KR102387280B1

KR102387280B1 - Apparatus and method for treating substrate

Info

Publication number: KR102387280B1
Application number: KR1020190161310A
Authority: KR
Inventors: 최기훈; 허찬영; 강기문
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2019-12-06
Filing date: 2019-12-06
Publication date: 2022-04-18
Also published as: KR20210072177A

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛; 그리고, 제1바디 또는 제2바디를 구동하는 구동기를 포함하되, 유체 공급 유닛은 제1바디 또는 제2바디 중 어느 하나에만 연결되며, 구동기는, 유체 공급 유닛이 연결되지 않은 제1바디 또는 제2바디 중 어느 하나를 승강 또는 하강시킬 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, the first body and the second body is combined with each other to form a processing space for processing a substrate therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a fluid supply unit supplying a fluid to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit that exhausts the processing space; And, it includes a actuator for driving the first body or the second body, the fluid supply unit is connected only to any one of the first body or the second body, and the actuator includes the first body or the second body to which the fluid supply unit is not connected. Either one of the two bodies can be raised or lowered.

Description

Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to a substrate processing apparatus and method for processing a substrate using a supercritical fluid.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 세정 공정, 건조 고정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a wafer. Specifically, the semiconductor device is manufactured by forming a fine circuit pattern on the upper surface of the substrate by performing a deposition process, a photolithography process, a cleaning process, a dry fixing process, an etching process, and the like.

일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.In general, the cleaning process is a chemical treatment to remove foreign substances on the substrate by supplying chemicals to the substrate, a rinse treatment to remove chemicals remaining on the substrate by supplying pure water to the substrate, and a drying treatment to remove the pure water remaining on the substrate. includes

기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.A supercritical fluid is used for the drying treatment of the substrate. According to one example, after replacing the pure water on the substrate with the organic solvent, the supercritical fluid is supplied to the upper surface of the substrate in the high pressure chamber to dissolve the organic solvent remaining on the substrate in the supercritical fluid to remove it from the substrate. When isopropyl alcohol (hereinafter, IPA) is used as the organic solvent, carbon dioxide (CO2), which has relatively low critical temperature and critical pressure, and in which IPA is well dissolved, is used as the supercritical fluid.

초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다.The processing of the substrate using the supercritical fluid is as follows. When the substrate is loaded into the high-pressure chamber, carbon dioxide in a supercritical state is supplied into the high-pressure chamber to pressurize the inside of the high-pressure chamber, and then the substrate is treated with the supercritical fluid while repeating the supply of the supercritical fluid and the exhaust of the high-pressure chamber. And when the processing of the substrate is completed, the pressure is reduced by evacuating the inside of the high-pressure chamber.

도 1은 종래의 초임계를 이용한 기판 처리 장치(5)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 공정에서는, 기판(W)이 놓이는 처리 공간(50)으로 유체 공급 유닛(56)이 초임계 유체를 공급한다.1 shows a substrate processing apparatus 5 using a conventional supercriticality. Referring to FIG. 1 , in the conventional drying process of a substrate using a supercritical fluid, a fluid supply unit 56 supplies a supercritical fluid to a processing space 50 in which a substrate W is placed.

공정 챔버(55)는 상부 챔버(52)와 하부 챔버(54)를 가진다. 상부 챔버(52)와 하부 챔버(54)는 조합되어 처리 공간(50)을 형성한다. 유체 공급 유닛(56)은, 메인 공급 라인(58)과 메인 공급 라인(58)으로부터 분기되는 상부 공급 라인(59) 그리고 하부 공급 라인(57)을 갖는다. 상부 공급 라인(59)은 상부 챔버(52)에 연결되고, 하부 공급 라인(57)은 하부 챔버(54)에 연결된다. 상부 챔버(52) 또는 하부 챔버(55)는 구동 부재(미도시)에 의해 승하강된다. 이에, 상부 공급 라인(59)과 하부 공급 라인(57)을 연결하기 위해서는 상하로 유동성을 갖는 플렉서블 튜브(Flexible tube)를 사용해야 한다.The process chamber 55 has an upper chamber 52 and a lower chamber 54 . Upper chamber 52 and lower chamber 54 combine to form processing space 50 . The fluid supply unit 56 has a main supply line 58 and an upper supply line 59 and a lower supply line 57 branching from the main supply line 58 . The upper supply line 59 is connected to the upper chamber 52 , and the lower supply line 57 is connected to the lower chamber 54 . The upper chamber 52 or the lower chamber 55 is raised and lowered by a driving member (not shown). Accordingly, in order to connect the upper supply line 59 and the lower supply line 57, a flexible tube having fluidity in the vertical direction must be used.

