JP4457046B2

JP4457046B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP4457046B2
Application number: JP2005180933A
Authority: JP
Inventors: 浩之荒木
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd; Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2005-06-21
Filing date: 2005-06-21
Publication date: 2010-04-28
Anticipated expiration: 2025-06-21
Also published as: JP2007005392A

Description

この発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Substrates to be processed include, for example, semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, and the like. .

半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に対して処理液を用いた処理を施すために、たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置が用いられる。この枚葉型の基板処理装置には、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液を以降の処理に再利用する構成のものがある。
処理液を再利用する構成の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板に処理液を供給するためのノズルと、基板から飛散する処理液を捕獲して回収または廃棄するためのカップとを備えている。 In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, for example, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one is used to perform processing using a processing liquid on the substrate. In this single wafer type substrate processing apparatus, there is a configuration in which a processing liquid after being used for processing a substrate is recovered, and the recovered processing liquid is reused for subsequent processing.
A substrate processing apparatus configured to reuse a processing liquid is a spin chuck that holds and rotates the substrate substantially horizontally, a nozzle for supplying the processing liquid to the substrate rotated by the spin chuck, and splashes from the substrate. And a cup for capturing and collecting or discarding the processing liquid.

カップは、たとえば、スピンチャックによる基板の回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の複数の側壁を有している。各側壁の上端部は、上方ほど各側壁の中心軸線（基板の回転軸線）に近づくように傾斜して、互いに間隔を空けてほぼ平行をなしている。また、各側壁の上端縁は、各側壁の中心軸線を中心軸線とする同一円筒面上に配置され、各上端縁間には、基板から飛散する処理液を受け入れる受入口が形成されている。そして、カップには、すべての側壁を一体的に昇降させるための駆動機構が結合されており、その昇降によって、各受入口をスピンチャックに保持された基板の端面に個々に対向させることができるようになっている。また、各側壁間に形成される空間は、処理液を回収するための回収ドレンまたは処理液を廃棄するための廃棄ドレンと連通している。 The cup has, for example, a plurality of coaxial cylindrical side walls whose central axis is the rotation axis of the substrate by the spin chuck. The upper end portions of the respective side walls are inclined so as to approach the center axis (rotation axis of the substrate) of each side wall upward, and are substantially parallel to each other with a space therebetween. Moreover, the upper end edge of each side wall is arrange | positioned on the same cylindrical surface which makes the center axis line of each side wall the center axis line, and the receiving port which receives the process liquid scattered from a board | substrate is formed between each upper end edge. The cup is coupled with a drive mechanism for integrally raising and lowering all the side walls, and by this raising and lowering, each receiving port can be individually opposed to the end face of the substrate held by the spin chuck. It is like that. Further, the space formed between the side walls communicates with a recovery drain for recovering the processing liquid or a waste drain for discarding the processing liquid.

この構成により、スピンチャックによって基板を回転させつつ、その回転している基板にノズルから処理液を供給することにより、基板に対する処理液を用いた処理が達成される。また、基板に対する処理液の供給時に、いずれかの受入口を基板の端面に対向させておくことにより、基板の周縁から側方に飛散する処理液を、その受入口に受け入れて、回収ドレンを通して回収または廃棄ドレンを通して廃棄することができる。
特開２００４−１５３０７８号公報 With this configuration, the substrate is rotated by the spin chuck, and the processing liquid is supplied to the rotating substrate from the nozzle, thereby achieving processing using the processing liquid on the substrate. In addition, when supplying the processing liquid to the substrate, one of the inlets faces the end surface of the substrate, so that the processing liquid scattered from the peripheral edge of the substrate to the side is received at the inlet and passed through the recovery drain. Can be disposed of through recovery or waste drain.
JP 2004-153078 A

ところが、各受入口が常に開放されているため、基板から飛散する処理液の飛沫が、その基板の端面に対向している受入口とは異なる受入口（基板の端面に対向していない受入口）に飛入するおそれがある。基板の端面に対向している受入口とは異なる受入口に処理液の飛沫が飛入すると、その受入口が回収すべき処理液（回収液）を受け入れるための受入口である場合には、回収液に他の種類の処理液が混ざってしまい、回収液の純度が低くなるという不具合を生じる。 However, since each receiving port is always open, the processing liquid splashing from the substrate is different from the receiving port facing the end surface of the substrate (the receiving port not facing the end surface of the substrate). ). When splashes of processing liquid enter a receiving port different from the receiving port facing the end surface of the substrate, when the receiving port is a receiving port for receiving a processing liquid (collected liquid) to be collected, Another type of processing liquid is mixed with the recovered liquid, which causes a problem that the purity of the recovered liquid is lowered.

そこで、複数の側壁を互いに分離して、各側壁を独立に昇降可能な構成とし、２つの側壁の上端部間に間隔を形成して、基板の端面と対向する受入口を形成し、その２つの側壁以外の側壁の上端部をそれと隣り合う側壁の上端部に重ね合わせて、それらの上端部間を閉鎖することが考えられる。これにより、基板から飛散する処理液を受入口に受け入れることができるとともに、その処理液の飛沫が互いに重なる側壁の上端部間に進入することを防止することができる。 Therefore, a plurality of side walls are separated from each other, and each side wall can be moved up and down independently, a space is formed between the upper ends of the two side walls, and a receiving port facing the end surface of the substrate is formed. It is conceivable that the upper end portions of the side walls other than the two side walls are overlapped with the upper end portions of the side walls adjacent to each other, and the space between the upper end portions is closed. Thereby, while being able to receive the process liquid which splashes from a board | substrate at a receiving port, it can prevent that the splash of the process liquid approachs between the upper end parts of the side wall which mutually overlaps.

しかし、側壁の上端部とそれに隣接する側壁の上端部との間を密着させて閉鎖したり、それらの上端部間を開いて受入口を形成したりするときに、側壁の上端部同士が擦れ合い、基板の汚染の原因となるパーティクルを発生するおそれがある。側壁の上端部とそれに隣接する側壁の上端部との間に少しの隙間を残して、それらを重ね合わせるようにすれば、そのようなパーティクルの発生の問題を回避することができるが、隙間が形成される以上、基板から飛散する処理液の飛沫の進入を完全に防止することはできない。 However, when the upper end portion of the side wall and the upper end portion of the side wall adjacent to each other are closely closed, or when the upper end portions are opened to form a receiving port, the upper end portions of the side walls are rubbed with each other. In addition, there is a risk of generating particles that cause contamination of the substrate. If a small gap is left between the upper end portion of the side wall and the upper end portion of the side wall adjacent thereto, and they are overlapped, the problem of such particle generation can be avoided. As long as it is formed, it is impossible to completely prevent the treatment liquid splashing from the substrate from entering.

そこで、この発明の目的は、パーティクルの問題を生じることなく、基板の処理に用いた処理液を高純度に回収することができる基板処理装置を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of recovering a processing liquid used for processing a substrate with high purity without causing a problem of particles.

