JP2007123559A - Device and method for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on a substrate.
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus has been used to perform various processes on a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display device, and a glass substrate for an optical disk.
基板処理装置では、たとえばBHF(バッファードフッ酸)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液を基板に供給することにより、その基板の表面処理を行う(以下、薬液処理と呼ぶ)。 In the substrate processing apparatus, for example, by supplying a chemical solution such as BHF (buffered hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid or ammonia to the substrate, Surface treatment of the substrate is performed (hereinafter referred to as chemical treatment).
薬液処理を行う基板処理装置においては、基板へ薬液を供給するノズルの先端部に薬液の析出物が付着する。薬液の析出物は、ノズルによる基板への薬液供給後、ノズル先端部に付着した薬液が乾燥することにより生成される。 In a substrate processing apparatus that performs chemical liquid processing, chemical liquid deposits adhere to the tip of a nozzle that supplies the chemical liquid to the substrate. The chemical liquid deposit is generated by drying the chemical liquid adhering to the nozzle tip after the chemical liquid is supplied to the substrate by the nozzle.
この現象は、特に、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合溶液(BHF)またはフッ化アンモニウムとリン酸との混合溶液のように塩を含む薬液を用いるときに発生しやすい。 This phenomenon is particularly likely to occur when a chemical solution containing a salt such as a mixed solution of ammonium fluoride and hydrofluoric acid (BHF) or a mixed solution of ammonium fluoride and phosphoric acid is used.
また、酸性の薬液とアルカリ性の薬液とを個別に基板へ供給する基板処理装置において、それぞれの薬液を供給するノズルが近接して配置されると、各ノズルに付着する薬液の成分が周辺の雰囲気中に拡散して互いに反応することにより塩が生成される場合がある。この場合にも、ノズル先端部に析出物が付着しやすい。 In addition, in a substrate processing apparatus that supplies an acidic chemical solution and an alkaline chemical solution to a substrate individually, when the nozzles that supply the chemical solutions are arranged close to each other, the components of the chemical solution that adhere to the nozzles are in the surrounding atmosphere. Salts may be formed by diffusing in and reacting with each other. Also in this case, deposits are likely to adhere to the nozzle tip.
ノズル先端部に付着する析出物は、基板へ薬液を供給するごとに成長する。この場合、成長した析出物がノズルから基板に落下したり、ノズルから基板へ供給される薬液の供給条件が変化することにより基板の処理不良が発生する。 The deposit adhering to the nozzle tip grows every time the chemical solution is supplied to the substrate. In this case, the grown precipitate falls from the nozzle to the substrate, or the supply condition of the chemical solution supplied from the nozzle to the substrate changes, thereby causing a substrate processing failure.
ノズル先端部に付着する析出物を除去するために、ノズル先端部を均一に洗浄することができるノズル洗浄機構付き薬液供給ノズルがある(特許文献1参照)。 In order to remove deposits adhering to the nozzle tip, there is a chemical solution supply nozzle with a nozzle cleaning mechanism that can uniformly clean the nozzle tip (see Patent Document 1).
このノズル洗浄機構付き薬液供給ノズルは、ノズル洗浄機構として貫通孔が形成されたノズルブロックを備える。ノズルブロックの貫通孔にノズルが挿入されることにより、ノズルの外周面とノズルブロックの内周面との間に隙間が形成される。 The chemical solution supply nozzle with a nozzle cleaning mechanism includes a nozzle block having a through hole formed as a nozzle cleaning mechanism. By inserting the nozzle into the through hole of the nozzle block, a gap is formed between the outer peripheral surface of the nozzle and the inner peripheral surface of the nozzle block.
ノズルによる基板への薬液の供給後、そのノズルがノズルブロックに挿入され、ノズルとノズルブロックとの隙間に洗浄液が供給される。これにより、ノズルとノズルブロックとの間の隙間に流れ込む洗浄液が、ノズル先端部へ流れることにより、ノズル先端部に付着する薬液が洗い流される。その結果、ノズル先端部への析出物の付着が防止される。
しかしながら、特許文献1に示されるような従来のノズル洗浄機構においては、ノズル外周面からノズル先端部にかけて洗浄液を供給することによりノズルの洗浄を行っているので、ノズル内部には洗浄液が供給されない。 However, in the conventional nozzle cleaning mechanism as shown in Patent Document 1, since the nozzle is cleaned by supplying the cleaning liquid from the nozzle outer peripheral surface to the nozzle tip, the cleaning liquid is not supplied into the nozzle.
そのため、ノズル内部には薬液が残存し、その残存する薬液が乾燥することによりノズル内部、特に、外気と触れやすいノズル先端の薬液供給口の内側に析出物として生成される。それにより、ノズルから基板へ供給される薬液の供給条件が変化したり、ノズル内部が析出物により詰まるという課題が十分に解決されない。 Therefore, the chemical solution remains in the nozzle, and the remaining chemical solution is dried, and is generated as a precipitate inside the nozzle, particularly inside the chemical solution supply port at the tip of the nozzle that is easily in contact with the outside air. Thereby, the problem that the supply conditions of the chemical solution supplied from the nozzle to the substrate change or the inside of the nozzle is clogged with precipitates cannot be sufficiently solved.
本発明の目的は、ノズル内部、特に、ノズル先端の薬液供給口の内側の洗浄を行うことが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of cleaning the inside of a nozzle, particularly the inside of a chemical solution supply port at the tip of the nozzle.
(1)第1の発明に係る基板処理装置は、基板上に処理液を供給する処理液供給口を有する処理液ノズルと、処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出する洗浄液ノズルとを備えるものである。 (1) A substrate processing apparatus according to a first invention discharges a nozzle cleaning liquid from below toward a processing liquid nozzle having a processing liquid supply port for supplying a processing liquid onto the substrate and a processing liquid supply port of the processing liquid nozzle. And a cleaning liquid nozzle.
