JP4917470B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Description

この発明は、薬液を用いた基板処理のための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate using a chemical solution. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, glass substrates for liquid crystal display devices, glass substrates for plasma displays, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, and magneto-optical disk substrates. , Photomask substrates and the like.

半導体装置や液晶表示装置の製造工程には、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、基板の処理に用いられる複数種の薬液の消費量をそれぞれ低減させるために、複数の薬液を個別に回収して再使用するように構成されたものがある。   In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one in order to perform processing with a chemical solution on the surface of a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel. Sometimes used. Some of these types of substrate processing apparatuses are configured to individually collect and reuse a plurality of chemical solutions in order to reduce the consumption of multiple types of chemical solutions used for substrate processing. is there.

複数種の薬液を個別回収可能な構成の基板処理装置は、たとえば、複数本のチャックピンで基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックを収容した有底円筒形状のカップと、そのカップに対して昇降可能に設けられたスプラッシュガードとを備えている。
カップの底部には、スピンチャックの周囲を取り囲むように、基板の処理に用いられた後の薬液を廃液するための廃液溝が形成されており、さらに、この廃液溝を取り囲むように、たとえば、基板の処理のために用いられた後の薬液を回収するための第１および第２回収溝が２重に形成されている。廃液溝には、図外の廃液処理設備へと薬液を導くための廃液ラインが接続されており、第１および第２回収溝には、図外の回収処理設備へと薬液を導くための回収路がそれぞれに接続されている。 A substrate processing apparatus having a configuration capable of individually collecting a plurality of types of chemical solutions is, for example, a spin chuck that rotates a substrate while holding the substrate substantially horizontally with a plurality of chuck pins, and a bottomed substrate that accommodates the spin chuck. A cylindrical cup and a splash guard provided so as to be movable up and down with respect to the cup are provided.
At the bottom of the cup, a waste liquid groove for waste of the chemical liquid used for processing the substrate is formed so as to surround the periphery of the spin chuck, and further, for example, First and second recovery grooves for recovering the chemical solution used for processing the substrate are formed in a double manner. The waste liquid groove is connected to a waste liquid line for guiding the chemical liquid to a waste liquid treatment facility (not shown), and the first and second recovery grooves are used for collecting the chemical liquid to the recovery treatment facility (not shown). Roads are connected to each.

スプラッシュガードは、基板から飛散する第１薬液を受け入れるための第１開口部と、基板から飛散する第２薬液を受け入れるための第２開口部と、基板から飛散する第３薬液を受け入れるための第３開口部とを、高さ位置を互いに異ならせて備えている。
そして、第１開口部および第２開口部に飛入する第１薬液および第２薬液は、それぞれカップ底部の第１回収溝および第２回収溝へ導かれる。第３開口部に飛入する第３薬液は、カップ底部の廃液溝へ導かれる。 The splash guard has a first opening for receiving the first chemical liquid splashing from the substrate, a second opening for receiving the second chemical liquid splashing from the substrate, and a first opening for receiving the third chemical liquid splashing from the substrate. Three openings are provided at different height positions.
And the 1st chemical | medical solution and 2nd chemical | medical solution which jump into a 1st opening part and a 2nd opening part are each guide | induced to the 1st collection groove | channel and 2nd collection | recovery groove | channel of a cup bottom part. The 3rd chemical | medical solution which jumps into a 3rd opening part is guide | induced to the waste-liquid groove | channel of a cup bottom part.

スピンチャックによって基板を回転させつつ、基板の表面に第１薬液を供給することにより、基板の表面に第１薬液による処理を施すことができる。基板の表面に供給された第１薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の周縁から側方へ飛散する。このとき、第１開口部を基板の端面に対向させることにより、基板の周縁から飛散する第１薬液を、第１開口部へ飛入させて、第１回収溝に回収することができる。また、基板の表面に第２薬液を供給するときに、第２開口部を基板の端面に対向させることにより、基板から飛散する第２薬液を回収することができる。さらに、基板の表面に第３薬液を供給するときに、第３開口部を基板の端面に対向させることにより、基板の周縁から飛散する第３薬液を、廃液溝を通して廃液することができる。   By supplying the first chemical solution to the surface of the substrate while rotating the substrate by the spin chuck, the surface of the substrate can be treated with the first chemical solution. The 1st chemical | medical solution supplied to the surface of a board | substrate receives the centrifugal force by rotation of a board | substrate, and is scattered from the periphery of a board | substrate to a side. At this time, by making the first opening face the end face of the substrate, the first chemical liquid scattered from the peripheral edge of the substrate can jump into the first opening and be collected in the first collection groove. Further, when supplying the second chemical solution to the surface of the substrate, the second chemical solution scattered from the substrate can be collected by making the second opening face the end surface of the substrate. Further, when the third chemical liquid is supplied to the surface of the substrate, the third chemical liquid scattered from the peripheral edge of the substrate can be discharged through the waste liquid groove by making the third opening face the end surface of the substrate.

スピンチャックによる基板の回転は、レシピに定められた回転数に基づいて制御される。基板から飛散する第１薬液、第２薬液および第３薬液の飛散方向は、基板の回転数および各薬液の粘度に依存する。したがって、各薬液が各開口部に上手く飛入するように、基板への各薬液の供給時における基板の回転数およびスプラッシュガードの位置が決められている。
特開２００６−６６８１５号公報 The rotation of the substrate by the spin chuck is controlled based on the number of rotations defined in the recipe. The scattering directions of the first chemical solution, the second chemical solution, and the third chemical solution scattered from the substrate depend on the rotation speed of the substrate and the viscosity of each chemical solution. Therefore, the number of rotations of the substrate and the position of the splash guard are determined so that each chemical solution can be successfully introduced into each opening.
JP 2006-66815 A

しかしながら、何らかの異常により、基板がレシピに定められた通りの回転数で回転されないことがある。
基板の回転数が、レシピに定められた回転数から大きく外れている場合、予定していた方向と大きく異なる方向に薬液が飛散する。この場合、第１薬液が第２開口部に進入して、第２開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じたり、第２薬液が第１開口部に進入して、第１開口部において第１薬液と第２薬液との混触が生じたりするおそれがある。第１薬液と第２薬液との組合せが、王水と硫酸とのように混触に危険を伴うような組合せである場合、これらの薬液が混触すると、激しい発熱反応による処理カップの破損や、反応生成物として塩素ガスの発生を招くおそれがある。また、このような事態は、入力ミスなどが原因で、基板の適正な回転数がレシピに定められていない場合にも生じ得る。 However, due to some abnormality, the substrate may not be rotated at the rotation speed as defined in the recipe.
When the number of rotations of the substrate is significantly different from the number of rotations determined in the recipe, the chemical solution is scattered in a direction significantly different from the planned direction. In this case, the first chemical liquid enters the second opening, and the first chemical liquid and the second chemical liquid are mixed in the second opening, or the second chemical liquid enters the first opening, There is a possibility that the first chemical liquid and the second chemical liquid may be mixed in the opening. If the combination of the 1st chemical and the 2nd chemical is a combination that is dangerous to contact, such as aqua regia and sulfuric acid, if these chemicals are mixed, the treatment cup may be damaged due to severe exothermic reaction, There is a risk of generating chlorine gas as a product. Such a situation may also occur when an appropriate number of rotations of the substrate is not set in the recipe due to an input error or the like.

そこで、この発明の目的は、処理カップの開口部に薬液を良好に進入させることができる基板処理装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of favorably allowing a chemical solution to enter the opening of the processing cup.

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させるための基板回転手段（３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に第１薬液を供給する第１薬液供給手段（１８，２３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に前記第１薬液とは異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段（１９，２４）と、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部（５８）と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部（５９）とを有する処理カップ（３８，３９）と、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる基板の第１回転数範囲、および前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる基板の第２回転数範囲が記憶された回転数範囲記憶手段（６２）と、前記基板回転手段によって回転される基板の回転数を検出する回転数検出手段と、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時に、前記回転数検出手段により検出される基板の回転数を監視し、その回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第１回転数範囲外である場合、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給を禁止する第１供給禁止手段（６１）と、前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時に、前記回転数検出手段により検出される基板の回転数を監視し、その回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第２回転数範囲外である場合、前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給を禁止する第２供給禁止手段（６１）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is the substrate rotating means (3) for rotating while holding the substrate (W), and the first chemical solution is applied to the substrate rotated by the substrate rotating means. First chemical liquid supply means (18, 23) for supplying; second chemical liquid supply means (19, 24) for supplying a second chemical liquid different from the first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means; A first opening (58) formed to surround the rotation axis of the substrate by the substrate rotating means and for allowing the first chemical liquid scattered from the substrate to enter; and the first opening in a direction parallel to the rotation axis. Processing cups (38, 39) formed to surround the rotation axis at different positions and having a second opening (59) for allowing the second chemical liquid scattered from the substrate to enter , and the first chemical supply means First by A first rotational speed range of the substrate that allows the first chemical liquid scattered from the substrate rotated by the substrate rotating means to enter the first opening at the time of supplying the liquid, and a second chemical liquid supply means by the second chemical liquid supply means. A rotation speed range storage means (62) that stores a second rotation speed range of the substrate that allows the second chemical liquid scattered from the substrate rotated by the substrate rotation means to enter the second opening when the chemical liquid is supplied. ), A rotation speed detection means for detecting the rotation speed of the substrate rotated by the substrate rotation means, and the rotation of the substrate detected by the rotation speed detection means when the first chemical solution is supplied by the first chemical solution supply means . when monitoring the number, the number of revolutions is the first rotational speed range which is stored in the engine speed range storage means, the first supply prohibition hand prohibits the supply of the first liquid chemical according to the first chemical liquid supply means And (61), when the supply of the second liquid chemical according to the second chemical liquid supply means, said monitoring the rotational speed of the substrate which is detected by the rotation speed detecting means, the rotational speed is stored in the rotational speed range storage means And a second supply prohibiting means (61) for prohibiting the supply of the second chemical liquid by the second chemical liquid supply means when it is outside the second rotation speed range .

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、第１薬液供給時の基板の第１回転数範囲と第２薬液供給時の基板の第２回転数範囲とが回転数記憶手段に個別に記憶されている。また、第１回転数検出手段によって検出される基板の回転数が回転数範囲記憶手段に記憶されている第１回転数範囲外であると、第１薬液の供給が禁止される。第２回転数検出手段によって検出される基板の回転数が回転数範囲記憶手段に記憶されている第２回転数範囲外であると、第２薬液の供給が禁止される。このため、基板の適正な第１回転数範囲および第２回転数範囲を回転数範囲記憶手段に記憶させておけば、基板から飛散する第１薬液を第１開口部に進入させることができ、また、基板から飛散する第２薬液を第２開口部に進入させることができる。これにより、処理カップにおける第１薬液と第２薬液との混触の発生を防止することができる。 In addition, the alphanumeric characters in parentheses represent corresponding components in the embodiments described later. The same applies hereinafter.
According to this structure, the 1st rotation speed range of the board | substrate at the time of a 1st chemical | medical solution supply and the 2nd rotation speed range of the board | substrate at the time of a 2nd chemical | medical solution supply are memorize | stored separately in the rotation speed memory | storage means. In addition, when the number of rotations of the substrate detected by the first number-of-rotations detection unit is outside the first range of rotations stored in the number-of-rotations range storage unit, the supply of the first chemical solution is prohibited. If the rotation speed of the substrate detected by the second rotation speed detection means is outside the second rotation speed range stored in the rotation speed range storage means, the supply of the second chemical solution is prohibited. For this reason, if the appropriate first rotation speed range and second rotation speed range of the substrate are stored in the rotation speed range storage means, the first chemical liquid scattered from the substrate can enter the first opening, Moreover, the 2nd chemical | medical solution scattered from a board | substrate can be made to approach into a 2nd opening part. Thereby, generation | occurrence | production of the contact with the 1st chemical | medical solution and 2nd chemical | medical solution in a processing cup can be prevented.

