KR20150078606A

KR20150078606A - Substrate treating apparatus and substrate treating method

Info

Publication number: KR20150078606A
Application number: KR1020130168124A
Authority: KR
Inventors: 김붕; 정인일; 이영일
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-31
Filing date: 2013-12-31
Publication date: 2015-07-08
Also published as: KR102157837B1

Abstract

Provided in the present invention is a substrate treating apparatus. The substrate treating apparatus comprises a chamber including a lower body and an upper body combined with the lower body and forming an inner space where process is treated; and a sealing assembly provided between the upper body and the lower body, and sealing the inner space from the outside, wherein the upper end of the side wall of the lower body is has the outer side higher than the inner side to protrude in an area where the upper body and the lower body contact, the sealing assembly is located in the inner area, and a groove where a fluid in the inner space can be flowed in is included on the lower end of the sealing assembly.

Description

[0001] DESCRIPTION [0002] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD [

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate processing method.

반도체소자는 포토리소그래피공정(photolithography)을 비롯한 다양한 공정을 통해 기판 상에 회로패턴을 형성하여 제조된다. 최근에는, 선폭 30nm 이하의 반도체소자에 대해서 초임계유체를 이용하여 기판을 건조시키는 초임계건조공정(supercritical drying process)이 이용되고 있다. 초임계유체란 임계온도와 임계압력 이상에서 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 유체로서, 확산력과 침투력이 뛰어나고, 용해력이 높으며, 표면장력이 거의 없어 기판의 건조에 매우 유용하게 사용될 수 있다. Semiconductor devices are fabricated by forming circuit patterns on a substrate through various processes including photolithography. Recently, a supercritical drying process for drying a substrate using a supercritical fluid has been used for a semiconductor device having a line width of 30 nm or less. Supercritical fluid is a fluid having both gas and liquid properties at both critical temperature and critical pressure. It is excellent in diffusion and penetration, has high solubility, and has very little surface tension, so it can be very useful for drying substrates.

그런데 이와 같은 초임계공정을 수행하는 공정챔버는 고압의 초임계상태를 유지할 수 있어야 한다. 이에 따라 고압 상태를 용이하게 유지하면서 공간효율을 향상시키며 위해 하우징이 복수 개로 분리되어 결합되는 구조로 제공된다. 이 때, 공정 챔버를 결합시켜 외부로부터 밀폐시킬 때, 실링 어셈블리가 이용된다. 따라서, 하우징을 압력의 누설을 방지하고, 공정 유체에 의한 역오염을 최소화할 수 있는 실링 어셈블리가 필요하다. However, the process chamber for performing the supercritical process should be able to maintain a supercritical state at a high pressure. Accordingly, it is possible to improve the space efficiency while easily maintaining the high-pressure state, and to provide a structure in which a plurality of the housings are detachably coupled. At this time, when the process chamber is joined and sealed from the outside, a sealing assembly is used. Accordingly, there is a need for a sealing assembly that can prevent leakage of pressure to the housing and minimize reverse contamination by process fluids.

본 발명은 하우징 내 역오염을 최소화하며 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a sealing assembly for minimizing reverse contamination in a housing and sealing the same from the outside, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하부 바디와 상기 하부 바디와 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성하는 상부 바디를 가지는 하우징 및 상기 상부 바디와 상기 하부 바디의 사이에 제공되고, 상기 내부 공간을 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리를 포함하되, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 접촉되는 영역에는 상기 하부 바디의 측벽 상단이 외측이 내측보다 높게 단차지게 제공되고, 상기 실링 어셈블리는 상기 내측 영역에 위치되고, 상기 실링 어셈블리의 하단에는 상기 내부 공간 내의 유체가 유입될 수 있는 홈을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a lower body and a housing having an upper body coupled with the lower body to form an internal space to be processed, and a lower body disposed between the upper body and the lower body, Wherein an upper end of the side wall of the lower body is provided to be stepped higher than an inner side in an area where the upper body and the lower body are in contact with each other, And the lower end of the sealing assembly may include a groove into which the fluid in the inner space may be introduced.

상기 홈은 복수 개로 제공되고, 상기 복수 개의 상기 홈은 상기 실링 어셈블리의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다.The grooves may be provided in plural, and the plurality of grooves may be provided to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the sealing assembly.

상기 외측과 상기 내측 사이에 위치하는 상기 측벽은 아래로 갈수록 상기 외측을 향해 하향 경사지게 제공될 수 있다.The side wall positioned between the outer side and the inner side may be provided to be inclined downward toward the outer side as it goes downward.

상기 내측 영역에 상부로 돌출되어 제공되고, 상기 실링 어셈블리의 이탈을 방지하는 걸림턱을 가질 수 있다.And may have an engagement protrusion protruded upwardly from the inner region and preventing the sealing assembly from disengaging.

상기 실링 어셈블리는 상기 내측 영역 안쪽에 제공되는 제 1 영역 및 상기 제 1 영역에서 상기 안쪽에서 바깥쪽으로 연장되는 제 2 영역을 갖되, 상기 제 1 영역의 상단은 상기 제 2 영역의 상단보다 높고, 상기 제 1 영역의 하단은 상기 제 2 영역의 하단보다 낮을 수 있다.Wherein the sealing assembly has a first region provided inside the inner region and a second region extending outwardly from the inside in the first region, wherein an upper end of the first region is higher than an upper end of the second region, The lower end of the first region may be lower than the lower end of the second region.

상기 제 1 영역은 그 단면이 원 형상이고, 상기 제 2 영역은 그 단면이 상기 상단에서 상기 하단으로 갈수록 경사지게 제공된 사다리꼴 형상일 수 있다.The first region may have a circular shape in cross section and the second region may have a trapezoidal shape in which the cross section thereof is inclined from the upper end to the lower end.

상기 제 2 영역의 경사진 외측면은 상기 하부 바디의 경사진 상기 측벽과 대응되게 제공되고, 상부에서 바라볼 때 상기 외측면과 상기 측벽은 중첩될 수 있다.The inclined outer surface of the second region may be provided to correspond to the inclined side wall of the lower body, and the outer side and the side wall may overlap when viewed from above.

상기 홈은 상기 제 2 영역의 상기 하단과 동일한 높이로 형성될 수 있다.The groove may be formed at the same height as the lower end of the second region.

상기 기판 처리 장치는 상기 하우징 내로 초임계 유체를 공급하는 공급포트를 더 포함하고, 상기 하우징에서는 상기 초임계 유체에 의해 기판을 건조할 수 있다.The substrate processing apparatus further includes a supply port for supplying supercritical fluid into the housing, wherein the substrate can be dried by the supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing method.

상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판 상에 제공된 유기용제를 제거하는 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 공정에 사용되는 상기 하우징을 외부로부터 밀폐시켜 상기 기판을 건조시킬 수 있다.In the method of processing a substrate for removing an organic solvent provided on a substrate by using the substrate processing apparatus described above, the substrate used in the process may be sealed from the outside to dry the substrate.

상기 하우징이 밀폐되면, 상기 실링 어셈블리의 상기 홈에 의해 형성된 공간으로 상기 내부 공간 내의 유체가 유입될 수 있다.When the housing is sealed, fluid in the inner space can be introduced into the space formed by the grooves of the sealing assembly.

상기 하우징 내에 공급되는 초임계 유체에 의해 기판을 건조시킬 수 있다.The substrate can be dried by the supercritical fluid supplied into the housing.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 하우징 내 역오염을 최소화하며 외부로부터 밀폐시키는 실링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a sealing assembly for minimizing reverse contamination in a housing and sealing the same from the outside, and a substrate processing apparatus and a substrate processing method including the sealing assembly.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.
도 2는 기판처리장치의 일 실시예의 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정챔버의 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다.
도 5는 도 4의 A 부분의 확대도이다.
도 6은 실링 어셈블리의 단면도이다.
도 7은 실링 어셈블리가 홈을 갖고 있는 부분의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 도 5의 실링 어셈블리가 하우징을 밀폐시키는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다.1 is a graph showing the phase change of carbon dioxide.
2 is a plan view of one embodiment of a substrate processing apparatus.
Figure 3 is a cross-sectional view of the first process chamber of Figure 2;
Figure 4 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of Figure 2;
5 is an enlarged view of a portion A in Fig.
6 is a cross-sectional view of the sealing assembly.
7 is a cross-sectional view of a portion of the sealing assembly having a groove.
FIGS. 8 to 10 are views sequentially showing the sealing assembly of FIG. 5 sealing the housing.

본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 용어와 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The terms and accompanying drawings used herein are for the purpose of illustrating the present invention easily, and the present invention is not limited by the terms and drawings.

본 발명에 이용되는 기술 중 본 발명의 사상과 밀접한 관련이 없는 공지의 기술에 관한 자세한 설명은 생략한다.The detailed description of known techniques which are not closely related to the idea of the present invention among the techniques used in the present invention will be omitted.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described.