第1の発明に係る基板処理装置においては、基板の処理時に、処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液が供給される。処理液ノズルが洗浄液ノズルの上方に位置する状態で、洗浄液ノズルから処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液が吐出される。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect, the processing liquid is supplied onto the substrate from the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle when the substrate is processed. With the processing liquid nozzle positioned above the cleaning liquid nozzle, the nozzle cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle.
それにより、洗浄液ノズルから吐出されるノズル洗浄液により処理液ノズル先端の処理液供給口の内側に付着する処理液を洗い流すことができる。また、ノズル洗浄液の一部が処理液ノズルの処理液供給口から内部に流入するので、処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。 Thereby, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid supply port at the tip of the processing liquid nozzle can be washed away by the nozzle cleaning liquid discharged from the cleaning liquid nozzle. In addition, since a part of the nozzle cleaning liquid flows into the processing liquid nozzle from the processing liquid supply port, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid nozzle can be washed away.
このようにして、処理液ノズルの処理液供給口の内側のみならず処理液ノズルの内部も洗浄することが可能となる。 In this way, not only the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle but also the inside of the processing liquid nozzle can be cleaned.
(2)基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段をさらに備え、洗浄液ノズルは、基板保持手段により基板が保持されるべき位置の下方に設けられ、基板保持手段により基板が保持されていない状態で洗浄液ノズルの上方に位置する処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出してもよい。 (2) The substrate processing apparatus further includes substrate holding means for holding the substrate, and the cleaning liquid nozzle is provided below a position where the substrate should be held by the substrate holding means, and the substrate is not held by the substrate holding means. In this state, the nozzle cleaning liquid may be discharged toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle located above the cleaning liquid nozzle.
この場合、基板の処理時には、基板保持手段により基板が保持されている状態で、基板の上方に位置する処理液ノズルから基板に処理液が供給される。また、基板保持手段により基板が保持されていない状態で、洗浄液ノズルから上方に位置する処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液が吐出される。それにより、処理液ノズルの処理液供給口の内側および処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。 In this case, when the substrate is processed, the processing liquid is supplied to the substrate from the processing liquid nozzle located above the substrate while the substrate is held by the substrate holding unit. Further, the nozzle cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle located above in a state where the substrate is not held by the substrate holding means. Thereby, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle and the inside of the processing liquid nozzle can be washed away.
このような構成では、基板保持手段により基板が保持されている状態で、処理液を洗浄液ノズルから吐出することにより、基板保持手段に保持された基板の裏面に処理液を用いた処理を行うことができる。 In such a configuration, in a state where the substrate is held by the substrate holding unit, the processing liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle to perform processing using the processing liquid on the back surface of the substrate held by the substrate holding unit. Can do.
このように、処理液ノズルの洗浄および基板の裏面の処理を共通の洗浄液ノズルを用いて行うことができる。その結果、基板処理装置の大型化を抑制しつつ処理液ノズルの洗浄が可能となる。 As described above, the cleaning of the processing liquid nozzle and the processing of the back surface of the substrate can be performed using the common cleaning liquid nozzle. As a result, it is possible to clean the processing liquid nozzle while suppressing an increase in the size of the substrate processing apparatus.
(3)基板処理装置は、基板保持手段に保持された基板の上方位置と基板の外方の待機位置との間で処理液ノズルを移動させる駆動手段をさらに備えてもよい。 (3) The substrate processing apparatus may further include a driving unit that moves the processing liquid nozzle between an upper position of the substrate held by the substrate holding unit and a standby position outside the substrate.
この場合、処理液ノズルからの基板への処理液の供給時、および洗浄液ノズルからの処理液ノズルへのノズル洗浄液の吐出時には、処理液ノズルが基板の外方の待機位置から基板の上方位置に移動する。処理液ノズルからの基板への処理液の供給時以外のとき(たとえば、処理液ノズルから基板へ処理液が供給されてから次に処理されるべき基板に処理液を供給するまでの間)で、、かつ洗浄液ノズルからの処理液ノズルへのノズル洗浄液の吐出時以外のときには、処理液ノズルが待機位置に移動する。それにより、処理液ノズルからの処理液によって基板が処理された後(たとえば、基板の乾燥処理時、基板の搬出時等)に、基板上に処理液ノズルから処理液が滴下することが防止される。 In this case, when the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle to the substrate and when the nozzle cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle to the processing liquid nozzle, the processing liquid nozzle is moved from the standby position outside the substrate to a position above the substrate. Moving. When the processing liquid is not supplied to the substrate from the processing liquid nozzle (for example, after the processing liquid is supplied from the processing liquid nozzle to the substrate until the processing liquid is supplied to the substrate to be processed next). When the nozzle cleaning liquid is not discharged from the cleaning liquid nozzle to the processing liquid nozzle, the processing liquid nozzle moves to the standby position. This prevents the processing liquid from dropping from the processing liquid nozzle onto the substrate after the substrate has been processed with the processing liquid from the processing liquid nozzle (for example, when the substrate is being dried or when the substrate is unloaded). The
(4)基板保持手段は、鉛直方向の回転軸の周りで基板を回転させ、洗浄液ノズルの洗浄液吐出口は回転軸上に位置してもよい。 (4) The substrate holding means may rotate the substrate around a vertical rotation axis, and the cleaning liquid discharge port of the cleaning liquid nozzle may be located on the rotation axis.
この場合、洗浄液ノズルの洗浄液吐出口を基板の回転軸上に位置させることができるので、処理液ノズルの洗浄時における処理液ノズルの位置合わせが容易となる。 In this case, since the cleaning liquid discharge port of the cleaning liquid nozzle can be positioned on the rotation axis of the substrate, it is easy to align the processing liquid nozzle when cleaning the processing liquid nozzle.