그러나, 플렉서블 튜브는, 반복적인 사용에 따라 내구성이 약화되는 문제가 있다. 또한, 플렉서블 튜브는 상하로 유동되는 과정에서 파티클을 발생시키는 문제가 있다. However, the flexible tube has a problem in that durability is weakened according to repeated use. In addition, the flexible tube has a problem of generating particles in the process of flowing up and down.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 시에 유체 공급 유닛을 단순화하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for simplifying a fluid supply unit when processing a substrate using a supercritical fluid.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 시에 유체 공급 유닛에서 발생되는 파티클을 최소화하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for minimizing particles generated from a fluid supply unit when processing a substrate using a supercritical fluid.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 시에 기판에 데미지를 최소화하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for minimizing damage to a substrate when processing the substrate using a supercritical fluid.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 형성하는 제1바디 및 제2바디와; 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 지지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과; 처리 공간을 배기하는 배기 유닛; 그리고, 제1바디 또는 제2바디를 구동하는 구동부재를 포함하되, 유체 공급 유닛은 제1바디 또는 제2바디 중 어느 하나에만 연결되며, 구동부재는, 유체 공급 유닛이 연결되지 않은 제1바디 또는 제2바디 중 어느 하나를 승강 또는 하강시킬 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. In one embodiment, the first body and the second body is combined with each other to form a processing space for processing a substrate therein; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a fluid supply unit supplying a fluid to the substrate supported by the support unit; an exhaust unit exhausting the processing space; and a driving member for driving the first body or the second body, wherein the fluid supply unit is connected to only one of the first body or the second body, and the driving member includes the first body to which the fluid supply unit is not connected. Alternatively, any one of the second body may be raised or lowered.

일 실시 예에 있어서, 제2바디는 제1바디의 하부에 위치하며, 유체 공급 유닛은 제2바디에 연결될 수 있다.In an embodiment, the second body may be positioned below the first body, and the fluid supply unit may be connected to the second body.

일 실시 예에 있어서, 배기 유닛은 제2바디에 연결될 수 있다.In an embodiment, the exhaust unit may be connected to the second body.

일 실시 예에 있어서, 지지 유닛은 유체 공급 유닛이 처리 공간으로 유체를 토출하는 토출단보다 상부에서 기판을 지지하도록 제공될 수 있다.In an embodiment, the support unit may be provided to support the substrate above the discharge end at which the fluid supply unit discharges the fluid to the processing space.

일 실시 예에 있어서, 유체는 초임계 유체를 포함할 수 있다.In an embodiment, the fluid may include a supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시 예에 있어서, 처리 공간으로 기판을 반입하고, 기판의 패턴면이 상부를 향하도록 처리 공간에서 기판을 지지하고, 처리 공간으로 유체를 공급하여 유체로 기판을 처리하되, 유체의 공급은 기판보다 아래 영역에서만 이루어질 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. In an embodiment, the substrate is loaded into the processing space, the substrate is supported in the processing space so that the pattern surface of the substrate faces upward, and the fluid is supplied to the processing space to process the substrate with the fluid, but the supply of the fluid is the substrate. It can only be done in the lower area.