기판처리장치(100)는 초임계유체를 공정유체로 이용하여 기판(S)을 처리하는 초임계공정을 수행할 수 있다.The substrate processing apparatus 100 may perform a supercritical process of processing the substrate S using a supercritical fluid as a process fluid.

여기서, 기판(S)은 반도체소자나 평판디스플레이(FPD: flat panel display) 및 그 밖에 박막에 회로패턴이 형성된 물건의 제조에 이용되는 기판을 모두 포함하는 포괄적인 개념이다. 이러한 기판(S)의 예로는, 실리콘웨이퍼를 비롯한 다양한 웨이퍼, 유리기판, 유기기판 등이 있다. Here, the substrate S is a comprehensive concept that includes all semiconductor devices, flat panel displays (FPDs), and other substrates used in the manufacture of circuit patterns on thin films. Examples of such a substrate S include silicon wafers, various wafers, glass substrates, organic substrates, and the like.

초임계유체란 임계온도와 임계압력을 초과한 초임계상태에 도달하면 형성되는 기체와 액체의 성질을 동시에 가지는 상(phase)를 의미한다. 초임계유체는 분자밀도는 액체에 가깝고, 점성도는 기체에 가까운 성질을 가지며, 이에 따라 확산력, 침투력, 용해력이 매우 뛰어나 화학반응에 유리하고, 표면장력이 거의 없어 미세구조에 계면장력을 가하지 아니하는 특성을 가진다. The supercritical fluid means a phase having gas and liquid properties simultaneously formed when a supercritical state exceeding a critical temperature and a critical pressure is reached. The supercritical fluid has a molecular density close to a liquid and a viscosity close to that of a gas. Accordingly, the supercritical fluid has excellent diffusion, penetration and dissolving power and is advantageous for a chemical reaction and has no surface tension. .

초임계공정은 이러한 초임계유체의 특성을 이용하여 수행되는데, 그 대표적인 예로는, 초임계건조공정과 초임계식각공정이 있다. 이하에서는 초임계공정에 관하여 초임계건조공정을 기준으로 설명하기로 한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리장치(100)는 초임계건조공정 이외의 다른 초임계공정을 수행할 수 있다. The supercritical process is performed using the characteristics of the supercritical fluid. Typical examples thereof include a supercritical drying process and a supercritical etching process. Hereinafter, the supercritical drying process will be described with reference to the supercritical drying process. However, since this is merely for ease of explanation, the substrate processing apparatus 100 can perform a supercritical process other than the supercritical drying process.

초임계건조공정은 초임계유체로 기판(S)의 회로패턴에 잔류하는 유기용제를 용해하여 기판(S)을 건조시키는 방식으로 수행될 수 있으며, 건조효율이 우수할 뿐 아니라 도괴현상을 방지할 수 있는 장점이 있다. 초임계건조공정에 이용되는 초임계유체로는 유기용제와 혼화성(混和性)이 있는 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 초임계이산화탄소(scCO2: supercritical carbon dioxide)가 초임계유체로 사용될 수 있다.The supercritical drying process can be performed by dissolving the organic solvent remaining in the circuit pattern of the substrate S as a supercritical fluid and drying the substrate S, There are advantages to be able to. As the supercritical fluid used in the supercritical drying process, a substance having miscibility with an organic solvent can be used. For example, supercritical carbon dioxide (scCO2) can be used as a supercritical fluid.

도 1은 이산화탄소의 상변화에 관한 그래프이다.1 is a graph showing the phase change of carbon dioxide.

이산화탄소는 임계온도가 31.1℃이고, 임계압력이 7.38Mpa로 비교적 낮아 초임계상태로 만들기 쉽고, 온도와 압력을 조절하여 상변화를 제어하기 용이하며 가격이 저렴한 장점이 있다. 또한, 이산화탄소는 독성이 없어 인체에 무해하고, 불연성, 비활성의 특성을 지니며, 초임계이산화탄소는 물이나 기타 유기용제와 비교하여 10~100배 가량 확산계수(diffusion coefficient)가 높아 침투가 빨라 유기용제의 치환이 빠르고, 표면장력이 거의 없어 미세한 회로패턴을 가지는 기판(S)의 건조에 이용하기 유리한 물성을 가진다. 뿐만 아니라, 이산화탄소는 다양한 화학반응의 부산물로 생성되는 것을 재활용할 수 있는 동시에 초임계건조공정에 사용한 후 이를 기체로 전환시켜 유기용제를 분리하여 재사용하는 것이 가능해 환경오염의 측면에서도 부담이 적다. The carbon dioxide has a critical temperature of 31.1 ° C. and a relatively low critical pressure of 7.38 Mpa, which makes it easy to form a supercritical state, and it is easy to control the phase change by controlling the temperature and the pressure, and is cheap. In addition, since carbon dioxide has no toxicity and is harmless to human body, it has the characteristics of nonflammability and inertness. Supercritical carbon dioxide has a diffusion coefficient of about 10 to 100 times that of water and other organic solvents, Has a property of being advantageous to be used for drying a substrate (S) having a fine circuit pattern because the solvent is replaced quickly and the surface tension is low. In addition, carbon dioxide can be recycled as a by-product of various chemical reactions, and at the same time, it can be used in a supercritical drying process, converted into gas, and then separated and reused.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)의 일 실시예에 관하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 초임계건조공정을 포함하여 세정공정을 수행할 수 있다. Hereinafter, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention may perform a cleaning process including a supercritical drying process.

도 2는 기판처리장치(100)의 일 실시예의 평면도이다.Fig. 2 is a plan view of one embodiment of the substrate processing apparatus 100. Fig.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(100)는 인덱스모듈(1000) 및 공정모듈(2000)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes an index module 1000 and a processing module 2000.

인덱스모듈(1000)은 외부로부터 기판(S)을 반송받아 공정모듈(2000)로 기판(S)을 반송하고, 공정모듈(2000)은 초임계건조공정을 수행할 수 있다. The index module 1000 transfers the substrate S from the outside and transfers the substrate S to the process module 2000. The process module 2000 can perform the supercritical drying process.

인덱스모듈(1000)은 설비전방단부모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드포트(1100) 및 이송프레임(1200)을 포함한다. The index module 1000 includes a load port 1100 and a transfer frame 1200 as an equipment front end module (EFEM).

로드포트(1100)에는 기판(S)이 수용되는 용기(C)가 놓인다. 용기(C)로는 전면개방일체형포드(FOUP: front opening unified pod)가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드트랜스퍼(OHT: overhead transfer)에 의해 외부로부터 로드포트(1100)로 반입되거나 로드포트(1100)로부터 외부로 반출될 수 있다.The load port 1100 is provided with a container C in which the substrate S is accommodated. As the container C, a front opening unified pod (FOUP) may be used. The container C can be carried from the outside to the load port 1100 or taken out from the load port 1100 by an overhead transfer (OHT).

이송프레임(1200)은 로드포트(1100)에 놓인 용기(C)와 공정모듈(2000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송프레임(1200)은 인덱스로봇(1210) 및 인덱스레일(1220)을 포함한다. 인덱스로봇(1210)은 인덱스레일(1220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다.The transfer frame 1200 conveys the substrate S between the container C placed on the load port 1100 and the process module 2000. The transfer frame 1200 includes an index robot 1210 and an index rail 1220. The index robot 1210 moves on the index rail 1220 and can transport the substrate S. [

공정모듈(2000)은 실제로 공정을 수행하는 모듈로서, 버퍼챔버(2100), 이송챔버(2200), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000)를 포함한다.The process module 2000 includes a buffer chamber 2100, a transfer chamber 2200, a first process chamber 3000, and a second process chamber 4000 as a module for actually performing a process.

버퍼챔버(2100)는 인덱스모듈(1000)과 공정모듈(2000) 간에 반송되는 기판(S)이 임시로 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼챔버(2100)에는 기판(S)이 놓이는 버퍼슬롯이 제공될 수 있다. 예를 들어, 인덱스로봇(1210)은 기판(S)을 용기(C)로부터 인출하여 버퍼슬롯에 놓을 수 있고, 이송챔버(2200)의 이송로봇(2210)은 버퍼슬롯에 놓인 기판(S)을 인출하여 이를 제1공정챔버(3000)나 제2공정챔버(4000)로 반송할 수 있다. 버퍼챔버(2100)에는 복수의 버퍼슬롯이 제공되어 복수의 기판(S)이 놓일 수 있다. The buffer chamber 2100 provides a space for temporarily holding the substrate S conveyed between the index module 1000 and the processing module 2000. The buffer chamber 2100 may be provided with a buffer slot in which the substrate S is placed. For example, the index robot 1210 can pull the substrate S out of the container C and place it in the buffer slot, and the transfer robot 2210 of the transfer chamber 2200 can transfer the substrate S placed in the buffer slot And can return it to the first process chamber 3000 or the second process chamber 4000. The buffer chamber 2100 may be provided with a plurality of buffer slots so that a plurality of substrates S can be placed.