(5)洗浄液ノズルは、さらに、基板保持手段により基板が保持された状態で、基板の裏面に向けて基板を処理するための処理液を吐出するものであってもよい。 (5) The cleaning liquid nozzle may further discharge a processing liquid for processing the substrate toward the back surface of the substrate while the substrate is held by the substrate holding means.
この場合、基板保持手段に保持された基板の裏面に処理液を用いた処理を行うことができる。それにより、処理液ノズルの洗浄および基板の裏面の処理を共通の洗浄液ノズルを用いて行うことができる。その結果、基板処理装置の大型化を抑制しつつ処理液ノズルの洗浄が可能となる。 In this case, the processing using the processing liquid can be performed on the back surface of the substrate held by the substrate holding means. Accordingly, the cleaning of the processing liquid nozzle and the processing of the back surface of the substrate can be performed using a common cleaning liquid nozzle. As a result, it is possible to clean the processing liquid nozzle while suppressing an increase in the size of the substrate processing apparatus.
(6)基板処理装置は、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段により保持された基板の上方位置と基板保持手段により保持された基板の外方の待機位置との間で処理液ノズルを移動させる駆動手段とをさらに備え、洗浄液ノズルは、前記処理液ノズルが待機位置にある状態で、処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出するものであってもよい。 (6) The substrate processing apparatus includes a substrate holding unit that holds a substrate, and a processing liquid nozzle between an upper position of the substrate held by the substrate holding unit and a standby position outside the substrate held by the substrate holding unit. The cleaning liquid nozzle may discharge the nozzle cleaning liquid toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle in a state where the processing liquid nozzle is in the standby position.
この場合、処理液ノズルからの処理液による基板の処理時には、処理液ノズルが基板保持手段により保持された基板の上方位置に移動する。処理液ノズルの洗浄時には、処理液ノズルは基板保持手段により保持された基板の外方の待機位置に移動する。 In this case, when processing the substrate with the processing liquid from the processing liquid nozzle, the processing liquid nozzle moves to a position above the substrate held by the substrate holding means. When cleaning the processing liquid nozzle, the processing liquid nozzle moves to a standby position outside the substrate held by the substrate holding means.
待機位置において、洗浄液ノズルから処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液が吐出される。それにより、処理液ノズルの処理液供給口の内側および処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。 In the standby position, the nozzle cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzle toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle. Thereby, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle and the inside of the processing liquid nozzle can be washed away.
(7)洗浄液ノズルにより処理液ノズルにノズル洗浄液が吐出されているときに、処理液ノズルおよび洗浄液ノズルの少なくとも一方が他方に対して相対的に揺動してもよい。 (7) When the nozzle cleaning liquid is discharged to the processing liquid nozzle by the cleaning liquid nozzle, at least one of the processing liquid nozzle and the cleaning liquid nozzle may swing relative to the other.
この場合、処理液ノズルの処理液供給口の周辺の広い面積にノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、処理液ノズルの内部の細部にノズル洗浄液が浸入する。それにより、洗浄効果がより向上される。 In this case, the nozzle cleaning liquid is uniformly supplied to a wide area around the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle, and the nozzle cleaning liquid enters the details inside the processing liquid nozzle. Thereby, the cleaning effect is further improved.
また、複数の処理液ノズルが設けられる場合に、これら複数の処理液ノズルのすべてにノズル洗浄液があたるように、複数の処理液ノズルの配置、および相対的な揺動方向を設定すれば、複数の処理液ノズルの洗浄をほぼ同時に行うことができる。 Further, when a plurality of processing liquid nozzles are provided, if the arrangement of the plurality of processing liquid nozzles and the relative oscillation direction are set so that the nozzle cleaning liquid is applied to all of the plurality of processing liquid nozzles, a plurality of processing liquid nozzles are provided. The treatment liquid nozzle can be cleaned almost simultaneously.
(8)第2の発明に係る基板処理方法は、処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液供給工程が行なわれていない期間において、処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出するノズル洗浄液吐出工程とを備えるものである。 (8) A substrate processing method according to a second aspect of the present invention includes a processing liquid supply step for supplying a processing liquid onto a substrate from a processing liquid supply port of a processing liquid nozzle, and a period in which the processing liquid supply step is not performed. A nozzle cleaning liquid discharge step of discharging the nozzle cleaning liquid from below toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle.
第2の発明に係る基板処理装置においては、処理液ノズルからの処理液による基板の処理時に、処理液ノズルの処理液供給口から基板上に処理液が供給される。、また、処理液ノズルから処理液が供給されていないときに、処理液ノズルの洗浄が、処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出することにより行われる。 In the substrate processing apparatus according to the second aspect of the invention, the processing liquid is supplied onto the substrate from the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle when the substrate is processed with the processing liquid from the processing liquid nozzle. Further, when the processing liquid is not supplied from the processing liquid nozzle, the cleaning of the processing liquid nozzle is performed by discharging the nozzle cleaning liquid from below toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle.
それにより、処理液ノズルの処理液供給口の内側に付着する処理液をノズル洗浄液により洗い流すことができる。また、ノズル洗浄液の一部が処理液ノズルの処理液供給口から内部に流入するので、処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。 Thereby, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle can be washed away with the nozzle cleaning liquid. In addition, since a part of the nozzle cleaning liquid flows into the processing liquid nozzle from the processing liquid supply port, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid nozzle can be washed away.
このようにして、処理液ノズルの処理液供給口の内側のみならず処理液ノズルの内部も洗浄することが可能となる。 In this way, not only the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle but also the inside of the processing liquid nozzle can be cleaned.
