KR102480392B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛; 그리고, 제1바디와 제2바디가 서로 밀착되는 위치에서 처리 공간을 외부로부터 밀폐하도록 제1바디와 제2바디의 사이에 위치되는 실링 부재를 포함하고, 실링 부재는, 처리 공간을 향하는 내측면에 절곡부가 형성되며, 절곡부는 처리 공간이 밀폐된 상태에서 처리 공간과 통하도록 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a first body and a second body are combined with each other to form a processing space for processing a substrate therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a fluid supply unit supplying fluid to the substrate supported by the substrate support unit; and a sealing member positioned between the first body and the second body to seal the processing space from the outside at a position where the first body and the second body are in close contact with each other, wherein the sealing member has an inner surface facing the processing space. A bent portion may be formed in the processing space, and the bent portion may be provided to communicate with the processing space in a closed state.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 처리 공정이 진행되는 챔버 내부의 압력을 유지하는 실링 부재를 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a sealing member for maintaining pressure inside a chamber in which a substrate processing process is performed, and a substrate processing method using the same.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 세정 공정, 건조 고정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured from substrates such as wafers. Specifically, a semiconductor device is manufactured by forming a fine circuit pattern on an upper surface of a substrate by performing a deposition process, a photolithography process, a cleaning process, a dry fixing process, an etching process, and the like.

각 공정은 제품의 수율 및 신뢰성에 악역향을 미치는 파티클, 금속 불순물, 유기물 등에 의한 기판의 오염을 방지하기 위해, 밀폐된 공정 챔버 내에서 이루어진다. 공정 챔버 내에서 각 공정이 원활히 이루어지기 위해서는 각각의 공정에 적합한 온도와 압력 등의 환경 조성이 요구된다.Each process is performed in a closed process chamber to prevent contamination of the substrate by particles, metal impurities, organic matter, etc., which adversely affect product yield and reliability. In order for each process to be performed smoothly in the process chamber, an environment such as temperature and pressure suitable for each process is required.

일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.In general, the cleaning process includes a chemical treatment to remove foreign substances on the substrate by supplying a chemical to the substrate, a rinse treatment to remove the chemical remaining on the substrate by supplying pure water to the substrate, and a drying treatment to remove the pure water remaining on the substrate. includes

기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.A supercritical fluid is used for the drying process of the substrate. According to one example, after replacing the pure water on the substrate with an organic solvent, supercritical fluid is supplied to the upper surface of the substrate in a high-pressure chamber to dissolve the organic solvent remaining on the substrate in the supercritical fluid and remove it from the substrate. When isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) is used as the organic solvent, carbon dioxide (CO2), which has a relatively low critical temperature and critical pressure and dissolves IPA well, is used as the supercritical fluid.

초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다.The treatment of the substrate using the supercritical fluid is as follows. When the substrate is loaded into the high-pressure chamber, carbon dioxide in a supercritical state is supplied into the high-pressure chamber to pressurize the inside of the high-pressure chamber, and then the substrate is treated with the supercritical fluid while repeatedly supplying and evacuating the high-pressure chamber. When the processing of the substrate is completed, the inside of the high-pressure chamber is evacuated to reduce the pressure.

도 1은 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 장치(2)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 공정에서는, 기판(W)이 놓이는 처리 공간(5) 내부의 압력을 유지하기 위해 상부 챔버(3)와 하부 챔버(4)의 틈새를 메우는 실링 부재(6)가 이용된다. 처리 공간(5)을 가압할 때 챔버들(3,4)과 실링 부재(6)의 좁은 틈 사이로 이산화탄소에 의해 용해된 IPA가 유입된다. 이후에, 처리 공간(5)을 감압할 때 챔버들(3,4)과 실링 부재(6)의 틈 사이에서 IPA가 용출된다. IPA가 용출되면서 기판(W)의 리닝 현상을 발생시키는 문제가 있다. 또한, IPA가 포함하는 파티클이 처리 공간(5)으로 함께 유입되어 기판(W)을 오염시키는 문제가 있다.1 shows a conventional substrate drying apparatus 2 using supercriticality. Referring to FIG. 1 , in a conventional substrate drying process using supercritical, a gap between an upper chamber 3 and a lower chamber 4 is closed to maintain the pressure inside the processing space 5 where the substrate W is placed. A filling sealing member 6 is used. When the processing space 5 is pressurized, IPA dissolved by carbon dioxide is introduced into a narrow gap between the chambers 3 and 4 and the sealing member 6 . Thereafter, when the processing space 5 is depressurized, IPA is eluted between the gaps between the chambers 3 and 4 and the sealing member 6 . There is a problem of causing a leaning phenomenon of the substrate (W) while the IPA is eluted. In addition, there is a problem in that particles included in the IPA are introduced into the processing space 5 together and contaminate the substrate W.

본 발명은 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 기판에 리닝 현상이 발생하는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for preventing the occurrence of a leaning phenomenon in a substrate during substrate processing by sealing a processing space.