이송챔버(2200)는 그 둘레에 배치된 버퍼챔버(2100), 제1공정챔버(3000) 및 제2공정챔버(4000) 간에 기판(S)을 반송한다. 이송챔버(2200)는 이송로봇(2210) 및 이송레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송로봇(2210)은 이송레일(2220) 상에서 이동하며 기판(S)을 반송할 수 있다. The transfer chamber 2200 carries the substrate S between the buffer chamber 2100, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 disposed therearound. The transfer chamber 2200 may include a transfer robot 2210 and a transfer rail 2220. The transfer robot 2210 moves on the transfer rail 2220 and can transfer the substrate S.

제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 세정공정을 수행할 수 있다. 이때, 세정공정은 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)에서 순차적으로 수행될 수 있다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)에서는 세정공정 중 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정이 수행되고, 뒤이어 제2공정챔버(4000)에서는 초임계건조공정이 수행될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 can perform a cleaning process. At this time, the cleaning process may be sequentially performed in the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000. For example, in the first process chamber 3000, a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process may be performed in the cleaning process, and a supercritical drying process may be performed in the second process chamber 4000.

이러한 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 측면에 배치된다. 예를 들어, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)는 이송챔버(2200)의 다른 측면에 서로 마주보도록 배치될 수 있다. The first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 are disposed on the side of the transfer chamber 2200. For example, the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 may be disposed on opposite sides of the transfer chamber 2200 to face each other.

또한, 공정모듈(2000)에는 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)가 복수로 제공될 수 있다. 복수의 공정챔버들(3000, 4000)은 이송챔버(2200)의 측면에 일렬로 배치되거나 또는 연직방향으로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. In the process module 2000, a plurality of first process chambers 3000 and a plurality of second process chambers 4000 may be provided. The plurality of process chambers 3000, 4000 may be arranged in a line on the side of the transfer chamber 2200, stacked in the vertical direction, or arranged by a combination thereof.

물론, 제1공정챔버(3000)와 제2공정챔버(4000)의 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판처리장치(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.Of course, the arrangement of the first process chamber 3000 and the second process chamber 4000 is not limited to the above example, and may be appropriately changed in consideration of various factors such as the footprint of the substrate processing apparatus 100, have.

이하에서는 제1공정챔버(3000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the first process chamber 3000 will be described.

도 3은 도 2의 제1공정챔버(3000)의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first process chamber 3000 of FIG.

제1공정챔버(3000)는 케미컬공정, 린스공정 및 유기용제공정을 수행할 수 있다. 물론, 제1공정챔버(3000)는 이들 공정 중 일부의 공정만을 선택적으로 수행할 수도 있다. 여기서, 케미컬공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스공정은 가판에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 세척하는 공정이며, 유기용제공정은 기판(S)에 유기용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 표면장력이 낮은 유기용제로 치환하는 공정이다. The first process chamber 3000 may perform a chemical process, a rinsing process, and an organic solvent process. Of course, the first process chamber 3000 may selectively perform only some of these processes. Here, the chemical process is a process of removing a foreign substance on the substrate S by providing a cleaning agent on the substrate S, and the rinsing process is a process of rinsing the cleaning agent remaining on the substrate S by providing a rinsing agent on the substrate , The organic solvent process is a process of replacing the rinsing agent remaining between the circuit patterns of the substrate (S) with an organic solvent having a low surface tension by providing an organic solvent on the substrate (S).

도 3을 참조하면, 제1공정챔버(3000)는 지지부재(3100), 노즐부재(3200) 및 회수부재(3300)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first process chamber 3000 includes a support member 3100, a nozzle member 3200, and a recovery member 3300.

지지부재(3100)는 기판(S)을 지지하고, 지지된 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 지지부재(3100)는 지지플레이트(3110), 지지핀(3111), 처킹핀(3112), 회전축(3120) 및 회전구동기(3130)를 포함할 수 있다. The support member 3100 supports the substrate S and can rotate the supported substrate S. [ The support member 3100 may include a support plate 3110, a support pin 3111, a picking pin 3112, a rotation axis 3120, and a rotation driver 3130.

지지플레이트(3110)는 기판(S)과 동일 또는 유사한 형상의 상면을 가지며, 지지플레이트(3110)의 상면에는 지지핀(3111)과 처킹핀(3112)이 형성된다. 지지핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 처킹핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. The support plate 3110 has an upper surface having the same or similar shape as the substrate S and a support pin 3111 and a hooking pin 3112 are formed on the upper surface of the support plate 3110. The support pins 3111 support the substrate S and the processing pins 3112 can fix the supported substrate S. [

지지플레이트(3110)의 하부에는 회전축(3120)이 연결된다. 회전축(3120)은 회전구동기(3130)로부터 회전력을 전달받아 지지플레이트(3110)를 회전시킨다. 이에 따라 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 처킹핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다. A rotation shaft 3120 is connected to a lower portion of the support plate 3110. The rotary shaft 3120 receives the rotational force from the rotary actuator 3130 and rotates the support plate 3110. Accordingly, the substrate S mounted on the support plate 3110 can be rotated. At this time, the machining pin 3112 can prevent the substrate S from deviating from the correct position.

노즐부재(3200)는 기판(S)에 약제를 분사한다. 노즐부재(3200)는 노즐(3210), 노즐바(3220), 노즐축(3230) 및 노즐축구동기(3240)를 포함한다.The nozzle member 3200 ejects the medicament onto the substrate S. The nozzle member 3200 includes a nozzle 3210, a nozzle bar 3220, a nozzle axis 3230, and a nozzle soccer motive 3240.

노즐(3210)은 지지플레이트(3110)에 안착된 기판(S)에 약제를 분사한다. 약제는 세정제, 린스제 또는 유기용제일 수 있다. 여기서, 세정제로는 과산화수소(H2O2)용액이나 과산화수소용액에 암모니아(NH4OH), 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)를 혼합한 용액 또는 불산(HF)용액 등이 사용될 수 있다. 또, 린스제로는 순수가 사용될 수 있다. 또, 유기용제로는 이소프로필알코올을 비롯하여 에틸글리콜(ethyl glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로프랑(tetra hydraulic franc), 4-하이드록시(hydroxyl), 4-메틸(methyl), 2-펜타논(pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에틸(dimethylether)의 용액이나 가스가 사용될 수 있다.The nozzle 3210 ejects the medicament onto the substrate S that is seated on the support plate 3110. The medicament may be a detergent, a rinsing agent or an organic solvent. As the detergent, a hydrogen peroxide (H 2 O 2) solution or a hydrogen peroxide solution mixed with ammonia (NH 4 OH), hydrochloric acid (HCl) or sulfuric acid (H 2 SO 4) or a hydrofluoric acid solution may be used. In addition, pure water can be used as the rinsing agent. Examples of the organic solvent include isopropyl alcohol, ethyl glycol, propanol, tetrahydrofuran, 4-hydroxy, 4-methyl, A solution of 2-pentanone, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, n-propyl alcohol or dimethylether Gas may be used.

이러한 노즐(3210)은 노즐바(3220)의 일단 저면에 형성된다. 노즐바(3220)는 노즐축(3230)에 결합되며, 노즐축(3230)은 승강 또는 회전할 수 있도록 제공된다. 노즐축구동기(3240)는 노즐축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다. This nozzle 3210 is formed on the bottom surface of the nozzle bar 3220 at one end. The nozzle bar 3220 is coupled to the nozzle shaft 3230, and the nozzle shaft 3230 is provided to be able to lift or rotate. The nozzle synchronization 3240 may adjust the position of the nozzle 3210 by moving the nozzle axis 3230 up or down.

회수부재(3300)는 기판(S)에 공급된 약제를 회수한다. 노즐부재(3200)에 의해 기판(S)에 약제가 공급되면, 지지부재(3100)는 기판(S)을 회전시켜 기판(S)의 전 영역에 약제가 균일하게 공급되도록 할 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 약제가 비산하는데, 비산하는 약제는 회수부재(3300)에 의해 회수될 수 있다. The recovery member 3300 recovers the medicine supplied to the substrate S. The support member 3100 can rotate the substrate S and uniformly supply the medicament to the entire area of the substrate S when the medicament is supplied to the substrate S by the nozzle member 3200. [ When the substrate S is rotated, the medicine is scattered from the substrate S, and the medicine to be scattered can be recovered by the recovering member 3300.