일 실시 예에 있어서, 기판은 그 상면에 유기용제가 잔류한 상태로 처리 공간으로 반입되고, 처리 공간에서 초임계 상태의 유체에 의해 기판 상에서 유기용제가 제거될 수 있다.In an embodiment, the substrate may be loaded into the processing space with the organic solvent remaining on its upper surface, and the organic solvent may be removed from the substrate by the supercritical fluid in the processing space.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 시에 유체 공급 유닛을 단순화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the fluid supply unit can be simplified when a substrate is processed using a supercritical fluid.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 시에 유체 공급 유닛에서 발생되는 파티클을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize particles generated from the fluid supply unit when the substrate is processed using the supercritical fluid.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 시에 기판에 데미지를 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, damage to the substrate can be minimized when the substrate is processed using the supercritical fluid.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유체 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6 내지 도 8은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타내는 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing apparatus of FIG. 2 .
4 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the supercritical device of FIG. 2 .
5 is a diagram schematically illustrating a fluid supply unit according to an embodiment of the present invention.
6 to 8 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , the substrate processing system includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller (not shown). According to an embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 92 , and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as a second direction 94 . and a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96 .

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is accommodated to the processing module 20 , and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80 . to be stored with The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . With reference to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 . The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed in the load port 12 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The index frame 14 is provided with an index robot 120 . A guide rail 140 having a longitudinal direction in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 122 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a conveying device 300 , a liquid processing device 400 , and a supercritical device 500 . The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W unloaded from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing apparatus 400 performs a liquid processing process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The supercritical device 500 performs a drying process to remove the liquid remaining on the substrate (W). The transfer apparatus 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 , the liquid processing apparatus 400 , and the supercritical apparatus 500 .

반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transport device 300 may be provided in a first direction 92 in its longitudinal direction. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transport device 300 . The liquid processing device 400 and the supercritical device 500 may be disposed on the side of the transport device 300 . The liquid processing apparatus 400 and the conveying apparatus 300 may be disposed along the second direction 94 . The supercritical device 500 and the transport device 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer device 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.According to an example, the liquid processing apparatuses 400 are disposed on both sides of the conveying apparatus 300 , the supercritical apparatuses 500 are disposed on both sides of the conveying apparatus 300 , and the liquid processing apparatuses 400 are supercritical It may be disposed at a location closer to the buffer unit 200 than the devices 500 . On one side of the conveying apparatus 300, the liquid processing apparatuses 400 may be provided in an A X B (A and B each is 1 or a natural number greater than 1) arrangement along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. there is. In addition, the supercritical devices 500 on one side of the conveying device 300 are provided along the first direction 92 and the third direction 96, respectively, C X D (C and D are each a natural number greater than 1 or 1). can Unlike the above, only the liquid processing apparatuses 400 may be provided on one side of the conveying apparatus 300 , and only the supercritical apparatuses 500 may be provided on the other side of the conveying apparatus 300 .

반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer device 300 includes a transfer robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transport device 300 , and the transport robot 320 may be movably provided on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 322 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other in the third direction 96 . The buffer unit 200 has an open front face and a rear face. The front side is a side facing the index module 10 , and the rear side is a side facing the conveying device 300 . The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear side.

도 3은 도 2의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 유닛(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing apparatus 400 of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , the liquid processing apparatus 400 includes a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a liquid supply unit 460 , an elevation unit 480 , and a controller 40 . The controller 40 controls operations of the liquid supply unit 460 , the support unit 440 , and the lifting unit 480 . The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420 , the support unit 440 , and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate (W). The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers (422, 424, 426). The recovery barrels 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering a liquid used for substrate processing. Each of the collection bins 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . During the liquid treatment process, the pretreatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each of the collection tubes 422 , 424 , and 426 . According to an example, the cup 420 includes a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first waste container 422 is disposed to surround the support unit 440 , the second waste container 424 is disposed to surround the first waste container 422 , and the third waste container 426 is the second waste container 426 . It is disposed so as to surround the recovery container (424). The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection tube 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection tube 422, and the third collection tube 426. The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A support pin 442a for supporting the rear surface of the substrate W is provided in the central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has an upper end of the support plate (W) spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442) is provided to protrude from. A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 .

척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동부재(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다. The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 , and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driving member 446 , is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 based on the central axis thereof.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다.According to an example, the liquid supply unit 460 has a first nozzle 462 , a second nozzle 464 , and a third nozzle 466 . The first nozzle 462 supplies the first liquid onto the substrate W. The first liquid may be a liquid that removes a film or foreign material remaining on the substrate W. The second nozzle 464 supplies the second liquid onto the substrate W. The second liquid may be a liquid that is well soluble in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that is more soluble in the third liquid than the first liquid. The second liquid may be a liquid for neutralizing the first liquid supplied on the substrate (W). In addition, the second solution may be a solution that neutralizes the first solution and at the same time is more soluble in the third solution than the first solution.