請求項２記載の発明は、基板（Ｗ）を保持しつつ回転させるための基板回転手段（３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に第１薬液を供給する第１薬液供給手段（１８，２３）と、前記基板回転手段によって回転される基板に前記第１薬液とは異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段（１９，２４）と、前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部（５８）と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部（５９）とを有する処理カップ（３８，３９）と、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる基板の第１回転数範囲、および前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる基板の第２回転数範囲が記憶された回転数範囲記憶手段（６２）と、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時における基板の回転数、および前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時における基板の回転数を定めたレシピを入力するレシピ入力手段（６４）と、前記レシピ入力手段から入力されたレシピを記憶するためのレシピ記憶手段（６２）と、前記レシピ入力手段から入力されたレシピを参照し、そのレシピで定められている第１薬液の供給時における基板の回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第１回転数範囲外である場合、またはそのレシピで定められている第２薬液の供給時における基板の回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第２回転数範囲外である場合、前記レシピ入力手段から入力されたレシピの前記レシピ記憶手段への記憶を禁止するレシピ記憶禁止手段（６１）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。 The invention according to claim 2 is a substrate rotating means (3) for rotating while holding the substrate (W), and a first chemical liquid supplying means (1) for supplying the first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means ( 18, 23), second chemical liquid supply means (19, 24) for supplying a second chemical liquid different from the first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means, and a rotation axis of the substrate by the substrate rotating means And the first opening (58) for allowing the first chemical liquid scattered from the substrate to enter, and the rotation axis at a position different from the first opening in a direction parallel to the rotation axis When the first chemical liquid is supplied by the first chemical liquid supply means , the processing cup (38, 39) having a second opening (59) for allowing the second chemical liquid to be scattered from the substrate to enter , The substrate times The first rotation speed range of the substrate that allows the first chemical solution scattered from the substrate rotated by the means to enter the first opening, and the rotation of the substrate during the supply of the second chemical solution by the second chemical solution supply means A rotation speed range storage means (62) in which a second rotation speed range of the substrate capable of allowing the second chemical liquid scattered from the substrate rotated by the means to enter the second opening is stored; and the first chemical liquid supply rotational speed of the substrate during the supply of the first chemical liquid by means and recipe input means for inputting recipe which defines the rotational speed of the substrate during the supply of the second liquid chemical according to the second chemical liquid supply means (64), the recipe a recipe storage means for storing a recipe that has been inputted from the input means (62), with reference to the recipe that has been inputted from the recipe input means, first chemical liquid which is defined by the recipe When the rotation speed of the substrate during the supply is first rotational speed range which is stored in the engine speed range storage means, or the rotational speed of the substrate during the supply of the second chemical liquid are defined in the recipe And a recipe storage prohibiting means (61) for prohibiting the storage of the recipe input from the recipe input means in the recipe storage means when it is outside the second rotational speed range stored in the rotational speed range storage means. This is a substrate processing apparatus.

この構成によれば、第１薬液供給時の基板の第１回転数範囲と第２薬液供給時の基板の第２回転数範囲とが回転数記憶手段に個別に記憶されている。また、レシピに定められている第１薬液の供給時における基板の回転数が回転数記憶手段に記憶されている第１回転数範囲外であるとき、またはレシピに定められている第２薬液の供給時における基板の回転数が回転数記憶手段に記憶されている第２回転数範囲外であるときには、そのレシピのレシピ記憶手段への記憶が禁止される。このため、基板の適正な第１回転数範囲および第２回転数範囲を回転数範囲記憶手段に記憶させておけば、基板の回転数が適正に定められたレシピに基づいて基板を回転させることができる。 According to this structure, the 1st rotation speed range of the board | substrate at the time of a 1st chemical | medical solution supply and the 2nd rotation speed range of the board | substrate at the time of a 2nd chemical | medical solution supply are memorize | stored separately in the rotation speed memory | storage means. Further, when the rotation speed of the substrate at the time of supplying the first chemical liquid specified in the recipe is outside the first rotation speed range stored in the rotation speed storage means , or the second chemical liquid specified in the recipe When the rotation speed of the substrate at the time of supply is outside the second rotation speed range stored in the rotation speed storage means, storage of the recipe in the recipe storage means is prohibited. For this reason, if the appropriate first rotation speed range and second rotation speed range of the substrate are stored in the rotation speed range storage means, the substrate can be rotated based on a recipe in which the rotation speed of the substrate is appropriately determined. Can do.

これにより、基板から飛散する第１薬液を第１開口部に進入させることができ、また、基板から飛散する第２薬液を第２開口部に進入させることができる。ゆえに、処理カップにおける第１薬液と第２薬液との混触の発生を防止することができる。
請求項３記載の発明は、前記基板回転手段によって回転される基板に第３薬液を供給する第３薬液供給手段（３５）を、さらに備え、前記基板回転手段は、基板をほぼ水平な姿勢に保持して、鉛直軸線まわりに回転させるものであり、前記回転数範囲記憶手段には、前記第３薬液供給手段による第３薬液の供給時における基板の第３回転数範囲が記憶され、前記第３回転数範囲は、前記第３薬液供給手段からの第３薬液を基板の上面に液盛りすることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置である。 Thereby, the 1st chemical | medical solution splashed from a board | substrate can be made to approach into a 1st opening part, and the 2nd chemical | medical solution splashed from a board | substrate can be made to enter a 2nd opening part. Therefore , generation | occurrence | production of the contact with the 1st chemical | medical solution and 2nd chemical | medical solution in a processing cup can be prevented.
The invention according to claim 3 further includes a third chemical liquid supply means (35) for supplying a third chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means, and the substrate rotating means has the substrate in a substantially horizontal posture. The rotation speed range storage means stores a third rotation speed range of the substrate when the third chemical liquid is supplied by the third chemical liquid supply means, and stores the rotation speed range storage means. 3 rpm range, characterized in that the third chemical liquid from the third chemical liquid supply means is a rotational speed range which can be puddled on the upper surface of the substrate, the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein is there.

この構成によれば、基板の上面に第３薬液を良好に液盛りさせることができる。   According to this configuration, the third chemical liquid can be satisfactorily deposited on the upper surface of the substrate.

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
基板処理装置１は、第１薬液、第２薬液、第３薬液およびＤＩＷ（deionized water）を用いて、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。この基板処理装置１は、隔壁（図示せず）により区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面（上面）に第１薬液を供給するための第１薬液ノズル４と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第２薬液を供給するための第２薬液ノズル５と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りするための第３薬液ノズル６と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing the structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 uses the first chemical solution, the second chemical solution, the third chemical solution, and DIW (deionized water) to remove contaminants from a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) that is an example of a substrate. It is an apparatus for executing a cleaning process for removal. The substrate processing apparatus 1 includes a spin chuck 3 for holding and rotating a wafer W substantially horizontally in a processing chamber 2 partitioned by a partition wall (not shown), and a wafer W held on the spin chuck 3. A first chemical solution nozzle 4 for supplying a first chemical solution to the surface (upper surface) of the substrate, a second chemical solution nozzle 5 for supplying a second chemical solution to the surface of the wafer W held by the spin chuck 3, and a spin chuck The third chemical liquid 6 is supplied to the surface of the wafer W held on the surface 3 and the DIW is supplied to the surface of the wafer W held on the spin chuck 3 and the third chemical liquid nozzle 6 for depositing the liquid on the surface of the wafer W. The DIW nozzle 7 is provided.

たとえば、第１薬液、第２薬液および第３薬液の組合せとしては、王水、アンモニア過酸化水素水および硫酸の組合せや、ポリマ除去液として用いられるフッ化アンモン系液、ふっ酸およびバッファードふっ酸の組合せを例示することができる。
スピンチャック３は、ほぼ鉛直に延びるスピン軸８と、スピン軸８の上端にほぼ水平な姿勢で取り付けられたスピンベース９と、スピンベース９の周縁部に配置された複数の挟持部材１０とを備えている。複数の挟持部材１０は、スピン軸８の中心軸線を中心とする円周上にほぼ等角度間隔で配置されている。各挟持部材１０をウエハＷの端面に当接させて、複数の挟持部材１０でウエハＷを挟持することにより、ウエハＷがほぼ水平な姿勢で保持され、ウエハＷの中心がスピン軸８の中心軸線上に配置される。 For example, combinations of the first chemical solution, the second chemical solution, and the third chemical solution include a combination of aqua regia, ammonia hydrogen peroxide solution and sulfuric acid, an ammonium fluoride-based solution used as a polymer removal solution, hydrofluoric acid, and buffered fluoride. A combination of acids can be exemplified.
The spin chuck 3 includes a spin shaft 8 that extends substantially vertically, a spin base 9 that is attached to the upper end of the spin shaft 8 in a substantially horizontal posture, and a plurality of clamping members 10 that are disposed on the peripheral edge of the spin base 9. I have. The plurality of clamping members 10 are arranged at substantially equal angular intervals on a circumference centered on the central axis of the spin shaft 8. Each holding member 10 is brought into contact with the end face of the wafer W, and the wafer W is held by the plurality of holding members 10, whereby the wafer W is held in a substantially horizontal posture, and the center of the wafer W is the center of the spin shaft 8. Arranged on the axis.

スピン軸８には、モータ（図示せず）を含むチャック回転機構１１から回転力が入力される。この回転力の入力により、スピン軸８が回転し、挟持部材１０に挟持されたウエハＷがスピンベース９とともにスピン軸８の中心軸線まわりに回転する。このスピン軸８に関連して回転数センサ１６が設けられていて、この回転数センサ１６によって、スピン軸８の回転数、すなわちウエハＷの回転数が検出されるようになっている。   A rotational force is input to the spin shaft 8 from a chuck rotation mechanism 11 including a motor (not shown). By inputting this rotational force, the spin shaft 8 rotates, and the wafer W sandwiched between the sandwiching members 10 rotates around the central axis of the spin shaft 8 together with the spin base 9. A rotation speed sensor 16 is provided in association with the spin shaft 8, and the rotation speed sensor 16 detects the rotation speed of the spin shaft 8, that is, the rotation speed of the wafer W.

スピン軸８には、裏面処理液供給管１２が相対回転可能に挿通されている。裏面処理液供給管１２の上端は、スピン軸８の上端に設けられた裏面ノズル１３に接続されている。また、裏面処理液供給管１２には、第１薬液供給ライン（図示せず）から第１薬液が供給される第１薬液裏面側供給管１４と、第２薬液供給ライン（図示せず）から第２薬液が供給される第２薬液裏面側供給管１５と、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ裏面側供給管１７とが接続されている。   A back surface treatment liquid supply pipe 12 is inserted into the spin shaft 8 so as to be relatively rotatable. The upper end of the back surface treatment liquid supply pipe 12 is connected to a back surface nozzle 13 provided at the upper end of the spin shaft 8. Further, the backside treatment liquid supply pipe 12 is supplied from a first chemical liquid backside supply pipe 14 to which the first chemical liquid is supplied from a first chemical liquid supply line (not shown) and a second chemical liquid supply line (not shown). A second chemical back surface supply pipe 15 to which the second chemical liquid is supplied and a DIW back surface supply pipe 17 to which DIW is supplied from a DIW supply line (not shown) are connected.