회수부재(3300)는 회수통(3310), 회수라인(3320), 승강바(3330) 및 승강구동기(3340)를 포함할 수 있다. The collecting member 3300 may include a collecting box 3310, a collecting line 3320, a lifting bar 3330,

회수통(3310)은 지지플레이트(3110)를 감싸는 환형 링 형상으로 제공된다. 회수통(3310)은 복수일 수 있는데, 복수의 회수통(3310)은 상부에서 볼 때 차례로 지지플레이트(3110)로부터 멀어지는 링 형상으로 제공되며, 지지플레이트(3110)로부터 먼 거리에 있는 회수통(3310)일수록 그 높이가 높도록 제공된다. 이에 따라 회수통(3310) 사이의 공간에 기판(S)으로부터 비산되는 약제가 유입되는 회수구(3311)가 형성된다. The recovery cylinder 3310 is provided in the form of an annular ring surrounding the support plate 3110. A plurality of the collection bins 3310 may be provided in a ring shape away from the support plate 3110 in order from the top and a plurality of collection bins 3310 provided at a distance from the support plate 3110 3310) is provided so that its height is higher. Thus, a collection port 3311 through which the medicine scattered from the substrate S flows into the space between the collection tubes 3310 is formed.

회수통(3310)의 하면에는 회수라인(3320)이 형성된다. 회수라인(3320)은 회수통(3310)으로 회수된 약제를 재생하는 약제재생시스템(미도시)로 공급한다.A collection line 3320 is formed on the lower surface of the collection box 3310. The recovery line 3320 supplies the recovered medicines to the medicament regeneration system (not shown) for regenerating medicines.

승강바(3330)는 회수통(3310)에 연결되어 승강구동기(3340)로부터 동력을 전달받아 회수통(3310)을 상하로 이동시킨다. 승강바(3330)는 회수통(3310)이 복수인 경우 최외곽에 배치된 회수통(3310)에 연결될 수 있다. 승강구동기(3340)는 승강바(3330)를 통해 회수통(3310)을 승강시켜 복수의 회수구(3311) 중 비산하는 약제가 유입되는 회수구(3311)를 조절할 수 있다.The lifting bar 3330 is connected to the recovery bottle 3310 and receives the power from the lifting base 3340 to move the recovery bottle 3310 up and down. The elevating bar 3330 may be connected to a waste collection box 3310 disposed at the outermost position when the collection box 3310 is plural. The elevator shaft synchronizer 3340 can control the withdrawal port 3311 through which the scattering agent 3310 flows in the plurality of withdrawal ports 3311 through the lifting bar 3330.

이하에서는 제2공정챔버(4000)에 관하여 설명한다.Hereinafter, the second process chamber 4000 will be described.

제2공정챔버(4000)는 초임계유체를 이용하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 제2공정챔버(4000)에서 수행되는 공정은 초임계건조공정 이외에 다른 초임계공정일 수도 있으며, 나아가, 제2공정챔버(4000)는 초임계유체 대신 다른 공정유체를 이용하여 공정을 수행할 수도 있을 것이다.The second process chamber 4000 may perform a supercritical drying process using a supercritical fluid. Of course, as described above, the process performed in the second process chamber 4000 may be a supercritical process other than the supercritical drying process, and further, the second process chamber 4000 may use another process fluid instead of the supercritical fluid May be used to perform the process.

이러한 제2공정챔버(4000)는 상술한 바와 같이, 이송챔버(2200)의 일측면에 배치될 수 있다. 제2공정챔버(4000)가 복수인 경우에는 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치되거나 상하로 적층되어 배치되거나 또는 이들의 조합에 의해 배치될 수 있다. 기판처리장치(100)에서는 로드포트(1100), 이송프레임(1200), 버퍼챔버(2100), 이송모듈(2200)이 순차적으로 배치될 수 있는데, 제2공정챔버(4000)는 이와 동일한 방향으로 이송챔버(2200)의 일측면에 일렬로 배치될 수 있다. This second process chamber 4000 may be disposed on one side of the transfer chamber 2200, as described above. When a plurality of the second process chambers 4000 are provided, they may be arranged in a line on one side of the transfer chamber 2200, stacked up and down, or arranged by a combination thereof. In the substrate processing apparatus 100, the load port 1100, the transfer frame 1200, the buffer chamber 2100, and the transfer module 2200 may be sequentially arranged, and the second process chamber 4000 may be arranged in the same direction And may be arranged in a line on one side of the transfer chamber 2200.

이하에서는 제2공정챔버(4000)의 일 실시예에 관하여 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the second process chamber 4000 will be described.

도 4는 도 2의 제2공정챔버의 일 실시예의 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of one embodiment of the second process chamber of Figure 2;

도 4를 참조하면, 제2공정챔버(4000)는 하우징(4100), 승강부재(4200), 지지유닛(4300), 가열부재(4400), 공급포트(4500) 및 배기포트(4600)를 포함할 수 있다.4, the second process chamber 4000 includes a housing 4100, a lift member 4200, a support unit 4300, a heating member 4400, a supply port 4500, and an exhaust port 4600 can do.

하우징(4100)은 초임계건조공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(4100)은 임계압력 이상의 고압을 견딜 수 있는 재질로 제공된다. The housing 4100 provides a space in which the supercritical drying process is performed. The housing 4100 is provided with a material capable of withstanding a high pressure exceeding a critical pressure.

하우징(4100)은 상부 바디(4110)과 상부 바디(4110)의 하부에 배치되는 하부 바디(4120)를 구비할 수 있다. 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)는 결합되어 공정이 처리되는 내부 공간을 형성한다. The housing 4100 may include an upper body 4110 and a lower body 4120 disposed under the upper body 4110. The upper body 4110 and the lower body 4120 are combined to form an inner space for processing.

상부 바디(4110)는 고정되어 설치되며, 하부 바디(4120)는 승강될 수 있다. 하부 바디(4120)가 하강하여 상부 바디(4110)로부터 이격되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 개방되고, 기판(S)이 제2공정챔버(4000)의 내부공간으로 반입되거나 내부공간으로부터 반출될 수 있다. 여기서, 제2공정챔버(4000)로 반입되는 기판(S)은 제1공정챔버(3000)에서 유기용제공정을 거쳐 유기용제가 잔류하는 상태일 수 있다. 또 하부 바디(4120)가 상승하여 상부 바디(4110)에 밀착되면 제2공정챔버(4000)의 내부공간이 밀폐되고, 그 내부에서 초임계건조공정이 수행될 수 있다. 물론, 상술한 예와 달리 하우징(4100)에서 하부 바디(4120)이 고정되어 설치되고, 상부 바디(4110)가 승강되는 구조로 제공될 수도 있을 것이다. The upper body 4110 is fixedly installed, and the lower body 4120 can be raised and lowered. When the lower body 4120 descends and is separated from the upper body 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is opened, the substrate S is carried into the inner space of the second process chamber 4000, . Here, the substrate S to be transferred to the second process chamber 4000 may be in a state where the organic solvent remains in the first process chamber 3000 through the organic solvent process. When the lower body 4120 rises and is brought into close contact with the upper body 4110, the inner space of the second process chamber 4000 is sealed, and the supercritical drying process can be performed therein. Of course, unlike the above-described example, the lower body 4120 may be fixedly installed in the housing 4100, and the upper body 4110 may be elevated and lowered.

도 4와 같이, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)보다 내측에 제공될 수 있다. 선택적으로, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)보다 외측에 제공될 수 있다. 또한, 실링 어셈블리(5000)는 승강로드(4220)의 외측과 내측 모두에 제공될 수 있다. 실링 어셈블리(5000)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 어셈블리(5000)는 내부 공간을 외부로부터 밀폐시킨다. As shown in FIG. 4, the sealing assembly 5000 may be provided on the inner side of the lifting rod 4220. Alternatively, the sealing assembly 5000 may be provided on the outer side of the lifting rod 4220. Further, the sealing assembly 5000 may be provided both on the outside and on the inside of the lifting rod 4220. The sealing assembly 5000 may be provided in a ring shape. The sealing assembly 5000 seals the inner space from the outside.

도 5는 도 4의 A 부분의 확대도이다. 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 접촉되는 영역에는, 하부 바디(4120)의 측벽 상단이 단차지게 제공된다. 측벽 상단은 외측이 내측보다 높게 제공된다. 외측과 내측 사이에 위치하는 측벽은, 아래로 갈수록 외측을 향해 하향 경사지게 제공된다. 하향 경사지게 제공된 측벽은 실링 어셈블리(5000)의 이탈을 방지한다. 또한, 하향 경사지게 제공된 측벽은 실링 어셈블리(5000)가 외측 또는 상측으로 압력을 받을 수 있어, 공정 진행시에 유체에 의한 압력을 견딜 수 있게 한다. 추가적으로, 내측 영역에는 걸림턱(4130)이 제공될 수 있다. 걸림턱(4130)은 내측 영역에서 상부로 돌출되어 제공된다. 걸림턱(4130)은 실링 어셈블리(5000)의 이탈을 방지한다. 5 is an enlarged view of a portion A in Fig. In the region where the upper body 4110 and the lower body 4120 are in contact with each other, the upper end of the side wall of the lower body 4120 is stepped. The top of the sidewall is provided with the outer side higher than the inner side. The sidewall located between the outer side and the inner side is provided so as to be inclined downward toward the outer side. The downwardly sloped side walls prevent the sealing assembly 5000 from escaping. In addition, the downwardly sloped side walls allow the sealing assembly 5000 to be pressured outwardly or upwardly to withstand the pressure of the fluid during the process. In addition, an engagement jaw 4130 may be provided in the inner region. The latching jaw 4130 is projected upward from the inner region. The latching jaw 4130 prevents the release of the sealing assembly 5000.