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板処理装置において、基板（Ｗ）をほぼ水平に保持して、その保持した基板を当該基板の表面に交差するほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段（１）と、前記基板回転手段により回転されている基板に処理液を供給するための処理液供給手段（２）と、前記基板回転手段の周囲を取り囲み、上端部が前記回転軸線と交差する方向に延びるように形成された第１ガード（１０，１１）と、前記基板回転手段の周囲を取り囲み、上端部（１８，２０）が前記回転軸線と交差する方向に延び、かつ前記第１ガードの上端部（１６，１８）に対して上方から対向するように形成された第２ガード（１１，１２）と、前記第１ガードおよび前記第２ガードの少なくとも一方を昇降させる昇降機構（２１，２２，２３）と、前記第１ガードの上端部の上面から下方に窪んで形成され、内部に液体を貯留する環状の液体貯留溝（２４，３１）と、前記第２ガードの上端部の下面から前記液体貯留溝に向けて突出する略筒状に形成され、前記第１ガードの上端部と前記第２ガードの上端部とが所定間隔を空けて近接した状態で、下端部が前記液体貯留溝内に貯留された液体に進入して、前記第１ガードの上端部と前記第２ガードの上端部との間を閉鎖する閉鎖部材（３０，３７）とを含むことを特徴としている。 In order to achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the substrate (W) is held substantially horizontally, and the held substrate intersects the surface of the substrate with a substantially vertical axis of rotation. A substrate rotating means (1) for rotating around, a processing liquid supply means (2) for supplying a processing liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means, and surrounding the substrate rotating means, and having an upper end The first guard (10, 11) formed so as to extend in a direction intersecting the rotation axis and the periphery of the substrate rotation means, and the upper ends (18, 20) in the direction intersecting the rotation axis A second guard (11, 12) that extends and is opposed to the upper end (16, 18) of the first guard from above; and at least one of the first guard and the second guard Lifted Elevating mechanism (21, 22, 23), an annular liquid storage groove (24, 31) formed to be recessed downward from the upper surface of the upper end portion of the first guard, and storing the liquid therein, and the second Formed in a substantially cylindrical shape projecting from the lower surface of the upper end of the guard toward the liquid storage groove, the upper end of the first guard and the upper end of the second guard are close to each other at a predetermined interval, The lower end portion includes a closing member (30, 37) that enters the liquid stored in the liquid storage groove and closes the upper end portion of the first guard and the upper end portion of the second guard. It is characterized by.

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１ガードおよび第２ガードの少なくとも一方を昇降させて、第１ガードの上端部と第２ガードの上端部とを大きく離間させ、それらの上端部間に、基板の端面に対向する受入口を形成することができる。そして、その状態で、基板回転手段により基板を回転させつつ、その基板に処理液を供給すれば、基板の周縁から飛散する処理液を、第１ガードと第２ガードとの間に受け入れることができ、第１ガードと第２ガードとの間を通して回収することができる。また、第１ガードと第２ガードとの間を通して回収すべき処理液と種類の異なる処理液を基板に供給するときには、第１ガードおよび第２ガードの少なくとも一方を昇降させて、第１ガードの上端部と第２ガードの上端部とを比較的小さな所定間隔を空けて近接させ、第１ガードの上端部と第２ガードの上端部との間を、閉鎖部材を液体貯留溝内に貯留された液体に接液させることにより閉鎖すれば、基板から飛散する処理液が第１ガードと第２ガードとの間に飛入することを防止することができる。そのため、第１ガードと第２ガードとの間を通して回収される処理液に、その処理液と異なる他の種類の処理液が混入するのを防止することができる。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this configuration, at least one of the first guard and the second guard is moved up and down so that the upper end portion of the first guard and the upper end portion of the second guard are largely separated from each other, and the end surface of the substrate is between these upper end portions. A receiving port can be formed opposite to. In this state, if the processing liquid is supplied to the substrate while rotating the substrate by the substrate rotating means, the processing liquid scattered from the peripheral edge of the substrate can be received between the first guard and the second guard. And can be recovered through between the first guard and the second guard. In addition, when supplying a treatment liquid different in kind from the treatment liquid to be collected through the first guard and the second guard to the substrate, at least one of the first guard and the second guard is moved up and down, The upper end and the upper end of the second guard are brought close to each other with a relatively small predetermined interval, and the closing member is stored in the liquid storage groove between the upper end of the first guard and the upper end of the second guard. If the liquid is closed by contacting with the liquid, it is possible to prevent the processing liquid scattered from the substrate from entering between the first guard and the second guard. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid collected through the space between the first guard and the second guard from being mixed with another type of processing liquid different from the processing liquid.

しかも、第１ガードおよび／または第２ガードの昇降時に、第１ガードの上端部と第２ガードの上端部との接触がないので、基板の汚染の原因となるパーティクルを発生するおそれがない。
よって、基板の汚染の原因となるパーティクルの発生の問題を生じることなく、基板の処理に使用された処理液を高純度に回収することができる。 In addition, when the first guard and / or the second guard are raised and lowered, there is no contact between the upper end of the first guard and the upper end of the second guard, so there is no possibility of generating particles that cause contamination of the substrate.
Therefore, the processing liquid used for processing the substrate can be recovered with high purity without causing the problem of generation of particles that cause contamination of the substrate.

請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板処理装置において、前記液体貯留溝に液体を供給する液体供給手段（２５，３２）をさらに含むことを特徴としている。
この構成によれば、液体貯留溝に液体を供給することができる。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の基板処理装置において、前記液体貯留溝に貯留されている液体を排出する排液手段（２７，３４）をさらに含むことを特徴としている。 According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect, further comprising liquid supply means (25, 32) for supplying a liquid to the liquid storage groove.
According to this configuration, the liquid can be supplied to the liquid storage groove.
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, further comprising a drainage means (27, 34) for discharging the liquid stored in the liquid storage groove.

この構成によれば、液体貯留溝から液体を排出することができる。
また、液体供給手段および排液手段の両方を備える場合には、液体貯留溝に液体を供給しながら、その液体貯留溝から液体を排出することにより、見かけ上、液体貯留溝に液体が貯留した状態を形成することができる。この場合、基板から飛散する処理液が液体貯留溝に貯留されている液体に混入しても、その処理液を含む液体を液体貯留溝から速やかに排出することができる。そのため、処理液を含む液体が液体貯留溝に滞留することを防止することができ、そのような液体の気化物による基板汚染の問題を回避することができる。 According to this configuration, the liquid can be discharged from the liquid storage groove.
When both the liquid supply means and the drainage means are provided, the liquid is apparently stored in the liquid storage groove by discharging the liquid from the liquid storage groove while supplying the liquid to the liquid storage groove. A state can be formed. In this case, even if the processing liquid scattered from the substrate is mixed into the liquid stored in the liquid storage groove, the liquid containing the processing liquid can be quickly discharged from the liquid storage groove. Therefore, the liquid containing the processing liquid can be prevented from staying in the liquid storage groove, and the problem of substrate contamination due to the vaporized liquid can be avoided.

なお、液体供給手段および排液手段の両方を備える場合には、さらに、液体供給手段により液体貯留溝に供給される液体の流量を調節する流量調節手段（３３）を備え、この流量調節手段によって、液体貯留溝に供給される液体の流量が、液体貯留溝に貯留される液体の水位が第１ガードの上端部の上面よりも低い一定水位を保つように調節されることが好ましい。 When both the liquid supply means and the drainage means are provided, a flow rate adjusting means (33) for adjusting the flow rate of the liquid supplied to the liquid storage groove by the liquid supply means is further provided. The flow rate of the liquid supplied to the liquid storage groove is preferably adjusted so that the water level of the liquid stored in the liquid storage groove is lower than the upper surface of the upper end portion of the first guard.

請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１ガードの上端部の上面から下方に窪んで形成され、前記液体貯留溝の周囲を取り囲む環状の排液溝（２８，３５）をさらに含むことを特徴としている。
この構成によれば、たとえ液体貯留溝から液体が溢れても、その溢れた液体を排液溝に流入させて排出することができる。そのため、液体貯留溝から溢れた液体が第１ガードと第２ガードとの間を通して回収される処理液に混入することを防止することができ、その回収される処理液の純度をさらに向上させることができる。 According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects, the annular shape is formed so as to be depressed downward from the upper surface of the upper end portion of the first guard and surrounds the periphery of the liquid storage groove. The drainage grooves (28, 35) are further included.
According to this configuration, even if the liquid overflows from the liquid storage groove, the overflowed liquid can be discharged into the drainage groove. Therefore, it is possible to prevent the liquid overflowing from the liquid storage groove from being mixed into the processing liquid recovered through the space between the first guard and the second guard, and to further improve the purity of the recovered processing liquid. Can do.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１、図２および図３は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるシリコン半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面に処理液を供給して、その表面に対して処理液による処理を施すための枚葉型の装置である。この基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に処理液を供給するための処理液ノズル２と、ウエハＷから飛散する処理液を受け取るための受け部材３とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
1, 2 and 3 are cross-sectional views schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus supplies a processing liquid to the surface of a silicon semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”), which is an example of a substrate, and performs processing with the processing liquid on the surface. It is a leaf type device. The substrate processing apparatus includes a spin chuck 1 for holding and rotating a wafer W substantially horizontally, a processing liquid nozzle 2 for supplying a processing liquid to the surface of the wafer W held by the spin chuck 1, and a wafer. And a receiving member 3 for receiving the processing liquid scattered from W.

