KR20220094239A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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강기문
박현구
양효원
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention provides a device for processing a substrate. In one embodiment, the substrate processing device includes: a process chamber having a first body and a second body combined with each other to form a processing space in which a substrate is processed; a driver for moving the process chamber to an open position or a closed position; a support unit for supporting the substrate within the processing space; a fluid supply unit formed in the process chamber and including a supply pipe supplying fluid to the process space; and an exhaust unit including an exhaust pipe formed in the process chamber to exhaust the processing space. The supply pipe may be provided symmetrically with respect to the center point of the process chamber.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 유체 공급 유닛 및 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 초임계 유체를 공급하는 유체 공급 유닛과 이를 가지는 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a fluid supply unit and an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to a fluid supply unit for supplying a supercritical fluid and an apparatus for processing a substrate having the same.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 기판으로부터 제조한다. 구체적으로, 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정 등을 수행하여 기판의 상부면에 미세한 회로 패턴을 형성하여 제조된다. 상기의 공정들을 수행하면서 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 상부면에 각종 이물질이 부착되므로, 상기 공정들 사이에 기판 상의 이물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.In general, semiconductor devices are manufactured from a substrate such as a wafer. Specifically, the semiconductor device is manufactured by performing a deposition process, a photolithography process, an etching process, etc. to form a fine circuit pattern on the upper surface of the substrate. Since various foreign substances are attached to the upper surface of the substrate on which the circuit pattern is formed while performing the above processes, a cleaning process for removing foreign substances on the substrate is performed between the processes.

일반적으로 세정 공정은 케미칼을 기판에 공급하여 기판 상의 이물질을 제거하는 케미칼 처리, 순수를 기판에 공급하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 처리, 그리고 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하는 건조 처리를 포함한다.In general, the cleaning process is a chemical treatment to remove foreign substances on the substrate by supplying chemicals to the substrate, a rinse treatment to remove chemicals remaining on the substrate by supplying pure water to the substrate, and a drying treatment to remove the pure water remaining on the substrate. includes

기판의 건조 처리를 위해 초임계 유체가 사용된다. 일 예에 의하면, 기판 상의 순수를 유기용제로 치환한 다음, 고압 챔버 내에서 초임계 유체를 기판의 상부면에 공급하여 기판 상에 남아있는 유기용제를 초임계 유체에 용해시켜 기판으로부터 제거한다. 유기용제로 이소프로필알코올(isopropyl alcohol; 이하, IPA)이 사용되는 경우, 초임계 유체로는 임계 온도 및 임계 압력이 상대적으로 낮고, IPA가 잘 용해되는 이산화탄소(CO2)가 사용된다.A supercritical fluid is used for the drying treatment of the substrate. According to one example, after replacing the pure water on the substrate with the organic solvent, the supercritical fluid is supplied to the upper surface of the substrate in the high pressure chamber to dissolve the organic solvent remaining on the substrate in the supercritical fluid to remove it from the substrate. When isopropyl alcohol (hereinafter, IPA) is used as the organic solvent, carbon dioxide (CO2), which has relatively low critical temperature and critical pressure, and in which IPA is well dissolved, is used as the supercritical fluid.

초임계 유체를 이용한 기판의 처리는 다음과 같다. 기판이 고압 챔버 내로 반입되면, 고압 챔버 내로 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되어 고압 챔버 내부를 가압하고, 이후 초임계 유체의 공급 및 고압 챔버 내의 배기를 반복하면서 초임계 유체로 기판을 처리한다. 그리고 기판의 처리가 완료되면, 고압 챔버 내부를 배기하여 감압한다.The processing of the substrate using the supercritical fluid is as follows. When the substrate is loaded into the high-pressure chamber, carbon dioxide in a supercritical state is supplied into the high-pressure chamber to pressurize the inside of the high-pressure chamber, and then the substrate is treated with the supercritical fluid while repeating the supply of the supercritical fluid and the exhaust of the high-pressure chamber. And when the processing of the substrate is completed, the pressure is reduced by evacuating the inside of the high-pressure chamber.

도 1은 종래의 초임계를 이용한 기판 처리 장치(1)를 나타낸다. 도 1을 참조하면, 종래의 초임계를 이용한 기판의 건조 공정에서는, 기판(W)이 놓이는 처리 공간(2)으로 상부 유체 공급 유닛(40)과 하부 유체 공급 유닛(50)이 초임계 유체를 공급하고, 배기 유닛(60)이 처리 공간(2)을 배기한다.1 shows a substrate processing apparatus 1 using a conventional supercriticality. Referring to FIG. 1 , in the conventional drying process of a substrate using supercriticality, an upper fluid supply unit 40 and a lower fluid supply unit 50 provide a supercritical fluid to a processing space 2 in which a substrate W is placed. supply, and the exhaust unit 60 exhausts the processing space 2 .

공정 챔버(15)는 제1바디(11)와 제2바디(12)를 가진다. 제1바디(11)와 제2바디(12)는 조합되어 처리 공간(2)을 형성한다. 상부 유체 공급 유닛(40)과 하부 유체 공급 유닛(50)을 통해 처리 공간(2) 내로 공급되는 이산화탄소는 고온으로 제공된다. 처리 공간(2) 내로 공급되는 이산화탄소와 배기 유닛(60)에 의한 배기에 의해 처리 공간(2) 내의 기류가 형성된다.The process chamber 15 has a first body 11 and a second body 12 . The first body 11 and the second body 12 are combined to form a processing space 2 . Carbon dioxide supplied into the processing space 2 through the upper fluid supply unit 40 and the lower fluid supply unit 50 is provided at a high temperature. An airflow in the processing space 2 is formed by carbon dioxide supplied into the processing space 2 and exhaust by the exhaust unit 60 .