도 6은 실링 어셈블리(5000)의 단면도이다. 도 7은 실링 어셈블리(5000)가 홈을 갖고 있는 부분의 단면도이다. 실링 어셈블리(5000)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120) 사이에 제공된다. 실링 어셈블리(5000)는 하우징(4100)의 내부 공간을 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 어셈블리(5000)는 하부 바디(4120)의 내측 영역에 위치된다. 실링 어셈블리(5000)는 상부 바디(4110)와 접촉되어 하우징(4100)을 밀봉시킬 수 있어, 유연한 재질로 제공되어야 한다. 일 예로, 실링 어셈블리(5000)는 플라스틱 재질로 제공될 수 있다. 예를 들면, 실링 어셈블리(5000)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PTFE)로 제공될 수 있다.6 is a cross-sectional view of the sealing assembly 5000. 7 is a cross-sectional view of a portion of the sealing assembly 5000 having a groove. A sealing assembly 5000 is provided between the upper body 4110 and the lower body 4120. The sealing assembly 5000 seals the inner space of the housing 4100 from the outside. The sealing assembly 5000 is located in the inner region of the lower body 4120. The sealing assembly 5000 may be in contact with the upper body 4110 to seal the housing 4100 and be provided with a flexible material. As an example, the sealing assembly 5000 may be provided of a plastic material. For example, the sealing assembly 5000 may be provided with polyethylene terephthalate (PTFE).

실링 어셈블리(5000)는 제 1 영역(5100)과 제 2 영역(5200)을 갖는다. 제 1 영역(5100)은 내측 영역 안쪽에 제공된다. 제 2 영역(5200)은 제 1 영역(5100)에서 안쪽에서 바깥쪽으로 연장된다. 제 1 영역(5100)의 상단은 제 2 영역(5200)의 상단보다 높다. 또한, 제 1 영역(5100)의 하단은 제 2 영역(5200)의 하단보다 낮게 제공된다. 일 예로, 도 6을 참조하면, 제 1 영역(5100)은 그 단면이 원 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 영역(5200)은 그 단면이 아래로 갈수록 경사지게 제공될 수 있다. 일 예로, 도 6과 같이, 상단에서 하단으로 갈수록 경사지게 제공된 사다리꼴 형상일 수 있다. 제 2 영역(5200)의 경사진 외측면은 하부 바디(4120)의 경사진 측벽과 대응되게 제공될 수 있다. 이 때, 상부에서 바라볼 때, 외측면과 측벽은 중첩될 수 있다. The sealing assembly 5000 has a first region 5100 and a second region 5200. The first region 5100 is provided inside the inner region. The second region 5200 extends outwardly from the inside in the first region 5100. The upper end of the first region 5100 is higher than the upper end of the second region 5200. Also, the lower end of the first region 5100 is provided lower than the lower end of the second region 5200. For example, referring to FIG. 6, the first region 5100 may be provided in a circular shape in cross section. The second area 5200 may be provided inclined as its cross section goes down. For example, as shown in FIG. 6, it may have a trapezoidal shape inclined from the upper end to the lower end. The inclined outer surface of the second region 5200 may be provided in correspondence with the inclined side wall of the lower body 4120. At this time, when viewed from above, the outer side surface and the side wall can overlap.

실링 어셈블리(5000)는 그 하단에 홈을 포함한다. 실링 어셈블리(5000)의 홈에는 내부 공간 내의 초임계 유체가 유입될 수 있다. 일 예로, 제 1 영역(5100)은 홈을 포함할 수 있다. 도 7과 같이, 홈은 제 2 영역(5200)의 하단과 대응되는 높이로 제공될 수 있다. 홈은 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 홈은 8개 제공될 수 있다. 복수 개의 홈은 실링 어셈블리(5000)의 원주 방향을 따라 서로 이격되게 제공될 수 있다. The sealing assembly 5000 includes a groove at its lower end. Supercritical fluid in the inner space may be introduced into the groove of the sealing assembly 5000. In one example, the first region 5100 may include a groove. 7, the groove may be provided at a height corresponding to the lower end of the second region 5200. [ A plurality of grooves may be provided. For example, eight grooves may be provided. The plurality of grooves may be provided to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the sealing assembly 5000.

이하, 도 8 내지 도 10을 참조하여 기판을 처리하는 과정을 설명한다. 도 8 내지 도 10은 도 5의 실링 어셈블리(5000)가 하우징(4100)을 밀폐시키는 모습을 순차적으로 보여주는 도면이다. 하부 바디(4120)가 승강되면, 실링 어셈블리(5000)가 상부 바디(4110)와 접촉되고 하우징(4100)을 밀폐시킨다. 실링 어셈블리(5000)의 제 1 영역(5100)의 상단이 제 2 영역(5200)의 상단보다 높게 제공되어, 제 1 영역(5100)의 상단이 밀리면서 하우징(4100)을 밀폐시킬 수 있다. 또한, 걸림턱(4130)과 외측을 향해 하향 경사지게 제공된 외측면을 갖는 제 2 영역(5200), 실링 어셈블리(5000)의 이탈을 방지한다. 초임계공정 수행 시에, 홈을 통해 초임계유체가 유입된다. 이후, 공정이 완료되어 하부 바디(4120)가 하강되면, 홈에 유입되어 있던 초임계유체가 홈을 따라 용이하게 외부로 배출된다. 이에 따라, 초임계유체 또는 파티클이 하부 바디(4120)에 잔류하는 것을 방지하여, 이에 의한 역오염을 최소화할 수 있다.Hereinafter, a process of processing a substrate will be described with reference to FIGS. 8 to 10 are views sequentially showing a state in which the sealing assembly 5000 of FIG. 5 closes the housing 4100. FIG. When the lower body 4120 is lifted and lowered, the sealing assembly 5000 contacts the upper body 4110 and closes the housing 4100. The upper end of the first region 5100 of the sealing assembly 5000 is provided higher than the upper end of the second region 5200 so that the upper end of the first region 5100 can be pushed to seal the housing 4100. In addition, the second region 5200 having the engagement protrusion 4130 and the outer surface provided with the inclined downward inclination toward the outside prevents the separation of the sealing assembly 5000. In performing the supercritical process, the supercritical fluid flows through the grooves. Thereafter, when the process is completed and the lower body 4120 is lowered, the supercritical fluid flowing into the grooves is easily discharged to the outside along the grooves. Accordingly, it is possible to prevent the supercritical fluid or particles from remaining in the lower body 4120, thereby minimizing the reverse contamination.

승강부재(4200)는 하부 바디(4120)를 승강시킨다. 승강부재(4200)는 승강실린더(4210) 및 승강로드(4220)를 포함할 수 있다. 승강실린더(4210)는 하부 바디(4120)에 결합되어 상하방향의 구동력, 즉 승강력(乘降力)을 발생시킨다. 승강실린더(4210)는 초임계건조공정이 수행되는 동안 제2공정챔버(4000) 내부의 임계압력 이상의 고압을 이기고, 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)를 밀착시켜 제2공정챔버(4000)를 밀폐시킬 수 있는 정도의 구동력을 발생시킨다. 승강로드(4220)는 그 일단이 승강실린더(4210)에 삽입되어 수직상방으로 연장되어 타단이 상부 바디(4110)에 결합된다. 이러한 구조에 따라 승강실린더(4210)에서 구동력이 발생하면, 승강실린더(4210)와 승강로드(4220)가 상대적으로 승강되어 승강실린더(4210)에 결합된 하부 바디(4120)가 승강될 수 있다. 또한 승강실린더(4210)에 의해 하부 바디(4120)가 승강하는 동안 승강로드(4220)는 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 수평방향으로 움직이는 것을 방지하고, 승강방향을 안내하여, 상부 바디(4110)와 하부 바디(4120)가 서로 정위치에서 이탈하는 것을 방지할 수 있다. The elevating member 4200 moves the lower body 4120 up and down. The elevating member 4200 may include a lifting cylinder 4210 and a lifting rod 4220. The lifting cylinder 4210 is coupled to the lower body 4120 to generate a vertical driving force, that is, a lifting force. The elevating cylinder 4210 is operated so as to overcome a high pressure equal to or higher than the critical pressure inside the second processing chamber 4000 while the supercritical drying process is performed and to bring the upper body 4110 and the lower body 4120 into close contact with each other, ) To a degree sufficient to seal the opening. One end of the lifting rod 4220 is inserted into the lifting cylinder 4210 and extends vertically upward, and the other end is coupled to the upper body 4110. When the driving force is generated in the lifting cylinder 4210 according to this structure, the lifting cylinder 4210 and the lifting rod 4220 are relatively lifted and the lower body 4120 coupled to the lifting cylinder 4210 can be lifted and lowered. The lifting rod 4220 prevents the upper body 4110 and the lower body 4120 from moving in the horizontal direction while the lower body 4120 is lifted and lowered by the lifting cylinder 4210, It is possible to prevent the body 4110 and the lower body 4120 from deviating from each other at a predetermined position.