일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다. According to an example, the second liquid may be water. The third nozzle 466 supplies the third liquid onto the substrate W. The third liquid may be a liquid that is well soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 . For example, the third liquid may be a liquid that is more soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 than the second liquid. According to an example, the third liquid may be an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). According to an example, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다. The first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 are supported on different arms 461 , and these arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리 회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 up and down. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . Accordingly, since the recovery tanks 422 , 424 , and 426 for recovering the pre-treatment solution are changed according to the type of the liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and recovered. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

도 4는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.4 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the supercritical device 500 of FIG. 2 . According to an embodiment, the supercritical device 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 supplies the supercritical fluid on the substrate to dissolve the IPA on the substrate W in the supercritical fluid to remove the IPA from the substrate W.

초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 유체 공급 유닛(560), 지지 유닛(580), 구동부재(590) 그리고 배기 유닛(550)을 포함한다.The supercritical device 500 includes a process chamber 520 , a fluid supply unit 560 , a support unit 580 , a driving member 590 , and an exhaust unit 550 .

공정 챔버(520)는 초임계 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 공정 챔버(520)는 제1바디(522)와 제2바디(524)를 가지며, 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(522)는 제2바디(524)의 상부에 제공된다. 제1바디(522)가 제2바디(524)으로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다.The process chamber 520 provides a processing space 502 in which a supercritical process is performed. The process chamber 520 has a first body 522 and a second body 524 , and the first body 522 and the second body 524 are combined with each other to provide the above-described processing space 502 . In one example, the first body 522 is provided on the second body 524 . When the first body 522 is spaced apart from the second body 524 , the processing space 502 is opened, and at this time, the substrate W is loaded or unloaded.

공정 진행시에는 제1바디(522)와 제2바디(524)가 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(570)가 제공된다. 히터(570)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.During the process, the first body 522 and the second body 524 are in close contact so that the processing space 502 is sealed from the outside. A heater 570 is provided inside the wall of the process chamber 520 . The heater 570 heats the processing space 502 of the process chamber 520 so that the fluid supplied into the internal space of the process chamber 520 maintains a supercritical state. An atmosphere of the supercritical fluid is formed inside the processing space 502 .

유체 공급 유닛(560)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 기판 처리를 위한 초임계 유체를 공급한다. 일 예에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이, 유체 공급 유닛(560)은, 리저버(561), 제1밸브(563), 제1히터(564), 제1필터(565), 제2히터(566), 제2필터(567), 제2밸브(568) 그리고 공급 라인(562)을 가진다.The fluid supply unit 560 supplies a supercritical fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520 . According to an example, as shown in FIG. 5 , the fluid supply unit 560 includes a reservoir 561 , a first valve 563 , a first heater 564 , a first filter 565 , and a second heater. 566 , a second filter 567 , a second valve 568 , and a supply line 562 .

리저버(561)는 유체 공급원(미도시)과 연결되어 유체 공급원으로부터 이산화탄소를 공급받는다. 유체 공급원은 탱크, 또는 공정 챔버와 연결된 순환라인을 포함할 수 있다. 제1밸브(563)는 리저버(561)로부터 제1히터(564)로 공급되는 이산화탄소의 유량을 조절한다. 제1히터(564)와 제2히터(566)는 이산화탄소가 초임계 상태가 되도록 이산화탄소를 가열한다. 제1필터(565)와 제2필터(567)는 각각 제1히터(564), 제2히터(566)를 거친 이산화탄소 내부의 파티클을 여과한다. 제2밸브(568)는 처리 공간(502)으로 공급되는 이산화탄소의 유량을 조절한다. The reservoir 561 is connected to a fluid supply source (not shown) to receive carbon dioxide from the fluid supply source. The fluid source may include a tank or a circulation line connected to the process chamber. The first valve 563 controls the flow rate of carbon dioxide supplied from the reservoir 561 to the first heater 564 . The first heater 564 and the second heater 566 heat the carbon dioxide so that the carbon dioxide becomes a supercritical state. The first filter 565 and the second filter 567 filter the particles in the carbon dioxide that have passed through the first heater 564 and the second heater 566, respectively. The second valve 568 controls a flow rate of carbon dioxide supplied to the processing space 502 .

