KR20220091274A

KR20220091274A - Method and apparatus for treating substrate

Info

Publication number: KR20220091274A
Application number: KR1020200182617A
Authority: KR
Inventors: 허필균; 최기훈; 김응수; 성진영; 최해원; 원준호; 커랴킨
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2020-12-23
Filing date: 2020-12-23
Publication date: 2022-06-30

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 발명으로써, 내부에 처리공간을 가지는 챔버와 상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 상기 처리공간으로 초임계 상태의 유체를 공급하는 공급유닛과; 상기 처리공간 내부를 배기하는 배기유닛; 및 상기 공급유닛에서 공급되는 초임계 상태의 유체에 진동을 인가하는 진동유닛;을 포함할 수 있다. The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, comprising: a chamber having a processing space therein, and a support unit for supporting a substrate in the processing space; a supply unit for supplying the fluid in a supercritical state to the processing space; an exhaust unit exhausting the inside of the processing space; and a vibration unit for applying vibration to the fluid in a supercritical state supplied from the supply unit.

Description

Substrate processing method and apparatus {METHOD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a method and apparatus for processing a substrate using a supercritical fluid.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a wafer. Specifically, the semiconductor device is manufactured by performing a deposition process, a photolithography process, an etching process, etc. to form a fine circuit pattern on the upper surface of the substrate.

상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 상부면에 각종 이물질이 부착되므로, 상기 공정들 사이에 기판 상의 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.Since various foreign substances are attached to the upper surface of the substrate on which the circuit pattern is formed while performing the above processes, a cleaning process for removing foreign substances on the substrate is performed between the processes.

일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.In general, the cleaning process is a chemical treatment to remove foreign substances on the substrate by supplying chemicals to the substrate, a rinse treatment to remove chemicals remaining on the substrate by supplying pure water to the substrate, and a drying treatment to remove the pure water remaining on the substrate. includes

기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.A supercritical fluid is used for the drying treatment of the substrate. According to one example, after replacing the pure water on the substrate with the organic solvent, the supercritical fluid is supplied to the upper surface of the substrate in the high pressure chamber to dissolve the organic solvent remaining on the substrate in the supercritical fluid to remove it from the substrate. When isopropyl alcohol (hereinafter, IPA) is used as the organic solvent, carbon dioxide (CO2), which has relatively low critical temperature and critical pressure, and in which IPA is well dissolved, is used as the supercritical fluid.

초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다. 기존의 경우 고압 챔버 내부를 가압하는 방식을 통해 초임계 유체의 용해도를 상승시킬 수 있었다. The processing of the substrate using the supercritical fluid is as follows. When the substrate is loaded into the high-pressure chamber, carbon dioxide in a supercritical state is supplied into the high-pressure chamber to pressurize the inside of the high-pressure chamber, and then the substrate is treated with the supercritical fluid while repeating the supply of the supercritical fluid and the exhaust of the high-pressure chamber. And when the processing of the substrate is completed, the pressure is reduced by evacuating the inside of the high-pressure chamber. In the conventional case, the solubility of the supercritical fluid could be increased by pressurizing the inside of the high-pressure chamber.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of improving substrate processing efficiency when processing a substrate using a supercritical fluid.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 예시에 따른 기판 처리 장치가 개시된다. A substrate processing apparatus according to an example of the present invention is disclosed.

상기 장치는, 내부에 처리공간을 가지는 챔버와; 상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과; 상기 처리공간으로 초임계 상태의 유체를 공급하는 공급유닛과; 상기 처리공간 내부를 배기하는 배기유닛; 및 상기 공급유닛에서 공급되는 초임계 상태의 유체에 진동을 인가하는 진동유닛;을 포함할 수 있다. The apparatus includes: a chamber having a processing space therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a supply unit for supplying the fluid in a supercritical state to the processing space; an exhaust unit exhausting the inside of the processing space; and a vibration unit for applying vibration to the fluid in a supercritical state supplied from the supply unit.

일 예시에 따르면, 상기 진동유닛은 초음파 진동을 인가할 수 있다. According to an example, the vibration unit may apply ultrasonic vibration.