다만, 상부 공급관(41), 하부 공급관(51) 그리고 배기관(61) 중 어느 하나가 공정 챔버(15)의 중심점으로부터 어긋나게 제공되는 경우, 처리 공간(2) 내의 기류는 대칭적으로 형성되지 않는다. 이에 따라, 고온의 이산화탄소에 의한 기판의 처리가 기판의 전면에서 균일하지 못한 문제가 있다.However, when any one of the upper supply pipe 41 , the lower supply pipe 51 , and the exhaust pipe 61 is provided to be displaced from the center point of the process chamber 15 , the airflow in the processing space 2 is not symmetrically formed. Accordingly, there is a problem that the processing of the substrate by the high-temperature carbon dioxide is not uniform over the entire surface of the substrate.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 처리 공간 내에 대칭적인 기류를 형성할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of forming a symmetrical airflow in a processing space when processing a substrate using a supercritical fluid.

또한, 본 발명은, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 기판을 전면(全面)에서 고르게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of uniformly processing a substrate over the entire surface when processing a substrate using a supercritical fluid.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은, 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 일 예에서, 서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와; 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 공정 챔버에 형성되어 처리 공간으로 유체를 공급하는 공급관을 포함하는 유체 공급 유닛과; 공정 챔버에 형성되어 처리 공간을 배기하는 배기관을 포함하는 배기 유닛을 포함하고, 공급관은 공정 챔버의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. In one example, the substrate processing apparatus includes: a process chamber having a first body and a second body that are combined with each other to form a processing space in which a substrate is processed; an actuator for moving the process chamber to an open position or a closed position; a support unit for supporting the substrate in the processing space; a fluid supply unit formed in the process chamber and including a supply pipe supplying a fluid to the processing space; The process chamber may include an exhaust unit including an exhaust pipe for exhausting the processing space, and the supply pipe may be provided to be symmetrical with respect to a center point of the process chamber.

일 예에서, 배기관은 공정 챔버의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다.In one example, the exhaust pipe may be provided to be symmetrical with respect to a center point of the process chamber.

일 예에서, 공급관과 배기관은, 둘 중 어느 하나가 나머지 하나를 감싸는 형태로 제공될 수 있다.In one example, the supply pipe and the exhaust pipe may be provided in a form in which one of the two surrounds the other.

일 예에서, 공급관은 배기관을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.In one example, the supply pipe may be provided in a ring shape surrounding the exhaust pipe.

일 예에서, 배기관은 공정 챔버의 중심점에 제공되고, 공급관은 배기관을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다.In one example, the exhaust pipe may be provided at a central point of the process chamber, and the supply pipe may be provided to be symmetrical with respect to the exhaust pipe.

일 예에서, 공급관은 제1바디 또는 제2바디 중 적어도 어느 하나에 제공될 수 있다.In one example, the supply pipe may be provided in at least one of the first body and the second body.

일 예에서, 공급관은, 제1바디에 제공된 제1공급관과; 제2바디에 제공된 제2공급관을 포함할 수 있다.In one example, the supply pipe includes: a first supply pipe provided on the first body; It may include a second supply pipe provided on the second body.

일 예에서, 배기관은 제2바디에 제공될 수 있다.In one example, the exhaust pipe may be provided in the second body.

일 예에서, 제1바디는 제2바디의 상부에 제공될 수 있다.In one example, the first body may be provided on top of the second body.

일 예에서, 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛에 지지될 수 있다.In one example, the substrate may be supported by the support unit such that the pattern surface faces upward.

일 예에서, 유체는 초임계 유체로 제공될 수 있다.In one example, the fluid may be provided as a supercritical fluid.

또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 예에서, 공정 챔버의 내부로 초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 초임계 유체는 공정 챔버의 중심점에서 공급될 수 있다.The present invention also provides a method for processing a substrate. In one example, in a method of processing a substrate by supplying a supercritical fluid into the process chamber, the supercritical fluid may be supplied from a central point of the process chamber.

일 예에서, 공정 챔버 내부는 공정 챔버의 중심점에서 배기될 수 있다.In one example, the interior of the process chamber may be evacuated at a central point of the process chamber.

일 예에서, 공정 챔버는, 공정 챔버에 형성되어 공정 챔버의 내부로 초임계 유체를 공급하는 공급관과; 공정 챔버에 형성되어 공정 챔버의 내부를 배기하는 배기관을 포함하고, 공급관과 배기관은, 둘 중 어느 하나가 나머지 하나를 감싸는 형태로 제공될 수 있다.In one example, the process chamber includes: a supply pipe formed in the process chamber to supply a supercritical fluid into the process chamber; It is formed in the process chamber and includes an exhaust pipe for exhausting the inside of the process chamber, and the supply pipe and the exhaust pipe may be provided in a form in which one of the two surrounds the other.

일 예에서, 공급관은 배기관을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.In one example, the supply pipe may be provided in a ring shape surrounding the exhaust pipe.

일 예에서, 배기관은 공정 챔버의 중심점에 제공되고, 공급관은 배기관을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다.In one example, the exhaust pipe may be provided at a central point of the process chamber, and the supply pipe may be provided to be symmetrical with respect to the exhaust pipe.

일 예에서, 기판은 공정 챔버의 내부에 패턴면이 상부를 향하도록 놓일 수 있다.In one example, the substrate may be placed inside the process chamber so that the pattern surface faces upward.

일 예에서, 공급관은, 공정 챔버의 상부 또는 하부 중 적어도 어느 하나에 제공될 수 있다.In one example, the supply pipe may be provided in at least one of an upper portion or a lower portion of the process chamber.

일 예에서, 공급관은, 챔버의 하부에 제공될 수 있다.In one example, the supply pipe may be provided in the lower part of the chamber.

일 예에서, 배기관은, 공정 챔버의 하부에 제공될 수 있다.In one example, the exhaust pipe may be provided at a lower portion of the process chamber.

본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 처리 공간 내에 대칭적인 기류를 형성할 수 있다.In the present invention, when a substrate is processed using a supercritical fluid, a symmetrical airflow can be formed in the processing space.