本発明によれば、洗浄液ノズルから吐出されるノズル洗浄液により処理液ノズルの処理液供給口の内側に付着する処理液を洗い流すことができる。また、ノズル洗浄液の一部が処理液ノズルの処理液供給口から内部に流入するので、処理液ノズルの内部に付着する処理液を洗い流すことができる。このようにして、処理液ノズルの処理液供給口の内側のみならず処理液ノズルの内部も洗浄することが可能となる。 According to the present invention, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle can be washed away by the nozzle cleaning liquid discharged from the cleaning liquid nozzle. In addition, since a part of the nozzle cleaning liquid flows into the processing liquid nozzle from the processing liquid supply port, the processing liquid adhering to the inside of the processing liquid nozzle can be washed away. In this way, not only the inside of the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle but also the inside of the processing liquid nozzle can be cleaned.
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。 In the following description, a substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like.
(1) 基板処理装置の構成
図1は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、処理領域A,Bを有し、処理領域A,B間に搬送領域Cを有する。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the
処理領域Aには、制御部4、流体ボックス部2a,2b、基板処理部5a,5bが配置されている。
In the processing region A, a control unit 4,
図1の流体ボックス部2a,2bは、それぞれ基板処理部5a,5bへの薬液およびリンス液の供給および基板処理部5a,5bからの廃棄(排液)等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。
1 are pipes, joints, valves, flow meters for supplying chemicals and rinsing liquids to the
基板処理部5a,5bでは、薬液による基板処理(以下、薬液処理およびリンス液による基板処理(以下、リンス処理と呼ぶ)が行われる。本実施の形態において、基板処理部5a,5bで用いられる薬液はBHF(バッファードフッ酸)であり、リンス液は純水である。以下、薬液およびリンス液を処理液と総称する。
In the
処理領域Bには、流体ボックス部2c,2dおよび基板処理部5c,5dが配置されている。流体ボックス部2c,2dおよび基板処理部5c,5dの各々は、上記流体ボックス部2a,2bおよび基板処理部5a,5bと同様の構成を有し、基板処理部5c,5dは基板処理部5a,5bと同様の処理を行う。
In the processing region B,
以下、基板処理部5a,5b,5c,5dを処理ユニットと総称する。搬送領域Cには、基板搬送ロボットCRが設けられている。
Hereinafter, the
処理領域A,Bの一端部側には、基板Wの搬入および搬出を行うインデクサIDが配置されており、インデクサロボットIRはインデクサIDの内部に設けられている。インデクサIDには、基板Wを収納するキャリア1が載置される。 An indexer ID for carrying in and out the substrate W is arranged on one end side of the processing areas A and B, and the indexer robot IR is provided inside the indexer ID. The carrier 1 that stores the substrate W is placed on the indexer ID.
インデクサIDのインデクサロボットIRは、矢印Uの方向に移動し、キャリア1から基板Wを取り出して基板搬送ロボットCRに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Wを基板搬送ロボットCRから受け取ってキャリア1に戻す。 The indexer robot IR with the indexer ID moves in the direction of the arrow U, takes out the substrate W from the carrier 1 and passes it to the substrate transport robot CR, and conversely receives the substrate W subjected to a series of processing from the substrate transport robot CR. Return to carrier 1.
基板搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから渡された基板Wを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Wを他の処理ユニットまたはインデクサロボットIRに搬送する。 The substrate transfer robot CR transfers the substrate W delivered from the indexer robot IR to the designated processing unit, or transfers the substrate W received from the processing unit to another processing unit or the indexer robot IR.
本実施の形態においては、基板処理部5a〜5dのいずれかにおいて基板Wに薬液処理が行われた後に、基板搬送ロボットCRにより基板Wが基板処理部5a〜5dから搬出され、インデクサロボットIRを介してキャリア1に搬入される。
In the present embodiment, after the chemical liquid processing is performed on the substrate W in any of the
制御部4は、CPU(中央演算処理装置)を含むコンピュータ等からなり、処理領域A,Bの各処理ユニットの動作、搬送領域Cの基板搬送ロボットCRの動作およびインデクサIDのインデクサロボットIRの動作を制御する。 The control unit 4 includes a computer including a CPU (Central Processing Unit) and the like. The operation of each processing unit in the processing areas A and B, the operation of the substrate transfer robot CR in the transfer area C, and the operation of the indexer robot IR of the indexer ID. To control.
(2) 基板処理部の構成
図2は本実施の形態に係る基板処理装置100の基板処理部5a〜5dの構成を説明するための図である。
(2) Configuration of Substrate Processing Unit FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration of the
図2の基板処理部5a〜5dは、薬液処理により基板Wの表面に付着した有機物等の不純物を除去した後、基板Wのリンス処理および乾燥処理を行う。 2 removes impurities such as organic substances adhering to the surface of the substrate W by chemical processing, and then performs rinsing processing and drying processing of the substrate W.