일 예시에 따르면, 상기 진동유닛은 상기 지지유닛의 측부에 배치될 수 있다. According to one example, the vibration unit may be disposed on the side of the support unit.

일 예시에 따르면, 상기 진동유닛은 복수 개로 제공될 수 있다. According to one example, the vibration unit may be provided in plurality.

일 예시에 따르면, 상기 진동유닛은, 초음파를 발생시키는 초음파 발생 부재; 및 상기 초음파 발생 부재를 지지하는 받침 부재;를 포함할 수 있다. According to an example, the vibration unit may include an ultrasonic wave generating member for generating ultrasonic waves; and a support member for supporting the ultrasonic wave generating member.

일 예시에 따르면, 상기 진동유닛과 연결되는 제어부;를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 진동유닛에서 초음파가 발생되는 시점을 조절할 수 있다. According to an example, a control unit connected to the vibration unit may be further included, wherein the control unit may control a time point at which ultrasonic waves are generated from the vibration unit.

일 예시에 따르면, 상기 제어부는, 상기 공급유닛에서 초임계 상태의 유체가 공급되는 시점과 동시에 초음파가 발생할 수 있도록 제어할 수 있다. According to an example, the controller may control the ultrasonic wave to be generated at the same time when the fluid in the supercritical state is supplied from the supply unit.

일 예시에 따르면, 상기 초임계 상태의 유체는 이산화탄소일 수 있다. According to one example, the fluid in the supercritical state may be carbon dioxide.

본 발명의 다른 일 예시에 따른 기판을 처리하는 방법이 개시된다. A method of processing a substrate according to another exemplary embodiment of the present invention is disclosed.

상기 방법은, 챔버 내의 처리공간에서 상기 기판 상의 잔류물을 초임계 상태의 유체로 처리하는 처리 단계를 포함하되, 상기 처리 단계에서 상기 초임계 상태의 유체에 진동을 인가하는 단계;를 포함할 수 있다. The method may include a processing step of treating the residue on the substrate with a fluid in a supercritical state in a processing space within a chamber, and applying vibration to the fluid in a supercritical state in the processing step. have.

일 예시에 따르면, 상기 진동은 초음파 진동일 수 있다. According to an example, the vibration may be ultrasonic vibration.

일 예시에 따르면, 상기 초임계 상태의 유체의 처리와 상기 진동의 인가는 동시에 진행될 수 있다. According to one example, the processing of the fluid in the supercritical state and the application of the vibration may proceed simultaneously.

일 예시에 따르면, 상기 초임계 상태의 유체는 이산화탄소일 수 있다.According to one example, the fluid in the supercritical state may be carbon dioxide.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of improving processing efficiency of a substrate when processing a substrate using a supercritical fluid.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체의 용해도를 더 높일 수 있는 기판 처리 방법 및 장치를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing method and apparatus capable of further increasing the solubility of a supercritical fluid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 진동유닛을 설명하기 위한 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing apparatus of FIG. 1 .
3 is a diagram schematically showing an embodiment of a supercritical device according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining a vibration unit according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , the substrate processing system includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller (not shown). According to an embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 92 , and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as a second direction 94 . and a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96 .

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is accommodated to the processing module 20 , and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80 . to be stored with The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . With reference to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 . The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed in the load port 12 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The index frame 14 is provided with an index robot 120 . A guide rail 140 having a longitudinal direction in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 122 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a conveying device 300 , a liquid processing device 400 , and a supercritical device 500 . The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W unloaded from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing apparatus 400 performs a liquid processing process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The supercritical device 500 performs a drying process to remove the liquid remaining on the substrate (W). The transfer apparatus 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 , the liquid processing apparatus 400 , and the supercritical apparatus 500 .