또한, 본 발명은, 본 발명은 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리 시, 기판을 전면(全面)에서 고르게 처리할 수 있다.In addition, in the present invention, when the substrate is processed using a supercritical fluid, the substrate can be uniformly processed over the entire surface.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 액 처리 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1의 초임계 장치의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 제2바디의 단면도를 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 9는 내지 도 10은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2바디의 단면도를 보여주는 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a general substrate processing apparatus.
2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing apparatus of FIG. 2 .
4 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the supercritical device of FIG. 1 .
5 to 6 are views each showing a cross-sectional view of a second body according to an embodiment of the present invention.
7 to 8 are views illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
9 to 10 are views each showing a cross-sectional view of a second body according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the element in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 시스템은 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(미도시)를 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.2 is a plan view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2 , the substrate processing system includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller (not shown). According to an embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 92 , and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from the top is referred to as a second direction 94 . and a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96 .

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is accommodated to the processing module 20 , and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container 80 . to be stored with The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . With reference to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 . The container 80 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed in the load port 12 by an operator or a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The index frame 14 is provided with an index robot 120 . A guide rail 140 having a longitudinal direction in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 122 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 장치(300), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 장치(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 초임계 장치(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 장치(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 장치(400), 그리고 초임계 장치(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a conveying device 300 , a liquid processing device 400 , and a supercritical device 500 . The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W brought into the processing module 20 and the substrate W unloaded from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing apparatus 400 performs a liquid processing process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The supercritical device 500 performs a drying process to remove the liquid remaining on the substrate (W). The transfer apparatus 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 , the liquid processing apparatus 400 , and the supercritical apparatus 500 .

반송 장치(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 초임계 장치(500)는 반송 장치(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 장치(400)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 초임계 장치(500)와 반송 장치(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 장치(300)의 일단에 위치될 수 있다.The transport device 300 may be provided with a longitudinal direction in the first direction 92 . The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transport device 300 . The liquid processing device 400 and the supercritical device 500 may be disposed on the side of the transport device 300 . The liquid processing apparatus 400 and the conveying apparatus 300 may be disposed along the second direction 94 . The supercritical device 500 and the transport device 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer device 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 장치(400)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되고, 초임계 장치(500)들은 반송 장치(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 장치(400)들은 초임계 장치(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 장치(300)의 일측에서 액 처리 장치(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 장치(300)의 일측에서 초임계 장치(500)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 장치(300)의 일측에는 액 처리 장치(400)들만 제공되고, 그 타측에는 초임계 장치(500)들만 제공될 수 있다.According to an example, the liquid processing apparatuses 400 are disposed on both sides of the conveying apparatus 300 , the supercritical apparatuses 500 are disposed on both sides of the conveying apparatus 300 , and the liquid processing apparatuses 400 are supercritical It may be disposed at a location closer to the buffer unit 200 than the devices 500 . On one side of the conveying apparatus 300, the liquid processing apparatuses 400 may be provided in an A X B (A and B each is 1 or a natural number greater than 1) arrangement along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. have. In addition, the supercritical devices 500 on one side of the conveying device 300 are provided along the first direction 92 and the third direction 96, respectively, C X D (C and D are each a natural number greater than 1 or 1). can Unlike the above, only the liquid processing apparatuses 400 may be provided on one side of the conveying apparatus 300 , and only the supercritical apparatuses 500 may be provided on the other side of the conveying apparatus 300 .

반송 장치(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 장치(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진 이동할 수 있다.The transfer device 300 includes a transfer robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in the first direction 92 is provided in the transport device 300 , and the transport robot 320 may be movably provided on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction 96 , and moves in the third direction 96 . It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 322 are provided to be vertically spaced apart, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 장치(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other in the third direction 96 . The buffer unit 200 has an open front face and a rear face. The front side is a side facing the index module 10 , and the rear side is a side facing the conveying device 300 . The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear side.

도 3은 도 2의 액 처리 장치(400)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 장치(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 부재(440), 액 공급 유닛(460), 승강 유닛(480) 및 제어기(40)를 가진다. 제어기(40)는 액 공급 유닛(460), 지지 부재(440) 및 승강 유닛(480)의 동작을 제어한다. 하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 부재(440), 그리고 액 공급 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing apparatus 400 of FIG. 2 . Referring to FIG. 3 , the liquid processing apparatus 400 includes a housing 410 , a cup 420 , a support member 440 , a liquid supply unit 460 , an elevation unit 480 , and a controller 40 . The controller 40 controls operations of the liquid supply unit 460 , the support member 440 , and the lifting unit 480 . The housing 410 is provided in a generally rectangular parallelepiped shape. The cup 420 , the support member 440 , and the liquid supply unit 460 are disposed in the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리공간을 가지고, 기판(W)은 처리공간 내에서 액 처리된다. 지지 부재(440)는 처리공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 부재(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 부재(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support member 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the liquid onto the substrate W supported by the support member 440 . The liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate (W). The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support member 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 부재(440)를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 전 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 부재(440)를 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers (422, 424, 426). The recovery barrels 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering a liquid used for substrate processing. Each of the collection containers 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support member 440 . During the liquid treatment process, the pretreatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each of the collection tubes 422 , 424 , and 426 . According to an example, the cup 420 includes a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first waste container 422 is disposed to surround the support member 440 , the second waste container 424 is disposed to surround the first waste container 422 , and the third waste container 426 is disposed to cover the second It is disposed so as to surround the recovery container (424). The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection tube 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection tube 422, and the third collection tube 426. The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 부재(440)는 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다.The support member 440 has a support plate 442 and a driving shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A support pin 442a for supporting the rear surface of the substrate W is provided in the central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has an upper end of the support plate (W) spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442) is provided to protrude from. A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 .