図2に示すように、基板処理部5a〜5dは、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。スピンチャック21は、チャック回転駆動機構36によって回転される回転軸25の上端に固定されている。
As shown in FIG. 2, the
基板Wは、薬液処理、リンス処理および乾燥処理を行う際に、スピンチャック21により水平に保持された状態で回転する。
The substrate W rotates while being held horizontally by the
スピンチャック21の外方には、モータ60が設けられている。モータ60には、回動軸61が接続されている。また、回動軸61には、アーム62が水平方向に延びるように連結され、アーム62の先端に薬液処理用ノズル50が設けられている。薬液処理用ノズル50の先端には、薬液吐出用の吐出口が形成されている。
A
モータ60により回動軸61が回転するとともにアーム62が回動し、薬液処理用ノズル50がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ60、回動軸61およびアーム62の内部を通るように薬液処理用供給管63が設けられている。薬液処理用供給管63は、図1の流体ボックス部2a〜2dに接続されている。
A chemical
基板処理部5a〜5dの薬液処理用ノズル50には、薬液処理用供給管63を通して流体ボックス部2a〜2dから薬液(BHF)が供給される。それにより、基板Wの表面へ薬液を供給することができる。なお、本実施の形態に用いる薬液処理用ノズル50は、テフロン(登録商標)等の撥水性を有する材料からなる。
The chemical solution (BHF) is supplied from the fluid box portions 2a to 2d to the chemical
また、スピンチャック21の外方にモータ71が設けられている。モータ71には、回動軸72が接続され、回動軸72には、アーム73が連結されている。また、アーム73の先端にリンス処理用ノズル70が設けられている。リンス処理用ノズル70の先端には、リンス液吐出用の吐出口が形成されている。
A
モータ71により回動軸72が回転するとともにアーム73が回動し、リンス処理用ノズル70がスピンチャック21により保持された基板Wの上方に移動する。
The
モータ71、回動軸72およびアーム73の内部を通るようにリンス処理用供給管74が設けられている。リンス処理用供給管74は、図1の流体ボックス部2a〜2dに接続されている。
A rinse treatment supply pipe 74 is provided so as to pass through the
基板処理部5a〜5dのリンス処理用ノズル70には、薬液処理用供給管74を通して流体ボックス部2a〜2dからリンス液(純水)が供給される。それにより、基板Wの表面へリンス液を供給することができる。なお、本実施の形態に用いるリンス処理用ノズル70は、テフロン(登録商標)等の撥水性を有する材料からなる。
The rinse liquid (pure water) is supplied from the fluid box sections 2a to 2d to the rinse
基板W上に薬液を供給する際には、薬液処理用ノズル50は基板Wの中心部上方の処理位置に移動し、基板W上にリンス液を供給する際には、薬液処理用ノズル50は基板Wの外方の待機位置に退避される。
When supplying the chemical liquid onto the substrate W, the chemical
また、基板W上に薬液を供給する際には、リンス液処理用ノズル70は基板W外方の待機位置に退避され、基板W上にリンス液を供給する際には、リンス液処理用ノズル70は基板Wの中心部上方の処理位置に移動する。
Further, when supplying the chemical liquid onto the substrate W, the rinsing
スピンチャック21の回転軸25は中空軸からなる。回転軸25の内部には、処理液供給管26が挿通されている。処理液供給管26は、図1の流体ボックス部2a〜2dに接続されている。処理液供給管26には、流体ボックス部2a〜2dから薬液またはリンス液が供給される。処理液供給管26は、スピンチャック21に保持された基板Wの下面に近接する位置まで延びている。
The
処理液供給管26の先端には、鉛直上方に向けて薬液またはリンス液を吐出する下部ノズル27が設けられている。下部ノズル27は、スピンチャック21により保持される基板Wの裏面の中心部に対向する。
A
スピンチャック21は、処理カップ23内に収容されている。処理カップ23の内側には、筒状の仕切壁33が設けられている。また、スピンチャック21の周囲を取り囲むように、基板Wの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間31が形成されている。さらに、排液空間31を取り囲むように、処理カップ23と仕切壁33の間に基板Wの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間32が形成されている。
The
排液空間31には、排液処理装置(図示せず)へ処理液を導くための排液管34が接続され、回収液空間32には、回収処理装置(図示せず)へ処理液を導くための回収管35が接続されている。
A
処理カップ23の上方には、基板Wからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード24が設けられている。このガード24は、回転軸25に対して回転対称な形状からなっている。ガード24の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝41が環状に形成されている。
A
また、ガード24の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部42が形成されている。回収液案内部42の上端付近には、処理カップ23の仕切壁33を受け入れるための仕切壁収納溝43が形成されている。
Further, a recovery liquid guide portion 42 having an inclined surface that is inclined outward and downward is formed on the inner surface of the lower end portion of the
このガード24には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構(図示せず)が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード24を、回収液案内部42がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝41がスピンチャック21に保持された基板Wの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード24が回収位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が回収液案内部42により回収液空間32に導かれ、回収管35を通して回収される。一方、ガード24が排液位置にある場合には、基板Wから外方へ飛散した処理液が排液案内溝41により排液空間31に導かれ、排液管34を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
The
なお、スピンチャック21への基板Wの搬入および搬出の際には、ガード昇降駆動機構は、ガード24を排液位置よりもさらに下方に退避させ、ガード24の上端部24aがスピンチャック21による基板Wの保持高さよりも低い位置となるように移動させる。
When the substrate W is loaded into and unloaded from the
(3)基板処理部の動作
次に、図1および図2の基板処理装置100の動作を説明する。基板処理装置100の各構成要素の動作は、図1の制御部4により制御される。ここで、本実施の形態では、基板処理装置100による基板Wの処理は、所定数の基板Wからなるロット単位で行われる。すなわち、1ロットの基板Wに所定の条件で連続的に処理が行われる。その後、次の1ロットの基板Wに前のロットの基板Wと同じまたは異なる条件で連続的に処理が行われる。
(3) Operation of Substrate Processing Unit Next, the operation of the
図3は、図2の基板処理部5a〜5dの動作を示すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the
図3に示すように、まず、基板Wの搬入時には、ガード24が下降するとともに、基板搬送ロボットCRが基板Wをスピンチャック21上に載置する(ステップS1)。スピンチャック21上に載置された基板Wは、スピンチャック21により保持される。
As shown in FIG. 3, when the substrate W is loaded, the
次に、ガード24が上述した回収位置または廃液位置まで上昇するとともに、薬液処理用ノズル50が待機位置から基板Wの中心部上方の処理位置に移動する。その後、回転軸25が回転し、この回転に伴いスピンチャック21に保持されている基板Wが回転する(ステップS2)。
Next, the
その後、薬液処理用ノズル50から基板W上に薬液が供給されるとともに、下部ノズル27から基板Wの裏面に薬液が供給される。これにより、基板Wの薬液処理が行われる(ステップS3)。基板Wの薬液処理終了後、薬液処理用ノズル50が基板Wの外方の待機位置に移動する。
Thereafter, the chemical liquid is supplied onto the substrate W from the chemical
次いで、リンス処理用ノズル70が基板Wの中心部上方の処理位置に移動する。次いで、リンス処理用ノズル70から基板W上にリンス液が供給されるとともに、下部ノズル27から基板Wの裏面にリンス液が供給される。これにより、基板Wのリンス処理が行われる(ステップS4)。
Next, the rinse
次に、リンス液の供給が停止され、回転軸25の回転数が上昇する。このため、基板W上のリンス液に大きな遠心力が作用し、基板W上からリンス液が取り除かれる。それにより、基板Wの乾燥処理が行われる(ステップS5)。
Next, the supply of the rinsing liquid is stopped, and the rotational speed of the
次に、リンス処理用ノズル70が基板Wの外方の待機位置に退避するとともに回転軸25の回転が停止する。その後、ガード24が下降するとともに図1の基板搬送ロボットCRが基板Wを基板処理部5a〜5dから搬出する(ステップS6)。
Next, the rinsing
その後、制御部4は、1ロットの基板Wの処理が終了したか否かを判別する(ステップS7)。 Thereafter, the control unit 4 determines whether or not the processing of one lot of substrates W has been completed (step S7).
