle 48 are stopped when a predetermined time elapses. Then, the second nozzle 54 is moved to the retracted position by the second nozzle moving mechanism 55. Then,

도 4의 (d)에 나타내는 바와 같이, 상측컵(30b)과 상측컵(30c)은, 도 4의 (c)에서의 처리와 마찬가지로 하강하고, 상측컵(30c)이 상승한 상태이다. 제1 노즐 이동 기구(53)에 의해, 후퇴 위치로부터 제1 노즐(52)이 기판(W)의 중앙으로 이동된다. 또한, 기판(W)의 회전 속도가 고속(예컨대, 1000 rpm)으로 회전한다. 그리고, 제1 노즐(52)로부터 기판(W)의 표면의 중앙에 처리액(L)이 공급됨과 동시에, 하부 처리액 노즐(48)로부터 기판(W)의 이면을 향하여 처리액(L)이 공급된다. 이에 의해, 이전 공정에서 처리된 기판(W)의 표면에 부착된 미스트형의 처리액(S)과 기판(W)의 이면에 부착된 처리액(S)이, 처리액(L)에 의해 씻겨진다. 또한, 기판(W)의 회전 속도가 고속이 됨으로써, 처리액(S)의 배출을 향상시킬 수 있다.As shown in Fig. 4 (d), the upper cup 30b and the upper cup 30c are lowered similarly to the process in Fig. 4 (c), and the upper cup 30c is in a raised state. The first nozzle 52 is moved from the retracted position to the center of the substrate W by the first nozzle moving mechanism 53. [ Further, the rotation speed of the substrate W is rotated at a high speed (for example, 1000 rpm). The processing liquid L is supplied to the center of the surface of the substrate W from the first nozzle 52 and the processing liquid L is supplied from the lower processing liquid nozzle 48 toward the back surface of the substrate W . Thereby, the mist-like treatment liquid S adhered to the surface of the substrate W processed in the previous process and the treatment liquid S adhered to the back surface of the substrate W are washed away by the treatment liquid L Loses. In addition, since the rotation speed of the substrate W is high, the discharge of the treatment liquid S can be improved.

이 처리액(L)은, 기판(W)의 표면의 외주 및 기판(W)의 이면의 외주로부터 비산하여, 상측컵(30c)의 내주면에 충돌하고, 그 내주면을 따라, 배출구(32c)를 향하여 적하된다. 그리고, 배출관을 통하여 회수된다.The treatment liquid L is scattered from the outer periphery of the surface of the substrate W and the outer periphery of the back surface of the substrate W to collide against the inner peripheral surface of the upper cup 30c and the discharge port 32c Lt; / RTI > Then, it is recovered through a discharge pipe.

또한, 차폐판(63)의 회전도 대기 위치(T1)에서 계속되고 있고, 기판(W)의 표면에 공급되고 있는 처리액(L)의 액 튐에 의해, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면에 부착된 처리액(L)을, 제거할 수 있다. 이에 의해, 차폐판(63)으로부터 기판(W)의 표면에 처리액(L)의 액적이 낙하하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 차폐판(63)의 기판(W)에 대한 면에 부착된 처리액(L)의 액적을 그대로 두면, 고화하여 파티클의 원인이 될 수 있는데, 이것도 저지할 수 있다.The rotation of the shielding plate 63 also continues at the standby position T1 and the liquid W of the processing liquid L supplied to the surface of the substrate W causes the substrate W of the shielding plate 63 The processing liquid L adhered to the surface of the substrate W facing the substrate W can be removed. This makes it possible to suppress drop of the droplets of the processing liquid L from the shielding plate 63 onto the surface of the substrate W. [ If the liquid level of the treatment liquid L adhering to the surface of the shielding plate 63 with respect to the substrate W is kept unchanged, it may solidify and cause particles, which can also be prevented.

또한, 이 처리액(L)의 공급 시간은, 미리 설정된 시간으로서, 본 실시형태에서는, 10초이다.The supply time of the process liquid L is a preset time, which is 10 seconds in the present embodiment.

다음에, 미리 설정된 시간이 경과하면, 제1 노즐(52) 및 하부 처리액 노즐(48)로부터의 처리액(L)의 공급이 정지된다. 그리고, 제1 노즐 이동 기구(53)에 의해, 제1 노즐(52)이 후퇴 위치로 이동된다.Next, when a predetermined time has elapsed, the supply of the process liquid L from the first nozzle 52 and the lower process liquid nozzle 48 is stopped. Then, the first nozzle moving mechanism 53 moves the first nozzle 52 to the retracted position.