지지유닛(4300)는 하우징(4100)의 내부에 복수의 기판(S)을 지지한다. 지지유닛(4300)은 지지바(4310) 및 복수의 지지부재(4320)을 포함할 수 있다. The support unit 4300 supports a plurality of substrates S in the interior of the housing 4100. The support unit 4300 may include a support bar 4310 and a plurality of support members 4320.

지지바(4310)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부 바디(4110)의 하면으로부터 아래방향으로 연장될 수 잇다. 지지바(4310)는 수평방향으로 이격되는 한 쌍의 바(bar) 또는 두 쌍의 바로 제공될 수 있다.The support bar 4310 may extend downward from the lower wall of the upper wall of the housing 4100, i.e., the upper body 4110. The support bar 4310 may be provided with a pair of horizontally spaced bars or two pairs of bars.

지지부재(4320)는 지지바(4310)에 일정한 간격을 가지고 연설된다. 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 수평방향으로 연장되도록 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1지지부재(4320a)는 지지바(4310)의 중간에서 수평방향으로 연장되고, 제2지지부재(4320)는 지지바(4310b)의 하단에서 수평방향으로 연장될 수 있다. 지지바(4310)가 서로 이격된 두 쌍으로 제공되는 경우에는, 각 지지바(4310)에서 연장되는 지지부재(4320)는 서로를 향하여 연장된다. The support members 4320 are spaced apart from the support bars 4310 at regular intervals. The support member 4320 may be provided to extend in the horizontal direction from the support bar 4310. For example, the first support member 4320a may extend horizontally in the middle of the support bar 4310 and the second support member 4320 may extend horizontally at the lower end of the support bar 4310b. When the support bars 4310 are provided in two pairs spaced from each other, the support members 4320 extending from the respective support bars 4310 extend toward each other.

다만, 지지부재(4310)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 가감될 수 있다.However, the number of the support members 4310 is not limited to the example described above, and may be added or subtracted as necessary.

지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 한 쌍의 지지바(4310)의 간격은 기판(S)의 직경보다 크게 제공되고, 지지부재(4320)는 지지바(4310)로부터 지지바(4310)가 서로 마주보는 측으로 연장될 수 있다. 이에 따라 지지부재(4310)는 기판(S)의 가장자리 영역을 지지하고, 기판(S)의 상면 및 하면이 모두 하우징(4100)의 내부공간에 노출되어 초임계유체를 제공받아 건조될 수 있다. 여기서, 기판(S)은 그 상면이 패턴면이고, 하면이 비패턴면일 수 있다.The support member 4310 can support the edge region of the substrate S. [ The distance between the pair of support bars 4310 is larger than the diameter of the substrate S and the support member 4320 can extend from the support bar 4310 to the side where the support bar 4310 faces each other. Accordingly, the support member 4310 supports the edge region of the substrate S, and both the upper and lower surfaces of the substrate S are exposed to the inner space of the housing 4100 to be supplied with the supercritical fluid to be dried. Here, the upper surface of the substrate S may be a pattern surface, and the lower surface thereof may be a non-pattern surface.

이와 같이, 지지유닛(4100)이 복수의 기판(S)을 하우징(4100) 내에서 지지하면, 제2공정챔버(4000)가 동시에 복수의 기판(S)에 대하여 초임계건조공정을 수행할 수 있다.Thus, when the support unit 4100 supports a plurality of substrates S in the housing 4100, the second process chamber 4000 can simultaneously perform a supercritical drying process on the plurality of substrates S have.

또, 지지유닛(4300)는 고정 설치되는 상부 바디(4110)에 설치되므로 하부 바디(4120)이 승강하는 동안 비교적 안정적으로 기판(S)을 지지할 수 있다. Since the support unit 4300 is installed on the fixed upper body 4110, the substrate S can be relatively stably supported while the lower body 4120 moves up and down.

지지유닛(4300)이 설치되는 상부 바디(4110)에는 수평조정부재(4111)가 설치될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 상부 바디(4110)의 수평도(水平度)를 조정한다. 상부 바디(4110)의 수평도가 조정되면 그에 따라 상부하우징(4111)에 설치된 지지유닛(4300)에 안착된 기판(S)의 수평이 조절될 수 있다. 초임계건조공정에서 기판(S)이 기울면, 기판(S)에 잔류하는 유기용제가 경사면을 타고 흘러 기판(S)의 특정부분이 건조되지 않거나 과건조(過乾燥)되어 기판(S)이 손상될 수 있다. 수평조정부재(4111)는 기판(S)의 수평을 맞추어 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 물론, 상부 바디(4110)이 승강되고 하부 바디(4120)이 고정되어 설치되거나 지지유닛(4300)가 하부 바디(4120)에 설치되는 경우에는 수평조정부재(4111)는 하부 바디(4120)에 설치될 수도 있다.A horizontal adjusting member 4111 may be installed on the upper body 4110 where the supporting unit 4300 is installed. The horizontal adjustment member 4111 adjusts the horizontality of the upper body 4110. When the horizontal degree of the upper body 4110 is adjusted, the horizontal position of the substrate S mounted on the support unit 4300 installed in the upper housing 4111 can be adjusted accordingly. In the supercritical drying process, when the substrate S is inclined, the organic solvent remaining on the substrate S flows along the inclined surface to dry or overdry a specific portion of the substrate S, . The horizontal adjustment member 4111 can align the substrate S to prevent this problem. Of course, when the upper body 4110 is raised and lowered and the lower body 4120 is fixed or the supporting unit 4300 is installed on the lower body 4120, the horizontal adjusting member 4111 is installed on the lower body 4120 .

가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000)의 내부를 가열한다. 가열부재(4400)는 제2공정챔버(4000) 내부에 공급된 초임계유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계유체 상으로 유지하거나 또는 액화된 경우에 다시 초임계유체가 되도록 할 수 있다. 가열부재(4400)는 상부 바디(4110) 및 하부 바디(4120) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 가열부재(4400)는 예를 들어, 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시키는 히터로 제공될 수 있다. The heating member 4400 heats the interior of the second process chamber 4000. The heating member 4400 may heat the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 to a supercritical fluid or to supercritical fluid if it is liquefied. The heating member 4400 may be embedded in a wall of at least one of the upper body 4110 and the lower body 4120. The heating member 4400 may be provided, for example, as a heater that receives power from the outside and generates heat.

공급포트(4500)는 제2공정챔버(4000)로 초임계유체를 공급한다. 공급포트(4500)는 초임계유체를 공급하는 공급라인(4550)에 연결될 수 있다. 이때, 공급포트(4500)에는 공급라인(4550)으로부터 공급되는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. The supply port 4500 supplies the supercritical fluid to the second process chamber 4000. The supply port 4500 may be connected to a supply line 4550 that supplies supercritical fluid. At this time, the supply port 4500 may be provided with a valve for regulating the flow rate of the supercritical fluid supplied from the supply line 4550.

공급포트(4500)는 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)를 포함할 수 있다. The supply port 4500 may include an upper supply port 4510, a lower supply port 4520, and a nozzle member 4530.

상부공급포트(4510)는 상부 바디(4110)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 위쪽의 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 공급한다. 하부공급포트(4520)는 하부 바디(4120)에 형성되어 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S) 중 가장 아래쪽의 기판(S)의 하면으로 초임계유체를 공급한다. The upper supply port 4510 is formed in the upper body 4110 to supply the supercritical fluid to the upper surface of the uppermost substrate S among the substrates S supported by the support unit 4300. The lower supply port 4520 is formed in the lower body 4120 and supplies the supercritical fluid to the lower surface of the substrate S which is the lower one of the substrates S supported by the support unit 4300.