1ロットの基板Wの処理が終了していない場合には、ステップS1へ戻り、ステップS1〜S7の処理が繰り返される。 If the processing of one lot of substrates W has not been completed, the process returns to step S1 and the processes of steps S1 to S7 are repeated.
1ロットの基板Wの処理が終了した場合には、後述する薬液処理用ノズル50の洗浄処理が行われる(ステップS8)。
When the processing of one lot of substrates W is completed, cleaning processing of a chemical
その後、制御部4は全ロットの基板Wの処理が終了したか否かを判別する(ステップS9)。全ロットの基板Wの処理が終了していない場合は、ステップS1に戻り、次のロットの基板Wの処理が行われる。ステップS9で全ロットの基板Wの処理が終了した場合には、動作を終了する。 Thereafter, the control unit 4 determines whether or not the processing of the substrates W of all lots has been completed (step S9). If processing of all the lots of substrates W has not been completed, the process returns to step S1 to process the substrate W of the next lot. If the processing of all lots of substrates W is completed in step S9, the operation is terminated.
ここで、上記のように、基板処理部5a〜5dでは、薬液処理用ノズル50を用いて、基板Wの薬液処理が行われる。この場合、基板Wの薬液処理後に、薬液処理用ノズル50の先端部および内部に付着している薬液が乾燥することにより、薬液処理用ノズル50に薬液の析出物が生成される。
Here, as described above, in the
特に、本実施の形態では薬液として酸とアルカリとの中和塩であるフッ化アンモニウムを含むBHFを用いているため、中和塩からなる析出物が生成されやすい。この析出物は、薬液処理およびリンス処理後に薬液処理用ノズル50から基板W上に落下したり、薬液処理用ノズル50から基板Wへ供給される薬液の供給条件を変化させることにより、基板Wの処理不良の原因となる。
In particular, in the present embodiment, BHF containing ammonium fluoride, which is a neutralized salt of acid and alkali, is used as the chemical solution, so that a precipitate made of the neutralized salt is easily generated. This deposit falls on the substrate W from the
(4)薬液処理用ノズルの洗浄処理
図4は、図3のステップS7に示される薬液処理用ノズル50の洗浄処理を示すフローチャートである。図5は、図3のステップS7に示される薬液処理用ノズル50の洗浄処理を説明するための図である。
(4) Cleaning Process for Chemical Solution Processing Nozzle FIG. 4 is a flowchart showing the cleaning process for the chemical
まず、ガード24が上述した廃液位置まで移動する(ステップS11)。次に、薬液処理用ノズル50が待機位置から処理位置に移動する(ステップS12)。それにより、薬液処理用ノズル50の吐出口が下部ノズル27の吐出口に対向する。
First, the
次に、下部ノズル27から薬液処理用ノズル50の先端部に向けてノズル洗浄液(リンス液と同じ純水)が吐出される(ステップS13)。図5に示すように、下部ノズル27から吐出されるノズル洗浄液は鉛直上方に位置する薬液処理用ノズル50に直線軌道で供給される。それにより、薬液処理用ノズル50の先端部に付着する薬液の析出物がノズル洗浄液により洗い流される。さらに、下部ノズル27から供給されるノズル洗浄液は、薬液処理用ノズル50の先端の吐出口から内部に流入する。それにより、薬液処理用ノズル50先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル50の内部に付着する薬液の析出物がノズル洗浄液により洗い流される。
Next, the nozzle cleaning liquid (the same pure water as the rinse liquid) is discharged from the
所定時間経過後、下部ノズル27からのノズル洗浄液の吐出が停止され、薬液処理ノズル50は、待機位置に移動する(ステップS14)。
After a predetermined time has elapsed, the discharge of the nozzle cleaning liquid from the
このようにして、下部ノズル27から薬液処理用ノズル50の先端部にノズル洗浄液を吐出させることにより、薬液処理用ノズル50の先端部のみならず薬液処理用ノズル50先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル50の内部も洗浄することが可能となる。
In this way, by discharging the nozzle cleaning liquid from the
なお、薬液処理用ノズル50の洗浄処理時において、アーム73を水平面内で揺動させることにより薬液処理用ノズル50を下部ノズル27に対して相対的に水平方向に揺動させることが好ましい。それにより、薬液処理用ノズル50の先端部の広い面積にわたってノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、薬液処理用ノズル50先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル50の内部の細部までノズル洗浄液が浸入する。その結果、洗浄効果がさらに向上される。
During the cleaning process of the chemical
また、本実施の形態では、薬液処理用ノズル50の材料として、撥水性を有する材料を用いているため、薬液処理用ノズル50の洗浄処理後に、薬液処理用ノズル50の乾燥処理は行われないが、薬液処理用ノズル50の撥水性が十分でない場合には、洗浄処理後の薬液処理用ノズル50を乾燥させるための乾燥機構を設けてもよい。乾燥機構としては、たとえば、薬液処理用ノズル50の先端に向けて不活性ガスやエアー等の乾燥した気体を吹き付ける機構を採用してもよい。
In the present embodiment, since a material having water repellency is used as the material for the chemical
また、本実施の形態では、基板処理部5a〜5dにおいて、薬液処理用ノズル50を用いて基板Wの薬液処理を行い、リンス処理用ノズル70を用いて基板Wのリンス処理を行う場合について説明したが、複数の種類の薬液を用いて基板Wの処理を行う場合には、薬液処理用ノズル50およびリンス処理用ノズル70を用いて基板Wの薬液処理を行ってもよい。
In the present embodiment, the case where the
この場合、リンス処理用ノズル70の洗浄処理は、薬液処理用ノズル50の洗浄処理と同様に、下部ノズル27からのノズル洗浄液により行われる。
In this case, the cleaning process of the