도 4의 (e)에 나타내는 바와 같이, 상측컵(30a∼30b)이 상하 구동 기구에 의해 상승하고, 기판(W)의 회전 속도가 저속(예컨대, 10 rpm)으로 회전한다. 그리고, 차폐판(63)이 차폐판 승강 기구(61)에 의해 처리액 공급 위치[도 4의 (f) 중에 부호 T2로 나타내는 위치]까지 하강하여, 기판(W)에 근접한다. 이 하강과 함께, 처리액 공급 노즐(67)로부터 처리액(P)이 기판(W)의 표면에 공급된다. 처리액(P)의 공급은, 도 4의 (f)에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63)의 하강 개시와 동시에 개시하여도 좋고, 하강의 도중 단계에서 시작하도록 하여도 좋다.The upper cups 30a to 30b are raised by the up-down driving mechanism and the rotation speed of the substrate W is rotated at a low speed (for example, 10 rpm) as shown in Fig. 4 (e). Then, the shielding plate 63 is lowered to the process liquid supply position (the position indicated by symbol T2 in FIG. 4 (f)) by the shield plate lifting mechanism 61 and approaches the substrate W. The processing liquid P is supplied from the processing liquid supply nozzle 67 to the surface of the substrate W. [ As shown in Fig. 4 (f), the supply of the treatment liquid P may be started simultaneously with the start of the descent of the shielding plate 63, or may be started in the middle of the descent.

다음에, 차폐 기구(60)의 하강이 종료[도 4의 (f)]한다. 또한, 차폐 기구(60)가 처리액 공급 위치(T2)에 위치된 후도, 처리액(P)의 공급은, 미리 설정한 시간 내(예컨대, 3초)에서 계속된다. 처리액 공급 위치(T2)는, 기판(W)의 표면으로부터 차폐판(63)까지의 거리가, 처리액 공급 노즐(67)로부터 공급되는 처리액(P)이 기판(W)의 표면으로부터 튀어 올라도, 컵체(30)를 넘어 비산하지 않을 정도의 거리가 되는 위치이다. 또한, 처리액(P)을 공급하고 있는 동안도 기체 공급 노즐(73)로부터 기체(G)의 공급이 계속된다.Then, the lowering of the shielding mechanism 60 is terminated (Fig. 4 (f)). Further, even after the shielding mechanism 60 is positioned at the processing liquid supply position T2, the supply of the processing liquid P continues at a preset time (for example, 3 seconds). The processing liquid supply position T2 is a position where the distance from the surface of the substrate W to the shield plate 63 is set so that the processing liquid P supplied from the processing liquid supply nozzle 67 protrudes from the surface of the substrate W It is a position where the distance from the cup body 30 is such that it does not scatter over the cup body 30. The supply of the gas G from the gas supply nozzle 73 is continued while the process liquid P is being supplied.

기판(W)에 공급된 처리액(P)은, 이전 공정에서 기판(W)의 표면에 공급된 처리액(L)을 흘러가게 한다. 그리고, 기판(W)의 표면은, 처리액(L)으로부터 처리액(P)으로 치환된다. 이때, 흘러가게 된 처리액(L)과 함께, 공급된 처리액(P)은, 회전하는 기판(W)의 원심력에 의해, 기판(W)의 표면의 외주로부터 비산하여, 상측컵(30a)의 내주면에 충돌하고, 상측컵(30a)의 내주면을 따라, 배출구(32a)를 향하여 적하된다. 그리고, 배출관을 통하여 회수된다.The treatment liquid P supplied to the substrate W causes the treatment liquid L supplied to the surface of the substrate W to flow in a previous step. Then, the surface of the substrate W is replaced with the process liquid (P) from the process liquid (L). At this time, the supplied processing liquid P is scattered from the outer periphery of the surface of the substrate W by the centrifugal force of the rotating substrate W, so that the processing liquid P supplied to the upper cup 30a, And is dropped along the inner peripheral surface of the upper cup 30a toward the discharge port 32a. Then, it is recovered through a discharge pipe.