본 발명은 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 처리 공간으로 파티클이 유입되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for preventing particles from entering the processing space in the course of substrate processing by sealing the processing space.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 기판 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛; 그리고, 제1바디와 제2바디가 서로 밀착되는 위치에서 처리 공간을 외부로부터 밀폐하도록 제1바디와 제2바디의 사이에 위치되는 실링 부재를 포함하고, 실링 부재는, 처리 공간을 향하는 내측면에 절곡부는 처리 공간이 밀폐된 상태에서 처리 공간과 통하도록 제공될 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, a first body and a second body are combined with each other to form a processing space for processing a substrate therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a fluid supply unit supplying fluid to the substrate supported by the substrate support unit; and a sealing member positioned between the first body and the second body to seal the processing space from the outside at a position where the first body and the second body are in close contact with each other, wherein the sealing member has an inner surface facing the processing space. The bent portion may be provided to communicate with the processing space in a sealed state.

일 실시 예에 있어서, 절곡부는 내측면의 하측부에 형성될 수 있다.In one embodiment, the bent portion may be formed on the lower side of the inner surface.

일 실시 예에 있어서, 제1바디는 제2바디의 상부에 위치하며, 실링 부재는 제2바디에 형성된 실링 홈에 위치할 수 있다.In one embodiment, the first body may be positioned above the second body, and the sealing member may be positioned in a sealing groove formed in the second body.

일 실시 예에 있어서, 제2바디의 측벽 상면은 내측 상면, 내측 상면의 끝단으로부터 아래로 연장된 제1측면, 제1측면의 하단으로부터 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 저면, 저면의 끝단으로부터 위로 연장되는 제2측면, 그리고 제2측면의 상단으로부터 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 외측 상면을 가지고, 제1측면, 저면, 그리고 제2측면은 실링 홈을 정의하며, 제1측면의 상단은 제2측면의 상단보다 낮게 제공될 수 있다.In one embodiment, the upper surface of the side wall of the second body is an inner upper surface, a first side extending downward from the end of the inner upper surface, a bottom surface extending from the lower end of the first side in a direction away from the inner upper surface, and upward from the end of the bottom surface. It has a second side surface that extends and an outer top surface that extends in a direction away from the inner top surface from the top of the second side surface, the first side surface, the bottom surface, and the second side surface define a sealing groove, and the top of the first side surface is the second side surface. It may be provided lower than the top of the 2 sides.

일 실시 예에 있어서, 제1측면의 상단은 절곡부의 상단 보다 낮게 제공될 수 있다.In one embodiment, an upper end of the first side surface may be provided lower than an upper end of the bent portion.

일 실시 예에 있어서, 실링 부재의 상면은 제2측면의 상단보다 높거나 같게 제공될 수 있다.In one embodiment, the upper surface of the sealing member may be provided higher than or equal to the upper surface of the second side surface.

일 실시 예에 있어서, 실링 부재는, 공정 진행 시 처리 공간의 압력에 의해 외측면의 상부에 위치한 상면부가 제1바디에 밀착되고 외측면의 측부에 위치한 측면부가 제2바디에 밀착될 수 있다.In one embodiment, in the sealing member, an upper surface portion positioned on an upper portion of the outer surface may be in close contact with the first body and a side surface portion positioned on a side portion of the outer surface may be in close contact with the second body by pressure from the processing space during the process.

일 실시 예에 있어서, 실링 부재는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다.In one embodiment, the sealing member may be provided in an annular ring shape.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 상면에 유기용제가 잔류한 기판을 처리 공간으로 반입하고, 제1바디와 제2바디가 밀착된 상태에서 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하여 기판으로부터 유기용제를 제거할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. In one embodiment, the organic solvent may be removed from the substrate by carrying the substrate with the organic solvent remaining on the upper surface into the processing space, and supplying supercritical fluid to the processing space while the first body and the second body are in close contact with each other. there is.

일 실시 예에 있어서, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.In one embodiment, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 기판에 리닝 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, it is possible to prevent the occurrence of a leaning phenomenon on a substrate in the process of processing a substrate by sealing the processing space.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리 공간을 밀폐하여 기판을 처리하는 과정에서 처리 공간으로 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent particles from being introduced into the processing space during substrate processing by sealing the processing space.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 기판 건조 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 부재의 단면도와 사시도를 나타낸다.
도 7 내지 도 8은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a general substrate drying apparatus.
2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing device of FIG. 2 .
4 is a diagram schematically showing an embodiment of the supercritical device of FIG. 2 .
5 and 6 respectively show a cross-sectional view and a perspective view of a sealing member according to an embodiment of the present invention.
7 to 8 are views sequentially showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.2 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , the substrate processing system includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller (not shown). According to one embodiment, the index module 10 and processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are disposed is referred to as a first direction 92, and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from above is referred to as a second direction 94. And, a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is stored to the processing module 20, and transfers the substrate W processed in the processing module 20 to the container 80. stored as The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 in which the substrates W are stored is placed in the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed on the loadport 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle or by an operator. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.An index robot 120 is provided on the index frame 14 . A guide rail 140 provided in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about a third direction 96 as an axis, and rotates in the third direction 96. It may be provided to be movable along. A plurality of hands 122 are provided spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200, a transfer device 300, a liquid processing device 400, and a supercritical device 500. The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W carried into the processing module 20 and the substrate W transported out of the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing device 400 performs a liquid processing process of liquid treating the substrate W by supplying liquid onto the substrate W. The supercritical device 500 performs a drying process of removing liquid remaining on the substrate (W). The transport device 300 transports the substrate W between the buffer unit 200 , the liquid processing device 400 , and the supercritical device 500 .