スピンチャック１は、図示しないモータの回転駆動力によりほぼ鉛直な軸線Ｃまわりに回転される円盤状のスピンベース４と、このスピンベース４の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材５とを備えている。これにより、スピンチャック１は、複数個の挟持部材５によってウエハＷを挟持した状態で、スピンベース４を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保ったまま、スピンベース４とともに回転させることができる。 The spin chuck 1 is provided with a disc-shaped spin base 4 that is rotated around a substantially vertical axis C by a rotational driving force of a motor (not shown), and at a plurality of positions on the peripheral portion of the spin base 4 at substantially equal angular intervals. And a plurality of clamping members 5 for clamping the wafer W in a substantially horizontal posture. As a result, the spin chuck 1 rotates the spin base 4 with the wafer W held by the plurality of holding members 5, thereby rotating the wafer W together with the spin base 4 while maintaining a substantially horizontal posture. Can be rotated.

なお、スピンチャック１としては、このような挟持式のスピンチャックに限らず、たとえば、ウエハＷの下面を真空吸着する吸着ベースを備え、その吸着ベースにウエハＷの裏面を吸着させて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持した状態で、吸着ベースをほぼ鉛直な軸線まわりに回転させることにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢を保ったまま回転させることができる真空吸着式のスピンチャック（バキュームチャック）が採用されてもよい。 The spin chuck 1 is not limited to such a sandwich type spin chuck. For example, the spin chuck 1 includes a suction base that vacuum-sucks the lower surface of the wafer W, and sucks the back surface of the wafer W to the wafer W. Is held in a substantially horizontal posture, and the suction base is rotated around a substantially vertical axis, whereby the wafer W can be rotated while maintaining a substantially horizontal posture (vacuum chuck). ) May be employed.

処理液ノズル２には、処理液としての第１薬液、第２薬液および純水がそれぞれ第１薬液バルブ６、第２薬液バルブ７および純水バルブ８を介して選択的に供給されるようになっている。すなわち、第１薬液バルブ６が開かれると、第１薬液供給源（図示せず）からの第１薬液が処理液ノズル２に供給され、第２薬液バルブ７が開かれると、第２薬液供給源（図示せず）からの第２薬液が処理液ノズル２に供給され、純水バルブ８が開かれると、純水供給源（図示せず）からの純水が処理液ノズル２に供給されるようになっている。処理液ノズル２に供給される第１薬液、第２薬液および純水は、処理液ノズル２からスピンチャック１に保持されたウエハＷの中央部に向けて吐出される。 The first chemical liquid, the second chemical liquid, and pure water as the processing liquid are selectively supplied to the processing liquid nozzle 2 via the first chemical liquid valve 6, the second chemical liquid valve 7, and the pure water valve 8, respectively. It has become. That is, when the first chemical liquid valve 6 is opened, the first chemical liquid from a first chemical liquid supply source (not shown) is supplied to the processing liquid nozzle 2, and when the second chemical liquid valve 7 is opened, the second chemical liquid supply is performed. When the second chemical liquid from the source (not shown) is supplied to the processing liquid nozzle 2 and the pure water valve 8 is opened, pure water from the pure water supply source (not shown) is supplied to the processing liquid nozzle 2. It has become so. The first chemical liquid, the second chemical liquid, and pure water supplied to the processing liquid nozzle 2 are discharged from the processing liquid nozzle 2 toward the central portion of the wafer W held on the spin chuck 1.

受け部材３は、固定ガード９、内昇降ガード１０、中昇降ガード１１および外昇降ガード１２を備えている。
固定ガード９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線（スピンベース４の回転軸線）Ｃに対してほぼ回転対称な形状に形成されている。より具体的には、固定ガード９は、ウエハＷの回転軸線Ｃを中心軸線とする円筒状の円筒部１３と、この円筒部１３の上端から内側斜め上方に向けて延びる（上方ほどウエハＷの回転軸線Ｃに近づくように傾斜する）傾斜部１４とを一体的に備えている。この固定ガード９は、スピンチャック１に対して固定的に配置されており、傾斜部１４の上端は、スピンベース４の下方に位置している。 The receiving member 3 includes a fixed guard 9, an inner lifting guard 10, a middle lifting guard 11, and an outer lifting guard 12.
The fixed guard 9 is provided so as to surround the periphery of the spin chuck 1, and is formed in a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis line (rotation axis line of the spin base 4) C of the wafer W by the spin chuck 1. More specifically, the fixed guard 9 extends from the upper end of the cylindrical portion 13 obliquely inward and upward (in the upward direction of the wafer W), with the rotation axis C of the wafer W as the central axis. And an inclined portion 14 (inclined so as to approach the rotation axis C). The fixed guard 9 is fixedly arranged with respect to the spin chuck 1, and the upper end of the inclined portion 14 is located below the spin base 4.

内昇降ガード１０は、固定ガード９の周囲を取り囲むように設けられ、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状に形成されている。より具体的には、内昇降ガード１０は、ウエハＷの回転軸線Ｃを中心軸線とする円筒状に形成され、固定ガード９の円筒部１３に対して外側から対向する円筒部１５と、この円筒部１５の上端から内側斜め上方に向けて延び、固定ガード９の傾斜部１４に対して上側から対向する傾斜部１６とを一体的に備えている。また、円筒部１５の上端縁（先端縁）は、固定ガード９の傾斜部１４の上端縁と同一円筒面上に配置されている。 The inner elevating guard 10 is provided so as to surround the periphery of the fixed guard 9, and is formed in a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis C of the wafer W by the spin chuck 1. More specifically, the inner elevating guard 10 is formed in a cylindrical shape having the rotation axis C of the wafer W as the central axis, and a cylindrical portion 15 facing the cylindrical portion 13 of the fixed guard 9 from the outside, and this cylinder. An inclined portion 16 that extends obliquely upward from the upper end of the portion 15 and that is opposed to the inclined portion 14 of the fixed guard 9 from above is integrally provided. The upper end edge (tip end edge) of the cylindrical portion 15 is disposed on the same cylindrical surface as the upper end edge of the inclined portion 14 of the fixed guard 9.

中昇降ガード１１は、内昇降ガード１０の周囲を取り囲むように設けられ、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状に形成されている。より具体的には、中昇降ガード１１は、ウエハＷの回転軸線Ｃを中心軸線とする円筒状に形成され、内昇降ガード１０の円筒部１５に対して外側から対向する円筒部１７と、この円筒部１７の上端から内側斜め上方に向けて延び、内昇降ガード１０の傾斜部１６に対して上側から対向する傾斜部１８とを一体的に備えている。また、円筒部１７の上端縁は、固定ガード９の傾斜部１４の上端縁と同一円筒面上に配置されている。 The middle lifting / lowering guard 11 is provided so as to surround the inner lifting / lowering guard 10, and is formed in a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis C of the wafer W by the spin chuck 1. More specifically, the middle elevating guard 11 is formed in a cylindrical shape having the rotation axis C of the wafer W as a central axis, and a cylindrical portion 17 facing the cylindrical portion 15 of the inner elevating guard 10 from the outside. The cylindrical portion 17 is integrally provided with an inclined portion 18 that extends obliquely upward from the upper end and faces the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 from above. Further, the upper end edge of the cylindrical portion 17 is disposed on the same cylindrical surface as the upper end edge of the inclined portion 14 of the fixed guard 9.