처리액 공급 위치(T2)에 있어서의 처리액(P)의 공급이 종료하면, 도 4의 (g)에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63)은, 건조 처리 위치(도 4 중에 부호 T3으로 나타내는 위치)까지 하강하여, 더욱 기판(W)에 근접한다. 차폐판(63)이 건조 처리 위치(T3)에 위치되면, 기체 공급 노즐(73)로부터 토출되는 기체(G)의 유량이 증량(예컨대, 매분 250 리터)하여, 차폐판(63)과 기판(W) 사이의 공간을 기체(G)로 채운다. 이에 의해, 기판(W)의 표면 부근의 공기를 적게 할 수 있기 때문에, 기판(W)의 표면 부근에 있어서의 워터 마크의 발생의 원인이 되는 산소를 차단할 수 있다. 이때의 기판(W)의 회전은, 고속(예컨대, 1000 rpm)으로 회전한다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 존재하는 처리액(P)이, 고속 회전에 의해 기판(W)에 따른 원심력으로 털어진다. 이와 같이 기판(W)의 건조 처리가 실행된다. 기판(W)의 주변으로부터 상측컵(30a)의 내주면에 비산한 처리액(P)은, 상측컵(30a)의 내주면을 따라, 배출구(32a)를 향하여 적하된다. 그리고, 배기관을 통하여 회수된다. 또한, 기판(W)의 표면에 기체(G)가 공급됨과 동시에, 기판(W)의 이면을 향하여, 하부 기체용 노즐(50)로부터 기체(G)가 공급된다. 건조 처리는, 미리 설정된 시간 내에서 행해지고, 예컨대, 10초이다.4 (g), when the supply of the processing liquid P is completed at the processing liquid supply position T2, the shielding plate 63 is moved to the drying processing position (indicated by T3 in Fig. 4) Position), and is closer to the substrate W. When the shielding plate 63 is positioned at the drying processing position T3, the flow rate of the gas G discharged from the gas supply nozzle 73 increases (for example, 250 liters per minute) W is filled with the gas G. As a result, the amount of air in the vicinity of the surface of the substrate W can be reduced, so that oxygen which causes the occurrence of watermarks in the vicinity of the surface of the substrate W can be blocked. At this time, the rotation of the substrate W is rotated at a high speed (for example, 1000 rpm). Thereby, the treatment liquid P present on the surface of the substrate W is shaken by centrifugal force along the substrate W by high-speed rotation. Thus, the drying process of the substrate W is performed. The processing liquid P scattered from the periphery of the substrate W to the inner peripheral surface of the upper cup 30a is dropped toward the discharge port 32a along the inner peripheral surface of the upper cup 30a. Then, it is recovered through the exhaust pipe. The substrate G is supplied to the surface of the substrate W and the substrate G is supplied from the lower gas nozzle 50 toward the back surface of the substrate W. [ The drying treatment is performed within a predetermined time, for example, 10 seconds.

다음에, 설정된 건조 처리의 시간이 경과하면, 기판(W)의 회전 및 차폐판(63)의 회전이 정지되고, 기체(G)의 공급도 정지된다. 그리고, 도 4의 (h)에 나타내는 바와 같이, 상측컵(30a∼30c)이 상하 구동 기구에 의해 하강하고, 차폐판(63)이 차폐판 승강 기구(61)에 의해, 대기 위치(T1)까지 상승한다.Next, when the set drying time has elapsed, the rotation of the substrate W and the rotation of the shielding plate 63 are stopped, and the supply of the base body G is also stopped. 4 (h), the upper cups 30a to 30c are lowered by the up-and-down driving mechanism and the shield plate 63 is moved to the standby position T1 by the shield plate lifting mechanism 61, .

다음에, 도 4의 (i)에 나타내는 바와 같이, 기판(W)가 지지핀(23)에 의한 유지가 개방되어, 반송 로보트(7)에 의해, 처리실(9)로부터 반출된다.4 (i), the holding of the substrate W by the support pin 23 is released, and the wafer W is carried out of the processing chamber 9 by the carrying robot 7. [

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 따르면, 기판(W)의 표면에 처리액(L) 및 처리액(S)을 공급하고 있을 때, 대기 위치(T1)에 있어서, 차폐 기구(60)의 차폐판(63)을 회전시키도록 하였다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 공급된 처리액(L) 및 처리액(S)이, 기판(W)의 표면 상에서의 액 튐에 의해 액적이 되어 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면에 부착하여도, 차폐판(63)의 회전에 의한 원심력에 의해, 차폐판(63)이 처리액 공급 위치(T2)로 하강하기 전단계에서, 불어서 날려 제거할 수 있다. 따라서, 건조 처리를 위해 차폐판(63)을 기판(W)에 근접시킬 때, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면으로부터 기판(W)의 표면에 처리액(L)이나 처리액(S)의 액적이 낙하하여 부착하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 기판(W)의 품질 불량을 억제할 수 있다. 특히, 기판(W)의 피처리면에 있어서의 워터 마크의 발생을 방지할 수 있다. 이에 의해, 처리액을 이용한 기판에 대한 처리를, 양호하게 행할 수 있다.As described above, according to the first embodiment, when the processing liquid L and the processing liquid S are supplied to the surface of the substrate W, The shield plate 63 is rotated. Thereby, the processing liquid L and the processing liquid S supplied to the surface of the substrate W become liquid droplets by the liquid on the surface of the substrate W, The shielding plate 63 can be blown away and blown off in the previous stage before descending to the process liquid supply position T2 by the centrifugal force due to the rotation of the shielding plate 63. [ Therefore, when the shielding plate 63 is brought close to the substrate W for the drying treatment, the surface of the substrate W from the surface of the shielding plate 63 opposed to the substrate W is treated with the treatment liquid L, It is possible to suppress the droplet of the liquid S from dropping and adhering to the substrate W, thereby making it possible to suppress the quality defect of the substrate W. [ In particular, it is possible to prevent the occurrence of watermarks on the surface of the substrate W to be processed. As a result, the substrate can be favorably treated with the treatment liquid.