반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다. The conveying device 300 may be provided in a first direction 92 in its longitudinal direction. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transport device 300 . The liquid processing device 400 and the supercritical device 500 may be disposed on the side of the conveying device 300 . The liquid processing device 400 and the conveying device 300 may be disposed along the second direction 94 . The supercritical device 500 and the transport device 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the conveying device 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.According to one example, the liquid processing devices 400 are disposed on both sides of the conveying device 300, the supercritical devices 500 are disposed on both sides of the conveying device 300, and the liquid processing devices 400 are supercritical. It may be disposed closer to the buffer unit 200 than the devices 500 . On one side of the transport device 300, the liquid treatment devices 400 may be provided in an arrangement of A X B (where A and B are 1 or a natural number greater than 1, respectively) along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. there is. In addition, at one side of the transport device 300, the supercritical devices 500 are provided along the first direction 92 and the third direction 96, respectively C X D (C and D are 1 or a natural number greater than 1, respectively). can Unlike the above description, only the liquid processing device 400 may be provided on one side of the transport device 300 and only the supercritical device 500 may be provided on the other side.

반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transport device 300 has a transport robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transport device 300 , and the transport robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about a third direction 96 as an axis, and rotates in the third direction 96. It may be provided to be movable along. A plurality of hands 322 are provided spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other along the third direction 96 . The front face and rear face of the buffer unit 200 are open. The front side is a side facing the index module 10, and the rear side is a side facing the conveying device 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear side.

도 3은 도 2의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 유닛(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.FIG. 3 is a diagram schematically showing an embodiment of the liquid processing device 400 of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , the liquid processing device 400 includes a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a liquid supply unit 460 , an elevating unit 480 and a controller 40 . The controller 40 controls the operation of the liquid supply unit 460, the support unit 440 and the lifting unit 480. The housing 410 is generally provided in a rectangular parallelepiped shape. The cup 420 , the support unit 440 , and the liquid supply unit 460 are disposed within the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W within the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . A plurality of types of liquid may be provided, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers 422 , 424 , and 426 . The recovery containers 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering liquid used in substrate processing. Each of the collection containers 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . During the liquid treatment process, the pre-treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of the recovery containers 422, 424, and 426, respectively. According to one example, the cup 420 has a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first collection container 422 is disposed to surround the support unit 440, the second collection container 424 is disposed to surround the first collection container 422, and the third collection container 426 is disposed to surround the second collection container 426. It is disposed so as to surround the collection container 424. The second inlet 424a for introducing liquid into the second collection container 424 is located above the first inlet 422a for introducing liquid into the first collection container 422, and the third collection container 426 The third inlet 426a through which the liquid flows into may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a driving shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. A support pin 442a is provided at the center of the support plate 442 to support the rear surface of the substrate W, and the upper end of the support pin 442a is such that the substrate W is spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442). A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 .

척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다. The chuck pin 442b protrudes upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W to prevent the substrate W from being separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driving unit 446, is connected to the center of the lower surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. According to one example, the liquid supply unit 460 has a first nozzle 462, a second nozzle 464, and a third nozzle 466. The first nozzle 462 supplies the first liquid onto the substrate (W). The first liquid may be a liquid for removing a film remaining on the substrate W or a foreign material. The second nozzle 464 supplies the second liquid onto the substrate (W). The second liquid may be a liquid that dissolves well in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that dissolves better in the third liquid than in the first liquid. The second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid supplied on the substrate (W). In addition, the second liquid may be a liquid that neutralizes the first liquid and dissolves well in the third liquid compared to the first liquid.

일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다. According to one example, the second liquid may be water. The third nozzle 466 supplies the third liquid onto the substrate (W). The third liquid may be a liquid well soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 . For example, the third liquid may be a liquid that dissolves well in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 compared to the second liquid. According to one example, the third liquid may be an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). According to one example, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다. The first nozzle 462, the second nozzle 464, and the third nozzle 466 are supported on different arms 461, and these arms 461 can move independently. Optionally, the first nozzle 462, the second nozzle 464, and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 up and down. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . As a result, since the collection containers 422, 424, and 426 for collecting the pretreatment liquid are changed according to the type of liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separately collected. Unlike the above description, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

도 4는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다. FIG. 4 is a diagram schematically showing an embodiment of the supercritical device 500 of FIG. 2 . According to one embodiment, the supercritical device 500 removes the liquid on the substrate (W) using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 supplies the supercritical fluid onto the substrate to dissolve the IPA on the substrate W in the supercritical fluid, thereby removing the IPA from the substrate W.

초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 지지 장치(580), 유체 공급유닛(560), 배기 라인(550) 그리고 실링 부재(600)를 포함한다.The supercritical device 500 includes a process chamber 520 , a support device 580 , a fluid supply unit 560 , an exhaust line 550 and a sealing member 600 .