상부공급포트(4510)와 하부공급포트(4520)는 기판(S)의 중앙영역으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 상부공급포트(4510)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직상방에 위치할 수 있다. 또, 하부공급포트(4520)는 지지유닛(4300)에 의해 지지되는 기판(S)의 중앙으로부터 연직하방에 위치할 수 있다. 이에 따라 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)로 분사되는 초임계유체가 기판(S)의 중앙영역으로 도달하여 가장자리 영역으로 퍼지면서 기판(S)을 건조시킬 수 있다.The upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 can inject supercritical fluid into the central region of the substrate S. [ For example, the upper supply port 4510 may be located vertically above the center of the substrate S supported by the support unit 4300. Further, the lower supply port 4520 may be positioned vertically downward from the center of the substrate S supported by the support unit 4300. The supercritical fluid injected into the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 can reach the central region of the substrate S and spread to the edge region to dry the substrate S. [

노즐부재(4530)는 초임계유체를 분사하는 일단이 측면에서 볼 때 서로 인접한 지지부재(4320)의 사이, 즉 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치할 수 있다. 노즐부재(4530)는 복수의 지지부재(4320)의 사이마다 하나씩 제공될 수 있다. 노즐부재(4530)는 하우징(4100)의 상부벽, 즉 상부 바디(4110)으로부터 아래방향으로 연장되고, 그 하단이 지지바(4310)의 지지부재(4320)가 연설된 중간높이에서 수평방향으로 절곡되어 기판(S)의 중앙부까지 연장될 수 있다. 이에 따라 노즐부재(4530)의 일단은 측면에서는 볼 때는 서로 인접한 기판(S)의 사이에 위치하고, 상면에서 볼 때는 기판(S)의 중앙부에 위치하게 된다. The nozzle member 4530 may be positioned between the adjacent supporting members 4320, that is, between the substrates S adjacent to each other, at one end for injecting the supercritical fluid. The nozzle member 4530 may be provided one by one between the plurality of support members 4320. The nozzle member 4530 extends downward from the upper wall of the housing 4100, that is, from the upper body 4110, and the lower end of the nozzle member 4530 extends in the horizontal direction at a middle height at which the support member 4320 of the support bar 4310 And may extend to the central portion of the substrate S. Accordingly, one end of the nozzle member 4530 is located between the adjacent substrates S when viewed from the side, and is located at the center of the substrate S when viewed from the top.

노즐부재(4530)는 그 일단이 서로 인접한 기판(S) 중 아래쪽 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사할 수 있다. 기판(S)은 그 상면이 패턴면이 되도록 지지유닛(4300)에 안착되므로, 기판(S)의 상면의 건조가 중요한데, 제1지지부재(4320a)에 안착된 기판(S)의 상면은 상부공급포트(4510)에 의해 초임계유체를 제공받고, 제2지지부재(4320b)에 안착된 기판(S)의 상면은 노즐부재(4530)에 의해 초임계유체를 제공받아 동시에 복수의 기판(S)에 대한 초임계건조공정이 수행될 수 있다.The nozzle member 4530 can jet the supercritical fluid to the upper surface of the lower substrate S among the substrates S whose one ends are adjacent to each other. It is important to dry the upper surface of the substrate S because the upper surface of the substrate S is seated on the supporting unit 4300 so that the upper surface of the substrate S is a pattern surface. The upper surface of the substrate S, which is seated on the first supporting member 4320a, The supercritical fluid is supplied by the supply port 4510 and the upper surface of the substrate S mounted on the second support member 4320b is supplied with the supercritical fluid by the nozzle member 4530 and is supplied to the plurality of substrates S ) Can be performed.

한편, 상부공급포트(4510), 하부공급포트(4520) 및 노즐부재(4530)에서 먼저 하부공급포트(4520)가 초임계유체를 공급하고, 나중에 상부공급포트(4510) 및 노즐부재(4530)가 초임계유체를 공급할 수 있다. 초임계건조공정은 초기에 제2공정챔버(4000)의 내부가 임계압력에 미달한 상태에서 진행될 수 있기 때문에 제2공정챔버(4000)의 내부로 공급되는 초임계유체는 액화될 수 있다. 따라서, 초임계건조공정의 초기에 상부공급포트(4510)나 노즐부재(4530)로 초임계유체가 공급되는 경우에는 초임계유체가 액화되어 중력에 의해 기판(S)으로 낙하하여 기판(S)을 손상시킬 수 있다. 따라서, 하부공급포트(4520)를 통해 제2공정챔버(4000)로 초임계유체가 공급되어 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 임계압력에 도달한 경우, 상부공급포트(4510)과 노즐부재(4530)이 초임계유체의 공급을 시작하면, 공급되는 초임계유체가 액화되어 기판(S)으로 낙하하는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, in the upper supply port 4510, the lower supply port 4520 and the nozzle member 4530, first, the lower supply port 4520 supplies the supercritical fluid, and later the upper supply port 4510 and the nozzle member 4530, 0.0 > supercritical < / RTI > Since the supercritical drying process can initially proceed in the state where the interior of the second process chamber 4000 is under the critical pressure, the supercritical fluid supplied into the second process chamber 4000 can be liquefied. Therefore, when the supercritical fluid is supplied to the upper supply port 4510 or the nozzle member 4530 at the beginning of the supercritical drying process, the supercritical fluid is liquefied and drops down to the substrate S by gravity, . &Lt; / RTI > Accordingly, when the supercritical fluid is supplied to the second process chamber 4000 through the lower supply port 4520 and the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches the critical pressure, the upper supply port 4510 and the nozzle When the member 4530 starts to supply the supercritical fluid, the supplied supercritical fluid can be prevented from being liquefied and falling to the substrate S.

배기포트(4600)는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체를 배기한다. 배기포트(4600)는 초임계유체를 배기하는 배기라인(4650)에 연결될 수 있다. 이때, 배기포트(4600)에는 배기라인(4650)으로 배기하는 초임계유체의 유량을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다. 배기라인(4650)을 통해 배기되는 초임계유체는 대기 중으로 방출되거나 또는 초임계유체재생시스템(미도시)로 공급될 수 있다. The exhaust port 4600 exhausts the supercritical fluid from the second process chamber 4000. The exhaust port 4600 may be connected to an exhaust line 4650 that exhausts the supercritical fluid. At this time, the exhaust port 4600 may be provided with a valve for regulating the flow rate of supercritical fluid to be exhausted to the exhaust line 4650. Supercritical fluid exhausted through the exhaust line 4650 may be released to the atmosphere or may be supplied to a supercritical fluid regeneration system (not shown).

배기포트(4600)는 하부 바디(4120)에 형성될 수 있다. 초임계건조공정의 후기에는 제2공정챔버(4000)로부터 초임계유체가 배기되어 그 내부압력이 임계압력 이하로 강압되어 초임계유체가 액화될 수 있다. 액화된 초임계유체는 중력에 의해 하부 바디(4120)에 형성된 배기포트(4600)를 통해 배출될 수 있다. The exhaust port 4600 may be formed in the lower body 4120. In the latter stage of the supercritical drying process, the supercritical fluid is exhausted from the second process chamber 4000 and its internal pressure is lowered below the critical pressure so that the supercritical fluid can be liquefied. The liquefied supercritical fluid may be discharged through the exhaust port 4600 formed in the lower body 4120 by gravity.

이상에서는 동시에 두 장의 기판(S)을 지지하고, 처리하는 제2공정챔버(4000)를 기준으로 설명하였으나, 제2공정챔버(4000)가 처리할 수 있는 기판(S)의 수가 상술한 예로 한정되는 것은 아니다.Although the description has been made with reference to the second process chamber 4000 that supports and processes two substrates S simultaneously, the number of substrates S that can be processed by the second process chamber 4000 is limited to the above example It is not.

또한, 상술한 제2공정챔버(4000)의 구성요소 중 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520)은 선택적인 구성요소이다. 예를 들어, 제2공정챔버(4000)에는 상부공급포트(4510) 및 하부공급포트(4520) 중 어느 하나 또는 모두가 제공되지 않을 수 있다. 제2공정챔버(4000)에 상부공급포트(4510)가 생략되는 경우에는, 최상부의 지지부재(4320)와 하우징(4100)의 상부벽 사이에 노즐부재(4530)이 추가로 제공될 수 있다. 이러한 노즐부재(4530)는 생략된 상부공급포트(4510) 대신 최상부의 지지부재(4320)에 안착된 기판의 상면에 초임계유체를 공급할 수 있다.In addition, the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 among the components of the second process chamber 4000 described above are optional components. For example, in the second process chamber 4000, either or both of the upper supply port 4510 and the lower supply port 4520 may not be provided. If the upper supply port 4510 is omitted in the second process chamber 4000, a nozzle member 4530 may be further provided between the uppermost support member 4320 and the upper wall of the housing 4100. This nozzle member 4530 can supply the supercritical fluid to the upper surface of the substrate that is seated on the uppermost support member 4320 instead of the omitted upper supply port 4510.