또한, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면에 처리액(L이나 S)이 부착되지 않은 상태로, 처리액 공급 노즐(67)로부터 처리액(P)(IPA 등)이 공급된다. 따라서, 기판(W) 상의 처리액(L)을 효율적으로 IPA 등의 처리액(P)으로 치환 처리할 수 있다.The processing liquid P (IPA or the like) is supplied from the processing liquid supply nozzle 67 in a state in which the processing liquid L or S is not attached to the surface of the shielding plate 63 facing the substrate W do. Therefore, the treatment liquid L on the substrate W can be efficiently replaced with the treatment liquid P such as IPA.

또한, 건조 처리를 위해 차폐판(63)을 기판(W)에 접근시킬 때, 차폐판(63)의 회전을 정지하여도 좋다.The rotation of the shielding plate 63 may be stopped when the shielding plate 63 approaches the substrate W for the drying treatment.

[제2 실시형태][Second Embodiment]

제2 실시형태에 대해서 도 5를 참조하여 설명한다.The second embodiment will be described with reference to Fig.

도 5의 (a)∼(e)에 나타내는 것은, 차폐판(63)을 세정하는 차폐판 세정 공정이다. 이 공정은, 기판(W)의 처리가 완료하고, 처리실(9)로부터 기판(W)이 반출된 후로서, 미처리의 기판(W)이 처리실(9)에 반입되기 전까지 행해진다. 이 세정판 세정 공정을 실시하는 장치로서는, 제1 실시형태와 동일한 것을 사용할 수 있다.5 (a) to 5 (e) show a shield plate cleaning process for cleaning the shield plate 63. FIG. This process is performed after the processing of the substrate W is completed and the substrate W is taken out from the processing chamber 9 and the unprocessed substrate W is carried into the processing chamber 9. [ As the apparatus for performing the cleaning plate cleaning process, the same apparatus as in the first embodiment can be used.

도 5의 (a)에 나타내는 것은, 기판(W)의 처리가 완료하고, 상측컵(30a∼30c)이 하강하고, 차폐판(63)이 대기 위치(T1)까지 상승하여, 기판(W)이 반출되는 모습이다[도 4의 (i)에 나타낸 상태와 동일한 상태].5A shows that the processing of the substrate W is completed and the upper cups 30a to 30c are lowered and the shielding plate 63 is raised to the standby position T1, (The same state as that shown in Fig. 4 (i)).

기판(W)가 반출된 후, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63)이 건조 처리 위치(T3)까지 하강된다. 그 후, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63)과 스핀 유지 기구(21)가 회전한다. 여기서, 상측컵(30a∼30c)이 상하 이동기구에 의해 상승한다. 하부 처리액 노즐(48)로부터, 차폐판(63)의 기판(W)에 대향하는 면(하면)을 향하여 처리액(L)이 공급된다. 차폐판(63)에 공급된 처리액(L)은, 차폐판(63)의 회전에 의한 원심력에 의해, 차폐판(63)의 외주로부터 상측컵(30a)의 내주면에 비산하여, 회수된다.After the substrate W is taken out, the shielding plate 63 is lowered to the drying processing position T3 as shown in Fig. 5 (b). 5 (c), the shield plate 63 and the spin holding mechanism 21 are rotated. Here, the upper cups 30a to 30c are raised by the up-and-down moving mechanism. The processing liquid L is supplied from the lower processing liquid nozzle 48 toward the surface (lower surface) of the shielding plate 63 facing the substrate W. The processing liquid L supplied to the shielding plate 63 is scattered from the outer periphery of the shielding plate 63 to the inner periphery of the upper cup 30a by the centrifugal force due to the rotation of the shielding plate 63 and is recovered.