공정 챔버(520)는 초임계 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 공정 챔버(520)는 제1바디(522)와 제2바디(524)을 가지며, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(522)은 제2바디(524)의 상부에 제공된다. The process chamber 520 provides a processing space 502 in which a supercritical process is performed. The process chamber 520 has a first body 522 and a second body 524, and the first body 522 and the second body 524 are combined to provide the aforementioned processing space 502. In one example, the first body 522 is provided on top of the second body 524 .

구동부재(590)는 공정 챔버(520)가 개방 위치 또는 닫힘 위치로 이동되도록 제1바디(522) 및 제2바디(524) 중 어느 하나를 승하강시킨다. 일 예에서, 구동부재(590)은 실린더로 제공될 수 있다. 여기서 개방 위치는 제1바디(522) 및 제2바디(524)가 서로 이격되는 위치이고, 닫힘 위치는 서로 마주하는 제1바디(522) 및 제2바디(524)의 밀착면이 서로 밀착되는 위치이다. 즉 개방 위치에서 처리 공간(502)은 외부로부터 개방되고, 닫힘 위치에서 처리 공간(502)이 닫혀진다. 일 예에서, 제2바디(524)는 그 위치가 고정되고, 제1바디(522)가 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. The driving member 590 raises and lowers either the first body 522 or the second body 524 so that the process chamber 520 is moved to an open position or a closed position. In one example, the driving member 590 may be provided as a cylinder. Here, the open position is a position where the first body 522 and the second body 524 are spaced apart from each other, and the closed position is a position where the contact surfaces of the first body 522 and the second body 524 facing each other come into close contact with each other. It is a location. That is, in the open position, the processing space 502 is opened from the outside, and in the closed position, the processing space 502 is closed. In one example, the position of the second body 524 is fixed, and the first body 522 can be moved up and down by the driving member 590 .

제1바디(522)가 제2바디(524)으로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. When the first body 522 is separated from the second body 524, the processing space 502 is opened, and at this time, the substrate W is carried in or taken out.

공정 진행시에는 제1바디(522)와 제2바디(524)가 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(570)가 제공된다. 히터(570)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.During the process, the first body 522 and the second body 524 come into close contact so that the processing space 502 is sealed from the outside. A heater 570 is provided inside the wall of the process chamber 520 . The heater 570 heats the processing space 502 of the process chamber 520 so that the fluid supplied into the inner space of the process chamber 520 maintains a supercritical state. The inside of the processing space 502 is formed with an atmosphere of supercritical fluid.

지지 장치(580)는 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 장치(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 장치(580)에 의해 지지된다. The support device 580 supports the substrate W within the processing space 502 of the process chamber 520 . The substrate W carried into the processing space 502 of the process chamber 520 is placed on the support device 580 . According to one example, the substrate (W) is supported by the support device 580 so that the pattern surface faces upward.

유체 공급유닛(560)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 기판 처리를 위한 초임계 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564) 그리고 하부 공급 라인(566)을 가진다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 일 예에 의하면, 상부 공급 라인(564)은 제1바디(522)의 중앙에 결합되고, 하부 공급 라인(566)은 제2바디(524)의 중앙에 결합될 수 있다. 또한, 제2바디(524)에는 배기 라인이 결합된다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인을 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배기된다.The fluid supply unit 560 supplies supercritical fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520 . According to one example, the fluid supply unit 560 has a main supply line 562 , an upper supply line 564 and a lower supply line 566 . An upper supply line 564 and a lower supply line 566 are branched from the main supply line 562 . According to one example, the upper supply line 564 may be coupled to the center of the first body 522 and the lower supply line 566 may be coupled to the center of the second body 524 . In addition, an exhaust line is coupled to the second body 524 . The supercritical fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 is exhausted to the outside of the process chamber 520 through an exhaust line.

이하, 도 5 내지 도 6을 참조하여 실링 부재(600)에 대해 설명한다. 도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 실링 부재(600)의 단면도와 사시도를 나타낸다. Hereinafter, the sealing member 600 will be described with reference to FIGS. 5 and 6 . 5 and 6 each show a cross-sectional view and a perspective view of a sealing member 600 according to an embodiment of the present invention.

닫힘 위치에서, 제1바디(522)와 제2바디(524)가 접하도록 제공되나, 그 사이에는 미세한 틈이 존재할 수 있다. 실링 부재(600)는 제1바디(522)와 제2바디(524) 사이의 틈을 밀폐하여, 처리 공간(502)이 외부와 차단되도록 한다. 이에, 처리 공간(502)이 기 설정된 압력으로 기판을 처리할 수 있도록 한다.In the closed position, the first body 522 and the second body 524 are provided to be in contact, but a fine gap may exist between them. The sealing member 600 seals the gap between the first body 522 and the second body 524 so that the processing space 502 is blocked from the outside. Thus, the processing space 502 can process the substrate with a preset pressure.