(5)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態においては、薬液処理用ノズル50が処理液ノズルに相当し、薬液処理用ノズル50の吐出口が処理液供給口に相当し、下部ノズル27が洗浄液ノズルに相当し、薬液およびリンス液が処理液に相当し、スピンチャック21が基板保持手段に相当し、モータ60、回動軸61およびアーム62が駆動手段に相当する。
(5) Correspondence between Each Component of Claim and Each Part of Embodiment In the above embodiment, the
(6)他の実施の形態
(6−1)
上記実施の形態では、スピンチャック21の上方の処理位置で薬液処理用ノズル50の洗浄処理を行うが、図6に示す待機位置において薬液処理用ノズル50の洗浄処理を行ってもよい。
(6) Other embodiments (6-1)
In the embodiment described above, the cleaning process of the chemical
図6は、待機位置における薬液処理用ノズル50の洗浄処理を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining the cleaning process of the chemical
図6に示すように、スピンチャック21の外方の待機位置には、待機ポット65が設けられている。待機ポット65には、排液処理装置(図示せず)または回収処理装置(図示せず)へ処理液を導くための排液回収管65aが接続されている。
As shown in FIG. 6, a
薬液処理用ノズル50による基板Wの薬液処理が行われないときには、薬液処理用ノズル50は待機ポット65の上方で待機する。待機ポッド51内の底部には、鉛直上方に向けてノズル洗浄液を吐出する洗浄用ノズル650が設けられている。洗浄用ノズル650は、ノズル洗浄液吐出用の吐出口を有する。
When chemical processing of the substrate W is not performed by the
洗浄用ノズル650は、待機位置の薬液処理用ノズル50の鉛直下方に配置される。それにより、洗浄用ノズル650の吐出口が薬液処理用ノズル50の吐出口に対向する。洗浄用ノズル650は、ノズル洗浄液供給管65bを介して流体ボックス部2a〜2dに接続される。洗浄用ノズル650には、流体ボックス部2a〜2dからノズル洗浄液供給管65bを通してノズル洗浄液が供給される。
薬液処理用ノズル50の洗浄処理時には、待機位置の薬液処理用ノズル50の先端部に向けて洗浄用ノズル650からノズル洗浄液が吐出される。
During the cleaning process of the chemical
それにより、図2および図5の下部ノズル27を用いた場合と同様に、薬液処理用ノズル50先端の吐出口内側および薬液処理用ノズル50の内部を洗浄することができる。
Accordingly, as in the case of using the
(6−2)
上記実施の形態では、薬液処理用ノズル50はアーム62に固定されているが、薬液処理用ノズル50をアーム62に振り子のように鉛直面内で揺動可能に設けてもよい。この場合、薬液処理用ノズル50の先端部の広い面積にわたってノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、薬液処理用ノズル50先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル50の内部の細部までノズル洗浄液が浸入する。その結果、洗浄効果がさらに向上される。
(6-2)
In the above embodiment, the
(6−3)
上記実施の形態では、下部ノズル27のリンス液またはノズル洗浄液の吐出方向は固定されているが、スピンチャック21の中心部近傍において、下部ノズル27を水平面内または鉛直面内で揺動可能に設けてもよい。また、洗浄用ノズル650の吐出方向も固定されているが、図6の洗浄用ノズル650を水平面内または鉛直面内で揺動可能に設けてもよい。この場合、薬液処理用ノズル50の先端部の広い面積にわたってノズル洗浄液が一様に供給されるとともに、薬液処理用ノズル50先端の吐出口の内側、および薬液処理用ノズル50の内部の細部までノズル洗浄液が浸入する。その結果、洗浄効果がさらに向上される。なお、上記実施形態では、下部ノズル27および洗浄用ノズル650の吐出方向はいずれも鉛直上向きとなっているが、これに限らず、下部ノズル27および洗浄用ノズル650の吐出方向は鉛直に対して傾斜した方向であってもよい。
(6-3)
In the above embodiment, the discharge direction of the rinsing liquid or nozzle cleaning liquid of the
(6−4)
上記実施の形態では、基板Wをリンス処理するためのリンス液、および薬液処理ノズル50を洗浄するためのノズル洗浄液として純水を用いているが、これに限定されず、炭酸水、水素水、電解イオン水およびHFE(ハイドロフルオロエーテル)等を用いてもよい。また、必ずしもリンス液とノズル洗浄液は同じものでなくてもよく、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびHFE(ハイドロフルオロエーテル)のうちのそれぞれ互いに異なる液体としてもよい。
(6-4)
In the above embodiment, pure water is used as a rinsing liquid for rinsing the substrate W and a nozzle cleaning liquid for cleaning the chemical
(6−5)
上記実施の形態では、下部ノズル27または洗浄用ノズル650による薬液処理用ノズル50の洗浄は、1ロットの基板Wの処理ごとに行われるが、下部ノズル27または洗浄用ノズル650による薬液処理用ノズル50の洗浄処理のタイミングは、これに限らない。下部ノズル27による薬液処理用ノズル50の洗浄処理は、スピンチャック21上に基板Wが存在しない任意のタイミングで行うことができる。また、洗浄用ノズル650による薬液処理用ノズル50の洗浄処理は、薬液処理用ノズル50が待機位置に存在する任意のタイミングで行うことができる。たとえば具体的には、基板W1枚に対する一連の処理が終わるごとに薬液処理用ノズル50の洗浄処理を行なってもよい。
(6-5)
In the above embodiment, the cleaning of the chemical
(6−6)
下部ノズル27または洗浄用ノズル650によりリンス処理用ノズル70の洗浄処理を行うことも可能である。
(6-6)
The rinsing
(6−7)
基板Wの搬入および搬出が可能であれば、薬液処理用ノズル50がスピンチャック21の上方に固定的に設けられてもよい。
(6-7)
If the substrate W can be carried in and out, the chemical
(6−8)
上記実施の形態では、基板Wの洗浄処理を行う基板処理部5a〜5dに下部ノズル27または洗浄用ノズル650を設ける構成について説明したが、これに限定されず、薬液をノズルから基板に供給する他の処理部に、下部ノズル27または洗浄用ノズル650を設けてもよい。この場合も、ノズルに生成された析出物を効果的に取り除くことができる。
(6-8)
In the above-described embodiment, the configuration in which the