하부 처리액 노즐(48)로부터의 처리액(L)의 공급이 종료하면, 도 5의 (d)에 나타내는 바와 같이, 하부 기체용 노즐(50)로부터 기체(G)가 차폐판(63)의 하면을 향하여 공급된다. 그리고, 차폐판(63)의 하면에 부착된 처리액(L)이, 차폐판(63)의 회전과 기체(G)의 공급에 의해 제거된다. 이에 의해, 차폐판(63)의 하면을 건조할 수 있다.The supply of the processing liquid L from the lower processing liquid nozzle 48 is stopped after the supply of the processing liquid L from the lower processing liquid nozzle 48 is completed, Is supplied toward the lower surface. The processing liquid L attached to the lower surface of the shielding plate 63 is removed by the rotation of the shielding plate 63 and the supply of the substrate G. [ Thereby, the lower surface of the shielding plate 63 can be dried.

하부 기체용 노즐(50)로부터의 기체(G)의 공급이 종료하면, 도 5의 (e)에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63) 및 스핀 유지 기구(21)의 회전이 정지한다. 또한, 차폐판(63)이 대기 위치(T1)까지 상승하여, 상측컵(30a∼30c)이 하강한다.When the supply of the base G from the lower gas nozzle 50 is completed, the shield plate 63 and the spin holding mechanism 21 stop rotating as shown in Fig. 5 (e). Further, the shield plate 63 is raised to the standby position T1, and the upper cups 30a to 30c descend.

이상 설명한 바와 같이, 기판(W)이 처리실(9)로부터 반출된 후, 차폐판(63)의 하면이 세정, 건조된다. 이에 의해, 제1 실시형태와 동일한 효과를 갖는다. 또한, 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 차폐판(63)의 하면에 부착된 각 처리액의 액적을, 세정하여 제거하도록 하였기 때문에, 차폐판(63)의 세정도를 향상시킬 수 있어, 처리액을 이용한 기판에 대한 처리를, 더욱 양호하게 행할 수 있다.As described above, after the substrate W is taken out of the processing chamber 9, the lower surface of the shielding plate 63 is cleaned and dried. Thereby, the same effect as the first embodiment is obtained. In addition, since the liquid drops of each treatment liquid adhering to the lower surface of the shielding plate 63 are cleaned and removed while the substrate W is being processed, three degrees of the shielding plate 63 can be improved, The treatment for the substrate using the liquid can be performed more satisfactorily.

또한, 본 실시형태에 있어서, 차폐판(63)의 하면의 세정 처리와 건조 처리에서는, 기판(W)의 이면 처리에 이용되는, 하부 처리액 노즐(48)과 하부 기체용 노즐(50)을 겸용하고 있다. 이에 의해, 차폐판(63)의 세정이나 건조를 위해 전용 장치를 마련할 필요가 없가 때문에, 기판 처리 장치(1)의 대형화를 방지할 수 있다.In the present embodiment, in the cleaning process and the drying process of the lower surface of the shielding plate 63, the lower process liquid nozzle 48 and the lower gas nozzle 50 used for the back surface treatment of the substrate W It is also used. Thereby, it is not necessary to provide a dedicated device for cleaning or drying the shielding plate 63, thereby making it possible to prevent the substrate processing apparatus 1 from being enlarged.

또한, 차폐판(63)을 세정하는 공정은, 기판(W)의 반출마다 실행하는 것은 아니고, 소정 매수의 기판을 처리한 후에 실행하여도 좋다.The step of cleaning the shielding plate 63 is not performed every time the substrate W is carried out, but may be performed after a predetermined number of substrates are processed.

[제3 실시형태][Third embodiment]

제3 실시형태에 대해서, 도 6을 참조하여 설명한다. 또한, 제3 실시형태는, 제2 실시형태와의 차이점에 대해서 설명하고, 그 외의 설명을 생략한다.The third embodiment will be described with reference to Fig. The third embodiment differs from the second embodiment in terms of differences, and a description thereof will be omitted.

도 6의 (a)∼(e)는, 제2 실시형태에서 설명한, 차폐판(63)을 세정하는 공정에 상당한다. 또한, 제2 실시형태와의 차이는, 도 6의 (c)에 있어서의 공정에 있어서, 차폐판(63)의 둘레 가장자리에 있어서의 측면부의 세정 처리를 추가하고 있는 것이다.6 (a) to 6 (e) correspond to the step of cleaning the shielding plate 63 described in the second embodiment. The difference from the second embodiment is that the cleaning process of the side surface of the peripheral edge of the shield plate 63 is added in the process of FIG. 6C.