실링 부재(600)는 제1바디(522) 및 제2바디(524)의 사이에 위치된다. 일 예에서, 실링 부재(600)는 실링 홈(530)에 위치된다. 실링 홈(530)은 제2바디(524)와 제1바디(522)가 서로 밀착되는 밀착면에 형성되고, 실링 부재(600)는 제1바디(522)의 하단면 또는 제2바디(524)의 상단면에 제공된다.The sealing member 600 is positioned between the first body 522 and the second body 524 . In one example, the sealing member 600 is positioned in the sealing groove 530 . The sealing groove 530 is formed on the contact surface where the second body 524 and the first body 522 come into close contact with each other, and the sealing member 600 is the lower surface of the first body 522 or the second body 524. ) is provided on the top surface of

일 예에서, 실링 홈(530)은 제2바디(524)의 상단면에 제공된다. 실링 부재(600)는 제2바디(524)에 형성된 실링 홈(530)에 삽입되게 위치된다. 일 예에서, 실링 부재(600)는, 도 6에 도시된 바와 같이 실링 홈(530)에 삽입 가능한 환형의 링 형상으로 제공된다. 이에, 실링 홈(530) 역시 상부에서 바라볼 때 환형의 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다.In one example, the sealing groove 530 is provided on the top surface of the second body 524 . The sealing member 600 is positioned to be inserted into the sealing groove 530 formed in the second body 524 . In one example, the sealing member 600 is provided in an annular ring shape insertable into the sealing groove 530 as shown in FIG. 6 . Accordingly, the sealing groove 530 may also be provided to have an annular ring shape when viewed from above.

실링 부재(600)는, 처리 공간(502) 내부의 압력에 의해 형상이 변형된다. 일 예에서, 실링 부재(600)는 탄성을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 처리 공간(502)이 상압 보다 높은 고압 즉, 임계 압력을 가지면, 실링 부재(600)는, 처리 공간(502)으로부터 공정 챔버(520)의 외부를 향하는 방향으로 변형된다. 실링 부재(600)는 그 형태가 변형되어 제1바디(522)와 제2바디(524)에 밀착됨에 따라 제1바디(522)와 제2바디(524) 사이에 틈을 밀폐시킨다.The shape of the sealing member 600 is deformed by pressure inside the processing space 502 . In one example, the sealing member 600 may be provided with a material including elasticity. When the processing space 502 has a high pressure higher than normal pressure, that is, a critical pressure, the sealing member 600 is deformed from the processing space 502 toward the outside of the process chamber 520 . The sealing member 600 seals the gap between the first body 522 and the second body 524 as its shape is deformed and comes into close contact with the first body 522 and the second body 524 .

실링 부재(600)는, 처리 공간(502)을 향하는 내측면에 절곡부(610)가 형성된다. 일 예에서, 절곡부(610)는 실링 부재(600)의 내측면 하측부에 형성된다. 절곡부(610)가 형성됨에 따라, 실링 부재(600)의 단면은 'ㄱ' 자와 같은 형상을 갖는다. The sealing member 600 has a bent portion 610 formed on an inner surface facing the processing space 502 . In one example, the bent portion 610 is formed on the lower side of the inner surface of the sealing member 600 . As the bent portion 610 is formed, the cross section of the sealing member 600 has a shape like a 'L'.

절곡부(610)의 높이와 너비는, 실링 부재(600)가 그 계면과의 압력차이를 견딜 수 있는 두께를 가지도록 결정된다. 일 예에서, 실링 부재(600)의 두께는 실링 부재(600)의 외측면의 상면부가 제1바디(522)와 처리 공간(502) 간의 압력 차이를 버틸 수 있고, 외측면의 측면부가 제2바디(524)와 처리 공간(502) 간의 압력 차이를 버틸 수 있도록 정해진다.The height and width of the bent portion 610 are determined so that the sealing member 600 has a thickness capable of withstanding a pressure difference with the interface. In one example, the thickness of the sealing member 600 is such that the upper surface of the outer surface of the sealing member 600 can withstand the pressure difference between the first body 522 and the processing space 502, and the side surface of the outer surface can withstand the pressure difference between the first body 522 and the processing space 502. It is designed to withstand the pressure difference between the body 524 and the processing space 502 .

일 예에서, 처리 공간(502) 내부의 압력이 상승함에 따라, 실링 부재(600)의 외측면의 상부에 위치한 상면부가 제1바디(522)에 밀착되고 외측면의 측부에 위치한 측면부가 제2바디(524)에 밀착된다. 실링 부재(600)의 내측면에 절곡부(610)가 제공됨에 따라, 처리 공간(502)으로부터 실링 부재(600)의 내측면으로 가해지는 압력에 의해 실링 부재(600)의 형상이 용이하게 변형될 수 있다. In one example, as the pressure inside the processing space 502 increases, the upper surface portion located above the outer surface of the sealing member 600 comes into close contact with the first body 522 and the side surface portion located on the side of the outer surface closes to the second body 522 . Adhere to the body 524. As the bent portion 610 is provided on the inner surface of the sealing member 600, the shape of the sealing member 600 is easily deformed by the pressure applied from the processing space 502 to the inner surface of the sealing member 600. It can be.