반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transport device 300 may be provided with a longitudinal direction in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transport device 300 . The liquid processing device 400 and the supercritical device 500 may be disposed on the side of the transport device 300 . The liquid processing apparatus 400 and the conveying apparatus 300 may be disposed along the second direction 94 . The supercritical device 500 and the transport device 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer device 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.According to an example, the liquid processing apparatuses 400 are disposed on both sides of the conveying apparatus 300 , the supercritical apparatuses 500 are disposed on both sides of the conveying apparatus 300 , and the liquid processing apparatuses 400 are supercritical It may be disposed at a location closer to the buffer unit 200 than the devices 500 . On one side of the conveying apparatus 300, the liquid processing apparatuses 400 may be provided in an A X B (A and B each is 1 or a natural number greater than 1) arrangement along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. have. In addition, the supercritical devices 500 on one side of the conveying device 300 are provided along the first direction 92 and the third direction 96, respectively, C X D (C and D are each a natural number greater than 1 or 1). can Unlike the above, only the liquid processing apparatuses 400 may be provided on one side of the conveying apparatus 300 , and only the supercritical apparatuses 500 may be provided on the other side of the conveying apparatus 300 .

반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer device 300 includes a transfer robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transport device 300 , and the transport robot 320 may be movably provided on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 322 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other in the third direction 96 . The buffer unit 200 has an open front face and a rear face. The front side is a side facing the index module 10 , and the rear side is a side facing the conveying device 300 . The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear side.

도 2는 도 1의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 유닛(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing apparatus 400 of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the liquid processing apparatus 400 includes a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a liquid supply unit 460 , an elevation unit 480 , and a controller 40 . The controller 40 controls operations of the liquid supply unit 460 , the support unit 440 , and the lifting unit 480 . The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420 , the support unit 440 , and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리공간을 가지고, 기판(W)은 처리공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate (W). The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers (422, 424, 426). The recovery barrels 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering a liquid used for substrate processing. Each of the collection bins 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . During the liquid treatment process, the pretreatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each of the collection tubes 422 , 424 , and 426 . According to an example, the cup 420 includes a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first waste container 422 is disposed to surround the support unit 440 , the second waste container 424 is disposed to surround the first waste container 422 , and the third waste container 426 is the second waste container 426 . It is disposed so as to surround the recovery container (424). The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection tube 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection tube 422, and the third collection tube 426. The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A support pin 442a for supporting the rear surface of the substrate W is provided in the central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has an upper end of the support plate (W) spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442) is provided to protrude from. A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 .

척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 , and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driver 446 , is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 based on the central axis thereof.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. According to an example, the liquid supply unit 460 has a first nozzle 462 , a second nozzle 464 , and a third nozzle 466 . The first nozzle 462 supplies the first liquid onto the substrate W. The first liquid may be a liquid that removes a film or foreign material remaining on the substrate W. The second nozzle 464 supplies the second liquid onto the substrate W. The second liquid may be a liquid that is well soluble in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that is more soluble in the third liquid than the first liquid. The second liquid may be a liquid for neutralizing the first liquid supplied on the substrate (W). In addition, the second solution may be a solution that neutralizes the first solution and at the same time is more soluble in the third solution than the first solution.

일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다. According to an example, the second liquid may be water. The third nozzle 466 supplies the third liquid onto the substrate W. The third liquid may be a liquid that is well soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 . For example, the third liquid may be a liquid that is more soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 than the second liquid. According to an example, the third liquid may be an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). According to an example, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다. The first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 are supported on different arms 461 , and these arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 up and down. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . Accordingly, since the recovery tanks 422 , 424 , and 426 for recovering the pre-treatment solution are changed according to the type of the liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and collected. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

도 3은 도 1의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 IPA이다. 초임계 장치(500)에 초임계 유체가 공급되어 기판(W) 상의 IPA를 용해시켜 기판(W)으로부터 증발시킴에 따라 기판(W)을 건조시킬 수 있다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the supercritical device 500 of FIG. 1 . According to an embodiment, the supercritical device 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is IPA. The supercritical fluid is supplied to the supercritical device 500 to dissolve the IPA on the substrate W and evaporate from the substrate W, thereby drying the substrate W.