도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 차폐판(63)의 기판에 대향하는 면(하면)에 하부 처리액 노즐(48)로부터 처리액(L)이 공급될 때, 제어 유닛(10b)은, 제1 노즐(52)이 제1 노즐 이동 기구(53)에 의해, 차폐판(63)의 둘레 가장자리의 상방에 위치되도록 제어한다. 그리고, 제1 노즐(52)로부터 처리액(L)이, 차폐판(63)의 둘레 가장자리를 향하여 공급되어, 차폐판(63)의 둘레 가장자리 부분에 대응하는 측면부가 처리액(L)에 의해 세정된다.6 (c), when the process liquid L is supplied from the lower process liquid nozzle 48 to the surface (lower surface) of the shield plate 63 opposed to the substrate, the control unit 10b , And controls the first nozzle 52 to be located above the peripheral edge of the shielding plate 63 by the first nozzle moving mechanism 53. The processing liquid L is supplied from the first nozzle 52 toward the peripheral edge of the shielding plate 63 and the side surface corresponding to the peripheral edge portion of the shielding plate 63 is processed by the processing liquid L Lt; / RTI >

이상 설명한 바와 같이, 제3 실시형태에 따르면, 제2 실시형태와 동일한 효과를 갖는다. 또한, 처리액(L)에 의해, 차폐판(63)의 하면뿐만 아니라, 측면부도 세정하도록 하고 있다. 각 처리액의 액적을 차폐판(63)에 부착된 채로 하면, 부착된 각 처리액의 액적의 퇴적물이 석출되어, 기판(W)의 표면에 낙하하는 경우도 있다. 본 실시형태에 있어서, 차폐판(63)의 측면부를 세정함으로써, 처리액이나 IPA 등의 퇴적물의 생성을 억제할 수 있기 때문에, 기판(W)의 오염 등에 의한 제품 불량의 발생을 억제할 수 있다.As described above, according to the third embodiment, the same effects as those of the second embodiment are obtained. The treatment liquid L is used to clean not only the bottom surface but also the side surface of the shielding plate 63. If droplets of the respective treatment liquids remain attached to the shielding plate 63, droplets of droplets of the adhered treatment liquids may precipitate and fall on the surface of the substrate W. In this embodiment, cleaning of the side surface portion of the shielding plate 63 can suppress the generation of a sediment such as a processing liquid and IPA, so that occurrence of defective products due to contamination of the substrate W can be suppressed .

또한, 본 실시형태에 있어서, 차폐판(63)의 측면부의 세정 처리에서는, 기판(W)의 표면 처리에 이용되는 제1 노즐(52)을 겸용하고 있다. 이에 의해, 차폐판(63)의 측면부의 세정을 행하는 경우라도, 기판 처리 장치(1)의 대형화를 방지할 수 있다.In the present embodiment, the cleaning process of the side surface portion of the shielding plate 63 also serves as the first nozzle 52 used for the surface treatment of the substrate W. Thereby, it is possible to prevent the substrate processing apparatus 1 from being enlarged even when the side surface of the shielding plate 63 is cleaned.

또한, 제3 실시형태는, 소정 매수의 기판을 처리한 후에 실행된다. 또한, 제1 노즐(52)이 차폐판(63)의 둘레 가장자리의 상방에 위치하여 처리액(L)을 공급할뿐만 아니라, 제1 노즐(52)을 요동시켜, 차폐판(63)의 상면을 세정하는 것도 가능하다.The third embodiment is executed after processing a predetermined number of substrates. The first nozzle 52 is located above the peripheral edge of the shield plate 63 and not only supplies the process liquid L but also swings the first nozzle 52 so that the upper surface of the shield plate 63 It is also possible to clean.

이상, 본 발명의 몇 가지의 실시형태를 설명하였는데, 이들 실시형태는, 예 로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 정도에서, 여러 가지 생략, 치환하여, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 청구범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.While the present invention has been described with reference to several embodiments, these embodiments are provided by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These new embodiments can be embodied in various other forms, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications fall within the scope and spirit of the invention and are included in the scope of equivalents to the invention described in the claims.