척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 부재(440)로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 , and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support member 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driver 446 , is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 based on the central axis thereof.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다. 제1노즐(462)은 제1액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제2노즐(464)은 제2액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2액은 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제2액은 제1액에 비해 제3액에 더 잘 용해되는 액일 수 있다. 제2액은 기판(W) 상에 공급된 제1액을 중화시키는 액일 수 있다. 또한, 제2액은 제1액을 중화시키고 동시에 제1액에 비해 제3액에 잘 용해되는 액일 수 있다.According to an example, the liquid supply unit 460 has a first nozzle 462 , a second nozzle 464 , and a third nozzle 466 . The first nozzle 462 supplies the first liquid onto the substrate W. The first liquid may be a liquid that removes a film or foreign material remaining on the substrate W. The second nozzle 464 supplies the second liquid onto the substrate W. The second liquid may be a liquid that is well soluble in the third liquid. For example, the second liquid may be a liquid that is more soluble in the third liquid than the first liquid. The second liquid may be a liquid for neutralizing the first liquid supplied on the substrate (W). In addition, the second solution may be a solution that neutralizes the first solution and at the same time is more soluble in the third solution than the first solution.

일 예에 의하면, 제2액은 물일 수 있다. 제3노즐(466)은 제3액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3액은 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 예컨대, 제3액은 제2액에 비해 초임계 장치(500)에서 사용되는 초임계 유체에 잘 용해되는 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제3액은 유기용제일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 일 예에 의하면, 초임계 유체는 이산화탄소일 수 있다.According to an example, the second liquid may be water. The third nozzle 466 supplies the third liquid onto the substrate W. The third liquid may be a liquid that is well soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 . For example, the third liquid may be a liquid that is more soluble in the supercritical fluid used in the supercritical device 500 than the second liquid. According to an example, the third liquid may be an organic solvent. The organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). According to an example, the supercritical fluid may be carbon dioxide.

제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.The first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 are supported on different arms 461 , and these arms 461 can be moved independently. Optionally, the first nozzle 462 , the second nozzle 464 , and the third nozzle 466 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 전 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 부재(440)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 up and down. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . Accordingly, since the recovery tanks 422 , 424 , and 426 for recovering the pre-treatment solution are changed according to the type of the liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separated and collected. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support member 440 in the vertical direction.

도 4는 도 2의 초임계 장치(500)의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 일 실시예에 의하면, 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W) 상의 액을 제거한다. 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상의 액은 이소프로필 알코올(IPA)이다. 초임계 장치(500)는 초임계 유체를 기판 상에 공급하여 기판(W) 상의 IPA를 초임계 유체에 용해시켜 기판(W)으로부터 IPA를 제거한다.4 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the supercritical device 500 of FIG. 2 . According to an embodiment, the supercritical device 500 removes a liquid on the substrate W using a supercritical fluid. According to one embodiment, the liquid on the substrate W is isopropyl alcohol (IPA). The supercritical device 500 supplies the supercritical fluid on the substrate to dissolve the IPA on the substrate W in the supercritical fluid to remove the IPA from the substrate W.

초임계 장치(500)는 공정 챔버(520), 유체 공급 유닛(560), 지지 유닛(580) 그리고 배기 유닛(550)을 포함한다.The supercritical apparatus 500 includes a process chamber 520 , a fluid supply unit 560 , a support unit 580 , and an exhaust unit 550 .

공정 챔버(520)는 내부에서 기판(W)을 세정하는 세정 공정이 수행되는 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 공정 챔버(520)는 제1바디(522)와 제2바디(524)를 가진다. 제1바디(522)와 제2바디(524)는 서로 조합되어 상술한 처리 공간(502)을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(522)는 제2바디(524)의 상부에 제공된다. 일 예에서, 공정 챔버(520)는 개방 위치와 폐쇄 위치 간으로 이동된다. 일 예에서, 개방 위치는 제1바디(522)와 제2바디(524)가 서로 이격된 위치이고, 폐쇄 위치는, 제1바디(522) 또는 제2바디(524) 중 적어도 어느 하나가 이동되어 제1바디(522)와 제2바디(524)가 밀착되어 처리 공간(502)을 밀폐시키는 위치이다.The process chamber 520 provides a processing space 502 in which a cleaning process for cleaning the substrate W is performed. In one example, the process chamber 520 has a first body 522 and a second body 524 . The first body 522 and the second body 524 are combined with each other to provide the processing space 502 described above. In one example, the first body 522 is provided on the second body 524 . In one example, the process chamber 520 is moved between an open position and a closed position. In one example, in the open position, the first body 522 and the second body 524 are spaced apart from each other, and in the closed position, at least one of the first body 522 or the second body 524 is moved. This is a position where the first body 522 and the second body 524 are in close contact to seal the processing space 502 .

일 예에서, 제1바디(522)는 그 위치가 고정되고, 제2바디(524)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다. 일 예에서, 제2바디(524)가 제1바디(522)로부터 이격되면 처리 공간(502)이 개방되고, 이 때 기판(W)이 반입 또는 반출된다. 선택적으로, 제2바디(524)는 그 위치가 고정되고, 제1바디(522)는 실린더와 같은 구동부재(590)에 의해 승하강될 수 있다.In one example, the position of the first body 522 is fixed, and the second body 524 may be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder. In one example, when the second body 524 is spaced apart from the first body 522 , the processing space 502 is opened, and at this time, the substrate W is loaded or unloaded. Optionally, the position of the second body 524 is fixed, and the first body 522 can be raised and lowered by a driving member 590 such as a cylinder.