外昇降ガード１２は、中昇降ガード１１の周囲を取り囲むように設けられ、スピンチャック１によるウエハＷの回転軸線Ｃに対してほぼ回転対称な形状に形成されている。より具体的には、外昇降ガード１２は、ウエハＷの回転軸線Ｃを中心軸線とする円筒状に形成され、中昇降ガード１１の円筒部１７に対して外側から対向する円筒部１９と、この円筒部１９の上端から内側斜め上方に向けて延び、中昇降ガード１１の傾斜部１８に対して上側から対向する傾斜部２０とを一体的に備えている。また、円筒部１９の上端縁は、固定ガード９の傾斜部１４の上端縁と同一円筒面上に配置されている。 The outer elevating guard 12 is provided so as to surround the middle elevating guard 11 and is formed in a substantially rotationally symmetric shape with respect to the rotation axis C of the wafer W by the spin chuck 1. More specifically, the outer elevating guard 12 is formed in a cylindrical shape having the rotation axis C of the wafer W as the central axis, and a cylindrical portion 19 facing the cylindrical portion 17 of the middle elevating guard 11 from the outside, The cylindrical portion 19 is integrally provided with an inclined portion 20 that extends obliquely upward from the upper end and faces the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 from above. The upper end edge of the cylindrical portion 19 is disposed on the same cylindrical surface as the upper end edge of the inclined portion 14 of the fixed guard 9.

内昇降ガード１０、中昇降ガード１１および外昇降ガード１２には、それぞれ第１昇降機構２１、第２昇降機構２２および第３昇降機構２３が結合されている。内昇降ガード１０は、第１昇降機構２１によって、傾斜部１６が固定ガード９の傾斜部１４との間に相対的に大きな間隔を空けて離間する位置と、傾斜部１６が固定ガード９の傾斜部１４に対して相対的に小さな所定間隔を空けて近接する位置とに昇降される。また、中昇降ガード１１は、第２昇降機構２２によって、傾斜部１８が内昇降ガード１０の傾斜部１６との間に相対的に大きな間隔を空けて離間する位置と、傾斜部１８が内昇降ガード１０の傾斜部１６に対して相対的に小さな所定間隔を空けて近接する位置とに昇降される。さらに、外昇降ガード１２は、第３昇降機構２３によって、傾斜部２０が中昇降ガード１１の傾斜部１８との間に相対的に大きな間隔を空けて離間する位置と、傾斜部２０が中昇降ガード１１の傾斜部１８に対して相対的に小さな所定間隔を空けて近接する位置とに昇降される。 A first elevating mechanism 21, a second elevating mechanism 22, and a third elevating mechanism 23 are coupled to the inner elevating guard 10, the intermediate elevating guard 11, and the outer elevating guard 12, respectively. The inner elevating guard 10 has a position where the inclined portion 16 is spaced apart from the inclined portion 14 of the fixed guard 9 by the first elevating mechanism 21, and the inclined portion 16 is inclined by the fixed guard 9. It is raised and lowered to a position close to the portion 14 with a relatively small predetermined interval. Further, the middle elevating guard 11 has a position where the inclined portion 18 is separated from the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 by a second elevating mechanism 22, and the inclined portion 18 is moved up and down. The guard 10 is moved up and down to a position adjacent to the inclined portion 16 with a relatively small predetermined interval. Further, the outer elevating guard 12 has a position where the inclined portion 20 is spaced apart from the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 by the third elevating mechanism 23 and the inclined portion 20 is moved up and down in the middle. The guard 11 is moved up and down to a position adjacent to the inclined portion 18 with a relatively small predetermined interval.

そして、内昇降ガード１０の傾斜部１６の上端部には、その上面から下方に窪む断面凹状を有する円環状の液体貯留溝２４が形成されている。この液体貯留溝２４の底面には、内昇降ガード１０の内部に形成された純水供給路２５が接続されている。純水供給路２５には、純水供給源からの純水が流量調節バルブ２６により一定流量に調節されて供給されるようになっている。また、液体貯留溝２４の底面には、内昇降ガード１０の内部に形成された排水路２７が、たとえば、ウエハＷの回転軸線Ｃに関して液体貯留溝２４に対する純水供給路２５の接続位置と対称をなす位置に接続されている。これにより、純水供給路２５から液体貯留溝２４に一定流量の純水が流入し、その純水が液体貯留溝２４を通って排水路２７から排出される。その結果、液体貯留溝２４は、見かけ上、純水を貯留した状態となる。流量調節バルブ２６は、その液体貯留溝２４に貯留される純水の水位が傾斜部１６の上面よりも低い一定水位を保つように調節される。 An annular liquid storage groove 24 having a concave cross section that is recessed downward from the upper surface is formed at the upper end of the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10. A pure water supply path 25 formed inside the inner elevating guard 10 is connected to the bottom surface of the liquid storage groove 24. Pure water from a pure water supply source is adjusted to a constant flow rate by a flow rate adjusting valve 26 and supplied to the pure water supply channel 25. In addition, on the bottom surface of the liquid storage groove 24, a drainage channel 27 formed inside the inner elevating guard 10 is symmetric with respect to the connection position of the pure water supply channel 25 to the liquid storage channel 24 with respect to the rotation axis C of the wafer W, for example. It is connected to the position where Accordingly, a definite amount of pure water flows from the pure water supply path 25 into the liquid storage groove 24, and the pure water is discharged from the drainage path 27 through the liquid storage groove 24. As a result, the liquid storage groove 24 is apparently in a state where pure water is stored. The flow rate adjusting valve 26 is adjusted so that the level of pure water stored in the liquid storage groove 24 is kept at a constant level lower than the upper surface of the inclined portion 16.

さらに、内昇降ガード１０の傾斜部１６には、その上面から下方に窪む断面凹状を有する円環状の排液溝２８が形成されている。この排液溝２８は、液体貯留溝２４の周囲を取り囲むように設けられている。排液溝２８の底面には、排水路２７から分岐した分岐排水路２９が接続されている。
また、中昇降ガード１１の傾斜部１８の上端部には、その下面から液体貯留溝２４に向けて突出する略筒状の閉鎖部材３０が一体的に形成されている。この閉鎖部材３０は、図２に示すように、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８とが大きく離間した状態で、その下端部が液体貯留溝２４内から離脱して、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間を開放する。一方、図１および図３に示すように、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８とが近接した状態で、その下端部が液体貯留溝２４内に貯留された純水中に進入して、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間を閉鎖する。 Further, an annular drainage groove 28 having a concave cross section that is recessed downward from the upper surface thereof is formed in the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10. The drainage groove 28 is provided so as to surround the periphery of the liquid storage groove 24. A branch drainage channel 29 branched from the drainage channel 27 is connected to the bottom surface of the drainage groove 28.
In addition, a substantially cylindrical closing member 30 that protrudes from the lower surface toward the liquid storage groove 24 is integrally formed at the upper end portion of the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. As shown in FIG. 2, the lower end portion of the closing member 30 is detached from the liquid storage groove 24 in a state where the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 are largely separated from each other. Thus, the space between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 is opened. On the other hand, as shown in FIG. 1 and FIG. 3, the bottom end of the inner lift guard 10 and the tilted part 18 of the middle lift guard 11 are close to each other. It enters underwater and closes between the inclined part 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined part 18 of the middle elevating guard 11.