예컨대, 제1 실시형태와 제2 실시형태와 제3 실시형태를 조합하도록 하여도 좋다. 이 경우, 복수매의 기판(W)의 처리를 계속적으로 행하는 경우에 있어서, 제1 실시형태, 제2 실시형태, 제3 실시형태의 각각을 실행하는 기판(W)의 처리 매수(설정 매수)를, 제어 유닛(10b)의 기억부에 미리 설정해 둔다. 그리고, 제어 유닛(10b)은, 기판(W)의 처리 매수가 그 설정된 매수에 달한 것을 조건으로, 각 실시형태의 동작을 실행시킨다. 구체적으로는, 1장의 기판(W)의 처리를 행할 때마다 제1 실시형태를 실시하고, 제2 실시형태는 10장마다, 제3 실시형태는 1로트마다 행한다고 하는 양태이다. 3가지의 실시형태를 전부 조합하는 것이 아니라, 제1 실시형태와 제2 실시형태의 조합, 제1 실시형태와 제3 실시형태의 조합으로 하여도 좋다. 또한, 설정 매수가 제로란, 실시하지 않는 것을 의미한다.For example, the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment may be combined. In this case, when the processing of the plurality of substrates W is continuously performed, the number of processed wafers (the set number) of the wafers W executing the first, second, and third embodiments, respectively, Is previously set in the storage unit of the control unit 10b. Then, the control unit 10b executes the operation of each embodiment on condition that the number of processed substrates W reaches the set number. More specifically, the first embodiment is performed every time one substrate W is processed, and the second embodiment is performed every 10th, and the third embodiment is performed every lot. It is not necessary to combine all of the three embodiments, but a combination of the first and second embodiments and a combination of the first and third embodiments may be used. In addition, the number of sets is zero means that the number is not set.

1…기판 처리 장치, 21…스핀 유지 기구, 30…컵체, 40…이면 노즐 헤드, 52…제1 노즐, 54…제2 노즐, 60…차폐 기구, 61…차폐판 승강 기구, 62…아암, 63…차폐판, 63a…노즐 개구, 64…차폐판 회전 기구, 65…차폐판 유지 기구, L…처리액, P…처리액, S…처리액, W…기판.One… Substrate processing apparatus, 21 ... Spin holding mechanism, 30 ... Cupcake, 40 ... Backside nozzle head, 52 ... The first nozzle, 54 ... The second nozzle, 60 ... Shielding mechanism, 61 ... Shield plate lifting mechanism, 62 ... Arm, 63 ... Shielding plate, 63a ... Nozzle opening, 64 ... Shield plate rotating mechanism, 65 ... Shield plate holding mechanism, L ... Treatment liquid, P ... Treatment solution, S ... Treatment liquid, W ... Board.

Claims (9)