초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.The supercritical device 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 supplies the supercritical fluid on the substrate to dissolve the IPA on the substrate W in the supercritical fluid to remove the IPA from the substrate W.

도 3을 참조하면, 초임계 장치(500)는 공정챔버(520), 유체 공급유닛(560), 지지 유닛(580), 진동 유닛(540) 그리고 배기 라인(550)을 포함한다.Referring to FIG. 3 , the supercritical device 500 includes a process chamber 520 , a fluid supply unit 560 , a support unit 580 , a vibration unit 540 , and an exhaust line 550 .

공정챔버(520)는 세정 공정이 수행되는 처리공간(502)을 제공한다. 공정챔버(520)는 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)을 가지며, 상부 하우징(522)과 하부 하우징(524)은 서로 조합되어 상술한 처리공간(502)을 제공한다. 상부 하우징(522)은 하부 하우징(524)의 상부에 제공된다. The process chamber 520 provides a processing space 502 in which a cleaning process is performed. The process chamber 520 has an upper housing 522 and a lower housing 524 , and the upper housing 522 and the lower housing 524 are combined with each other to provide the processing space 502 described above. The upper housing 522 is provided on top of the lower housing 524 .

상부 하우징(522)은 그 위치가 고정되고, 하부 하우징(524)은 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)으로부터 이격되면 처리공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. The position of the upper housing 522 is fixed, and the lower housing 524 may be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder. When the lower housing 524 is spaced apart from the upper housing 522 , the processing space 502 is opened, and the substrate W is loaded or unloaded at this time.

공정 진행시에는 하부 하우징(524)이 상부 하우징(522)에 밀착되어 처리공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정챔버(520)의 벽 내부에는 히터(570)가 제공된다. 히터(570)는 공정챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정챔버(520)의 처리공간(502)을 가열한다. 처리공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.During the process, the lower housing 524 is in close contact with the upper housing 522 so that the processing space 502 is sealed from the outside. A heater 570 is provided inside the wall of the process chamber 520 . The heater 570 heats the processing space 502 of the process chamber 520 so that the fluid supplied into the inner space of the process chamber 520 maintains a supercritical state. An atmosphere of the supercritical fluid is formed inside the processing space 502 .

지지 유닛(580)는 공정챔버(520)의 처리공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정챔버(520)의 처리공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 유닛(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛(580)에 의해 지지된다. The support unit 580 supports the substrate W in the processing space 502 of the process chamber 520 . The substrate W loaded into the processing space 502 of the process chamber 520 is placed on the support unit 580 . According to an example, the substrate W is supported by the support unit 580 so that the pattern surface faces upward.

유체 공급유닛(560)은 공정챔버(520)의 처리공간(502)으로 기판 처리를 위한 초임계 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564) 그리고 하부 공급 라인(566)을 가진다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 상부 공급 라인(564)은 상부 하우징(522)의 중앙에 결합될 수 있다. 일 예에 의하면, 하부 공급 라인(566)은 하부 하우징(524)에 결합될 수 있다. 또한, 하부 하우징(524)에는 배기 라인이 결합된다. 공정챔버(520)의 처리공간(502) 내의 유체는 배기 라인을 통해서 공정챔버(520)의 외부로 배기된다.The fluid supply unit 560 supplies a supercritical fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520 . According to an example, the fluid supply unit 560 has a main supply line 562 , an upper supply line 564 , and a lower supply line 566 . The upper supply line 564 and the lower supply line 566 branch from the main supply line 562 . The upper supply line 564 may be coupled to the center of the upper housing 522 . In one example, the lower supply line 566 may be coupled to the lower housing 524 . In addition, an exhaust line is coupled to the lower housing 524 . The fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 is exhausted to the outside of the process chamber 520 through an exhaust line.

진동유닛(540)은 공급유닛(560)에서 공급되는 초임계 상태의 유체에 진동을 인가할 수 있다. 진동유닛(540)에 대해서는 도 4를 참조하여 보다 상세하게 설명한다. The vibration unit 540 may apply vibration to the fluid in a supercritical state supplied from the supply unit 560 . The vibration unit 540 will be described in more detail with reference to FIG. 4 .