また、中昇降ガード１１の傾斜部１８の上端部には、その上面から下方に窪む断面凹状を有する円環状の液体貯留溝３１が形成されている。この液体貯留溝３１の底面には、中昇降ガード１１の内部に形成された純水供給路３２が接続されている。純水供給路３２には、純水供給源からの純水が流量調節バルブ３３により一定流量に調節されて供給されるようになっている。また、液体貯留溝３１の底面には、中昇降ガード１１の内部に形成された排水路３４が、たとえば、ウエハＷの回転軸線Ｃに関して液体貯留溝３１に対する純水供給路３２の接続位置と対称をなす位置に接続されている。これにより、純水供給路３２から液体貯留溝３１に一定流量の純水が流入し、その純水が液体貯留溝３１を通って排水路３４から排出される。これにより、純水供給路３２から液体貯留溝３１に一定流量の純水が流入し、その純水が液体貯留溝３１を通って排水路３４から排出される。その結果、液体貯留溝３１は、見かけ上、純水を貯留した状態となる。流量調節バルブ３３は、その液体貯留溝３１に貯留される純水の水位が傾斜部１８の上面よりも低い一定水位を保つように調節される。なお、図１〜３において、排水路２７および排水路３４が合流した下流側流路の途中にバルブＢが設けられているが、本実施形態においては常に開成された状態となっている。 Further, an annular liquid storage groove 31 having a concave cross section that is recessed downward from the upper surface is formed at the upper end of the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. A pure water supply path 32 formed inside the middle elevating guard 11 is connected to the bottom surface of the liquid storage groove 31. The pure water supply path 32 is supplied with pure water from a pure water supply source, adjusted to a constant flow rate by a flow rate adjusting valve 33. Further, on the bottom surface of the liquid storage groove 31, a drainage passage 34 formed inside the middle elevating guard 11 is symmetric with respect to the connection position of the pure water supply path 32 to the liquid storage groove 31 with respect to the rotation axis C of the wafer W, for example. It is connected to the position where Thereby, a definite amount of pure water flows into the liquid storage groove 31 from the pure water supply path 32, and the pure water is discharged from the drainage path 34 through the liquid storage groove 31. Thereby, a definite amount of pure water flows into the liquid storage groove 31 from the pure water supply path 32, and the pure water is discharged from the drainage path 34 through the liquid storage groove 31. As a result, the liquid storage groove 31 apparently stores pure water. The flow rate adjustment valve 33 is adjusted so that the level of pure water stored in the liquid storage groove 31 is kept at a constant level lower than the upper surface of the inclined portion 18. 1 to 3, the valve B is provided in the middle of the downstream flow path where the drainage channel 27 and the drainage channel 34 merge. However, in the present embodiment, the valve B is always opened.

さらに、中昇降ガード１１の傾斜部１８には、その上面から下方に窪む断面凹状を有する円環状の排液溝３５が形成されている。この排液溝３５は、液体貯留溝３１の周囲を取り囲むように設けられている。排液溝３５の底面には、排水路３４から分岐した分岐排水路３６が接続されている。
また、外昇降ガード１２の傾斜部２０の先端部（上端部）には、その下面から液体貯留溝３１に向けて突出する略筒状の閉鎖部材３７が一体的に形成されている。この閉鎖部材３７は、図１に示すように、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０とが大きく離間した状態で、その下端部が液体貯留溝３１内から離脱して、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間を開放する。一方、図２および図３に示すように、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０とが近接した状態で、その下端部が液体貯留溝３１内に貯留された純水中に進入して、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間を閉鎖する。 Further, an annular drainage groove 35 having a concave cross section that is recessed downward from the upper surface thereof is formed in the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. The drainage groove 35 is provided so as to surround the periphery of the liquid storage groove 31. A branch drainage channel 36 branched from the drainage channel 34 is connected to the bottom surface of the drainage groove 35.
In addition, a substantially cylindrical closure member 37 that protrudes from the lower surface toward the liquid storage groove 31 is integrally formed at the tip (upper end) of the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12. As shown in FIG. 1, the lower end portion of the closing member 37 is detached from the liquid storage groove 31 in a state where the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 are largely separated from each other. Thus, the space between the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 is opened. On the other hand, as shown in FIGS. 2 and 3, the lower end of the intermediate elevating guard 11 and the outer elevating guard 12 are close to each other and the lower end thereof is stored in the liquid storage groove 31. It enters underwater and closes between the inclined part 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined part 20 of the outer elevating guard 12.

スピンチャック１に対するウエハＷの搬入前は、内昇降ガード１０、中昇降ガード１１および外昇降ガード１２がそれぞれ最下方まで下げられることにより、外昇降ガード１２の傾斜部２０の上端がいずれも、スピンチャック１によるウエハＷの保持位置よりも下方に位置している。
ウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷがスピンチャック１に保持されると、たとえば、図１に示すように、外昇降ガード１２のみが上昇されて、外昇降ガード１２の傾斜部２０が中昇降ガード１１の傾斜部１８の上方に大きく離間し、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間に、ウエハＷの端面に対向する受入口が形成される。 Before the wafer W is loaded into the spin chuck 1, the inner elevating guard 10, the middle elevating guard 11, and the outer elevating guard 12 are lowered to the lowest position so that the upper ends of the inclined portions 20 of the outer elevating guard 12 are all spun. It is located below the holding position of the wafer W by the chuck 1.
When the wafer W is loaded and the wafer W is held by the spin chuck 1, for example, as shown in FIG. 1, only the outer elevating guard 12 is raised, and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 is in the middle. A receiving port facing the end surface of the wafer W is formed between the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 so as to be largely separated above the inclined portion 18 of the elevating guard 11.

その後、ウエハＷ（スピンチャック１）の回転が開始され、ウエハＷの回転速度が予め定める速度に達すると、第１薬液バルブ６が開かれて、処理液ノズル２からウエハＷの表面の中央部に第１薬液が供給される。ウエハＷの表面上に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を流れ、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面全域に第１薬液が行き渡り、ウエハＷの表面に対して第１薬液による処理が施されていく。 Thereafter, the rotation of the wafer W (spin chuck 1) is started, and when the rotation speed of the wafer W reaches a predetermined speed, the first chemical liquid valve 6 is opened, and the central portion of the surface of the wafer W from the processing liquid nozzle 2 is opened. Is supplied with the first chemical. The first chemical supplied on the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W, flows on the surface of the wafer W, and scatters from the periphery of the wafer W to the side. As a result, the first chemical liquid spreads over the entire surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is processed with the first chemical liquid.

ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第１薬液は、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間に形成されている受入口に飛入する。そして、中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間を通して、図示しない第１薬液回収設備に回収される。このとき、中昇降ガード１１の傾斜部１８と内昇降ガード１０の傾斜部１６とが近接し、閉鎖部材３０の下端部が液体貯留溝２４内に貯留された純水中に進入して、閉鎖部材３０が内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間を閉鎖する。これにより、ウエハＷから飛散する第１薬液が内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間に進入することが防止される。 The first chemical liquid that is shaken off from the peripheral edge of the wafer W and scatters to the side enters a receiving port formed between the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12. And it passes through between the middle raising / lowering guard 11 and the outer raising / lowering guard 12, and is collect | recovered by the 1st chemical | medical solution collection | recovery facility which is not shown in figure. At this time, the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 are close to each other, and the lower end portion of the closing member 30 enters the pure water stored in the liquid storage groove 24 and is closed. The member 30 closes between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. This prevents the first chemical liquid scattered from the wafer W from entering between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11.

ウエハＷへの第１薬液の供給が所定時間にわたって行われると、内昇降ガード１０および中昇降ガード１１が上昇されて、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８とが近接した状態を保ったまま、中昇降ガード１１の傾斜部１８が外昇降ガード１２の傾斜部２０に近接する。これにより、図３に示すように、固定ガード９の傾斜部１４と内昇降ガード１０の傾斜部１６とが離間し、それらの間に、ウエハＷの端面に対向する受入口が形成される。このとき、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間が閉鎖部材３０により閉鎖されているので、ウエハＷの回転および第１薬液の供給が継続されていても、ウエハＷから飛散する第１薬液が内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間に進入することを防止することができる。 When the first chemical solution is supplied to the wafer W over a predetermined time, the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11 are raised, and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 are moved. The inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 approaches the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 while maintaining the close state. As a result, as shown in FIG. 3, the inclined portion 14 of the fixed guard 9 and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 are separated from each other, and a receiving port facing the end face of the wafer W is formed therebetween. At this time, since the gap between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 is closed by the closing member 30, even if the rotation of the wafer W and the supply of the first chemical liquid are continued. The first chemical liquid scattered from the wafer W can be prevented from entering between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11.