일 예에 의하면, 공급 라인(562)은 제2바디(524)의 중앙에 결합된다. 이에, 공급 라인(562)을 통해 기판(W)의 저면으로 초임계 유체가 공급된다. 공급 라인(562)의 끝단에는 제2바디(524)를 통해 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 토출하는 토출단(526)이 제공된다.According to an example, the supply line 562 is coupled to the center of the second body 524 . Accordingly, the supercritical fluid is supplied to the bottom surface of the substrate W through the supply line 562 . A discharge end 526 for discharging the supercritical fluid to the processing space 502 through the second body 524 is provided at the end of the supply line 562 .

지지 유닛(580)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 유닛(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛(580)에 의해 지지된다. 일 예에서, 지지 유닛(580)은 토출단보다 상부에서 기판(W)을 지지한다. 예컨대, 지지 유닛(580)은 제1바디(522)에 결합되어, 처리 공간(502)의 상부에서 기판(W)을 지지하도록 제공된다.The support unit 580 supports the substrate W in the processing space 502 of the process chamber 520 . The substrate W loaded into the processing space 502 of the process chamber 520 is placed on the support unit 580 . According to an example, the substrate W is supported by the support unit 580 so that the pattern surface faces upward. In one example, the support unit 580 supports the substrate W above the discharge end. For example, the support unit 580 is coupled to the first body 522 and is provided to support the substrate W in the upper portion of the processing space 502 .

구동부재(590)는 공정 챔버(520)가 개방 위치 또는 닫힘 위치로 이동되도록 제1바디(522) 및 제2바디(524) 중 어느 하나를 승하강시킨다. 일 예에서, 구동부재(590)는 실린더로 제공될 수 있다. 여기서 개방 위치는 제1바디(522) 및 제2바디(524)가 서로 이격되는 위치이고, 닫힘 위치는 서로 마주하는 제1바디(522) 및 제2바디(524)의 밀착면이 서로 밀착되는 위치이다. 즉 개방 위치에서 처리 공간(502)은 외부로부터 개방되고, 닫힘 위치에서 처리 공간(502)이 닫혀진다. The driving member 590 raises and lowers any one of the first body 522 and the second body 524 so that the process chamber 520 moves to the open position or the closed position. In one example, the driving member 590 may be provided as a cylinder. Here, the open position is a position where the first body 522 and the second body 524 are spaced apart from each other, and the closed position is a position where the contact surfaces of the first body 522 and the second body 524 facing each other are in close contact with each other. is the location That is, in the open position, the processing space 502 is opened from the outside, and in the closed position, the processing space 502 is closed.

일 예에서, 구동부재(590)는 유체 공급 유닛(560)이 연결되지 않은 제1바디(522) 또는 제2바디(524) 중 어느 하나를 승강 또는 하강시킨다. 예컨대, 유체 공급 유닛(560)이 제2바디(524)에 연결되고, 제1바디(522)가 구동부재(590)에 의해 승하강되며, 제2바디(524)는 그 위치가 고정되도록 제공된다.In one example, the driving member 590 raises or lowers any one of the first body 522 and the second body 524 to which the fluid supply unit 560 is not connected. For example, the fluid supply unit 560 is connected to the second body 524, the first body 522 is raised and lowered by the driving member 590, and the second body 524 is provided so that its position is fixed. do.

또한, 제2바디(524)에는 배기 유닛(550)이 결합된다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 유닛(550)을 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배기된다. 배기 유닛(550)은, 배기 라인(552), 감압 부재(554) 그리고 배기 밸브(556)를 포함한다. 감압 부재(554)는 처리 공간(502)에 감압을 제공하여 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502)을 배기한다. 배기 밸브(556)는 감압 부재(554)로부터 처리 공간(502)으로 제공되는 감압을 온오프한다.In addition, the exhaust unit 550 is coupled to the second body 524 . The supercritical fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 is exhausted to the outside of the process chamber 520 through the exhaust unit 550 . The exhaust unit 550 includes an exhaust line 552 , a pressure reducing member 554 , and an exhaust valve 556 . The pressure reducing member 554 provides a pressure reduction to the processing space 502 to exhaust the processing space 502 through the exhaust line 552 . The exhaust valve 556 turns on/off the pressure reduction provided from the pressure reducing member 554 to the processing space 502 .