처리 공간(502) 내부에서 기판(W)을 세정하는 세정 공정 진행 시에는 제2바디(524)가 제1바디(522)에 밀착되어 처리 공간(502)이 외부로부터 밀폐된다. 공정 챔버(520)의 벽 내부에는 히터(525)가 제공된다. 히터(525)는 공정 챔버(520)의 내부공간 내로 공급된 유체가 초임계 상태를 유지하도록 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)을 가열한다. 처리 공간(502)의 내부는 초임계 유체에 의한 분위기가 형성된다.During the cleaning process of cleaning the substrate W in the processing space 502 , the second body 524 is in close contact with the first body 522 to seal the processing space 502 from the outside. A heater 525 is provided inside the wall of the process chamber 520 . The heater 525 heats the processing space 502 of the process chamber 520 so that the fluid supplied into the internal space of the process chamber 520 maintains a supercritical state. An atmosphere of the supercritical fluid is formed inside the processing space 502 .

지지 유닛(580)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내에서 기판(W)을 지지한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 반입된 기판(W)은 지지 유닛(580)에 놓인다. 일 예에 의하면, 기판(W)은 패턴면이 상부를 향하도록 지지 유닛(580)에 의해 지지된다. 도면 상에는 지지 유닛(580)이 제2바디(524) 상에 놓인 것으로 도시하였으나, 이와 달리 지지 유닛(580)은 제1바디(524)의 상부와 결합되도록 제공될 수 있다.The support unit 580 supports the substrate W in the processing space 502 of the process chamber 520 . The substrate W loaded into the processing space 502 of the process chamber 520 is placed on the support unit 580 . According to an example, the substrate W is supported by the support unit 580 so that the pattern surface faces upward. Although the drawing shows that the support unit 580 is placed on the second body 524 , the support unit 580 may be provided to be coupled to the upper portion of the first body 524 .

유체 공급 유닛(560)은 공정 챔버(520)의 처리 공간(502)으로 기판 처리를 위한 세정 유체를 공급한다. 일 예에 의하면, 유체 공급 유닛(560)은 메인 공급 라인(562), 상부 공급 라인(564), 하부 공급 라인(566) 그리고 공급관(565, 567)을 가진다. 메인 공급 라인(562)은 유체 공급원(미도시)에 연결되어 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급한다. 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)으로부터 분기된다. 선택적으로, 상부 공급 라인(564)과 하부 공급 라인(566)은 메인 공급 라인(562)에 공통적으로 연결되지 않고, 각각 별도의 유체 공급원(미도시)에 연결될 수 있다. 일 예에서, 공급관(565, 567)은, 상부 공급관(565)과 하부 공급관(567)로 구성된다. 일 예에서, 상부 공급 라인(564)은 상부 공급관(565)에 연결된다. 하부 공급 라인(566)은 하부 공급관(567)에 연결된다.The fluid supply unit 560 supplies a cleaning fluid for substrate processing to the processing space 502 of the process chamber 520 . According to an example, the fluid supply unit 560 has a main supply line 562 , an upper supply line 564 , a lower supply line 566 , and supply pipes 565 and 567 . The main supply line 562 is connected to a fluid supply source (not shown) to supply the supercritical fluid to the processing space 502 . The upper supply line 564 and the lower supply line 566 branch from the main supply line 562 . Optionally, the upper supply line 564 and the lower supply line 566 are not commonly connected to the main supply line 562 , but may be connected to separate fluid sources (not shown), respectively. In one example, the supply pipes 565 and 567 are composed of an upper supply pipe 565 and a lower supply pipe 567 . In one example, upper supply line 564 is connected to upper supply conduit 565 . The lower supply line 566 is connected to the lower supply pipe 567 .

일 예에서, 상부 공급관(565) 그리고 하부 공급관(567)은 공정 챔버(520)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공된다. 일 예에서, 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중앙에 형성되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이에, 상부 공급 라인(564)은 제1바디(522)의 중앙에 제공되고, 하부 공급 라인(566)은 제2바디(524)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제2바디(524)에 제공될 수 있다.In one example, the upper supply pipe 565 and the lower supply pipe 567 are provided to be symmetrical with respect to the center point of the process chamber 520 . In one example, the upper supply pipe 565 is formed in the center of the first body 522 , and the lower supply pipe 567 is provided to be symmetrical with respect to the center point of the second body 524 . Accordingly, the upper supply line 564 is provided at the center of the first body 522 , and the lower supply line 566 is provided to the second body 524 so as to be symmetrical with respect to the center point of the second body 524 . can

상부 공급 라인(564)에는 상부 공급 밸브(563)가 설치된다. 상부 공급 밸브(563)는 상부 공급 라인(564)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 초임계 유체의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다. 하부 공급 라인(566)에는 하부 공급 밸브(568)가 설치된다. 하부 공급 밸브(568)는 하부 공급 라인(566)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 초임계 유체의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다.An upper supply valve 563 is installed in the upper supply line 564 . The upper supply valve 563 controls whether the supercritical fluid is supplied to the processing space 502 through the upper supply line 564 and the supply flow rate. The lower supply line 566 is provided with a lower supply valve 568 . The lower supply valve 568 controls whether the supercritical fluid is supplied to the processing space 502 through the lower supply line 566 and the supply flow rate.

배기 유닛(550)은, 배기관(551)과 배기 라인(552)을 포함한다. 공정 챔버(520)의 처리 공간(502) 내의 초임계 유체는 배기 라인(552)을 통해서 공정 챔버(520)의 외부로 배기된다. 배기 라인(552)은 배기관(551)에 연결된다. 배기관(551)은 공정 챔버(520)에 제공된다. 배기 라인(552)에는 배기 밸브(555)가 설치된다. 배기 밸브(555)는 배기 라인(552)의 배기 여부를 조절한다. 일 예에서, 배기관(551)은 공정 챔버(520)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공된다. 일 예에서, 배기관(551)은 제2바디(524)의 중앙에 형성될 수 있다. 선택적으로, 배기관(551)은 제1바디(522)에 제공될 수 있다.The exhaust unit 550 includes an exhaust pipe 551 and an exhaust line 552 . The supercritical fluid in the processing space 502 of the process chamber 520 is exhausted to the outside of the process chamber 520 through the exhaust line 552 . The exhaust line 552 is connected to the exhaust pipe 551 . An exhaust pipe 551 is provided in the process chamber 520 . An exhaust valve 555 is installed in the exhaust line 552 . The exhaust valve 555 controls whether the exhaust line 552 is exhausted. In one example, the exhaust pipe 551 is provided to be symmetrical with respect to the center point of the process chamber 520 . In one example, the exhaust pipe 551 may be formed in the center of the second body 524 . Optionally, the exhaust pipe 551 may be provided on the first body 522 .