第１薬液裏面側供給管１４には、第１薬液裏面側バルブ１８が介装されている。第２薬液裏面側供給管１５には、第２薬液裏面側バルブ１９が介装されている。ＤＩＷ裏面側供給管１７には、ＤＩＷ裏面側バルブ２１が介装されている。
第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が閉じられた状態で、第１薬液裏面側バルブ１８が開かれると、第１薬液裏面側供給管１４から裏面処理液供給管１２に第１薬液が供給される。裏面処理液供給管１２に供給された第１薬液は、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３から第１薬液を吐出させることにより、ウエハＷの裏面（下面）に第１薬液を供給することができる。 A first chemical back surface side valve 18 is interposed in the first chemical back surface supply pipe 14. A second chemical liquid back surface side valve 19 is interposed in the second chemical liquid back surface side supply pipe 15. A DIW rear surface side valve 21 is interposed in the DIW rear surface side supply pipe 17.
When the first chemical back surface side valve 18 is opened in a state where the second chemical back surface side valve 19 and the DIW back surface side valve 21 are closed, the first chemical liquid back surface side supply pipe 14 is connected to the back surface processing liquid supply pipe 12. Chemical solution is supplied. The first chemical liquid supplied to the back surface treatment liquid supply pipe 12 is supplied to the back surface nozzle 13 through the back surface treatment liquid supply pipe 12 and is discharged upward from the back surface nozzle 13. The first chemical solution can be supplied to the back surface (lower surface) of the wafer W by discharging the first chemical solution from the back surface nozzle 13 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

第１薬液裏面側バルブ１８およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が閉じられた状態で、第２薬液裏面側バルブ１９が開かれると、第２薬液裏面側供給管１５から裏面処理液供給管１２に第２薬液が供給される。裏面処理液供給管１２に供給された第２薬液は、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３から第２薬液を吐出させることにより、ウエハＷの裏面に第２薬液を供給することができる。   When the second chemical liquid back surface side valve 19 is opened in a state where the first chemical liquid back surface side valve 18 and the DIW back surface side valve 21 are closed, the second chemical liquid back surface side supply pipe 15 is connected to the back surface treatment liquid supply pipe 12. Chemical solution is supplied. The second chemical liquid supplied to the back surface treatment liquid supply pipe 12 is supplied to the back surface nozzle 13 through the back surface treatment liquid supply pipe 12 and is discharged upward from the back surface nozzle 13. The second chemical liquid can be supplied to the back surface of the wafer W by discharging the second chemical liquid from the back nozzle 13 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

第１薬液裏面側バルブ１８および第２薬液裏面側バルブ１９が閉じられた状態で、ＤＩＷ裏面側バルブ２１が開かれると、ＤＩＷ裏面側供給管１７から裏面処理液供給管１２にＤＩＷが供給される。裏面処理液供給管１２に供給されたＤＩＷは、裏面処理液供給管１２を通して裏面ノズル１３に供給され、裏面ノズル１３から上方に向けて吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、裏面ノズル１３からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの裏面にＤＩＷを供給することができる。   When the DIW back surface side valve 21 is opened in a state where the first chemical liquid back surface side valve 18 and the second chemical liquid back surface side valve 19 are closed, DIW is supplied from the DIW back surface side supply pipe 17 to the back surface treatment liquid supply pipe 12. The The DIW supplied to the back surface treatment liquid supply pipe 12 is supplied to the back surface nozzle 13 through the back surface treatment liquid supply pipe 12 and is discharged upward from the back surface nozzle 13. DIW can be supplied to the back surface of the wafer W by ejecting DIW from the back surface nozzle 13 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

このように、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１を選択的に開くことにより、裏面ノズル１３から第１薬液、第２薬液およびＤＩＷを選択的に吐出させることができる。
なお、ウエハＷの裏面を洗浄する必要がない場合には、裏面処理液供給管１２、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９およびＤＩＷ裏面側バルブ２１が省略される。この場合、スピンチャック３としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。 In this way, the first chemical liquid, the second chemical liquid, and the DIW are selectively selected from the back nozzle 13 by selectively opening the first chemical liquid back side valve 18, the second chemical liquid back side valve 19, and the DIW back side valve 21. Can be discharged.
When it is not necessary to clean the back surface of the wafer W, the back surface treatment liquid supply pipe 12, the first chemical back surface side valve 18, the second chemical back surface side valve 19, and the DIW back surface side valve 21 are omitted. In this case, the spin chuck 3 is not limited to the sandwiching type, and for example, the wafer W is held in a horizontal posture by vacuum suction on the back surface of the wafer W, and further rotated around a vertical axis in that state. Thus, a vacuum chucking type (vacuum chuck) that can rotate the held wafer W may be employed.

第１薬液ノズル４には、第１薬液供給ライン（図示せず）から第１薬液が供給される第１薬液表面側供給管２２が接続されている。この第１薬液表面側供給管２２には、第１薬液表面側バルブ２３が介装されている。第１薬液表面側バルブ２３が開かれると、第１薬液表面側供給管２２から第１薬液ノズル４に第１薬液が供給され、第１薬液ノズル４から第１薬液が吐出される。   Connected to the first chemical liquid nozzle 4 is a first chemical liquid surface side supply pipe 22 to which a first chemical liquid is supplied from a first chemical liquid supply line (not shown). A first chemical liquid surface side valve 23 is interposed in the first chemical liquid surface side supply pipe 22. When the first chemical liquid surface side valve 23 is opened, the first chemical liquid is supplied from the first chemical liquid surface side supply pipe 22 to the first chemical liquid nozzle 4, and the first chemical liquid is discharged from the first chemical liquid nozzle 4.

第１薬液ノズル４は、スピンチャック３の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム２４の先端部に取り付けられている。ノズルアーム２４の基端部は、カップ３８（後述する）の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸２５の上端部に支持されている。アーム支持軸２５には、モータ（図示せず）を含むノズル駆動機構２６が結合されている。ノズル駆動機構２６からアーム支持軸２５に回転力を入力して、アーム支持軸２５を回動させることにより、スピンチャック３の上方でノズルアーム２４を揺動させることができる。   The first chemical nozzle 4 is attached to the tip of a nozzle arm 24 that extends substantially horizontally above the spin chuck 3. The base end portion of the nozzle arm 24 is supported by the upper end portion of the arm support shaft 25 that extends substantially vertically on the side of the cup 38 (described later). A nozzle driving mechanism 26 including a motor (not shown) is coupled to the arm support shaft 25. By inputting rotational force from the nozzle drive mechanism 26 to the arm support shaft 25 and rotating the arm support shaft 25, the nozzle arm 24 can be swung above the spin chuck 3.

スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に第１薬液ノズル４が配置された状態で、第１薬液ノズル４から第１薬液を吐出させることにより、ウエハＷの表面に第１薬液を供給することができる。そして、この第１薬液ノズル４からウエハＷの表面への第１薬液の供給時に、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における第１薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。   In a state where the wafer W is held on the spin chuck 3 and the first chemical liquid nozzle 4 is disposed above the wafer W, the first chemical liquid is discharged from the first chemical liquid nozzle 4, whereby the first chemical liquid is discharged onto the surface of the wafer W. A chemical solution can be supplied. Then, when the first chemical solution is supplied from the first chemical solution nozzle 4 to the surface of the wafer W, the nozzle arm 24 is swung within a predetermined angle range, whereby the first chemical solution is deposited on the surface of the wafer W. The (supply position) can be moved in a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus.

第２薬液ノズル５は、第２薬液を液滴の噴流の形態でウエハＷの表面に供給することができる、いわゆる二流体ノズルである。この第２薬液ノズル５には、第２薬液供給ライン（図示せず）から第２薬液が供給される第２薬液表面側供給管２７と、窒素ガス供給ライン（図示せず）からの高圧の窒素ガスが供給される窒素ガス供給管２８とが接続されている。   The second chemical liquid nozzle 5 is a so-called two-fluid nozzle that can supply the second chemical liquid to the surface of the wafer W in the form of a jet of droplets. The second chemical liquid nozzle 5 has a second chemical liquid surface side supply pipe 27 to which a second chemical liquid is supplied from a second chemical liquid supply line (not shown) and a high pressure from a nitrogen gas supply line (not shown). A nitrogen gas supply pipe 28 to which nitrogen gas is supplied is connected.

第２薬液表面側供給管２７には、第２薬液表面側バルブ２９が介装されている。また、窒素ガス供給管２８には、窒素ガスバルブ３０が介装されている。第２薬液表面側バルブ２９および窒素ガスバルブ３０が開かれると、第２薬液表面側供給管２７からの第２薬液および窒素ガス供給管２８からの窒素ガスが第２薬液ノズル５に供給される。第２薬液ノズル５に供給される第２薬液および窒素ガスは、第２薬液ノズル５内または第２薬液ノズル５外の吐出口近傍で混合される。これにより、第２薬液の微細な液滴の噴流が形成される。   A second chemical liquid surface side valve 29 is interposed in the second chemical liquid surface side supply pipe 27. A nitrogen gas valve 30 is interposed in the nitrogen gas supply pipe 28. When the second chemical liquid surface side valve 29 and the nitrogen gas valve 30 are opened, the second chemical liquid from the second chemical liquid surface side supply pipe 27 and the nitrogen gas from the nitrogen gas supply pipe 28 are supplied to the second chemical liquid nozzle 5. The second chemical liquid and nitrogen gas supplied to the second chemical liquid nozzle 5 are mixed in the second chemical liquid nozzle 5 or in the vicinity of the discharge port outside the second chemical liquid nozzle 5. Thereby, a jet of fine droplets of the second chemical liquid is formed.

第２薬液ノズル５は、スピンチャック３の上方でほぼ水平に延びる第２薬液ノズル用アーム３１の先端部に取り付けられている。第２薬液ノズル用アーム３１の基端部は、カップ３８（後述する）の側方においてほぼ鉛直に延びる第２薬液ノズル用アーム支持軸３２の上端部に支持されている。第２薬液ノズル用アーム支持軸３２には、モータ（図示せず）を含む第２薬液ノズル用駆動機構３３が結合されている。第２薬液ノズル用駆動機構３３から第２薬液ノズル用アーム支持軸３２に回転力を入力して、第２薬液ノズル用アーム支持軸３２を回動させることにより、スピンチャック３の上方で第２薬液ノズル用アーム３１を揺動させることができる。   The second chemical liquid nozzle 5 is attached to the tip of a second chemical liquid nozzle arm 31 extending substantially horizontally above the spin chuck 3. The base end portion of the second chemical liquid nozzle arm 31 is supported by the upper end portion of the second chemical liquid nozzle arm support shaft 32 extending substantially vertically on the side of the cup 38 (described later). The second chemical nozzle drive mechanism 33 including a motor (not shown) is coupled to the second chemical nozzle arm support shaft 32. A rotational force is input from the second chemical solution nozzle drive mechanism 33 to the second chemical solution nozzle arm support shaft 32 to rotate the second chemical solution nozzle arm support shaft 32, whereby the second chemical solution nozzle arm support shaft 32 is rotated above the spin chuck 3. The chemical nozzle arm 31 can be swung.

スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に第２薬液ノズル５が配置された状態で、第２薬液ノズル５から第２薬液の液滴の噴流を吐出させることにより、ウエハＷの表面に第２薬液を供給することができる。そして、この第２薬液ノズル５からウエハＷの表面への第２薬液の液滴の噴流の供給時に、第２薬液ノズル用アーム３１を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における第２薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。   The wafer W is held by the spin chuck 3, and the second chemical liquid nozzle 5 is ejected from the second chemical liquid nozzle 5 in a state where the second chemical liquid nozzle 5 is disposed above the wafer W, whereby the wafer W A 2nd chemical | medical solution can be supplied to the surface of this. Then, at the time of supplying the jet of the second chemical liquid droplet from the second chemical liquid nozzle 5 to the surface of the wafer W, the second chemical liquid nozzle arm 31 is swung within a predetermined angular range, thereby The landing position (supply position) of the second chemical liquid on the surface can be moved within a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus.