이하, 도 6 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8 .

먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1바디(522)와 제2바디(524)가 이격된 상태에서, 상면에 IPA가 잔류한 기판(W)을 처리 공간(502)으로 반입한다. 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛에 놓인다. First, as shown in FIG. 6 , in a state in which the first body 522 and the second body 524 are spaced apart, the substrate W on which the IPA remains on the upper surface is loaded into the processing space 502 . The substrate W is placed on the support unit so that the pattern surface faces upward.

기판(W)이 처리 공간(502)으로 반입되면, 도 7에 도시된 바와 같이 제1바디(522)가 구동부재(590)에 의해 하강하여 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 밀착되어 공정 챔버(520)를 밀폐시킨다. 제1바디(522)와 제2바디(524)가 닫힘 위치가 되면, 처리 공간(502)에 초임계 유체가 공급되어 처리 공간(502)을 가압한다. 일 예에서, 초임계 유체는 이산화탄소로 제공된다. 가압은 처리 공간(502)의 내부가 이산화탄소가 초임계 유체가 되는 임계 압력 또는 그 이상이 될 때까지 이루어진다. 초임계 유체는 기판(W) 보다 아래 영역에서만 공급된다. When the substrate W is loaded into the processing space 502 , as shown in FIG. 7 , the first body 522 is lowered by the driving member 590 to provide a first body 522 and a second body 524 . are in close contact with each other to seal the process chamber 520 . When the first body 522 and the second body 524 are in the closed positions, the supercritical fluid is supplied to the processing space 502 to press the processing space 502 . In one example, the supercritical fluid is provided as carbon dioxide. Pressurization is performed until the inside of the processing space 502 reaches a critical pressure or higher at which carbon dioxide becomes a supercritical fluid. The supercritical fluid is supplied only to an area lower than the substrate W.

초임계 유체를 처리 공간(502)으로 공급하여 초임계 유체로 기판을 처리한 후, 도 8에 도시된 바와 같이 처리 공간(502)을 배기하여 처리 공간(502)을 감압한다. 일 예에 의하면 감압은 처리 공간(502) 내부의 상압 또는 이와 유사한 압력이 될 때까지 이루어진다. 감압은 기판(W) 보다 아래 영역에서 이루어진다.After the supercritical fluid is supplied to the processing space 502 to treat the substrate with the supercritical fluid, as shown in FIG. 8 , the processing space 502 is exhausted to depressurize the processing space 502 . According to an example, the pressure reduction is performed until the pressure becomes normal pressure or a similar pressure inside the processing space 502 . The decompression is performed in an area lower than the substrate W.

감압이 완료되면, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1바디(522)가 구동부재(590)에 의해 상승됨에 따라 챔버가 개방되고, 기판이 처리 공간(502)에서 반출된다.When the decompression is completed, as shown in FIG. 6 , the chamber is opened as the first body 522 is raised by the driving member 590 , and the substrate is unloaded from the processing space 502 .

상술한 예에서는, 기판의 하부로 초임계 유체가 공급되고, 제1바디의 승하강에 의해 공정 챔버가 개폐되는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에서, 기판의 상부로 초임계 유체가 공급되고, 제2바디의 승하강에 의해 공정 챔버가 개폐될 수 있다. 이 때, 기판의 패턴면에 발생되는 데미지를 줄이기 위해 초임계 유체가 기판의 패턴면으로 직접 공급되는 것을 방지하기위한 차단판 등이 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the supercritical fluid is supplied to the lower portion of the substrate, and the process chamber is opened and closed by the elevation of the first body. However, in another example, the supercritical fluid may be supplied to the upper portion of the substrate, and the process chamber may be opened and closed by the elevation of the second body. In this case, a blocking plate for preventing the supercritical fluid from being directly supplied to the pattern surface of the substrate may be provided in order to reduce damage occurring on the pattern surface of the substrate.