일 예에서, 제2바디(524)의 측벽 상면은 내측 상면(525), 제1측면(526), 저면(527), 제2측면(528) 그리고 외측 상면(529)을 가진다. 내측 상면(525)과 외측 상면(529) 사이에 제1측면(526), 저면(527) 그리고 제2측면(528)이 제공된다. 제1측면(526), 저면(527) 그리고 제2측면(528)은 실링 홈(530)을 정의한다. 제1측면(526)은, 내측 상면(525)의 끝단으로부터 아래로 연장된다. 제2측면(528)은, 외측 상면(529)의 끝단으로부터 아래로 연장된다. 제1측면(526)과 제2측면(528)은 마주보도록 제공된다. 저면(527)은, 제1측면(526)의 하단과 제2측면(528)의 하단을 연결하도록 제공된다. 제1측면(526)의 상단은 제2측면(528)의 상단보다 낮게 제공된다.In one example, the top surface of the side wall of the second body 524 has an inner top surface 525 , a first side surface 526 , a bottom surface 527 , a second side surface 528 and an outer top surface 529 . A first side surface 526, a bottom surface 527 and a second side surface 528 are provided between the inner top surface 525 and the outer top surface 529. The first side surface 526 , the bottom surface 527 and the second side surface 528 define a sealing groove 530 . The first side surface 526 extends downward from the end of the inner upper surface 525 . The second side surface 528 extends downward from the end of the outer upper surface 529 . The first side 526 and the second side 528 are provided to face each other. The bottom surface 527 is provided to connect the lower end of the first side surface 526 and the lower end of the second side surface 528 . The upper end of the first side surface 526 is provided lower than the upper end of the second side surface 528 .

제1측면(526)의 상단은 절곡부(610)의 상단 보다 낮게 제공된다. 또한, 절곡부(610)는 실링 홈(530) 내에서 빈 공간을 형성하도록 제공된다. 이에, 절곡부(610)는 처리 공간(502)과 통하도록 제공된다. 이에, 절곡부(610)와 처리 공간(502) 간에 기체가 자유롭게 유출입될 수 있도록 제공된다. 실링 부재(600)의 내측면에 절곡부(610)가 형성됨에 따라, 실링 부재(600)의 하단면과 공정 챔버(520) 간에 틈을 최소화한다. 이에, 처리 공간(502)이 가압될 때, 절곡부(610)와 처리 공간(502) 간에 기체가 자유롭게 드나들 수 있다. 따라서, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 사이의 틈에 기체가 유입되는 것이 방지된다.The upper end of the first side surface 526 is provided lower than the upper end of the bent portion 610 . In addition, the bent portion 610 is provided to form an empty space within the sealing groove 530 . Thus, the bent portion 610 is provided to communicate with the processing space 502 . Accordingly, it is provided so that gas can freely flow in and out between the bent portion 610 and the processing space 502 . As the bent portion 610 is formed on the inner surface of the sealing member 600, a gap between the lower surface of the sealing member 600 and the process chamber 520 is minimized. Accordingly, when the processing space 502 is pressurized, gas may freely flow in and out between the bent portion 610 and the processing space 502 . Thus, gas is prevented from entering the gap between the sealing member 600 and the process chamber 520 .

실링 부재(600)의 상면은 제2측면(528)의 상단보다 높거나 같게 제공된다. 일 예에서, 실링 부재(600)의 상면은 제2측면(528)의 상단과 높이가 같게 제공된다. 이에, 제1바디(522)와 제2측면(528)의 상단 사이의 틈을 실링 부재(600)가 차폐할 수 있다.The upper surface of the sealing member 600 is provided to be equal to or higher than the upper surface of the second side surface 528 . In one example, the upper surface of the sealing member 600 is provided at the same height as the upper surface of the second side surface 528 . Accordingly, the sealing member 600 may cover the gap between the first body 522 and the upper end of the second side surface 528 .

이하, 도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8 .

먼저, 상면에 IPA가 잔류한 기판을 처리 공간(502)으로 반입한다. 기판이 처리 공간(502)으로 반입되면, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 밀착되도록 위치하여 공정 챔버(520)를 밀폐시킨다. 제1바디(522)와 제2바디(524)가 닫힘 위치가 되면, 처리 공간(502)에 초임계 유체가 공급되어 처리 공간(502)을 가압한다. 일 예에서, 초임계 유체는 이산화탄소로 제공된다. 가압은 처리 공간(502)의 내부가 이산화탄소가 초임계 유체가 되는 임계 압력 또는 그 이상이 될 때까지 이루어진다.First, the substrate on which the IPA remains on the upper surface is carried into the processing space 502 . When the substrate is loaded into the processing space 502, the first body 522 and the second body 524 are placed in close contact with each other to seal the process chamber 520. When the first body 522 and the second body 524 are in the closed position, supercritical fluid is supplied to the processing space 502 to pressurize the processing space 502 . In one example, the supercritical fluid is provided as carbon dioxide. Pressurization is performed until the inside of the processing space 502 reaches a critical pressure or higher at which carbon dioxide becomes a supercritical fluid.

도 7에 도시된 바와 같이, 처리 공간(502)으로 이산화탄소가 유입되면, 처리 공간(502) 내부의 압력이 상승한다. 처리 공간(502)의 내부 압력은 절곡부(610)를 가압한다. 이에 의해 실링 부재(600)는, 처리 공간(502)으로부터 공정 챔버(520)의 외부를 향하는 방향으로 변형된다.As shown in FIG. 7 , when carbon dioxide is introduced into the processing space 502 , the pressure inside the processing space 502 increases. Internal pressure of processing space 502 presses on bend 610 . Accordingly, the sealing member 600 is deformed in a direction from the processing space 502 toward the outside of the process chamber 520 .