이하, 도 5 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 공급관(565, 567)과 배기관(551)에 대해 설명한다. 이하, 상부 공급관(565)는 제1바디(522)의 중심점에 제공되고, 하부 공급관(567)과 배기관(551)은 제2바디(524)의 중심점을 벗어나되, 제2바디(524)의 중심점에 대칭되도록 제공되는 것으로 설명한다. 도 5 내지 도 6은 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 제2바디(524)의 단면도를 보여주는 도면이다. 일 예에서, 공급관(565, 567)과 배기관(551)은, 둘 중 어느 하나가 나머지 하나를 감싸는 형태로 제공될 수 있다. 일 예에서, 하부 공급관(567a)은 도 5에 도시된 바와 같이 배기관(551a)을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 도 6에 도시된 바와 같이 배기관(551b)은 공정 챔버(520)의 중심점에 제공되고, 하부 공급관(567b)은 배기관(551b)을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다. 일 예에서, 배기관(551b)은 단일 개 제공되고, 하부 공급관(567b)은 복수 개가 제공될 수 있다. 일 예에서, 하부 공급관(567b)은 공정 챔버(520)의 중심점을 기준으로 45도 각도 이격되어 배치될 수 있다. 이와 달리, 하부 공급관(567b)은 이보다 적거나 많은 개수로 제공될 수 있다.Hereinafter, the supply pipes 565 and 567 and the exhaust pipe 551 of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 6 . Hereinafter, the upper supply pipe 565 is provided at the central point of the first body 522 , and the lower supply pipe 567 and the exhaust pipe 551 deviate from the central point of the second body 524 , and the It will be described as being provided so as to be symmetrical to the central point. 5 to 6 are views each showing a cross-sectional view of the second body 524 according to an embodiment of the present invention. In one example, the supply pipes 565 and 567 and the exhaust pipe 551 may be provided in a form in which either one surrounds the other. In one example, the lower supply pipe 567a may be provided in a ring shape surrounding the exhaust pipe 551a as shown in FIG. 5 . Optionally, as shown in FIG. 6 , the exhaust pipe 551b may be provided at the center point of the process chamber 520 , and the lower supply pipe 567b may be provided to be symmetrical with respect to the exhaust pipe 551b. In one example, a single exhaust pipe 551b may be provided, and a plurality of lower supply pipes 567b may be provided. In one example, the lower supply pipe 567b may be disposed 45 degrees apart from the center point of the process chamber 520 . Alternatively, the lower supply pipe 567b may be provided in fewer or more numbers.

이하, 도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 도 7 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순차적으로 나타내는 도면이다.Hereinafter, a substrate processing method of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 8 . 7 to 8 are views sequentially illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5에 도시된 바와 같이 개방 위치에 놓인 공정 챔버(520)로 기판(W)이 투입된다. 기판(W) 상에는 이소프로필알코올과 같은 유기 용제가 도포된 상태이다. 기판(W)이 공정 챔버(520) 내의 지지 유닛(580)에 놓이면 공정 챔버(520)가 폐쇄 위치로 이동된다. 이후, 지지 유닛(580)에 기판(W)이 놓이면, 공정 챔버(520)는 개방 위치에서 폐쇄 위치로 이동된다. 공정 챔버(520)가 폐쇄 위치에 놓이면, 처리 공간(502)으로 초임계 유체가 공급된다. 일 예에서, 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소이다. 각 공급관(565, 567)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 이산화탄소는 고온으로 제공된다. 이에, 각 공급관(565, 567)을 통해 처리 공간(502)으로 공급되는 이산화탄소가 처리 공간(502) 내에서 대칭을 이루지 못하는 경우, 처리 공간(502) 내의 온도 구배는 상이해진다. 또한, 기판(W) 상의 이소프로필알코올은 균일하게 건조되지 못한다.First, as shown in FIG. 5 , a substrate W is introduced into the process chamber 520 placed in an open position. On the substrate W, an organic solvent such as isopropyl alcohol is applied. When the substrate W is placed on the support unit 580 in the process chamber 520 , the process chamber 520 is moved to the closed position. Thereafter, when the substrate W is placed on the support unit 580 , the process chamber 520 is moved from the open position to the closed position. When the process chamber 520 is in the closed position, a supercritical fluid is supplied to the processing space 502 . In one example, the supercritical fluid is carbon dioxide in a supercritical state. Carbon dioxide supplied to the processing space 502 through each of the supply pipes 565 and 567 is provided at a high temperature. Accordingly, when carbon dioxide supplied to the processing space 502 through each of the supply pipes 565 and 567 is not symmetric in the processing space 502 , the temperature gradient in the processing space 502 is different. In addition, isopropyl alcohol on the substrate W is not uniformly dried.

본 발명은, 상부 공급관(565)는 제1바디(522)의 중심점에 제공되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중심점에 대칭되도록 제공된다. 각 공급관(565, 567)을 통해 공급되는 초임계 유체는, 처리 공간(502) 내에서 대칭적인 기류를 형성한다. 이에, 처리 공간(502) 내의 온도 구배는 균일하며, 기판(W) 상의 이소프로필알코올은 균일하게 건조된다.In the present invention, the upper supply pipe 565 is provided at the center point of the first body 522 , and the lower supply pipe 567 is provided symmetrically to the center point of the second body 524 . The supercritical fluid supplied through each of the supply pipes 565 and 567 forms a symmetrical airflow within the processing space 502 . Accordingly, the temperature gradient in the processing space 502 is uniform, and the isopropyl alcohol on the substrate W is uniformly dried.