この後、第１薬液バルブ６が閉じられて、処理液ノズル２からウエハＷへの第１薬液の供給が停止される。そして、純水バルブ８が開かれて、処理液ノズル２からウエハＷの表面の中央部に純水が供給される。ウエハＷの表面上に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を流れ、このときウエハＷの表面および裏面に付着している第１薬液を洗い流す（リンス処理）。そして、第１薬液を含む純水は、ウエハＷの周縁から振り切られて飛散する。 Thereafter, the first chemical liquid valve 6 is closed, and the supply of the first chemical liquid from the processing liquid nozzle 2 to the wafer W is stopped. Then, the pure water valve 8 is opened, and pure water is supplied from the processing liquid nozzle 2 to the center of the surface of the wafer W. The pure water supplied on the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W. At this time, the first chemical solution adhering to the front and back surfaces of the wafer W is washed away. (Rinse treatment). Then, the pure water containing the first chemical liquid is shaken off from the periphery of the wafer W and scattered.

ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する純水（第１薬液を含む純水）は、固定ガード９の傾斜部１４と内昇降ガード１０の傾斜部１６との間に形成されている受入口に飛入する。そして、固定ガード９と内昇降ガード１０との間を通して、図示しない廃液ドレンに向けて排出される。このとき、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間が閉鎖部材３０により閉鎖され、また、中昇降ガード１１の傾斜部１８が外昇降ガード１２の傾斜部２０に近接されることにより、閉鎖部材３７の下端部が液体貯留溝３１内に貯留された純水中に進入して、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間が閉鎖部材３７により閉鎖されている。これにより、ウエハＷから飛散する純水が内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間および中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間に進入することが防止される。 Pure water (pure water containing the first chemical liquid) that is shaken off from the periphery of the wafer W and splashes to the side is formed between the inclined portion 14 of the fixed guard 9 and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10. Jump into the entrance. And it discharges | emits toward the waste liquid drain which is not shown in figure through between the fixed guard 9 and the inner raising / lowering guard 10. FIG. At this time, the space between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 is closed by the closing member 30, and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 is inclined to the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12. , The lower end portion of the closing member 37 enters the pure water stored in the liquid storage groove 31, and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 are The space is closed by a closing member 37. This prevents pure water scattered from the wafer W from entering between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11 and between the middle elevating guard 11 and the outer elevating guard 12.

ウエハＷへの純水の供給が所定時間にわたって行われると、純水バルブ８が閉じられて、処理液ノズル２からウエハＷへの純水の供給が停止される。そして、内昇降ガード１０、中昇降ガード１１および外昇降ガード１２がそれぞれ最下方まで下げられる。この後、ウエハＷ（スピンチャック１）の回転速度が予め定める高回転速度に上げられて、ウエハＷの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥工程が所定時間にわたって行われる。乾燥工程が終了すると、スピンチャック１によるウエハＷの回転が止められて、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。 When pure water is supplied to the wafer W over a predetermined time, the pure water valve 8 is closed and the supply of pure water from the processing liquid nozzle 2 to the wafer W is stopped. Then, the inner elevating guard 10, the middle elevating guard 11, and the outer elevating guard 12 are each lowered to the lowest position. Thereafter, the rotation speed of the wafer W (spin chuck 1) is increased to a predetermined high rotation speed, and a drying process in which pure water adhering to the surface of the wafer W is sprinkled off with a centrifugal force and dried is performed for a predetermined time. Is called. When the drying process is completed, the rotation of the wafer W by the spin chuck 1 is stopped, and the processed wafer W is unloaded from the spin chuck 1.

また、第１薬液による処理後のリンス工程に引き続いて、ウエハＷに対して第２薬液による処理が行われる場合には、処理液ノズル２からウエハＷへの純水の供給が停止された後、内昇降ガード１０、中昇降ガード１１および外昇降ガード１２が最上方に位置している状態から、内昇降ガード１０のみが下降される。これにより、図２に示すように、内昇降ガード１０の傾斜部１６が、中昇降ガード１１の傾斜部１８から離間して、固定ガード９の傾斜部１４に近接し、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間に、ウエハＷの端面に対向する受入口が形成される。 Further, after the rinsing process after the processing with the first chemical solution, when the processing with the second chemical solution is performed on the wafer W, the supply of pure water from the processing solution nozzle 2 to the wafer W is stopped. Only the inner elevating guard 10 is lowered from the state in which the inner elevating guard 10, the middle elevating guard 11 and the outer elevating guard 12 are located at the uppermost position. As a result, as shown in FIG. 2, the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 is separated from the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11, is adjacent to the inclined portion 14 of the fixed guard 9, and the inner elevating guard 10 is inclined. A receiving port facing the end surface of the wafer W is formed between the portion 16 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11.

そして、ウエハＷの回転が続けられたまま、第２薬液バルブ７が開かれて、処理液ノズル２からウエハＷの表面の中央部に第２薬液が供給される。ウエハＷの表面上に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を流れ、ウエハＷの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハＷの表面全域に第２薬液が行き渡り、ウエハＷの表面に対して第２薬液による処理が施されていく。 Then, the second chemical liquid valve 7 is opened while the rotation of the wafer W is continued, and the second chemical liquid is supplied from the processing liquid nozzle 2 to the center of the surface of the wafer W. The second chemical supplied on the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W, flows on the surface of the wafer W, and scatters from the periphery of the wafer W to the side. As a result, the second chemical liquid spreads over the entire surface of the wafer W, and the surface of the wafer W is processed by the second chemical liquid.

ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第２薬液は、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間に形成されている受入口に飛入する。そして、内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間を通して、図示しない第２薬液回収設備に回収される。このとき、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間が閉鎖部材３７により閉鎖されているので、ウエハＷから飛散する第２薬液が中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間に進入することが防止される。 The second chemical liquid that is shaken off from the periphery of the wafer W and scatters to the side enters a receiving port formed between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. And it passes through between the inner raising / lowering guard 10 and the middle raising / lowering guard 11, and is collect | recovered by the 2nd chemical | medical agent collection | recovery facility which is not shown in figure. At this time, since the gap between the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 is closed by the closing member 37, the second chemical liquid scattered from the wafer W is moved up and down from the middle elevating guard 11. Entering between the guard 12 is prevented.

ウエハＷへの第２薬液の供給が所定時間にわたって行われると、内昇降ガード１０が上昇されて、内昇降ガード１０の傾斜部１６が中昇降ガード１１の傾斜部１８に近接する。これにより、図３に示すように、再び、固定ガード９の傾斜部１４と内昇降ガード１０の傾斜部１６との間に、ウエハＷの端面に対向する受入口が形成される。
この後、第２薬液バルブ７が閉じられて、処理液ノズル２からウエハＷへの第２薬液の供給が停止される。そして、純水バルブ８が開かれて、処理液ノズル２からウエハＷの表面の中央部に純水が供給される。ウエハＷの表面上に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を流れ、このときウエハＷの表面および裏面に付着している第２薬液を洗い流す（リンス処理）。このリンス処理では、第１薬液を洗い流すためのリンス処理の場合と同様に、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する純水（第２薬液を含む純水）は、固定ガード９の傾斜部１４と内昇降ガード１０の傾斜部１６との間に形成されている受入口に飛入し、固定ガード９と内昇降ガード１０との間から廃液ドレンに排出される。このとき、内昇降ガード１０の傾斜部１６が中昇降ガード１１の傾斜部１８に近接して、閉鎖部材３０が液体貯留溝２４内に貯留された純水中に進入し、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間が閉鎖部材３０により閉鎖されている。これにより、ウエハＷから飛散する純水が内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間および中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間に進入することが防止される。 When the second chemical solution is supplied to the wafer W over a predetermined time, the inner elevating guard 10 is raised, and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 approaches the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. As a result, as shown in FIG. 3, a receiving port facing the end surface of the wafer W is formed again between the inclined portion 14 of the fixed guard 9 and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10.
Thereafter, the second chemical liquid valve 7 is closed, and the supply of the second chemical liquid from the processing liquid nozzle 2 to the wafer W is stopped. Then, the pure water valve 8 is opened, and pure water is supplied from the processing liquid nozzle 2 to the center of the surface of the wafer W. The pure water supplied on the surface of the wafer W receives centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows on the surface of the wafer W. At this time, the second chemical liquid adhering to the front and back surfaces of the wafer W is washed away. (Rinse treatment). In this rinsing process, as in the case of the rinsing process for washing away the first chemical solution, the pure water (pure water containing the second chemical solution) that is shaken off from the periphery of the wafer W and scattered laterally is It jumps into a receiving port formed between the inclined portion 14 and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and is discharged from the space between the fixed guard 9 and the inner elevating guard 10 to the waste liquid drain. At this time, the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 approaches the inclined portion 18 of the inner elevating guard 11, and the closing member 30 enters the pure water stored in the liquid storage groove 24. A closing member 30 closes the inclined portion 16 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. This prevents pure water scattered from the wafer W from entering between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11 and between the middle elevating guard 11 and the outer elevating guard 12.