薬液を用いた処理としては、たとえば、基板Wの現像処理、レジスト塗布処理、レジスト剥離処理、ポリマー除去処理等が挙げられる。基板Wの現像処理時には、薬液として、たとえばTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)等のアルカリ性溶液、または酢酸ブチル等の酸性溶液が用いられる。レジスト塗布処理時には、薬液として、レジスト液(感光剤)が用いられる。レジスト剥離処理時には、薬液として、たとえば硫酸過水またはオゾン水等が用いられる。ポリマー除去処理時には、薬液として、たとえばフッ化アンモニウムおよび燐酸を含むフッ化アンモン系の溶液が用いられる。 Examples of the treatment using the chemical solution include a development treatment of the substrate W, a resist coating treatment, a resist peeling treatment, and a polymer removal treatment. When developing the substrate W, an alkaline solution such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide) or an acidic solution such as butyl acetate is used as the chemical solution. At the time of resist coating treatment, a resist solution (photosensitive agent) is used as a chemical solution. In the resist stripping process, for example, sulfuric acid / hydrogen peroxide or ozone water is used as a chemical solution. During the polymer removal treatment, for example, an ammonium fluoride-based solution containing ammonium fluoride and phosphoric acid is used as the chemical solution.
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。 The present invention can be used for processing various substrates.
4 制御部
5a〜5d 基板処理部
21 スピンチャック
27 下部ノズル
60,71 モータ
61,72 回動軸
62,73 アーム
100 基板処理装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4
Claims (8)
前記処理液ノズルの処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出する洗浄液ノズルとを備えることを特徴とする基板処理装置。 A treatment liquid nozzle having a treatment liquid supply port for supplying the treatment liquid onto the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a cleaning liquid nozzle that discharges a nozzle cleaning liquid from below toward a processing liquid supply port of the processing liquid nozzle.
前記洗浄液ノズルは、前記基板保持手段により基板が保持されるべき位置の下方に設けられ、前記基板保持手段により基板が保持されていない状態で前記洗浄液ノズルの上方に位置する前記処理液ノズルの前記処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 A substrate holding means for holding the substrate;
The cleaning liquid nozzle is provided below the position where the substrate is to be held by the substrate holding means, and the processing liquid nozzle is positioned above the cleaning liquid nozzle in a state where the substrate is not held by the substrate holding means. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzle cleaning liquid is discharged toward the processing liquid supply port.
前記洗浄液ノズルの前記洗浄液吐出口は前記回転軸上に位置することを特徴とする請求項2または3記載の基板処理装置。 The substrate holding means rotates the substrate around a vertical rotation axis,
4. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the cleaning liquid discharge port of the cleaning liquid nozzle is located on the rotation shaft.
前記基板保持手段により保持された基板の上方位置と前記基板保持手段により保持された基板の外方の待機位置との間で前記処理液ノズルを移動させる駆動手段とをさらに備え、
前記洗浄液ノズルは、前記処理液ノズルが前記待機位置にある状態で、前記処理液ノズルの処理液供給口に向けてノズル洗浄液を吐出することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 Substrate holding means for holding the substrate;
Drive means for moving the processing liquid nozzle between an upper position of the substrate held by the substrate holding means and a standby position outside the substrate held by the substrate holding means;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning liquid nozzle discharges a nozzle cleaning liquid toward a processing liquid supply port of the processing liquid nozzle in a state where the processing liquid nozzle is in the standby position.
前記処理液供給工程が行なわれていない期間において、前記処理液ノズルの前記処理液供給口に向けて下方からノズル洗浄液を吐出するノズル洗浄液吐出工程とを備えることを特徴とする基板処理方法。 A treatment liquid supply step of supplying a treatment liquid onto the substrate from the treatment liquid supply port of the treatment liquid nozzle;
A substrate processing method comprising: a nozzle cleaning liquid discharge step of discharging a nozzle cleaning liquid from below toward the processing liquid supply port of the processing liquid nozzle during a period in which the processing liquid supply step is not performed.
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