처리 공간(502) 내에서, 기판(W)의 처리가 완료되면, 처리 공간(502)의 배기가 이루어진다. 처리 공간(502)을 배기함에 따라 처리 공간(502) 내에 형성되는 기류가 처리 공간(502)내에서 대칭을 이루지 못하는 경우, 처리 공간(502) 내의 온도 구배는 균일하지 못하며, 이는 기판(W)에 영향을 미친다. 본 발명은, 배기관(551)은 제2바디(524)의 중심점에 대칭되도록 제공된다. 이에, 처리 공간(502)을 배기함에 따라 처리 공간(502) 내에 형성되는 기류가 처리 공간(502)내에서 대칭을 이룬다. 따라서, 처리 공간(502)을 배기하는 동안 처리 공간(502) 내의 온도 구배는 균일하게 된다.In the processing space 502 , when the processing of the substrate W is completed, the processing space 502 is exhausted. When the airflow formed in the processing space 502 is not symmetrical in the processing space 502 as the processing space 502 is evacuated, the temperature gradient in the processing space 502 is not uniform, which is the substrate W affects In the present invention, the exhaust pipe 551 is provided to be symmetrical to the center point of the second body 524 . Accordingly, as the processing space 502 is evacuated, the airflow formed in the processing space 502 is symmetrical in the processing space 502 . Accordingly, the temperature gradient in the processing space 502 becomes uniform while evacuating the processing space 502 .

상술한 예에서는, 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 동안, 처리 공간(502)은 배기되지 않는 것으로 도시하였다. 그러나, 처리 공간(502)으로 초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 동안, 처리 공간(502)은 계속적으로 또는 불연속적으로 배기될 수 있다.In the above-described example, it is shown that the processing space 502 is not exhausted while the substrate is processed by supplying the supercritical fluid to the processing space 502 . However, while processing a substrate by supplying the supercritical fluid to the processing space 502 , the processing space 502 may be evacuated continuously or discontinuously.

상술한 예에서는, 처리 공간(502)과 처리 공간(502)의 외부의 압력 차이에 의해 배기 라인(552)을 통해 처리 공간(502)이 배기되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 배기 라인(552)에는 감압 부재가 설치될 수 있다.In the above example, it has been described that the processing space 502 is exhausted through the exhaust line 552 due to a pressure difference between the processing space 502 and the outside of the processing space 502 . However, alternatively, a pressure reducing member may be installed in the exhaust line 552 .

상술한 예에서는, 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중앙에 형성되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 형성되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중심점에 제공될 수 있다. 또는, 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중심점에 제공되고 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중심점에 제공될 수 있다. 또는, 상부 공급관(565)은 제1바디(522)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공되고, 하부 공급관(567)은 제2바디(524)의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다.In the above example, it has been described that the upper supply pipe 565 is formed in the center of the first body 522 , and the lower supply pipe 567 is provided to be symmetrical with respect to the center point of the second body 524 . However, unlike this, the upper supply pipe 565 may be formed to be symmetrical with respect to the central point of the first body 522 , and the lower supply pipe 567 may be provided at the central point of the second body 524 . Alternatively, the upper supply pipe 565 may be provided at the center point of the first body 522 and the lower supply pipe 567 may be provided at the center point of the second body 524 . Alternatively, the upper supply pipe 565 may be provided symmetrically with respect to the center point of the first body 522 , and the lower supply pipe 567 may be provided symmetrically with respect to the center point of the second body 524 .

상술한 예에서는, 배기관(551)은 제2바디(524)에 제공되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 배기관(551)은 제1바디(522)에 제공될 수 있다. 예컨대, 배기관(551)은 제1바디(522)의 중앙에 제공될 수 있다.In the above example, it has been described that the exhaust pipe 551 is provided in the second body 524 , but the exhaust pipe 551 may be provided in the first body 522 . For example, the exhaust pipe 551 may be provided at the center of the first body 522 .

상술한 예에서는, 하부 공급관(567)은 공정 챔버(520)의 중심점을 벗어나되 중심점에 대칭되도록 제공되고 배기관(551)은 공정 챔버(520)의 중심점에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리, 도 9에 도시된 바와 같이, 하부 공급관(567c)은 제2바디(522)의 중심점에 제공되고 배기관(551c)은 하부 공급관(567c)을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 하부 공급관(567d)은 제2바디(522)의 중심점에 단일 개 제공되고, 배기관(551d)은 하부 공급관(567d)을 중심으로 대칭되도록 복수 개가 제공될 수 있다.In the above-described example, it has been described that the lower supply pipe 567 is provided to be symmetrical to the central point of the process chamber 520 , and the exhaust pipe 551 is provided at the central point of the process chamber 520 . Alternatively, however, as shown in FIG. 9 , the lower supply pipe 567c may be provided at the center point of the second body 522 and the exhaust pipe 551c may be provided in a ring shape surrounding the lower supply pipe 567c. Optionally, as shown in FIG. 10, a single lower supply pipe 567d is provided at the center point of the second body 522, and a plurality of exhaust pipes 551d are provided so as to be symmetrical about the lower supply pipe 567d. can

본 발명에 따르면, 공정 챔버(520) 내로 고온의 초임계 유체를 공급하는 공급관과 배기관을 공정 챔버(520)의 중심점을 기준으로 대칭이 되도록 제공하는 바, 공정 챔버(520) 내에 대칭적인 기류를 형성할 수 있다. 이에 따라, 초임계 유체에 의해 처리되는 기판은, 전면에서 고르게 처리될 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, a supply pipe and an exhaust pipe for supplying a high-temperature supercritical fluid into the process chamber 520 are provided to be symmetrical with respect to the center point of the process chamber 520, so that a symmetrical airflow in the process chamber 520 is provided. can be formed Accordingly, there is an advantage that the substrate processed by the supercritical fluid can be processed evenly from the front side.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