초임계 유체를 처리 공간(502)으로 공급하여 초임계 유체로 기판을 처리한 후, 처리 공간(502)을 배기하여 처리 공간(502)을 감압한다. 일 예에 의하면 감압은 처리 공간(502) 내부의 상압 또는 이와 유사한 압력이 될 때까지 이루어진다. 도 8에 도시된 바와 같이, 감압이 이루어질 때, 실링 부재(600)는, 처리 공간(502)을 향하는 방향으로 복귀된다. 감압이 완료되면, 챔버를 개방하는 개방 단계가 수행되고, 챔버가 개방되면 기판이 처리 공간(502)에서 반출된다.After supplying the supercritical fluid to the processing space 502 to treat the substrate with the supercritical fluid, the processing space 502 is exhausted to depressurize the processing space 502 . According to one example, the pressure reduction is performed until the normal pressure inside the processing space 502 or a pressure similar thereto is reached. As shown in FIG. 8 , when the pressure is reduced, the sealing member 600 is returned in a direction toward the processing space 502 . When the depressurization is completed, an opening step of opening the chamber is performed, and the substrate is unloaded from the processing space 502 when the chamber is opened.

상술한 예에서는, 절곡부(610)는 실링 부재(600)의 내측면 하측부에 형성되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 절곡부(610)는 실링 부재(600)의 내측면 상측부에 형성될 수 있다.In the above example, it has been described that the bent portion 610 is formed on the lower portion of the inner surface of the sealing member 600 . However, unlike this, the bent portion 610 may be formed on the upper side of the inner surface of the sealing member 600 .

상술한 예에서는, 실링 홈(530)이 제2바디(524)의 상단면에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 실링 홈(530)은 제1바디(522)의 상단면에 제공될 수 있다.In the above example, it has been described that the sealing groove 530 is provided on the top surface of the second body 524 . However, in another example, the sealing groove 530 may be provided on the top surface of the first body 522 .

상술한 예에서는, 처리 공간(502)을 가압하여 기판을 처리한 후에 감압이 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에 의하면 처리 공간(502)을 가압하여 기판을 처리한 후에 처리 공간(502)을 가압 또는 감압하는 단계를 순차적으로 복수 회 반복 수행할 수 있다.In the above example, it has been described that the pressure is reduced after processing the substrate by pressurizing the processing space 502 . However, according to another example, after processing the substrate by pressurizing the processing space 502 , the step of pressurizing or depressurizing the processing space 502 may be sequentially and repeatedly performed a plurality of times.

본 발명에 의하면, 절곡부(610)가 형성됨에 따라 처리 공간(502)의 가압 시 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈에 기체 유입이 최소화된다. 이에, 처리 공간(502)의 감압 시, 처리 공간(502)을 가압할 때 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈으로 유입되었던 기체가 다시 처리 공간(502)으로 유입되는 것이 방지된다. 이에, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈 사이로부터 처리 공간(502)으로 기체가 유입되어 기판에 리닝 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 또한, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈 사이로부터 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, as the bent portion 610 is formed, gas inflow into the gap between the sealing member 600 and the process chamber 520 is minimized when the processing space 502 is pressurized. Accordingly, when the processing space 502 is depressurized, the gas introduced into the gap between the sealing member 600 and the process chamber 520 when the processing space 502 is pressurized is prevented from flowing into the processing space 502 again. . Accordingly, there is an advantage in that it is possible to prevent a leaning phenomenon on the substrate due to gas flowing into the processing space 502 from the gap between the sealing member 600 and the process chamber 520 . In addition, there is an advantage in preventing particles from being introduced from a gap between the sealing member 600 and the process chamber 520 .

본 발명에 의하면, 실링 부재(600)에 절곡부(610)가 형성됨에 따라 실링 부재(600)의 변형이 용이한 이점이 있다. 이에, 실링 부재(600)와 공정 챔버(520) 간의 틈이 치밀하게 밀폐될 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, as the bent portion 610 is formed in the sealing member 600, there is an advantage in that the sealing member 600 is easily deformed. Thus, there is an advantage in that the gap between the sealing member 600 and the process chamber 520 can be densely sealed.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

502: 처리 공간
520: 공정 챔버
522: 제1바디
524: 제2바디
560: 유체공급 유닛
600: 실링 부재
610: 절곡부502 processing space
520: process chamber
522: first body
524: second body
560: fluid supply unit
600: sealing member
610: bend