第３薬液ノズル６には、第３薬液供給ライン（図示せず）から第３薬液が供給される第３薬液供給管３４が接続されている。この第３薬液供給管３４には、第３薬液バルブ３５が介装されている。第３薬液バルブ３５が開かれると、第３薬液供給管３４から第３薬液ノズル６に第３薬液が供給され、第３薬液ノズル６から第３薬液が吐出される。第３薬液ノズル６は、ノズルアーム２４の先端部に取り付けられている。   The third chemical liquid nozzle 6 is connected to a third chemical liquid supply pipe 34 to which a third chemical liquid is supplied from a third chemical liquid supply line (not shown). A third chemical liquid valve 35 is interposed in the third chemical liquid supply pipe 34. When the third chemical liquid valve 35 is opened, the third chemical liquid is supplied from the third chemical liquid supply pipe 34 to the third chemical liquid nozzle 6, and the third chemical liquid is discharged from the third chemical liquid nozzle 6. The third chemical liquid nozzle 6 is attached to the tip of the nozzle arm 24.

スピンチャック３にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に第３薬液ノズル６が配置された状態で、第３薬液ノズル６から第３薬液を吐出させることにより、ウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りすることができる。そして、この第３薬液ノズル６からウエハＷの表面への第３薬液の供給時に、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面における第３薬液の着液位置（供給位置）を、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。   In a state where the wafer W is held on the spin chuck 3 and the third chemical liquid nozzle 6 is disposed above the wafer W, the third chemical liquid is discharged from the third chemical liquid nozzle 6, whereby the third chemical liquid is discharged onto the surface of the wafer W. The chemical liquid can be supplied and accumulated on the surface of the wafer W. Then, when the third chemical solution is supplied from the third chemical solution nozzle 6 to the surface of the wafer W, the nozzle arm 24 is swung within a predetermined angle range, whereby the third chemical solution is deposited on the surface of the wafer W. The (supply position) can be moved in a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus.

ＤＩＷノズル７は、スピンチャック３の上方に、スピンチャック３に対して固定的に配置されている。
ＤＩＷノズル７には、ＤＩＷ供給ライン（図示せず）からＤＩＷが供給されるＤＩＷ表面側供給管３６が接続されている。このＤＩＷ表面側供給管３６には、ＤＩＷ表面側バルブ３７が介装されている。ＤＩＷ表面側バルブ３７が開かれると、ＤＩＷ表面側供給管３６からＤＩＷノズル７にＤＩＷが供給され、ＤＩＷノズル７からＤＩＷが吐出される。スピンチャック３にウエハＷが保持された状態で、ＤＩＷノズル７からＤＩＷを吐出させることにより、ウエハＷの表面にＤＩＷを供給することができる。 The DIW nozzle 7 is fixedly disposed above the spin chuck 3 with respect to the spin chuck 3.
The DIW nozzle 7 is connected to a DIW surface side supply pipe 36 to which DIW is supplied from a DIW supply line (not shown). A DIW surface side valve 37 is interposed in the DIW surface side supply pipe 36. When the DIW surface side valve 37 is opened, DIW is supplied from the DIW surface side supply pipe 36 to the DIW nozzle 7 and DIW is discharged from the DIW nozzle 7. DIW can be supplied to the surface of the wafer W by ejecting DIW from the DIW nozzle 7 while the wafer W is held on the spin chuck 3.

また、スピンチャック３は、有底円筒容器状のカップ３８内に収容されている。このカップ３８の上方には、カップ３８に対して昇降可能なスプラッシュガード３９が設けられている。これらカップ３８およびスプラッシュガード３９によって、処理カップが構成されている。
カップ３８の底部には、第３薬液およびＤＩＷを廃液するための廃液溝４０が、ウエハＷの回転軸線（スピン軸８の中心軸線）を中心とする円環状に形成されている。また、カップ３８の底部には、廃液溝４０を取り囲むように、第１薬液を回収するための第１回収溝４１および第２薬液を回収するための第２回収溝４２が２重円環状に形成されている。廃液溝４０の外側に第２回収溝４２が形成され、第２回収溝４２の外側に第１回収溝４１が形成されている。廃液溝４０、第１回収溝４１および第２回収溝４２には、それぞれ廃液ライン４３、第１回収ライン４４および第２回収ライン４５が接続されている。 The spin chuck 3 is housed in a cup 38 having a bottomed cylindrical container shape. Above the cup 38, a splash guard 39 that can be raised and lowered with respect to the cup 38 is provided. The cup 38 and the splash guard 39 constitute a processing cup.
At the bottom of the cup 38, a waste liquid groove 40 for waste of the third chemical liquid and DIW is formed in an annular shape centering on the rotation axis of the wafer W (the central axis of the spin axis 8). Further, at the bottom of the cup 38, a first recovery groove 41 for recovering the first chemical liquid and a second recovery groove 42 for recovering the second chemical liquid are formed in a double annular shape so as to surround the waste liquid groove 40. Is formed. A second recovery groove 42 is formed outside the waste liquid groove 40, and a first recovery groove 41 is formed outside the second recovery groove 42. A waste liquid line 43, a first recovery line 44, and a second recovery line 45 are connected to the waste liquid groove 40, the first recovery groove 41, and the second recovery groove 42, respectively.

スプラッシュガード３９は、互いに大きさが異なる３つの傘状部材４６，４７，４８を重ねて構成されている。スプラッシュガード３９には、たとえば、サーボモータやボールねじ機構などを含むガード昇降機構４９が結合されている。このガード昇降機構４９によって、スプラッシュガード３９をカップ３８に対して昇降（上下動）させることができる。   The splash guard 39 is configured by overlapping three umbrella-shaped members 46, 47, and 48 having different sizes. To the splash guard 39, for example, a guard lifting mechanism 49 including a servo motor and a ball screw mechanism is coupled. By the guard lifting mechanism 49, the splash guard 39 can be moved up and down (moved up and down) with respect to the cup 38.

各傘状部材４６〜４８は、ウエハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有している。
傘状部材４６は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部５１と、円筒部５１の上端から延びてウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５２と、円筒部５１の途中部からウエハＷの回転軸線に近づくほど低くなるように傾斜する廃液案内部５０とを備えている。廃液案内部５０の下端は、廃液溝４０上に位置している。円筒部５１の下端は、第２回収溝４２上に位置している。また、廃液案内部５０および円筒部５１は、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。 Each umbrella-shaped member 46 to 48 has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to the rotation axis of the wafer W.
The umbrella-shaped member 46 includes a cylindrical cylindrical portion 51 having a rotation axis of the wafer W as a central axis, and an inclined portion 52 that extends from the upper end of the cylindrical portion 51 and inclines so as to approach the rotation axis of the wafer W. And a waste liquid guide part 50 that is inclined so as to become lower from the middle part of the cylindrical part 51 toward the rotation axis of the wafer W. The lower end of the waste liquid guide 50 is located on the waste liquid groove 40. The lower end of the cylindrical portion 51 is located on the second recovery groove 42. Further, the waste liquid guide part 50 and the cylindrical part 51 have such a length that their lower ends do not contact the bottom surface of the cup 38 when the splash guard 39 is lowered to the lowermost retracted position.

傘状部材４７は、傘状部材４６を取り囲むように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする同軸円筒状の円筒部５３，５４と、これら円筒部５３，５４の上端を連結し、ウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５５とを一体的に備えている。内側（中心側）の円筒部５３の下端は、第２回収溝４２上に位置し、外側の円筒部５４の下端は、第１回収溝４１上に位置している。また、円筒部５３，５４は、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、それぞれの下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。   The umbrella-shaped member 47 is provided so as to surround the umbrella-shaped member 46, and connects the cylindrical cylindrical portions 53, 54 having the rotation axis of the wafer W as the central axis and the upper ends of these cylindrical portions 53, 54, An inclining portion 55 that inclines so as to become higher as it approaches the rotation axis of the wafer W is integrally provided. The lower end of the inner (center side) cylindrical portion 53 is positioned on the second recovery groove 42, and the lower end of the outer cylindrical portion 54 is positioned on the first recovery groove 41. Further, the cylindrical portions 53 and 54 have such a length that their lower ends do not contact the bottom surface of the cup 38 when the splash guard 39 is lowered to the lowermost retracted position.

傘状部材４８は、傘状部材４７を取り囲むように設けられ、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒状の円筒部５６と、この円筒部５６の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部５７とを備えている。円筒部５６は、第２回収溝４２上に位置しており、スプラッシュガード３９が最下方の退避位置に下降したときに、その下端がカップ３８の底面に接触しないような長さを有している。   The umbrella-shaped member 48 is provided so as to surround the umbrella-shaped member 47, and the cylindrical cylindrical portion 56 having the rotation axis of the wafer W as the central axis, and the closer to the rotation axis of the wafer W from the upper end of the cylindrical portion 56. And an inclined portion 57 that is inclined to be higher. The cylindrical portion 56 is located on the second recovery groove 42 and has such a length that the lower end thereof does not contact the bottom surface of the cup 38 when the splash guard 39 is lowered to the lowermost retracted position. Yes.

傾斜部５２，５５，５７の上端縁は、ウエハＷの回転軸線を中心軸線とする円筒面上において、そのウエハＷの回転軸線に沿う方向（鉛直方向）に間隔を空けて位置している。これにより、傾斜部５５の上端縁と傾斜部５７の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第１薬液を進入させるための円環状の第１開口部５８が形成されている。また、傾斜部５２の上端縁と傾斜部５５の上端縁との間には、ウエハＷから飛散する第１薬液を進入させるための円環状の第２開口部５９が形成されている。さらに、傾斜部５２の上端縁と廃液案内部５０の下端縁との間には、ウエハＷから飛散する第３薬液およびＤＩＷを進入させるための円環状の第３開口部６０が形成されている。   The upper end edges of the inclined portions 52, 55, and 57 are positioned on the cylindrical surface having the rotation axis of the wafer W as the central axis with a space in the direction along the rotation axis of the wafer W (vertical direction). Thus, an annular first opening 58 for allowing the first chemical liquid scattered from the wafer W to enter is formed between the upper end edge of the inclined portion 55 and the upper end edge of the inclined portion 57. An annular second opening 59 for allowing the first chemical liquid scattered from the wafer W to enter is formed between the upper end edge of the inclined portion 52 and the upper end edge of the inclined portion 55. Further, an annular third opening 60 for allowing the third chemical liquid and DIW scattered from the wafer W to enter is formed between the upper end edge of the inclined portion 52 and the lower end edge of the waste liquid guide portion 50. .

第１開口部５８に進入した第１薬液は、傘状部材４７の円筒部５４と傘状部材４８の円筒部５６との間を通して、第１回収溝４１に集められる。第１回収溝４１に集められた第１薬液は、第１回収ライン４４を通して、第１薬液回収処理設備（図示せず）に回収される。
第２開口部５９に進入した第２薬液は、傘状部材４６の円筒部５１と傘状部材４７の円筒部５３との間を通して、第２回収溝４２に集められる。第２回収溝４２に集められた第２薬液は、第２回収ライン４５を通して、第２薬液回収処理設備（図示せず）に回収される。 The first chemical liquid that has entered the first opening 58 passes through the space between the cylindrical portion 54 of the umbrella-shaped member 47 and the cylindrical portion 56 of the umbrella-shaped member 48 and is collected in the first recovery groove 41. The first chemical solution collected in the first recovery groove 41 is recovered through a first recovery line 44 to a first chemical solution recovery processing facility (not shown).
The second chemical liquid that has entered the second opening 59 passes through the space between the cylindrical portion 51 of the umbrella-shaped member 46 and the cylindrical portion 53 of the umbrella-shaped member 47 and is collected in the second recovery groove 42. The second chemical liquid collected in the second recovery groove 42 is recovered through a second recovery line 45 to a second chemical liquid recovery processing facility (not shown).