상술한 예에서는, 처리 공간(502)을 가압하여 기판을 처리한 후에 감압이 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나, 다른 예에 의하면 처리 공간(502)을 가압하여 기판을 처리한 후에 처리 공간(502)을 가압 또는 감압하는 단계를 순차적으로 복수 회 반복 수행할 수 있다. In the above-described example, it has been described that the pressure reduction is performed after the substrate is processed by pressurizing the processing space 502 . However, according to another example, after the substrate is processed by pressurizing the processing space 502 , the step of pressurizing or depressurizing the processing space 502 may be sequentially and repeatedly performed a plurality of times.

본 발명에 의하면, 유체 공급 유닛(560)이 기판(W)의 저면으로 초임계 유체를 공급하고, 지지 유닛(580)이 토출단보다 상부에서 기판(W)을 지지함에 따라, 유체가 공급되는 과정에서 기판(W)의 패턴면으로 가해지는 충격이 최소화되는 이점이 있다.According to the present invention, as the fluid supply unit 560 supplies the supercritical fluid to the bottom surface of the substrate W, and the support unit 580 supports the substrate W above the discharge end, the fluid is supplied. There is an advantage in that the impact applied to the pattern surface of the substrate (W) in the process is minimized.

본 발명에 의하면, 유체 공급 유닛(560)이 기판(W)의 저면으로만 초임계 유체를 공급하고, 구동부재(590)는 유체 공급 유닛(560)이 연결되지 않은 제1바디(522) 또는 제2바디(524) 중 어느 하나를 승강 또는 하강하도록 제공됨에 따라, 기판의 상부 및 하부 모두로 초임계 유체를 공급하기 위해 필요한 플렉서블 튜브가 요구되지 않는다. 이에, 플렉서블 튜브의 반복적 사용에 의해 유체 공급 유닛의 내구성이 떨어지는 문제를 해결할 수 있는 이점이 있다. 또한, 플렉서블 튜브의 상하 유동에 의한 파티클이 발생되지 않는 이점이 있다.According to the present invention, the fluid supply unit 560 supplies the supercritical fluid only to the bottom surface of the substrate W, and the driving member 590 is the first body 522 or the first body 522 to which the fluid supply unit 560 is not connected. As any one of the second bodies 524 is provided to raise or lower, a flexible tube necessary for supplying the supercritical fluid to both the upper and lower portions of the substrate is not required. Accordingly, there is an advantage in that the durability of the fluid supply unit is deteriorated due to the repeated use of the flexible tube. In addition, there is an advantage in that particles are not generated by the vertical flow of the flexible tube.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

502: 처리 공간
520: 공정 챔버
522: 제1바디
524: 제2바디
550: 배기 유닛
560: 유체공급 유닛502: processing space
520: process chamber
522: first body
524: second body
550: exhaust unit
560: fluid supply unit

Claims

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a first body and a second body which are combined with each other to form a processing space for processing a substrate therein;
a support unit for supporting the substrate in the processing space;
a fluid supply unit supplying a fluid to the substrate supported by the support unit;
an exhaust unit exhausting the processing space; And,
Including; a driving member for driving the first body to be raised and lowered;
The second body is fixedly installed,
The fluid supply unit and the exhaust unit,
A substrate processing apparatus connected only to the second body among the first body and the second body.

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According to claim 1,
The support unit is provided to support the substrate above a discharge end from which the fluid supply unit discharges the fluid to the processing space.

5. The method of claim 1 or 4,
The fluid is a substrate processing apparatus including a supercritical fluid.

A method for processing a substrate using the apparatus of claim 4, comprising:
loading the substrate into the processing space, supporting the substrate in the processing space so that the pattern surface of the substrate faces upward, supplying a fluid into the processing space to process the substrate with the fluid,
The substrate processing method in which the supply of the fluid is performed only in an area lower than the substrate.

7. The method of claim 6,
The substrate is carried into the processing space with the organic solvent remaining on its upper surface,
The substrate processing method in which the organic solvent is removed from the substrate by the fluid in a supercritical state in the processing space.