以上のように、この実施形態によれば、第１薬液によるウエハＷの処理時には、外昇降ガード１２の傾斜部２０が中昇降ガード１１の傾斜部１８の上方に大きく離間され、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間に、ウエハＷの端面に対向する受入口が形成される。これにより、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第１薬液を、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間に形成されている受入口に飛入させることができ、中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間を通して回収することができる。このとき、中昇降ガード１１の傾斜部１８と内昇降ガード１０の傾斜部１６とが近接し、閉鎖部材３０の下端部が液体貯留溝２４内に貯留された純水中に進入して、閉鎖部材３０が内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間を閉鎖しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液が内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間に進入することを防止することができる。そのため、第１薬液を高純度に回収することができる。 As described above, according to this embodiment, when the wafer W is processed with the first chemical solution, the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 is largely separated above the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11, and the middle elevating guard 11 Between the inclined portion 18 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12, a receiving port facing the end surface of the wafer W is formed. As a result, the first chemical liquid that is shaken off from the periphery of the wafer W and scatters to the side is ejected to the receiving port formed between the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12. And can be recovered through the space between the middle elevating guard 11 and the outer elevating guard 12. At this time, the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 are close to each other, and the lower end portion of the closing member 30 enters the pure water stored in the liquid storage groove 24 and is closed. Since the member 30 closes between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11, the first chemical liquid scattered from the wafer W is formed between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11. It is possible to prevent entry between them. Therefore, the first chemical solution can be recovered with high purity.

また、第２薬液によるウエハＷの処理時には、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８とが大きく離間されて、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間に、ウエハＷの端面に対向する受入口が形成される。これにより、ウエハＷの周縁から振り切られて側方に飛散する第２薬液を、内昇降ガード１０の傾斜部１６と中昇降ガード１１の傾斜部１８との間に形成されている受入口に飛入させることができ、内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間を通して回収することができる。このとき、中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０とが近接し、閉鎖部材３７の下端部が液体貯留溝３１内に貯留された純水中に進入して、閉鎖部材３７が中昇降ガード１１の傾斜部１８と外昇降ガード１２の傾斜部２０との間を閉鎖しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液が中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間に進入することを防止することができる。そのため、第２薬液を高純度に回収することができる。 Further, when the wafer W is processed with the second chemical solution, the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 are greatly separated, and the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11 are separated. A receiving port facing the end surface of the wafer W is formed between the inclined portion 18 and the inclined portion 18. As a result, the second chemical liquid that is shaken off from the periphery of the wafer W and splashes to the side is splashed to the receiving port formed between the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 and the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11. And can be recovered through the space between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11. At this time, the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12 are close to each other, and the lower end portion of the closing member 37 enters the pure water stored in the liquid storage groove 31 and is closed. Since the member 37 closes between the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 and the inclined portion 20 of the outer elevating guard 12, the second chemical liquid scattered from the wafer W is formed between the middle elevating guard 11 and the outer elevating guard 12. It is possible to prevent entry between them. Therefore, the second chemical solution can be recovered with high purity.

しかも、固定ガード９、内昇降ガード１０、中昇降ガード１１および外昇降ガード１２が相互に接触しないので、ウエハＷの汚染の原因となるパーティクルを発生するおそれがない。
よって、ウエハＷの汚染の原因となるパーティクルの発生の問題を生じることなく、ウエハＷの処理に使用された第１薬液および第２薬液をそれぞれ高純度に回収することができる。 In addition, since the fixed guard 9, the inner elevating guard 10, the middle elevating guard 11, and the outer elevating guard 12 do not contact each other, there is no possibility of generating particles that cause contamination of the wafer W.
Therefore, the first chemical solution and the second chemical solution used for processing the wafer W can be recovered with high purity without causing the problem of generation of particles that cause contamination of the wafer W.

また、中昇降ガード１１の傾斜部１８には、排液溝３５が液体貯留溝３１の周囲を取り囲むように形成されているので、たとえ液体貯留溝３１から純水が溢れても、その溢れた純水を、排液溝３５に流入させて、排液溝３５から分岐排水路３６を通して排出することができる。そのため、液体貯留溝３１から溢れた純水が中昇降ガード１１と外昇降ガード１２との間を通して回収される第１薬液に混入することを防止することができ、その回収される第１薬液の純度をさらに向上させることができる。 In addition, since the drainage groove 35 is formed in the inclined portion 18 of the middle elevating guard 11 so as to surround the liquid storage groove 31, the liquid storage groove 31 overflows even if pure water overflows. Pure water can flow into the drainage groove 35 and be discharged from the drainage groove 35 through the branch drainage channel 36. Therefore, it is possible to prevent the pure water overflowing from the liquid storage groove 31 from being mixed into the first chemical liquid collected through the space between the middle elevating guard 11 and the outer elevating guard 12, and the collected first chemical liquid. Purity can be further improved.

同様に、内昇降ガード１０の傾斜部１６には、排液溝２８が液体貯留溝２４の周囲を取り囲むように形成されているので、たとえ液体貯留溝２４から純水が溢れても、その溢れた純水を、排液溝２８に流入させて、排液溝２８から分岐排水路２９を通して排出することができる。そのため、液体貯留溝２４から溢れた純水が内昇降ガード１０と中昇降ガード１１との間を通して回収される第２薬液に混入することを防止することができ、その回収される第２薬液の純度をさらに向上させることができる。 Similarly, since the drainage groove 28 is formed in the inclined portion 16 of the inner elevating guard 10 so as to surround the periphery of the liquid storage groove 24, even if pure water overflows from the liquid storage groove 24, it overflows. The pure water can flow into the drainage groove 28 and be discharged from the drainage groove 28 through the branch drainage channel 29. Therefore, it is possible to prevent the pure water overflowing from the liquid storage groove 24 from being mixed into the second chemical liquid collected through the space between the inner elevating guard 10 and the middle elevating guard 11, and the recovered second chemical liquid. Purity can be further improved.

以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、処理液ノズル２からウエハＷの表面に第１薬液、第２薬液および純水が選択的に供給されるとしたが、スピンチャック１に上方に、ウエハＷの表面に第１薬液を供給するためのノズルと、ウエハＷの表面に第２薬液を供給するためのノズルと、ウエハＷの表面に純水を供給するためのノズルとを設けて、それらのノズルを選択して、ウエハＷの表面に第１薬液、第２薬液および純水を供給する構成としてもよい。 Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be implemented in other forms. For example, in the above embodiment, the first chemical liquid, the second chemical liquid, and pure water are selectively supplied from the processing liquid nozzle 2 to the surface of the wafer W, but the surface of the wafer W is disposed above the spin chuck 1. Provided with a nozzle for supplying a first chemical solution, a nozzle for supplying a second chemical solution to the surface of the wafer W, and a nozzle for supplying pure water to the surface of the wafer W. It is also possible to select and supply the first chemical solution, the second chemical solution, and pure water to the surface of the wafer W.