また、第３開口部６０に進入した第３薬液およびＤＩＷは、傘状部材４６の傾斜部５２、円筒部５１および廃液案内部５０の内側の面を伝って、廃液溝４０に導かれる。廃液溝４０に導かれた第３薬液およびＤＩＷは、廃液ライン４３を通して、廃液される。
なお、この実施形態では、ウエハＷの処理に使用された第３薬液が廃液される場合の構成を取り上げているが、第３薬液を回収する場合には、第１回収溝４１を取り囲むように第３回収溝を設けるとともに、傘状部材４８に第３回収溝上に位置する円筒部を追加して設け、また、第３回収溝上に位置する円筒部と、円筒部の上端からウエハＷの回転軸線に近づくほど高くなるように傾斜する傾斜部とを一体的に備える傘状部材を、その傘状部材４８を取り囲むように設ければよい。 Further, the third chemical liquid and DIW that have entered the third opening 60 are guided to the waste liquid groove 40 through the inner surfaces of the inclined part 52, the cylindrical part 51, and the waste liquid guide part 50 of the umbrella-shaped member 46. The third chemical liquid and DIW guided to the waste liquid groove 40 are discharged through the waste liquid line 43.
In this embodiment, the configuration in which the third chemical liquid used for processing the wafer W is discarded is taken up. However, when the third chemical liquid is recovered, the first recovery groove 41 is surrounded. A third recovery groove is provided, and a cylindrical portion positioned on the third recovery groove is additionally provided in the umbrella-shaped member 48. The cylindrical portion positioned on the third recovery groove and the rotation of the wafer W from the upper end of the cylindrical portion are provided. What is necessary is just to provide the umbrella-shaped member integrally provided with the inclined part which inclines so that it may become so high that it approaches an axis line so that the umbrella-shaped member 48 may be surrounded.

図２は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、ＣＰＵ６１およびメモリ６２を含む構成のコンピュータ６３を備えている。このコンピュータ６３には、制御対象として、第１薬液裏面側バルブ１８、第２薬液裏面側バルブ１９、ＤＩＷ裏面側バルブ２１、第１薬液表面側バルブ２３、第２薬液表面側バルブ２９、窒素ガスバルブ３０、第３薬液バルブ３５、ＤＩＷ表面側バルブ３７、チャック回転機構１１、ノズル駆動機構２６、第２薬液ノズル用駆動機構３３およびガード昇降機構４９が接続されている。また、コンピュータ６３には、回転数センサ１６から出力される検出値が入力されるようになっている。 FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1.
The substrate processing apparatus 1 includes a computer 63 having a configuration including a CPU 61 and a memory 62. In this computer 63, the first chemical liquid back side valve 18, the second chemical liquid back side valve 19, the DIW back side valve 21, the first chemical liquid surface side valve 23, the second chemical liquid surface side valve 29, and the nitrogen gas valve are controlled. 30, the third chemical liquid valve 35, the DIW surface side valve 37, the chuck rotating mechanism 11, the nozzle driving mechanism 26, the second chemical liquid nozzle driving mechanism 33, and the guard lifting mechanism 49 are connected. Further, the detection value output from the rotation speed sensor 16 is input to the computer 63.

さらに、コンピュータ６３には、ウエハＷの洗浄処理における各処理工程の実行内容を規定するレシピを入力するためのレシピ入力キー６４と、計時のためのタイマ６５とが接続されている。メモリ６２には、次に述べる処理工程において、第１薬液、第２薬液および第３薬液がウエハＷに供給されることが許容される回転数範囲が格納された回転数範囲テーブルが記憶されている。   Further, a recipe input key 64 for inputting a recipe for defining the execution contents of each processing step in the wafer W cleaning process and a timer 65 for timing are connected to the computer 63. The memory 62 stores a rotation speed range table storing a rotation speed range in which the first chemical liquid, the second chemical liquid, and the third chemical liquid are allowed to be supplied to the wafer W in the processing steps described below. Yes.

レシピ入力キー６４は、ユーザが操作可能な位置に配置されている。ユーザは、レシピ入力キー６４を操作して、各処理工程におけるウエハＷの回転数などの実行内容を入力することにより、レシピを作成することができる。レシピ入力キー６４の操作により作成されたレシピは、コンピュータ６３のメモリ６２に保存される。
ＣＰＵ６１は、メモリ６２に保持されたレシピに従って各処理工程が実行されるように、回転数範囲テーブルを参照しつつ、制御対象の各部の動作を制御する。 The recipe input key 64 is arranged at a position where the user can operate. The user can create a recipe by operating the recipe input key 64 and inputting execution details such as the number of rotations of the wafer W in each processing step. The recipe created by operating the recipe input key 64 is stored in the memory 62 of the computer 63.
The CPU 61 controls the operation of each part to be controlled while referring to the rotation speed range table so that each processing step is executed according to the recipe stored in the memory 62.

基板処理装置１の処理工程には、次の（１）〜（７）の処理工程が含まれる。これらの処理工程をレシピで規定された順序で実行することによって、ウエハＷの洗浄処理が実施される。
（１）第１薬液表面処理工程
第１薬液表面処理工程は、第１薬液ノズル４からウエハＷの表面に第１薬液を供給して、ウエハＷの表面を第１薬液により処理する工程である。この第１薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第１開口部５８が対向する第１開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第１薬液ノズル４から第１薬液が供給される。また、この第１薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第１薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第１薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第１開口部５８が対向しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液は、第１開口部５８に進入して、第１回収溝４１へと導かれる。 The processing steps of the substrate processing apparatus 1 include the following processing steps (1) to (7). By performing these processing steps in the order specified by the recipe, the wafer W is cleaned.
(1) First chemical liquid surface treatment process The first chemical liquid surface treatment process is a process of supplying the first chemical liquid to the surface of the wafer W from the first chemical liquid nozzle 4 and treating the surface of the wafer W with the first chemical liquid. . In the first chemical surface treatment step, the splash guard 39 is located at a position opposite to the first opening where the first opening 58 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the first chemical solution is supplied from the first chemical solution nozzle 4 to the surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation number (for example, 1500 rpm). Further, when the first chemical liquid is supplied, the nozzle arm 24 is swung within a predetermined angular range. As a result, the landing position of the first chemical solution on the surface of the wafer W moves in a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus. As a result, the first chemical liquid is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W. The first chemical liquid supplied to the surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. At this time, since the first opening 58 is opposed to the end surface of the wafer W, the first chemical liquid scattered from the wafer W enters the first opening 58 and is guided to the first recovery groove 41.

（２）第２薬液表面処理工程
第２薬液表面処理工程は、第２薬液ノズル５からウエハＷの表面（上面）に第２薬液を供給して、ウエハＷの表面を第２薬液により処理する工程である。この第２薬液表面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第２開口部５９が対向する第２開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、８００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第２薬液ノズル５から第２薬液の液滴の噴流が供給される。また、この第２薬液の供給時には、第２薬液ノズル用アーム３１が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第２薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第２薬液がむらなく供給される。ウエハＷの表面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第２開口部５９が対向しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液は、第２開口部５９に進入して、第２回収溝４２へと導かれる。 (2) Second Chemical Solution Surface Treatment Step In the second chemical solution surface treatment step, the second chemical solution is supplied from the second chemical solution nozzle 5 to the surface (upper surface) of the wafer W to process the surface of the wafer W with the second chemical solution. It is a process. In the second chemical liquid surface treatment step, the splash guard 39 is located at the second opening facing position where the second opening 59 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, while the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 800 rpm) by the spin chuck 3, a jet of the second chemical liquid droplet is supplied from the second chemical liquid nozzle 5 to the surface of the wafer W. Further, when the second chemical solution is supplied, the second chemical solution nozzle arm 31 is swung within a predetermined angular range. As a result, the landing position of the second chemical solution on the surface of the wafer W moves within the range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus. As a result, the second chemical liquid is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W. The second chemical liquid supplied to the surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side by the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. At this time, since the second opening 59 is opposed to the end surface of the wafer W, the second chemical liquid scattered from the wafer W enters the second opening 59 and is guided to the second recovery groove 42.

（３）第３薬液処理工程
第３薬液処理工程は、スピンチャック３によって水平に保持されたウエハＷの表面（上面）に第３薬液ノズル６から第３薬液を供給してウエハＷの表面に液盛りし、そのウエハＷの表面で第３薬液の液膜を保持しつつ処理を進める工程である。この第３薬液処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の低回転数（たとえば、２０ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面に第３薬液ノズル６から第３薬液が供給される。ウエハＷの表面に供給された第３薬液は、ウエハＷの表面の全域に拡がり、ウエハＷの表面上に第３薬液の液膜が形成される。また、この第３薬液の供給時には、ノズルアーム２４が所定の角度範囲内で揺動される。これにより、ウエハＷの表面における第３薬液の着液位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。この結果、ウエハＷの表面の全域に第３薬液がむらなく供給される。その結果、第３薬液の消費量を抑えつつウエハＷの表面に第３薬液による処理を施すことができる。 (3) Third Chemical Solution Processing Step In the third chemical solution treatment step, the third chemical solution is supplied from the third chemical solution nozzle 6 to the surface (upper surface) of the wafer W held horizontally by the spin chuck 3 and applied to the surface of the wafer W. In this step, the liquid is accumulated and the process proceeds while holding the liquid film of the third chemical liquid on the surface of the wafer W. In the third chemical treatment process, the splash guard 39 is located at a position opposite to the third opening where the third opening 60 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the third chemical solution is supplied from the third chemical solution nozzle 6 to the surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined low rotation speed (for example, 20 rpm). The third chemical liquid supplied to the surface of the wafer W spreads over the entire surface of the wafer W, and a liquid film of the third chemical liquid is formed on the surface of the wafer W. Further, when the third chemical solution is supplied, the nozzle arm 24 is swung within a predetermined angular range. As a result, the position where the third chemical solution is deposited on the surface of the wafer W moves within a range from the rotation center of the wafer W to the peripheral edge of the wafer W while drawing an arc-shaped locus. As a result, the third chemical liquid is supplied uniformly over the entire surface of the wafer W. As a result, the surface of the wafer W can be treated with the third chemical liquid while suppressing the consumption of the third chemical liquid.

（４）表面リンス工程
表面リンス工程は、ＤＩＷノズル７からウエハＷの表面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの表面をＤＩＷで水洗する工程である。この表面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの表面の中央部にＤＩＷノズル７からＤＩＷが供給される。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの表面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に傘状部材４６の傾斜部５１が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、ウエハＷから飛散する第３薬液は、第３開口部６０へ進入して、廃液溝４０へと導かれる。 (4) Surface rinsing step The surface rinsing step is a step of supplying DIW to the surface of the wafer W from the DIW nozzle 7 and washing the surface of the wafer W with DIW. In this surface rinsing step, the splash guard 39 is located at a position opposite to the third opening where the third opening 60 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the DIW is supplied from the DIW nozzle 7 to the center of the surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation speed (for example, 1500 rpm). The DIW supplied to the surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, DIW is uniformly supplied to the entire surface of the wafer W. The DIW that has reached the periphery of the surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side. At this time, since the inclined portion 51 of the umbrella-shaped member 46 is opposed to the end surface of the wafer W, the DIW scattered from the wafer W enters the third opening 60 by the third chemical solution scattered from the wafer W. Then, it is guided to the waste liquid groove 40.