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 진동유닛(540)을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the vibration unit 540 according to an embodiment of the present invention.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 진동유닛(540)이 기판 처리 장치에 포함되는 구성을 나타내는 사시도이고, 도 4b는 도 4a를 보다 확대한 도면이다. 4A is a perspective view illustrating a configuration in which a vibration unit 540 is included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is an enlarged view of FIG. 4A .

도 4를 참조하면, 진동유닛(540)은 초음파를 발생시키는 초음파 발생 부재(541), 초음파 발생 부재를 지지하는 받침 부재(542), 그리고 진동유닛(540)과 연결되는 제어부(543)를 포함할 수 있다. 도 4를 참조하면, 진동유닛(540)은 지지유닛(580)의 측부에 배치될 수 있다. 일 예시에 따르면 진동유닛(540)은 복수 개로 제공될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the vibration unit 540 includes an ultrasonic wave generating member 541 for generating ultrasonic waves, a support member 542 for supporting the ultrasonic wave generating member, and a controller 543 connected to the vibrating unit 540 . can do. Referring to FIG. 4 , the vibration unit 540 may be disposed on the side of the support unit 580 . According to an example, a plurality of vibration units 540 may be provided.

일 예시에 따르면 초음파 발생 부재(541)는 복수 개의 노즐을 포함할 수 있다. 복수 개의 노즐에서는 초음파가 발생될 수 있다. 받침 부재(542)는 복수 개의 노즐을 포함하는 초음파 발생 부재(541)를 지지할 수 있으며, 받침 부재(542)는 지지 유닛(580)의 측면에 끼워질 수 있는 크기 및 형상으로 제공될 수 있다. According to an example, the ultrasonic wave generating member 541 may include a plurality of nozzles. Ultrasonic waves may be generated from the plurality of nozzles. The support member 542 may support the ultrasonic wave generating member 541 including a plurality of nozzles, and the support member 542 may be provided in a size and shape that can be fitted to the side surface of the support unit 580 . .

본 발명에서는, 기판을 처리하는 장치 내에서, 웨이퍼(W)를 지지하는 가이드부에 초음파 진동을 가하여, 웨이퍼의 상부 치환액과 초임계 유체(CO2)와의 반응속도를 증가시킬 수 있다. In the present invention, in the apparatus for processing the substrate, ultrasonic vibration is applied to the guide part supporting the wafer W, thereby increasing the reaction rate of the upper replacement liquid of the wafer and the supercritical fluid (CO 2 ).

본 발명에 따르면, 제어부(543)는 진동유닛(540)에서 초음파가 발생되는 시점을 조절할 수 있다. 일 예시에 따르면, 제어부(543)는 공급유닛(560)에서 초임계 상태의 유체가 공급되는 시점과 동시에 초음파가 발생할 수 있도록 제어할 수 있다. 일 예시에 따르면 초임계 상태의 유체는 이산화탄소일 수 있다. According to the present invention, the control unit 543 may control the timing at which ultrasonic waves are generated from the vibration unit 540 . According to an example, the control unit 543 may control the supply unit 560 to generate ultrasonic waves at the same time as when the fluid in the supercritical state is supplied. According to an example, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

본 발명에 따르면, 베셀(Vessel) 내의 웨이퍼의 그립 부에서 초음파 진동을 발생할 수 있도록 제어할 수 있다. 이를 통해 반응성을 높일 수 있다. According to the present invention, it is possible to control the ultrasonic vibration to be generated in the grip part of the wafer in the vessel. In this way, the reactivity can be increased.