Claims (10)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
기판 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛; 그리고,
상기 제1바디와 상기 제2바디가 서로 밀착되는 위치에서 상기 처리 공간을 외부로부터 밀폐하도록 상기 제1바디와 상기 제2바디의 사이에 위치되는 실링 부재를 포함하고,
상기 제1바디는 상기 제2바디의 상부에 위치하며,
상기 제2바디의 측벽 상면은 내측 상면, 상기 내측 상면의 끝단으로부터 아래로 연장된 제1측면, 상기 제1측면의 하단으로부터 상기 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 저면, 상기 저면의 끝단으로부터 위로 연장되는 제2측면, 그리고 상기 제2측면의 상단으로부터 상기 내측 상면에서 멀어지는 방향으로 연장되는 외측 상면을 가지고,
상기 실링 부재는,
'ㄱ'자 형상으로 제공되고,
상기 처리 공간을 향하는 내측면에 절곡부가 형성되며,
상기 실링부재에서 절곡부의 상면으로 제공되는 면은 상기 내측 상면보다 높게 위치되고,
상기 절곡부는 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 상기 처리 공간과 통하도록 제공되고,
상기 절곡부는 상기 내측면의 하측부에 제공되고,
상기 실링 부재는 상기 제2바디에 형성된 실링 홈에 위치하고,
상기 제1측면, 상기 저면, 그리고 상기 제2측면은 상기 실링 홈을 정의하며,
상기 제1측면의 상단은 상기 제2측면의 상단보다 낮게 제공되고,
상기 제1측면의 상단은 상기 절곡부의 상단 보다 낮게 제공되고,
상기 실링 부재의 상면은 상기 제2측면의 상단보다 높거나 같게 제공되고,
상기 실링 부재는,
공정 진행시 상기 유체 공급 유닛이 공급하는 상기 유체에 의해 상승하는 상기 처리 공간의 압력에 의해 상기 내측면의 반대 측인 외측면의 상부에 위치한 상면부가 제1바디에 밀착되고, 상기 외측면의 측부에 위치한 측면부가 상기 제2바디에 밀착되고; 그리고
상기 처리 공간에 감압이 이루어질 때, 상기 실링 부재의 상기 상면부와 상기 실링 부재의 상기 측면부는 상기 처리 공간을 향하는 방향으로 복귀되는 탄성을 가지고,
상기 실링 부재는 환형의 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.In the device for processing the substrate,
a first body and a second body that are combined with each other to form a processing space inside which a substrate is processed;
a support unit supporting a substrate in the processing space;
a fluid supply unit supplying fluid to the substrate supported by the substrate support unit; And,
A sealing member positioned between the first body and the second body to seal the processing space from the outside at a position where the first body and the second body are in close contact with each other,
The first body is located above the second body,
The upper surface of the side wall of the second body includes an inner upper surface, a first side surface extending downward from the end of the inner upper surface, a bottom surface extending from the lower end of the first side in a direction away from the inner upper surface, and extending upward from the end of the bottom surface. a second side surface, and an outer top surface extending in a direction away from the inner top surface from an upper end of the second side surface;
The sealing member,
It is provided in an 'L' shape,
A bent portion is formed on an inner surface facing the processing space,
The surface provided as the upper surface of the bent portion in the sealing member is located higher than the inner upper surface,
The bent portion is provided to communicate with the processing space in a closed state of the processing space;
The bent portion is provided on the lower side of the inner surface,
The sealing member is located in the sealing groove formed in the second body,
The first side, the bottom, and the second side define the sealing groove,
The upper end of the first side is provided lower than the upper end of the second side,
The upper end of the first side is provided lower than the upper end of the bent part,
The upper surface of the sealing member is provided higher than or equal to the upper end of the second side surface,
The sealing member,
During the process, the upper surface located on the upper part of the outer surface opposite to the inner surface is brought into close contact with the first body by the pressure in the processing space, which is raised by the fluid supplied by the fluid supply unit, and adheres to the side of the outer surface. The located side part is in close contact with the second body; And
When the processing space is depressurized, the upper surface portion of the sealing member and the side surface portion of the sealing member have elasticity returning in a direction toward the processing space;
The sealing member is provided in an annular ring shape. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상면에 유기용제가 잔류한 상기 기판을 상기 처리 공간으로 반입하고, 상기 제1바디와 상기 제2바디가 밀착된 상태에서 상기 처리 공간으로 초임계 유체를 공급하여 상기 기판으로부터 상기 유기용제를 제거하는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate using the apparatus of claim 1,
The substrate having the organic solvent remaining on the upper surface is carried into the processing space, and a supercritical fluid is supplied to the processing space in a state where the first body and the second body are in close contact with each other to remove the organic solvent from the substrate. Substrate processing method. 제9항에 있어서,
상기 초임계 유체는 이산화탄소인 기판 처리 방법.According to claim 9,
The supercritical fluid is carbon dioxide.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090463A (en) 2004-09-24 2006-04-06 Nok Corp Gasket
JP2010265950A (en) * 2009-05-13 2010-11-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd Sealing structure and seal material

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005031491A1 (en) * 2005-07-04 2007-01-11 Degussa Ag Use of a polyamide molding composition having high melt stiffness for coextrusion with a refractory polymer
JP4936730B2 (en) * 2006-01-16 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 Vacuum container and vacuum processing apparatus
JP6315941B2 (en) * 2013-10-29 2018-04-25 日本バルカー工業株式会社 Sealing material
KR102157837B1 (en) * 2013-12-31 2020-09-18 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20150120035A (en) * 2014-04-16 2015-10-27 삼성전자주식회사 Substrate treatment apparatus havnig sealing structure inclusive of sealing member with atypical section
KR101623411B1 (en) * 2014-11-03 2016-05-24 세메스 주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR102041308B1 (en) * 2017-09-27 2019-11-27 세메스 주식회사 Apparatus and Method for treating substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006090463A (en) 2004-09-24 2006-04-06 Nok Corp Gasket
JP2010265950A (en) * 2009-05-13 2010-11-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd Sealing structure and seal material

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