また、上記の実施形態では、固定ガード９がスピンチャック１に対して固定的に配置されているとしたが、固定ガード９にボールねじ機構などを含む昇降機構が結合されて、固定ガード９がスピンチャック１に対して昇降する構成が採用されてもよい。
さらにまた、閉鎖部材３０，３７の下端部は、断面先細り形状に形成されることが好ましい。閉鎖部材３０，３７の下端部が断面先細り形状であれば、閉鎖部材３０，３７の下端部がそれぞれ液体貯留溝２４，３１に貯留されている純水から抜け出たときに、閉鎖部材３０，３７に付着した純水を速やかに流下させることができ、閉鎖部材３０，３７に純水が付着した状態のままで長時間放置されることを防止することができる。 In the above embodiment, the fixed guard 9 is fixedly arranged with respect to the spin chuck 1. However, the fixed guard 9 is coupled to an elevating mechanism including a ball screw mechanism and the like. A configuration that moves up and down with respect to the spin chuck 1 may be employed.
Furthermore, it is preferable that the lower end portions of the closing members 30 and 37 are formed in a tapered cross section. If the lower end portions of the closing members 30 and 37 are tapered in cross section, the closing members 30 and 37 are removed when the lower end portions of the closing members 30 and 37 come out of the pure water stored in the liquid storage grooves 24 and 31, respectively. The pure water adhering to the water can flow down quickly, and it is possible to prevent the pure water from adhering to the closing members 30 and 37 from being left for a long time.

なお、液体貯留溝２４，３１に貯留される液体は、純水に限定されず、たとえば、液体貯留溝２４には第２薬液が貯留され、液体貯留溝３１には第１薬液が貯留されてもよい。
また、上記の実施形態では、純水供給路２５，３２から液体貯留溝２４，３１に一定流量の純水を流入させつつ、その純水が排水路２７，３４から排出されることによって、液体貯留溝２４，３１に所定量の純水が貯留した状態を維持するようになっており、したがって、液体貯留溝２４，３１内の液体は常時入れ替えられるようになっている。しかし、これに限らず、この液体貯留溝２４，３１内の液体の入れ替えは、必要に応じたタイミングで間欠的に行なってもよい。具体的にはたとえば、最初、排水路２７，３４の下流側流路の途中に設けられたバルブＢを閉成するとともに、純水供給路２５，３２から液体貯留溝２４，３１に予め所定量の純水を供給して貯留し、この状態で基板処理を始める。そして、基板処理がしばらくの期間行なわれた後、所定の時間的条件（たとえば、所定の処理経過時間毎、所定の基板処理枚数毎、所定の基板処理ロット終了毎等）に応じたタイミングで、排水路２７，３４の途中に設けられたバルブＢを開成して、液体貯留溝２４，３１内の液体を排出した後、再度、バルブＢを閉成するとともに、純水供給路２５，３２から液体貯留溝２４，３１に所定量の新しい純水を供給することにより、液体貯留溝２４，３１内の液体の入れ替えを実現してもよい。このようにすれば、液体貯留溝２４，３１に供給する純水の消費量を大幅に削減することができる。 The liquid stored in the liquid storage grooves 24 and 31 is not limited to pure water. For example, the second chemical liquid is stored in the liquid storage groove 24 and the first chemical liquid is stored in the liquid storage groove 31. Also good.
Further, in the above embodiment, the pure water is discharged from the drainage channels 27 and 34 while flowing a definite amount of pure water from the pure water supply channels 25 and 32 into the liquid storage grooves 24 and 31, thereby allowing the liquid to flow. A state in which a predetermined amount of pure water is stored in the storage grooves 24 and 31 is maintained, so that the liquid in the liquid storage grooves 24 and 31 is constantly replaced. However, the present invention is not limited to this, and the replacement of the liquid in the liquid storage grooves 24 and 31 may be performed intermittently at a timing as necessary. Specifically, for example, first, the valve B provided in the middle of the downstream flow path of the drainage channels 27 and 34 is closed, and a predetermined amount is supplied in advance from the pure water supply channels 25 and 32 to the liquid storage grooves 24 and 31. In this state, substrate processing is started. Then, after the substrate processing is performed for a while, at a timing according to a predetermined time condition (for example, every predetermined processing elapsed time, every predetermined number of processed substrates, every end of a predetermined substrate processing lot, etc.) After opening the valve B provided in the middle of the drainage channels 27 and 34 and discharging the liquid in the liquid storage grooves 24 and 31, the valve B is closed again and the pure water supply channels 25 and 32 are connected. The liquid in the liquid storage grooves 24 and 31 may be replaced by supplying a predetermined amount of new pure water to the liquid storage grooves 24 and 31. In this way, the consumption of pure water supplied to the liquid storage grooves 24 and 31 can be greatly reduced.

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図であり、ウエハに対する第１薬液による処理時における内昇降ガード、中昇降ガードおよび外昇降ガードの位置を示す。1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and shows positions of an inner elevating guard, an intermediate elevating guard, and an outer elevating guard when a wafer is processed with a first chemical solution. この発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図であり、ウエハに対する第２薬液による処理時における内昇降ガード、中昇降ガードおよび外昇降ガードの位置を示す。It is an illustration sectional view of a substrate processing device concerning one embodiment of this invention, and shows a position of an inner raising guard, a middle raising guard, and an outer raising guard at the time of processing with the 2nd chemicals to a wafer. この発明の一実施形態に係る基板処理装置の図解的な断面図であり、ウエハに対する純水による処理時における内昇降ガード、中昇降ガードおよび外昇降ガードの位置を示す。1 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and shows positions of an inner elevating guard, an intermediate elevating guard, and an outer elevating guard when a wafer is treated with pure water.

Explanation of symbols

１スピンチャック
２処理液ノズル
１０内昇降ガード
１１中昇降ガード
１２外昇降ガード
１６傾斜部
１８傾斜部
２０傾斜部
２１第１昇降機構
２２第２昇降機構
２３第３昇降機構
２４液体貯留溝
２５純水供給路
２６流量調節バルブ
２７排水路
２８排液溝
３０閉鎖部材
３１液体貯留溝
３２純水供給路
３３流量調節バルブ
３４排水路
３５排液溝
３７閉鎖部材
Ｃ回転軸線
Ｗウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spin chuck 2 Process liquid nozzle 10 Inner raising / lowering guard 11 Middle raising / lowering guard 12 Outer raising / lowering guard 16 Inclination part 18 Inclination part 20 Inclination part 21 1st raising / lowering mechanism 22 2nd raising / lowering mechanism 23 3rd raising / lowering mechanism 24 Liquid storage groove 25 Pure water Supply path 26 Flow rate adjustment valve 27 Drainage path 28 Drainage groove 30 Closing member 31 Liquid storage groove 32 Pure water supply path 33 Flow rate adjustment valve 34 Drainage path 35 Drainage groove 37 Closing member C Rotating axis W Wafer

Claims

Substrate rotating means for holding the substrate substantially horizontally and rotating the held substrate about a substantially vertical rotation axis intersecting the surface of the substrate;
Treatment liquid supply means for supplying a treatment liquid to the substrate rotated by the substrate rotation means;
A first guard that surrounds the substrate rotating means and is formed so that an upper end portion extends in a direction intersecting the rotation axis;
A second guard that surrounds the substrate rotating means, has an upper end that extends in a direction intersecting the rotation axis, and is opposed to the upper end of the first guard from above;
An elevating mechanism for elevating and lowering at least one of the first guard and the second guard;
An annular liquid storage groove that is formed to be recessed downward from the upper surface of the upper end portion of the first guard, and stores liquid therein.
It is formed in a substantially cylindrical shape that protrudes from the lower surface of the upper end portion of the second guard toward the liquid storage groove, and the upper end portion of the first guard and the upper end portion of the second guard are close to each other with a predetermined gap therebetween. And a closing member that closes between the upper end portion of the first guard and the upper end portion of the second guard, the lower end portion entering the liquid stored in the liquid storage groove. A substrate processing apparatus.

The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising liquid supply means for supplying a liquid to the liquid storage groove.

The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a drainage unit that discharges the liquid stored in the liquid storage groove.

The drainage groove according to any one of claims 1 to 3, further comprising an annular drainage groove formed to be recessed downward from an upper surface of the upper end portion of the first guard and surrounding the periphery of the liquid storage groove. Substrate processing equipment.