기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
기판을 유지하는 스핀 유지 기구와,
상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과,
상기 스핀 유지 기구에 유지된 상기 기판에 대향하여 배치되고, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동하는 차폐판과,
상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 기구와,
상기 처리액이 공급되고 있지 않을 때에 상기 차폐판을 대기 위치에 위치시키고, 상기 처리액 공급 노즐에 의한 상기 처리액의 공급 중에는 상기 차폐판을 상기 대기 위치로부터 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키도록 상기 차폐판 회전 기구를 제어하는 제어 장치
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for rotating a substrate to perform cleaning processing,
A spin holding mechanism for holding the substrate,
A processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate;
A shield plate disposed opposite to the substrate held by the spin holding mechanism and moving in a contact / separation direction with respect to the substrate,
A shield plate rotating mechanism for rotating the shield plate,
The shielding plate is positioned at a standby position when the processing liquid is not supplied and the shielding plate is rotated without moving the shielding plate from the standby position during supply of the processing liquid by the processing liquid supply nozzle A control device for controlling the shield plate rotating mechanism
The substrate processing apparatus comprising: 제1항에 있어서,
상기 차폐판은 상기 기판에 기체를 공급하는 기체 공급 노즐을 구비하고,
상기 처리액에 의한 상기 기판의 처리가 행해지고 있는 동안, 상기 기체 공급 노즐에 연통하게 상기 차폐판에 마련된 노즐 개구에 상기 처리액이 부착되지 않을 정도의 양의 기체를, 상기 기체 공급 노즐로부터 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the shield plate has a gas supply nozzle for supplying gas to the substrate,
The gas supply nozzle discharges a gas such that the treatment liquid does not adhere to the nozzle opening provided in the shield plate so as to communicate with the gas supply nozzle while the substrate is being processed by the treatment liquid And the substrate processing apparatus. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기판의 이면에 상기 처리액과 기체를 각각 공급하는 이면 노즐 헤드가 마련되고,
상기 기판이 처리실로부터 반출된 후에, 상기 이면 노즐 헤드에 의해 상기 차폐판에 상기 처리액과 상기 기체가 각각 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
A back surface nozzle head for supplying the processing liquid and the substrate to the back surface of the substrate is provided,
Wherein after the substrate is taken out of the processing chamber, the processing liquid and the substrate are supplied to the shielding plate by the backside nozzle head, respectively. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 처리액 공급 노즐은, 상기 차폐판의 둘레 가장자리를 향하여 상기 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the processing liquid supply nozzle supplies the processing liquid toward the peripheral edge of the shielding plate. 기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 장치에 있어서,
기판을 유지하는 스핀 유지 기구와,
상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐과,
상기 스핀 유지 기구에 유지된 상기 기판에 대향하여 배치되고, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동하는 차폐판과,
상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 기구와,
상기 기판의 이면에 상기 처리액과 기체를 각각 공급하는 이면 노즐 헤드와,
제어 장치
를 포함하고, 상기 제어 장치는,
미리 설정한 제1 설정 매수마다, 상기 처리액이 공급되고 있지 않을 때에 상기 차폐판을 대기 위치에 위치시키고, 상기 처리액 공급 노즐에 의한 상기 처리액의 공급 중에는 상기 차폐판을 상기 대기 위치로부터 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키도록 상기 차폐판 회전 기구를 제어하고,
미리 설정한 제2 설정 매수마다, 상기 기판이 처리실로부터 반출된 후에, 상기 이면 노즐 헤드에 의해 상기 차폐판에 상기 처리액과 상기 기체를 각각 공급하도록 제어하고,
미리 설정한 제3 설정 매수마다, 상기 기판이 상기 처리실로부터 반출된 후에, 상기 처리액 공급 노즐에 의해, 상기 차폐판의 둘레 가장자리를 향하여 상기 처리액을 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.1. A substrate processing apparatus for rotating a substrate to perform cleaning processing,
A spin holding mechanism for holding the substrate,
A processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid to the substrate;
A shield plate disposed opposite to the substrate held by the spin holding mechanism and moving in a contact / separation direction with respect to the substrate,
A shield plate rotating mechanism for rotating the shield plate,
A back surface nozzle head for supplying the processing liquid and a gas to the rear surface of the substrate,
controller
The control device comprising:
The shielding plate is moved to the standby position when the processing liquid is not supplied, and the shielding plate is moved from the standby position while the processing liquid is supplied by the processing liquid supply nozzle The shield plate rotating mechanism is controlled so as to rotate the shield plate without causing the shield plate to rotate,
After the substrate is taken out of the processing chamber every predetermined second set number of times, the processing liquid and the substrate are supplied to the shield plate by the back nozzle head, respectively,
Controls the supply of the processing liquid toward the peripheral edge of the shielding plate by the processing liquid supply nozzle after the substrate is taken out of the processing chamber every predetermined third set number of times . 기판을 회전시켜 세정 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
상기 기판을 유지시키는 기판 유지 공정과,
상기 기판에 처리액 공급 노즐로부터 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과,
상기 기판 유지 공정에서 유지된 상기 기판에 대향하여 배치된 차폐판을, 상기 기판에 대하여 접촉/분리 방향으로 이동시키는 차폐판 이동 공정과,
상기 처리액이 공급되고 있지 않을 때에 상기 차폐판을 대기 위치에 위치시키고, 상기 처리액 공급 노즐에 의한 상기 처리액의 공급 중에는 상기 차폐판을 상기 대기 위치로부터 이동시키지 않고 상기 차폐판을 회전시키는 차폐판 회전 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.A substrate processing method for rotating a substrate to perform cleaning processing,
A substrate holding step of holding the substrate;
A process liquid supply step of supplying a process liquid from the process liquid supply nozzle to the substrate;
A shielding plate moving step of moving the shielding plate opposed to the substrate held in the substrate holding step in a contacting / separating direction with respect to the substrate;
The shielding plate is placed in a standby position when the processing liquid is not supplied and the processing liquid is supplied to the shielding plate while the shielding plate is not being moved from the standby position, Plate rotation process
The substrate processing method comprising: 제6항에 있어서,
상기 처리액 공급 공정에 있어서, 상기 차폐판으로부터 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
Wherein the substrate is supplied from the shielding plate in the process liquid supply step. 제6항에 있어서,
상기 기판이 처리실로부터 반출된 후, 상기 차폐판을 향하여, 상기 처리액과 기체를 각각 공급하는 차폐판 세정 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method according to claim 6,
And a shield plate cleaning step of supplying the processing liquid and the gas to the shield plate after the substrate is taken out of the processing chamber. 제8항에 있어서,
상기 차폐판 세정 공정은, 상기 차폐판의 둘레 가장자리를 향하여 상기 처리액이 공급되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.9. The method of claim 8,
Wherein the shielding plate cleaning step includes supplying the treatment liquid toward the peripheral edge of the shielding plate.
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