（５）第１薬液裏面処理工程
第１薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に第１薬液を供給して、ウエハＷの裏面を第１薬液により処理する工程である。この第１薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第１開口部５８が対向する第１開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から第１薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された第１薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に第１薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した第１薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第１開口部５８が対向しているので、ウエハＷから飛散する第１薬液は、第１開口部５８に進入して、第１回収溝４１へと導かれる。 (5) 1st chemical | medical solution back surface treatment process A 1st chemical | medical solution back surface processing process is a process of supplying a 1st chemical | medical solution to the back surface of the wafer W from the back surface nozzle 13, and processing the back surface of the wafer W with a 1st chemical | medical solution. In the first chemical back surface processing step, the splash guard 39 is positioned at the first opening facing position where the first opening 58 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the first chemical solution is supplied from the back surface nozzle 13 to the center of the back surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation speed (for example, 1500 rpm). The first chemical liquid supplied to the back surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, the first chemical liquid is evenly supplied to the entire back surface of the wafer W. The first chemical solution that has reached the periphery of the back surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side. At this time, since the first opening 58 is opposed to the end surface of the wafer W, the first chemical liquid scattered from the wafer W enters the first opening 58 and is guided to the first recovery groove 41.

（６）第２薬液裏面処理工程
第２薬液裏面処理工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面に第２薬液を供給して、ウエハＷの裏面を第２薬液により処理する工程である。この第２薬液裏面処理工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第２開口部５９が対向する第２開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、８００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３から第２薬液が供給される。ウエハＷの裏面に供給された第２薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域に第２薬液がむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達した第２薬液は、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第２開口部５９が対向しているので、ウエハＷから飛散する第２薬液は、第２開口部５９に進入して、第２開口部５９に進入して、第２回収溝４２へと導かれる。 (6) Second chemical liquid back surface processing step The second chemical liquid back surface processing step is a step of supplying the second chemical liquid to the back surface of the wafer W from the back nozzle 13 and processing the back surface of the wafer W with the second chemical liquid. In the second chemical back surface treatment step, the splash guard 39 is located at the second opening facing position where the second opening 59 faces the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, the second chemical solution is supplied from the back surface nozzle 13 to the center of the back surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation speed (for example, 800 rpm). The second chemical solution supplied to the back surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W, and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, the second chemical liquid is evenly supplied to the entire back surface of the wafer W. The second chemical liquid that has reached the periphery of the back surface of the wafer W is scattered from the periphery of the wafer W to the side. At this time, since the second opening 59 is opposed to the end surface of the wafer W, the second chemical liquid scattered from the wafer W enters the second opening 59 and enters the second opening 59. Guided to the second recovery groove 42.

（７）裏面リンス工程
裏面リンス工程は、裏面ノズル１３からウエハＷの裏面にＤＩＷを供給して、ウエハＷの裏面をＤＩＷで水洗する工程である。この裏面リンス工程では、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に第３開口部６０が対向する第３開口部対向位置に、スプラッシュガード３９が位置している。そして、スピンチャック３によりウエハＷが所定の回転数（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転されつつ、そのウエハＷの裏面の中央部に裏面ノズル１３からＤＩＷが供給される。ウエハＷの裏面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの中央部から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの裏面の全域にＤＩＷがむらなく供給される。ウエハＷの裏面の周縁に達したＤＩＷは、ウエハＷの周縁から側方へ飛散する。このとき、ウエハＷの端面に第３開口部６０が対向しているので、ウエハＷから飛散するＤＩＷは、第３開口部６０に進入して、廃液溝４０へと導かれる。 (7) Back surface rinsing step The back surface rinsing step is a step of supplying DIW to the back surface of the wafer W from the back surface nozzle 13 and washing the back surface of the wafer W with DIW. In this back surface rinsing step, the splash guard 39 is located at a position where the third opening 60 is opposed to the peripheral end surface of the wafer W held by the spin chuck 3. Then, DIW is supplied from the back nozzle 13 to the center of the back surface of the wafer W while the wafer W is rotated by the spin chuck 3 at a predetermined rotation speed (for example, 1500 rpm). The DIW supplied to the back surface of the wafer W receives a centrifugal force due to the rotation of the wafer W and flows from the center of the wafer W toward the periphery. As a result, DIW is uniformly supplied to the entire back surface of the wafer W. The DIW that has reached the periphery of the back surface of the wafer W is scattered laterally from the periphery of the wafer W. At this time, since the third opening 60 is opposed to the end face of the wafer W, DIW scattered from the wafer W enters the third opening 60 and is guided to the waste liquid groove 40.

図３は、回転数範囲テーブルの一例を示す図である。
前述の各処理工程では、各処理工程の処理内容や、処理に用いられる処理液（第１薬液、第２薬液、第３薬液およびＤＩＷ）の粘性を考慮して、対応する開口部（第１開口部５８、第２開口部５９および第３開口部６０）に各処理液を上手く進入させることができるように、スプラッシュガード３９の高さ位置と、各処理ウエハＷの回転数範囲とが定められている。そして、メモリ６２には、ウエハＷの適正な回転数範囲が、ウエハＷの端面に対向する開口部（第１開口部５８、第２開口部５９および第３開口部６０）と対応付けられて、メモリ６２の回転数範囲テーブルに格納されている。 FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the rotation speed range table.
In each of the above-described processing steps, the processing portion of each processing step and the viscosity of the processing liquid (first chemical liquid, second chemical liquid, third chemical liquid, and DIW) used for the processing are taken into consideration and the corresponding opening (first The height position of the splash guard 39 and the rotational speed range of each processing wafer W are determined so that each processing solution can be made to enter the opening 58, the second opening 59, and the third opening 60). It has been. In the memory 62, an appropriate rotation speed range of the wafer W is associated with openings (first opening 58, second opening 59, and third opening 60) facing the end surface of the wafer W. , Stored in the rotation speed range table of the memory 62.

図３に示すように、第１薬液表面処理工程および第１薬液裏面処理工程では、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲は１０００〜２０００ｒｐｍである。この回転数範囲内の回転数でウエハＷを回転させると、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８に進入させることができる。第２薬液表面処理工程および第２薬液裏面処理工程では、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲は５００〜１０００ｒｐｍである。この回転数範囲内の回転数でウエハＷを回転させると、ウエハＷから飛散する第２薬液を第２開口部５９に進入させることができる。第３薬液処理工程では、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲は１５〜５０ｒｐｍである。この回転数範囲内の回転数でウエハＷを回転させると、ウエハＷの表面（上面）に第３薬液を良好に液盛りさせることができるとともに、ウエハＷの表面からこぼれる第３薬液を第３開口部６０に良好に進入させることができる。   As shown in FIG. 3, in the first chemical liquid surface treatment step and the first chemical liquid back surface treatment step, the rotational speed range stored in the rotational speed range table is 1000 to 2000 rpm. When the wafer W is rotated at a rotational speed within this rotational speed range, the first chemical liquid scattered from the wafer W can enter the first opening 58. In the second chemical liquid surface treatment step and the second chemical liquid back surface treatment step, the rotational speed range stored in the rotational speed range table is 500 to 1000 rpm. When the wafer W is rotated at a rotational speed within the rotational speed range, the second chemical liquid scattered from the wafer W can enter the second opening 59. In the third chemical solution processing step, the rotation speed range stored in the rotation speed range table is 15 to 50 rpm. When the wafer W is rotated at a rotational speed within this rotational speed range, the third chemical liquid can be well deposited on the surface (upper surface) of the wafer W, and the third chemical liquid that spills from the surface of the wafer W is third. The opening 60 can be satisfactorily entered.

しかしながら、何らかの異常によって、ウエハＷがレシピに定められた回転数と大きく異なる回転数で回転されると、ウエハＷから飛散する薬液の方向（薬液の飛散方向）が変化する。たとえば、ウエハＷへの第１薬液の供給時に、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍ未満に低下すると、第１薬液に作用する遠心力が小さくなるために、ウエハＷからの第１薬液の飛散方向が斜め下側に変化する。その結果、ウエハＷから飛散する第１薬液が第２開口部５９に進入するおそれがある。   However, if the wafer W is rotated at a rotational speed that is significantly different from the rotational speed determined in the recipe due to some abnormality, the direction of the chemical liquid splashing from the wafer W (the chemical liquid scattering direction) changes. For example, when the first chemical solution is supplied to the wafer W, if the rotation speed of the wafer W is reduced to less than 1000 rpm, the centrifugal force acting on the first chemical solution is reduced, so that the first chemical solution is scattered from the wafer W. It changes diagonally downward. As a result, the first chemical liquid scattered from the wafer W may enter the second opening 59.

たとえば、第１薬液が王水であり、第２薬液がアンモニア過酸化水素水（ＳＣ１：ＮＨ4ＯＨ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ）である場合、第１薬液が第２開口部５９に進入すると、第２開口部５９内で第１薬液と第２薬液とが混触し、激しい発熱反応により突沸を生じたり、反応生成物として塩素ガスが発生したりする。
そこで、この基板処理装置１では、ウエハＷがレシピに定められた回転数と大きく異なる回転数で回転された状態で、ウエハＷに第１薬液、第２薬液および第３薬液が供給されるのを防止するために、以下のインターロック処理が実行される。 For example, when the first chemical is aqua regia and the second chemical is ammonia hydrogen peroxide (SC1: NH 4 OH + H 2 O 2 + H 2 O), when the first chemical enters the second opening 59, The first chemical liquid and the second chemical liquid are in contact with each other in the second opening 59, and bumping occurs due to intense exothermic reaction, or chlorine gas is generated as a reaction product.
Therefore, in the substrate processing apparatus 1, the first chemical liquid, the second chemical liquid, and the third chemical liquid are supplied to the wafer W in a state where the wafer W is rotated at a rotational speed that is greatly different from the rotational speed determined in the recipe. In order to prevent this, the following interlock processing is executed.

図４は、各処理工程の実施に関連して実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。
このインターロック処理は、メモリ６２に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、第１薬液表面処理、第１薬液裏面処理、第２薬液表面処理、第２薬液裏面処理および第３薬液処理の処理工程の実施に関連してそれぞれ実行される。 FIG. 4 is a flowchart showing a flow of an interlock process executed in association with execution of each process step.
This interlock process is performed in the course of a series of cleaning processes in accordance with the recipe stored in the memory 62. The first chemical liquid surface treatment, the first chemical liquid back surface process, the second chemical liquid surface treatment, the second chemical liquid back surface process, and the third chemical liquid surface treatment. Each is executed in connection with the execution of the processing steps of the chemical processing.

以下、第１薬液表面処理が実行される場合を例にとって、インターロック処理を説明する。
処理工程が開始されると（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、チャック回転駆動機構１１を制御して、スピンチャック３の回転数をレシピによって定められた回転数（たとえば１２００ｒｐｍ）に上昇／下降させる（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷがレシピで定められた回転数で回転される。また、ＣＰＵ６１は、ガード昇降機構４９を制御して、スプラッシュガード３９が第１開口部対向位置に位置するように上昇／下降させる（ステップＳ３）。 Hereinafter, the interlock process will be described by taking the case where the first chemical liquid surface process is performed as an example.
When the processing process is started (YES in step S1), the CPU 61 controls the chuck rotation driving mechanism 11 to increase / decrease the rotation speed of the spin chuck 3 to a rotation speed (for example, 1200 rpm) determined by the recipe. (Step S2). Thereby, the wafer W is rotated at the number of rotations determined by the recipe. Further, the CPU 61 controls the guard elevating mechanism 49 to raise / lower the splash guard 39 so as to be positioned at the position facing the first opening (step S3).