Claims (20)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 공정 챔버를 개방 위치 또는 폐쇄 위치로 이동시키는 구동기와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 공정 챔버에 형성되어 상기 처리 공간으로 유체를 공급하는 공급관을 포함하는 유체 공급 유닛과;
상기 공정 챔버에 형성되어 상기 처리 공간을 배기하는 배기관을 포함하는 배기 유닛을 포함하고,
상기 공급관은 상기 공정 챔버의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a process chamber having a first body and a second body combined with each other to form a processing space in which a substrate is processed;
an actuator for moving the process chamber to an open position or a closed position;
a support unit for supporting a substrate in the processing space;
a fluid supply unit formed in the process chamber and including a supply pipe for supplying a fluid to the processing space;
an exhaust unit formed in the process chamber and including an exhaust pipe exhausting the processing space;
The supply pipe is provided to be symmetrical with respect to a center point of the process chamber. 제1항에 있어서,
상기 배기관은 상기 공정 챔버의 중심점을 기준으로 대칭되도록 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The exhaust pipe is provided to be symmetrical with respect to a center point of the process chamber. 제2항에 있어서,
상기 공급관과 상기 배기관은,
둘 중 어느 하나가 나머지 하나를 감싸는 형태로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The supply pipe and the exhaust pipe,
A substrate processing apparatus provided in a form in which one of the two surrounds the other. 제1항에 있어서,
상기 공급관은 상기 배기관을 감싸는 링 형상으로 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The supply pipe is a substrate processing apparatus provided in a ring shape surrounding the exhaust pipe. 제1항에 있어서,
상기 배기관은 상기 공정 챔버의 중심점에 제공되고,
상기 공급관은 상기 배기관을 기준으로 대칭되도록 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The exhaust pipe is provided at a central point of the process chamber,
The supply pipe is provided to be symmetrical with respect to the exhaust pipe. 제1항에 있어서,
상기 공급관은 상기 제1바디 또는 상기 제2바디 중 적어도 어느 하나에 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The supply pipe is provided in at least one of the first body and the second body. 제1항에 있어서,
상기 공급관은,
상기 제1바디에 제공된 제1공급관과;
상기 제2바디에 제공된 제2공급관을 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 1,
The supply pipe is
a first supply pipe provided on the first body;
and a second supply pipe provided on the second body. 제7항에 있어서,
상기 배기관은 상기 제2바디에 제공되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The exhaust pipe is provided on the second body. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1바디는 상기 제2바디의 상부에 제공되는 기판 처리 장치.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The first body is a substrate processing apparatus provided on the second body. 제9항에 있어서,
상기 기판은 패턴면이 상부를 향하도록 상기 지지 유닛에 지지되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The substrate is supported by the support unit such that the pattern surface faces upward. 제9항에 있어서,
상기 유체는 초임계 유체로 제공되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The fluid is a substrate processing apparatus provided as a supercritical fluid. 공정 챔버의 내부로 초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 초임계 유체는 상기 공정 챔버의 중심점에서 공급되는 기판 처리 방법.A method of processing a substrate by supplying a supercritical fluid into the process chamber, the method comprising:
The supercritical fluid is supplied from a central point of the process chamber. 제12항에 있어서,
상기 공정 챔버 내부는 상기 공정 챔버의 중심점에서 배기되는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The inside of the process chamber is exhausted from a central point of the process chamber. 제12항에 있어서,
상기 공정 챔버는,
상기 공정 챔버에 형성되어 상기 공정 챔버의 내부로 상기 초임계 유체를 공급하는 공급관과;
상기 공정 챔버에 형성되어 상기 공정 챔버의 내부를 배기하는 배기관을 포함하고,
상기 공급관과 상기 배기관은,
둘 중 어느 하나가 나머지 하나를 감싸는 형태로 제공되는 기판 처리 방법.13. The method of claim 12,
The process chamber,
a supply pipe formed in the process chamber to supply the supercritical fluid into the process chamber;
an exhaust pipe formed in the process chamber to exhaust the inside of the process chamber;
The supply pipe and the exhaust pipe,
A substrate processing method provided in a form in which one of the two wraps the other. 제14항에 있어서,
상기 공급관은 상기 배기관을 감싸는 링 형상으로 제공되는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The supply pipe is a substrate processing method provided in a ring shape surrounding the exhaust pipe. 제14항에 있어서,
상기 배기관은 상기 공정 챔버의 중심점에 제공되고,
상기 공급관은 상기 배기관을 기준으로 대칭되도록 제공되는 기판 처리 방법.15. The method of claim 14,
The exhaust pipe is provided at a central point of the process chamber,
The substrate processing method is provided so that the supply pipe is symmetrical with respect to the exhaust pipe. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 상기 공정 챔버의 내부에 패턴면이 상부를 향하도록 놓이는 기판 처리 방법.17. The method according to any one of claims 14 to 16,
wherein the substrate is placed in the process chamber with a patterned surface facing upward. 제17항에 있어서,
상기 공급관은,
상기 공정 챔버의 상부 또는 하부 중 적어도 어느 하나에 제공되는 기판 처리 방법.18. The method of claim 17,
The supply pipe is
A substrate processing method provided in at least one of an upper portion and a lower portion of the process chamber. 제18항에 있어서,
상기 공급관은,
상기 챔버의 하부에 제공되는 기판 처리 방법.19. The method of claim 18,
The supply pipe is
A substrate processing method provided in a lower portion of the chamber. 제18항에 있어서,
상기 배기관은,
상기 공정 챔버의 하부에 제공되는 기판 처리 방법.



19. The method of claim 18,
The exhaust pipe is
A substrate processing method provided in a lower portion of the process chamber.
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