또한, 상술한 제2공정챔버(4000)에서는 지지유닛(4300)이 지지바(4310)와 지지부재(4320)를 구비하는 것으로 설명하였으나, 지지유닛(4300)은 이와 다른 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지유닛(4300)은 버퍼챔버(2100)의 버퍼슬롯과 유사한 형태로 제공될 수 있다. 구체적으로 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽으로부터 수평방향으로 연장되는 한 쌍의 플레이트로 제공될 수 있다. 한 쌍의 플레이트의 기판(S)의 양측 가장자리를 지지할 수 있다. 또한, 슬롯형태의 지지유닛(4300)은 하우징(4100)의 측벽에 상하방향으로 복수개 제공될 수 있다. 복수의 지지유닛(4300)은 복수의 기판(S)을 지지할 수 있다. Although the support unit 4300 is described as having the support bar 4310 and the support member 4320 in the second process chamber 4000 described above, the support unit 4300 may be provided in a different form . For example, the support unit 4300 may be provided in a form similar to a buffer slot of the buffer chamber 2100. Specifically, the support unit 4300 may be provided as a pair of plates extending in the horizontal direction from the side wall of the housing 4100. It is possible to support both side edges of the substrate S of the pair of plates. Further, a plurality of support units 4300 in the form of a slot may be provided on the side wall of the housing 4100 in the vertical direction. A plurality of support units 4300 can support a plurality of substrates S. [

한편, 이상에서는 노즐부재(4530)이 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사하는 것으로 설명하였으나, 노즐부재(4530)가 분사하는 방향 및 형태가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 노즐부재(4530)는 그 아래에 위치하는 기판(S)의 상면에 수직한 방향으로 초임계유체를 분사하는 대신, 방사형으로 분사할 수 있다.Although it has been described above that the nozzle member 4530 injects the supercritical fluid onto the upper surface of the substrate S positioned below the nozzle member 4530, the direction and shape of the nozzle member 4530 are not limited thereto. Further, the nozzle member 4530 can be radially injected instead of injecting the supercritical fluid in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate S positioned below the nozzle member 4530. [

또, 노즐부재(4530)가 반드시 그 아래에 있는 기판(S)의 상면으로 초임계유체를 분사해야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 노즐부재(4530)는 그 위에 있는 기판(S)의 하면을 향해 초임계유체를 분사하거나 또는 아래쪽 기판(S)의 상면과 위쪽 기판(S)의 하면 양쪽으로 동시에 초임계유체를 분사할 수도 있을 것이다. 한편, 이러한 노즐부재(4530)는 그 일단이 기판(S)의 중앙부에 위치하지 않을 수도 있다.In addition, the nozzle member 4530 does not necessarily need to inject the supercritical fluid to the upper surface of the substrate S under the nozzle member 4530. For example, the nozzle member 4530 ejects a supercritical fluid toward the lower surface of the substrate S thereon or a supercritical fluid is simultaneously supplied to both the upper surface of the lower substrate S and the lower surface of the upper substrate S It may be sprayed. On the other hand, one end of the nozzle member 4530 may not be located at the center of the substrate S.

이상에서는 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 기판(S)에 초임계유체를 공급하여 기판을 처리하는 것으로 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판처리장치(100)가 반드시 이러한 초임계공정을 수행하는 것으로 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판처리장치(100)의 제2공정챔버(4000)는 공급포트(4500)로 초임계유체를 대신 다른 공정유체를 공급하여 기판(S)을 처리할 수도 있을 것이다. 이러한 경우에는, 공정유체로 초임계유체 대신 유기용제나 그 밖의 다양한 성분의 가스, 플라즈마가스, 불활성가스 등이 사용될 수 있을 것이다. Although the substrate processing apparatus 100 according to the present invention has been described as processing a substrate by supplying a supercritical fluid to the substrate S, the substrate processing apparatus 100 according to the present invention must perform the supercritical process The present invention is not limited thereto. Accordingly, the second process chamber 4000 of the substrate processing apparatus 100 may process the substrate S by supplying another process fluid instead of the supercritical fluid to the supply port 4500. In this case, an organic solvent or various other constituent gases, a plasma gas, an inert gas, or the like may be used instead of the supercritical fluid as the process fluid.

또한, 기판처리장치(100)는 그 구성요소를 제어하는 제어기를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 가열부재(4400)를 제어하여 하우징(4100)의 내부온도를 조절할 수 있다. 다른 예를 들어, 제어기는 공급라인(4550)이나 배기라인(4650)에 설치된 밸브를 제어하여 약제나 초임계유체의 유량을 조절할 수 있다. 또 다른 예를 들어, 제어기는 상부공급포트(4110)과 하부공급포트(4120) 중 어느 하나가 먼저 초임계유체를 공급하기 시작한 뒤 제2공정챔버(4000)의 내부압력이 미리 설정된 압력에 도달하면, 다른 하나가 초임계유체를 공급하기 시작하도록 제어할 수도 있다.Further, the substrate processing apparatus 100 may further include a controller for controlling the components. For example, the controller may control the heating member 4400 to adjust the internal temperature of the housing 4100. [ Alternatively, the controller may control valves installed in the supply line 4550 or the exhaust line 4650 to control the flow rate of the drug or supercritical fluid. For example, the controller may be configured such that when either the upper supply port 4110 and the lower supply port 4120 start supplying supercritical fluid first, the internal pressure of the second process chamber 4000 reaches a preset pressure , The other one may be controlled to start supplying the supercritical fluid.

이러한 제어기는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 조합을 이용하여 컴퓨터 또는 이와 유사한 장치로 구현될 수 있다. Such a controller may be implemented in a computer or similar device using hardware, software, or a combination thereof.

하드웨어적으로 제어기는 ASICs(application specific integrated circuits), DSPs(digital signal processors), DSPDs(digital signal processing devices), PLDs(programmable logic devices), FPGAs(field programmable gate arrays), 프로세서(processors), 마이크로콘트롤러(micro-controllers), 마이크로프로세서(microprocessors)나 이들과 유사한 제어기능을 수행하는 전기적인 장치로 구현될 수 있다.In hardware, the controller may be implemented as an application specific integrated circuit (ASIC), digital signal processors (DSPs), digital signal processing devices (DSPDs), programmable logic devices (PLDs), field programmable gate arrays (FPGAs) micro-controllers, microprocessors, or electrical devices that perform similar control functions.

또 소프트웨어적으로 제어기는 하나 이상의 프로그램 언어로 쓰여진 소프트웨어코드 또는 소프트웨어어플리케이션에 의해 구현될 수 있다. 소프트웨어는 하드웨어적으로 구현된 제어부에 의해 실행될 있다. 또 소프트웨어는 서버 등의 외부기기로부터 상술한 하드웨어적인 구성으로 송신됨으로써 설치될 수 있다.Also, the software may be implemented by software code or software applications written in one or more programming languages. The software is executed by a hardware-implemented control unit. The software may be installed by being transmitted from an external device such as a server in the hardware configuration described above.

이하에서는 본 발명에 따른 기판처리방법에 관하여 상술한 기판처리장치(100)를 이용하여 설명한다. 다만, 이는 설명의 용이를 위한 것에 불과하므로, 기판처리방법은 상술한 기판처리장치(100) 이외에도 이와 동일 또는 유사한 다른 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은 이를 수행하는 코드 또는 프로그램의 형태로 컴퓨터 판독 가능 기록매체에 저장될 수 있다.Hereinafter, the substrate processing method according to the present invention will be described using the substrate processing apparatus 100 described above. However, since this is merely for the sake of explanation, the substrate processing method may be performed by using another apparatus which is the same or similar to the substrate processing apparatus 100 described above. Further, the substrate processing method according to the present invention can be stored in a computer-readable recording medium in the form of a code or a program for performing the processing.

상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 건조 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해 스팀 부재 또는 노즐 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above-described examples, the drying process for the substrate S has been described. However, the number of process chambers and the number of process chambers may be different. Further, a steam member, a nozzle member or the like may be further provided for the wafer W. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

100: 기판처리장치
1000: 인덱스모듈 1100: 로드포트 1200: 이송프레임
1210: 인덱스로봇 1220: 인덱스레일
2000: 공정모듈 2100: 버퍼챔버 2200: 이송챔버
2210: 이송로봇 2220: 이송레일
3000: 제1공정챔버 3100: 지지부재 3200: 노즐부재
4000: 제2공정챔버 4100: 하우징 4110: 상부 바디
4120: 하부 바디 4130: 걸림턱 4200: 승강부재
4300: 지지유닛 5000: 실링 어셈블리
5100: 제 1 영역 5200: 제 2 영역100: substrate processing apparatus
1000: index module 1100: load port 1200: transfer frame
1210: index robot 1220: index rail
2000 Process module 2100 Buffer chamber 2200 Transfer chamber
2210: transfer robot 2220: transferring rail
3000: first process chamber 3100: support member 3200: nozzle member
4000: second process chamber 4100: housing 4110: upper body
4120: lower body 4130: latching jaw 4200:
4300: Supporting unit 5000: Sealing assembly
5100: first area 5200: second area

Claims

An apparatus for processing a substrate,
A housing having an upper body and a lower body coupled to the upper body to form an inner space for processing; And
And a sealing assembly provided between the upper body and the lower body and sealing the inner space from the outside,
Wherein the upper end of the side wall of the lower body is stepped higher than the inner side in an area where the upper body and the lower body are in contact with each other, the sealing assembly is located in the inner region, A substrate processing apparatus comprising a groove into which a fluid can flow.

The method according to claim 1,
Wherein the grooves are provided in a plurality and the grooves are provided to be spaced from each other along the circumferential direction of the sealing assembly.