본 발명에서는 초음파 진동으로 웨이퍼의 상부 치환액의 표면 텐션(Surface Tension)을 감소시킴으로써, 초임계 유체인 이산화탄소와의 반응속도를 증가시킬 수 있다. 일 예시에 따르면, 마란고니 효과(Marangoni Effect)로 인해 액체와 기체가 맞닿는 표면적이 클수록 증발율이 커지게 된다. 따라서, 초음파 진동 인가를 통해 공정 시간을 단축시킬 수 있고, 웨이퍼의 에지 영역에서 발생할 수 있는 파티클을 감소시킬 수 있다. In the present invention, by reducing the surface tension (Surface Tension) of the upper replacement liquid of the wafer by ultrasonic vibration, it is possible to increase the reaction rate with the supercritical fluid carbon dioxide. According to one example, the greater the surface area where the liquid and the gas contact due to the Marangoni Effect, the greater the evaporation rate. Accordingly, it is possible to shorten the process time through the application of ultrasonic vibration and to reduce particles that may be generated in the edge region of the wafer.

본 발명의 다른 일 예시에 따른 기판을 처리하는 방법이 개시된다,A method of processing a substrate according to another example of the present invention is disclosed,

이 때 인가하는 진동은 초음파 진동이며, 초임계 상태의 유체의 처리와 상기 진동의 인가는 동시에 진행될 수 있다. The vibration applied at this time is ultrasonic vibration, and the processing of the fluid in the supercritical state and the application of the vibration may proceed simultaneously.

기존의 경우, ESU Chamber에서 팅(Wetting) 후 DSV Chamber로 이송하며, DSV 내부를 가압 후 펄스 진행을 수행하고, 그 후 웨이퍼를 반출한다. In the conventional case, after wetting in the ESU Chamber, it is transferred to the DSV Chamber, the inside of the DSV is pressurized, the pulse is processed, and the wafer is then taken out.

본 발명에 따르면, ESU Chamber에서 팅(Wetting) 후 DSV Chamber로 이송하며, DSV 내부를 가압 후 펄스 진행을 수행하며, 이와 동시에 초음파 진동을 인가할 수 있다. 이를 통해 공정 시간 단축 및 빠른 치환으로 파티클을 감소시킬 수 있다. According to the present invention, after Ÿ‡ wetting in the ESU Chamber, it is transferred to the DSV Chamber, the inside of the DSV is pressurized, and the pulse is processed, and at the same time, ultrasonic vibration can be applied. Through this, it is possible to reduce particles by shortening the process time and fast displacement.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

500: 초임계 장치
560: 유체 공급유닛
540: 진동유닛500: supercritical device
560: fluid supply unit
540: vibration unit

Claims

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a chamber having a processing space therein;
a support unit for supporting the substrate in the processing space;
a supply unit for supplying the fluid in a supercritical state to the processing space;
an exhaust unit exhausting the inside of the processing space; and
and a vibration unit for applying vibration to the fluid in a supercritical state supplied from the supply unit.

According to claim 1,
The vibration unit is a substrate processing apparatus for applying ultrasonic vibration.

3. The method of claim 2,
The vibration unit is a substrate processing apparatus disposed on the side of the support unit.

4. The method of claim 3,
A substrate processing apparatus in which the vibration unit is provided in plurality.

3. The method of claim 2,
The vibration unit is
an ultrasonic wave generating member for generating ultrasonic waves; and
and a support member supporting the ultrasonic wave generating member.

6. The method according to any one of claims 2 to 5,
Further comprising; a control unit connected to the vibration unit;
The control unit is a substrate processing apparatus for controlling a time point at which ultrasonic waves are generated from the vibration unit.

7. The method of claim 6,
The control unit is
A substrate processing apparatus for controlling the ultrasonic wave to be generated at the same time when the supercritical fluid is supplied from the supply unit.

8. The method of claim 7,
The supercritical fluid is carbon dioxide.

A method of processing a substrate, comprising:
A processing step of treating the residue on the substrate with a fluid in a supercritical state in a processing space in the chamber,
and applying vibration to the fluid in the supercritical state in the processing step.

10. The method of claim 9,
wherein the vibration is ultrasonic vibration.

11. The method of claim 10,
A substrate processing method in which the processing of the supercritical fluid and the application of the vibration are simultaneously performed.

12. The method according to any one of claims 9 to 11,
The substrate processing method wherein the fluid in the supercritical state is carbon dioxide.