ウエハＷの回転数がレシピで定められた回転数に達し、スプラッシュガード３９が第１開口部対向位置に位置すると（ステップＳ４）、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を取得する（ステップＳ５）。次いで、ＣＰＵ６１は、回転数範囲テーブルを参照し（ステップＳ６）、回転数センサ１６から出力された検出値が、回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲、すなわち、１０００〜２０００ｒｐｍの範囲内か否かが調べられる（ステップＳ７）。   When the rotation number of the wafer W reaches the rotation number determined in the recipe and the splash guard 39 is positioned at the position facing the first opening (step S4), the CPU 61 acquires the detection value output from the rotation number sensor 16. (Step S5). Next, the CPU 61 refers to the rotation speed range table (step S6), and whether the detected value output from the rotation speed sensor 16 is within the rotation speed range stored in the rotation speed range table, that is, within a range of 1000 to 2000 rpm. It is checked whether or not (step S7).

回転数センサ１６から出力された検出値が、その回転数範囲外であると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、ウエハＷへの第１薬液の供給ができないと判断して、第１薬液表面側バルブ２３の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。   If the detected value output from the rotational speed sensor 16 is outside the rotational speed range (NO in step S7), the CPU 61 determines that the first chemical liquid cannot be supplied to the wafer W, and the first chemical liquid surface The opening of the side valve 23 is prohibited (step S9), and an alarm to the effect that the opening of the first chemical liquid surface side valve 23 is prohibited is output (step S10), and then the interlock process is terminated.

一方、回転数センサ１６から出力された検出値が、その回転数範囲内であれば（ステップＳ７でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、ウエハＷへの第１薬液の供給が可能と判断して、第１薬液表面側バルブ２３を開成し（ステップＳ８）、ウエハＷの表面に第１薬液を供給させる。また、ＣＰＵ６１は、ノズル駆動機構２６を駆動して、ノズルアーム２４を所定の角度範囲内で揺動させる。これにより、ウエハＷの表面が第１薬液によって処理される。   On the other hand, if the detected value output from the rotational speed sensor 16 is within the rotational speed range (YES in step S7), the CPU 61 determines that the first chemical solution can be supplied to the wafer W, and the first The chemical liquid surface side valve 23 is opened (step S8), and the first chemical liquid is supplied to the surface of the wafer W. Further, the CPU 61 drives the nozzle driving mechanism 26 to swing the nozzle arm 24 within a predetermined angle range. Thereby, the surface of the wafer W is processed with the first chemical.

第１薬液の供給中において、ＣＰＵ６１は、回転数センサ１６から出力された検出値を監視している（ステップＳ７）。そして、回転センサ１６から出力された検出値が回転数範囲外となると（ステップＳ７でＮＯ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じるとともに、その後の開成を禁止し（ステップＳ９）、その第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止された旨の警報を出力した後（ステップＳ１０）、このインターロック処理を終了する。   During the supply of the first chemical solution, the CPU 61 monitors the detection value output from the rotation speed sensor 16 (step S7). When the detection value output from the rotation sensor 16 falls outside the rotation speed range (NO in step S7), the CPU 61 closes the first chemical liquid surface side valve 23 and prohibits subsequent opening (step S9). After outputting an alarm indicating that the opening of the first chemical liquid surface side valve 23 is prohibited (step S10), the interlock process is terminated.

第１薬液の供給中に回転センサ１６からの出力された検出値が回転数範囲外とならずに処理工程時間が経過すると（ステップＳ１１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、第１薬液表面側バルブ２３を閉じて、このインターロック処理を終了する。
以上のように、回転数センサ１６によって検出されるウエハＷの回転数が回転数範囲テーブルに格納されている回転数範囲外であると、第１薬液表面側バルブ２３の開成が禁止される。ウエハＷの適正な回転数範囲が回転数範囲テーブルに格納されているので、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８だけに進入させることができる。 When the processing time elapses without the detected value output from the rotation sensor 16 being out of the rotational speed range during the supply of the first chemical liquid (YES in step S11), the CPU 61 turns the first chemical liquid surface side valve 23 on. Close and end the interlock process.
As described above, when the rotational speed of the wafer W detected by the rotational speed sensor 16 is outside the rotational speed range stored in the rotational speed range table, the opening of the first chemical liquid surface side valve 23 is prohibited. Since the appropriate rotation speed range of the wafer W is stored in the rotation speed range table, the first chemical liquid scattered from the wafer W can enter only the first opening 58.

なお、第１薬液表面処理は、前述した第１薬液裏面処理と同時に実行することができる。この場合、インターロック処理において、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第１薬液表面側バルブ２３だけでなく、第１薬液裏面側バルブ１８についてもその開成が禁止される。
また、第２薬液表面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第２薬液表面側バルブ１９の開成が禁止される。第２薬液裏面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第２薬液裏面側バルブ２４の開成が禁止される。さらに、第３薬液表面処理の実施に関連して実行されるインターロック処理では、ウエハＷの回転数が回転数範囲外であることが検出されると、第３薬液バルブ３５の開成が禁止される。 The first chemical liquid surface treatment can be performed simultaneously with the first chemical liquid back surface treatment described above. In this case, when it is detected in the interlock process that the rotation speed of the wafer W is out of the rotation speed range, not only the first chemical liquid surface side valve 23 but also the first chemical liquid rear surface side valve 18 is opened. It is forbidden.
Further, in the interlock process executed in connection with the execution of the second chemical liquid surface treatment, when it is detected that the rotation speed of the wafer W is out of the rotation speed range, the opening of the second chemical liquid surface side valve 19 is performed. It is forbidden. In the interlock process executed in connection with the execution of the second chemical liquid back surface process, when it is detected that the rotation speed of the wafer W is outside the rotation speed range, the opening of the second chemical liquid back surface side valve 24 is prohibited. The Further, in the interlock process executed in connection with the execution of the third chemical liquid surface process, when it is detected that the rotation speed of the wafer W is outside the rotation speed range, the opening of the third chemical liquid valve 35 is prohibited. The

この基板処理装置１によれば、ウエハＷから飛散する第１薬液を第１開口部５８に良好に進入させることができ、ウエハＷから飛散する第２薬液を第２開口部５９に良好に進入させることができる。また、ウエハＷからこぼれる第３薬液を第３開口部６０に進入させることができる。これにより、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。   According to this substrate processing apparatus 1, the first chemical liquid scattered from the wafer W can be made to enter the first opening 58 well, and the second chemical liquid scattered from the wafer W can be made to enter the second opening 59 well. Can be made. Further, the third chemical liquid that spills from the wafer W can enter the third opening 60. Thereby, generation | occurrence | production of the contact of the 1st chemical | medical solution, the 2nd chemical | medical solution, and the 3rd chemical | medical solution in the splash guard 39 or the cup 38 can be prevented reliably.

また、従来の基板処理装置では、洗浄処理の全期間を通じて最低回転数が定められていて、それ以下の回転数での処理が禁止されている。ウエハＷの表面（上面）に第３薬液を液盛りさせる工程を含む場合には、その最低回転数がたとえば１５ｒｐｍに定められているが、第１薬液を用いた処理や第２薬液を用いた処理では、回転数が１５ｒｐｍを超えていれば、ウエハＷに第１薬液を供給することができる。しかし、前述したように、第１薬液の供給時にウエハＷが１０００ｒｐｍ未満で回転すると、ウエハＷから飛散する第１薬液が第２開口部５９に混入し、第１薬液と第２薬液との混触が生じるおそれがある。   Further, in the conventional substrate processing apparatus, the minimum number of rotations is determined throughout the entire cleaning process, and the processing at the number of rotations below that is prohibited. In the case of including the step of depositing the third chemical liquid on the surface (upper surface) of the wafer W, the minimum number of revolutions is set to 15 rpm, for example, but the treatment using the first chemical liquid or the second chemical liquid is used. In the process, the first chemical solution can be supplied to the wafer W if the rotational speed exceeds 15 rpm. However, as described above, when the wafer W rotates at less than 1000 rpm when the first chemical liquid is supplied, the first chemical liquid scattered from the wafer W enters the second opening 59, and the first chemical liquid and the second chemical liquid are in contact with each other. May occur.

この基板処理装置１によれば、各薬液に対応して回転数範囲が設けられている。これにより、ウエハＷの表面に第３薬液の液盛りによる処理を良好に施すことができるとともに、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。
図５は、レシピ可否判断処理の流れを示すフローチャートである。 According to this substrate processing apparatus 1, the rotation speed range is provided corresponding to each chemical solution. As a result, the surface of the wafer W can be satisfactorily treated with the third chemical liquid, and the occurrence of contact between the first chemical liquid, the second chemical liquid, and the third chemical liquid in the splash guard 39 and the cup 38 is ensured. Can be prevented.
FIG. 5 is a flowchart showing the flow of the recipe availability determination process.

前述の説明においては、レシピ入力キー６４の操作により作成されたレシピは、コンピュータ６３のメモリ６２に記憶され、このメモリ６２に保持されたレシピに従って一連の洗浄処理が行われる過程において、各処理工程の実施に関連してインターロック処理が実行されるとした。しかしながら、レシピ入力キー６４の操作によるレシピの作成後に、図５に示すレシピ可否判断処理が実行されて、その作成されたレシピにより定められる指示回転数が、回転数範囲外の回転数を規定していないか否かが調べられ、そのような処理工程順を規定していない場合にのみ、レシピがメモリ６２に記憶されて保存されるようにしてもよい。 In the above description, the recipe created by operating the recipe input key 64 is stored in the memory 62 of the computer 63, and each process step is performed in the course of a series of cleaning processes performed according to the recipe held in the memory 62. It is assumed that the interlock process is executed in connection with the implementation of. However, after the recipe is created by operating the recipe input key 64, the recipe availability determination process shown in FIG. 5 is executed, and the indicated rotational speed determined by the created recipe defines the rotational speed outside the rotational speed range. The recipe may be stored and saved in the memory 62 only when it is determined whether or not the order of processing steps is not defined.

レシピ可否判断処理では、まず、ＣＰＵ６１は、レシピ入力キー６４から入力されたレシピを読み込み、レシピに規定される各処理工程におけるスピンチャック３の指示回転数をチェックする（ステップＳ２１）。次いで、ＣＰＵ６１は、回転数範囲テーブルを参照し（ステップＳ２２）、すべての処理工程について、指示回転数が回転数範囲テーブルに格納された回転数範囲内であるかどうかを判断する（ステップＳ２３）。少なくとも１つの処理工程において、指示回転数が回転数範囲外である場合には（ステップＳ２３でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、レシピ入力キー６４から入力されたレシピを廃棄する（ステップＳ２４）。   In the recipe availability determination process, first, the CPU 61 reads the recipe input from the recipe input key 64, and checks the indicated rotational speed of the spin chuck 3 in each processing step defined in the recipe (step S21). Next, the CPU 61 refers to the rotation speed range table (step S22) and determines whether or not the instruction rotation speed is within the rotation speed range stored in the rotation speed range table for all processing steps (step S23). . In at least one processing step, when the designated rotational speed is outside the rotational speed range (YES in step S23), the CPU 61 discards the recipe input from the recipe input key 64 (step S24).

一方、すべての処理工程について、指示回転数が回転数範囲テーブルの回転数範囲新規開バルブの開成が禁止されなかった場合には（ステップＳ２３でＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は、レシピ入力キー６４から入力されたレシピを、すべての処理工程において回転数範囲外の回転数を規定していないものであると判断して、メモリ６２に記憶させて保存する（ステップＳ２５）。   On the other hand, for all the processing steps, when the instruction rotational speed is not prohibited from opening a new rotational speed range valve in the rotational speed range table (YES in step S23), the CPU 61 is input from the recipe input key 64. The determined recipe is determined not to define a rotational speed outside the rotational speed range in all processing steps, and is stored in the memory 62 and stored (step S25).

このレシピ可否判断処理が行われることにより、回転数範囲外の回転数を規定したレシピのメモリ６２への保存が防止される。
この実施形態では、レシピに定められている回転数が回転数記憶テーブルに格納されている回転数範囲外であるときには、そのレシピのメモリ６２への記憶が禁止される。このため、回転数記憶テーブルにウエハＷの適正な回転数範囲が記憶されているので、ウエハＷの回転数が適正に定められたレシピに基づいてウエハＷを回転させることができる。これにより、スプラッシュガード３９やカップ３８における第１薬液、第２薬液および第３薬液の混触の発生を確実に防止することができる。 By performing the recipe admissibility determination process, it is possible to prevent the recipe storing the number of revolutions out of the revolution number range from being stored in the memory 62.
In this embodiment, when the rotational speed determined in the recipe is outside the rotational speed range stored in the rotational speed storage table, storage of the recipe in the memory 62 is prohibited. For this reason, since an appropriate rotational speed range of the wafer W is stored in the rotational speed storage table, the wafer W can be rotated based on a recipe in which the rotational speed of the wafer W is appropriately determined. Thereby, generation | occurrence | production of the contact of the 1st chemical | medical solution, the 2nd chemical | medical solution, and the 3rd chemical | medical solution in the splash guard 39 or the cup 38 can be prevented reliably.

さらに、第１薬液、第２薬液および第３薬液の３種の薬液を使用可能な構成を取り上げたが、第１薬液および第２薬液の２種の薬液を使用可能な構成の基板処理装置に本発明を適用することもできる。
また、回転数センサ１６によってスピン軸８の回転数を計測することにより、スピンチャック３（ウエハＷ）の回転数を検出するものとして説明したが、チャック回転駆動機構１１がステッピングモータを含むときには、そのステッピングモータのステップ数に基づいて、スピンチャック３の回転数が検出されていてもよい。 Furthermore, although the structure which can use 3 types of chemical | medical solutions of a 1st chemical | medical solution, a 2nd chemical | medical solution, and a 3rd chemical | medical solution was picked up, it is the substrate processing apparatus of the structure which can use two types of chemical | medical solutions of a 1st chemical | medical solution and a 2nd chemical | medical solution. The present invention can also be applied.
Moreover, although it demonstrated as what detects the rotation speed of the spin chuck 3 (wafer W) by measuring the rotation speed of the spin shaft 8 with the rotation speed sensor 16, when the chuck rotation drive mechanism 11 includes a stepping motor, Based on the number of steps of the stepping motor, the number of rotations of the spin chuck 3 may be detected.

また、第３薬液ノズル６を、所定の角度範囲内で揺動されるノズルアーム２４の先端に配置する構成としたが、第３薬液ノズル６はスキャンノズルでなく固定ノズルであってもよい。さらに、第３薬液ノズル６は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面に第３薬液を供給して、ウエハＷの表面に液盛りするためのものであるとして説明したが、ウエハＷを高速で回転させつつウエハの表面に第３薬液ノズル６から第３薬液を供給させる構成であってもよい。   Further, although the third chemical liquid nozzle 6 is arranged at the tip of the nozzle arm 24 that is swung within a predetermined angular range, the third chemical liquid nozzle 6 may be a fixed nozzle instead of a scan nozzle. Further, the third chemical nozzle 6 has been described as supplying the third chemical to the surface of the wafer W held by the spin chuck 3 and depositing the liquid on the surface of the wafer W. The configuration may be such that the third chemical liquid is supplied from the third chemical liquid nozzle 6 to the surface of the wafer while rotating at a high speed.

さらに、第２薬液が液滴の噴流の状態でウエハＷに供給される構成を取り上げたが、第２薬液ノズル５がストレートノズルとされて、第１薬液が連続流の状態でウエハＷに供給されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 Further, the configuration in which the second chemical liquid is supplied to the wafer W in the state of a jet of droplets has been taken up. However, the second chemical liquid nozzle 5 is a straight nozzle and the first chemical liquid is supplied to the wafer W in a continuous flow state. May be.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows notionally the structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electric constitution of a substrate processing apparatus. 回転数範囲テーブルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a rotation speed range table. 各処理工程の実施に関連して実行されるインターロック処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the interlock process performed in relation to implementation of each process process. レシピ可否判断処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a recipe permission judgment process.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板処理装置
３ スピンチャック
１６ 回転数センサ
１８ 第１薬液裏面側バルブ
１９ 第２薬液裏面側バルブ
２３ 第１薬液表面側バルブ
２９ 第２薬液表面側バルブ
３５ 第３薬液バルブ
３８ カップ
３９ スプラッシュガード
６１ ＣＰＵ
６２ メモリ
６３ コンピュータ
６４ レシピ入力キー
６５ タイマ
Ｗ ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Spin chuck 16 Rotational speed sensor 18 1st chemical | medical solution back surface side valve 19 2nd chemical | medical solution back surface side valve 23 1st chemical | medical solution surface side valve 29 2nd chemical | medical solution surface side valve 35 3rd chemical | medical solution valve 38 Cup 39 Splash guard 61 CPU
62 Memory 63 Computer 64 Recipe input key 65 Timer W Wafer

Claims (3)

基板を保持しつつ回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に第１薬液を供給する第１薬液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に前記第１薬液とは異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段と、
前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部とを有する処理カップと、
前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる基板の第１回転数範囲、および前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる基板の第２回転数範囲が記憶された回転数範囲記憶手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板の回転数を検出する回転数検出手段と、
前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時に、前記回転数検出手段により検出される基板の回転数を監視し、その回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第１回転数範囲外である場合、前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給を禁止する第１供給禁止手段と、
前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時に、前記回転数検出手段により検出される基板の回転数を監視し、その回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第２回転数範囲外である場合、前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給を禁止する第２供給禁止手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 Substrate rotating means for rotating while holding the substrate;
First chemical liquid supply means for supplying a first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means;
Second chemical liquid supply means for supplying a second chemical liquid different from the first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means;
A first opening for enclosing the axis of rotation of the substrate by the substrate rotating means and allowing the first chemical liquid scattered from the substrate to enter, and a position different from the first opening in a direction parallel to the axis of rotation And a processing cup having a second opening for allowing the second chemical liquid that is scattered from the substrate to enter, and is formed so as to surround the rotation axis .
A first rotational speed range of the substrate that allows the first chemical liquid scattered from the substrate rotated by the substrate rotating means to enter the first opening when the first chemical liquid supply means supplies the first chemical liquid; and When the second chemical solution is supplied by the second chemical solution supply means, the second rotation speed range of the substrate that allows the second chemical solution scattered from the substrate rotated by the substrate rotating means to enter the second opening is stored. a rotational speed range storage means being,
A rotational speed detecting means for detecting the rotational speed of the substrate rotated by the substrate rotating means;
When the supply of the first liquid chemical according to the first chemical solution supply unit monitors the rotational speed of the substrate detected by the rotational speed detecting means, a first rotational speed stored in the rotational speed the engine speed range storage means If it is out of range, a first supply inhibiting means for inhibiting the supply of the first liquid chemical according to the first chemical liquid supply means,
When the second chemical solution is supplied by the second chemical solution supply unit, the number of rotations of the substrate detected by the rotation number detection unit is monitored, and the rotation number is stored in the rotation number range storage unit. A substrate processing apparatus comprising: a second supply prohibiting unit that prohibits the supply of the second chemical solution by the second chemical solution supply unit when it is out of the range . 基板を保持しつつ回転させるための基板回転手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に第１薬液を供給する第１薬液供給手段と、
前記基板回転手段によって回転される基板に前記第１薬液とは異なる第２薬液を供給する第２薬液供給手段と、
前記基板回転手段による基板の回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第１薬液を進入させるための第１開口部と、前記回転軸線と平行な方向に前記第１開口部と異なる位置において前記回転軸線を取り囲むように形成され、基板から飛散する第２薬液を進入させるための第２開口部とを有する処理カップと、
前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第１薬液を前記第１開口部に進入させることができる基板の第１回転数範囲、および前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時に、前記基板回転手段によって回転される基板から飛散する第２薬液を前記第２開口部に進入させることができる基板の第２回転数範囲が記憶された回転数範囲記憶手段と、
前記第１薬液供給手段による第１薬液の供給時における基板の回転数、および前記第２薬液供給手段による第２薬液の供給時における基板の回転数を定めたレシピを入力するレシピ入力手段と、
前記レシピ入力手段から入力されたレシピを記憶するためのレシピ記憶手段と、
前記レシピ入力手段から入力されたレシピを参照し、そのレシピで定められている第１薬液の供給時における基板の回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第１回転数範囲外である場合、またはそのレシピで定められている第２薬液の供給時における基板の回転数が前記回転数範囲記憶手段に記憶されている第２回転数範囲外である場合、前記レシピ入力手段から入力されたレシピの前記レシピ記憶手段への記憶を禁止するレシピ記憶禁止手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。 Substrate rotating means for rotating while holding the substrate;
First chemical liquid supply means for supplying a first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means;
Second chemical liquid supply means for supplying a second chemical liquid different from the first chemical liquid to the substrate rotated by the substrate rotating means;
A first opening for enclosing the axis of rotation of the substrate by the substrate rotating means and allowing the first chemical liquid scattered from the substrate to enter, and a position different from the first opening in a direction parallel to the axis of rotation And a processing cup having a second opening for allowing the second chemical liquid that is scattered from the substrate to enter, and is formed so as to surround the rotation axis .
A first rotational speed range of the substrate that allows the first chemical liquid scattered from the substrate rotated by the substrate rotating means to enter the first opening when the first chemical liquid supply means supplies the first chemical liquid; and When the second chemical solution is supplied by the second chemical solution supply means, the second rotation speed range of the substrate that allows the second chemical solution scattered from the substrate rotated by the substrate rotating means to enter the second opening is stored. a rotational speed range storage means being,
And recipe input means for inputting recipe which defines the rotational speed of the substrate by the rotation speed of the substrate during the supply of the first chemical liquid, and at the time of supply of the second liquid chemical according to the second chemical liquid supply means and the first chemical liquid supply means,
Recipe storage means for storing a recipe input from the recipe input means;
With reference to the recipe input from the recipe input means, the number of rotations of the substrate at the time of supplying the first chemical liquid determined by the recipe is outside the first rotation speed range stored in the rotation speed range storage means. If there is, or if the rotation speed of the substrate at the time of supplying the second chemical solution specified in the recipe is outside the second rotation speed range stored in the rotation speed range storage means, input from the recipe input means A substrate processing apparatus comprising: a recipe storage prohibiting unit that prohibits storage of the processed recipe in the recipe storage unit . 前記基板回転手段によって回転される基板に第３薬液を供給する第３薬液供給手段を、さらに備え、
前記基板回転手段は、基板をほぼ水平な姿勢に保持して、鉛直軸線まわりに回転させるものであり、
前記回転数範囲記憶手段には、前記第３薬液供給手段による第３薬液の供給時における基板の第３回転数範囲が記憶され、
前記回転数範囲記憶手段に記憶される前記第３回転数範囲は、前記第３薬液供給手段からの第３薬液を基板の上面に液盛りすることができる回転数範囲であることを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理装置。 A third chemical solution supply means for supplying a third chemical solution to the substrate rotated by the substrate rotating means;
The substrate rotating means holds the substrate in a substantially horizontal posture and rotates the substrate around a vertical axis.
The rotation speed range storage means stores a third rotation speed range of the substrate at the time of supply of the third chemical liquid by the third chemical liquid supply means,
The third rotation speed range stored in the rotation speed range storage means is a rotation speed range in which the third chemical liquid from the third chemical liquid supply means can be accumulated on the upper surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 .
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